KR102298086B1

KR102298086B1 - Unit and Method for supplying gas, and Apparatus and Method for treating substrate with the unit

Info

Publication number: KR102298086B1
Application number: KR1020190117523A
Authority: KR
Inventors: 이은탁
Original assignee: 세메스 주식회사
Priority date: 2019-09-24
Filing date: 2019-09-24
Publication date: 2021-09-02
Anticipated expiration: 2039-09-24
Also published as: KR20210035569A

Abstract

본 발명은 기판에 가스를 공급하는 장치 및 방법을 제공한다. 가스를 공급하는 유닛은 내부에 액이 수용된 수용 공간을 가지는 탱크, 상기 수용 공간 내의 액이 기화되도록 상기 수용 공간에 가스를 공급하는 기화가스 공급 라인, 상기 수용 공간에서 액으로부터 기화된 처리 가스를 상기 수용 공간으로부터 토출 부재로 공급하는 처리 가스 공급 라인, 그리고 상기 처리 가스 공급 라인에 설치된 상기 토출 부재로 공급되는 처리 가스의 량을 조절하는 가스량 조절 부재를 포함하되, 상기 처리 가스 공급 라인은 상기 수용 공간과 연결되는 제1라인과 상기 토출 부재와 연결되는 제2라인을 포함하고, 상기 가스량 조절 부재는 상기 제1라인 및 상기 제2라인과 연결되는 버퍼 공간을 가지는 바디, 상기 버퍼 공간에 연결되며, 밸브가 설치된 배기 라인, 그리고 상기 밸브를 제어하는 제어기를 포함한다. The present invention provides an apparatus and method for supplying a gas to a substrate. The gas supply unit includes a tank having an accommodating space accommodating a liquid therein, a vaporization gas supply line supplying gas to the accommodating space so that the liquid in the accommodating space is vaporized, and a process gas vaporized from the liquid in the accommodating space. a processing gas supply line for supplying the discharge member from the accommodating space, and a gas amount adjusting member configured to adjust an amount of the processing gas supplied to the discharge member installed in the processing gas supply line, wherein the processing gas supply line is located in the accommodation space a body having a buffer space connected to the first line and the second line, and a second line connected to the discharge member, wherein the gas amount adjusting member is connected to the buffer space, An exhaust line with a valve installed therein, and a controller for controlling the valve.

Description

TECHNICAL FIELD [0002] Unit and Method for supplying gas, and Apparatus and Method for treating substrate with the unit.

본 발명은 기판을 처리하는 장치 및 방법에 관한 것으로, 보다 자세하게는 기판에 가스를 공급하는 장치 및 방법에 관한 것이다.The present invention relates to an apparatus and method for processing a substrate, and more particularly, to an apparatus and method for supplying a gas to a substrate.

반도체 소자를 제조하기 위해서는 세정, 증착, 사진, 식각, 그리고 이온주입 등과 같은 다양한 공정이 수행된다. 이러한 공정들 중 내부에 처리 공간을 가지는 챔버에서 진행된다.In order to manufacture a semiconductor device, various processes such as cleaning, deposition, photography, etching, and ion implantation are performed. Among these processes, it is performed in a chamber having a processing space therein.

이 중 사진 공정은 기판 상에 도포막을 형성하는 도포 공정을 포함하며, 이러한 도포막은 형성하기 전에는 기판의 표면을 개질하는 작업이 수행되어야 한다. Among them, the photographic process includes a coating process of forming a coating film on a substrate, and before the coating film is formed, a work of modifying the surface of the substrate must be performed.

일반적으로, 기판의 표면 개질 공정은 친수성 표면을 소수화하는 공정을 포함한다. 표면 개질 공정은 기판 표면에 처리 가스를 공급함으로써 이루어진다. 처리 가스는 처리액을 기화시켜 형성한다. 예컨대, 처리액이 수용된 탱크에 기화 가스를 공급하게 되면, 처리액은 기화 가스에 의해 처리 가스가 형성된다. 탱크 내에 발생된 처리 가스는 가스 공급 라인을 통해 토출 부재로 전달되어 기판으로 공급된다.In general, the surface modification process of a substrate includes a process of hydrophobizing a hydrophilic surface. The surface modification process is performed by supplying a processing gas to the substrate surface. The processing gas is formed by vaporizing the processing liquid. For example, when vaporized gas is supplied to a tank in which the processing liquid is accommodated, the processing liquid is formed by the vaporized gas. The processing gas generated in the tank is delivered to the discharge member through a gas supply line and supplied to the substrate.

그러나 이러한 가스 기화 장치는 기화 가스의 공급에 의해 이루어지며, 기화 가스를 계속적으로 공급해주어야 한다. 따라서 탱크에는 기화 가스가 일정 공급압으로 제공된다. 이 경우, 가스 공급 라인에 밸브를 설치하여 가스 공급 라인의 개구율을 조절하여 처리 가스의 유량을 조절하게 되면, 기화 가스의 공급압에 영향을 끼친다. However, such a gas vaporizer is made by the supply of the vaporizing gas, and the vaporization gas must be continuously supplied. The tank is therefore provided with vaporized gas at a constant supply pressure. In this case, if a valve is installed in the gas supply line to adjust the flow rate of the process gas by adjusting the opening ratio of the gas supply line, the supply pressure of the vaporized gas is affected.

이에 따라 가스 가압 방식을 이용하여 기화된 처리 가스는 유량을 조절하는 것이 어렵다.Accordingly, it is difficult to control the flow rate of the process gas vaporized using the gas pressurization method.

본 발명은 가스 가압 방식에 의해 기화된 가스의 유량을 조절할 수 있는 장치 및 방법을 제공하는 것을 일 목적으로 한다.An object of the present invention is to provide an apparatus and method capable of controlling the flow rate of gas vaporized by a gas pressurization method.

본 발명의 실시예는 기판에 가스를 공급하는 장치 및 방법을 제공한다.SUMMARY Embodiments of the present invention provide an apparatus and method for supplying a gas to a substrate.

가스를 공급하는 유닛은 내부에 액이 수용된 수용 공간을 가지는 탱크, 상기 수용 공간 내의 액이 기화되도록 상기 수용 공간에 가스를 공급하는 기화가스 공급 라인, 상기 수용 공간에서 액으로부터 기화된 처리 가스를 상기 수용 공간으로부터 토출 부재로 공급하는 처리 가스 공급 라인, 그리고 상기 처리 가스 공급 라인에 설치된 상기 토출 부재로 공급되는 처리 가스의 량을 조절하는 가스량 조절 부재를 포함하되, 상기 처리 가스 공급 라인은 상기 수용 공간과 연결되는 제1라인과 상기 토출 부재와 연결되는 제2라인을 포함하고, 상기 가스량 조절 부재는 상기 제1라인 및 상기 제2라인과 연결되는 버퍼 공간을 가지는 바디, 상기 버퍼 공간에 연결되며, 밸브가 설치된 배기 라인, 그리고 상기 밸브를 제어하는 제어기를 포함한다. The gas supply unit includes a tank having an accommodating space accommodating a liquid therein, a vaporization gas supply line supplying gas to the accommodating space so that the liquid in the accommodating space is vaporized, and a process gas vaporized from the liquid in the accommodating space. a processing gas supply line for supplying the discharge member from the accommodating space, and a gas amount adjusting member configured to adjust an amount of the processing gas supplied to the discharge member installed in the processing gas supply line, wherein the processing gas supply line is located in the accommodation space a body having a buffer space connected to the first line and the second line, and a second line connected to the discharge member, wherein the gas amount adjusting member is connected to the buffer space, An exhaust line with a valve installed therein, and a controller for controlling the valve.

상기 가스량 조절 부재는, 상기 버퍼 공간 내에서 처리 가스가 이동되는 유로가 굴곡지도록 상기 버퍼 공간에 배치되는 판 플레이트를 더 포함할 수 있다. The gas amount adjusting member may further include a plate plate disposed in the buffer space such that a flow path through which the processing gas moves in the buffer space is bent.

또한 기판을 처리하는 장치는 내부에 기판을 처리하는 처리 공간이 형성되는 챔버, 상기 처리 공간에서 기판을 지지하는 기판 지지 유닛, 그리고 상기 처리 공간에 처리 가스를 공급하는 가스 공급 유닛을 포함하되, 상기 가스 공급 유닛은 내부에 액이 수용된 수용 공간을 가지는 탱크, 상기 수용 공간 내의 액이 기화되도록 상기 수용 공간에 가스를 공급하는 기화 가스 공급 라인, 상기 처리 공간에 처리 가스를 공급하는 토출 부재, 상기 수용 공간에서 액으로부터 기화된 처리 가스를 상기 수용 공간으로부터 상기 토출 부재로 공급하는 처리 가스 공급 라인, 그리고 상기 처리 가스 공급 라인에 설치된 상기 토출 부재로 공급되는 처리 가스의 량을 조절하는 가스량 조절 부재를 포함하되, 상기 처리 가스 공급 라인은 상기 수용 공간과 연결되는 제1라인과 상기 토출 부재와 연결되는 제2라인을 포함하고, 상기 가스량 조절 부재는 상기 제1라인 및 상기 제2라인과 연결되는 버퍼 공간을 가지는 바디, 상기 버퍼 공간에 연결되며, 밸브가 설치된 배기 라인, 그리고 상기 밸브를 제어하는 제어기를 포함하되, 상기 제어기는 처리 가스가 공급되는 중에 상기 버퍼 공간의 배기량을 조절하여 처리 가스가 상기 토출 부재로 공급되는 공급량을 제어한다. In addition, the apparatus for processing a substrate includes a chamber in which a processing space for processing a substrate is formed, a substrate support unit for supporting a substrate in the processing space, and a gas supply unit for supplying a processing gas to the processing space, wherein The gas supply unit may include a tank having an accommodating space in which a liquid is accommodated, a vaporization gas supply line supplying gas to the accommodating space so that the liquid in the accommodating space is vaporized, a discharge member supplying a processing gas to the processing space, and the accommodation a processing gas supply line for supplying a processing gas vaporized from a liquid in the space from the accommodation space to the discharge member, and a gas amount adjusting member configured to adjust an amount of the processing gas supplied to the discharge member installed in the processing gas supply line; However, the processing gas supply line includes a first line connected to the accommodation space and a second line connected to the discharge member, and the gas amount adjusting member is a buffer space connected to the first line and the second line. a body including a body having a , an exhaust line connected to the buffer space and having a valve installed therein, and a controller controlling the valve, wherein the controller adjusts an exhaust amount of the buffer space while the process gas is supplied so that the process gas is discharged Controls the amount of supply supplied to the member.

가스를 공급하는 방법은 액이 수용된 수용 공간으로 기화 가스를 공급하여 상기 수용 공간 내의 상기 액을 기화시키고, 상기 액으로부터 기화된 처리 가스를 토출 부재로 공급하되, 상기 수용 공간에서 상기 토출 부재로 상기 처리 가스가 공급되는 처리 가스 공급 라인 상에 버퍼 공간을 제공하고, 상기 버퍼 공간으로부터 외부로 배기되는 상기 처리 가스의 배기량을 조절하여 상기 토출 부재로 공급되는 상기 처리 가스의 유량을 조절한다.The method of supplying a gas includes supplying a vaporizing gas to an accommodating space in which a liquid is accommodated to vaporize the liquid in the accommodating space, and supplying a process gas vaporized from the liquid to a discharge member, wherein the liquid is supplied to the discharge member in the accommodation space. A buffer space is provided on a process gas supply line to which a process gas is supplied, and an exhaust amount of the process gas exhausted from the buffer space to the outside is adjusted to adjust a flow rate of the process gas supplied to the discharge member.

상기 수용 공간에 공급되는 상기 기화 가스의 공급 유량을 일정하게 고정될 수 있다.A supply flow rate of the vaporized gas supplied to the accommodation space may be constantly fixed.

또한 기판을 처리하는 방법은 액을 기화 가스에 의해 처리 가스로 기화하고, 상기 처리 가스를 제1기판으로 공급하여 상기 제1기판의 표면을 소수화 처리하는 제1소수화 처리 단계, 상기 제1기판의 표면의 소수화 정도를 측정하는 측정 단계, 그리고 상기 측정 단계에서 측정된 소수화 정도를 근거로 제2기판에 공급되는 처리 가스의 유량을 조절하는 유량 조절 단계를 포함하되, 상기 처리 가스의 유량을 조절하는 것은, 상기 처리 가스가 공급되는 처리 가스 공급 라인 상에 버퍼 공간을 제공하고, 상기 버퍼 공간으로부터 외부로 배기되는 상기 처리 가스의 배기량을 조절한다. In addition, the method of treating the substrate includes a first hydrophobization treatment step of vaporizing a liquid into a processing gas by a vaporizing gas, supplying the processing gas to a first substrate to hydrophobize the surface of the first substrate, A measuring step of measuring the degree of hydrophobization of the surface, and a flow rate adjusting step of adjusting the flow rate of the process gas supplied to the second substrate based on the degree of hydrophobization measured in the measuring step, wherein the flow rate of the process gas is adjusted providing a buffer space on a process gas supply line to which the process gas is supplied, and adjusting an exhaust amount of the process gas exhausted from the buffer space to the outside.

