KR102254646B1

KR102254646B1 - Method for correcting photomask, method for manufacturing photomask, photomask, and method for manufacturing display device

Info

Publication number: KR102254646B1
Application number: KR1020190088903A
Authority: KR
Inventors: 켄지 나카야마
Original assignee: 호야 가부시키가이샤
Priority date: 2018-07-30
Filing date: 2019-07-23
Publication date: 2021-05-21
Anticipated expiration: 2039-07-23
Also published as: KR20200013601A; JP2020024406A; CN116626982A; CN110780534A; JP7353094B2; KR102439047B1; CN110780534B; TWI729444B; TW202132909A; TW202013445A; KR20210058792A; TWI821669B

Abstract

위상 시프트 작용을 이용하는 포토마스크에 결함이 발생해도, 정교한 수정을 행할 수 있도록 한다.
투명 기판(1) 상에, 반투광막(2)이 패터닝되어 이루어지는 전사용 패턴을 갖는 포토마스크에 발생한 결함(20)을 수정하는, 포토마스크 수정 방법에 있어서, 결함(20)을 특정하는 공정과, 수정막(4)을 형성하는 수정막 형성 공정을 포함한다. 반투광부(12)는, 노광광의 대표 파장의 광에 대한 투과율 Tm(％)(단 Tm>25)과, 위상 시프트양 φm(도)(단, 160≤φm≤200)을 갖는다. 수정막 형성 공정에서는, 서로 조성이 상이한 제1 막(4a)과 제2 막(4b)을 어느 순서로 적층한다. 제1 막(4a)은 Cr과 O를 포함하고, 제2 막(4b)은 Cr과 O와 C를 포함한다. 제1 막(4a)은 C를 포함하지 않거나, 또는, 제2 막(4b)보다 작은 함유량의 C를 포함하고, 제2 막(4b)은 제1 막(4a)보다 작은 함유량의 O를 포함한다.Even if a defect occurs in the photomask using the phase shift action, precise correction can be performed.
In the photomask correction method of correcting the defect 20 generated in the photomask having the transfer pattern formed by patterning the translucent film 2 on the transparent substrate 1, the process of specifying the defect 20 And, a crystal film forming step of forming the crystal film 4. The semi-transmissive portion 12 has a transmittance Tm (%) with respect to light having a representative wavelength of exposure light (only Tm>25) and a phase shift amount φm (degrees) (however, 160≦φm≦200). In the crystal film formation process, the first film 4a and the second film 4b having different compositions are stacked in any order. The first film 4a contains Cr and O, and the second film 4b contains Cr and O and C. The first film 4a does not contain C, or contains a smaller amount of C than the second film 4b, and the second film 4b contains a smaller amount of O than the first film 4a. do.

Description

A photomask correction method, a photomask manufacturing method, a photomask, and a manufacturing method of a device for a display device TECHNICAL FIELD [METHOD FOR CORRECTING PHOTOMASK, METHOD FOR MANUFACTURING PHOTOMASK, PHOTOMASK, AND METHOD FOR MANUFACTURING DISPLAY DEVICE}

본 발명은, 포토마스크에 발생한 결함을 수정하는 방법에 관한 것이며, 특히 표시 장치 제조용의 포토마스크에 적합한 수정(리페어) 방법, 수정을 행한 포토마스크, 포토마스크의 제조 방법, 포토마스크를 사용한 표시 장치용 디바이스의 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method for correcting defects occurring in a photomask, and in particular, a correction (repair) method suitable for a photomask for manufacturing a display device, a modified photomask, a method for manufacturing a photomask, and a display device using a photomask It relates to a method of manufacturing a device for use.

반도체 집적 회로에 사용되는 포토마스크로서, 감쇠형(또는 하프톤형)의 위상 시프트 마스크가 알려져 있다. 이 위상 시프트 마스크는, 바이너리 마스크의 차광부에 상당하는 부분을, 낮은 투과율과 180도의 위상 시프트양을 갖는 하프톤막에 의해 형성한 것이다.As a photomask used in a semiconductor integrated circuit, an attenuated (or halftone) phase shift mask is known. In this phase shift mask, a portion corresponding to the light shielding portion of the binary mask is formed by a halftone film having a low transmittance and a phase shift amount of 180 degrees.

이와 같은 위상 시프트 마스크가 갖는 위상 시프터부에 결함이 발생한 경우, 위상 시프터 결함부에, 위상 시프터부와 거의 동일한 투과율과, 거의 동일한 위상 시프트양을 갖는 수정 부재를 배치하는 것이, 특허문헌 1에 기재되어 있다.When a defect occurs in the phase shifter part of such a phase shift mask, it is described in Patent Document 1 that a correction member having substantially the same transmittance and substantially the same amount of phase shift as the phase shifter part is disposed in the phase shifter defect part. Has been.

한편, 액정 표시 장치의 제조에는, 그 생산 효율을 높이기 위해, 다계조 포토마스크(멀티톤 마스크)를 사용하는 것이 알려져 있다. 다계조 포토마스크에는, 차광부, 투광부 외에, 투명 기판 상에 반투광막을 형성한 반투광부를 갖는 것이 있고, 이 반투광부에 발생한 결함에, 수정막을 형성하여 수정하는 방법이 특허문헌 2에 기재되어 있다. 이것에 의하면, 투명 기판이 노출되는 투광부와, 투명 기판 상에 수정막을 형성한 수정부의 위상차가 80도 이하가 되도록 한다. 이와 같이 하면, 인접하는 투광부와 수정부의 경계에 있어서, 위상차에 의한 투과율 저하가, 박막 트랜지스터 채널의 단락 등의 문제를 초래하는 것을 억제할 수 있다고 생각되고 있다.On the other hand, in manufacturing a liquid crystal display device, it is known to use a multi-gradation photomask (multitone mask) in order to increase the production efficiency. In addition to the light-shielding portion and the light-transmitting portion, the multi-gradation photomask has a semi-transmissive portion in which a semi-transmissive film is formed on a transparent substrate, and a method of forming a correction film to correct a defect occurring in the semi-transmissive portion is described in Patent Document 2 Has been. According to this, the phase difference between the light transmitting portion to which the transparent substrate is exposed and the crystal portion in which the crystal film is formed on the transparent substrate is 80 degrees or less. In this way, it is considered that the decrease in transmittance due to the phase difference at the boundary between the adjacent light-transmitting portion and the crystal portion can be suppressed from causing a problem such as a short circuit of the thin film transistor channel.

또한, 표시 장치의 제조에, 고투과율(30％ 이상)을 갖는 위상 시프트막을 사용한, 포토마스크의 제안이, 특허문헌 3에 이루어져 있다.Further, in the manufacture of a display device, a proposal of a photomask using a phase shift film having a high transmittance (30% or more) is made in Patent Document 3.

일본 특허 공개 평7-146544호 공보Japanese Patent Laid-Open Publication No. Hei 7-146544 일본 특허 공개 제2010-198006호 공보Japanese Patent Publication No. 2010-198006 일본 특허 공개 제2016-71059호 공보Japanese Patent Publication No. 2016-71059

예를 들어, 하프톤형 위상 시프트 마스크가 갖는 하프톤막에 의해 형성된 패턴 부분에 결함이 발생한 경우, 이것을 수정하는 것은 반드시 용이하지는 않다. 일반적으로, 포토마스크에 결함이 발생하고, 이것을 수정막에 의해 수정하려고 할 때, 수정 수단으로서, FIB(집속 이온 빔) 장치를 사용하는 것이 알려져 있다.For example, when a defect occurs in a pattern portion formed by a halftone film of a halftone phase shift mask, it is not necessarily easy to correct this. In general, when a defect occurs in a photomask and an attempt is made to correct it with a crystal film, it is known to use an FIB (focused ion beam) device as a correction means.

FIB 장치는, 주로 갈륨 이온을 사용하여, 카본계의 막을 퇴적시키지만, 본 발명자의 검토에 의하면, FIB 장치를 사용하여, 단순히 포토마스크의 결함 부분에 수정막을 퇴적하는 방법으로는, 결함이 발생하지 않은 포토마스크와 마찬가지의 기능을 회복할 수 없는 경우가 있다. 수정 대상의 포토마스크가, 소위 바이너리 마스크이면, 수정 조작은 비교적 용이하다. 한편, 수정 대상이 하프톤형 위상 시프트 마스크인 경우에는, 상기 FIB 장치를 사용하여, 포토마스크의 결함 부분에 수정막을 퇴적해도, 노광광에 대한 위상 시프트양이 대략 180도이며, 또한, 정상적인 부분의 하프톤막에 설정된 원하는 투과율을 갖는 수정막의 형성은, 용이하지 않음이, 본 발명자의 검토에 의해 밝혀졌다. 이것은, FIB 장치가, 차광막의 수정을 위해 설계된 것이며, 위상 시프트양과 투과율을 각각 독립적으로 원하는 값으로 조정하는 것이 상정되어 있지 않은 것에도 관계된다. 즉, FIB 장치를 위상 시프트 마스크의 수정에 적용할 가능성을 검토하기 위해서는, 수정막의 원료나 형성 조건의 탐색으로부터 행하는 것이 필요해지고, 또한 이들 노력의 결과에 의해서도, 위상 시프트 마스크에 따라서 상이한 투과율 등의 광학 성능을, 반드시 실현할 수 있다고는 할 수 없다는 문제가 있다.The FIB device mainly uses gallium ions to deposit a carbon-based film, but according to the review of the present inventors, by simply depositing a crystal film on the defective part of the photomask using the FIB device, no defect occurs. There are cases in which the functions similar to those of the unused photomask cannot be restored. If the photomask to be corrected is a so-called binary mask, the correction operation is relatively easy. On the other hand, when the object to be corrected is a halftone phase shift mask, even if the correction film is deposited on the defective portion of the photomask using the FIB device, the amount of phase shift to the exposure light is approximately 180 degrees, and It has been found by the inventors' investigation that formation of a crystal film having a desired transmittance set in the halftone film is not easy. This also relates to the fact that the FIB device is designed for correction of the light-shielding film, and it is not assumed that the amount of phase shift and the transmittance are adjusted to desired values independently of each other. In other words, in order to examine the possibility of applying the FIB device to the correction of the phase shift mask, it is necessary to perform it from the search for the raw material and the formation conditions of the crystal film, and also by the result of these efforts, different transmittances depending on the phase shift mask, etc. There is a problem that the optical performance cannot necessarily be realized.

또한, FIB 장치에 의한 결함 수정은, 미세한 결함에 대한 수정막의 퇴적에는 유리하지만, 수정이 필요한 영역을 신속하게 또한 균일하게 수정막에 의해 커버하는 효율에 있어서는, 후술하는 레이저 CVD법이 보다 유리하다. 따라서, 일반적으로 사이즈가 큰 표시 장치 제조용(이하 「FPD용」이라 함)의 포토마스크에 대한 수정에는, FIB 장치보다도 레이저 CVD법이 유리한 경우가 있다.In addition, the defect correction by the FIB device is advantageous for depositing a correction film for minute defects, but the laser CVD method described later is more advantageous in terms of the efficiency of quickly and uniformly covering a region requiring correction with the correction film. . Therefore, in general, the laser CVD method is more advantageous than the FIB device for correction of a photomask for manufacturing a large-sized display device (hereinafter referred to as "for FPD").

상기 특허문헌 2에서는, 반투광부를 형성하는 반투광막의 결함 수정에, 레이저 CVD법을 사용하고 있다. 이 수단에 의하면, 비교적 효율적으로, 결함 부분에 수정막을 퇴적할 수 있어, 대형 FPD용 포토마스크에는 보다 적용하기 쉽다. 단, 이 수단에 의해 형성된 수정막은, 위상 시프트 작용을 갖지 않는 반투광막에 대한 것이었다.In Patent Document 2, a laser CVD method is used for defect correction of a semi-transmissive film forming a semi-transmissive portion. According to this means, it is possible to relatively efficiently deposit a correction film on the defective portion, and thus it is more easily applied to a large size FPD photomask. However, the crystal film formed by this means was for a semi-transmissive film having no phase shifting action.

현재, 표시 장치에 있어서는, 화소 밀도의 증가에 수반하여, 고정밀화의 동향이 현저하다. 또한, 휴대 단말기에 있어서는, 특히 밝기, 전력 절약의 성능이 요구된다. 그리고, 이들을 실현하기 위해, 제조 공정에 사용되는 포토마스크도, 미세한 부분을 포함하고, 이것을 확실하게 해상하는 기술이 요구되고 있다. 해상성 개량의 경향은, 반드시 노광 장치에 대한 것뿐만 아니라, 포토마스크에도 해상 성 향상 기술을 구비하는 것에 대한 기대가 발생한다고 생각된다. 따라서, FPD용 포토마스크에 있어서도, 위상 시프트 작용을 사용한 전사용 패턴이, 상기 특허문헌 3에 제안되어 있다.At present, in display devices, the trend of high precision is remarkable with an increase in pixel density. In addition, in a portable terminal, in particular, brightness and power saving performance are required. And, in order to realize these, the photomask used in the manufacturing process also includes fine parts, and there is a demand for a technique to reliably resolve this. It is thought that the tendency of the resolution improvement is necessarily not only for the exposure apparatus, but also for the photomask as well as the expectation that a resolution improving technology is provided. Therefore, also in the photomask for FPD, a transfer pattern using a phase shift action is proposed in the said patent document 3.

그러나, 위상 시프트 작용을 갖는 반투광막에 발생한 결함에 대해, 포토마스크의 제조 공정에서 원래 성막된 반투광막(이하, 「정상적인 반투광막」이라고도 함)과 동일한 투과율과 위상 시프트양을 겸비하는 수정막을 얻기에는, 현저하게 곤란이 수반된다. 특히, 고투과율(예를 들어, 25％ 이상)이며, 또한, 위상 시프트 작용을 갖는 반투광부에 대한 수정막의 형성 방법은 확립되어 있지 않다.However, for defects occurring in the semi-transmissive film having a phase shift function, it has the same transmittance and the amount of phase shift as the semi-transmissive film (hereinafter also referred to as ``normal semi-transmissive film'') originally formed in the photomask manufacturing process. Remarkably difficulty is involved in obtaining a crystal film. In particular, a method of forming a crystal film for a semi-transmissive portion having a high transmittance (eg, 25% or more) and having a phase shift action has not been established.

본 발명은, 위상 시프트 작용을 이용하는 포토마스크에 결함이 발생해도, 정교한 수정을 행할 수 있는 기술을 제공하는 것을 주된 목적으로 한다.The main object of the present invention is to provide a technique capable of performing precise correction even when a defect occurs in a photomask using a phase shifting action.

(제1 양태)(First aspect)

본 발명의 제1 양태는,The first aspect of the present invention,

투명 기판 상에, 반투광막이 패터닝되어 이루어지는 반투광부를 포함하는 전사용 패턴을 갖는 포토마스크에 발생한 결함을 수정하는 포토마스크 수정 방법에 있어서,A photomask correction method for correcting a defect occurring in a photomask having a transfer pattern including a semitransmissive portion formed by patterning a semitransmissive film on a transparent substrate, the method comprising:

수정을 실시하는 상기 결함을 특정하는 공정과,The step of specifying the defect to be corrected, and

상기 결함을 수정하기 위해, 수정막을 형성하는 수정막 형성 공정을 포함하고,In order to correct the defect, it includes a correction film forming process of forming a correction film,

상기 반투광부는, 노광광의 대표 파장의 광에 대한 투과율 Tm(％)과, 위상 시프트양 φm(도)(단, 160≤φm≤200)을 갖고,The semi-transmissive portion has a transmittance Tm (%) for light of a representative wavelength of exposure light and a phase shift amount φm (degrees) (however, 160≦φm≦200),

상기 수정막 형성 공정에서는, 서로 조성이 상이한 제1 막과 제2 막을, 어느 순서로 적층하고,In the crystal film forming process, the first film and the second film having different compositions are stacked in any order,

상기 제1 막은 Cr과 O를 포함하고,The first film contains Cr and O,

상기 제2 막은 Cr과 O와 C를 포함하고,The second film contains Cr and O and C,

상기 제1 막은 C를 포함하지 않거나, 또는, 상기 제2 막보다 작은 함유량의 C를 포함하고,The first film does not contain C, or contains a smaller content of C than the second film,

상기 제2 막은 상기 제1 막보다 작은 함유량의 O를 포함하는 것을 특징으로 하는 포토마스크 수정 방법이다.The second film is a photomask correction method, wherein the second film contains O in a smaller content than that of the first film.

