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KR102261651B1 - Load lock chamber for a vacuum processing system and vacuum processing system - Google Patents

Load lock chamber for a vacuum processing system and vacuum processing system Download PDF

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KR102261651B1
KR102261651B1 KR1020167032044A KR20167032044A KR102261651B1 KR 102261651 B1 KR102261651 B1 KR 102261651B1 KR 1020167032044 A KR1020167032044 A KR 1020167032044A KR 20167032044 A KR20167032044 A KR 20167032044A KR 102261651 B1 KR102261651 B1 KR 102261651B1
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load lock
lock chamber
chamber
vacuum
particle trap
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Inventor
파비오 피에라리시
토마스 게벨
Original Assignee
어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
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Abstract

진공 프로세싱 시스템을 위한 로드 락 챔버(122; 422; 522)가 설명된다. 로드 락 챔버는, 로드 락 챔버 볼륨을 형성하는 로드 락 벽들, 및 로드 락 챔버를 진공배기시키기 위한 진공 생성 디바이스(425)를 포함한다. 로드 락 챔버는, 적어도, 로드 락 챔버의 하나의 벽(430; 528; 529; 530; 531)에 위치되어 있는 입자 트랩(127; 427; 527)을 더 포함한다. 추가로, 로드 락 챔버 및 프로세싱 챔버를 포함하는 프로세싱 시스템이 설명된다.A load lock chamber (122; 422; 522) for a vacuum processing system is described. The load lock chamber includes load lock walls defining a load lock chamber volume, and a vacuum generating device 425 for evacuating the load lock chamber. The load lock chamber further includes a particle trap 127; 427; 527 located in at least one wall 430; 528; 529; 530; 531 of the load lock chamber. Additionally, a processing system including a load lock chamber and a processing chamber is described.

Description

진공 프로세싱 시스템을 위한 로드 락 챔버 및 진공 프로세싱 시스템{LOAD LOCK CHAMBER FOR A VACUUM PROCESSING SYSTEM AND VACUUM PROCESSING SYSTEM}LOAD LOCK CHAMBER FOR A VACUUM PROCESSING SYSTEM AND VACUUM PROCESSING SYSTEM

[0001] 본 발명의 실시예들은 로드 락 챔버 및 진공 프로세싱 시스템에 관한 것이다. 본 발명의 실시예들은 특히, 진공 프로세싱 시스템을 위한 로드 락 챔버, 및 기판을 프로세싱하기 위한 진공 프로세싱 시스템에 관한 것이다.[0001] Embodiments of the present invention relate to a load lock chamber and a vacuum processing system. Embodiments of the present invention relate, inter alia, to a load lock chamber for a vacuum processing system, and a vacuum processing system for processing a substrate.

[0002] 기판들은 종종, 예컨대, 고-진공 조건들 하에서, 5*10-4 hPa 내지 0.5 hPa의 범위 내의 압력들에서, 진공 코팅 플랜트(plant)들에서 코팅된다. 플랜트 생산성을 증가시키기 위해, 그리고 각각의 기판에 대한 전체 설비, 그리고 특히, 고-진공 섹션을 진공배기(evacuate)시켜야 하는 요건을 피하기 위해, 로드 및 언로드 락(load and unload lock)들이 기판들을 위해 사용된다.[0002] Substrates are often coated in vacuum coating plants, eg, under high-vacuum conditions, at pressures in the range of 5*10 -4 hPa to 0.5 hPa. In order to increase plant productivity, and to avoid the requirement to evacuate the entire facility for each substrate, and in particular the high-vacuum section, load and unload locks are provided for the substrates. used

[0003] 현대의 인-라인 코팅 플랜트들에서 생산성을 증가시키고, 재료 플럭스 레이트(material flux rate)를 개선하기 위해, 별개의 로드 및 언로드 락 챔버들이 사용되고 있다. 단순한 소위 3-챔버 코팅 유닛은, 기판이 대기압으로부터, 순차적인 진공 코팅 섹션(프로세스 챔버)의, 예컨대 p = 1*10-3 hPa 내지 p = 1.0 hPa의 적절한 전환 압력(transition pressure)으로 펌핑되는 로드 락, 및 벤팅(venting)에 의해, 상기 기판이 다시 대기압 레벨로 조정되는 언로드 락으로 구성된다.[0003] Separate load and unload lock chambers are being used in modern in-line coating plants to increase productivity and improve material flux rate. A simple so-called three-chamber coating unit is one in which the substrate is pumped from atmospheric pressure to an appropriate transition pressure of the sequential vacuum coating section (process chamber), eg p = 1*10 -3 hPa to p = 1.0 hPa. It consists of a load lock and an unload lock in which, by venting, the substrate is brought back to atmospheric pressure level.

[0004] 로드 락 챔버들의 태스크는, 가능한 신속하게, 프로세스 범위에 대한 충분한 그리고 충분히 낮은 전환 압력으로 진공배기되는 것이다. 언로드 락 챔버들의 태스크는, 가능한 신속하게, 대기압으로 벤팅되는 것이다. 그 후에, 기판이 언로드 락 챔버로부터 언로딩된 후에, 로드 락 챔버는 다시 진공배기된다.[0004] The task of the load lock chambers is to evacuate, as quickly as possible, to a switching pressure low enough and low enough for the process range. The task of the unload lock chambers is to vent to atmospheric pressure as quickly as possible. After that, after the substrate is unloaded from the unload lock chamber, the load lock chamber is evacuated again.

[0005] 동시에, 지난 수 년 동안, 진공 프로세스 동안의 더 적은 오염에 대한 소망이 증가되었다. 예컨대, 디스플레이들을 생산하는 경우에, 입자들에 의한 오염의 용인이 감소되었고, 품질의 기준, 그리고 또한, 고객이 기대하는 품질이 증가되었다. 오염은, 예컨대, 프로세싱 시스템의 챔버들이 진공으로 적절하게 진공배기되지 않은 경우에, 프로세스 시스템에서의 운송 시스템 또는 컴포넌트들이 프로세스 동안에 입자들을 생성하는 경우에, 프로세싱될 기판이 진공배기된 프로세스 시스템 내로 입자들을 도입하는 경우에, 및 이와 동일한 종류의 경우에, 발생할 수 있다. 따라서, 동작 동안에, 증착 시스템에서, 제품 품질에 영향을 미치는 복수의 가능한 오염 입자 소스들이 존재한다. 컴포넌트들을 세정하고 교환하는 것뿐만 아니라, 프로세스 시스템에서의 계속되는 진공 펌핑은 제품의 오염 리스크를 감소시키기 위한 방법이다. 그럼에도 불구하고, 위에서 명시된 바와 같이, 프로세스는 가능한 가장 빠르게, 가장 효율적인 방식으로 수행되어야 한다. 세정 및 교환 절차들은 유지보수를 위한 시간이 걸리고, 이는 그 후에, 생산 시간을 위해 사용될 수 없다.At the same time, over the past few years, the desire for less contamination during vacuum processes has increased. For example, in the case of producing displays, the tolerance of contamination by particles has been reduced, the standard of quality, and also the quality expected by the customer has been increased. Contamination can cause particles to enter the process system where the substrate to be processed is evacuated, for example, if the chambers of the processing system are not properly evacuated to a vacuum, if the transport system or components in the process system generate particles during the process, for example. can occur when introducing them, and in cases of the same kind. Thus, during operation, in a deposition system, there are multiple possible sources of contaminant particles that affect product quality. Continuous vacuum pumping in the process system, as well as cleaning and replacing components, is a way to reduce the risk of product contamination. Nevertheless, as stated above, the process should be carried out in the fastest possible and most efficient manner. Cleaning and replacement procedures take time for maintenance, which cannot then be used for production time.

[0006] 상기된 바를 고려하면, 본원에서 설명되는 실시예들의 목적은, 본 기술분야에서의 문제들 중 적어도 일부를 극복하는, 진공 프로세싱 챔버를 위한 로드 락 챔버, 및 진공 프로세싱 시스템을 제공하는 것이다.[0006] In view of the above, it is an object of the embodiments described herein to provide a load lock chamber for a vacuum processing chamber, and a vacuum processing system that overcome at least some of the problems in the art. .

[0007] 상기된 바를 고려하여, 독립 청구항들에 따른, 진공 프로세싱 시스템을 위한 로드 락 챔버, 및 진공 프로세싱 시스템이 제공된다. 추가적인 양상들, 이점들, 및 특징들은, 종속 청구항들, 설명, 및 첨부 도면들로부터 명백하게 된다.[0007] In view of the above, there is provided, according to the independent claims, a load lock chamber for a vacuum processing system, and a vacuum processing system. Additional aspects, advantages, and features will become apparent from the dependent claims, the description, and the accompanying drawings.

[0008] 일 실시예에 따르면, 진공 프로세싱 시스템을 위한 로드 락 챔버가 제공된다. 로드 락 챔버는, 로드 락 챔버 볼륨을 형성하는 로드 락 벽들; 로드 락 챔버를 진공배기시키기 위한 진공 생성 디바이스; 및 적어도, 로드 락 챔버의 하나의 벽에 위치되어 있는 입자 트랩(trap)을 포함한다.According to one embodiment, a load lock chamber for a vacuum processing system is provided. The load lock chamber includes: load lock walls defining a load lock chamber volume; a vacuum generating device for evacuating the load lock chamber; and at least a particle trap located on one wall of the load lock chamber.

[0009] 다른 실시예에 따르면, 기판을 프로세싱하기 위한 진공 프로세싱 시스템이 제공된다. 진공 프로세싱 시스템은, 기판을 프로세싱하도록 적응된 진공 프로세싱 챔버; 및 대기 조건들로부터 진공 프로세싱 챔버 내로 기판을 이송하도록 구성된, 본원에서 설명되는 실시예들에 따른 로드 락 챔버를 포함한다.According to another embodiment, a vacuum processing system for processing a substrate is provided. A vacuum processing system comprising: a vacuum processing chamber adapted to process a substrate; and a load lock chamber according to embodiments described herein, configured to transfer the substrate from atmospheric conditions into the vacuum processing chamber.

[0010] 추가적인 실시예에 따르면, 기판을 프로세싱하기 위한 진공 프로세싱 시스템이 제공된다. 진공 프로세싱 시스템은, 로드 락 챔버 벽들을 갖고, 진공 로드 락 챔버 내로의 기판을 위한 입구를 제공하기 위한 제 1 진공 밀봉가능 밸브, 및 로드 락 챔버 밖으로의 기판을 위한 출구를 제공하기 위한 제 2 진공 밀봉가능 밸브를 포함하는 진공 로드 락 챔버를 포함한다. 로드 락 챔버는 기판을 운송하기 위한 기판 운송 시스템을 더 포함한다. 진공 프로세싱 시스템은, 기판에 대해 프로세스를 수행하기 위한 하나 또는 그 초과의 프로세스 컴포넌트(들)를 포함하는 진공 프로세싱 챔버를 더 포함하며, 여기에서, 로드 락 챔버 및 프로세싱 챔버는 제 2 진공 밀봉가능 밸브를 이용하여 서로 커플링되고, 그에 따라, 프로세싱될 기판이, 기판 운송 시스템에 의해, 로드 락 챔버로부터 제 2 진공 밀봉가능 밸브를 통해 프로세싱 챔버로 이송될 수 있다. 추가로, 진공 프로세싱 시스템은, 적어도, 로드 락 챔버의 하나의 벽에 위치되어 있는 입자 트랩을 포함한다.According to a further embodiment, a vacuum processing system for processing a substrate is provided. The vacuum processing system has load lock chamber walls, a first vacuum sealable valve to provide an inlet for a substrate into the vacuum load lock chamber, and a second vacuum to provide an outlet for the substrate out of the load lock chamber. and a vacuum load lock chamber including a sealable valve. The load lock chamber further includes a substrate transport system for transporting the substrate. The vacuum processing system further includes a vacuum processing chamber including one or more process component(s) for performing a process on the substrate, wherein the load lock chamber and the processing chamber include a second vacuum sealable valve are coupled to each other, so that the substrate to be processed can be transferred by the substrate transport system from the load lock chamber through the second vacuum sealable valve to the processing chamber. Additionally, the vacuum processing system includes a particle trap located in at least one wall of the load lock chamber.