상기 소수화 정도를 측정하는 것은, 상기 제1기판의 표면에 친수성 성질을 가지는 측정액을 공급하고, 상기 측정액의 접촉각을 측정할 수 있다. Measuring the degree of hydrophobization may include supplying a measurement solution having a hydrophilic property to the surface of the first substrate, and measuring a contact angle of the measurement solution.

상기 수용 공간에 공급되는 상기 기화 가스의 공급 유량을 일정하게 고정될 수 있다. A supply flow rate of the vaporized gas supplied to the accommodation space may be constantly fixed.

상기 처리가스는 헥사메틸다이실라잔(Hexamethyldisilazane, HMDS)을 포함할 수 있다. The processing gas may include hexamethyldisilazane (HMDS).

본 발명의 실시예에 의하면, 기화된 처리 가스는 외부와 연결된 배기 라인을 통해 일정량이 배기될 수 있고, 이에 따라 기판으로 공급되는 공급 유량을 조절할 수 있다.According to an embodiment of the present invention, a predetermined amount of the vaporized processing gas may be exhausted through an exhaust line connected to the outside, and accordingly, a supply flow rate supplied to the substrate may be adjusted.

도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 보여주는 사시도이다.
도 2는 도 1의 도포 블럭 또는 현상 블럭을 보여주는 기판 처리 장치의 단면도이다.
도 3은 도 2의 기판 처리 장치의 평면도이다.
도 4는 도 3의 반송 로봇의 핸드의 일 예를 보여주는 도면이다.
도 5는 도 4의 열처리 챔버의 일 예를 개략적으로 보여주는 평면도이다.
도 6은 도 5의 열처리 챔버의 정면도이다.
도 7은 도 5의 가열 유닛을 보여주는 단면도이다.
도 8은 도 7의 가스 공급 유닛을 보여주는 단면도이다.
도 9는 도 8의 바디를 보여주는 단면도이다.
도 10은 도 9의 바디의 다른 실시예를 보여주는 단면도이다.
도 11은 도 3의 액 처리 챔버의 일 예를 개략적으로 보여주는 도면이다.1 is a perspective view schematically showing a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a cross-sectional view of the substrate processing apparatus showing the application block or the developing block of FIG. 1 .
3 is a plan view of the substrate processing apparatus of FIG. 2 .
FIG. 4 is a view showing an example of a hand of the transport robot of FIG. 3 .
5 is a plan view schematically illustrating an example of the heat treatment chamber of FIG. 4 .
6 is a front view of the heat treatment chamber of FIG. 5 .
FIG. 7 is a cross-sectional view showing the heating unit of FIG. 5 .
FIG. 8 is a cross-sectional view illustrating the gas supply unit of FIG. 7 .
9 is a cross-sectional view showing the body of FIG.
10 is a cross-sectional view showing another embodiment of the body of FIG.
11 is a diagram schematically illustrating an example of the liquid processing chamber of FIG. 3 .

이하, 본 발명의 실시 예를 첨부된 도면들을 참조하여 더욱 상세하게 설명한다. 본 발명의 실시 예는 여러 가지 형태로 변형할 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래의 실시 예들로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시 예는 당 업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해 과장된 것이다.Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described in more detail with reference to the accompanying drawings. Embodiments of the present invention may be modified in various forms, and the scope of the present invention should not be construed as being limited to the following embodiments. This embodiment is provided to more completely explain the present invention to those of ordinary skill in the art. Accordingly, the shapes of elements in the drawings are exaggerated to emphasize a clearer description.

도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 보여주는 사시도이고, 도 2는 도 1의 도포 블럭 또는 현상 블럭을 보여주는 기판 처리 장치의 단면도이며, 도 3은 도 2의 기판 처리 장치의 평면도이다. 도 1 내지 도 3을 참조하면, 기판 처리 장치(1)는 인덱스 모듈(20,index module), 처리 모듈(30, treating module), 그리고 인터페이스 모듈(40, interface module)을 포함한다. 일 실시예에 의하며, 인덱스 모듈(20), 처리 모듈(30), 그리고 인터페이스 모듈(40)은 순차적으로 일렬로 배치된다. 이하, 인덱스 모듈(20), 처리 모듈(30), 그리고 인터페이스 모듈(40)이 배열된 방향을 제1 방향(12)이라 하고, 상부에서 바라볼 때 제1 방향(12)과 수직한 방향을 제2 방향(14)이라 하고, 제1 방향(12) 및 제2 방향(14)에 모두 수직한 방향을 제3 방향(16)이라 한다.1 is a perspective view schematically showing a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a cross-sectional view of the substrate processing apparatus showing the application block or the developing block of FIG. 1 , and FIG. 3 is the substrate processing apparatus of FIG. 2 is a plan view of 1 to 3 , the substrate processing apparatus 1 includes an index module 20 , a processing module 30 , and an interface module 40 . According to an embodiment, the index module 20 , the processing module 30 , and the interface module 40 are sequentially arranged in a line. Hereinafter, a direction in which the index module 20 , the processing module 30 , and the interface module 40 are arranged is referred to as a first direction 12 , and a direction perpendicular to the first direction 12 when viewed from the top is referred to as a first direction 12 . A second direction 14 is referred to, and a direction perpendicular to both the first direction 12 and the second direction 14 is referred to as a third direction 16 .

인덱스 모듈(20)은 기판(W)이 수납된 용기(10)로부터 기판(W)을 처리 모듈(30)로 반송하고, 처리가 완료된 기판(W)을 용기(10)로 수납한다. 인덱스 모듈(20)의 길이 방향은 제2 방향(14)으로 제공된다. 인덱스 모듈(20)은 로드포트(22)와 인덱스 프레임(24)을 가진다. 인덱스 프레임(24)을 기준으로 로드포트(22)는 처리 모듈(30)의 반대 측에 위치된다. 기판(W)들이 수납된 용기(10)는 로드포트(22)에 놓인다. 로드포트(22)는 복수 개가 제공될 수 있으며, 복수의 로드포트(22)는 제2 방향(14)을 따라 배치될 수 있다. The index module 20 transfers the substrate W from the container 10 in which the substrate W is accommodated to the processing module 30 , and accommodates the processed substrate W in the container 10 . The longitudinal direction of the index module 20 is provided in the second direction 14 . The index module 20 has a load port 22 and an index frame 24 . With reference to the index frame 24 , the load port 22 is located on the opposite side of the processing module 30 . The container 10 in which the substrates W are accommodated is placed on the load port 22 . A plurality of load ports 22 may be provided, and the plurality of load ports 22 may be disposed along the second direction 14 .

용기(10)로는 전면 개방 일체 식 포드(Front Open Unified Pod:FOUP)와 같은 밀폐용 용기(10)가 사용될 수 있다. 용기(10)는 오버헤드 트랜스퍼(Overhead Transfer), 오버헤드 컨베이어(Overhead Conveyor), 또는 자동 안내 차량(Automatic Guided Vehicle)과 같은 이송 수단(도시되지 않음)이나 작업자에 의해 로드포트(22)에 놓일 수 있다. As the container 10, a closed container 10 such as a Front Open Unified Pod (FOUP) may be used. The container 10 may be placed in the load port 22 by a transfer means (not shown) or an operator, such as an Overhead Transfer, an Overhead Conveyor, or an Automatic Guided Vehicle. can

인덱스 프레임(24)의 내부에는 인덱스 로봇(2200)이 제공된다. 인덱스 프레임(24) 내에는 길이 방향이 제2 방향(14)으로 제공된 가이드 레일(2300)이 제공되고, 인덱스 로봇(2200)은 가이드 레일(2300) 상에서 이동 가능하게 제공될 수 있다. 인덱스 로봇(2200)은 기판(W)이 놓이는 핸드(2220)를 포함하며, 핸드(2220)는 전진 및 후진 이동, 제3 방향(16)을 축으로 한 회전, 그리고 제3 방향(16)을 따라 이동 가능하게 제공될 수 있다. An index robot 2200 is provided inside the index frame 24 . A guide rail 2300 having a longitudinal direction in the second direction 14 is provided in the index frame 24 , and the index robot 2200 may be provided to be movable on the guide rail 2300 . The index robot 2200 includes a hand 2220 on which the substrate W is placed, and the hand 2220 moves forward and backward, rotates about the third direction 16 , and moves in the third direction 16 . It may be provided to be movable along with it.

처리 모듈(30)은 기판(W)에 대해 도포 공정 및 현상 공정을 수행한다. 처리 모듈(30)은 도포 블럭(30a) 및 현상 블럭(30b)을 가진다. 도포 블럭(30a)은 기판(W)에 대해 도포 공정을 수행하고, 현상 블럭(30b)은 기판(W)에 대해 현상 공정을 수행한다. 도포 블럭(30a)은 복수 개가 제공되며, 이들은 서로 적층되게 제공된다. 현상 블럭(30b)은 복수 개가 제공되며, 현상 블럭들(30b)은 서로 적층되게 제공된다. 본 실시예에 의하면, 도포 블럭(30a)은 2개가 제공되고, 현상 블럭(30b)은 2개가 제공된다. 도포 블럭들(30a)은 현상 블럭들(30b)의 아래에 배치될 수 있다. 일 예에 의하면, 2개의 도포 블럭들(30a)은 서로 동일한 공정을 수행하며, 서로 동일한 구조로 제공될 수 있다. 또한, 2개의 현상 블럭들(30b)은 서로 동일한 공정을 수행하며, 서로 동일한 구조로 제공될 수 있다.The processing module 30 performs a coating process and a developing process on the substrate W. The processing module 30 has an application block 30a and a developing block 30b. The application block 30a performs a coating process on the substrate W, and the developing block 30b performs a development process on the substrate W. A plurality of application blocks 30a are provided, and they are provided to be stacked on each other. A plurality of developing blocks 30b are provided, and the developing blocks 30b are provided to be stacked on each other. According to this embodiment, two application blocks 30a are provided, and two development blocks 30b are provided. The application blocks 30a may be disposed below the developing blocks 30b. According to an example, the two application blocks 30a may perform the same process as each other, and may be provided in the same structure. Also, the two developing blocks 30b may perform the same process as each other, and may be provided in the same structure.

도포 블럭(30a)은 열처리 챔버(3200), 반송 챔버(3400), 액 처리 챔버(3600), 그리고 버퍼 챔버(3800)를 가진다. 열처리 챔버(3200)는 기판(W)에 대해 열처리 공정을 수행한다. 열처리 공정은 냉각 공정 및 가열 공정을 포함할 수 있다. 액처리 챔버(3600)는 기판(W) 상에 액을 공급하여 액막을 형성한다. 액막은 포토레지스트막 또는 반사방지막일 수 있다. 반송 챔버(3400)는 도포 블럭(30a) 내에서 열처리 챔버(3200)와 액처리 챔버(3600) 간에 기판(W)을 반송한다. The application block 30a has a heat treatment chamber 3200 , a transfer chamber 3400 , a liquid processing chamber 3600 , and a buffer chamber 3800 . The heat treatment chamber 3200 performs a heat treatment process on the substrate W. The heat treatment process may include a cooling process and a heating process. The liquid processing chamber 3600 supplies a liquid on the substrate W to form a liquid film. The liquid film may be a photoresist film or an antireflection film. The transfer chamber 3400 transfers the substrate W between the heat treatment chamber 3200 and the liquid treatment chamber 3600 in the application block 30a.

