[go: up one dir, main page]

KR102279523B1 - 브러쉬 세정 장치 - Google Patents

브러쉬 세정 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR102279523B1
KR102279523B1 KR1020180011670A KR20180011670A KR102279523B1 KR 102279523 B1 KR102279523 B1 KR 102279523B1 KR 1020180011670 A KR1020180011670 A KR 1020180011670A KR 20180011670 A KR20180011670 A KR 20180011670A KR 102279523 B1 KR102279523 B1 KR 102279523B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
cleaning
substrate
brush
cleaning brush
unit
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
KR1020180011670A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20190092189A (ko
Inventor
조문기
Original Assignee
주식회사 케이씨텍
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 케이씨텍 filed Critical 주식회사 케이씨텍
Priority to KR1020180011670A priority Critical patent/KR102279523B1/ko
Priority to CN201820340187.3U priority patent/CN208390501U/zh
Priority to CN201811474003.3A priority patent/CN110090824B/zh
Publication of KR20190092189A publication Critical patent/KR20190092189A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102279523B1 publication Critical patent/KR102279523B1/ko
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08CLEANING
    • B08BCLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B1/00Cleaning by methods involving the use of tools
    • B08B1/10Cleaning by methods involving the use of tools characterised by the type of cleaning tool
    • B08B1/12Brushes
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67046Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly scrubbing means, e.g. brushes
    • B08B1/04
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08CLEANING
    • B08BCLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B1/00Cleaning by methods involving the use of tools
    • B08B1/20Cleaning of moving articles, e.g. of moving webs or of objects on a conveyor
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08CLEANING
    • B08BCLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B1/00Cleaning by methods involving the use of tools
    • B08B1/30Cleaning by methods involving the use of tools by movement of cleaning members over a surface
    • B08B1/32Cleaning by methods involving the use of tools by movement of cleaning members over a surface using rotary cleaning members
    • B08B1/34Cleaning by methods involving the use of tools by movement of cleaning members over a surface using rotary cleaning members rotating about an axis parallel to the surface
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08CLEANING
    • B08BCLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B3/00Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B3/02Cleaning by the force of jets or sprays
    • B08B3/022Cleaning travelling work
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67703Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations
    • H01L21/67706Mechanical details, e.g. roller, belt
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68764Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a movable susceptor, stage or support, others than those only rotating on their own vertical axis, e.g. susceptors on a rotating caroussel

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

본 발명은 브러쉬 세정 장치에 관한 것으로, 브러쉬 세정 장치는, 기판의 표면에 회전 접촉하는 세정브러쉬와, 세정브러쉬의 회전 토크를 감지하는 토크감지부와, 토크감지부에서 감지된 세정브러쉬의 회전 토크가 기설정된 설정범위를 벗어나면 세정브러쉬의 회전 속도를 변동시키는 속도제어부를 포함하는 것에 의하여, 기판의 세정 효율을 높이고, 세정 효과를 향상시키는 유리한 효과를 얻을 수 있다.

