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KR102234905B1 - Rf switch having high speed on-time characteristics for wireless - Google Patents

Rf switch having high speed on-time characteristics for wireless Download PDF

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KR102234905B1
KR102234905B1 KR1020200013363A KR20200013363A KR102234905B1 KR 102234905 B1 KR102234905 B1 KR 102234905B1 KR 1020200013363 A KR1020200013363 A KR 1020200013363A KR 20200013363 A KR20200013363 A KR 20200013363A KR 102234905 B1 KR102234905 B1 KR 102234905B1
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switch
gate
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resonator
input terminal
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전희석
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목포대학교산학협력단
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Abstract

본 발명은 무선용 고속 온타임 특성을 갖는 RF 스위치에 관한 것으로, 게이트 전압 입력단 측에 종래 고저항 대신 LC 공진기를 달아 특정 주파수(예컨대, RF 신호의 기본 주파수 f0)에서 무한대의 입력 임피던스를 가지게 하여, 우수한 ac-block 특성을 유지함은 물론 고속의 스위치 온타임 특성을 확보할 수 있는 효과가 있다.The present invention relates to an RF switch having a high-speed on-time characteristic for wireless, and an LC resonator is attached to the gate voltage input terminal instead of the conventional high resistance to have an infinite input impedance at a specific frequency (e.g., the fundamental frequency f 0 of the RF signal). Thus, there is an effect of maintaining excellent ac-block characteristics as well as securing high-speed switch-on-time characteristics.

Description

무선용 고속 온타임 특성을 갖는 ＲＦ 스위치{RF SWITCH HAVING HIGH SPEED ON-TIME CHARACTERISTICS FOR WIRELESS}RF switch with high speed on-time characteristics for wireless {RF SWITCH HAVING HIGH SPEED ON-TIME CHARACTERISTICS FOR WIRELESS}

본 발명은 안테나 스위치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 무선용 고속 온타임 특성을 갖는 RF 스위치에 관한 것이다.The present invention relates to an antenna switch, and more particularly, to an RF switch having a high-speed on-time characteristic for wireless.

최근 무선 데이터의 사용량이 폭증하고, 5G 혹은 MIMO(Multiple Input and Multiple Output) 무선통신에 대한 서비스가 가속화되면서, 사용자 측면에서 고효율 RF 송신기에 대한 요구도 증대되고 있다. 특히, 무선통신에 가장 많은 영향을 미치는 RF 스위치의 성능 향상이 사회적 관심으로 대두되고 있다.Recently, as the use of wireless data has increased exponentially and services for 5G or MIMO (Multiple Input and Multiple Output) wireless communication are accelerating, the demand for high-efficiency RF transmitters is also increasing from the user's point of view. In particular, the improvement of the performance of the RF switch, which has the most influence on wireless communication, is emerging as a social concern.

RF 안테나 스위치의 성능 향상을 위해, 현재 bulk CMOS 혹은 SOI공정을 이용하여 설계 및 제작되고 있고, insertion loss(삽입손실)과 isolation(격리도) 그리고 turn-on time(스위치 온타임) 및 ACBV(AC breakdown voltage) 특성이 주요 성능개선 파라미터로 여겨진다. 한국 등록특허 제10-1766507호에는 고격리 스위치(high isolation switch)에 관한 기술이 개시되어 있다. To improve the performance of the RF antenna switch, it is currently being designed and manufactured using bulk CMOS or SOI process, and insertion loss and isolation, turn-on time, and ACBV (AC breakdown voltage) is considered the main performance improvement parameter. Korean Patent Registration No. 10-1766507 discloses a technology related to a high isolation switch.

그런데, 최근 휴대폰의 동작속도가 빨라지고 다양한 통신방식이 적용되면서 특정 밴드(band)로 빠르게 안테나 스위치가 동작하여 통신연결을 할 필요성이 대두되면서, 고속 온타임 특성이 무엇보다 요구되고 있다.However, as the operation speed of the mobile phone has recently increased and various communication methods are applied, the need for communication connection by rapidly operating an antenna switch in a specific band has emerged, and high-speed on-time characteristics are required above all else.

