KR102311939B1 - 반도체 공정용 반응부산물 다중 포집장치 - Google Patents
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Abstract
Description
도 2는 본 발명의 한 실시예에 따른 반응부산물 다중 포집장치의 내부 구성을 보인 단면도이고,
도 3은 본 발명의 한 실시예에 따른 반응부산물 다중 포집장치의 구성을 보인 분해 사시도이고,
도 4는 본 발명의 한 실시예에 따른 하우징 및 히터의 구성을 보인 사시도이고,
도 5는 본 발명의 한 실시예에 따른 제 1 포집부의 제 1 포집구조체 구성을 보인 예시도이고,
도 6은 본 발명의 한 실시예에 따른 제 1 포집부의 제 2 포집구조체 구성을 보인 예시도이고,
도 7은 본 발명의 한 실시예에 따른 제 2 포집부의 제 3 포집구조체 구성을 보인 예시도이고,
도 8은 본 발명의 한 실시예에 따른 제 2 포집부의 제 4 포집구조체 구성을 보인 예시도이고,
도 9는 본 발명의 한 실시예에 따른 제 2 포집부의 제 5 포집구조체 구성을 보인 예시도이고,
도 10은 본 발명의 한 실시예에 따른 제 2 포집부의 제 6 포집구조체 구성을 보인 예시도이고,
도 11은 본 발명의 한 실시예에 따른 제 2 포집부의 제 7 포집구조체 구성을 보인 예시도이고,
도 12는 본 발명의 한 실시예에 따른 반응부산물 포집장치 내부에서의 포집경향을 보인 예시도이고,
도 13은 본 발명의 한 실시예에 따른 반응부산물 포집장치 내부에서의 가스 흐름을 보인 예시도이다.
(3) : 제 1 포집부 (4) : 제 2 포집부
(11) : 하우징본체 (12) : 상판
(12a) : 가스유입구 (12b) : 냉각수유로부
(12c) : 냉각수 유입구 (12d) : 냉각수 배출구
(13) : 하판 (13a) : 가스배출구
(13b) : 지지부 (13c) : 바퀴
(13d) : 지지대 (14) : 배출구 커버
(21) : 전원공급부 (22) : 전원배관
(31) : 제 1 포집구조체 (32) : 제 2 포집구조체
(41) : 제 3 포집구조체 (42) : 제 4 포집구조체
(43) : 제 5 포집구조체 (44) : 제 6 포집구조체
(45) : 제 7 포집구조체 (141) : 이격부재
(300) : 고정부재 (311) : 가스이동홀
(312) : 가이드형 포집플레이트 (321) : 가스이동홀
(322) : 날개형 포집플레이트 (322a) : 부하날개
(400) : 고정부재 (411) : 가스이동홀
(412) : 차폐형 포집플레이트부 (412a) : 제 1 포집편
(412a'): 가스이동홀 (412b) : 제 2 포집편
(412b') : 가스이동홀 (412c) : 원통형 포집체
(412c') : 가스이동홀 (422) : 차폐형 포집플레이트부
(422a) : 제 1 포집편 (422a') : 가스이동홀
(422b) : 제 2 포집편 (422b') : 가스이동홀
(422c) : 원통형 포집체 (422c') : 가스이동홀
(431) : 가이드형 포집플레이트 (441) : 가스이동홀
(442) : 날개형 포집플레이트 (442a) : 부하날개
(451) : 홀 (452) : 기둥형 포집플레이트부
(452a') : 가스이동홀 (452a) : 제 1 기둥형 포집플레이트
(452b) : 제 2 기둥형 포집플레이트 (452b') : 가스이동홀
Claims (15)
- 반도체 제조공정 중 프로세스 챔버에서 다중 박막 증착 과정을 거친 후 배출되는 미반응가스 중에 포함된 혼합 반응부산물을 포집하는 포집장치에 있어서,
하우징(1)의 상판 하부에 설치된 히터(2)와 가까운 상부 영역에 위치하여 혼합 반응부산물 중 상대적으로 고온에 반응하는 반응부산물을 박막 형태로 포집시키도록 유로 연장과 와류 발생 구조를 가지는 제 1 포집구조체(31)와 제 2 포집구조체(32)가 수직방향으로 다단 구성된 제 1 포집부(3)와;
상기 제 1 포집부(3)의 하부에 위치하여 상부 영역보다 상대적으로 저온이 유지된 공간영역에서 혼합 반응부산물 중 상대적으로 저온에 반응하는 반응부산물을 분말 형태로 포집시키도록 유로 연장과 다중 와류 발생 구조를 가지는 제 3 포집구조체(41), 제 4 포집구조체(42), 제 5 포집구조체(43), 제 6 포집구조체(44), 제 7 포집구조체(45)가 수직방향으로 다단 구성된 제 2 포집부(4);를 포함하여,
하우징(1)으로 유입되는 미반응 가스 중의 혼합 반응부산물을 하나의 장치에서 히터로부터 이격된 거리에 따른 수직 온도분포 차이로 영역을 분리하여 각각 포집하도록 구성하되,
상기 제 1 포집구조체(31)는 히터에서 하강한 가스를 둘레 및 둘레를 따라 복수개가 원형배열된 가스이동홀(311)을 통해 하강시키면서, 상면과 하면 그리고 하면에 형성된 가이드형 포집플레이트(312)를 통해 반응부산물을 포집하도록 구성한 것을 특징으로 하는 반도체 공정용 반응부산물 다중 포집장치.