[0011] 실시예들은 또한, 개시되는 방법들을 수행하기 위한 장치들에 관한 것이고, 각각의 설명되는 방법 단계를 수행하기 위한 장치 부분들을 포함한다. 이러한 방법 단계들은, 하드웨어 컴포넌트들, 적절한 소프트웨어에 의해 프로그래밍된 컴퓨터, 이들 둘의 임의의 조합, 또는 임의의 다른 방식으로 수행될 수 있다. 게다가, 실시예들은 또한, 설명되는 장치가 동작하는 방법들에 관한 것이다. 실시예들은 또한, 장치의 모든 각각의 기능을 수행하기 위한 방법 단계들을 포함한다.Embodiments also relate to apparatus for performing the disclosed methods, including apparatus parts for performing each described method step. These method steps may be performed on hardware components, a computer programmed by suitable software, any combination of the two, or in any other manner. In addition, embodiments also relate to methods in which the described apparatus operates. Embodiments also include method steps for performing every respective function of the apparatus.

[0012] 위에서 열거된 특징들이 상세히 이해될 수 있는 방식으로, 위에서 간략학 요약된 더 상세한 설명이 실시예들을 참조로 하여 이루어질 수 있다. 첨부 도면들은 실시예들에 관한 것이고, 아래에서 설명된다.
도 1은, 본원에서 설명되는 실시예들에 따른, 프로세싱 챔버에 연결된 로드 락 챔버를 도시한다.
도 2는, 본원에서 설명되는 실시예들에 따른, 진공 챔버에서의 입자 트랩 재료의 예시적인 탈착(desorption)/아웃개싱(outgassing) 레이트의 개략도를 도시한다.
도 3은, 본원에서 설명되는 실시예들에 따른 로드 락 챔버의 펌프 다운 동안의 시간에 걸친 압력의 개략도를 도시한다.
도 4는, 본원에서 설명되는 실시예들에 따른, 프로세싱 챔버에 연결된 로드 락 챔버를 도시한다.
도 5는, 본원에서 설명되는 실시예들에 따른 로드 락 챔버를 갖는 프로세싱 시스템을 도시한다.
[0012] The more detailed description briefly summarized above may be made with reference to embodiments, in such a way that the features enumerated above may be understood in detail. The accompanying drawings relate to embodiments and are described below.
1 illustrates a load lock chamber coupled to a processing chamber, in accordance with embodiments described herein.
2 shows a schematic diagram of an exemplary desorption/outgassing rate of a particle trap material in a vacuum chamber, in accordance with embodiments described herein.
3 shows a schematic diagram of pressure over time during pump down of a load lock chamber in accordance with embodiments described herein.
4 illustrates a load lock chamber coupled to a processing chamber, in accordance with embodiments described herein.
5 illustrates a processing system having a load lock chamber in accordance with embodiments described herein.

[0013] 이제 다양한 실시예들이 상세히 참조될 것이며, 그러한 실시예들의 하나 또는 그 초과의 예들은 도면들에서 예시된다. 도면들의 다음의 설명 내에서, 동일한 참조 번호들은 동일한 컴포넌트들을 지칭한다. 일반적으로, 개별적인 실시예들에 대한 차이들만이 설명된다. 각각의 예는 설명으로서 제공되고, 실시예들의 제한으로서 의도되지 않는다. 추가로, 일 실시예의 부분으로서 설명되거나 또는 예시된 특징들은, 또한 추가적인 실시예를 산출하기 위해, 다른 실시예들과 함께 또는 대해 사용될 수 있다. 설명이 그러한 변형들 및 변화들을 포함하도록 의도된다.Reference will now be made in detail to various embodiments, one or more examples of which are illustrated in the drawings. Within the following description of the drawings, like reference numbers refer to like components. In general, only differences to individual embodiments are described. Each example is provided by way of illustration and is not intended as a limitation of the embodiments. Additionally, features described or illustrated as part of one embodiment may also be used with or with respect to other embodiments to yield a further embodiment. The description is intended to cover such modifications and variations.

[0014] 게다가, 다음의 설명에서, 로드 락 챔버는 진공 프로세싱 시스템을 위한 챔버로서 이해될 수 있다. 본원에서 설명되는 실시예들에 따르면, 로드 락 챔버는 대기 조건들로부터 낮은 압력 또는 진공으로의 전환 챔버를 제공할 수 있다. 예컨대, 본원에서 설명되는 실시예들에 따른 로드 락 챔버는, 대기 조건들에서 전달되고 있는 기판을 수용하기 위한 기판 입구, 및 프로세싱 챔버와 같은 진공 챔버에 연결되도록 적응된 기판 출구를 가질 수 있다. 본원에서 설명되는 실시예들에 따른 로드 락 챔버는 진공으로 진공배기가능할 수 있고, 진공 펌프들과 같은 각각의 장비를 포함할 수 있다. 게다가, 본원에서 설명되는 실시예들에 따른 로드 락 챔버는, 로드 락 챔버 및/또는 진공(예컨대, 프로세싱) 챔버 내에서 기판을 운송하기 위한 기판 우송 시스템을 가질 수 있다. 로드 락 챔버는 기판 입구 및 기판 출구에서 진공 밀봉가능 밸브를 가질 수 있다. 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 상이한 실시예들에 따르면, 진공 밀봉가능 밸브는, 게이트 밸브, 슬릿 밸브, 및 슬롯 밸브로 구성된 그룹으로부터 제공될 수 있다.Furthermore, in the following description, a load lock chamber may be understood as a chamber for a vacuum processing system. According to embodiments described herein, a load lock chamber may provide a transition chamber from atmospheric conditions to a low pressure or vacuum. For example, a load lock chamber according to embodiments described herein may have a substrate inlet for receiving a substrate being transferred at atmospheric conditions, and a substrate outlet adapted to connect to a vacuum chamber, such as a processing chamber. The load lock chamber according to the embodiments described herein may be vacuum-evacuated, and may include respective equipment such as vacuum pumps. In addition, a load lock chamber according to embodiments described herein may have a substrate shipping system for transporting a substrate within the load lock chamber and/or vacuum (eg, processing) chamber. The load lock chamber may have vacuum sealable valves at the substrate inlet and at the substrate outlet. According to different embodiments that may be combined with other embodiments described herein, the vacuum sealable valve may be provided from the group consisting of a gate valve, a slit valve, and a slot valve.

[0015] 본원에서 사용되는 바와 같은 "입자 트랩"이라는 용어는, 더스트(dust) 입자들, 챔버 컴포넌트로부터의 이동 부분들의 마모에 의해 생성되는 입자들, 증착 프로세스 동안에 생성되는 입자들, 기판 및/또는 캐리어에 의해 진공 챔버에 도입되는 입자들 등과 같은, 진공 챔버에서의 입자들을 포획(capture)할 수 있는 디바이스로서 이해될 수 있다. 특히, 본원에서 지칭되는 바와 같은 입자 트랩은, 패시브(passive) 입자 트랩일 수 있고, 이는 특히, 입자 트랩이 전력 등에 의해 활성화되거나 또는 공급될 필요가 없다는 것을 의미한다. 패시브 입자 트랩은, 입자들이 입자 트랩을 통과하는 경우에, 입자들을 포획하는 입자 트랩일 수 있다.[0015] The term “particle trap” as used herein refers to dust particles, particles generated by wear of moving parts from a chamber component, particles generated during the deposition process, substrate and/or or as a device capable of capturing particles in a vacuum chamber, such as particles introduced into the vacuum chamber by a carrier. In particular, a particle trap as referred to herein may be a passive particle trap, meaning that in particular the particle trap does not need to be activated or supplied by electric power or the like. A passive particle trap may be a particle trap that traps particles as they pass through the particle trap.

[0016] 도 1은, 프로세싱 챔버(524)에 연결된 로드 락 챔버(522)를 도시한다. 본원에서 설명되는 몇몇 실시예들에 따르면, 서로 관련되어 있는, 프로세싱 챔버와 같은 진공 챔버 및 로드 락 챔버는 진공 프로세싱 시스템으로서 설명될 수 있다. 로드 락 챔버(522)는 로드 락 챔버 내로 기판(510)을 도입하기 위한 입구(523)를 가질 수 있다. 로드 락 챔버의 입구(523)는, 프로세싱될 각각의 재료, 예컨대, 로드 락 챔버(522) 내로 로딩될 기판의 사이즈 또는 기판 배치(batch)의 사이즈에 대해 적응될 수 있다. 개별적인 또는 기판들의 배치인, 프로세싱될 기판이, 대기 조건들에서, 각각의 운송 시스템에 의해, 로드 락 챔버 입구(523)로 전달될 수 있다. 예컨대, 기판 또는 기판 배치는, 기판(들)을 위한 운송 트랙, 운송 밴드-컨베이어, 기판(들)을 운반하는 로봇, 단일 기판들 또는 기판 배치들을 위한 단일 캐리어 지지부들을 포함하는 캐리어 시스템 등에 의해 전달될 수 있다. 로드 락 챔버(522) 내로 프로세싱될 기판(들)을 도입하기 위해, 입구(523)가 개방될 수 있고, 로드 락 챔버는 대기 조건들을 겪는다. 본원에서 설명되는 몇몇 실시예들에 따르면, 로드 락 챔버(522)는, 입구가 개방되고, 기판들이 로드 락 챔버에 도입되는 경우에, 벤팅되는 것으로 설명될 수 있다. 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 몇몇 실시예들에 따르면, 로드 락 챔버는 로드 락 챔버와 프로세싱 챔버 사이에서 기판들을 이송하도록 구성된 트랙 디바이스 또는 로봇을 포함할 수 있다.1 shows a load lock chamber 522 coupled to a processing chamber 524 . According to some embodiments described herein, a vacuum chamber, such as a processing chamber, and a load lock chamber, which are related to each other, may be described as a vacuum processing system. The load lock chamber 522 may have an inlet 523 for introducing the substrate 510 into the load lock chamber. The inlet 523 of the load lock chamber may be adapted for each material to be processed, eg, the size of the substrate to be loaded into the load lock chamber 522 or the size of the substrate batch. A substrate to be processed, either individually or as a batch of substrates, may be delivered, at atmospheric conditions, by the respective transport system to the load lock chamber inlet 523 . For example, a substrate or substrate batch is transferred by a transport track for the substrate(s), a transport band-conveyor, a robot that transports the substrate(s), a carrier system comprising single carrier supports for single substrates or substrate batches, etc. can be In order to introduce the substrate(s) to be processed into the load lock chamber 522 , an inlet 523 may be opened, and the load lock chamber is subjected to atmospheric conditions. According to some embodiments described herein, the load lock chamber 522 may be described as being vented when the inlet is open and substrates are introduced into the load lock chamber. According to some embodiments that may be combined with other embodiments described herein, the load lock chamber may include a track device or robot configured to transfer substrates between the load lock chamber and the processing chamber.

[0017] 프로세싱될 기판(110)이 로드 락 챔버(522)에 배치되는 경우에, 로드 락 챔버(522)는, 로드 락 챔버 입구(523)를 폐쇄시킴으로써, 폐쇄될 수 있다. 몇몇 실시예들에서, 로드 락 챔버에 기판을 배치하는 것은, 로드 락 챔버 내의 기판 지지부 또는 트랙 시스템 위로, 기판을 핸들링(handling)하는 로봇에 의해, 로드 락 챔버 내로 기판을 이송하는 것을 포함할 수 있다. 대안적으로, 기판은, 아래에서 상세히 설명될 바와 같이, 컨베이어 벨트 또는 트랙 시스템에 의해, 로드 락 챔버 내로 운송될 수 있다. 기판이 로드 락 챔버에 있는 경우에, 로드 락 챔버는, 예컨대, 로드 락 챔버를 낮은 압력, 낮은 진공, 또는 중간 진공에 이르게 하기 위해, 진공배기될 수 있다. 예컨대, 로드 락 챔버는 약 1 mbar의 전형적인 압력에 이르게 될 수 있다. 몇몇 실시예들에 따르면, 로드 락 챔버에서의 진공의 신뢰가능한 정착(installation)을 보장하기 위해, 로드 락 챔버에, 각각, 예컨대 진공 펌프들 및 진공 밀봉부들이 장비될 수 있다.When the substrate 110 to be processed is placed in the load lock chamber 522 , the load lock chamber 522 may be closed by closing the load lock chamber inlet 523 . In some embodiments, placing the substrate in the load lock chamber may include transferring the substrate into the load lock chamber, by a robot handling the substrate, over a track system or substrate support within the load lock chamber. have. Alternatively, the substrate may be transported into the load lock chamber by a conveyor belt or track system, as will be described in detail below. When the substrate is in a load lock chamber, the load lock chamber may be evacuated, for example, to bring the load lock chamber to a low pressure, low vacuum, or medium vacuum. For example, the load lock chamber may be brought to a typical pressure of about 1 mbar. According to some embodiments, the load lock chamber may be equipped with, for example, vacuum pumps and vacuum seals, respectively, to ensure reliable installation of a vacuum in the load lock chamber.

