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KR102254298B1 - 카바졸 유도체 및 이를 이용한 유기 발광 소자 - Google Patents

카바졸 유도체 및 이를 이용한 유기 발광 소자 Download PDF

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KR102254298B1
KR102254298B1 KR1020160107216A KR20160107216A KR102254298B1 KR 102254298 B1 KR102254298 B1 KR 102254298B1 KR 1020160107216 A KR1020160107216 A KR 1020160107216A KR 20160107216 A KR20160107216 A KR 20160107216A KR 102254298 B1 KR102254298 B1 KR 102254298B1
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배재순
이재철
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Abstract

본 명세서는 카바졸 유도체, 상기 카바졸 유도체를 포함하는 코팅 조성물, 이를 이용한 유기 발광 소자에 관한 것이다.

Description

카바졸 유도체 및 이를 이용한 유기 발광 소자{CARBAZOLE DERIVATIVES AND ORGANIC LIGHT EMITTING DIODE USING THE SAME}
본 명세서는 카바졸 유도체, 상기 카바졸 유도체를 포함하는 코팅 조성물 및 상기 코팅 조성물의 경화물을 포함하는 유기발광소자에 관한 것이다.
유기 발광 현상은 특정 유기 분자의 내부 프로세스에 의하여 전류가 가시광으로 전환되는 예의 하나이다. 유기 발광 현상의 원리는 다음과 같다. 애노드와 캐소드 사이에 유기물 층을 위치시켰을 때 두 전극 사이에 전류를 걸어주게 되면 캐소드와 애노드로부터 각각 전자와 정공이 유기물 층으로 주입된다. 유기물 층으로 주입된 전자와 정공은 재결합하여 엑시톤 (exciton)을 형성하고, 이 엑시톤이 다시 바닥 상태로 떨어지면서 빛이 나게 된다. 이러한 원리를 이용하는 유기 발광소자는 일반적으로 캐소드와 애노드 및 그 사이에 위치한 유기물층, 예컨대 정공주입층, 정공수송층, 발광층, 전자수송층을 포함하는 유기물 층으로 구성될 수 있다.
유기 발광 소자에서 사용되는 물질로는 순수 유기 물질 또는 유기 물질과 금속이 착물을 이루는 착화합물이 대부분을 차지하고 있으며, 용도에 따라 정공주입 물질, 정공수송 물질, 발광 물질, 전자수송 물질, 전자주입 물질 등으로 구분될 수 있다.
여기서, 정공주입 물질이나 정공수송 물질로는 p-타입의 성질을 가지는 유기 물질, 즉 쉽게 산화가 되고 산화시에 전기화학적으로 안정한 상태를 가지는 유기물이 주로 사용되고 있다. 한편, 전자주입 물질이나 전자수송 물질로는 n-타입 성질을 가지는 유기 물질, 즉 쉽게 환원이 되고 환원시에 전기화학적으로 안정한 상태를 가지는 유기물이 주로 사용되고 있다. 발광층 물질로는 p-타입 성질과 n-타입 성질을 동시에 가진 물질, 즉 산화와 환원 상태에서 모두 안정한 형태를 갖는 물질이 바람직하며, 엑시톤이 형성되었을 때 이를 빛으로 전환하는 발광 효율이 높은 물질이 바람직하다.
그 외, 유기 발광 소자에서 사용되는 물질은 다음과 같은 성질을 추가적으로 갖는 것이 바람직하다.
첫째, 유기 발광 소자 내에서는 전하들의 이동에 의한 줄열(joule heating)이 발생하기 때문에, 유기 발광 소자에 사용되는 물질은 열적 안정성이 우수한 것이 바람직하다. 일반적으로, 정공수송층 물질로 사용되는 NPB는 유리 전이 온도가 100 ℃이하의 값을 가지므로, 높은 전류를 필요로 하는 유기 발광 소자에 서는 사용하기 힘든 문제점이 있다.
둘째, 적절한 밴드갭 (band gap) 및 HOMO 또는 LUMO 에너지 준위를 가져야 한다. 현재 용액 도포법에 의해 제조되는 유기 발광 소자에서 정공수송 물질로 사용되는 PEDOT:PSS의 경우, 발광층 물질로 사용되는 유기물의 LUMO 에너지 준위에 비하여 LUMO 에너지 준위가 낮기 때문에 고효율 장 수명의 유기 발광 소자 제조에 어려움이 있다.
이외에도 화학적 안정성, 전하이동도, 전극 이나 인접한 층과의 계면 특성 등이 우수하여야 한다. 예컨대, 유기 발광소자에서 사용되는 물질은 수분이나 산소에 의한 물질의 변형이 적어야 한다. 또한, 적절한 정공 또는 전자 이동도를 가짐으로써 유기 발광 소자의 발광층에서 정공과 전자의 밀도가 균형을 이루도록 하여 엑시톤 형성을 극대화할 수 있어야 한다. 또한, 소자의 안정성을 위해 금속 또는 금속 산화물을 포함한 전극과의 계면을 좋게 할 수 있어야 한다.
최근, 공정 비용 절감을 위하여 기존의 증착 공정 대신 용액 공정, 특히 잉크젯 공정을 이용한 유기 발광 소자가 개발되고 있다. 초창기에는 모든 유기 발광 소자 층을 용액 공정으로 코팅하여 유기 발광 소자를 개발하려 하였으나 이는 현재 기술로는 한계가 있어, 정구조 형태에서 HIL, HTL, EML만을 용액 공정으로 진행하고 추후 공정은 기존의 증착 공정을 활용하는 하이브리드(hybrid) 공정이 연구 중이다. 또한, 배치-투-배치(batch-to-batch) 및 순도 문제점으로 인하여 고분자 물질이 아닌 단분자 물질에 대한 연구가 진행되고 있다.
정공 주입층으로 사용하는 전하 수송체는 용액 공정이 가능한 무기물을 사용하거나 유기물을 사용되는데, 이 경우 반도체적인 특성을 지니고 있으나, 전하를 생성 및 운반할 전하 개수 및 전하 이동도가 부족하다. 따라서, 유기 발광 소자의 성능 및 수명을 향상시키기 위하여 양의 전자 수용성 화합물의 첨가 또는 자기도핑(self-doping)이 필요하다.
한편, 정공수송층 물질은 높은 정공 이동 속도와 전기적 안정성이 뛰어난 아릴아민계가 대표적 물질이다. 정공수송층 유기 단분자 물질은 정공 이동속도가 빨라야 하며 발광층과 접하여 계면을 형성하기 때문에 정공수송층-발광층 계면 여기자의 발생을 억제하기 위해서 이온화 포텐셜이 정공주입층과 발광층 사이의 적절한 값을 갖고 발광층에서 이동되어 오는 전자를 적절히 제어하는 능력이 필요하다.
한국 특허공개공보 10-2012-0112277호 한국 특허공개공보 10-2009-0042800호
Room-Temperature Sol-Gel Derived Molybdenum Oxide Thin Films for Efficient and Stable Solution-Processed Organic Light-Emitting Diodes, ACS Appl. Mater. Interfaces, 2013, 5 (13), pp 6024-6029.
본 명세서는 카바졸 유도체, 이를 포함하는 코팅 조성물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자를 제공하는 것이 목적이다.
본 명세서는 하기 화학식 1로 표시되는 카바졸 유도체를 제공한다.
[화학식 1]
Figure 112016082093520-pat00001
상기 화학식 1에 있어서,
Y1은 열경화성기; 또는 광경화성기이고,
Y2는 치환 또는 비치환된 아릴기; 치환 또는 비치환된 헤테로고리기; 열경화성기; 또는 광경화성기이고,
R1 및 R2는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐기; 니트릴기; 니트로기; 히드록시기; 카르보닐기; 에스테르기; 이미드기; 아미드기; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 알콕시기; 치환 또는 비치환된 아릴옥시기; 치환 또는 비치환된 알킬티옥시기; 치환 또는 비치환된 아릴티옥시기; 치환 또는 비치환된 알킬술폭시기; 치환 또는 비치환된 아릴술폭시기; 치환 또는 비치환된 알케닐기; 치환 또는 비치환된 실릴기; 치환 또는 비치환된 붕소기; 치환 또는 비치환된 아민기; 치환 또는 비치환된 아릴포스핀기; 치환 또는 비치환된 포스핀옥사이드기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로고리기이며,
a는 0 내지 5의 정수이고,
a가 2 이상인 경우, 2 이상의 R2는 서로 같거나 상이하며,
b는 0 내지 7의 정수이고,
b가 2 이상인 경우, 2 이상의 R1은 서로 같거나 상이하며,
c는 1 또는 2이고, 단, c가 2인 경우, R2는 치환 또는 비치환된 아민기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로고리기며,
c가 2인 경우 괄호 내의 구조는 서로 같거나 상이하고,
d는 0 내지 5의 정수이고,
d가 2 이상인 경우, 2 이상의 Y1은 서로 같거나 상이하다.
또한, 본 명세서는 상기 카바졸 유도체를 포함하는 코팅 조성물을 제공한다.
또한, 본 명세서는 캐소드;
애노드; 및
상기 캐소드와 애노드 사이에 구비되는 1층 이상의 유기물층을 포함하고,
상기 유기물층 중 1층 이상은 상기 코팅 조성물의 경화물을 포함하며,
상기 코팅 조성물의 경화물은 상기 코팅 조성물을 열처리 또는 광처리에 의하여 경화한 상태인 것인 유기 발광 소자를 제공한다.
본 명세서의 일 실시상태에 따른 카바졸 유도체는 용액 공정이 가능하여, 소자의 대면적화가 가능하다.
본 명세서의 일 실시상태에 따른 카바졸 유도체는 다양한 유기 용매에 대한 용해도가 높고, 카바졸 유도체가 용해된 용액을 이용하여 균일한 성막을 형성할 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 따른 카바졸 유도체는 유기 발광 소자의 유기물층 재료로 사용될 수 있으며, 낮은 구동전압, 높은 발광효율 및 높은 수명 특성을 제공할 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 따른 카바졸 유도체를 이용하여 형성된 유기물층은 열 및 광을 통한 경화 후 열적 및 광적 안정성이 우수하고 타 용매에 대한 용해성을 가지지 않아 상기 성막 위에 또 다른 용액 공정을 통하여 적층 성막 공정을 수행할 수 있다.
도 1은 본 명세서의 일 실시상태에 다른 유기 발광 소자의 적층구조를 나타낸 도이다.
도 2는 화학식 1-1의 MS 스펙트럼을 나타낸 도이다.
도 3은 화학식 1-1의 DSC 측정 결과를 나타낸 도이다.
도 4는 화학식 1-1의 MS 스펙트럼을 나타낸 도이다.
도 5는 화학식 1-1의 DSC 측정 결과를 나타낸 도이다.
이하, 본 명세서를 상세히 설명한다.
본 명세서에 있어서, 어떤 부재가 다른 부재 "상에" 위치하고 있다고 할 때, 이는 어떤 부재가 다른 부재에 접해 있는 경우뿐 아니라 두 부재 사이에 또 다른 부재가 존재하는 경우도 포함한다.
본 명세서에 있어서, 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함"한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성 요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다.
본 명세서의 일 실시상태는 상기 화학식 1로 표시되는 카바졸 유도체를 제공한다.
본 명세서의 일 실시상태는 상기 화학식 1의 화합물은 적당한 유기용매에 대해 용해성을 갖는 화합물들이 바람직하다.