반송 챔버(3400)는 그 길이 방향이 제1 방향(12)과 평행하게 제공된다. 반송 챔버(3400)에는 반송 로봇(3422)이 제공된다. 반송 로봇(3422)은 열처리 챔버(3200), 액처리 챔버(3600), 그리고 버퍼 챔버(3800) 간에 기판을 반송한다. 일 예에 의하면, 반송 로봇(3422)은 기판(W)이 놓이는 핸드(3420)를 가지며, 핸드(3420)는 전진 및 후진 이동, 제3 방향(16)을 축으로 한 회전, 그리고 제3 방향(16)을 따라 이동 가능하게 제공될 수 있다. 반송 챔버(3400) 내에는 그 길이 방향이 제1 방향(12)과 평행하게 제공되는 가이드 레일(3300)이 제공되고, 반송 로봇(3422)은 가이드 레일(3300) 상에서 이동 가능하게 제공될 수 있다. The transfer chamber 3400 is provided so that its longitudinal direction is parallel to the first direction 12 . The transfer chamber 3400 is provided with a transfer robot 3422 . The transfer robot 3422 transfers a substrate between the heat treatment chamber 3200 , the liquid processing chamber 3600 , and the buffer chamber 3800 . According to an example, the transfer robot 3422 has a hand 3420 on which the substrate W is placed, and the hand 3420 moves forward and backward, rotates about the third direction 16 , and the third direction. It may be provided movably along (16). A guide rail 3300 having a longitudinal direction parallel to the first direction 12 is provided in the transfer chamber 3400 , and the transfer robot 3422 may be provided movably on the guide rail 3300 . .

도 4는 도 3의 반송 로봇의 핸드의 일 예를 보여주는 도면이다. 도 4를 참조하면, 핸드(3420)는 베이스(3428) 및 지지 돌기(3429)를 가진다. 베이스(3428)는 원주의 일부가 절곡된 환형의 링 형상을 가질 수 있다. 베이스(3428)는 기판(W)의 직경보다 큰 내경을 가진다. 지지 돌기(3429)는 베이스(3428)로부터 그 내측으로 연장된다. 지지 돌기(3429)는 복수 개가 제공되며, 기판(W)의 가장자리 영역을 지지한다. 일 예에 의하며, 지지 돌기(3429)는 등 간격으로 4개가 제공될 수 있다. FIG. 4 is a view showing an example of a hand of the transport robot of FIG. 3 . Referring to FIG. 4 , the hand 3420 has a base 3428 and a support protrusion 3429 . The base 3428 may have an annular ring shape in which a portion of the circumference is bent. The base 3428 has an inner diameter greater than the diameter of the substrate W. As shown in FIG. A support protrusion 3429 extends from the base 3428 inward thereof. A plurality of support protrusions 3429 are provided, and support an edge region of the substrate W. As shown in FIG. According to an example, four support protrusions 3429 may be provided at equal intervals.

열처리 챔버(3200)는 복수 개로 제공된다. 열처리 챔버들(3200)은 제1방향(12)을 따라 나열되게 배치된다. 열처리 챔버들(3202)은 반송 챔버(3400)의 일측에 위치된다. 열처리 챔버들(3200) 중 인덱스 모듈(20)에 가장 인접하게 위치되는 열처리 챔버(3202)는 액 처리 챔버(3600)에 기판을 반송하기 전에 기판을 열처리하고, 그 외의 열처리 챔버(3206)는 액처리 챔버(3600)에서 액 처리된 기판을 열처리한다. 본 실시예에는 인덱스 모듈(20)에 가장 인접하게 위치되는 열처리 챔버를 전단 열처리 챔버(3202)로 정의한다. A plurality of heat treatment chambers 3200 are provided. The heat treatment chambers 3200 are arranged in a row along the first direction 12 . The heat treatment chambers 3202 are located at one side of the transfer chamber 3400 . Among the heat treatment chambers 3200 , the heat treatment chamber 3202 located closest to the index module 20 heat-treats the substrate before transferring the substrate to the liquid treatment chamber 3600 , and the other heat treatment chambers 3206 are the liquid treatment chambers 3206 . The liquid-processed substrate is heat-treated in the processing chamber 3600 . In the present embodiment, a heat treatment chamber located closest to the index module 20 is defined as a shear heat treatment chamber 3202 .

본 실시예는 복수의 열 처리 챔버들(3200) 중 전단 열처리 챔버(3202)를 일 예로 설명한다. 전단 열처리 챔버(3202)는 기판(W) 가열 중에 처리 가스를 공급하여 기판(W) 의 포토레지스트 부착률을 향상시킬 수 있다. 처리 가스는 기판(W)의 표면을 개질한다. 처리 가스는 기판(W)의 표면을 친수성에서 소수성으로 전환시킨다. 일 예에 의하면, 처리 가스는 헥사메틸디실란(hexamethyldisilane) 가스일 수 있다. 이와 달리 후단 열처리 챔버(3206)에는 처리 가스를 공급하지 않는다.In this embodiment, the front-end heat treatment chamber 3202 among the plurality of heat treatment chambers 3200 will be described as an example. The shear heat treatment chamber 3202 may supply a processing gas during heating of the substrate W to improve the photoresist adhesion rate of the substrate W. The processing gas modifies the surface of the substrate W. The processing gas converts the surface of the substrate W from hydrophilic to hydrophobic. According to an example, the processing gas may be a hexamethyldisilane gas. Contrary to this, the processing gas is not supplied to the rear heat treatment chamber 3206 .

도 5는 도 4의 열처리 챔버의 일 예를 개략적으로 보여주는 평면도이고, 도 6은 도 5의 열처리 챔버의 정면도이며, 도 7은 도 5의 가열 유닛을 보여주는 단면도이다. 도 5 내지 도 7을 참조하면, 열처리 챔버(3202)는 하우징(3210), 냉각 유닛(3220), 가열 유닛(3230), 그리고 반송 플레이트(3240)를 가진다. 5 is a plan view schematically illustrating an example of the heat treatment chamber of FIG. 4 , FIG. 6 is a front view of the heat treatment chamber of FIG. 5 , and FIG. 7 is a cross-sectional view illustrating the heating unit of FIG. 5 . 5 to 7 , the heat treatment chamber 3202 includes a housing 3210 , a cooling unit 3220 , a heating unit 3230 , and a conveying plate 3240 .

하우징(3210)은 대체로 직육면체의 형상으로 제공된다. 하우징(3210)의 측벽에는 기판(W)이 출입되는 반입구(도시되지 않음)가 형성된다. 반입구는 개방된 상태로 유지될 수 있다. 선택적으로 반입구를 개폐하도록 도어(도시되지 않음)가 제공될 수 있다. 냉각 유닛(3220), 가열 유닛(3230), 그리고 반송 플레이트(3240)는 하우징(3210) 내에 제공된다. 냉각 유닛(3220) 및 가열 유닛(3230)은 제2 방향(14)을 따라 나란히 제공된다. 일 예에 의하면, 냉각 유닛(3220)은 가열 유닛(3230)에 비해 반송 챔버(3400)에 더 가깝게 위치될 수 있다.The housing 3210 is provided in the shape of a substantially rectangular parallelepiped. An inlet (not shown) through which the substrate W enters and exits is formed on the sidewall of the housing 3210 . The inlet may remain open. A door (not shown) may optionally be provided to open and close the inlet. A cooling unit 3220 , a heating unit 3230 , and a conveying plate 3240 are provided in the housing 3210 . The cooling unit 3220 and the heating unit 3230 are provided side by side along the second direction 14 . According to an example, the cooling unit 3220 may be located closer to the transfer chamber 3400 than the heating unit 3230 .

냉각 유닛(3220)은 냉각판(3222)을 가진다. 냉각판(3222)은 상부에서 바라볼 때 대체로 원형의 형상을 가질 수 있다. 냉각판(3222)에는 냉각부재(3224)가 제공된다. 일 예에 의하면, 냉각부재(3224)는 냉각판(3222)의 내부에 형성되며, 냉각 유체가 흐르는 유로로 제공될 수 있다. The cooling unit 3220 has a cooling plate 3222 . The cooling plate 3222 may have a generally circular shape when viewed from the top. The cooling plate 3222 is provided with a cooling member 3224 . According to an example, the cooling member 3224 is formed inside the cooling plate 3222 and may be provided as a flow path through which the cooling fluid flows.

가열 유닛(3230)은 기판을 상온보다 높은 온도로 가열하는 장치(1000)로 제공된다. 가열 유닛(3230)은 상압 또는 이보다 낮은 감압 분위기에서 기판(W)을 가열 처리한다. 가열 유닛(3230)은 챔버(1100), 기판 지지 유닛(1300), 히터 유닛(1380), 가스 공급 유닛(1400), 대향판(1520), 그리고 배출 유닛(1600)을 포함한다. The heating unit 3230 is provided as the apparatus 1000 for heating the substrate to a temperature higher than room temperature. The heating unit 3230 heats the substrate W in a reduced pressure atmosphere at or lower than normal pressure. The heating unit 3230 includes a chamber 1100 , a substrate support unit 1300 , a heater unit 1380 , a gas supply unit 1400 , a counter plate 1520 , and an exhaust unit 1600 .

챔버(1100)는 내부에 기판(W)을 가열 처리하는 처리 공간(1110)을 제공한다. 처리 공간(1110)은 외부와 차단된 공간으로 제공된다. 챔버(1100)은 상부 바디(1120), 하부 바디(1140), 그리고 실링 부재(1160)를 포함한다. The chamber 1100 provides a processing space 1110 for heat-processing the substrate W therein. The processing space 1110 is provided as a space blocked from the outside. The chamber 1100 includes an upper body 1120 , a lower body 1140 , and a sealing member 1160 .

상부 바디(1120)는 하부가 개방된 통 형상으로 제공된다. 상부 바디(1120)의 상면에는 중심홀(1124) 및 주변홀(1122)이 형성된다. 중심홀(1124)은 상부 바디(1120)의 중심에 형성된다. 중심홀(1124)은 가스 공급관이 삽입되는 통로로 기능한다. 주변홀(1122)은 처리 공간(1110)의 분위기를 배기한다. 주변홀(1122)은 복수 개가 이격되도록 제공되며, 중심홀(1124)을 감싸도록 배열된다. 일 예에 의하면, 주변홀(1122)은 4 개일 수 있다.The upper body 1120 is provided in a cylindrical shape with an open lower portion. A center hole 1124 and a peripheral hole 1122 are formed on the upper surface of the upper body 1120 . The center hole 1124 is formed in the center of the upper body 1120 . The central hole 1124 functions as a passage through which the gas supply pipe is inserted. The peripheral hole 1122 exhausts the atmosphere of the processing space 1110 . A plurality of peripheral holes 1122 are provided to be spaced apart, and are arranged to surround the central hole 1124 . According to an example, the number of peripheral holes 1122 may be four.

하부 바디(1140)는 상부가 개방된 통 형상으로 제공된다. 하부 바디(1140)는 상부 바디(1120)의 아래에 위치된다. 상부 바디(1120) 및 하부 바디(1140)는 상하 방향으로 서로 마주보도록 위치된다. 상부 바디(1120) 및 하부 바디(1140)는 서로 조합되어 내부에 처리 공간(1110)을 형성한다. 상부 바디(1120) 및 하부 바디(1140)는 상하 방향에 대해 서로의 중심축이 일치되게 위치된다. 하부 바디(1140)는 상부 바디(1120)와 동일한 직경을 가질 수 있다. 즉, 하부 바디(1140)의 상단은 상부 바디(1120)의 하단과 대향되게 위치될 수 있다.The lower body 1140 is provided in a cylindrical shape with an open top. The lower body 1140 is located below the upper body 1120 . The upper body 1120 and the lower body 1140 are positioned to face each other in the vertical direction. The upper body 1120 and the lower body 1140 are combined with each other to form a processing space 1110 therein. The upper body 1120 and the lower body 1140 are positioned so that their central axes coincide with each other in the vertical direction. The lower body 1140 may have the same diameter as the upper body 1120 . That is, the upper end of the lower body 1140 may be positioned to face the lower end of the upper body 1120 .

상부 바디(1120) 및 하부 바디(1140) 중 하나는 승강 부재(1130)에 의해 개방 위치와 차단 위치로 이동되고, 다른 하나는 그 위치가 고정된다. 본 실시예에는 하부 바디(1140)의 위치가 고정되고, 상부 바디(1120)가 이동되는 것으로 설명한다. 개방 위치는 상부 바디(1120)와 하부 바디(1140)가 서로 이격되어 처리 공간(1110)이 개방되는 위치이다. 차단 위치는 하부 바디(1140) 및 상부 바디(1120)에 의해 처리 공간(1110)이 외부로부터 밀폐되는 위치이다. One of the upper body 1120 and the lower body 1140 is moved to the open position and the closed position by the lifting member 1130 , and the other one is fixed. In this embodiment, it will be described that the position of the lower body 1140 is fixed and the upper body 1120 is moved. The open position is a position where the upper body 1120 and the lower body 1140 are spaced apart from each other and the processing space 1110 is opened. The blocking position is a position where the processing space 1110 is sealed from the outside by the lower body 1140 and the upper body 1120 .

