[go: up one dir, main page]

KR102223504B1 - Quantum dot-resin nanocomposite and method of preparing same - Google Patents

Quantum dot-resin nanocomposite and method of preparing same Download PDF

Info

Publication number
KR102223504B1
KR102223504B1 KR1020130114044A KR20130114044A KR102223504B1 KR 102223504 B1 KR102223504 B1 KR 102223504B1 KR 1020130114044 A KR1020130114044 A KR 1020130114044A KR 20130114044 A KR20130114044 A KR 20130114044A KR 102223504 B1 KR102223504 B1 KR 102223504B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
resin
quantum dot
nanocomposite
amine
acid
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
KR1020130114044A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20150034013A (en
Inventor
고행덕
강현아
장은주
원나연
Original Assignee
삼성전자주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전자주식회사 filed Critical 삼성전자주식회사
Priority to KR1020130114044A priority Critical patent/KR102223504B1/en
Priority to US14/308,506 priority patent/US9963632B2/en
Publication of KR20150034013A publication Critical patent/KR20150034013A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR102223504B1 publication Critical patent/KR102223504B1/en
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08KUse of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K3/00Use of inorganic substances as compounding ingredients
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/02Use of particular materials as binders, particle coatings or suspension media therefor
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/70Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing phosphorus
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82NANOTECHNOLOGY
    • B82YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y20/00Nanooptics, e.g. quantum optics or photonic crystals
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82NANOTECHNOLOGY
    • B82YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y40/00Manufacture or treatment of nanostructures
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10STECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S977/00Nanotechnology
    • Y10S977/70Nanostructure
    • Y10S977/773Nanoparticle, i.e. structure having three dimensions of 100 nm or less
    • Y10S977/774Exhibiting three-dimensional carrier confinement, e.g. quantum dots
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10STECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S977/00Nanotechnology
    • Y10S977/70Nanostructure
    • Y10S977/827Nanostructure formed from hybrid organic/inorganic semiconductor compositions
    • Y10S977/83Inorganic core or cluster coated with organic or biological shell
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10STECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S977/00Nanotechnology
    • Y10S977/84Manufacture, treatment, or detection of nanostructure
    • Y10S977/895Manufacture, treatment, or detection of nanostructure having step or means utilizing chemical property
    • Y10S977/896Chemical synthesis, e.g. chemical bonding or breaking
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10STECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S977/00Nanotechnology
    • Y10S977/84Manufacture, treatment, or detection of nanostructure
    • Y10S977/90Manufacture, treatment, or detection of nanostructure having step or means utilizing mechanical or thermal property, e.g. pressure, heat
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10STECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S977/00Nanotechnology
    • Y10S977/902Specified use of nanostructure
    • Y10S977/932Specified use of nanostructure for electronic or optoelectronic application
    • Y10S977/952Display

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Luminescent Compositions (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)

Abstract

경화성 수지와 다수의 양자점이 나노입자 형태를 이루며 존재하는 양자점-수지 나노복합체, 상기 나노복합체의 제조 방법, 및 상기 나노복합체를 포함하는 성형품을 제공한다.It provides a quantum dot-resin nanocomposite, a method of manufacturing the nanocomposite, and a molded article including the nanocomposite, in which a curable resin and a plurality of quantum dots are present in the form of nanoparticles.

Description

양자점-수지 나노복합체 및 그 제조 방법 {QUANTUM DOT-RESIN NANOCOMPOSITE AND METHOD OF PREPARING SAME}Quantum dot-resin nanocomposite and its manufacturing method {QUANTUM DOT-RESIN NANOCOMPOSITE AND METHOD OF PREPARING SAME}

양자점과 수지의 나노복합체 및 그 제조 방법에 관한 것이다. It relates to a nanocomposite of a quantum dot and a resin and a method of manufacturing the same.

양자점(Quantum Dot (QD))은 반도체 나노결정 입자로 약 10 nm 이하의 크기를 갖고 있으며, 콜로이드 상태에서 합성하게 되면 자유롭게 크기를 조절할 수 있고 비교적 균일한 크기 분포를 갖는 입자를 합성할 수 있다. 또한, 10 nm 이하로 크기를 줄이게 되면, 크기가 작아질 수록 밴드갭(band gap)이 더욱 커지는 양자구속 (quantum confinement) 효과에 의해 에너지 밀도가 늘어나는 특성을 보인다. 따라서, 가시광에 해당하는 밴드갭을 가질 수 있고, direct band gap을 갖는 양자점의 경우 발광 효율을 더욱 향상시킬 수 있는 장점이 있다. Quantum Dot (QD) is a semiconductor nanocrystal particle having a size of about 10 nm or less, and when synthesized in a colloidal state, the size can be freely controlled and particles having a relatively uniform size distribution can be synthesized. In addition, when the size is reduced to 10 nm or less, the energy density increases due to the quantum confinement effect of increasing the band gap as the size decreases. Accordingly, it is possible to have a band gap corresponding to visible light, and in the case of a quantum dot having a direct band gap, there is an advantage of further improving luminous efficiency.

가시광선 영역에서 파장을 자유로이 조절할 수 있고 광 안정성이 뛰어난 양자점의 장점을 이용한 대표적인 응용 예로 발광 다이오드 (light-emitting diodes, LED)를 들 수 있고, 일반 조명 외에도 디스플레이 장치의 백라이트 유닛 등으로 다양하게 사용할 수 있어 산업적 요구가 크다. 현행 LED 소자들은 무기 반도체 물질을 혼합하여 사용하는데, 이는 백색 LED 를 만드는데 어려움이 있고, UV 또는 청색 LED 위에 down conversion 이 가능한 형광체를 입혀 백색을 구현하기도 하지만, 현재 주로 사용되고 있는 희토류 도핑된 산화물 (rare earth-doped oxide) 등은 발광 파장을 조절하기 어렵고 색 순도가 낮다. 따라서 이를 대체할 수 있는 QD의 개발이 필요하다.Light-emitting diodes (LEDs) are a typical application example that takes advantage of quantum dots that can freely adjust wavelengths in the visible light region and have excellent light stability.In addition to general lighting, they can be used in various ways such as backlight units of display devices. Industrial demand is great. Current LED devices use a mixture of inorganic semiconductor materials, which makes it difficult to make white LEDs, and implements white by coating a phosphor that can be down-converted on top of UV or blue LEDs. earth-doped oxide) is difficult to control the emission wavelength and has low color purity. Therefore, it is necessary to develop a QD that can replace this.

일 구현예에서는, 구조적, 열적 안정성이 증가된 양자점-수지 나노복합체를 제공하고자 한다.In one embodiment, it is intended to provide a quantum dot-resin nanocomposite having increased structural and thermal stability.

다른 구현예에서는, 양자점-수지 나노복합체의 제조 방법을 제공하고자 한다. In another embodiment, to provide a method of manufacturing a quantum dot-resin nanocomposite.

또다른 구현예에서는, 양자점-수지 나노복합체를 포함하는 열팽창계수(CTE)가 감소된 성형품을 제공하고자 한다.In another embodiment, it is intended to provide a molded article having a reduced coefficient of thermal expansion (CTE) including a quantum dot-resin nanocomposite.

일 구현예에서는, 경화성 수지와 다수의 양자점이 나노입자 형태를 이루며 존재하는 양자점-수지 나노복합체를 제공한다.In one embodiment, a curable resin and a plurality of quantum dots are present in the form of nanoparticles, and a quantum dot-resin nanocomposite is provided.

상기 나노복합체는, 나노입자 형태의 경화성 수지 내에 하나 이상의 양자점이 봉입(encapsulated)된 형태, 다수의 양자점이 나노입자 형태의 경화성 수지 표면을 코팅하는 형태, 또는 나노입자 형태인 경화성 수지에 다수의 양자점이 균일하게 분포된 형태를 가질 수 있다. The nanocomposite is a form in which one or more quantum dots are encapsulated in a nanoparticle-type curable resin, a plurality of quantum dots coat the surface of a nanoparticle-type curable resin, or a plurality of quantum dots on a nanoparticle-type curable resin This can have a uniformly distributed shape.

상기 양자점-수지 나노복합체의 입경은 약 20 nm 내지 약 5 ㎛ 범위일 수 있다. The particle diameter of the quantum dot-resin nanocomposite may range from about 20 nm to about 5 μm.

상기 경화성 수지는 열 경화성 수지 또는 광 경화성 수지일 수 있다.The curable resin may be a thermosetting resin or a photocurable resin.

상기 양자점은 유기물 치환체로 표면 코팅된 양자점일 수 있다.The quantum dot may be a quantum dot surface-coated with an organic substance substituent.

상기 양자점 표면에 코팅된 유기물 치환체는RCOOH, RNH2, R2NH, R3N, RSH, R3PO, R3P, ROH, RCOOR' (여기서, R, R'는 각각 독립적으로 C1~C24의 알킬기, 또는 C5-C24의 아릴기임), 또는 이들의 조합으로부터 유도되는 것일 수 있다. The organic substituents coated on the quantum dot surface are RCOOH, RNH 2 , R 2 NH, R 3 N, RSH, R 3 PO, R 3 P, ROH, RCOOR' (where R, R'are each independently C1-C24 It may be an alkyl group of, or a C5-C24 aryl group), or a combination thereof.

구체적으로, 상기 양자점 표면에 코팅된 유기물 치환체는 메탄 티올, 에탄 티올, 프로판 티올, 부탄 티올, 펜탄 티올, 헥산 티올, 옥탄 티올, 도데칸 티올, 헥사데칸 티올, 옥타데칸 티올, 벤질 티올; 메탄 아민, 에탄 아민, 프로판 아민, 부탄 아민, 펜탄 아민, 헥산 아민, 옥탄 아민, 도데칸 아민, 헥사데실 아민, 옥타데실 아민, 디메틸 아민, 디에틸 아민, 디프로필 아민; 메탄산, 에탄산, 프로판산, 부탄산, 펜탄산, 헥산산, 헵탄산, 옥탄산, 도데칸산, 헥사데칸산, 옥타데칸산, 올레인산, 벤조산; 메틸 포스핀, 에틸 포스핀, 프로필 포스핀, 부틸 포스핀, 펜틸 포스핀 등의 포스핀; 메틸 포스핀 옥사이드, 에틸 포스핀 옥사이드, 프로필 포스핀 옥사이드, 부틸 포스핀 옥사이드 등의 포스핀 화합물 또는 그의 옥사이드 화합물; 다이 페닐 포스핀, 트리 페닐 포스핀 화합물 또는 그의 옥사이드 화합물; 또는 포스폰산(phosphonic acid)으로부터 유도되는 물질일 수 있다.Specifically, the organic substance substituent coated on the surface of the quantum dot is methane thiol, ethane thiol, propane thiol, butane thiol, pentane thiol, hexane thiol, octane thiol, dodecane thiol, hexadecane thiol, octadecane thiol, benzyl thiol; Methane amine, ethane amine, propan amine, butan amine, pentane amine, hexane amine, octane amine, dodecyl amine, hexadecyl amine, octadecyl amine, dimethyl amine, diethyl amine, dipropyl amine; Methanic acid, ethanic acid, propanoic acid, butanoic acid, pentanoic acid, hexanoic acid, heptanoic acid, octanoic acid, dodecanoic acid, hexadecanoic acid, octadecanoic acid, oleic acid, benzoic acid; Phosphines such as methyl phosphine, ethyl phosphine, propyl phosphine, butyl phosphine, and pentyl phosphine; Phosphine compounds or oxide compounds thereof such as methyl phosphine oxide, ethyl phosphine oxide, propyl phosphine oxide, and butyl phosphine oxide; Diphenyl phosphine, triphenyl phosphine compound or oxide compound thereof; Alternatively, it may be a material derived from phosphonic acid.

본 발명의 다른 구현예에서는, 수지 단독 또는 양자점이 수지 내에 단순 분산된 수지를 포함하는 성형품에 비해 열팽창계수(CTE)가 30% 이상 감소한 양자점-수지 나노복합체 포함 성형품을 제공한다.In another embodiment of the present invention, compared to a molded article containing a resin in which the resin alone or the quantum dot is simply dispersed in the resin, the coefficient of thermal expansion (CTE) is reduced by 30% or more, providing a molded article containing a resin nanocomposite.

상기 성형품은 필름, 디스플레이용 기판, 또는 발광 소자일 수 있다. The molded article may be a film, a display substrate, or a light emitting device.

본 발명의 또 다른 구현예에서는, 양자점 표면에 치환된 유기물질, 수지, 및 용매가 용해도 파라미터 차를 가지도록 상기 양자점 표면에 치환될 유기물질, 수지, 및 용매를 선택하고, 상기 선택된 유기물질로 치환된 양자점, 수지, 및 용매를 혼합하여 에멀젼화하는 것을 포함하는, 양자점-수지 나노복합체의 제조 방법을 제공한다.In another embodiment of the present invention, an organic material, a resin, and a solvent to be substituted on the surface of the quantum dot are selected so that the organic material, resin, and solvent substituted on the surface of the quantum dot have a difference in solubility parameter, and the selected organic material is used. It provides a method of manufacturing a quantum dot-resin nanocomposite comprising emulsifying by mixing a substituted quantum dot, a resin, and a solvent.

