KR102312964B1 - 이미지 센서 및 그 제조방법 - Google Patents
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Landscapes
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Abstract
Description
도 2는 본 발명의 실시예 및 변형예에 따른 이미지 센서를 도시한 단면도.
도 3a 내지 도 3e는 본 발명의 실시예에 따른 이미지 센서의 제조방법을 도시한 공정단면도.
603 : 버퍼막 604 : 제1필터
605 : 제2필터 606 : 제3필터
607 : 에어 스페이서 608 : 보호막
609 : 마이크로렌즈
Claims (18)
- 복수의 필터들;
상기 복수의 필터들 사이에 형성된 에어 스페이서;
상기 복수의 필터들 상에 형성된 제1부분과 상기 에어 스페이서 상에 형성된 제2부분을 포함하는 보호막; 및
상기 복수의 필터들 각각에 대응하도록 상기 보호막의 제1부분 상에 형성된 마이크로렌즈를 포함하되,
상기 보호막의 제2부분은 상기 복수의 필터들 위로 돌출된 볼록렌즈 형상을 갖고, 인접한 상기 마이크로렌즈 사이는 상기 볼록렌즈 형태를 갖는 보호막에 의해 분리되도록 형성되는 이미지 센서.
- 삭제
- ◈청구항 3은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.◈제1항에 있어서,
상기 마이크로렌즈는 상기 보호막과 동일한 굴절률을 갖거나, 또는 상기 보호막보다 작은 굴절률을 갖는 이미지 센서.
- 삭제
- ◈청구항 5은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.◈제1항에 있어서,
상기 복수의 필터들 각각은, 레드필터, 그린필터, 블루필터, 사이언필터, 옐로우필터, 마젠타필터, 화이트필터, 블랙필터, 적외선패스필터, 적외선차단필터 및 특정 파장대역을 통과시키는 밴드패스필터로 이루어진 그룹으로부터 선택된 어느 하나의 단일필터 또는 둘 이상이 혼재된 다중필터를 포함하는 이미지 센서.
- ◈청구항 6은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.◈제1항에 있어서,
상기 복수의 필터들은 상기 에어 스페이서보다 큰 굴절률을 갖는 이미지 센서.
- ◈청구항 7은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.◈제1항에 있어서,
상기 에어 스페이서는 메쉬 형태를 갖는 이미지 센서.
- ◈청구항 8은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.◈제1항에 있어서,
상기 보호막은 상기 복수의 필터들보다 작은 굴절률을 갖고, 상기 에어 스페이스보다 큰 굴절률을 갖는 이미지 센서.
- ◈청구항 9은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.◈제1항에 있어서,
상기 보호막은 열경화성을 갖는 물질을 포함하는 이미지 센서.
- 기판상에 희생패턴을 형성하는 단계;
상기 기판상에 상기 희생패턴 사이를 매립하는 복수의 필터들을 형성하는 단계;
상기 희생패턴을 제거하여 상기 복수의 필터들 사이에 에어 스페이서를 형성하는 단계;
상기 복수의 필터들 및 상기 에어 스페이서를 포함한 구조물 전면에 보호막을 형성하는 단계;
상기 에어 스페이서 내 공기를 팽창시켜 상기 에어 스페이서 상에 형성된 보호막을 볼록렌즈 형태로 변형시키는 어닐링 단계; 및
상기 복수의 필터들에 대응하도록 상기 보호막 상에 마이크로렌즈를 형성하는 단계
를 포함하되,
인접한 상기 마이크로렌즈는 상기 보호막의 제2부분에 의해 서로 분리되되도록 형성하는 이미지 센서 제조방법.
- ◈청구항 11은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.◈제10항에 있어서,
상기 복수의 필터들을 형성하는 단계에서,
상기 복수의 필터들은 서로 평탄한 표면을 갖도록 형성하는 이미지 센서 제조방법.