Description

브러쉬 세정 장치{BRUSH CLEANING APPARATUS}
본 발명은 브러쉬 세정 장치에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 기판의 세정 효율을 높이고, 세정 효과를 향상시킬 수 있는 브러쉬 세정 장치에 관한 것이다.
디스플레이 장치에 사용되는 기판이나 반도체 소자의 제작에 사용되는 웨이퍼(이하, 이들을 '기판'이라고 통칭함)를 처리한 이후에, 처리 공정 중에 표면에 묻은 이물질을 제거하는 세정 공정이 이루어진다.
도 1 및 도 2는 종래의 브러쉬 세정 장치(9)를 도시한 것이다. 종래의 브러쉬 세정 장치(9)는, 기판 이송부에 의하여 기판(W)을 한 쌍의 세정브러쉬(10,10')의 사이로 이송하면, 한 쌍의 세정브러쉬(10,10') 중 어느 하나가 상하로 이동(10d)하여 기판(W)을 사이에 낀 상태로 세정브러쉬(10,10')가 회전하면서 기판(W)의 표면을 세정한다.
기판(W)은 회전하는 기판 지지부(50)에 의하여 회전 지지되고, 세정브러쉬(10)는 구동부(40,40')에 의해 각각 서로 다른 방향으로 회전 구동되며, 기판(W)이나 세정브러쉬(10,10') 중 어느 하나에 탈염수와 순수가 공급되면서 기판(W)을 세정한다. 도면에 도시되지 않았지만, 기판(W)에는 세정액(세정용 케미컬)과 탈염수가 노즐을 통해 공급된다.
한편, 브러쉬 세정 장치(9)에서는, 세정브러쉬(10,10')가 기판(W)의 표면에 접촉된 상태로 회전해야 하기 때문에, 세정브러쉬(10,10')의 회전이 원활하게 이루어지기 위해서는, 기판(W)에 대한 세정브러쉬(10,10')의 하중(접촉 압력)이 일정한 범위로 유지될 수 있어야 한다.
그런데, 세정 공정 중에, 세정브러쉬(10,10')가 과도한 접촉 압력으로 기판(W)에 접촉하게 되면, 세정브러쉬(10,10')의 회전 오류가 발생되는 문제점이 있다. 즉, 세정브러쉬(10,10')가 미리 설정된 설정값보다 큰 접촉 압력으로 기판(W)에 접촉되거나, 설정값보다 작은 접촉 압력으로 기판(W)에 접촉하게 되면, 기판(W)에 대한 세정브러쉬(10,10')의 회전을 정확하게 제어하기 어렵고, 세정브러쉬(10,10')에 의한 기판(W)의 세정량을 정확하게 산출하기 어려운 문제점이 있다.
또한, 기판(W)에 대해 세정브러쉬(10,10')를 접근 또는 이격되는 방향(10d)으로 이동시켜 세정브러쉬(10,10')에 의해 기판(W)에 가해지는 하중을 제어하는 방식의 경우는, 세정브러쉬(10,10')에 의해 기판(W)에 가해지는 하중을 미세하게 조절하기 어려운 문제점이 있다.
더욱이, 세정브러쉬(10,10')에 의해 기판(W)에 가해지는 하중을 제어하는 방식의 경우, 세정브러쉬(10,10')에 의해 기판(W)에 가해지는 하중 제어가 잘못(접촉 압력이 커지면)되면, 기판(W) 표면의 패턴이 손상되거나 기판(W)이 파손되는 문제점이 있으며, 기판 지지부(50)에 지지된 기판(W)이 기판 지지부로부터 이탈되는 문제점이 있다.
이에 따라, 최근에는 기판에 대한 세정브러쉬의 세정 조건을 효과적으로 제어하여 기판의 세정 효율을 높이고, 세정 효과를 향상시키기 위한 다양한 검토가 이루어지고 있으나, 아직 미흡하여 이에 대한 개발이 요구되고 있다.
본 발명은 세정 공정 중에 기판에 대한 세정브러쉬의 세정 조건을 효과적으로 제어할 수 있는 브러쉬 세정 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
특히, 본 발명은 세정브러쉬의 회전 토크에 따라 세정브러쉬의 회전 속도를 제어할 수 있도록 하는 것을 목적으로 한다.
또한, 본 발명은 세정브러쉬의 정확한 회전 제어를 통해, 과도하지도 않고 부족하지도 않은 적절한 세정량으로 세정 공정을 제어하여 세정의 신뢰성을 확보할 수 있도록 하는 것을 목적으로 한다.
또한, 본 발명은 기판의 세정 효율을 높이고, 세정 효과를 향상시킬 수 있도록 하는 것을 목적으로 한다.
또한, 본 발명은 안정성 및 신뢰성을 향상시킬 수 있도록 하는 것을 목적으로 한다.
상술한 본 발명의 목적들을 달성하기 위한 본 발명은, 기판의 표면에 회전 접촉하는 세정브러쉬와, 세정브러쉬의 회전 토크를 감지하는 토크감지부와, 토크감지부에서 감지된 세정브러쉬의 회전 토크가 기설정된 설정범위를 벗어나면 세정브러쉬의 회전 속도를 변동시키는 속도제어부를 포함하는 브러쉬 세정 장치를 제공한다.
상술한 바와 같이 본 발명에 따르면, 세정 공정 중에 기판에 대한 세정브러쉬의 세정 조건을 효과적으로 제어하는 유리한 효과를 얻을 수 있다.
특히, 본 발명에 따르면, 세정브러쉬의 회전 토크에 기초하여 세정브러쉬의 회전 속도를 제어하는 것에 의하여, 기판의 표면 상태, 기판에 대한 세정브러쉬의 배치 거리, 기판에 대한 세정브러쉬의 마찰력 등에 따라 최적화된 조건으로 기판을 세정할 수 있으며, 기판의 세정 효율을 높이고, 세정 효과를 향상시키는 유리한 효과를 얻을 수 있다.
또한, 본 발명에 따르면, 기판의 손상없이 기판 표면 상태 또는 세정 조건에 따라 세정브러쉬의 세정 조건을 보다 정확하게 제어하는 유리한 효과를 얻을 수 있다.
또한, 본 발명에 따르면, 세정브러쉬의 정확한 회전 제어를 통해, 과도하지도 않고 부족하지도 않은 적절한 세정량으로 세정 공정을 제어하여 세정의 안정성 및 신뢰성을 확보하고, 기판의 세정 상태를 균일하고 일관되게 제어하는 효과를 얻을 수 있다.
도 1은 기판 지지대를 제외한 종래의 브러쉬 세정 장치의 구성을 도시한 정면도,
도 2는 도 1의 평면도,
도 3은 본 발명에 따른 브러쉬 세정 장치를 설명하기 위한 도면,
도 4 내지 도 6은 본 발명에 따른 브러쉬 세정 장치로서, 토크감지부와 속도제어부를 설명하기 위한 도면,
도 7 및 도 8은 본 발명에 따른 브러쉬 세정 장치로서, 세정제어부를 설명하기 위한 도면,
도 9 및 도 10은 본 발명의 다른 실시예에 따른 브러쉬 세정 장치를 설명하기 위한 도면이다.
이하 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세하게 설명하지만, 본 발명이 실시예에 의해 제한되거나 한정되는 것은 아니다. 참고로, 본 설명에서 동일한 번호는 실질적으로 동일한 요소를 지칭하며, 이러한 규칙 하에서 다른 도면에 기재된 내용을 인용하여 설명할 수 있고, 당업자에게 자명하다고 판단되거나 반복되는 내용은 생략될 수 있다.
도 3은 본 발명에 따른 브러쉬 세정 장치를 설명하기 위한 도면이고, 도 4 내지 도 6은 본 발명에 따른 브러쉬 세정 장치로서, 토크감지부와 속도제어부를 설명하기 위한 도면이며, 도 7 및 도 8은 본 발명에 따른 브러쉬 세정 장치로서, 세정제어부를 설명하기 위한 도면이다.
도 3 내지 도 8을 참조하면, 본 발명에 따른 브러쉬 세정 장치(10)는, 롤 형태로 형성되어 기판(W)의 표면에 회전 접촉하는 세정브러쉬(100)와, 세정브러쉬(100)의 회전 토크를 감지하는 토크감지부(200)와, 토크감지부(200)에서 감지된 세정브러쉬(100)의 회전 토크가 기설정된 설정범위를 벗어나면 세정브러쉬(100)의 회전 속도를 변동시키는 속도제어부(300)를 포함한다.
이는, 기판(W)의 손상없이 기판(W) 표면 상태 또는 세정 조건에 따라 세정브러쉬(100)의 세정 조건을 효과적으로 제어하기 위함이다.