(제2 양태)(Second aspect)

본 발명의 제2 양태는,The second aspect of the present invention,

Tm>25인 것을 특징으로 하는, 상기 제1 양태에 기재된 포토마스크 수정 방법이다.It is a photomask correction method according to the first aspect, characterized in that Tm>25.

(제3 양태)(3rd aspect)

본 발명의 제3 양태는,The third aspect of the present invention,

상기 수정막이 갖는, 상기 대표 파장의 광에 대한 투과율 Tr(％)과, 위상 시프트양 φr(도)은,Transmittance Tr (%) for light of the representative wavelength and phase shift amount φr (degrees) of the crystal film are,

30<Tr≤75, 또한 160≤φr≤20030<Tr≤75, also 160≤φr≤200

을 만족시키는 것을 특징으로 하는, 상기 제1 또는 제2 양태에 기재된 포토마스크 수정 방법이다.It is the photomask correction method of the said 1st or 2nd aspect characterized by satisfy|filling.

(제4 양태)(4th aspect)

본 발명의 제4 양태는,The fourth aspect of the present invention,

상기 수정막 형성 공정에서는, 레이저 CVD법을 적용하는 것을 특징으로 하는, 상기 제1 내지 제3 중 어느 일 양태에 기재된 포토마스크 수정 방법이다.In the correction film formation step, a laser CVD method is applied, and the photomask correction method according to any one of the first to third aspects is characterized.

(제5 양태)(Fifth aspect)

본 발명의 제5 양태는,The fifth aspect of the present invention,

상기 제1 막이 갖는, 상기 대표 파장의 광에 대한 투과율 T1(％)과, 위상 시프트양 φ1(도), 및,Transmittance T1 (%) of the first film with respect to light of the representative wavelength, phase shift amount φ1 (degrees), and,

상기 제2 막이 갖는, 상기 대표 파장의 광에 대한 투과율 T2(％)와, 위상 시프트양 φ2(도)가,Transmittance T2 (%) for light of the representative wavelength and phase shift amount φ2 (degrees) of the second film,

각각 이하의 (1) 내지 (4)의 관계를 만족시키는 것을 특징으로 하는, 상기 제1 내지 제4 중 어느 일 양태에 기재된 포토마스크 수정 방법이다.It is a photomask correction method according to any one of the first to fourth aspects, characterized in that each of the following relationships (1) to (4) is satisfied.

(1) 100≤φ1<200(1) 100≤φ1<200

(2) φ2<100(2) φ2<100

(3) 55≤T1(3) 55≤T1

(4) 25<T2<80(4) 25<T2<80

(제6 양태)(6th aspect)

본 발명의 제6 양태는,The sixth aspect of the present invention,

상기 제2 막에 포함되는 Cr 함유량은, 상기 제1 막에 포함되는 Cr 함유량보다 큰 것을 특징으로 하는, 상기 제1 내지 제5 중 어느 일 양태에 기재된 포토마스크 수정 방법이다.The photomask correction method according to any one of the first to fifth embodiments, wherein the Cr content contained in the second film is greater than the Cr content contained in the first film.

(제7 양태)(7th aspect)

본 발명의 제7 양태는,The seventh aspect of the present invention,

상기 제1 막에 포함되는 Cr과 O의 함유량의 합계는, 원자％로 상기 제1 막의 성분의 80％ 이상인, 상기 제6 양태에 기재된 포토마스크 수정 방법이다.In the photomask correction method according to the sixth aspect, the sum of the content of Cr and O contained in the first film is 80% or more of the components of the first film in atomic%.

(제8 양태)(8th aspect)

본 발명의 제8 양태는,The eighth aspect of the present invention,

상기 제1 막은, Cr을 5 내지 45원자％, O를 55 내지 95원자％ 포함하는 재료를 포함하고,The first film contains a material containing 5 to 45 atomic% Cr and 55 to 95 atomic% O,

상기 제2 막은, Cr을 20 내지 70원자％, O를 5 내지 45원자％, C를 10 내지 60원자％ 포함하는 재료를 포함하는 것을 특징으로 하는, 상기 제1 내지 제7 중 어느 일 양태에 기재된 포토마스크 수정 방법이다.The second film is characterized in that it contains a material containing 20 to 70 atomic% of Cr, 5 to 45 atomic% of O, and 10 to 60 atomic% of C. This is the described photomask correction method.

(제9 양태)(9th aspect)

본 발명의 제9 양태는,The ninth aspect of the present invention,

상기 제1 막 상에, 상기 제2 막을 적층하는 것을 특징으로 하는, 상기 제1 내지 제8 중 어느 일 양태에 기재된 포토마스크 수정 방법이다.It is a photomask correction method according to any one of the first to eighth aspects, characterized in that the second film is laminated on the first film.

(제10 양태)(10th aspect)

본 발명의 제10 양태는,The tenth aspect of the present invention,

상기 전사용 패턴은, 노광광을 실질적으로 투과하지 않는 차광부를 포함하는 것을 특징으로 하는, 상기 제1 내지 제9 중 어느 일 양태에 기재된 포토마스크 수정 방법이다.The transfer pattern is a photomask correction method according to any one of the first to ninth aspects, characterized in that it includes a light-shielding portion that does not substantially transmit exposure light.

(제11 양태)(Eleventh aspect)

본 발명의 제11 양태는,The eleventh aspect of the present invention,

상기 전사용 패턴은, 노광광을 실질적으로 투과하지 않는 차광부를 포함하고, 또한, 상기 반투광부는, 상기 차광부 사이에 끼워져 배치되는 것을 특징으로 하는, 상기 제1 내지 제10 중 어느 일 양태에 기재된 포토마스크 수정 방법이다.The transfer pattern includes a light-shielding portion that does not substantially transmit the exposure light, and the semi-transmissive portion is disposed between the light-shielding portions. This is the described photomask correction method.

(제12 양태)(12th aspect)

본 발명의 제12 양태는,The twelfth aspect of the present invention,

상기 수정막 형성 공정 후, 차광성을 갖는 보충막을 형성함으로써, 상기 수정막이 형성되어 이루어지는 수정 반투광부의 형상을 조정하는, 후공정을 포함하는, 상기 제1 내지 제11 중 어느 일 양태에 기재된 포토마스크 수정 방법이다.The photo according to any one of the first to eleventh aspects, including a post-process of adjusting the shape of the crystal semitransmissive portion formed by forming the crystal film by forming a supplemental film having light-shielding properties after the crystal film forming step. This is how to modify the mask.

(제13 양태)(13th aspect)

본 발명의 제13 양태는,The thirteenth aspect of the present invention,

상기 수정막 형성 공정에 앞서서, 상기 결함 부분 또는, 상기 결함 주변의 막 제거를 행하여 상기 투명 기판을 노출시키는, 전공정을 더 갖는, 상기 제1 내지 제12 중 어느 일 양태에 기재된 포토마스크 수정 방법이다.Prior to the correction film formation step, the photomask correction method according to any one of the first to twelfth aspects, further comprising a pre-step of removing the defective portion or a film around the defect to expose the transparent substrate to be.

(제14 양태)(14th aspect)

본 발명의 제14 양태는,The fourteenth aspect of the present invention,

상기 포토마스크는, 표시 장치용 디바이스의 제조에 사용하는 포토마스크인 것을 특징으로 하는, 상기 제1 내지 제13 중 어느 일 양태에 기재된 포토마스크 수정 방법이다.The photomask is a photomask correction method according to any one of the first to thirteenth aspects, wherein the photomask is a photomask used for manufacturing a device for a display device.

(제15 양태)(15th aspect)

본 발명의 제15 양태는,The fifteenth aspect of the present invention,

상기 제1 내지 제14 중 어느 일 양태에 기재된 포토마스크 수정 방법을 포함하는 포토마스크의 제조 방법이다.It is a manufacturing method of a photomask including the photomask correction method of any one of said 1st to 14th aspects.

(제16 양태)(16th aspect)

본 발명의 제16 양태는,The sixteenth aspect of the present invention,

투명 기판 상에 형성된 반투광막이 패터닝되어 이루어지는 반투광부를 포함하는 전사용 패턴을 갖는 포토마스크이며, 상기 반투광부에 발생한 결함 부분에 대해, 수정막이 형성된 포토마스크에 있어서,A photomask having a transfer pattern including a semi-transmissive portion formed by patterning a semi-transmissive film formed on a transparent substrate, and in which a correction film is formed for a defect portion occurring in the semi-transmissive portion,

상기 반투광부는, 노광광의 대표 파장의 광에 대한 투과율 Tm(％)(단 Tm>25)과, 위상 시프트양 φm(도)(단, 160≤φm≤200)을 갖고,The semi-transmissive portion has a transmittance Tm (%) of light having a representative wavelength of exposure light (only Tm>25) and a phase shift amount φm (degrees) (however, 160≦φm≦200),

상기 수정막은,The crystal film,

Cr 및 O를 포함하는 제1 막과, Cr, C 및 O를 포함하는 제2 막을, 어느 순서로 적층한 적층막을 갖고,Having a laminated film in which a first film containing Cr and O and a second film containing Cr, C and O are stacked in any order,

상기 제2 막은 상기 제1 막보다 작은 함유량의 O를 포함하는 포토마스크이다.The second film is a photomask containing O in a smaller content than that of the first film.

(제17 양태)(17th aspect)

본 발명의 제17 양태는,The seventeenth aspect of the present invention,

30<Tr≤75, 또한 160≤φr≤20030<Tr≤75, also 160≤φr≤200

을 만족시키는, 상기 제16 양태에 기재된 포토마스크이다.It is the photomask according to the sixteenth aspect that satisfies.

(제18 양태)(18th aspect)

본 발명의 제18 양태는,The eighteenth aspect of the present invention,

상기 수정막은, 레이저 CVD막인, 상기 제16 또는 제17 양태에 기재된 포토마스크이다.The crystal film is a laser CVD film, which is a photomask according to the sixteenth or seventeenth aspect.

(제19 양태)(19th aspect)

본 발명의 제19 양태는,The nineteenth aspect of the present invention,

각각 이하의 (1) 내지 (4)의 관계를 만족시키는 것을 특징으로 하는, 상기 제16 내지 제18 중 어느 일 양태에 기재된 포토마스크이다.It is a photomask according to any one of the 16th to 18th aspects, characterized in that each of the following relationships (1) to (4) is satisfied.

(1) 100≤φ1<200(1) 100≤φ1<200

(2) φ2<100(2) φ2<100

(3) 55≤T1(3) 55≤T1

(4) 25<T2<80(4) 25<T2<80

(제20 양태) (20th aspect)

본 발명의 제20 양태는,The twentieth aspect of the present invention,

상기 제1 막과 상기 제2 막은 모두 Cr을 포함하고, 또한, 상기 제2 막에 포함되는 Cr 함유량은, 상기 제1 막에 포함되는 Cr 함유량보다 큰 것을 특징으로 하는, 상기 제16 내지 제19 중 어느 일 양태에 기재된 포토마스크이다.The 16th to 19th, characterized in that both the first layer and the second layer contain Cr, and the content of Cr contained in the second layer is greater than the content of Cr contained in the first layer. It is a photomask according to any one of the aspects.

(제21 양태)(21st aspect)

본 발명의 제21 양태는,The twenty-first aspect of the present invention,

상기 제1 막에 포함되는 Cr과 O의 함유량의 합계는, 원자％로 상기 제1 막의 성분의 80％ 이상인, 상기 제20 양태에 기재된 포토마스크이다.The photomask according to the twentieth aspect, wherein the sum of the Cr and O contents contained in the first film is 80% or more of the components of the first film in atomic%.

(제22 양태)(22th aspect)

본 발명의 제22 양태는,The 22nd aspect of the present invention,

상기 제2 막은, Cr을 20 내지 70원자％, O를 5 내지 45원자％, C를 10 내지 60원자％ 포함하는 재료를 포함하는 것을 특징으로 하는, 상기 제16 내지 제21 중 어느 일 양태에 기재된 포토마스크이다.The second film is characterized in that it comprises a material containing 20 to 70 atomic% Cr, 5 to 45 atomic% O, and 10 to 60 atomic% C, It is the described photomask.

(제23 양태)(23rd aspect)

본 발명의 제23 양태는,The twenty-third aspect of the present invention,

상기 제1 막 상에, 상기 제2 막이 적층되어 있는 것을 특징으로 하는, 상기 제16 내지 제22 중 어느 일 양태에 기재된 포토마스크이다.It is the photomask according to any one of the 16th to 22nd aspects, wherein the second film is laminated on the first film.

(제24 양태)(24th aspect)

본 발명의 제24 양태는,The twenty-fourth aspect of the present invention,

상기 전사용 패턴은, 상기 투명 기판 상에 형성된 차광막이 패터닝되어 이루어지는 차광부를 갖는 것을 특징으로 하는, 상기 제16 내지 제23 중 어느 일 양태에 기재된 포토마스크이다.The transfer pattern is a photomask according to any one of the 16th to 23rd aspects, characterized in that it has a light-shielding portion formed by patterning a light-shielding film formed on the transparent substrate.

(제25 양태)(25th aspect)

본 발명의 제25 양태는,The twenty-fifth aspect of the present invention,

상기 전사용 패턴은, 노광광을 실질적으로 투과하지 않는 차광부를 포함하고, 또한, 상기 반투광부는, 상기 차광부 사이에 끼워져 배치되는 부분을 포함하는 것을 특징으로 하는, 상기 제16 내지 제23 중 어느 일 양태에 기재된 포토마스크이다.The transfer pattern includes a light-shielding portion that does not substantially transmit exposure light, and the semi-transmissive portion includes a portion sandwiched between the light-shielding portions and disposed. It is the photomask described in any one aspect.

(제26 양태)(26th aspect)

본 발명의 제26 양태는,The twenty-sixth aspect of the present invention,

상기 전사용 패턴은, 상기 투명 기판 상에 형성된 차광막이 패터닝되어 이루어지는 차광부를 갖고, 또한, 상기 수정막이 형성되어 이루어지는 수정 반투광부의 에지 근방에는, 상기 차광막과 조성이 상이한, 차광성의 보충막이 형성되어 있는, 상기 제16 내지 제23 중 어느 일 양태에 기재된 포토마스크이다.The transfer pattern has a light-shielding portion formed by patterning a light-shielding film formed on the transparent substrate, and a light-shielding supplemental film having a composition different from that of the light-shielding film is formed near an edge of the crystal semitransmissive portion formed by forming the crystal film. It is the photomask according to any one of the 16th to 23rd aspect.

(제27 양태)(27th aspect)

본 발명의 제27 양태는,The twenty-seventh aspect of the present invention,

상기 포토마스크는, 표시 장치용 디바이스의 제조에 사용하는 포토마스크인 것을 특징으로 하는, 상기 제16 내지 제26 중 어느 일 양태에 기재된 포토마스크이다.The photomask is a photomask according to any one of the 16th to 26th aspects, characterized in that it is a photomask used for manufacturing a device for a display device.

(제28 양태)(The 28th aspect)

본 발명의 제28 양태는,The twenty-eighth aspect of the present invention,

표시 장치용 디바이스의 제조 방법이며,It is a manufacturing method of a device for a display device,

상기 제16 내지 제27 중 어느 일 양태에 기재된 포토마스크를 준비하는 공정과,The step of preparing the photomask according to any one of the above 16 to 27, and

노광 장치에 의해, 상기 포토마스크를 노광하여, 상기 전사용 패턴을 피전사체 상에 전사하는 전사 공정을 포함하는 표시 장치용 디바이스의 제조 방법이다.It is a manufacturing method of a device for a display device including a transfer step of exposing the photomask with an exposure apparatus and transferring the transfer pattern onto an object to be transferred.

