KR102254766B1

KR102254766B1 - 높은 전류구동능력을 갖는 수평형 바이폴라 접합 트랜지스터

Info

Publication number: KR102254766B1
Application number: KR1020140154785A
Authority: KR
Inventors: 송현민
Original assignee: 에스케이하이닉스 주식회사
Priority date: 2014-11-07
Filing date: 2014-11-07
Publication date: 2021-05-25
Anticipated expiration: 2034-11-07
Also published as: KR20160055381A; US20160133731A1; US9349846B1; CN106206696B; TW201618298A; TWI671899B; CN106206696A

Abstract

수평형 바이폴라 접합 트랜지스터는, 공통 베이스영역과, 공통 베이스영역 내에서 제1 사선 방향을 따라 상호 이격되도록 배치되는 복수개의 에미터영역들과, 그리고 공통 베이스영역 내에서 제1 사선 방향을 따라 상호 이격되도록 배치되는 복수개의 컬렉터영역들을 포함하며, 에미터영역들 및 컬렉터영역들은, 제2 사선 방향을 따라서 서로 교대로 배치된다.

Description

높은 전류구동능력을 갖는 수평형 바이폴라 접합 트랜지스터{Lateral bipolar junction transistor having high current driving capability}

본 출원은 바이폴라 접합 트랜지스터에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 높은 전류구동능력을 갖는 수평형 바이폴라 접합 트랜지스터에 관한 것이다.

신호증폭회로나 기준전압회로과 같은 다양한 회로들을 구현하는데 있어서 바이폴라 접합 트랜지스터들이 유용하게 사용되고 있다. 바이폴라 접합 트랜지스터들은 순수 바이폴라 반도체 기술을 기반으로 제조될 수도 있지만, 또한 씨모스(CMOS; Complementary Metal Oxide Semiconductor) 또는 디모스(DMOS; Double Diffused Metal Oxide Seminconductor) 소자들과 바이폴라 접합 트랜지스터들을 조합하는 혼합기술에 의해서도 제조될 수 있다. 이로 인해 바이폴라 접합 트랜지스터의 응용분야는 자동화기기, 가전, 또는 그 밖의 여러 산업 전자제품 분야로 다양하게 확장하는 것이 가능해지고 있다. 씨모스(CMOS) 부합 공정을 이용하여 형성되는 바이폴라 접합 트랜지스터들은 수평형 바이폴라 접합 트랜지스터들로 불리워지고 있으며, 높은 문턱주파수(Ft) 및 높은 베타값을 갖는 것으로 알려져 있다.

본 출원이 해결하고자 하는 과제는, 면적당 전류구동능력이 높은 동작특성을 갖는 수평형 바이폴라 접합 트랜지스터를 제공하는 것이다.

일 예에 따른 수평형 바이폴라 접합 트랜지스터는, 공통 베이스영역과, 공통 베이스영역 내에서 제1 사선 방향을 따라 상호 이격되도록 배치되는 복수개의 에미터영역들과, 그리고 공통 베이스영역 내에서 제1 사선 방향을 따라 상호 이격되도록 배치되는 복수개의 컬렉터영역들을 포함하며, 에미터영역들 및 컬렉터영역들은, 제2 사선 방향을 따라서 서로 교대로 배치된다.

여러 실시예들에 따르면, 동일 면적상에서 컬렉터-베이스 접합 면적과, 에미터-베이스 접합 면적을 모두 증가시킬 수 있으며, 이에 따라 전류구동능력을 향상시킬 수 있다는 이점이 제공된다.

도 1은 일반적인 npn 수평형 바이폴라 접합 트랜지스터를 나타내 보인 평면도이다.
도 2는 일 예에 따른 수평형 바이폴라 접합 트랜지스터를 나타내 보인 평면도이다.
도 3은 도 2의 선 I-I'를 따라 절단하여 나타내 보인 단면 구조의 일 예이다.
도 4는 도 2의 수평형 바이폴라 접합 트랜지스터의 액티브 모드에서 컬렉터 단자로부터 에미터 단자로의 전류 이동 경로들을 나타내 보인 평면도이다.
도 5는 도 1의 선 I-I'를 따라 절단하여 나타내 보인 단면 구조의 다른 예이다.
도 6은 다른 예에 따른 수평형 바이폴라 접합 트랜지스터를 나타내 보인 평면도이다.
도 7은 도 6의 선 II-II'를 따라 절단하여 나타내 보인 단면 구조의 일 예이다.
도 8은 도 6의 선 II-II'를 따라 절단하여 나타내 보인 단면 구조의 다른 예이다.
도 9는 도 6의 선 II-II'를 따라 절단하여 나타내 보인 단면 구조의 또 다른 예이다.
도 10은 도 6의 수평형 바이폴라 접합 트랜지스터의 액티브 모드에서 에미터 단자로부터 컬렉터 단자로의 전류 이동 경로들을 나타내 보인 평면도이다.

본 출원의 예의 기재에서 "제1" 및 "제2"와 같은 기재는 부재를 구분하기 위한 것이며, 부재 자체를 한정하거나 특정한 순서를 의미하는 것으로 사용된 것은 아니다. 또한, 어느 부재의 "상"에 위치하거나 "상부", "하부", 또는 "측면"에 위치한다는 기재는 상대적인 위치 관계를 의미하는 것이지 그 부재에 직접 접촉하거나 또는 사이 계면에 다른 부재가 더 도입되는 특정한 경우를 한정하는 것은 아니다. 또한, 어느 한 구성 요소가 다른 구성 요소에 "연결되어 있다"거나 "접속되어 있다"의 기재는, 다른 구성 요소에 전기적 또는 기계적으로 직접 연결되어 있거나 또는 접속되어 있을 수 있으며, 또는, 중간에 다른 별도의 구성 요소들이 개재되어 연결 관계 또는 접속 관계를 구성할 수도 있다.