기존에는 세정브러쉬가 기판에 회전 접촉함에 따른 세정브러쉬의 회전 토크를 감지하고, 회전 토크에 따라 기판에 대해 세정브러쉬를 접근 또는 이격시켜 세정브러쉬에 의해 기판에 가해지는 하중(접촉 압력)을 제어하는 방식이 제시된 바 있지만, 기판에 대해 세정브러쉬를 접근 또는 이격시켜 세정브러쉬에 의해 기판에 가해지는 하중을 제어하는 방식의 경우는, 세정브러쉬에 의해 기판에 가해지는 하중을 미세하게 조절하기 어려운 문제점이 있다.
더욱이, 세정브러쉬에 의해 기판에 가해지는 하중을 제어하는 방식의 경우, 세정브러쉬에 의해 기판에 가해지는 접촉 압력이 커지면, 기판의 표면에 형성된 패턴이 손상되거나 기판 자체가 파손되는 문제점이 있으며, 기판 스피닝 유닛(110)에 지지된 기판이 기판 스피닝 유닛으로부터 이탈되는 문제점이 있다.
하지만, 본 발명은 세정브러쉬(100)의 세정브러쉬(100)의 회전 토크를 기초하여 세정브러쉬(100)의 회전 속도를 변동시키는 것에 의하여, 기판(W)의 손상없이 기판(W)의 세정 효율을 높이고 세정 효과을 향상시키는 유리한 효과를 얻을 수 있다.
세정브러쉬(100)는 기판(W)의 일면(예를 들어, 연마면)을 세정하도록 구성되거나, 기판(W)의 일면(예를 들어, 상면)과 타면(예를 들어, 저면)을 모두 세정하도록 구성될 수 있다. 이하에서는 세정브러쉬(100)가 기판(W)의 상면 및 저면을 동시에 세정하도록 구성된 예를 들어 설명하기로 한다.
보다 구체적으로, 세정브러쉬(100)는 기판(W)의 전면에 회전 접촉되는 제1브러쉬(102)와, 기판(W)의 후면에 회전 접촉되는 제2브러쉬(104)를 포함한다. 도7에 도시된 바와 같이, 세정브러쉬(100)는 롤 형태로 형성되어 회전하는 외주면이 기판의 표면의 중심부를 가로지르는 위치에 배치된다.
제1브러쉬(102)와 제2브러쉬(104)로서는 기판(W)의 후면과 전면에 마찰 접촉 가능한 통상의 소재(예를 들어, 다공성 소재의 폴리 비닐 알코올)로 이루어진 브러쉬가 사용될 수 있다. 아울러, 제1브러쉬(102)와 제2브러쉬(104)의 표면에는 브러쉬의 접촉 특성을 향상시키기 위한 복수개의 세정 돌기가 형성될 수 있다. 경우에 따라서는 세정 돌기가 없는 브러쉬를 사용하는 것도 가능하다.
세정브러쉬(100)는 브러쉬지지대(101)에 의해 회전 가능하게 지지된다.
브러쉬지지대(101)는 세정브러쉬(100)를 회전 가능하게 지지할 수 있는 다양한 구조로 형성될 수 있으며, 브러쉬지지대(101)의 구조에 의해 본 발명이 제한되거나 한정되는 것은 아니다.
일 예로, 브러쉬지지대(101)는 세정브러쉬(100)의 일단을 지지하도록 마련된다. 보다 구체적으로, 세정브러쉬(100)는 그 일단이 고정단으로 브러쉬지지대(101)에 지지되고, 타단은 자유단으로 배치되는 캔틸레버(cantilever) 구조로 브러쉬지지대(101)에 의해 회전 가능하게 지지된다. 이때, 브러쉬지지대(101)에는 세정브러쉬(100)를 회전시키기 위한 구동력을 제공하는 구동 모터가 구비되며, 세정브러쉬(100)는 선택적으로 브러쉬지지대(101)를 따라 상하 방향으로 이동할 수 있다.
다른 일 예로, 브러쉬지지대는 양단 지지보 방식으로 세정브러쉬(100)의 일단 및 타단을 모두 지지하도록 구성되는 것도 가능하다.(미도시)
기판(W)은 기판 스피닝 유닛(110)(405)에 의해 회전하는 상태에서 회전하는 제1브러쉬(102)와 제2브러쉬(104)에 의해 세정된다.
기판 스피닝 유닛(110)(405)은 요구되는 조건 및 설계 사양에 따라 기판(W)을 지지하면서 회전시킬 수 있는 다양한 구조로 제공될 수 있다.
일 예로, 기판 스피닝 유닛(110)는 기판(W)의 가장자리 일측을 지지하도록 고정 설치되는 고정지지부(미도시)와, 고정지지부를 마주하는 기판(W)의 가장자리 다른 일측을 지지하며 기판(W)에 접근 및 이격되는 방향으로 이동 가능하게 제공되는 가동지지부(미도시)를 포함하여 구성될 수 있다.
보다 구체적으로, 고정지지부는 기판(W)의 가장자리를 지지하는 제1고정지지체와, 제1고정지지체로부터 이격되게 배치되어 기판(W)의 다른 가장자리를 지지하는 제2고정지지체를 포함한다. 또한, 가동지지부는 기판(W)의 가장자리를 지지하는 제1가동지지체와, 제1가동지지체로부터 이격되게 배치되어 기판(W)의 다른 가장자리를 지지하는 제2가동지지체를 포함한다. 경우에 따라서는 고정지지부(또는 가동지지부)가 단 하나의 고정지지체(또는 가동지지체)로 구성되거나 3개 이상의 고정지지체(또는 가동지지체)를 포함하여 구성되는 것도 가능하다.
또한, 브러쉬 세정 장치는 기판(W)에 세정 유체를 분사하는 세정 유체 분사부(120)를 포함한다.
세정 유체 분사부(120)는 세정브러쉬(100)에 의한 세정이 수행되는 동안, 세정브러쉬(100)와 기판(W)의 마찰 접촉에 의한 세정 효과를 높일 수 있도록, 세정브러쉬(100)과 기판(W)의 접촉 부위에 세정 유체를 분사한다.
세정 유체 분사부(120)는 요구되는 조건 및 세정 환경에 따라 다양한 세정 유체를 분사할 수 있으며, 세정 유체의 종류에 의해 본 발명이 제한되거나 한정되는 것은 아니다. 일 예로, 세정 유체 분사부(120)는, SC1(Standard Clean-1, APM), 불산(HF) 등과 같은 케미컬을 분사하거나 순수(DIW)를 분사할 수 있다. 참고로, SC1은 NH4OH/H2O2/H2O 가 1:1:5 ~ 1:4:20의 비율로 혼합되어 사용될 수 있으며, SC1의 비율은 요구되는 조건 및 처리 환경에 따라 변경될 수 있다.
또한, 세정 유체 분사부(120)는 기판(W)의 표면에 대해 오실레이션(oscillation) 가능하게 제공되어, 세정 유체를 기판(W)의 표면에 오실레이션 분사(oscillation spray)하도록 구성될 수 있다. 일 예로, 세정 유체 분사부(120)는 소정 각도 범위로 스윙(swing) 회전 가능하게 구비될 수 있다.
이와 같이, 세정 유체를 기판(W)의 표면에 오실레이션 분사하는 것에 의하여, 세정 유체에 의한 세정 효율을 극대화하고, 세정 유체의 사용량을 보다 낮추는 유리한 효과를 얻을 수 있다. 또한, 기판(W)으로부터 분리된 이물질을 쓸어내 기판(W)의 바깥으로 배출시키는 효과도 함께 얻을 수 있다.
토크감지부(200)는 세정브러쉬(100)의 회전 토크를 감지하도록 마련된다.
일 예로, 세정브러쉬(100)의 회전 토크는 세정브러쉬(100)가 기판(W)에 접촉될 시 구동 모터에 인가되는 전기 신호(순간 전압 및 전류)를 이용하여 측정될 수 있다.
참고로, 세정브러쉬(100)의 회전 토크는 기판(W)의 표면 상태, 기판(W)에 대한 세정브러쉬(100)의 배치 거리, 기판(W)에 대한 세정브러쉬(100)의 마찰력 등에 따라 변동될 수 있다. 따라서, 세정브러쉬(100)의 회전 토크를 알면 기판(W)의 표면 상태, 기판(W)에 대한 세정브러쉬(100)의 배치 거리, 기판(W)에 대한 세정브러쉬(100)의 마찰력 등을 알 수 있다.
일 예로, 기판(W)의 표면에 이물질이 고착되거나 이물질 잔류량이 증가하면 이물질에 의한 마찰력 증가에 따라 세정브러쉬(100)의 회전시 구동 모터의 부하가 증가하고, 반대로, 기판(W)의 표면에 고착된 이물질의 고착 정도가 감소하거나 이물질 잔류량이 감소하면 세정브러쉬(100)의 회전시 구동 모터의 부하가 감소된다. 또한, 세정브러쉬(100)가 기판(W)에 인접하게 배치되면 기판(W)에 대한 세정브러쉬(100)의 접촉 압력(마찰력)이 커지므로 세정브러쉬(100)의 회전시 구동 모터의 부하가 증가하고, 반대로 세정브러쉬(100)가 기판(W)에 이격되게 배치되면 세정브러쉬(100)의 회전시 구동 모터의 부하가 감소하게 된다.