상기 용해도 파라미터 차는, 상기 용매의 용해도 파라미터가 가장 크고, 상기 양자점 표면에 치환된 유기물질의 용해도 파라미터가 가장 작고, 상기 수지의 용해도 파라미터는 상기 용매의 용해도 파라미터와 상기 양자점 표면에 치환된 유기물질의 용해도 파라미터 사이의 값을 가지는 것일 수 있다.The difference in the solubility parameter is that the solubility parameter of the solvent is the largest, the solubility parameter of the organic material substituted on the surface of the quantum dot is the smallest, and the solubility parameter of the resin is the solubility parameter of the solvent and the organic material substituted on the surface of the quantum dot. It may have a value between the solubility parameters.

상기 용해도 파라미터의 차는, 상기 수지의 용해도 파라미터가 가장 크고, 상기 양자점 표면에 치환된 유기물질 및 상기 용매의 용해도 파라미터가 유사한 값을 가지되, 양자점 표면에 치환된 유기물질의 용해도 파라미터가 용매의 용해도 파라미터보다는 큰 것일 수 있다.The difference in the solubility parameter is that the solubility parameter of the resin is the largest, the solubility parameter of the organic material substituted on the quantum dot surface and the solvent have similar values, but the solubility parameter of the organic material substituted on the quantum dot surface is the solubility of the solvent. It may be larger than the parameter.

상기 용해도 파라미터의 차는, 상기 용매의 용해도 파라미터가 가장 크고, 상기 양자점 표면에 치환된 유기물질 및 상기 수지의 용해도 파라미터가 유사한 값을 가지되, 수지의 용해도 파라미터가 양자점 표면에 치환된 유기물질의 용해도 파라미터보다는 큰 것일 수 있다.The difference in the solubility parameter is that the solubility parameter of the solvent is the largest, the organic material substituted on the quantum dot surface and the solubility parameter of the resin have similar values, but the solubility parameter of the resin is the solubility of the organic material substituted on the quantum dot surface. It may be larger than the parameter.

상기 수지는 열 경화성 수지 또는 자외선 경화성 수지일 수 있다.The resin may be a thermosetting resin or an ultraviolet curable resin.

상기 양자점 표면에 치환된 유기물질은RCOOH, RNH2, R2NH, R3N, RSH, R3PO, R3P, ROH, RCOOR' (여기서, R, R'는 각각 독립적으로 C1~C24의 알킬기, 또는 C5-C24의 아릴기임), 또는 이들의 조합으로부터 유도되는 것일 수 있다.The organic material substituted on the surface of the quantum dot is RCOOH, RNH 2 , R 2 NH, R 3 N, RSH, R 3 PO, R 3 P, ROH, RCOOR' (where R, R'are each independently C1-C24 It may be an alkyl group of, or a C5-C24 aryl group), or a combination thereof.

상기 용매, 수지, 및 양자점 표면에 치환된 유기물질은 용해도 파라미터가 각각 약 10 MPa1 /2 내지 약 30 MPa1 /2 사이의 값을 가지는 것일 수 있다. The organic material substituted for the solvent, a resin, and a quantum dot surface may be one having a solubility parameter value of between about 10 MPa 1/2 to about 30 MPa 1/2, respectively.

상기 구현예에 따른 양자점-수지 나노복합체는 특정 크기 이상을 가짐으로써 구조적으로 안정한 형태를 제공하며, 따라서 양자점 단독으로 존재하는 경우에 비해 수명이 증가할 수 있다. 또한, 수지 단독 또는 양자점이 단순 분산된 수지를 포함하는 성형품에 비해, 상기 양자점-수지 나노복합체를 포함하는 성형품은 현저히 낮은 CTE를 나타낸다. The quantum dot-resin nanocomposite according to the above embodiment provides a structurally stable form by having a specific size or more, and thus, the lifespan may be increased compared to the case where the quantum dot alone exists. In addition, compared to a molded article containing a resin alone or a resin in which the quantum dots are simply dispersed, the molded article including the quantum dot-resin nanocomposite exhibits a significantly lower CTE.

도 1a는 일 실시예에 따라 제조되는 양자점-수지 나노복합체의 형태를 개략적으로 나타낸 모식도이다.
도 1b는 다른 실시예에 따라 제조되는 양자점-수지 나노복합체의 형태를 개략적으로 나타낸 모식도이다.
도 2는 용해도 파라미터 차가 있는 용매와 수지만 포함한 경우(a), 및 상기 용매와 수지, 그리고 양자점을 함께 포함한 경우(b), 각각 처음 혼합된 상태(좌측), 및 상기 혼합물을 기계적으로 교반 후 일정 시간 방치한 상태(우측)를 나타낸 사진이다.
도 3은 광경화성 수지(TE, PDMS, 및 311RM), 및 용매 또는 양자점 표면을 치환하기 위해 사용되는 유기물질(클로로포름, 헥산, 올레산, TOA)의 용해도 파라미터를 정리하여 나타낸 표이다.
도 4는 실시예에서 사용한 양자점 표면에 고분자 뉴크렐(nucrel)을 치환하여 TE광경화성 수지 내에 종래의 방법대로 기계적 교반하여 분산시킨 후 필름으로 성형하고, 필름 표면을 찍은 광학 현미경 사진이다.
도 5는 실시예 1에 따라 제조된 양자점-수지 나노복합체를 포함하여 제조된 필름의 표면을 보여주는 원자력 마이크로스코프 (atomic force microscope: AFM) 사진으로서, (a)는 표면 높이에 따른 이미지(height image)를 나타낸 것이고, (b)는 상이한 상의 존재를 보여주는 상 이미지(phase image) 사진이다.
도 6은 실시예 2에 따라 제조된 양자점-수지 나노복합체를 포함하여 제조된 필름의 표면을 보여주는 원자력 마이크로스코프 (atomic force microscope: AFM) 사진으로서, (a)는 표면 높이에 따른 이미지(height image)를 나타낸 것이고, (b)는 상이한 상의 존재를 보여주는 상 이미지(phase image) 사진이다.
도 7은 실시예 3에 따라 제조된 양자점-수지 나노복합체를 포함하여 제조된 필름의 표면을 보여주는 원자력 마이크로스코프 (atomic force microscope: AFM) 사진으로서, (a)는 표면 높이에 따른 이미지(height image)를 나타낸 것이고, (b)는 상이한 상의 존재를 보여주는 상 이미지(phase image) 사진이다.
1A is a schematic diagram schematically showing the shape of a quantum dot-resin nanocomposite manufactured according to an embodiment.
1B is a schematic diagram schematically showing the shape of a quantum dot-resin nanocomposite manufactured according to another embodiment.
2 is a case where only a solvent and a resin having a difference in solubility parameter are included (a), and when the solvent and resin, and quantum dots are included together (b), respectively, in a state of first mixing (left), and after mechanically stirring the mixture This is a picture showing the state left unattended for a certain period of time (right).
3 is a table showing the solubility parameters of photocurable resins (TE, PDMS, and 311RM) and organic materials (chloroform, hexane, oleic acid, TOA) used to replace the surface of a solvent or quantum dot.
FIG. 4 is an optical microscope photograph of the surface of the quantum dot used in the Example by substituting a polymer nucrel and dispersing it in a TE photocurable resin by mechanical agitation according to a conventional method, forming a film, and taking the surface of the film.
5 is an atomic force microscope (AFM) photograph showing the surface of a film manufactured including the quantum dot-resin nanocomposite prepared according to Example 1, (a) is an image according to the surface height (height image) ), and (b) is a photograph of a phase image showing the existence of different phases.
6 is an atomic force microscope (AFM) photograph showing the surface of a film manufactured including a quantum dot-resin nanocomposite prepared according to Example 2, (a) is an image according to the surface height (height image) ), and (b) is a photograph of a phase image showing the existence of different phases.
7 is an atomic force microscope (AFM) photograph showing the surface of a film manufactured including the quantum dot-resin nanocomposite prepared according to Example 3, (a) is an image according to the surface height (height image) ), and (b) is a photograph of a phase image showing the existence of different phases.

이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 구현예에 대하여 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 구현예에 한정되지 않는다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings so that those of ordinary skill in the art may easily implement the present invention. However, the present invention may be implemented in various different forms and is not limited to the embodiments described herein.

본 발명의 일 구현예에서는, 경화성 수지와 다수의 양자점이 나노입자 형태를 이루며 존재하는 양자점-수지 나노복합체를 제공한다.In one embodiment of the present invention, there is provided a quantum dot-resin nanocomposite in which a curable resin and a plurality of quantum dots are in the form of nanoparticles.

상기 나노복합체는, 나노입자 형태의 경화성 수지 내에 하나 이상의 양자점이 봉입(encapsulated)된 형태, 다수의 양자점이 나노입자 형태의 경화성 수지 표면을 코팅하는 형태, 또는 나노입자 형태인 경화성 수지에 다수의 양자점이 균일하게 분포된 형태를 가질 수 있다. The nanocomposite is a form in which one or more quantum dots are encapsulated in a nanoparticle-type curable resin, a plurality of quantum dots coat the surface of a nanoparticle-type curable resin, or a plurality of quantum dots on a nanoparticle-type curable resin This can have a uniformly distributed shape.

상기 양자점-수지 나노복합체의 입경은 약 20 nm 내지 약 5 ㎛ 범위일 수 있다. The particle diameter of the quantum dot-resin nanocomposite may range from about 20 nm to about 5 μm.

양자점 (이하, 'QD'라 한다)을 발광소자(LED)의 광전환 소재(color down converting material)로 사용하여, 기존 형광체 대비 우월한 효율과 색 순도를 얻고자 하는 시도가 이루어지고 있다. 이론적인 QD의 양자 효율은 100% 이며 반치폭은 40 nm 이하까지 가능하여 색 순도가 높기 때문에, QD는 기존의 무기 형광체 대비 발광 소자에 적용 시 색 재현성이 크게 향상될 것으로 기대된다. By using quantum dots (hereinafter referred to as'QD') as a color down converting material for light emitting devices (LEDs), attempts have been made to obtain superior efficiency and color purity compared to conventional phosphors. Since the theoretical QD has a quantum efficiency of 100% and a half width of less than 40 nm and has high color purity, QD is expected to significantly improve color reproducibility when applied to light-emitting devices compared to conventional inorganic phosphors.

그러나, 기존 무기 형광체는 마이크론 크기 정도를 갖는 입자인데 반해, 나노 크기(약 6~8 nm)를 갖는 QD의 경우 수명이 낮은 문제점이 존재하며, 또한 발광 소자에 적용하고자 할 경우 약 30,000시간 이상의 수명을 확보하여야만 실제 적용 가능한 소자를 개발할 수 있다는 점에서, 양자점을 이용한 발광소자 제작에는 해결해야 할 문제가 많이 남아 있다. However, while conventional inorganic phosphors are particles having a micron size, QDs having nano-sized (about 6 to 8 nm) have a problem of low life, and when applied to light-emitting devices, they have a lifespan of about 30,000 hours or more. In that a device that can be applied in practice can be developed only by securing a number of problems to be solved in manufacturing a light emitting device using quantum dots.

상기 문제점을 해결하기 위한 한 방법으로서, 종래에는 에폭시 및 실리콘 수지(고분자)와 QD 나노입자를 임의로 혼합하여 복합체 필름 및 LED 칩 제작에 적용하였다. 그러나, QD를 LED에 적용할 때, 용액 상태의 높은 효율과 색 순도를 유지하여 LED의 효율과 색 재현성을 유지하기 위해서는 QD 표면의 패시베이션 층(passivation layer)을 잘 보존하는 것이 중요하다. 현재 발광 재료를 LED 칩에 분배할 때 봉지(encapsulation) 재료인 고분자와 파우더 형태인 발광재료를 단순 혼합하거나, 또는 분산제를 사용하여 분산 특성을 향상시키는 방법을 적용하고 있다. 하지만, 콜로이드 상태인 QD의 경우 봉지제(encapsulant)로 사용되는 실리콘과 QD 표면의 유기물이 서로 양립(compatible)할 수 없어 QD의 응집(aggregation)이 일어나고, 그 과정에서 QD 표면의 유기물도 손실되어 효율 감소가 일어난다. 또한, QD 의 합성 조건 및 정제 정도에 따라 남아있는 유기물 양에 차이가 생겨 고분자와 복합체 형성시 재현성 달성이 어렵다. 또한, 유기물을 많이 제거한 경우, QD 표면의 계면활성제까지 제거되어, 장시간 구동시 QD와 패시베이션 층의 분리가 빠르게 진행되는 문제가 있다.  또한, QD 발광 재료를 고분자 및 광(열) 경화용 수지에 분산시켜 필름 형태 및 LED제품용으로 유리 캐필러리(capillary)에 주입하여 경화시키는 경우, 고분자 및 수지의 큰 열팽창계수(CTE)에 의해 유리 캐필러리의 크랙 유발 및 디바이스 제작 시의 문제점을 야기시킨다. As one method for solving the above problem, in the prior art, an epoxy and a silicone resin (polymer) and QD nanoparticles were arbitrarily mixed and applied to the fabrication of a composite film and an LED chip. However, when QD is applied to LEDs, it is important to preserve the passivation layer of the QD surface well in order to maintain the efficiency and color reproducibility of the LED by maintaining high efficiency and color purity of the solution state. Currently, when distributing a light-emitting material to an LED chip, a method of simply mixing a polymer as an encapsulation material and a light-emitting material in a powder form, or using a dispersant to improve dispersion characteristics is applied. However, in the case of colloidal QD, the silicon used as an encapsulant and the organic matter on the QD surface are not compatible with each other, resulting in QD aggregation, and in the process, the organic matter on the QD surface is also lost. A decrease in efficiency occurs. In addition, it is difficult to achieve reproducibility when forming a complex with a polymer due to differences in the amount of organic matter remaining depending on the synthesis conditions and the degree of purification of QD. In addition, when a lot of organic substances are removed, even the surfactant on the QD surface is removed, and there is a problem that the separation of the QD and the passivation layer proceeds rapidly when driving for a long time. In addition, when QD light-emitting materials are dispersed in polymers and light (thermal) curing resins and injected into glass capillary for film and LED products and cured, the large coefficient of thermal expansion (CTE) of polymers and resins is affected. This causes a crack in the glass capillary and a problem in device manufacturing.