종래 RF 스위치 회로도는, 도 1과 같이, 기본적으로 신호 전달 지로(series branch, 100)와 차단 지로(shunt branch, 200)로 유닛 셀(unit cell)을 이루고, series branch(100)와 shunt branch(200)는 각각 트랜지스터(10)에 게이트 저항(Rg, 20)과 바디 저항(Rb, 30)의 다중적층(multi-stacking) 기술로 형성된다. 도 1에서 좌측 단자(1)를 입력단으로, 우측 단자(2)를 출력단으로 표시되었으나, 반대로 사용될 수도 있다.Conventional RF switch circuit diagram, as shown in FIG. 1, basically constitutes a unit cell with a signal transmission branch (series branch, 100) and a blocking branch (shunt branch, 200), and a series branch (100) and a shunt branch ( 200 is formed on the transistor 10 by a multi-stacking technique of gate resistors Rg and 20 and body resistors Rb and 30, respectively. In FIG. 1, the left terminal 1 is indicated as an input terminal and the right terminal 2 is indicated as an output terminal, but the reverse may be used.

종래 RF 스위치는, 도 1과 같이, RF 신호가 입력단(1)에 입력시 트랜지스터(10)가 갖는 기생 커패시턴스(소스와 게이트 사이 커패시턴스)가 고주파수에서 낮은 임피던스를 만들게 되고, 그 결과 입력 신호 성분이 트랜지스터(10)의 게이트로 빠지는 문제점(즉, 스위치 이득이 감소되는 문제점)을 해소하고자 series branch(100)에 별도의 제 2 게이트 저항(Rgt, 40)을 달아주게 된다. 이때, 제 2 게이트 저항(Rgt, 40)은 Rg, Rb와 같은 수십 ㏀의 고저항이다.In the conventional RF switch, as shown in FIG. 1, when the RF signal is input to the input terminal 1, the parasitic capacitance (the capacitance between the source and the gate) of the transistor 10 creates a low impedance at a high frequency, and as a result, the input signal component is A separate second gate resistor Rgt, 40 is attached to the series branch 100 in order to solve the problem of falling into the gate of the transistor 10 (ie, a problem in which the switch gain is reduced). At this time, the second gate resistance Rgt, 40 is a high resistance of several tens of kΩ, such as Rg and Rb.

제 2 게이트 저항(Rgt, 40)으로 트랜지스터(10)의 입력 임피던스를 높여 보다 우수한 ac-block 특성을 확보함으로써, 스위치 이득은 확보되지만, 트랜지스터의 게이트 저항이 너무 증가하게 되어 채널에 게이트 전압의 인가시간이 증가하게 되는 단점, 즉 트랜지스터의 turn-on time(스위치 온타임)이 증가되는 문제점이 있다. By increasing the input impedance of the transistor 10 with the second gate resistance (Rgt, 40) and securing more excellent ac-block characteristics, the switch gain is secured, but the gate resistance of the transistor increases too much and the gate voltage is applied to the channel. There is a disadvantage of increasing the time, that is, increasing the turn-on time (switch on time) of the transistor.

본 발명은 상기 종래기술의 문제점을 해소하기 위해 제안된 것으로, 종래 RF 스위치 회로에서 제 2 게이트 저항(Rgt)을 제거하고 대신 LC 공진기를 달아 특정 주파수(예컨대, RF 신호의 기본 주파수 f0)에서 무한대의 임피던스를 가지게 하여, 우수한 ac-block 특성을 유지함은 물론 고속의 스위치 온타임 특성을 확보할 수 있는 RF 스위치를 제공하고자 한다.The present invention has been proposed to solve the problems of the prior art. In the conventional RF switch circuit, a second gate resistance (Rgt) is removed, and an LC resonator is attached instead, at a specific frequency (e.g., the fundamental frequency f 0 of the RF signal). It is intended to provide an RF switch capable of securing high-speed switch-on-time characteristics as well as maintaining excellent ac-block characteristics by having infinite impedance.

