[go: up one dir, main page]

KR102271033B1 - transfer method of micro LED - Google Patents

transfer method of micro LED Download PDF

Info

Publication number
KR102271033B1
KR102271033B1 KR1020190106528A KR20190106528A KR102271033B1 KR 102271033 B1 KR102271033 B1 KR 102271033B1 KR 1020190106528 A KR1020190106528 A KR 1020190106528A KR 20190106528 A KR20190106528 A KR 20190106528A KR 102271033 B1 KR102271033 B1 KR 102271033B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
micro led
substrate
loading
chamber
micro
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
KR1020190106528A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20210026144A (en
Inventor
이창구
Original Assignee
주식회사 디플랫
성균관대학교산학협력단
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 디플랫, 성균관대학교산학협력단 filed Critical 주식회사 디플랫
Priority to KR1020190106528A priority Critical patent/KR102271033B1/en
Priority to PCT/KR2020/011362 priority patent/WO2021040391A1/en
Publication of KR20210026144A publication Critical patent/KR20210026144A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR102271033B1 publication Critical patent/KR102271033B1/en
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67144—Apparatus for mounting on conductive members, e.g. leadframes or conductors on insulating substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the groups H01L21/18 - H01L21/326 or H10D48/04 - H10D48/07 e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/52—Mounting semiconductor bodies in containers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67703—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations
    • H01L21/67712—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations the substrate being handled substantially vertically
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67703—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations
    • H01L21/67721—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations the substrates to be conveyed not being semiconductor wafers or large planar substrates, e.g. chips, lead frames
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6838—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping with gripping and holding devices using a vacuum; Bernoulli devices
    • H01L33/00—
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

본 발명의 일 실시예에 따른 마이크로 LED 전사방법은 전극부가 상면에 위치된 복수개의 마이크로 LED를 분리기판에 서로 이격되게 배치시키는 준비단계; 상기 분리기판을 반전시켜 상기 전극부가 적재기판에 대향되게 상기 마이크로 LED를 적재하고, 상기 분리기판으로부터 상기 마이크로 LED를 분리시키는 적재단계; 상기 적재기판에 적재된 상기 마이크로 LED의 상면을 전사헤드로 흡착하고, 상기 마이크로 LED를 상기 적재기판으로부터 이탈시키는 픽업단계; 및 상기 전사헤드가 상기 마이크로 LED의 상기 전극부를 목표기판의 단자부에 위치시키고, 상기 전사헤드에 양압을 인가하여 상기 마이크로 LED를 상기 목표기판에 배치하는 배치단계; 를 포함한다.A micro LED transfer method according to an embodiment of the present invention includes a preparation step of arranging a plurality of micro LEDs positioned on an upper surface of an electrode part to be spaced apart from each other on a separation substrate; a loading step of inverting the separator board to load the micro LED so that the electrode part faces the loading board, and separating the micro LED from the separator board; a pickup step of adsorbing an upper surface of the micro LED loaded on the loading substrate with a transfer head, and separating the micro LED from the loading substrate; and placing, by the transfer head, the electrode part of the micro LED on the terminal part of the target substrate, and applying positive pressure to the transfer head to place the micro LED on the target substrate; includes

Description

마이크로 LED 전사방법{transfer method of micro LED}Micro LED transfer method {transfer method of micro LED}

본 발명은 마이크로 LED 전사방법에 관한 것으로, 마이크로 LED를 목표기판에 신속하고 안정적으로 전사하는 마이크로 LED 전사방법에 관한 것이다. The present invention relates to a micro LED transfer method, and to a micro LED transfer method for rapidly and stably transferring a micro LED to a target substrate.

발광다이오드(LED)는 작은 표시소자 기능에서, 조명, 전광판, 신호등, 가전분야의 고휘도, 고출력 발광기능을 갖는 제품으로 널리 사용되고 있으며, 조명용으로 사용되는 일반적인 LED는 1000 um * 1000 um의 사이즈를 갖는다.Light-emitting diodes (LEDs) are widely used as products with high-brightness and high-output light-emitting functions in the fields of lighting, electric signboards, traffic lights, and home appliances in small display device functions. .

이러한 LED의 면적을 1/100으로 축소하면 머리카락 두께 정도의 100 um * 100 um 사이즈가 되는데 이를 마이크로 LED(micro LED)라고 하며, 차세대 디스플레이로서 부상하고 있다.When the area of these LEDs is reduced to 1/100, the size becomes 100 um * 100 um about the thickness of a human hair. This is called micro LED and is emerging as a next-generation display.

마이크로 LED는 변의 길이가 1 ~ 100 um를 형성할 수 있으며, 이러한 사이즈의 마이크로 LED를 유연기판에 전사(transfer)하면 플렉서블 디스플레이의 구현이 가능하고, 웨어러블 디스플레이, 인체삽입용 의료기기 등 다양한 산업분야에 응용할 수 있다.Micro LED can form a side length of 1 ~ 100 um, and by transferring the micro LED of this size to a flexible substrate, a flexible display can be realized, and various industrial fields such as wearable displays and medical devices for human insertion can be applied to

마이크로 LED 디스플레이를 제작하려면 마이크로 LED를 유연기판 등 목표기판(target substrate)에 전사(transfer)하여야 하는데, 마이크로 LED 디스플레이를 4K UHD(3840 * 2160)로 구현하는 경우 약 25백만개의 마이크로 LED를 목표기판에 전사하여 실장시켜야 하므로, 전사 공정의 신속성, 정확도, 안정성이 마이크로 LED 디스플레이 제품에 큰 영향을 미친다.In order to produce a micro LED display, micro LEDs must be transferred to a target substrate such as a flexible substrate. If the micro LED display is implemented in 4K UHD (3840 * 2160), about 25 million micro LEDs are used on the target substrate. Since it has to be transferred and mounted on the screen, the speed, accuracy, and stability of the transfer process have a big impact on micro LED display products.

마이크로 LED를 목표기판에 전사하기 위한 전사방법으로 미국 Luxvue社에서 개발한 정전헤드(Electrostatic Head)를 이용하는 방법이 있는데, 해당 방법에서는 정전헤드 마이크로 LED를 위치시키고, 정전헤드에 전압을 걸어 마이크로 LED를 픽업(pick up)하여 목표기판에 이송한다. 해당 방법의 경우 정전헤드에 전압이 인가되므로 마이크로 LED에 손상이 발생하는 문제가 있다.As a transfer method for transferring the micro LED to the target substrate, there is a method using an electrostatic head developed by Luxvue in the US. In this method, the micro LED is placed in the electrostatic head and voltage is applied to the electrostatic head to convert the micro LED Pick up and transfer to target substrate. In the case of this method, since a voltage is applied to the electrostatic head, there is a problem in that the micro LED is damaged.

또 다른 전사방법으로, 미국 X-Celeprint社에서 개발한 고분자물질을 프린트헤드로 이용하여 마이크로 LED를 스탬핑(stamping)하여 픽업한 후 전사하는 방법이 있는데, 이 경우 마이크로 LED를 픽업시키는 접착층이 필요하고, 전사방법의 반복 시 접착력이 감소하는 문제가 있다.Another transfer method is to use a polymer material developed by X-Celeprint in the United States as a print head to stamp and pick up the micro LED and then transfer it. In this case, an adhesive layer to pick up the micro LED is required. , there is a problem in that the adhesive strength decreases when the transfer method is repeated.

따라서, 상술한 문제점들을 개선하고, 전사 공정의 신속성, 정확도, 안정성을 확보할 수 있는 마이크로 LED 전사방법의 개발이 필요한 실정이다.Therefore, there is a need to develop a micro LED transfer method capable of improving the above-described problems and securing the speed, accuracy, and stability of the transfer process.

본 발명이 해결하고자 하는 과제는 마이크로 LED를 목표기판에 신속하고 안정적으로 전사하는 마이크로 LED 전사방법을 제공하는데 있다.SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a micro LED transfer method for rapidly and stably transferring micro LEDs to a target substrate.

본 발명의 과제들은 이상에서 언급한 과제들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 본 발명의 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The problems of the present invention are not limited to the problems mentioned above, and other problems not mentioned will be clearly understood by those of ordinary skill in the art from the following description.

상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 마이크로 LED 전사방법은 전극부가 상면에 위치된 복수개의 마이크로 LED를 분리기판에 서로 이격되게 배치시키는 준비단계; 상기 분리기판을 반전시켜 상기 전극부가 적재기판에 대향되게 상기 마이크로 LED를 적재하고, 상기 분리기판으로부터 상기 마이크로 LED를 분리시키는 적재단계; 상기 적재기판에 적재된 상기 마이크로 LED의 상면을 전사헤드로 흡착하고, 상기 마이크로 LED를 상기 적재기판으로부터 이탈시키는 픽업단계; 및 상기 전사헤드가 상기 마이크로 LED의 상기 전극부를 목표기판의 단자부에 위치시키고, 상기 전사헤드에 양압을 인가하여 상기 마이크로 LED를 상기 목표기판에 배치하는 배치단계; 를 포함한다.Micro LED transfer method according to an embodiment of the present invention for solving the above problems is a preparation step of disposing a plurality of micro LEDs located on the upper surface of the electrode portion to be spaced apart from each other on a separation substrate; a loading step of inverting the separator board to load the micro LED so that the electrode part faces the loading board, and separating the micro LED from the separator board; a pickup step of adsorbing an upper surface of the micro LED loaded on the loading substrate with a transfer head, and separating the micro LED from the loading substrate; and placing, by the transfer head, the electrode part of the micro LED on the terminal part of the target substrate, and applying positive pressure to the transfer head to place the micro LED on the target substrate; includes

또한, 상기 준비단계는, 성장기판에 n층, 발광층, p층을 적층하여 다이오드를 형성하는 다이오드 형성단계; 상기 p층에 상기 분리기판을 적층하는 분리기판 적층단계; 상기 성장기판을 상기 다이오드로부터 분리하고, 상기 분리기판을 반전시키는 성장기판 분리단계; 및 상기 다이오드를 마이크로 LED로 가공하는 마이크로 LED 가공단계; 를 포함할 수 있다.In addition, the preparation step, a diode forming step of forming a diode by laminating an n layer, a light emitting layer, and a p layer on a growth substrate; a separator substrate lamination step of laminating the separator substrate on the p-layer; a growth substrate separation step of separating the growth substrate from the diode and inverting the separation substrate; and a micro LED processing step of processing the diode into a micro LED; may include.

또한, 상기 분리기판은 열 박리 테이프 또는 UV 박리 테이프로 실시될 수 있다. In addition, the separator plate may be implemented with a heat release tape or a UV release tape.

또한, 상기 적재기판은 PDMS 필름 또는 탄성중합체 필름으로 실시될 수 있다.In addition, the loading substrate may be implemented as a PDMS film or an elastomer film.

또한, 상기 적재단계는, 상기 PDMS 필름 또는 상기 탄성중합체 필름에 상기 마이크로 LED의 상기 전극부가 접촉되게 배치되는 마이크로 LED 배치단계; 및 상기 분리기판에 열 또는 UV를 인가하여 상기 분리기판으로부터 상기 마이크로 LED를 분리시키는 마이크로 LED 분리단계; 를 포함할 수 있다.In addition, the loading step may include a micro LED arrangement step in which the electrode part of the micro LED is placed in contact with the PDMS film or the elastomer film; and a micro LED separation step of separating the micro LED from the separator plate by applying heat or UV to the separator plate. may include.

또한, 상기 적재기판은, 하나의 마이크로 LED칩을 수용하는 수용홈이 복수개 형성되고, 내부에 제1챔버가 형성된 적재 다이; 상기 수용홈에 형성되어, 상기 제1챔버에 연통되는 제1관통홀; 및 상기 제1챔버에 음압을 인가하는 진공모듈; 을 포함할 수 있다.In addition, the loading substrate, a plurality of receiving grooves for accommodating one micro LED chip are formed, the loading die having a first chamber formed therein; a first through hole formed in the receiving groove and communicating with the first chamber; and a vacuum module for applying a negative pressure to the first chamber. may include.