- ◈청구항 12은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.◈제10항에 있어서,
상기 희생패턴 및 상기 에어 스페이서는 메쉬 형태를 갖도록 형성하는 이미지 센서 제조방법.
- ◈청구항 13은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.◈제10항에 있어서,
상기 복수의 필터들은 상기 에어 스페이서보다 큰 굴절률을 갖도록 형성하는 이미지 센서 제조방법.
- ◈청구항 14은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.◈제10항에 있어서,
상기 복수의 필터들 각각은, 레드필터, 그린필터, 블루필터, 사이언필터, 옐로우필터, 마젠타필터, 화이트필터, 블랙필터, 적외선패스필터, 적외선차단필터 및 특정 파장대역을 통과시키는 밴드패스필터로 이루어진 그룹으로부터 선택된 어느 하나의 단일필터 또는 둘 이상이 혼재된 다중필터를 포함하는 이미지 센서 제조방법.
- ◈청구항 15은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.◈제10항에 있어서,
상기 보호막은 상기 복수의 필터들보다 작은 굴절률을 갖고, 상기 에어 스페이스보다 큰 굴절률을 갖도록 형성하는 이미지 센서 제조방법.
- ◈청구항 16은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.◈제10항에 있어서,
상기 보호막은 열경화성을 갖는 물질을 포함하는 이미지 센서 제조방법.
- ◈청구항 17은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.◈제10항에 있어서,
상기 마이크로렌즈는 상기 보호막과 동일한 굴절률을 갖거나, 또는 상기 보호막보다 작은 굴절률을 갖도록 형성하는 이미지 센서 제조방법. - 삭제
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020140180224A KR102312964B1 (ko) | 2014-12-15 | 2014-12-15 | 이미지 센서 및 그 제조방법 |
US14/663,146 US9520429B2 (en) | 2014-12-15 | 2015-03-19 | Image sensor with protection layer having convex-shaped portions over the air spacers between the plurality of filters |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020140180224A KR102312964B1 (ko) | 2014-12-15 | 2014-12-15 | 이미지 센서 및 그 제조방법 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20160072513A KR20160072513A (ko) | 2016-06-23 |
KR102312964B1 true KR102312964B1 (ko) | 2021-10-15 |
Family
ID=56111945
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020140180224A Active KR102312964B1 (ko) | 2014-12-15 | 2014-12-15 | 이미지 센서 및 그 제조방법 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9520429B2 (ko) |
KR (1) | KR102312964B1 (ko) |
Families Citing this family (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20180315791A1 (en) | 2017-04-30 | 2018-11-01 | Himax Technologies Limited | Image sensor structure |
KR102638487B1 (ko) | 2018-12-28 | 2024-02-21 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 이미지 센싱 장치 및 그 제조 방법 |
KR102721025B1 (ko) * | 2019-01-03 | 2024-10-24 | 삼성전자주식회사 | 이미지 센서 및 이의 제조 방법 |
KR102658571B1 (ko) | 2019-06-11 | 2024-04-19 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 이미지 센싱 장치 및 그 제조 방법 |
KR102611172B1 (ko) * | 2019-08-20 | 2023-12-08 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 이미지 센서 |
KR102664446B1 (ko) * | 2019-08-28 | 2024-05-09 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 이미지 센싱 장치 |
KR102691365B1 (ko) * | 2019-09-02 | 2024-08-05 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 이미지 센싱 장치 |
KR102721163B1 (ko) * | 2019-09-24 | 2024-10-24 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 이미지 센싱 장치 |
KR102747501B1 (ko) * | 2019-10-02 | 2024-12-31 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 이미지 센서 |
KR20210055418A (ko) * | 2019-11-07 | 2021-05-17 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 이미지 센싱 장치 |
KR102741562B1 (ko) | 2019-12-18 | 2024-12-13 | 삼성전자주식회사 | 이미지 센서 |
KR102749017B1 (ko) | 2020-02-04 | 2025-01-02 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 이미지 센싱 장치 |
US20250212541A1 (en) * | 2022-04-20 | 2025-06-26 | Sony Semiconductor Solutions Corporation | Solid-state imaging device |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011134788A (ja) * | 2009-12-22 | 2011-07-07 | Canon Inc | 固体撮像装置及び固体撮像装置の製造方法 |