[0018] 몇몇 실시예들에 따르면, 기판은, 정의된 시간 간격 동안, 기판 지지부에 의해 로드 락 챔버에서 홀딩(hold)될 수 있거나, 또는 추가로, 프로세싱 챔버(524)와 같은 진공 챔버와 관련될 수 있는, 로드 락 챔버(522)의 출구(525)에 접근하도록 연속적으로 이동될 수 있다. 예컨대, 기판이 정의된 시간 간격 동안 로드 락 챔버에서 홀딩될지, 또는 추가로 연속적으로 이동될지는, 로드 락 챔버가 일부로 있는 시스템에 따라 좌우될 수 있다. 일 예에서, 로드 락 챔버 내에서의 기판의 홀딩 또는 이동은, 로드 락 챔버와 프로세싱 챔버 사이의 이송 메커니즘에 따라 좌우된다. 몇몇 실시예들에 따르면, 본원에서 설명되는 바와 같은 로드 락 챔버는 프로세싱 시스템들에서 기판의 운송 경로의 일부를 제공할 수 있다.According to some embodiments, the substrate may be held in a load lock chamber by a substrate support for a defined time interval, or further associated with a vacuum chamber, such as processing chamber 524 . may be continuously moved to access the outlet 525 of the load lock chamber 522 . For example, whether a substrate will be held in the load lock chamber for a defined time interval, or further continuously moved, may depend on the system of which the load lock chamber is a part. In one example, the holding or movement of the substrate within the load lock chamber depends on a transport mechanism between the load lock chamber and the processing chamber. According to some embodiments, a load lock chamber as described herein may provide part of a transport path of a substrate in processing systems.

[0019] 몇몇 실시예들에서, 진공배기되고 있는 로드 락 챔버(522)는, 슬루스 또는 밸브(525) 등을 개방함으로써, 프로세싱 챔버(524)를 향하여 개방될 수 있다. 본원에서 설명되는 실시예들에 따르면, 로드 락 챔버(522) 및 프로세싱 챔버(524)는 연결될 수 있거나, 또는 슬루스 또는 밸브(525)를 통해 서로 관련되어 놓여 있을 수 있다. 본원에서 설명되는 실시예들에 따르면, 프로세싱 챔버는 진공 프로세싱 챔버이다. 일 예에서, 프로세싱 챔버는, 예컨대, 약 10-8 mbar 내지 약 10-5 mbar의 최종 진공(베이스 압력)을 가짐으로써, 로드 락 챔버보다 더 높은 진공(즉, 더 낮은 압력)을 가질 수 있다. 기판은, 로드 락 챔버에 존재하는 압력 조건들로 인해, 프로세싱 챔버에서의 진공 조건들을 본질적으로 방해하지 않으면서, 로드 락 챔버로부터 프로세싱 챔버로 이송될 수 있다. 프로세싱 챔버에서, 기판은, 아래에서 상세히 참조될 바와 같이, 원하는 프로세스를 받을 수 있다.In some embodiments, the load lock chamber 522 being evacuated may be opened towards the processing chamber 524 , such as by opening a slew or valve 525 . According to embodiments described herein, the load lock chamber 522 and the processing chamber 524 may be connected or may lie in relation to each other via a slew or valve 525 . According to embodiments described herein, the processing chamber is a vacuum processing chamber. In one example, the processing chamber may have a higher vacuum (ie, lower pressure) than the load lock chamber , for example, by having a final vacuum (base pressure) of about 10 −8 mbar to about 10 −5 mbar. . The substrate may be transferred from the load lock chamber to the processing chamber without essentially disturbing the vacuum conditions in the processing chamber due to the pressure conditions present in the load lock chamber. In the processing chamber, the substrate may be subjected to a desired process, as will be referred to in detail below.

[0020] 일반적으로, 제품(기판)에 대한 입자 규격들이 계속 더 엄격하게 되어 왔다. 한층 더 우수한 오염 감소가 프로세싱 시스템에서 바람직하다. 본원에서 설명되는 실시예들에 따른 로드 락 챔버는, 적어도, 로드 락 챔버의 벽들 중 하나에 위치된 입자 트랩을 제공한다. 도 1에서, 로드 락 챔버(522)에서, 벽들(528, 529, 530, 및 531)에 입자 트랩(527)이 제공된다. 몇몇 실시예들에서, 입자 트랩은 로드 락 챔버에서의 입자들을 포획하기 위한 접착제(adhesive), 특히, 접착성 포일 또는 글루를 포함할 수 있다.[0020] In general, particle specifications for products (substrates) have continued to become more stringent. Even better contamination reduction is desirable in processing systems. A load lock chamber according to embodiments described herein provides at least a particle trap located in one of the walls of the load lock chamber. In FIG. 1 , in a load lock chamber 522 , a particle trap 527 is provided in walls 528 , 529 , 530 , and 531 . In some embodiments, the particle trap may comprise an adhesive, particularly an adhesive foil or glue, to trap particles in the load lock chamber.

[0021] 본원에서 설명되는 실시예들에 따르면, 진공 프로세싱 시스템을 위한 로드 락 챔버가 제공된다. 로드 락 챔버는 로드 락 챔버 볼륨을 형성하는 로드 락 벽들, 및 로드 락 챔버를 진공배기시키기 위한 진공 생성 디바이스를 포함한다. 본원에서 설명되는 실시예들에 따른 로드 락 챔버는, 적어도, 로드 락 챔버의 하나의 벽에, 또는 임의의 다른 가능한 캐리어 충돌 프리(collision free) 위치에 위치되어 있는 입자 트랩을 더 포함한다. 일반적으로, 입자 트랩은 챔버 내부의 임의의 프리 위치에 위치될 수 있고 ― 이는 운송 영역만이 블로킹되지 않아야 한다는 것을 의미할 수 있다.[0021] According to embodiments described herein, a load lock chamber for a vacuum processing system is provided. The load lock chamber includes load lock walls defining a load lock chamber volume, and a vacuum generating device for evacuating the load lock chamber. A load lock chamber according to embodiments described herein further comprises a particle trap located at least in one wall of the load lock chamber, or in any other possible carrier collision free location. In general, the particle trap may be located at any free position inside the chamber - which may mean that only the transport area should be unblocked.

[0022] 본원에서 설명되는 실시예들에 따른 로드 락 챔버는, 입자들이 프로세싱 챔버에 진입하고 그리고/또는 기판 및/또는 캐리어를 오염시키는 리스크가 발생하기 전에, 로드 락 챔버에서 입자들을 포획하는 것을 허용한다. 특히, 로드 락 챔버에서의 벽들 중 하나 또는 그 초과에 위치되어 있는 입자 트랩은, 로드 락 챔버를 벤팅하거나 또는 펌핑 다운하는 동안에, 이러한 시간들 동안의 높은 가스 속도/유동 및 입자 운송 가속으로 인해, 로드 락 챔버에 존재하는 입자들을 포획할 수 있다. 예컨대, 몇몇 입자들은 로드 락 챔버의 진공 펌프에 의해 제거될 수 없다. 본원에서 설명되는 실시예들에 따른 로드 락 챔버는 하나 또는 그 초과의 소위 "데드 존(dead zone)(들)"을 포함하는 기하형상을 가질 수 있다. 본원에서 설명되는 실시예들에 따른 로드 락 챔버의 데드 존은, 특히, 로드 락 챔버의 벤팅 동안에, 입자들의 축적을 가능하게 하는 기하형상을 갖는 로드 락 챔버의 존 또는 구역으로서 이해될 수 있다. 전형적으로, 본원에서 사용되는 바와 같은 "데드 존"에서, 예컨대 진공 펌프에 의해 로드 락 챔버를 낮은 압력 또는 진공 조건에 이르게 하기 위해 수행되는 진공배기 프로세스와 무관하게 입자 축적이 발생된다. 예컨대, 로드 락 챔버의 데드 존(들)은, 벤팅 프로세스, 벤팅 장비, 벤팅 입구 위치, 펌프 다운 배기 라인 연결 위치, 및 챔버 설계에 따라 좌우될 수 있다. 몇몇 실시예들에서, 데드 존(들)은, 로드 락 챔버가 벤팅되고 그리고/또는 기판이 로드 락 챔버 내로 로딩되는 방향에 따라 좌우된다. 몇몇 실시예들에 따르면, 데드 존(들)은 로드 락 챔버에서의 진공 생성 디바이스(들)의 위치, 및 진공 생성 디바이스(들)의 수집 영역(gathering)에 따라 좌우될 수 있다.[0022] A load lock chamber according to embodiments described herein prevents the particles from entering the processing chamber and/or capturing particles in the load lock chamber before a risk of contaminating the substrate and/or carrier occurs. allow In particular, particle traps located on one or more of the walls in the load lock chamber, while venting or pumping down the load lock chamber, due to high gas velocity/flow and particle transport acceleration during these times, Particles present in the load lock chamber can be captured. For example, some particles cannot be removed by the vacuum pump of the load lock chamber. A load lock chamber according to embodiments described herein may have a geometry comprising one or more so-called “dead zone(s)”. A dead zone of a load lock chamber according to embodiments described herein may be understood as a zone or region of a load lock chamber having a geometry that enables the accumulation of particles, particularly during venting of the load lock chamber. Typically, in a “dead zone” as used herein, particle build-up occurs independent of the evacuation process performed to bring the load lock chamber to low pressure or vacuum conditions, such as by a vacuum pump. For example, the dead zone(s) of the load lock chamber may depend on the venting process, venting equipment, vent inlet location, pump down exhaust line connection location, and chamber design. In some embodiments, the dead zone(s) depends on the direction in which the load lock chamber is vented and/or the substrate is loaded into the load lock chamber. According to some embodiments, the dead zone(s) may depend on the location of the vacuum generating device(s) in the load lock chamber, and the gathering area of the vacuum generating device(s).

[0023] 몇몇 실시예들에 따르면, 로드 락 챔버는, 예컨대, 로드 락 챔버의 벤팅 및 펌핑 다운 동안에, 높은 가스 속도를 갖는 구역들을 포함할 수 있다. 몇몇 실시예들에서, 본원에서 설명되는 바와 같은 입자 트랩은, 입자들을 포획할(입자들이 통과할) 가능성이 더 높은 이러한 구역들 중 하나에 또는 가까이 위치된다.According to some embodiments, the load lock chamber may include regions with high gas velocity, eg, during venting and pumping down of the load lock chamber. In some embodiments, a particle trap as described herein is located at or near one of these zones where it is more likely to trap (the particle through).

[0024] 본원에서 설명되는 실시예들에 따른 로드 락 챔버의 발명자들은, 입자 축적이 i.a. 챔버 벽들에서 발생하는 것을 발견하였다. 예컨대, (다시, 로드 락 챔버의 기하형상, 진공 생성 디바이스, 기판 입구, 기판 출구의 위치 등에 따라) 로드 락 챔버의 바닥이 데드 존일 수 있고, 입자가 축적되는 경향이 있을 수 있다. 도 1에서, 2개의 데드 존들(540 및 541)이 예시적으로 도시된다.[0024] The inventors of a load lock chamber according to embodiments described herein have found that particle accumulation is i.a. found to occur in the chamber walls. For example, the bottom of the load lock chamber may be a dead zone (again, depending on the geometry of the load lock chamber, the vacuum generating device, the location of the substrate inlet, the substrate outlet, etc.) and may tend to accumulate particles. In FIG. 1 , two dead zones 540 and 541 are illustratively shown.

[0025] 몇몇 실시예들에서, 챔버 벽들에 축적되는 입자들은, 기판이 프로세싱 챔버로 이송되는 경우에, 기판 및/또는 캐리어로 이동될 수 있다. 몇몇 실시예들에 따르면, 로드 락 챔버로부터 진공 챔버로의 기판의 이송 동안에, 기판 및/또는 캐리어는, 예컨대 진동 또는 흔들림에 의해, 기판 및/또는 캐리어에 놓인 입자들을 제거할 수 있다. 본원에서 설명되는 실시예들에 따르면, 로드 락 챔버에서 펌프들에 의해 포획되지 않은 입자들은, 본원에서 설명되는 실시예들에 따른, 로드 락 챔버 벽들에 위치된 입자 트랩에 의해 포획될 수 있다. 특히, 입자 트랩은 접착성 재료를 포함할 수 있다.[0025] In some embodiments, particles accumulating on chamber walls may migrate to the substrate and/or carrier when the substrate is transported to the processing chamber. According to some embodiments, during transfer of the substrate from the load lock chamber to the vacuum chamber, the substrate and/or carrier may remove particles lying on the substrate and/or carrier, such as by vibration or shaking. According to embodiments described herein, particles not captured by the pumps in the load lock chamber may be captured by a particle trap located in the load lock chamber walls, according to embodiments described herein. In particular, the particle trap may comprise an adhesive material.