상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명에 의한 RF 스위치는 게이트 저항과 바디 저항을 갖는 복수개의 트랜지스터가 직렬로 연결된 신호 전달 지로(series branch)와 차단 지로(shunt branch)가 연결되어 유닛 셀을 구성하되, 상기 신호 전달 지로는 상기 복수개의 트랜지스터의 각 게이트 저항의 끝단과 게이트 전압 입력단 사이에 LC 공진기가 구비된 것을 특징으로 한다.In order to achieve the above object, the RF switch according to the present invention constitutes a unit cell by connecting a signal transmission branch and a shunt branch in which a plurality of transistors having a gate resistance and a body resistance are connected in series. The signal transmission branch is characterized in that an LC resonator is provided between an end of each of the gate resistors of the plurality of transistors and a gate voltage input terminal.

상기 LC 공진기는 상기 복수개의 트랜지스터의 각 게이트 저항의 끝단과 상기 게이트 전압 입력단 사이에 인덕터(L)와 커패시턴스(C)가 병렬로 연결된 것을 본 발명에 의한 RF 스위치의 다른 특징으로 한다.The LC resonator is another feature of the RF switch according to the present invention in that an inductor (L) and a capacitance (C) are connected in parallel between an end of each of the gate resistors of the plurality of transistors and the gate voltage input terminal.

상기 인덕터(L)와 상기 커패시턴스(C)는 상기 유닛 셀의 특정 주파수에서 상기 복수개의 트랜지스터의 각 입력 임피던스가 무한대가 되도록 선택된 것을 본 발명에 의한 RF 스위치의 다른 특징으로 한다.Another feature of the RF switch according to the present invention is that the inductor (L) and the capacitance (C) are selected so that the input impedances of the plurality of transistors are infinite at a specific frequency of the unit cell.

상기 LC 공진기는 상기 복수개의 트랜지스터의 각 게이트 저항과 같은 크기의 제 2 게이트 저항이 상기 복수개의 트랜지스터의 각 게이트 저항의 끝단과 상기 게이트 전압 입력단 사이에 구비된 경우보다 상기 유닛 셀의 특정 주파수에서 삽입손실을 향상시키고, 제 3 고조파 이상의 잡음을 줄이며, 스위치 온타임을 50% 이상 빠르게 향상되도록 하나 이상의 인덕터(L)와 하나 이상의 커패시턴스(C)를 포함하여 구비된 것을 본 발명에 의한 RF 스위치의 다른 특징으로 한다.The LC resonator is inserted at a specific frequency of the unit cell than when a second gate resistance having the same size as each gate resistance of the plurality of transistors is provided between an end of each gate resistance of the plurality of transistors and the gate voltage input terminal. The RF switch according to the present invention includes at least one inductor (L) and at least one capacitance (C) so as to improve loss, reduce noise above the third harmonic, and quickly improve the switch on time by 50% or more. It is characterized.

본 발명은 종래의 제 2 게이트 저항(Rgt) 대신 LC 공진기를 달아 특정 주파수(예컨대, RF 신호의 기본 주파수 f0)에서 무한대의 입력 임피던스를 가지게 하여, 우수한 ac-block 특성을 유지함은 물론 고속의 스위치 온타임 특성을 확보할 수 있는 효과가 있다.In the present invention, an LC resonator is installed instead of the conventional second gate resistor Rgt to have an infinite input impedance at a specific frequency (eg, the fundamental frequency f 0 of the RF signal), thereby maintaining excellent ac-block characteristics as well as high speed. There is an effect of securing the switch on-time characteristic.

도 1은 종래 RF 스위치의 유닛 셀을 이루는 회로도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 의한 RF 스위치의 유닛 셀을 이루는 회로도이다.
도 3은 도 1의 삽입손실(a)과 고조파 특성(b)을 보여주는 시뮬레이션 결과도이다.
도 4는 도 2의 삽입손실(a)과 고조파 특성(b)을 보여주는 시뮬레이션 결과도이다.
도 5는 도 1의 스위치 온타임(a)과 도 2의 스위치 온타임(b) 특성 대비도이다.1 is a circuit diagram of a unit cell of a conventional RF switch.
2 is a circuit diagram of a unit cell of an RF switch according to an embodiment of the present invention.
3 is a simulation result diagram showing insertion loss (a) and harmonic characteristics (b) of FIG. 1.
4 is a simulation result diagram showing insertion loss (a) and harmonic characteristics (b) of FIG. 2.
FIG. 5 is a comparison diagram of the characteristics of the switch on time (a) of FIG. 1 and the switch on time (b) of FIG. 2.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 설명한다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.