이러한 문제점을 해결하기 위해서는, QD/수지 복합체 제조 시 낮은 CTE 값을 갖는 최적의 수지 선택을 통한 QD/수지 구조의 CTE 값의 제어, 및 QD와 수지의 친화성(compatibility (dispersion))을 최적화하여 QD의 응집(aggregation) 방지를 통한 QD 휘도 제어 등이 필요하다.To solve this problem, control the CTE value of the QD/resin structure through the selection of the optimum resin having a low CTE value when manufacturing the QD/resin composite, and optimize the compatibility (dispersion) between QD and the resin. It is necessary to control QD luminance by preventing QD aggregation.

상기한 일 구현예에 따르면, 양자점과 수지가 복합 나노입자 형태를 가짐으로써, 기존의 고분자 매트릭스 내에 단순히 분산된 양자점과는 달리, 양자점이 상기 수지에 의해 보다 안정적인 크기 및 구조로 제조될 수 있고, 이로써 양자점의 구조적인 안정화 및 수명 개선 효과를 달성할 수 있다. 뿐만 아니라, 후술하는 바와 같이, 상기 양자점-수지 나노복합체를 포함하는 성형품은, 수지만 단독으로 존재하거나, 또는 수지 내에 양자점이 단순 분산된 경우에 비해 열팽창계수가 30% 이상 감소하는바, 이는 고온에서의 적용을 필요로 하는 용도에 매우 유리할 수 있다. According to the above-described embodiment, since the quantum dots and the resin have the form of composite nanoparticles, unlike quantum dots simply dispersed in a conventional polymer matrix, the quantum dots can be manufactured with a more stable size and structure by the resin, As a result, it is possible to achieve structural stabilization and life-improving effects of quantum dots. In addition, as will be described later, in the molded article including the quantum dot-resin nanocomposite, the coefficient of thermal expansion decreases by 30% or more compared to the case where only the resin is present alone, or the quantum dot is simply dispersed in the resin. It can be very advantageous for applications that require application in.

상기 구현예에 따른 양자점-수지 나노복합체는 양자점, 수지, 및 용매 간의 용해도 파라미터 차를 이용한 에멀젼화 방법으로 제조할 수 있다. The quantum dot-resin nanocomposite according to the above embodiment may be prepared by an emulsification method using a difference in solubility parameters between the quantum dot, the resin, and the solvent.

예를 들어, 용매의 용해도 파라미터가 가장 크고, 양자점의 용해도 파라미터가 가장 작고, 상기 용매의 용해도 파라미터와 상기 양자점의 용해도 파라미터 사이의 용해도 파라미터 값을 가지는 수지를 선택하여, 이들을 함께 혼합하여 에멀젼화함으로써 양자점-수지 나노복합체를 제조할 수 있다.For example, by selecting a resin having the largest solubility parameter of the solvent, the smallest solubility parameter of the quantum dot, and having a solubility parameter value between the solubility parameter of the solvent and the solubility parameter of the quantum dots, and mixing them together to emulsify. Quantum dot-resin nanocomposite can be prepared.

또는, 예를 들어, 수지의 용해도 파라미터가 가장 크고, 양자점 및 용매의 용해도 파라미터가 유사한 값을 가지되, 양자점의 용해도 파라미터가 용매의 용해도 파라미터보다는 큰 값을 가지는, 양자점, 용매, 및 수지를 선택, 혼합하여 에멀젼화함으로써 양자점-수지 나노복합체를 제조할 수 있다.Or, for example, the solubility parameter of the resin is the largest, the solubility parameter of the quantum dot and the solvent have similar values, but the solubility parameter of the quantum dot has a larger value than the solubility parameter of the solvent, a quantum dot, a solvent, and a resin are selected. , By mixing and emulsifying, it is possible to prepare a quantum dot-resin nanocomposite.

또는, 예를 들어, 용매의 용해도 파라미터가 가장 크고, 양자점 및 수지의 용해도 파라미터가 유사한 값을 가지되, 상기 수지의 용해도 파라미터가 상기 양자점의 용해도 파라미터보다는 큰 값을 가지는, 양자점, 용매, 및 수지를 선택, 혼합하여 에멀젼화함으로써 양자점-수지 나노복합체를 제조할 수 있다.Or, for example, the solubility parameter of the solvent is the largest, the solubility parameter of the quantum dot and the resin have similar values, but the solubility parameter of the resin has a larger value than the solubility parameter of the quantum dot, quantum dots, solvent, and resin By selecting, mixing and emulsifying a quantum dot-resin nanocomposite can be prepared.

여기서, '양자점의 용해도 파라미터'란, 양자점에 치환된 유기물질의 용해도 파라미터를 의미하는 것으로 이해하여야 한다.Here, the term'quantum dot solubility parameter' should be understood to mean a solubility parameter of an organic substance substituted with a quantum dot.

따라서, 상기 제조 방법은, 양자점 표면에 치환된 유기물질, 수지, 및 용매가 용해도 파라미터 차를 가지도록 상기 양자점 표면에 치환될 유기물질, 수지, 및 용매를 선택하고, 상기 선택된 유기물질로 치환된 양자점, 수지, 및 용매를 혼합하여 에멀젼화하는 것을 포함하는, 양자점-수지 나노복합체의 제조 방법에 관한 것이다.Therefore, in the manufacturing method, the organic material, resin, and solvent to be substituted on the surface of the quantum dot are selected so that the organic material, resin, and solvent substituted on the surface of the quantum dot have a difference in solubility parameter, and substituted with the selected organic material. It relates to a method for producing a quantum dot-resin nanocomposite comprising emulsifying a quantum dot, a resin, and a solvent by mixing.

양자점에 치환된 유기물질이란, 양자점 표면을 보호하기 위해 양자점 제조 시에 포함되는 유기물 계면활성제, 양친매성 고분자 등의 캐핑 작용제 (capping agent) 등으로부터 유도되는 물질로서, 당해 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 기술자들에게 잘 알려져 있는 것이다.An organic material substituted for a quantum dot is a material derived from a capping agent such as an organic surfactant or an amphiphilic polymer included in the manufacture of the quantum dot to protect the surface of the quantum dot. It is well known to those who possess it.

예를 들어, 상기 유기물질은 RCOOH, RNH2, R2NH, R3N, RSH, R3PO, R3P, ROH, RCOOR' (여기서, R, R'는 각각 독립적으로 C1~C24의 알킬기, 또는 C5-C24의 아릴기임), 또는 이들의 조합으로부터 유도되는 물질일 수 있다. 구체적으로, 상기 유기물질은, 메탄 티올, 에탄 티올, 프로판 티올, 부탄 티올, 펜탄 티올, 헥산 티올, 옥탄 티올, 도데칸 티올, 헥사데칸 티올, 옥타데칸 티올, 벤질 티올; 메탄 아민, 에탄 아민, 프로판 아민, 부탄 아민, 펜탄 아민, 헥산 아민, 옥탄 아민, 도데칸 아민, 헥사데실 아민, 옥타데실 아민, 디메틸 아민, 디에틸 아민, 디프로필 아민; 메탄산, 에탄산, 프로판산, 부탄산, 펜탄산, 헥산산, 헵탄산, 옥탄산, 도데칸산, 헥사데칸산, 옥타데칸산, 올레인산, 벤조산; 메틸 포스핀, 에틸 포스핀, 프로필 포스핀, 부틸 포스핀, 펜틸 포스핀 등의 포스핀; 메틸 포스핀 옥사이드, 에틸 포스핀 옥사이드, 프로필 포스핀 옥사이드, 부틸 포스핀 옥사이드 등의 포스핀 화합물 또는 그의 옥사이드 화합물; 다이 페닐 포스핀, 트리 페닐 포스핀 화합물 또는 그의 옥사이드 화합물; 포스폰산(phosphonic acid) 등으로부터 유도되는 물질일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.For example, the organic material is RCOOH, RNH 2 , R 2 NH, R 3 N, RSH, R 3 PO, R 3 P, ROH, RCOOR' (where R, R'are each independently C1-C24 It may be an alkyl group, or a C5-C24 aryl group), or a material derived from a combination thereof. Specifically, the organic material is methane thiol, ethane thiol, propane thiol, butane thiol, pentane thiol, hexane thiol, octane thiol, dodecane thiol, hexadecane thiol, octadecane thiol, benzyl thiol; Methane amine, ethane amine, propan amine, butan amine, pentane amine, hexane amine, octane amine, dodecyl amine, hexadecyl amine, octadecyl amine, dimethyl amine, diethyl amine, dipropyl amine; Methanic acid, ethanic acid, propanoic acid, butanoic acid, pentanoic acid, hexanoic acid, heptanoic acid, octanoic acid, dodecanoic acid, hexadecanoic acid, octadecanoic acid, oleic acid, benzoic acid; Phosphines such as methyl phosphine, ethyl phosphine, propyl phosphine, butyl phosphine, and pentyl phosphine; Phosphine compounds or oxide compounds thereof such as methyl phosphine oxide, ethyl phosphine oxide, propyl phosphine oxide, and butyl phosphine oxide; Diphenyl phosphine, triphenyl phosphine compound or oxide compound thereof; It may be a material derived from phosphonic acid or the like, but is not limited thereto.

상기 수지는 열 경화성 수지 또는 자외선 경화성 수지일 수 있다.The resin may be a thermosetting resin or an ultraviolet curable resin.

열 경화성 수지로는 에폭시 수지, 페놀 수지, 멜라민 수지, 우레아 수지, 불포화 폴리에스테르 수지, 실리콘, 폴리우레탄, 알릴 수지 및 열경화성 아크릴 수지, 페놀-멜라민 축중합 수지, 요소 멜라민 축중합 수지 등을 사용할 수 있고, 상기한 용해도 파라미터 범위에 속하는 것 중에서 적당한 것을 선택하여 사용할 수 있다. 또한, 열 경화성 수지는 상기한 수지들로 제한되지 않는다. As the thermosetting resin, epoxy resin, phenol resin, melamine resin, urea resin, unsaturated polyester resin, silicone, polyurethane, allyl resin and thermosetting acrylic resin, phenol-melamine condensation polymerization resin, urea melamine condensation polymerization resin, etc. can be used. In addition, it is possible to select and use an appropriate one from among those falling within the range of the solubility parameters described above. Further, the thermosetting resin is not limited to the above resins.

자외선 경화성 수지로는, 라디칼-중합성 불포화기, 예를 들어, (메트)아크릴로일옥시기, 비닐옥시기, 스티릴기, 비닐기, 및/또는 양이온-중합성기, 예를 들어, 에폭시기, 티오에폭시기, 비닐옥시기, 옥세타닐기와 같은 작용기를 포함하는 수지를 포함한다. 이들 수지로는, 예를 들어, 폴리에스테르 수지, 폴리에테르 수지, (메트)아크릴 수지, 에폭시 수지, 우레탄 수지, 알키드 수지, 스피로아세탈 수지, 폴리부타디엔 수지, 및 폴리티올폴리엔 수지 등을 포함할 수 있고, 이들에 제한되지 않는다.As the ultraviolet curable resin, a radical-polymerizable unsaturated group, such as a (meth)acryloyloxy group, a vinyloxy group, a styryl group, a vinyl group, and/or a cation-polymerizable group, such as an epoxy group, a thio It includes a resin containing a functional group such as an epoxy group, a vinyloxy group, and an oxetanyl group. Examples of these resins include polyester resins, polyether resins, (meth)acrylic resins, epoxy resins, urethane resins, alkyd resins, spiroacetal resins, polybutadiene resins, and polythiolpolyene resins. Can, and is not limited to these.

상기 반도체 나노결정은 II-VI족 화합물, III-V족 화합물, IV-VI족 화합물, IV족 화합물, 또는 이들의 조합을 포함할 수 있다.The semiconductor nanocrystal may include a group II-VI compound, a group III-V compound, a group IV-VI compound, a group IV compound, or a combination thereof.