[0026] 몇몇 실시예들에서, 챔버 벽들 중 하나 또는 그 초과에 위치되어 있는 입자 트랩은, 자기 재료, 정전 디바이스들, 접착성 재료 등을 포함할 수 있다. 예컨대, 로드 락 챔버에서의 입자 트랩은 오염 입자들을 포획할 수 있고 홀딩할 수 있는 재료를 포함할 수 있다. 몇몇 예들에서, 입자 트랩은, 포획될 입자들(이는 ― 결국 ― 로드 락 챔버 외부에 존재하는 입자들의 성질에 따라 좌우될 수 있음), 프로세싱될 기판, 로드 락 챔버 사이즈, 챔버 재료, 기판 캐리어 재료 등에 따라, 재료들을 포함할 수 있다.[0026] In some embodiments, a particle trap located on one or more of the chamber walls may include a magnetic material, electrostatic devices, an adhesive material, or the like. For example, a particle trap in a load lock chamber may include a material capable of trapping and holding contaminant particles. In some examples, the particle trap includes the particles to be captured (which may - in turn - depend on the nature of the particles present outside the load lock chamber), the substrate to be processed, the load lock chamber size, the chamber material, the substrate carrier material. and the like, including materials.

[0027] 몇몇 실시예들에 따르면, 로드 락 챔버의 하나 또는 그 초과의 벽들에 위치된 입자 트랩은, 접착성 포일(foil), 접착성 시트, 접착성 플레이트, 접착성 재료를 위한 캐리어, 글루(glue)를 갖는 캐리어, 접착성 재료의 롤(예컨대, 접착성 포일) 등을 포함할 수 있다.[0027] According to some embodiments, a particle trap located on one or more walls of the load lock chamber may include an adhesive foil, an adhesive sheet, an adhesive plate, a carrier for an adhesive material, a glue (glue), a roll of adhesive material (eg, adhesive foil), and the like.

[0028] 몇몇 실시예들에서, 본원에서 설명되는 실시예들에 따른 로드 락 챔버에서의 입자 트랩의 접착제는, 실리콘-프리 재료, 폴리올레핀 재료, 아크릴 접착제, 아크릴 발포(foam) 접착제, 폴리에틸렌 막, PET, OPP, PES, 테사-필름(Tesa-Film), 알루미늄 또는 일반적으로 금속 포일, 및 이들의 임의의 조합을 포함할 수 있다. 몇몇 실시예들에서, 본원에서 설명되는 실시예들에 따른 입자 트랩은 폴리프로필렌 막 상의 발포 접착제, 아크릴 접착제, 또는 글루를 포함할 수 있다. 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 몇몇 실시예들에 따르면, 입자 트랩은 적어도 베이스 재료 및 발포 접착제를 포함하는 접착제를 포함한다. 추가로, 베이스 재료는 폴리프로필렌 막, 폴리에틸렌 막, PET, OPP, PES, 또는 금속 포일을 포함할 수 있고, 여기에서, 발포 접착제는 아크릴 접착제 또는 글루를 포함할 수 있다.[0028] In some embodiments, the adhesive of the particle trap in the load lock chamber according to the embodiments described herein is a silicone-free material, a polyolefin material, an acrylic adhesive, an acrylic foam adhesive, a polyethylene film, PET, OPP, PES, Tesa-Film, aluminum or generally metal foil, and any combination thereof. In some embodiments, a particle trap according to embodiments described herein may include a foamed adhesive, an acrylic adhesive, or a glue on a polypropylene membrane. According to some embodiments that may be combined with other embodiments described herein, the particle trap comprises an adhesive comprising at least a base material and a foamed adhesive. Additionally, the base material may include a polypropylene membrane, a polyethylene membrane, PET, OPP, PES, or metal foil, wherein the foamed adhesive may include an acrylic adhesive or glue.

[0029] 몇몇 실시예들에 따르면, 본원에서 설명되는 입자 트랩을 위해 사용되는 재료들은, 특히, 본원에서 설명되는 바와 같은 로드 락 챔버에 존재하는 바와 같은 진공 조건들에서, 예컨대, 낮은 아웃개싱 레이트를 가짐으로써, 낮은 오염 리스클를 제공할 수 있다. 몇몇 실시예들에서, 로드 락 챔버에서 입자 트래핑을 위해 사용되는 재료는, 낮은, 1 시간 동안의 아웃개싱 값 a1h를 가질 수 있다. a1h 값은 1 시간 동안의 재료의 아웃개싱 양을 설명한다. 본원에서 설명되는 몇몇 실시예들에 따르면, 로드 락 챔버에서의 입자 트랩을 위해 또는 그러한 입자 트랩에 사용되는 재료는, 전형적으로는 약 1.0 E-8 mbar*l/(s*cm2) 내지 약 1.5 E-6 mbar*l/(s*cm2), 더 전형적으로는 약 1.0 E-8 mbar*l/(s*cm2) 내지 약 1.0 E-6 mbar*l/(s*cm2), 그리고 한층 더 전형적으로는 약 2.5 E-8 mbar*l/(s*cm2) 내지 약 1.0 E-6 mbar*l/(s*cm2)의 a1h 아웃개싱 값을 갖는다. 몇몇 실시예들에서, 1 시간 동안의 아웃개싱 값 a1h는 1.5 E-6 mbar*l/(s*cm2) 미만이다.[0029] According to some embodiments, the materials used for the particle trap described herein are particularly suitable in vacuum conditions as present in a load lock chamber as described herein, eg, a low outgassing rate. By having , it is possible to provide a low contamination risk. In some embodiments, the material used for particle trapping in the load lock chamber may have a low, 1 hour outgassing value a1h. The a1h value describes the amount of outgassing of the material in one hour. According to some embodiments described herein, the material used for or for a particle trap in a load lock chamber is typically from about 1.0 E-8 mbar*l/(s*cm 2 ) to about 1.5 E-6 mbar*l/(s*cm 2 ), more typically about 1.0 E-8 mbar*l/(s*cm 2 ) to about 1.0 E-6 mbar*l/(s*cm 2 ) , and even more typically an a1h outgassing value of from about 2.5 E-8 mbar*l/(s*cm 2 ) to about 1.0 E-6 mbar*l/(s*cm 2 ). In some embodiments, the outgassing value a1h for 1 hour is less than 1.5 E-6 mbar*l/(s*cm 2 ).

[0030] 본원에서 설명되는 실시예들에 따른 로드 락 챔버에서의 입자 트랩으로서 사용되는 재료의 낮은 아웃개싱 레이트는, 입자 트랩에 의한 로드 락 챔버 내의 낮은 오염에 대해 유익할 수 있다. 본원에서 설명되는 실시예들에 따른 로드 락 챔버에서의 위에서 설명된 바와 같은 낮은 아웃개싱 레이트를 갖는 입자 트랩은, 프로세스 사이클을 위한 시간 노력을 낮은 레벨로 유지하는 것, 또는 적어도, 프로세스 사이클을 증가시키지 않는 것을 허용하고, 이는, i.a. 로드 락 챔버의 진공배기 프로세스 및 그 지속기간에 의해 영향을 받는다. 본원에서 설명되는 실시예들에 따른 로드 락 챔버에서의 입자 트랩을 위한 각각의 재료를 사용하는 것은, 입자 트랩에 의해 도입되는, 로드 락 챔버에서의 부가적인 아웃개싱 오염을 방지하고, 진공배기 프로세스 및 프로세스 사이클의 연장을 방지하고, 본원에서 설명되는 실시예들에 따른 로드 락 챔버에 대한 고객의 용인을 증가시킬 수 있다.[0030] A low outgassing rate of a material used as a particle trap in a load lock chamber according to embodiments described herein may be beneficial for low contamination within the load lock chamber by the particle trap. A particle trap with a low outgassing rate as described above in a load lock chamber in accordance with embodiments described herein is to keep the time effort for the process cycle at a low level, or at least increase the process cycle. Allow not to do, which is, ia It is affected by the evacuation process of the load lock chamber and its duration. Using the respective material for the particle trap in the load lock chamber according to the embodiments described herein avoids additional outgassing contamination in the load lock chamber, introduced by the particle trap, and the evacuation process. and prevent prolongation of the process cycle, and increase customer acceptance of the load lock chamber according to the embodiments described herein.

[0031] 도 2는, 본원에서 설명되는 실시예들에 따른 로드 락 챔버에서의 입자 트랩, 특히, 본원에서 설명되는 바와 같은 접착성 재료를 포함하는 입자 트랩을 이용한 탈착 측정의 개략도(200)를 도시한다. 도 2의 가로 좌표는 분 단위의 시간을 도시하는 한편, 도면(200)의 세로 좌표는 커브(210)에서의 시간당 및 면적당 유량(Q'/A [mbarl/s+cm2])를 도시한다. 도면(200)에서 도시된 유량은 시간이 증가됨에 따라 감소되고, 약 1.35 E-06 [mbar*l/s*cm2]의 a1h 아웃개싱 값을 발생시킨다. 도 3은, 로드 락 챔버에 대한 펌프 다운 시간을 표시하는, 초 단위의 시간에 걸친 mbar 단위의 압력을 도시하는 개략도(300)를 도시한다. 2개의 커브들은, 입자 트랩을 갖지 않는 로드 락 챔버(커브(320)), 및 입자 트랩을 갖는 로드 락 챔버(커브(310))에 대한 펌프 다운 시간을 도시한다. 이러한 예에서, 위에서 설명된 바와 같은 폴리프로필렌 막 및 발포 접착제를 포함하는 접착성 재료가, 본원에서 설명되는 실시예들에 따른 로드 락 챔버에서의 입자 트랩으로서 사용되었다. 약 2E-01 mbar의 압력까지 아래로, 펌핑 시간에 대한 입자 트랩의 영향은, 2개의 커브들이 실질적으로 서로 오버래핑하기 때문에, 무시가능한 정도인 것을 볼 수 있다. 더 낮은 압력으로 아래로 가면 그리고 시간이 증가됨에 따라, 입자 트랩을 갖는 로드 락 챔버가, 입자 트랩을 갖지 않는 로드 락 챔버보다 약간의 무시가능한 더 긴 펌프 다운 시간을 갖는다.2 is a schematic diagram 200 of a desorption measurement using a particle trap in a load lock chamber according to embodiments described herein, in particular a particle trap comprising an adhesive material as described herein. show The abscissa in FIG. 2 shows time in minutes, while the ordinate in figure 200 shows the flow rate per hour and per area (Q'/A [mbarl/s+cm 2 ]) in curve 210 . The flow rate shown in figure 200 decreases with increasing time, resulting in an a1h outgassing value of about 1.35 E-06 [mbar*l/s*cm 2 ]. 3 shows a schematic diagram 300 showing the pressure in mbar over time in seconds, indicating the pump down time for the load lock chamber. The two curves show the pump down time for a load lock chamber without a particle trap (curve 320 ) and a load lock chamber with a particle trap (curve 310 ). In this example, an adhesive material comprising a polypropylene film as described above and a foamed adhesive was used as a particle trap in a load lock chamber according to embodiments described herein. Down to a pressure of about 2E-01 mbar, it can be seen that the effect of the particle trap on the pumping time is negligible since the two curves substantially overlap each other. Going down to lower pressures and with increasing time, load lock chambers with particle traps have slightly negligible longer pump down times than load lock chambers without particle traps.

[0032] 도 1로 돌아가면, 로드 락 챔버는, 실질적으로 6개의 벽들(예컨대, 4개의 측벽들, 상단 벽, 및 바닥 벽)을 갖는 직육면체의 형상을 갖는 것으로서 예시적으로 도시된다. 입자 트랩은 (도 1의 실시예에서 도시된 바와 같이) 로드 락 챔버의 각각의 벽에 제공될 수 있거나, 또는 로드 락 챔버의 1개, 2개, 3개, 4개, 또는 5개의 벽들과 같이 벽들의 일부에만 제공될 수 있다. 일 예에서, 입자 트랩은 로드 락 챔버의 데드 존들 중 하나로서의 바닥 벽에만 제공된다. 또한 추가적인 실시예에서, 입자 트랩은, 예컨대, 로드 락 챔버에서의 데드 존들에 따라, 벽의 일부 또는 수개의 벽들의 부분들에만 제공된다. 몇몇 실시예들에서, 입자 트랩은 임의의 가능한 캐리어 충돌 프리 위치에 위치될 수 있다.1 , the load lock chamber is illustratively shown as having the shape of a cuboid having substantially six walls (eg, four sidewalls, a top wall, and a bottom wall). A particle trap may be provided on each wall of the load lock chamber (as shown in the embodiment of FIG. 1 ), or with one, two, three, four, or five walls of the load lock chamber. As such, it may be provided only on some of the walls. In one example, the particle trap is provided only on the bottom wall as one of the dead zones of the load lock chamber. In a still further embodiment, the particle trap is provided only on a portion of the wall or portions of several walls, for example depending on the dead zones in the load lock chamber. In some embodiments, the particle trap may be located at any possible carrier collision free position.