본 발명에 따르면, 위상 시프트 작용을 이용하는 포토마스크에 결함이 발생해도, 정교한 수정을 행할 수 있다.According to the present invention, even if a defect occurs in a photomask using a phase shifting action, precise correction can be performed.

도 1은 본 발명의 제1 실시 형태에 있어서의 포토마스크 수정 방법의 개요를 모식적으로 도시하는 설명도이며, (a)는 정상적인 패턴의 예를 도시하는 도면, (b)는 백색 결함의 예를 도시하는 도면, (c)는 제1 막 형성의 예를 도시하는 도면, (d)는 제2 막 형성의 예를 도시하는 도면이다.
도 2는 본 발명의 제2 실시 형태에 있어서의 포토마스크 수정 방법의 개요를 모식적으로 도시하는 설명도이며, (a)는 정상적인 패턴의 예를 도시하는 도면, (b)는 백색 결함의 예를 도시하는 도면, (c)는 결함 주변의 막 제거의 예를 도시하는 도면, (d)는 제1 막 형성의 예를 도시하는 도면, (e)는 제2 막 형성의 예를 도시하는 도면, (f)는 차광성 보충막 형성의 예를 도시하는 도면이다.
도 3은 본 발명의 제3 실시 형태에 있어서의 포토마스크 수정 방법의 개요를 모식적으로 도시하는 설명도이며, (a)는 정상적인 패턴의 예를 도시하는 도면, (b)는 백색 결함의 예를 도시하는 도면, (c)는 결함 주변의 막 제거의 예를 도시하는 도면, (d)는 제1 막 형성의 예를 도시하는 도면, (e)는 제2 막 형성의 예를 도시하는 도면, (f)는 차광성 보충막 형성의 예를 도시하는 도면이다.
도 4는 본 발명의 포토마스크 수정 방법으로 형성되는 수정막의 광학 특성을 예시하는 설명도이며, (a)는 위상 시프트 제어막으로서의 제1 막이 단층인 경우의 위상 시프트양과 투과율의 관계의 일 구체예를 도시하는 도면, (b)는 투과 제어막으로서의 제2 막이 단층인 경우의 위상차와 투과율의 관계의 일 구체예를 도시하는 도면, (c)는 제1 막과 제2 막을 적층한 수정막(적층막)에 있어서의 위상 시프트양과 투과율의 관계의 일 구체예를 도시하는 도면이다.1 is an explanatory diagram schematically showing an outline of a photomask correction method in a first embodiment of the present invention, (a) is a diagram showing an example of a normal pattern, and (b) is an example of a white defect A diagram showing (c) is a diagram showing an example of a first film formation, and (d) is a diagram showing an example of a second film formation.
2 is an explanatory diagram schematically showing an outline of a photomask correction method in a second embodiment of the present invention, (a) is a diagram showing an example of a normal pattern, and (b) is an example of a white defect A diagram showing, (c) is a diagram showing an example of film removal around a defect, (d) is a diagram showing an example of a first film formation, (e) a diagram showing an example of a second film formation , (f) are diagrams showing an example of formation of a light-shielding supplementary film.
3 is an explanatory diagram schematically showing an outline of a photomask correction method in a third embodiment of the present invention, (a) is a diagram showing an example of a normal pattern, and (b) is an example of a white defect A diagram showing, (c) is a diagram showing an example of film removal around a defect, (d) is a diagram showing an example of a first film formation, (e) a diagram showing an example of a second film formation , (f) are diagrams showing an example of formation of a light-shielding supplementary film.
4 is an explanatory diagram illustrating the optical characteristics of a crystal film formed by the photomask correction method of the present invention, (a) is a specific example of the relationship between the phase shift amount and transmittance when the first film as the phase shift control film is a single layer A diagram showing, (b) is a diagram showing a specific example of the relationship between the phase difference and transmittance when the second film as the transmission control film is a single layer, (c) is a crystal film in which the first film and the second film are stacked ( A diagram showing a specific example of the relationship between the amount of phase shift and the transmittance in the laminated film).

이하, 본 발명에 관한 포토마스크 수정 방법, 포토마스크의 제조 방법, 포토마스크, 및 표시 장치용 디바이스의 제조 방법의 실시 형태에 대하여 설명한다.Hereinafter, embodiments of the photomask correction method, the photomask manufacturing method, the photomask, and the display device manufacturing method according to the present invention will be described.

본 발명에 관한 포토마스크 수정 방법은, 투명 기판 상에 형성된 전사용 패턴에 결함이 발생하였을 때, 적용할 수 있다.The photomask correction method according to the present invention can be applied when a defect occurs in a transfer pattern formed on a transparent substrate.

<결함 수정의 대상이 되는 포토마스크><Photomask subject to defect correction>

여기서, 본 발명의 포토마스크 수정 방법을 적용하는 포토마스크에 대하여 설명한다.Here, a photomask to which the photomask correction method of the present invention is applied will be described.

본 발명의 포토마스크 수정 방법을 적용하는 포토마스크로서는, 투명 기판 상에 형성한, 하나 또는 복수의 광학막이 각각 패터닝되어 형성되는 전사용 패턴을 갖는다. 그리고, 해당 광학막의 적어도 하나가, 노광광에 대한 소정의 투과율과 위상 시프트 작용이 있는 반투광막이다. 이 반투광막은, 투과하는 노광광의 위상을, 원하는 양 시프트하는 막이다.A photomask to which the photomask correction method of the present invention is applied has a transfer pattern formed by patterning one or a plurality of optical films formed on a transparent substrate, respectively. In addition, at least one of the optical films is a semi-transmissive film having a predetermined transmittance for exposure light and a phase shift action. This semi-transmissive film is a film that shifts the phase of the transmitted exposure light by a desired amount.

즉, 본 발명의 포토마스크 수정 방법의 대상은, 투명 기판 상에, 적어도 상기 반투광막이 형성된 포토마스크 블랭크(또는 포토마스크 중간체)를 준비하고, 포토리소그래피 공정을 통해 전사용 패턴을 형성한, 포토마스크, 또는 포토마스크 중간체로 할 수 있다.That is, the subject of the photomask correction method of the present invention is, a photomask blank (or photomask intermediate) on which at least the translucent film is formed on a transparent substrate, and a transfer pattern is formed through a photolithography process. It can be used as a mask or a photomask intermediate.

전사용 패턴은, 예를 들어 투명 기판 상에 형성된 반투광막을 패터닝하여 이루어지는, 투광부와 반투광부를 포함하는 것, 또는, 투명 기판 상에 형성된 반투광막, 및 차광막을 각각 패터닝하여 이루어지는, 투광부, 차광부, 및 반투광부를 갖는 것을 예로서 들 수 있지만, 더 추가적인 막 패턴을 갖는 것이어도 된다.The transfer pattern includes, for example, a translucent portion and a translucent portion formed by patterning a translucent film formed on a transparent substrate, or a translucent film formed by patterning a translucent film and a light-shielding film formed on a transparent substrate, respectively. Examples include those having a light portion, a light-shielding portion, and a semi-transmissive portion, but may have an additional film pattern.

이 포토마스크는, FPD용의 포토마스크일 때, 본 발명이 유리하게 적용된다.When this photomask is a photomask for FPD, the present invention is advantageously applied.

FPD용 포토마스크는, 반도체 장치 제조용의 포토마스크와 달리, 일반적으로 사이즈가 크고(예를 들어, 주표면의 한 변이 200 내지 2000㎜ 정도인 사각형, 두께가 5 내지 20㎜ 정도), 중량이 있고, 또한 그 사이즈가 다양하다.Unlike photomasks for semiconductor device manufacturing, FPD photomasks are generally large in size (e.g., a square with a main surface of about 200 to 2000 mm, thickness of about 5 to 20 mm), and have weight. , And also vary in size.

투명 기판으로서는, 포토마스크의 노광에 사용하는 노광 파장에 대하여 충분한 투명성을 갖는 것이면 특별히 제한되지 않는다. 예를 들어, 석영, 그 밖의 각종 유리 기판(소다석회 유리, 알루미노실리케이트 유리 등)을 사용할 수 있지만, 석영 기판이 특히 적합하다.The transparent substrate is not particularly limited as long as it has sufficient transparency with respect to the exposure wavelength used for exposure of the photomask. For example, quartz and other various glass substrates (soda-lime glass, aluminosilicate glass, etc.) can be used, but a quartz substrate is particularly suitable.

반투광부를 구성하는 반투광막의 광학 특성은, 이하의 것이 예시된다.The following are illustrated as the optical properties of the semi-transmissive film constituting the semi-transmissive portion.

본 발명의 포토마스크 수정 방법의 대상은, 노광광의 대표 파장의 광에 대하여 투과율 Tm(％)을 갖는 반투광부이다. 25<Tm을 만족시키는 경우에, 특히 본 발명의 효과가 현저하다. 예를 들어, 25<Tm≤80이다.The object of the photomask correction method of the present invention is a semi-transmissive portion having a transmittance Tm (%) for light having a representative wavelength of exposure light. When 25<Tm is satisfied, the effect of the present invention is particularly remarkable. For example, 25<Tm≤80.

또한, 본원 명세서에 있어서, 투과율은, 투명 기판의 투과율을 100％로 하였을 때의 것이다.In addition, in the specification of the present application, the transmittance is when the transmittance of the transparent substrate is 100%.

여기서, 노광광은, FPD용 포토마스크의 노광 장치의 광원으로서는, 주로 300 내지 500㎚의 파장을 갖는 광을 사용할 수 있다. 예를 들어, i선, h선, g선 중 어느 것 또는 그 복수를 포함하는 파장 영역을 갖는 광원을 적합하게 이용할 수 있고, 특히 이들 파장을 포함하는 고압 수은 램프가 많이 이용된다.Here, as the exposure light, light mainly having a wavelength of 300 to 500 nm can be used as a light source of an exposure apparatus for an FPD photomask. For example, a light source having a wavelength range including any one of i-line, h-line, and g-line, or a plurality thereof, can be suitably used, and in particular, high-pressure mercury lamps including these wavelengths are often used.

이 경우, 상기 노광광의 대표 파장은, i선 내지 g선의 파장 영역에 포함되는 어느 파장으로 할 수 있다. 예를 들어, 이들 파장 영역의 중앙값에 가까운 h선(405㎚)을, 상기 대표 파장으로 할 수 있다. 이하에 있어서, 특기하지 않는 한, h선을 대표 파장으로서 설명한다. 물론, 상기보다 단파장측의 파장 영역(예를 들어 300 내지 365㎚)을 노광광으로서 사용해도 된다.In this case, the representative wavelength of the exposure light may be any wavelength included in the wavelength range of i-line to g-line. For example, an h-line (405 nm) close to the median value of these wavelength ranges can be used as the representative wavelength. In the following, unless otherwise specified, the h-line will be described as a representative wavelength. Of course, a wavelength region on the shorter wavelength side than the above (for example, 300 to 365 nm) may be used as the exposure light.

또한, 상기 반투광막의 위상 시프트양 φm은, 상기 대표 파장의 광에 대하여, 대략 180도로 할 수 있다. 여기에서는, 대략 180도란, 160 내지 200도의 범위로 한다. 보다 바람직하게는, 노광광에 포함되는 주된 파장(예를 들어 i선, h선, g선) 모두에 대하여, 160 내지 200도의 위상 시프트양을 갖도록 할 수 있다.In addition, the phase shift amount φm of the semi-transmissive film may be approximately 180 degrees for light of the representative wavelength. Here, approximately 180 degrees is in the range of 160 to 200 degrees. More preferably, it is possible to have a phase shift amount of 160 to 200 degrees for all of the main wavelengths (eg, i-line, h-line, and g-line) included in the exposure light.

i선 내지 g선의 파장 영역에 있어서의, 위상 시프트양의 편차는, 40도 이하인 것이 바람직하다.It is preferable that the deviation of the phase shift amount in the wavelength range of the i-line to g-line is 40 degrees or less.

또한, 상기와 같은 투과율 Tm, 및 위상 시프트양 φm을 갖는 반투광부를 구비한 포토마스크는, 소위 바이너리 마스크와 비교하면, 전사용 패턴의 해상성을 향상시킬 수 있다. 예를 들어, 투광부와 반투광부가 인접하여 배치되고, 이 경계에서 발생하는 각각의 투과광에 의한 회절, 간섭에 의해, 해상도를 높이는 포토마스크가 알려져 있다. 이와 같은, 소위 위상 시프트 마스크에서는, 반투광부의 투과율을 10％ 이하로 하는 것이 주류이다.In addition, a photomask having a translucent portion having a transmittance Tm and a phase shift amount φm as described above can improve the resolution of a transfer pattern as compared to a so-called binary mask. For example, a photomask is known in which a transmissive portion and a semi-transmissive portion are disposed adjacent to each other, and the resolution is increased by diffraction and interference by each transmitted light occurring at the boundary. In such a so-called phase shift mask, it is mainstream that the transmittance of the semitransmissive portion is 10% or less.

한편, 전사용 패턴은, 투광부, 반투광부 외에, 차광부를 가질 수 있다. 즉, 투명 기판 상에 형성된 반투광막, 및 차광막이 각각 패터닝되어 이루어지는 전사용 패턴을 갖는 포토마스크도, 본 발명의 포토마스크 수정 방법의 대상으로 할 수 있다.On the other hand, the transfer pattern may have a light-shielding portion in addition to a light-transmitting portion and a semi-transmissive portion. That is, a photomask having a translucent film formed on a transparent substrate and a transfer pattern formed by patterning a light-shielding film, respectively, can also be used as an object of the photomask correction method of the present invention.

예를 들어, 특허문헌 3에 기재된 포토마스크와 같이, 투광부와 반투광부가 인접하지 않고, 그들 사이에 차광부가 개재되어 배치되어 있는 경우, 나아가 개재하는 차광부에 의해 반투광부가 사이에 끼워져 있는 경우에 있어서도, 반투광부를 투과하는, 투광부와는 반전 관계에 있는 위상의 광을 이용함으로써, 초점 심도를 향상(증대)시키는 것이 가능해지고, 또한 MEEF(마스크 오차 증대 계수)나, 노광에 필요한 광 에너지의 Dose양을 저감하는 등의 이점을 얻을 수 있다.For example, as in the photomask described in Patent Document 3, when the light-transmitting portion and the semi-transmissive portion are not adjacent, and a light-shielding portion is interposed therebetween, the semi-transmissive portion is sandwiched by the intervening light-shielding portion. In some cases, it is possible to improve (increase) the depth of focus by using light of a phase that transmits the semi-transmissive portion and has an inversion relationship with the light-transmitting portion, and is also required for MEEF (mask error increase factor) and exposure. Advantages such as reducing the dose amount of light energy can be obtained.

이와 같이, 위상 시프트 작용을 갖는 반투광부가 투광부와 직접 인접하지 않고, 차광부나, 위상 시프트 작용을 실질적으로 갖지 않는 반투광부를 개재하여, 근방의 소정 위치에 배치되는 전사용 패턴을 설계하는 경우가 있다. 이와 같은 경우에는, 위상 시프트 작용을 갖는 반투광부의 투과율 Tm을, 일반적인 하프톤형 위상 시프트 마스크에 있어서의 투과율(예를 들어 10％ 이하)에 대하여, 비교적 높게(예를 들어 Tm>25) 설계하는 것이 유용하고, 해상 성능의 향상에 현저한 효과를 발휘한다. 이와 같은 고투과율의 위상 시프트 반투광부에 대하여, 상기 투과율 Tm의 보다 바람직한 범위는, 30<Tm≤75, 더욱 바람직하게는, 40<Tm≤70이다. 이 경우, 반투광부의 투과광은, 반투광부와 소정 거리 이격한 투광부의 투과광과 적절하게 간섭시킬 수 있어, 투광부에 형성되는 투과광의 광 강도 분포의 프로파일을 향상시킬 수 있다.In this way, when designing a transfer pattern disposed at a predetermined position in the vicinity of the semi-transmissive portion having a phase shifting action not directly adjacent to the light-transmitting portion, and interposing a light-shielding portion or a semi-transmissive portion having substantially no phase shifting action There is. In such a case, the transmittance Tm of the semi-transmissive portion having a phase shift function is designed to be relatively high (for example, Tm>25) with respect to the transmittance (for example, 10% or less) in a general halftone phase shift mask. It is useful, and it exerts a remarkable effect on the improvement of the sea performance. With respect to such a high transmittance phase shift semitransmissive portion, a more preferable range of the transmittance Tm is 30<Tm≦75, and still more preferably 40<Tm≦70. In this case, the transmitted light of the semi-transmitting portion can appropriately interfere with the transmitted light of the light-transmitting portion spaced apart from the semi-transmitting portion by a predetermined distance, and thus the profile of the light intensity distribution of the transmitted light formed in the light-transmitting portion can be improved.