또한, 상기 적재단계는, 상기 적재 다이의 상기 수용홈에 상기 마이크로 LED의 상기 전극부가 안착되게 배치하는 마이크로 LED 배치단계; 및 상기 제1챔버에 음압을 인가하여 상기 마이크로 LED를 상기 수용홈에 고정시킨 후 상기 분리기판에 열 또는 UV를 인가하여 상기 분리기판으로부터 상기 마이크로 LED를 분리시키는 마이크로 LED 분리단계; 를 포함할 수 있다.In addition, the loading step, a micro LED arrangement step of disposing the electrode portion of the micro LED to be seated in the receiving groove of the loading die; and a micro LED separation step of applying a negative pressure to the first chamber to fix the micro LED in the receiving groove, and then applying heat or UV to the separation substrate to separate the micro LED from the separation substrate; may include.

또한, 상기 전사헤드는 내부에 제2챔버가 형성된 전사헤드 바디; 상기 전사헤드 바디에 복수개 돌출되게 구비되어 상기 마이크로 LED에 접촉되는 그리퍼; 상기 그리퍼에 관통되게 형성되어, 상기 제2챔버에 연통되는 제2관통홀; 및 상기 제2챔버에 음압 또는 양압을 인가하는 압력인가모듈; 을 포함할 수 있다.In addition, the transfer head may include a transfer head body having a second chamber formed therein; a plurality of grippers protruding from the transfer head body and contacting the micro LED; a second through hole formed to pass through the gripper and communicated with the second chamber; and a pressure applying module for applying negative or positive pressure to the second chamber. may include.

또한, 상기 픽업단계는 상기 제2챔버에 음압을 인가하여, 상기 그리퍼로 상기 마이크로 LED를 흡착할 수 있다.In addition, in the pickup step, the micro LED may be absorbed by the gripper by applying a negative pressure to the second chamber.

또한, 상기 전사헤드는 상기 적재기판에 적재된 복수개의 상기 마이크로 LED 중 하나의 마이크로 LED를 흡착하고, 상기 흡착된 마이크로 LED에 인접한 다른 마이크로 LED는 상기 적재기판에 존치시킬 수 있다.In addition, the transfer head may adsorb one micro LED among the plurality of micro LEDs loaded on the loading substrate, and the other micro LED adjacent to the adsorbed micro LED may be placed on the loading substrate.

또한, 상기 적재단계는 상기 제1챔버에 음압을 인가하여 상기 마이크로 LED를 상기 수용홈에 고정시킨 후 상기 분리기판에 열 또는 UV를 인가하여 상기 분리기판으로부터 상기 마이크로 LED를 분리시키는 마이크로 LED 분리단계를 포함하고, 상기 픽업단계는 상기 제2챔버에 인가된 상기 음압의 절대값이 상기 제1챔버에 인가된 상기 음압의 절대값보다 큰 값으로 인가될 수 있다.In addition, the loading step is a micro LED separation step of applying a negative pressure to the first chamber to fix the micro LED in the receiving groove, and then applying heat or UV to the separator plate to separate the micro LED from the separator plate. and, in the picking up step, an absolute value of the negative pressure applied to the second chamber may be applied as a value greater than an absolute value of the negative pressure applied to the first chamber.

또한, 상기 목표기판의 단자부에는 전기전도성 잉크가 도포될 수 있다.In addition, an electrically conductive ink may be applied to the terminal portion of the target substrate.

또한, 상기 그리퍼는 외주면에 경사면이 형성될 수 있다.In addition, the gripper may have an inclined surface formed on an outer circumferential surface.

기타 실시예들의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.The details of other embodiments are included in the detailed description and drawings.

본 발명의 일 실시예에 의한 마이크로 LED 전사방법에 따르면, 마이크로 LED(20)를 신속하고, 정확하며, 안정적으로 목표기판(60)에 전사할 수 있다. According to the micro LED transfer method according to an embodiment of the present invention, the micro LED 20 can be transferred to the target substrate 60 quickly, accurately and stably.

또한, 전사헤드(50)가 전극부(21)가 형성되지 않은 마이크로 LED(20)의 비전극면을 흡착하므로, 전극부(21)에 전기적 또는 물리적 충격을 주지 않게 되어, 마이크로 LED의 전사품질을 향상시킨다. In addition, since the transfer head 50 adsorbs the non-electrode surface of the micro LED 20 on which the electrode part 21 is not formed, an electrical or physical impact is not applied to the electrode part 21, thereby improving the transfer quality of the micro LED. improve

또한, 적재기판(40)이 적재 다이(43)로 실시되는 경우 제1관통홀(433)에 흡입력이 발생하여 수용홈(431)에 마이크로 LED(20)를 고정시키므로, 분리기판(10)으로부터 마이크로 LED(20)가 분리될 때 위치 변화나 각도 변화가 발생되지 않게 된다.In addition, when the loading substrate 40 is implemented as the loading die 43 , a suction force is generated in the first through hole 433 to fix the micro LED 20 to the receiving groove 431 , so that the When the micro LED 20 is separated, a change in position or an angle does not occur.

또한, 적재기판(40)이 적재 다이(43)로 실시되는 경우 픽업단계(S30)에서는 제2챔버(535)에 인가된 음압의 절대값이 제1챔버(435)에 인가된 음압의 절대값보다 큰 값으로 인가되게 하여, 전사헤드(50)가 적재 다이(43)로부터 마이크로 LED(20)를 흡착하여 이탈시킬 수 있다. In addition, when the loading substrate 40 is implemented as the loading die 43 , in the pickup step S30 , the absolute value of the negative pressure applied to the second chamber 535 is the absolute value of the negative pressure applied to the first chamber 435 . By allowing a larger value to be applied, the transfer head 50 may adsorb and release the micro LED 20 from the loading die 43 .

본 발명의 효과들은 이상에서 언급한 효과들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 효과들은 청구범위의 기재로부터 본 발명의 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The effects of the present invention are not limited to the above-mentioned effects, and other effects not mentioned will be clearly understood by those of ordinary skill in the art from the description of the claims.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 다른 마이크로 LED 전사방법의 순서도이다.
도 2는 본 발명에 따른 준비단계(S10)의 일 실시예이다.
도 3은 본 발명에 따른 적재단계(S20)의 일 실시예이다.
도 4는 본 발명에 따른 적재단계(S20)의 또 다른 실시예이다.
도 5는 본 발명에 따른 픽업단계(S30)의 일 실시예이다.
도 6은 본 발명에 따른 픽업단계(S30)의 또 다른 실시예이다.
도 7은 본 발명에 따른 배치단계(S40)의 일 실시예이다.
도 8의 (a)는 본 발명의 일 실시예에 따른 그리퍼(539)이며, 도 8의 (b)는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 그리퍼(539)이다.
도 9는 본 발명의 실시예들에 따라 제조된 마이크로 LED 디스플레이(1)의 일 실시예이다.1 is a flowchart of a micro LED transfer method according to an embodiment of the present invention.
2 is an embodiment of the preparation step (S10) according to the present invention.
Figure 3 is an embodiment of the loading step (S20) according to the present invention.
Figure 4 is another embodiment of the loading step (S20) according to the present invention.
5 is an embodiment of the pick-up step (S30) according to the present invention.
6 is another embodiment of the pick-up step (S30) according to the present invention.
7 is an embodiment of the arrangement step (S40) according to the present invention.
8A is a gripper 539 according to an embodiment of the present invention, and FIG. 8B is a gripper 539 according to another embodiment of the present invention.
9 is an embodiment of a micro LED display 1 manufactured according to embodiments of the present invention.

본 발명을 설명함에 있어, 관련된 공지 기능 또는 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명을 생략한다. 용어가 동일하더라도 표시하는 부분이 상이하면 도면 부호가 일치하지 않음을 미리 말해두는 바이다.In describing the present invention, if it is determined that a detailed description of a related known function or configuration may unnecessarily obscure the gist of the present invention, the detailed description thereof will be omitted. Even if the terms are the same, if the indicated parts are different, it is to be said in advance that the reference numerals do not match.

그리고 후술되는 용어들은 본 발명에서의 기능을 고려하여 설정된 용어들로서 이는 실험자 및 측정자와 같은 조작자의 의도 또는 관례에 따라 달라질 수 있으므로 그 정의는 본 명세서 전반에 걸친 내용을 토대로 내려져야 할 것이다.And the terms to be described later are terms set in consideration of functions in the present invention, which may vary depending on the intention or custom of operators such as experimenters and measurers, and thus definitions should be made based on the content throughout this specification.

본 명세서에서 제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리범위를 벗어나지 않으면서 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소도 제1 구성요소로 명명될 수 있다. 및/또는 이라는 용어는 복수의 관련된 기재된 항목들의 조합 또는 복수의 관련된 기재된 항목들 중의 어느 항목을 포함한다. In this specification, terms such as first, second, etc. may be used to describe various elements, but the elements should not be limited by the terms. The above terms are used only for the purpose of distinguishing one component from another. For example, without departing from the scope of the present invention, a first component may be referred to as a second component, and similarly, the second component may also be referred to as a first component. and/or includes a combination of a plurality of related listed items or any of a plurality of related listed items.

본 명세서에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한 복수의 표현을 포함한다. The terms used herein are used only to describe specific embodiments, and are not intended to limit the present invention. The singular expression includes the plural expression unless the context clearly dictates otherwise.

다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가지고 있다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥 상 가지는 의미와 일치하는 의미를 가진 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다. Unless defined otherwise, all terms used herein, including technical or scientific terms, have the same meaning as commonly understood by one of ordinary skill in the art to which this invention belongs. Terms such as those defined in a commonly used dictionary should be interpreted as having a meaning consistent with the meaning in the context of the related art, and should not be interpreted in an ideal or excessively formal meaning unless explicitly defined in the present application. does not

또한, 어떤 부분이 어떤 구성 요소를 "포함"한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다. In addition, when a part "includes" a component, it means that other components may be further included, rather than excluding other components, unless otherwise stated.

이하에서 첨부된 도면을 참조하여, 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명한다. 각 도면에 제시된 동일한 도면부호는 동일한 부재를 나타낸다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings, a preferred embodiment of the present invention will be described in detail. Like reference numerals in each figure indicate like elements.

이하, 도 1 내지 도 8을 참조하여, 본 발명의 일 실시예에 따른 마이크로 LED 전사방법에 대하여 설명한다.Hereinafter, a micro LED transfer method according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 1 to 8 .

도 1은 본 발명의 일 실시예에 다른 마이크로 LED 전사방법의 순서도이고, 도 2는 본 발명에 따른 준비단계(S10)의 일 실시예이며, 도 3은 본 발명에 따른 적재단계(S20)의 일 실시예이고, 도 4는 본 발명에 따른 적재단계(S20)의 또 다른 실시예이며, 도 5는 본 발명에 따른 픽업단계(S30)의 일 실시예이고, 도 6은 본 발명에 따른 픽업단계(S30)의 또 다른 실시예이며, 도 7은 본 발명에 따른 배치단계(S40)의 일 실시예이고, 도 8의 (a)는 본 발명의 일 실시예에 따른 그리퍼(539)이며, 도 8의 (b)는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 그리퍼(539)이다.1 is a flowchart of a micro LED transfer method according to an embodiment of the present invention, FIG. 2 is an embodiment of a preparation step (S10) according to the present invention, and FIG. 3 is a loading step (S20) according to the present invention One embodiment, Figure 4 is another embodiment of the loading step (S20) according to the present invention, Figure 5 is an embodiment of the pickup step (S30) according to the present invention, Figure 6 is a pickup according to the present invention Another embodiment of the step S30, FIG. 7 is an embodiment of the arrangement step S40 according to the present invention, and FIG. 8 (a) is a gripper 539 according to an embodiment of the present invention, 8B is a gripper 539 according to another embodiment of the present invention.

도 1 내지 도 8을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 마이크로 LED 전사방법은, 전극부(21)가 상면에 위치된 복수개의 마이크로 LED(20)를 분리기판(10)에 서로 이격되게 배치시키는 준비단계(S10), 분리기판(10)을 반전시켜 전극부(21)가 적재기판(40)에 대향되게 마이크로 LED(20)를 적재하고, 분리기판(10)으로부터 마이크로 LED(20)를 분리시키는 적재단계(S20), 적재기판(40)에 적재된 마이크로 LED(20)의 상면을 전사헤드(50)로 흡착하고, 마이크로 LED(20)를 적재기판(40)으로부터 이탈시키는 픽업단계(S30), 및 전사헤드(50)가 마이크로 LED(20)의 전극부(21)를 목표기판(60)의 단자부(61)에 위치시키고, 전사헤드(50)에 양압을 인가하여 마이크로 LED(20)를 목표기판(60)에 배치하는 배치단계(S40)를 포함한다. 1 to 8 , in the micro LED transfer method according to an embodiment of the present invention, a plurality of micro LEDs 20 having an electrode part 21 positioned on the upper surface are spaced apart from each other on the separator substrate 10 . In the preparation step (S10) of arranging, by inverting the separator plate 10 to load the micro LED 20 so that the electrode part 21 faces the loading substrate 40, the micro LED 20 from the separator plate 10 A loading step (S20) of separating the micro LED (20), a pickup step of adsorbing the upper surface of the micro LED (20) loaded on the loading substrate (40) with the transfer head (50), and separating the micro LED (20) from the loading substrate (40) (S30), and the transfer head 50 places the electrode part 21 of the micro LED 20 on the terminal part 61 of the target substrate 60, and applies positive pressure to the transfer head 50 to apply a positive pressure to the micro LED ( 20) and a disposing step (S40) of arranging the target substrate (60).