본 명세서에서 "열경화성기 또는 광경화성기"란 열 및 또는 광에 노출시킴으로써, 화합물 간에 가교를 시키는 반응성 치환기를 의미할 수 있다. 가교는 열처리 또는 광조사에 의하여, 탄소-탄소 다중결합, 환형 구조가 분해되면서 생성된 라디칼이 연결되면서 생성될 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 열경화성기 또는 광경화성기는 하기 구조 중 어느 하나이다.
Figure 112016082093520-pat00002
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 열경화성기 또는 광경화성기를 포함하는 카바졸 유도체의 경우, 용액 도포법에 의하여 유기 발광 소자를 제조할 수 있어 시간 및 비용적으로 경제적인 효과가 있다.
또한, 열경화성기 또는 광경화성기를 포함하는 카바졸 유도체를 포함하는 코팅 조성물을 이용하여, 코팅층을 형성하는 경우, 열경화성기 또는 광경화성기가 열 또는 광에 의하여 가교가 형성되기 때문에, 코팅층 상부에 추가의 층을 적층할 때 코팅 조성물에 포함된 카바졸 유도체가 용매에 의하여 씻겨나가는 것을 방지하여, 코팅층을 유지함과 동시에 상부에 추가의 층을 적층할 수 있다.
추가로, 열경화성기 또는 광경화성기가 가교를 형성하여 코팅층이 형성된 경우, 코팅층의 용매에 대한 내화학성이 높아지고, 막 유지율이 높은 효과가 있다.
또한, 본 명세서의 일 실시상태에 따른 카바졸 유도체의 경우, 용액 도포법에 의하여 유기 발광 소자를 제조할 수 있어 소자의 대면적화가 가능할 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 따라, 열처리 또는 광조사로 가교가 형성된 카바졸 유도체의 경우, 복수 개의 카바졸 유도체가 가교되어 박막 형태로 유기 발광 소자 내에 구비되기 때문에 열적 안정성이 우수한 효과가 있다. 따라서, 본 명세서의 일 실시상태에 따른 카바졸 유도체를 이용한 유기 발광 소자는 수명 특성이 우수한 효과가 있다.
또한, 본 명세서의 일 실시상태에 따른 카바졸 유도체는 아민구조를 포함하고 있으므로, 유기 발광 소자에서 정공주입 물질, 정공수송 물질 또는 발광 물질로서 적절한 에너지 준위 및 밴드갭을 가질 수 있다. 또한, 본 명세서의 일 실시상태에 따른 화학식 1의 카바졸 유도체는 치환기를 조절하여 적절한 에너지 준위 및 밴드갭을 미세하게 조절할 수 있고, 유기물 사이에서의 계면 특성을 향상시켜, 낮은 구동 전압 및 높은 발광 효율을 갖는 유기 발광 소자를 제공할 수 있다.
또한, 본 명세서의 일 실시상태에 따른 카바졸 유도체는 페닐 아민구조를 포함하고 있으므로, 높은 용해도를 가지며, 페닐 아민에 연결되는 열경화성기 또는 광경화성기는 용해도를 더욱 향상시키는 효과가 있다.
본 명세서에 따르면, 카바졸 유도체는 열경화성기 또는 광경화성기를 2개 이상 포함할 수 있다. 열경화성기 또는 광경화성기가 2개 이상 표함될 경우, 중합시 가교를 유발하여 다양한 용매에 대한 용해성을 낮춘다. 따라서, 상기 카바졸 유도체를 포함하는 코팅 조성물을 이용하여 성막 공정 후, 가교한 막 위에 추가로 용액 공정이 가능하다.
본 명세서의 일 실시상태에 따른 카바졸 유도체는, 가교 후 유리전이 온도(Tg)가 300℃ 이하에서 나타나지 않을 수 있다. 따라서, 열적 안정성이 우수하며, 소자의 구동 안정성 및 수명 특성의 향상을 유도할 수 있다.
이하, 본 명세서의 치환기를 상세하게 설명한다.
본 명세서에 있어서,
Figure 112016082093520-pat00003
는 다른 치환기 또는 결합부에 결합되는 부위를 의미한다.
상기 "치환"이라는 용어는 화합물의 탄소 원자에 결합된 수소 원자가 다른 치환기로 바뀌는 것을 의미하며, 치환되는 위치는 수소 원자가 치환되는 위치 즉, 치환기가 치환 가능한 위치라면 한정하지 않으며, 2 이상 치환되는 경우, 2 이상의 치환기는 서로 동일하거나 상이할 수 있다.
본 명세서에서, "치환 또는 비치환된" 이라는 용어는 중수소; 할로겐기; 니트릴기; 니트로기; 히드록시기; 카보닐기; 에스테르기; 이미드기; 아민기; 포스핀옥사이드기; 알콕시기; 아릴옥시기; 알킬티옥시기; 아릴티옥시기; 알킬술폭시기; 아릴술폭시기; 치환 또는 비치환된 실릴기; 붕소기; 알킬기; 시클로알킬기; 알케닐기; 아릴기; 아르알킬기; 아르알케닐기; 알킬아릴기; 알킬아민기; 아랄킬아민기; 헤테로아릴아민기; 아릴아민기; 아릴포스핀기; 및 헤테로고리기로 이루어진 군에서 선택된 1개 이상의 치환기로 치환 또는 비치환되거나, 상기 예시된 치환기 중 2 이상의 치환기가 연결된 치환 또는 비치환된 것을 의미한다. 예컨대, "2 이상의 치환기가 연결된 치환기"는 바이페닐기일 수 있다. 즉, 바이페닐기는 아릴기일 수도 있고, 2개의 페닐기가 연결된 치환기로 해석될 수 있다.
본 명세서에 있어서, 상기 알킬기는 직쇄 또는 분지쇄일 수 있고, 탄소수는 특별히 한정되지 않으나 1 내지 40인 것이 바람직하다. 일 실시상태에 따르면, 상기 알킬기의 탄소수는 1 내지 20이다. 또 하나의 실시상태에 따르면, 상기 알킬기의 탄소수는 1 내지 10이다. 또 하나의 실시상태에 따르면, 상기 알킬기의 탄소수는 1 내지 6이다. 알킬기의 구체적인 예로는 메틸, 에틸, 프로필, n-프로필, 이소프로필, 부틸, n-부틸, 이소부틸, tert-부틸, sec-부틸, 1-메틸-부틸, 1-에틸-부틸, 펜틸, n-펜틸, 이소펜틸, 네오펜틸, tert-펜틸, 헥실, n-헥실, 1-메틸펜틸, 2-메틸펜틸, 4-메틸-2-펜틸, 3,3-디메틸부틸, 2-에틸부틸, 헵틸, n-헵틸, 1-메틸헥실, 시클로펜틸메틸, 시클로헥틸메틸, 옥틸, n-옥틸, tert-옥틸, 1-메틸헵틸, 2-에틸헥실, 2-프로필펜틸, n-노닐, 2,2-디메틸헵틸, 1-에틸-프로필, 1,1-디메틸-프로필, 이소헥실, 4-메틸헥실, 5-메틸헥실 등이 있으나, 이들에 한정되지 않는다.
본 명세서에 있어서, 상기 알케닐기는 직쇄 또는 분지쇄일 수 있고, 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 2 내지 40인 것이 바람직하다. 일 실시상태에 따르면, 상기 알케닐기의 탄소수는 2 내지 20이다. 또 하나의 실시상태에 따르면, 상기 알케닐기의 탄소수는 2 내지 10이다. 또 하나의 실시상태에 따르면, 상기 알케닐기의 탄소수는 2 내지 6이다. 구체적인 예로는 비닐, 1-프로페닐, 이소프로페닐, 1-부테닐, 2-부테닐, 3-부테닐, 1-펜테닐, 2-펜테닐, 3-펜테닐, 3-메틸-1-부테닐, 1,3-부타디에닐, 알릴, 1-페닐비닐-1-일, 2-페닐비닐-1-일, 2,2-디페닐비닐-1-일, 2-페닐-2-(나프틸-1-일)비닐-1-일, 2,2-비스(디페닐-1-일)비닐-1-일, 스틸베닐기, 스티레닐기 등이 있으나 이들에 한정되지 않는다.
본 명세서에 있어서, 알콕시기는 특별히 한정되지는 않으나, 탄소수 1 내지 40인 것이 바람직하다. 일 실시상태에 따르면, 상기 알콕시기의 탄소수는 1 내지 10이다. 또 하나의 실시상태에 따르면, 상기 알콕시기의 탄소수는 1 내지 6이다. 상기 알콕시기의 구체적인 예로는 메톡시기, 에톡시기, 프로폭시기, 이소부틸옥시기, sec-부틸옥시기, 펜틸옥시기, iso-아밀옥시기, 헥실옥시기 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다.
본 명세서에 있어서, 아민기는 알킬아민기; 아랄킬아민기; 헤테로아릴아민기; 및 아릴아민기를 포함할 수 있다.
본 명세서에 있어서, 아민기는 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 1 내지 30인 것이 바람직하다. 아민기의 구체적인 예로는 메틸아민기, 디메틸아민기, 에틸아민기, 디에틸아민기, 페닐아민기, 나프틸아민기, 비페닐아민기, 안트라세닐아민기, 9-메틸-안트라세닐아민기, 디페닐아민기, 페닐나프틸아민기, 디톨릴아민기, 페닐톨릴아민기, 트리페닐아민기 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.
본 명세서에 있어서, 아릴아민기의 예로는 치환 또는 비치환된 모노아릴아민기, 치환 또는 비치환된 디아릴아민기, 또는 치환 또는 비치환된 트리아릴아민기가 있다. 상기 아릴아민기 중의 아릴기는 단환식 아릴기일 수 있고, 다환식 아릴기일 수 있다. 상기 2 이상의 아릴기를 포함하는 아릴아민기는 단환식 아릴기, 다환식 아릴기, 또는 단환식아릴기와 다환식 아릴기를 동시에 포함할 수 있다.
아릴아민기의 구체적인 예로는 페닐아민, 나프틸아민, 비페닐아민, 안트라세닐아민, 3-메틸-페닐아민, 4-메틸-나프틸아민, 2-메틸-비페닐아민, 9-메틸-안트라세닐아민, 디페닐 아민기, 페닐 나프틸 아민기, 디톨릴 아민기, 페닐 톨릴 아민기, 카바졸 및 트리페닐 아민기 등이 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
본 명세서에 있어서, 헤테로아릴아민기의 예로는 치환 또는 비치환된 모노헤테로아릴아민기, 치환 또는 비치환된 디헤테로아릴아민기, 또는 치환 또는 비치환된 트리헤테로아릴아민기가 있다. 상기 헤테로아릴아민기 중의 헤테로아릴기는 단환식 헤테로고리기일 수 있고, 다환식 헤테로고리기일 수 있다. 상기 2 이상의 헤테로고리기를 포함하는 헤테로아릴아민기는 단환식 헤테로고리기, 다환식 헤테로고리기, 또는 단환식 헤테로고리기와 다환식 헤테로고리기를 동시에 포함할 수 있다.
본 명세서에 있어서, 아릴기는 특별히 한정되지 않으나 탄소수 6 내지 60인 것이 바람직하며, 단환식 아릴기 또는 다환식 아릴기일 수 있다. 일 실시상태에 따르면, 상기 아릴기의 탄소수는 6 내지 30이다. 일 실시상태에 따르면, 상기 아릴기의 탄소수는 6 내지 20이다. 상기 아릴기가 단환식 아릴기로는 페닐기, 바이페닐기, 터페닐기 등이 될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 다환식 아릴기로는 나프틸기, 안트라세닐기, 페난트릴기, 파이레닐기, 페릴레닐기, 크라이세닐기, 플루오레닐기, 트리페닐렌기 등이 될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
본 명세서에 있어서, 플루오레닐기는 치환될 수 있고, 치환기 2개가 서로 결합하여 스피로 구조를 형성할 수 있다.