도 5 및 도 6을 참조하면, 속도제어부(300)는 토크감지부(200)에서 감지된 세정브러쉬(100)의 회전 토크가 기설정된 설정범위를 벗어나면, 세정브러쉬(100)의 회전 속도를 변동시키도록 마련된다.
이는, 기판(W)의 손상없이 기판(W) 표면 상태 또는 세정 조건에 따라 세정브러쉬(100)의 세정 조건을 효과적으로 제어하기 위함이다.
기존에는 세정브러쉬가 기판에 회전 접촉함에 따른 세정브러쉬의 회전 토크를 감지하고, 회전 토크에 따라 기판에 대해 세정브러쉬를 접근 또는 이격시켜 세정브러쉬에 의해 기판에 가해지는 하중(접촉 압력)을 제어하는 방식이 제시된 바 있지만, 기판에 대해 세정브러쉬를 접근 또는 이격시켜 세정브러쉬에 의해 기판에 가해지는 하중을 제어하는 방식의 경우는, 세정브러쉬에 의해 기판에 가해지는 하중을 미세하게 조절하기 어려운 문제점이 있다.
더욱이, 세정브러쉬에 의해 기판에 가해지는 하중을 제어하는 방식의 경우, 세정브러쉬에 의해 기판에 가해지는 접촉 압력이 커지면, 기판의 표면에 형성된 패턴이 손상되거나 기판 자체가 파손되는 문제점이 있으며, 기판 스피닝 유닛(110)에 지지된 기판이 기판 스피닝 유닛으로부터 이탈되는 문제점이 있다.
하지만, 본 발명은 세정브러쉬(100)의 세정브러쉬(100)의 회전 토크를 기초하여 세정브러쉬(100)의 회전 속도를 변동시키는 것에 의하여, 기판(W)의 손상없이 기판(W)의 세정 효율을 높이고 세정 효과을 향상시키는 유리한 효과를 얻을 수 있다.
바람직하게, 속도제어부(300)는 세정브러쉬(100)가 기판(W)에 회전 접촉하는 중에 실시간으로 세정브러쉬(100)의 회전 속도를 피드백 제어한다. 이와 같이, 세정브러쉬(100)의 회전 토크의 변동에 대응하여 세정브러쉬(100)의 회전 속도를 피드백 제어하는 것에 의하여, 기판(W)의 세정 효율을 향상시키고 세정 균일도를 높이는 유리한 효과를 얻을 수 있다.
여기서, 세정브러쉬(100)의 회전 토크를 기초하여 세정브러쉬(100)의 회전 속도를 변동시킨다 함은, 세정브러쉬(100)의 회전 토크에 따라 세정브러쉬(100)의 회전 속도를 증가시키거나 감속시키는 것을 모두 포함하는 것으로 정의된다.
일 예로, 속도제어부(300)는 토크감지부(200)에서 감지된 신호에 따라 세정브러쉬(100)의 회전 속도를 증가시킬 수 있다.
가령, 세정브러쉬(100)의 회전 토크가 기설정된 설정범위보다 낮으면 세정브러쉬(100)의 회전 속도를 증가시킬 수 있다. 예를 들어, 이물질이 고착되거나 이물질 잔류량이 증가하면(또는 세정브러쉬(100)가 기판(W)에 근접하게 배치되거나, 세정 유체의 분사량이 부족하면), 이물질에 의한 마찰력 증가에 따라 세정브러쉬(100)의 회전시 구동 모터의 부하가 증가하여 세정브러쉬(100)의 회전 토크가 기설정된 설정범위보다 낮아질 수 있으며, 속도제어부(300)는 세정브러쉬(100)의 회전 토크 저하에 대응하여 세정브러쉬(100)의 회전 속도를 증가시킬 수 있다. 다르게는, 세정브러쉬(100)의 회전 토크가 기설정된 설정범위보다 높으면 세정브러쉬(100)의 회전 속도를 증가시키는 것도 가능하다.
다른 일 예로, 속도제어부(300)는 토크감지부(200)에서 감지된 신호에 따라 세정브러쉬(100)의 회전 속도를 감속시킬 수 있다.
가령, 세정브러쉬(100)의 회전 토크가 기설정된 설정범위보다 높으면 세정브러쉬(100)의 회전 속도를 감소시킬 수 있다. 예를 들어, 이물질이 고착되거나 이물질 잔류량이 감소하면(또는 세정브러쉬(100)가 기판(W)에 이격되게 배치되거나, 세정 유체의 분사량이 과도하면), 마찰력 감소에 따라 세정브러쉬(100)의 회전시 구동 모터의 부하가 감소하여 세정브러쉬(100)의 회전 토크가 기설정된 설정범위보다 높아질 수 있으며, 속도제어부(300)는 세정브러쉬(100)의 회전 토크 증가에 대응하여 세정브러쉬(100)의 회전 속도를 감속시킬 수 있다. 다르게는, 세정브러쉬(100)의 회전 토크가 기설정된 설정범위보다 낮으면 세정브러쉬(100)의 회전 속도를 감속시키는 것도 가능하다.
한편, 브러쉬 세정 장치는, 토크감지부(200)에서 감지된 신호에 따라 세정브러쉬(100)의 회전 속도를 제어하는 속도제어부(300)와 함께, 토크감지부(200)에서 감지된 신호에 따라 기판(W)의 다른 세정 조건을 제어하는 세정제어부(400)를 포함할 수 있다.
여기서, 기판(W)의 세정 조건이라 함은, 세정브러쉬(100)에 의한 기판(W)의 세정에 영향을 미치는 세정브러쉬(100)의 회전 속도 조건 외에, 세정브러쉬(100)에 의한 기판(W)의 세정에 영향을 미치는 다른 조건을 포함하는 것으로 정의된다.
일 예로, 도 7을 참조하면, 세정제어부(400)는 토크감지부(200)에서 감지된 신호에 따라 기판 스피닝 유닛(110)에 의한 기판(W)의 회전 속도를 제어한다. 가령, 세정제어부(400)는 토크감지부(200)에서 감지된 세정브러쉬(100)의 회전 토크가 기설정된 설정범위보다 높거나 낮음에 대응하여, 기판 스피닝 유닛(110)에 의한 기판(W)의 회전 속도(VR)를 증가 또는 감속시킬 수 있다.
다른 일 예로, 도 8을 참조하면, 세정제어부(400)는 세정 유체 분사부(120)에 의한 세정 유체의 분사량 및 분사 압력 중 어느 하나 이상을 제어한다. 가령, 세정제어부(400)는 토크감지부(200)에서 감지된 세정브러쉬(100)의 회전 토크가 기설정된 설정범위보다 높거나 낮음에 대응하여, 세정 유체 분사부(120)에 의한 세정 유체의 분사량(IA) 및 분사 압력(IP)을 높이거나 낮출 수 있다.
또 다른 일 예로, 다시 도 8을 참조하면, 세정제어부(400)는 세정 유체 분사부(120)의 오실레이션 각도 및 오실레이션 속도 중 어느 하나 이상을 제어한다. 가령, 세정제어부(400)는 토크감지부(200)에서 감지된 세정브러쉬(100)의 회전 토크가 기설정된 설정범위보다 높거나 낮음에 대응하여, 세정 유체 분사부(120)의 오실레이션 각도(OA) 및 오실레이션 속도(OV)를 높이거나 낮출 수 있다.
또한, 본 발명에 따른 브러쉬 세정 장치는, 토크감지부(200)에서 감지된 세정브러쉬(100)의 회전 토크가 기설정된 설정범위를 벗어나면 경보신호를 발생시키는 경보발생부(미도시)를 포함할 수 있다.
여기서, 경보신호라 함은 통상의 음향수단에 의한 청각적 경보신호, 및 통상의 경고등에 의한 시각적 경보신호 중 적어도 하나를 포함할 수 있으며, 이외에도 작업자에게 세정브러쉬(100)의 회전 토크의 변동 상황을 인지시킬 수 있는 여타 다른 다양한 경보신호가 이용될 수 있다.
참고로, 전술 및 도시한 본 발명의 실시예에서는 토크감지부에서 감지된 세정브러쉬의 회전 토크에 따라 속도제어부가 세정브러쉬의 회전 속도를 변동시키는 예를 들어 설명하고 있지만, 경우에 따라서는 토크감지부에서 감지된 세정브러쉬의 회전 토크에 따라 속도제어부가 기판의 회전 속도를 변동(증가 또는 감속)시키는 것도 가능하다.