준비단계(S10)에서는 전극부(21)가 상면에 위치된 복수개의 마이크로 LED(20)를 분리기판(10)에 서로 이격되게 배치시킨다.In the preparation step (S10), a plurality of micro LEDs 20 having the electrode part 21 positioned on the upper surface are disposed on the separator substrate 10 to be spaced apart from each other.

마이크로 LED(20)는 Al, Ga, N, P, As In 등의 무기물재료를 사파이어 기판 또는 실리콘 기판 위에 복수개 박막 성장시킨 후, 사파이어 기판 또는 실리콘 기판을 절단 분리하여 형성될 수 있다. 여기서, 사파이어 기판 또는 실리콘 기판은 성장기판(30)으로 기능한다. The micro LED 20 may be formed by growing a plurality of thin films of an inorganic material such as Al, Ga, N, P, As In on a sapphire substrate or a silicon substrate, and then cutting and separating the sapphire substrate or the silicon substrate. Here, the sapphire substrate or the silicon substrate functions as the growth substrate 30 .

마이크로 LED(20)는 최대 100 um * 100 um의 크기로 형성될 수 있다. 마이크로 LED(20)는 정사각형 또는 직사각형으로 형성될 수 있다. 이때, 마이크로 LED(20)의 변의 길이는 1 ~ 100 um로 형성될 수 있다.The micro LED 20 may be formed in a maximum size of 100 um * 100 um. The micro LED 20 may be formed in a square or rectangular shape. In this case, the length of the side of the micro LED 20 may be formed to be 1 ~ 100 um.

이와 같이, 마이크로 LED(20)는 미세한 크기로 형성되므로, 플라스틱과 같이 플렉서블한 기판에 전사할 수 있게 되어 플렉서블한 표시장치의 제작이 가능하게 된다.As described above, since the micro LED 20 is formed in a fine size, it can be transferred to a flexible substrate such as plastic, thereby making it possible to manufacture a flexible display device.

또한, 마이크로 LED(20)는 유기발광층과는 달리 무기물질을 박막 성장시켜 형성하므로, 제조공정이 단순하고 수율이 향상된다. 또한, 낱개로 분리된 마이크로 LED(20)를 대면적 기판 상에 전사하므로, 대면적 표시장치의 제작이 가능하게 된다.In addition, since the micro LED 20 is formed by growing an inorganic material as a thin film, unlike the organic light emitting layer, the manufacturing process is simple and the yield is improved. In addition, since the individually separated micro LEDs 20 are transferred onto a large-area substrate, a large-area display device can be manufactured.

준비단계(S10)에서, 복수개의 마이크로 LED(20)는 분리기판(10)에 배치된다. 마이크로 LED(20)는 복수개가 분리기판(10)에 배치될 수 있다. 복수개의 마이크로 LED(20)는 서로 이격되게 배치될 수 있다. 마이크로 LED(20)는 전극부(21)가 상면에 위치되게 배치될 수 있다. 이 경우, 도 2의 (d)와 같이, 분리기판(10)에 마이크로 LED(20)의 전극부(21)가 상면에 위치된다. 이에 대하여는 후술한다. In the preparation step (S10), a plurality of micro LEDs 20 are arranged on the separator substrate (10). A plurality of micro LEDs 20 may be disposed on the separator plate 10 . The plurality of micro LEDs 20 may be disposed to be spaced apart from each other. The micro LED 20 may be disposed such that the electrode part 21 is positioned on the upper surface. In this case, as shown in (d) of FIG. 2 , the electrode part 21 of the micro LED 20 is positioned on the upper surface of the separator substrate 10 . This will be described later.

마이크로 LED(20)는 분리기판(10)에 한 종류가 배치된다. 마이크로 LED(20)는 실시예에 따라 하나의 색을 발광하는 R(red), G(green), B(blue) 중 어느 하나로 실시될 수 있으며, 본 발명의 일 실시예에서 분리기판(10)에 배치된 마이크로 LED(20)는 R, G, B 중 어느 하나로 실시된다. One type of micro LED 20 is disposed on the separator substrate 10 . The micro LED 20 may be implemented as any one of R (red), G (green), and B (blue) that emits one color according to an embodiment, and in one embodiment of the present invention, the separator substrate 10 The micro LED 20 disposed on the R, G, B is implemented in any one of.

분리기판(10)은 열 박리 테이프 또는 UV 박리 테이프로 실시될 수 있다. 후술하는 적재단계(S20)에서, 분리기판(10)이 열 박리 테이프(thermal release tape)로 실시되는 경우, 열 박리 테이프에 열이 인가되면 접촉된 물체인 마이크로 LED(20)로부터 분리될 수 있다. 분리기판(10)이 UV 박리 테이프(UV release tape)인 경우, UV 박리 테이프에 UV가 인가되면 접촉된 물체인 마이크로 LED(20)로부터 분리될 수 있다.The separator plate 10 may be implemented with a thermal release tape or a UV release tape. In the loading step (S20) to be described later, when the separator substrate 10 is implemented with a thermal release tape, when heat is applied to the thermal release tape, it can be separated from the contacted object, the micro LED 20. . When the separator plate 10 is a UV release tape, when UV is applied to the UV release tape, it can be separated from the micro LED 20, which is a contacted object.

여기서, 본 발명의 일 실시예에 따른 준비단계(S10)는 성장기판(30)에 n층(23), 발광층(25), p층(27)을 적층하여 다이오드를 형성하는 다이오드 형성단계(S11), p층(27)에 분리기판(10)을 적층하는 분리기판 적층단계(S13), 성장기판(30)을 다이오드로부터 분리하고, 분리기판(10)을 반전시키는 성장기판 분리단계(S15), 및 다이오드를 마이크로 LED(20)로 가공하는 마이크로 LED 가공단계(S17)를 포함한다.Here, the preparation step (S10) according to an embodiment of the present invention is a diode forming step (S11) of forming a diode by stacking the n-layer 23, the light-emitting layer 25, and the p-layer 27 on the growth substrate 30. ), a separation substrate stacking step of laminating the separator substrate 10 on the p-layer 27 (S13), a growth substrate separation step of separating the growth substrate 30 from the diode and inverting the separator substrate 10 (S15) , and a micro LED processing step (S17) of processing the diode into a micro LED (20).

먼저, 도 2의 (a)와 같이, 다이오드 형성단계(S11)에서는 성장기판(30)에 n층(23), 발광층(25), p층(27)을 적층하여 다이오드를 형성한다.First, as shown in FIG. 2A , in the diode formation step S11 , the n-layer 23 , the light-emitting layer 25 , and the p-layer 27 are stacked on the growth substrate 30 to form a diode.

성장기판(30)은 사파이어 기판 또는 실리콘 기판으로 실시될 수 있으나, 이에 실시예가 한정되지 않는다.The growth substrate 30 may be implemented as a sapphire substrate or a silicon substrate, but the embodiment is not limited thereto.

n층(23) 및 p층(27)은 각각 n형 반도체층 및 p형 반도체층이다. 발광층(25)은 활성층으로 전자와 정공이 재결합되는 영역이며, 전자와 정공이 재결합함에 따라 낮은 에너지 준위로 천이하고 그에 상응하는 파장을 가지는 빛을 생성할 수 있다.The n-layer 23 and the p-layer 27 are an n-type semiconductor layer and a p-type semiconductor layer, respectively. The light emitting layer 25 is an active layer where electrons and holes recombine, and as electrons and holes recombine, the light emitting layer 25 may transition to a low energy level and generate light having a corresponding wavelength.

n층(23), 발광층(25), p층(27)은 성장기판(30)에 순차적으로 적층된다. n층(23), 발광층(25), p층(27)으로 형성된 다이오드는 공지의 기술로 형성될 수 있다. 다이오드는 후술하는 것과 같이, 마이크로 LED(20)로 가공될 수 있다.The n-layer 23 , the light-emitting layer 25 , and the p-layer 27 are sequentially stacked on the growth substrate 30 . A diode formed of the n-layer 23 , the light-emitting layer 25 , and the p-layer 27 may be formed by a known technique. The diode may be processed into a micro LED 20 , as will be described later.

분리기판 적층단계(S13)에서는 도 2의 (a)와 같이 p층(27)에 분리기판(10)을 적층한다. 분리기판(10)은 p층(27)의 상면에 적층될 수 있다. 분리기판(10)은 상술한 것과 같이 열 박리 테이프 또는 UV 박리 테이프로 실시될 수 있다.In the separator substrate stacking step (S13), the separator substrate 10 is laminated on the p-layer 27 as shown in FIG. 2A. The separator substrate 10 may be laminated on the top surface of the p-layer 27 . The separator plate 10 may be embodied as a thermal release tape or a UV release tape as described above.

성장기판 분리단계(S15)에서는 성장기판(30)을 다이오드로부터 분리하고, 분리기판(10)을 반전시킨다. 먼저, 본 다이오드로부터 성장기판(30)을 분리할 수 있다. 이 경우, 성장기판(30)은 공지의 방법으로 다이오드로부터 분리될 수 있다. 예를 들어, 성장기판(30)이 사파이어 기판인 경우, 레이저를 사파이어 기판과 n층(23) 사이에 조사하여 사파이어 기판을 분리하는 LLO(Laser Lift Off) 방법으로 실시될 수 있다. 또한, 성장기판(30)이 실리콘 기판인 경우, 실리콘 기판과 n층(23) 사이를 에칭(etching)하여 분리하는 CLO(Chemical Lift Off) 방법으로 실시될 수도 있다.In the step of separating the growth substrate ( S15 ), the growth substrate 30 is separated from the diode, and the separation substrate 10 is inverted. First, the growth substrate 30 may be separated from the diode. In this case, the growth substrate 30 may be separated from the diode by a known method. For example, when the growth substrate 30 is a sapphire substrate, a laser lift off (LLO) method of separating the sapphire substrate by irradiating a laser between the sapphire substrate and the n-layer 23 may be performed. In addition, when the growth substrate 30 is a silicon substrate, a chemical lift off (CLO) method of separating the silicon substrate by etching between the silicon substrate and the n-layer 23 may be performed.

성장기판(30)이 다이오드로부터 분리되면, 분리기판(10)을 반전시킨다. 이 경우, 도 2의 (b)와 같이 분리기판(10)이 하부에 위치하고, 다이오드가 상부에 위치된다. 이때, 분리기판(10)을 기준으로 상면에 p층(27), 발광층(25), n층(23) 순서로 배치된다. When the growth substrate 30 is separated from the diode, the separation substrate 10 is inverted. In this case, as shown in (b) of FIG. 2 , the separator substrate 10 is positioned at the lower part, and the diode is positioned at the upper part. At this time, the p-layer 27, the light-emitting layer 25, and the n-layer 23 are disposed on the upper surface of the separator substrate 10 in this order.

실시예에 따라, 성장기판 분리단계(S15)에서는 분리기판(10)을 반전시키고, 성장기판(30)을 다이오드로부터 분리할 수도 있다.According to an embodiment, in the step of separating the growth substrate ( S15 ), the separator substrate 10 may be inverted and the growth substrate 30 may be separated from the diode.

마이크로 LED 가공단계(S17)에서는 다이오드를 마이크로 LED(20)로 가공한다. 이 경우, 도 2의 (c)와 같이, 다이오드에 전극부(21)를 형성한다.In the micro LED processing step (S17), the diode is processed into a micro LED (20). In this case, as shown in FIG. 2C , the electrode part 21 is formed on the diode.

