KR102185623B1 - 박막증착장치 및 박막증착방법 - Google Patents
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Abstract
Description
도 2는 기판의 상면에 박막이 증착되는 경우에 기판에 서로 다른 방향의 두 종류의 응력이 작용하는 현상을 설명하기 위한 도면이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 박막증착장치의 측단면도이다.
도 4는 기판지지부 및 하부 샤워헤드의 조립체를 도시한 사시도이다.
도 5는 기판의 하면을 도시한 도면으로서, 도 4에 제시된 기판지지부의 가림부에 의해 기판 하면에서 가려지는 제1 영역(S1)과 개방된 제2 영역(S2)을 도시한 도면이다.
도 6의 (A)는 다른 실시예에 따른 기판지지부 및 하부 샤워헤드의 조립체를 도시한 평면도이고, 도 6의 (B)는 도 6의 (A)에 제시된 기판지지부의 가림부에 의해 기판 하면에서 가려지는 제1 영역(S1)과 개방된 제2 영역(S2)을 도시한 도면이다.
도 7의 (A)는 또 다른 실시예에 따른 기판지지부 및 하부 샤워헤드의 조립체를 도시한 평면도이고, 도 7의 (B)는 도 7의 (A)에 제시된 기판지지부의 가림부에 의해 기판 하면에서 가려지는 제1 영역(S1)과 개방된 제2 영역(S2)을 도시한 도면이다.
도 8의 (A)는 또 다른 실시예에 따른 기판지지부 및 하부 샤워헤드의 조립체를 도시한 평면도이고, 도 8의 (B)는 도 8의 (A)에 제시된 기판지지부의 가림부에 의해 기판 하면에서 가려지는 제1 영역(S1)과 개방된 제2 영역(S2)을 도시한 도면이다.
110 : 수용공간
200 : 상부 샤워헤드
230 : 상부히터
400 : 기판지지부
410 : 기판홀더
413 : 개구부
420 : 고정부
422 : 배기유로
430 : 하부 샤워헤드
450 : 하부플레이트
460A, 460B : 가림부
470 : 구동바
490 : 배기부
1000 : 박막증착장치
Claims (11)
- 기판에 대한 처리공정이 수행되는 수용공간을 제공하는 챔버;
상기 챔버 내부에 구비되어 상기 기판을 지지하며, 상기 기판 하면의 미리 결정된 제1 영역을 가리고 나머지 제2 영역을 개방시키는 기판지지부; 및
상기 기판 하부에 구비되며 상기 기판을 향해 공정가스를 공급하는 하부 샤워헤드;를 구비하고,
상기 기판지지부는 상기 기판 하면의 가장자리를 지지하는 기판홀더와, 상기 기판홀더에 구비되어 상기 기판 하면의 미리 결정된 제1 영역을 가리는 가림부를 구비하는 것을 특징으로 하는 박막증착장치. - 삭제
- 제1항에 있어서,
상기 가림부는 상기 기판 하면의 상기 제1 영역을 가려서 상기 공정가스가 상기 제1 영역에 공급되는 것을 차단하는 것을 특징으로 하는 박막증착장치. - 제1항에 있어서,
상기 제1 영역은 상기 기판 하면의 면적 중에 20 내지 80%를 차지하는 것을 특징으로 하는 박막증착장치. - 제1항에 있어서,
상기 기판지지부에는 상기 가림부에 의해 상기 기판의 중앙부를 지나는 직경 방향으로 상기 제2 영역을 개방시키는 개구부가 형성되는 것을 특징으로 하는 박막증착장치. - 제5항에 있어서,
상기 하부 샤워헤드에서 공급되는 공정가스는 상기 개구부를 통해 상기 기판 하면의 제2 영역으로 공급되는 것을 특징으로 하는 박막증착장치. - 제1항에 있어서,
상기 가림부는 상기 기판 하면의 중앙부를 중심으로 대칭적으로 배치되는 것을 특징으로 하는 박막증착장치. - 제1항에 있어서,
상기 챔버의 내측에 상기 기판의 상면을 향해 불활성가스를 공급하는 상부 샤워헤드를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 박막증착장치. - 기판 하면의 미리 결정된 영역을 가리는 가림부를 구비한 기판지지부를 포함하는 박막증착장치의 증착방법에 있어서,
중앙부를 지나는 직경방향의 제1축 및 제2축을 따라 서로 다른 방향의 적어도 두 종류의 응력이 작용하는 박막이 상면에 증착된 상기 기판이 챔버 내부의 상기 기판지지부에 안착되는 단계;
상기 기판의 하면에 공정가스를 공급하여 상기 기판에 작용하는 응력과 동일한 종류의 응력을 가지는 박막을 상기 기판의 하면에 증착시키는 단계;를 구비하는 것을 특징으로 하는 박막증착방법. - 제9항에 있어서,
상기 기판지지부에는 상기 기판의 중앙부를 지나는 직경 방향으로 상기 기판 하면의 미리 결정된 영역을 개방시키는 개구부가 형성되고,
상기 기판이 챔버 내부의 기판지지부에 안착되는 단계에서,
상기 기판의 제1축 및 상기 제2축 중에 어느 하나의 축이 상기 개구부를 따라 배치되도록 상기 기판이 안착되는 것을 특징으로 하는 박막증착방법. - 제10항에 있어서,
상기 기판 하면에 공정가스를 공급하는 단계에 이어서,
상기 기판을 회전시켜 상기 기판의 제1축 및 상기 제2축 중에 다른 하나의 축이 상기 개구부를 따라 배치되도록 상기 기판이 안착되는 단계와,
상기 기판의 하면에 공정가스를 공급하여 상기 다른 하나의 축을 따라 작용하는 응력과 동일한 종류의 응력을 가지는 박막을 상기 기판의 하면에 증착시키는 단계;를 구비하는 것을 특징으로 하는 박막증착방법.
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Cited By (2)
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Families Citing this family (3)
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US12272608B2 (en) | 2020-01-03 | 2025-04-08 | Lam Research Corporation | Station-to-station control of backside bow compensation deposition |
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Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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KR101564962B1 (ko) * | 2014-01-29 | 2015-11-03 | 주식회사 루미스탈 | 기판의 하면 에칭이 가능한 반도체 기판 처리 장치 및 이를 이용한 반도체 기판 처리 방법 |
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KR20160005462A (ko) * | 2014-07-07 | 2016-01-15 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004211112A (ja) | 2002-12-26 | 2004-07-29 | Canon Inc | 基体処理装置 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US12338531B2 (en) | 2019-08-16 | 2025-06-24 | Lam Research Corporation | Spatially tunable deposition to compensate within wafer differential bow |
US12300489B2 (en) | 2020-01-30 | 2025-05-13 | Lam Research Corporation | UV cure for local stress modulation |
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