[go: up one dir, main page]

KR102147672B1 - 조성물 - Google Patents

조성물 Download PDF

Info

Publication number
KR102147672B1
KR102147672B1 KR1020150068603A KR20150068603A KR102147672B1 KR 102147672 B1 KR102147672 B1 KR 102147672B1 KR 1020150068603 A KR1020150068603 A KR 1020150068603A KR 20150068603 A KR20150068603 A KR 20150068603A KR 102147672 B1 KR102147672 B1 KR 102147672B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
group
carbon atoms
compound
polarizing film
liquid crystal
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
KR1020150068603A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20150136010A (ko
Inventor
노리유키 히다
하루키 오카와
Original Assignee
스미또모 가가꾸 가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 스미또모 가가꾸 가부시키가이샤 filed Critical 스미또모 가가꾸 가부시키가이샤
Publication of KR20150136010A publication Critical patent/KR20150136010A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102147672B1 publication Critical patent/KR102147672B1/ko
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
    • C07C245/00—Compounds containing chains of at least two nitrogen atoms with at least one nitrogen-to-nitrogen multiple bond
    • C07C245/02—Azo compounds, i.e. compounds having the free valencies of —N=N— groups attached to different atoms, e.g. diazohydroxides
    • C07C245/06—Azo compounds, i.e. compounds having the free valencies of —N=N— groups attached to different atoms, e.g. diazohydroxides with nitrogen atoms of azo groups bound to carbon atoms of six-membered aromatic rings
    • C07C245/08—Azo compounds, i.e. compounds having the free valencies of —N=N— groups attached to different atoms, e.g. diazohydroxides with nitrogen atoms of azo groups bound to carbon atoms of six-membered aromatic rings with the two nitrogen atoms of azo groups bound to carbon atoms of six-membered aromatic rings, e.g. azobenzene
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D295/00—Heterocyclic compounds containing polymethylene-imine rings with at least five ring members, 3-azabicyclo [3.2.2] nonane, piperazine, morpholine or thiomorpholine rings, having only hydrogen atoms directly attached to the ring carbon atoms
    • C07D295/04—Heterocyclic compounds containing polymethylene-imine rings with at least five ring members, 3-azabicyclo [3.2.2] nonane, piperazine, morpholine or thiomorpholine rings, having only hydrogen atoms directly attached to the ring carbon atoms with substituted hydrocarbon radicals attached to ring nitrogen atoms
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D295/00—Heterocyclic compounds containing polymethylene-imine rings with at least five ring members, 3-azabicyclo [3.2.2] nonane, piperazine, morpholine or thiomorpholine rings, having only hydrogen atoms directly attached to the ring carbon atoms
    • C07D295/04—Heterocyclic compounds containing polymethylene-imine rings with at least five ring members, 3-azabicyclo [3.2.2] nonane, piperazine, morpholine or thiomorpholine rings, having only hydrogen atoms directly attached to the ring carbon atoms with substituted hydrocarbon radicals attached to ring nitrogen atoms
    • C07D295/12—Heterocyclic compounds containing polymethylene-imine rings with at least five ring members, 3-azabicyclo [3.2.2] nonane, piperazine, morpholine or thiomorpholine rings, having only hydrogen atoms directly attached to the ring carbon atoms with substituted hydrocarbon radicals attached to ring nitrogen atoms substituted by singly or doubly bound nitrogen atoms
    • C07D295/135—Heterocyclic compounds containing polymethylene-imine rings with at least five ring members, 3-azabicyclo [3.2.2] nonane, piperazine, morpholine or thiomorpholine rings, having only hydrogen atoms directly attached to the ring carbon atoms with substituted hydrocarbon radicals attached to ring nitrogen atoms substituted by singly or doubly bound nitrogen atoms with the ring nitrogen atoms and the substituent nitrogen atoms separated by carbocyclic rings or by carbon chains interrupted by carbocyclic rings
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D495/00—Heterocyclic compounds containing in the condensed system at least one hetero ring having sulfur atoms as the only ring hetero atoms
    • C07D495/02—Heterocyclic compounds containing in the condensed system at least one hetero ring having sulfur atoms as the only ring hetero atoms in which the condensed system contains two hetero rings
    • C07D495/04—Ortho-condensed systems
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D513/00—Heterocyclic compounds containing in the condensed system at least one hetero ring having nitrogen and sulfur atoms as the only ring hetero atoms, not provided for in groups C07D463/00, C07D477/00 or C07D499/00 - C07D507/00
    • C07D513/02—Heterocyclic compounds containing in the condensed system at least one hetero ring having nitrogen and sulfur atoms as the only ring hetero atoms, not provided for in groups C07D463/00, C07D477/00 or C07D499/00 - C07D507/00 in which the condensed system contains two hetero rings
    • C07D513/04—Ortho-condensed systems
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K19/00—Liquid crystal materials
    • C09K19/04—Liquid crystal materials characterised by the chemical structure of the liquid crystal components, e.g. by a specific unit
    • C09K19/06—Non-steroidal liquid crystal compounds
    • C09K19/08—Non-steroidal liquid crystal compounds containing at least two non-condensed rings
    • C09K19/10—Non-steroidal liquid crystal compounds containing at least two non-condensed rings containing at least two benzene rings
    • C09K19/20—Non-steroidal liquid crystal compounds containing at least two non-condensed rings containing at least two benzene rings linked by a chain containing carbon and oxygen atoms as chain links, e.g. esters or ethers
    • C09K19/2007—Non-steroidal liquid crystal compounds containing at least two non-condensed rings containing at least two benzene rings linked by a chain containing carbon and oxygen atoms as chain links, e.g. esters or ethers the chain containing -COO- or -OCO- groups
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K19/00—Liquid crystal materials
    • C09K19/52—Liquid crystal materials characterised by components which are not liquid crystals, e.g. additives with special physical aspect: solvents, solid particles
    • C09K19/60—Pleochroic dyes
    • C09K19/601—Azoic
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B5/00—Optical elements other than lenses
    • G02B5/30—Polarising elements
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B5/00—Optical elements other than lenses
    • G02B5/30—Polarising elements
    • G02B5/3025—Polarisers, i.e. arrangements capable of producing a definite output polarisation state from an unpolarised input state
    • G02B5/3033—Polarisers, i.e. arrangements capable of producing a definite output polarisation state from an unpolarised input state in the form of a thin sheet or foil, e.g. Polaroid
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B5/00—Optical elements other than lenses
    • G02B5/30—Polarising elements
    • G02B5/3025—Polarisers, i.e. arrangements capable of producing a definite output polarisation state from an unpolarised input state
    • G02B5/3033—Polarisers, i.e. arrangements capable of producing a definite output polarisation state from an unpolarised input state in the form of a thin sheet or foil, e.g. Polaroid
    • G02B5/3041—Polarisers, i.e. arrangements capable of producing a definite output polarisation state from an unpolarised input state in the form of a thin sheet or foil, e.g. Polaroid comprising multiple thin layers, e.g. multilayer stacks
    • G02B5/305—Polarisers, i.e. arrangements capable of producing a definite output polarisation state from an unpolarised input state in the form of a thin sheet or foil, e.g. Polaroid comprising multiple thin layers, e.g. multilayer stacks including organic materials, e.g. polymeric layers
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B5/00—Optical elements other than lenses
    • G02B5/30—Polarising elements
    • G02B5/3083—Birefringent or phase retarding elements
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/133509—Filters, e.g. light shielding masks
    • G02F1/133514—Colour filters
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/133528—Polarisers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/86—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/10—Organic polymers or oligomers
    • H10K85/111—Organic polymers or oligomers comprising aromatic, heteroaromatic, or aryl chains, e.g. polyaniline, polyphenylene or polyphenylene vinylene
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
    • C09D4/00—Coating compositions, e.g. paints, varnishes or lacquers, based on organic non-macromolecular compounds having at least one polymerisable carbon-to-carbon unsaturated bond ; Coating compositions, based on monomers of macromolecular compounds of groups C09D183/00 - C09D183/16
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K19/00—Liquid crystal materials
    • C09K19/04—Liquid crystal materials characterised by the chemical structure of the liquid crystal components, e.g. by a specific unit
    • C09K19/06—Non-steroidal liquid crystal compounds
    • C09K19/08—Non-steroidal liquid crystal compounds containing at least two non-condensed rings
    • C09K19/10—Non-steroidal liquid crystal compounds containing at least two non-condensed rings containing at least two benzene rings
    • C09K19/20—Non-steroidal liquid crystal compounds containing at least two non-condensed rings containing at least two benzene rings linked by a chain containing carbon and oxygen atoms as chain links, e.g. esters or ethers
    • C09K19/2007—Non-steroidal liquid crystal compounds containing at least two non-condensed rings containing at least two benzene rings linked by a chain containing carbon and oxygen atoms as chain links, e.g. esters or ethers the chain containing -COO- or -OCO- groups
    • C09K2019/2035—Ph-COO-Ph
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/8791—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Polarising Elements (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

본 발명의 과제는 파장 350 내지 550nm에 극대 흡수를 갖는 2색성 색소로서 기능하는 화합물을 포함하고, 2색비가 높은 편광막을 형성할 수 있는 조성물을 제공하는 것이다.
본 발명의 해결수단은 화학식 (1)로 표현되는 화합물과, 중합성 액정 화합물을 포함하는 조성물의 제공하는 것이다.
Figure 112015047088018-pat00070

[식 중, Y는 화학식 (Y1)또는 화학식 (Y2)로 표현되는 기를 나타낸다.
Figure 112015047088018-pat00071

R1은 탄소수 1 내지 20의 알킬기, 탄소수 1 내지 20의 알콕시기 또는 -N(R)(RO)을 나타낸다. R 및 RO은 각각 독립적으로 수소 원자 또는 탄소수 1 내지 10의 알킬기를 나타내거나, 또는 R과 RO이 서로 결합하여, 그들이 결합하는 질소 원자와 함께 환을 형성한다. R7 및 R8은 수소 원자 이외의 치환기이며 각각 독립적으로 탄소수 1 내지 4의 알킬기, 탄소수 1 내지 4의 알콕시기, 할로겐 원자 또는 시아노기를 나타내고, 상기 탄소수 1 내지 4의 알킬기 및 상기 탄소수 1 내지 4 알콕시기를 구성하는 적어도 하나의 수소 원자는 할로겐 원자 또는 히드록시기로 치환될 수도 있고, p 및 q는 각각 독립적으로 0 내지 2의 정수이다.
R2 및 R3는 각각 독립적으로 수소 원자 또는 탄소수 1 내지 10의 알킬기를 나타내거나, 또는 R2와 R3가 서로 결합하여, 그들이 결합하는 질소 원자와 함께 환을 형성할 수도 있다.]