실링 부재(1160)는 상부 바디(1120)와 하부 바디(1140) 사이에 위치된다. 실링 부재(1160)는 상부 바디(1120)와 하부 바디(1140)가 접촉될 때 처리 공간이 외부로부터 밀폐되도록 한다. 실링 부재(1160)는 환형의 링 형상으로 제공될 수 있다. 실링 부재(1160)는 하부 바디(1140)의 상단에 고정 결합될 수 있다. The sealing member 1160 is positioned between the upper body 1120 and the lower body 1140 . The sealing member 1160 seals the processing space from the outside when the upper body 1120 and the lower body 1140 come into contact with each other. The sealing member 1160 may be provided in an annular ring shape. The sealing member 1160 may be fixedly coupled to the upper end of the lower body 1140 .

기판 지지 유닛(1300)은 처리 공간(1110)에서 기판(W)을 지지한다. 기판 지지 유닛(1300)은 하부 바디(1140)에 고정 결합된다. 기판 지지 유닛(1300)은 지지 플레이트(1320), 리프트 핀(1340), 그리고 지지핀(1360)을 포함한다. 지지 플레이트(1320)는 히터 유닛(1380)으로부터 발생된 열을 기판(W)으로 전달한다. 지지 플레이트(1320)는 원형의 판 형상으로 제공된다. 지지 플레이트(1320)의 상면은 기판(W)보다 큰 직경을 가진다. 지지 플레이트(1320)의 상면은 기판(W)이 놓이는 안착면으로 기능한다. 안착면에는 리프트 핀(1340)과 지지핀(1360)이 각각 제공된다. 리프트 핀(1340)은 지지 플레이트(1320) 상에서 기판(W)을 승하강시킨다. 리프트 핀(1342)은 복수 개로 제공되며, 각각은 수직한 상하 방향을 향하는 핀 형상으로 제공된다. 리프트 핀(1342)은 상단이 지지 플레이트(1320) 내에 위치되도록 하강 이동되거나, 안착면의 위로 돌출되도록 승강 이동될 수 있다.The substrate support unit 1300 supports the substrate W in the processing space 1110 . The substrate support unit 1300 is fixedly coupled to the lower body 1140 . The substrate support unit 1300 includes a support plate 1320 , a lift pin 1340 , and a support pin 1360 . The support plate 1320 transfers heat generated from the heater unit 1380 to the substrate W. The support plate 1320 is provided in a circular plate shape. The upper surface of the support plate 1320 has a larger diameter than the substrate W. As shown in FIG. The upper surface of the support plate 1320 functions as a seating surface on which the substrate W is placed. Lift pins 1340 and support pins 1360 are provided on the seating surface, respectively. The lift pins 1340 elevate the substrate W on the support plate 1320 . A plurality of lift pins 1342 are provided, and each of the lift pins 1342 is provided in the shape of a vertical vertical pin. The lift pin 1342 may be moved downward such that an upper end thereof is positioned within the support plate 1320 , or may be moved upward and downward to protrude above the seating surface.

지지핀(1360)은 기판(W)이 안착면에 직접적으로 접촉되는 것을 방지한다. 지지핀(1360)은 리프트 핀(1342)과 평행한 길이 방향을 가지는 핀 형상으로 제공된다. 지지핀(1360)은 복수 개로 제공되며, 각각은 안착면에 고정 설치된다. 지지핀들(1360)은 안착면으로부터 위로 돌출되게 위치된다. 지지핀(1360)의 상단은 기판(W)의 저면에 직접 접촉되는 접촉면으로 제공되며, 접촉면은 위로 볼록한 형상을 가진다. 이에 따라 지지핀(1360)과 기판(W) 간의 접촉 면적을 최소화할 수 있다.The support pin 1360 prevents the substrate W from directly contacting the seating surface. The support pin 1360 is provided in a pin shape having a longitudinal direction parallel to the lift pin 1342 . A plurality of support pins 1360 are provided, and each is fixedly installed on the seating surface. The support pins 1360 are positioned to protrude upward from the seating surface. The upper end of the support pin 1360 is provided as a contact surface in direct contact with the bottom surface of the substrate W, and the contact surface has a convex upward shape. Accordingly, a contact area between the support pin 1360 and the substrate W may be minimized.

가이드(1380)는 기판(W)이 안착면의 정 위치에 놓여지도록 기판(W)을 안내한다. 가이드(1380)는 복수 개로 제공되며, 서로 조합되어 안착면을 감싸는 환형의 링 형상을 가지도록 제공된다. 가이드(1380)는 기판(W)보다 큰 직경을 가진다. 가이드(1380)의 내측면은 지지 플레이트(1320)의 중심축에 가까워질수록 하향 경사진 형상을 가진다. 이에 따라 가이드(1380)의 내측면에 걸친 기판(W)은 그 경사면을 타고 정위치로 이동된다. 또한 가이드(1380)는 기판(W)과 안착면의 사이에 유입되는 기류를 소량 방지할 수 있다.The guide 1380 guides the substrate W so that the substrate W is placed in a regular position on the seating surface. The guide 1380 is provided in plurality, and is provided to have an annular ring shape that is combined with each other to surround the seating surface. The guide 1380 has a larger diameter than the substrate W. The inner surface of the guide 1380 has a downwardly inclined shape as it approaches the central axis of the support plate 1320 . Accordingly, the substrate W spanning the inner surface of the guide 1380 is moved to the correct position riding the inclined surface. In addition, the guide 1380 may prevent a small amount of airflow flowing between the substrate W and the seating surface.

히터 유닛(1380)은 지지 플레이트(1320)에 놓여진 기판(W)을 가열 처리한다. 히터 유닛(1380)은 지지 플레이트(1320)에 놓여진 기판(W)보다 아래에 위치된다. 히터 유닛(1380)은 복수 개의 히터들(1380)을 포함한다. 히터들(1380)은 각각 지지 플레이트(1320) 내에 위치된다. 선택적으로 히터들(1380)은 지지 플레이트(1320)의 저면에 위치될 수 있다. 각 히터들(1380)은 동일 평면 상에 위치된다. 일 예에 의하면, 각 히터들(1380)은 안착면의 서로 상이한 영역을 서로 다른 온도로 가열할 수 있다. 히터들(1380) 중 일부는 안착면의 중앙 영역을 제1온도로 가열하고, 히터들(1380) 중 다른 일부는 안착면의 가장자리 영역을 제2온도로 가열할 수 있다. 제2온도는 제1온도보다 높은 온도일 수 있다. 히터들(1380)은 프린팅된 패턴 또는 열선일 수 있다. The heater unit 1380 heats the substrate W placed on the support plate 1320 . The heater unit 1380 is positioned below the substrate W placed on the support plate 1320 . The heater unit 1380 includes a plurality of heaters 1380 . The heaters 1380 are each positioned within the support plate 1320 . Optionally, the heaters 1380 may be located on the bottom surface of the support plate 1320 . Each of the heaters 1380 is located on the same plane. According to an example, each of the heaters 1380 may heat different regions of the seating surface to different temperatures. Some of the heaters 1380 may heat a central region of the seating surface to a first temperature, and other of the heaters 1380 may heat an edge region of the seating surface to a second temperature. The second temperature may be a temperature higher than the first temperature. The heaters 1380 may be printed patterns or hot wires.

가스 공급 유닛(1400)은 처리 공간(1110)에 처리 가스를 공급한다. 가스 공급 유닛(1400)은 기판 지지 유닛(1300)의 상부에서 처리 가스를 토출한다. 가스 공급 유닛(1400)은 탱크(1410), 기화 가스 공급 라인(1420), 처리 가스 공급 라인(1430), 그리고 가스량 조절 부재(1440)를 포함한다. The gas supply unit 1400 supplies a processing gas to the processing space 1110 . The gas supply unit 1400 discharges a processing gas from an upper portion of the substrate support unit 1300 . The gas supply unit 1400 includes a tank 1410 , a vaporized gas supply line 1420 , a processing gas supply line 1430 , and a gas amount adjusting member 1440 .

탱크(1410)는 내부에 수용 공간을 가진다. 수용 공간은 처리액이 수용되는 공간으로 제공된다. 기화 가스 공급 라인(1420)은 수용 공간으로 기화 가스를 공급한다. 기화 가스 공급 라인(1420)은 공급단이 처리액에 침지되게 위치된다. 기화 가스 공급 라인(1420)은 수용 공간 내에 위치된 버블 발생 장치(미도시)에 기화 가스를 공급한다. 버블 발생 장치(미도시)에 의해 발생된 버블은 처리액을 기화시킨다. 처리액은 기화되어 처리 가스로 상 변화된다. 예컨대, 기화 가스는 비활성 가스일 수 있다. 기화 가스는 질소 가스(N₂)일 수 있다. 기화 가스가 수용 공간으로 공급되는 공급 유량은 일정하게 고정될 수 있다.The tank 1410 has an accommodation space therein. The accommodation space is provided as a space in which the treatment liquid is accommodated. The vaporized gas supply line 1420 supplies vaporized gas to the accommodation space. The vaporized gas supply line 1420 is positioned such that the supply end is immersed in the treatment liquid. The vaporized gas supply line 1420 supplies vaporized gas to a bubble generating device (not shown) located in the accommodation space. The bubbles generated by the bubble generating device (not shown) vaporize the treatment liquid. The treatment liquid is vaporized and phase-changed into a treatment gas. For example, the vaporizing gas may be an inert gas. The vaporization gas may be nitrogen gas (N ₂ ). The supply flow rate at which the vaporized gas is supplied to the accommodation space may be fixed constant.

처리 가스 공급 라인(1430)은 수용 공간에서 형성된 처리 가스를 토출 부재(1124)로 공급한다. 예컨대, 토출 부재(1124)는 상부 바디(1442)에 형성된 중 중앙홀(1124) 또는 가스 공급관(1530)일?횝? 있다. 처리 가스 공급 라인(1430)은 제1라인(1432)과 제2라인(1434)을 포함한다. 제1라인(1432)은 수용 공간에 연결되는 공급 라인이고, 제2라인(1434)은 토출 부재(1124)에 연결된 공급 라인으로 제공된다. 제1라인(1432)과 제2라인(1434)은 가스량 조절 부재(1440)에 의해 서로 연결되도록 제공된다. 예컨대, 처리가스는 헥사메틸다이실라잔(Hexamethyldisilazane, HMDS)을 포함할 수 있다.The processing gas supply line 1430 supplies the processing gas formed in the accommodation space to the discharge member 1124 . For example, the discharge member 1124 may be a central hole 1124 or a gas supply pipe 1530 formed in the upper body 1442 ? have. The process gas supply line 1430 includes a first line 1432 and a second line 1434 . The first line 1432 is a supply line connected to the receiving space, and the second line 1434 is provided as a supply line connected to the discharge member 1124 . The first line 1432 and the second line 1434 are provided to be connected to each other by the gas amount adjusting member 1440 . For example, the processing gas may include hexamethyldisilazane (HMDS).

가스량 조절 부재(1440)는 토출 부재(1124)로 공급되는 처리 가스의 가스량 조절 부재(1440)는 바디(1442), 배기 라인(1444), 그리고 제어기(1446)를 포함한다. 바디(1442)는 내부에 버퍼 공간(1442a)을 가지는 통 형상으로 제공된다. 바디(1442)의 일단에는 제1라인(1432)이 연결되고, 타단에는 제2라인(1434)이 연결된다. 바디(1442)의 일단과 타단은 서로 마주하는 면으로 제공될 수 있다. The gas amount adjusting member 1440 includes a body 1442 , an exhaust line 1444 , and a controller 1446 . The body 1442 is provided in a cylindrical shape having a buffer space 1442a therein. A first line 1432 is connected to one end of the body 1442 , and a second line 1434 is connected to the other end of the body 1442 . One end and the other end of the body 1442 may be provided as faces facing each other.

도 9는 도 8의 바디를 보여주는 단면도이고, 도 10은 도 9의 바디의 다른 실시예를 보여주는 단면도이다. 도 9를 참조하면, 버퍼 공간(1442a)은 처리 가스만으로 채워지는 공간일 수 있다. 이와 달리, 도 10을 참조하면, 가스량 조절 부재(1440)는 버퍼 공간(1442a)에 위치되는 판 플레이트(1442b)를 더 포함할 수 있다. 판 플레이트(1442b)는 복수 개로 제공되며, 바디(1442)의 일단에서 타단을 향하는 방향으로 서로 이격되게 배치될 수 있다. 판 플레이트(1442b)들은 버퍼 공간(1442a)에서 이동되는 처리 가스의 유로가 굴곡지도록 배치될 수 있다. 예컨대, 서로 인접한 2 개의 판 플레이트(1442b) 중 하나는 바디(1442)의 일측에 결합되고, 다른 하는 바디(1442)의 타측에 결합될 수 있다.FIG. 9 is a cross-sectional view showing the body of FIG. 8 , and FIG. 10 is a cross-sectional view showing another embodiment of the body of FIG. 9 . Referring to FIG. 9 , the buffer space 1442a may be a space filled with only a processing gas. Alternatively, referring to FIG. 10 , the gas amount adjusting member 1440 may further include a plate plate 1442b positioned in the buffer space 1442a. The plate plate 1442b is provided in plurality, and may be disposed to be spaced apart from each other in a direction from one end of the body 1442 toward the other end. The plate plates 1442b may be arranged such that the flow path of the processing gas moving in the buffer space 1442a is curved. For example, one of the two adjacent plate plates 1442b may be coupled to one side of the body 1442 , and the other may be coupled to the other side of the body 1442 .