[0033] 몇몇 실시예들에 따르면, 그리고 특히, 입자 트랩이 접착성 시트, 접착성 포일, 또는 접착성 플레이트를 포함하는 경우들에서, 본원에서 설명되는 실시예들에 따른 입자 트랩은, 전형적으로는 약 0.2 m2 내지 약 10 m2, 그리고 더 전형적으로는 약 0.5 m2 내지 약 5 m2의 범위에 있는 사이즈를 가질 수 있다.[0033] According to some embodiments, and particularly in cases where the particle trap comprises an adhesive sheet, an adhesive foil, or an adhesive plate, a particle trap according to embodiments described herein typically may have a size ranging from about 0.2 m 2 to about 10 m 2 , and more typically from about 0.5 m 2 to about 5 m 2 .

[0034] 몇몇 실시예들에 따르면, 입자 트랩, 특히, 입자 트랩 시트, 입자 트랩 포일, 입자 트랩 플레이트 등, 특히, 접착성 재료를 포함하는 입자 트랩은, 로드 락 챔버의 적어도 하나의 벽에 부착될 수 있거나 또는 고정될 수 있다. 몇몇 실시예들에서, 입자 트랩은 로드 락 챔버의 적어도 하나의 벽에 제거가능하게 부착될 수 있거나 또는 고정될 수 있다. 예컨대, 로드 락 챔버는, 프레임, 클램핑 디바이스, 입자 트랩을 붙이기 위한 영역, 입자 트랩을 고정시키기 위한 보어(bore)들, 입자 트랩 지지부 등과 같은 입자 트랩 고정 디바이스를 제공할 수 있다. 예컨대, 입자 트랩 고정 디바이스는 낮은 아웃개싱 레이트들을 갖는 금속 또는 다른 재료로 제조될 수 있다. 몇몇 실시예들에 따르면, 입자 트랩 고정 디바이스는 로드 락 챔버 벽들과 동일한 재료로 제조된다. 본원에서 설명되는 몇몇 실시예들에서, 입자 트랩 고정 디바이스는 로드 락 챔버의 벽에 입자 트랩을 위치시키는 것을 허용할 수 있다. 예컨대, 입자 트랩 고정 디바이스는, 특히, 입자 트랩이 벽 근처에 위치되거나, 벽을 커버하거나, 또는 벽에 부착 또는 고정될 수 있도록, 로드 락 챔버의 벽 상에 제공될 수 있다.According to some embodiments, a particle trap, in particular a particle trap sheet, a particle trap foil, a particle trap plate, etc., particularly a particle trap comprising an adhesive material, is attached to at least one wall of the load lock chamber. may be or may be fixed. In some embodiments, the particle trap may be removably attached to or fixed to at least one wall of the load lock chamber. For example, the load lock chamber may provide a particle trap holding device such as a frame, a clamping device, an area for attaching the particle trap, bores for holding the particle trap, a particle trap support, and the like. For example, the particle trap holding device may be made of a metal or other material with low outgassing rates. According to some embodiments, the particle trap holding device is made of the same material as the load lock chamber walls. In some embodiments described herein, a particle trap securing device may allow positioning a particle trap on a wall of a load lock chamber. For example, a particle trap fixing device may be provided on the wall of the load lock chamber, in particular, such that the particle trap may be located near the wall, cover the wall, or be attached or secured to the wall.

[0035] 몇몇 실시예들에 따르면, 입자 트랩은, 챔버 벽과 접촉하는 경우에, 또는 로드 락 챔버 벽에 대해, 전형적으로는 3 cm 미만, 더 전형적으로는 2 cm 미만, 그리고 한층 더 전형적으로는 1 cm 미만의 거리를 갖는 경우에, 챔버 벽에 위치된 것일 수 있다. 이는, 데드 존들에 또는 가까이 입자 트랩을 위치시키는 것에 대해 동일하게 적용된다. 몇몇 실시예들에서, 본원에서 설명되는 바와 같이, 입자 트랩이 로드 락 챔버의 챔버 벽에 위치되는 것은, 로드 락 챔버에서의 임의의 가능한 캐리어 충돌 프리 위치, 예컨대, 입자 트랩이 기판 캐리어, 기판 캐리어의 로봇, 로드 락 챔버에 존재하는 기판 트래킹 시스템, 기판 트래킹 시스템의 로봇 등의 동작을 방해하지 않는 임의의 위치에 입자 트랩이 위치되는 것을 의미할 수 있거나 또는 포함할 수 있다. 일 예에서, 캐리어 충돌 프리 위치는 캐리어 그 자체를 포함하지 않는다. 몇몇 실시예들에서, 본원에서 설명되는 실시예들에 따른, 입자 트랩이 로드 락 챔버의 벽에 위치되는 것은, 입자 트랩이, 예컨대 고정 디바이스에 의해, 벽 상에 고정되거나 또는 부착되는 것과 같이, 벽 상에 있는 것으로서 이해될 수 있다. 몇몇 실시예들에 따르면, 고정 디바이스는 벽 상에 직접적으로 제공되지만, 입자 트랩이 반드시 로드 락 챔버 벽과 접촉할 필요는 없다. 다른 실시예들에서, 입자 트랩의 적어도 일부가 로드 락 챔버 벽과 접촉한다. 몇몇 실시예들에 따르면, 입자 트랩은, 로드 락 챔버 볼륨을 향하는, 입자들을 포획하기 위한 포획 표면을 갖는다.[0035] According to some embodiments, the particle trap, when in contact with the chamber wall, or relative to the load lock chamber wall, is typically less than 3 cm, more typically less than 2 cm, and even more typically may be located on the chamber wall if it has a distance of less than 1 cm. The same applies for positioning a particle trap at or near dead zones. In some embodiments, as described herein, the location of the particle trap on the chamber wall of the load lock chamber is such that any possible carrier collision free position in the load lock chamber, eg, the particle trap is positioned on the substrate carrier, the substrate carrier It may mean or include the positioning of the particle trap at any location that does not interfere with the operation of the robot of the robot, the substrate tracking system present in the load lock chamber, the robot of the substrate tracking system, or the like. In one example, the carrier collision free position does not include the carrier itself. In some embodiments, the particle trap being positioned on the wall of the load lock chamber, in accordance with the embodiments described herein, is such that the particle trap is fixed or attached to the wall, eg, by a fixing device, such as: It can be understood as being on a wall. According to some embodiments, the fixing device is provided directly on the wall, but the particle trap does not necessarily have to contact the load lock chamber wall. In other embodiments, at least a portion of the particle trap contacts the load lock chamber wall. According to some embodiments, the particle trap has a trapping surface for trapping particles facing the load lock chamber volume.

[0036] 대안적으로, 입자 트랩 시트, 입자 트랩 포일 등의 형태인 입자 트랩은, 입자 트랩 와인딩(winding)/언와인딩(unwinding) 시스템에 의해, 로드 락 챔버의 벽에 제공될 수 있다. 일 예에서, 입자 트랩 언와인딩 롤 및 입자 트랩 와인딩 롤은 로드 락 챔버 외부에 위치된다. 입자 트랩은 언와인딩 롤로부터 로드 락 챔버 내로 가이딩될 수 있고, 이는, 슬루스(예컨대, 팽창성 진공 슬루스), 게이트 밸브, 슬릿 밸브, 또는 슬롯 밸브를 통해 로드 락 챔버 내로 입자 트랩을 통과시킴으로써 수행될 수 있다. 로드 락 챔버 내의 입자 트랩은 로드 락 챔버의 벽에 위치되고, 예컨대 다시, 슬루스, 슬릿 밸브 등을 통해, 로드 락 챔버 외부의 입자 트랩 와인딩 롤로 가이딩된다. 본원에서 설명되는 몇몇 실시예들에 따르면, 입자 트랩은, 입자 트랩 언와인딩 롤로부터 입자 트랩 와인딩 롤 또는 리와인딩 롤로, 연속적으로 이동할 수 있거나, 또는 단계적으로 이동될 수 있다. 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 일 실시예에서, 입자 트랩 언와인딩 롤 및 입자 트랩 와인딩 롤이 로드 락 챔버 내에 제공될 수 있다. 이러한 경우에서, 언와인딩 및 와인딩 롤을 위한 롤 지지부는 낮은 아웃개싱 값을 갖는 금속 또는 어떠한 재료로 제조될 수 있다.[0036] Alternatively, a particle trap in the form of a particle trap sheet, particle trap foil, etc. may be provided on the wall of the load lock chamber by a particle trap winding/unwinding system. In one example, the particle trap unwinding roll and the particle trap winding roll are located outside the load lock chamber. The particle trap can be guided from an unwinding roll into the load lock chamber by passing the particle trap into the load lock chamber through a slew (eg, an inflatable vacuum slew), gate valve, slit valve, or slot valve. can be performed. The particle trap in the load lock chamber is positioned on the wall of the load lock chamber and is again guided to a particle trap winding roll outside the load lock chamber, for example again, through a slew, slit valve, or the like. According to some embodiments described herein, the particle trap may be moved continuously, or may be moved in stages, from a particle trap unwinding roll to a particle trap winding roll or rewinding roll. In one embodiment that may be combined with other embodiments described herein, a particle trap unwinding roll and a particle trap winding roll may be provided within the load lock chamber. In this case, the roll support for the unwinding and winding rolls can be made of metal or any material having a low outgassing value.

[0037] 도 1에 대하여 위에서 명시된 바와 같이, 본원에서 설명되는 실시예들에 따른 로드 락 챔버는 진공 챔버에 연결가능할 수 있다. 진공 챔버에 대한 연결을 허용하기 위해, 각각의 연결 디바이스들, 수용 디바이스들, 및 밀봉 디바이스들이 로드 락 챔버에 제공될 수 있다. 예컨대, 로드 락 챔버는, 진공 챔버에 로드 락 챔버를 연결시키기 위한 플랜지, 보어들, 볼트들, 스크루들 등을 포함할 수 있다. 로드 락 챔버는, 로드 락 챔버로부터 진공 챔버로 기판을 이송하는 것을 허용하는, 갭 슬루스, 로드 밸브 등과 같은 기판 출구를 더 포함할 수 있다. 본원에서 예시적으로 설명되는 도면들에서, 로드 락 챔버는 프로세싱 챔버에 연결된 것으로 도시된다. 그러나, 로드 락 챔버가 또한, 다른 진공 챔버들에 연결될 수 있다는 것이 이해되어야 한다. 예컨대, 로드 락 챔버가 연결될 수 있는 진공 챔버는, 버퍼(buffer) 챔버, 가열 챔버, 이송 챔버, 사이클-시간-조정 챔버, 증착 소스들을 갖는 증착 챔버 등으로 구성된 그룹으로부터 선택될 수 있다. 특히, 본원에서 설명되는 실시예들에 따른 로드 락 챔버는 하나 또는 그 초과의 진공 챔버들에 연결될 수 있다. 몇몇 실시예들에 따르면, 로드 락 챔버는, 로드 락 챔버가 일부로 있는 진공 프로세싱 시스템이 진공 프로세싱 챔버를 포함할 수 있음에도, 프로세싱 챔버가 아닌 진공 챔버에 직접적으로 연결될 수 있다.As indicated above with respect to FIG. 1 , a load lock chamber according to embodiments described herein may be connectable to a vacuum chamber. To allow connection to the vacuum chamber, respective connection devices, receiving devices, and sealing devices may be provided in the load lock chamber. For example, the load lock chamber may include a flange, bores, bolts, screws, etc. for connecting the load lock chamber to the vacuum chamber. The load lock chamber may further include a substrate outlet, such as a gap slew, a load valve, or the like, that permits transfer of the substrate from the load lock chamber to the vacuum chamber. In the drawings illustratively described herein, a load lock chamber is shown coupled to a processing chamber. However, it should be understood that the load lock chamber may also be connected to other vacuum chambers. For example, the vacuum chamber to which the load lock chamber may be coupled may be selected from the group consisting of a buffer chamber, a heating chamber, a transfer chamber, a cycle-time-adjustment chamber, a deposition chamber with deposition sources, and the like. In particular, a load lock chamber according to embodiments described herein may be coupled to one or more vacuum chambers. According to some embodiments, the load lock chamber may be directly coupled to a vacuum chamber other than the processing chamber, although a vacuum processing system of which the load lock chamber is a part may include the vacuum processing chamber.