Description

조성물{COMPOSITION}
본 발명은 조성물에 관한 것이다.
특허문헌 1에는, 배향한 중합성 액정 화합물에 분산시킨, 2색성의 광을 흡수하는 화합물 (2색성 색소)을 포함하는 편광막이 기재되어 있다.
특허문헌 2에는, 파장 390 내지 550nm에 극대 흡수를 갖는 2색성 색소로서, 1,4-나부틸 구조를 갖는 비스아조계 색소가 기재되어 있다. 그러나, 당해 2색성 색소를 포함하는 편광막의 2색비는 낮았다.
일본 특허 공표 제2007-510946호 공보 특허 1454637호 공보(일본 특허 공고 소63-1357호 공보)
파장 350 내지 550nm에 극대 흡수를 갖는, 2색성 색소로서 기능하는 화합물을 포함하는, 2색비가 높은 편광막을 형성할 수 있는 조성물이 요구되고 있었다.
본 발명은 이하의 발명을 포함한다.
[1] 화학식 (1)로 표현되는 화합물과, 중합성 액정 화합물을 포함하는 조성물.
Figure 112015047088018-pat00001
[식 중, Y는 화학식 (Y1) 또는 화학식 (Y2)로 표현되는 기를 나타낸다.
Figure 112015047088018-pat00002
(*는 N과의 결합 부위를 나타낸다.
P1 및 P2는 각각 독립적으로 황 원자, 산소 원자 또는 -NR10-을 나타내고, R10은 수소 원자 또는 탄소수 1 내지 4의 알킬기를 나타낸다.
Q1 및 Q2는 각각 독립적으로 질소 원자 또는 =CH-을 나타낸다.)
R1은 탄소수 1 내지 20의 알킬기, 탄소수 1 내지 20의 알콕시기 또는 -N(R)(RO)을 나타낸다. R 및 RO은 각각 독립적으로 수소 원자 또는 탄소수 1 내지 10의 알킬기를 나타내거나, 또는 R과 RO이 서로 결합하여, 그들이 결합하는 질소 원자와 함께 환을 형성한다. 상기 탄소수 1 내지 20의 알킬기, 상기 탄소수 1 내지 20의 알콕시기 및 상기 탄소수 1 내지 10의 알킬기는 그것을 구성하는 적어도 하나의 수소 원자가 독립적으로 할로겐 원자, 히드록시기 및 치환기를 가질 수도 있는 아미노기로 이루어지는 군에서 선택되는 원자 또는 기로 치환될 수도 있다. 상기 탄소수 1 내지 20의 알킬기, 상기 탄소수 1 내지 20의 알콕시기 및 상기 탄소수 1 내지 10의 알킬기는 그것을 구성하는 탄소 원자간에 에테르 결합 (-O-)을 가질 수도 있다.
R7 및 R8은 수소 원자 이외의 치환기이며 각각 독립적으로 탄소수 1 내지 4의 알킬기, 탄소수 1 내지 4의 알콕시기, 할로겐 원자 또는 시아노기를 나타내고, 상기 탄소수 1 내지 4의 알킬기 및 상기 탄소수 1 내지 4 알콕시기를 구성하는 적어도 하나의 수소 원자는 독립적으로 할로겐 원자 또는 히드록시기로 치환될 수도 있고, p 및 q는 각각 독립적으로 0 내지 2의 정수이다.
R2 및 R3는 각각 독립적으로 수소 원자 또는 탄소수 1 내지 10의 알킬기를 나타내거나, 또는 R2와 R3가 서로 결합하여, 그들이 결합하는 질소 원자와 함께 환을 형성한다. 상기 탄소수 1 내지 10의 알킬기를 구성하는 적어도 하나의 수소 원자는 독립적으로 할로겐 원자, 히드록시기 및 치환기를 가질 수도 있는 아미노기로 이루어지는 군에서 선택되는 원자 또는 기로 치환될 수도 있다. 상기 탄소수 1 내지 10의 알킬기는 그것을 구성하는 탄소 원자간에 에테르 결합 (-O-)을 가질 수도 있다.]
[2] 화학식 (1)로 표현되는 화합물이 p=q=0인 화학식 (1a)로 표현되는 화합물인 [1]에 기재된 조성물.
Figure 112015047088018-pat00003
(화학식 중, Y 및 R1 내지 R3는 각각 청구항 1에 기재한 정의와 동일한 의미를 나타낸다.)
[3] 중합성 액정 화합물이 스메틱 액정상을 나타내는 [1] 또는 [2]에 기재된 조성물.
[4] 중합 개시제를 더 포함하는 [1] 내지 [3] 중 어느 한 항에 기재된 조성물.
[5] [1] 내지 [4] 중 어느 한 항에 기재된 조성물로 형성되는 편광막.
[6] [5]에 기재된 편광막의 극대 흡수 파장(λmax1)이,
당해 편광막에 포함되는 화학식 (1)로 표현되는 화합물의 극대 흡수 파장(λmax2)보다도 긴 [5]에 기재된 편광막.
[7] λmax1과 λmax2의 차가 15nm 이상인 [6]에 기재된 편광막.
[8] X선 회절 측정에서 브래그 피크를 나타내는 [5] 내지 [7] 중 어느 한 항에 기재된 편광막.
[9] [5] 내지 [8] 중 어느 한 항에 기재된 편광막을 구비하는 액정 표시 장치.
[10] 기체, 액정층 및 [5] 내지 [8] 중 어느 한 항에 기재된 편광막을 구비하는 액정 셀.
[11] 상기 편광막이 기체와 액정층의 사이에 배치되는 [10]에 기재된 액정 셀.
[12] 기체와 액정층의 사이에, 컬러 필터가 더 배치되는 [11]에 기재된 액정 셀.
[13] [5] 내지 [8] 중 어느 하나에 기재된 편광막과, 1/4 파장판을 갖는 원(圓)편광판.
[14] [13]에 기재된 원편광판과, 유기 EL 소자를 구비하는 유기 EL 표시 장치.
[15] 화학식 (2)로 표현되는 화합물과, 화학식 (3)으로 표현되는 화합물을 반응시키는 화학식 (1)로 표현되는 화합물의 제조 방법.
Figure 112015047088018-pat00004
[식 중, Y는 화학식 (Y1) 또는 화학식 (Y2)로 표현되는 기를 나타낸다.
Figure 112015047088018-pat00005
(*는 N과의 결합 부위를 나타낸다.
P1 및 P2는 각각 독립적으로 황 원자, 산소 원자 또는 -NR10-을 나타내고, R10은 수소 원자 또는 탄소수 1 내지 4의 알킬기를 나타낸다.
Q1 및 Q2는 각각 독립적으로 질소 원자 또는 =CH-을 나타낸다.)
R1은 탄소수 1 내지 20의 알킬기, 탄소수 1 내지 20의 알콕시기 또는 -N(R)(RO)을 나타낸다. R 및 RO은 각각 독립적으로 수소 원자 또는 탄소수 1 내지 10의 알킬기를 나타내거나, 또는 R과 RO이 서로 결합하여, 그들이 결합하는 질소 원자와 함께 환을 형성한다. 상기 탄소수 1 내지 20의 알킬기, 상기 탄소수 1 내지 20의 알콕시기 및 상기 탄소수 1 내지 10의 알킬기는 그것을 구성하는 적어도 하나의 수소 원자가 독립적으로 할로겐 원자, 히드록시기 및 치환기를 가질 수도 있는 아미노기로 이루어지는 군에서 선택되는 원자 또는 기로 치환될 수도 있다. 상기 탄소수 1 내지 20의 알킬기, 상기 탄소수 1 내지 20의 알콕시기 및 상기 탄소수 1 내지 10의 알킬기는 그것을 구성하는 탄소 원자간에 에테르 결합 (-O-)을 가질 수도 있다.
R7 및 R8은 수소 원자 이외의 치환기이며 각각 독립적으로 탄소수 1 내지 4의 알킬기, 탄소수 1 내지 4의 알콕시기, 할로겐 원자 또는 시아노기를 나타내고, 상기 탄소수 1 내지 4의 알킬기 및 상기 탄소수 1 내지 4의 알콕시기를 구성하는 적어도 하나의 수소 원자는 독립적으로 할로겐 원자 또는 히드록시기로 치환될 수도 있고, p 및 q는 각각 독립적으로 0 내지 2의 정수이다.
R2 및 R3는 각각 독립적으로 수소 원자 또는 탄소수 1 내지 10의 알킬기를 나타내거나, 또는 R2와 R3이 서로 결합하여, 그들이 결합하는 질소 원자와 함께 환을 형성한다. 상기 탄소수 1 내지 10의 알킬기를 구성하는 적어도 하나의 수소 원자는 독립적으로 할로겐 원자, 히드록시기 및 치환기를 가질 수도 있는 아미노기로 이루어지는 군에서 선택되는 원자 또는 기로 치환될 수도 있다. 상기 탄소수 1 내지 10의 알킬기는 그것을 구성하는 탄소 원자간에 에테르 결합 (-O-)을 가질 수도 있다.
X는 염소 원자, 브롬 원자 또는 요오드 원자를 나타낸다.
R4 및 R5는 각각 독립적으로 수소 원자 또는 탄소수 1 내지 10의 알킬기를 나타내거나, 또는 R4와 R5가 서로 결합하여, 그들이 결합하는 산소 원자 및 붕소 원자와 함께 환을 형성한다.)]
[16] 화학식 (5)로 표현되는 화합물.
Figure 112015047088018-pat00006
[식 중, Y는 화학식 (Y1) 또는 화학식 (Y2)로 표현되는 기를 나타낸다.
Figure 112015047088018-pat00007
(*는 N과의 결합 부위를 나타낸다.
P1 및 P2는 각각 독립적으로 황 원자, 산소 원자 또는 -NR10-을 나타내고, R10은 수소 원자 또는 탄소수 1 내지 4의 알킬기를 나타낸다.
Q1 및 Q2는 각각 독립적으로 질소 원자 또는 =CH-을 나타낸다.)
R6는 탄소수 2 내지 20의 알킬기, 탄소수 1 내지 20의 알콕시기 또는 -N(R)(RO)을 나타낸다. R 및 RO은 각각 독립적으로 수소 원자 또는 탄소수 1 내지 10의 알킬기를 나타내거나, 또는 R과 RO이 서로 결합하여, 그들이 결합하는 질소 원자와 함께 환을 형성한다. 상기 탄소수 2 내지 20의 알킬기, 상기 탄소수 1 내지 20의 알콕시기 및 상기 탄소수 1 내지 10의 알킬기는 그것을 구성하는 적어도 하나의 수소 원자가 독립적으로 할로겐 원자, 히드록시기 및 치환기를 가질 수도 있는 아미노기로 이루어지는 군에서 선택되는 원자 또는 기로 치환될 수도 있다. 상기 탄소수 2 내지 20의 알킬기, 상기 탄소수 1 내지 20의 알콕시기 및 상기 탄소수 1 내지 10의 알킬기는 그것을 구성하는 탄소 원자간에 에테르 결합 (-O-)을 가질 수도 있다.
R7 및 R8은 수소 원자 이외의 치환기이며 각각 독립적으로 탄소수 1 내지 4의 알킬기, 탄소수 1 내지 4의 알콕시기, 할로겐 원자 또는 시아노기를 나타내고, 상기 탄소수 1 내지 4의 알킬기 및 상기 탄소수 1 내지 4의 알콕시기를 구성하는 적어도 하나의 수소 원자는 독립적으로 할로겐 원자 또는 히드록시기로 치환될 수도 있고, p 및 q는 각각 독립적으로 0 내지 2의 정수이다.
R2 및 R3는 각각 독립적으로 수소 원자 또는 탄소수 1 내지 10의 알킬기를 나타내거나, 또는 R2와 R3가 서로 결합하여, 그들이 결합하는 질소 원자와 함께 환을 형성한다. 상기 탄소수 1 내지 10의 알킬기를 구성하는 적어도 하나의 수소 원자는 독립적으로 할로겐 원자, 히드록시기 및 치환기를 가질 수도 있는 아미노기로 이루어지는 군에서 선택되는 원자 또는 기로 치환될 수도 있다. 상기 탄소수 1 내지 10의 알킬기는 그것을 구성하는 탄소 원자간에 에테르 결합 (-O-)을 가질 수도 있다.]
[17] 화학식 (5)로 표현되는 화합물이 p=q=0인 화학식 (5a)로 표현되는 화합물인 [16]에 기재된 화합물.
Figure 112015047088018-pat00008
(화학식 중, Y, R2, R3 및 R6는 각각 청구항 15에 기재된 정의와 동일한 의미를 나타낸다.)
[18] [16] 또는 [17]에 기재된 화합물을 포함하는 편광막.
[19] [18]에 기재된 편광막을 구비하는 액정 표시 장치.
[20] 기체, 액정층 및 [18]에 기재된 편광막을 구비하는 액정 셀.
[21] [18]에 기재된 편광막을 구비하는 유기 EL 표시 장치.
본 발명의 조성물은 파장 390 내지 550nm에 극대 흡수를 갖는, 2색성 색소로서 기능하는 화합물을 포함하는 것이며, 해당 조성물에 의하면 2색비가 높은 편광막을 형성할 수 있다.
도 1은 본 발명의 편광막의 연속적 제조 방법을 도시하는 모식도이다.
도 2는 본 발명의 편광막을 갖는 원편광판의 연속적 제조 방법의 모식도이다.
도 3은 본 발명의 편광막을 구비하는 액정 셀의 모식도이다.
도 4는 본 발명의 편광막을 구비하는 액정 셀의 모식도이다.
도 5는 본 발명의 편광막을 구비하는 액정 셀의 모식도이다.
본 발명의 조성물은 화학식 (1)로 표현되는 화합물 (이하, 화합물 (1)이라고 하는 경우가 있음)과, 중합성 액정 화합물을 포함한다.
<화합물 (1)>
화합물 (1)의 아조기는 트랜스체인 것이 바람직하다.
화학식 (Y1) 및 화학식 (Y2)에 있어서, P1 및 P2는 바람직하게는 황 원자이다.
R10으로 표현되는 탄소수 1 내지 4의 알킬기로서는, 메틸기, 에틸기, n-프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, 이소부틸기 및 t-부틸기 등을 들 수 있다.
Q1 및 Q2는 바람직하게는 어느 하나가 질소 원자이다. Q1은 보다 바람직하게는 =CH-이다. Q2는 보다 바람직하게는 질소 원자이다.
화학식 (1)에 있어서, R1은 탄소수 1 내지 20의 알킬기, 탄소수 1 내지 20의 알콕시기 또는 -N(R)(RO)을 나타낸다. 바람직하게는, 탄소수 1 내지 20의 알킬기 또는 -N(R)(RO)으로 표현되는 기이다.
R1로 표현되는 탄소수 1 내지 20의 알킬기로서는, 메틸기, 에틸기, n-프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, 이소부틸기 및 t-부틸기, n-펜틸기, 이소펜틸기, 네오펜틸기, n-헥실기, n-헵틸기, n-옥틸기, n-노닐기 및 n-데실기 등의, 직쇄상 또는 분지쇄상의 알킬기를 들 수 있다.
이러한 탄소수 1 내지 20의 알킬기를 구성하는 적어도 하나의 수소 원자는 독립적으로 불소 원자 등의 할로겐 원자, 히드록시기 또는 치환기를 가질 수도 있는 아미노기로 치환될 수도 있다. 치환기를 가질 수도 있는 아미노기로서는, 예를 들어 N-메틸아미노기, N-에틸아미노기, N,N-디메틸아미노기, N,N-디에틸아미노기 등의, 아미노기가 갖는 1개 또는 2개의 수소 원자가 탄소수 1 내지 20의 알킬기로 치환되어 있는 아미노기를 들 수 있다. 이들의 예로서는, 플루오로메틸기, 트리플루오로메틸기, 펜타플루오로에틸기 및 노나플루오로부틸기 등의 탄소수 1 내지 20의 할로알킬기; 히드록시메틸기 및 2-히드록시에틸기 등의 탄소수 1 내지 20의 히드록시알킬기; 아미노메틸기 및 2-(N,N-디메틸아미노)에틸기 등의, 치환기를 가질 수도 있는 아미노기를 갖는 탄소수 1 내지 20의 알킬기를 들 수 있다.
상기 R1으로 표현되는 탄소수 1 내지 20의 알킬기는 그것을 구성하는 탄소 원자간에 에테르 결합 (-O-)을 가질 수도 있다. 탄소 원자간에 에테르 결합을 갖는 알킬기로서는, 메톡시메틸기, 2-에톡시에틸기, 2-(2-에톡시에톡시)에틸기, 2-[2-(에틸아미노)에틸아미노]에톡시기 등을 들 수 있다. R1으로 표현되는 탄소수 1 내지 20의 알킬기는 바람직하게는 치환기를 갖지 않은 직쇄상 또는 분지쇄상의 알킬기이다.
R1으로 표현되는 탄소수 1 내지 20의 알콕시기로서는, 메톡시기, 에톡시기, n-프로폭시기, 이소프로폭시기, n-부톡시기, 이소부톡시기, tert-부톡시기, n-펜틸옥시기, 이소펜틸옥시기, 네오펜틸옥시기, n-헥실옥시기, n-헵틸옥시기, n-옥틸옥시기, n-노닐옥시기 및 n-데실옥시기 등의, 치환기를 갖고 있지 않은 직쇄상 또는 분지쇄상의 알콕시기를 들 수 있다.
이러한 탄소수 1 내지 20의 알콕시기를 구성하는 적어도 하나의 수소 원자는 독립적으로 불소 원자 등의 할로겐 원자, 히드록시기 또는 치환기를 가질 수도 있는 아미노기로 치환될 수도 있다. 치환기를 가질 수도 있는 아미노기로서는, 예를 들어 N-메틸아미노기, N-에틸아미노기, N,N-디메틸아미노기, N,N-디에틸아미노기 등의, 아미노기가 갖는 1개 또는 2개의 수소 원자가 탄소수 1 내지 20의 알킬기로 치환되어 있는 아미노기를 들 수 있다. 이들의 예로서는, 플루오로메톡시기, 트리플루오로메톡시기, 펜타플루오로에톡시기, 노나플루오로부톡시기 등의 탄소수 1 내지 20의 할로알콕시기; 히드록시메톡시기, 2-히드록시에톡시기 등의 탄소수 1 내지 20의 히드록시알콕시기; 아미노메톡시기, 2-(N,N-디메틸아미노)에톡시기 등의, 치환기를 가질 수도 있는 아미노기를 갖는 탄소수 1 내지 20의 알콕시기를 들 수 있다.
상기 R1으로 표현되는 탄소수 1 내지 20의 알콕시기는 그것을 구성하는 탄소 원자간에 에테르 결합 (-O-)을 가질 수도 있다. 탄소 원자간에 에테르 결합을 갖는 알콕시기로서는, 메톡시메톡시기, 2-에톡시에톡시기, 2-(2-에톡시에톡시)에톡시기, 2-[2-(에틸아미노)에틸아미노]에톡시기 등을 들 수 있다. R1으로 표현되는 탄소수 1 내지 20의 알콕시기는 바람직하게는 치환기를 갖지 않은 직쇄상 또는 분지쇄상의 알콕시기이다.
상기 R1이 -N(R)(RO)인 경우, R 및 RO은 각각 독립적으로 수소 원자 또는 탄소수 1 내지 10의 알킬기를 나타내거나, 또는 R과 RO이 서로 결합하여, 그들이 결합하는 질소 원자와 함께 환을 형성한다.
R로 표현되는 탄소수 1 내지 10의 알킬기로서는, 메틸기, 에틸기, n-프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, 이소부틸기 및 t-부틸기, n-헵틸기, 이소펜틸기, 네오펜틸기, n-헥실기, n-헵틸기, n-옥틸기, n-노닐기 및 n-데실기 등의, 직쇄상 또는 분지쇄상의 알킬기를 들 수 있다.
이러한 탄소수 1 내지 10의 알킬기를 구성하는 적어도 하나의 수소 원자는 독립적으로 불소 원자 등의 할로겐 원자, 히드록시기, 또는 치환기를 가질 수도 있는 아미노기로 치환될 수도 있다. 치환기를 가질 수도 있는 아미노기로서는, 예를 들어 N-메틸아미노기, N-에틸아미노기, N,N-디메틸아미노기, N,N-디에틸아미노기 등의, 아미노기가 갖는 1개 또는 2개의 수소 원자가 탄소수 1 내지 10의 알킬기로 치환되어 있는 아미노기를 들 수 있다. 이들의 예로서는, 플루오로메틸기, 트리플루오로메틸기, 펜타플루오로에틸기, 노나플루오로부틸기 등의 탄소수 1 내지 10의 할로알킬기; 히드록시메틸기, 2-히드록시에틸기 등의 탄소수 1 내지 10의 히드록시알킬기; 아미노메틸기, 2-(N,N-디메틸아미노)에틸기 등의, 치환기를 가질 수도 있는 아미노기를 갖는 탄소수 1 내지 10의 알킬기를 들 수 있다.
상기 R로 표현되는 탄소수 1 내지 10의 알킬기는 그것을 구성하는 탄소 원자간에 에테르 결합 (-O-)을 가질 수도 있다. 탄소 원자간에 에테르 결합을 갖는 알킬기로서는, 메톡시메틸기, 2-에톡시에틸기, 2-(2-에톡시에톡시)에틸기, 2-[2-(에틸아미노)에틸아미노]에톡시기 등을 들 수 있다. R로 표현되는 탄소수 1 내지 10의 알킬기는 바람직하게는 치환기를 갖지 않는 직쇄상 또는 분지쇄상의 알킬기이다.
RO으로 표현되는 탄소수 1 내지 10의 알킬기로서는, R로 표현되는 탄소수 1 내지 10의 알킬기로서 예시한 것과 동일한 것을 들 수 있다. RO으로 표현되는 탄소수 1 내지 10의 알킬기는 바람직하게는 치환기를 갖지 않는 직쇄상 또는 분지쇄상의 알킬기이다.
-N(R)(RO)으로서는, 아미노기, 메틸아미노기, 디메틸아미노기, 에틸아미노기, 디에틸아미노기, 피롤리디닐기, 피페리디닐기, 모르폴리노기, 티오모르폴리노기, 3,5-디메틸모르폴리노기 및 3-에틸티오모르폴리노기 등을 들 수 있다.
R과 RO이 서로 결합하고, 그들이 결합하는 질소 원자와 함께 환을 형성할 경우, 형성되는 환은 4 내지 10원환일 수 있으며, 복소환이어도 된다. 복소환이란, 탄소수 4 내지 10의 지환식 탄화수소기에 있어서, 그 중 적어도 1개의 메틸렌기가, 이미노기(-NH-), 산소 원자, 황 원자 등의 헤테로 원자로 치환되어 있는 것을 말한다. 형성되는 환은 5 내지 7원환인 것이 바람직하다.
화학식 (1)에 있어서, 2개의 페닐렌기는 각각 그것을 구성하는 적어도 하나의 수소 원자가 수소 이외의 치환기 R7 또는 R8으로 치환될 수도 있다. R7 및 R8은 각각 독립적으로 탄소수 1 내지 4의 알킬기, 탄소수 1 내지 4의 알콕시기, 할로겐 원자 또는 시아노기를 나타낸다. R7 및 R8은 각각 페닐기의 어떤 위치의 수소 원자와 치환될 수도 있다.
탄소수 1 내지 4의 알킬기로서는, 메틸기, 에틸기, n-프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, 이소부틸기, tert-부틸기 등의, 치환기를 갖고 있지 않은 직쇄상 또는 분지쇄상의 알킬기를 들 수 있다.