본 발명의 일 실시예에 의한 RF 스위치는, 도 2와 같이, 게이트 저항(Rg, 20)과 바디 저항(Rb, 30)을 갖는 복수개의 트랜지스터(10)가 직렬로 연결된 신호 전달 지로(series branch, 100)와 차단 지로(shunt branch, 200)가 연결되어 유닛 셀을 구성하되, 상기 신호 전달 지로(100)는 상기 복수개의 트랜지스터(10)의 각 게이트 저항(20)의 끝단(3)과 게이트 전압 입력단(4) 사이에 LC 공진기(50)가 구비된 것을 특징으로 한다.In the RF switch according to an embodiment of the present invention, as shown in FIG. 2, a plurality of transistors 10 having gate resistances Rg and 20 and body resistances Rb and 30 are connected in series. , 100 and a shunt branch 200 are connected to form a unit cell, wherein the signal transmission branch 100 comprises an end 3 and a gate of each of the gate resistors 20 of the plurality of transistors 10. It is characterized in that the LC resonator 50 is provided between the voltage input terminals 4.

여기서, 상기 LC 공진기(50)는 상기 복수개의 트랜지스터(10)의 각 게이트 저항의 끝단(3)과 상기 게이트 전압 입력단(4) 사이에 인덕터(L)와 커패시턴스(C)가 병렬로 연결된 것이 바람직하나, 이에 한하지 않고 특정 주파수(예컨대, RF 신호의 기본 주파수 f0)에서 무한대의 임피던스를 가지게 하는 구성으로 하나 이상의 인덕터(L)와 하나 이상의 커패시턴스(C)를 포함하여 병렬 또는 직병렬(직렬과 병렬이 혼합된 것)로 연결될 수 있다.Here, it is preferable that the LC resonator 50 has an inductor L and a capacitance C connected in parallel between an end 3 of each gate resistor of the plurality of transistors 10 and the gate voltage input 4 However, without being limited thereto, it is a configuration that has infinite impedance at a specific frequency (e.g., the fundamental frequency f 0 of an RF signal), including one or more inductors (L) and one or more capacitances (C), in parallel or series (series And parallel) can be connected.

상기 LC 공진기(50)가 인덕터(L)와 커패시턴스(C)가 병렬로 연결된 LC 병렬 공진회로로 구성될 때, 상기 인덕터(L)와 상기 커패시턴스(C)는 아래 수학식 1에 따라 입력단(1)에 들어오는 RF 신호의 기본 주파수(f0)를 고려하여 결정되도록 한다.When the LC resonator 50 is composed of an LC parallel resonant circuit in which an inductor L and a capacitance C are connected in parallel, the inductor L and the capacitance C are input terminal 1 according to Equation 1 below. ) To be determined in consideration of the fundamental frequency (f 0) of the incoming RF signal.

Figure 112020011821953-pat00001
Figure 112020011821953-pat00001

상기와 같이, LC 공진기(50)가 구성될 때, 신호 전달 지로(100)를 구성하는 각 트랜지스터(10)의 입력 임피던스가 입력단(1)에 들어오는 RF 신호의 기본 주파수(f0)에 대하여 무한대의 크기를 가지게 되어, 종래 별도의 제 2 게이트 저항(Rgt, 40)을 단 효과 즉 우수한 ac-block 특성을 유지함은 물론 종래보다 고속의 스위치 온타임 특성을 확보할 수 있게 된다.As described above, when the LC resonator 50 is configured, the input impedance of each transistor 10 constituting the signal transmission branch 100 is infinite with respect to the fundamental frequency f 0 of the RF signal entering the input terminal 1. Since it has a size of, it is possible to maintain a high-speed switch-on-time characteristic than the prior art as well as to maintain an effect of providing a separate second gate resistor (Rgt, 40), that is, excellent ac-block characteristics.