도 1은 일반적인 npn 수평형 바이폴라 접합 트랜지스터를 나타내 보인 평면도이다. 도 1을 참조하면, npn 수평형 바이폴라 접합 트랜지스터(10)는, 도핑된 영역들, 즉 에미터영역(E)(12), 베이스영역(B)(14), 및 컬렉터영역(C)(16)을 포함한다. 에미터영역(E)(12)은 베이스영역(B)(14)에 의해 둘러싸이고, 베이스영역(B)(14)은 컬렉터영역(C)(16)에 의해 둘러싸인다. 에미터영역(E)(12)은 n+ 도전형으로 이루어지고, 베이스영역(B)(14)은 p+ 도전형으로 이루어지며, 그리고 컬렉터영역(C)(16)은 n- 도전형으로 이루어진다. npn 수평형 바이폴라 접합 트랜지스터(10)에 있어서, 에미터영역(E)(12)과 베이스영역(B)(14)의 접합에 일정 크기의 순방향 바이어스가 인가하고, 컬렉터영역(C)(16)과 베이스영역(B)(14)의 접합에 일정 크기의 역방향 바이어스가 인가되면, 도면에서 화살표(20)로 나타낸 바와 같이, 컬렉터영역(C)(16)에서 에미터영역(E)(12)으로 전류가 흐른다. 이때 흐르는 전류량은 에미터영역(E)(12)과 베이스영역(B)(14)의 접합 면적에 의해 제한된다. 에미터영역(E)(12)과 베이스영역(B)(14)의 접합 면적을 증가시키면 전류 구동 능력은 증가되지만, 소자가 차지하는 면적도 증가한다.

도 2는 일 예에 따른 수평형 바이폴라 접합 트랜지스터를 나타내 보인 평면도이다. 도 2를 참조하면, 본 예에 따른 수평형 바이폴라 접합 트랜지스터(100)는, npn 수평형 바이폴라 접합 트랜지스터로서, 공통 베이스영역(120) 내에 복수개의 에미터영역들(131-137) 및 컬렉터영역들(141-146)이 아일랜드(islands) 형태로 배치되는 평면 구조를 갖는다. 공통 베이스영역(120)은, 저농도의 베이스영역(122) 및 고농도의 베이스영역(124)을 포함한다. 저농도의 베이스영역(122)은 p 도전형을 갖는다. 고농도의 베이스영역(124)은 p+ 도전형을 갖는다. 저농도의 베이스영역(122)은 고농도의 베이스영역(124)을 둘러싸도록 배치된다. 일 예에서 저농도의 베이스영역(122)은 사각형의 평면 형상을 가질 수 있다. 일 예에서 고농도의 베이스영역(124)도 사각형의 평면 형상을 가질 수 있다.

에미터영역들(131-137)은 n+ 도전형을 갖는다. 컬렉터영역들(141-146)은 n- 도전형을 갖는다. 에미터영역들(131-137)은, 제1 에미터영역들(131-135), 제2 에미터영역(136), 및 제3 에미터영역(137)을 포함한다. 제1 에미터영역들(131-135)은, 고농도 베이스영역(124)의 모서리들 중 마주보는 왼쪽 위 모서리와 오른쪽 아래 모서리를 제1 사선방향을 따라 잇는 라인(210)에서 상호 이격되도록 배치된다. 제2 에미터영역(136)은, 고농도 베이스영역(124)의 오른쪽 위 모서리에 배치된다. 제3 에미터영역(137)은, 고농도 베이스영역(124)의 왼쪽 아래 모서리에 배치된다. 컬렉터영역들(141-146)은 제1 컬렉터영역들(141-143) 및 제2 컬렉터영역들(144-146)을 포함한다. 제1 컬렉터영역들(141-143)은, 제1 에미터영역들(131-135)과 제2 에미터영역(136) 사이에서 제1 사선 방향을 따라 상호 이격되도록 배치된다. 제2 컬렉터영역들(144-146)은, 제1 에미터영역들(131-135)과 제3 에미터영역(137) 사이에서 제1 사선 방향을 따라 상호 이격되도록 배치된다. 이와 같은 평면 배치 구조에 따라, 제1 사선 방향과 수직하게 교차하는 제2 사선 방향을 따라서는 에미터영역과 컬렉터영역이 교대로 배치된다.

도 3은 도 2의 선 I-I'를 따라 절단하여 나타내 보인 단면 구조의 일 예이다. 도 3을 도 2와 함께 참조하면, p형 도전형의 기판(102)의 상부 영역에 n형 도전형의 딥웰영역(104)이 배치된다. 딥웰영역(104)의 상부 영역에는, 공통 베이스영역(120)의 일부를 구성하는 저농도 베이스영역(122)이 배치된다. 저농도 베이스영역(122)의 상부에는 제1 에미터영역(133), 제1 컬렉터영역(143), 및 제2 컬랙터영역(144)이 상호 이격되도록 배치된다. 제1 에미터영역(133), 제1 컬렉터영역(143), 및 제2 컬랙터영역(144)의 측면들 사이에는 고농도 베이스영역(124)이 배치된다.

제1 에미터영역(133)은 고농도 베이스영역(124)의 접합깊이와 동일한 접합깊이를 가질 수 있다. 비록 본 단면 구조에 나타내지 않았지만, 도 2의 모든 에미터영역들(131-137)의 각각은 실질적으로 동일한 접합 깊이를 갖는다. 반면에 제1 컬렉터영역(143) 및 제2 컬렉터영역(144)은, 각각 고농도 베이스영역(124)의 접합깊이보다 깊은 접합깊이를 가질 수 있다. 마찬가지로 도 2의 모든 제1 컬렉터영역들(141-143) 및 제2 컬렉터영역들(144-146)의 각각도 실질적으로 동일한 접합 깊이를 갖는다. 제1 컬렉터영역(143) 및 제2 컬렉터영역(144)은, n-형 도전형을 가짐에 따라 기판(102)의 다른 영역에 배치되는 다른 반도체소자, 예컨대 모스(MOS) 구조의 트랜지스터의 n-형 확산영역 형성과 동일한 과정에 의해 형성될 수 있다. 제1 컬렉터영역(143) 및 제2 컬렉터영역(144)과, 고농도 베이스영역(124)은, 각각 모스 구조의 트랜지스터의 n+형 소스/드레인영역 및 p+형 바디컨택영역 형성과 동일한 과정에 의해 형성될 수 있다. n-형 확산영역이, n+형 소스/드레인영역 및 p+형 바디컨택영역보다 깊은 접합깊이를 갖는 경우, 예에서와 같이 제1 컬렉터영역(143) 및 제2 컬렉터영역(144)의 접합깊이는 고농도 베이스영역(124)보다 깊을 수 있다.

딥웰영역(104)은 저농도 베이스영역(122)을 전기적으로 고립시키는데 이용될 수 있다. 예컨대 딥웰영역(104)에 저농도 베이스영역(122)에 인가되는 바이어스 크기보다 큰 바이어스를 인가하면, 저농도 베이스영역(122) 및 딥웰영역(104)의 접합면에 형성되는 기생 pn 다이오드는 역방향 바이어스가 인가되어 전기적으로 개방(open) 상태가 된다. 이에 따라 저농도 베이스영역(122)은 기판(102)의 다른 영역에 배치되는 다른 소자들과 전기적으로 격리될 수 있으며, 또한 기판(102)은 바이폴라 접합 트랜지스터의 동작에 영향을 받지 않을 수 있다.