이러한 탄소수 1 내지 4의 알킬기를 구성하는 적어도 하나의 수소 원자는 독립적으로 불소 원자 등의 할로겐 원자 또는 히드록시기로 치환될 수도 있다. 이들의 예로서는, 플루오로메틸기, 트리플루오로메틸기, 펜타플루오로에틸기, 노나플루오로부틸기 등의 탄소수 1 내지 4의 할로알킬기; 히드록시메틸기, 2-히드록시에틸기 등의 탄소수 1 내지 4의 히드록시알킬기를 들 수 있다.
탄소수 1 내지 4의 알콕시기로서는, 메톡시기, 에톡시기, n-프로폭시기, 이소프로폭시기, n-부톡시기, 이소부톡시기, tert-부톡시기 등의, 치환기를 갖고 있지 않은 직쇄상 또는 분지쇄상의 알콕시기를 들 수 있다.
이러한 탄소수 1 내지 4의 알콕시기를 구성하는 적어도 하나의 수소 원자는 독립적으로 불소 원자 등의 할로겐 원자 또는 히드록시기로 치환될 수도 있다. 이들의 예로서는, 플루오로메톡시기, 트리플루오로메톡시기, 펜타플루오로에톡시기, 노나플루오로부톡시기 등의 탄소수 1 내지 4의 할로알콕시기; 히드록시메톡시기, 2-히드록시에톡시기 등의 탄소수 1 내지 4의 히드록시알콕시기를 들 수 있다.
화학식 (1)에 있어서, R2 및 R3는 각각 독립적으로 수소 원자 또는 탄소수 1 내지 10의 알킬기를 나타내거나, 또는 R2와 R3가 서로 결합하여, 그들이 결합하는 질소 원자와 함께 환을 형성한다. R2로 표현되는 탄소수 1 내지 10의 알킬기 및 R3로 표현되는 탄소수 1 내지 10의 알킬기로서는, R로 표현되는 탄소수 1 내지 10의 알킬기로서 예시한 것과 동일한 것을 들 수 있다. R2 및 R3로 표현되는 탄소수 1 내지 10의 알킬기는 바람직하게는 치환기를 갖지 않는 직쇄상 또는 분지쇄상의 알킬기이다.
-N(R2)(R3)로서는 아미노기, 메틸아미노기, 디메틸아미노기, 에틸아미노기, 디에틸아미노기, 피로리디닐기, 피페리디닐기, 모르폴리노기, 티오모르폴리노기, 3,5-디메틸모르폴리노기 및 3-에틸티오모르폴리노기 등을 들 수 있다.
R2와 R3가 서로 결합하여, 그들이 결합하는 질소 원자와 함께 환을 형성할 경우, 형성되는 환은 상기 -N(R)(RO)으로 예시한 것과 동일한 것을 들 수 있다.
화학식 (1) 중의 p 및 q는 각각 독립적으로 0 내지 2의 정수이며, 보다 바람직하게는 모두 0이다. 이 때, 화합물 (1)은 화학식 (1a)로 표현되는 화합물이 된다.
Figure 112015047088018-pat00009
바람직한 화합물 (1)을 구체적으로 나타내면, 화학식 (1-1) 내지 화학식 (1-39)로 표현되는 화합물을 들 수 있다.
Figure 112015047088018-pat00010
Figure 112015047088018-pat00011
Figure 112015047088018-pat00012
Figure 112015047088018-pat00013
그 중에서도, 화학식 (1-3), 화학식 (1-4), 화학식 (1-5), 화학식 (1-12) 및 화학식 (1-13)으로 표현되는 화합물이 보다 바람직하고, 화학식 (1-4) 및 화학식 (1-13)으로 표현되는 화합물이 더욱 바람직하다.
본 조성물이 포함하는 화합물 (1)은 1종류이어도 되고, 2종류 이상이어도 된다.
화합물 (1)은 바람직하게는 화학식 (2)로 표현되는 화합물 (이하, 화합물 (2)라고 하는 경우가 있음)과, 화학식 (3)으로 표현되는 화합물 (이하, 화합물 (3)이라고 하는 경우가 있음)을 반응시킴으로써 얻을 수 있다. 화학식 (3)으로 표현되는 화합물은 이하 화합물 (3)이라고 하는 경우가 있다.
Figure 112015047088018-pat00014
화합물 (2)에서의 X는 바람직하게는 브롬 원자이다.
화합물 (3)에서의 R4로 표현되는 탄소수 1 내지 10의 알킬기 및 R5로 표현되는 탄소수 1 내지 10의 알킬기로서는, 메틸기, 에틸기, n-프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, 이소부틸기 및 t-부틸기, n-펜틸기, 이소펜틸기, 네오펜틸기, n-헥실기, n-헵틸기, n-옥틸기, n-노닐기 및 n-데실기 등의, 직쇄상 또는 분지쇄상의 알킬기를 들 수 있다.
-B(OR4)(OR5)로서는, 붕소산, 붕소산 디메틸, 붕소산 디에틸, 붕소산 피나콜 등을 들 수 있다. 바람직하게는 붕소산이다.
화학식 (2) 및 (3)에 있어서, R1, R2, R3, R8 및 q는 상기 화학식 (1)에서 기재한 것과 동일한 의미를 나타낸다.
바람직한 화합물 (2)를 구체적으로 나타내면, 화학식 (2-1) 내지 화학식 (2-25)로 표현되는 화합물을 들 수 있다. 화합물 (2)에는 시판되고 있는 것을 사용해도 되고, 문헌 [Synthesis, 1997, 6, 681, Journal of Organic Chemistry, 1970, 35, 505]에 기재된 방법에 준해서 합성해도 된다. 또한, 일본 특허 공개 소58-38756 등에 기재된 방법에 준해서 얻어진 전구체의 아미노체부터, 샌드미어(Sandmeyer) 반응에 의해 합성해도 된다. 샌드미어 반응은, 문헌 [Journal of Chemical society, Perkin Trans, 1998, 685]에 기재된 방법에 의해 실시할 수 있다.
Figure 112015047088018-pat00015
Figure 112015047088018-pat00016
Figure 112015047088018-pat00017
바람직한 화합물 (3)을 구체적으로 나타내면, 이하의 화학식 (3-1) 내지 화학식 (3-15)로 표현되는 화합물을 들 수 있다.
Figure 112015047088018-pat00018
Figure 112015047088018-pat00019
화합물 (3)은 시판되고 있는 것을 사용해도 되고, 문헌 [Journal of Organic Chemistry, 1995, 60, 7508]에 기재된 방법에 준해서 합성해도 된다.
화합물 (2)와 화합물 (3)의 반응은, 예를 들어 문헌 [Chemical Reviews, 1995, 95(7), 2457]에 기재된 방법에 준해서 행할 수 있다.
화합물 (1)은, 반응 후, 재결정, 재침전, 추출, 각종 크로마토그래피 등의 통상의 정제 조작, 또는 이들 정제 조작을 조합함으로써 취출할 수 있다.
<화합물 (5)>
본 발명은 또한 화학식 (5)로 표현되는 화합물에도 관한 것이다.
Figure 112015047088018-pat00020
[식 중, Y는 화학식 (Y1) 또는 화학식 (Y2)로 표현되는 기를 나타낸다.
Figure 112015047088018-pat00021
(*는 N과의 결합 부위를 나타낸다.
P1 및 P2는 각각 독립적으로 황 원자, 산소 원자 또는 -NR10-을 나타내고, R10은 수소 원자 또는 탄소수 1 내지 4의 알킬기를 나타낸다.
Q1 및 Q2는 각각 독립적으로 질소 원자 또는 =CH-을 나타낸다.)
화학식 (5) 중, R2, R3, R7, R8, p 및 q는 화학식 (1)에서 정의한 것과 동일한 것을 의미한다.
R6는 탄소수 2 내지 20의 알킬기, 탄소수 1 내지 20의 알콕시기 또는 -N(R)(RO)을 나타낸다. R 및 RO는 각각 독립적으로 수소 원자 또는 탄소수 1 내지 10의 알킬기를 나타내거나, 또는 R과 RO이 서로 결합하여, 그들이 결합하는 질소 원자와 함께 환을 형성한다. 상기 탄소수 2 내지 20의 알킬기, 상기 탄소수 1 내지 20의 알콕시기 및 상기 탄소수 1 내지 10의 알킬기는 그것을 구성하는 적어도 하나의 수소 원자가 독립적으로 할로겐 원자, 히드록시기, 또는 치환기를 가질 수도 있는 아미노기로 치환될 수도 있다. 또한, 상기 탄소수 2 내지 20의 알킬기, 상기 탄소수 1 내지 20의 알콕시기 및 상기 탄소수 1 내지 10의 알킬기는 그것을 구성하는 탄소 원자간에 에테르 결합 (-O-)을 가질 수도 있다.]
화학식 (5)로 표현되는 화합물의 아조기는 트랜스체인 것이 바람직하다. 이하, 화학식 (5)로 표현되는 화합물을 화합물 (5)라고 하는 경우가 있다.
R6로 표현되는 탄소수 2 내지 20의 알킬기로서는, 에틸기, n-프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, 이소부틸기 및 t-부틸기, n-펜틸기, 이소펜틸기, 네오펜틸기, n-헥실기, n-헵틸기, n-옥틸기, n-노닐기 및 n-데실기 등의, 직쇄상 또는 분지쇄상의 알킬기를 들 수 있다.
상기 탄소수 2 내지 20의 알킬기는, 그것을 구성하는 적어도 하나의 수소 원자가 독립적으로 할로겐 원자, 히드록시기, 또는 치환기를 가질 수도 있는 아미노기로 치환될 수도 있고, 그것을 구성하는 탄소 원자간에 에테르 결합 (-O-)을 가질 수도 있다. 이러한 탄소수 2 내지 20의 알킬기의 예로서는, 화합물 (1)의 R1에서 예시에 준하는 것을 들 수 있다.
R6를 나타내는 탄소수 1 내지 20의 알콕시기 및 -N(R)(RO)는 화합물 (1)에서 기재한 것과 동일한 것을 들 수 있다.
화학식 (5) 중의 p 및 q는 각각 독립적으로 0 내지 2의 정수이며, 보다 바람직하게는 모두 0이다. 이 때, 화합물 (5)는 화학식 (5a)로 표현되는 화합물이 된다.
Figure 112015047088018-pat00022
바람직한 화합물 (5)로서는, 바람직한 화합물 (1)로서 예시한 화합물과 동일한 것을 들 수 있다.
화합물 (5)는 화합물 (1)과 동일한 방법에 의해 제조하여, 얻을 수 있다.
화합물 (1) 및 (5)는 파장 350nm 내지 550nm의 범위 바람직하게는 파장 390nm 내지 550nm의 범위, 보다 바람직하게는 파장 390nm 내지 500nm의 범위, 더욱 바람직하게는 파장 400nm 내지 500nm의 범위, 더욱 바람직하게는 파장 410nm 내지 490nm의 범위, 더욱 바람직하게는 파장 420nm 내지 480nm의 범위에 극대 흡수를 갖는다. 이들 화합물은 2색성 색소로서 기능하는 화합물이다. 특히, 중합성 액정 화합물과 함께 이들 화합물이 배향됨으로써 얻어지는 편광막은, 더 높은 2색성을 나타낸다.
<중합성 액정 화합물>
중합성 액정 화합물이란, 분자 내에 중합성기를 갖고, 배향함으로써 액정상을 나타낼 수 있는 화합물이며, 바람직하게는 단독으로 배향함으로써 액정상을 나타낼 수 있는 화합물이다.
중합성기란, 중합 반응에 관여하는 기를 의미하고, 광중합성기인 것이 바람직하다. 여기서, 중합성기란, 후술하는 중합 개시제로부터 발생한 활성 라디칼이나 산 등에 의해 중합 반응에 관여할 수 있는 기를 말한다. 중합성기로서는, 비닐기, 비닐옥시기, 1-클로로비닐기, 이소프로페닐기, 4-비닐페닐기, 아크릴로일옥시기, 메타크릴로일옥시기, 옥시라닐기, 옥세타닐기 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 아크릴로일옥시기, 메타크릴로일옥시기, 비닐옥시기, 옥시라닐기 및 옥세타닐기가 바람직하고, 아크릴로일옥시기가 보다 바람직하다.
또한, 중합성 액정 화합물은 서모트로픽 액정형이어도 되고, 리오트로픽 액정형이어도 된다.
중합성 액정 화합물은 네마틱 액정상을 나타내는 것이어도, 스메틱 액정상을 나타내는 것이어도, 네마틱 액정상 및 스메틱 액정상의 양쪽을 나타내는 것이어도 된다. 바람직하게는 스메틱 액정상을 나타내는 것이며, 보다 바람직하게는 고차 스메틱 액정상을 나타내는 것이다. 스메틱 액정상을 나타내는 중합성 액정 화합물을 포함하는 조성물을 사용함으로써, 보다 편광 성능이 우수한 편광막을 얻을 수 있다. 또한, 본 조성물에 포함되는 중합성 액정 화합물은 1종류이어도 되고, 2종류 이상을 조합해도 된다.
화합물 (1)은 스메틱 액정상을 나타내는 중합성 액정 화합물로 형성된, 친밀한 분자쇄간에 분산된 상태이어도, 높은 2색성을 나타낼 수 있어, 2색비가 높은 편광막을 부여할 수 있다.
고차 스메틱 액정상으로서는, 스메틱 B상, 스메틱 D상, 스메틱 E상, 스메틱 F상, 스메틱 G상, 스메틱 H상, 스메틱 I상, 스메틱 J상, 스메틱 K상 및 스메틱 L상 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 스메틱 B상, 스메틱 F상 및 스메틱 I상이 바람직하다. 중합성 액정 화합물이 나타내는 스메틱 액정상이 이들 고차 스멕틱상이면, 배향 질서도가 보다 높은 편광막을 제조할 수 있다. 또한, 이와 같이 배향 질서도가 높은 고차 스메틱 액정상으로 제조한 편광막은 X선 회절 측정에서 헥사틱상, 또는 크리스탈상이라는 고차 구조 유래의 브래그 피크를 나타낸다. 브래그 피크란, 분자 배향의 면 주기 구조에 유래하는 피크이다. 본 조성물로부터 얻어지는 편광막이 갖는 주기 간격은 바람직하게는 3.0 내지 5.0Å(0.30nm 내지 0.50nm)이다.
중합성 액정 화합물이 나타내는 액정상의 종류는, 예를 들어 이하와 같이 하여 확인할 수 있다. 적당한 기재를 준비하고, 해당 기재에 중합성 액정 화합물과 용제를 포함하는 용액을 도포해서 도포막을 형성한 후, 가열 처리 또는 감압 처리함으로써 도포막에 함유되는 용제를 제거한다. 계속해서, 기재 상에 형성된 도포막을 등방상 온도까지 가열하고, 서서히 냉각함으로써 발현하는 액정상을, 편광 현미경에 의한 텍스처 관찰, X선 회절 측정 또는 시차 주사 열량 측정에 의해 검사한다. 이 검사에 있어서 , 예를 들어 제1 온도까지 냉각함으로써 네마틱 액정상을 나타내고, 또한 제2 온도까지 서서히 냉각함으로써, 스메틱 액정상을 나타내는 것을 확인할 수 있다.
중합성 액정 조성물은 바람직하게는 화학식 (4)로 표현되는 화합물이다. 이하, 화학식 (4)로 표현되는 화합물을 화합물 (4)라고 하는 경우가 있다.
U1-V1-W1-X1-YI-X2-Y2-X3-W2-V2-U2 (4)
[화학식 (4) 중,
X1, X2 및 X3는 서로 독립적으로 치환기를 가질 수도 있는 1,4-페닐렌기 또는 치환기를 가질 수도 있는 시클로헥산-1,4-디일기를 나타낸다. 단, X1, X2 및 X3 중 적어도 1개는 치환기를 가질 수도 있는 1,4-페닐렌기이다. 시클로헥산-1,4-디일기를 구성하는 메틸렌기(-CH2-)는 -O-, -S- 또는 -NR-로 치환될 수도 있다. R은 탄소수 1 내지 6의 알킬기 또는 페닐기를 나타낸다.
Y1 및 Y2는 서로 독립적으로 -CH2CH2-, -CH2O, -COO-, -OCOO-, 단결합, -N=N-, -CRa=-CRb-, -C≡C- 또는 -CRa=N-을 나타낸다. Ra 및 Rb는 서로 독립적으로 수소 원자 또는 탄소수 1 내지 4의 알킬기를 나타낸다.
U1은 수소 원자 또는 중합성기를 나타낸다.
U2는 중합성기를 나타낸다.
W1 및 W2는 서로 독립적으로 단결합, -O-, -S-, -COO- 또는 -OCOO-을 나타낸다.
V1 및 V2는 서로 독립적으로 치환기를 가질 수도 있는 탄소수 1 내지 20의 알칸디일기를 나타내고, 해당 알칸디일기를 구성하는 -CH2-는 -O-, -S- 또는 -NH-로 치환될 수도 있다.]
화합물 (4)에 있어서, X1, X2 및 X3 중 적어도 1개는 치환기를 가질 수도 있는 1,4-페닐렌기인 것이 바람직하다.
치환기를 가질 수도 있는 1,4-페닐렌기는 바람직하게는 치환기를 갖고 있지 않은 1,4-페닐렌기이다. 치환기를 가질 수도 있는 시클로헥산-1,4-디일기는, 치환기를 가질 수도 있는 트랜스-시클로헥산-1,4-디일기인 것이 바람직하고, 치환기를 가질 수도 있는 트랜스-시클로헥산-1,4-디일기는, 보다 효과적으로는 치환기를 갖고 있지 않은 트랜스-시클로헥산-1,4-디일기이다.
치환기를 가질 수도 있는 1,4-페닐렌기 또는 치환기를 가질 수도 있는 시클로헥산-1,4-디일기가 임의로 갖는 치환기로서는, 메틸기, 에틸기 및 부틸기 등의 탄소수 1 내지 4의 알킬기, 시아노기 및 할로겐 원자 등을 들 수 있다.
Y1은 -CH2CH2-, -COO- 또는 단결합이면 바람직하고, Y2는 -CH2CH2- 또는 -CH2O-이면 바람직하다.
U2는 중합성기이다. U1은 수소 원자 또는 중합성기이며, 바람직하게는 중합성기이다. U1 및 U2는 모두 중합성기이면 바람직하고, 모두 광중합성기이면 바람직하다. 광중합성기를 갖는 중합성 액정 화합물은 보다 저온 조건 하에서 중합할 수 있는 점에서 유리하다.
U1 및 U2로 표현되는 중합성기는 서로 상이해도 되지만, 동일하면 바람직하다. 중합성기로서는, 비닐기, 비닐옥시기, 1-클로로비닐기, 이소프로페닐기, 4-비닐페닐기, 아크릴로일옥시기, 메타크릴로일옥시기, 옥시라닐기, 옥세타닐기 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 아크릴로일옥시기, 메타크릴로일옥시기, 비닐옥시기, 옥시라닐기 및 옥세타닐기가 바람직하고, 아크릴로일옥시기가 보다 바람직하다.
V1 및 V2로 표현되는 알칸디일기로서는, 메틸렌기, 에틸렌기, 프로판-1,3-디일기, 부탄-1,3-디일기, 부탄-1,4-디일기, 펜탄-1,5-디일기, 헥산-1,6-디일기, 헵탄-1,7-디일기, 옥탄-1,8-디일기, 데칸-1,10-디일기, 테트라데칸-1,14-디일기 및 이코산-1,20-디일기 등을 들 수 있다. V1 및 V2는 바람직하게는 탄소수 2 내지 12의 알칸디일기이며, 보다 바람직하게는 탄소수 6 내지 12의 알칸디일기이다.
치환기를 가질 수도 있는 탄소수 1 내지 20의 알칸디일기가 임의로 갖는 치환기로서는, 시아노기 및 할로겐 원자 등을 들 수 있다. 해당 알칸디일기는 바람직하게는 치환기를 갖고 있지 않은 알칸디일기이며, 보다 바람직하게는 치환기를 갖고 있지 않고, 또한 직쇄상의 알칸디일기이다.
W1 및 W2는 서로 독립적으로 바람직하게는 단결합 또는 -O-이다.
화합물 (4)의 구체예로서는, 화학식 (4-1) 내지 화학식 (4-43)으로 표현되는 화합물을 들 수 있다. 화합물 (4)가 시클로헥산-1,4-디일기를 갖는 경우, 그 시클로헥산-1,4-디일기는 트랜스체인 것이 바람직하다.
Figure 112015047088018-pat00023
Figure 112015047088018-pat00024
Figure 112015047088018-pat00025
Figure 112015047088018-pat00026
그 중에서도, 화학식 (4-5), 화학식 (4-6), 화학식 (4-7), 화학식 (4-8), 화학식 (4-9), 화학식 (4-10), 화학식 (4-11), 화학식 (4-12), 화학식 (4-13), 화학식 (4-14), 화학식 (4-15), 화학식 (4-22), 화학식 (4-24), 화학식 (4-25), 화학식 (4-26), 화학식 (4-27), 화학식 (4-28), 화학식 (4-29)로 표현되는 것으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종이 바람직하다.
예시한 화합물 (4)는 단독 또는 조합하여, 본 조성물에 사용할 수 있다. 또한, 2종 이상의 중합성 액정 화합물을 조합할 경우에는, 적어도 1종이 화합물 (4)이면 바람직하고, 2종 이상이 화합물 (4)이면 보다 바람직하다. 조합함으로써, 액정-결정상 전이 온도 이하의 온도에서도 일시적으로 액정상을 유지할 수 있는 경우가 있다. 2종류의 중합성 액정 화합물을 조합하는 경우의 혼합비로서는, 통상, 1:99 내지 50:50이며, 바람직하게는 5:95 내지 50:50이며, 보다 바람직하게는 10:90 내지 50:50이다.
화합물 (4)는 예를 들어 문헌 [Lub et al, Recl. Trav. Chim. Pays-Bas, 115, 321-328(1996)], 또는 일본 특허 제4719156호 등에 기재된 공지 방법으로 제조할 수 있다.
본 조성물에서의 중합성 액정 화합물의 함유 비율은, 중합성 액정 화합물의 배향성을 높게 한다는 관점에서, 본 조성물의 고형분 100질량부에 대하여 바람직하게는 70 내지 99.5질량부이며, 보다 바람직하게는 80 내지 99질량부이며, 더욱 바람직하게는 80 내지 94질량부이며, 더욱 바람직하게는 80 내지 90질량부이다. 여기서, 고형분이란, 본 조성물로부터 용제를 제외한 성분의 합계량을 말한다.