본 발명에 의한 상기 고속의 스위치 온타임 특성은 게이트 저항(20)의 끝단(3)과 게이트 전압 입력단(4) 사이에 종래 고저항 대신 직류에 단락(short)시키는 회로소자에 기인하므로, 상기 LC 공진기(50)는 게이트 저항(20)의 끝단(3)과 게이트 전압 입력단(4) 사이를 하나 이상의 인덕터(L)로 바로 연결되도록 구성하여, 게이트 전압(Vg)이 빠르게 각 트랜지스터(10)의 채널에 전달되도록 함이 바람직하다.The high-speed switch-on-time characteristic according to the present invention is due to a circuit element shorting to DC instead of a conventional high resistance between the end 3 of the gate resistor 20 and the gate voltage input 4, so that the LC The resonator 50 is configured to be directly connected between the end 3 of the gate resistor 20 and the gate voltage input terminal 4 with one or more inductors L, so that the gate voltage Vg is rapidly increased. It is desirable to be delivered to the channel.

한편, 상기 LC 공진기(50)는 게이트 저항(20)의 끝단(3)과 게이트 전압 입력단(4) 사이에 인덕터(L)와 병렬로 하나 이상의 커패시턴스(C)를 구비하여, 입력단(1)에 들어오는 RF 신호의 기본 주파수(f0)에 대하여 공진이 일어나도록 함으로써, RF 입력신호가 각 트랜지스터(10)의 게이트로 빠지지 않고, 드레인 쪽으로 전달되도록 하여, 삽입손실을 최소화할 수 있게 된다.Meanwhile, the LC resonator 50 has at least one capacitance C in parallel with the inductor L between the end 3 of the gate resistor 20 and the gate voltage input 4, and By allowing resonance to occur with respect to the fundamental frequency (f 0 ) of the incoming RF signal, the RF input signal does not pass through the gate of each transistor 10 but is transmitted to the drain, thereby minimizing insertion loss.

상기 인덕터(L)와 상기 커패시턴스(C)는 유닛 셀마다 특정 주파수에서 복수개의 트랜지스터(10)의 각 입력 임피던스가 무한대가 되도록 구비됨이 바람직하다. 이렇게 함으로써, 본 발명에 의한 복수의 유닛 셀로 구성되는 RF 스위치는, 유닛 셀마다 특정 주파수로 삽입손실을 최소화하며, 고속의 온타임으로 스위칭이 일어나 이동 중에도 통신이 끊기지 않게 된다.It is preferable that the inductor L and the capacitance C are provided so that the input impedances of the plurality of transistors 10 are infinite at a specific frequency for each unit cell. In this way, the RF switch composed of a plurality of unit cells according to the present invention minimizes insertion loss at a specific frequency for each unit cell, and switching occurs at a high speed on-time so that communication is not interrupted even while moving.

상기 차단 지로(200)는, 도 2와 같이, 상기 신호 전달 지로(100)와 동일한 구조를 가질 수 있고, 출력단(2)과 접지 사이에 연결된다. The blocking branch 200 may have the same structure as the signal transmission branch 100 as shown in FIG. 2 and is connected between the output terminal 2 and the ground.