제1 에미터영역(133)은 에미터단자(E)에 전기적으로 연결된다. 비록 본 단면 구조에서는 복수개의 에미터영역들(131-137) 중 하나의 제1 에미터영역(133)만 도시되어 있지만, 도 2의 모든 에미터영역들(131-137)은 하나의 에미터단자(E)에 공통으로 연결된다. 제1 컬렉터영역(143) 및 제2 컬렉터영역(144)은 컬렉터단자(C)에 전기적으로 연결된다. 도 2의 모든 제1 컬렉터영역들(141-143) 및 제2 컬렉터영역들(144-146)은 모두 하나의 컬렉터단자(C)에 공통으로 연결된다. 고농도 베이스영역(124)은 베이스단자(B)에 전기적으로 연결된다. 저농도 베이스영역(124) 및 고농도 베이스영역(124)은 모두 p형의 도전형으로 이루어짐에 따라, 베이스단자(B)로부터 인가되는 바이어스는 고농도 베이스영역(124)을 통해 저농도 베이스영역(124)에도 인가된다.

에미터 단자(E)와 베이스 단자(B) 사이에 순방향 바이어스가 인가되고, 컬렉터 단자(C)와 베이스 단자(B) 사이에 역방향 바이어스가 인가되면, 수평형 바이폴라 접합 트랜지스터(100)는 액티브 모드(active mode)에서 동작한다. 액티브 모드에서, npn 수평형 바이폴라 접합 트랜지스터(100)는, 전류에 대부분을 기여하는 전자들이 에미터 단자(E)에서 컬렉터 단자(C)로 이동한다. 이에 따라 전류는 컬렉터 단자(C)에서 에미터 단자(E)로 흐른다. 구체적으로 제1 에미터영역(133)의 경우, 도면에서 화살표(311)로 나타낸 바와 같이, 제1 컬렉터영역(143)의 측면으로부터 전류가 흐르며, 동시에 도면에서 화살표(312)로 나타낸 바와 같이, 제2 컬렉터영역(144)의 측면으로부터 전류가 흐른다.

도 4는 도 2의 수평형 바이폴라 접합 트랜지스터의 액티브 모드에서 컬렉터 단자(C)로부터 에미터 단자(E)로 전류가 이동하는 경로들을 나타내 보인 평면도이다. 도 4에서 도 2와 동일한 참조부호는 동일한 요소를 나타내며, 중복되는 설명은 생략하기로 한다. 도 4를 참조하면, 가운데 배치되는 제1 에미터영역(133)은, 도 3을 참조하여 설명한 바와 같이, 우측의 제1 컬렉터영역(143)으로부터의 수평적 전류 이동 경로(312)와 좌측의 제2 컬렉터영역(144)으로부터의 수평적 전류 이동 경로(311)를 갖는다. 이 외에도 동일한 원리로 위쪽의 제1 컬렉터영역(141)으로부터의 수평적 전류 이동 경로(313)와 아래쪽의 제2 컬렉터영역(146)으로부터의 수평적 전류 이동 경로(314)를 갖는다. 이에 따라 제1 에미터영역(133)은, 고농도 베이스영역(124)과 접하는 모든 접합면들, 즉 좌측 접합면 및 우측 접합면과 상측 접합면 및 하측 접합면에 모두 전류 이동 경로들(311, 312, 313, 314)이 형성된다.

제1 에미터영역(132)의 경우, 제1 컬렉터영역(142)으로부터의 전류 이동 경로(321) 및 제2 컬렉터영역(145)으로부터의 전류 이동 경로(322)를 갖는다. 이에 따라 제1 에미터영역(132)은, 고농도 베이스영역(124)과 접하는 접합면들 중 우측 접합면 및 하측 접합면에 전류 이동 경로들(321, 322)이 형성된다. 제1 에미터영역(131)의 경우, 제1 컬렉터영역(141)으로부터의 전류 이동 경로(331) 및 제2 컬렉터영역(144)으로부터의 전류 이동 경로(332)를 갖는다. 이에 따라 제1 에미터영역(131)도, 고농도 베이스영역(124)과 접하는 접합면들 중 우측 접합면 및 하측 접합면에 전류 이동 경로들(321, 322)이 형성된다.

제1 에미터영역(134)의 경우, 제1 컬렉터영역(142)으로부터의 전류 이동 경로(341) 및 제2 컬렉터영역(145)으로부터의 전류 이동 경로(342)를 갖는다. 이에 따라 제1 에미터영역(134)은, 고농도 베이스영역(124)과 접하는 접합면들 중 상측 접합면 및 좌측 접합면에 전류 이동 경로들(341, 342)이 형성된다. 제1 에미터영역(135)의 경우, 제1 컬렉터영역(143)으로부터의 전류 이동 경로(351) 및 제2 컬렉터영역(146)으로부터의 전류 이동 경로(352)를 갖는다. 이에 따라 제1 에미터영역(135)도, 고농도 베이스영역(124)과 접하는 접합면들 중 상측 접합면 및 좌측 접합면에 전류 이동 경로들(351, 352)이 형성된다.

제2 에미터영역(136)의 경우, 제1 컬렉터영역들(141, 143)로부터의 전류 이동 경로들(361, 362)을 갖는다. 이에 따라 제2 에미터영역(136)은, 고농도 베이스영역(124)과 접하는 접합면들 중 좌측 접합면 및 하측 접합면에 전류 이동 경로들(361, 362)이 형성된다. 유사하게, 제3 에미터영역(137)의 경우, 제2 컬렉터영역들(144, 146)로부터의 전류 이동 경로들(371, 372)을 갖는다. 이에 따라 제3 에미터영역(137)은, 고농도 베이스영역(124)과 접하는 접합면들 중 상측 접합면 및 우측 접합면에 전류 이동 경로들(371, 372)이 형성된다.

지금까지 기술한 바와 같이, 본 예에 따른 수평형 바이폴라 접합 트랜지스터(100)는 모두 16개의 에미터-베이스 접합면들에 전류 이동 경로들이 형성된다. 단지 4개의 에미터-베이스 접합면들에서 전류 이동 경로들이 형성되는 도 1의 바이폴라 접합 트랜지스터(10)의 경우와 비교할 때, 동일한 면적에서 16개의 에미터-베이스 접합면들에 전류 이동 경로들이 형성된다. 비록 동일 면적에서 하나의 에미터-베이스 접합면의 면적은 줄어들 수 있지만, 면적이 줄어드는 비율보다는 접합면들의 개수 증가가 월등하므로, 동일 면적에서의 전류 구동 능력은 증가된다.