이때, 전극부(21)는 공지의 방법으로 n층(23) 및 p층(27)의 상면에 형성될 수 있다. 여기서, n층(23) 및 발광층(25)은 일부가 식각되고, p층(27)은 기존 상태로 존치되어, n층(23) 및 p층(27)의 상면에 전극부(21)가 형성될 수 있다. 이때, p층(27)의 하면은 분리기판(10)이 접촉된 면으로 전극이 형성되지 않은 비전극면이 형성된다. In this case, the electrode part 21 may be formed on the upper surface of the n-layer 23 and the p-layer 27 by a known method. Here, the n-layer 23 and the light-emitting layer 25 are partially etched, and the p-layer 27 is left in an existing state, so that the electrode part 21 is formed on the upper surface of the n-layer 23 and the p-layer 27 . can be formed. At this time, the lower surface of the p-layer 27 is a surface in contact with the separator substrate 10, and a non-electrode surface on which an electrode is not formed is formed.

n층(23) 및 p층(27)의 상면에 전극부(21)가 형성된 후, 도 2의 (d)와 같이 p층(27)이 다이싱(dicing)된다. p층(27)은 습식 식각, 건식 식각, 레이저 절단 등 공지의 방법으로 다이싱될 수 있다. 이 경우, 플라즈마 건식 식각 방법으로 다이싱될 수 있다. p층(27)이 다이싱되면 다이오드가 마이크로 LED(20)로 가공된다. 이에 따라, 마이크로 LED(20)는 분리기판(10)에 복수개가 서로 이격되게 배치된다. 이때, 마이크로 LED(20)는 변의 길이가 1 ~ 100 um로 형성될 수 있다. After the electrode part 21 is formed on the upper surfaces of the n-layer 23 and the p-layer 27, the p-layer 27 is diced as shown in FIG. 2D. The p-layer 27 may be diced by a known method such as wet etching, dry etching, or laser cutting. In this case, dicing may be performed by a plasma dry etching method. When the p-layer 27 is diced, the diode is processed into a micro LED 20 . Accordingly, a plurality of micro LEDs 20 are disposed on the separator substrate 10 to be spaced apart from each other. In this case, the micro LED 20 may have a side length of 1 to 100 um.

이상, 상술한 공정에 따라 준비단계(S10)에서는 복수개의 마이크로 LED(20)가 분리기판(10)에 이격되게 배치된다. 또한, n층(23)의 상면 및 p층(27)의 상면에 전극부(21)가 배치되어, 마이크로 LED(20)의 상면에 전극부(21)가 배치된다. Above, in the preparation step (S10) according to the above-described process, a plurality of micro LEDs 20 are disposed to be spaced apart from each other on the separator substrate 10 . In addition, the electrode part 21 is disposed on the top surface of the n-layer 23 and the top surface of the p-layer 27 , and the electrode part 21 is disposed on the top surface of the microLED 20 .

적재단계(S20)에서는, 분리기판(10)을 반전시켜 전극부(21)가 적재기판(40)에 대향되게 마이크로 LED(20)를 적재하고, 분리기판(10)으로부터 마이크로 LED(20)를 분리시킨다.In the loading step (S20), the separator plate 10 is inverted to load the micro LED 20 so that the electrode part 21 faces the loading substrate 40, and the micro LED 20 is removed from the separator plate 10. separate

적재단계(S20)에서, 도 3의 (a) 및 도 4의 (a)를 기준으로, 분리기판(10)이 상부에 위치하고 마이크로 LED(20)가 하부에 위치되도록, 분리기판(10)을 반전시킨다. 이 경우, 마이크로 LED(20)의 전극부(21)는 적재기판(40)에 대향되게 배치된다. 이때, 마이크로 LED(20)의 전극부(21)는 적재기판(40)을 향해 배치되므로 하측에 위치된다.In the loading step (S20), based on FIGS. 3 (a) and 4 (a), the separator plate 10 is positioned so that the separator plate 10 is positioned on the upper part and the micro LED 20 is positioned on the lower part. invert In this case, the electrode part 21 of the micro LED 20 is disposed to face the loading substrate 40 . At this time, since the electrode part 21 of the micro LED 20 is disposed toward the loading substrate 40, it is located on the lower side.

이후, 마이크로 LED(20)는 적재기판(40)에 접촉된다. 이때, 전극부(21)는 적재기판(40)에 접촉된다. 이에 따라, 마이크로 LED(20)가 적재기판(40)에 적재된다. Thereafter, the micro LED 20 is in contact with the loading substrate 40 . At this time, the electrode part 21 is in contact with the loading substrate 40 . Accordingly, the micro LED 20 is loaded on the loading substrate 40 .

마이크로 LED(20)가 적재기판(40)에 적재된 후, 분리기판(10)으로부터 마이크로 LED(20)가 분리된다. 마이크로 LED(20)는 적재기판(40)의 실시예에 따라 다양한 방법으로 분리될 수 있다. 마이크로 LED(20)가 분리기판(10)으로부터 분리되면, 분리기판(10)이 이탈되고 적재기판(40)에 마이크로 LED(20)가 완전히 안착되어 적재된다.After the micro LED 20 is loaded on the loading substrate 40 , the micro LED 20 is separated from the separator substrate 10 . The micro LED 20 may be separated in various ways according to the embodiment of the loading substrate 40 . When the micro LED 20 is separated from the separator plate 10 , the separator plate 10 is separated and the micro LED 20 is completely seated and loaded on the loading board 40 .

여기서, 본 발명의 일 실시예에 따른 적재기판(40)은 PDMS 필름(41) 또는 탄성중합체(elastomer) 필름(41)으로 실시될 수 있다.Here, the loading substrate 40 according to an embodiment of the present invention may be implemented with a PDMS film 41 or an elastomer film 41 .

PDMS 필름(41)은 폴리디메틸실록산(Polydimethyl siloxane, PDMS)으로, 표면장력이 낮아 표면평활성이 우수하고 높은 화학 안정성과 우수한 내열성 및 성형성을 갖는다.The PDMS film 41 is polydimethyl siloxane (PDMS), which has a low surface tension and excellent surface smoothness, high chemical stability, and excellent heat resistance and moldability.

탄성중합체 필름(41)은 상온에서 고무 탄성을 나타내는 고분자 물질로, 가황한 천연 고무, 합성 고무 외에 열가소성 엘라스토머, 탄성 섬유, 발포체 중 적어도 어느 하나를 포함한다.The elastomeric film 41 is a polymer material exhibiting rubber elasticity at room temperature, and includes at least one of a thermoplastic elastomer, an elastic fiber, and a foam in addition to vulcanized natural rubber and synthetic rubber.

적재기판(40)이 PDMS 필름(41) 또는 탄성중합체 필름(41)으로 실시되어, 마이크로 LED(20)가 적재기판(40)에 안정적으로 적재될 수 있다. The loading substrate 40 is implemented with the PDMS film 41 or the elastomer film 41 , so that the micro LED 20 can be stably loaded on the loading substrate 40 .

또한, 전극부(21)가 비전도성이며 탄성력이 있는 PDMS 필름(41) 또는 탄성중합체 필름(41)에 적재되므로, 전극부(21)가 정전기나 물리적 충격으로부터 보호될 수 있다.In addition, since the electrode part 21 is loaded on the non-conductive and elastic PDMS film 41 or the elastomeric film 41 , the electrode part 21 can be protected from static electricity or physical impact.

이 경우, 본 발명의 일 실시예에 따른 적재단계(S20)는 PDMS 필름(41) 또는 탄성중합체 필름(41)에 마이크로 LED(20)의 전극부(21)가 접촉되게 배치되는 마이크로 LED 배치단계(S21), 및 분리기판(10)에 열 또는 UV를 인가하여 분리기판(10)으로부터 마이크로 LED(20)를 분리시키는 마이크로 LED 분리단계(S23)를 포함한다.In this case, the loading step (S20) according to an embodiment of the present invention is a micro LED arrangement step in which the electrode part 21 of the micro LED 20 is placed in contact with the PDMS film 41 or the elastomer film 41 (S21), and a micro LED separation step (S23) of separating the micro LED 20 from the separation substrate 10 by applying heat or UV to the separation substrate 10.

마이크로 LED 배치단계(S21)에서, PDMS 필름(41) 또는 탄성중합체 필름(41)에 마이크로 LED(20)가 배치된다. 이때, 상술한 것과 같이 마이크로 LED(20)의 전극부(21)가 PDMS 필름(41) 또는 탄성중합체 필름(41)에 접촉되게 배치된다.In the micro LED arrangement step S21 , the micro LED 20 is disposed on the PDMS film 41 or the elastomer film 41 . At this time, as described above, the electrode part 21 of the micro LED 20 is disposed in contact with the PDMS film 41 or the elastomer film 41 .

이후, 마이크로 LED 분리단계(S23)에서는 분리기판(10)에 열 또는 UV를 인가한다. 여기서, 분리기판(10)이 열 박리 테이프로 실시되는 경우 열을 인가하고, UV 박리 테이프로 실시되는 경우 UV를 인가한다. 열 또는 UV는 분리기판(10)과 마이크로 LED(20) 사이에 인가될 수 있다. 이때, 열 또는 UV는 p층(27)의 비전극면에 인가될 수 있다. Thereafter, heat or UV is applied to the separator substrate 10 in the micro LED separation step (S23). Here, when the separator plate 10 is implemented as a heat release tape, heat is applied, and when the separator plate 10 is implemented as a UV release tape, UV is applied. Heat or UV may be applied between the separator substrate 10 and the micro LED 20 . At this time, heat or UV may be applied to the non-electrode surface of the p-layer 27 .

이에 따라, 분리기판(10)으로부터 마이크로 LED(20)가 분리되고, 도 3의 (b)와 같이 PDMS 필름(41) 또는 탄성중합체 필름(41)에 마이크로 LED(20)가 완전히 안착되어 적재된다.Accordingly, the micro LED 20 is separated from the separator plate 10, and the micro LED 20 is completely seated and loaded on the PDMS film 41 or the elastomer film 41 as shown in FIG. 3 (b). .

한편, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 적재기판(40)은 도 4와 같이 하나의 마이크로 LED(20)을 수용하는 수용홈(431)이 복수개 형성되고, 내부에 제1챔버(435)가 형성된 적재 다이(43), 수용홈(431)에 형성되어, 제1챔버(435)에 연통되는 제1관통홀(433), 및 제1챔버(435)에 음압을 인가하는 진공모듈(437)을 포함한다.On the other hand, in the loading substrate 40 according to another embodiment of the present invention, a plurality of receiving grooves 431 for accommodating one micro LED 20 are formed therein, as shown in FIG. 4 , and a first chamber 435 is provided therein. The formed loading die 43, the first through hole 433 formed in the receiving groove 431 and communicating with the first chamber 435, and the vacuum module 437 for applying a negative pressure to the first chamber 435) includes

적재 다이(43)는, 도 4의 (a) 및 (b)와 같이, 적재 다이(43)에 수용홈(431)이 복수개 형성된다. 하나의 수용홈(431)은 하나의 마이크로 LED(20)를 수용한다. 수용홈(431)은 함몰되어 형성된다. 수용홈(431)은 마이크로 LED(20)의 크기에 대응되게 형성된다.As for the loading die 43, a plurality of accommodation grooves 431 are formed in the loading die 43, as shown in FIGS. 4(a) and (b). One accommodating groove 431 accommodates one micro LED 20 . The receiving groove 431 is formed by being depressed. The receiving groove 431 is formed to correspond to the size of the micro LED 20 .

적재 다이(43)의 내부에는 공동(cavity)의 제1챔버(435)가 형성된다. 제1챔버(435)는 제1관통홀(433)에 연통된다.A first chamber 435 of a cavity is formed in the loading die 43 . The first chamber 435 communicates with the first through hole 433 .

수용홈(431)에는 제1관통홀(433)이 형성된다. 이 경우, 각 수용홈(431)마다 제1관통홀(433)이 형성된다. 제1관통홀(433)은 제1챔버(435)와 연통된다.A first through hole 433 is formed in the receiving groove 431 . In this case, a first through hole 433 is formed for each receiving groove 431 . The first through hole 433 communicates with the first chamber 435 .

실시예에 따라, 수용홈(431) 및 제1관통홀(433)은 MEMS, 레이저 또는 정밀 기계가공으로 가공될 수 있으나, 이에 실시예가 한정되지 않는다.According to the embodiment, the receiving groove 431 and the first through hole 433 may be processed by MEMS, laser, or precision machining, but the embodiment is not limited thereto.