[0038] 위에서 명시된 바와 같이, 로드 락 챔버와 프로세스 챔버의 조합은 본원에서 프로세싱 시스템이라고 표시될 수 있다. 본원에서 설명되는 실시예들에 따르면, 기판을 프로세싱하기 위한 진공 프로세싱 시스템이 제공된다. 진공 프로세싱 챔버는, 기판을 프로세싱하도록 적응된 진공 프로세싱 챔버; 및 대기 조건들로부터 진공 프로세싱 챔버 내로 기판을 이송하기 위한 로드 락 챔버를 포함하며, 로드 락 챔버는 로드 락 챔버 볼륨을 둘러싸는 벽들을 갖는다. 진공 프로세싱 챔버는, 적어도, 로드 락 챔버의 하나의 벽에 위치되어 있는 입자 트랩을 더 포함한다. 몇몇 실시예들에 따르면, 로드 락 챔버, 및 로드 락 챔버에서의 입자 트랩은, 예컨대, 위에서 상세히 설명된 기하형상, 재료, 및 피처들에 관하여 위에서 설명된 바와 같을 수 있다. 예컨대, 입자 트랩은 접착성 시트, 접착성 포일, 접착성 플레이트 등과 같은 접착성 재료를 포함할 수 있다.As noted above, the combination of a load lock chamber and a process chamber may be referred to herein as a processing system. According to embodiments described herein, a vacuum processing system for processing a substrate is provided. The vacuum processing chamber includes: a vacuum processing chamber adapted to process a substrate; and a load lock chamber for transferring the substrate from atmospheric conditions into the vacuum processing chamber, the load lock chamber having walls surrounding the load lock chamber volume. The vacuum processing chamber further includes a particle trap located at least in one wall of the load lock chamber. According to some embodiments, the load lock chamber, and the particle trap in the load lock chamber, may be, for example, as described above with respect to the geometry, material, and features detailed above. For example, the particle trap may include an adhesive material such as an adhesive sheet, an adhesive foil, an adhesive plate, and the like.

[0039] 본원에서 설명되는 실시예들에 따르면, 기판을 프로세싱하기 위한 진공 프로세싱 시스템이 제공된다. 진공 프로세싱 시스템은, 로드 락 챔버 벽들을 갖고, 진공 로드 락 챔버 내로의 기판을 위한 입구를 제공하기 위한 제 1 진공 밀봉가능 밸브, 및 로드 락 챔버 밖으로의 기판을 위한 출구를 제공하기 위한 제 2 진공 밀봉가능 밸브를 포함하는 진공 로드 락 챔버를 포함한다. 로드 락 챔버는, 아래에서 상세히 설명되는 바와 같은 운송 시스템과 같은, 기판을 운송하기 위한 기판 운송 시스템을 더 포함한다. 진공 프로세싱 시스템은, 기판에 대해 프로세스를 수행하기 위한 하나 또는 그 초과의 프로세스 컴포넌트(들)를 포함하는 진공 프로세싱 챔버를 더 포함한다. 본원에서 설명되는 실시예들에 따르면, 로드 락 챔버 및 프로세싱 챔버는 제 2 진공 밀봉가능 밸브를 이용하여 서로 커플링되고, 그에 따라, 프로세싱될 기판이, 기판 운송 시스템에 의해, 로드 락 챔버로부터 제 2 진공 밀봉가능 밸브를 통해 프로세싱 챔버로 이송될 수 있다. 진공 프로세싱 시스템은, 적어도, 로드 락 챔버의 하나의 벽에 위치되어 있는 입자 트랩을 더 포함한다. 본원에서 설명되는 몇몇 실시예들에 따르면, 입자 트랩은, 예컨대, 위에서 호명된 재료들을 포함함으로써, 위에서 언급된 형상을 가짐으로써, 위에서 언급된 재료 값들을 가짐으로써, 및 이와 동일한 종류의 것에 의해, 위에서 상세히 설명된 바와 같은 입자 트랩일 수 있다.[0039] According to embodiments described herein, a vacuum processing system for processing a substrate is provided. The vacuum processing system has load lock chamber walls, a first vacuum sealable valve to provide an inlet for a substrate into the vacuum load lock chamber, and a second vacuum to provide an outlet for the substrate out of the load lock chamber. and a vacuum load lock chamber including a sealable valve. The load lock chamber further includes a substrate transport system for transporting the substrate, such as a transport system as described in detail below. The vacuum processing system further includes a vacuum processing chamber including one or more process component(s) for performing a process on the substrate. According to embodiments described herein, the load lock chamber and the processing chamber are coupled to each other using a second vacuum sealable valve such that the substrate to be processed is removed from the load lock chamber by the substrate transport system. 2 can be transferred to the processing chamber through a vacuum sealable valve. The vacuum processing system further includes a particle trap located at least in one wall of the load lock chamber. According to some embodiments described herein, a particle trap can be, for example, by including the above-named materials, by having the above-mentioned shape, by having the above-mentioned material values, and by the same kind; It may be a particle trap as detailed above.

[0040] 몇몇 실시예들에 따르면, 본원에서 지칭되는 바와 같은 프로세싱 챔버는, 가열 프로세스, 냉각 프로세스, 세정 프로세스, 전-처리 프로세스, 위치결정 프로세스, 증착 프로세스 등과 같은 프로세스를 기판에 대해 수행하는데 적합할 수 있다.According to some embodiments, a processing chamber as referred to herein is suitable for performing a process on a substrate, such as a heating process, a cooling process, a cleaning process, a pre-treatment process, a positioning process, a deposition process, etc. can do.

[0041] 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 몇몇 실시예들에 따르면, 프로세싱 챔버는, 예컨대, 회전가능한 스퍼터링 타겟들과 같은 스퍼터링 타겟들을 포함함으로써, 스퍼터 프로세스에 대해 적응될 수 있다. 이에 대한 전형적인 구현들에 따르면, DC 스퍼터링, 펄스 스퍼터링, RF 스퍼터링, 또는 MF 스퍼터링이, 본원에서 설명되는 진공 프로세싱 챔버에 제공될 수 있다. 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 또한 추가적인 실시예들에 따르면, 5 kHz 내지 100 kHz, 예컨대 30 kHz 내지 50 kHz의 범위에 있는 주파수들을 이용하는 중간 주파수 스퍼터링이, 본원에서 설명되는 바와 같은 프로세싱 챔버에 제공될 수 있다. 몇몇 실시예들에서, 진공 프로세싱 챔버는, PVD 프로세스, CVD 프로세스, PECVD 프로세스, 기화 프로세스, 마이크로파 프로세스 등에 대해 적응될 수 있다.According to some embodiments that may be combined with other embodiments described herein, the processing chamber may be adapted for a sputtering process, eg, by including sputtering targets, such as rotatable sputtering targets. . According to typical implementations thereof, DC sputtering, pulsed sputtering, RF sputtering, or MF sputtering may be provided in the vacuum processing chamber described herein. According to still further embodiments, which may be combined with other embodiments described herein, intermediate frequency sputtering using frequencies in the range of 5 kHz to 100 kHz, such as 30 kHz to 50 kHz, is as described herein. may be provided in the same processing chamber. In some embodiments, the vacuum processing chamber may be adapted for a PVD process, a CVD process, a PECVD process, a vaporization process, a microwave process, or the like.

[0042] 도 1에서 도시된 프로세싱 챔버(524)는, 프로세싱 동안에 기판이 놓일 수 있는 기판 지지부(512)를 포함한다. 몇몇 실시예들에 따르면, 도 1의 프로세싱 챔버(524)는 기판(110) 상에 재료를 증착하기 위한 증착 소스(513)를 더 포함한다. 도 1에서 도시된 실시예에서, 프로세싱될 기판(110)은 실질적으로 수평인 방향으로 홀딩되고, 증착 프로세스는 실질적으로 수직인 방향으로 발생할 수 있다.The processing chamber 524 shown in FIG. 1 includes a substrate support 512 on which a substrate may be placed during processing. The processing chamber 524 of FIG. 1 further includes a deposition source 513 for depositing material on the substrate 110 , in accordance with some embodiments. 1 , the substrate 110 to be processed is held in a substantially horizontal direction, and the deposition process may occur in a substantially vertical direction.

[0043] 도 2는, 프로세싱 챔버(424)에 연결되어 있는 로드 락 챔버(422)의 실시예를 도시한다. 로드 락 챔버(422)의 바닥 벽(430)에, 입자 트랩(427)이 위치된다. 도 4에서 도시된 입자 트랩(427)은 위에서 설명된 바와 같은 입자 트랩일 수 있다. 로드 락 챔버(422)는 펌프와 같은 진공 생성 디바이스(435)를 포함할 수 있다. 도 2에서 도시된 실시예에서, 기판은, 로드 락 챔버 및 프로세싱 챔버에서, 본질적으로 수직으로-배향된다. 수직으로 배향된 기판이, 수 도만큼의 경사에 대해 안정적인 운송을 허용하기 위해, 프로세싱 시스템에서의 수직, 즉 90° 배향으로부터 약간의 편차를 가질 수 있고, 즉, 기판들이, ± 20° 또는 그 미만, 예컨대 ± 10° 또는 그 미만의 수직 배향으로부터의 편차를 가질 수 있다는 것이 이해되어야 한다.FIG. 2 shows an embodiment of a load lock chamber 422 coupled to a processing chamber 424 . On the bottom wall 430 of the load lock chamber 422 , a particle trap 427 is located. The particle trap 427 shown in FIG. 4 may be a particle trap as described above. The load lock chamber 422 may include a vacuum generating device 435 such as a pump. In the embodiment shown in FIG. 2 , the substrate is essentially vertically-oriented in the load lock chamber and processing chamber. A vertically oriented substrate may have slight deviations from the vertical, ie, 90° orientation, in the processing system, i.e., the substrates may have ±20° or more to allow for stable transport over inclinations of several degrees. It should be understood that it may have a deviation from the vertical orientation of less than, such as ±10° or less.

[0044] 몇몇 실시예들에 따르면, 본원에서 설명되는 바와 같은 로드 락 챔버는 대면적 기판들에 대해 적응될 수 있다. 몇몇 실시예들에 따르면, 캐리어들이 복수의 기판들을 갖는 각각의 캐리어들 또는 대면적 기판들은 적어도 0.67 m2의 사이즈를 가질 수 있다. 전형적으로, 사이즈는, 약 0.67 m2(0.73 x 0.92 m ― Gen 4.5) 또는 그 초과, 더 전형적으로는 약 2 m2 내지 약 9 m2, 또는 심지어 최대 12 m2일 수 있다. 전형적으로, 본원에서 설명되는 실시예들에 따른 구조들, 시스템들, 챔버들, 슬루스들, 및 밸브들이 제공되는, 기판들 또는 캐리어들은, 본원에서 설명되는 바와 같이, 대면적 기판들이다. 예컨대, 대면적 기판 또는 캐리어는, 약 0.67 m2 기판들(0.73 x 0.92 m)에 대응하는 GEN 4.5, 약 1.4 m2 기판들(1.1 m x 1.3 m)에 대응하는 GEN 5, 약 4.29 m2 기판들(1.95 m x 2.2 m)에 대응하는 GEN 7.5, 약 5.7 m2 기판들(2.2 m x 2.5 m)에 대응하는 GEN 8.5, 또는 심지어, 약 8.7 m2 기판들(2.85 m x 3.05 m)에 대응하는 GEN 10일 수 있다. GEN 11 및 GEN 12와 같은 한층 더 큰 세대들 및 대응하는 기판 면적들이 유사하게 구현될 수 있다. 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 몇몇 실시예들에 따르면, 시스템은, 예컨대 정적 증착을 이용하는 TFT 제조에 대해 구성될 수 있다.According to some embodiments, a load lock chamber as described herein may be adapted for large area substrates. According to some embodiments, each of the carriers having a plurality of substrates or the large-area substrates may have a size of at least 0.67 m 2 . Typically, the size may be about 0.67 m 2 (0.73 x 0.92 m - Gen 4.5) or more, more typically from about 2 m 2 to about 9 m 2 , or even up to 12 m 2 . Typically, substrates or carriers, provided with structures, systems, chambers, sluices, and valves in accordance with embodiments described herein, are large area substrates, as described herein. For example, the large area substrate or carrier may be GEN 4.5 corresponding to about 0.67 m 2 substrates (0.73 x 0.92 m), GEN 5 corresponding to about 1.4 m 2 substrates (1.1 m x 1.3 m), about 4.29 m 2 substrate. GEN 7.5 corresponding to s (1.95 mx 2.2 m), GEN 8.5 corresponding to about 5.7 m 2 substrates (2.2 mx 2.5 m), or even GEN corresponding to about 8.7 m 2 substrates (2.85 mx 3.05 m) It could be 10. Even larger generations such as GEN 11 and GEN 12 and corresponding substrate areas can be implemented similarly. According to some embodiments that may be combined with other embodiments described herein, the system may be configured for TFT fabrication using, for example, static deposition.