배기 라인(1444)은 버퍼 공간(1442a)에 연결되도록 바디(1442)에 연결된다. 배기 라인(1444)은 버퍼 공간(1442a)에서 제공된 처리 가스의 일부는 외부로 배기한다. 배기 라인(1444)을 통해 배기되는 량만큰 토출 부재(1124)로 공급되는 처리 가스의 가스량을 줄어든다. 배기 라인(1444)에는 밸브(1445)가 설치된다. 밸브(1445)는 배기 라인(1444)의 개구율을 조절하여 배기량을 조절한다. The exhaust line 1444 is connected to the body 1442 to be connected to the buffer space 1442a. The exhaust line 1444 exhausts a portion of the process gas provided in the buffer space 1442a to the outside. The amount of gas of the processing gas supplied to the discharge member 1124 which is as large as the amount exhausted through the exhaust line 1444 is reduced. A valve 1445 is installed in the exhaust line 1444 . The valve 1445 adjusts the opening ratio of the exhaust line 1444 to adjust the exhaust amount.

제어기(1446)는 밸브(1445)를 제어한다. 제어기(1446)는 배기 라인(1444)으로 배기되는 처리 가스의 배기량을 조절하여 토출 부재(1124)로 공급되는 처리 가스의 가스 유량을 조절한다. 일 예에 의하면, 처리 가스의 공급 유량은 처리 가스가 토출 부재(1124)로 공급되는 중에 조절될 수 있다. Controller 1446 controls valve 1445 . The controller 1446 adjusts the gas flow rate of the process gas supplied to the discharge member 1124 by adjusting the exhaust amount of the process gas exhausted to the exhaust line 1444 . According to an example, the supply flow rate of the processing gas may be adjusted while the processing gas is supplied to the discharge member 1124 .

처리 가스의 공급 유량 조절은 기판의 가스 처리 공정이 완료된 후에 이루어질 수 있다. 처리 가스의 공급 유량은 처리 가스가 공급된 기판의 표면의 접촉각을 측정하고, 측정된 값을 근거로 조절될 수 있다. The control of the supply flow rate of the processing gas may be performed after the gas processing process of the substrate is completed. The supply flow rate of the processing gas may be adjusted based on the measured value by measuring a contact angle of the surface of the substrate to which the processing gas is supplied.

다음은 상술한 장치를 이용하여 기판(W)을 처리하는 과정을 설명한다. 기판(W)을 처리하는 방법은 제1소수화 처리 단계, 측정 단계, 그리고 제2소수화 처리 단계를 포함한다. 제1소수화 처리 단계, 측정 단계, 그리고 제2소수화 처리 단계는 순차적으로 진행된다. 제1소수화 처리 단계에는 제1기판의 표면을 소수화 처리한다. 제1소수화 단계에는 제1기판이 기판 지지 유닛(1300)에 놓여지고, 제1기판으로 처리 가스를 공급한다. 기화 가스에 의해 형성된 처리 가스는 토출 부재(1124)를 통해 제1기판으로 공급된다. 처리 가스는 제1기판의 표면을 소수화시키고, 제1소수화 처리 단계가 완료되면, 측정 단계를 수행한다. 측정 단계에는 기판을 챔버(1100)로부터 꺼내어 제1기판의 표면의 소수화 정도를 측정한다. 이때 배기 라인(1444)은 닫혀지도록 제공된다. 측정 단계가 완료되면, 제2소수화 처리 단계를 수행한다. 제2소수화 처리 단계에는 제1기판과 상이한 제2기판의 표면을 소수화 처리한다. 제2소수화 처리 단계는 처리 가스의 유량을 조절하는 유량 조절 단계로 제공될 수 있다. 제2소수화 처리 단계에는 측정 단계에서 측정된 제1기판의 소수화 정도를 근거로 제2기판에 공급되는 처리 가스의 유량을 조절한다. 일 예에 의하면, 소수화 정도를 측정하는 것은 제1기판의 표면에 친수성 성질의 측정액을 공급하여 측정액의 접촉각을 측정하는 것을 포함할 수 있다. 제2소수화 처리 단계에는 제1소수화 처리 단계에서 공급되는 처리 가스의 공급 유량(이하 제1유량)과 상이한 공급 유량(이하 제2유량)이 제2기판에 공급될 수 있다. 예컨대, 측정된 소수화 정도가 허용 범위를 벗어났다고 판단되면, 제2유량은 제1유량보다 작게 제공될 수 있다. 측정된 소수화 정도가 허용 범위를 벗어났다고 판단되면, 배기 라인(1444)을 개방하여 제2유량을 제1유량보다 작게 할 수 있다.Next, a process of processing the substrate W using the above-described apparatus will be described. The method of treating the substrate W includes a first hydrophobization treatment step, a measuring step, and a second hydrophobization treatment step. The first hydrophobization treatment step, the measurement step, and the second hydrophobization treatment step proceed sequentially. In the first hydrophobization treatment step, the surface of the first substrate is hydrophobized. In the first hydrophobization step, a first substrate is placed on the substrate support unit 1300 , and a processing gas is supplied to the first substrate. The processing gas formed by the vaporization gas is supplied to the first substrate through the discharge member 1124 . The process gas hydrophobizes the surface of the first substrate, and when the first hydrophobization process is completed, a measurement step is performed. In the measurement step, the substrate is taken out from the chamber 1100 and the degree of hydrophobization of the surface of the first substrate is measured. At this time, the exhaust line 1444 is provided to be closed. When the measurement step is completed, a second hydrophobization treatment step is performed. In the second hydrophobization treatment step, the surface of the second substrate different from the first substrate is hydrophobized. The second hydrophobization treatment step may be provided as a flow rate control step for adjusting the flow rate of the process gas. In the second hydrophobization treatment step, the flow rate of the processing gas supplied to the second substrate is adjusted based on the degree of hydrophobization of the first substrate measured in the measurement step. According to an example, measuring the degree of hydrophobization may include measuring a contact angle of the measuring solution by supplying a hydrophilic measuring solution to the surface of the first substrate. In the second hydrophobization treatment step, a supply flow rate (hereinafter referred to as a second flow rate) different from a supply flow rate (hereinafter referred to as a first flow rate) of the process gas supplied in the first hydrophobization treatment step may be supplied to the second substrate. For example, if it is determined that the measured degree of hydrophobicity is out of the allowable range, the second flow rate may be provided to be smaller than the first flow rate. If it is determined that the measured hydrophobicity is out of the allowable range, the exhaust line 1444 may be opened to make the second flow rate smaller than the first flow rate.

본 실시예는 처리 가스의 유량을 제어하기 위해 일반적으로 공급 라인의 개구율을 조절하는 밸브(1445)를 사용하지 않고, 공급 라인으로부터 연통된 배기 라인(1444)을 개폐한다. 이는 공급 라인에 설치된 밸브(1445)가 기화 가스의 공급에 영향을 끼칠 수 있는 것을 방지하기 위함이다. 또한 기화 가스는 계속적으로, 그리고 일정하게 공급되므로, 처리 가스의 공급 유량은 처리 가스가 공급되는 중에 조절되는 것이 바람직하다.This embodiment opens and closes the exhaust line 1444 communicating from the supply line without using the valve 1445 that generally adjusts the opening ratio of the supply line to control the flow rate of the process gas. This is to prevent the valve 1445 installed in the supply line from affecting the supply of vaporized gas. Also, since the vaporization gas is continuously and constantly supplied, it is preferable that the supply flow rate of the processing gas is adjusted while the processing gas is supplied.

다시 도 7을 참조하면, 중심홀(1124)에는 처리 가스 공급 라인(1430)의 제2라인(1434)과 연결된 가스 공급관(1530)이 삽입되게 결합되고, 가스 공급관(1530)의 하단에는 대향판이 설치된다. 가스 공급관(1530)의 하단은 처리 공간에 위치된다. 대향판(1520)은 가스 공급관(1530)에 고정 결합된다. 예컨대, 가스 공급관(1400)과 대향판(1520)은 일체로 제공될 수 있다. 대향판(1520)은 처리 공간(1110)에 공급된 처리 가스의 흐름을 제어한다. 대향판(1520)은 가스 공급관(1530)으로부터 공급된 처리 가스가 기판(W)의 중앙 영역에서 끝단을 포함하는 가장자리 영역까지 확산되어 균일 공급되도록 가스의 흐름을 제어한다. 대향판(1520)은 중공(1452)을 가지는 판 형상으로 제공된다. 대향판(1520)의 중공(1452)에는 가스 공급관(1530)이 삽입되게 위치된다. 대향판(1520)은 상부 바디(1120)에 대응되는 높이를 가지도록 위치된다. 대향판(1520)은 상부 바디(1120)의 내경보다 작은 직경을 가진다. 이에 따라 대향판(1520)의 외측부와 상부 바디(1120)의 내측면의 사이에는 틈이 형성되며, 틈은 처리 가스가 배기되는 유로로 기능한다. 틈을 통해 배기된 처리 가스는 주변홀에 연결된 감압 부재에 의해 배기된다.Referring back to FIG. 7 , a gas supply pipe 1530 connected to the second line 1434 of the processing gas supply line 1430 is inserted into the center hole 1124 , and a counter plate is disposed at the lower end of the gas supply pipe 1530 . is installed A lower end of the gas supply pipe 1530 is located in the processing space. The counter plate 1520 is fixedly coupled to the gas supply pipe 1530 . For example, the gas supply pipe 1400 and the counter plate 1520 may be provided integrally. The opposing plate 1520 controls the flow of the processing gas supplied to the processing space 1110 . The opposing plate 1520 controls the flow of the gas so that the processing gas supplied from the gas supply pipe 1530 is diffused from the central region to the edge region including the end of the substrate W to be uniformly supplied. The opposing plate 1520 is provided in a plate shape having a hollow 1452 . A gas supply pipe 1530 is positioned to be inserted into the hollow 1452 of the opposing plate 1520 . The opposing plate 1520 is positioned to have a height corresponding to the upper body 1120 . The opposing plate 1520 has a smaller diameter than the inner diameter of the upper body 1120 . Accordingly, a gap is formed between the outer side of the opposing plate 1520 and the inner surface of the upper body 1120 , and the gap functions as a flow path through which the processing gas is exhausted. The process gas exhausted through the gap is exhausted by a pressure reducing member connected to the peripheral hole.

배출 유닛(1600)은 처리 공간(1110)에 발생된 공정 부산물을 배기한다. 배출 유닛(1600)은 배출 라인(1620) 및 감압 부재(1640)를 포함한다. 배출 라인(1620)은 주변홀(1122)에 연결되고, 배출 라인(1620) 상에는 감압 부재(1640)가 설치된다. 감압 부재(1640)는 배출 라인(1620)을 통해 처리 공간(1110)을 음압을 전달한다. 이에 따라 처리 공간(1110)에서 발생된 공정 부산물을 배출 라인(1620)을 통해 외부로 배출된다.The exhaust unit 1600 exhausts process by-products generated in the processing space 1110 . The discharge unit 1600 includes a discharge line 1620 and a pressure reducing member 1640 . The discharge line 1620 is connected to the peripheral hole 1122 , and a pressure reducing member 1640 is installed on the discharge line 1620 . The pressure reducing member 1640 transmits negative pressure to the processing space 1110 through the discharge line 1620 . Accordingly, the process by-products generated in the processing space 1110 are discharged to the outside through the discharge line 1620 .