상기 II-VI족 화합물은 CdSe, CdTe, ZnS, ZnSe, ZnTe, ZnO, HgS, HgSe, HgTe, MgSe, MgS 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 이원소 화합물; CdSeS, CdSeTe, CdSTe, ZnSeS, ZnSeTe, ZnSTe, HgSeS, HgSeTe, HgSTe, CdZnS, CdZnSe, CdZnTe, CdHgS, CdHgSe, CdHgTe, HgZnS, HgZnSe, HgZnTe, MgZnSe, MgZnS 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 삼원소 화합물; 및 HgZnTeS, CdZnSeS, CdZnSeTe, CdZnSTe, CdHgSeS, CdHgSeTe, CdHgSTe, HgZnSeS, HgZnSeTe, HgZnSTe 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 사원소 화합물로 이루어진 군에서 선택될 수 있고, 상기 III-V족 화합물은 GaN, GaP, GaAs, GaSb, AlN, AlP, AlAs, AlSb, InN, InP, InAs, InSb 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 이원소 화합물; GaNP, GaNAs, GaNSb, GaPAs, GaPSb, AlNP, AlNAs, AlNSb, AlPAs, AlPSb, InNP, InNAs, InNSb, InPAs, InPSb, GaAlNP 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 삼원소 화합물; 및 GaAlNAs, GaAlNSb, GaAlPAs, GaAlPSb, GaInNP, GaInNAs, GaInNSb, GaInPAs, GaInPSb, InAlNP, InAlNAs, InAlNSb, InAlPAs, InAlPSb 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 사원소 화합물로 이루어진 군에서 선택될 수 있고, 상기 IV-VI족 화합물은 SnS, SnSe, SnTe, PbS, PbSe, PbTe 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 이원소 화합물; SnSeS, SnSeTe, SnSTe, PbSeS, PbSeTe, PbSTe, SnPbS, SnPbSe, SnPbTe 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 삼원소 화합물; 및 SnPbSSe, SnPbSeTe, SnPbSTe 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 사원소 화합물로 이루어진 군에서 선택될 수 있고, 상기 IV족 화합물은 Si, Ge 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 단원소 화합물; 및 SiC, SiGe 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 이원소 화합물로 이루어진 군에서 선택될 수 있다.The II-VI group compound is a binary compound selected from the group consisting of CdSe, CdTe, ZnS, ZnSe, ZnTe, ZnO, HgS, HgSe, HgTe, MgSe, MgS, and mixtures thereof; CdSeS, CdSeTe, CdSTe, ZnSeS, ZnSeTe, ZnSTe, HgSeS, HgSeTe, HgSTe, CdZnS, CdZnSe, CdZnTe, CdHgS, CdHgSe, CdHgTe, HgZnS, MgZnTe, HgZnS, MgZnTe Bovine compounds; And HgZnTeS, CdZnSeS, CdZnSeTe, CdZnSTe, CdHgSeS, CdHgSeTe, CdHgSTe, HgZnSeS, HgZnSeTe, HgZnSTe, and GaN group III-V compounds selected from the group consisting of mixtures thereof , GaP, GaAs, GaSb, AlN, AlP, AlAs, AlSb, InN, InP, InAs, InSb and a binary compound selected from the group consisting of a mixture thereof; A ternary compound selected from the group consisting of GaNP, GaNAs, GaNSb, GaPAs, GaPSb, AlNP, AlNAs, AlNSb, AlPAs, AlPSb, InNP, InNAs, InNSb, InPAs, InPSb, GaAlNP, and mixtures thereof; And GaAlNAs, GaAlNSb, GaAlPAs, GaAlPSb, GaInNP, GaInNAs, GaInNSb, GaInPAs, GaInPSb, InAlNP, InAlNAs, InAlNSb, InAlPAs, InAlPSb, and may be selected from the group consisting of a quaternary compound selected from the group consisting of a mixture thereof, The IV-VI compound is a binary compound selected from the group consisting of SnS, SnSe, SnTe, PbS, PbSe, PbTe, and mixtures thereof; A three-element compound selected from the group consisting of SnSeS, SnSeTe, SnSTe, PbSeS, PbSeTe, PbSTe, SnPbS, SnPbSe, SnPbTe, and mixtures thereof; And SnPbSSe, SnPbSeTe, SnPbSTe, and may be selected from the group consisting of a quaternary compound selected from the group consisting of a mixture thereof, wherein the group IV compound is a single-element compound selected from the group consisting of Si, Ge, and mixtures thereof; And it may be selected from the group consisting of a binary compound selected from the group consisting of SiC, SiGe, and mixtures thereof.

상기 반도체 나노 결정은 코어-쉘 구조를 가질 수 있다.The semiconductor nanocrystal may have a core-shell structure.

상기 반도체 나노 결정은 300nm 내지 500nm의 파장의 광을 흡수하여 500nm 내지 600nm 범위, 600nm 내지 700nm 범위, 또는 550nm 내지 650nm 범위의 파장을 발광할 수 있다.The semiconductor nanocrystals may absorb light having a wavelength of 300 nm to 500 nm and emit a wavelength of 500 nm to 600 nm, 600 nm to 700 nm, or 550 nm to 650 nm.

상기 용해도 파라미터의 차에 따라, 제조되는 양자점-수지 나노복합체의 형태도 각각 상이할 수 있다. Depending on the difference in the solubility parameter, the shape of the produced quantum dot-resin nanocomposite may be different, respectively.

여기서, "용해도 파라미터(Solubility Parameter)"란 "Hilderbrand solubility parameter (δ)"를 의미하며, 물질 사이의 상호작용(interaction)의 정도를 수적으로 평가하는 기준이다. 상기 용해도 파라미터는, 특히 많은 고분자 물질과 같은 비극성 물질의 용해도(solubility)를 잘 나타낸다. 비슷한 용해도 파라미터 (δ) 값을 가지는 물질들은 서로 혼합될 수 있다. 상기 용해도 파라미터는 하시 수학식 1로 표시되는 것과 같이, 응집 에너지 밀도(cohesive energy density)의 제곱근으로서 표시될 수 있다:Here, "Solubility Parameter" means "Hilderbrand solubility parameter (δ)", and is a criterion for numerically evaluating the degree of interaction between substances. The solubility parameter is particularly well indicative of the solubility of non-polar materials, such as many polymeric materials. Substances with similar solubility parameter (δ) values can be mixed with each other. The solubility parameter may be expressed as the square root of cohesive energy density, as expressed by Equation 1 below:

(수학식 1)(Equation 1)

Figure 112013087007954-pat00001
Figure 112013087007954-pat00001

상기 수학식 1에서, Vm 은 몰 부피(molar volume), △Hv는 기화열(heat of vaporization)의 차를 나타내고, R은 이상기체 상수이고, T는 절대온도를 나타낸다.In Equation 1, Vm is a molar volume, ΔHv is a difference in heat of vaporization, R is an ideal gas constant, and T is an absolute temperature.

"응집 에너지 밀도"란 하나의 분자를 주변의 다른 분자들로부터 완전히 분리하는데 필요한 에너지의 양을 의미하며, 이는 기화열을 몰 부피로 나눈 값과 같다. 물질이 녹기 위해서는 동일한 분자들로부터 분리되어 용매에 의해 완전히 둘러싸여야 하므로, 동일한 상호작용들이 극복되어야만 하며, 따라서, Dr. Joel Henry Hilderbrand는 응집 에너지 밀도의 제곱근을 용해도를 나타내는 수치로서 제안하였다. 비슷한 용해도 파라미터를 가지는 물질은 서로 상호작용을 할 수 있고, 따라서 용매화(solvation), 혼화성(miscibility), 또는 팽윤(swelling) 등을 나타내게 된다."Agglomeration energy density" refers to the amount of energy required to completely separate one molecule from other molecules around it, which is equal to the heat of vaporization divided by the molar volume. In order for a substance to dissolve, it must be separated from the same molecules and completely surrounded by the solvent, so the same interactions must be overcome, and thus Dr. Joel Henry Hilderbrand proposed the square root of the cohesive energy density as a measure of solubility. Substances with similar solubility parameters can interact with each other and thus exhibit solvation, miscibility, or swelling.

이에 따라, 예를 들어, 상기 용매의 용해도 파라미터가 가장 크고, 상기 양자점 표면에 치환된 유기물질의 용해도 파라미터가 가장 작고, 상기 수지의 용해도 파라미터는 상기 용매의 용해도 파라미터와 상기 양자점 표면에 치환된 유기물질의 용해도 파라미터 사이의 값을 가지는 경우, 이로부터 제조되는 양자점-수지 나노복합체는, 나노입자 형태의 수지 중심부에, 하나 이상의 양자점이 함침된 형태를 가질 수 있다. Accordingly, for example, the solubility parameter of the solvent is the largest, the solubility parameter of the organic material substituted on the surface of the quantum dot is the smallest, and the solubility parameter of the resin is the solubility parameter of the solvent and the organic material substituted on the surface of the quantum dot. In the case of having a value between the solubility parameters of the material, the quantum dot-resin nanocomposite prepared therefrom may have a form in which one or more quantum dots are impregnated in the center of the resin in the form of nanoparticles.

반면, 상기 수지의 용해도 파라미터가 가장 크고, 상기 양자점 표면에 치환된 유기물질 및 상기 용매의 용해도 파라미터가 유사한 값을 가지되, 양자점 표면에 치환된 유기물질의 용해도 파라미터가 용매의 용해도 파라미터보다 큰 경우, 그로부터 제조되는 양자점-수지 나노복합체는, 나노입자 형태의 수지 표면에 다수의 양자점이 코팅하는 형태로 제조될 수 있다.On the other hand, when the solubility parameter of the resin is the largest, the solubility parameter of the organic material substituted on the surface of the quantum dot and the solvent have similar values, but the solubility parameter of the organic material substituted on the surface of the quantum dot is greater than the solubility parameter of the solvent , The quantum dot-resin nanocomposite prepared therefrom may be prepared in a form in which a plurality of quantum dots are coated on the resin surface in the form of nanoparticles.

또한, 용매의 용해도 파라미터가 가장 크고, 양자점 표면에 치환된 유기물질 및 수지의 용해도 파라미터가 유사한 값을 가지되, 상기 수지의 용해도 파라미터가 상기 양자점 표면에 치환된 유기물질의 용해도 파라미터보다는 큰 값을 가지는 경우, 그로부터 제조되는 양자점-수지 나노복합체는, 나노입자 형태의 수지에 다수의 양자점이 균일하게 분산된 형태로 제조될 수 있다. In addition, the solubility parameter of the solvent is the largest, and the solubility parameter of the organic material and the resin substituted on the surface of the quantum dot have similar values, but the solubility parameter of the resin is larger than the solubility parameter of the organic material substituted on the surface of the quantum dot. In the case of having, the quantum dot-resin nanocomposite prepared therefrom may be prepared in a form in which a plurality of quantum dots are uniformly dispersed in a resin in the form of nanoparticles.

이와 같이, 본 발명의 구현예에 따른 제조 방법은, 양자점 표면에 치환된 유기물질, 용매, 및 수지의 용해도 파라미터를 조절하여 선택함으로써, 수지 내 양자점의 위치 및 양자점-수지 나노복합체의 크기 등을 제어할 수 있다. As described above, in the manufacturing method according to the embodiment of the present invention, the position of the quantum dot in the resin and the size of the quantum dot-resin nanocomposite are determined by adjusting and selecting the solubility parameter of the organic material, solvent, and resin substituted on the surface of the quantum dot. Can be controlled.

상기 용매, 수지, 및 양자점 표면에 치환된 유기물질은 용해도 파라미터는, 각각 약 10 MPa1 /2 내지 약 30 MPa1 /2 사이의 값을 가질 수 있으며, 이러한 범위의 용해도 파라미터를 가지는 용매, 수지, 및 양자점으로부터, 원하는 입자 크기 및 입자 내 양자점의 위치 또는 분포 등을 고려하여, 적절한 양자점, 수지, 및 용매를 선택하여 사용할 수 있다. The organic material substituted for the solvent, a resin, and the quantum dot surface, solubility parameter, respectively, may have a value between about 10 MPa 1/2 to about 30 MPa 1/2, a solvent having a solubility parameter of this range, the resin From, and quantum dots, in consideration of the desired particle size and the position or distribution of the quantum dots in the particles, it may be used by selecting an appropriate quantum dot, a resin, and a solvent.

일 실시예에 따른 양자점-수지 나노복합체의 형태를 개략적인 모식도로 나타낸 것이 도 1이다.1 is a schematic diagram showing the shape of a quantum dot-resin nanocomposite according to an embodiment.

도 1(a)를 참조하면, 용매(1) 내에서 수지(2)가 나노입자 형태로 형성되고, 상기 나노입자 형태의 수지 내부로 다수의 양자점(QD)(3) 입자들이 봉입(encapsulated)되어 있는 구조를 볼 수 있다. 이러한 구조는, 용해도 파라미터가 가장 큰 용매와, 용해도 파라미터가 가장 작은 QD가 서로 친화적이지 않으므로 가능한 한 멀리 떨어져 존재하고, 이를 위해 상기 용매와 상기 QD 사이의 용해도 파라미터를 갖는 수지가, 상기 용매와 상기 QD 사이에서 계면활성제와 같은 역할을 하여, 그 내부에 양자점들 봉입한 형태로 존재하게 되는 것이다.Referring to FIG. 1(a), a resin (2) is formed in the form of nanoparticles in a solvent (1), and a plurality of quantum dots (QD) (3) particles are encapsulated into the resin in the form of nanoparticles. You can see the structure. In this structure, the solvent having the largest solubility parameter and the QD having the smallest solubility parameter exist as far apart as possible because they are not friendly to each other, and for this purpose, a resin having a solubility parameter between the solvent and the QD is It acts like a surfactant between QDs and exists in the form of encapsulating quantum dots inside them.

도 1(b)를 참조하면, 용매(1) 내에 나노입자 형태의 수지(2) 입자가 형성되어 있고, 상기 수지 입자들의 표면에, 보다 작은 다수의 QD(3) 입자들이 상기 수지 입자를 코팅한 것과 같은 형태로 존재하고 있 있다. 이는, QD와 수지의 용해도 파라미터가 유사하여 서로 가까이 존재하되, QD가 수지 보다는 용해도 파라미터가 작고, 용매 보다는 용해도 파라미터가 커서, 수지로 이루어진 나노입자를 코팅하는 형태로 용매와 접촉하고 있는 형태이다. 1(b), resin (2) particles in the form of nanoparticles are formed in a solvent (1), and a plurality of smaller QD (3) particles coat the resin particles on the surfaces of the resin particles. It exists in the same form as one. This is a form in which the QD and the resin have similar solubility parameters and exist close to each other, but the QD has a smaller solubility parameter than the resin and has a larger solubility parameter than the solvent, so that the resin is in contact with the solvent in the form of coating nanoparticles.