도 5는 도 1의 선 I-I'를 따라 절단하여 나타내 보인 단면 구조의 다른 예이다. 도 5에서 도 2 및 도 3과 동일한 참조부호는 동일한 구성요소를 의미한다. 도 5를 도 2와 함께 참조하면, p형 도전형의 기판(102)의 상부 영역에 p형 도전형의 반도체층(410)이 배치된다. 반도체층(410)은 에피택셜 공정에 의해 형성될 수 있다. 기판(102)과 반도체층(410)의 접합면에는 n+형 도전형의 매몰층(420)이 배치된다. 매몰층(420)은 기판(102)과 반도체층(410)의 접합면에서 수직 방향으로 확산된 도핑영역이다. 매몰층(420)의 단부는 n+형 도전형의 싱크영역(430)의 하부면과 접한다. 싱크영역(430)은 매몰층(420)과의 접합면으로부터 반도체층(410)의 상부면까지 연장된다. 비록 도면에 나타내지는 않았지만, 반도체층(410)의 상부면과 싱크영역(430)의 상부면 사이에는 n+형의 싱크컨택영역이 배치될 수도 있다. 싱크영역(430) 및 매몰층(420)에 의해 둘러싸이는 반도체층(410)는 저농도 베이스영역(122)을 구성한다. 싱크영역(430) 및 매몰층(420)에 일정 크기 이상의 포지티브 바이어스를 인가함으로써, 저농도 베이스영역(122)은 싱크영역(430) 및 매몰층(420)에 의해 기판(102)의 다른 영역에 배치되는 다른 소자들과 전기적으로 격리될 수 있으며, 또한 기판(102)은 바이폴라 접합 트랜지스터의 동작에 영향을 받지 않을 수 있다.

저농도 베이스영역(122)의 상부에는 제1 에미터영역(133), 제1 컬렉터영역(143), 및 제2 컬랙터영역(144)이 상호 이격되도록 배치된다. 제1 에미터영역(133), 제1 컬렉터영역(143), 및 제2 컬랙터영역(144)의 측면들 사이에는 고농도 베이스영역(124)이 배치된다. 제1 에미터영역(133)은 고농도 베이스영역(124)의 접합깊이와 동일한 접합깊이를 가질 수 있다. 비록 본 단면 구조에 나타내지 않았지만, 도 2의 모든 에미터영역들(131-137)의 각각은 실질적으로 동일한 접합 깊이를 갖는다. 반면에 제1 컬렉터영역(143) 및 제2 컬렉터영역(144)은, 각각 고농도 베이스영역(124)의 접합깊이보다 깊은 접합깊이를 가질 수 있다. 마찬가지로 도 2의 모든 제1 컬렉터영역들(141-143) 및 제2 컬렉터영역들(144-146)의 각각도 실질적으로 동일한 접합 깊이를 갖는다.

제1 에미터영역(133)은 에미터단자(E)에 전기적으로 연결된다. 비록 본 단면 구조에서는 복수개의 에미터영역들(131-137) 중 하나의 제1 에미터영역(133)만 도시되어 있지만, 도 2의 모든 에미터영역들(131-137)은 하나의 에미터단자(E)에 공통으로 연결된다. 제1 컬렉터영역(143) 및 제2 컬렉터영역(144)은 컬렉터단자(C)에 전기적으로 연결된다. 도 2의 모든 제1 컬렉터영역들(141-143) 및 제2 컬렉터영역들(144-146)은 모두 하나의 컬렉터단자(C)에 공통으로 연결된다. 고농도 베이스영역(124)은 베이스단자(B)에 전기적으로 연결된다. 저농도 베이스영역(122) 및 고농도 베이스영역(124)은 모두 p형의 도전형으로 이루어짐에 따라, 베이스단자(B)로부터 인가되는 바이어스는 고농도 베이스영역(124)을 통해 저농도 베이스영역(122)에도 인가된다.

에미터 단자(E)와 베이스 단자(B) 사이에 순방향 바이어스가 인가되고, 컬렉터 단자(C)와 베이스 단자(B) 사이에 역방향 바이어스가 인가되면, 수평형 바이폴라 접합 트랜지스터(400)는 액티브 모드(active mode)에서 동작한다. 액티브 모드에서, npn 수평형 바이폴라 접합 트랜지스터(400)는, 전류에 대부분을 기여하는 전자들이 에미터 단자(E)에서 컬렉터 단자(C)로 이동한다. 이에 따라 전류는 컬렉터 단자(C)에서 에미터 단자(E)로 흐른다. 구체적으로 제1 에미터영역(133)의 경우, 도면에서 화살표(311)로 나타낸 바와 같이, 제1 컬렉터영역(143)의 측면으로부터 전류가 흐르며, 동시에 도면에서 화살표(312)로 나타낸 바와 같이, 제2 컬렉터영역(144)의 측면으로부터 전류가 흐른다. 본 예에 다른 수평형 바이폴라 접합 트랜지스터(400)에서의 전류 이동 경로들의 분포는 도 4를 참조하여 설명한 바와 동일하다.

도 6은 다른 예에 따른 수평형 바이폴라 접합 트랜지스터를 나타내 보인 평면도이다. 도 6을 참조하면, 본 예에 따른 수평형 바이폴라 접합 트랜지스터(500)는, pnp 수평형 바이폴라 접합 트랜지스터로서, 공통 베이스영역(520) 내에 복수개의 에미터영역들(531-537) 및 컬렉터영역들(541-546)이 아일랜드(islands) 형태로 배치되는 평면 구조를 갖는다. 공통 베이스영역(520)은, 저농도의 베이스영역(522) 및 고농도의 베이스영역(524)을 포함한다. 저농도의 베이스영역(522)은 n형의 도전형을 갖는다. 고농도의 베이스영역(524)은 n+형의 도전형을 갖는다. 저농도의 베이스영역(522)은 고농도의 베이스영역(524)을 둘러싸도록 배치된다. 일 예에서 저농도의 베이스영역(522)은 사각형의 평면 형상을 가질 수 있다. 일 예에서 고농도의 베이스영역(524)도 사각형의 평면 형상을 가질 수 있다.