본 조성물은 바람직하게는, 또한 중합 개시제 및 용제를 포함한다. 또한, 광증감제, 중합 금지제 및 레벨링제를 포함해도 된다.
본 조성물에서의 화합물 (1)의 함유량은, 중합성 액정 화합물 100질량부에 대하여, 통상 50질량부 이하이고, 바람직하게는 0.1질량부 이상 10질량부 이하이고, 보다 바람직하게는 0.1질량부 이상 5질량부 이하이다. 중합성 액정 화합물 100질량부에 대한 화합물 (1)의 함유량이 50질량부 이하이면, 중합성 액정 화합물 및 화합물 (1)의 배향의 혼란이 적은 편광막을 얻을 수 있는 경향이 있으므로 바람직하다.
<용제>
용제는 중합성 액정 화합물 및 화합물 (1)을 완전히 용해시킬 수 있는 것이 바람직하다. 또한, 중합성 액정 화합물의 중합 반응에 불활성인 용제인 것이 바람직하다.
용제로서는, 메탄올, 에탄올, 에틸렌글리콜, 이소프로필알코올, 프로필렌글리콜, 에틸렌글리콜메틸에테르, 에틸렌글리콜부틸에테르 및 프로필렌글리콜모노메틸에테르 등의 알코올 용제; 아세트산 에틸, 아세트산 부틸, 에틸렌글리콜메틸에테르아세테이트, γ-부틸로락톤 또는 프로필렌글리콜메틸에테르아세테이트 및 락트산 에틸 등의 에스테르 용제; 아세톤, 메틸에틸케톤, 시클로펜타논, 시클로헥사논, 2-헵타논 및 메틸이소부틸케톤 등의 케톤 용제; 펜탄, 헥산 및 헵탄 등의 지방족 탄화수소 용제; 톨루엔 및 크실렌 등의 방향족 탄화수소 용제, 아세토니트릴 등의 니트릴 용제; 테트라히드로푸란 및 디메톡시에탄 등의 에테르 용제; 클로로포름 및 클로로펜젠 등의 염소 함유 용제 등을 들 수 있다. 이들 용제는, 단독으로 사용해도 되고, 복수를 조합해서 사용해도 된다.
본 조성물이 용제를 포함하는 경우의, 용제의 함유 비율은 본 조성물의 총량에 대하여 50 내지 98질량％가 바람직하다. 환언하면, 본 조성물에서의 고형분은 2 내지 50질량％가 바람직하다. 해당 고형분이 50질량％ 이하이면, 본 조성물의 점도가 낮아지는 점에서, 편광막의 두께가 대략 균일해짐으로써, 당해 편광막에 불균일이 발생하기 어려워질 경향이 있다. 또한, 이러한 고형분은 제조하려고 하는 편광막의 두께를 고려하여 정할 수 있다.
<중합 개시제>
중합 개시제는, 중합성 액정 화합물의 중합 반응을 개시할 수 있는 화합물이다. 중합 개시제로서는, 광의 작용에 의해 활성 라디칼을 발생하는 광중합 개시제가 바람직하다.
중합 개시제로서는, 예를 들어 벤조인 화합물, 벤조페논 화합물, 알킬페논 화합물, 아실포스핀옥사이드 화합물, 트리아진 화합물, 요오도늄염 및 술포늄염 등을 들 수 있다.
벤조인 화합물로서는, 예를 들어 벤조인, 벤조인메틸에테르, 벤조인에틸에테르, 벤조인이소프로필에테르 및 벤조인이소부틸에테르 등을 들 수 있다.
벤조페논 화합물로서는, 예를 들어 벤조페논, o-벤조일벤조산 메틸, 4-페닐벤조페논, 4-벤조일-4'-메틸디페닐술피드, 3,3',4,4'-테트라(tert-부틸퍼옥시카르보닐)벤조페논 및 2,4,6-트리메틸벤조페논 등을 들 수 있다.
알킬페논 화합물로서는, 예를 들어 디에톡시아세토페논, 2-메틸-2-모르폴리노-1-(4-메틸티오페닐)프로판-1-온, 2-벤질-2-디메틸아미노-1-(4-모르폴리노페닐)부탄-1-온, 2-히드록시-2-메틸-1-페닐프로판-1-온, 1,2-디페닐-2,2-디메톡시에탄-1-온, 2-히드록시-2-메틸-1-〔4-(2-히드록시에톡시)페닐〕프로판-1-온, 1-히드록시시클로헥실페닐케톤 및 2-히드록시-2-메틸-1-〔4-(1-메틸비닐)페닐〕프로판-1-온의 올리고머 등을 들 수 있다.
아실포스핀옥시드 화합물로서는, 2,4,6-트리메틸벤조일디페닐포스핀옥시드 및 비스(2,4,6-트리메틸벤조일)페닐포스핀옥사이드 등을 들 수 있다.
트리아진 화합물로서는, 예를 들어 2,4-비스(트리클로로메틸)-6-(4-메톡시페닐)-1,3,5-트리아진, 2,4-비스(트리클로로메틸)-6-(4-메톡시나프틸)-1,3,5-트리아진, 2,4-비스(트리클로로메틸)-6-(4-메톡시스티릴)-1,3,5-트리아진, 2,4-비스(트리클로로메틸)-6-〔2-(5-메틸푸란-2-일)에테닐〕-1,3,5-트리아진, 2,4-비스〔트리클로로메틸)-6-〔2-(푸란-2-일)에테닐〕-1,3,5-트리아진, 2,4-비스(트리클로로메틸〕-6-〔2-(4-디에틸아미노-2-메틸페닐)에테닐〕-1,3,5-트리아진 및 2,4-비스(트리클로로메틸)-6-〔2-(3,4-디메톡시페닐)에테닐〕-1,3,5-트리아진 등을 들 수 있다.
요오도늄염 및 술포늄염으로서는, 예를 들어 하기 화학식으로 표현되는 염을 들 수 있다.
Figure 112015047088018-pat00027
중합 개시제는 1종류만을 사용해도 되고, 2종류 이상을 조합해서 사용해도 된다.
중합 개시제에는 시판되고 있는 것을 사용할 수 있다. 시판되고 있는 중합 개시제로서는, 이르가큐어(Irgacure)(등록 상표) 907, 184, 651, 819, 250 및 369(치바·스페셜티·케미컬(주); 세이크올(등록 상표) BZ, Z 및 BEE(세이코가가쿠(주)제); 카야큐어(kayacure)(등록 상표) BP100 및 UVI-6992(다우·케미컬(주)제); 아데카옵토머 SP-152 및 SP-170((주)아데카(ADEKA)제); TAZ-A 및 TAZ-PP(니뽄시이벨헤그너(주)제) 및 TAZ-104((주)산와 케미컬제) 등을 들 수 있다.
본 조성물이 중합 개시제를 포함하는 경우의, 본 조성물에서의 중합 개시제의 함유량은, 중합성 액정 화합물의 배향을 어지럽히기 어렵다는 관점에서, 중합성 액정 화합물의 함유량 100질량부에 대하여, 통상 0.1 내지 30질량부이며, 바람직하게는 0.5 내지 10질량부이며, 보다 바람직하게는 0.5 내지 8질량부이다.
<광증감제>
본 조성물이 광중합 개시제를 함유하는 경우, 본 조성물은 바람직하게는 광증감제를 함유한다. 본 조성물이, 광중합 개시제 및 광증감제를 함유함으로써, 본 조성물에 포함되는 중합성 액정 화합물의 중합 반응은 보다 촉진되는 경향이 있다. 해당 광증감제로서는, 크산톤 및 티오크산톤 등의 크산톤 화합물 (예를 들어, 2,4-디에틸티오크산톤, 2-이소프로필티오크산톤 등); 안트라센 및 알콕시기 함유 안트라센(예를 들어, 디부톡시안트라센 등) 등의 안트라센 화합물; 페노티아진 및 루브렌 등을 들 수 있다.
본 조성물이 광증감제를 포함하는 경우의, 본 조성물에서의 광증감제의 함유량은, 중합성 액정 화합물 100질량부에 대하여 바람직하게는 0.1 내지 30질량부이며, 보다 바람직하게는 0.5 내지 10질량부이며, 더욱 바람직하게는 0.5 내지 8질량부이다.
<중합 금지제>
중합 금지제로서는, 히드로퀴논, 알콕시기 함유 히드로퀴논, 알콕시기 함유 카테콜(예를 들어, 부틸카테콜 등), 피로갈롤, 2,2,6,6-테트라메틸-1-피페리디닐옥시라디칼 등의 라디칼 포착제; 티오페놀류; β-나프틸아민류 및 β-나프톨류 등을 들 수 있다.
본 조성물에 중합 금지제가 함유됨으로써, 중합성 액정 화합물의 중합 반응의 진행 정도를 컨트롤할 수 있다.
본 조성물이 중합 금지제를 포함하는 경우의, 본 조성물에서의 중합 금지제의 함유량은 중합성 액정 화합물 100질량부에 대하여 바람직하게는 0.1 내지 30질량부이며, 보다 바람직하게는 0.5 내지 10질량부이며, 더욱 바람직하게는 0.5 내지 8질량부이다.
<레벨링제>
레벨링제란, 본 조성물의 유동성을 조정하고, 본 조성물을 도포하여 얻어지는 도포막을 보다 평탄하게 하는 기능을 갖는 것이며, 예를 들어 계면 활성제를 들 수 있다. 바람직한 레벨링제로서는, 폴리아크릴레이트 화합물을 주성분으로 하는 레벨링제 및 불소 원자 함유 화합물을 주성분으로 하는 레벨링제를 들 수 있다.
폴리아크릴레이트 화합물을 주성분으로 하는 레벨링제로서는, BYK-350, BYK-352, BYK-353, BYK-354, BYK-355, BYK-358N, BYK-361N, BYK-380, BYK-381 및 BYK-392(빅-케미 게엠베하(BYK-Chemie GmbH)제) 등을 들 수 있다.
불소 원자 함유 화합물을 주성분으로 하는 레벨링제로서는, 메가팩(등록 상표) R-08, R-30, R-90, F-410, F-411, F-443, F-445, F-470, F-471, F-477, F-479, F-482, F-483(DIC(주)제); 서플론(등록 상표) S-381, S-382, S-383, S-393, SC-101, SC-105, KH-40 및 SA-100(AGC세이미케미칼(주)제); E1830 및 E5844((주)다이킨파인케미컬 겐큐쇼제); 에프톱 EF301, EF303, EF351 및 EF352(미츠비시머티리얼덴시가세이(주)제) 등을 들 수 있다.
본 조성물이 레벨링제를 포함하는 경우의, 그 함유량은 중합성 액정 화합물 100질량부에 대하여 바람직하게는 0.3질량부 이상 5질량부 이하이고, 보다 바람직하게는 0.5질량부 이상 3질량부 이하이다.
레벨링제의 함유량이 상기한 범위 내이면, 중합성 액정 화합물을 수평 배향시키는 것이 용이하고, 또한 얻어지는 편광막이 보다 평활해지는 경향이 있다. 중합성 액정 화합물에 대한 레벨링제의 함유량이 상기한 범위를 초과하면, 얻어지는 편광막에 불균일이 쉽게 발생할 경향이 있다. 레벨링제는 1종류로 사용해도 되고, 2종류 이상을 조합해서 사용해도 된다.
<편광막의 제조 방법>
본 조성물로 형성되는, 화합물 (1)을 포함하는 편광막은, 본 조성물을 도포함으로써 얻을 수 있다. 바람직하게는, 하기 (1) 내지 (3)의 공정을 포함하는 제조 방법에 의해 제조할 수 있다. 화합물 (5)를 포함하는 편광막도, 화합물 (5)를 도포함으로써 얻을 수 있다. 또한, 본 조성물로 편광막을 제조하는 방법과 마찬가지로, 화합물 (5)와 중합성 액정 화합물을 포함하는 조성물을 도포함으로써 편광막을 얻을 수 있고, 바람직하게는 하기 (1) 내지 (3)의 공정을 포함하는 제조 방법에 의해 제조할 수 있다. 이하, 본 조성물로 형성되는 편광막 및 화합물 (5)를 포함하는 편광막을 합쳐서, 본 편광막이라고 하는 경우가 있다.
(1) 기재 또는 배향막이 형성된 기재의 표면에, 본 조성물을 도포하는 공정
(2) 도포된 본 조성물에 포함되는 중합성 액정 화합물 및 화합물 (1)을 배향시키는 공정
(3) 배향한 중합성 액정 화합물에 활성 에너지선을 조사함으로써 중합성 액정 화합물을 중합하는 공정
<(1)의 공정>
<기재>
기재는 유리 기재이어도 수지 기재이어도 되지만, 바람직하게는 수지 기재이다. 수지를 포함하는 필름 기재를 사용함으로써 얇은 편광판을 얻을 수 있다.
수지 기재는 바람직하게는 투명 수지 기재이다. 투명 수지 기재란, 광, 특히 가시광을 투과시킬 수 있는 투광성을 갖는 기재를 의미하고, 투광성이란, 파장 380nm 내지 780nm에 걸친 광선에 대한 시감도 보정 투과율이 80％ 이상이 되는 특성을 말한다.
기재는 바람직하게는 1/4 파장판 기능을 갖는 위상차 필름(이하, 1/4 파장판이라고 하는 경우가 있음)이다. 기재에 1/4 파장판을 사용함으로써, 원편광판을 얻을 수 있다.
이 때, 편광막의 투과축과, 1/4 파장판의 지상축(광축)이 실질적으로 45°가 되도록 하여 적층하는 것이 바람직하다. 실질적으로 45°란, 통상 45±5°의 범위이다. 또한, 편광막과 1/4 파장판의 광축을 일치 또는 직교시킴으로써 광학 보상 필름으로서 기능하는 편광 필름을 얻을 수 있다.
1/4 파장판은 통상 식 (40)으로 표현되는 광학 특성을 갖고, 바람직하게는 식 (40-1)로 표현되는 광학 특성을 갖는다.
Figure 112015047088018-pat00028
Re(550)은 파장 550nm의 광에 대한 면내 위상차값을 나타낸다.
또한, 1/4 파장판은 바람직하게는 역파장 분산 특성을 갖는다. 역파장 분산 특성이란, 단파장에서의 면내 위상차값쪽이 장파장에서의 면내 위상차값보다도 큰 것이며, 바람직하게는 식 (50) 및 식 (51)로 표현되는 광학 특성을 만족한다. Re〔λ)은 파장 λnm의 광에 대한 면내 위상차값을 나타낸다. 식 (50) 및 식 (51)로 표현되는 광학 특성을 갖는 1/4 파장판을 구비한 원편광판은, 가시광 영역에서의 각 파장의 광에 대하여, 균일한 편광 변환의 특성이 얻어지므로, 반사 방지 특성이 우수한 경향이 있다.
Figure 112015047088018-pat00029
또한, 기재는 1/2 파장판 기능을 갖는 위상차 필름이어도 된다.
기재를 구성하는 수지로서는, 예를 들어 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 노르보르넨계 중합체 등의 폴리올레핀; 환상 올레핀계 수지; 폴리비닐알코올; 폴리에틸렌테레프탈레이트; 폴리메타크릴산 에스테르; 폴리아크릴산 에스테르; 트리아세틸셀룰로오스, 디아세틸셀룰로오스 및 셀룰로오스아세테이트프로피오네이트 등의 셀룰로오스에스테르; 폴리에틸렌나프탈레이트; 폴리카르보네이트; 폴리술폰; 폴리에테르술폰; 폴리에테르케톤; 폴리페닐렌술피드; 및 폴리페닐렌옥시드 등을 들 수 있다. 바람직하게는, 셀룰로오스에스테르, 환상 올레핀계 수지, 폴리카르보네이트, 폴리에테르술폰, 폴리에틸렌테레프탈레이트 또는 폴리메타크릴산 에스테르이다.
셀룰로오스에스테르는, 셀룰로오스에 포함되는 수산기의 적어도 일부가 에스테르화된 것이며, 시장에서 입수할 수 있다. 또한, 셀룰로오스에스테르를 포함하는 기재도 시장에서 입수할 수 있다. 시판되고 있는 셀룰로오스에스테르를 포함하는 기재로서는, 후지텍(등록 상표) 필름(후지샤신필름(주)제); KC8UX2M, KC8UY 및 KC4UY(코니카미놀타옵토(주)제) 등을 들 수 있다.
환상 올레핀계 수지란, 노르보르넨 또는 다환 노르보르넨계 단량체 등의 환상 올레핀의 중합체, 또는 그들의 공중합체를 포함하는 것이다. 당해 환상 올레핀계 수지는, 개환 구조를 포함해도 되고, 또한 개환 구조를 포함하는 환상 올레핀계 수지를 수소 첨가한 것이어도 된다. 또한, 당해 환상 올레핀계 수지는, 투명성을 현저하게 손상시키지 않고, 현저하게 흡습성을 증대시키지 않는 범위에서, 쇄상 올레핀 및 비닐화 방향족 화합물에서 유래하는 구조 단위를 포함하고 있어도 된다. 또한, 당해 환상 올레핀계 수지는, 그 분자 내에 극성기가 도입되어 있어도 된다.
쇄상 올레핀으로서는 에틸렌 및 프로필렌 등을 들 수 있고, 비닐화 방향족 화합물로서는 스티렌, α-메틸스티렌 및 알킬 치환 스티렌 등을 들 수 있다.
환상 올레핀계 수지가, 환상 올레핀과, 쇄상 올레핀 또는 비닐화 방향족 화합물의 공중합체인 경우, 환상 올레핀에서 유래하는 구조 단위의 함유량은, 공중합체의 전체 구조 단위에 대하여, 통상 50몰％ 이하이고, 바람직하게는 15 내지 50몰％이다.
환상 올레핀계 수지가, 환상 올레핀과, 쇄상 올레핀과, 비닐화 방향족 화합물의 3원 공중합체인 경우, 쇄상 올레핀에서 유래하는 구조 단위의 함유량은, 공중합체의 전체 구조 단위에 대하여, 통상 5 내지 80몰％이며, 비닐화 방향족 화합물에서 유래하는 구조 단위의 함유 비율은, 공중합체의 전체 구조 단위에 대하여, 통상 5 내지 80몰％이다. 이러한 3원 공중합체는, 고가인 환상 올레핀의 사용량을 비교적 적게 할 수 있다는 이점이 있다.
환상 올레핀계 수지는 시장에서 입수할 수 있다. 시판되고 있는 환상 올레핀계 수지로서는, 토파스(Topas)(등록 상표)(티코나(Ticona)사제), 아톤(등록 상표)(JSR(주)제), 제오노아(ZEONOR)(등록 상표)(니뽄제온(주)제), 제오넥스(ZEONEX)(등록 상표)(니뽄제온(주)제) 및 아펠(등록 상표)(미츠이가가쿠(주)제) 등을 들 수 있다. 이러한 환상 올레핀계 수지를, 예를 들어 용제 캐스트법, 용융 압출법 등의 공지된 수단에 의해 제막하여, 기재로 할 수 있다.
시판되고 있는 환상 올레핀계 수지를 포함하는 기재로서는, 에스시나(등록 상표)(세키스이가가쿠고교(주)제), SCA40(등록 상표)(세키스이가가쿠고교(주)제), 제오노아 필름(등록 상표)(옵테스(주)제) 및 아톤 필름(등록 상표)(JSR(주)제) 등을 들 수 있다.
기재에는, 표면 처리를 실시해도 된다. 표면 처리의 방법으로서는, 예를 들어, 진공으로부터 대기압의 분위기 하에서, 코로나 또는 플라즈마로 기재의 표면을 처리하는 방법, 기재 표면을 레이저 처리하는 방법, 기재 표면을 오존 처리하는 방법, 기재 표면을 비누화 처리하는 방법, 기재 표면을 화염 처리하는 방법, 기재 표면에 커플링제를 도포하는 방법, 기재 표면을 프라이머 처리하는 방법 및 반응성 단량체나 반응성을 갖는 중합체를 기재 표면에 부착시킨 후에 방사선, 플라즈마 또는 자외선을 조사해서 반응시키는 그래프트 중합법 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 진공으로부터 대기압의 분위기 하에서, 기재 표면을 코로나 또는 플라즈마 처리하는 방법이 바람직하다.
코로나 또는 플라즈마로 기재의 표면 처리를 행하는 방법으로서는, 대기압 근방의 압력 하에서, 대향한 전극간에 기재를 설치하고, 코로나 또는 플라즈마를 발생시켜서, 기재의 표면 처리를 행하는 방법, 대향한 전극간에 가스를 흘려, 전극간에서 가스를 플라즈마화하고, 플라즈마화한 가스를 기재에 내뿜는 방법 및 저압 조건 하에서, 글로우 방전 플라즈마를 발생시켜서, 기재의 표면 처리를 행하는 방법을 들 수 있다.
그 중에서도, 대기압 근방의 압력 하에서, 대향한 전극간에 기재를 설치하고, 코로나 또는 플라즈마를 발생시켜서, 기재의 표면 처리를 행하는 방법 또는 대향한 전극간에 가스를 흘려, 전극간에서 가스를 플라즈마화하고, 플라즈마화한 가스를 기재에 내뿜는 방법이 바람직하다. 이러한 코로나 또는 플라즈마에 의한 표면 처리는, 통상, 시판되고 있는 표면 처리 장치에 의해 행하여진다.
기재는 본 조성물을 도포하는 면과는 반대인 면에 보호 필름을 가질 수도 있다. 보호 필름으로서는, 폴리에틸렌, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리카르보네이트 및 폴리올레핀 등의 필름 및 당해 필름에 또한 점착층을 갖는 필름 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 건조 시에 있어서의 열변형이 작으므로, 폴리에틸렌테레프탈레이트가 바람직하다. 보호 필름을, 본 조성물을 도포하는 면과는 반대인 면에 가짐으로써, 기재 반송 시의 필름의 흔들림이나 도포면의 약간의 진동을 억제할 수 있어, 도막의 균일성을 향상시킬 수 있다.
기재의 두께는, 실용적인 취급을 할 수 있을 정도의 중량인 점에서는, 얇은 편이 바람직하지만, 지나치게 얇으면 강도가 저하되어, 가공성이 떨어질 경향이 있다. 기재의 두께는 통상 5 내지 300μm이며, 바람직하게는 20 내지 200μm이다.
기재의 길이 방향의 길이는 통상 10 내지 3000m이며, 바람직하게는 100 내지 2000m이다. 기재의 짧은 방향의 길이는 통상 0.1 내지 5m이며, 바람직하게는 0.2 내지 2m이다.
<배향막>
본 발명에서의 배향막이란, 중합성 액정 화합물을 원하는 방향으로 배향시키는 배향 규제력을 갖는 것이다.
배향막으로서는, 본 조성물의 도포 등에 의해 용해되지 않는 용제 내성을 갖고, 또한 용제의 제거나 중합성 액정 화합물의 배향을 위한 가열 처리에서의 내열성을 갖는 것이 바람직하다. 이러한 배향막으로서는, 배향성 중합체를 포함하는 배향막, 광 배향막 및 표면에 요철 패턴이나 복수의 홈을 형성하여 배향시키는 그루브 배향막 등을 들 수 있다.
배향성 중합체로서는, 분자 내에 아미드 결합을 갖는 폴리아미드나 젤라틴류, 분자 내에 이미드 결합을 갖는 폴리이미드 및 그의 분해물인 폴리아미드산, 폴리비닐알코올, 알킬 변성 폴리비닐알코올, 폴리아크릴아미드, 폴리옥사졸, 폴리에틸렌이민, 폴리스티렌, 폴리비닐피롤리돈, 폴리아크릴산 및 폴리아크릴산 에스테르류를 들 수 있다. 그 중에서도, 폴리비닐알코올이 바람직하다. 2종 이상의 배향성 중합체를 조합하여 사용해도 된다.