상기 도 1에서 제조된 양자점-수지 나노복합체들은 용매 내에 에멀젼 상태로 존재하고 있다가, 그로부터 각각 용매만을 제거하면, 도 1(a) 및 도 1(b)의 하단에 그려진 것처럼, 나노입자 형태로 이루어진 양자점-수지 나노복합체들을 얻을 수 있다.The quantum dot-resin nanocomposites prepared in FIG. 1 exist in an emulsion state in a solvent, and when only the solvent is removed therefrom, as shown at the bottom of FIGS. 1(a) and 1(b), in the form of nanoparticles. The made-up quantum dot-resin nanocomposites can be obtained.

도 2는 상기 나노복합체가 용매 내에서 에멀젼 상태로 존재하는 것을 보여준다. 도 2의 (a)의 경우, 양자점을 혼합하기 전에 용매와 수지만을 혼합한 상태(좌측), 및 이를 교반하여 혼합한 후 일정 시간이 지난 후의 상태(우측)를 보여준다. 즉, 용해도 파라미터 차가 있는 용매와 수지는 이들을 혼합하더라도 에멀젼 상태로 존재하지 못하고, 시간이 지나면 다시 처음과 같은 형태로 용매와 수지간의 상분리가 일어남을 보여준다. 그런데, 여기에, 유기물질로 치환된 양자점을 혼합하는 경우, 도 2의 (b)의 좌측에 나타낸 것처럼, 처음에는 양자점이 용매에만 존재하는 것으로 보이나, 이를 교반하여 혼합하면, 일정 시간 방치하여도, 우측에 나타낸 것처럼, 처음과 같은 상 분리가 일어나지 않고 에멀젼 상태로 존재함을 알 수 있다. 즉, 상기 도 1의 (a), 또는 (b) 그림에서와 같은 양자점-수지 나노복합체가 형성되어 에멀젼 상태로 존재함을 알 수 있다.2 shows that the nanocomposite exists in an emulsion state in a solvent. In the case of (a) of FIG. 2, a state in which only a solvent and a resin are mixed before mixing the quantum dots (left), and a state after a certain time has elapsed after mixing by stirring the quantum dots (right). In other words, it shows that the solvent and the resin having a difference in solubility parameters do not exist in an emulsion state even if they are mixed, and phase separation between the solvent and the resin occurs again in the same form as the first time passes. However, in the case of mixing quantum dots substituted with organic materials here, as shown on the left side of FIG. 2(b), the quantum dots appear to exist only in the solvent at first, but when mixed by stirring, even if left to stand for a certain period of time , As shown on the right, it can be seen that the phase separation as in the first does not occur and exists in an emulsion state. That is, it can be seen that the quantum dot-resin nanocomposite as shown in the figure (a) or (b) of FIG. 1 is formed and exists in an emulsion state.

도 3은 후술하는 실시예에서 사용한 수지, 용매, 및 양자점 표면 치환체들의 용해도 파라미터를 정리하여 나타낸 표이다. 3 is a table showing the solubility parameters of resins, solvents, and quantum dot surface substituents used in Examples to be described later.

상기 표로부터, 수지 TE의 용해도 파라미터가 가장 크고, PDMS 또는 311RM 수지의 용해도 파라미터는 보다 낮음을 알 수 있다. From the above table, it can be seen that the solubility parameter of the resin TE is the largest, and the solubility parameter of the PDMS or 311RM resin is lower.

또한, 상기 표에 나타난 용매인 클로로포름은 헥산 용매보다 용해도 파라미터가 크며, 양자점 표면 치환 물질인 올레산과 TOA(트리옥틸아민)의 용해도 파라미터는 각각 약 15 근처로서, 상기 헥산 용매보다는 조금 높지만 비슷한 용해도 파라미터를 가지고, 상기 클로로포름 용매보다는 낮은 용해도 파라미터를 가짐을 알 수 있다.In addition, chloroform, the solvent shown in the table above, has a higher solubility parameter than the hexane solvent, and the solubility parameters of oleic acid and TOA (trioctylamine), which are quantum dot surface substitution materials, are around 15, respectively, slightly higher than the hexane solvent, but similar solubility parameters. And, it can be seen that it has a lower solubility parameter than the chloroform solvent.

후술하는 실시예로부터 알 수 있는 것처럼, 상기 도 3에 나타난 수지, 용매, 및 양자점 표면의 치환체를 용해도 파라미터에 따라 표 1에 기재된 것과 같이 조합하여 4 종류의 양자점-수지 나노복합체를 제조하였으며, 이들 나노복합체의 입자 크기 및 형태를 표 2에 기재하였다. As can be seen from the examples described below, four kinds of quantum dot-resin nanocomposites were prepared by combining the resin, solvent, and substituents on the surface of the quantum dot shown in FIG. 3 as described in Table 1 according to the solubility parameter. The particle size and shape of the nanocomposite are listed in Table 2.

표 2로부터, 용해도 파라미터가 가장 큰 클로로포름 용매와, 용해도 파라미터가 보다 낮은 TE 수지, 그리고, 용해도 파라미터가 가장 낮은 QD 를 조합하여 나노복합체를 제조한 결과, 나노복합체의 입자 크기는 약 40 nm 이고, 예상과 같이, QD가 수지 TE에 의해 함침된 양자점-수지 나노복합체가 얻어짐을 알 수 있다. 이로부터 얻어진 나노복합체를 포함하는 필름의 원자력 마이크로스코프(atomic force microscope: AFM) 사진을 도 5에 나타내었다. 도 5의 (a)는 나노복합체 필름의 표면 높이에 따른 이미지(height image)를 나타낸 것이고, (b)는 표면에서의 상이한 상의 존재를 보여주는 상 이미지(phase image) 사진이다. 도 5의 우측 사진에는 밝은 점들이 보이는데, 이들이 내부에 양자점을 봉입(encapsulation)하고 있는 수지 입자들이다. From Table 2, as a result of preparing a nanocomposite by combining a chloroform solvent having the largest solubility parameter, a TE resin having a lower solubility parameter, and a QD having the lowest solubility parameter, the particle size of the nanocomposite is about 40 nm, As expected, it can be seen that a quantum dot-resin nanocomposite in which QD is impregnated with resin TE is obtained. Fig. 5 shows an atomic force microscope (AFM) photograph of the film including the nanocomposite obtained therefrom. Figure 5 (a) shows the image (height image) according to the surface height of the nanocomposite film, (b) is a phase image photograph showing the existence of different phases on the surface. Bright dots are visible in the photo on the right side of FIG. 5, which are resin particles encapsulating quantum dots inside.

실시예 2와 실시예 3에 에 따라 제조된 나노복합체를 포함하여 제작된 필름의 AFM 사진이 도 6과 도 7에 각각 나타나 있으며, 도 6과 도 7 모두에서, 보다 선명한 나노복합체 입자들을 볼 수 있다. AFM photographs of the films produced including the nanocomposite prepared according to Example 2 and Example 3 are shown in Figs. 6 and 7, respectively, and in both Figs. 6 and 7, clearer nanocomposite particles can be seen. have.

한편, 표 2 로부터, 실시예 2와 실시예 3에 따른 나노복합체의 입자 크기는, 각각 약 50 nm 와 약 80nm로, 이들은 QD가 수지 내에 봉입된 실시예 1의 나노복합체보다 입자 크기가 다소 커졌음을 알 수 있다. On the other hand, from Table 2, the particle sizes of the nanocomposites according to Example 2 and Example 3 are about 50 nm and about 80 nm, respectively, and these have a slightly larger particle size than the nanocomposite of Example 1 in which QD is enclosed in a resin. You can see that you lost.

도 5 내지 도 7로부터, 본 발명의 실시예에 따라 제조된 양자점-수지 나노복합체는, 제조 후 용매를 제거하고 필름으로 형성하는 과정에서도 처음 제조 당시의 나노입자 형태를 잘 유지하고 있으며, 크기 또한 100 nm 이하로, 작고 균일한 형태로 필름 내에 잘 분산되어 있음을 알 수 있다.From FIGS. 5 to 7, the quantum dot-resin nanocomposite manufactured according to an embodiment of the present invention maintains the shape of the nanoparticles at the time of first manufacturing well even in the process of removing the solvent and forming a film after manufacturing, and the size is also It can be seen that it is less than 100 nm, and is well dispersed in the film in a small and uniform form.

반면, 도 4는 실시예에서 사용한 양자점 표면을 뉴크렐(nucrel) 고분자로 치환한 후, 이를 TE 광경화성 수지 내에 종래의 방식에 따라 기계적으로 혼합, 분산한 후 필름으로 성형한 필름의 광학 현미경 사진이다. 도 4로부터 알 수 있는 것처럼, 종래의 방식에 따라 양자점을 수지에 단순 분산하는 경우에는, 양자점 표면을 고분자로 치환하더라도, 그와 같이 치환된 양자점이 수지 내에 잘 분산되지 않고, 서로 응집하여 약 300 ㎛에 이르는 큰 입자 크기로 존재함을 알 수 있다. On the other hand, FIG. 4 is an optical micrograph of a film formed into a film after replacing the surface of the quantum dot used in the Example with a Nucrel polymer, and then mechanically mixing and dispersing it in a TE photocurable resin according to a conventional method. to be. As can be seen from FIG. 4, in the case of simply dispersing quantum dots in a resin according to a conventional method, even if the surface of the quantum dots is replaced with a polymer, the substituted quantum dots are not well dispersed in the resin, and they aggregate to about 300 It can be seen that it exists in a large particle size up to µm.

한편, 상기 언급한 바와 같이, 상기 구현예에 따라 제조된 양자점-수지 나노복합체는 이를 필름 등 성형품으로 제조하였을 경우, 놀랍게도, 양자점을 포함하지 않고 수지 단독으로만 성형품을 제조한 경우에 비해 약 30% 이상, 예를 들어 약 35% 이상, 예를 들어 약 40% 이상, 예를 들어 약 45% 이상, 예를 들어 약 50% 이상, CTE 값이 감소함을 발견하였다. On the other hand, as mentioned above, when the quantum dot-resin nanocomposite manufactured according to the above embodiment is manufactured as a molded article such as a film, surprisingly, about 30 compared to the case where the molded article is manufactured only with resin without including quantum dots. % Or more, such as at least about 35%, such as at least about 40%, such as at least about 45%, such as at least about 50%, it was found that the CTE value decreased.

일반적으로, 무기 물질에 비해 수지 등 유기 물질의 열팽창계수가 매우 큰 것으로 알려져 있고, 이는 이들 유기 물질을 고온 열처리를 필요로 하는 발광 소자 등에의 적용을 제한하는 중요한 결점으로 생각되고 있다. 이를 해결하기 위하여, 유기 고분자와 무기 물질을 혼합 적용하는 방법이 시도되고 있었으나, 그로부터 만족할 만한 수준의 CTE 감소 효과는 얻어지지 않았다. 그러나, 상기 구현예에 따라, 양자점-수지 나노복합체를 형성한 경우, 이를 포함하는 성형품의 CTE는 양자점을 고분자에 단순 분산시켜 제조한 성형품, 또는 수지만을 단독 포함하는 성형품에 비해 CTE 감소 효과가 현저하다. In general, it is known that the coefficient of thermal expansion of organic materials such as resins is very large compared to inorganic materials, and this is considered to be an important drawback that limits the application of these organic materials to light-emitting devices that require high-temperature heat treatment. In order to solve this problem, a method of applying a mixture of an organic polymer and an inorganic material has been attempted, but a satisfactory level of CTE reduction effect was not obtained therefrom. However, according to the above embodiment, when the quantum dot-resin nanocomposite is formed, the CTE of the molded article including the same has a CTE reduction effect compared to a molded article prepared by simply dispersing the quantum dots in a polymer, or a molded article containing only a resin. It is remarkable.

따라서, 본 발명의 또다른 일 구현예에서는, 상기 나노복합체를 포함하는 성형품으로서, 상기 나노복합체를 구성하는 경화성 수지만 포함하는 성형품에 비해 30% 이상 열팽창계수(CTE)가 감소한 양자점-수지 나노복합체 포함 성형품을 제공한다.Accordingly, in another embodiment of the present invention, as a molded article comprising the nanocomposite, a quantum dot-resin nanocomposite having a reduced coefficient of thermal expansion (CTE) of 30% or more compared to a molded article comprising only the curable resin constituting the nanocomposite. Provides included molded products.

후술하는 실시예로부터 알 수 있는 것처럼, 실시예 1 내지 4에 따라 제조된 나노복합체를 포함하는 수지로부터 제조된 필름은, 각각의 수지를 단독으로 포함하는 경우, 또는 수지에 양자점을 종래 방법에 따라 단순 분산하여 제조된 필름에 비해 열팽창계수가 30% 이상 감소하였다. 특히, 종래의 방법에 따라 양자점을 수지에 단순 분산하여 필름을 제조한 경우에는 수지 단독으로 필름을 제조한 경우보다 약 30% 이상 CTE가 증가함에 반해, 실시예 1 내지 4에서와 같은 나노복합체 형태로 제조한 후 이를 수지에 포함시켜 필름을 제조한 경우 수지 단독으로 필름을 형성한 경우보다 CTE가 30% 이상 감소함으로써, 이를 종래의 QD 파우더를 수지에 단순 분산한 경우와 비교할 경우, 약 50% 이상의 수준으로 CTE를 감소시킬 수 있음을 알 수 있다.As can be seen from the examples to be described later, the films prepared from resins containing nanocomposites prepared according to Examples 1 to 4, when each resin is included alone, or quantum dots are added to the resin according to a conventional method. Compared to the film prepared by simply dispersing, the coefficient of thermal expansion decreased by more than 30%. In particular, in the case of manufacturing a film by simply dispersing the quantum dots in a resin according to a conventional method, the CTE increases by about 30% or more compared to the case of manufacturing the film with the resin alone, whereas the nanocomposite form as in Examples 1 to 4 In the case of manufacturing a film by including it in a resin, the CTE is reduced by 30% or more compared to the case of forming the film with the resin alone, and this is about 50% when compared to the case of simply dispersing the conventional QD powder in the resin. It can be seen that CTE can be reduced to the above level.