진공모듈(437)은 제1챔버(435)에 음압(negative pressure)을 형성한다. 제1챔버(435)에 음압이 형성되면, 제1챔버(435)에 진공(vacuum)이 형성된다. 이 경우, 제1챔버(435)에 연통된 제1관통홀(433)에 흡입력이 발생하여, 수용홈(431)에 적재된 마이크로 LED(20)를 수용홈(431)에 흡착한다. 수용홈(431)에 마이크로 LED(20)가 흡착되면, 마이크로 LED(20)가 수용홈(431)에 고정된다. The vacuum module 437 forms a negative pressure in the first chamber 435 . When a negative pressure is formed in the first chamber 435 , a vacuum is formed in the first chamber 435 . In this case, a suction force is generated in the first through hole 433 communicating with the first chamber 435 , and the micro LED 20 loaded in the receiving groove 431 is sucked into the receiving groove 431 . When the micro LED 20 is adsorbed to the receiving groove 431 , the micro LED 20 is fixed to the receiving groove 431 .

이 경우, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 적재단계(S20)는 적재 다이(43)의 수용홈(431)에 마이크로 LED(20)의 전극부(21)가 안착되게 배치하는 마이크로 LED 배치단계(S21), 및 제1챔버(435)에 음압을 인가하여 마이크로 LED(20)를 수용홈(431)에 고정시킨 후 분리기판(10)에 열 또는 UV를 인가하여 분리기판(10)으로부터 마이크로 LED(20)를 분리시키는 마이크로 LED 분리단계(S23)를 포함한다.In this case, the loading step (S20) according to another embodiment of the present invention is a micro LED arrangement step of disposing the electrode part 21 of the micro LED 20 to be seated in the receiving groove 431 of the loading die 43 (S21), and applying negative pressure to the first chamber 435 to fix the micro LED 20 to the receiving groove 431, and then applying heat or UV to the separator plate 10 to remove the micro LED from the separator plate 10. It includes a micro LED separation step (S23) of separating the LED (20).

마이크로 LED 배치단계(S21)에서는, 적재 다이(43)의 수용홈(431)에 마이크로 LED(20)가 안착되게 배치된다. 이때, 마이크로 LED(20)의 전극부(21)가 수용홈(431)에 안착되게 배치된다. 이 경우, 마이크로 LED(20)의 전극부(21)는 적재 다이(43)에 접촉되게 배치될 수 있다. In the micro LED arrangement step (S21), the micro LED 20 is disposed to be seated in the receiving groove 431 of the loading die 43 . At this time, the electrode part 21 of the micro LED 20 is disposed to be seated in the receiving groove 431 . In this case, the electrode part 21 of the micro LED 20 may be disposed to be in contact with the stacking die 43 .

마이크로 LED 분리단계(S23)에서는 제1챔버(435)에 음압을 인가한다. 이 경우, 상술한 것과 같이, 진공모듈(437)이 제1챔버(435)에 음압(negative pressure)을 형성하여, 제1챔버(435)에 진공(vacuum)이 형성되도록 한다. 제1챔버(435)에 인가된 음압은 해제되지 않고 인가된 상태를 유지할 수 있다. 이 경우, 제1챔버(435)에 연통된 제1관통홀(433)에 흡입력이 발생하여, 수용홈(431)에 적재된 마이크로 LED(20)를 수용홈(431)에 흡착하여 고정시킨다.In the micro LED separation step (S23), a negative pressure is applied to the first chamber 435 . In this case, as described above, the vacuum module 437 forms a negative pressure in the first chamber 435 so that a vacuum is formed in the first chamber 435 . The negative pressure applied to the first chamber 435 may be maintained without being released. In this case, a suction force is generated in the first through hole 433 communicating with the first chamber 435 , and the micro LED 20 loaded in the receiving groove 431 is adsorbed and fixed to the receiving groove 431 .

이후, 분리기판(10)에 열 또는 UV를 인가한다. 여기서, 분리기판(10)이 열 박리 테이프로 실시되는 경우 열을 인가하고, UV 박리 테이프로 실시되는 경우 UV를 인가한다. 이때, 제1관통홀(433)에 흡입력이 발생하여 수용홈(431)에 마이크로 LED(20)를 고정시키므로, 분리기판(10)으로부터 마이크로 LED(20)가 분리될 때 위치 변화나 각도 변화가 발생되지 않게 된다.Then, heat or UV is applied to the separator plate 10 . Here, when the separator plate 10 is implemented as a heat release tape, heat is applied, and when the separator plate 10 is implemented as a UV release tape, UV is applied. At this time, since a suction force is generated in the first through hole 433 to fix the micro LED 20 to the receiving groove 431 , when the micro LED 20 is separated from the separator plate 10 , a change in position or an angle is not will not occur.

이에 따라, 분리기판(10)으로부터 마이크로 LED(20)가 분리되고, 도 4의 (b)와 같이, 적재 다이(43)에 마이크로 LED(20)가 완전히 안착되어 적재된다.Accordingly, the micro LED 20 is separated from the separator plate 10 , and the micro LED 20 is completely seated and loaded on the loading die 43 as shown in FIG. 4 ( b ).

픽업단계(S30)에서는 도 5의 (a) 및 도 6의 (a)와 같이 적재기판(40)에 적재된 마이크로 LED(20)의 상면을 전사헤드(50)로 흡착하고, 마이크로 LED(20)를 적재기판(40)으로부터 이탈시킨다.In the pickup step (S30), the top surface of the micro LED 20 loaded on the loading substrate 40 is adsorbed by the transfer head 50 as shown in FIGS. 5 (a) and 6 (a), and the micro LED 20 ) is separated from the loading substrate 40 .

전사헤드(50)는 적재기판(40)에 적재된 마이크로 LED(20)의 상면을 흡착한다. 이 경우, 적재기판(40)에 적재된 상태의 마이크로 LED(20)의 상면은 p층(27)이 위치된다. 즉, 적재단계(S20)에서 전극부(21)가 하측으로 배치되므로, 전극부(21)가 형성된 n층(23) 및 p층(27)이 하면에 위치하고, 상면에는 p층(27)의 비전극면이 위치된다. The transfer head 50 adsorbs the upper surface of the micro LED 20 loaded on the loading substrate 40 . In this case, the p-layer 27 is located on the upper surface of the micro LED 20 in the state loaded on the loading substrate 40 . That is, since the electrode part 21 is disposed on the lower side in the loading step (S20), the n-layer 23 and the p-layer 27 on which the electrode part 21 is formed are located on the lower surface, and the p-layer 27 on the upper surface The non-electrode surface is positioned.

이에 따라, 전사헤드(50)가 전극부(21)가 형성되지 않은 마이크로 LED(20)의 비전극면을 흡착하므로, 전극부(21)에 전기적 또는 물리적 충격을 주지 않게 되어, 마이크로 LED의 전사품질을 향상시킨다. Accordingly, since the transfer head 50 adsorbs the non-electrode surface of the micro LED 20 on which the electrode portion 21 is not formed, an electrical or physical impact is not applied to the electrode portion 21, and thus the transfer quality of the micro LED to improve

이후, 도 5의 (b) 및 도 6의 (b)와 같이, 전사헤드(50)는 마이크로 LED(20)를 흡착한 상태에서 마이크로 LED(20)를 적재기판(40)으로부터 이탈시킨다. 즉, 흡착헤드에 마이크로 LED(20)가 흡착된 상태로 전사헤드(50)가 이동하여, 마이크로 LED(20)가 적재기판(40)으로부터 이탈된다.Thereafter, as shown in FIGS. 5 (b) and 6 (b), the transfer head 50 detaches the micro LED 20 from the loading substrate 40 in a state in which the micro LED 20 is adsorbed. That is, the transfer head 50 moves while the micro LED 20 is adsorbed to the suction head, and the micro LED 20 is separated from the loading substrate 40 .

여기서, 본 발명의 일 실시예에 따른 전사헤드(50)는 내부에 제2챔버(535)가 형성된 전사헤드 바디(531), 전사헤드 바디(531)에 복수개 돌출되게 구비되어 마이크로 LED(20)에 접촉되는 그리퍼(539), 그리퍼(539)에 관통되게 형성되어, 제2챔버(535)에 연통되는 제2관통홀(533), 및 제2챔버(535)에 음압 또는 양압을 인가하는 압력인가모듈(537)을 포함한다. Here, the transfer head 50 according to an embodiment of the present invention is provided to protrude a plurality of the transfer head body 531 and the transfer head body 531 having the second chamber 535 formed therein, so that the micro LED (20). The gripper 539 in contact with the , the second through hole 533 that is formed to penetrate the gripper 539 and communicates with the second chamber 535 , and the pressure for applying negative or positive pressure to the second chamber 535 . and an application module 537 .

전사헤드 바디(531)는 외관을 형성한다. 전사헤드 바디(531)의 내부에는 공동(cavity)의 제2챔버(535)가 형성된다. 제2챔버(535)는 후술하는 제2관통홀(533)에 연통된다.The transfer head body 531 forms an exterior. A second chamber 535 of a cavity is formed inside the transfer head body 531 . The second chamber 535 communicates with a second through hole 533 to be described later.

그리퍼(539)는 전사헤드 바디(531)에 구비된다. 그리퍼(539)는 복수개 형성된다. 그리퍼(539)는 전사헤드 바디(531)에 돌출되게 형성된다. 그리퍼(539)는 마이크로 LED(20)에 접촉된다. 이 경우, 픽업단계(S30)에서 그리퍼(539)는 마이크로 LED(20)의 p층(27)의 비전극면에 접촉될 수 있다.The gripper 539 is provided on the transfer head body 531 . A plurality of grippers 539 are formed. The gripper 539 is formed to protrude from the transfer head body 531 . The gripper 539 is in contact with the micro LED 20 . In this case, in the pickup step S30 , the gripper 539 may contact the non-electrode surface of the p-layer 27 of the micro LED 20 .

제2관통홀(533)은 그리퍼(539)에 관통되게 형성된다. 이때, 각 그리퍼(539)마다 제2관통홀(533)이 형성될 수 있다. 제2관통홀(533)은 제2챔버(535)에 연통된다.The second through hole 533 is formed to pass through the gripper 539 . In this case, a second through hole 533 may be formed for each gripper 539 . The second through hole 533 communicates with the second chamber 535 .

제2관통홀(533)은 직경이 마이크로 사이즈로 형성될 수 있다. 이 경우, 제2관통홀(533)의 크기는 마이크로 LED(20)의 변의 길이보다 작은 길이로 형성된다.The second through hole 533 may be formed in a micro size. In this case, the size of the second through hole 533 is formed to be smaller than the length of the side of the micro LED (20).

실시예에 따라, 그리퍼(539) 및 제2관통홀(533)은 MEMS, 레이저 또는 정밀 기계가공으로 가공될 수 있으나, 이에 실시예가 한정되지 않는다.Depending on the embodiment, the gripper 539 and the second through hole 533 may be processed by MEMS, laser, or precision machining, but the embodiment is not limited thereto.

압력인가모듈(537)은 제2챔버(535)에 음압(negative pressure) 또는 양압(positive pressure)을 형성한다.The pressure application module 537 forms a negative pressure or a positive pressure in the second chamber 535 .

압력인가모듈(537)에 의해 제2챔버(535)에 음압이 형성되면, 제2챔버(535)에 진공(vacuum)이 형성된다. 이 경우, 제2챔버(535)에 연통된 제2관통홀(533)에 흡입력이 발생하여, 그리퍼(539)에 접촉된 마이크로 LED(20)를 흡착한다. 그리퍼(539)에 마이크로 LED(20)가 흡착되면, 마이크로 LED(20)가 전사헤드(50)에 흡착된다. When a negative pressure is formed in the second chamber 535 by the pressure application module 537 , a vacuum is formed in the second chamber 535 . In this case, a suction force is generated in the second through-hole 533 communicating with the second chamber 535 to adsorb the micro LED 20 in contact with the gripper 539 . When the micro LED 20 is adsorbed to the gripper 539 , the micro LED 20 is adsorbed to the transfer head 50 .