이와 같이 고투과율로 위상 시프트 작용을 갖는 반투광부에, 결함이 발생하였을 때, 이것을 수정해야만 한다.When a defect occurs in the semi-transmissive portion having a phase shifting action at a high transmittance as described above, this must be corrected.

이러한 결함을 수정하기 위해, 본 발명의 포토마스크 수정 방법이 적용된다.In order to correct this defect, the photomask correction method of the present invention is applied.

<포토마스크 수정 방법의 제1 실시 형태><First embodiment of photomask correction method>

이하, 도 1을 참조하여, 본 발명의 포토마스크 수정 방법의 제1 실시 형태에 대하여 설명한다.Hereinafter, a first embodiment of the photomask correction method of the present invention will be described with reference to FIG. 1.

도 1의 (a)에, 제1 실시 형태에 있어서 수정 대상이 되는 포토마스크의, 정상적인 패턴 부분을 도시한다. 제1 실시 형태에서 수정 대상이 되는 전사용 패턴(10)은, 투명 기판(1)이 노출된 투광부(11), 및, 투명 기판(1) 상에, 위상 시프트 작용이 있는 반투광막(2)이 형성된 반투광부(12)를 갖는다.Fig. 1(a) shows a normal pattern part of a photomask to be corrected in the first embodiment. In the first embodiment, the transfer pattern 10 to be corrected is a translucent portion 11 to which the transparent substrate 1 is exposed, and a semi-transmissive film having a phase shifting action on the transparent substrate 1 ( 2) has a translucent portion 12 formed.

먼저, 결함을 특정하는 공정에서는, 반투광막(2)에 발생한 결함을 특정하고, 이것을 수정 대상으로 한다. 있어야 할 반투광막(2)이 결락된 백색 결함에 대해서는, 먼저, 후술되는 수정막(4)을 형성하는 수정 영역을 결정한다. 필요에 따라, 결함 부분, 또는 결함 위치 주변에 있어서의 불필요한 막(잔존하는 반투광막(2))이나 이물을 제거하는 공정(전공정)을 행하여, 수정막(4)을 형성하는 수정 영역의 형상을 조정한 후, 수정막(4)을 형성할 수 있다. 불필요한 잔존막(2)의 제거는, 레이저에 의한 증산(Laser Zap) 등을 사용하여 행할 수 있다.First, in the step of specifying a defect, a defect generated in the semi-transmissive film 2 is specified, and this is a target for correction. For a white defect in which the semi-transmissive film 2 to be present is missing, first, a crystal region for forming the crystal film 4 to be described later is determined. If necessary, a process (pre-process) of removing unnecessary films (remaining semi-transmissive film 2) or foreign matter in the defect portion or around the defect location is performed, and the correction region for forming the correction film 4 is After adjusting the shape, the crystal film 4 can be formed. The removal of the unnecessary remaining film 2 can be performed by using a laser evaporation (Laser Zap) or the like.

한편, 흑색 결함, 즉 이물의 부착이나, 패터닝 공정에서 제거되어야 할 차광막이 잔류한 반투광부(12) 등, 잉여 결함을 갖는 반투광부(12)에 대하여 본 발명의 수정을 실시하는 경우에는, 잉여물을, 상기 마찬가지의 수단에 의해 제거하여, 투명 기판(1)을 노출시킨 상태에서, 본 발명의 수정막(4)을 형성하면 된다.On the other hand, when the modification of the present invention is performed on the semi-transmissive portion 12 having redundant defects, such as the black defect, that is, the adhesion of foreign matters or the semi-transmissive portion 12 where the light-shielding film to be removed in the patterning process remains, The crystal film 4 of the present invention may be formed in a state where the transparent substrate 1 is exposed by removing by the same means as described above.

도 1의 (a)는, 투명 기판(1) 상에 형성된 위상 시프트 작용이 있는 반투광막(2)이 패터닝되어 이루어지는 전사용 패턴(10)을 도시한다. 반투광부(12)는 노광광의 대표 파장(여기서는 h선)의 광에 대한 투과율 Tm(％)을 갖고, Tm>25이다. 구체적으로는, 상기와 같이, 예를 들어 25<Tm≤80으로 할 수 있다. 또한, 반투광부(12)는 상기 대표 파장의 광에 대한 위상 시프트양 φm을 갖는다. 여기서, φm은, 160≤φm≤200(도)으로 한다.1A shows a transfer pattern 10 formed by patterning a semi-transmissive film 2 having a phase shifting action formed on a transparent substrate 1. The semi-transmissive portion 12 has a transmittance Tm (%) for light having a representative wavelength (h line in this case) of exposure light, and Tm>25. Specifically, as described above, for example, it can be set to 25<Tm≤80. In addition, the semi-transmissive portion 12 has a phase shift amount φm for the light of the representative wavelength. Here, φm is set to 160≦φm≦200 (degrees).

이 반투광부(12)에, 백색 결함이 발생한 경우를 도 1의 (b)에 도시한다. 이 백색 결함은, 있어야 할 반투광막(2)이 결락된 백색 결함이어도 되고, 또는, 잉여 결함을 갖는 반투광부(12)의 잉여물을 제거하여 형성된, 인위적인 백색 결함이어도 된다. 이 백색 결함 부분(20)에, 수정막 형성 공정으로서 상세를 후술하는 바와 같이, 수정막(4)을 형성하여 수정한다. 수정막(4)의 형성 수단은, 레이저 CVD법을 적합하게 사용할 수 있다.A case where a white defect has occurred in the semi-transmissive portion 12 is shown in Fig. 1B. This white defect may be a white defect in which the semitransmissive film 2 to be present is missing, or may be an artificial white defect formed by removing an excess of the semitransmissive portion 12 having an excess defect. In this white defect portion 20, a correction film 4 is formed and corrected as will be described later in detail as a correction film forming step. As a means for forming the crystal film 4, a laser CVD method can be suitably used.

레이저 CVD법은, 막 원료를 도입하고, 레이저 조사에 의한 열, 및/또는 광의 에너지를 부여하여, 막(레이저 CVD막이라고도 함)을 형성한다. 막 원료로서는, 금속 카르보닐 제6족 원소인 Cr(CO)₆(헥사카르보닐크롬), Mo(CO)₆(헥사카르보닐몰리브덴), W(CO)₆(헥사카르보닐텅스텐) 등을 사용할 수 있다. 이 중, Cr(CO)₆를 포토마스크의 수정의 막 원료로서 사용하면, 세정 등에 대한 내약성이 우수하기 때문에, 바람직하다. 본 제1 실시 형태에서는, Cr(CO)₆를 막 원료로 하는 경우에 대하여 설명한다.In the laser CVD method, a film raw material is introduced and heat and/or light energy is applied by laser irradiation to form a film (also referred to as a laser CVD film). As the membrane raw material, Cr(CO) ₆ (hexacarbonyl chromium), Mo(CO) ₆ (hexacarbonyl molybdenum), W(CO) ₆ (hexacarbonyl tungsten), etc., which are metal carbonyl group 6 elements, can be used. I can. Among these, if Cr(CO) ₆ is used as a raw material for a crystal film for a photomask, it is preferable because it has excellent resistance to washing and the like. In the first embodiment _{, a case where Cr(CO) 6} is used as a film raw material will be described.

조사하는 레이저로서는, 자외 영역의 레이저가 적합하게 사용된다. 레이저 조사 영역에 원료 가스를 도입하고, 광 CVD 및/또는 열 CVD의 작용에 의해, 막을 퇴적한다. 예를 들어, 파장 355㎚의 Nd YAG 레이저 등을 사용할 수 있다. 캐리어 가스로서는, Ar(아르곤)을 사용할 수 있지만, N(질소)이 포함되어 있어도 된다.As the laser to be irradiated, a laser in the ultraviolet region is suitably used. A source gas is introduced into the laser irradiation region, and a film is deposited by the action of photo CVD and/or thermal CVD. For example, an Nd YAG laser having a wavelength of 355 nm or the like can be used. Ar (argon) can be used as the carrier gas, but N (nitrogen) may be contained.

일반의 레이저 CVD 장치에는, 레이저 CVD를 사용하여 차광성의 수정막을 형성하는 것이 상정되어 있다. 단, 본 발명에서는, 위상 시프트 작용이 있는 반투광성의 수정막(4)을 형성한다. 이를 위해, 도입하는 가스의 유량이나 에너지 파워 등의 조건을 선택한다.In a general laser CVD apparatus, it is assumed that a light-shielding crystal film is formed by using laser CVD. However, in the present invention, the semitransmissive crystal film 4 having a phase shifting action is formed. To this end, conditions such as flow rate and energy power of the gas to be introduced are selected.

도 1의 (d)에 도시한 바와 같이, 본 발명의 수정막(4)은, 제1 막(4a)과 제2 막(4b)의 적층 구성을 갖는다. 이 적층 순서는, 어느 쪽이 위여도 되고, 또한 본 발명의 작용 효과를 방해하지 않는 범위에서, 추가적인 막을 더 갖는 것은 배제되지 않는다. 이하의 설명에서는, 제1 막(4a) 상에 제2 막(4b)을 적층함으로써, 원하는 광학 성능을 갖는 수정막(4)으로 한다.As shown in Fig. 1(d), the crystal film 4 of the present invention has a laminated structure of a first film 4a and a second film 4b. This lamination sequence may be on either side, and further having an additional film is not excluded as long as it does not interfere with the effect of the present invention. In the following description, by laminating the second film 4b on the first film 4a, a crystal film 4 having desired optical performance is obtained.

(제1 막)(Act 1)

도 1의 (c)는 제1 막(4a)을 형성하는 공정을 도시한다.1C shows a process of forming the first film 4a.

제1 막(4a)은, 이 위에 적층하는 제2 막(4b)과의 적층에 의해 형성되는 수정막(4)이, 노광광의 대표 파장의 광에 대하여 대략 180도의 위상 시프트양 φr(도)을 갖기 위해 적절한 위상 시프트양 φ1(도)을 갖는다. 바람직하게는, 제1 막(4a)은, 상기 위상 시프트양 φr의 50％ 이상을 담당하는, 소위 「위상 시프트 제어막」으로서 기능하는 것이 바람직하다.In the first film 4a, the crystal film 4 formed by lamination with the second film 4b stacked thereon is a phase shift amount φr of approximately 180 degrees with respect to the light of the representative wavelength of the exposure light (degrees). In order to have an appropriate phase shift amount φ1 (degrees). Preferably, the first film 4a functions as a so-called "phase shift control film" that is responsible for 50% or more of the phase shift amount φr.

즉, 제1 막(4a)의 위상 시프트양 φ1 및 수정막(4)의 위상 시프트양 φr에 대해서는,That is, for the phase shift amount φ1 of the first film 4a and the phase shift amount φr of the crystal film 4,

160≤φr≤200,160≤φr≤200,

또한,Also,

100≤φ1<200으로 할 수 있다.It can be set as 100≤φ1<200.

위상 시프트양 φ1은, 보다 바람직하게는,The phase shift amount φ1 is more preferably,

120≤φ1<180,120≤φ1<180,

더욱 바람직하게는,More preferably,

130≤φ1<160130≤φ1<160

으로 할 수 있다.You can do it.

제1 막(4a)이 갖는, 상기 대표 파장의 광에 대한 투과율 T1은,The transmittance T1 of the first film 4a for light of the representative wavelength is,

55≤T155≤T1

로 하는 것이 바람직하고, 보다 구체적으로는,It is preferable to set it as, and more specifically,

55≤T1≤95,55≤T1≤95,

보다 바람직하게는,More preferably,

60≤T1≤80,60≤T1≤80,

더욱 바람직하게는,More preferably,

60≤T1≤7060≤T1≤70

으로 할 수 있다.You can do it.

또한, 상기 위상 시프트양에 대하여, 예를 들어In addition, for the amount of phase shift, for example

160≤φr≤200160≤φr≤200

이란,Iran,

160+360M≤φr≤200+360M(M은 부가 아닌 정수)을 포함하는 것으로 한다. 이하, 위상 시프트양에 대해서는 마찬가지의 의미로 한다.It is assumed that 160+360M≤φr≤200+360M (M is an integer other than negative). Hereinafter, the amount of phase shift has the same meaning.

제1 막(4a)의 주된 성분은, Cr(크롬)과 O(산소)로 하는 것이 바람직하다. 즉, Cr과 O의 합계로, 제1 막(4a)의 전체 성분의 80％ 이상으로 한다. Cr과 O의 합계 함유량은, 보다 바람직하게는 90％ 이상이며, 더욱 바람직하게는 95％ 이상이다.The main components of the first film 4a are preferably Cr (chromium) and O (oxygen). That is, the sum of Cr and O is set to 80% or more of the total components of the first film 4a. The total content of Cr and O is more preferably 90% or more, and still more preferably 95% or more.

또한, 막 성분의 함유량％는 원자％를 의미한다. 이하 마찬가지이다.In addition, the content% of the film component means atomic %. The same is the case below.

원료 가스에 포함되는 C(탄소)는, 제1 막(4a)에 포함되지 않아도 되지만, 포함되는 경우에는 20％ 이하로 하는 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 10％ 이하로 한다. 또한, 제1 막(4a)의 C 함유량은, 후술하는 제2 막(4b)의 C 함유량에 대하여, 보다 작은 것으로 하고, 바람직하게는 제2 막(4b)의 C 함유량의 2/3 이하로 하는 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 1/3 이하이다.C (carbon) contained in the raw material gas does not have to be included in the first film 4a, but when it is included, it is preferably 20% or less, and more preferably 10% or less. In addition, the C content of the first film 4a is to be smaller than the C content of the second film 4b, which will be described later, and is preferably 2/3 or less of the C content of the second film 4b. It is preferable to do, and more preferably, it is 1/3 or less.

바람직하게는, 제1 막(4a)의 최대 성분(최대의 함유량을 가짐)은 O이며, 또한 O의 함유량이 50％ 이상이다.Preferably, the maximum component (having the maximum content) of the first film 4a is O, and the content of O is 50% or more.

바람직한 제1 막(4a)의 조성은, Cr을 5 내지 45％, O를 55 내지 95％ 함유하는 것이다.A preferred composition of the first film 4a contains 5 to 45% of Cr and 55 to 95% of O.

또한, 바람직하게는 제1 막(4a)의 Cr의 함유량은, 5 내지 30％이다.Further, preferably, the content of Cr in the first film 4a is 5 to 30%.

제1 막(4a)은, 보다 바람직하게는, Cr을 20 내지 30％, O를 70 내지 80％ 함유하는 것으로 한다.The first film 4a more preferably contains 20 to 30% of Cr and 70 to 80% of O.

제1 막(4a)의 Cr의 함유량은, 후술하는 제2 막(4b)보다 작은 것이 바람직하다.It is preferable that the Cr content of the first film 4a is smaller than that of the second film 4b described later.

상기와 같은 조성으로 함으로써, 제1 막(4a)은, 높은 투과율을 가지면서, 충분한 위상 시프트양을 갖는 막으로 할 수 있다. 그리고, 제1 막(4a)은, 레이저 CVD에 의해 형성이 가능하다.By setting it as the above composition, the 1st film 4a can be made into a film which has a high transmittance and has a sufficient amount of phase shift. Then, the first film 4a can be formed by laser CVD.