[0045] 몇몇 실시예들에 따르면, 본원에서 설명되는 바와 같은 로드 락 챔버, 그러한 로드 락 챔버의 컴포넌트들, 예컨대, 기판 지지부 또는 트래킹 시스템, 슬릿 밸브들 또는 슬루스들, 또는 본원에서 설명되는 바와 같은 프로세싱 챔버는, 글래스 기판들, 또는 플라스틱 재료로 제조된 기판들, 즉, 예컨대 디스플레이들의 제조를 위해 사용되는 기판들과 같은 기판들을 포함하는 기판들을 핸들링하도록 적응될 수 있다. 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 몇몇 실시예들에 따르면, 본원에서 설명되는 실시예들은, 예컨대 PVD, 즉, 디스플레이 마켓을 위한 대면적 기판들 상의 스퍼터 증착과 같은 디스플레이 제조를 위해 활용될 수 있다.According to some embodiments, a load lock chamber as described herein, components of such a load lock chamber, such as a substrate support or tracking system, slit valves or slews, or as described herein The same processing chamber may be adapted to handle substrates comprising glass substrates, or substrates made of plastic material, ie substrates such as substrates used for the manufacture of displays, for example. According to some embodiments that may be combined with other embodiments described herein, the embodiments described herein are suitable for display manufacturing, such as, for example, sputter deposition on large area substrates for PVD, ie, display markets. can be utilized.

[0046] 위에서 명시된 바와 같이, 로드 락 챔버는 진공 펌프들과 같은 진공 생성 디바이스들을 포함할 수 있고, 예컨대, 챔버 도어들, 윈도우들, 슬릿 밸브들, 또는 슬루스들에 각각의 밀봉부들을 제공함으로써, 로드 락 챔버 내에서 진공을 유지하도록 적응될 수 있다. 몇몇 실시예들에 따르면, 본원에서 설명되는 바와 같은 로드 락 챔버는 1 mbar 미만의 진공을 제공하도록 적응된다. 몇몇 실시예들에서, 로드 락 챔버는, 전형적으로는 약 0.01 mbar 내지 약 1 mbar, 더 전형적으로는 약 0.1 mbar 내지 약 1 mbar, 그리고 한층 더 전형적으로는 약 0.5 mbar 내지 약 1 mbar의 진공을 제공하도록 적응된다.As noted above, the load lock chamber may include vacuum generating devices such as vacuum pumps, eg, providing respective seals to chamber doors, windows, slit valves, or sluices. By doing so, it can be adapted to maintain a vacuum within the load lock chamber. According to some embodiments, a load lock chamber as described herein is adapted to provide a vacuum of less than 1 mbar. In some embodiments, the load lock chamber provides a vacuum of typically from about 0.01 mbar to about 1 mbar, more typically from about 0.1 mbar to about 1 mbar, and even more typically from about 0.5 mbar to about 1 mbar. adapted to provide

[0047] 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 몇몇 실시예들에 따르면, 본원에서 설명되는 바와 같은 진공 프로세싱 챔버는 고 진공 챔버이도록 적응될 수 있다. 예컨대, 프로세싱 챔버는, 프로세싱 챔버에서 진공을 생성하고 유지하기 위해, 각각의 진공 펌프들, 밀봉부들, 밸브들, 및 슬루스들을 포함할 수 있다. 몇몇 실시예들에서, 프로세싱 챔버는 약 10-5 mbar 미만의 진공을 제공하도록 적응된다. 몇몇 예들에서, 프로세싱 챔버는, 전형적으로는 약 10-12 mbar 내지 약 10-5 mbar, 더 전형적으로는 약 10-9 mbar 내지 약 10-5 mbar, 그리고 한층 더 전형적으로는 약 10-7 mbar 내지 약 10-5 mbar의 압력을 갖는 초-고 진공을 제공하도록 적응된다.According to some embodiments that may be combined with other embodiments described herein, a vacuum processing chamber as described herein may be adapted to be a high vacuum chamber. For example, the processing chamber may include respective vacuum pumps, seals, valves, and sluices to create and maintain a vacuum in the processing chamber. In some embodiments, the processing chamber is adapted to provide a vacuum of less than about 10 -5 mbar. In some examples, the processing chamber is typically from about 10 -12 mbar to about 10 -5 mbar, more typically from about 10 -9 mbar to about 10 -5 mbar, and even more typically from about 10 -7 mbar It is adapted to provide an ultra-high vacuum with a pressure of from to about 10 -5 mbar.

[0048] 도 5는, 본원에서 설명되는 실시예들에 따른 프로세싱 시스템(100)을 도시한다. 프로세싱 시스템은, 제 1 진공 챔버(101), 제 2 진공 챔버(102), 제 3 진공 챔버(103), 및 제 4 진공 챔버(121)를 포함한다. 진공 챔버들은, 챔버들 내에서 진공이 생성되는, 증착 챔버들 또는 다른 프로세싱 챔버들일 수 있다. 도 5에서, 프로세싱 시스템 외부의 대기 조건들로부터 프로세싱 시스템의 챔버들 내의 진공 조건들로의 전환을 제공하는 로드 락 챔버(122)를 볼 수 있다. 로드 락 챔버(122)는 위에서 상세히 설명된 바와 같은 로드 락 챔버일 수 있고, 하나 또는 그 초과의 벽들에서 입자 트랩(127)을 포함할 수 있다. 본원에서 설명되는 실시예들에 따르면, 로드 락 챔버(122) 및 진공 챔버들(101, 102, 103, 및 121)은 운송 시스템에 의한 선형 운송 경로들을 통해 연결된다. 본원에서 설명되는 실시예들에 따르면, 운송 시스템은 수개의 운송 트랙들(161, 163, 164)을 포함하는 듀얼 트랙 운송 시스템을 포함할 수 있다. 도 5에서 보이는 예에서, 운송 시스템은, 운송 경로를 따르는 기판들의 회전을 허용하는 회전 모듈(150)을 더 포함한다. 예컨대, 디스플레이 제조를 위해 전형적으로 사용되는 대면적 기판들이 기판 프로세싱 시스템(100)에서의 선형 운송 경로들을 따라 운송될 수 있다. 전형적으로, 선형 운송 경로들은, 예컨대 라인을 따라 배열된 복수의 롤러들을 갖는 선형 운송 트랙들과 같은 운송 트랙들(161 및 163)에 의해 제공된다.5 shows a processing system 100 in accordance with embodiments described herein. The processing system includes a first vacuum chamber 101 , a second vacuum chamber 102 , a third vacuum chamber 103 , and a fourth vacuum chamber 121 . The vacuum chambers may be deposition chambers or other processing chambers in which a vacuum is created. In FIG. 5 , a load lock chamber 122 can be seen that provides a transition from atmospheric conditions outside the processing system to vacuum conditions within the chambers of the processing system. The load lock chamber 122 may be a load lock chamber as detailed above, and may include a particle trap 127 in one or more walls. According to embodiments described herein, the load lock chamber 122 and the vacuum chambers 101 , 102 , 103 , and 121 are connected via linear transport paths by a transport system. According to embodiments described herein, the transportation system may comprise a dual track transportation system comprising several transportation tracks 161 , 163 , 164 . In the example shown in FIG. 5 , the transport system further includes a rotation module 150 that allows rotation of the substrates along the transport path. For example, large area substrates typically used for display manufacturing may be transported along linear transport paths in the substrate processing system 100 . Typically, linear transport paths are provided by transport tracks 161 and 163, such as, for example, linear transport tracks having a plurality of rollers arranged along a line.

[0049] 전형적인 실시예들에 따르면, 운송 트랙들 및/또는 회전 트랙들은, 대면적 기판들의 바닥에서 운송 시스템에 의해, 그리고 본질적으로 수직으로 배향된 대면적 기판들의 상단에서 가이딩 시스템에 의해 제공될 수 있다.According to typical embodiments, transport tracks and/or rotation tracks are provided by a transport system at the bottom of large-area substrates and by a guiding system at the top of essentially vertically oriented large-area substrates. can be

[0050] 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 상이한 실시예들에 따르면, 도 5에서 도시된 진공 챔버들(122, 121, 101, 102, 및 103)과 같은 진공 챔버들에서의 듀얼 트랙 운송 시스템들, 즉, 제 1 운송 경로 및 제 2 운송 경로를 갖는 운송 시스템들은, 고정된 듀얼 트랙 시스템, 이동가능한 단일 트랙 시스템, 또는 이동가능한 듀얼 트랙 시스템에 의해 제공될 수 있다. 고정된 듀얼 트랙 시스템은 제 1 운송 트랙 및 제 2 운송 트랙을 포함하고, 여기에서, 제 1 운송 트랙 및 제 2 운송 트랙은 측방향으로 변위될 수 없고, 즉, 기판은 운송 방향에 대해 수직인 방향으로 이동될 수 없다. 이동가능한 단일 트랙 시스템은, 기판이 제 1 운송 경로 또는 제 2 운송 경로 상에 제공될 수 있도록, 측방향으로, 즉, 운송 방향에 대해 수직으로 변위될 수 있는 선형 운송 트랙을 가짐으로써, 듀얼 트랙 운송 시스템을 제공하고, 여기에서, 제 1 운송 경로 및 제 2 운송 경로는 서로로부터 멀리 있다. 이동가능한 듀얼 트랙 시스템은 제 1 운송 트랙 및 제 2 운송 트랙을 포함하고, 여기에서, 운송 트랙들 양자 모두는 측방향으로 변위될 수 있고, 즉, 운송 트랙들 양자 모두는, 제 1 운송 경로로부터 제 2 운송 경로로, 그리고 그 반대로 이들의 각각의 위치를 스위칭할 수 있다.According to different embodiments, which may be combined with other embodiments described herein, in vacuum chambers such as vacuum chambers 122 , 121 , 101 , 102 , and 103 shown in FIG. 5 . Dual track transport systems, ie, transport systems having a first transport route and a second transport route, may be provided by a fixed dual track system, a movable single track system, or a movable dual track system. The fixed dual track system includes a first transport track and a second transport track, wherein the first transport track and the second transport track cannot be displaced laterally, that is, the substrate is perpendicular to the transport direction. cannot be moved in this direction. The movable single track system is a dual track by having a linear transport track that can be displaced laterally, ie perpendicular to the transport direction, so that a substrate can be provided on a first transport path or a second transport path. A transport system is provided, wherein the first transport path and the second transport path are remote from each other. The movable dual track system comprises a first transport track and a second transport track, wherein both transport tracks can be displaced laterally, ie, both transport tracks move away from the first transport path. It is possible to switch their respective positions to the second transport route and vice versa.

[0051] 본원에서 설명되는 실시예들에 따른 로드 락 챔버, 및 로드 락 챔버를 포함하는 프로세싱 시스템을 이용하여, 프로세싱 시스템에서 오염을 감소시키는 것이 가능하다. 본원에서 설명되는 몇몇 실시예들에 따른 입자 트랩을 사용하는 것은, 로드 락 챔버에서 입자들을 포획하기 위한 쉽고 복잡하지 않은 방식을 허용하면서, 동시에, 정의된 아웃개싱 레이트와 같은 정의된 재료 특성들을 갖는 각각의 재료들을 사용함으로써, 오염 리스크가 감소된다. 입자 트랩이 로드 락 챔버의 벽에 위치되어, 매우 소형이고 공간-절약적이면서, 로드 락 챔버의 데드 존들에서의 효율적인 입자 포획을 허용할 뿐만 아니라, 또한, 입자 트랩의 쉬운 조립 및 교환을 허용한다.[0051] Using a load lock chamber in accordance with embodiments described herein, and a processing system including the load lock chamber, it is possible to reduce contamination in a processing system. Using a particle trap according to some embodiments described herein allows an easy and uncomplicated way to trap particles in a load lock chamber, while at the same time having defined material properties, such as a defined outgassing rate. By using the respective materials, the risk of contamination is reduced. A particle trap is located on the wall of the load lock chamber, which is very compact and space-saving, allowing not only efficient particle trapping in the dead zones of the load lock chamber, but also allowing easy assembly and exchange of the particle trap. .