또한, 세정브러쉬의 회전 토크에 따라 속도제어부가 기판의 회전 속도를 제어하는 브러쉬 세정 장치에서도, 세정제어부는 세정 유체 분사부에 의한 세정 유체의 분사량 및 분사 압력 중 어느 하나 이상을 제어하거나, 세정 유체 분사부의 오실레이션 각도 및 오실레이션 속도 중 어느 하나 이상을 제어하도록 구성될 수 있다.
한편, 도 9 및 도 10은 본 발명의 다른 실시예에 따른 브러쉬 세정 장치를 설명하기 위한 도면이다. 아울러, 전술한 구성과 동일 및 동일 상당 부분에 대해서는 동일 또는 동일 상당한 참조 부호를 부여하고, 그에 대한 상세한 설명은 생략하기로 한다.
도 9 및 도 10을 참조하면, 본 발명의 다른 실시예에 따른 브러쉬 세정 장치(10)는, 기판(W)의 표면에 회전 접촉하는 세정브러쉬(100)와, 기판(W)의 표면 상태를 검출하는 표면검출부(500)와, 표면검출부(500)에서 감지된 기판(W)의 표면 상태에 따라 세정브러쉬(100)에 의한 기판(W)의 세정 조건을 제어하는 세정제어부(400')를 포함한다.
바람직하게, 표면검출부(500)는 상기 기판(W)에 잔류하는 이물질을 검출하고, 세정제어부(400')는 기판(W)에 잔류하는 이물질에 대응하여 기판(W)의 세정 조건을 제어한다.
여기서, 기판(W)에 잔류하는 이물질을 검출한다 함은, 기판(W)의 표면에 잔류하는 이물질의 분포 밀도, 분포량, 분포 부위 중 어느 하나 이상을 검출하는 것으로 정의된다.
이와 같이, 본 발명은 기판(W)의 표면 상태에 따라 세정브러쉬(100)에 의한 기판(W)의 세정에 영향을 미치는 세정 조건을 제어하는 것에 의하여, 기판(W)의 표면 상태에 따라 최적화된 세정 효과를 구현할 수 있으며, 기판(W)의 세정 효율을 높이는 유리한 효과를 얻을 수 있다.
표면검출부(500)로서는 기판(W)의 표면에서 이물질을 검출할 수 있는 비젼카메라 또는 센서와 같은 비접촉식 센싱 수단이 사용될 수 있으며, 표면검출부(500)의 종류 및 검출 방식에 의해 본 발명이 제한되거나 한정되는 것은 아니다. 경우에 따라서는 접촉식 센싱 수단을 이용하여 기판의 표면에서 이물질을 검출하는 것도 가능하다.
세정제어부(400')는 표면검출부(500)에서 감지된 기판(W)의 표면 상태에 따라 세정브러쉬(100)에 의한 기판(W)의 세정 조건을 제어하도록 마련된다.
여기서, 기판(W)의 세정 조건이라 함은, 세정브러쉬(100)에 의한 기판(W)의 세정에 영향을 미치는, 세정브러쉬(100)의 회전 속도 또는 회전 토크, 기판(W)의 회전 속도, 세정 유체의 분사량 또는 분사압력, 세정 유체의 오실레이션 각도 또는 속도 중 어느 하나 이상을 포함하는 것으로 정의된다.
바람직하게, 세정제어부(400')는 기판(W)의 표면 상태에 따라 기판(W)의 세정 조건을 피드백 제어한다. 이와 같이, 기판(W)의 표면 상태 변화에 대응하여 기판(W)의 세정 조건을 피드백 제어하는 것에 의하여, 기판(W)의 세정 효율을 향상시키고 세정 균일도를 높이는 유리한 효과를 얻을 수 있다.
일 예로, 도 10을 참조하면 세정제어부(400')는 표면검출부(500)에서 감지된 기판(W)의 표면 상태에 따라 세정브러쉬(100)의 회전 속도(V1,V2)를 변동시키도록 마련된다.
여기서, 기판(W)의 표면 상태에 따라 세정브러쉬(100)의 회전 속도를 변동시킨다 함은, 기판(W)의 표면 상태에 따라 세정브러쉬(100)의 회전 속도를 증가시키거나 감속시키는 것을 모두 포함하는 것으로 정의된다.
일 예로, 세정제어부(400')는 기판(W)의 표면 상태에 따라 세정브러쉬(100)의 회전 속도를 증가시킬 수 있다. 가령, 기판(W)의 표면에 잔류하는 이물질(D)의 분포 밀도 및 분포량이 기설정된 설정범위보다 높으면 세정브러쉬(100)의 회전 속도를 증가(V2 〉V1)시킬 수 있다. 다르게는, 기판(W)의 표면에 잔류하는 이물질의 분포 밀도 및 분포량이 낮으면 세정브러쉬(100)의 회전 속도를 증가시키는 것도 가능하다.
다른 일 예로, 세정제어부(400')는 기판(W)의 표면 상태에 따라 세정브러쉬(100)의 회전 속도를 감속시킬 수 있다. 가령, 기판(W)의 표면에 잔류하는 이물질(D)의 분포 밀도 및 분포량이 기설정된 설정범위보다 낮으면 세정브러쉬(100)의 회전 속도를 감속시킬 수 있다. 다르게는, 기판(W)의 표면에 잔류하는 이물질의 분포 밀도 및 분포량이 낮으면 세정브러쉬(100)의 회전 속도를 감속시키는 것도 가능하다.
또한, 세정제어부(400')는 표면검출부(500)에서 감지된 기판(W)의 표면 상태에 따라 세정브러쉬(100)의 회전 토크를 변동시키는 것도 가능하다.
여기서, 기판(W)의 표면 상태에 따라 세정브러쉬(100)의 회전 토크를 변동시킨다 함은, 기판(W)의 표면 상태에 따라 세정브러쉬(100)의 회전 토크를 증가시키거나 낮추는 것을 모두 포함하는 것으로 정의된다. 가령, 기판(W)의 표면에 이물질이 강하게 고착된 것으로 확인되면, 세정브러쉬(100)의 회전 토크를 증가시킬 수 있다. 반면, 기판(W)의 표면에서 이물질이 분리된 것으로 확인되면, 세정브러쉬(100)의 회전 토크를 감소시킬 수 있다.
한편, 세정제어부(400')는 기판(W)의 표면 상태에 따라 세정브러쉬(100)의 회전 속도 또는 회전 토크를 변동시킴과 아울러, 기판(W)의 세정에 영향을 미치는 기판(W)의 다른 세정 조건을 제어하는 것도 가능하다.
일 예로, 세정제어부(400')는 표면검출부(500)에서 검출된 기판(W)의 표면 상태에 따라 기판 스피닝 유닛(110)에 의한 기판(W)의 회전 속도(VR)를 제어한다. 가령, 세정제어부(400')는 기판(W)의 표면에 잔류하는 이물질의 분포 밀도 및 분포량에 대응하여, 기판 스피닝 유닛(110)에 의한 기판(W)의 회전 속도(VR)를 증가 또는 감속시킬 수 있다.(도 7 참조)
다른 일 예로, 세정제어부(400')는 표면검출부(500)에서 검출된 기판(W)의 표면 상태에 따라 세정 유체 분사부(120)에 의한 세정 유체의 분사량(IA) 및 분사 압력(IP) 중 어느 하나 이상을 제어한다. 가령, 세정제어부(400')는 기판(W)의 표면에 잔류하는 이물질의 분포 밀도 및 분포량이 기설정된 설정범위보다 높거나 낮음에 대응하여, 세정 유체 분사부(120)에 의한 세정 유체의 분사량(IA) 및 분사 압력(IP)을 높이거나 낮출 수 있다.(도 8 참조)
또 다른 일 예로, 세정제어부(400')는 표면검출부(500)에서 검출된 기판(W)의 표면 상태에 따라 세정 유체 분사부(120)의 오실레이션 각도(OA) 및 오실레이션 속도(OV) 중 어느 하나 이상을 제어한다. 가령, 세정제어부(400')는 기판(W)의 표면에 잔류하는 이물질의 분포 밀도 및 분포량이 기설정된 설정범위보다 높거나 낮음에 대응하여, 세정 유체 분사부(120)의 오실레이션 각도(OA) 및 오실레이션 속도(OV)를 높이거나 낮출 수 있다.(도 8 참조)
상술한 바와 같이, 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만 해당 기술분야의 숙련된 당업자라면 하기의 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
100 : 세정브러쉬 101 : 브러쉬지지대
102 : 제1브러쉬 104 : 제2브러쉬
110 : 기판 스피닝 유닛 120 : 세정 유체 분사부
200 : 토크감지부 300 : 속도제어부
400,400' : 세정제어부 500 : 표면검출부