이에 따라, 전사헤드(50)가 전극부(21)가 형성되지 않은 마이크로 LED(20)의 비전극면을 진공으로 흡착하므로, 전극부(21)에 전기적 충격을 주지 않게 되어, 마이크로 LED의 전사품질을 향상시킨다. Accordingly, since the transfer head 50 adsorbs the non-electrode surface of the micro LED 20 on which the electrode part 21 is not formed in a vacuum, an electric shock is not applied to the electrode part 21, and thus the transfer quality of the micro LED to improve

반대로, 압력인가모듈(537)에 의해 제2챔버(535)에 양압이 형성되면, 그리퍼(539)로부터 마이크로 LED(20)가 이탈된다. 이에 대하여는 후술한다.Conversely, when a positive pressure is formed in the second chamber 535 by the pressure application module 537 , the micro LED 20 is separated from the gripper 539 . This will be described later.

여기서, 본 발명의 일 실시예에 따른 픽업단계(S30)는 제2챔버(535)에 음압을 인가하여, 그리퍼(539)로 마이크로 LED(20)를 흡착한다. 상술한 것과 같이, 제2챔버(535)에 음압이 인가되면, 제2챔버(535)가 진공을 형성하고, 그리퍼(539)에 접촉된 마이크로 LED(20)는 제2관통홀(533)에 발생한 흡입력에 의해 그리퍼(539)에 흡착된다. 이때, 그리퍼(539)는 마이크로 LED(20)의 전극부(21)의 반대면인 p층(27)의 비전극면을 흡착할 수 있다. Here, in the pickup step ( S30 ) according to an embodiment of the present invention, a negative pressure is applied to the second chamber 535 , and the micro LED 20 is adsorbed by the gripper 539 . As described above, when a negative pressure is applied to the second chamber 535 , the second chamber 535 forms a vacuum, and the micro LED 20 in contact with the gripper 539 is in the second through hole 533 . It is absorbed by the gripper 539 by the generated suction force. In this case, the gripper 539 may adsorb the non-electrode surface of the p-layer 27 , which is the opposite surface of the electrode part 21 of the micro LED 20 .

한편, 본 발명의 일 실시예에 따른 전사헤드(50)는 적재기판(40)에 적재된 복수개의 마이크로 LED(20) 중 하나의 마이크로 LED(20)를 흡착하고, 흡착된 마이크로 LED(20)에 인접한 다른 마이크로 LED(20)는 적재기판(40)에 존치시킨다.On the other hand, the transfer head 50 according to an embodiment of the present invention adsorbs one micro LED 20 among a plurality of micro LEDs 20 loaded on the loading substrate 40 , and the adsorbed micro LED 20 . Another micro LED 20 adjacent to is placed on the loading substrate 40 .

즉, 도 5의 (a) 또는 도 6의 (a)와 같이, 전사헤드(50)는 적재기판(40)에 적재된 복수개의 마이크로 LED(20)를 흡착 시, 하나의 마이크로 LED(20)를 흡착하고, 흡착된 마이크로 LED(20)에 인접한 다른 마이크로 LED(20)는 건너 띄어(jump over) 적재기판(40)에 그대로 존치된다.That is, as shown in Fig. 5 (a) or Fig. 6 (a), the transfer head 50 adsorbs a plurality of micro LEDs 20 loaded on the loading substrate 40, one micro LED 20 adsorbed, and the other micro LED 20 adjacent to the adsorbed micro LED 20 is left on the loading substrate 40 as it is jumped over.

예를 들어, 도 5의 (a) 또는 도 6의 (a)의 제1마이크로 LED(20a)를 흡착할 경우, 흡착된 제1마이크로 LED(20a)에 인접한 제2마이크로 LED(20b)는 적재기판(40)에 그대로 존치시키고, 제3마이크로 LED(20c)를 흡착한다. 이 경우, 전사헤드(50)는 홀수번째 마이크로 LED(20)만 흡착하고, 짝수번째 마이크로 LED(20)는 존치시킬 수 있다. 또한, 실시예에 따라, 전사헤드(50)는 짝수번째 마이크로 LED(20)만 흡착하고, 홀수번째 마이크로 LED(20)는 존치시킬 수도 있다.For example, when the first micro LED 20a of FIG. 5A or 6A is adsorbed, the second micro LED 20b adjacent to the adsorbed first micro LED 20a is loaded It is left on the substrate 40 as it is, and the third micro LED 20c is adsorbed. In this case, the transfer head 50 may adsorb only the odd-numbered micro LEDs 20 , and the even-numbered micro LEDs 20 may remain. In addition, according to an embodiment, the transfer head 50 may adsorb only the even-numbered micro LEDs 20 and leave the odd-numbered micro LEDs 20 therein.

마이크로 LED 디스플레이(1)에는 각 화소영역(P)에는 단색광을 발광하는 R, G, B 마이크로 LED(20)가 목표기판(60)에 실장되어야 한다. 각 화소영역(P)은 물리적으로 이격되게 형성되어 있다. 이때, 본 발명의 적재기판(40)에는 발광하는 R, G, B 마이크로 LED(20) 중 한 종류, 예를 들어 R 마이크로 LED(20)만 적재되어 있으므로 각 화소영역(P)마다 R 마이크로 LED(20)만 전사시킬 수 있다.In the micro LED display 1 , R, G, and B micro LEDs 20 emitting monochromatic light must be mounted on the target substrate 60 in each pixel region P. Each pixel area P is formed to be physically spaced apart. At this time, since only one of the R, G, and B micro LEDs 20 emitting light, for example, the R micro LED 20 is loaded on the loading substrate 40 of the present invention, the R micro LED for each pixel area P Only (20) can be transcribed.

이 경우, 본 발명의 전사헤드(50)는 하나의 마이크로 LED(20)를 흡착하고, 흡착된 마이크로 LED(20)에 인접한 마이크로 LED(20)는 적재기판(40)에 존치시키며, 적재기판(40)에 존치된 마이크로 LED(20)에 인접한 마이크로 LED(20)는 다시 흡착하여, 목표기판(60)의 각 화소영역(P)에 한 종류의 마이크로 LED(20)가 전사되게 한다.In this case, the transfer head 50 of the present invention adsorbs one micro LED 20, and the micro LED 20 adjacent to the adsorbed micro LED 20 is placed on the loading substrate 40, and the loading substrate ( The micro LED 20 adjacent to the micro LED 20 kept in 40 is adsorbed again, so that one type of micro LED 20 is transferred to each pixel area P of the target substrate 60 .

실시예에 따라, 본 발명의 적재기판(40)이 도 4의 실시예로 실시되는 경우, 픽업단계(S30)에서는 제2챔버(535)에 인가된 음압의 절대값이 제1챔버(435)에 인가된 음압의 절대값보다 큰 값으로 인가되게 한다.According to the embodiment, when the loading substrate 40 of the present invention is implemented in the embodiment of FIG. 4 , in the pickup step S30 , the absolute value of the sound pressure applied to the second chamber 535 is the first chamber 435 . Let it be applied with a value greater than the absolute value of the applied sound pressure.

즉, 제1챔버(435)에 음압이 인가되어 적재 다이(43)의 수용홈(431)에 마이크로 LED(20)가 흡착되어 고정된 상태일 경우, 픽업단계(S30)에서 마이크로 LED(20)를 적재 다이(43)로부터 이탈시키기 위해서는 전사헤드(50)에 인가된 흡착력이 수용홈(431)에 인가된 흡착력보다 커야 한다.That is, when negative pressure is applied to the first chamber 435 and the micro LED 20 is adsorbed and fixed in the receiving groove 431 of the loading die 43, the micro LED 20 in the pickup step S30. In order to detach the s from the loading die 43 , the adsorption force applied to the transfer head 50 must be greater than the adsorption force applied to the receiving groove 431 .

이 경우, 제2챔버(535)에 인가된 음압의 절대값이 제1챔버(435)에 인가된 음압의 절대값보다 큰 값으로 인가되게 하여, 전사헤드(50)에 인가된 흡착력이 수용홈(431)에 인가된 흡착력보다 크게 형성되게 한다. 이에 따라, 그리퍼(539)에 마이크로 LED(20)가 흡착되어 전사헤드(50)에 흡착되고, 적재 다이(43)로부터 이탈된다. In this case, the absolute value of the negative pressure applied to the second chamber 535 is applied as a value greater than the absolute value of the negative pressure applied to the first chamber 435 , so that the suction force applied to the transfer head 50 is applied to the receiving groove. (431) to be formed larger than the applied adsorption force. Accordingly, the micro LED 20 is adsorbed to the gripper 539 , is adsorbed to the transfer head 50 , and is detached from the loading die 43 .

배치단계(S40)에서는 전사헤드(50)가 마이크로 LED(20)의 전극부(21)를 목표기판(60)의 단자부(61)에 위치시키고, 전사헤드(50)에 양압을 인가하여 마이크로 LED(20)를 목표기판(60)에 배치한다.In the arrangement step (S40), the transfer head 50 places the electrode part 21 of the micro LED 20 on the terminal part 61 of the target substrate 60, and applies positive pressure to the transfer head 50 to apply a positive pressure to the micro LED. (20) is placed on the target substrate (60).

상술한 것과 같이, 전사헤드(50)에 마이크로 LED(20)가 흡착된다. 전사헤드(50)는 마이크로 LED(20)를 목표기판(60)으로 위치시킨다. 이때, 전사헤드(50)는 상술한 것과 같이 적재기판(40)에 적재된 마이크로 LED(20)의 비전극면이 위치된 상면을 흡착하여, 마이크로 LED(20)의 전극부(21)가 하측에 위치되게 이송한다. As described above, the micro LED 20 is adsorbed to the transfer head 50 . The transfer head 50 places the micro LED 20 on the target substrate 60 . At this time, the transfer head 50 adsorbs the upper surface on which the non-electrode surface of the micro LED 20 loaded on the loading substrate 40 is located, as described above, so that the electrode part 21 of the micro LED 20 is located on the lower side. transport to position.

목표기판(60)은 유리 또는 유연기판으로 실시될 수 있으나, 이에 실시예가 한정되지 않는다. 또한, 목표기판(60)은 TFT어레이 기판으로서, 복수개의 화소영역(P)이 형성되고, 화소영역(P)에 배치된 마이크로 LED(20)를 구동하기 위한 박막트랜지스터, 배선들이 형성될 수 있다.The target substrate 60 may be implemented as a glass or flexible substrate, but the embodiment is not limited thereto. In addition, the target substrate 60 is a TFT array substrate, in which a plurality of pixel regions P are formed, and thin film transistors and wirings for driving the micro LEDs 20 disposed in the pixel regions P may be formed. .

배치단계(S40)에서, 전사헤드(50)는 마이크로 LED(20)의 전극부(21)를 목표기판(60)의 단자부(61)에 위치시킨다. 여기서, 목표기판(60)의 단자부(61)는 마이크로 LED(20)의 전극부(21)에 전기적으로 접속된다. In the arrangement step S40 , the transfer head 50 places the electrode part 21 of the micro LED 20 on the terminal part 61 of the target substrate 60 . Here, the terminal part 61 of the target substrate 60 is electrically connected to the electrode part 21 of the micro LED 20 .

이때, 목표기판(60)의 단자부(61)에는 전기전도성 잉크가 도포될 수 있다. 전기전도성잉크는 마이크로 LED(20)의 전극부(21)와 목표기판(60)의 단자부(61)를 접착시킬 수 있다.In this case, an electrically conductive ink may be applied to the terminal portion 61 of the target substrate 60 . The electrically conductive ink may bond the electrode part 21 of the micro LED 20 and the terminal part 61 of the target substrate 60 to each other.

또한, 전기전도성 잉크는 전극부(21)와 단자부(61)를 전기적으로 접속시킬 수 있다. 본 발명의 일 실시예에 따른 전기전도성 잉크는 실버 파티클(silver particle)이 첨가된 에폭시 수지로 실시될 수 있다. 또한, 전기전도성 잉크는 실버 파티클(silver particle)이 첨가된 점성이 있는 레진으로 실시될 수도 있으나, 이에 실시예가 한정되지 않는다. 전기전도성 잉크의 매질이 에폭시 수지로 형성되는 경우, 에폭시 수지는 열경화성 수지로서 건조 후 경화되어 큰 접착력을 갖는다.In addition, the electrically conductive ink may electrically connect the electrode part 21 and the terminal part 61 . The electrically conductive ink according to an embodiment of the present invention may be implemented with an epoxy resin to which silver particles are added. In addition, the electrically conductive ink may be implemented as a viscous resin to which silver particles are added, but the embodiment is not limited thereto. When the medium of the electrically conductive ink is formed of an epoxy resin, the epoxy resin is a thermosetting resin and is cured after drying to have great adhesion.