이상의 조성에 의해 제1 막(4a)을 형성하고, 상기 광학 특성을 달성하기 위해, 제1 막(4a)의 막 두께는, 1000 내지 4000Å, 보다 바람직하게는 1300 내지 2500Å로 할 수 있다.In order to form the first film 4a by the above composition and achieve the optical properties, the film thickness of the first film 4a may be 1000 to 4000 Å, more preferably 1300 to 2500 Å.

도 4의 (a)에는, 제1 막(4a)의 광학 특성을 예시한다.In Fig. 4A, the optical properties of the first film 4a are illustrated.

도 4의 (a)는, 종축을 위상 시프트양(도), 횡축을 투과율(％)로 하고, 위상 시프트 제어막으로서의 제1 막(4a)이 단층인 경우의 위상 시프트양 φ1과 투과율의 관계의 일 구체예를 도시하고 있다.4A shows the relationship between the phase shift amount φ1 and the transmittance when the vertical axis is the phase shift amount (degree) and the horizontal axis is the transmittance (%), and the first film 4a as the phase shift control film is a single layer. It shows one embodiment of.

(제2 막)(Act 2)

도 1의 (d)는, 제1 막(4a) 상에 제2 막(4b)을 형성하는 공정을 도시한다.1D shows a step of forming the second film 4b on the first film 4a.

제2 막(4b)은, 제1 막(4a)과의 적층에 의해 형성되는 수정막(4)의 투과율 Tr(％)을 원하는 값으로 하기 위한 조정에 필요한 투과율 T2(％)를 갖는다. 즉, 제2 막(4b)은, 소위 「투과 제어막」으로 할 수 있다.The second film 4b has a transmittance T2 (%) required for adjustment to set the transmittance Tr (%) of the crystal film 4 formed by lamination with the first film 4a to a desired value. That is, the second film 4b can be a so-called "transmission control film".

제1 막(4a)의 투과율 T1과 제2 막(4b)의 투과율 T2는,The transmittance T1 of the first film 4a and the transmittance T2 of the second film 4b are,

T1>T2T1>T2

인 것이 바람직하다.It is preferable to be.

제2 막(4b)이 갖는 바람직한 투과율 T2는,The preferable transmittance T2 of the second film 4b is,

25<T2<80,25<T2<80,

보다 바람직하게는,More preferably,

30≤T2<70,30≤T2<70,

더욱 바람직하게는,More preferably,

45≤T2<6545≤T2<65

로 할 수 있다.It can be done with.

또한, 제2 막(4b)의 위상 시프트양 φ2는, 제1 막(4a)의 위상 시프트양 φ1보다 작고,Further, the phase shift amount φ2 of the second film 4b is smaller than the phase shift amount φ1 of the first film 4a,

φ2<100φ2<100

로 한다. 구체적으로는,It should be. Specifically,

20≤φ2<100,20≤φ2<100,

보다 바람직하게는,More preferably,

20≤φ2<60,20≤φ2<60,

더욱 바람직하게는,More preferably,

30≤φ2<5030≤φ2<50

으로 할 수 있다.You can do it.

제2 막(4b)의 주된 성분은, Cr, O 및 C로 하는 것이 바람직하다. 즉, Cr, O 및 C에 의해 제2 막(4b)의 전체 성분의 90％ 이상, 보다 바람직하게는 95％ 이상으로 하는 것이 바람직하다.The main components of the second film 4b are preferably Cr, O, and C. That is, it is preferable to use Cr, O, and C to make 90% or more of the total components of the second film 4b, more preferably 95% or more.

제2 막(4b)에 포함되는 C는, 제1 막(4a)에 포함되는 C보다 많은 것이 바람직하다.It is preferable that C contained in the second film 4b is more than C contained in the first film 4a.

또한, 제2 막(4b)은, 제1 막(4a)보다 Cr의 함유량을 크게 하는 것이 바람직하다.In addition, it is preferable that the second film 4b has a larger Cr content than the first film 4a.

구체적으로는, 제2 막(4b)의 조성은, Cr을 20 내지 70％ 함유하고, O를 5 내지 45％ 함유하고, C를 10 내지 60％ 함유하는 것으로 할 수 있다.Specifically, the composition of the second film 4b can contain 20 to 70% of Cr, 5 to 45% of O, and 10 to 60% of C.

보다 바람직하게는, 제2 막(4b)의 조성은, Cr을 40 내지 50％, O를 15 내지 25％, C를 25 내지 35％ 함유하는 것으로 할 수 있다.More preferably, the composition of the second film 4b can contain 40 to 50% of Cr, 15 to 25% of O, and 25 to 35% of C.

상기 제1 막(4a), 제2 막(4b)을 레이저 CVD법에 의해 형성할 때는, 서로 다른 성분이나 성분비를 갖는 원료 가스를 사용해도 되고, 또는, 동일한 원료 가스를 사용하면서, 상이한 형성 조건을 채용하여, 서로 다른 조성이나 물성을 얻어도 된다.When forming the first film 4a and the second film 4b by the laser CVD method, raw material gases having different components or component ratios may be used, or different forming conditions while using the same raw material gas. By adopting, different compositions and physical properties may be obtained.

본 제1 실시 형태에서는, 제1 막(4a)과 제2 막(4b)의 원료 가스를 동일한 것(Cr(CO)₆)으로 하였지만, 서로 다른 형성 조건을 적용하였다.In the first embodiment, the raw material gases of the first film 4a and the second film 4b were the same (Cr(CO) ₆ ), but different formation conditions were applied.

즉, 제1 막(4a)의 형성 시에는, 제2 막(4b)보다 원료 가스의 유량을 작게 하고(예를 들어 1/2 이하, 또한 1/8 내지 1/6 등), 또한 레이저의 조사 파워 밀도도, 제2 막(4b)의 경우에 비해 작게(예를 들어 1/2 이하) 할 수 있다. 이들은, 원료 가스의 분해 반응을 제한하고, 충분한 위상 시프트양을 구비하면서, 투과율이 과소해지지 않는 제1 막(4a)을 형성하기 위해 유효한 방법이다.That is, when forming the first film 4a, the flow rate of the source gas is made smaller than that of the second film 4b (for example, 1/2 or less, and 1/8 to 1/6, etc.), and the laser The irradiation power density can also be made smaller (for example, 1/2 or less) compared to the case of the second film 4b. These are effective methods in order to limit the decomposition reaction of the source gas and to form the first film 4a in which the transmittance is not excessive while providing a sufficient amount of phase shift.

일례로서는, 원료 가스 유량은, 30cc/min 이하, 바람직하게는 10 내지 20cc/min으로 하고, 또한, 레이저 조사 파워 밀도를 3mW/㎠ 이하, 바람직하게는 1 내지 2mW/㎠로 할 수 있다. 또한, 레이저 조사 시간을 10sec 이상, 바람직하게는 20 내지 30sec로 할 수 있다. 즉, 제1 막(4a)을 형성하기 위한 원료 가스 유량 및 레이저 조사 파워 밀도는, 비교적 저유량이면서 또한 저에너지로 하여, 후술하는 제2 막(4b)에 비해, 장시간의 막 형성을 적용하는 것이 유용하다.As an example, the raw material gas flow rate may be 30 cc/min or less, preferably 10 to 20 cc/min, and the laser irradiation power density may be 3 mW/cm 2 or less, preferably 1 to 2 mW/cm 2. Further, the laser irradiation time can be 10 sec or more, preferably 20 to 30 sec. That is, the flow rate of the raw material gas and the laser irradiation power density for forming the first film 4a are relatively low flow rate and low energy, so that a longer film formation is applied compared to the second film 4b described later. useful.

한편, 제2 막(4b)을 형성하는 경우에는, 제1 막(4a)의 경우보다, 원료 가스 유량을 크게 하여, C의 함유량을 많게 한다. 또한, 제2 막(4b)을 형성하기 위한 레이저 조사 파워 밀도도, 제1 막(4a)의 경우보다 큰 것이 바람직하다. 이에 의해, 원료 가스의 분해 반응을 촉진시켜, 막 두께가 작아도, 제1 막(4a)에 비해 투과율이 작은 제2 막(4b)을 형성한다.On the other hand, in the case of forming the second film 4b, the raw material gas flow rate is increased to increase the C content than in the case of the first film 4a. Further, it is preferable that the laser irradiation power density for forming the second film 4b is also larger than that of the first film 4a. Thereby, the decomposition reaction of the source gas is promoted, and the second film 4b having a smaller transmittance than the first film 4a is formed even if the film thickness is small.

일례로서는, 제2 막(4b)을 형성하기 위한 원료 가스 유량은, 60cc/min 이상, 바람직하게는 80 내지 110cc/min 정도로 하고, 또한, 레이저 조사 파워 밀도를 6mW/㎠ 이상, 바람직하게는 8 내지 12mW/㎠로 할 수 있다. 또한, 레이저 조사 시간은, 제1 막(4a)의 경우보다 짧게 하고, 예를 들어 1.0sec 이하, 바람직하게는 0.5 내지 0.8sec로 할 수 있다. 즉, 제2 막(4b)을 형성하기 위한 원료 가스 유량 및 레이저 조사 파워 밀도는, 상대적으로, 고유량이면서 또한 고에너지로 단시간 조건으로 할 수 있다.As an example, the flow rate of the raw material gas for forming the second film 4b is 60 cc/min or more, preferably about 80 to 110 cc/min, and the laser irradiation power density is 6 mW/cm 2 or more, preferably 8 To 12 mW/cm 2. In addition, the laser irradiation time can be shorter than that of the first film 4a, for example, 1.0 sec or less, preferably 0.5 to 0.8 sec. That is, the flow rate of the raw material gas and the laser irradiation power density for forming the second film 4b can be relatively, high-energy, and short-time conditions.

이와 같은 제2 막(4b)의 형성 조건은, 레이저 CVD를 사용하여, 차광성의 수정막의 형성(예를 들어 바이너리 마스크의 수정 시)에 적용하는 것보다 큰, 소위 고에너지 조건이라 할 수 있다.The conditions for forming the second film 4b are higher than those applied to the formation of a light-shielding crystal film (for example, when modifying a binary mask) by using laser CVD, and can be referred to as a so-called high energy condition. .

이와 같은 조건을 적용함으로써, 제2 막(4b)은, 박막이며 위상 시프트양 φ2가 매우 작고, 또한, 막 밀도가 높기 때문에 내약성도 우수한 막이 된다.By applying such conditions, the second film 4b is a thin film, has a very small phase shift amount φ2, and has a high film density, so that it becomes a film having excellent resistance to chemicals.

상기 조성에 의해, 원하는 광학 특성을 만족시키는 막으로서, 제2 막(4b)의 막 두께는, 450 내지 1450Å, 보다 바람직하게는 550 내지 950Å로 할 수 있다. 바람직하게는, 제2 막(4b)의 막 두께는, 제1 막의 막 두께보다 작게 하여, 위상 시프트양을 작게 함으로써, 수정막으로서의 위상 시프트양의 조정을 용이하게 한다.According to the above composition, as a film satisfying desired optical properties, the thickness of the second film 4b may be 450 to 1450 Å, more preferably 550 to 950 Å. Preferably, the film thickness of the second film 4b is made smaller than the film thickness of the first film and the amount of phase shift is made small, thereby facilitating adjustment of the amount of phase shift as the correction film.

도 4의 (b)에는, 제2 막(4b)의 광학 특성을 예시한다.In Fig. 4B, the optical properties of the second film 4b are illustrated.

도 4의 (b)는, 종축을 위상 시프트양(도), 횡축을 투과율(％)로 하고, 투과 제어막으로서의 제2 막(4b)이 단층인 경우의 위상 시프트양 φ2와 투과율 T2의 관계의 일 구체예를 도시하고 있다.4B shows the relationship between the phase shift amount φ2 and the transmittance T2 in the case where the vertical axis is the amount of phase shift (degree) and the horizontal axis is the transmittance (%), and the second film 4b as the transmission control film is a single layer. It shows one embodiment of.

(적층막)(Laminated film)

상기 제1 막(4a)과 제2 막(4b)을 적층함으로써, 상기 대표 파장의 광에 대하여, 이하의 위상 시프트양 φr(도), 및 투과율 Tr(％)을 갖는 수정막(4)을 형성할 수 있다. 즉, 제1 막(4a)과 제2 막(4b)을 적층한 수정막(4)은,By laminating the first film 4a and the second film 4b, a crystal film 4 having the following phase shift amount φr (degrees) and transmittance Tr (%) for light of the representative wavelength is obtained. Can be formed. That is, the crystal film 4 in which the first film 4a and the second film 4b are stacked,

160≤φr≤200,160≤φr≤200,

Tr>25Tr>25

로 할 수 있다.It can be done with.

수정막(4)의 투과율 Tr은, 반투광부의 투과율 Tm과 동일한 범위로 하는 것이 바람직하고,The transmittance Tr of the crystal film 4 is preferably in the same range as the transmittance Tm of the semi-transmissive portion,

30<Tr≤75,30<Tr≤75,

더욱 바람직하게는,More preferably,

40<Tr≤7040<Tr≤70

으로 할 수 있다.You can do it.

제1 막(4a)과 제2 막(4b)의 적층순은 어느 것이어도 된다. 단, 상기 조성의 상이에 의해, 제2 막(4b)쪽이 제1 막(4a)보다 내약성이 높기 때문에, 제2 막(4b)을 상층측에 배치함으로써, 세정 내성 등을 높게 할 수 있어 바람직하다.The first film 4a and the second film 4b may be stacked in any order. However, due to the difference in the above composition, since the second film 4b has higher tolerance than the first film 4a, by disposing the second film 4b on the upper side, cleaning resistance, etc. can be increased. desirable.

제1 막(4a), 제2 막(4b)을 포함하는 수정막(4)으로서는,As the crystal film 4 including the first film 4a and the second film 4b,

Cr-C-O 조성비를, Cr : 30 내지 70％, O : 5 내지 35％, C : 20 내지 60％,Cr-C-O composition ratio, Cr: 30 to 70%, O: 5 to 35%, C: 20 to 60%,

보다 바람직하게는,More preferably,

Cr : 40 내지 50％, O : 5 내지 25％, C : 35 내지 45％Cr: 40 to 50%, O: 5 to 25%, C: 35 to 45%

로 할 수 있다.It can be done with.

도 4의 (c)에는, 제1 막(4a)과 제2 막(4b)을 적층한 수정막(4)의 광학 특성을 예시한다.In Fig. 4C, the optical properties of the crystal film 4 in which the first film 4a and the second film 4b are stacked are illustrated.

도 4의 (c)는, 종축을 위상 시프트양(도), 횡축을 투과율(％)로 하고, 제1 막(4a)과 제2 막(4b)을 적층한 수정막(4)에 있어서의 위상 시프트양과 투과율의 관계의 일 구체예를 도시하고 있다. 도 4에 의하면, 제1 막(4a)이 단층인 경우(도 4의 (a) 참조) 또는 제2 막(4b)이 단층인 경우(도 4의 (b) 참조) 중 어느 것에 있어서도 얻어지지 않았던 위상 시프트양과 투과율의 관계, 즉 노광광에 대하여 고투과율로 위상 시프트 작용을 갖는 광학 특성이, 제1 막(4a)과 제2 막(4b)을 적층한 수정막(4)에 있어서 실현되고 있음을 알 수 있다.4(c) shows the crystal film 4 in which the vertical axis is the amount of phase shift (degree) and the horizontal axis is the transmittance (%), and the first film 4a and the second film 4b are stacked. One specific example of the relationship between the amount of phase shift and the transmittance is shown. According to Fig. 4, it is not obtained in either case where the first film 4a is a single layer (see Fig. 4(a)) or the case where the second film 4b is a single layer (see Fig. 4(b)). The relationship between the amount of phase shift and the transmittance, that is, the optical characteristic having a phase shift action at a high transmittance with respect to exposure light, is realized in the crystal film 4 in which the first film 4a and the second film 4b are stacked. You can see that there is.