다시 도 5 및 도 6을 참조하면, 반송 플레이트(3240)는 대체로 원판 형상을 제공되고, 기판(W)과 대응되는 직경을 가진다. 반송 플레이트(3240)의 가장자리에는 노치(3244)가 형성된다. 노치(3244)는 상술한 반송 로봇(3422)의 핸드(3420)에 형성된 돌기(3429)와 대응되는 형상을 가질 수 있다. 또한, 노치(3244)는 핸드(3420)에 형성된 돌기(3429)와 대응되는 수로 제공되고, 돌기(3429)와 대응되는 위치에 형성된다. 핸드(3420)와 반송 플레이트(3240)가 상하 방향으로 정렬된 위치에서 핸드(3420)와 반송 플레이트(3240)의 상하 위치가 변경하면 핸드(3420)와 반송 플레이트(3240) 간에 기판(W)의 전달이 이루어진다. 반송 플레이트(3240)는 가이드 레일(3249) 상에 장착되고, 구동기(3246)에 의해 가이드 레일(3249)을 따라 제1영역(3212)과 제2영역(3214) 간에 이동될 수 있다. 반송 플레이트(3240)에는 슬릿 형상의 가이드 홈(3242)이 복수 개 제공된다. 가이드 홈(3242)은 반송 플레이트(3240)의 끝단에서 반송 플레이트(3240)의 내부까지 연장된다. 가이드 홈(3242)은 그 길이 방향이 제2 방향(14)을 따라 제공되고, 가이드 홈(3242)들은 제1 방향(12)을 따라 서로 이격되게 위치된다. 가이드 홈(3242)은 반송 플레이트(3240)와 가열 유닛(3230) 간에 기판(W)의 인수인계가 이루어질 때 반송 플레이트(3240)와 리프트 핀(1340)이 서로 간섭되는 것을 방지한다. Referring back to FIGS. 5 and 6 , the transport plate 3240 is provided in a substantially disk shape and has a diameter corresponding to that of the substrate W. As shown in FIG. A notch 3244 is formed at an edge of the conveying plate 3240 . The notch 3244 may have a shape corresponding to the protrusion 3429 formed on the hand 3420 of the transfer robot 3422 described above. In addition, the notch 3244 is provided in a number corresponding to the protrusions 3429 formed on the hand 3420 , and is formed at positions corresponding to the protrusions 3429 . When the upper and lower positions of the hand 3420 and the carrier plate 3240 are changed in a position where the hand 3420 and the carrier plate 3240 are vertically aligned, the substrate W between the hand 3420 and the carrier plate 3240 is transmission takes place The transport plate 3240 is mounted on the guide rail 3249 , and may be moved between the first region 3212 and the second region 3214 along the guide rail 3249 by a driver 3246 . A plurality of slit-shaped guide grooves 3242 are provided in the carrying plate 3240 . The guide groove 3242 extends from the end of the carrying plate 3240 to the inside of the carrying plate 3240 . The length direction of the guide grooves 3242 is provided along the second direction 14 , and the guide grooves 3242 are spaced apart from each other along the first direction 12 . The guide groove 3242 prevents the transfer plate 3240 and the lift pins 1340 from interfering with each other when the substrate W is transferred between the transfer plate 3240 and the heating unit 3230 .

기판(W)의 가열은 기판(W)이 지지 플레이트(1320) 상에 직접 놓인 상태에서 이루어지고, 기판(W)의 냉각은 기판(W)이 놓인 반송 플레이트(3240)가 냉각판(3222)에 접촉된 상태에서 이루어진다. 냉각판(3222)과 기판(W) 간에 열전달이 잘 이루어지도록 반송 플레이트(3240)는 열전달율이 높은 재질로 제공된다. 일 예에 의하면, 반송 플레이트(3240)는 금속 재질로 제공될 수 있다. The substrate W is heated in a state where the substrate W is placed directly on the support plate 1320 , and the substrate W is cooled by the transfer plate 3240 on which the substrate W is placed and the cooling plate 3222 . made in contact with The transfer plate 3240 is made of a material having a high heat transfer rate so that heat transfer between the cooling plate 3222 and the substrate W is well made. According to an example, the carrying plate 3240 may be provided with a metal material.

액처리 챔버(3600)는 복수 개로 제공된다. 액처리 챔버들(3600) 중 일부는 서로 적층되도록 제공될 수 있다. 액 처리 챔버들(3600)은 반송 챔버(3402)의 일측에 배치된다. 액 처리 챔버들(3600)은 제1방향(12)을 따라 나란히 배열된다. 액 처리 챔버들(3600) 중 일부는 인덱스 모듈(20)과 인접한 위치에 제공된다. 이하, 이들 액처리 챔버를 전단 액처리 챔버(3602)(front liquid treating chamber)라 칭한다. 액 처리 챔버들(3600)은 중 다른 일부는 인터페이스 모듈(40)과 인접한 위치에 제공된다. 이하, 이들 액처리 챔버를 후단 액처리 챔버(3604)(rear heat treating chamber)라 칭한다. A plurality of liquid processing chambers 3600 are provided. Some of the liquid processing chambers 3600 may be provided to be stacked on each other. The liquid processing chambers 3600 are disposed on one side of the transfer chamber 3402 . The liquid processing chambers 3600 are arranged side by side along the first direction 12 . Some of the liquid processing chambers 3600 are provided adjacent to the index module 20 . Hereinafter, these liquid treatment chambers will be referred to as a front liquid treating chamber 3602 (front liquid treating chamber). Other portions of the liquid processing chambers 3600 are provided adjacent to the interface module 40 . Hereinafter, these liquid treatment chambers are referred to as rear heat treating chambers 3604 (rear heat treating chambers).

전단 액처리 챔버(3602)는 기판(W)상에 제1액을 도포하고, 후단 액처리 챔버(3604)는 기판(W) 상에 제2액을 도포한다. 제1액과 제2액은 서로 상이한 종류의 액일 수 있다. 일 실시예에 의하면, 제1액은 반사 방지막이고, 제2액은 포토레지스트이다. 포토레지스트는 반사 방지막이 도포된 기판(W) 상에 도포될 수 있다. 선택적으로 제1액은 포토레지스트이고, 제2액은 반사방지막일 수 있다. 이 경우, 반사방지막은 포토레지스트가 도포된 기판(W) 상에 도포될 수 있다. 선택적으로 제1액과 제2액은 동일한 종류의 액이고, 이들은 모두 포토레지스트일 수 있다.The front stage liquid processing chamber 3602 applies the first liquid on the substrate W, and the rear stage liquid processing chamber 3604 applies the second liquid on the substrate W. The first liquid and the second liquid may be different types of liquid. According to one embodiment, the first liquid is an anti-reflection film, and the second liquid is a photoresist. The photoresist may be applied on the substrate W on which the anti-reflection film is applied. Optionally, the first liquid may be a photoresist, and the second liquid may be an anti-reflection film. In this case, the anti-reflection film may be applied on the photoresist-coated substrate (W). Optionally, the first liquid and the second liquid are the same type of liquid, and they may both be photoresist.

도 11은 도 3의 액 처리 챔버의 일 예를 개략적으로 보여주는 도면이다. 도 11 을 참조하면, 액 처리 챔버(3600)는 하우징(3610), 처리 용기(3620), 기판 지지 유닛(3640), 그리고 액 공급 유닛(3660)을 가진다. 하우징(3610)은 대체로 직육면체의 형상으로 제공된다. 하우징(3610)의 측벽에는 기판(W)이 출입되는 반입구(도시되지 않음)가 형성된다. 반입구는 도어(도시되지 않음)에 의해 개폐될 수 있다. 처리 용기(3620), 기판 지지 유닛(3640), 그리고 액 공급 유닛(3660)은 하우징(3610) 내에 제공된다. 하우징(3610)의 상벽에는 하우징(3260) 내에 하강 기류를 형성하는 팬 필터 유닛(3670)이 제공될 수 있다. 처리 용기(3620)는 상부가 개방된 컵 형상으로 제공된다. 처리 용기(3620)는 내부에 기판을 처리하는 처리 공간을 가진다. 기판 지지 유닛(3640)은 처리 공간 내에 배치되며, 기판(W)을 지지한다. 기판 지지 유닛(3640)은 액 처리 도중에 기판(W)이 회전 가능하도록 제공된다. 액 공급 유닛(3660)은 기판 지지 유닛(3640)에 지지된 기판(W)으로 액을 공급한다. 11 is a diagram schematically illustrating an example of the liquid processing chamber of FIG. 3 . Referring to FIG. 11 , the liquid processing chamber 3600 includes a housing 3610 , a processing vessel 3620 , a substrate support unit 3640 , and a liquid supply unit 3660 . The housing 3610 is provided in the shape of a substantially rectangular parallelepiped. An inlet (not shown) through which the substrate W enters and exits is formed on the sidewall of the housing 3610 . The inlet may be opened and closed by a door (not shown). The processing vessel 3620 , the substrate support unit 3640 , and the liquid supply unit 3660 are provided in the housing 3610 . A fan filter unit 3670 that forms a downdraft in the housing 3260 may be provided on an upper wall of the housing 3610 . The processing container 3620 is provided in a cup shape with an open top. The processing vessel 3620 has a processing space for processing a substrate therein. The substrate support unit 3640 is disposed in the processing space and supports the substrate W. The substrate support unit 3640 is provided so that the substrate W is rotatable during liquid processing. The liquid supply unit 3660 supplies the liquid to the substrate W supported by the substrate support unit 3640 .

액 공급 유닛(3660)은 처리액 노즐(3662)을 포함한다. 처리액 노즐(3662)은 기판 지지 유닛(3640)에 지지된 기판(W)에 처리액을 토출한다. 예컨대, 처리액은 포토레지스트와 같은 감광액일 수 있다. 처리액 노즐(3662)은 공정 위치와 대기 위치 간에 이동된다. 여기서 공정 위치는 처리액 노즐(3662)이 기판 지지 유닛(3640)에 지지된 기판(W)의 상부에서 기판(W)과 마주하는 위치이고, 대기 위치는 처리액 노즐(3662)이 공정 위치를 벗어난 위치이다. 공정 위치는 처리액 노즐(3662)이 기판(W)의 중심으로 처리액 토출이 가능한 위치일 수 있다. The liquid supply unit 3660 includes a treatment liquid nozzle 3662 . The processing liquid nozzle 3662 discharges the processing liquid to the substrate W supported by the substrate support unit 3640 . For example, the treatment liquid may be a photosensitive liquid such as a photoresist. The treatment liquid nozzle 3662 is moved between the process position and the standby position. Here, the process position is a position where the processing liquid nozzle 3662 faces the substrate W on the upper portion of the substrate W supported by the substrate support unit 3640 , and the standby position is the position where the processing liquid nozzle 3662 determines the process position. it is out of position The process position may be a position at which the treatment liquid nozzle 3662 can discharge the treatment liquid to the center of the substrate W.

다시 도 2 및 도 3을 참조하면, 버퍼 챔버(3800)는 복수 개로 제공된다. 버퍼 챔버들(3800) 중 일부는 인덱스 모듈(20)과 반송 챔버(3400) 사이에 배치된다. 이하, 이들 버퍼 챔버를 전단 버퍼(3802, front buffer)라 칭한다. 전단 버퍼들(3802)은 복수 개로 제공되며, 상하 방향을 따라 서로 적층되게 위치된다. 버퍼 챔버들(3802, 3804) 중 다른 일부는 반송 챔버(3400)와 인터페이스 모듈(40) 사이에 배치된다 이하. 이들 버퍼 챔버를 후단 버퍼(3804, rear buffer)라 칭한다. 후단 버퍼들(3804)은 복수 개로 제공되며, 상하 방향을 따라 서로 적층되게 위치된다. 전단 버퍼들(3802) 및 후단 버퍼들(3804) 각각은 복수의 기판들(W)을 일시적으로 보관한다. 전단 버퍼(3802)에 보관된 기판(W)은 인덱스 로봇(2200) 및 반송 로봇(3422)에 의해 반입 또는 반출된다. 후단 버퍼(3804)에 보관된 기판(W)은 반송 로봇(3422) 및 제1로봇(4602)에 의해 반입 또는 반출된다. Referring back to FIGS. 2 and 3 , a plurality of buffer chambers 3800 are provided. Some of the buffer chambers 3800 are disposed between the index module 20 and the transfer chamber 3400 . Hereinafter, these buffer chambers will be referred to as a front buffer 3802 . The front-end buffers 3802 are provided in plurality, and are positioned to be stacked on each other in the vertical direction. Another portion of the buffer chambers 3802 and 3804 is disposed between the transfer chamber 3400 and the interface module 40 below. These buffer chambers are referred to as rear buffer 3804. The rear end buffers 3804 are provided in plurality, and are positioned to be stacked on each other in the vertical direction. Each of the front-end buffers 3802 and the back-end buffers 3804 temporarily stores a plurality of substrates W. As shown in FIG. The substrate W stored in the shear buffer 3802 is loaded or unloaded by the index robot 2200 and the transfer robot 3422 . The substrate W stored in the downstream buffer 3804 is carried in or carried out by the transfer robot 3422 and the first robot 4602 .