상기 신호 전달 지로(100)와 상기 차단 지로(200)의 동작은 반대로 하게 된다. 신호 전달시에는, 도 2에 예시한 바와 같이, 신호 전달 지로(100)의 게이트 전압 입력단(4)에는 각 트랜지스터(10)를 턴온시킬 수 있는 양의 전압(예컨대, +2.5V)을, 차단 지로(200)의 게이트 전압 입력단(5)과 바디 전압 입력단(6)에는 각 트랜지스터를 턴오프시킬 수 있는 음의 전압(예컨대, -2.5V)을 각각 인가한다. 신호 전달 차단시에는 위와 반대로 전압을 인가하여, 신호 전달 지로(100)의 각 트랜지스터는 턴오프시키고, 차단 지로(200)의 각 트랜지스터는 턴온시킨다.The operation of the signal transmission branch 100 and the blocking branch 200 is reversed. During signal transmission, as illustrated in FIG. 2, a positive voltage (eg, +2.5V) capable of turning on each transistor 10 is cut off at the gate voltage input terminal 4 of the signal transmission branch 100. A negative voltage (eg, -2.5V) capable of turning off each transistor is applied to the gate voltage input terminal 5 and the body voltage input terminal 6 of the branch 200. When the signal transmission is blocked, a voltage is applied opposite to the above, so that each transistor of the signal transmission branch 100 is turned off, and each transistor of the blocking branch 200 is turned on.

도 3은 도 1과 같이 종래 제 2 게이트 저항(Rgt, 40)을 달았을 때의 삽입손실(a)과 고조파 특성(b)을 보여주는 시뮬레이션 결과도이고, 도 4는 본 발명의 일 실시예인 도 2의 삽입손실(a)과 고조파 특성(b)을 보여주는 시뮬레이션 결과도이다.3 is a simulation result diagram showing insertion loss (a) and harmonic characteristics (b) when a conventional second gate resistance (Rgt, 40) is attached as shown in FIG. 1, and FIG. 4 is a diagram showing an embodiment of the present invention. It is a simulation result diagram showing insertion loss (a) and harmonic characteristics (b) of 2.

도 3과 도 4를 대비하여 보면, LC 공진기(50)의 공진 주파수에 해당하는 2.000GHz 신호가 입력시에는 삽입손실이 도 4(a)에서 줄고(m1 참조), 다른 주파수를 갖는 신호에 대해서는 서로 비슷함을 알 수 있다. 고조파 특성 또한 전체적으로 비슷하나, 신호 전달에 잡음으로 되는 제2고조파와 제3고조파가 도 3(b)보다 도 4(b)에서 약간씩 줄어든 것을 확인할 수 있다(m2, m3 참조).3 and 4, when a 2.000 GHz signal corresponding to the resonance frequency of the LC resonator 50 is input, the insertion loss is reduced in FIG. 4(a) (see m1), and for signals having different frequencies, You can see that they are similar to each other. The harmonic characteristics are also similar overall, but it can be seen that the second harmonic and the third harmonic, which are noises in signal transmission, are slightly reduced in FIG. 4(b) than in FIG. 3(b) (see m2 and m3).

도 5는 도 1의 스위치 온타임(a)과 도 2의 스위치 온타임(b) 특성 대비도로, 각각 신호 전달 지로(100)의 게이트 전압 입력단(4)에 +1.2V, 차단 지로(200)의 게이트 전압 입력단(5)과 바디 전압 입력단(6)에 -1.2V를 인가하여 신호 전달시 출력단(2)의 출력 신호를 시뮬레이션한 것이다.5 is a comparison diagram of the characteristics of the switch on time (a) of FIG. 1 and the switch on time (b) of FIG. 2, respectively, +1.2 V to the gate voltage input terminal 4 of the signal transmission branch 100, and the blocking branch 200 The output signal of the output terminal 2 is simulated when a signal is transmitted by applying -1.2V to the gate voltage input terminal 5 and the body voltage input terminal 6 of.

도 5로부터 본 발명의 일 실시예인 도 2의 스위치 온타임(b) 특성이 종래 도 1의 스위치 온타임(a) 특성보다 50% 이상 빠르게 향상되었음을 확인할 수 있다.From FIG. 5, it can be seen that the switch on time (b) characteristic of FIG. 2, which is an embodiment of the present invention, is improved by 50% or more faster than the switch on time (a) characteristic of FIG. 1 in the related art.