상기 플루오레닐기가 치환되는 경우,
Figure 112016082093520-pat00004
,
Figure 112016082093520-pat00005
,
Figure 112016082093520-pat00006
, 및
Figure 112016082093520-pat00007
등이 될 수 있다. 다만, 이에 한정되는 것은 아니다.
본 명세서에 있어서, 헤테로아릴기는 탄소가 아닌 원자, 이종원자를 1 이상 포함하는 것으로서, 구체적으로 상기 이종 원자는 O, N, Se 및 S 등으로 이루어진 군에서 선택되는 원자를 1 이상 포함할 수 있다. 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 탄소수 2 내지 30인 것이 바람직하며, 상기 헤테로아릴기는 단환식 또는 다환식일 수 있다. 헤테로고리기의 예로는 티오펜기, 퓨라닐기, 피롤기, 이미다졸릴기, 티아졸릴기, 옥사졸릴기, 옥사디아졸릴기, 피리딜기, 바이피리딜기, 피리미딜기, 트리아지닐기, 트리아졸릴기, 아크리딜기, 피리다지닐기, 피라지닐기, 퀴놀리닐기, 퀴나졸리닐기, 퀴녹살리닐기, 프탈라지닐기, 피리도 피리미딜기, 피리도 피라지닐기, 피라지노 피라지닐기, 이소퀴놀리닐기, 인돌릴기, 카바졸릴기, 벤즈옥사졸릴기, 벤즈이미다졸릴기, 벤조티아졸릴기, 벤조카바졸릴기, 벤조티오펜기, 디벤조티오펜기, 벤조퓨라닐기, 페난쓰롤리닐기(phenanthroline), 티아졸릴기, 이소옥사졸릴기, 옥사디아졸릴기, 티아디아졸릴기, 벤조티아졸릴기, 페노티아지닐기 및 디벤조퓨라닐기 등이 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
본 명세서에 있어서, N-아릴헤테로아릴아민기 및 N-알킬헤테로아릴아민기 중의 헤테로아릴기의 예시는 전술한 헤테로아릴기의 예시와 같다.
본 명세서에 있어서, 헤테로고리기는 단환 또는 다환일 수 있으며, 방향족, 지방족 또는 방향족과 지방족의 축합고리일 수 있으며, 상기 헤테로아릴기의 예시 중에서 선택될 수 있다.
본 명세서에 있어서, 할로겐기의 예로는 불소, 염소, 브롬 또는 요오드가 있다.
본 명세서에 있어서, 시클로알킬기는 특별히 한정되지 않으나, 탄소수 3 내지 60인 것이 바람직하며, 일 실시상태에 따르면, 상기 시클로알킬기의 탄소수는 3 내지 30이다. 또 하나의 실시상태에 따르면, 상기 시클로알킬기의 탄소수는 3 내지 20이다. 또 하나의 실시상태에 따르면, 상기 시클로알킬기의 탄소수는 3 내지 6이다. 구체적으로 시클로프로필, 시클로부틸, 시클로펜틸, 3-메틸시클로펜틸, 2,3-디메틸시클로펜틸, 시클로헥실, 3-메틸시클로헥실, 4-메틸시클로헥실, 2,3-디메틸시클로헥실, 3,4,5-트리메틸시클로헥실, 4-tert-부틸시클로헥실, 시클로헵틸, 시클로옥틸 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다.
본 명세서에서 카보닐기의 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 탄소수 1 내지 40인 것이 바람직하다. 구체적으로 하기와 같은 구조의 화합물이 될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
Figure 112016082093520-pat00008
본 명세서에 있어서, 에스테르기는 에스테르기의 산소가 탄소수 1 내지 25의 직쇄, 분지쇄 또는 고리쇄 알킬기 또는 탄소수 6 내지 25의 아릴기로 치환될 수 있다. 구체적으로, 하기 구조식의 화합물이 될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
Figure 112016082093520-pat00009
본 명세서에 있어서, 이미드기의 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 탄소수 1 내지 25인 것이 바람직하다. 구체적으로 하기와 같은 구조의 화합물이 될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
Figure 112016082093520-pat00010
본 명세서에 있어서, 실릴기는 -SiRR'R''의 화학식으로 표시될 수 있고, 상기 R, R' 및 R''는 각각 수소; 치환 또는 비치환된 알킬기; 또는 치환 또는 비치환된 아릴기일 수 있다. 상기 실릴기는 구체적으로 트리메틸실릴기, 트리에틸실릴기, t-부틸디메틸실릴기, 비닐디메틸실릴기, 프로필디메틸실릴기, 트리페닐실릴기, 디페닐실릴기, 페닐실릴기 등이 있으나 이에 한정되지 않는다.
본 명세서에 있어서, 붕소기는 -BRR'의 화학식으로 표시될 수 있고, 상기 R 및 R'은 각각 수소; 치환 또는 비치환된 알킬기; 또는 치환 또는 비치환된 아릴기일 수 있다. 상기 붕소기는 구체적으로 트리메틸붕소기, 트리에틸붕소기, t-부틸디메틸붕소기, 트리페닐붕소기, 페닐붕소기 등이 있으나 이에 한정되지 않는다.
본 명세서에 있어서, 아릴포스핀기의 예로는 치환 또는 비치환된 모노아릴포스핀기, 치환 또는 비치환된 디아릴포스핀기, 또는 치환 또는 비치환된 트리아릴포스핀기가 있다. 상기 아릴포스핀기 중의 아릴기는 단환식 아릴기일 수 있고, 다환식 아릴기일 수 있다. 상기 아릴기가 2 이상을 포함하는 아릴포스핀기는 단환식 아릴기, 다환식 아릴기, 또는 단환식 아릴기와 다환식 아릴기를 동시에 포함할 수 있다.
본 명세서에 있어서, 아릴옥시기, 아릴티옥시기, 아릴술폭시기, 아릴포스핀기, 아르알킬기, 아랄킬아민기, 아르알케닐기, 알킬아릴기, 아릴아민기, 아릴헤테로아릴아민기 중의 아릴기는 전술한 아릴기에 관한 설명이 적용될 수 있다.
본 명세서에 있어서, 알킬티옥시기, 알킬술폭시기, 아르알킬기, 아랄킬아민기, 알킬아릴기, 알킬아민기 중 알킬기는 전술한 알킬기에 관한 설명이 적용될 수 있다.
본 명세서에 있어서, 헤테로아릴기, 헤테로아릴아민기, 아릴헤테로아릴아민기 중 헤테로아릴기는 전술한 헤테로고리기에 관한 설명이 적용될 수 있다.
본 명세서에 있어서, 아르알케닐기 중 알케닐기는 전술한 알케닐기에 관한 설명이 적용될 수 있다.
본 명세서에 있어서, "인접한"기는 해당 치환기가 치환된 원자와 직접 연결된 원자에 치환된 치환기, 또는 해당 치환기와 입체구조적으로 가장 가깝게 위치한 치환기, 또는 해당 치환기가 치환된 원자에 치환된 다른 치환기를 의미할 수 있다. 예컨대, 벤젠고리에서 오쏘(ortho)위치로 치환된 2개의 치환기 및 지방족 고리에서 동일 탄소에 치환된 2개의 치환기는 서로 "인접한" 기로 해석될 수 있다. 또는, 플루오렌에서 9번 탄소의 두 개의 치환기가 서로 "인접한"기로 해석될 수 있다.
본 명세서에 있어서, 인접한 기가 서로 결합하여 형성되는 치환 또는 비치환된 고리에서, "고리"는 치환 또는 비치환된 탄화수소고리; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로고리를 의미한다.
상기 탄화수소고리는 상기 시클로알킬기 또는 아릴기의 예시 중에서 선택될 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 1은 하기 화학식 2 또는 3으로 표시될 수 있다.
[화학식 2]
Figure 112016082093520-pat00011
[화학식 3]
Figure 112016082093520-pat00012
상기 화학식 2 또는 3에 있어서,
Y1, Y2, R1, R2, a, b 및 d는 화학식 1에서의 정의와 동일하고,
Y3은 열경화성기; 또는 광경화성기이고,
Y4는 치환 또는 비치환된 아릴기; 치환 또는 비치환된 헤테로고리기; 열경화성기; 또는 광경화성기이며,
b'은 0 내지 6의 정수이고,
b'이 2 이상일 경우, 2 이상의 R1은 서로 같거나 상이하며,
e는 0 내지 5의 정수이고,
e가 2 이상일 경우, 2 이상의 Y3은 서로 같거나 상이하다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 1은 하기 화학식 4 또는 5로 표시될 수 있다.
[화학식 4]
Figure 112016082093520-pat00013
[화학식 5]
Figure 112016082093520-pat00014
상기 화학식 4 또는 5에 있어서,
Y1, Y2, R1, R2, a 및 d는 화학식 1에서의 정의와 동일하고,
Y3은 열경화성기; 또는 광경화성기이고,
Y4는 치환 또는 비치환된 아릴기; 치환 또는 비치환된 헤테로고리기; 열경화성기; 또는 광경화성기이며,
e는 0 내지 5의 정수이고,
e가 2 이상일 경우, 2 이상의 Y3은 서로 같거나 상이하다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R1은 수소; 중수소; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 알케닐기; 치환 또는 비치환된 알콕시기; 치환 또는 비치환된 아민기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로고리기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R1은 수소; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 아민기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로고리기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R1은 수소; 치환 또는 비치환된 아릴기; 치환 또는 비치환된 아민기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로고리기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R1은 수소이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R1은 치환 또는 비치환된 아릴기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R1은 페닐기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R1은 치환된 페닐기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R1은 아민기로 치환된 페닐기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R1은 헤테로고리기로 치환된 페닐기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R1은 카바졸기로 치환된 페닐기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R1은 치환 또는 비치환된 아민기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R1은 아릴기로 치환된 아민기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R1은 페닐기로 치환된 아민기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R1은 디페닐아민기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R1은 치환 또는 비치환된 헤테로고리기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R1은 아릴기로 치환된 카바졸기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R1은 페닐기로 치환된 카바졸기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R2는 수소; 중수소; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 알케닐기; 치환 또는 비치환된 알콕시기; 치환 또는 비치환된 아민기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로고리기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R2는 수소; 치환 또는 비치환된 알케닐기; 치환 또는 비치환된 아민기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로고리기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R2는 수소이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R2는 치환 또는 비치환된 알케닐기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R2는 비치환된 알케닐기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R2는 에테닐기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R2는 치환 또는 비치환된 아민기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R2는 아릴기로 치환된 아민기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R2는 페닐기로 치환된 아민기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R2는 알케닐기로 치환된 페닐기로 치환된 아민기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R2는 디페닐아민기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R2는 치환 또는 비치환된 헤테로고리기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R2는 카바졸기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 1로 표시되는 카바졸 유도체는 하기 구조식들 중 어느 하나로 표시될 수 있다.