- 청구항 1에 있어서,
상기 하우징(1)은 유입된 가스를 수용하는 하우징본체(11)와;
상방향으로 돌출된 가스유입구(12a)와 냉각수유로부(12b)가 형성되고, 하부에 위치하는 제 1 포집부(3) 그리고 제 2 포집부(4)의 일부 영역을 매달린 형태로 고정하여 지지하는 상판(12)과;
가스배출구(13a)가 상부와 하부 양방향으로 돌출되게 설치되고, 제 2 포집부(4)를 고정하는 지지부가 구비된 하판(13)과;
상기 하판에 일정 간격 이격되게 설치되어, 가스배출구(13a)의 상부로 반응부산물이 떨어지는 것을 방지하면서 배출되는 가스의 유로를 가이드 하는 배출구 커버(14);를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 공정용 반응부산물 다중 포집장치.
- 삭제
- 청구항 1에 있어서,
상기 제 2 포집구조체(32)는 제 1 포집구조체(31)에서 하강한 가스가 둘레를 통해 하강하지 않도록 둘레면이 하우징의 내벽과 접하거나 근접되게 설치되어 중앙부에 형성된 가스이동홀(321)로 유로를 전환시켜 하강시키면서, 상면과 하면 그리고 상면에 형성된 날개형 포집플레이트(322)를 통해 반응부산물을 포집하도록 구성한 것을 특징으로 하는 반도체 공정용 반응부산물 다중 포집장치.
- 청구항 4에 있어서,
상기 날개형 포집플레이트(322)는 복수개가 방사상으로 배열되어 설치되고, 각 날개형 포집플레이트(322)의 측방향으로 돌출된 형성된 하나 이상의 부하날개(322a)는 상단이 둘레 방향으로 기울어진 형태로 구성된 것을 특징으로 하는 반도체 공정용 반응부산물 다중 포집장치.
- 청구항 1에 있어서,
상기 제 3 포집구조체(41)는 제 1 포집부의 제 2 포집구조체(32)에서 하강한 가스를 바깥 방향으로 유로를 전환시켜 둘레를 따라 형성된 가스이동홀(411)을 통해 하강시키면서, 바깥방향으로 단차가 높아지게 다중 배치된 차폐형 포집플레이트부(412)로 와류를 발생시키면서 반응부산물을 포집하도록 구성한 것을 특징으로 하는 반도체 공정용 반응부산물 다중 포집장치.
- 청구항 6에 있어서,
상기 차폐형 포집플레이트부(412)는, 제일 안쪽으로는 가스이동홀(412a')이 형성된 제 1 포집편(412a) 복수개가 가스의 유동흐름에 대향되게 원형 배열되고, 상기 제 1 포집편들의 외각에는 개별 제 1 포집편 보다 크고 가스이동홀(412b')이 형성된 제 2 포집편(412b) 복수개가 가스의 유동흐름에 대향되게 원형 배열되고, 상기 제 2 포집편들의 외각에는 개별 제 2 포집편 보다 크고 면상에 복수개의 가스이동홀(412c')이 배열된 원통형 포집체(412c)가 위치하게 구성된 것을 특징으로 하는 반도체 공정용 반응부산물 다중 포집장치.