Claims (28)

  1. 브러쉬 세정 장치에 있어서,
    롤 형태로 형성되어 회전하는 외주면이 기판의 표면의 중심부를 가로지르는 위치에서 회전 접촉하는 세정브러쉬와;
    상기 세정 브러쉬에 의해 접촉 세정되는 상기 기판에 대하여, 상기 기판과의 마찰에 따른 상기 세정 브러쉬의 회전 토크를 세정 공정의 시간 경과에 따라 감지하는 토크감지부와;
    상기 기판에 세정 유체를 분사하는 세정 유체 분사부와;
    상기 토크감지부에서 감지된 신호에 따라 상기 기판의 세정 조건을 제어하되, 상기 세정 유체 분사부에 의한 상기 세정 유체의 분사량 및 분사 압력 중 어느 하나 이상을 제어하는 세정 제어부를;
    포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 브러쉬 세정 장치.
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 삭제
  5. 제1항에 있어서,
    상기 세정브러쉬의 일단을 지지하는 브러쉬지지대를 포함하는 것을 특징으로 하는 브러쉬 세정 장치.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 세정브러쉬의 일단 및 타단을 지지하는 브러쉬지지대를 포함하는 것을 특징으로 하는 브러쉬 세정 장치.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 기판을 지지하면서 회전시키는 기판 스피닝 유닛을; 더 포함하고,
    상기 세정제어부는, 상기 기판 스피닝 유닛에 의한 상기 기판의 회전 속도를 제어하는 것을 특징으로 하는 브러쉬 세정 장치.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 세정 유체 분사부는 기판의 표면에 대해 오실레이션(oscillation) 가능하게 제공되며,
    상기 세정제어부는, 상기 세정 유체 분사부의 오실레이션 각도 및 오실레이션 속도 중 어느 하나 이상을 제어하는 것을 특징으로 하는 브러쉬 세정 장치.
  9. 브러쉬 세정 장치에 있어서,
    롤 형태로 형성되어 회전하는 외주면이 기판의 표면의 중심부를 가로지르는 위치에서 회전 접촉하는 세정브러쉬와;상기 세정 브러쉬에 의해 접촉 세정되는 상기 기판에 대하여, 상기 기판과의 마찰에 따른 상기 세정 브러쉬의 회전 토크를 세정 공정의 시간 경과에 따라 감지하는 토크감지부와;
    상기 기판의 표면에 대해 오실레이션(oscillation) 가능하게 제공되며,상기 기판에 세정 유체를 분사하는 세정 유체 분사부와;
    상기 토크감지부에서 감지된 신호에 따라 상기 기판의 세정 조건을 제어하되, 상기 세정 유체 분사부의 오실레이션 각도 및 오실레이션 속도 중 어느 하나 이상을 제어하는 세정제어부를;
    포함하는 것을 특징으로 하는 브러쉬 세정 장치.
  10. 제 1항 또는 제5항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 세정 공정의 시간 경과에 따라, 상기 토크감지부에서 감지된 상기 세정브러쉬의 회전 토크가 기설정된 설정범위를 벗어나면, 상기 세정브러쉬의 회전 속도를 상기 세정 공정 중에 실시간으로 변동시키는 속도제어부를;
    더 포함하고, 상기 세정브러쉬가 상기 기판에 회전 접촉하는 상기 세정 공정의 시간 경과 중에 상기 토크 감지부에 의해 감지된 회전토크값에 따라 상기 세정브러쉬의 회전 속도를 증감시키는 피드백 제어하는 것을 특징으로 하는 브러쉬 세정 장치.
  11. 삭제
  12. 삭제
  13. 삭제
  14. 삭제
  15. 삭제
  16. 삭제
  17. 삭제
  18. 삭제
  19. 삭제
  20. 삭제
  21. 제 1항 또는 제5항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 세정 공정의 시간 경과에 따라, 상기 토크감지부에서 감지된 상기 세정브러쉬의 회전 토크가 기설정된 설정범위를 벗어나면, 기판 스피닝 유닛의 상기 기판의 회전 속도를 상기 세정 공정 중에 실시간으로 변동시키는 속도제어부를;
    더 포함하고, 상기 세정브러쉬가 상기 기판에 회전 접촉하는 상기 세정 공정의 시간 경과 중에 상기 토크 감지부에 의해 감지된 회전토크값에 따라 상기 기판의 회전 속도를 증감시키는 피드백 제어하는 것을 특징으로 하는 브러쉬 세정 장치.