에미터영역들(531-537)은 p+형의 도전형을 갖는다. 컬렉터영역들(541-546)은 p-형의 도전형을 갖는다. 에미터영역들(531-537)은, 제1 에미터영역들(531-535), 제2 에미터영역(536), 및 제3 에미터영역(537)을 포함한다. 제1 에미터영역들(531-535)은, 고농도 베이스영역(524)의 모서리들 중 마주보는 왼쪽 위 모서리와 오른쪽 아래 모서리를 제1 사선방향을 따라 잇는 라인(610)에서 상호 이격되도록 배치된다. 제2 에미터영역(536)은, 고농도 베이스영역(524)의 오른쪽 위 모서리에 배치된다. 제3 에미터영역(537)은, 고농도 베이스영역(524)의 왼쪽 아래 모서리에 배치된다. 컬렉터영역들(541-546)은 제1 컬렉터영역들(541-543) 및 제2 컬렉터영역들(544-546)을 포함한다. 제1 컬렉터영역들(541-543)은, 제1 에미터영역들(531-535)과 제2 에미터영역(536) 사이에서 제1 사선 방향을 따라 상호 이격되도록 배치된다. 제2 컬렉터영역들(544-546)은, 제1 에미터영역들(531-535)과 제3 에미터영역(537) 사이에서 제1 사선 방향을 따라 상호 이격되도록 배치된다. 이와 같은 평면 배치 구조에 따라, 제1 사선 방향과 수직하게 교차하는 제2 사선 방향을 따라서는 에미터영역과 컬렉터영역이 교대로 배치된다.

도 7은 도 6의 선 II-II'를 따라 절단하여 나타내 보인 단면 구조의 일 예이다. 도 7을 도 6과 함께 참조하면, p형 도전형의 기판(502)의 상부 영역에 p형 도전형의 제1 딥웰영역(504)이 배치된다. 제1 딥웰영역(504)은, 기판(502)의 다른 영역에 배치되는 소자들이 p형 웰영역을 형성할 때 함께 형성될 수 있다. 따라서 다른 소자들이 p형 웰영역을 갖지 않을 경우 제1 딥웰영역(504)은 생략될 수도 있다. 제1 딥웰영역(504)의 상부 영역에는, 공통 베이스영역(520)의 일부를 구성하는 저농도 베이스영역(522)이 배치된다. 저농도 베이스영역(522)의 상부에는 제1 에미터영역(533), 제1 컬렉터영역(543), 및 제2 컬랙터영역(544)이 상호 이격되도록 배치된다. 제1 에미터영역(533), 제1 컬렉터영역(543), 및 제2 컬랙터영역(544)의 측면들 사이에는, 저농도 베이스영역(522)과 함께 공통 베이스영역(520)을 구성하는 고농도 베이스영역(524)이 배치된다.

제1 에미터영역(533)은 고농도 베이스영역(524)의 접합깊이와 동일한 접합깊이를 가질 수 있다. 비록 본 단면 구조에 나타내지 않았지만, 도 6의 모든 에미터영역들(531-537)의 각각은 실질적으로 동일한 접합 깊이를 갖는다. 반면에 제1 컬렉터영역(543) 및 제2 컬렉터영역(544)은, 각각 고농도 베이스영역(524)의 접합깊이보다 깊은 접합깊이를 가질 수 있다. 마찬가지로 도 6의 모든 제1 컬렉터영역들(541-143) 및 제2 컬렉터영역들(544-146)의 각각도 실질적으로 동일한 접합 깊이를 갖는다. 제1 컬렉터영역(543) 및 제2 컬렉터영역(544)은, p-형 도전형을 가짐에 따라 기판(502)의 다른 영역에 배치되는 다른 반도체소자, 예컨대 모스(MOS) 구조의 트랜지스터의 p-형 확산영역 형성과 동일한 과정에 의해 형성될 수 있다. 제1 컬렉터영역(543) 및 제2 컬렉터영역(544)과, 고농도 베이스영역(524)은, 각각 p채널형 모스 트랜지스터의 p+형 소스/드레인영역 및 n+형 바디컨택영역 형성과 동일한 과정에 의해 형성될 수 있다. p-형 확산영역은, p+형 소스/드레인영역 및 n+형 바디컨택영역보다 깊은 접합깊이를 갖는 것이 일반적이며, 이에 따라 본 예에서와 같이 제1 컬렉터영역(543) 및 제2 컬렉터영역(544)의 접합깊이는 상대적으로 깊을 수 있다.

제1 딥웰영역(504) 및/또는 기판(502)은 p형 도전형으로 이루어지고, 저농도 베이스영역(522)은 n형 도전형으로 이루어짐에 따라 접합면에는 기생 pn 다이오드가 형성된다. 따라서 제1 딥웰영역(504) 및/또는 기판(502)보다 저농도 베이스영역(522)에 높은 바이어스가 인가되면, 기생 pn 다이오드는 역방향 바이어스가 인가되어 전기적으로 개방(open) 상태가 된다. 이에 따라 저농도 베이스영역(522)은 기판(502)의 다른 영역에 배치되는 다른 소자들과 전기적으로 격리될 수 있으며, 또한 기판(502)은 바이폴라 접합 트랜지스터의 동작에 영향을 받지 않을 수 있다.

제1 에미터영역(533)은 에미터단자(E)에 전기적으로 연결된다. 비록 본 단면 구조에서는 복수개의 에미터영역들(531-537) 중 하나의 제1 에미터영역(533)만 도시되어 있지만, 도 6의 모든 에미터영역들(531-537)은 하나의 에미터단자(E)에 공통으로 연결된다. 제1 컬렉터영역(543) 및 제2 컬렉터영역(544)은 컬렉터단자(C)에 전기적으로 연결된다. 도 6의 모든 제1 컬렉터영역들(541-543) 및 제2 컬렉터영역들(544-546)은 모두 하나의 컬렉터단자(C)에 공통으로 연결된다. 고농도 베이스영역(524)은 베이스단자(B)에 전기적으로 연결된다. 저농도 베이스영역(524) 및 고농도 베이스영역(524)은 모두 n형의 도전형으로 이루어짐에 따라, 베이스단자(B)로부터 인가되는 바이어스는 고농도 베이스영역(524)을 통해 저농도 베이스영역(524)에도 인가된다.

에미터 단자(E)와 베이스 단자(B) 사이에 순방향 바이어스가 인가되고, 컬렉터 단자(C)와 베이스 단자(B) 사이에 역방향 바이어스가 인가되면, 수평형 바이폴라 접합 트랜지스터(500)는 액티브 모드(active mode)에서 동작한다. 액티브 모드에서, pnp 수평형 바이폴라 접합 트랜지스터(500)는, 전류에 대부분을 기여하는 홀들이 에미터 단자(E)에서 컬렉터 단자(C)로 이동한다. 이에 따라 전류는 에미터 단자(E)에서 컬렉터 단자(C)로 흐른다.