배향성 중합체를 포함하는 배향막은 통상 배향성 중합체가 용제에 용해된 조성물을 기재에 도포하고, 용제를 제거하거나, 또는 용제를 제거하고 러빙함(러빙법)으로써 기재의 표면에 형성된다. 이하, 배향성 중합체가 용제에 용해된 조성물을, 배향성 중합체 조성물이라고 하는 경우가 있다.
상기 용제로서는, 물; 메탄올, 에탄올, 에틸렌글리콜, 이소프로필알코올, 프로필렌글리콜, 메틸셀로솔브, 부틸셀로솔브 및 프로필렌글리콜모노메틸에테르 등의 알코올 용제; 아세트산 에틸, 아세트산 부틸, 에틸렌글리콜메틸에테르아세테이트, γ-부티로락톤, 프로필렌글리콜메틸에테르아세테이트 및 락트산 에틸 등의 에스테르 용제; 아세톤, 메틸에틸케톤, 시클로펜타논, 시클로헥사논, 메틸아밀케톤 및 메틸이소부틸케톤 등의 케톤 용제; 펜탄, 헥산 및 헵탄 등의 지방족 탄화수소 용제; 톨루엔 및 크실렌 등의 방향족 탄화수소 용제; 아세토니트릴 등의 니트릴 용제, 테트라히드로푸란 및 디메톡시에탄 등의 에테르 용제; 및 클로로포름 및 클로로벤젠 등의 염소화 탄화수소 용제를 들 수 있다. 이들 용제는 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상을 조합해서 사용해도 된다.
배향성 중합체 조성물 내의 배향성 중합체의 농도는, 배향성 중합체 재료가 용제에 완전히 용해될 수 있는 범위이면 되지만, 용액에 대하여 고형분 환산으로 0.1 내지 20％가 바람직하고, 0.1 내지 10％정도가 더욱 바람직하다.
배향성 중합체 조성물로서, 시판되고 있는 배향막 재료를 그대로 사용해도 된다. 시판되고 있는 배향막 재료로서는, 산에버(등록 상표, 닛산가가쿠고교(주)제), 옵토머(등록 상표, JSR(주)제) 등을 들 수 있다.
배향성 중합체 조성물을 기재에 도포하는 방법으로서는, 스핀코팅법, 엑스트루젼법, 그라비아 코팅법, 다이 코팅법, 슬릿 코팅법, 바 코팅법, 어플리케이터법 등의 도포법, 플렉소법 등의 인쇄법 등의 공지된 방법을 들 수 있다. 본 편광막을, 후술하는 롤-투-롤(Roll to Roll) 형식의 연속적 제조 방법에 의해 제조할 경우, 당해 도포 방법에는 통상, 그라비아 코팅법, 다이 코팅법 또는 플렉소법 등의 인쇄법이 채용된다.
배향성 중합체 조성물에 포함되는 용제를 제거하는 방법으로서는, 자연 건조법, 통풍 건조법, 가열 건조 및 감압 건조법 등을 들 수 있다.
배향막에 배향 규제력을 부여하기 위해서, 필요에 따라 러빙을 행한다(러빙법). 러빙하는 방향을 선택함으로써, 배향 규제력의 방향을 임의로 제어할 수 있다.
러빙법에 의해 배향 규제력을 부여하는 방법으로서는, 러빙 천이 권취되고, 회전하고 있는 러빙 롤에, 배향성 중합체 조성물을 기재에 도포하여 어닐링함으로써 기재 표면에 형성된 배향성 중합체의 막을, 접촉시키는 방법을 들 수 있다.
광 배향막은, 통상, 광반응성 기를 갖는 중합체 또는 단량체와 용제를 포함하는 조성물을 기재에 도포하고, 광(바람직하게는, 편광 UV)을 조사함으로써 기재의 표면에 형성된다. 광 배향막은, 조사하는 광의 편광 방향을 선택함으로써, 배향 규제력의 방향을 임의로 제어할 수 있는 점에서 보다 바람직하다. 이하, 광반응성 기를 갖는 중합체 또는 단량체와 용제를 포함하는 조성물을, 광 배향막 형성용 조성물이라고 하는 경우가 있다.
광반응성 기란, 광조사함으로써 액정 배향능을 발생하는 기를 말한다. 구체적으로는, 광조사에 의해 발생하는 분자의 배향 유기(誘起) 또는 이성화 반응, 이량화 반응, 광가교 반응 또는 광분해 반응 등의 액정 배향능의 기원이 되는 광반응에 관여하는 기를 들 수 있다. 그 중에서도, 이량화 반응 또는 광가교 반응에 관여하는 기가, 배향성이 우수한 점에서 바람직하다. 광반응성 기로서, 불포화 결합, 특히 이중 결합을 갖는 기가 바람직하고, 탄소-탄소 이중 결합(C=C 결합), 탄소-질소 이중 결합(C=N 결합), 질소-질소 이중 결합(N=N 결합) 및 탄소-산소 이중 결합(C=O 결합)으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 하나를 갖는 기가 특히 바람직하다.
C=C 결합을 갖는 광반응성 기로서는, 비닐기, 폴리엔기, 스틸벤기, 스틸벤졸기, 스틸바졸륨기, 칼콘기 및 신나모일기를 들 수 있다. C=N 결합을 갖는 광반응성 기로서는, 방향족 시프 염기, 방향족 히드라존 등의 구조를 갖는 기를 들 수 있다. N=N 결합을 갖는 광반응성 기로서는, 아조벤젠기, 아조나프탈렌기, 방향족 복소환 아조기, 비스아조기, 포르마잔기 및 아족시벤젠 구조를 갖는 기를 들 수 있다. C=O 결합을 갖는 광반응성 기로서는, 벤조페논기, 쿠마린기, 안트라퀴논기 및 말레이미드기를 들 수 있다. 이들 기는 알킬기, 알콕시기, 아릴기, 알릴옥시기, 시아노기, 알콕시카르보닐기, 히드로퀴실기, 술폰산기, 할로겐화 알킬기 등의 치환기를 가질 수도 있다.
그 중에서도, 광이량화 반응에 관여하는 광반응성 기가 바람직하고, 광 배향에 필요한 편광 조사량이 비교적 적고, 또한 열 안정성이나 경시 안정성이 우수한 광 배향막을 쉽게 얻을 수 있다는 점에서, 신나모일기 및 칼콘기가 바람직하다. 광반응성 기를 갖는 중합체로서는, 당해 중합체 측쇄의 말단부가 신남산 구조가 되는 신나모일기를 갖는 것이 특히 바람직하다.
광 배향막 형성용 조성물에 포함되는 용제로서는, 상술한 배향성 중합체 조성물에 포함되는 용제와 동일한 것을 들 수 있고, 광반응성 기를 갖는 중합체 또는 단량체의 용해성에 따라서 적절히 선택할 수 있다.
광 배향막 형성용 조성물 내의 광반응성 기를 갖는 중합체 또는 단량체의 함유량은, 중합체 또는 단량체의 종류나 목적으로 하는 광 배향막의 두께에 따라 적절히 조절할 수 있지만, 적어도 0.2질량％로 하는 것이 바람직하고, 0.3 내지 10질량％의 범위가 보다 바람직하다. 광 배향막의 특성이 현저하게 손상되지 않는 범위에서, 광 배향막 형성용 조성물은 폴리비닐알코올이나 폴리이미드 등의 고분자 재료나 광증감제를 포함하고 있어도 된다.
광 배향막 형성용 조성물을 기재에 도포하는 방법으로서는, 배향성 중합체 조성물을 기재에 도포하는 방법과 동일한 방법을 들 수 있다. 도포된 광 배향막 형성용 조성물로부터 용제를 제거하는 방법으로서는, 예를 들어, 배향성 중합체 조성물로부터 용제를 제거하는 방법과 동일한 방법을 들 수 있다.
편광을 조사하기 위해서는, 기판 상에 도포된 광 배향막 형성용 조성물로부터 용제를 제거한 것에 직접 편광 UV를 조사하는 형식이어도, 기재측에서 편광을 조사하고, 편광을 투과시켜서 조사하는 형식이어도 된다. 또한, 당해 편광은 실질적으로 평행광이면 특히 바람직하다. 조사하는 편광의 파장은, 광반응성 기를 갖는 중합체 또는 단량체의 광반응성 기가 빛에너지를 흡수할 수 있는 파장 영역의 것이 좋다. 구체적으로는, 파장 250 내지 400nm의 범위의 UV(자외선)가 특히 바람직하다. 당해 편광 조사에 사용하는 광원으로서는, 크세논 램프, 고압 수은 램프, 초고압 수은 램프, 메탈 할라이드 램프, KrF, ArF 등의 자외광 레이저 등을 들 수 있고, 고압 수은 램프, 초고압 수은 램프 및 메탈 할라이드 램프가 보다 바람직하다. 이들 램프는 파장 313nm의 자외선의 발광 강도가 크므로 바람직하다. 상기 광원으로부터의 광을, 적당한 편광자를 통과하여 조사함으로써, 편광 UV를 조사할 수 있다. 이러한 편광자로서는, 편광 필터나 글랜-톰슨, 글랜-테일러 등의 편광 프리즘이나 와이어 그리드 타입의 편광자를 사용할 수 있다.
또한, 러빙 또는 편광 조사를 행할 때, 마스킹을 행하면, 액정 배향의 방향이 상이한 복수의 영역(패턴)을 형성할 수도 있다.
그루브 배향막은 막 표면의 요철 패턴 또는 복수의 홈에 의해 액정 배향이 얻어지는 막이다. H. V. 케넬 등에 의해, 복수의 등간격으로 배열된 직선 형상의 그루브(홈)를 갖는 기재에 액정 분자를 둔 경우, 그 홈에 따른 방향에 액정 분자가 배향된다는 사실이 보고되어 있다(문헌 [Physical Review A24(5), 2713페이지, 1981년]).
그루브 배향막을 기재의 표면에 형성하는 구체적인 방법으로서는, 감광성 폴리이미드 표면에 주기적인 패턴 형상의 슬릿을 갖는 노광용 마스크를 통하여 노광 후, 현상 및 린스 처리를 행해서 불필요한 폴리이미드막을 제거하여 요철 패턴을 형성하는 방법, 표면에 홈을 갖는 판상의 원반에 UV 경화 수지층을 형성하고, 수지층을 기재 필름에 옮기고 나서 경화하는 방법, UV 경화 수지층을 형성한 기재 필름을 반송하고, 복수의 홈을 갖는 롤상의 원반을 UV 경화 수지층 표면에 눌러서 요철을 형성 후 경화하는 방법 등을 들 수 있고, 일본 특허 공개 평6-34976호 공보, 일본 특허 공개 제2011-242743호 공보에 기재된 방법 등을 사용할 수 있다.
상기 방법 중에서도, 복수의 홈을 갖는 롤상의 원반을 UV 경화 수지층 표면에 눌러서 요철을 형성 후 경화하는 방법이 바람직하다. 롤상 원반으로서는, 내구성의 관점에서 스테인리스(SUS) 강을 사용할 수 있다.
UV 경화 수지로서는, 단관능 아크릴레이트의 중합체, 다관능 아크릴레이트의 중합체 또는 이들 혼합물의 중합체를 사용할 수 있다.
단관능 아크릴레이트란, 아크릴로일옥시기(CH2=CH-COO-) 및 메타크릴로일옥시기(CH2=C(CH3)-COO-)로 이루어지는 군에서 선택되는 기를 분자 내에 1개 갖는 화합물이다. 이하, 아크릴로일옥시기 및 메타크릴로일옥시기를, (메트)아크릴로일옥시기라고 기재하는 경우도 있다.
(메트)아크릴로일옥시기를 1개 갖는 단관능 아크릴레이트로서는, 탄소수 4 내지 16의 알킬(메트)아크릴레이트, 탄소수 2 내지 14의 β카르복시알킬(메트)아크릴레이트, 탄소수 2 내지 14의 알킬화 페닐(메트)아크릴레이트, 메톡시폴리에틸렌글리콜(메트)아크릴레이트, 페녹시폴리에틸렌글리콜(메트)아크릴레이트 및 이소보닐(메트)아크릴레이트 등을 들 수 있다.
다관능 아크릴레이트란, 통상, (메트)아크릴로일옥시기를 분자 내에 2개 내지 6개 갖는 화합물이다.
(메트)아크릴로일옥시기를 2개 갖는 2관능 아크릴레이트로서는, 1,3-부탄디올디(메트)아크릴레이트; 1,6-헥산디올디(메타)아크릴레이트; 에틸렌글리콜디(메트)아크릴레이트; 디에틸렌글리콜디(메트)아크릴레이트; 네오펜틸글리콜디(메트)아크릴레이트; 트리에틸렌글리콜디(메트)아크릴레이트; 테트라에틸렌글리콜디(메트)아크릴레이트; 폴리에틸렌글리콜디아크릴레이트; 비스페놀A의 비스(아크릴로일옥시에틸)에테르; 에톡시화 비스페놀A 디(메트)아크릴레이트; 프로폭시화 네오펜틸글리콜디(메트)아크릴레이트; 에톡시화 네오펜틸글리콜디(메트)아크릴레이트 및 3-메틸펜탄디올디(메트)아크릴레이트 등이 예시된다.
(메트)아크릴로일옥시기를 3개 내지 6개 갖는 다관능 아크릴레이트로서는, 트리메틸올프로판트리(메트)아크릴레이트; 펜타에리트리톨트리(메트)아크릴레이트; 트리스(2-히드록시에틸)이소시아누레이트트리(메트)아크릴레이트; 에톡시화 트리메틸올프로판트리(메트)아크릴레이트; 프로폭시화 트리메틸올프로판트리(메트)아크릴레이트; 펜타에리트리톨테트라(메트)아크릴레이트; 디펜타에리트리톨펜타(메트)아크릴레이트; 디펜타에리트리톨헥사(메트)아크릴레이트; 트리펜타에리트리톨테트라(메트)아크릴레이트; 트리펜타에리트리톨펜타(메트)아크릴레이트; 트리펜타에리트리톨헥사(메트)아크릴레이트; 트리펜타에리트리톨헵타(메트)아크릴레이트; 트리펜타에리트리톨옥타(메트)아크릴레이트;
펜타에리트리톨트리(메트)아크릴레이트와 산 무수물의 반응물; 디펜타에리트리톨펜타(메트)아크릴레이트와 산 무수물의 반응물;
트리펜타에리트리톨헵타(메트)아크릴레이트와 산 무수물의 반응물;
카프로락톤 변성 트리메틸올프로판트리(메트)아크릴레이트; 카프로락톤 변성 펜타에리트리톨트리(메트)아크릴레이트; 카프로락톤 변성 트리스(2-히드록시에틸)이소시아누레이트트리(메트)아크릴레이트; 카프로락톤 변성 펜타에리트리톨테트라(메트)아크릴레이트; 카프로락톤 변성 디펜타에리트리톨펜타(메트)아크릴레이트; 카프로락톤 변성 디펜타에리트리톨헥사(메트)아크릴레이트; 카프로락톤 변성 트리펜타에리트리톨테트라(메트)아크릴레이트; 카프로락톤 변성 트리펜타에리트리톨펜타(메트)아크릴레이트; 카프로락톤 변성 트리펜타에리트리톨헥사(메트)아크릴레이트; 카프로락톤 변성 트리펜타에리트리톨헵타(메트)아크릴레이트; 카프로락톤 변성 트리펜타에리트리톨옥타(메트)아크릴레이트; 카프로락톤 변성 펜타에리트리톨트리(메트)아크릴레이트와 산 무수물의 반응물; 카프로락톤 변성 디펜타에리트리톨펜타(메트)아크릴레이트와 산 무수물의 반응물 및 카프로락톤 변성 트리펜타에리트리톨헵타(메트)아크릴레이트와 산 무수물의 반응물 등을 들 수 있다. 또한, 여기에 나타낸 다관능 아크릴레이트의 구체예에 있어서, (메트)아크릴레이트란, 아크릴레이트 또는 메타크릴레이트를 의미한다. 또한, 카프로락톤 변성이란, (메트)아크릴레이트 화합물의 알코올 유래 부위와 (메트)아크릴로일옥시기의 사이에, 카프로락톤의 개환체, 또는 개환 중합체가 도입되어 있는 것을 의미한다.
이러한 다관능 아크릴레이트에는 시판품을 사용할 수도 있다.
이러한 시판품으로서는, A-DOD-N, A-HD-N, A-NOD-N, APG-100, APG-200, APG-400, A-GLY-9E, A-GLY-20E, A-TMM-3, A-TMPT, AD-TMP, ATM-35E, A-TMMT, A-9550, A-DPH, HD-N, NOD-N, NPG, TMPT(신나카무라가가쿠(주)제), "아로닉스(ARONIX) M-220", "동 M-325", "동 M-240", "동 M-270", "동 M-309", "동 M-310", "동 M-321", "동 M-350", "동 M-360", "동 M-305", "동 M-306", "동 M-450", "동 M-451", "동 M-408", "동 M-400", "동 M-402", "동 M-403", "동 M-404", "동 M-405", "동 M-406"(도아고세(주)제), "에베크릴(EBECRYL) 11", "동 145", "동 150", "동 40", "동 140", "동 180", DPGDA, HDDA, TPGDA, HPNDA, PETIA, PETRA, TMPTA, TMPEOTA, DPHA, 에베크릴 시리즈(다이셀·사이텍(주)제) 등을 들 수 있다.
그루브 배향막의 요철로서는, 볼록부의 폭은 0.05 내지 5μm인 것이 바람직하고, 오목부의 폭은 0.1 내지 5μm인 것이 바람직하고, 요철의 단차 깊이는 2μm 이하 바람직하게는 0.01 내지 1μm 이하인 것이 바람직하다. 이 범위라면, 배향 혼란이 작은 액정 배향을 얻을 수 있다.
배향막의 두께는, 통상 10nm 내지 10000nm이며, 바람직하게는 10nm 내지 1000nm이며, 보다 바람직하게는 10nm 내지 500nm이다.
본 조성물을 도포하는 방법으로서는, 배향성 중합체 조성물을 기재에 도포하는 방법으로서 예시한 것과 동일한 방법을 들 수 있다.
<(2)의 공정>
본 조성물이 용제를 포함하는 경우에는, 통상, 도포된 본 조성물로부터 용제를 제거한다. 용제의 제거 방법으로서는, 자연 건조법, 통풍 건조법, 가열 건조 및 감압 건조법 등을 들 수 있다.
도포된 본 조성물에 포함되는 중합성 액정 화합물은, 통상, 용액 상태에 전이하는 온도 이상으로 가열하고, 계속해서 액정 배향하는 온도까지 냉각함으로써 배향하여 액정상을 형성한다.
도포된 본 조성물에 포함되는 중합성 액정 화합물이 배향하는 온도는, 미리, 당해 중합성 액정 화합물을 포함하는 조성물을 사용한 텍스처 관찰 등에 의해 구하면 된다. 또한, 용제의 제거와 액정 배향을 동시에 행해도 된다. 이 때의 온도로서는, 제거하는 용매나 중합성 액정 화합물의 종류에 따라 다르지만, 50 내지 200℃의 범위가 바람직하고, 기재가 수지 기재인 경우에는, 80 내지 130℃의 범위가 보다 바람직하다.
1/4 파장판인 기재를 사용하여, 본 편광막과 해당 1/4 파장판을 갖는 원편광판을 얻는 경우에는, 중합성 액정 화합물의 배향 방향은, 얻어지는 편광막의 투과축과, 해당 기재의 지상축(광축)이 실질적으로 45°가 되도록 하면 된다.
<(3)의 공정>
배향한 중합성 액정 화합물에 활성 에너지선을 조사함으로써, 중합성 액정 화합물을 중합한다.
배향한 중합성 액정 화합물이 중합함으로써, 배향한 상태에서 중합한 중합성 액정 화합물과, 해당 중합성 액정 화합물과 함께 배향한 화합물 (1)을 포함하는 편광막이 얻어진다.
스메틱 액정상을 유지한 채 중합한 중합성 액정 화합물을 포함하는 편광막은, 종래의 호스트 게스트형 편광막, 즉 네마틱 액정상을 유지한 채로 중합성 액정 화합물 등을 중합해서 얻어지는 편광막과 비교해서 편광 성능이 높고, 또한 2색성 색소 또는 리오트로픽 액정형의 액정 화합물만을 도포한 것과 비교하여, 편광 성능 및 강도가 우수하다.
활성 에너지선의 광원으로서는, 자외선, 전자선, X선 등을 발생하는 것이면 된다. 바람직하게는, 저압 수은등, 중압 수은등, 고압 수은등, 초고압 수은등, 케미컬 램프, 블랙 라이트 램프, 마이크로웨이브 여기 수은등, 메탈 할라이드 램프 등의 파장 400nm 이하로 발광 분포를 갖는 광원이다.
활성 에너지선의 조사 에너지는 중합 개시제의 활성화에 유효한 파장 영역의 조사 강도가 10 내지 5000mJ/cm2가 되도록 설정하는 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 100 내지 2000mJ/cm2이다. 조사 에너지가 10mJ/cm2보다도 낮으면 중합성 액정 화합물의 경화가 불충분해질 경향이 있다.
이렇게 하여 형성된 본 편광막의 두께는 0.5μｍ 이상 10μm 이하의 범위가 바람직하고, 1μm 이상 5μm 이하가 더욱 바람직하다. 본 편광막의 두께는 간섭 막 두께 측정기나 레이저 현미경 또는 촉침식 막 두께 측정기의 측정으로 구할 수 있다.
본 편광막은 X선 회절 측정에서 브래그 피크가 얻어지는 것이면 특히 바람직하다. 이러한 브래그 피크가 얻어지는 본 편광막으로서는, 예를 들어 헥사틱상 또는 크리스탈상에서 유래하는 회절 피크를 나타내는 것을 들 수 있다.
본 편광막의 극대 흡수(λmax1)는 바람직하게는 400 내지 550nm의 범위에 존재하고, 보다 바람직하게는 410 내지 540nm의 범위에 존재하고, 더욱 바람직하게는 430 내지 530nm의 범위에 존재한다. 또한, 본 편광막에 포함되는 화합물 (1)을 적용한 용매에 용해되어 측정한 극대 흡수(λmax2)에 비하여, λmax1은 장파장 시프트하고 있으면 바람직하다. 이러한 장파장 시프트는, 중합한 중합성 액정 화합물에 의해 형성된 분자쇄간에, 화합물 (1)이 분산되었을 때에 발현하는 것이며, 해당 화합물 (1)이 해당 분자쇄에 강하게 상호 작용하고 있는 것을 나타내고 있다. 장파장 시프트란, 흡수 극대의 차분(λmax1-λmax2)이 플러스의 값이 되는 것을 의미하고, 그 차는 15nm 이상이면 바람직하고, 30nm 이상이면 더욱 바람직하다.
본 편광막이 나타내는 2색비는 바람직하게는 15 이상이며, 보다 바람직하게는 25 이상이다.
사용한 기재가 1/4 파장판이 아닌 경우에는, 얻어진 본 편광막과, 1/4 파장판을 적층함으로써 원편광판을 얻을 수 있다. 이 때, 본 편광막의 투과축과, 1/4 파장판의 지상축(광축)이 실질적으로 45°가 되도록 하여 적층하는 것이 바람직하다. 또한, 본 편광막의 투과축과, 1/4 파장판 등의 위상차 필름의 광축을 일치 또는 직교시킴으로써 광학 보상 필름으로서 기능하는 편광판을 얻을 수도 있다.
본 편광막과 1/4 파장판의 적층은, 본 편광막이 형성된, 기재 또는 배향막이 형성된 기재와 함께 행해도 되고, 기재, 또는 기재 및 배향막을 제거해서 행해도 된다. 기재 또는 배향막이 형성된 기재의 표면에 형성된 본 편광막과, 1/4 파장판의 적층은, 예를 들어 본 편광막이 형성된 면과, 1/4 파장판을 접착제를 사용해서 접합한 후, 해당 기재 또는 배향막이 형성된 기재를 제거함으로써 행할 수 있다. 이 때, 접착제는, 본 편광막에 도포되어도 되고, 1/4 파장판에 도포되어도 된다.