Figure 112016082093520-pat00015
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 전술한 카바졸 유도체를 포함하는 코팅 조성물을 제공한다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 코팅 조성물은 상기 카바졸 유도체 및 용매를 포함한다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 코팅 조성물은 분자 내에 열경화성기 또는 광경화성기가 도입된 화합물 및 고분자 화합물로 이루어진 군에서 선택되는 1 종 또는 2 종의 화합물을 더 포함할 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 코팅 조성물은 분자 내에 열경화성기 또는 광경화성기가 도입된 화합물을 더 포함할 수 있다. 상기 코팅 조성물이 분자 내에 열경화성기 또는 광경화성기가 도입된 화합물을 더 포함하는 경우에는 코팅 조성물의 경화도를 더 높일 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 분자 내에 열경화성기 또는 광경화성기가 도입된 화합물의 분자량은 100g/mol 내지 1,500g/mol이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 코팅조성물은 고분자 화합물을 더 포함할 수 있다. 상기 코팅 조성물이 고분자 화합물을 더 포함하는 경우에는 코팅 조성물의 잉크 특성을 높일 수 있다. 즉, 상기 고분자 화합물을 더 포함하는 코팅 조성물은 코팅 또는 잉크젯 하기 적당한 점도를 제공할 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 코팅 조성물의 점도는 2cP 내지 15cP이다. 상기와 같은 범위의 점도를 갖는 경우, 소자의 제조에 용이하다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 고분자 화합물의 분자량은 10,000g/mol 내지 1,000,000g/mol이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 고분자 화합물은 열경화성기 또는 광경화성기를 더 포함할 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 코팅 조성물은 액상일 수 있다. 상기 "액상"은 상온 및 상압에서 액체 상태인 것을 의미한다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 용매는 예컨대, 클로로포름, 염화메틸렌, 1,2-디클로로에탄, 1,1,2-트리클로로에탄, 클로로벤젠, o-디클로로벤젠 등의 염소계 용매; 테트라히드로푸란, 디옥산 등의 에테르계 용매; 톨루엔, 크실렌, 트리메틸벤젠, 메시틸렌 등의 방향족 탄화수소계 용매; 시클로헥산, 메틸시클로헥산, n-펜탄, n-헥산, n-헵탄, n-옥탄, n-노난, n-데칸 등의 지방족 탄화수소계 용매; 아세톤, 메틸에틸케톤, 시클로헥사논, 이소포론(Isophorone), 테트랄론(Tetralone), 데칼론(Decalone), 아세틸아세톤(Acetylacetone) 등의 케톤계 용매; 아세트산에틸, 아세트산부틸, 에틸셀로솔브아세테이트 등의 에스테르계 용매; 에틸렌글리콜, 에틸렌글리콜모노부틸에테르, 에틸렌글리콜모노에틸에테르, 에틸렌글리콜모노메틸에테르, 디메톡시에탄, 프로필렌글리콜, 디에톡시메탄, 트리에틸렌글리콜모노에틸에테르, 글리세린, 1,2-헥산디올 등의 다가 알코올 및 그의 유도체; 메탄올, 에탄올, 프로판올, 이소프로판올, 시클로헥산올 등의 알코올계 용매; 디메틸술폭시드 등의 술폭시드계 용매; 및 N-메틸-2-피롤리돈, N,N-디메틸포름아미드 등의 아미드계 용매; 테트랄린 등일 수 있다. 다만, 본 명세서의 실시상태에 따른 카바졸 유도체를 용해 또는 분산시킬 수 있는 용매면 족하고, 이들에 한정되지 않는다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 용매의 비점은 40℃ 내지 250℃일 수 있다. 구체적으로 60℃ 내지 230℃일 수 있다.
또 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 용매는 1종 단독으로 사용하거나, 또는 2 종 이상의 용매를 혼합하여 사용할 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 단독 또는 혼합 용매의 점도는 1cp 내지 10cp일 수 있다. 구체적으로 3cp 내지 8cp일 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 코팅 조성물 내 카바졸 유도체의 농도는 0.1wt/v% 내지 20wt/v%일 수 있다. 구체적으로, 상기 코팅 조성물 내 카바졸 유도체의 농도는 0.5wt/v% 내지 5wt/v%일 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 코팅 조성물은 열중합 개시제 및 광중합 개시제로 이루어진 군에서 선택되는 1종 또는 2 종 이상의 첨가제를 더 포함할 수 있다.
열중합 개시제로서는, 메틸 에틸 케톤퍼옥사이드, 메틸 이소부틸 케톤퍼옥사이드, 아세틸아세톤퍼옥사이드, 메틸사이클로헥사논 퍼옥사이드, 시클로헥사논 퍼옥사이드, 이소부티릴 퍼옥사이드, 2,4-디클로로벤조일 퍼옥사이드, 비스-3,5,5-트리메틸 헥사노일 퍼옥사이드, 라우릴 퍼옥사이드, 벤조일 퍼옥사이드, p-크롤 벤조일 퍼옥사이드, 디큐밀퍼옥시드, 2,5-디메틸-2,5-(t-부틸 옥시)-헥산, 1,3-비스(t-부틸 퍼옥시-이소프로필) 벤젠, t-부틸 쿠밀(cumyl) 퍼옥사이드, 디-t부틸 퍼옥사이드, 2,5-디메틸-2,5-(디t-부틸 퍼옥시) 헥산-3, 트리스-(t-부틸 퍼옥시) 트리아진, 1,1-디t-부틸 퍼옥시-3,3,5-트리메틸 사이클로헥산, 1,1-디t-부틸 퍼옥시 사이클로헥산, 2,2-디( t-부틸 퍼옥시) 부탄, 4,4-디-t-브치르파오키시바레릭크앗시드n-부틸 에스테르, 2,2-비스(4,4-t-부틸 퍼옥시 사이클로헥실)프로판, t-부틸퍼옥시이소부틸레이트, 디t-부틸 퍼옥시 헥사하이드로 테레프탈레이트, t-부틸 퍼옥시-3,5,5-트리메틸헥사에이트, t-부틸퍼옥시벤조에이트, 디t-부틸 퍼옥시 트리메틸 아디페이트 등의 과산화물, 혹은 아조비스 이소부틸니트릴, 아조비스디메틸발레로니트릴, 및 아조비스 시클로헥실 니트릴 등의 아조계가 있으나, 이를 한정하지 않는다.
광중합 개시제로서는, 디에톡시 아세토페논, 2,2-디메톡시-1,2-디페닐 에탄-1-온, 1-하이드록시-사이클로헥실-페닐-케톤, 4-(2-히드록시 에톡시) 페닐-(2-하이드록시-2-프로필) 케톤, 2-벤질-2-디메틸아미노-1-(4-모르폴리노페닐) 부타논-1,2-하이드록시-2-메틸-1-페닐 프로판-1-온, 2-메틸-2-모르폴리노(4-메틸 티오 페닐) 프로판-1-온, 1-페닐-1,2-프로판디온-2-(o-에톡시카르보닐) 옥심 등의 아세토페논계 또는 케탈계 광중합 개시제; 벤조인, 벤조인메치르에이텔, 벤조인에치르에이텔, 벤조인이소브치르에이텔, 벤조인이소프로피르에이텔 등의 벤조인에테르계 광중합 개시제; 벤조페논, 4-하이드록시벤조페논, 2-벤조일 나프탈렌, 4-벤조일 비페닐, 4-벤조일 페닐 에테르, 아크릴화 벤조페논, 1,4-벤조일 벤젠 등의 벤조페논계 광중합 개시제; 2-이소프로필티옥산톤, 2-클로로티옥산톤, 2,4-디메틸 티옥산톤, 2,4-디에틸티옥산톤, 2,4-디클로로티옥산톤 등의 티옥산톤계 광중합 개시제; 및 에틸 안트라퀴논, 2,4,6-트리메틸벤조일 디페닐 포스핀옥사이드, 2,4,6-트리메틸벤조일 페닐 에톡시 포스핀옥사이드, 비스(2,4,6-트리메틸벤조일) 페닐 포스핀옥사이드, 비스(2,4-디메톡시 벤조일)-2,4,4-트리메틸 펜틸포스핀 옥사이드, 메치르페니르그리오키시에스텔, 9,10-페난트렌, 아크리딘계 화합물, 트리아진계 화합물, 이미다졸계 화합물 등의 기타 광중합 개시제 들 수 있다. 또, 광중합 촉진 효과를 가지는 것을 단독 또는 상기 광 중합 개시제와 병용해 이용할 수도 있다. 예를 들면, 트리에탄올아민, 메틸 디에탄올 아민,4-디메틸아미노 안식향산 에틸,4-디메틸아미노 안식향산 이소아밀, 안식향산(2-디메틸아미노) 에틸, 4,4'-디메틸아미노벤조페논 등이 있으나, 이를 한정하지 않는다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 코팅 조성물은 p 도핑 물질을 더 포함할 수 있다.
본 명세서에 있어서, p 도핑 물질은 호스트 물질을 p 반도체 특성을 갖도록 하는 물질을 의미한다. p 반도체 특성이란 HOMO(highest occupied molecular orbital) 에너지 준위로 정공을 주입받거나 수송하는 특성 즉, 정공의 전도도가 큰 물질의 특성을 의미한다.
상기 p 도핑 물질은 호스트 물질 중 전체 혹은 일부에서 전자를 받아 호스트 물질이 양이온 혹은 양이온 라디칼로 변환되도록 촉진함으로써 코팅 후 열처리 혹은 광 처리 과정에서 호스트 물질의 중합이 원활히 이루어지도록 도와줄 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 p 도핑 물질은 하기 화학식 11 내지 14 중 어느 하나로 표시될 수 있다.
[화학식 11]
Figure 112016082093520-pat00016
[화학식 12]
Figure 112016082093520-pat00017
[화학식 13]
Figure 112016082093520-pat00018
[화학식 14]
Figure 112016082093520-pat00019
상기 화학식 11 내지 14에 있어서,
A1 내지 A6 및 A9 내지 A42는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐기; 니트릴기; 니트로기; 카르보닐기; 에스테르기; 아미드기; 치환 또는 비치환된 술포닐기(-SO2Ra); 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 알케닐기; 치환 또는 비치환된 알콕시기; 치환 또는 비치환된 실릴기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로고리기이거나, 인접하는 치환기가 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 탄화수소고리 또는 치환 또는 비치환된 헤테로고리기를 형성하고,
Ra는 치환 또는 비치환된 아릴기이며,
A7 및 A8은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 니트릴기; -CF3; 또는 치환 또는 비치환된 에스테르기이며,
Y11 내지 Y15는 N이다.
본 명세서에 있어서, 상기 A1 내지 A6는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 니트릴기; 니트로기; 카르보닐기; 에스테르기; 아미드기; 치환 또는 비치환된 술포닐기; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 알케닐기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로고리이거나, 인접하는 기와 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 탄화수소고리 또는 치환 또는 비치환된 헤테로고리를 형성한다.
본 명세서에 있어서, 상기 A1 내지 A6는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 니트릴기; 니트로기; 치환 또는 비치환된 술포닐기; 치환 또는 비치환된 알케닐기 또는 치환 또는 비치환된 아릴기이다.
본 명세서에 있어서, 상기 A1 내지 A6는 각각 니트릴기이다.
본 명세서에 있어서, 상기 A1 내지 A6는 각각 니트로기이다.
본 명세서에 있어서, 상기 A1 내지 A6는 각각 치환 또는 비치환된 술포닐기이다.
본 명세서에 있어서, 상기 A1 내지 A6는 각각 아릴기로 치환된 술포닐기이다.
본 명세서에 있어서, 상기 A1 내지 A6는 각각 페닐기로 치환된 술포닐기이다.
본 명세서에 있어서, 상기 A1 내지 A6는 각각 치환 또는 비치환된 아릴기이다.
본 명세서에 있어서, 상기 A1 내지 A6는 각각 치환 또는 비치환된 페닐기이다.
본 명세서에 있어서, 상기 A1 내지 A6는 각각 니트릴기로 치환된 페닐기이다.
본 명세서에 있어서, 상기 A1 내지 A6는 각각 니트로기로 치환된 페닐기이다.