전단 버퍼(3802)의 일측에는 전단 반송 로봇이 위치된다. 전단 반송 로봇은 전단 버퍼(3802)와 전단 열처리 챔버 간에 기판을 반송한다. A front-end transfer robot is positioned on one side of the front-end buffer 3802 . The shear transfer robot transfers the substrate between the shear buffer 3802 and the shear heat treatment chamber.

현상 블럭(30b)은 열처리 챔버(3200), 반송 챔버(3400), 그리고 액처리 챔버(3600)를 가진다. 현상 블럭(30b)의 열처리 챔버(3200), 그리고 반송 챔버(3400)는 도포 블럭(30a)의 열처리 챔버(3200), 그리고 반송 챔버(3400)와 대체로 유사한 구조 및 배치로 제공되므로, 이에 대한 설명은 생략한다. The developing block 30b has a heat treatment chamber 3200 , a transfer chamber 3400 , and a liquid treatment chamber 3600 . Since the heat treatment chamber 3200 and the transfer chamber 3400 of the developing block 30b are provided with a structure and arrangement substantially similar to the heat treatment chamber 3200 and the transfer chamber 3400 of the application block 30a, a description thereof is omitted.

현상 블록(30b)에서 액처리 챔버들(3600)은 모두 동일하게 현상액을 공급하여 기판(W)을 현상 처리하는 현상 챔버(3600)로 제공된다. In the developing block 30b, all of the liquid processing chambers 3600 are provided as the developing chamber 3600 for processing the substrate W by supplying a developer in the same manner.

인터페이스 모듈(40)은 처리 모듈(30)을 외부의 노광 장치(50)와 연결한다. 인터페이스 모듈(40)은 인터페이스 프레임(4100), 부가 공정 챔버(4200), 인터페이스 버퍼(4400), 그리고 반송 부재(4600)를 가진다. The interface module 40 connects the processing module 30 to the external exposure apparatus 50 . The interface module 40 includes an interface frame 4100 , an additional process chamber 4200 , an interface buffer 4400 , and a transfer member 4600 .

인터페이스 프레임(4100)의 상단에는 내부에 하강기류를 형성하는 팬필터유닛이 제공될 수 있다. 부가 공정 챔버(4200), 인터페이스 버퍼(4400), 그리고 반송 부재(4600)는 인터페이스 프레임(4100)의 내부에 배치된다. 부가 공정 챔버(4200)는 도포 블럭(30a)에서 공정이 완료된 기판(W)이 노광 장치(50)로 반입되기 전에 소정의 부가 공정을 수행할 수 있다. 선택적으로 부가 공정 챔버(4200)는 노광 장치(50)에서 공정이 완료된 기판(W)이 현상 블럭(30b)으로 반입되기 전에 소정의 부가 공정을 수행할 수 있다. 일 예에 의하면, 부가 공정은 기판(W)의 에지 영역을 노광하는 에지 노광 공정, 또는 기판(W)의 상면을 세정하는 상면 세정 공정, 또는 기판(W)의 하면을 세정하는 하면 세정공정일 수 있다. 부가 공정 챔버(4200)는 복수 개가 제공되고, 이들은 서로 적층되도록 제공될 수 있다. 부가 공정 챔버(4200)는 모두 동일한 공정을 수행하도록 제공될 수 있다. 선택적으로 부가 공정 챔버(4200)들 중 일부는 서로 다른 공정을 수행하도록 제공될 수 있다.A fan filter unit for forming a descending airflow therein may be provided at an upper end of the interface frame 4100 . The additional process chamber 4200 , the interface buffer 4400 , and the transfer member 4600 are disposed inside the interface frame 4100 . The additional process chamber 4200 may perform a predetermined additional process before the substrate W, which has been processed in the application block 30a, is loaded into the exposure apparatus 50 . Optionally, the additional process chamber 4200 may perform a predetermined additional process before the substrate W, which has been processed in the exposure apparatus 50 , is loaded into the developing block 30b. According to an example, the additional process is an edge exposure process of exposing an edge region of the substrate W, a top surface cleaning process of cleaning the upper surface of the substrate W, or a lower surface cleaning process of cleaning the lower surface of the substrate W can A plurality of additional process chambers 4200 may be provided, and they may be provided to be stacked on each other. All of the additional process chambers 4200 may be provided to perform the same process. Optionally, some of the additional process chambers 4200 may be provided to perform different processes.

인터페이스 버퍼(4400)는 도포 블럭(30a), 부가 공정챔버(4200), 노광 장치(50), 그리고 현상 블럭(30b) 간에 반송되는 기판(W)이 반송도중에 일시적으로 머무르는 공간을 제공한다. 인터페이스 버퍼(4400)는 복수 개가 제공되고, 복수의 인터페이스 버퍼들(4400)은 서로 적층되게 제공될 수 있다.The interface buffer 4400 provides a space in which the substrate W transferred between the application block 30a, the additional process chamber 4200, the exposure apparatus 50, and the developing block 30b temporarily stays during the transfer. A plurality of interface buffers 4400 may be provided, and a plurality of interface buffers 4400 may be provided to be stacked on each other.

일 예에 의하면, 반송 챔버(3400)의 길이 방향의 연장선을 기준으로 일 측면에는 부가 공정 챔버(4200)가 배치되고, 다른 측면에는 인터페이스 버퍼(4400)가 배치될 수 있다.According to an example, the additional process chamber 4200 may be disposed on one side of the transfer chamber 3400 along the lengthwise extension line, and the interface buffer 4400 may be disposed on the other side thereof.

반송 부재(4600)는 도포 블럭(30a), 부가 공정챔버(4200), 노광 장치(50), 그리고 현상 블럭(30b) 간에 기판(W)을 반송한다. 반송 부재(4600)는 1개 또는 복수 개의 로봇으로 제공될 수 있다. 일 예에 의하면, 반송 부재(4600)는 제1로봇(4602) 및 제2로봇(4606)을 가진다. 제1로봇(4602)은 도포 블럭(30a), 부가 공정챔버(4200), 그리고 인터페이스 버퍼(4400) 간에 기판(W)을 반송하고, 인터페이스 로봇(4606)은 인터페이스 버퍼(4400)와 노광 장치(50) 간에 기판(W)을 반송하고, 제2로봇(4604)은 인터페이스 버퍼(4400)와 현상 블럭(30b) 간에 기판(W)을 반송하도록 제공될 수 있다.The transfer member 4600 transfers the substrate W between the coating block 30a, the addition process chamber 4200, the exposure apparatus 50, and the developing block 30b. The transfer member 4600 may be provided as one or a plurality of robots. According to an example, the conveying member 4600 has a first robot 4602 and a second robot 4606 . The first robot 4602 transfers the substrate W between the application block 30a, the additional process chamber 4200, and the interface buffer 4400, and the interface robot 4606 uses the interface buffer 4400 and the exposure apparatus ( 50), and the second robot 4604 may be provided to transfer the substrate W between the interface buffer 4400 and the developing block 30b.

제1로봇(4602) 및 제2로봇(4606)은 각각 기판(W)이 놓이는 핸드를 포함하며, 핸드는 전진 및 후진 이동, 제3 방향(16)에 평행한 축을 기준으로 한 회전, 그리고 제3 방향(16)을 따라 이동 가능하게 제공될 수 있다. The first robot 4602 and the second robot 4606 each include a hand on which the substrate W is placed, and the hand moves forward and backward, rotates about an axis parallel to the third direction 16, and It may be provided to be movable along three directions (16).

인덱스 로봇(2200), 제1로봇(4602), 그리고 제2 로봇(4606)의 핸드는 모두 반송 로봇(3422)의 핸드(3420)와 동일한 형상으로 제공될 수 있다. 선택적으로 열처리 챔버의 반송 플레이트(3240)와 직접 기판(W)을 주고받는 로봇의 핸드는 반송 로봇(3422)의 핸드(3420)와 동일한 형상으로 제공되고, 나머지 로봇의 핸드는 이와 상이한 형상으로 제공될 수 있다.The hands of the index robot 2200 , the first robot 4602 , and the second robot 4606 may all have the same shape as the hand 3420 of the transfer robot 3422 . Optionally, the hand of the robot directly exchanging the substrate W with the transfer plate 3240 of the heat treatment chamber is provided in the same shape as the hand 3420 of the transfer robot 3422, and the hands of the other robot are provided in a different shape. can be

일 실시예에 의하면, 인덱스 로봇(2200)은 도포 블럭(30a)에 제공된 전단 열처리 챔버(3200)의 가열 유닛(3230)과 직접 기판(W)을 주고받을 수 있도록 제공된다. According to one embodiment, the index robot 2200 is provided to directly exchange the substrate W with the heating unit 3230 of the shear heat treatment chamber 3200 provided in the application block 30a.

또한, 도포 블럭(30a) 및 현상 블럭(30b)에 제공된 반송 로봇(3422)은 열처리 챔버(3200)에 위치된 반송 플레이트(3240)와 직접 기판(W)을 주고받을 수 있도록 제공될 수 있다. In addition, the transfer robot 3422 provided in the application block 30a and the developing block 30b may be provided to directly transfer the substrate W with the transfer plate 3240 located in the heat treatment chamber 3200 .

다음에는 상술한 기판 처리 장치(1)를 이용하여 기판을 처리하는 방법의 일 실시예에 대해 설명한다. Next, an embodiment of a method for processing a substrate using the above-described substrate processing apparatus 1 will be described.

기판(W)에 대해 도포 처리 공정(S20), 에지 노광 공정(S40), 노광 공정(S60), 그리고 현상 처리 공정(S80)이 순차적으로 수행된다. A coating process ( S20 ), an edge exposure process ( S40 ), an exposure process ( S60 ), and a developing process ( S80 ) are sequentially performed on the substrate W .

도포 처리 공정(S20)은 열처리 챔버(3200)에서 열처리 공정(S21), 전단 액처리 챔버(3602)에서 반사방지막 도포 공정(S22), 열처리 챔버(3200)에서 열처리 공정(S23), 후단 액처리 챔버(3604)에서 포토레지스트막 도포 공정(S24), 그리고 열처리 챔버(3200)에서 열처리 공정(S25)이 순차적으로 이루어짐으로써 수행된다. The coating process (S20) is a heat treatment process (S21) in the heat treatment chamber 3200, an anti-reflective film application process (S22) in the liquid treatment chamber 3602, a heat treatment process (S23) in the heat treatment chamber 3200, and a liquid treatment after The photoresist film coating process S24 in the chamber 3604 and the heat treatment process S25 in the heat treatment chamber 3200 are sequentially performed.

이하, 용기(10)에서 노광 장치(50)까지 기판(W)의 반송 경로의 일 예를 설명한다. Hereinafter, an example of the transport path of the substrate W from the container 10 to the exposure apparatus 50 will be described.

인덱스 로봇(2200)은 기판(W)을 용기(10)에서 꺼내서 전단 버퍼(3802)로 반송한다. 반송 로봇(3422)은 전단 버퍼(3802)에 보관된 기판(W)을 전단 열처리 챔버(3200)로 반송한다. 기판(W)은 반송 플레이트(3240)에 의해 가열 유닛(3230)에 기판(W)을 반송한다. 가열 유닛(3230)에서 기판의 가열 공정이 완료되면, 반송 플레이트(3240)는 기판을 냉각 유닛(3220)으로 반송한다. 반송 플레이트(3240)는 기판(W)을 지지한 상태에서, 냉각 유닛(3220)에 접촉되어 기판(W)의 냉각 공정을 수행한다. 냉각 공정이 완료되면, 반송 플레이트(3240)가 냉각 유닛(3220)의 상부로 이동되고, 반송 로봇(3422)은 열처리 챔버(3200)에서 기판(W)을 반출하여 전단 액처리 챔버(3602)로 반송한다. The index robot 2200 takes the substrate W out of the container 10 and transfers it to the shear buffer 3802 . The transfer robot 3422 transfers the substrate W stored in the front-end buffer 3802 to the front-end heat treatment chamber 3200 . The substrate W is transferred to the heating unit 3230 by the transfer plate 3240 . When the heating process of the substrate in the heating unit 3230 is completed, the transfer plate 3240 transfers the substrate to the cooling unit 3220 . The transfer plate 3240 is in contact with the cooling unit 3220 while supporting the substrate W to perform a cooling process of the substrate W. When the cooling process is completed, the transfer plate 3240 is moved to the upper part of the cooling unit 3220 , and the transfer robot 3422 takes the substrate W out of the heat treatment chamber 3200 and moves it to the front stage liquid treatment chamber 3602 . return it

전단 액처리 챔버(3602)에서 기판(W) 상에 반사 방지막을 도포한다. An anti-reflection film is applied on the substrate W in the front stage liquid processing chamber 3602 .