[0052] 전술한 바가 몇몇 실시예들에 관한 것이지만, 다른 그리고 추가적인 실시예들이 그러한 몇몇 실시예들의 기본적인 범위로부터 벗어나지 않으면서 고안될 수 있고, 본 발명의 범위는 다음의 청구항들에 의해 결정된다.[0052] While the foregoing is directed to some embodiments, other and additional embodiments may be devised without departing from the basic scope of such several embodiments, the scope of which is determined by the following claims.

Claims (15)

진공 프로세싱 시스템을 위한 로드 락 챔버(122; 422; 522)로서,
로드 락 챔버 볼륨을 형성하는 로드 락 벽들(430; 528; 529; 530; 531);
상기 로드 락 챔버를 진공배기(evacuating)시키기 위한 진공 생성 디바이스(425);
적어도, 상기 로드 락 챔버의 하나의 벽(430; 528; 529; 530; 531)에 위치되어 있는 입자 트랩(trap)(127; 427; 527); 및
상기 로드 락 챔버의 벽(430; 528; 529; 530; 531)에 상기 입자 트랩(127; 427; 527)을 위치시키는 것을 허용하는 입자 트랩 고정 디바이스를 포함하고,
상기 입자 트랩(127; 427; 527)은 상기 입자 트랩 고정 디바이스에 의하여 적어도 상기 로드 락 챔버의 하나의 벽(430; 528; 529; 530; 531)에 제거가능하게 부착되거나 고정되고,
상기 로드 락 챔버(122; 422; 522)는 하나 또는 그 초과의 데드 존(dead zone)(들)을 포함하고, 상기 하나 또는 그 초과의 데드 존(들)의 기하형상은, 입자들의 축적을 가능하게 하고, 상기 입자 트랩(127; 427; 527)은 상기 로드 락 챔버(122; 422; 522)의 상기 하나 또는 그 초과의 데드 존들에 위치되는,
로드 락 챔버.
A load lock chamber (122; 422; 522) for a vacuum processing system, comprising:
load lock walls (430; 528; 529; 530; 531) defining a load lock chamber volume;
a vacuum generating device 425 for evacuating the load lock chamber;
a particle trap (127; 427; 527) located on at least one wall (430; 528; 529; 530; 531) of said load lock chamber; and
a particle trap holding device allowing positioning of the particle trap (127; 427; 527) on a wall (430; 528; 529; 530; 531) of the load lock chamber;
the particle trap (127; 427; 527) is removably attached or fixed to at least one wall (430; 528; 529; 530; 531) of the load lock chamber by the particle trap fixing device;
The load lock chamber 122; 422; 522 includes one or more dead zone(s), wherein the geometry of the one or more dead zone(s) is configured to prevent accumulation of particles. wherein the particle trap (127; 427; 527) is located in the one or more dead zones of the load lock chamber (122; 422; 522).
load lock chamber.
제 1 항에 있어서,
상기 입자 트랩(127; 427; 527)은 접착제(adhesive)를 포함하는,
로드 락 챔버.
The method of claim 1,
wherein the particle trap (127; 427; 527) comprises an adhesive;
load lock chamber.
제 1 항에 있어서,
상기 입자 트랩은, 상기 챔버 벽과 접촉함으로써, 또는 1 cm 미만의 거리를 가지면서, 상기 챔버 벽에 위치되고, 그리고
상기 입자 트랩은 접착성 포일, 접착성 시트, 또는 접착성 플레이트를 포함하는,
로드 락 챔버.
The method of claim 1,
the particle trap is positioned on the chamber wall by contacting the chamber wall, or with a distance of less than 1 cm, and
wherein the particle trap comprises an adhesive foil, an adhesive sheet, or an adhesive plate;
load lock chamber.
제 1 항에 있어서,
상기 입자 트랩(127; 427; 527)은, 적어도, 베이스 재료(base material) 및 발포(foaming) 접착제를 포함하는 접착제를 포함하는,
로드 락 챔버.
The method of claim 1,
The particle trap (127; 427; 527) comprises at least an adhesive comprising a base material and a foaming adhesive.
load lock chamber.
제 1 항에 있어서,
상기 입자 트랩(127; 427; 527)은, 1.0 E-8 mbar*l/(s*cm2) 내지 1.0 E-6 mbar*l/(s*cm2)의 1 시간 동안의 아웃개싱(outgassing) 값 a1h를 갖는 재료를 포함하는,
로드 락 챔버.
The method of claim 1,
The particle traps 127; 427; 527 are outgassing for 1 hour of 1.0 E-8 mbar*l/(s*cm 2 ) to 1.0 E-6 mbar*l/(s*cm 2 ) ) comprising a material with the value a1h,
load lock chamber.
제 1 항에 있어서,
상기 입자 트랩(127; 427; 527)은, 0.2 m2 내지 10 m2의 면적을 갖는,
로드 락 챔버.
The method of claim 1,
The particle trap (127; 427; 527) has an area of 0.2 m 2 to 10 m 2,
load lock chamber.
제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 로드 락 챔버(122; 422; 522)는, 실질적으로 0.05 mbar 내지 1 mbar의 범위에 있는 진공을 제공하도록 적응되는,
로드 락 챔버.
7. The method according to any one of claims 1 to 6,
wherein the load lock chamber (122; 422; 522) is adapted to provide a vacuum substantially in the range of 0.05 mbar to 1 mbar;
load lock chamber.
제 1 항에 있어서,
상기 로드 락 챔버(122; 422; 522)의 벽들(430; 528; 529; 530; 531)은 적어도 하나의 측벽(529; 531), 바닥 벽(430; 530), 및 상단 벽(528)을 포함하고, 상기 입자 트랩(127; 427; 527)은 상기 로드 락 챔버(122; 422; 522)의 바닥 벽(430; 530)에 위치되는,
로드 락 챔버.
The method of claim 1,
The walls 430; 528; 529; 530; 531 of the load lock chamber 122; 422; 522 include at least one side wall 529; 531, a bottom wall 430; 530, and a top wall 528. wherein the particle trap (127; 427; 527) is located on the bottom wall (430; 530) of the load lock chamber (122; 422; 522);
load lock chamber.
제 1 항 내지 제 6 항 또는 제 8 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 로드 락 챔버(122; 422; 522)는, 상기 로드 락 챔버에서 상기 입자 트랩을 홀딩(holding)하기 위한 금속 고정 디바이스를 포함하는,
로드 락 챔버.
9. The method according to any one of claims 1 to 6 or 8,
wherein the load lock chamber (122; 422; 522) comprises a metal holding device for holding the particle trap in the load lock chamber.
load lock chamber.
제 1 항 내지 제 6 항 또는 제 8 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 로드 락 챔버(122; 422; 522)는, 상기 입자 트랩(127; 427; 527)을 언와인딩(unwinding) 및 리와인딩(rewinding)하기 위한 언와인딩/리와인딩 시스템을 포함하는,
로드 락 챔버.
9. The method according to any one of claims 1 to 6 or 8,
The load lock chamber (122; 422; 522) comprises an unwinding/rewinding system for unwinding and rewinding the particle trap (127; 427; 527).
load lock chamber.
기판을 프로세싱하기 위한 진공 프로세싱 시스템으로서,
상기 기판(410; 510)을 프로세싱하도록 적응된 진공 프로세싱 챔버(424; 524); 및
대기 조건들로부터 상기 진공 프로세싱 챔버 내로 상기 기판(410; 510)을 이송하도록 구성된, 제 1 항 내지 제 6 항 또는 제 8 항 중 어느 한 항에 기재된 로드 락 챔버(122; 422; 522)
를 포함하는,
진공 프로세싱 시스템.
A vacuum processing system for processing a substrate, comprising:
a vacuum processing chamber (424; 524) adapted to process the substrate (410; 510); and
Load lock chamber (122; 422; 522) according to any one of claims 1 to 6 or 8, configured to transfer the substrate (410; 510) from atmospheric conditions into the vacuum processing chamber.
containing,
vacuum processing system.
제 11 항에 있어서,
상기 프로세싱 챔버(424, 524)에서의 진공은, 10-8 mbar 내지 10-5 mbar의 범위에 있는 압력을 갖는 초-고 진공인,
진공 프로세싱 시스템.
12. The method of claim 11,
The vacuum in the processing chamber (424, 524) is an ultra-high vacuum with a pressure in the range of 10 −8 mbar to 10 −5 mbar;
vacuum processing system.
제 11 항에 있어서,
상기 진공 프로세싱 시스템은, 상기 프로세싱 챔버(424; 524)에서의 증착 프로세스에 대해 적응되는,
진공 프로세싱 시스템.
12. The method of claim 11,
wherein the vacuum processing system is adapted for a deposition process in the processing chamber (424; 524).
vacuum processing system.
기판을 프로세싱하기 위한 진공 프로세싱 시스템으로서,
로드 락 챔버 벽들(430; 528; 529; 530; 531; 430)을 갖고, 상기 진공 로드 락 챔버 내로의 상기 기판을 위한 입구를 제공하기 위한 제 1 진공 밀봉가능 밸브, 및 상기 로드 락 챔버 밖으로의 상기 기판을 위한 출구를 제공하기 위한 제 2 진공 밀봉가능 밸브를 포함하는 진공 로드 락 챔버(122; 422; 522) ― 상기 로드 락 챔버(122; 422; 522)는 상기 기판을 운송하기 위한 기판 운송 시스템을 더 포함함 ―;
상기 기판에 대해 프로세스를 수행하기 위한 하나 또는 그 초과의 프로세스 컴포넌트(들)를 포함하는 진공 프로세싱 챔버(424; 524) ― 상기 로드 락 챔버(122; 422; 522) 및 상기 프로세싱 챔버(424; 524)는 상기 제 2 진공 밀봉가능 밸브를 이용하여 서로 커플링되고, 그에 따라, 프로세싱될 기판이, 상기 기판 운송 시스템에 의해, 상기 로드 락 챔버로부터 상기 제 2 진공 밀봉가능 밸브를 통해 상기 프로세싱 챔버로 이송될 수 있음 ―; 및
적어도, 상기 로드 락 챔버(122; 422; 522)의 하나의 벽(430; 528; 529; 530; 531)에 위치되어 있는 입자 트랩(127; 427; 527)을 포함하고,
상기 로드 락 챔버(122; 422; 522)는, 상기 로드 락 챔버의 벽(430; 528; 529; 530; 531)에 상기 입자 트랩(127; 427; 527)을 위치시키는 것을 허용하는 입자 트랩 고정 디바이스를 더 포함하고,
상기 입자 트랩(127; 427; 527)은 상기 입자 트랩 고정 디바이스에 의하여 적어도 상기 로드 락 챔버의 하나의 벽(430; 528; 529; 530; 531)에 제거가능하게 부착되거나 고정되고,
상기 로드 락 챔버(122; 422; 522)는 하나 또는 그 초과의 데드 존(dead zone)(들)을 포함하고, 상기 하나 또는 그 초과의 데드 존(들)의 기하형상은, 입자들의 축적을 가능하게 하고, 상기 입자 트랩(127; 427; 527)은 상기 로드 락 챔버(122; 422; 522)의 상기 하나 또는 그 초과의 데드 존들에 위치되는,
진공 프로세싱 시스템.
A vacuum processing system for processing a substrate, comprising:
a first vacuum sealable valve having load lock chamber walls (430; 528; 529; 530; 531; 430) for providing an inlet for the substrate into the vacuum load lock chamber; a vacuum load lock chamber (122; 422; 522) comprising a second vacuum sealable valve for providing an outlet for the substrate, the load lock chamber (122; 422; 522) comprising a substrate transport for transporting the substrate further comprising a system;
a vacuum processing chamber (424; 524) including one or more process component(s) for performing a process on the substrate - the load lock chamber (122; 422; 522) and the processing chamber (424; 524) ) are coupled to each other using the second vacuum sealable valve so that a substrate to be processed is transferred, by the substrate transport system, from the load lock chamber to the processing chamber through the second vacuum sealable valve. can be transported -; and
at least a particle trap (127; 427; 527) located in one wall (430; 528; 529; 530; 531) of the load lock chamber (122; 422; 522);
The load lock chamber 122; 422; 522 holds a particle trap allowing positioning of the particle trap 127; 427; 527 on the walls 430; 528; 529; 530; 531 of the load lock chamber. further comprising a device,
the particle trap (127; 427; 527) is removably attached or fixed to at least one wall (430; 528; 529; 530; 531) of the load lock chamber by the particle trap fixing device;
The load lock chamber 122; 422; 522 includes one or more dead zone(s), wherein the geometry of the one or more dead zone(s) is configured to prevent accumulation of particles. wherein the particle trap (127; 427; 527) is located in the one or more dead zones of the load lock chamber (122; 422; 522).
vacuum processing system.
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