JP2013510424A (ja) * | 2009-11-05 | 2013-03-21 | ナム タイ,ヒョク | イメージセンサーのための最適化された光導波路アレイ |
JP5542247B2 (ja) * | 2012-03-30 | 2014-07-09 | 富士フイルム株式会社 | 撮像素子及び撮像装置 |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20070069355A (ko) | 2005-12-28 | 2007-07-03 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 씨모스 이미지 센서의 제조 방법 |
JP2012084608A (ja) | 2010-10-07 | 2012-04-26 | Sony Corp | 固体撮像装置とその製造方法、並びに電子機器 |
KR20130033967A (ko) * | 2011-09-27 | 2013-04-04 | 삼성전자주식회사 | 이미지 센서와 이를 포함하는 이미지 처리 시스템 |
-
2014
- 2014-12-15 KR KR1020140180224A patent/KR102312964B1/ko active Active
-
2015
- 2015-03-19 US US14/663,146 patent/US9520429B2/en active Active
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013510424A (ja) * | 2009-11-05 | 2013-03-21 | ナム タイ,ヒョク | イメージセンサーのための最適化された光導波路アレイ |
JP2011134788A (ja) * | 2009-12-22 | 2011-07-07 | Canon Inc | 固体撮像装置及び固体撮像装置の製造方法 |
JP5542247B2 (ja) * | 2012-03-30 | 2014-07-09 | 富士フイルム株式会社 | 撮像素子及び撮像装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20160072513A (ko) | 2016-06-23 |
US9520429B2 (en) | 2016-12-13 |
US20160172398A1 (en) | 2016-06-16 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PA0109 | Patent application |
Patent event code: PA01091R01D Comment text: Patent Application Patent event date: 20141215 |
|
PG1501 | Laying open of application | ||
A201 | Request for examination | ||
PA0201 | Request for examination |
Patent event code: PA02012R01D Patent event date: 20190729 Comment text: Request for Examination of Application Patent event code: PA02011R01I Patent event date: 20141215 Comment text: Patent Application |
|
E902 | Notification of reason for refusal | ||
PE0902 | Notice of grounds for rejection |
Comment text: Notification of reason for refusal Patent event date: 20210101 Patent event code: PE09021S01D |
|
AMND | Amendment | ||
E601 | Decision to refuse application | ||
PE0601 | Decision on rejection of patent |
Patent event date: 20210701 Comment text: Decision to Refuse Application Patent event code: PE06012S01D Patent event date: 20210101 Comment text: Notification of reason for refusal Patent event code: PE06011S01I |
|
AMND | Amendment | ||
PX0901 | Re-examination |
Patent event code: PX09011S01I Patent event date: 20210701 Comment text: Decision to Refuse Application Patent event code: PX09012R01I Patent event date: 20210222 Comment text: Amendment to Specification, etc. |
|
PX0701 | Decision of registration after re-examination |
Patent event date: 20210810 Comment text: Decision to Grant Registration Patent event code: PX07013S01D Patent event date: 20210729 Comment text: Amendment to Specification, etc. Patent event code: PX07012R01I Patent event date: 20210701 Comment text: Decision to Refuse Application Patent event code: PX07011S01I Patent event date: 20210222 Comment text: Amendment to Specification, etc. Patent event code: PX07012R01I |
|
X701 | Decision to grant (after re-examination) | ||
PR0701 | Registration of establishment |
Comment text: Registration of Establishment Patent event date: 20211007 Patent event code: PR07011E01D |
|
PR1002 | Payment of registration fee |
Payment date: 20211008 End annual number: 3 Start annual number: 1 |
|
PG1601 | Publication of registration | ||
PR1001 | Payment of annual fee |