본 명세서에 있어서, 상기 A1 내지 A6는 각각 치환 또는 비치환된 알케닐기이다.
본 명세서에 있어서, 상기 A1 내지 A6는 각각 니트릴기로 치환된 알케닐기이다.
본 명세서에 있어서, 상기 화학식 11은 하기 구조식들 중 어느 하나로 표시될 수 있다.
Figure 112016082093520-pat00020
본 명세서에 있어서, 상기 A9 내지 A12는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 할로겐기; 니트릴기; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로고리기이거나, 인접하는 치환기가 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 탄화수소고리 또는 치환 또는 비치환된 헤테로고리기를 형성한다.
본 명세서에 있어서, 상기 A13 내지 A24는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 할로겐기; 니트로기; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로고리기이거나, 인접하는 치환기가 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 탄화수소고리 또는 치환 또는 비치환된 헤테로고리기를 형성한다.
본 명세서에 있어서, 상기 A13 및 A14는 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 탄화수소고리를 형성한다.
본 명세서에 있어서, 상기 A13 및 A14는 서로 결합하여 벤젠고리를 형성한다.
본 명세서에 있어서, 상기 A17 및 A18은 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 탄화수소고리를 형성한다.
본 명세서에 있어서, 상기 A17 및 A18은 서로 결합하여 벤젠고리를 형성한다.
본 명세서에 있어서, 상기 A19 및 A20은 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 탄화수소고리를 형성한다.
본 명세서에 있어서, 상기 A19 및 A20은 서로 결합하여 벤젠고리를 형성한다.
본 명세서에 있어서, 상기 화학식 13은 하기 화학식 13-1 또는 화학식 13-2로 표시될 수 있다.
[화학식 13-1]
Figure 112016082093520-pat00021
[화학식 13-2]
Figure 112016082093520-pat00022
상기 화학식 13-1 및 13-2에 있어서,
A13 내지 A18, A21 내지 A24 및 Y15는 화학식 13에서의 정의와 동일하고,
A43 내지 A58은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 할로겐기; 니트로기; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로고리기이거나, 인접하는 치환기가 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 탄화수소고리 또는 치환 또는 비치환된 헤테로고리기를 형성한다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 A25 내지 A42는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 알콕시기; 치환 또는 비치환된 실릴기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로고리기이거나, 인접하는 치환기가 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 탄화수소고리 또는 치환 또는 비치환된 헤테로고리기를 형성한다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 p 도핑 물질은 전도성 도펀트일 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 전도성 도펀트(conductivity dopant)는 하기 구조식 중 어느 하나로 표시될 수 있다.
Figure 112016082093520-pat00023
Figure 112016082093520-pat00024
본 명세서에 있어서, 상기 전도성 도펀트는 카바졸 유도체를 이용하여 형성된 유기물층의 전도성을 증가시키는 도펀트를 의미할 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 p 도핑 물질은 금속 산화물일 수 있다. 예컨대, MoO2(acac)3 또는 VO(acac)2일 수 있으나 이에 한정되지 않는다.
본 명세서에서 상기 p 도핑 물질은 p 반도체 특성을 갖도록 하는 물질이면 족하고, 1종 또는 2 종 이상을 사용할 수 있으며, 이의 종류를 한정하지 않는다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 p 도핑 물질의 함량은 상기 화학식 1의 카바졸 유도체를 기준으로 0 몰% 내지 80 몰%이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 캐소드;
애노드; 및
상기 캐소드와 상기 애노드 사이에 구비되는 1층 이상의 유기물층을 포함하고,
상기 유기물층 중 1층 이상은 상기 코팅 조성물의 경화물을 포함한다.
이때, 상기 코팅 조성물의 경화물이란, 상기 코팅 조성물을 열처리 또는 광처리에 의하여 경화된 상태를 의미한다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 코팅 조성물의 경화물을 포함하는 유기물층은 정공수송층, 정공주입층 또는 정공수송과 정공주입을 동시에 하는 층이다.
또 다른 실시상태에 있어서, 상기 코팅 조성물을 이용하여 형성된 유기물층은 발광층이다.
또 하나의 실시상태에 있어서, 상기 코팅 조성물의 경화물을 포함하는 유기물층은 발광층이고, 상기 발광층은 상기 카바졸 유도체를 발광층의 호스트로서 포함한다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 유기 발광 소자는 정공주입층, 정공수송층. 전자수송층, 전자주입층, 전자저지층 및 정공저지층으로 이루어진 군에서 선택되는 1층 또는 2층 이상을 더 포함한다.
또 하나의 실시상태에 있어서, 유기 발광 소자는 기판 상에 애노드, 1층 이상의 유기물층 및 캐소드가 순차적으로 적층된 구조(normal type)의 유기 발광 소자일 수 있다.
또 하나의 실시상태에 있어서, 유기 발광 소자는 기판 상에 캐소드, 1층 이상의 유기물층 및 애노드가 순차적으로 적층된 역방향 구조(inverted type)의 유기 발광 소자일 수 있다.
본 명세서의 유기 발광 소자의 유기물층은 단층 구조로 이루어질 수도 있으나, 2층 이상의 유기물층이 적층된 다층 구조로 이루어질 수 있다. 예컨대, 본 발명의 유기 발광 소자는 유기물층으로서 정공주입층, 정공수송층, 발광층, 전자수송층, 전자주입층 등을 포함하는 구조를 가질 수 있다. 그러나 유기 발광 소자의 구조는 이에 한정되지 않고 더 적은 수의 유기층을 포함할 수 있다.
예컨대, 본 명세서의 일 실시상태에 따른 유기 발광 소자의 구조는 도 1에 예시되어 있다.
도 1에는 기판(101) 상에 애노드(201), 정공주입층(301), 정공수송층(401), 발광층(501), 전자수송층(601) 및 캐소드(701)가 순차적으로 적층된 유기 발광 소자의 구조가 예시되어 있다.
상기 도 1은 유기 발광 소자를 예시한 것이며 이에 한정되지 않는다.
상기 도 1에서 정공주입층(301), 정공수송층(401), 발광층(501)은 상기 카바졸 유도체를 포함하는 코팅 조성물을 이용하여 형성될 수 있다.
상기 유기 발광 소자가 복수개의 유기물층을 포함하는 경우, 상기 유기물층은 동일한 물질 또는 다른 물질로 형성될 수 있다.
본 명세서의 유기 발광 소자는 유기물층 중 1층 이상이 상기 카바졸 유도체를 포함하는 코팅 조성물을 이용하여 형성되는 것을 제외하고는 당 기술분야에 알려져 있는 재료와 방법으로 제조될 수 있다.
예컨대, 본 명세서의 유기 발광 소자는 기판 상에 애노드, 유기물층 및 캐소드를 순차적으로 적층시킴으로써 제조할 수 있다. 이 때 스퍼터링법(sputtering)이나 전자빔 증발법(e-beam evaporation)과 같은 PVD(physical Vapor Deposition)방법을 이용하여, 기판 상에 금속 또는 전도성을 가지는 금속 산화물 또는 이들의 합금을 증착시켜 애노드를 형성하고, 그 위에 정공 주입층, 정공 수송층, 발광층 및 전자 수송층을 포함하는 유기물층을 형성한 후, 그 위에 캐소드로 사용할 수 있는 물질을 증착시킴으로써 제조될 수 있다. 이와 같은 방법 외에도, 기판 상에 캐소드 물질부터 유기물층, 애노드 물질을 차례로 증착시켜 유기 발광 소자를 만들 수 있다.
본 명세서는 또한, 상기 코팅 조성물을 이용하여 형성된 유기 발광 소자의 제조 방법을 제공한다.
구체적으로 본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 기판을 준비하는 단계; 상기 기판 상에 캐소드 또는 애노드를 형성하는 단계; 상기 캐소드 또는 애노드 상에 1층 이상의 유기물층을 형성하는 단계; 및 상기 유기물층 상에 애노드 또는 캐소드를 형성하는 단계를 포함하고, 상기 유기물층 중 1 층 이상은 상기 코팅 조성물을 이용하여 형성된다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 코팅 조성물을 이용하여 형성된 유기물층은 스핀 코팅을 이용하여 형성된다.
또 다른 실시상태에 있어서, 상기 코팅 조성물을 이용하여 형성된 유기물층은 인쇄법에 의하여 형성된다.
본 명세서의 상태에 있어서, 상기 인쇄법은 예컨대, 잉크젯 프린팅, 노즐 프린팅, 오프셋 프린팅, 전사 프린팅 또는 스크린 프린팅 등이 있으나, 이를 한정하지 않는다.
본 명세서의 일 실시상태에 따른 코팅 조성물은 구조적인 특성으로 용액공정이 적합하여 인쇄법에 의하여 형성될 수 있으므로 소자의 제조 시에 시간 및 비용적으로 경제적인 효과가 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 코팅 조성물을 이용하여 형성된 유기물층을 형성하는 단계는 상기 캐소드 또는 애노드 상에 상기 코팅 조성물을 코팅하는 단계; 및 상기 코팅된 코팅 조성물을 열처리 또는 광처리 하는 단계를 포함한다.
또 하나의 실시상태에 있어서, 상기 열처리하는 단계에서의 열처리 시간은 1시간 이내일 수 있다. 구체적으로 30분 이내일 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 코팅 조성물을 이용하여 형성된 유기물층을 열처리하는 분위기는 아르곤, 질소 등의 불활성 기체 분위기인 것이 바람직하다.
상기 코팅 조성물을 이용하여 형성된 유기물층을 형성하는 단계에서 상기 열처리 또는 광처리 단계를 포함하는 경우에는 코팅 조성물에 포함된 복수 개의 카바졸 유도체가 가교를 형성하여 박막화된 구조가 포함된 유기물층을 제공할 수 있다. 이 경우, 상기 코팅 조성물을 이용하여 형성된 유기물층의 표면 위에 다른 층을 적층할 시, 용매에 의하여 용해되거나, 형태학적으로 영향을 받거나 분해되는 것을 방지할 수 있다.
따라서, 상기 코팅 조성물을 이용하여 형성된 유기물층이 열처리 또는 광처리 단계를 포함하여 형성된 경우에는 용매에 대한 저항성이 증가하여 용액 증착 및 가교 방법을 반복 수행하여 다층을 형성할 수 있으며, 안정성이 증가하여 소자의 수명 특성을 증가시킬 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 카바졸 유도체를 포함하는 코팅 조성물은 고분자 결합제에 혼합하여 분산시킨 코팅 조성물을 이용할 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 고분자 결합제로서는, 전하 수송을 극도로 저해하지 않는 것이 바람직하고, 또한 가시광에 대한 흡수가 강하지 않은 것이 바람직하게 이용된다. 고분자 결합제로서는, 폴리(N-비닐카르바졸), 폴리아닐린 및 그의 유도체, 폴리티오펜 및 그의 유도체, 폴리(p-페닐렌비닐렌) 및 그의 유도체, 폴리(2,5-티에닐렌비닐렌) 및 그의 유도체, 폴리카보네이트, 폴리아크릴레이트, 폴리메틸아크릴레이트, 폴리메틸메타크릴레이트, 폴리스티렌, 폴리염화비닐, 폴리실록산 등이 예시된다.
또한, 본 명세서의 일 실시상태에 따른 카바졸 유도체는 카바졸 및 아민기를 포함함으로써, 유기물층에 카바졸 유도체 단독으로 포함할 수도 있고, 카바졸 유도체를 포함하는 코팅 조성물을 열처리 또는 광처리를 통하여 박막화를 진행시킬 수 도 있으며, 다른 모노머와 혼합한 코팅 조성물을 사용하여 공중합체로서 포함시킬 수 있다. 또한, 다른 고분자와 혼합한 코팅조성물을 사용하여, 공중합체로서 포함시키거나, 혼합물로 포함할 수 있다.