즉, 이상에 설명한 수순의 포토마스크 수정 방법을 적용함으로써, 소정의 투과율로 위상 시프트 작용을 갖는 반투광막(2)에 결함이 발생해도, 이 광학 특성을 회복하기 위해, 정교한 수정을 행할 수 있다. 더욱 상세하게는, 본 제1 실시 형태의 포토마스크 수정 방법에 의하면, 수정막(4)을 2층 구성으로 함으로써, 곤란하였던 고투과율의 위상 시프트막과 거의 동일한 광학 물성을 갖도록 수정을 실시할 수 있다. 여기서, 제1 막(4a), 제2 막(4b)을 모두 동일한 막 형성 방법(여기서는 레이저 CVD법)에 의해 형성할 수 있기 때문에, 복수의 방식의 수정 장치를 사용할 필요가 없다. 이것은, 예를 들어 후술하는 표시 장치 제조용 포토마스크의 수정에 있어서, 매우 유리하다.That is, by applying the photomask correction method of the procedure described above, even if a defect occurs in the semi-transmissive film 2 having a phase shifting action at a predetermined transmittance, precise correction can be made in order to restore this optical characteristic. . More specifically, according to the photomask correction method of the first embodiment, by forming the correction film 4 into a two-layer structure, correction can be performed so as to have almost the same optical properties as the phase shift film of high transmittance which was difficult have. Here, since both the first film 4a and the second film 4b can be formed by the same film forming method (here, the laser CVD method), there is no need to use a plurality of correction devices. This is very advantageous, for example, in the correction of a photomask for manufacturing a display device to be described later.

또한, 도 1에 도시한 제1 실시 형태에서는, 반투광부(12)가 투광부(11)와 인접하고 있다. 이와 같은 전사용 패턴에서는, 상기 공정에 의해, 필요 면적 이상의 수정막(4)을 형성한 후, 해당 수정막(4)의 외연 부근을 제거하여, 투광부(11)와의 경계에 있어서의 수정막(4)의 에지 형상을 조정해도 된다. 이를 위한 수단은, 예를 들어 레이저 잽(Laser Zap)을 사용할 수 있다. 이와 같이 하면, 수정막(4)의 형성 과정에서 측면에 경사가 발생한 경우에도, 보다 투명 기판(1)에 대하여 수직인 측면에 가깝게 하는 등, 막의 에지 형상을 조정할 수 있어, 이 경계 부분에 발생하는 위상 시프트 효과를 보다 유리하게 기능시킬 수 있다.In addition, in the first embodiment shown in FIG. 1, the semi-transmissive portion 12 is adjacent to the light-transmitting portion 11. In such a transfer pattern, after forming the crystal film 4 having a required area or more by the above process, the vicinity of the outer edge of the crystal film 4 is removed, and the crystal film at the boundary with the light-transmitting portion 11 is removed. You may adjust the edge shape of (4). As a means for this, for example, a Laser Zap can be used. In this way, even when an inclination occurs on the side surface in the process of forming the crystal layer 4, the edge shape of the film can be adjusted, such as closer to the side perpendicular to the transparent substrate 1, which occurs at this boundary. The phase shift effect to perform can be functioned more advantageously.

<포토마스크 수정 방법의 제2 실시 형태><Second embodiment of photomask correction method>

다음에, 도 2를 참조하여, 본 발명의 포토마스크 수정 방법의 제2 실시 형태에 대하여 설명한다.Next, a second embodiment of the photomask correction method of the present invention will be described with reference to Fig. 2.

도 2는 투명 기판(1) 상에 반투광막(2)과 차광막(3)이 각각 패터닝되어 이루어지는 전사용 패턴(10')을 갖는 포토마스크에 결함이 발생한 경우에 대하여, 그 수정 방법을 도시하는 것이다.FIG. 2 shows a correction method for a case in which a defect occurs in a photomask having a transfer pattern 10' formed by patterning a translucent film 2 and a light shielding film 3 on a transparent substrate 1, respectively. It is to do.

즉, 본 제2 실시 형태에서 수정의 대상이 되는 전사용 패턴(10')은, 투명 기판(1)이 노출된 투광부, 투명 기판(1) 상에 적어도 차광막(3)이 형성되어 있는 차광부(13), 및, 투명 기판(1) 상에 위상 시프트 작용을 갖는 반투광막(2)이 형성된 반투광부(12)를 갖는다. 도 2의 (a)에는, 차광부(13)와 반투광부(12)의 부분만 도시하고, 투광부는 도시를 생략하고 있다. 차광막(3)의 표층에는, 반사 방지층이 형성되어 있어도 된다.That is, the transfer pattern 10 ′ to be modified in the second embodiment is a difference in which at least a light-shielding film 3 is formed on the transparent substrate 1 and the transparent substrate 1 is exposed. It has a light part 13, and a semi-transmissive part 12 in which the semi-transmissive film 2 which has a phase shifting action is formed on the transparent substrate 1. In Fig. 2A, only portions of the light-shielding portion 13 and the semi-transmissive portion 12 are shown, and the light-transmitting portion is omitted. An antireflection layer may be formed on the surface layer of the light shielding film 3.

본 제2 실시 형태에 있어서, 반투광부(12)는 차광부(13)에 인접하고, 반투광부(12)와 차광부(13)가 배열되는 방향에 있어서 사이에 끼워져 배치되어 있다. 도 2의 (a)에 있어서는, 반투광부(12)와 투광부는 인접하고 있지 않다.In the second embodiment, the semi-transmissive portion 12 is adjacent to the light-shielding portion 13 and sandwiched between the semi-transmissive portion 12 and the light-shielding portion 13 in the direction in which the light-shielding portion 13 is arranged. In Fig. 2A, the translucent portion 12 and the translucent portion are not adjacent.

여기서, 반투광부(12)는, 상기 제1 실시 형태의 경우와 마찬가지의 투과율 Tm(％)과 위상 시프트양 φm(도)을 갖는, 위상 시프트막에 의해 이루어진다. 차광부(13)는, 실질적으로 노광광을 투과하지 않는 막이며, 바람직하게는 OD(Optical Density)≥3이다.Here, the translucent portion 12 is made of a phase shift film having a transmittance Tm (%) and a phase shift amount φm (degrees) similar to those of the first embodiment. The light-shielding portion 13 is a film that does not substantially transmit exposure light, and is preferably OD (Optical Density) ≥3.

도 2의 (b)는, 도 2의 (a)에 도시한 포토마스크의 반투광부(12)에 백색 결함(20)이 발생한 경우를 도시한다.FIG. 2B shows a case where a white defect 20 has occurred in the translucent portion 12 of the photomask shown in FIG. 2A.

도 2의 (c)는, 백색 결함(20)의 주변에 있는 반투광막(2)과 차광막(3)을 제거하여 투명 기판(1)을 노출시켜, 수정막(4)을 형성하기 위한 영역(이하, 수정용 영역이라고도 함)(21)의 형상을 조정하는 공정(전공정)을 도시한다. 막 제거의 수단은, 레이저에 의한 증산(Laser Zap) 등을 적용할 수 있다.FIG. 2C shows a region for forming a crystal film 4 by removing the translucent film 2 and the light shielding film 3 around the white defect 20 to expose the transparent substrate 1 (Hereinafter, also referred to as a correction region) a process (pre-process) of adjusting the shape of 21 is shown. As a means of removing the film, evaporation by laser (Laser Zap) or the like can be applied.

도 2의 (d)는, 수정용 영역(21)에 있어서, 노출된 투명 기판(1)의 표면에, 제1 실시 형태의 경우와 마찬가지의 제1 막(4a)을 형성하는 공정을 도시한다. 또한, 도 2의 (e)는, 형성된 제1 막(4a) 상에, 제2 막(4b)을 적층하고 있다.FIG. 2D shows a process of forming a first film 4a similar to that of the first embodiment on the surface of the exposed transparent substrate 1 in the crystal region 21 . In addition, in Fig. 2E, a second film 4b is laminated on the formed first film 4a.

제1 막(4a), 제2 막(4b)의 광학 물성, 조성 및 성막 조건은, 제1 실시 형태와 마찬가지의 것을 적용할 수 있다. 따라서, 형성되는 2층 구성의 수정막(4)도, 제1 실시 형태의 경우와 마찬가지이다.The optical properties, composition, and film formation conditions of the first film 4a and the second film 4b can be the same as those of the first embodiment. Therefore, the two-layered crystal film 4 to be formed is also the same as in the case of the first embodiment.

본 제2 실시 형태에서는, 수정용 영역(21)이 차광부(13)나 반투광부(12)와 인접하고 있다. 또한, 여기에서는, 수정용 영역(21)은, 차광부(13) 및/또는 반투광부(12)에 의해 둘러싸여 있는 예를 나타낸다. 여기서, 수정용 영역(21)의 외연을 형성하는 반투광막(2) 및/또는 차광막(3)의 에지와, 제1 막(4a) 또는 제2 막(4b)의 에지가, 서로 겹치지 않도록, 수정막을 형성한다. 제1 막(4a) 및/또는 제2 막(4b)이, 잔존하는 반투광막(2)의 에지와 겹치면, 해당 겹침 부분의 투과율이 정상적인 반투광막(2)보다 저하되어, 설계대로의 패턴이 전사되지 않는 문제가 발생하기 때문이다.In the second embodiment, the crystal region 21 is adjacent to the light-shielding portion 13 or the semi-transmissive portion 12. Incidentally, here, an example in which the correction region 21 is surrounded by the light-shielding portion 13 and/or the semi-transmissive portion 12 is shown. Here, the edges of the translucent film 2 and/or the light-shielding film 3 forming the outer periphery of the crystal region 21 and the edges of the first film 4a or the second film 4b do not overlap each other. , To form a crystal film. When the first film 4a and/or the second film 4b overlaps the edge of the remaining semi-transmissive film 2, the transmittance of the overlapped portion is lower than that of the normal semi-transmissive film 2, and according to the design This is because a problem occurs in that the pattern is not transferred.

또한, 제1 막(4a) 및/또는 제2 막(4b)이, 잔존하는 차광부(13)의 에지와 겹치면, 차광막(3)의 에지 부분에 있어서, 차광막(3)의 성분(예를 들어 Cr)에 에너지가 조사됨으로써, 불필요한 막 성장이 개시되고, 근방의 반투광부(수정 후를 포함함)(12)의 투과율을 변화시켜 버리는 경우가 있음을 고려하기 때문이다.In addition, when the first film 4a and/or the second film 4b overlaps the edge of the remaining light-shielding portion 13, in the edge portion of the light-shielding film 3, a component of the light-shielding film 3 (e.g. For example, when energy is irradiated to Cr), unnecessary film growth is started, and it is considered that the transmittance of the adjacent semi-transmissive portion (including after correction) 12 may be changed.

이 때문에, 제1 막(4a) 및/또는 제2 막(4b)의 에지와, 투명 기판(1) 상에 잔존하는 반투광막(2), 차광막(3)의 에지는 겹침이 발생하지 않도록, 에지 위치를 조정하는 수정 공정을 행할 것이 요망된다. 또는, 도 2의 (c), (d)에 도시한 바와 같이, 제1 막(4a) 및/또는 제2 막(4b)의 에지와, 투명 기판(1) 상에 잔존하는 반투광막(2), 차광막(3)의 에지가, 조금 이격되도록 하는, 수정 공정을 적용하는 것이 바람직하다.Therefore, the edges of the first film 4a and/or the second film 4b and the edges of the translucent film 2 and the light-shielding film 3 remaining on the transparent substrate 1 do not overlap. , It is desired to perform a correction process of adjusting the edge position. Alternatively, as shown in (c) and (d) of Fig. 2, the edge of the first film 4a and/or the second film 4b, and the semi-transmissive film remaining on the transparent substrate 1 ( 2) It is preferable to apply a correction process in which the edges of the light-shielding film 3 are slightly spaced apart.

제1 막(4a) 및/또는 제2 막(4b)의 에지와, 반투광막(2), 차광막(3)의 에지의 이격 거리는, 1㎛ 이하로 하는 것이 바람직하다. 예를 들어, 이격 거리는, 0.1㎛ 내지 1㎛로 할 수 있다. 이 이격 거리는, 포토마스크를 노광하는 노광 장치의 해상 한계보다 작기 때문에, 이격부가 피전사체 상에 전사되는 일은, 실질적으로 발생하지 않는다.It is preferable that the separation distance between the edges of the first film 4a and/or the second film 4b and the edges of the translucent film 2 and the light-shielding film 3 is 1 μm or less. For example, the separation distance may be 0.1 μm to 1 μm. Since this separation distance is smaller than the resolution limit of the exposure apparatus for exposing the photomask, it does not substantially occur that the separation portion is transferred onto the object to be transferred.

또한, 본 제2 실시 형태에서는, 도 2의 (c)에 있어서의 전공정에서, 차광부(13)에 걸리는 막 제거를 행하였기 때문에, 수정막(4)의 형성이 완료된 도 2의 (e)의 시점에 있어서, 수정 반투광부(반투광부의 일부 또는 전부에 수정막을 형성한 반투광부를, 수정 반투광부라고도 함)(12a)의 형상이, 정상적인 패턴의 그것과 상이한 것으로 되어 있다. 구체적으로는, 수정 반투광부(12a)의 폭(CD)은, 정상적인 패턴에 있어서의 반투광부(12)의 폭(CD)보다 크다.In addition, in the second embodiment, since the film applied to the light-shielding portion 13 is removed in the previous step in Fig. 2C, the formation of the crystal film 4 is completed in Fig. 2(e). ), the shape of the crystal semi-transmissive portion (a semi-transmissive portion in which a crystal film is formed on a part or all of the semi-transmissive portion is also referred to as a crystal semi-transmissive portion) 12a is different from that of a normal pattern. Specifically, the width CD of the crystal semitransmissive portion 12a is larger than the width CD of the semitransmissive portion 12 in a normal pattern.

따라서, 이것을 설계대로의 CD로 하기 위한 후공정을, 도 2의 (f)에 있어서 행하고 있다.Therefore, a post-process for making this CD as designed is performed in Fig. 2(f).

즉, 도 2의 (f)에서는, 수정 반투광부(12a)가 올바른 CD가 되도록, 그 에지 주변에, 차광성의 보충막(5)을 형성하고 있다. 보충막(5)의 형성 방법은, 예를 들어 집속 이온 빔법(Focused Ion Beam Deposition)을 사용할 수 있고, 또는, 레이저 CVD법을 사용해도 된다.That is, in Fig. 2(f), a light-shielding supplemental film 5 is formed around the edge so that the crystal semitransmissive portion 12a becomes a correct CD. As a method of forming the supplementary film 5, for example, a focused ion beam method (Focused Ion Beam Deposition) may be used, or a laser CVD method may be used.

보충막(5)은, 정상적인 패턴에 있어서의 차광막(3)과는 성막 방법이 상이한 것에 관계되고, 성분이나 성분비가 상이한 것, 즉 차광막(3)과 조성이 상이한 것으로 할 수 있다. 보충막(5)은, 예를 들어 카본을 주성분으로 하는 막으로 할 수 있다.The supplemental film 5 may have a different film formation method from the light-shielding film 3 in a normal pattern, and may have different components and component ratios, that is, a composition different from that of the light-shielding film 3. The supplemental film 5 can be, for example, a film containing carbon as a main component.

광학적으로는, 보충막(5)은, 실질적으로 노광광을 투과하지 않고, OD(Optical Density)가 3 이상인 것이 바람직하다.Optically, it is preferable that the supplementary film 5 does not substantially transmit exposure light and has an OD (Optical Density) of 3 or more.