<본 편광막의 연속적 제조 방법>
본 편광판은 바람직하게는 롤-투-롤 형식에 의해 연속적으로 제조된다. 도 1을 참조하여, 롤-투-롤 형식에 의해 연속적으로 제조하는 방법의 주요부의 일례를 설명한다.
기재가 제1 권심(210A)에 권취되어 있는 제1 롤(210)은 예를 들어, 시장에서 용이하게 입수할 수 있다. 이러한 롤의 형태로 시장에서 입수할 수 있는 기재로서는, 이미 예시한 기재 중에서도, 셀룰로오스에스테르, 환상 올레핀계 수지, 폴리카르보네이트, 폴리에틸렌테레프탈레이트 또는 폴리메타크릴산 에스테르를 포함하는 필름 등을 들 수 있다.
계속해서, 상기 제1 롤(210)로부터 기재를 권출한다. 기재를 권출하는 방법은 상기 제1 롤(210)의 권심(210A)에 적당한 회전 수단을 설치하고, 당해 회전 수단에 의해 제1 롤(210)을 회전시킴으로써 행하여진다. 또한, 제1 롤(210)로부터 기재를 반송하는 방향으로, 적당한 보조 롤(300)을 설치하고, 당해 보조 롤(300)의 회전 수단으로 기재를 권출하는 형식이어도 된다. 또한, 제1 권심(210A) 및 보조 롤(300) 모두 회전 수단을 설치함으로써, 기재에 적당한 장력을 부여하면서, 기재를 권출하는 형식이어도 된다.
상기 제1 롤(210)로부터 권출된 기재는, 도포 장치(211A)를 통과할 때, 그 표면 상에 당해 도포 장치(211A)에 의해 광 배향막 형성용 조성물이 도포된다. 이와 같이 연속적으로 광 배향막 형성용 조성물을 도포하기 위한 도포 장치(211A)로서는, 그라비아 코팅법, 다이 코팅법 및 플렉소법이 바람직하다.
도포 장치(211A)를 통과한 기재는, 건조로(212A)에 반송되고, 건조로(212A)에 의해 건조되어, 기재 표면에 제1 도포막이 연속적으로 형성된다. 건조로(212A)에는, 예를 들어 통풍 건조법과 가열 건조법을 조합한 열풍식 건조로가 사용된다. 건조로(212A)의 설정 온도는, 상기 광 배향막 형성용 조성물에 포함되는 용제의 종류 등에 따라서 정해진다. 건조로(212A)는, 서로 다른 설정 온도의 복수의 존(zone)을 포함하는 것이면 되고, 서로 다른 설정 온도의 복수의 건조로를 직렬로 설치한 것이어도 된다.
얻어진 제1 도포막에, 편광 UV 조사 장치(213A)에 의해 편광을 조사함으로써, 광 배향막이 얻어진다.
계속해서, 광 배향막이 형성된 기재는, 도포 장치(211B)를 통과한다. 도포 장치(211B)에 의해 광 배향막 상에 용제를 포함하는 본 조성물이 도포된 후, 건조로(212B)를 통과함으로써, 해당 본 조성물에 포함되는 중합성 액정 화합물이 배향된 제2 도포막이 얻어진다. 건조로(212B)는, 광 배향막 상에 도포된 용제를 포함하는 본 조성물로부터 용제를 제거하는 역할과 함께, 해당 조성물에 포함되는 중합성 액정 화합물이 배향하도록 열에너지를 부여하는 역할을 담당한다. 건조로(212B)는, 건조로(212A)와 마찬가지로, 서로 다른 설정 온도의 복수의 존을 포함하는 것이면 되고, 서로 다른 설정 온도의 복수의 건조로를 직렬로 설치한 것이어도 된다.
제2 도포막에 포함되는 중합성 액정 화합물이 배향된 상태에서, 활성 에너지선 조사 장치(213B)에 반송된다. 활성 에너지선 조사 장치(213B)에 있어서, 또한 활성 에너지선 조사가 이루어진다. 활성 에너지선 조사 장치(213B)에 의한 활성 에너지선 조사에 의해, 중합성 액정 화합물이 배향된 상태로 중합하여 편광막이 얻어진다.
이렇게 하여 연속적으로 제조된 본 편광판은, 제2 권심(220A)에 권취되어, 제2 롤(220)의 형태가 얻어진다. 또한, 권취할 때에는, 적당한 스페이서를 이용한 공(供)권취를 행해도 된다.
이와 같이, 기재가, 제1 롤(210)부터, 도포 장치(211A), 건조로(212A), 편광 UV 조사 장치(213A), 도포 장치(211B), 건조로(212B), 활성 에너지선 조사 장치(213B)의 순서로 통과함으로써, 롤-투-롤 형식에 따라 연속적으로 본 편광판을 제조할 수 있다.
또한, 도 1에 도시하는 제조 방법에서는, 본 편광막을 연속적으로 제조하는 방법을 도시했지만, 예를 들어 기재를, 제1 롤부터, 도포 장치(211A), 건조로(212A), 편광 UV 조사 장치(213A)의 순서로 통과시키고, 이것을 권심에 권취함으로써 롤상의 기재와 광 배향막의 적층체를 제조하고, 또한 해당 롤상의 적층체를 권출하고, 도포 장치(211B), 건조로(212B), 활성 에너지선 조사 장치(213B)의 순서로 통과시킴으로써, 본 편광막을 연속적으로 제조할 수도 있다.
제2 롤(220)의 형태로 본 편광막을 제조한 경우에는, 제2 롤(220)로부터 긴 편광막을 권출하고, 소정의 치수로 재단하고 나서, 재단된 편광막에 1/4 파장판을 접합함으로써 원편광판을 제조할 수 있다. 또한, 긴 1/4 파장판이 권심에 권취되어 있는 제3 롤을 준비함으로써, 긴 원편광판을 연속적으로 제조할 수도 있다.
긴 원편광판을 연속적으로 제조하는 방법에 대해서, 도 2을 참조하여 설명한다. 이러한 제조 방법은
제2 롤(220)부터 연속적으로 본 편광막을 권출하는 동시에, 긴 1/4 파장판이 권취되어 있는 제3 롤(230)부터 연속적으로 긴 1/4 파장판을 권출하는 공정과,
본 편광막과, 상기 긴 1/4 파장판을 연속적으로 접합해서 긴 원편광판을 얻는 공정과,
얻어진 긴 원편광판을 제4 권심(240A)에 권취하고, 제4 롤(240)을 얻는 공정을 포함한다. 이 방법은 소위 롤-투-롤 접합이다. 또한, 접합에는 접착제를 사용해도 된다.
<본 편광막의 용도>
본 편광막, 화합물 (1)을 포함하는 편광막 및 본 편광막과 1/4 파장판을 갖는 원편광판은 다양한 표시 장치에 사용할 수 있다.
표시 장치란, 표시 소자를 갖는 장치이며, 발광원으로서 발광 소자 또는 발광 장치를 포함하는 것이다. 본 편광판을 구비하는 표시 장치로서는, 예를 들어 액정 표시 장치, 유기 전계발광(EL) 표시 장치, 무기 전계발광(EL) 표시 장치, 전자 방출 표시 장치(예를 들어 전기장 방출 표시 장치(FED), 표면 전계 방출 표시 장치(SED)), 전자 페이퍼(전자 잉크나 전기 영동 소자를 사용한 표시 장치, 플라즈마 표시 장치, 투사형 표시 장치(예를 들어 격자 라이트 밸브(GLV) 표시 장치, 디지털 마이크로밀러 디바이스(DMD)를 갖는 표시 장치) 및 압전 세라믹 디스플레이 등을 들 수 있다. 액정 표시 장치는, 투과형 액정 표시 장치, 반투과형 액정 표시 장치, 반사형 액정 표시 장치, 직시형 액정 표시 장치 및 투사형 액정 표시 장치 등 모두를 포함한다. 이들 표시 장치는 2차원 화상을 표시하는 표시 장치이어도 되고, 3차원 화상을 표시하는 입체 표시 장치이어도 된다.
본 편광막은, 특히 액정 표시 장치, 유기 전계발광(EL) 표시 장치 및 무기 전계발광(EL) 표시 장치에 유효하게 사용할 수 있다.
본 편광막과 1/4 파장판을 갖는 원편광판은, 특히 유기 전계발광(EL) 표시 장치 및 무기 전계발광(EL) 표시 장치에 유효하게 사용할 수 있다.
본 편광막을 액정 표시 장치에 사용할 경우, 본 편광막은 액정 셀의 외부에 구비되어도 되고, 액정 셀 내부에 구비되어도 된다.
특히 투과형의 액티브 매트릭스 컬러 액정 표시 장치의 액정 셀 내부에 구비되어 있는 경우의 제1 구성을, 도 3을 사용해서 이하에 설명한다. 해당 표시 장치(30)는, 제1 기체(31), 제1 본 편광막(32), 컬러 필터층(33), 평탄화층(34), ITO 전극층(35), 제1 배향막(36), 액정층(37), 제2 배향막(38), 제2 본 편광막(39), 박막 트랜지스터 회로 및 픽셀 전극을 포함하는 TFT층(40) 및 제2 기체(41)로 구성된다.
컬러 필터층이란, 기반(41)측부터의 입사광으로부터 원하는 파장의 광을 취출하는 층을 나타내고, 예를 들어 백색광으로부터 원하는 파장 이외의 파장의 광을 흡수해서 원하는 파장의 광만을 투과시키는 층이어도 되고, 입사광의 파장을 파장 변환시켜서 원하는 파장의 광을 출사시키는 층이어도 된다.
상기 제1 및 제2의 본 편광막은 각각 배향막을 제1 및 제2의 기체측에 포함하고 있어도 된다. 배향막은 러빙 배향막이어도 되며 광 배향막을 사용해도 된다. 또한, 제1 본 편광막은 위상차층을 포함하고 있어도 된다.
다음에 제2 구성을, 도 4를 사용해서 이하에 설명한다. 해당 표시 장치(60)는, 제1 기체(61), 제1 본 편광막(62), 컬러 필터층(63), 평탄화층(64), ITO 전극층(65), 제1 배향막(66), 액정층(67), 제2 배향막(68), 박막 트랜지스터 회로 및 픽셀 전극을 포함하는 TFT층(70) 및 제2 기체(71), 제2 편광막(72)으로 구성된다.
제2 기반(71)의 TFT층(70)의 반대측에 위치하는 제2 편광막(72)은, 본 발명의 편광막이어도 되고, 폴리비닐알코올을 요오드로 염색해서 연신하여 제작되는 편광막이어도 된다.
제3 구성을 도 5을 사용해서 이하에 설명한다. 해당 표시 장치(80)는, 제1 기체(81), 컬러 필터층(82), 제1 본 편광막(83), 평탄화층(84), ITO 전극층(85), 제1 배향막(86), 액정층(87), 제2 배향막(88), 박막 트랜지스터 회로 및 픽셀 전극을 포함하는 TFT층(90) 및 제2 기체(91), 제2 편광막(92)으로 구성된다.
제3 구성 중, 제2 편광막(92)은 본 발명의 편광막이어도 되고, 폴리비닐알코올을 요오드로 염색해서 연신하여 제작되는 편광막이어도 된다. 제2 편광막(92)이 본 발명에 의한 편광막인 경우, 제2 편광막은 제1 구성과 마찬가지로, 제2 기체(91)와 TFT층(90)의 사이에 위치하고 있어도 된다.
또한, 제3 구성 중 컬러 필터층(82)은 제1 기체(81)의 액정층과 반대측에 위치하고 있어도 된다.
컬러 필터층에 포함되는 입자에 의해 편광이 산란되어 편광 해소가 일어날 수 있다. 그로 인해, 제1 내지 제3의 구성 중, 본 발명에 의한 제1 편광막이 컬러 필터층보다 액정층측에 위치하고 있는 제3 구성이 보다 바람직하다.
(실시예)
이하, 실시예에 의해 본 발명을 더욱 상세하게 설명한다. 실시예 중의 「％」 및 「부」는 특기가 없는 한, 질량％ 및 질량부이다.
실시예 1[화합물 (1)(하기 화학식 (1A)로 표현되는 화합물[화합물 (1A)])의 제조]
Figure 112015047088018-pat00030
화합물 (1A)는 하기 반응식에 따라서 합성했다.
Figure 112015047088018-pat00031
화학식 (2A)로 표현되는 화합물[화합물 (2A)] 0.15g, 화학식 (3A)로 표현되는 화합물[화합물 (3A)] 0.090g, 인산 칼륨(K3PO4) 0.50g, 트리스(디벤질리덴아세톤)디팔라듐(0) 0.0087g, 트리-tert-부틸포스포늄테트라플루오로보라이트 0.011g 및 1,4-디옥산 3g을 혼합하고, 질소 분위기 하, 100℃에서 18시간 교반했다. 얻어진 혼합액을 농축해서 1,4-디옥산을 증류 제거한 후, 실리카 겔 칼럼 크로마토그래피(용출액: 톨루엔)로 정제하고, 농축해서 톨루엔을 증류 제거했다. 얻어진 고체를 아세토니트릴로 세정 후, 진공 건조시킴으로써, 주황색 고체인 화합물 (1A)를 0.10g 얻었다. 수율은 화합물 (2A) 기준으로 59％이었다. 스펙트럼 데이터 Mw: 357(GC-MS), 극대 흡수 파장(λmax2)=394nm(클로로포름 용액)
또한, 상기 화합물 (2A)는 하기 반응식에 따라서 합성했다.
Figure 112015047088018-pat00032
4-n-부틸-4'-아미노아조벤젠 3.0g과 물 15g을 포함하는 혼합물을 0℃로 냉각하고, 48％ 브롬화수소산 4.0g과 33％ 아질산 나트륨 수용액 4.9g을 적하했다. 얻어진 혼합물을, 브롬화 구리(I) 3.4g과 48％ 브롬화수소산 17g을 포함하는 혼합물에 60℃에서 적하하고, 1시간 60℃에서 보온했다. 25℃ 냉각 후, 석출물을 여과 취출해서 화학식 (2A)로 표현되는 화합물 (이하, 화합물 (2A)라고 함) 1.6g을 얻었다.
실시예 2[화합물 (1)(하기 화학식 (1B)로 표현되는 화합물[화합물 (1B)])의 제조]
Figure 112015047088018-pat00033
화합물 (1B)는 하기 반응식에 따라서 합성했다.
Figure 112015047088018-pat00034
화학식 (2B)로 표현되는 화합물[화합물 (2B)] 0.12g, 화학식 (3A)로 표현되는 화합물[화합물 (3A)] 0.064g, 인산 칼륨(K3PO4) 0.34g, 트리스(디벤질리덴아세톤)디팔라듐(0) 0.0059g, 트리-tert-부틸포스포늄테트라플루오로보라이트 0.0075g 및 1,4-디옥산 2.4g을 혼합하고, 질소 분위기 하, 100℃에서 18시간 교반했다. 얻어진 혼합액을 농축해서 1,4-디옥산을 증류 제거한 후, 실리카 겔 칼럼 크로마토그래피(용출액: 톨루엔)로 정제하고, 농축해서 톨루엔을 증류 제거했다. 얻어진 고체를 아세토니트릴로 세정 후, 진공 건조시킴으로써, 주황색 고체인 화합물 (1B)를 0.067g 얻었다. 수율은 화합물 (2B) 기준으로 52％이었다. 스펙트럼 데이터 Mw: 413(GC-MS), λmax2=398nm(클로로포름 용액)
실시예 3[화합물 (1)(하기 화학식 (1C)로 표현되는 화합물[화합물 (1C)])의 제조]
Figure 112015047088018-pat00035
화합물 (1C)는 하기 반응식에 따라서 합성했다.
Figure 112015047088018-pat00036
화학식 (2A)로 표현되는 화합물[화합물 (2A)] 0.12g, 화학식 (3B)로 표현되는 화합물[화합물 (3B)] 0.088g, 인산 칼륨(K3PO4) 0.40g, 트리스(디벤질리덴아세톤)디팔라듐(0) 0.0069g, 트리-tert-부틸포스포늄테트라플루오로보라이트 0.0088g 및 1,4-디옥산 2.4g을 혼합하고, 질소 분위기 하, 100℃에서 18시간 교반했다. 얻어진 혼합액을 농축해서 1,4-디옥산을 증류 제거한 후, 실리카 겔 칼럼 크로마토그래피(용출액: 클로로포름/헵탄=1/3)로 정제하고, 농축해서 용매를 증류 제거했다. 얻어진 고체를 아세트니트릴로 세정 후, 진공 건조시킴으로써, 주황색 고체인 화합물 (1C)를 0.054g 얻었다. 수율은 화합물 (2A) 기준으로 36％이었다. 스펙트럼 데이터 Mw: 385(GC-MS), λmax2=418nm(클로로포름 용액)
실시예 4[화합물 (1)(하기 화학식 (1D)로 표현되는 화합물[화합물 (1D)])의 제조]
Figure 112015047088018-pat00037
화합물 (1D)는 하기 반응식에 따라서 합성했다.
Figure 112015047088018-pat00038
화학식 (2C)로 표현되는 화합물[화합물 (2C)] 0.15g, 화학식 (3A)로 표현되는 화합물[화합물 (3A)] 0.078g, 인산 칼륨(K3PO4) 0.45g, 트리스(디벤질리덴아세톤)디팔라듐(0) 0.0078g, 트리-tert-부틸포스포늄테트라플루오로보레이트 0.0099g 및 1,4-디옥산 3g을 혼합하고, 질소 분위기 하, 100℃에서 18시간 교반했다. 얻어진 혼합액을 농축해서 1,4-디옥산을 증류 제거한 후, 실리카 겔 칼럼 크로마토그래피(용출액: 클로로포름)로 정제하고, 농축해서 클로로포름을 증류 제거했다. 얻어진 고체를 아세토니트릴로 세정 후, 진공 건조시킴으로써, 주황색 고체인 화합물 (1D)를 0.090g 얻었다. 수율은 화합물 (2C) 기준으로 60％이었다. 스펙트럼 데이터 Mw: 344(GC-MS), λmax2=436nm(클로로포름 용액)
실시예 5[화합물 (1)(하기 화학식 (1E)로 표현되는 화합물[화합물 (1E)])의 제조]
Figure 112015047088018-pat00039
화합물 (1E)는 하기 반응식에 따라서 합성했다.
Figure 112015047088018-pat00040
화학식 (2C)로 표현되는 화합물[화합물 (2C)] 0.20g, 화학식 (3B)로 표현되는 화합물[화합물 (3B)] 0.132g, 인산 칼륨(K3PO4) 0.60g, 트리스(디벤질리덴아세톤)디팔라듐(0) 0.0104g, 트리-tert-부틸포스포늄테트라플루오로보라이트 0.0132g 및 1,4-디옥산 4g을 혼합하고, 질소 분위기 하, 100℃에서 18시간 교반했다. 얻어진 혼합액을 농축해서 1,4-디옥산을 증류 제거한 후, 실리카 겔 칼럼 크로마토그래피(용출액: 클로로포름)로 정제하고, 농축해서 클로로포름을 증류 제거했다. 얻어진 고체를 아세토니트릴로 세정 후, 진공 건조시킴으로써, 주황색 고체인 화합물 (1E)를 0.187g 얻었다. 수율은 화합물 (2C) 기준으로 89％이었다. 스펙트럼 데이터 MW: 372(GC-MS), λmax2=442nm(클로로포름 용액)
실시예 6[화합물 (1)(하기 화학식 (1F)로 표현되는 화합물[화합물 (1F)])의 제조]
Figure 112015047088018-pat00041
화합물 (1F)는 하기 반응식에 따라서 합성했다.
Figure 112015047088018-pat00042
화학식 (2D)로 표현되는 화합물[화합물 (2D)] 0.20g, 화학식 (3A)로 표현되는 화합물[화합물 (3A)] 0.104g, 인산 칼륨(K3PO4) 0.56g, 트리스(디벤질리덴아세톤)디팔라듐(0) 0.0193g, 트리-tert-부틸포스포늄테트라플루오로보라이트 0.0244g 및 1,4-디옥산 4g을 혼합하고, 질소 분위기 하, 100℃에서 18시간 교반했다. 얻어진 혼합액을 농축해서 1,4-디옥산을 증류 제거한 후, 실리카 겔 칼럼 크로마토그래피(용출액: 클로로포름/헵탄=1/3)로 정제하고, 농축해서 용매를 증류 제거했다. 얻어진 고체를 아세트니트릴로 세정 후, 진공 건조시킴으로써, 주황색 고체인 화합물 (1F)를 0.035 g 얻었다. 수율은 화합물 (2D) 기준으로 16％이었다. M/Z: 420(EI-MS), λmax2: 488nm(클로로포름 용액)
실시예 7[화합물 (1)(하기 화학식 (1G)로 표현되는 화합물[화합물 (1G)])의 제조]
Figure 112015047088018-pat00043
화합물 (1G)는 하기 반응식에 따라서 합성했다.
Figure 112015047088018-pat00044
화학식 (2E)로 표현되는 화합물[화합물 (2E)] 0.15g, 화학식 (3B)로 표현되는 화합물[화합물 (3B)] 0.11g, 인산 칼륨(K3PO4) 0.48g, 트리스(디벤질리덴아세톤)디팔라듐(0) 0.OO83g, 트리-tert-부틸포스포늄테트라플루오로보라이트 0.0105g 및 1,4-디옥산 3g을 혼합하고, 질소 분위기 하, 100℃에서 18시간 교반했다. 얻어진 혼합액을 농축해서 1,4-디옥산을 증류 제거한 후, 실리카 겔 칼럼 크로마토그래피(용출액: 클로로포름)로 정제하고, 농축해서 클로로포름을 증류 제거했다. 얻어진 고체를 아세토니트릴로 세정 후, 진공 건조시킴으로써, 주황색 고체인 화합물 (1E)를 0.069g 얻었다. 수율은 화합물 (2C) 기준으로 34％이었다. 스펙트럼 데이터 M/Z: 400(EI-MS), λmax2: 456nm(클로로포름 용액)
[중합성 액정 화합물]
본 조성물에 포함되는 중합성 액정 화합물로서, 하기 화학식 (4-6)으로 표현되는 화합물[화합물 (4-6)], 하기 화학식 (4-8)로 표현되는 화합물[화합물 (4-8)], 하기 화학식 (4-22)로 표현되는 화합물[화합물 (4-22)] 및 하기 화학식 (4-25)로 표현되는 화합물[화합물 (4-25)]을 사용했다.
또한, 화합물 (4-6)은 문헌 [Lub et al, Recl, Trav. Chim. Pays-Bas, 115, 321-328(1996)]에 기재된 방법으로 합성했다. 또한, 이 방법에 준거하여, 화합물 (4-8)을 제조했다.
화합물 (4-22) 및 화합물 (4-25)는 일본 특허 제4719156호에 기재된 방법에 준거하여 제조했다.
화합물 (4-6):