상기 애노드 물질로는 통상 유기물층으로 정공 주입이 원활할 수 있도록 일함수가 큰 물질이 바람직하다. 본 발명에서 사용될 수 있는 애노드 물질의 구체적인 예로는 바나듐, 크롬, 구리, 아연, 금과 같은 금속 또는 이들의 합금; 아연 산화물, 인듐 산화물, 인듐주석 산화물(ITO), 인듐아연 산화물(IZO)과 같은 금속 산화물; ZnO:Al 또는 SNO2 : Sb와 같은 금속과 산화물의 조합; 폴리(3-메틸티오펜), 폴리[3,4-(에틸렌-1,2-디옥시)티오펜](PEDOT), 폴리피롤 및 폴리아닐린과 같은 전도성 고분자 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.
상기 캐소드 물질로는 통상 유기물층으로 전자 주입이 용이하도록 일함수가 작은 물질인 것이 바람직하다. 캐소드 물질의 구체적인 예로는 마그네슘, 칼슘, 나트륨, 칼륨, 티타늄, 인듐, 이트륨, 리튬, 가돌리늄, 알루미늄, 은, 주석 및 납과 같은 금속 또는 이들의 합금; LiF/Al 또는 LiO2/Al과 같은 다층 구조 물질 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.
상기 정공 주입 물질로는 전극으로부터 정공을 주입하는 층으로, 정공 주입 물질로는 정공을 수송하는 능력을 가져 애노드에서의 정공 주입효과, 발광층 또는 발광재료에 대하여 우수한 정공 주입 효과를 갖고, 발광층에서 생성된 여기자의 전자주입층 또는 전자주입재료에의 이동을 방지하며, 또한, 박막 형성 능력이 우수한 화합물이 바람직하다. 정공 주입 물질의 HOMO(highest occupied molecular orbital)가 애노드 물질의 일함수와 주변 유기물층의 HOMO 사이인 것이 바람직하다. 정공 주입 물질의 구체적인 예로는 금속 포피린(porphyrin), 올리고티오펜, 아릴아민 계열의 유기물, 헥사니트릴헥사아자트리페닐렌 계열의 유기물, 퀴나크리돈(quinacridone)계열의 유기물, 페릴렌(perylene) 계열의 유기물, 안트라퀴논 및 폴리아닐린과 폴리티오펜 계열의 전도성 고분자 등이 있으나, 이들에만 한정 되는 것은 아니다.
상기 정공수송층은 정공주입층으로부터 정공을 수취하여 발광층까지 정공을 수송하는 층으로, 정공 수송 물질로는 애노드나 정공 주입층으로부터 정공을 수송 받아 발광층으로 옮겨줄 수 있는 물질로 정공에 대한 이동성이 큰 물질이 적합하다. 구체적인 예로는 아릴아민 계열의 유기물, 전도성 고분자, 및 공액 부분과 비공액 부분이 함께 있는 블록 공중합체 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.
상기 발광 물질로는 정공 수송층과 전자 수송층으로부터 정공과 전자를 각각 수송받아 결합시킴으로써 가시광선 영역의 빛을 낼 수 있는 물질로서, 형광이나 인광에 대한 양자 효율이 좋은 물질이 바람직하다. 구체적인 예로는 8-히드록시-퀴놀린 알루미늄 착물(Alq3); 카르바졸 계열 화합물; 이량체화 스티릴(dimerized styryl) 화합물; BAlq; 10-히드록시벤조 퀴놀린-금속 화합물; 벤족사졸, 벤즈티아졸 및 벤즈이미다졸 계열의 화합물; 폴리(p-페닐렌비닐렌)(PPV) 계열의 고분자; 스피로(spiro) 화합물; 폴리플루오렌; 루브렌 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.
상기 발광층은 호스트 재료 및 도펀트 재료를 포함할 수 있다. 호스트 재료는 축합 방향족환 유도체 또는 헤테로환 함유 화합물 등이 있다. 구체적으로, 축합방향족환 유도체로는 안트라센 유도체, 피렌 유도체, 나프탈렌 유도체, 펜타센 유도체, 페난트렌 화합물, 플루오란텐 화합물 등이 있고, 헤테로환 함유 화합물로는 카바졸 유도체, 디벤조퓨란 유도체, 래더형 퓨란 화합물, 피리미딘 유도체 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다.
도펀트 재료로는 방향족 아민 유도체, 스트릴아민 화합물, 붕소 착체, 플루오란텐 화합물, 금속 착체 등이 있다. 구체적으로, 방향족 아민 유도체로는 치환 또는 비치환된 아릴아미노기를 갖는 축합 방향족환 유도체로서, 아릴아미노기를 갖는 피렌, 안트라센, 크리센, 페리플란텐 등이 있으며, 스티릴아민 화합물로는 치환 또는 비치환된 아릴아민에 적어도 1개의 아릴비닐기가 치환되어 있는 화합물로, 아릴기, 실릴기, 알킬기, 시클로알킬기 및 아릴아미노기로 이루어진 군에서 1 또는 2이상 선택되는 치환기가 치환 또는 비치환된다. 구체적으로 스티릴아민, 스티릴디아민, 스티릴트리아민, 스티릴테트라아민 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다. 또한, 금속 착체로는 이리듐 착체, 백금 착체 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다.
상기 전자 수송 물질로는 전자주입층으로부터 전자를 수취하여 발광층까지 전자를 수송하는 층으로 전자 수송 물질로는 캐소드로부터 전자를 잘 주입 받아 발광층으로 옮겨줄 수 있는 물질로서, 전자에 대한 이동성이 큰 물질이 적합하다. 구체적인 예로는 8-히드록시퀴놀린의 Al착물; Alq3를 포함한 착물; 유기 라디칼 화합물; 히드록시플라본-금속 착물 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다. 전자 수송층은 종래기술에 따라 사용된 바와 같이 임의의 원하는 캐소드 물질과 함께 사용할 수 있다. 특히, 적절한 캐소드 물질의 예는 낮은 일함수를 가지고 알루미늄층 또는 실버층이 뒤따르는 통상적인 물질이다. 구체적으로, 세슘, 바륨, 칼슘, 이테르븀 및 사마륨이고, 각 경우 알루미늄 층 또는 실버층이 뒤따른다.
상기 전자주입층은 전극으로부터 전자를 주입하는 층으로, 전자를 수송하는 능력을 갖고, 캐소드로부터의 전자주입 효과, 발광층 또는 발광 재료에 대하여 우수한 전자주입 효과를 가지며, 발광층에서 생성된 여기자의 정공 주입층에의 이동을 방지하고, 또한, 박막형성능력이 우수한 화합물이 바람직하다. 구체적으로는 플루오레논, 안트라퀴노다이메탄, 다이페노퀴논, 티오피란 다이옥사이드, 옥사졸, 옥사다이아졸, 트리아졸, 이미다졸, 페릴렌테트라카복실산, 프레오레닐리덴 메탄, 안트론 등과 그들의 유도체, 금속 착체 화합물 및 함질소 5원환 유도체 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다.
상기 금속 착체 화합물로서는 8-하이드록시퀴놀리나토 리튬, 비스(8-하이드록시퀴놀리나토)아연, 비스(8-하이드록시퀴놀리나토)구리, 비스(8-하이드록시퀴놀리나토)망간, 트리스(8-하이드록시퀴놀리나토)알루미늄, 트리스(2-메틸-8-하이드록시퀴놀리나토)알루미늄, 트리스(8-하이드록시퀴놀리나토)갈륨, 비스(10-하이드록시벤조[h]퀴놀리나토)베릴륨, 비스(10-하이드록시벤조[h]퀴놀리나토)아연, 비스(2-메틸-8-퀴놀리나토)클로로갈륨, 비스(2-메틸-8-퀴놀리나토)(o-크레졸라토)갈륨, 비스(2-메틸-8-퀴놀리나토)(1-나프톨라토)알루미늄, 비스(2-메틸-8-퀴놀리나토)(2-나프톨라토)갈륨 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다.
상기 정공저지층은 정공의 캐소드 도달을 저지하는 층으로, 일반적으로 정공주입층과 동일한 조건으로 형성될 수 있다. 구체적으로 옥사디아졸 유도체나 트리아졸 유도체, 페난트롤린 유도체, BCP, 알루미늄 착물 (aluminum complex) 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다.
본 명세서에 따른 유기 발광 소자는 사용되는 재료에 따라 전면 발광형, 후면 발광형 또는 양면 발광형일 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 헤테로환 화합물은 유기 발광 소자외에도 유기 태양 전지 또는 유기 트랜지스터에 포함될 수 있다.
이하, 본 명세서를 구체적으로 설명하기 위해 실시예를 들어 상세하게 설명하기로 한다. 그러나, 본 명세서에 따른 실시예들은 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 명세서의 범위가 아래에서 기술하는 실시예들에 한정되는 것으로 해석되지 않는다. 본 명세서의 실시예들은 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 명세서를 보다 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다.
제조예 1. 화학식 1-1의 제조
Figure 112016082093520-pat00025
화학식 A(2g, 4.592mmol), N-페닐-4-바이닐아닐린(N-phenyl-4-vinylaniline, 1.97g, 15 22.96mmol), 소듐터트부톡사이드(sodium tertbutoxdie, 2.2g, 22.96mmol)를 톨루엔(toluene)50mL에 녹인 후, 온도를 90℃로 높였다. 비스(트라이-터트-부틸포스핀)팔라듐(0)(bis(tri-tert butylphosphine)palladium(0), 0.120g)을 10mL의 톨루엔에 녹여서 넣고 24시간 동안 90℃로 반응시켰다. 온도를 낮추고 메틸클로라이드(methyl chloride, MC)로 녹인 뒤 물로 씻어주었다. 황산마그네슘(MgSO4)으로 잔여 물을 제거하고, 용매를 제거한 후 실리카컬럼(H/MC=3:1)으로 분리하였다.
도 2는 화학식 1-1의 MS 스펙트럼을 나타낸 도이다.
도 3은 화학식 1-1의 DSC 측정 결과를 나타낸 도이다.
제조예 2. 화학식 1-2의 제조
Figure 112016082093520-pat00026
화학식 B(1.98g, 4.592mmol), N-페닐-4-바이닐아닐린(N-phenyl-4-vinylaniline, 1.97g, 22.96mmol), 소듐터트부톡사이드(sodium tertbutoxdie, 2.2g, 22.96mmol)를 톨루엔(toluene)50mL에 녹인 후, 온도를 90℃로 높였다. 비스(트라이-터트-부틸포스핀)팔라듐(0)(bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0),0.120g)을 10mL의 톨루엔에 녹여서 넣고 24시간 동안 90℃로 반응시켰다. 온도를 낮추고 메틸클로라이드(methyl chloride, MC)로 녹인 뒤 물로 씻어주었다. 황산마그네슘(MgSO4)으로 잔여 물을 제거하고, 용매를 제거한 후 실리카컬럼(H/MC=3:1)으로 분리하였다.
제조예 3. 화학식 1-3의 제조
Figure 112016082093520-pat00027
화학식 C(2.56 g, 7.22mmol), N-페닐-4-바이닐아닐린(N-phenyl-4-vinylaniline, 3.10g, 15.9mmol), 소듐터트부톡사이드(sodium tertbutoxdie, 3.46g, 36.1mmol)를 톨루엔(toluene)70mL에 녹인 후, 온도를 90℃로 높였다. 비스(트라이-터트-부틸포스핀)팔라듐(0)(bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0),0.180g)을 10mL의 톨루엔에 녹여서 넣고 24시간 동안 110℃에서 리플럭스(reflux) 반응시켰다. 온도를 낮추고 메틸클로라이드(methyl chloride, MC)로 녹인 뒤 물로 씻어주었다. 황산마그네슘(MgSO4)으로 잔여 물을 제거하고, 용매를 제거한 후 실리카컬럼(Toluene/Hexane=1/10)으로 분리하였다.