도 8은 도 6의 선 II-II'를 따라 절단하여 나타내 보인 단면 구조의 다른 예이다. 도 8에서 도 6 및 도 7과 동일한 참조부호는 동일한 구성요소를 의미한다. 도 8를 도 6과 함께 참조하면, p형 도전형의 기판(502)의 상부 영역에 p형 도전형의 제1 딥웰영역(504)이 배치된다. 제1 딥웰영역(504)은 기판(502) 내의 n형 도전형의 제2 딥웰영역(503)에 의해 둘러싸인다. 즉 제2 딥웰영역(503)은 기판(502) 내에서 상부면이 노출되고, 제1 딥웰영역(504)은 제2 딥웰영역(503) 내에서 상부면이 노출된다. 제1 딥웰영역(504)의 상부 영역에는, 공통 베이스영역(520)의 일부를 구성하는 저농도 베이스영역(522)이 배치된다. 저농도 베이스영역(522)의 상부에는 제1 에미터영역(533), 제1 컬렉터영역(543), 및 제2 컬랙터영역(544)이 상호 이격되도록 배치된다. 제1 에미터영역(533), 제1 컬렉터영역(543), 및 제2 컬랙터영역(544)의 측면들 사이에는, 저농도 베이스영역(522)과 함께 공통 베이스영역(520)을 구성하는 고농도 베이스영역(524)이 배치된다.

p형의 제1 딥웰영역(504)과 n형의 저농도 베이스영역(522)의 접합면에는 제1 기생 pn 다이오드가 형성된다. 또한 p형의 제1 딥웰영역(504)과 n형의 제2 딥웰영역(503)의 접합면에는 제2 기생 pn 다이오드가 형성된다. 따라서 제1 딥웰영역(504)보다 저농도 베이스영역(522)에 상대적으로 높은 바이어스가 인가되면, 제1 기생 pn 다이오드는 역방향 바이어스가 인가되어 전기적으로 개방(open) 상태가 된다. 또한 제1 딥웰영역(504)보다 제2 딥웰영역(503)에 상대적으로 높은 바이어스가 인가되면, 제2 기생 pn 다이오드는 역방향 바이어스가 인가되어 전기적으로 개방 상태가 된다. 어느 경우이던지, 저농도 베이스영역(522)은 기판(502)의 다른 영역에 배치되는 다른 소자들과 전기적으로 격리될 수 있으며, 또한 기판(502)은 바이폴라 접합 트랜지스터의 동작에 영향을 받지 않을 수 있다.

제1 에미터영역(533)은 에미터단자(E)에 전기적으로 연결된다. 비록 본 단면 구조에서는 복수개의 에미터영역들(531-537) 중 하나의 제1 에미터영역(533)만 도시되어 있지만, 도 6의 모든 에미터영역들(531-537)은 하나의 에미터단자(E)에 공통으로 연결된다. 제1 컬렉터영역(543) 및 제2 컬렉터영역(544)은 컬렉터단자(C)에 전기적으로 연결된다. 도 6의 모든 제1 컬렉터영역들(541-543) 및 제2 컬렉터영역들(544-546)은 모두 하나의 컬렉터단자(C)에 공통으로 연결된다. 고농도 베이스영역(524)은 베이스단자(B)에 전기적으로 연결된다. 저농도 베이스영역(522) 및 고농도 베이스영역(524)은 모두 n형의 도전형으로 이루어짐에 따라, 베이스단자(B)로부터 인가되는 바이어스는 고농도 베이스영역(524)을 통해 저농도 베이스영역(522)에도 인가된다. 에미터 단자(E)와 베이스 단자(B) 사이에 순방향 바이어스가 인가되고, 컬렉터 단자(C)와 베이스 단자(B) 사이에 역방향 바이어스가 인가되면, 수평형 바이폴라 접합 트랜지스터(600)는 액티브 모드(active mode)에서 동작한다. 액티브 모드에서, pnp 수평형 바이폴라 접합 트랜지스터(600)는, 전류에 대부분을 기여하는 홀들이 에미터 단자(E)에서 컬렉터 단자(C)로 이동한다. 이에 따라 전류는 에미터 단자(E)에서 컬렉터 단자(C)로 흐른다.

도 9는 도 6의 선 II-II'를 따라 절단하여 나타내 보인 단면 구조의 또 다른 예이다. 도 9에서 도 6 내지 도 8과 동일한 참조부호는 동일한 구성요소를 의미한다. 도 9를 도 6과 함께 참조하면, p형 도전형의 기판(502)의 상부 영역에 p형 도전형의 반도체층(610)이 배치된다. 반도체층(610)은 에피택셜 공정에 의해 형성될 수 있다. 기판(502)과 반도체층(610)의 접합면에는 n+형 도전형의 매몰층(620)이 배치된다. 매몰층(620)은 기판(502)과 반도체층(610)의 접합면에서 수직 방향으로 확산된 도핑영역이다. 매몰층(620)의 단부는 n+형 도전형의 싱크영역(630)의 하부면과 접한다. 싱크영역(630)은 매몰층(620)과의 접합면으로부터 반도체층(610)의 상부면까지 연장된다. 비록 도면에 나타내지는 않았지만, 반도체층(610)의 상부면과 싱크영역(630)의 상부면 사이에는 n+형의 싱크컨택영역이 배치될 수도 있다. 싱크영역(630) 및 매몰층(620)에 의해 둘러싸이는 반도체층(610)에는 p형 도전형의 딥웰영역(710)이 배치된다. 딥웰영역(710)의 상부영역에는 저농도 베이스영역(522)이 배치된다. 싱크영역(630) 및 매몰층(620)에 딥웰영역(710)보다 높은 크기의 바이어스를 인가함으로써, 저농도 베이스영역(522)은 기판(502)의 다른 영역에 배치되는 다른 소자들과 전기적으로 격리될 수 있으며, 또한 기판(502)은 바이폴라 접합 트랜지스터의 동작에 영향을 받지 않을 수 있다.

저농도 베이스영역(522)의 상부에는 제1 에미터영역(533), 제1 컬렉터영역(543), 및 제2 컬랙터영역(544)이 상호 이격되도록 배치된다. 제1 에미터영역(533), 제1 컬렉터영역(543), 및 제2 컬랙터영역(544)의 측면들 사이에는 고농도 베이스영역(524)이 배치된다. 제1 에미터영역(533)은 고농도 베이스영역(524)의 접합깊이와 동일한 접합깊이를 가질 수 있다. 비록 본 단면 구조에 나타내지 않았지만, 도 6의 모든 에미터영역들(531-537)의 각각은 실질적으로 동일한 접합 깊이를 갖는다. 반면에 제1 컬렉터영역(543) 및 제2 컬렉터영역(544)은, 각각 고농도 베이스영역(524)의 접합깊이보다 깊은 접합깊이를 가질 수 있다. 마찬가지로 도 2의 모든 제1 컬렉터영역들(541-543) 및 제2 컬렉터영역들(544-546)의 각각도 실질적으로 동일한 접합 깊이를 갖는다.