상기 성형품은 감소된 CTE로 인해, 고온에서의 열처리를 필요로 하는 다양한 성형품의 제조에 유리하게 사용될 수 있으며, 그러한 성형품의 예로서, 필름, 디스플레이용 기판, 발광 소자 등을 들 수 있고, 이들에 제한되지 않는다. Due to the reduced CTE, the molded article can be advantageously used in the manufacture of various molded articles that require heat treatment at high temperatures, and examples of such molded articles include films, display substrates, light emitting devices, and the like. Not limited.

이하, 실시예를 통해 상기 구현예들을 설명한다. 그러나, 이들 실시예들은 상기 구현예를 구체적으로 예시하거나 설명하기 위한 것에 불과하며, 이로써 본 발명이 제한되는 것은 아니다.Hereinafter, the implementation examples will be described through examples. However, these embodiments are only intended to specifically illustrate or describe the above embodiments, and thus the present invention is not limited thereto.

(( 실시예Example ) )

실시예Example 1 내지 4: 1 to 4: 양자점Quantum dots -수지 나노복합체의 제조 -Preparation of resin nanocomposite

양자점으로는 표면에 올레산 (OA: Oleci Acid) 치환된 InP-ZnS 기반 greenish QD를 사용하고, 용매로서 클로로포름 또는 헥산을 사용하고, 수지로서 1,3,5-Triallyl-1,3,5-triazine-2,4,6(1H,3H,5H)-trione (알드리치-시그마), Pentaerythritol tetrakis(3-mercaptopropionate) (알드리치-시그마), 그리고Irgacure754 개시제(바스프, BASF)의 조합으로 이루어진 Thiolene (TE) 수지, 또는 MINS-311RM (미뉴타텍사, 바이닐 아크릴레이트 기반 수지) 수지를 사용하여, 하기 표 1에서와 같은 세트를 사용하여 양자점-수지 나노복합체를 제조하였다. As a quantum dot, a greenish QD based on InP-ZnS substituted with oleic acid (OA) on the surface is used, chloroform or hexane is used as a solvent, and 1,3,5-Triallyl-1,3,5-triazine is used as a resin. Thiolene consisting of a combination of -2,4,6(1 H ,3 H ,5 H )-trione (Aldrich-Sigma), Pentaerythritol tetrakis(3-mercaptopropionate) (Aldrich-Sigma), and Irgacure754 initiator (BASF) Using (TE) resin, or MINS-311RM (Minutatec, vinyl acrylate-based resin) resin, a quantum dot-resin nanocomposite was prepared using the set shown in Table 1 below.

구체적으로, 수지 대비 약 1 중량%에 해당하는 양자점을 포함하는 용매 약 500 ㎕와 수지 3g을 먼저 혼합한 후, 이를 30 분간 충분히 교반하고, 1시간 진공 분위기에서 용매 제거 과정을 거쳐, 각 양자점-수지 나노복합체를 얻었다. Specifically, about 500 µl of a solvent containing quantum dots corresponding to about 1% by weight of the resin and 3 g of the resin were first mixed, sufficiently stirred for 30 minutes, and subjected to a solvent removal process in a vacuum atmosphere for 1 hour, each quantum dot- A resin nanocomposite was obtained.

얻어진 양자점-수지 나노복합체의 입자 크기와 나노복합체 내 수지와 QD의 분산성을 원자력 마이크로스코프(atomic force microscope: AFM)를 이용하여 측정하고, 그 결과를 하기 표 2에 기재한다. The particle size of the obtained quantum dot-resin nanocomposite and the dispersibility of the resin and QD in the nanocomposite were measured using an atomic force microscope (AFM), and the results are shown in Table 2 below.

용매menstruum 양자점Quantum dots 수지Suzy 실시예 1Example 1 클로로포름chloroform OA로 표면 치환된 InP-ZnS InP-ZnS surface substituted with OA TETE 실시예 2Example 2 헥산Hexane OA로 표면 치환된 InP-ZnSInP-ZnS surface substituted with OA TETE 실시예 3Example 3 클로로포름chloroform OA로 표면 치환된 InP-ZnSInP-ZnS surface substituted with OA MINS-311RMMINS-311RM 실시예 4Example 4 헥산Hexane OA로 표면 치환된 InP-ZnSInP-ZnS surface substituted with OA MINS-311RMMINS-311RM

나노복합체 크기Nanocomposite size 형태shape 실시예 1Example 1 40 nm40 nm QD가 수지에 봉입(encapsulated)된 형태QD is encapsulated in resin 실시예 2Example 2 50 nm50 nm 수지 입자 표면에 QD가 코팅된 형태QD coated on the surface of resin particles 실시예 3Example 3 80 nm80 nm QD가 수지 입자에 균일하게 분산된 형태QD is uniformly dispersed in resin particles

필름 제조 및 평가Film manufacturing and evaluation

실시예 1 내지 4에 따라 제조된 양자점-수지 나노복합체를, 각각의 제조시 사용한 수지 내에 20:80의 중량비로 혼합한 나노복합체-수지 혼합물을, 스페이서 (spacer)를 둔 PET 상부 및 하부 기판 사이에 100 ㎛ 두께로 코팅하고, CL-1000, Inocure-System 등 UV 경화기를 통해 경화시키고, PET 상하부 기판을 제거하여 나노복합체 포함수지 필름을 제조한다. The quantum dot-resin nanocomposite prepared according to Examples 1 to 4 was mixed in the resin used in each production at a weight ratio of 20:80, and a nanocomposite-resin mixture was prepared between the upper and lower PET substrates with spacers. It is coated with a thickness of 100 μm, cured through a UV curing machine such as CL-1000 and Inocure-System, and the upper and lower PET substrates are removed to prepare a resin film containing nanocomposite.

상기 제조된 필름의 표면을 원자력 마이크로스코프 (atomic force microscope: AFM) 사진으로 촬영하여 도 5 내지 도 7에 나타낸다. 도5는 실시예 1에 따라 제조된 양자점-수지 나노복합체를 포함하는 필름 표면 사진이고, 도 6은 실시예 2에 따라 제조된 양자점-수지 나노복합체를 포함하는 필름 표면 사진이고, 도 7은 실시예 3에 따라 제조된 양자점-수지 나노복합체를 포함하는 필름 표면 사진이다. 이들 표면 사진으로부터, 제조된 필름 내에 양자점-수지 나노복합체가 균일하게 분산되어 있음을 알 수 있다.The surface of the prepared film is photographed with an atomic force microscope (AFM), and is shown in FIGS. 5 to 7. 5 is a photograph of a film surface including a quantum dot-resin nanocomposite prepared according to Example 1, FIG. 6 is a photograph of a film surface including a quantum dot-resin nanocomposite prepared according to Example 2, and FIG. 7 is an implementation This is a photograph of a film surface including a quantum dot-resin nanocomposite prepared according to Example 3. From these surface photographs, it can be seen that the quantum dot-resin nanocomposite is uniformly dispersed in the prepared film.

한편, 도 4는 비교예로서, 상기 실시예에서 사용한 InP-ZnS 양자점 표면을 고분자 뉴크렐(nucrel; 듀퐁사제)로 치환한 후, 이를 TE 수지에 20 중량% 함량으로 기계적 분산하여 제조한 필름의 AFM 표면 사진이다. 도 4의 경우, 실시예 1 내지 3에 따른 양자점-수지 나노복합체를 포함하는 도 5 내지 도 7의 필름 사진과는 달리, 필름 내에 상기 양자점들이 잘 분산되지 않고 뭉쳐져 있는 것을 볼 수 있다. 이 경우, 양자점 응집체의 크기는 약 300 ㎛ 정도로, 이는 상기 실시예에 따른 양자점-수지 나노복합체의 필름 내 분산된 크기(100 nm 이하)와는 비교할 수 없을 정도로 크다. Meanwhile, FIG. 4 is a comparative example of a film prepared by replacing the surface of the InP-ZnS quantum dot used in the above example with a polymer nucrel (manufactured by DuPont), and then mechanically dispersing it in a TE resin in an amount of 20% by weight. This is a picture of the AFM surface. In the case of FIG. 4, it can be seen that the quantum dots are not well dispersed and aggregated in the film, unlike the film photos of FIGS. 5 to 7 including the quantum dot-resin nanocomposite according to Examples 1 to 3. In this case, the size of the quantum dot aggregate is about 300 μm, which is so large that it cannot be compared with the dispersed size (100 nm or less) in the film of the quantum dot-resin nanocomposite according to the above embodiment.

또한, 상기 제조된 필름의 CTE를 측정하였다. 이 때, 비교를 위해, TE 또는 311RM 수지 단독, 또는 이들 수지에 실시예에서 사용된 QD를 동일 함량으로 종래 방식대로 수지에 그대로 분산시켜 제조한 필름들의 CTE도 함께 측정하였다. 결과는 하기 표 3에 나타낸다. In addition, the CTE of the prepared film was measured. At this time, for comparison, the CTE of the films prepared by dispersing the TE or 311RM resin alone or the QD used in the examples in the same amount in the resin in the same manner as in the conventional manner was also measured. The results are shown in Table 3 below.

필름 film CTECTE ( ( ppmKppmK -1-One )) TE 단독 필름TE sole film 160160 QD분산 TE필름 QD dispersion TE film 200200 실시예 1 복합체 포함 TE 필름 Example 1 TE Film with Composite 125125 실시예 2 복합체 포함 TE 필름 Example 2 TE film with composite 148148 311RM 단독 필름311RM single film 136136 QD분산 311RM 필름QD dispersion 311RM film 181181 실시예 3 복합체 포함 311RM 필름Example 3 311RM Film with Composite 8484 실시예 4 복합체 포함 311RM필름Example 4 311RM film containing composite 110110

상기 표3으로부터 볼 수 있는 것처럼, 수지 단독 또는 QD 파우더를 단순히 수지에 분산한 경우에 비해, 실시예 1 내지 4에 따른 양자점-수지 나노복합체를 이용하여 필름을 제조한 경우, CTE가 수지 단독으로 사용한 경우에 비해 30% 이상씩 감소하였음을 알 수 있다. 특히, 종래의 방법에 따라, QD 를 수지에 단순 분산하여 필름을 제조한 경우에는, 수지 단독으로 필름을 제조한 경우보다 약 30% 이상 CTE가 증가하였음에 반해, 실시예 1 내지 4에서와 같은 나노복합체 형태로 제조한 후 이를 수지에 포함시켜 필름을 제조한 경우, CTE는 수지 단독으로 필름을 형성한 경우보다 30% 이상 CTE가 감소함으로써, 기존의 QD 파우더를 수지에 단순 분산한 경우와 비교해서는 약 50% 이상의 수준으로 CTE를 감소시킬 수 있음을 알 수 있다. As can be seen from Table 3, when a film was prepared using the quantum dot-resin nanocomposite according to Examples 1 to 4, compared to the case where the resin alone or the QD powder was simply dispersed in the resin, the CTE was the resin alone. It can be seen that it decreased by more than 30% compared to the case of use. In particular, in the case of manufacturing a film by simply dispersing QD in a resin according to a conventional method, the CTE increased by about 30% or more compared to the case of manufacturing the film with the resin alone, whereas the same as in Examples 1 to 4 In the case of manufacturing a film by including it in a resin after manufacturing it in the form of a nanocomposite, CTE decreases by 30% or more compared to the case of forming a film with the resin alone, compared to the case of simply dispersing the existing QD powder in the resin. It can be seen that CTE can be reduced by about 50% or more.

이상 본 발명의 바람직한 실시예에 대해 상세하게 설명하였으나, 본 발명은 이에 한정되는 것이 아니고, 다음의 청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리 범위에 속하는 것이다. 
Although the preferred embodiments of the present invention have been described in detail above, the present invention is not limited thereto, and various modifications and improvements of those skilled in the art using the basic concept of the present invention defined in the following claims are also the right of the present invention. It belongs to the scope.