- 청구항 1에 있어서,
상기 제 4 포집구조체(42)는 제 3 포집구조체(41)에서 하강한 가스를 중심 방향으로 유로를 전환시켜 중심부에 형성된 가스이동홀(421)을 통해 하강시키면서, 중심방향으로 단차가 높아지게 다중 배치된 차폐형 포집플레이트부(422)로 와류를 발생시키면서 반응부산물을 포집하도록 구성된 것을 특징으로 하는 반도체 공정용 반응부산물 다중 포집장치.
- 청구항 8에 있어서,
상기 차폐형 포집플레이트부(422)는 제일 바깥쪽으로는 가스이동홀(422a')이 형성된 제 1 포집편(422a) 복수개가 가스의 유동흐름에 대향되게 원형 배열되어 배치되고, 상기 제 1 포집편(422a)들의 내측에는 개별 제 1 포집편 보다 크고 가스이동홀(422b')이 형성된 제 2 포집편(422b) 복수개가 가스의 유동흐름에 대향되게 원형 배열되어 배치되고, 상기 제 2 포집편들의 내측에는 개별 제 2 포집편 보다 높이가 크고 면상에 복수개의 가스이동홀(422c')이 배열된 원통형 포집체(422c)가 위치하게 구성된 것을 특징으로 하는 반도체 공정용 반응부산물 다중 포집장치.
- 청구항 1에 있어서,
상기 제 5 포집구조체(43)는 제 4 포집구조체(42)에서 하강한 가스를 가이드형 포집플레이트(431)로 바깥 방향으로 유로를 전환시켜 하강되도록 하면서 반응부산물을 포집하도록 구성된 것을 특징으로 하는 반도체 공정용 반응부산물 다중 포집장치.
- 청구항 10에 있어서,
상기 가이드형 포집플레이트(431)는 방사상으로 설치되고, 표면적이 넓게 십자 단면을 가지게 형성된 것을 특징으로 하는 반도체 공정용 반응부산물 다중 포집장치.
- 청구항 1에 있어서,
상기 제 6 포집구조체(44)는 제 5 포집구조체(43)에서 하강한 가스를 중심 방향으로 유로를 전환시켜 중심부에 형성된 가스이동홀(441)을 통해 하강시키면서, 날개형 포집플레이트(442)로 반응부산물을 포집하도록 구성된 것을 특징으로 하는 반도체 공정용 반응부산물 다중 포집장치.
- 청구항 12에 있어서,
상기 날개형 포집플레이트(442)는 복수개가 방사상으로 배열되어 설치되고, 각 날개형 포집플레이트(442)의 측방향으로 돌출된 형성된 하나 이상의 부하날개(442a)는 상단이 둘레 방향으로 기울어진 형태로 구성된 것을 특징으로 하는 반도체 공정용 반응부산물 다중 포집장치.
- 청구항 1에 있어서,
상기 제 7 포집구조체(45)는 제 6 포집구조체(44)에서 하강한 가스를 배출구 커버(14)가 위치한 중심 방향으로 유로를 전환시키고, 중심방향으로 단차가 낮아지게 다중 배치된 기둥형 포집플레이트부(452)로 와류를 발생시키면서 반응부산물을 포집하도록 구성된 것을 특징으로 하는 반도체 공정용 반응부산물 다중 포집장치.
- 청구항 14에 있어서,
상기 기둥형 포집플레이트부(452)는 제일 바깥쪽에는 십자 단면을 가지고 가스의 유동흐름에 대향되는 날개면에 가스이동홀(452a')이 형성된 제 1 기둥형 포집플레이트(452a) 복수개가 원형배열되고,
상기 제 1 기둥형 포집플레이트(452a)들의 내측에는 개별 제 1 기둥형 포집플레이트(452a) 보다 높이가 낮은, 십자 단면을 가지고 가스의 유동흐름에 대향되는 날개면에 가스이동홀(452b')이 형성된 제 2 기둥형 포집플레이트(452b) 복수개가 원형배열되어 구성된 것을 특징으로 하는 반도체 공정용 반응부산물 다중 포집장치.
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