제1 에미터영역(533)은 에미터단자(E)에 전기적으로 연결된다. 비록 본 단면 구조에서는 복수개의 에미터영역들(531-537) 중 하나의 제1 에미터영역(533)만 도시되어 있지만, 도 6의 모든 에미터영역들(531-537)은 하나의 에미터단자(E)에 공통으로 연결된다. 제1 컬렉터영역(543) 및 제2 컬렉터영역(544)은 컬렉터단자(C)에 전기적으로 연결된다. 도 6의 모든 제1 컬렉터영역들(541-543) 및 제2 컬렉터영역들(544-546)은 모두 하나의 컬렉터단자(C)에 공통으로 연결된다. 고농도 베이스영역(524)은 베이스단자(B)에 전기적으로 연결된다. 저농도 베이스영역(522) 및 고농도 베이스영역(524)은 모두 n형의 도전형으로 이루어짐에 따라, 베이스단자(B)로부터 인가되는 바이어스는 고농도 베이스영역(524)을 통해 저농도 베이스영역(522)에도 인가된다. 에미터 단자(E)와 베이스 단자(B) 사이에 순방향 바이어스가 인가되고, 컬렉터 단자(C)와 베이스 단자(B) 사이에 역방향 바이어스가 인가되면, 수평형 바이폴라 접합 트랜지스터(700)는 액티브 모드(active mode)에서 동작한다. 액티브 모드에서, pnp 수평형 바이폴라 접합 트랜지스터(700)는, 전류에 대부분을 기여하는 홀들이 에미터 단자(E)에서 컬렉터 단자(C)로 이동한다. 이에 따라 전류는 에미터 단자(E)에서 컬렉터 단자(C)로 흐른다.

도 10은 도 6의 수평형 바이폴라 접합 트랜지스터의 액티브 모드에서 컬렉터 단자(C)로부터 에미터 단자(E)로 전류가 이동하는 경로들을 나타내 보인 평면도이다. 도 10에서 도 6과 동일한 참조부호는 동일한 요소를 나타내며, 중복되는 설명은 생략하기로 한다. 도 10을 참조하면, 가운데 배치되는 제1 에미터영역(533)은, 우측의 제1 컬렉터영역(543)으로의 수평적 전류 이동 경로(812)와 좌측의 제2 컬렉터영역(544)으로의 수평적 전류 이동 경로(811)를 갖는다. 또한 위쪽의 제1 컬렉터영역(541)으로의 수평적 전류 이동 경로(813)와 아래쪽의 제2 컬렉터영역(546)으로의 수평적 전류 이동 경로(814)를 갖는다. 이에 따라 제1 에미터영역(533)은, 고농도 베이스영역(524)과 접하는 모든 접합면들, 즉 좌측 접합면 및 우측 접합면과 상측 접합면 및 하측 접합면에 모두 전류 이동 경로들(811, 812, 813, 814)이 형성된다.

제1 에미터영역(532)의 경우, 제1 컬렉터영역(542)으로의 전류 이동 경로(821) 및 제2 컬렉터영역(545)으로의 전류 이동 경로(822)를 갖는다. 이에 따라 제1 에미터영역(532)은, 고농도 베이스영역(524)과 접하는 접합면들 중 우측 접합면 및 하측 접합면에 전류 이동 경로들(821, 822)이 형성된다. 제1 에미터영역(531)의 경우, 제1 컬렉터영역(541)으로의 전류 이동 경로(831) 및 제2 컬렉터영역(544)으로의 전류 이동 경로(832)를 갖는다. 이에 따라 제1 에미터영역(531)도, 고농도 베이스영역(524)과 접하는 접합면들 중 우측 접합면 및 하측 접합면에 전류 이동 경로들(821, 822)이 형성된다.

제1 에미터영역(534)의 경우, 제1 컬렉터영역(542)으로의 전류 이동 경로(841) 및 제2 컬렉터영역(545)으로의 전류 이동 경로(842)를 갖는다. 이에 따라 제1 에미터영역(534)은, 고농도 베이스영역(524)과 접하는 접합면들 중 상측 접합면 및 좌측 접합면에 전류 이동 경로들(841, 842)이 형성된다. 제1 에미터영역(535)의 경우, 제1 컬렉터영역(543)으로의 전류 이동 경로(851) 및 제2 컬렉터영역(546)으로부터의 전류 이동 경로(852)를 갖는다. 이에 따라 제1 에미터영역(535)도, 고농도 베이스영역(524)과 접하는 접합면들 중 상측 접합면 및 좌측 접합면에 전류 이동 경로들(851, 852)이 형성된다.

제2 에미터영역(536)의 경우, 제1 컬렉터영역들(541, 543)로의 전류 이동 경로들(861, 862)을 갖는다. 이에 따라 제2 에미터영역(536)은, 고농도 베이스영역(524)과 접하는 접합면들 중 좌측 접합면 및 하측 접합면에 전류 이동 경로들(861, 862)이 형성된다. 유사하게, 제3 에미터영역(537)의 경우, 제2 컬렉터영역들(544, 546)로의 전류 이동 경로들(871, 872)을 갖는다. 이에 따라 제3 에미터영역(537)은, 고농도 베이스영역(524)과 접하는 접합면들 중 상측 접합면 및 우측 접합면에 전류 이동 경로들(871, 872)이 형성된다. 이와 같이, 본 예에 따른 수평형 바이폴라 접합 트랜지스터(500)는 모두 16개의 에미터-베이스 접합면들에 전류 이동 경로들이 형성되며, 도 4를 참조하여 설명한 npn 바이폴라 접합 트랜지스터의 경우와 마찬가지로, 단지 4개의 에미터-베이스 접합면들에서 전류 이동 경로들이 형성되는 기존의 수평형 바이폴라 접합 트랜지스터의 경우와 비교할 때, 동일한 면적에서 16개의 에미터-베이스 접합면들에 전류 이동 경로들이 형성된다.