Figure 112015047088018-pat00045
〔상전이 온도의 측정〕
화합물 (4-6)의 상전이 온도는 화합물 (4-6)을 포함하는 막의 상전이 온도를 구함으로써 확인했다. 그 조작은 이하와 같다.
배향막을 형성한 유리 기판 상에, 화합물 (4-6)을 포함하는 막을 형성하고, 가열하면서, 편광 현미경(BX-51, 올림푸스사제)에 의한 텍스처 관찰에 의해 상전이 온도를 확인했다. 화합물 (4-6)은 120℃까지 승온 후, 강온 시에 있어서, 112℃에서 네마틱상으로 상전이 하고, 110℃에서 스메틱 A상으로 상전이 하고, 94℃에서 스메틱 B상으로 상전이 했다.
화합물 (4-8):
Figure 112015047088018-pat00046
〔상전이 온도의 측정〕
화합물 (4-6)의 상전이 온도 측정과 동일하게 하여, 화합물 (4-8)의 상전이 온도를 확인하였다. 화합물 (4-8)은 140℃까지 승온 후, 강온 시에 있어서, 131℃에서 네마틱상으로 상전이 하고, 80℃에서 스메틱 A상으로 상전이 하고, 68℃에서 스메틱 B상으로 상전이 했다.
화합물 (4-22):
Figure 112015047088018-pat00047
〔상전이 온도의 측정〕
화합물 (4-6)의 상전이 온도 측정과 동일하게 하여, 화합물 (4-22)의 상전이 온도를 확인했다. 화합물 (4-22)은 140℃까지 승온 후, 강온 시에 있어서, 106℃에서 네마틱상으로 상전이 하고, 103℃에서 스메틱 A상으로 상전이 하고, 86℃에서 스메틱 B상으로 상전이 했다.
화합물 (4-25):
Figure 112015047088018-pat00048
〔상전이 온도의 측정〕
화합물 (4-6)의 상전이 온도 측정과 동일하게 하여, 화합물 (4-25)의 상전이 온도를 확인했다. 화합물 (4-25)는 140℃까지 승온 후, 강온 시에 있어서, 119℃에서 네마틱상으로 상전이 하고, 100℃에서 스메틱 A상으로 상전이 하고, 77℃에서 스메틱 B상으로 상전이 했다.
실시예 8
〔조성물의 제조〕
다음의 성분을 혼합하고, 80℃에서 1시간 교반함으로써, 조성물(1)을 얻었다.
중합성 액정 화합물; 화합물 (4-6) 75부
화합물 (4-8) 25부
화합물 (1); 화합물 (1A) 2.5부
중합 개시제; 2-디메틸아미노-2-벤질-1-(4-모르폴리노페닐)부탄-1-온(이르가큐어369; 치바 스페셜티 케미컬즈사제) 6부
레벨링제; 폴리아크릴레이트 화합물 (BYK-361N; 빅-케미사제)
1.5부
용제; 톨루엔 250부
〔상전이 온도의 측정〕
화합물 (4-6)과 마찬가지로, 조성물(1)에 포함되는 성분의 상전이 온도를 구했다. 이러한 성분은 140℃까지 승온 후, 강온 시에 있어서, 115℃에서 네마틱상으로 상전이 하고 105℃에서 스메틱 A상으로 상전이 하고, 75℃에서 스메틱 B상으로 상전이 했다.
〔본 편광막의 제조 및 평가〕
1. 배향막의 형성
유리 기판 상에 폴리비닐알코올(폴리비닐알코올1000 완전 비누화형, 와코쥰야쿠고교(주)제)의 2질량％ 수용액을 스핀 코팅법에 의해 도포하고, 건조 후, 두께 100nm의 막을 형성했다. 계속해서, 얻어진 막의 표면에 러빙 처리를 실시함으로써 배향막을 형성했다. 러빙 처리는, 반자동 러빙 장치(상품명: LQ-OO8형, 죠요고우가쿠(주)제)를 사용하여, 천(상품명: YA-20-RW, 요시카와가코(주)제)에 의해, 압입량 0.15mm, 회전수 500rpm, 16.7mm/s의 조건으로 행했다. 이러한 러빙 처리에 의해, 유리 기판 상에 배향막이 형성된 적층체1을 얻었다.
2. 편광막의 형성
적층체(1)의 배향막 상에, 조성물(1)을 스핀 코팅법에 의해 도포하고, 120℃의 핫 플레이트 상에서 1분간 가열 건조한 후, 빠르게 실온까지 냉각하여, 상기 배향막 상에 배향한 중합성 액정 화합물을 포함하는 건조 피막을 형성했다. 계속해서, UV 조사 장치(스팟 큐어(SPOT CURE) SP-7; 우시오덴키(주)제)를 사용하여, 자외선을, 노광량 2000mJ/cm2(365nm 기준)로 건조 피막에 조사함으로써, 해당 건조 피막에 포함되는 중합성 액정 화합물을, 배향 상태를 유지한 채 중합시키고, 해당 건조 피막으로 편광막(1)을 형성하여 적층체(2)를 얻었다. 이 때의 편광막의 두께를 레이저 현미경(올림푸스(주)제 OLS3000)에 의해 측정한 바, 1.7μm이었다.
3. X선 회절 측정
편광막(1)에 대하여, X선 회절 장치 엑스퍼트 프로(X'Pert PRO) MPD(스펙트리스(주)제)를 사용해서 X선 회절 측정을 행했다. 타깃으로서 Cu를 사용하여 X선관 전류 40mA, X선관 전압 45kV의 조건에서 발생한 X선을 고정 발산 슬릿 1/2°를 개재하여 러빙 방향(미리, 편광막 아래에 있는 배향막의 러빙 방향을 구해 둠)으로부터 입사시키고, 주사 범위 2θ=4.0 내지 40.0°의 범위에서 2θ=0.01671° 스텝에서 주사해서 측정을 행한 결과, 2θ=20.1° 부근에 피크 반가폭(FWHM)=약 0.31°의 샤프한 회절 피크(브래그 피크)가 얻어졌다. 또한, 러빙 수직 방향으로부터의 입사에서도 동등한 결과를 얻었다. 피크 위치로부터 구한 질서 주기(d)는 약 4.4Å이며, 고차 스멕틱상을 반영한 구조를 형성하고 있는 것을 알 수 있었다.
4. 2색비의 측정
극대 흡수 파장에서의 투과축 방향의 흡광도(A1) 및 흡수축 방향의 흡광도(A2)를, 분광 광도계(시마즈세이사쿠쇼(주)제: UV-3150)에, 적층체(2)를 구비한 폴더를, 세팅한 장치를 사용하여 더블빔법으로 측정했다. 해당 폴더는, 레퍼런스측은 광량을 50％ 커트하는 메쉬를 설치했다. 측정된 투과축 방향의 흡광도(A1) 및 흡수축 방향의 흡광도(A2)의 값으로부터, 비(A2/A1)를 산출하고, 2색비로 했다. 극대 흡수 파장(λmax1)은 440nm이며, 이 파장에서의 2색비는 36으로 높은 값을 나타냈다. 2색비가 높을수록, 편광막으로서 유용하다고 할 수 있다. 또한, 이 조성물(1)에 사용한 화합물 (1A)를 용액의 상태(클로로포름 용액)에서 측정한 극대 흡수 파장(λmax2)은 394nm이며, 장파장 시프트하고 있는 것이 판명되었다. 이 장파장 시프트의 결과는, 본 편광막 내에 있어서, 중합성 액정 화합물이 중합되어 이루어지는 친밀한 분자쇄간에, 화합물 (1A)가 분산되어 있을 때, 해당 화합물 (1A)가 그 분자쇄와 강하게 상호 작용하고 있는 것을 나타내는 것이다.
실시예 9
화합물 (1A) 대신에 화합물 (1B)를 사용한 것 이외는, 실시예 8과 마찬가지로 하여, 본 편광막을 제작했다. 마찬가지로 극대 흡수 파장 및 2색비를 측정한 바, 극대 흡수 파장(λmax1)은 440nm이며, 2색비는 28로 높은 값을 나타냈다. 또한, 실시예 2에서 기재한 대로 극대 흡수 파장(λmax2)은 398nm이므로, 장파장 시프트하고 있는 것이 판명되었다. 이 결과는, 본 편광막 내에 있어서, 중합성 액정 화합물이 중합되어 이루어지는 친밀한 분자쇄간에, 화합물 (1B)가 분산되어 있을 때, 해당 화합물 (1B)가 그 분자쇄와 강하게 상호 작용하고 있는 것을 나타내는 것이다.
실시예 10
화합물 (4-6) 대신에 화합물 (4-22)를, 화합물 (4-8) 대신에 화합물 (4-25)를 각각 사용한 것 이외는, 실시예 8과 마찬가지로 하여 편광막을 제작했다. 마찬가지로 극대 흡수 파장 및 2색비를 측정한 바, 극대 흡수 파장(λmax1)은 444nm이며, 2색비는 31로 높은 값을 나타냈다. 또한, 실시예 1에 기재한 대로 극대 흡수 파장(λmax2)은 394nm이므로, 장파장 시프트 하고 있는 것이 판명되었다.
실시예 11
화합물 (4-6) 대신에 화합물 (4-22)를, 화합물 (4-8) 대신에 화합물 (4-25)를 각각 사용한 것 이외는, 실시예 9와 마찬가지로 하여 편광막을 제작했다. 마찬가지로 극대 흡수 파장 및 2색비를 측정한 바, 극대 흡수 파장(λmax1)은 441nm이며, 2색비는 26으로 높은 값을 나타냈다. 또한, 실시예 2에 기재한 대로 극대 흡수 파장(λmax2)은 398nm이므로, 장파장 시프트 하고 있는 것이 판명되었다.
실시예 12
화합물 (1A) 대신에 화합물 (1C)를 사용한 것 이외는, 실시예 8과 마찬가지로 하여 본 편광막을 제작했다. 마찬가지로 극대 흡수 파장 및 2색비를 측정한 바, 극대 흡수 파장(λmax1)은 454nm이며, 2색비는 21로 높은 값을 나타냈다. 극대 흡수 파장(λmax2)은 418nm이므로, 장파장 시프트 하고 있는 것이 판명되었다. 이 결과는, 본 편광막 내에 있어서, 중합성 액정 화합물이 중합되어 이루어지는 친밀한 분자쇄간에, 화합물 (1C)가 분산되어 있을 때, 해당 화합물 (1C)가 그 분자쇄와 강하게 상호 작용하고 있는 것을 나타내는 것이다.
실시예 13
화합물 (1A) 대신에 화합물 (1D)를 사용한 것 이외는, 실시예 8과 마찬가지로 하여 본 편광막을 제작했다. 마찬가지로 극대 흡수 파장 및 2색비를 측정한 바, 극대 흡수 파장(λmax1)은 454nm이며, 2색비는 23으로 높은 값을 나타냈다. 극대 흡수 파장(λmax2)은 436nm이므로, 장파장 시프트 하고 있는 것이 판명되었다. 이 결과는, 본 편광막 내에 있어서, 중합성 액정 화합물이 중합되어 이루어지는 친밀한 분자쇄간에, 화합물 (1D)가 분산되어 있을 때, 해당 화합물 (1D)가 그 분자쇄와 강하게 상호 작용하고 있는 것을 나타내는 것이다.
실시예 14
화합물 (1A) 대신에 화합물 (1E)를 사용한 것 이외는, 실시예 8과 마찬가지로 하여 본 편광막을 제작했다. 마찬가지로 극대 흡수 파장 및 2색비를 측정한 바, 극대 흡수 파장(λmax1)은 472nm이며, 2색비는 36으로 높은 값을 나타냈다. 극대 흡수 파장(λmax2)은 442nm이므로, 장파장 시프트 하고 있는 것이 판명되었다. 이 결과는, 본 편광막 내에 있어서, 중합성 액정 화합물이 중합되어 이루어지는 친밀한 분자쇄간에, 화합물 (1E)가 분산되어 있을 때, 해당 화합물 (1E)가 그 분자쇄와 강하게 상호 작용하고 있는 것을 나타내는 것이다.
실시예 15
화합물 (1A) 대신에 화합물 (1F)를 사용한 것 이외는, 실시예 8과 마찬가지로 하여 본 편광막을 제작했다. 마찬가지로 극대 흡수 파장 및 2색비를 측정한 바, 극대 흡수 파장(λmax1)은 532nm이며, 2색비는 43으로 높은 값을 나타냈다. 극대 흡수 파장(λmax2)은 488nm이므로, 장파장 시프트 하고 있는 것이 판명되었다. 이 결과는, 본 편광막 내에 있어서, 중합성 액정 화합물이 중합되어 이루어지는 친밀한 분자쇄간에, 화합물 (1F)가 분산되어 있을 때, 해당 화합물 (1F)가 그 분자쇄와 강하게 상호 작용하고 있는 것을 나타내는 것이다.
실시예 16
화합물 (1A) 대신에 화합물 (1G)를 사용한 것 이외는, 실시예 8과 마찬가지로 하여 본 편광막을 제작했다. 마찬가지로 극대 흡수 파장 및 2색비를 측정한 바, 극대 흡수 파장(λmax1)은 480nm이며, 2색비는 26으로 높은 값을 나타냈다. 극대 흡수 파장(λmax2)은 456nm이므로, 장파장 시프트 하고 있는 것이 판명되었다. 이 결과는, 본 편광막 내에 있어서, 중합성 액정 화합물이 중합되어 이루어지는 친밀한 분자쇄간에, 화합물 (1G)가 분산되어 있을 때, 해당 화합물 (1G)가 그 분자쇄와 강하게 상호 작용하고 있는 것을 나타내는 것이다.
실시예 17[화합물 (1)(하기 화학식 (1H)로 표현되는 화합물[화합물 (1H)])의 제조]
Figure 112015047088018-pat00049
화합물 (1H)는 하기 반응식에 따라서 합성했다.
Figure 112015047088018-pat00050
화학식 (2F)로 표현되는 화합물[화합물 (2F)] 0.25g, 화학식 (3C)로 표현되는 화합물[화합물 (3C)] 0.22g, 인산 칼륨(K3PO4) 0.81g, 트리스(디벤질리덴아세톤)디팔라듐(0) 0.0139g, 트리-tert-부틸포스포늄테트라플루오로보라이트 0.0176g 및 1,4-디옥산 5g을 혼합하고, 질소 분위기 하, 100℃에서 9시간 교반했다. 얻어진 혼합액을 농축하여 1,4-디옥산을 증류 제거한 후, 실리카 겔 칼럼 크로마토그래피(용출액: 클로로포름 및 테트라히드로푸란)로 정제하고, 농축해서 용매를 증류 제거했다. 얻어진 고체를 아세토니트릴로 세정 후, 진공 건조시킴으로써, 주황색 고체인 화합물 (1H)를 0.079g 얻었다. 수율은 화합물 (2F) 기준으로 25％이었다. 스펙트럼 데이터 M/Z: 412(EI-MS), λmax2: 391nm(클로로포름 용액)
Figure 112015047088018-pat00051
상기의 화합물 (2F)는 하기 반응식에 따라서 합성했다.
Figure 112015047088018-pat00052
실시예 1에 있어서, 4-n-부틸-4'-아미노아조벤젠 대신에 4-트리플루오로메틸-4'-아미노아조벤젠을 사용한 것 이외는, 화합물 (2A)와 마찬가지로 합성하고, 화학식 (2F)로 표현되는 화합물 (이하, 화합물 (2F)라고 함)을 얻었다.
실시예 18[화합물 (1)(하기 화학식 (1I)로 표현되는 화합물[화합물 (1I)])의 제조]
Figure 112015047088018-pat00053
화합물 (1I)는 하기 반응식에 따라서 합성했다.
Figure 112015047088018-pat00054
화학식 (2G)로 표현되는 화합물[화합물 (2G)] 0.25g, 화학식 (3C)로 표현되는 화합물[화합물 (3C)] 0.21g, 인산 칼륨(K3PO4) 0.77g, 트리스(디벤질리덴아세톤)디팔라듐(0) 0.0132g, 트리-tert-부틸포스포늄테트라플루오로보라이트 0.0168g 및 1,4-디옥산 5g을 혼합하고, 질소 분위기 하, 100℃에서 12시간 교반했다. 얻어진 혼합액을 농축해서 1,4-디옥산을 증류 제거한 후, 실리카 겔 칼럼 크로마토그래피(용출액: 클로로포름 및 테트라히드로푸란)로 정제하고, 농축해서 용매를 증류 제거했다. 얻어진 고체를 아세토니트릴로 세정 후, 진공 건조시킴으로써, 주황색 고체인 화합물 (1I)을 0.037g 얻었다. 수율은 화합물 (2G) 기준으로 12％이었다. 스펙트럼 데이터 M/Z: 429(EI-MS, λmax2: 416nm(클로로포름 용액)
상기 화합물 (2G)는 하기 반응식에 따라서 합성했다.
Figure 112015047088018-pat00055
p-브로모어닐린 4.0g, 물 40g, 35％ 염산 5.2g을 혼합했다. 얻어진 혼합물을, 0℃로 냉각한 후, 33％ 아질산 나트륨 수용액 5.3g을 적하했다. 얻어진 혼합물을 30분간 교반한 후, 아미드황산 0.23g을 첨가했다. 얻어진 혼합물을, N-페닐모르폴린 5.7g과 아세트산 나트륨 7.6g과 메탄올 114g과 물 57g을 포함하는 혼합물에, 0℃에서 적하했다. 석출물을 여과하고, 물로 3회 세정했다. 얻어진 고체를 건조시킴으로써, 주황색 고체인 화합물 (2G) 5.3g을 얻었다.
실시예 19[화합물 (1)(하기 화학식 (1J)로 표현되는 화합물[화합물 (1J)])의 제조]
Figure 112015047088018-pat00056
화합물 (1J)는 하기 반응식에 따라서 합성했다.
Figure 112015047088018-pat00057
화학식 (2H)로 표현되는 화합물[화합물 (2H)] 0.30g, 화학식 (3C)로 표현되는 화합물[화합물 (3C)] 0.30g, 인산 칼륨(K3PO4) 0.92g, 트리스(디벤질리덴아세톤)디팔라듐(0) 0.0159g, 트리-tert-부틸포스포늄테트라플루오로보라이트 0.0202g 및 1,4-디옥산 6g을 혼합하고, 질소 분위기 하, 100℃에서 8시간 교반했다. 얻어진 혼합액을 농축해서 1,4-디옥산을 증류 제거한 후, 실리카 겔 칼럼 크로마토그래피(용출액: 클로로포름 및 테트라히드로푸란)로 정제하고, 농축해서 용매를 증류 제거했다. 얻어진 고체를 아세토니트릴로 세정 후· 진공 건조시킴으로써, 주황색 고체인 화합물 (1J)를 0.080g 얻었다. 수율은 화합물 (2H) 기준으로 22％이었다. 스펙트럼 데이터 M/Z: 428(EI-MS), λmax2: 384nm(클로로포름 용액)
Figure 112015047088018-pat00058
실시예 20[화합물 (1)(하기 화학식 (1K)로 표현되는 화합물[화합물 (1K)])의 제조]
Figure 112015047088018-pat00059
화합물 (1K)는 하기 반응식에 따라서 합성했다.
Figure 112015047088018-pat00060
화학식 (2F)로 표현되는 화합물[화합물 (2F)] 0.50g, 화학식 (3D)로 표현되는 화합물[화합물 (3D)] 0.45g, 인산 칼륨(K3PO4) 1.61g, 트리스(디벤질리덴아세톤)디팔라듐(0) 0.0278g, 트리-tert-부틸포스포늄테트라플루오로보라이트 0.0353g 및 1,4-디옥산 10g을 혼합하고, 질소 분위기 하, 100℃에서 8시간 교반했다. 얻어진 혼합액을 농축해서 1,4-디옥산을 증류 제거한 후, 실리카 겔 칼럼 크로마토그래피(용출액: 클로로포름 및 테트라히드로푸란)로 정제하고, 농축해서 용매를 증류 제거했다. 얻어진 고체를 아세토니트릴로 세정 후, 진공 건조시킴으로써, 주황색 고체인 화합물 (1K)를 0.220g 얻었다. 수율은 화합물 (2F) 기준으로 39％이었다. 스펙트럼 데이터 M/Z: 370(EI-MS), λmax2: 441nm(클로로포름 용액)
Figure 112015047088018-pat00061
실시예 21
화합물 (1A) 대신에 화합물 (1H)를 사용한 것 이외는, 실시예 8과 마찬가지로 하여 본 편광막을 제작했다. 마찬가지로 극대 흡수 파장 및 2색비를 측정한 바, 극대 흡수 파장(λmax1)은 432nm이며, 2색비는 32로 높은 값을 나타냈다. 또한, 실시예 2에 기재한 대로 극대 흡수 파장(λmax2)은 391nm이므로, 장파장 시프트 하고 있는 것이 판명되었다. 이 결과는, 본 편광막 내에 있어서, 중합성 액정 화합물이 중합되어 이루어지는 친밀한 분자쇄간에, 화합물 (1H)가 분산되어 있을 때, 해당 화합물 (1H)가 그 분자쇄와 강하게 상호 작용하고 있는 것을 나타내는 것이다.
실시예 22
화합물 (1A) 대신에 화합물 (1J)를 사용한 것 이외는, 실시예 8과 마찬가지로 하여 본 편광막을 제작했다. 마찬가지로 극대 흡수 파장 및 2색비를 측정한 바, 극대 흡수 파장(λmax1)은 416nm이며, 2색비는 33으로 높은 값을 나타냈다. 또한, 실시예 2에 기재한 대로 극대 흡수 파장(λmax2)은 384nm이므로, 장파장 시프트 하고 있는 것이 판명되었다. 이 결과는, 본 편광막 내에 있어서, 중합성 액정 화합물이 중합되어 이루어지는 친밀한 분자쇄간에, 화합물 (1J)가 분산되어 있을 때, 해당 화합물 (1J)가 그 분자쇄와 강하게 상호 작용하고 있는 것을 나타내는 것이다.
실시예 23
화합물 (1A) 대신에 화합물 (1K)를 사용한 것 이외는, 실시예 8과 마찬가지로 하여 본 편광막을 제작했다. 마찬가지로 극대 흡수 파장 및 2색비를 측정한 바, 극대 흡수 파장(λmax1)은 466nm이며, 2색비는 25로 높은 값을 나타냈다. 또한, 실시예 2에 기재한 대로 극대 흡수 파장(λmax2)은 441nm이므로, 장파장 시프트 하고 있는 것이 판명되었다. 이 결과는, 본 편광막 내에 있어서, 중합성 액정 화합물이 중합되어 이루어지는 친밀한 분자쇄간에, 화합물 (1K)가 분산되어 있을 때, 해당 화합물 (1K)가 그 분자쇄와 강하게 상호 작용하고 있는 것을 나타내는 것이다.
본 발명의 조성물에 의하면, 2색비가 높은 편광막을 얻을 수 있다.
210 : 제1 롤
210A : 권심
220 : 제2 롤
220A : 권심
211A, 211B : 도포 장치
212A, 212B : 건조로
213A : 편광 UV 조사 장치
213B : 활성 에너지선 조사 장치
300 : 보조 롤
230 : 제3 롤
230A : 권심
240 : 제4 롤
240A : 권심
300 : 보조 롤