Claims (18)

양자점 표면에 치환된 유기물질, 경화성 수지, 및 용매가 용해도 파라미터 차를 가지도록, 상기 양자점 표면에 치환될 유기물질, 경화성 수지, 및 용매를 선택하고,
상기 선택된 유기물질로 양자점 표면을 처리하여 치환하고,
상기 유기물질로 표면 치환된 양자점과, 상기 선택된 경화성 수지, 및 상기 용매를 혼합하여 에멀젼화하는 것을 포함하는 나노입자 형태의 양자점-수지 나노복합체의 제조 방법으로서,
상기 용매, 경화성 수지, 및 양자점 표면에 치환된 유기물질은 용해도 파라미터가 각각 10 MPa1/2 내지 30 MPa1/2 사이의 값을 가지도록 선택되고,
상기 양자점 표면에 치환된 유기물질은 메탄산, 에탄산, 프로판산, 부탄산, 펜탄산, 헥산산, 헵탄산, 옥탄산, 도데칸산, 헥사데칸산, 옥타데칸산, 올레인산, 벤조산, 또는 이들의 조합을 포함하는 산으로부터 유래하는 물질을 포함하고,
상기 수지는 티올렌 수지를 포함하고,
상기 용해도 파라미터 차는 상기 용매의 용해도 파라미터가 상기 양자점 표면에 치환된 유기물질의 용해도 파라미터 및 상기 수지의 용해도 파라미터 보다 크고 상기 양자점 표면에 치환된 유기물질의 용해도 파라미터가 가장 작고, 상기 수지의 용해도 파라미터는 상기 용매의 용해도 파라미터와 상기 양자점 표면에 치환된 유기물질의 용해도 파라미터 사이의 값을 가지는 것인 양자점-수지 나노복합체의 제조 방법.
Selecting an organic material, a curable resin, and a solvent to be substituted on the surface of the quantum dot so that the organic material, the curable resin, and the solvent substituted on the surface of the quantum dot have a difference in solubility parameter,
Treating the surface of the quantum dot with the selected organic material and replacing it,
As a method for producing a nanoparticle-shaped quantum dot-resin nanocomposite comprising emulsifying a quantum dot surface-substituted with the organic material by mixing the selected curable resin, and the solvent,
The solvent, the curable resin, and the organic material substituted on the surface of the quantum dot are selected so that the solubility parameter has a value between 10 MPa 1/2 to 30 MPa 1/2, respectively,
The organic material substituted on the surface of the quantum dot is methanic acid, ethanic acid, propanoic acid, butanoic acid, pentanoic acid, hexanoic acid, heptanoic acid, octanoic acid, dodecanoic acid, hexadecanoic acid, octadecanoic acid, oleic acid, benzoic acid, or these Including a substance derived from an acid containing a combination of,
The resin includes a thiolene resin,
The difference in the solubility parameter is that the solubility parameter of the solvent is greater than the solubility parameter of the organic material substituted on the surface of the quantum dot and the solubility parameter of the resin, and the solubility parameter of the organic material substituted on the surface of the quantum dot is the smallest, and the solubility parameter of the resin is The method of manufacturing a quantum dot-resin nanocomposite having a value between the solubility parameter of the solvent and the solubility parameter of the organic material substituted on the surface of the quantum dot.
삭제delete 삭제delete 삭제delete 제1항에서,상기 양자점 표면에 치환된 유기물질은 티올, 아민, 포스핀, 또는 인산으로부터 유래하는 물질을 더 포함하는 양자점-수지 나노복합체의 제조 방법.The method of claim 1, wherein the organic material substituted on the surface of the quantum dot further comprises a material derived from thiol, amine, phosphine, or phosphoric acid. 제5항에서,
상기 티올은 메탄 티올, 에탄 티올, 프로판 티올, 부탄 티올, 펜탄 티올, 헥산 티올, 옥탄 티올, 도데칸 티올, 헥사데칸 티올, 옥타데칸 티올, 벤질 티올, 또는 이들의 조합을 포함하고;
상기 아민은 메틸 아민, 에틸 아민, 프로필 아민, 부틸 아민, 펜틸 아민, 헥실 아민, 옥틸 아민, 도데실 아민, 헥사데실 아민, 옥타데실 아민, 디메틸 아민, 디에틸 아민, 디프로필 아민, 또는 이들의 조합을 포함하고;
상기 포스핀은 메틸 포스핀, 에틸 포스핀, 프로필 포스핀, 부틸 포스핀, 펜틸 포스핀, 메틸 포스핀 옥사이드, 에틸 포스핀 옥사이드, 프로필 포스핀 옥사이드, 부틸 포스핀 옥사이드, 다이페닐 포스핀, 트리페닐 포스핀, 다이페닐 포스핀옥사이드, 트리페닐 포스핀 옥사이드, 포스폰산(phosphonic acid), 또는 이들의 조합을 포함하는 것인 양자점-수지 나노복합체의 제조 방법.
In clause 5,
The thiols include methane thiol, ethane thiol, propane thiol, butane thiol, pentane thiol, hexane thiol, octane thiol, dodecane thiol, hexadecane thiol, octadecane thiol, benzyl thiol, or combinations thereof;
The amine is methyl amine, ethyl amine, propyl amine, butyl amine, pentyl amine, hexyl amine, octyl amine, dodecyl amine, hexadecyl amine, octadecyl amine, dimethyl amine, diethyl amine, dipropyl amine, or their Includes a combination;
The phosphine is methyl phosphine, ethyl phosphine, propyl phosphine, butyl phosphine, pentyl phosphine, methyl phosphine oxide, ethyl phosphine oxide, propyl phosphine oxide, butyl phosphine oxide, diphenyl phosphine, tri A method for producing a quantum dot-resin nanocomposite comprising phenyl phosphine, diphenyl phosphine oxide, triphenyl phosphine oxide, phosphonic acid, or a combination thereof.
삭제delete 제1항의 방법에 따라 제조되는, 경화성 수지와 다수의 양자점이 나노입자 형태를 이루며 존재하는 양자점-수지 나노복합체.A quantum dot-resin nanocomposite in which a curable resin and a plurality of quantum dots are formed according to the method of claim 1 in the form of nanoparticles. 제8항에서, 상기 양자점-수지 나노복합체는 나노입자 형태의 경화성 수지 내에 하나 이상의 양자점이 봉입된(encapsulated) 형태인 양자점-수지 나노복합체.The quantum dot-resin nanocomposite of claim 8, wherein the quantum dot-resin nanocomposite is a form in which at least one quantum dot is encapsulated in a curable resin in the form of nanoparticles. 삭제delete 삭제delete 제8항에서, 상기 양자점-수지 나노복합체의 입경은 20 nm 내지 5 ㎛ 인 양자점-수지 나노복합체. The quantum dot-resin nanocomposite of claim 8, wherein the quantum dot-resin nanocomposite has a particle diameter of 20 nm to 5 µm. 제8항에서, 상기 경화성 수지는 열 경화성 수지 또는 광 경화성 수지인 양자점-수지 나노복합체.The quantum dot-resin nanocomposite of claim 8, wherein the curable resin is a thermosetting resin or a photocurable resin. 삭제delete 제8항의 양자점-수지 나노복합체, 및 매트릭스 수지를 포함하며,
상기 나노복합체를 구성하는 경화성 수지로만 이루어진 성형품에 비해 열팽창계수(CTE)가 21.875 % 이상 감소한 성형품.
Including the quantum dot-resin nanocomposite of claim 8, and a matrix resin,
A molded article having a reduced coefficient of thermal expansion (CTE) of 21.875% or more compared to a molded article composed of only curable resin constituting the nanocomposite.
제8항의 양자점-수지 나노복합체, 및 매트릭스 수지를 포함하며,
상기 매트릭스 수지에 상기 양자점을 분산하여 제조된 성형품에 비해 열팽창계수(CTE)가 30% 이상 감소한 성형품.
Including the quantum dot-resin nanocomposite of claim 8, and a matrix resin,
A molded article having a reduced coefficient of thermal expansion (CTE) of 30% or more compared to a molded article manufactured by dispersing the quantum dots in the matrix resin.
제15항에서, 상기 성형품은 필름, 디스플레이용 기판, 또는 발광 소자인 성형품.The molded article of claim 15, wherein the molded article is a film, a display substrate, or a light emitting device. 삭제delete
KR1020130114044A 2013-09-25 2013-09-25 Quantum dot-resin nanocomposite and method of preparing same Active KR102223504B1 (en)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020130114044A KR102223504B1 (en) 2013-09-25 2013-09-25 Quantum dot-resin nanocomposite and method of preparing same
US14/308,506 US9963632B2 (en) 2013-09-25 2014-06-18 Quantum dot-resin nanocomposite and method of preparing same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020130114044A KR102223504B1 (en) 2013-09-25 2013-09-25 Quantum dot-resin nanocomposite and method of preparing same

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20150034013A KR20150034013A (en) 2015-04-02
KR102223504B1 true KR102223504B1 (en) 2021-03-04

Family

ID=52690140

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020130114044A Active KR102223504B1 (en) 2013-09-25 2013-09-25 Quantum dot-resin nanocomposite and method of preparing same

Country Status (2)

Country Link
US (1) US9963632B2 (en)
KR (1) KR102223504B1 (en)

Families Citing this family (75)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102223504B1 (en) * 2013-09-25 2021-03-04 삼성전자주식회사 Quantum dot-resin nanocomposite and method of preparing same
US20160019360A1 (en) 2013-12-04 2016-01-21 Apple Inc. Wellness aggregator
US12080421B2 (en) 2013-12-04 2024-09-03 Apple Inc. Wellness aggregator
CN103728837B (en) * 2013-12-30 2016-08-31 京东方科技集团股份有限公司 Photosensitve resin composition and the method preparing quantum dot pattern with Photosensitve resin composition
KR102720918B1 (en) 2014-08-02 2024-10-24 애플 인크. Context-specific user interfaces
JP6432848B2 (en) * 2014-08-14 2018-12-05 エルジー・ケム・リミテッド Luminous film (LIGHT-EMITTING FILM)
WO2016024827A1 (en) * 2014-08-14 2016-02-18 주식회사 엘지화학 Light-emitting film
US10452253B2 (en) 2014-08-15 2019-10-22 Apple Inc. Weather user interface
EP3872814A1 (en) 2014-09-02 2021-09-01 Apple Inc. Physical activity and workout monitor
WO2016144385A1 (en) 2015-03-08 2016-09-15 Apple Inc. Sharing user-configurable graphical constructs
EP3283561A1 (en) * 2015-04-16 2018-02-21 3M Innovative Properties Company Quantum dot article with thiol-alkene-epoxy matrix
EP3283294A1 (en) * 2015-04-16 2018-02-21 3M Innovative Properties Company Quantum dot article with thiol-epoxy matrix
KR101829746B1 (en) 2015-06-02 2018-03-29 삼성에스디아이 주식회사 Quantum Dot, Composition Including the Same and Method of Preparing Quantum Dot
US9916075B2 (en) 2015-06-05 2018-03-13 Apple Inc. Formatting content for a reduced-size user interface
US11024778B2 (en) 2015-06-10 2021-06-01 Research & Business Foundation Sungkyunkwan University Large scale film containing quantum dots or dye, and production method therefor
KR101938284B1 (en) * 2015-06-15 2019-01-15 주식회사 엘지화학 Fluorescent complex, light conversion film, light conversioni device and display appratus comprising the same
WO2017030646A1 (en) 2015-08-20 2017-02-23 Apple Inc. Exercise-based watch face and complications
EP3350285A1 (en) 2015-09-15 2018-07-25 3M Innovative Properties Company Additive stabilized composite nanoparticles
US10829687B2 (en) 2015-09-15 2020-11-10 3M Innovative Properties Company Additive stabilized composite nanoparticles
WO2017087170A1 (en) * 2015-11-18 2017-05-26 3M Innovative Properties Company Copolymeric stabilizing carrier fluid for nanoparticles
WO2017116820A1 (en) * 2015-12-31 2017-07-06 3M Innovative Properties Company Curable quantum dot compositions and articles
KR20180091933A (en) 2015-12-31 2018-08-16 쓰리엠 이노베이티브 프로퍼티즈 컴파니 An article comprising particles having quantum dots
EP3208291A1 (en) * 2016-02-16 2017-08-23 Henkel AG & Co. KGaA Nanocrystal epoxy thiol composite material and nanocrystal epoxy thiol composite film
CN108699433B (en) * 2016-02-17 2020-08-14 3M创新有限公司 Quantum dots with stable fluorochemical copolymers
TWI774664B (en) * 2016-04-12 2022-08-21 美商羅門哈斯電子材料有限公司 Method for producing encapsulated quantum dots
KR102529150B1 (en) 2016-05-11 2023-05-03 삼성전자주식회사 Light conversion device, making method thereof, light source module and backlight unit including the same
US12175065B2 (en) 2016-06-10 2024-12-24 Apple Inc. Context-specific user interfaces for relocating one or more complications in a watch or clock interface
AU2017100667A4 (en) 2016-06-11 2017-07-06 Apple Inc. Activity and workout updates
US11216119B2 (en) 2016-06-12 2022-01-04 Apple Inc. Displaying a predetermined view of an application
KR101970724B1 (en) * 2016-06-14 2019-04-22 삼성에스디아이 주식회사 Photosensitive resin composition, photosensitive resin layer and color filter using same
US10544168B2 (en) * 2016-06-15 2020-01-28 Alliance For Sustainable Energy, Llc Ligand-exchangeable nanoparticles and methods of making the same
WO2018017514A1 (en) 2016-07-20 2018-01-25 3M Innovative Properties Company Stabilizing styrenic polymer for quantum dots
WO2018017513A1 (en) 2016-07-20 2018-01-25 3M Innovative Properties Company Stabilizing styrenic polymer for quantum dots
CN106189826B (en) * 2016-07-28 2018-09-21 厦门玻尔科技有限公司 The self-enclosed quantum dot film in edge
EP3321340B1 (en) 2016-08-11 2021-05-12 Samsung Electronics Co., Ltd. Quantum dot aggregate particles, production methods thereof, and compositions and electronic devices including the same
KR102028640B1 (en) * 2016-09-13 2019-11-04 삼성에스디아이 주식회사 Photosensitive resin composition, photosensitive resin layer and color filter using same
US10736543B2 (en) 2016-09-22 2020-08-11 Apple Inc. Workout monitor interface
EP3323870A1 (en) * 2016-10-19 2018-05-23 Samsung Electronics Co., Ltd. Quantum dot-polymer composite film, method of manufacturing the same, and device including the same
KR102028968B1 (en) 2016-10-20 2019-10-07 동우 화인켐 주식회사 Quantum dot dispersion, self emission type photosensitive resin composition comprising the same, color filter and image display device produced using the same
US10889755B2 (en) 2016-11-22 2021-01-12 Samsung Electronics Co., Ltd. Photosensitive resin composition, complex, laminated structure and display device, and electronic device including the same
US10689511B2 (en) 2017-01-04 2020-06-23 Samsung Electronics Co., Ltd. Compositions, composites prepared therefrom, and electronic devices including the same
KR101998731B1 (en) * 2017-02-10 2019-07-10 삼성에스디아이 주식회사 Photosensitive resin composition, photosensitive resin layer and color filter using same
JP7039842B2 (en) * 2017-02-15 2022-03-23 大日本印刷株式会社 Image display device
US10508232B2 (en) 2017-02-16 2019-12-17 Dow Global Technologies Llc Polymer composites and films comprising reactive additives having thiol groups for improved quantum dot dispersion and barrier properties
CN110799621A (en) * 2017-05-10 2020-02-14 纳米系统公司 Silicone copolymers as emulsification additives for quantum dot resin premixes
DK179412B1 (en) 2017-05-12 2018-06-06 Apple Inc Context-Specific User Interfaces
KR101977282B1 (en) * 2017-05-12 2019-05-10 한국과학기술연구원 Quantum dots containing thiol-based ligands and methods of manufacturing the same
US10845955B2 (en) 2017-05-15 2020-11-24 Apple Inc. Displaying a scrollable list of affordances associated with physical activities
KR102389815B1 (en) * 2017-06-05 2022-04-22 삼성전자주식회사 Quantum dot glass cell and light emitting device package comprising the same
DK179992B1 (en) 2018-05-07 2020-01-14 Apple Inc. DISPLAY OF USER INTERFACES ASSOCIATED WITH PHYSICAL ACTIVITIES
US11317833B2 (en) 2018-05-07 2022-05-03 Apple Inc. Displaying user interfaces associated with physical activities
US11327650B2 (en) 2018-05-07 2022-05-10 Apple Inc. User interfaces having a collection of complications
US10953307B2 (en) 2018-09-28 2021-03-23 Apple Inc. Swim tracking and notifications for wearable devices
US20220127286A1 (en) * 2019-03-04 2022-04-28 Merck Patent Gmbh Ligands for nano-sized materials
US11960701B2 (en) 2019-05-06 2024-04-16 Apple Inc. Using an illustration to show the passing of time
DK201970532A1 (en) 2019-05-06 2021-05-03 Apple Inc Activity trends and workouts
US11131967B2 (en) 2019-05-06 2021-09-28 Apple Inc. Clock faces for an electronic device
CN112805671A (en) 2019-05-06 2021-05-14 苹果公司 Limited operation of electronic devices
KR102746317B1 (en) 2019-05-24 2024-12-24 삼성디스플레이 주식회사 Quantum dot polymer composite pattern, production method thereof, and electronic device including the same
EP3977232A1 (en) 2019-06-01 2022-04-06 Apple Inc. Multi-modal activity tracking user interface
DK180684B1 (en) 2019-09-09 2021-11-25 Apple Inc Techniques for managing display usage
DK202070616A1 (en) 2020-02-14 2022-01-14 Apple Inc User interfaces for workout content
DK202070625A1 (en) 2020-05-11 2022-01-04 Apple Inc User interfaces related to time
CN115904596B (en) 2020-05-11 2024-02-02 苹果公司 User interface for managing user interface sharing
US11372659B2 (en) 2020-05-11 2022-06-28 Apple Inc. User interfaces for managing user interface sharing
US11884858B2 (en) 2020-06-18 2024-01-30 Samsung Electronics Co., Ltd. Semiconductor nanocrystal, light-emitting film, production method of the light-emitting film, light emitting device, and display device
US12344784B2 (en) 2020-08-31 2025-07-01 Quantum Advanced Solutions Limited Stabilized perovskite quantum dot material
US11694590B2 (en) 2020-12-21 2023-07-04 Apple Inc. Dynamic user interface with time indicator
US11720239B2 (en) 2021-01-07 2023-08-08 Apple Inc. Techniques for user interfaces related to an event
US12182373B2 (en) 2021-04-27 2024-12-31 Apple Inc. Techniques for managing display usage
US11921992B2 (en) 2021-05-14 2024-03-05 Apple Inc. User interfaces related to time
WO2022245669A1 (en) 2021-05-15 2022-11-24 Apple Inc. User interfaces for group workouts
US20230236547A1 (en) 2022-01-24 2023-07-27 Apple Inc. User interfaces for indicating time
US11896871B2 (en) 2022-06-05 2024-02-13 Apple Inc. User interfaces for physical activity information
US11977729B2 (en) 2022-06-05 2024-05-07 Apple Inc. Physical activity information user interfaces