또한, 전기전도성 잉크는 건조 전에는 전극부(21)에 단자부(61)의 재접촉이 가능하다. 이때, 전기전도성 잉크의 건조 전, 불량이 발생된 마이크로 LED(20)를 목표기판(60)으로부터 탈거하고, 정상적인 마이크로 LED(20)를 목표기판(60)에 실장이 가능하다.In addition, before the electrically conductive ink is dried, it is possible to re-contact the terminal part 61 with the electrode part 21 . At this time, before the conductive ink is dried, the defective micro LED 20 may be removed from the target substrate 60 , and the normal micro LED 20 may be mounted on the target substrate 60 .

즉, 마이크로 LED 디스플레이(1)를 검사하여 불량화소가 발생하는 화소영역(P)의 마이크로 LED(20)를 목표기판(60)으로부터 탈거하고, 여기에 정상적인 마이크로 LED(20)를 실장할 수 있다. 이에 따라, 최종제품에 대한 공정비용을 감소하고, 불량률을 감소시킬 수 있다. That is, by inspecting the micro LED display 1, the micro LED 20 in the pixel region P in which the bad pixel is generated is removed from the target substrate 60, and the normal micro LED 20 can be mounted there. . Accordingly, it is possible to reduce the process cost for the final product and reduce the defect rate.

배치단계(S40)에서 마이크로 LED(20)의 전극부(21)가 목표기판(60)의 단자부(61)에 위치되면, 전사헤드(50)에 양압(positive)을 인가한다.When the electrode part 21 of the micro LED 20 is positioned on the terminal part 61 of the target substrate 60 in the arrangement step S40 , a positive pressure is applied to the transfer head 50 .

즉, 마이크로 LED(20)는 상술한 것과 같이 크기가 마이크로 사이즈로 형성되어, 반데르발스 힘(van der waals force)에 영향을 받을 수 있다. 즉, 마이크로 LED(20)의 경우, 마이크로 사이즈로 인하여 질량이 매우 작아 미소 인력으로도 특정 물체에 부착되거나 접촉 상태가 유지될 수 있다. 특히, 특정 물체와의 접촉 면적이 클 수록 마이크로 LED(20) 사이에 작용하는 반데르발스 힘이 크게 작용할 수 있다. That is, the micro LED 20 is formed in a micro size as described above, and may be affected by a van der waals force. That is, in the case of the micro LED 20, due to the micro size, the mass is very small, so that it can be attached to or in contact with a specific object even with a micro attraction. In particular, the larger the contact area with the specific object, the larger the van der Waals force acting between the micro LEDs 20 may act.

이 경우, 전사헤드(50)와 마이크로 LED(20) 사이에도 반데르발스 힘이 작용할 수 있다. 이때, 전사헤드(50)에 음압을 해제하는 것만으로는 마이크로 LED(20)가 전사헤드(50)로부터 이탈되지 않고 흡착 상태가 유지될 수 있다.In this case, a van der Waals force may also act between the transfer head 50 and the micro LED 20 . At this time, only by releasing the negative pressure in the transfer head 50 , the micro LED 20 may not be separated from the transfer head 50 and the adsorption state may be maintained.

따라서, 전사헤드(50)에 양압을 인가하여, 마이크로 LED(20)가 전사헤드(50)로부터 분리되게 한다. 이에 따라, 마이크로 LED(20)를 목표기판(60)에 배치할 수 있게 된다.Accordingly, a positive pressure is applied to the transfer head 50 to separate the micro LED 20 from the transfer head 50 . Accordingly, it is possible to arrange the micro LED 20 on the target substrate 60 .

이 경우, 전사헤드(50)가 마이크로 LED(20)를 목표기판(60)에 배치할 때 양압을 인가하여 배치하므로, 마이크로 LED(20)에 전기적 충격을 주지 않게 되어, 마이크로 LED의 전사품질을 향상시킨다. In this case, since the transfer head 50 applies positive pressure when placing the micro LED 20 on the target substrate 60 and arranges it, an electric shock is not given to the micro LED 20, and the transfer quality of the micro LED is improved. improve

이상, 본 발명의 마이크로 LED 전사방법에 따르면 마이크로 LED(20)를 신속하고, 정확하며, 안정적으로 목표기판(60)에 전사할 수 있다.As described above, according to the micro LED transfer method of the present invention, the micro LED 20 can be transferred to the target substrate 60 quickly, accurately and stably.

한편, 도 8을 참조하면 본 발명의 일 실시예에 따른 그리퍼(539)는 전사헤드 바디(531)로부터 돌출되게 형성된다.Meanwhile, referring to FIG. 8 , the gripper 539 according to an embodiment of the present invention is formed to protrude from the transfer head body 531 .

상술한 것과 같이, 마이크로 LED(20)는 상술한 것과 같이 크기가 마이크로 사이즈로 형성되어, 반데르발스 힘(van der waals force)에 영향을 받을 수 있다. 이 경우, 배치단계(S40)에서 마이크로 LED(20)가 전사헤드(50)로부터 용이하게 분리되지 않을 수 있다. As described above, the micro LED 20 is formed in a micro size as described above, and may be affected by a van der waals force. In this case, the micro LED 20 may not be easily separated from the transfer head 50 in the arrangement step S40 .

이 경우, 반데르발스 힘을 축소시키기 위해, 본 발명의 그리퍼(539)는 전사헤드 바디(531)로부터 돌출되게 형성되어, 마이크로 LED(20)를 전사헤드 바디(531)로부터 최대한 이격시킨다. 이에 따라, 전사헤드 바디(531)로부터 마이크로 LED(20)에 작용할 수 있는 반데르발스 힘을 축소시킨다. In this case, in order to reduce the van der Waals force, the gripper 539 of the present invention is formed to protrude from the transfer head body 531 to space the micro LED 20 from the transfer head body 531 as far as possible. Accordingly, the van der Waals force that can act on the micro LED 20 from the transfer head body 531 is reduced.

그리퍼(539)는 도 8의 (a)와 같이, 제2관통홀(533)이 형성된 원주형으로 형성될 수 있다. 또한, 그리퍼(539)는 원주형 대신 사각주형으로 형성될 수도 있으나, 이에 실시예가 한정되지 않는다.The gripper 539 may be formed in a cylindrical shape in which the second through hole 533 is formed, as shown in FIG. 8A . In addition, the gripper 539 may be formed in a square column shape instead of a cylindrical shape, but the embodiment is not limited thereto.

그리퍼(539)는 도 8의 (b)와 같이, 외주면에 경사면이 형성될 수 있다. 즉, 상술한 것과 같이, 마이크로 LED(20)에는 반데르발스 힘이 작용될 수 있는데, 마이크로 LED(20)와 접촉되는 그리퍼(539)의 단부의 면적이 커질 수록 반데르발스 힘이 커질 수 있다. The gripper 539 may have an inclined surface formed on the outer circumferential surface as shown in FIG. 8B . That is, as described above, a van der Waals force may be applied to the micro LED 20 . As the area of the end of the gripper 539 in contact with the micro LED 20 increases, the van der Waals force may increase. .

이를 해결하기 위해, 그리퍼(539)의 외주면(539a)에 경사면을 형성하여, 그리퍼(539)의 단부(539b)의 면적을 축소시킬 수 있다. 이에 따라, 그리퍼(539)의 단부(539b)에 작용하는 반데르발스 힘의 작아질 수 있다.To solve this, an inclined surface may be formed on the outer peripheral surface 539a of the gripper 539 to reduce the area of the end portion 539b of the gripper 539 . Accordingly, the van der Waals force acting on the end 539b of the gripper 539 can be reduced.

실시예에 따라, 마이크로 LED(20)와 접촉되는 그리퍼(539)의 단부(539b)에 PDMS 코팅막이 형성될 수 있다. PDMS 코팅막은 픽업단계(S30)에서 그리퍼(539)로 마이크로 LED(20)를 흡착할 때, 마이크로 LED(20)와 그리퍼(539)의 흡착력을 증가시킬 수 있다. 또한, PDMS 코팅막은 마이크로 LED(20)와 그리퍼(539)의 단부(539b) 사이를 실링하여, 마이크로 LED(20)가 그리퍼(539)에 안정적으로 흡착되게 할 수 있다.According to an embodiment, a PDMS coating film may be formed on the end 539b of the gripper 539 in contact with the micro LED 20 . The PDMS coating film can increase the adsorption power of the micro LED 20 and the gripper 539 when the micro LED 20 is adsorbed to the gripper 539 in the pickup step S30. In addition, the PDMS coating film seals between the micro LED 20 and the end 539b of the gripper 539 , so that the micro LED 20 can be stably adsorbed to the gripper 539 .

도 9는 본 발명의 실시예들에 따라 제조된 마이크로 LED 디스플레이(1)의 일 실시예이다.9 is an embodiment of a micro LED display 1 manufactured according to embodiments of the present invention.

상술한 것과 같이, 목표기판(60)은 유리 또는 유연기판으로 실시될 수 있으나, 이에 실시예가 한정되지 않는다. 또한, 목표기판(60)은 TFT어레이 기판으로서, 복수개의 화소영역(P)이 형성되고, 화소영역(P)에 배치된 마이크로 LED(20)를 구동하기위한 박막트랜지스터, 배선들이 형성될 수 있다.As described above, the target substrate 60 may be implemented as a glass or flexible substrate, but the embodiment is not limited thereto. In addition, the target substrate 60 is a TFT array substrate, in which a plurality of pixel regions (P) are formed, and thin film transistors and wirings for driving the micro LEDs (20) disposed in the pixel region (P) may be formed. .

박막트랜지스터가 온(on)되면, 배선을 통해 외부로부터 입력된 구동신호가 마이크로 LED(20)에 인가되어 마이크로LED가 발광하여, 화상을 구현한다.When the thin film transistor is turned on, a driving signal input from the outside through the wiring is applied to the micro LED 20 so that the micro LED emits light to realize an image.

이때, 목표기판(60)의 각 화소영역(P)에는 R, G, B의 단색광을 각각 발광하는 3개의 마이크로 LED(20)가 실장되므로, 외부로부터의 신호인가에 의해 R, G, B 컬러의 광이 발광되어 화상을 표시할 수 있게 된다.At this time, since three micro LEDs 20 emitting monochromatic light of R, G, and B are mounted in each pixel region P of the target substrate 60, R, G, and B colors are applied by external signal application. of light is emitted to display an image.

이상, 본 발명이 속하는 기술분야의 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.Above, those of ordinary skill in the art to which the present invention pertains will be able to understand that the present invention may be implemented in other specific forms without changing the technical spirit or essential features thereof. Therefore, it should be understood that the embodiments described above are illustrative in all respects and not restrictive.