도 2의 (f)에서는, 수정 반투광부(12a)의 CD가, 수정 전의 정상적인 반투광부(12)와 동일하게 되도록 보충막(5)을 형성하고 있다. 단, 수정 반투광부(12a)의 투과율이 목표값에 대하여 과부족을 갖고 있는 경우, 이것을 목표값에 가깝게 하는 미세 조정을 할 목적으로, 수정 반투광부(12a)의 CD를, 정상적인 반투광부(12)보다 크거나, 또는 작게 할 수 있다.In Fig. 2(f), the supplemental film 5 is formed so that the CD of the crystal semitransmissive portion 12a becomes the same as the normal semitransmissive portion 12 before crystallization. However, in the case where the transmittance of the crystal semi-transmissive portion 12a is excessive or insufficient with respect to the target value, the CD of the crystal semi-transmissive portion 12a is transferred to the normal semi-transmissive portion 12 for the purpose of fine adjustment to bring this to the target value. It can be larger or smaller.

즉, 수정막(4)의 형성 공정이 종료된 후, 후공정 전에, 수정막(4)의 광학 성능을 검사하고, 이 결과를 근거로 하여, 후공정에서 행하는 보충막(5)의 형성의 치수를 가감해도 된다. 그 경우에는, 형성되는 수정 반투광부(12a)는, 정상적인 반투광부(12)에 비해, 국소적으로 CD가 작거나, 또는 커진다.That is, after the formation process of the crystal film 4 is completed, before the subsequent process, the optical performance of the crystal film 4 is inspected, and based on this result, the formation of the supplementary film 5 performed in the post process is You may increase or decrease the dimensions. In that case, the formed crystal semitransmissive portion 12a has a smaller or larger CD locally than that of the normal semitransmissive portion 12.

이상에 설명한 수순의 포토마스크 수정 방법을 적용함으로써, 상기 제1 실시 형태의 경우와 마찬가지로, 소정의 투과율로 위상 시프트 작용을 갖는 반투광막(2)에 발생하는 결함에 대하여, 정교한 수정을 행할 수 있다.By applying the photomask correction method of the procedure described above, as in the case of the first embodiment, it is possible to precisely correct defects occurring in the translucent film 2 having a phase shifting action with a predetermined transmittance. have.

<포토마스크 수정 방법의 제3 실시 형태><Third embodiment of photomask correction method>

다음에, 도 3을 참조하여, 본 발명의 포토마스크 수정 방법의 제3 실시 형태에 대하여 설명한다.Next, a third embodiment of the photomask correction method of the present invention will be described with reference to Fig. 3.

도 3은 투명 기판(1) 상에 반투광막(2)과 차광막(3)이 각각 패터닝되어 이루어지는 전사용 패턴(10')을 갖는 포토마스크에 결함이 발생한 경우에 대하여, 또 다른 수정 방법을 도시하는 것이다.3 shows another correction method for a case in which a defect occurs in a photomask having a transfer pattern 10' formed by patterning the translucent layer 2 and the light shielding layer 3 on the transparent substrate 1, respectively. It is to show.

본 제3 실시 형태에서 수정의 대상이 되는 전사용 패턴(10')은, 투명 기판(1)이 노출된 투광부, 투명 기판(1) 상에 적어도 차광막(3)이 형성되어 있는 차광부(13), 및 투명 기판(1) 상에 위상 시프트 작용을 갖는 반투광막(2)이 형성된 반투광부(12)를 갖는다. 도 3의 (a)에는, 차광부(13)와 반투광부(12)의 부분만 도시하고, 투광부는 도시를 생략하고 있다. 차광막(3)의 표층에는, 반사 방지층이 형성되어 있어도 된다.The transfer pattern 10 ′ to be modified in the third embodiment includes a light-transmitting portion to which the transparent substrate 1 is exposed, and a light-shielding portion in which at least a light-shielding film 3 is formed on the transparent substrate 1 ( 13), and a translucent portion 12 in which a translucent film 2 having a phase shifting action is formed on the transparent substrate 1. In Fig. 3A, only portions of the light-shielding portion 13 and the semi-transmissive portion 12 are shown, and the light-transmitting portion is omitted. An antireflection layer may be formed on the surface layer of the light shielding film 3.

본 제3 실시 형태에 있어서도, 반투광부(12)는, 차광부(13)에 인접하여 사이에 끼워져, 투광부와는 인접하고 있지 않다.Also in the third embodiment, the semi-transmissive portion 12 is adjacent to and interposed between the light-shielding portion 13 and is not adjacent to the light-transmitting portion.

여기서, 반투광부(12)는, 상기 제1 실시 형태의 경우와 마찬가지의 투과율 Tm(％)과 위상 시프트양 φm(도)을 갖는, 위상 시프트막에 의해 이루어진다. 차광부(13)는, 실질적으로 노광광을 투과하지 않는 막이며, 바람직하게는 OD≥3이다.Here, the translucent portion 12 is made of a phase shift film having a transmittance Tm (%) and a phase shift amount φm (degrees) similar to those of the first embodiment. The light-shielding portion 13 is a film that does not substantially transmit exposure light, and is preferably OD≥3.

도 3의 (b)는, 도 3의 (a)에 도시한 포토마스크의 반투광부(12)에 백색 결함(20)이 발생한 경우를 도시한다.Fig. 3(b) shows a case where a white defect 20 occurs in the translucent portion 12 of the photomask shown in Fig. 3(a).

도 3의 (c)는, 백색 결함(20)이 발생한 반투광부(12)와 연결되는 영역의 반투광막(2)을 모두 제거하여 투명 기판(1)을 노출시켜, 수정용 영역(22)의 형상을 조정하는 전공정을 도시한다. 또한, 여기서는 반투광막(2)의 제거와 동시에, 인접하는 차광막(3)의 일부도 제거하고 있다. 막 제거의 수단은, 레이저에 의한 증산(Laser Zap) 등을 적용할 수 있다.3(c) shows that the transparent substrate 1 is exposed by removing all the translucent film 2 in the region connected to the translucent part 12 where the white defect 20 has occurred, so that the crystal region 22 It shows the pre-process of adjusting the shape of. In addition, at the same time as the semi-transmissive film 2 is removed, a part of the adjacent light-shielding film 3 is also removed here. As a means of removing the film, evaporation by laser (Laser Zap) or the like can be applied.

도 3의 (d)는, 수정용 영역(22)에 있어서, 노출된 투명 기판(1)의 표면에, 제1 실시 형태의 경우와 마찬가지의 제1 막(4a)을 위상 조정막으로서 형성하는 공정을 도시한다. 또한, 도 3의 (e)는, 형성된 제1 막(4a) 상에 제2 막(4b)을 투과 조정막으로서 적층하고 있다.3(d) shows that in the crystal region 22, on the surface of the exposed transparent substrate 1, a first film 4a similar to that of the first embodiment is formed as a phase adjustment film. Shows the process. In addition, in Fig. 3E, a second film 4b is laminated as a transmission adjustment film on the formed first film 4a.

본 제3 실시 형태에서는, 결함이 발생한 반투광막과 연속하는 반투광막(2)을 모두 제거하였기 때문에, 수정 후의 포토마스크에 있어서, 수정막과 정상적인 반투광막이 인접하지 않는다. 따라서, 수정막과 정상적인 반투광막의 경계에 있어서의, 양쪽 막의 이격이나 중복이 발생하지 않는다. 이격이나 중복은, 치수가 커지면, 피전사체 상에 전사되는 리스크가 발생하지만, 본 제3 실시 형태에서는, 그와 같은 리스크가 없는 점에서 유리하다.In the third embodiment, since both the semitransmissive film in which the defect has occurred and the continuous semitransmissive film 2 are removed, the crystal film and the normal semitransmissive film are not adjacent to each other in the photomask after correction. Therefore, no separation or overlap between the two films at the boundary between the crystal film and the normal semi-transmissive film occurs. Separation or overlapping is advantageous in that there is no such risk in the third embodiment, although the risk of being transferred onto the object to be transferred occurs when the size is increased.

또한, 본 제3 실시 형태에서는, 도 3의 (c)에 있어서의 전공정에서, 차광부(13)에 걸리는 막 제거를 행하였기 때문에, 수정막(4)의 형성이 완료된 도 3의 (e)의 시점에 있어서, 수정 반투광부(12a)의 치수가, 정상적인 패턴의 그것과 상이한 것으로 되어 있다. 구체적으로는, 수정 반투광부(12a)의 폭(CD)은, 정상적인 패턴에 있어서의 반투광부(12)의 폭(CD)보다 크다.In addition, in the third embodiment, since the film applied to the light-shielding portion 13 is removed in the previous step in Fig. 3C, the formation of the crystal film 4 is completed in Fig. 3(e). At the point of view ), the dimension of the crystal semitransmissive portion 12a is different from that of the normal pattern. Specifically, the width CD of the crystal semitransmissive portion 12a is larger than the width CD of the semitransmissive portion 12 in a normal pattern.

따라서, 이것을 설계대로의 CD로 하기 위한 후공정을, 도 3의 (f)에 있어서 행하고 있다. 이 점은, 제2 실시 형태의 경우와 마찬가지이다.Therefore, a post-process for making this CD as designed is performed in Fig. 3(f). This point is the same as in the case of the second embodiment.

후공정에서 형성하는 차광성의 보충막(5)의 성분, 광학 특성도 제2 실시 형태와 마찬가지로 할 수 있다. 또한, 필요에 따라 수정 반투광부(12a)의 투과율을, 보충막(5)의 형성의 치수에 따라 조정해도 되는 점도, 제2 실시 형태와 마찬가지로 할 수 있다.The components and optical properties of the light-shielding supplemental film 5 formed in the post-process can also be similar to those of the second embodiment. Further, if necessary, the transmittance of the crystal semi-transmissive portion 12a may be adjusted according to the dimension of the formation of the supplemental film 5, and the same can be made as in the second embodiment.

이상에 설명한 수순의 포토마스크 수정 방법을 적용함으로써, 상기 제1 실시 형태의 경우와 마찬가지로, 소정의 투과율로 위상 시프트 작용을 갖는 반투광막(2)에 발생하는 결함에 대하여 정교한 수정을 행할 수 있다.By applying the photomask correction method of the procedure described above, as in the case of the first embodiment, it is possible to precisely correct defects occurring in the translucent film 2 having a phase shifting action with a predetermined transmittance. .

<포토마스크의 제조 방법><Method of manufacturing photomask>

또한, 본 발명은, 상기 포토마스크 수정 방법을 포함하는, 포토마스크의 제조 방법을 포함한다.Further, the present invention includes a method of manufacturing a photomask, including the photomask correction method.

본 발명의 포토마스크 제조 방법은, 이하의 공정에 의해 행할 수 있다.The photomask manufacturing method of the present invention can be performed by the following steps.

먼저, 투명 기판 상에, 위상 시프트 작용이 있는 반투광막을 포함하고, 필요한 광학막이 성막된 포토마스크 블랭크를 준비한다. 여기에서 말하는 포토마스크 블랭크는, 이미 일부의 막 패턴을 구비한, 포토마스크 중간체를 포함한다. 그리고, 해당 포토마스크 블랭크 상에 형성한 레지스트막(포지티브형, 또는 네가티브형)에, 원하는 패턴을 레이저 묘화 장치 등으로 묘화하고, 현상하여, 레지스트 패턴을 형성한다. 또한, 이 레지스트 패턴을 마스크로 하여, 상기 광학막을 에칭함으로써, 전사용 패턴을 형성한다. 에칭은 드라이 에칭, 웨트 에칭 모두 적용할 수 있지만, 표시 장치용으로서는, 웨트 에칭이 유리하며 다용된다.First, a photomask blank is prepared on a transparent substrate, including a semi-transmissive film having a phase shifting action, and on which a necessary optical film is formed. The photomask blank referred to herein includes a photomask intermediate already provided with some film patterns. Then, on the resist film (positive type or negative type) formed on the photomask blank, a desired pattern is drawn and developed by a laser drawing device or the like to form a resist pattern. Further, by using this resist pattern as a mask and etching the optical film, a transfer pattern is formed. Etching can be applied to both dry etching and wet etching, but for display devices, wet etching is advantageous and widely used.

전사용 패턴이 형성된 포토마스크(또는, 성막이나 패턴 형성이 더 실시되는 포토마스크 중간체)의 결함 검사를 행한다. 백색 결함, 또는, 흑색 결함이 발견된 경우에, 상기 본 발명의 포토마스크 수정 방법을 적용하여, 포토마스크의 수정을 행한다.A defect inspection is performed on the photomask on which the transfer pattern is formed (or the photomask intermediate to which film formation or pattern formation is further performed). When a white defect or a black defect is found, the photomask is corrected by applying the photomask correction method of the present invention.

이상의 수순을 거침으로써, 위상 시프트 작용을 이용하는 전사용 패턴에 결함이 발생해도, 정교한 수정을 행하면서, 포토마스크를 제조할 수 있다.By passing through the above procedure, even if a defect occurs in the transfer pattern using the phase shifting action, it is possible to manufacture a photomask while performing elaborate correction.

<포토마스크><Photomask>

또한, 본 발명은, 상기 포토마스크 수정 방법을 실시한 포토마스크를 포함한다.Further, the present invention includes a photomask subjected to the photomask correction method.

해당 포토마스크는, 투명 기판 상에 형성된 반투광막이 패터닝되어 이루어지는 반투광부를 포함하는 전사용 패턴을 갖는다. 그리고, 이 포토마스크는, 상기 반투광막과 상이한 재료를 포함하는 수정막이 국소적으로 형성된, 수정 반투광부를 더 포함한다. 이 포토마스크는 반투광부에 발생한 결함에 대해, 수정막이 형성됨으로써 얻어진다.The photomask has a transfer pattern including a translucent portion formed by patterning a translucent film formed on a transparent substrate. In addition, this photomask further includes a crystal semi-transmissive portion in which a crystal film made of a material different from the semi-transmissive film is formed locally. This photomask is obtained by forming a crystal film for defects occurring in the semi-transmissive portion.

이 포토마스크의 반투광부는, 노광광의 대표 파장의 광에 대한 투과율 Tm(％)(단 Tm>25)과, 위상 시프트양 φm(도)(단, 160≤φm≤200)을 갖고,The semi-transmissive portion of this photomask has a transmittance Tm (%) with respect to light having a representative wavelength of exposure light (however, Tm>25) and a phase shift amount φm (degrees) (however, 160≦φm≦200),

상기 수정막은,The crystal film,

상기 제2 막은 상기 제1 막보다 작은 함유량의 O를 포함한다.The second film contains O in a smaller content than that of the first film.

즉, 해당 포토마스크는, 정상적인 반투광부와, 수정이 실시된 수정 반투광부를 갖고 있다.That is, the photomask has a normal semitransmissive portion and a crystal semitransmissive portion subjected to correction.

또한, 상기 전사용 패턴은, 노광광을 실질적으로 투과하지 않는 차광부를 더 포함할 수 있다.In addition, the transfer pattern may further include a light blocking portion that does not substantially transmit exposure light.

이 경우, 차광부는, 투명 기판 상에 적어도 차광막을 형성하여 이루어지는 것이며, 차광막의 상층측, 또는 하층측에 반투광막이 형성된 적층 구조여도 된다.In this case, the light-shielding portion is formed by forming at least a light-shielding film on a transparent substrate, and may be a laminated structure in which a semi-transmissive film is formed on the upper or lower side of the light-shielding film.

수정막이 구비하는, 제1 막, 제2 막의 적층순, 제1 막, 제2 막 각각의 광학 물성이나 조성, 적층되어 형성되는 수정막의 광학 물성이나 조성 등은, 상기 포토마스크 수정 방법에 관련하여 설명한 바와 같다.The order of lamination of the first film and the second film, the optical properties or composition of each of the first film and the second film, and the optical properties or composition of the crystal film formed by lamination, which are provided in the crystal film, are related to the photomask correction method. As described.

이상과 같은 구성의 포토마스크이면, 소정의 투과율로 소정의 위상 시프트 작용을 갖는 반투광막(2)에 발생한 결함에 대하여 정교한 수정이 행해진 수정 반투광부가 형성되므로, 위상 시프트 효과를 이용한 고해상도화를 실현하는 데 있어서 매우 유용하다.In the case of the photomask of the above configuration, since a crystal semi-transmissive portion is formed in which the defects generated in the semitransmissive film 2 having a predetermined phase shifting action at a predetermined transmittance are precisely corrected, it is possible to increase the resolution using the phase shift effect. Very useful to realize.