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2013041864A1 (en) * 2011-09-23 2013-03-28 Nanoco Technologies Ltd Semiconductor nanoparticle-based light emitting materials

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
ATE491230T1 (en) 2000-10-04 2010-12-15 Univ Arkansas SYNTHESIS OF COLLOIDAL METAL CHALCOGENIDE NANOCRYSTALS
JP2005508493A (en) * 2001-06-28 2005-03-31 アドヴァンスト リサーチ アンド テクノロジー インスティテュート、インコーポレイティッド Multicolor quantum dot labeled beads and method for producing the conjugate
KR100632632B1 (en) * 2004-05-28 2006-10-12 삼성전자주식회사 Method for preparing a multi-layer of nano-crystals and organic-inorganic hybrid electro-luminescence device using the same
US20080044340A1 (en) 2004-06-10 2008-02-21 Ohio University Method for Producing Highly Monodisperse Quantum Dots
KR100678285B1 (en) 2005-01-20 2007-02-02 삼성전자주식회사 Light Emitting Diode Quantum Dot Phosphors And Manufacturing Method Thereof
US20070096083A1 (en) * 2005-10-27 2007-05-03 Intel Corporation Substrate core polymer nanocomposite with nanoparticles and randomly oriented nanotubes and method
US8941293B2 (en) * 2006-05-11 2015-01-27 Samsung Electronics Co., Ltd. Solid state lighting devices comprising quantum dots
US8618528B2 (en) * 2007-03-20 2013-12-31 Samsung Electronics Co., Ltd. Quantum dot particles on the micron or nanometer scale and method of making the same
KR101421619B1 (en) * 2008-05-30 2014-07-22 삼성전자 주식회사 Nanocrystalline-metal oxide-polymer composites and methods for making same
US20090137172A1 (en) * 2008-12-04 2009-05-28 Lei Huang Colorant media and articles having photo-stable and surface-functionalizable colorant particles
KR101462656B1 (en) * 2008-12-16 2014-11-17 삼성전자 주식회사 Method for producing nanoparticle / block copolymer complex
GB0916699D0 (en) * 2009-09-23 2009-11-04 Nanoco Technologies Ltd Semiconductor nanoparticle-based materials
WO2011133228A2 (en) * 2010-04-23 2011-10-27 Pixelligent Technologies, Llc Synthesis, capping and dispersion of nanocrystals
JP5801886B2 (en) * 2010-07-01 2015-10-28 サムスン エレクトロニクス カンパニー リミテッド Composition for luminescent particle-polymer composite, luminescent particle-polymer composite, and device including the same
US20120113671A1 (en) 2010-08-11 2012-05-10 Sridhar Sadasivan Quantum dot based lighting
JP5940079B2 (en) * 2010-11-10 2016-06-29 ナノシス・インク. Display backlight unit and method for forming display backlight unit
KR101217195B1 (en) 2010-11-30 2012-12-31 한국기초과학지원연구원 Method of controlling size of quantum dots
JP5937521B2 (en) 2011-01-28 2016-06-22 昭和電工株式会社 Composition including quantum dot phosphor, quantum dot phosphor dispersed resin molded body, structure including quantum dot phosphor, light emitting device, electronic device, mechanical device, and method for producing quantum dot phosphor dispersed resin molded body
KR101702000B1 (en) * 2011-10-21 2017-02-03 삼성전자 주식회사 Semiconductor nanocrystal-polymer composite particle, method of preparing the same and composite film and optoelectronic device including the same
KR101739576B1 (en) * 2011-10-28 2017-05-25 삼성전자주식회사 Semiconductor nanocrystal-polymer micronized composite, method of preparing the same, and optoelectronic device
KR101546937B1 (en) * 2012-04-04 2015-08-25 삼성전자 주식회사 Film for Backlight Unit and Backlight Unit and Liquid Crystal Display Including Same
KR102223504B1 (en) * 2013-09-25 2021-03-04 삼성전자주식회사 Quantum dot-resin nanocomposite and method of preparing same

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2013041864A1 (en) * 2011-09-23 2013-03-28 Nanoco Technologies Ltd Semiconductor nanoparticle-based light emitting materials

Also Published As

Publication number Publication date
US20150083970A1 (en) 2015-03-26
US9963632B2 (en) 2018-05-08
KR20150034013A (en) 2015-04-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102223504B1 (en) Quantum dot-resin nanocomposite and method of preparing same
US10001671B2 (en) Nanocrystal polymer composites and production methods thereof
KR102427698B1 (en) Quantum dot-polymer micronized composite, production method thereof, and article and electronic device including the same
EP2588448B1 (en) Composition for light-emitting particle-polymer composite, light-emitting particle-polymer composite, and device including the light-emitting particle-polymer composite
US10559726B2 (en) Layered structures and quantum dot sheets and electronic devices including the same
CN108219769B (en) Emissive nanocrystal particles, methods of making the same, and devices including the same
KR101644051B1 (en) Optoelectronic device and laminated structure
KR102309892B1 (en) Compositions and polymer composites prepared from the same
KR102334395B1 (en) Barrier coating compositions, composites prepared therefrom, and quantum dot polymer composite articles including the same
KR102282214B1 (en) Composition for adhesive of gas barrier adhesive sheet, gas barrier adhesive sheet, and optical sheet having gas barrier adhesive sheet
KR101771175B1 (en) Optoelectronic device and laminated structure
KR102569311B1 (en) Photoluminescent polarizers and electronic devices including the same
KR101546938B1 (en) Nanocrystal polymer composites and processes for preparing the same
US11098244B2 (en) Composition comprising inorganic nano particle structure, light conversion thin film using the same, and display apparatus using the film
KR102309848B1 (en) Quantum dot nanoparticle and manufacturing method thereof
KR102303927B1 (en) Manufacture method of micellar polymer protective layer using block copolymer and quantum dot used thereby
KR102324378B1 (en) Semiconductor nanoparticle with hydrophobic side chain ligand-polymer nanocomposite, preparation method thereof and optoelectronic device comprising the same
KR101569084B1 (en) Photoluminescent layered composites and back light unit and display device including the same
KR101878371B1 (en) Preparaion method of semiconductor nanocrystal composite resin composition
KR102681437B1 (en) Quantum dot ink composition
KR102681435B1 (en) Quantum dot ink composition
KR102681502B1 (en) Quantum dot ink composition
KR101921611B1 (en) Semiconductor nanocrystal film
TWI555820B (en) Stabilizer or binder and manufacturing method thereof for phosphorescent materials
KR20230160418A (en) Display device and manufacturing method thereof

Legal Events

Date Code Title Description
PA0109 Patent application

Patent event code: PA01091R01D

Comment text: Patent Application

Patent event date: 20130925

PG1501 Laying open of application
AMND Amendment
PA0201 Request for examination

Patent event code: PA02012R01D

Patent event date: 20180927

Comment text: Request for Examination of Application

Patent event code: PA02011R01I

Patent event date: 20130925

Comment text: Patent Application

E902 Notification of reason for refusal
PE0902 Notice of grounds for rejection

Comment text: Notification of reason for refusal

Patent event date: 20200219

Patent event code: PE09021S01D

AMND Amendment
E601 Decision to refuse application
PE0601 Decision on rejection of patent

Patent event date: 20201026

Comment text: Decision to Refuse Application

Patent event code: PE06012S01D

Patent event date: 20200219

Comment text: Notification of reason for refusal

Patent event code: PE06011S01I

X091 Application refused [patent]
AMND Amendment
PX0901 Re-examination

Patent event code: PX09011S01I

Patent event date: 20201026

Comment text: Decision to Refuse Application

Patent event code: PX09012R01I

Patent event date: 20200417

Comment text: Amendment to Specification, etc.

Patent event code: PX09012R01I

Patent event date: 20180927

Comment text: Amendment to Specification, etc.

PX0701 Decision of registration after re-examination

Patent event date: 20201203

Comment text: Decision to Grant Registration

Patent event code: PX07013S01D

Patent event date: 20201126

Comment text: Amendment to Specification, etc.

Patent event code: PX07012R01I

Patent event date: 20201026

Comment text: Decision to Refuse Application

Patent event code: PX07011S01I

Patent event date: 20200417

Comment text: Amendment to Specification, etc.

Patent event code: PX07012R01I

Patent event date: 20180927

Comment text: Amendment to Specification, etc.

Patent event code: PX07012R01I

X701 Decision to grant (after re-examination)
GRNT Written decision to grant
PR0701 Registration of establishment

Comment text: Registration of Establishment

Patent event date: 20210226

Patent event code: PR07011E01D

PR1002 Payment of registration fee

Payment date: 20210226

End annual number: 3

Start annual number: 1

PG1601 Publication of registration