본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구의 범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구의 범위의 의미 및 범위 그리고 그 균등 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.The scope of the present invention is indicated by the claims described below rather than the above detailed description, and all changes or modifications derived from the meaning and scope of the claims and their equivalent concepts are included in the scope of the present invention. should be interpreted

10 : 분리기판 20 : 마이크로 LED
30 : 성장기판 40 : 적재기판
50 : 전사헤드 60 : 목표기판10: separator plate 20: micro LED
30: growth substrate 40: loading substrate
50: transfer head 60: target board

Claims (13)

전극부가 상면에 위치된 복수개의 마이크로 LED를 분리기판에 서로 이격되게 배치시키는 준비단계; 상기 분리기판을 반전시켜 상기 전극부가 적재기판에 대향되게 상기 마이크로 LED를 적재하고, 상기 분리기판으로부터 상기 마이크로 LED를 분리시키는 적재단계; 상기 적재기판에 적재된 상기 마이크로 LED의 상면을 전사헤드로 흡착하고, 상기 마이크로 LED를 상기 적재기판으로부터 이탈시키는 픽업단계; 및 상기 전사헤드가 상기 마이크로 LED의 상기 전극부를 목표기판의 단자부에 위치시키고, 상기 전사헤드에 양압을 인가하여 상기 마이크로 LED를 상기 목표기판에 배치하는 배치단계; 를 포함하고,
상기 적재기판은, 하나의 마이크로 LED칩을 수용하는 수용홈이 복수개 형성되고, 내부에 제1챔버가 형성된 형성된 적재 다이; 상기 수용홈에 형성되어, 상기 제1챔버에 연통되는 제1관통홀; 및 상기 제1챔버에 음압을 인가하는 진공모듈; 을 포함하고,
상기 전사헤드는, 내부에 제2챔버가 형성된 전사헤드 바디; 상기 전사헤드 바디에 돌출되게 구비되어 상기 마이크로 LED에 접촉되고, 단부에 PDMS 코팅막이 형성되는 그리퍼; 상기 그리퍼에 관통되게 형성되어, 상기 제2챔버에 연통되는 제2관통홀; 및 상기 제2챔버에 음압 또는 양압을 인가하는 압력인가모듈; 을 포함하고,
상기 적재단계는 상기 제1챔버에 음압을 인가하여 상기 마이크로 LED를 상기 수용홈에 고정시킨 후 상기 분리기판에 열 또는 UV를 인가하여 상기 분리기판으로부터 상기 마이크로 LED를 분리시키고,
상기 픽업단계는 상기 제2챔버에 인가된 상기 음압의 절대값이 상기 제1챔버에 인가된 상기 음압의 절대값보다 큰 값으로 인가되어, 상기 그리퍼에 상기 마이크로 LED가 흡착되어 상기 적재 다이로부터 이탈되는 마이크로 LED 전사방법.
A preparation step of disposing a plurality of micro LEDs positioned on the upper surface of the electrode unit to be spaced apart from each other on a separator substrate; a loading step of inverting the separator plate to load the micro LED so that the electrode part faces the loading board, and separating the micro LED from the separator plate; a pickup step of adsorbing an upper surface of the micro LED loaded on the loading substrate with a transfer head, and separating the micro LED from the loading substrate; and placing, by the transfer head, the electrode part of the micro LED on the terminal part of the target substrate, and applying positive pressure to the transfer head to place the micro LED on the target substrate. including,
The loading substrate includes: a loading die having a plurality of accommodating grooves for accommodating one micro LED chip and a first chamber formed therein; a first through hole formed in the receiving groove and communicating with the first chamber; and a vacuum module for applying a negative pressure to the first chamber. including,
The transfer head may include a transfer head body having a second chamber formed therein; a gripper provided to protrude from the transfer head body, contacting the micro LED, and having a PDMS coating film formed on an end thereof; a second through hole formed to pass through the gripper and communicated with the second chamber; and a pressure application module for applying negative or positive pressure to the second chamber. including,
In the loading step, a negative pressure is applied to the first chamber to fix the micro LED in the receiving groove, and then heat or UV is applied to the separator plate to separate the micro LED from the separator plate,
In the pickup step, the absolute value of the negative pressure applied to the second chamber is applied as a value greater than the absolute value of the negative pressure applied to the first chamber, so that the micro LED is absorbed by the gripper and separated from the loading die Micro LED transfer method.
 제1항에 있어서,
상기 준비단계는,
성장기판에 n층, 발광층, p층을 적층하여 다이오드를 형성하는 다이오드 형성단계;
상기 p층에 상기 분리기판을 적층하는 분리기판 적층단계;
상기 성장기판을 상기 다이오드로부터 분리하고, 상기 분리기판을 반전시키는 성장기판 분리단계; 및
상기 다이오드를 마이크로 LED로 가공하는 마이크로 LED 가공단계;
를 포함하는 마이크로 LED 전사방법.
According to claim 1,
The preparation step is
a diode forming step of stacking an n-layer, a light-emitting layer, and a p-layer on a growth substrate to form a diode;
a separator substrate lamination step of laminating the separator substrate on the p-layer;
a growth substrate separation step of separating the growth substrate from the diode and inverting the separation substrate; and
a micro LED processing step of processing the diode into a micro LED;
Micro LED transfer method comprising a.
 제1항에 있어서,
상기 분리기판은 열 박리 테이프 또는 UV 박리 테이프인 마이크로 LED 전사방법.
According to claim 1,
The separator plate is a heat release tape or a UV release tape, micro LED transfer method.
 제1항에 있어서,
상기 적재기판은 PDMS 필름 또는 탄성중합체 필름인 마이크로 LED 전사방법.
According to claim 1,
The loading substrate is a PDMS film or an elastomer film micro LED transfer method.
 제4항에 있어서,
상기 적재단계는,
상기 PDMS 필름 또는 상기 탄성중합체 필름에 상기 마이크로 LED의 상기 전극부가 접촉되게 배치되는 마이크로 LED 배치단계; 및
상기 분리기판에 열 또는 UV를 인가하여 상기 분리기판으로부터 상기 마이크로 LED를 분리시키는 마이크로 LED 분리단계;
를 포함하는 마이크로 LED 전사방법.
5. The method of claim 4,
The loading step is
a micro LED arrangement step of disposing the electrode part of the micro LED in contact with the PDMS film or the elastomer film; and
a micro LED separation step of separating the micro LED from the separator plate by applying heat or UV to the separator plate;
Micro LED transfer method comprising a.
 삭제delete 제1항에 있어서,
상기 적재단계는,
상기 적재 다이의 상기 수용홈에 상기 마이크로 LED의 상기 전극부가 안착되게 배치하는 마이크로 LED 배치단계; 및
상기 제1챔버에 음압을 인가하여 상기 마이크로 LED를 상기 수용홈에 고정시킨 후 상기 분리기판에 열 또는 UV를 인가하여 상기 분리기판으로부터 상기 마이크로 LED를 분리시키는 마이크로 LED 분리단계;
를 포함하는 마이크로 LED 전사방법.
According to claim 1,
The loading step is
a micro LED arrangement step of disposing the electrode part of the micro LED to be seated in the receiving groove of the loading die; and
a micro LED separation step of applying a negative pressure to the first chamber to fix the micro LED in the receiving groove, and then applying heat or UV to the separator plate to separate the micro LED from the separator plate;
Micro LED transfer method comprising a.
 삭제delete 제1항에 있어서,
상기 픽업단계는 상기 제2챔버에 음압을 인가하여, 상기 그리퍼로 상기 마이크로 LED를 흡착하는 마이크로 LED 전사방법.
According to claim 1,
In the pickup step, a negative pressure is applied to the second chamber, and the micro LED is absorbed by the gripper.
 제1항에 있어서,
상기 전사헤드는 상기 적재기판에 적재된 복수개의 상기 마이크로 LED 중 하나의 마이크로 LED를 흡착하고, 상기 흡착된 마이크로 LED에 인접한 다른 마이크로 LED는 상기 적재기판에 존치시키는 마이크로 LED 전사방법.
According to claim 1,
The transfer head adsorbs one micro LED among the plurality of micro LEDs loaded on the loading substrate, and the other micro LED adjacent to the adsorbed micro LED is placed on the loading substrate.
 삭제delete 제1항에 있어서,
상기 목표기판의 단자부에는 전기전도성 잉크가 도포되는 마이크로 LED 전사방법.
According to claim 1,
A micro LED transfer method in which an electrically conductive ink is applied to the terminal portion of the target substrate.
 제1항에 있어서,
상기 그리퍼는 외주면에 경사면이 형성되는 마이크로 LED 전사방법.According to claim 1,
The gripper is a micro LED transfer method in which an inclined surface is formed on an outer circumferential surface.
KR1020190106528A 2019-08-29 2019-08-29 transfer method of micro LED Expired - Fee Related KR102271033B1 (en)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020190106528A KR102271033B1 (en) 2019-08-29 2019-08-29 transfer method of micro LED
PCT/KR2020/011362 WO2021040391A1 (en) 2019-08-29 2020-08-26 Micro led transfer method

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020190106528A KR102271033B1 (en) 2019-08-29 2019-08-29 transfer method of micro LED

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20210026144A KR20210026144A (en) 2021-03-10
KR102271033B1 true KR102271033B1 (en) 2021-06-30

Family

ID=75148975

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020190106528A Expired - Fee Related KR102271033B1 (en) 2019-08-29 2019-08-29 transfer method of micro LED

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR102271033B1 (en)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102638010B1 (en) * 2021-10-21 2024-02-20 엔젯 주식회사 Pick-and-place apparatus of micro led chip for chip-repairing of micro led display
CN116313975A (en) * 2022-12-30 2023-06-23 上海闻泰电子科技有限公司 Transfer carrier and method for making transfer carrier
WO2025043521A1 (en) * 2023-08-30 2025-03-06 京东方科技集团股份有限公司 Stamp and preparation method therefor, transfer device, and mass transfer method

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002231877A (en) 2001-02-06 2002-08-16 Sony Corp Element array type device, method for manufacturing element array type device and image display device
KR101754528B1 (en) * 2016-03-23 2017-07-06 한국광기술원 Transfer assembly with dry adhesion structure and method for transferring led structure assembly using the same and led structure assembly

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102231293B1 (en) * 2014-02-10 2021-03-23 삼성전자주식회사 Die bonding apparatus
KR101899651B1 (en) * 2016-09-27 2018-09-17 광주과학기술원 Micro-LED Array and Method of forming the same
KR101926715B1 (en) * 2017-04-12 2018-12-07 주식회사 그라피아 Micro light emitting diode module and its manufacturing method
KR20180117004A (en) * 2017-04-18 2018-10-26 광주과학기술원 Method of transferring Micro Device using Liquid
KR102572669B1 (en) * 2017-08-14 2023-08-31 삼성전자주식회사 Transfering apparatus for electrical element

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002231877A (en) 2001-02-06 2002-08-16 Sony Corp Element array type device, method for manufacturing element array type device and image display device
KR101754528B1 (en) * 2016-03-23 2017-07-06 한국광기술원 Transfer assembly with dry adhesion structure and method for transferring led structure assembly using the same and led structure assembly

Also Published As

Publication number Publication date
KR20210026144A (en) 2021-03-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102271033B1 (en) transfer method of micro LED
US10804132B2 (en) Apparatus for manufacturing semiconductor
TWI697095B (en) Micro-element transfer device, micro-element transfer method, micro-element device manufacturing method, micro-element device and electronic equipment
TWI868452B (en) Apparatus and method for shifting an illumination wavelength
CN105493297B (en) Transfer method, manufacturing method, device and the electronic equipment of micro- light emitting diode
CN107680983A (en) Micro LED array devices, pick device and its related production, conveyer method
US20210305078A1 (en) Method for transferring micro light emitting diodes
US11424385B2 (en) Micro light-emitting element and device and transfer method thereof
KR20230003401A (en) Light-emitting device
US10643880B2 (en) Method for transferring micro device
WO2010144213A3 (en) Integrated circuit light emission device, module and fabrication process
CN106469776B (en) Electronic device and manufacturing method thereof
TW202102423A (en) Absorbing device, transferring system, and transferring method
KR102423728B1 (en) transfer method of micro LED
TW201705346A (en) Electronic component detecting method and electronic component transferring module having detecting component
US10910254B2 (en) Transfer device
CN112768370A (en) Transfer method and transfer device for micro-component
KR102392446B1 (en) Layout structure between substrate, micro LED array and micro vacuum module for micro LED array transfer and method for transfering micro LED
CN104064491B (en) Sheet attaching apparatus and method of attaching
US11295972B2 (en) Layout structure between substrate, micro-LED array and micro-vacuum module for micro-LED array transfer using micro-vacuum module, and method for manufacturing micro-LED display using the same
US20120178188A1 (en) Method and apparatus for depositing phosphor on semiconductor light-emitting device
KR102385376B1 (en) Layout structure between substrate, micro LED array and micro vacuum module for micro LED array transfer using micro vacuum module and Method for manufacturing micro LED display using the same
TWI662594B (en) Flexible substrate and circuit structure and method of manufacturing the same
KR102061409B1 (en) Micro display using vacuum absorption and method for packaging the same
WO2021040391A1 (en) Micro led transfer method

Legal Events

Date Code Title Description
PA0109 Patent application

Patent event code: PA01091R01D

Comment text: Patent Application

Patent event date: 20190829

PA0201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
PE0902 Notice of grounds for rejection

Comment text: Notification of reason for refusal

Patent event date: 20210111

Patent event code: PE09021S01D

PG1501 Laying open of application
E701 Decision to grant or registration of patent right
PE0701 Decision of registration

Patent event code: PE07011S01D

Comment text: Decision to Grant Registration

Patent event date: 20210609

GRNT Written decision to grant
PR0701 Registration of establishment

Comment text: Registration of Establishment

Patent event date: 20210624

Patent event code: PR07011E01D

PR1002 Payment of registration fee

Payment date: 20210624

End annual number: 3

Start annual number: 1

PG1601 Publication of registration
PC1903 Unpaid annual fee

Termination category: Default of registration fee

Termination date: 20250405