반송 로봇(3422)이 전단 액처리 챔버(3602)에서 기판(W)을 반출하여 열처리 챔버(3200)로 기판(W)을 반입한다. 열처리 챔버(3200)에는 상술한 가열 공정 및 냉각 공정 순차적으로 진행되고, 각 열처리 공정이 완료되면, 반송 로봇(3422)은 기판(W)을 반출하여 후단 액처리 챔버(3604)로 반송한다. The transfer robot 3422 unloads the substrate W from the front stage liquid processing chamber 3602 and carries the substrate W into the heat treatment chamber 3200 . In the heat treatment chamber 3200 , the above-described heating process and cooling process are sequentially performed, and when each heat treatment process is completed, the transfer robot 3422 takes out the substrate W and transfers it to the downstream liquid treatment chamber 3604 .

이후, 후단 액처리 챔버(3604)에서 기판(W) 상에 포토레지스트막을 도포한다. Thereafter, a photoresist film is applied on the substrate W in the downstream liquid processing chamber 3604 .

반송 로봇(3422)이 후단 액처리 챔버(3604)에서 기판(W)을 반출하여 열처리 챔버(3200)으로 기판(W)을 반입한다. 열처리 챔버(3200)에는 상술한 가열 공정 및 냉각 공정이 순차적으로 진행되고, 각 열처리 공정이 완료되면, 반송 로봇(3422)은 기판(W)을 후단 버퍼(3804)로 반송한다. 인터페이스 모듈(40)의 제1로봇(4602)이 후단 버퍼(3804)에서 기판(W)을 반출하여 보조 공정챔버(4200)로 반송한다. The transfer robot 3422 unloads the substrate W from the rear stage liquid processing chamber 3604 and carries the substrate W into the heat treatment chamber 3200 . The above-described heating process and cooling process are sequentially performed in the heat treatment chamber 3200 , and when each heat treatment process is completed, the transfer robot 3422 transfers the substrate W to the downstream buffer 3804 . The first robot 4602 of the interface module 40 unloads the substrate W from the downstream buffer 3804 and transports it to the auxiliary process chamber 4200 .

보조 공정챔버(4200)에서 기판(W)에 대해 에지 노광 공정이 수행된다.An edge exposure process is performed on the substrate W in the auxiliary process chamber 4200 .

이후, 제1로봇(4602)이 보조 공정챔버(4200)에서 기판(W)을 반출하여 인터페이스 버퍼(4400)로 기판(W)을 반송한다.Thereafter, the first robot 4602 unloads the substrate W from the auxiliary process chamber 4200 and transfers the substrate W to the interface buffer 4400 .

이후, 제2로봇(4606)은 인터페이스 버퍼(4400)에서 기판(W)을 반출하여 노광 장치(50)로 반송한다.Thereafter, the second robot 4606 unloads the substrate W from the interface buffer 4400 and transfers it to the exposure apparatus 50 .

현상 처리 공정(S80)은 열처리 챔버(3200)에서 열처리 공정(S81), 액처리 챔버(3600)에서 현상 공정(S82), 그리고 열처리 챔버(3200)에서 열처리 공정(S83)이 순차적으로 이루어짐으로써 수행된다. The developing process ( S80 ) is performed by sequentially performing the heat treatment process ( S81 ) in the heat treatment chamber 3200 , the developing process ( S82 ) in the liquid treatment chamber 3600 , and the heat treatment process ( S83 ) in the heat treatment chamber 3200 . do.

이하, 노광 장치(50)에서 용기(10)까지 기판(W)의 반송 경로의 일 예를 설명한다, Hereinafter, an example of a transport path of the substrate W from the exposure apparatus 50 to the container 10 will be described.

제2로봇(4606)이 노광 장치(50)에서 기판(W)을 반출하여 인터페이스 버퍼(4400)로 기판(W)을 반송한다.The second robot 4606 unloads the substrate W from the exposure apparatus 50 and transfers the substrate W to the interface buffer 4400 .

이후, 제1로봇(4602)이 인터페이스 버퍼(4400)에서 기판(W)을 반출하여 후단 버퍼(3804)로 기판(W)을 반송한다. 반송 로봇(3422)은 후단 버퍼(3804)에서 기판(W)을 반출하여 열처리 챔버(3200)로 기판(W)을 반송한다. 열처리 챔버(3200)에는 기판(W)의 가열 공정 및 냉각 공정이 순차적으로 수행한다. 냉각 공정이 완료되면, 기판(W)은 반송 로봇(3422)에 의해 현상 챔버(3600)로 반송한다. Thereafter, the first robot 4602 unloads the substrate W from the interface buffer 4400 and transfers the substrate W to the downstream buffer 3804 . The transfer robot 3422 transfers the substrate W to the heat treatment chamber 3200 by unloading the substrate W from the downstream buffer 3804 . In the heat treatment chamber 3200 , a heating process and a cooling process of the substrate W are sequentially performed. When the cooling process is completed, the substrate W is transferred to the developing chamber 3600 by the transfer robot 3422 .

현상 챔버(3600)에는 기판(W) 상에 현상액을 공급하여 현상 공정을 수행한다. A developing process is performed by supplying a developer onto the substrate W to the developing chamber 3600 .

기판(W)은 반송 로봇(3422)에 의해 현상 챔버(3600)에서 반출되어 열처리 챔버(3200)로 반입된다. 기판(W)은 열처리 챔버(3200)에서 가열 공정 및 냉각 공정이 순차적으로 수행된다. 냉각 공정이 완료되면, 기판(W)은 반송 로봇(3422)에 의해 열처리 챔버(3200)에서 기판(W)을 반출되어 전단 버퍼(3802)로 반송한다. The substrate W is unloaded from the developing chamber 3600 by the transfer robot 3422 and loaded into the heat treatment chamber 3200 . A heating process and a cooling process are sequentially performed on the substrate W in the heat treatment chamber 3200 . When the cooling process is completed, the substrate W is unloaded from the heat treatment chamber 3200 by the transfer robot 3422 and transferred to the front end buffer 3802 .

이후, 인덱스 로봇(2200)이 전단 버퍼(3802)에서 기판(W)을 꺼내어 용기(10)로 반송한다. Thereafter, the index robot 2200 takes out the substrate W from the shear buffer 3802 and transfers it to the container 10 .

상술한 기판 처리 장치(1)의 처리 블럭은 도포 처리 공정과 현상 처리 공정을 수행하는 것으로 설명하였다. 그러나 이와 달리 기판 처리 장치(1)는 인터페이스 모듈 없이 인덱스 모듈(20)과 처리 블럭(37)만을 구비할 수 있다. 이 경우, 처리 블럭(37)은 도포 처리 공정만을 수행하고, 기판(W) 상에 도포되는 막은 스핀 온 하드마스크막(SOH)일 수 있다.The processing block of the above-described substrate processing apparatus 1 has been described as performing a coating processing process and a developing processing process. However, unlike this, the substrate processing apparatus 1 may include only the index module 20 and the processing block 37 without an interface module. In this case, the processing block 37 performs only the coating process, and the film applied on the substrate W may be a spin-on hard mask film (SOH).

이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한 상술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내어 설명하는 것이며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 저술한 실시예는 본 발명의 기술적 사상을 구현하기 위한 최선의 상태를 설명하는 것이며, 본 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.The above detailed description is illustrative of the present invention. In addition, the above description shows and describes preferred embodiments of the present invention, and the present invention can be used in various other combinations, modifications, and environments. That is, changes or modifications are possible within the scope of the concept of the invention disclosed herein, the scope equivalent to the written disclosure, and/or within the scope of skill or knowledge in the art. The written embodiment describes the best state for implementing the technical idea of the present invention, and various changes required in the specific application field and use of the present invention are possible. Accordingly, the detailed description of the present invention is not intended to limit the present invention to the disclosed embodiments. Also, the appended claims should be construed as including other embodiments.

1430: 처리 가스 공급 라인 1432: 제1라인
1434: 제2라인 1440: 가스량 조절 부재
1442: 바디 1444: 배기 라인
1446: 제어기1430: process gas supply line 1432: first line
1434: second line 1440: gas amount control member
1442: body 1444: exhaust line
1446: controller

Claims

In the unit for supplying gas,
a tank having an accommodating space in which the liquid is accommodated;
a vaporization gas supply line for supplying gas to the accommodation space so that the liquid in the accommodation space is vaporized;
a process gas supply line for supplying the process gas vaporized from the liquid in the accommodating space to the discharge member from the accommodating space;
a gas amount adjusting member configured to control an amount of the process gas supplied to the discharge member installed in the process gas supply line;
The process gas supply line,
a first line connected to the accommodating space;
and a second line connected to the discharge member,
The gas amount adjusting member,
a body having a buffer space connected to the first line and the second line;
an exhaust line connected to the buffer space and having a valve installed therein;
a controller for controlling the valve;
A valve for adjusting an opening ratio of the processing gas supply line is not provided in the first line and the second line;
The gas supply unit, wherein the amount of the processing gas supplied to the discharge member is adjusted through a contact angle measured at the surface of the substrate to which the processing gas is supplied.

According to claim 1,
The gas amount adjusting member,
and a plate plate disposed in the buffer space such that a flow path through which the processing gas moves in the buffer space is curved.

An apparatus for processing a substrate, comprising:
a chamber having a processing space for processing a substrate therein;
a substrate support unit for supporting a substrate in the processing space;
a gas supply unit supplying a processing gas to the processing space;
The gas supply unit,
a tank having an accommodating space in which the liquid is accommodated;
a vaporization gas supply line for supplying gas to the accommodation space so that the liquid in the accommodation space is vaporized;
a discharge member for supplying a processing gas to the processing space;
a process gas supply line for supplying the process gas vaporized from the liquid in the accommodating space to the discharge member from the accommodating space;
a gas amount adjusting member configured to control an amount of the process gas supplied to the discharge member installed in the process gas supply line;
The process gas supply line,
a first line connected to the accommodating space;
and a second line connected to the discharge member,
The gas amount adjusting member,
a body having a buffer space connected to the first line and the second line;
an exhaust line connected to the buffer space and having a valve installed therein;
a controller for controlling the valve, wherein the controller controls a supply amount of the processing gas supplied to the discharge member by adjusting an exhaust amount of the buffer space while the processing gas is supplied;
A valve for adjusting an opening ratio of the processing gas supply line is not provided in the first line and the second line;
The amount of the processing gas supplied to the discharge member is adjusted through a contact angle measured on a surface of the substrate to which the processing gas is supplied.

4. The method of claim 3,
The gas amount adjusting member,
and a plate plate disposed in the buffer space such that a flow path through which the processing gas moves in the buffer space is curved.

In the method of supplying gas,
supplying a vaporizing gas to the accommodating space in which the liquid is accommodated to vaporize the liquid in the accommodating space, and supplying the vaporized processing gas from the liquid to the discharge member;
providing a buffer space on a processing gas supply line through which the processing gas is supplied from the accommodation space to the discharge member;
Adjusting the flow rate of the processing gas supplied to the discharge member by adjusting the exhaust amount of the processing gas exhausted from the buffer space to the outside;
The flow rate of the processing gas supplied to the discharge member is adjusted through a contact angle measured at the surface of the substrate to which the processing gas is supplied,
A first line connecting the accommodation space and the buffer space and a second line connecting the buffer space and the discharge member are not provided with valves for controlling opening ratios of the first and second lines.

6. The method of claim 5,
A gas supply method in which a supply flow rate of the vaporized gas supplied to the accommodation space is constantly fixed.

A method of processing a substrate, comprising:
a first hydrophobization treatment step of vaporizing the liquid accommodated in the accommodation space into a processing gas using a vaporizing gas, and supplying the processing gas to the first substrate through a discharge member to hydrophobize the surface of the first substrate;
a measuring step of measuring the degree of hydrophobization of the surface of the first substrate;
a flow rate control step of adjusting the flow rate of the processing gas supplied to the second substrate based on the degree of hydrophobization measured in the measuring step;
Adjusting the flow rate of the process gas may include providing a buffer space on a process gas supply line to which the process gas is supplied;
adjusting an exhaust amount of the process gas exhausted from the buffer space to the outside;
The first line connecting the receiving space and the buffer space and the second line connecting the buffer space and the discharging member are not provided with a valve for adjusting the opening ratio of the first line and the second line,
To measure the degree of hydrophobization, supplying a measurement solution having a hydrophilic property to the surface of the first substrate, measuring a contact angle of the measurement solution,
The control of the flow rate of the processing gas supplied to the second substrate is controlled through the measured contact angle.

delete

8. The method of claim 7,
A substrate processing method in which a supply flow rate of the vaporized gas supplied to the accommodation space is constantly fixed.

8. The method of claim 7,
The processing gas is a substrate processing method comprising hexamethyldisilazane (HMDS).