도 4는 화학식 1-3의 MS 스펙트럼을 나타낸 도이다.
도 5은 화학식 1-3의 DSC 측정 결과를 나타낸 도이다.
제조예 4. 화학식 1-4의 제조
Figure 112016082093520-pat00028
화학식 D(3.36 g, 7.22mmol), N-페닐-4-바이닐아닐린(N-phenyl-4-vinylaniline, 3.10g, 15.9mmol), 소듐터트부톡사이드(sodium tertbutoxdie, 3.46g, 36.1mmol)를 톨루엔(toluene)70mL에 녹인 후, 온도를 90℃로 높였다. 비스(트라이-터트-부틸포스핀)팔라듐(0)(bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0), 0.180g)을 10mL의 톨루엔에 녹여서 넣고 24시간 동안 110℃에서 리플럭스(reflux) 반응시켰다. 온도를 낮추고 메틸클로라이드(methyl chloride, MC)로 녹인 뒤 물로 씻어주었다. 황산마그네슘(MgSO4)으로 잔여 물을 제거하고, 용매를 제거한 후 실리카컬럼(Toluene/Hexane=1/10)으로 분리하였다.
제조예 5. 화학식 1-5의 제조
Figure 112016082093520-pat00029
화학식 E(2.31 g, 7.22mmol), N-페닐-4-바이닐아닐린(N-phenyl-4-vinylaniline, 2.08g, 9.39mmol), 소듐터트부톡사이드(sodium tertbutoxdie, 3.46g, 36.1mmol)를 톨루엔(toluene)70mL에 녹인 후, 온도를 90℃로 높였다. 비스(트라이-터트-부틸포스핀)팔라듐(0)(bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0), 0.180g)을 10mL의 톨루엔에 녹여서 넣고 24시간 동안 110℃에서 리플럭스(reflux) 반응시켰다. 온도를 낮추고 메틸클로라이드(methyl chloride, MC)로 녹인 뒤 물로 씻어주었다. 황산마그네슘(MgSO4)으로 잔여 물을 제거하고, 용매를 제거한 후 실리카컬럼(Toluene/Hexane=1/10)으로 분리하였다.
제조예 6. 화학식 1-6의 제조
Figure 112016082093520-pat00030
화학식 F(2.31 g, 7.22mmol), N-페닐-4-바이닐아닐린(N-phenyl-4-vinylaniline, 2.08g, 9.39mmol), 소듐터트부톡사이드(sodium tertbutoxdie, 3.46g, 36.1mmol)를 톨루엔(toluene)70mL에 녹인 후, 온도를 90℃로 높였다. 비스(트라이-터트-부틸포스핀)팔라듐(0)(bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0), 0.180g)을 10mL의 톨루엔에 녹여서 넣고 24시간 동안 110℃에서 리플럭스(reflux) 반응시켰다. 온도를 낮추고 메틸클로라이드(methyl chloride, MC)로 녹인 뒤 물로 씻어주었다. 황산마그네슘(MgSO4)으로 잔여 물을 제거하고 용매를 제거하고 실리카컬럼(Toluene/Hexane=1/10)으로 분리하였다.
제조예 7. 화학식 1-7의 제조
Figure 112016082093520-pat00031
화학식 G(2.55 g, 7.22mmol), N-페닐-4-바이닐아닐린(N-phenyl-4-vinylaniline, 2.08g, 9.39mmol), 소듐터트부톡사이드(sodium tertbutoxdie, 3.46g, 36.1mmol)를 톨루엔(toluene)70mL에 녹인 후, 온도를 90℃로 높였다. 비스(트라이-터트-부틸포스핀)팔라듐(0)(bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0), 0.180g)을 10mL의 톨루엔에 녹여서 넣고 24시간 동안 110℃에서 reflux 반응시켰다. 온도를 낮추고 메틸클로라이드(methyl chloride, MC)로 녹인 뒤 물로 씻어주었다. 황산마그네슘(MgSO4)으로 잔여 물을 제거하고, 용매를 제거한 후 실리카컬럼(Toluene/Hexane=1/10)으로 분리하였다.
제조예 8. 화학식 1-8의 제조
Figure 112016082093520-pat00032
화학식 H(3.76 g, 7.22mmol), N-페닐-4-바이닐아닐린(N-phenyl-4-vinylaniline, 2.08g, 9.39mmol), 소듐터트부톡사이드(sodium tertbutoxdie, 3.46g, 36.1mmol)를 톨루엔(toluene)70mL에 녹인 후, 온도를 90℃로 높였다. 비스(트라이-터트-부틸포스핀)팔라듐(0)(bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0), 0.180g)을 10mL의 톨루엔에 녹여서 넣고 24시간 동안 110℃에서 reflux 반응시켰다. 온도를 낮추고 메틸클로라이드(methyl chloride, MC)로 녹인 뒤 물로 씻어주었다. 황산마그네슘(MgSO4)으로 잔여 물을 제거하고, 용매를 제거한 후 실리카컬럼(Toluene/Hexane=1/10)으로 분리하였다.
실험예 1. 코팅 조성물의 제조
Figure 112016082093520-pat00033
Figure 112016082093520-pat00034
코팅 조성물은 하기 표 1에 기재된 바와 같이 화학식 1-1, 화학식 1-2, 화학식 2-1 및 화학식 2-2를 1wt/v%로 단독으로 용해시켜 조성하거나, 도펀트(TB, IB)와 함께 용해시켜 용해시켜 조성하였다.
코팅 조성물 카바졸 유도체 도펀트 카바졸 유도체: 도펀트 무게비
1 화학식 1-1 - 1:0
2 화학식 1-3 - 1:0
3 화학식 1-1 TB 0.8:0.2
4 화학식 1-1 TB 0.98:0.02
5 화학식 1-1 IB 0.8:0.2
6 화학식 1-1 IB 0.98:0.02
7 화학식 1-3 TB 0.8:0.2
8 화학식 1-3 TB 0.98:0.02
9 화학식 1-3 IB 0.8:0.2
10 화학식 1-3 IB 0.98:0.02
11 화학식 2-1 - 1:0
12 화학식 2-2 - 1:0
13 화학식 2-1 TB 0.8:0.2
14 화학식 2-1 TB 0.98:0.02
15 화학식 2-1 IB 0.8:0.2
16 화학식 2-1 IB 0.98:0.02
17 화학식 2-2 TB 0.8:0.2
18 화학식 2-2 TB 0.98:0.02
19 화학식 2-2 IB 0.8:0.2
20 화학식 2-2 IB 0.98:0.02
실시예 1.
ITO (indium tin oxide)가 1500Å의 두께로 박막 증착된 유리 기판을 세제를 녹인 증류수에 넣고 초음파로 세척하였다. ITO를 30분간 세척한 후, 증류수로 2회 반복하여 초음파 세척을 10분간 진행하였다. 증류수 세척이 끝난 후, 아이소프로필알콜, 아세톤의 용제로 초음파 세척을 각각 30분씩 하고 건조시킨 후, 상기 기판을 글러브박스로 수송시켰다.
이렇게 준비된 ITO 투명 전극 위에 하기 표에서 기재된 코팅 조성물 1을 스핀 코팅하여 300Å 두께로 코팅하고 질소(N2) 분위기 하에 230℃로 30분 동안 코팅 조성물을 경화시켜 정공 주입층을 형성하였다. 이후, 진공 증착기로 이송한 후, 상기 정공 주입층 위에 하기 화합물 1을 진공 증착하여 정공 수송층을 형성하였다.
Figure 112016082093520-pat00035
이어서, 상기 정공 수송층 위에 화합물 2와 화합물 3을 8%의 농도로 300Å의 두께로 진공 증착하여 발광층을 형성하였다. 상기 발광층 위에 상기 화합물 4를 200Å의 두께로 진공 증착하여 전자 주입 및 수송층을 형성하였다. 상기 전자 주입 및 수송층 위에 순차적으로 12Å의 두께로 LiF와 2000Å의 두께로 알루미늄을 증착하여 캐소드를 형성하였다.
상기의 과정에서 유기물의 증착 속도는 0.4 Å/sec 내지 0.7Å/sec 를 유지하였고, 캐소드의 LiF는 0.3Å/sec, 알루미늄은 2Å/sec의 증착 속도를 유지하였으며, 증착시 진공도는 2x10- 7torr 내지 5x10- 8torr를 유지하였다.
그 후, 유리에 밀봉 유리와 유리 기판을, 광경화성 에폭시 수지를 이용하여 접합시킴으로써 밀봉을 행하여, 다층 구조의 유기 발광 소자를 제작했다. 이후의 조작은 대기중, 실온(25℃)에서 행했다.
실시예 2.
상기 실시예 1에서 정공 주입층을 코팅 조성물 1 대신 코팅 조성물 2를 사용한 것을 제외하고, 실시예 1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제조하였다.
실시예 3.
상기 실시예 1에서 정공 주입층을 코팅 조성물 1 대신 코팅 조성물 3을 사용한 것을 제외하고, 실시예 1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제조하였다.
실시예 4.
상기 실시예 1에서 정공 주입층을 코팅 조성물 1 대신 코팅 조성물 4를 사용한 것을 제외하고, 실시예 1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제조하였다.
실시예 5.
상기 실시예 1에서 정공 주입층을 코팅 조성물 1 대신 코팅 조성물 5를 사용한 것을 제외하고, 실시예 1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제조하였다.
실시예 6.
상기 실시예 1에서 정공 주입층을 코팅 조성물 1 대신 코팅 조성물 6을 사용한 것을 제외하고, 실시예 1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제조하였다.
실시예 7.
상기 실시예 1에서 정공 주입층을 코팅 조성물 1 대신 코팅 조성물 7을 사용한 것을 제외하고, 실시예 1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제조하였다.
실시예 8.
상기 실시예 1에서 정공 주입층을 코팅 조성물 1 대신 코팅 조성물 8을 사용한 것을 제외하고, 실시예 1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제조하였다.
실시예 9.
상기 실시예 1에서 정공 주입층을 코팅 조성물 1 대신 코팅 조성물 9을 사용한 것을 제외하고, 실시예 1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제조하였다.
실시예 10.
상기 실시예 1에서 정공 주입층을 코팅 조성물 1 대신 코팅 조성물 10을 사용한 것을 제외하고, 실시예 1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제조하였다.
비교예 1.
상기 실시예 1에서 정공 주입층을 코팅 조성물 1 대신 코팅 조성물 11을 사용한 것을 제외하고, 실시예 1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제조하였다.
비교예 2.
상기 실시예 1에서 정공 주입층을 코팅 조성물 1 대신 코팅 조성물 12를 사용한 것을 제외하고, 실시예 1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제조하였다.
비교예 3.
상기 실시예 1에서 정공 주입층을 코팅 조성물 1 대신 코팅 조성물 13을 사용한 것을 제외하고, 실시예 1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제조하였다.
비교예 4.
상기 실시예 1에서 정공 주입층을 코팅 조성물 1 대신 코팅 조성물 14를 사용한 것을 제외하고, 실시예 1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제조하였다.
비교예 5.
상기 실시예 1에서 정공 주입층을 코팅 조성물 1 대신 코팅 조성물 15를 사용한 것을 제외하고, 실시예 1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제조하였다.