  22. 삭제
  23. 삭제
  24. 삭제
  25. 삭제
  26. 삭제
  27. 삭제
  28. 삭제
KR1020180011670A 2018-01-30 2018-01-30 브러쉬 세정 장치 Active KR102279523B1 (ko)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020180011670A KR102279523B1 (ko) 2018-01-30 2018-01-30 브러쉬 세정 장치
CN201820340187.3U CN208390501U (zh) 2018-01-30 2018-03-13 刷洗装置
CN201811474003.3A CN110090824B (zh) 2018-01-30 2018-12-04 刷洗装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020180011670A KR102279523B1 (ko) 2018-01-30 2018-01-30 브러쉬 세정 장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20190092189A KR20190092189A (ko) 2019-08-07
KR102279523B1 true KR102279523B1 (ko) 2021-07-20

Family

ID=65064148

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020180011670A Active KR102279523B1 (ko) 2018-01-30 2018-01-30 브러쉬 세정 장치

Country Status (2)

Country Link
KR (1) KR102279523B1 (ko)
CN (2) CN208390501U (ko)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102290610B1 (ko) * 2019-11-20 2021-08-20 한국생산기술연구원 웨이퍼에 대한 세정용 브러쉬의 접촉 깊이 검출 장치 및 이의 깊이 검출 방법
KR102290611B1 (ko) * 2019-11-20 2021-08-20 한국생산기술연구원 웨이퍼에 대한 세정용 브러쉬의 접촉 원점 검출 장치 및 이의 원점 검출 방법
CN111146116B (zh) * 2019-11-28 2020-12-29 华海清科股份有限公司 一种晶圆清洗方法和晶圆后处理装置
CN114058795A (zh) * 2021-11-01 2022-02-18 江苏龙创新材料科技有限公司 一种漆包线加工用的退火处理装置及使用方法
CN115101442A (zh) * 2022-06-07 2022-09-23 上海华力集成电路制造有限公司 清洗系统以及清洗方法
KR102603694B1 (ko) * 2022-12-05 2023-11-16 이영화 성형몰드 작업용 청소도유 장치

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009049432A (ja) * 2008-11-17 2009-03-05 Shibaura Mechatronics Corp ブラシ洗浄装置およびブラシ洗浄方法
KR101399840B1 (ko) * 2013-04-22 2014-05-29 주식회사 케이씨텍 화학 기계적 연마 공정을 거친 기판의 세정 방법 및 기판의 세정 장치

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7077916B2 (en) * 2002-03-11 2006-07-18 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Substrate cleaning method and cleaning apparatus
JP2007165554A (ja) * 2005-12-13 2007-06-28 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置及び基板処理方法
JP4755519B2 (ja) * 2006-03-30 2011-08-24 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置および基板処理方法
US8578953B2 (en) * 2006-12-20 2013-11-12 Tokyo Electron Limited Substrate cleaning apparatus, substrate cleaning method, and computer-readable storage medium
CN201108161Y (zh) * 2007-09-05 2008-09-03 莱奥孚姆有限公司 清洗表面的压力清洁刷
JP5890108B2 (ja) * 2011-04-27 2016-03-22 株式会社Screenホールディングス 洗浄処理方法
CN202933039U (zh) * 2012-08-30 2013-05-15 上海携福电器有限公司 电动牙刷
EP2743779A2 (en) * 2012-12-17 2014-06-18 Canon Kabushiki Kaisha Image forming apparatus that prevents surface speed difference from being generated between photosensitive drum and intermediate transfer belt
JP6113552B2 (ja) * 2013-03-29 2017-04-12 株式会社荏原製作所 研磨装置及び摩耗検知方法
KR101508513B1 (ko) * 2013-07-22 2015-04-07 주식회사 케이씨텍 기판 세정에 사용되는 기판 회전 장치
CN104720913B (zh) * 2013-12-19 2017-07-18 高露洁-棕榄公司 电动牙刷
KR101706975B1 (ko) * 2014-02-14 2017-02-16 주식회사 케이씨텍 슬러리 조성물의 제조 방법 및 이에 의해 제조된 슬러리 조성물
US9700988B2 (en) * 2014-08-26 2017-07-11 Ebara Corporation Substrate processing apparatus
KR20170043664A (ko) * 2014-10-31 2017-04-21 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 기판 세정 장치 및 기판 세정 방법
KR101829640B1 (ko) * 2015-11-05 2018-03-29 주식회사 케이씨텍 기판 세정 장치 및 이를 이용한 기판 세정 방법
KR101916211B1 (ko) * 2015-12-07 2018-11-07 주식회사 케이씨텍 화학 기계적 연마 장치 및 그 방법
CN106944381A (zh) * 2016-01-06 2017-07-14 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 晶圆清洗装置及其清洗方法
KR101852365B1 (ko) * 2016-06-13 2018-04-26 주식회사 케이씨텍 브러쉬 세정 장치 및 그 제어방법