또한, 정상적인 반투광막의 재료는, 크롬(Cr)을 함유하는 것, 혹은 전이 금속과 Si(규소)를 함유하는 것이 예시된다. 예를 들어, Cr 또는 Cr 화합물(바람직하게는, CrO, CrC, CrN, CrON 등), 혹은, Zr(지르코늄), Nb(니오븀), Hf(하프늄), Ta(탄탈륨), Mo(몰리브덴), Ti(티타늄) 중 적어도 하나와, Si를 포함하는 재료를 들 수 있고, 또는, 이들 재료의 산화물, 질화물, 산화질화물, 탄화물, 또는 산화질화 탄화물을 포함하는 재료를 포함하는 것을 사용할 수 있다. 더욱 구체적으로는, 몰리브덴실리사이드 질화물(MoSiN), 몰리브덴실리사이드 산화질화물(MoSiON), 몰리브덴실리사이드 산화물(MoSiO), 산화질화실리콘(SiON), 티타늄산화질화물(TiON) 등을 들 수 있다.In addition, the material of the normal semitransmissive film is exemplified that the material contains chromium (Cr) or a transition metal and Si (silicon). For example, Cr or Cr compounds (preferably CrO, CrC, CrN, CrON, etc.), or Zr (zirconium), Nb (niobium), Hf (hafnium), Ta (tantalum), Mo (molybdenum), A material containing at least one of Ti (titanium) and Si may be mentioned, or a material containing an oxide, nitride, oxynitride, carbide, or oxynitride carbide of these materials can be used. More specifically, molybdenum silicide nitride (MoSiN), molybdenum silicide oxynitride (MoSiON), molybdenum silicide oxide (MoSiO), silicon oxynitride (SiON), titanium oxynitride (TiON), and the like.

또한, 차광막의 재료는, 예를 들어 Cr 또는 그 화합물(산화물, 질화물, 탄화물, 산화질화물, 또는 산화질화탄화물)이어도 되고, 또는, Mo, W(텅스텐), Ta, Ti를 포함하는 금속의 실리사이드, 또는, 해당 실리사이드의 상기 화합물이어도 된다. 차광막의 재료는, 웨트 에칭이 가능한 것이 바람직하다. 차광막의 재료는 또한, 반투광막의 재료에 대하여 에칭 선택성을 갖는 재료가 바람직하다. 즉, 차광막은, 반투광막의 에칭제에 대하여 내성을 갖고, 또한, 차광막의 에칭제에 대하여, 반투광막은 내성을 갖는 것이 바람직하다.In addition, the material of the light-shielding film may be, for example, Cr or a compound thereof (oxide, nitride, carbide, oxynitride, or oxynitride carbide), or silicide of a metal containing Mo, W (tungsten), Ta, and Ti. Or, the said compound of the said silicide may be sufficient. It is preferable that the material of the light-shielding film is capable of wet etching. The material of the light-shielding film is preferably a material having etching selectivity with respect to the material of the semi-transmissive film. That is, it is preferable that the light-shielding film has resistance to the etchant of the translucent film, and the semi-transmissive film has resistance to the etchant of the light-shielding film.

본 발명의 포토마스크의 용도에 특별히 제한은 없다.There is no particular limitation on the use of the photomask of the present invention.

본 발명은, 위상 시프트 작용을 이용하는 포토마스크로서, 미세한 패턴 폭(CD)을 포함하는, 표시 장치 제조용 포토마스크에, 적합하게 이용된다. 본 발명은, 예를 들어 피전사체 상에, 3㎛ 이하(보다 고정밀한 표시 디바이스에 대해서는, 1.0 내지 2.5㎛, 나아가 1.0 내지 2.0㎛)의 CD(직경)를 갖는 홀 패턴 등을 갖는 위상 시프트 마스크이며, 위상 시프트 작용을 갖는 반투광막을 사용한 것에, 유리하게 적용된다. 혹은, 본 발명은, 상기 CD(라인 폭, 또는 스페이스 폭)를 갖는, 라인 앤 스페이스 패턴에 적용할 수도 있다. 특히, 본 발명이 대상으로 하는, 고투과 위상 시프트막을 사용한 포토마스크로서는, 고립 패턴의 해상을 유리하게 하기 위해, 반투광막을 적용한 포토마스크를 들 수 있다. 여기서, 복수의 패턴이 소정의 규칙성을 갖고 배열되며, 서로 광학적인 영향을 미치는 패턴을 밀집 패턴이라 할 때, 그것 이외의 것을 고립 패턴이라 한다.The present invention is suitably used for a photomask for manufacturing a display device having a fine pattern width (CD) as a photomask utilizing a phase shifting action. The present invention is a phase shift mask having, for example, a hole pattern having a CD (diameter) of 3 μm or less (for a more precise display device, 1.0 to 2.5 μm, further 1.0 to 2.0 μm) on a transfer object. It is advantageously applied to those using a semi-transmissive film having a phase shifting action. Alternatively, the present invention can also be applied to a line and space pattern having the CD (line width or space width). In particular, as a photomask using a high-transmissive phase shift film as an object of the present invention, a photomask to which a semi-transmissive film is applied is exemplified in order to advantageously resolve the isolated pattern. Here, when a plurality of patterns are arranged with a predetermined regularity, and a pattern having an optical effect on each other is referred to as a dense pattern, other than that is referred to as an isolated pattern.

<표시 장치용 디바이스의 제조 방법><Method of manufacturing display device device>

본 발명은, 상기 구성의 포토마스크를 사용한, 표시 장치용 디바이스의 제조 방법을 포함한다. 이 제조 방법은, 상기 포토마스크의 전사용 패턴을, 노광 장치에 의해 노광함으로써, 피전사체 상에 전사하는 것을 포함한다. 노광 장치는, 프로젝션 방식이어도, 프록시미티 방식이어도 된다. 위상 시프트 작용에 의한, 미세 패턴을 정교하게 해상하는 고정밀 디바이스의 제조에는, 전자가 보다 유리하다.The present invention includes a method of manufacturing a device for a display device using the photomask of the above configuration. This manufacturing method includes transferring the transfer pattern of the photomask onto an object to be transferred by exposing it with an exposure apparatus. The exposure apparatus may be a projection system or a proximity system. The former is more advantageous in manufacturing a high-precision device that precisely resolves fine patterns by a phase shift action.

프로젝션 방식을 사용하여 노광할 때의 광학 조건으로서는, 광학계의 NA(Numerical Aperture)가 0.08 내지 0.15인 것이 바람직하고, 노광 광원은, i선을 포함하는 것이 바람직하다. 물론, i선 내지 g선을 포함하는 파장 영역을 사용한 노광이어도 된다.As an optical condition for exposure using a projection method, it is preferable that the NA (Numerical Aperture) of the optical system is 0.08 to 0.15, and the exposure light source preferably includes an i-line. Of course, exposure using a wavelength region including i-line to g-line may be employed.

본 발명의 표시 장치용 디바이스의 제조 방법에 의하면, 수정막을 2층 구성으로 하여 반투광부의 결함에 대한 수정을 행하므로, 곤란하였던 고투과율의 위상 시프트막과 거의 동일한 광학 물성을 갖도록 수정을 실시할 수 있다. 즉, 고투과율로 위상 시프트 작용을 갖는 반투광막에 발생하는 결함에 대하여, 정교한 수정을 행할 수 있다. 여기서, 수정막을 구성하는 제1 막, 제2 막을 모두 레이저 CVD법에 의해 형성할 수 있기 때문에, 복수의 방식의 수정 장치를 사용할 필요가 없는 점이, 특히 사이즈가 큰 표시 장치 제조용 포토마스크의 수정에 있어서, 매우 유리하다.According to the method of manufacturing a device for a display device of the present invention, since the crystal film has a two-layer structure to correct defects in the translucent portion, the correction can be performed so as to have almost the same optical properties as the phase shift film of high transmittance, which was difficult. I can. That is, defects occurring in the semi-transmissive film having a phase shifting action with high transmittance can be precisely corrected. Here, since both the first film and the second film constituting the crystal film can be formed by the laser CVD method, it is not necessary to use a plurality of correction devices. So, it is very advantageous.

<변형예><modification example>

본 발명에 관한 포토마스크 수정 방법, 포토마스크의 제조 방법, 포토마스크, 및 표시 장치용 디바이스의 제조 방법은, 상기 작용 효과를 상실하지 않는 한, 상기 실시 형태에서 개시한 양태에 한정되지 않는다.The photomask correction method, the photomask manufacturing method, the photomask, and the display device manufacturing method according to the present invention are not limited to the embodiments disclosed in the above embodiments, as long as the above-described effects are not lost.

예를 들어, 본 발명은, 상기와 같이, 표시 장치용 디바이스의 제조에 사용하는 포토마스크에 적용하기에 매우 유용하지만, 포토마스크의 용도에 특별히 제한은 없고, 반도체 장치 제조용 포토마스크에 적용해도 된다.For example, the present invention is very useful to be applied to a photomask used for manufacturing a device for a display device as described above, but there is no particular limitation on the use of the photomask, and may be applied to a photomask for manufacturing a semiconductor device. .

또한, 본 발명에 적용하는 포토마스크는, 위상 시프트막이나 차광막의 일부에, 또는 그것들에 더하여, 다른 광학막이나 기능막을 구비하고 있어도 된다.In addition, the photomask applied to the present invention may be provided with another optical film or functional film in addition to or in part of the phase shift film or the light-shielding film.

1 : 투명 기판
2 : 반투광막
3 : 차광막
4 : 수정막
4a : 제1 막
4b : 제2 막
5 : 보충막
10, 10' : 전사용 패턴
11 : 투광부
12 : 반투광부
12a : 수정 반투광부
13 : 차광부
20 : 백색 결함
21, 22 : 수정용 영역1: transparent substrate
2: semi-transmissive film
3: shading film
4: crystal membrane
4a: first act
4b: second film
5: supplement film
10, 10': transcription pattern
11: light-transmitting part
12: semi-transmissive part
12a: crystal translucent portion
13: light shielding part
20: white defect
21, 22: area for correction

Claims

A photomask correction method for correcting a defect occurring in a photomask having a transfer pattern including a semitransmissive portion formed by patterning a semitransmissive film on a transparent substrate, the method comprising:
The step of specifying the defect to be corrected, and
In order to correct the defect, it includes a correction film forming process of forming a correction film,
The semi-transmissive portion has a transmittance Tm (%) for light of a representative wavelength of exposure light and a phase shift amount φm (degrees) (however, 160≦φm≦200),
In the crystal film forming process, the first film and the second film having different compositions are stacked in any order,
The first film contains Cr and O,
The second film contains Cr and O and C,
The first film does not contain C, or contains a smaller content of C than the second film,
The photomask correction method, wherein the second layer contains O in a smaller content than that of the first layer.

The method of claim 1,
Photomask correction method, characterized in that Tm>25.

The method of claim 1,
Transmittance Tr (%) for light of the representative wavelength and phase shift amount φr (degrees) of the crystal film are,
30<Tr≤75, also 160≤φr<200
Photomask correction method, characterized in that satisfying the.

The method of claim 1,
In the correction film formation step, a laser CVD method is applied.

The method of claim 1,
Transmittance T1 (%) of the first film with respect to light of the representative wavelength, phase shift amount φ1 (degrees), and,
Transmittance T2 (%) for light of the representative wavelength and phase shift amount φ2 (degrees) of the second film,
A photomask correction method, characterized in that each of the following relationships (1) to (4) is satisfied.
(1) 100≤φ1<200
(2) φ2<100
(3) 55≤T1
(4) 25<T2<80

The method of claim 5,
The photomask correction method, characterized in that the Cr content in the second layer is greater than the Cr content in the first layer.

The method of claim 5,
A photomask correction method wherein the sum of the Cr and O contents contained in the first film is at least 80% of the components of the first film in atomic%.

The method of claim 5,
The first film contains a material containing 5 to 45 atomic% Cr and 55 to 95 atomic% O,
The second film comprises a material containing 20 to 70 atomic% Cr, 5 to 45 atomic% O, and 10 to 60 atomic% C.

The method of claim 5,
A photomask correction method, comprising laminating the second layer on the first layer.

The method of claim 1,
The photomask correction method, wherein the transfer pattern includes a light blocking portion that does not substantially transmit exposure light.

The method of claim 1,
The transfer pattern includes a light-shielding portion that does not substantially transmit exposure light, and the semi-transmissive portion is disposed between the light-shielding portions.

The method of claim 1,
And a post-process of adjusting the shape of the crystal semi-transmissive portion by forming a light-shielding supplement film on the crystal semi-transmissive portion formed by forming the crystal film after the crystal film forming step.

The method of claim 1,
Prior to the correction film forming step, a photomask correction method further comprising a pre-step of exposing the transparent substrate by removing the defective portion or a film around the defect.

The method of claim 1,
The photomask correction method, wherein the photomask is a photomask used in manufacturing a device for a display device.

A photomask manufacturing method, comprising the photomask correction method according to any one of claims 1 to 14.

A photomask having a transfer pattern including a semi-transmissive portion formed by patterning a semi-transmissive film formed on a transparent substrate, and in which a correction film is formed for a defect portion occurring in the semi-transmissive portion,
The semi-transmissive portion has a transmittance Tm (%) for light of a representative wavelength of exposure light (however, Tm>25) and a phase shift amount φm (degrees) (however, 160≦φm≦200),
The crystal film has a laminated film in which a first film containing Cr and O and a second film containing Cr, C and O are stacked in any order,
The first film does not contain C, or contains a smaller content of C than the second film,
The second layer is a photomask containing O in a smaller content than the first layer.

The method of claim 16,
Transmittance Tr (%) for light of the representative wavelength and phase shift amount φr (degrees) of the crystal film are,
30<Tr≤75, also 160≤φr<200
A photomask that satisfies you.

The method of claim 16,
The crystal film is a photomask which is a laser CVD film.

The method of claim 16,
Transmittance T1 (%) of the first film with respect to light of the representative wavelength, phase shift amount φ1 (degrees), and,
Transmittance T2 (%) for light of the representative wavelength and phase shift amount φ2 (degrees) of the second film,
A photomask characterized by satisfying the following relationships (1) to (4), respectively.
(1) 100≤φ1<200
(2) φ2<100
(3) 55≤T1
(4) 25<T2<80

The method of claim 19,
The photomask, characterized in that both the first film and the second film contain Cr, and the content of Cr contained in the second film is greater than the content of Cr contained in the first film.

The method of claim 19,
A photomask in which the sum of the content of Cr and O contained in the first film is 80% or more of the components of the first film in atomic%.

The method of claim 19,
The first film contains a material containing 5 to 45 atomic% Cr and 55 to 95 atomic% O,
The second film comprises a material containing 20 to 70 atomic% Cr, 5 to 45 atomic% O, and 10 to 60 atomic% C.

The method of claim 16,
A photomask, wherein the second layer is stacked on the first layer.

The method of claim 16,
The photomask, wherein the transfer pattern has a light shielding portion formed by patterning a light shielding film formed on the transparent substrate.

The method of claim 16,
The transfer pattern includes a light-shielding portion that does not substantially transmit exposure light, and the semi-transmissive portion includes a portion sandwiched between and disposed between the light-shielding portions.

The method of claim 16,
The transfer pattern has a light-shielding portion formed by patterning a light-shielding film formed on the transparent substrate, and a crystal semitransmissive portion formed with the crystal film is formed with a light-shielding supplemental film having a composition different from that of the light-shielding film. Mask.

The method according to any one of claims 16 to 26,
The photomask, wherein the photomask is a photomask used in manufacturing a device for a display device.

It is a manufacturing method of a device for a display device,
The step of preparing the photomask according to any one of claims 16 to 26, and
Transfer step of exposing the photomask by an exposure apparatus to transfer the transfer pattern onto a transfer object
A method of manufacturing a device for a display device comprising a.