100...npn형 수평형 바이폴라 접합 트랜지스터
120...공통 베이스영역 122...저농도 베이스영역
124...고농도 베이스영역 131-135...제1 에미터영역
136...제2 에미터영역 137...제3 에미터영역
141-143...제1 컬렉터영역 144-146...제2 컬렉터영역

Claims

공통 베이스영역;
상기 공통 베이스영역 내에서 제1 사선 방향을 따라 상호 이격되도록 배치되는 복수개의 에미터영역들; 및
상기 공통 베이스영역 내에서 상기 제1 사선 방향을 따라 상호 이격되도록 배치되는 복수개의 컬렉터영역들을 포함하며,
상기 에미터영역들 및 컬렉터영역들은, 제2 사선 방향을 따라서 서로 교대로 배치되고,
상기 공통 베이스영역은, 상기 에미터영역들 및 컬렉터영역들 사이에 배치되는 고농도 베이스영역과, 상기 고농도 베이스영역, 에미터영역들, 및 컬렉터영역들을 둘러싸도록 배치되는 저농도 베이스영역을 포함하며, 그리고
상기 컬렉터영역들 각각의 측면과 상기 에미터영역들 각각의 측면은 상기 고농도 베이스영역의 측면과 직접 컨택되는 바이폴라 접합 트랜지스터.
◈청구항 2은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.◈

제1항에 있어서,
상기 공통 베이스영역은, 상기 에미터영역들 및 컬렉터영역들의 네 측면들 및 바닥면을 모두 둘러싸도록 배치되는 바이폴라 접합 트랜지스터.
삭제
◈청구항 4은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.◈

제1항에 있어서,
상기 고농도 베이스영역 및 저농도 베이스영역은 p형 도전형을 갖고, 상기 에미터영역들 및 컬렉터영역들은 n형 도전형을 갖는 바이폴라 접합 트랜지스터.
◈청구항 5은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.◈

제4항에 있어서,
상기 저농도 베이스영역을 둘러싸도록 배치되는 딥웰영역을 더 포함하는 바이폴라 접합 트랜지스터.
◈청구항 6은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.◈

제5항에 있어서,
상기 딥웰영역은 n형 도전형을 갖는 바이폴라 접합 트랜지스터.
◈청구항 7은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.◈

제6항에 있어서,
상기 딥웰영역은 p형 도전형의 기판 내에 배치되는 바이폴라 접합 트랜지스터.
◈청구항 8은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.◈

제4항에 있어서,
상기 저농도 베이스영역 하부에 배치되는 매몰층; 및
상기 저농도 베이스영역의 측면에 접하면서 상기 매몰층과 접하는 하부면을 갖는 싱크영역을 더 포함하는 바이폴라 접합 트랜지스터.
◈청구항 9은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.◈

제8항에 있어서,
상기 매몰층 및 싱크영역은 n형 도전형을 갖는 바이폴라 접합 트랜지스터.
◈청구항 10은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.◈

제9항에 있어서,
상기 저농도 베이스영역은 에피택셜층 내에 배치되는 바이폴라 접합 트랜지스터.
◈청구항 11은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.◈

제10항에 있어서,
상기 매몰층은 상기 에피택셜층 및 기판의 접합 부분에 배치되는 바이폴라 접합 트랜지스터.
◈청구항 12은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.◈

제11항에 있어서,
상기 기판은 p형 도전형을 갖는 바이폴라 접합 트랜지스터.
◈청구항 13은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.◈

제12항에 있어서,
상기 고농도 베이스영역 및 저농도 베이스영역은 n형 도전형을 갖고, 상기 에미터영역들 및 컬렉터영역들은 p형 도전형을 갖는 바이폴라 접합 트랜지스터.
◈청구항 14은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.◈

제13항에 있어서,
상기 저농도 베이스영역을 둘러싸도록 배치되는 제1 딥웰영역을 더 포함하는 바이폴라 접합 트랜지스터.
◈청구항 15은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.◈

제14항에 있어서,
상기 제1 딥웰영역은 p형 도전형을 갖는 바이폴라 접합 트랜지스터.
◈청구항 16은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.◈

제15항에 있어서,
상기 제1 딥웰영역은 p형 도전형의 기판 내에 배치되는 바이폴라 접합 트랜지스터.
◈청구항 17은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.◈

제16항에 있어서,
상기 기판 내에서 상기 제1 딥웰영역을 둘러싸도록 배치되는 제2 딥웰영역을 더 포함하는 바이폴라 접합 트랜지스터.
◈청구항 18은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.◈

제17항에 있어서,
상기 제2 딥웰영역은 n형 도전형을 갖는 바이폴라 접합 트랜지스터.
◈청구항 19은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.◈

제15항에 있어서,
상기 제1 딥웰영역 하부에 배치되는 매몰층; 및
상기 제1 딥웰영역의 측면에 접하면서 상기 매몰층과 접하는 하부면을 갖는 싱크영역을 더 포함하는 바이폴라 접합 트랜지스터.
◈청구항 20은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.◈

제19항에 있어서,
상기 매몰층 및 싱크영역은 n형 도전형을 갖는 바이폴라 접합 트랜지스터.
◈청구항 21은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.◈

제20항에 있어서,
상기 제1 딥웰영역은 에피택셜층 내에 배치되는 바이폴라 접합 트랜지스터.
◈청구항 22은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.◈

제21항에 있어서,
상기 매몰층은 상기 에피택셜층 및 기판의 접합 부분에 배치되는 바이폴라 접합 트랜지스터.
◈청구항 23은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.◈

제22항에 있어서,
상기 기판은 p형 도전형을 갖는 바이폴라 접합 트랜지스터.
◈청구항 24은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.◈

제1항에 있어서,
상기 제1 사선 방향 및 제2 사선 방향은 상호 교차하는 방향들이고, 상기 에미터영역들 및 컬렉터영역들은 상기 제2 사선 방향으로의 일직선을 따라서 서로 교대로 배치되는 바이폴라 접합 트랜지스터.
◈청구항 25은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.◈

제1항에 있어서,
상기 공통 베이스영역은, 사각형의 평면 형상을 갖는 바이폴라 접합 트랜지스터.
◈청구항 26은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.◈

제25항에 있어서, 상기 에미터영역들은,
상기 공통 베이스영역의 모서리들 중 마주보는 왼쪽 위 모서리와 오른쪽 아래 모서리를 잇는 라인을 따라서 상호 이격되도록 배치되는 제1 에미터영역들;
상기 공통 베이스영역의 오른쪽 위 모서리에 배치되는 제2 에미터영역; 및
상기 공통 베이스영역의 왼쪽 아래 모서리에 배치되는 제3 에미터영역을 포함하는 바이폴라 접합 트랜지스터.
◈청구항 27은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.◈

제26항에 있어서, 상기 컬렉터영역들은,
상기 제1 에미터영역들과 제2 에미터영역 사이에서 상기 제1 사선 방향을 따라 상호 이격되도록 배치되는 제1 컬렉터영역들; 및
상기 제1 에미터영역들과 제3 에미터영역 사이에서 제1 사선 방향을 따라 상호 이격되도록 배치되는 제2 컬렉터영역들을 포함하는 바이폴라 접합 트랜지스터.