본 발명은 하나 이상의 인덕터(L)와 하나 이상의 커패시턴스(C)를 포함하여 구비된 LC 공진기(50)로 대치함으로써, 특히 종래 각 게이트 저항과 같은 크기의 제 2 게이트 저항(40)이 게이트 저항의 끝단(3)과 게이트 전압 입력단(4) 사이에 구비된 경우보다 유닛 셀마다 특정 주파수에서 삽입손실을 향상시키고, 특히 잡음에 크게 기여하는 제 3 고조파 이상의 잡음을 줄이며, 스위치 온타임을 50% 이상 빠르게 향상되도록 하는 RF 스위치를 구현할 수 있게 유닛 셀마다 LC 공진기(50)를 구비할 수 있다.In the present invention, by replacing the LC resonator 50 provided with at least one inductor L and at least one capacitance C, in particular, the second gate resistor 40 having the same size as each of the conventional gate resistors is It improves insertion loss at a specific frequency for each unit cell compared to the case provided between the end (3) and the gate voltage input (4), reduces noise above the third harmonic, which contributes significantly to noise, and reduces the switch on time by 50% or more. An LC resonator 50 may be provided for each unit cell so that an RF switch that can be rapidly improved can be implemented.

10: 트랜지스터 20: 게이트 저항
30: 바디 저항 40: 제 2 게이트 저항
50: LC 공진기 100: 신호 전달 지로
200: 차단 지로 10: transistor 20: gate resistance
30: body resistance 40: second gate resistance
50: LC resonator 100: signal transmission branch
200: blocking branch

Claims (4)

게이트 저항과 바디 저항을 갖는 복수개의 트랜지스터가 직렬로 연결된 신호 전달 지로(series branch)와 차단 지로(shunt branch)가 연결되어 유닛 셀을 구성하는 RF 스위치에 있어서,
상기 신호 전달 지로는 상기 복수개의 트랜지스터의 각 게이트 저항의 끝단과 게이트 전압 입력단 사이에 LC 공진기가 구비된 것을 특징으로 하는 RF 스위치.
In the RF switch constituting a unit cell by connecting a signal transmission branch and a shunt branch in which a plurality of transistors having a gate resistance and a body resistance are connected in series,
The signal transmission branch is an RF switch, characterized in that the LC resonator is provided between the end of each of the gate resistance and the gate voltage input terminal of the plurality of transistors.
 제 1 항에 있어서,
상기 LC 공진기는 상기 복수개의 트랜지스터의 각 게이트 저항의 끝단과 상기 게이트 전압 입력단 사이에 인덕터(L)와 커패시턴스(C)가 병렬로 연결된 것을 특징으로 하는 RF 스위치.
The method of claim 1,
The LC resonator is an RF switch, wherein an inductor (L) and a capacitance (C) are connected in parallel between an end of each of the gate resistors of the plurality of transistors and the gate voltage input terminal.
 제 2 항에 있어서,
상기 인덕터(L)와 상기 커패시턴스(C)는 상기 유닛 셀의 특정 주파수에서 상기 복수개의 트랜지스터의 각 입력 임피던스가 무한대가 되도록 선택된 것을 특징으로 하는 RF 스위치.
The method of claim 2,
The inductor (L) and the capacitance (C) are selected such that the input impedances of the plurality of transistors are infinite at a specific frequency of the unit cell.
 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 LC 공진기는 상기 복수개의 트랜지스터의 각 게이트 저항과 같은 크기의 제 2 게이트 저항이 상기 복수개의 트랜지스터의 각 게이트 저항의 끝단과 상기 게이트 전압 입력단 사이에 구비된 경우보다 상기 유닛 셀의 특정 주파수에서 삽입손실을 향상시키고, 제 3 고조파 이상의 잡음을 줄이며, 스위치 온타임을 50% 이상 빠르게 향상되도록 하나 이상의 인덕터(L)와 하나 이상의 커패시턴스(C)를 포함하여 구비된 것을 특징으로 하는 RF 스위치.The method according to any one of claims 1 to 3,
The LC resonator is inserted at a specific frequency of the unit cell than when a second gate resistance having the same size as each gate resistance of the plurality of transistors is provided between the ends of each gate resistance of the plurality of transistors and the gate voltage input terminal. An RF switch comprising at least one inductor (L) and at least one capacitance (C) so as to improve loss, reduce noise above the third harmonic, and quickly improve the switch on time by 50% or more.
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