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009049432A (ja) * 2008-11-17 2009-03-05 Shibaura Mechatronics Corp ブラシ洗浄装置およびブラシ洗浄方法
KR101399840B1 (ko) * 2013-04-22 2014-05-29 주식회사 케이씨텍 화학 기계적 연마 공정을 거친 기판의 세정 방법 및 기판의 세정 장치

Also Published As

Publication number Publication date
CN208390501U (zh) 2019-01-18
KR20190092189A (ko) 2019-08-07
CN110090824A (zh) 2019-08-06
CN110090824B (zh) 2022-04-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102279523B1 (ko) 브러쉬 세정 장치
KR101852365B1 (ko) 브러쉬 세정 장치 및 그 제어방법
KR101961371B1 (ko) 이동로봇
KR20160090571A (ko) 로봇 청소기 및 로봇 청소기 제어 방법
US10032656B2 (en) Substrate processing apparatus
WO2022077960A1 (zh) 晶圆清洗设备和清洗方法
JP2021052163A (ja) 基板洗浄装置および基板洗浄方法
EP3542219B1 (en) Apparatus and method for cleaning a partial area of a substrate
US6374834B1 (en) Substrate processing method and processing apparatus
GB2617701A (en) Conveyor belt cleaning device adapted with modular cleaning heads
KR20160090569A (ko) 로봇 청소기 및 로봇 청소기 제어 방법
KR102804650B1 (ko) 로봇 청소기 및 로봇 청소기의 제어방법
KR102596608B1 (ko) 기판 스피닝 장치 및 그 제어방법
EP4260956A1 (en) Conveyor belt cleaning device controllable by a control panel
KR20220010136A (ko) 로봇 청소기
KR101427860B1 (ko) 지면 상태 인지가 가능한 로봇청소기와 이를 이용한 지면 상태 인지방법 및 로봇 청소기 제어방법
US12285837B2 (en) Wafer surface chemical distribution sensing system and methods for operating the same
CN219109331U (zh) 扫地机器人
JP2875201B2 (ja) 洗浄処理装置およびその方法
TW202120001A (zh) 移動式機器人及計算其移動距離的方法
US20240049933A1 (en) Detection of and response to obstructions within a cleaning channel of an autonomous vacuum system
KR102171900B1 (ko) 기판 세정 장치
CN210378979U (zh) 晶圆清洗装置
KR100835514B1 (ko) 제트 스크러버 및 이를 이용한 세정방법
KR101562852B1 (ko) 웨이퍼 클리너

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
PA0109 Patent application

Patent event code: PA01091R01D

Comment text: Patent Application

Patent event date: 20180130

PA0201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
PE0902 Notice of grounds for rejection

Comment text: Notification of reason for refusal

Patent event date: 20190801

Patent event code: PE09021S01D

PG1501 Laying open of application
AMND Amendment
E601 Decision to refuse application
PE0601 Decision on rejection of patent

Patent event date: 20200224

Comment text: Decision to Refuse Application

Patent event code: PE06012S01D

Patent event date: 20190801

Comment text: Notification of reason for refusal

Patent event code: PE06011S01I

X091 Application refused [patent]
AMND Amendment
PX0901 Re-examination

Patent event code: PX09011S01I

Patent event date: 20200224

Comment text: Decision to Refuse Application

Patent event code: PX09012R01I

Patent event date: 20190916

Comment text: Amendment to Specification, etc.

PX0601 Decision of rejection after re-examination

Comment text: Decision to Refuse Application

Patent event code: PX06014S01D

Patent event date: 20200410

Comment text: Amendment to Specification, etc.

Patent event code: PX06012R01I

Patent event date: 20200330

Comment text: Decision to Refuse Application

Patent event code: PX06011S01I

Patent event date: 20200224

Comment text: Amendment to Specification, etc.

Patent event code: PX06012R01I

Patent event date: 20190916

Comment text: Notification of reason for refusal

Patent event code: PX06013S01I

Patent event date: 20190801

X601 Decision of rejection after re-examination
J201 Request for trial against refusal decision
PJ0201 Trial against decision of rejection

Patent event date: 20200511

Comment text: Request for Trial against Decision on Refusal

Patent event code: PJ02012R01D

Patent event date: 20200410

Comment text: Decision to Refuse Application

Patent event code: PJ02011S01I

Patent event date: 20200224

Comment text: Decision to Refuse Application

Patent event code: PJ02011S01I

Appeal kind category: Appeal against decision to decline refusal

Appeal identifier: 2020101001305

Request date: 20200511

J301 Trial decision

Free format text: TRIAL NUMBER: 2020101001305; TRIAL DECISION FOR APPEAL AGAINST DECISION TO DECLINE REFUSAL REQUESTED 20200511

Effective date: 20210223

PJ1301 Trial decision

Patent event code: PJ13011S01D

Patent event date: 20210223

Comment text: Trial Decision on Objection to Decision on Refusal

Appeal kind category: Appeal against decision to decline refusal

Request date: 20200511

Decision date: 20210223

Appeal identifier: 2020101001305

PS0901 Examination by remand of revocation
E902 Notification of reason for refusal
PE0902 Notice of grounds for rejection

Comment text: Notification of reason for refusal

Patent event date: 20210317

Patent event code: PE09021S01D

GRNO Decision to grant (after opposition)
PS0701 Decision of registration after remand of revocation

Patent event date: 20210713

Patent event code: PS07012S01D

Comment text: Decision to Grant Registration

Patent event date: 20210223

Patent event code: PS07011S01I

Comment text: Notice of Trial Decision (Remand of Revocation)

GRNT Written decision to grant
PR0701 Registration of establishment

Comment text: Registration of Establishment

Patent event date: 20210714

Patent event code: PR07011E01D

PR1002 Payment of registration fee

Payment date: 20210714

End annual number: 3

Start annual number: 1

PG1601 Publication of registration
PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20240625

Start annual number: 4

End annual number: 4

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20250626

Start annual number: 5

End annual number: 5