비교예 6.
상기 실시예 1에서 정공 주입층을 코팅 조성물 1 대신 코팅 조성물 16을 사용한 것을 제외하고, 실시예 1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제조하였다.
비교예 7.
상기 실시예 1에서 정공 주입층을 코팅 조성물 1 대신 코팅 조성물 17을 사용한 것을 제외하고, 실시예 1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제조하였다.
비교예 8.
상기 실시예 1에서 정공 주입층을 코팅 조성물 1 대신 코팅 조성물 18을 사용한 것을 제외하고, 실시예 1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제조하였다.
비교예 9.
상기 실시예 1에서 정공 주입층을 코팅 조성물 1 대신 코팅 조성물 19를 사용한 것을 제외하고, 실시예 1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제조하였다.
비교예 10.
상기 실시예 1에서 정공 주입층을 코팅 조성물 1 대신 코팅 조성물 20을 사용한 것을 제외하고, 실시예 1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제조하였다.
실시예 11.
ITO (indium tin oxide)가 1500Å의 두께로 박막 증착된 유리 기판을 세제를 녹인 증류수에 넣고 초음파로 세척하였다. ITO를 30분간 세척한 후, 증류수로 2회 반복하여 10 초음파 세척을 10분간 진행하였다. 증류수 세척이 끝난 후, 아이소프로필알콜, 아세톤의 용제로 초음파 세척을 각각 30분씩 하고 건조시킨 후, 상기 기판을 글러브박스로 수송시켰다.
이렇게 준비된 ITO 투명 전극 위에 PEDOT:PSS (AI4083)을 스핀 코팅하여 300Å 두께로 코팅하고 공기(air) 분위기 하에 180℃에서 30분 동안 열처리하여 정공 주입층을 형성하였다. 이후, 상기 표에서 기재된 코팅 조성물 1을 스핀 코팅하여 500Å 두께로 코팅하고 질소(N2) 분위기 하에 220℃에서 30분 동안 코팅 조성물을 경화시켜 정공 수송층을 형성하였다.
이어서, 진공 증착기로 이송한 후 상기 정공 수송층 위에 화합물 2와 화합물 3을 8%의 농도로 300Å의 두께로 진공 증착하여 발광층을 형성하였다. 상기 발광층 위에 상기 화합물 4를 200Å의 두께로 진공 증착하여 전자 주입 및 수송층을 형성하였다. 상기 전자 주입 및 수송층 위에 순차적으로 12Å의 두께로 LiF와 2000Å의 두께로 알루미늄을 증착하여 캐소드를 형성하였다.
상기의 과정에서 유기물의 증착 속도는 0.4 Å/sec 내지 0.7Å/sec를 유지하였고, 캐소드의 LiF는 0.3Å/sec, 알루미늄은 2Å/sec의 증착 속도를 유지하였으며, 증착시 진공도는 2x10- 7torr 내지 5x10- 8torr를 유지하였다.
그 후, 유리에 밀봉 유리와 유리 기판을, 광경화성 에폭시 수지를 이용하여 접합시킴으로써 밀봉을 행하여, 다층 구조의 유기 발광 소자를 제작했다. 이후의 조작은 대기중, 실온(25℃)에서 행했다.
실시예 12.
상기 실시예 11에서 정공 주입층을 코팅 조성물 1 대신 코팅 조성물 2를 사용한 것을 제외하고, 실시예 11과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제조하였다.
실시예 13.
상기 실시예 11에서 정공 주입층을 코팅 조성물 1 대신 코팅 조성물 6을 사용한 것을 제외하고, 실시예 11과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제조하였다.
비교예 11.
상기 실시예 11에서 정공 주입층을 코팅 조성물 1 대신 코팅 조성물 11을 사용한 것을 제외하고, 실시예 11과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제조하였다.
비교예 12.
상기 실시예 11에서 정공 주입층을 코팅 조성물 1 대신 코팅 조성물 16을 사용한 것을 제외하고, 실시예 11과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제조하였다.
비교예 13.
상기 실시예 1에서 정공 주입층을 코팅 조성물 1 대신 코팅 조성물 20을 사용한 것을 제외하고, 실시예 11과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제조하였다.
실시예 14.
ITO (indium tin oxide)가 1500Å의 두께로 박막 증착된 유리 기판을 세제를 녹인 증류수에 넣고 초음파로 세척하였다. ITO를 30분간 세척한 후, 증류수로 2회 반복하여 초음파 세척을 10분간 진행하였다. 증류수 세척이 끝난 후, 아이소프로필알콜, 아세톤의 용제로 초음파 세척을 각각 30분씩 하고 건조시킨 후, 상기 기판을 글러브박스로 수송시켰다.
이렇게 준비된 상기 표에서 기재된 코팅 조성물 5를 스핀 코팅하여 300Å 두께로 코팅하고 질소(N2) 분위기 하에 230℃에서 30분 동안 코팅 조성물을 경화시켜 정공 주입층을 형성하였다. 이후, 상기 표에서 기재된 코팅 조성물 1을 스핀 코팅하여 500Å 두께로 코팅하고 질소(N2) 분위기 하에 220℃에서 30분 동안 코팅 조성물을 경화시켜 정공 수송층을 형성하였다.
이어서, 상기 정공 수송층 위에 화합물 2와 화합물 3을 8%의 농도로 300Å의 두께로 진공 증착하여 발광층을 형성하였다. 상기 발광층 위에 상기 화합물 4를 200Å의 두께로 진공 증착하여 전자 주입 및 수송층을 형성하였다. 상기 전자 주입 및 수송층 위에 순차적으로 12Å의 두께로 LiF와 2000Å의 두께로 알루미늄을 증착하여 캐소드를 형성하였다.
상기의 과정에서 유기물의 증착 속도는 0.4Å/sec 내지 0.7Å/sec 를 유지하였고, 캐소드의 LiF는 0.3Å/sec, 알루미늄은 2Å/sec의 증착 속도를 유지하였으며, 증착시 진공도는 2x10- 7torr 내지 5x10- 8torr를 유지하였다.
그 후, 유리에 밀봉 유리와 유리 기판을, 광경화성 에폭시 수지를 이용하여 접합시킴으로써 밀봉을 행하여, 다층 구조의 유기 EL 소자를 제작했다. 이후의 조작은 대기중, 실온(25℃)에서 행했다.
실시예 15.
상기 실시예 14에서 정공 주입층을 코팅 조성물 5 대신 코팅 조성물 9를 사용한 것과 정공 수송층을 코팅 조성물 1 대신 코팅 조성물 2를 사용한 것을 제외하고, 실시예 14와 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제조하였다.
실시예 구동 전압
(V)		 전류 효율
(cd/A) 		전력 효율
(1m/W)		 Life time
(95%, h)
실시예 1 11.2 0.85 0.77 0.6
실시예 2 10.9 1.00 0.79 0.6
실시예 3 5.6 2.36 1.37 88
실시예 4 6.9 1.85 0.92 23
실시예 5 5.5 2.55 1.33 84
실시예 6 7.0 1.85 0.90 21
실시예 7 5.4 3.66 1.98 180
실시예 8 6.9 1.71 1.00 32
실시예 9 5.2 3.82 2.05 175
실시예 10 6.9 1.69 0.88 32
실시예 11 5.7 3.34 1.74 55
실시예 12 5.8 3.33 1.82 60
실시예 13 5.1 3.90 2.30 201
실시예 14 5.7 3.45 1.75 140
실시예 15 5.7 3.40 1.72 141
비교예 1 12.3 0.78 0.44 0.5
비교예 2 12.6 0.64 0.51 0.5
비교예 3 6.3 2.36 1.13 60.
비교예 4 7.5 1.84 0.89 20
비교예 5 6.0 2.18 1.12 61
비교예 6 7.6 1.88 0.95 21
비교예 7 5.8 2.22 1.11 83
비교예 8 7.7 1.62 1.01 19
비교예 9 5.8 2.20 1.23 83
비교예 10 7.8 1.69 1.21 17
비교예 11 5.8 3.22 1.67 60
비교예 12 5.1 3.85 2.10 190
비교예 13 5.2 3.80 2.17 200
상기 표 2의 결과로, 본 명세서의 일 실시상태에 따른 카바졸 유도체는 유기 용매에 대한 용해도가 우수하며, 코팅 조성물의 제조가 용이하여, 상기 코팅 조성물을 이용하여 균일한 코팅층을 형성할 수 있다.
또한 형성된 코팅층을 경화시킬 경우, 경화기의 첨가로 인하여 전하 수송체의 경화가 쉽게 이루어지며, 용매가 씻겨 나가지 않는 층을 형성할 수 있어, 용액 공정을 이용하여 추가의 층을 적층할 수 있으며, 유기 발광 소자의 재료로 사용할 수 있음을 확인하였다.
101: 기판
201: 애노드
301: 정공주입층
401: 정공수송층
501: 발광층
601: 전자수송층
701: 캐소드

Claims (12)

  1. 하기 화학식 5로 표시되는 카바졸 유도체:
    [화학식 5]
    Figure 112021030203274-pat00049

    상기 화학식 5에 있어서,
    Y1 및 Y3는 열경화성기 또는 광경화성기이고,
    Y2 및 Y4는 치환 또는 비치환된 아릴기; 열경화성기; 또는 광경화성기이며,
    R2는 치환 또는 비치환된 아민기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로고리기이며,
    a는 1이고,
    d는 0 내지 5의 정수이고,
    d가 2 이상인 경우, 2 이상의 Y1은 서로 같거나 상이하며,
    e는 0 내지 5의 정수이고,
    e가 2 이상일 경우, 2 이상의 Y3은 서로 같거나 상이하며,
    상기 열경화성기 또는 광경화성기는
    Figure 112021030203274-pat00050
    또는
    Figure 112021030203274-pat00051
    이고,
    상기 치환 또는 비치환은 아민기; 아릴기; 열경화성기; 또는 광경화성기로 이루어진 군에서 선택되는 1개 이상의 치환기 또는 2 이상의 치환기가 연결된 치환기로 치환 또는 비치환된 것이며,
    상기 화학식 5로 표시되는 카바졸 유도체는 상기 열경화성기 또는 광경화성기를 2개 이상 포함한다.
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 삭제
  5. 삭제
  6. 삭제
  7. 청구항 1에 있어서,
    상기 카바졸 유도체는 하기 구조식들 중 어느 하나로 표시되는 것인 카바졸 유도체:
    Figure 112021030203274-pat00053
  8. 청구항 1 또는 7에 따른 카바졸 유도체를 포함하는 코팅 조성물.
  9. 청구항 8에 있어서,
    상기 코팅 조성물은 p 도핑 물질을 더 포함하는 것인 코팅 조성물.
  10. 캐소드;
    애노드; 및
    상기 캐소드와 애노드 사이에 구비되는 1층 이상의 유기물층을 포함하고,
    상기 유기물층 중 1층 이상은 청구항 8의 코팅 조성물의 경화물을 포함하며,
    상기 코팅 조성물의 경화물은 상기 코팅 조성물을 열처리 또는 광처리에 의하여 경화한 상태인 것인 유기 발광 소자.
  11. 청구항 10에 있어서,
    상기 코팅 조성물의 경화물을 포함하는 유기물층은 정공 주입층, 정공 수송층 또는 정공주입과 정공수송을 동시에 하는 층을 포함하는 것인 유기 발광 소자.
  12. 청구항 10에 있어서,
    상기 코팅 조성물의 경화물을 포함하는 유기물층은 발광층을 포함하는 것인 유기 발광 소자.
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