Claims (32)

  1. 파장 390 내지 550nm에 극대 흡수를 갖는 화학식 (1)로 표현되는 화합물과, 중합성 액정 화합물을 포함하는 조성물.
    Figure 112020069637412-pat00062

    [식 중, Y는 화학식 (Y1) 또는 화학식 (Y2)로 표현되는 기를 나타낸다.
    Figure 112020069637412-pat00063

    (*는 N과의 결합 부위를 나타낸다.
    P1 및 P2는 각각 독립적으로 황 원자, 산소 원자 또는 -NR10-을 나타내고, R10은 수소 원자 또는 탄소수 1 내지 4의 알킬기를 나타낸다.
    Q1 및 Q2는 각각 독립적으로 질소 원자 또는 =CH-을 나타낸다.)
    R1은 탄소수 1 내지 20의 알킬기, 탄소수 1 내지 20의 알콕시기 또는 -N(R)(RO)을 나타낸다. R 및 RO은 각각 독립적으로 수소 원자 또는 탄소수 1 내지 10의 알킬기를 나타내거나, 또는 R과 RO이 서로 결합하여, 그들이 결합하는 질소 원자와 함께 환을 형성한다. 상기 탄소수 1 내지 20의 알킬기, 상기 탄소수 1 내지 20의 알콕시기 및 상기 탄소수 1 내지 10의 알킬기는 그것을 구성하는 적어도 하나의 수소 원자가 독립적으로 할로겐 원자, 히드록시기 및 치환기를 가질 수도 있는 아미노기로 이루어지는 군에서 선택되는 원자 또는 기로 치환될 수도 있다. 상기 탄소수 1 내지 20의 알킬기, 상기 탄소수 1 내지 20의 알콕시기 및 상기 탄소수 1 내지 10의 알킬기는 그것을 구성하는 탄소 원자간에 에테르 결합 (-O-)을 가질 수도 있다.
    R7 및 R8은 수소 원자 이외의 치환기이며 각각 독립적으로 탄소수 1 내지 4의 알킬기, 탄소수 1 내지 4의 알콕시기, 할로겐 원자 또는 시아노기를 나타내고, 상기 탄소수 1 내지 4의 알킬기 및 상기 탄소수 1 내지 4 알콕시기를 구성하는 적어도 하나의 수소 원자는 독립적으로 할로겐 원자 또는 히드록시기로 치환될 수도 있고, p 및 q는 각각 독립적으로 0 내지 2의 정수이다.
    R2 및 R3는 각각 독립적으로 수소 원자 또는 탄소수 1 내지 10의 알킬기를 나타내거나, 또는 R2와 R3가 서로 결합하여, 그들이 결합하는 질소 원자와 함께 환을 형성한다. 상기 탄소수 1 내지 10의 알킬기를 구성하는 적어도 하나의 수소 원자는 독립적으로 할로겐 원자, 히드록시기 및 치환기를 가질 수도 있는 아미노기로 이루어지는 군에서 선택되는 원자 또는 기로 치환될 수도 있다. 상기 탄소수 1 내지 10의 알킬기는 그것을 구성하는 탄소 원자간에 에테르 결합 (-O-)을 가질 수도 있다.]
  2. 제1항에 있어서, 화학식 (1)로 표현되는 화합물이 p=q=0인 화학식 (1a)로 표현되는 화합물인 조성물.
    Figure 112015047088018-pat00064

    (화학식 중, Y 및 R1 내지 R3는 각각 청구항 1에 기재된 정의와 동일한 의미를 나타냄)
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 중합성 액정 화합물이 스메틱 액정상을 나타내는 조성물.
  4. 제1항 또는 제2항에 있어서, 중합 개시제를 더 포함하는 조성물.
  5. 제3항에 있어서, 중합 개시제를 더 포함하는 조성물.
  6. 제1항 또는 제2항에 기재된 조성물로 형성되는 편광막.
  7. 제3항에 기재된 조성물로 형성되는 편광막.
  8. 제4항에 기재된 조성물로 형성되는 편광막.
  9. 제6항에 있어서, 편광막의 극대 흡수 파장(λmax1)이 당해 편광막에 포함되는 화학식 (1)로 표현되는 화합물의 극대 흡수 파장(λmax2)보다도 긴 편광막.
  10. 제9항에 있어서, λmax1과 λmax2의 차가 15nm 이상인 편광막.
  11. 제6항에 있어서, X선 회절 측정에서 브래그 피크를 나타내는 편광막.
  12. 제9항에 있어서, X선 회절 측정에서 브래그 피크를 나타내는 편광막.
  13. 제10항에 있어서, X선 회절 측정에서 브래그 피크를 나타내는 편광막.
  14. 제6항에 기재된 편광막을 구비하는 액정 표시 장치.
  15. 제9항에 기재된 편광막을 구비하는 액정 표시 장치.
  16. 제10항에 기재된 편광막을 구비하는 액정 표시 장치.
  17. 제11항에 기재된 편광막을 구비하는 액정 표시 장치.
  18. 기체, 액정층 및 제6항에 기재된 편광막을 구비하는 액정 셀.
  19. 기체, 액정층 및 제9항에 기재된 편광막을 구비하는 액정 셀.
  20. 기체, 액정층 및 제10항에 기재된 편광막을 구비하는 액정 셀.
  21. 기체, 액정층 및 제11항에 기재된 편광막을 구비하는 액정 셀.
  22. 제18항에 있어서, 상기 편광막이 기체와 액정층의 사이에 배치되는 액정 셀.
  23. 제22항에 있어서, 기체와 액정층의 사이에, 컬러 필터가 더 배치되는 액정 셀.
  24. 제6항에 기재된 편광막과, 1/4 파장판을 갖는 원(圓)편광판.
  25. 제9항에 기재된 편광막과, 1/4 파장판을 갖는 원(圓)편광판.
  26. 제10항에 기재된 편광막과, 1/4 파장판을 갖는 원(圓)편광판.
  27. 제11항에 기재된 편광막과, 1/4 파장판을 갖는 원(圓)편광판.
  28. 제24항에 기재된 원편광판과, 유기 EL 소자를 구비하는 유기 EL 표시 장치.
  29. 파장 390 내지 550nm에 극대 흡수를 갖는 화학식 (5)로 표현되는 화합물을 포함하는 편광막.
    Figure 112020069637412-pat00067

    [식 중, Y는 화학식 (Y1) 또는 화학식 (Y2)로 표현되는 기를 나타낸다.
    Figure 112020069637412-pat00068

    (*는 N과의 결합 부위를 나타낸다.
    P1 및 P2는 각각 독립적으로 황 원자, 산소 원자 또는 -NR10-을 나타내고, R10은 수소 원자 또는 탄소수 1 내지 4의 알킬기를 나타낸다.
    Q1 및 Q2는 각각 독립적으로 질소 원자 또는 =CH-을 나타낸다.)
    R6는 탄소수 2 내지 20의 알킬기, 탄소수 1 내지 20의 알콕시기 또는 -N(R)(RO)을 나타낸다. R 및 RO은 각각 독립적으로 수소 원자 또는 탄소수 1 내지 10의 알킬기를 나타내거나, 또는 R과 RO이 서로 결합하여, 그들이 결합하는 질소 원자와 함께 환을 형성한다. 상기 탄소수 2 내지 20의 알킬기, 상기 탄소수 1 내지 20의 알콕시기 및 상기 탄소수 1 내지 10의 알킬기는 그것을 구성하는 적어도 하나의 수소 원자가 독립적으로 할로겐 원자, 히드록시기 및 치환기를 가질 수도 있는 아미노기로 이루어지는 군에서 선택되는 원자 또는 기로 치환될 수도 있다. 상기 탄소수 2 내지 20의 알킬기, 상기 탄소수 1 내지 20의 알콕시기 및 상기 탄소수 1 내지 10의 알킬기는 그것을 구성하는 탄소 원자간에 에테르 결합 (-O-)을 가질 수도 있다.
    R7 및 R8은 수소 원자 이외의 치환기이며 각각 독립적으로 탄소수 1 내지 4의 알킬기, 탄소수 1 내지 4의 알콕시기, 할로겐 원자 또는 시아노기를 나타내고, 상기 탄소수 1 내지 4의 알킬기 및 상기 탄소수 1 내지 4의 알콕시기를 구성하는 적어도 하나의 수소 원자는 독립적으로 할로겐 원자 또는 히드록시기로 치환될 수도 있고, p 및 q는 각각 독립적으로 0 내지 2의 정수이다.
    R2 및 R3는 각각 독립적으로 수소 원자 또는 탄소수 1 내지 10의 알킬기를 나타내거나, 또는 R2와 R3가 서로 결합하여, 그들이 결합하는 질소 원자와 함께 환을 형성한다. 상기 탄소수 1 내지 10의 알킬기를 구성하는 적어도 하나의 수소 원자는 독립적으로 할로겐 원자, 히드록시기 및 치환기를 가질 수도 있는 아미노기로 이루어지는 군에서 선택되는 원자 또는 기로 치환될 수도 있다. 상기 탄소수 1 내지 10의 알킬기는 그것을 구성하는 탄소 원자간에 에테르 결합 (-O-)을 가질 수도 있다.]
  30. 제29항에 기재된 편광막을 구비하는 액정 표시 장치.
  31. 기체, 액정층 및 제29항에 기재된 편광막을 구비하는 액정 셀.
  32. 제29항에 기재된 편광막을 구비하는 유기 EL 표시 장치.
KR1020150068603A 2014-05-26 2015-05-18 조성물 Active KR102147672B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2014-107846 2014-05-26
JP2014107846 2014-05-26

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20150136010A KR20150136010A (ko) 2015-12-04
KR102147672B1 true KR102147672B1 (ko) 2020-08-26

Family

ID=54555589

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020150068603A Active KR102147672B1 (ko) 2014-05-26 2015-05-18 조성물

Country Status (5)

Country Link
US (1) US9644148B2 (ko)
JP (1) JP6609992B2 (ko)
KR (1) KR102147672B1 (ko)
CN (1) CN105131667B (ko)
TW (1) TWI658100B (ko)

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPWO2016060172A1 (ja) 2014-10-17 2017-07-27 住友化学株式会社 化合物および組成物
CN106978196B (zh) * 2015-10-29 2022-02-15 住友化学株式会社 组合物、偏振膜
CN105552225B (zh) * 2016-01-20 2020-04-17 京东方科技集团股份有限公司 用于制造柔性基板的方法、柔性基板和显示装置
JP7014796B2 (ja) 2017-07-26 2022-02-01 富士フイルム株式会社 積層体、積層体の製造方法および画像表示装置
JP7109485B2 (ja) * 2018-02-06 2022-07-29 富士フイルム株式会社 積層体、積層体の製造方法および画像表示装置
WO2020003938A1 (ja) * 2018-06-27 2020-01-02 富士フイルム株式会社 偏光子、及び、画像表示装置
WO2021014855A1 (ja) * 2019-07-23 2021-01-28 住友化学株式会社 化合物、組成物、膜、積層体および表示装置
JP7368168B2 (ja) * 2019-07-23 2023-10-24 住友化学株式会社 化合物、組成物、膜、積層体および表示装置
CN112164764B (zh) * 2020-09-30 2023-06-06 京东方科技集团股份有限公司 显示模组及其制备方法、显示装置
WO2022113981A1 (ja) * 2020-11-26 2022-06-02 富士フイルム株式会社 偏光板および画像表示装置
JPWO2022138321A1 (ko) * 2020-12-25 2022-06-30
WO2022270222A1 (ja) 2021-06-21 2022-12-29 富士フイルム株式会社 画像投影システム
WO2024127911A1 (ja) 2022-12-14 2024-06-20 富士フイルム株式会社 光学積層体および画像表示装置

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013210624A (ja) * 2012-02-28 2013-10-10 Sumitomo Chemical Co Ltd 偏光膜、円偏光板及びそれらの製造方法
JP2013227532A (ja) * 2012-03-26 2013-11-07 Sumitomo Chemical Co Ltd 組成物及び偏光膜

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS56104984A (en) 1980-01-24 1981-08-21 Nippon Kanko Shikiso Kenkyusho:Kk Bichromic pigment for yellow liquid crystal
JPS5838756A (ja) 1981-08-31 1983-03-07 Gosei Senriyou Gijutsu Kenkyu Kumiai ポリエステル繊維用ジスアゾ染料
JPH0634976A (ja) 1992-07-21 1994-02-10 Toshiba Corp 液晶表示素子
JP2002531874A (ja) * 1998-12-01 2002-09-24 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ コレステリック整列物質からなるカラーフィルター層及びこのようなカラーフィルター層を具えた反射型式の液晶カラーディスプレイ装置
FR2805741B1 (fr) * 2000-03-06 2003-06-20 Oreal Composition de teinture d'oxydation des fibres keratiniques avec un derive particulier de la paraphenylenediamine et un colorant direct particulier
US8576485B2 (en) * 2001-05-14 2013-11-05 The Hong Kong University Of Science And Technology Photo-induced dichroic polarizers and fabrication methods thereof
RU2207603C2 (ru) * 2001-06-04 2003-06-27 Хан Ир Гвон Оптическое устройство для получения и/или преобразования поляризованного электромагнитного излучения и оптическое устройство в виде жидкокристаллического дисплея
JP4161583B2 (ja) * 2002-02-07 2008-10-08 コニカミノルタホールディングス株式会社 偏光板の製造方法
EP1682930B1 (en) * 2003-11-06 2011-01-19 Sumitomo Chemical Company, Limited Dichroic guest-host polarizer comprising an oriented polymer film
JP5200325B2 (ja) * 2005-04-04 2013-06-05 三菱化学株式会社 湿式成膜法により形成された異方性色素膜及び偏光素子
TWI406061B (zh) * 2005-11-10 2013-08-21 Dainippon Ink & Chemicals 光配向膜用組成物、光學異向體及其製法
JP2007326846A (ja) * 2006-05-11 2007-12-20 Institute Of Physical & Chemical Research アゾベンゼン誘導体、蛍光性粒子およびその製造方法
CA2652747C (en) * 2006-06-01 2013-08-06 Nippon Kayaku Kabushiki Kaisha Azo compound and salt thereof, and dye-containing polarizing film comprising the compound or salt
CN103224713B (zh) * 2006-06-22 2015-03-18 日本化药株式会社 偶氮化合物和含有该偶氮化合物的染料偏振膜
JP4999633B2 (ja) * 2007-10-15 2012-08-15 日東電工株式会社 偏光膜、及び液晶表示装置
TWI406907B (zh) * 2007-11-02 2013-09-01 Nippon Kayaku Kk 偶氮化合物及含有彼等之染料系偏光膜
JP4645772B1 (ja) 2009-10-09 2011-03-09 ソニー株式会社 位相差素子用配向膜およびその製造方法、位相差素子およびその製造方法、表示装置
KR102073987B1 (ko) * 2012-02-28 2020-02-05 스미또모 가가꾸 가부시키가이샤 화합물 및 이색성 색소, 및 편광막

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013210624A (ja) * 2012-02-28 2013-10-10 Sumitomo Chemical Co Ltd 偏光膜、円偏光板及びそれらの製造方法
JP2013227532A (ja) * 2012-03-26 2013-11-07 Sumitomo Chemical Co Ltd 組成物及び偏光膜

Also Published As

Publication number Publication date
JP2016006502A (ja) 2016-01-14
JP6609992B2 (ja) 2019-11-27
US20150337203A1 (en) 2015-11-26
TW201609986A (zh) 2016-03-16
CN105131667B (zh) 2019-03-01
CN105131667A (zh) 2015-12-09
TWI658100B (zh) 2019-05-01
US9644148B2 (en) 2017-05-09
KR20150136010A (ko) 2015-12-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102147672B1 (ko) 조성물
JP6737180B2 (ja) 化合物および組成物
JP6718657B2 (ja) 組成物
JP6680211B2 (ja) 化合物および組成物
TWI703189B (zh) 化合物及含有其之組合物
JP6586276B2 (ja) 化合物およびこれを含む組成物
JP6874874B2 (ja) 組成物
JP6853902B2 (ja) 組成物

Legal Events

Date Code Title Description
PA0109 Patent application

Patent event code: PA01091R01D

Comment text: Patent Application

Patent event date: 20150518

PG1501 Laying open of application
A201 Request for examination
A302 Request for accelerated examination
PA0201 Request for examination

Patent event code: PA02012R01D

Patent event date: 20200330

Comment text: Request for Examination of Application

Patent event code: PA02011R01I

Patent event date: 20150518

Comment text: Patent Application

PA0302 Request for accelerated examination

Patent event date: 20200330

Patent event code: PA03022R01D

Comment text: Request for Accelerated Examination

Patent event date: 20150518

Patent event code: PA03021R01I

Comment text: Patent Application

E902 Notification of reason for refusal
PE0902 Notice of grounds for rejection

Comment text: Notification of reason for refusal

Patent event date: 20200506

Patent event code: PE09021S01D

E701 Decision to grant or registration of patent right
PE0701 Decision of registration

Patent event code: PE07011S01D

Comment text: Decision to Grant Registration

Patent event date: 20200728

GRNT Written decision to grant
PR0701 Registration of establishment

Comment text: Registration of Establishment

Patent event date: 20200819

Patent event code: PR07011E01D

PR1002 Payment of registration fee

Payment date: 20200820

End annual number: 3

Start annual number: 1

PG1601 Publication of registration
PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20230802

Start annual number: 4

End annual number: 4