KR102137429B1 - 유기전기 소자용 화합물을 이용한 유기전기소자 및 그 전자 장치 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 소자의 발광효율, 안정성 및 수명을 향상시킬 수 있는 신규 화합물 및 이를 이용한 유기전기소자, 그 전자 장치를 제공한다.
Description
본 발명은 유기전기소자용 화합물을 이용한 유기전기소자 및 그 전자 장치에 관한 것이다.
일반적으로 유기 발광 현상이란 유기 물질을 이용하여 전기에너지를 빛 에너지로 전환시켜주는 현상을 말한다. 유기 발광 현상을 이용하는 유기전기소자는 통상 양극과 음극 및 이 사이에 유기물층을 포함하는 구조를 가진다. 여기서 유기물 층은 유기전기소자의 효율과 안정성을 높이기 위하여 각기 다른 물질로 구성된 다층의 구조로 이루어진 경우가 많으며, 예컨대 정공주입층, 정공수송층, 발광층, 전자수송층 및 전자주입층 등으로 이루어질 수 있다.
유기전기소자에서 유기물층으로 사용되는 재료는 기능에 따라, 발광 재료와 전하수송 재료, 예컨대 정공주입 재료, 정공수송 재료, 전자수송 재료, 전자주입 재료 등으로 분류될 수 있다.
유기 전기 발광소자에 있어 가장 문제시되는 것은 수명과 효율인데, 디스플레이가 대면적화되면서 이러한 효율이나 수명 문제는 반드시 해결해야 되는 상황이다.
효율과 수명, 구동전압 등은 서로 연관이 있으며, 효율이 증가되면 상대적으로 구동전압이 떨어지고, 구동전압이 떨어지면서 구동시 발생되는 주울열(Joule heating)에 의한 유기물질의 결정화가 적어져 결과적으로 수명이 높아지는 경향을 나타낸다.
하지만 상기 유기물층을 단순히 개선한다고 하여 효율을 극대화시킬 수는 없다. 왜냐하면 각 유기물층 간의 에너지 준위 및 T1 값, 물질의 고유특성(이동도, 계면특성 등) 등이 최적의 조합을 이루었을 때 긴 수명과 높은 효율을 동시에 달성할 수 있기 때문이다.
또한, 최근 유기 전기 발광소자에 있어 정공수송층에서의 발광 문제를 해결하기 위해서는 반드시 정공수송층과 발광층 사이에 발광보조층이 존재하여야 하며, 각각의 발광층(R, G, B)에 따른 서로 다른 발광 보조층의 개발이 필요한 시점이다.
일반적으로 전자수송층에서 발광층으로 전자(electron)가 전달되고 정공(hole)이 정공수송층에서 발광층으로 전달되어 재조합(recombination)에 의해 엑시톤(exciton)이 생성된다.
하지만 정공수송층에 사용되는 물질의 경우 낮은 HOMO 값을 가져야 하기 때문에 대부분 낮은 T1 값을 가지며, 이로 인해 발광층에서 생성된 엑시톤(exciton)이 정공수송층으로 넘어가게 되어 결과적으로 발광층 내 전하 불균형(charge unbalance)을 초래하여 정공수송층 계면에서 발광하게 된다.
정공수송층 계면에서 발광될 경우, 유기전기소자의 색순도 및 효율이 저하되고 수명이 짧아지는 문제점이 발생하게 된다. 따라서 높은 T1 값을 가지며, 정공 수송층 HOMO 에너지 준위와 발광층의 HOMO 에너지 준위 사이의 HOMO 준위를 갖는 발광보조층이 개발이 절실히 요구된다.
한편, 유기전기소자의 수명단축 원인 중 하나인 양극전극(ITO)으로부터 금속 산화물이 유기층으로 침투확산되는 것을 지연시키면서, 소자 구동시 발생되는 주울열(Joule heating)에 대해서도 안정된 특성, 즉 높은 유리 전이 온도를 갖는 정공 주입층 재료에 대한 개발이 필요하다. 정공수송층 재료의 낮은 유리전이 온도는 소자 구동시, 박막 표면의 균일도를 저하시키는 특성이 있는바, 이는 소자수명에 큰 영향을 미치는 것으로 보고되고 있다. 또한, OLED 소자는 주로 증착 방법에 의해 형성되는데, 증착시 오랫동안 견딜 수 있는 재료, 즉 내열특성이 강한 재료 개발이 필요한 실정이다.
즉, 유기전기소자가 갖는 우수한 특징들을 충분히 발휘하기 위해서는 소자 내 유기물층을 이루는 물질, 예컨대 정공주입 물질, 정공수송 물질, 발광 물질, 전자수송 물질, 전자주입 물질, 발광보조층 물질 등이 안정하고 효율적인 재료에 의하여 뒷받침되는 것이 선행되어야 하나, 아직까지 안정되고 효율적인 유기전기소자용 유기물층 재료의 개발이 충분히 이루어지지 않은 상태이다. 따라서, 새로운 재료의 개발이 계속 요구되고 있으며, 특히 발광보조층과 발광층의 재료 조합에 대한 개발이 절실히 요구되고 있다.
또한, 상기 발광보조층의 재료로 전하이동도 및 열 안정성이 우수하며, 박막 형성시 균일성이 우수한 이유로 2-플루오렌 화합물을 많이 사용하고 있으나, 2-플루오렌 화합물이 밴드갭이 작고 T1값이 낮은 단점이 있으므로, 이를 보완할 수 있는 재료의 개발이 필요하다.
본 발명은 소자의 높은 발광효율, 낮은 구동전압, 고내열성, 색순도 및 수명을 향상시킬 수 있는 화합물을 이용한 유기전기소자 및 그 전자장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
일 측면에서, 본 발명은 하기 화학식으로 표시되는 화합물을 이용한 유기전기소자 및 그 전자장치를 제공한다.
제 1전극; 제 2전극; 및 상기 제 1전극과 제 2전극 사이에 위치하는 유기물층;을 포함하는 유기전기소자에 있어서, 상기 유기물층은 정공수송층, 발광보조층 및 발광층을 포함하며, 상기 발광보조층은 상기 정공수송층과 상기 발광층 사이에 형성되며 하기 화학식 (1)로 표시되는 화합물을 포함하고, 상기 발광층은 호스트 및 도펀트를 포함하며, 상기 호스트는 하기 화학식 (2) 내지 (6)으로 표시되는 화합물 중 적어도 하나를 포함하는 유기전기소자를 제공한다.
화학식 (1)
화학식 (2) 화학식(3)
화학식 (4) 화학식 (5) 화학식 (6)
본 발명에 따른 화합물을 이용함으로써 소자의 높은 발광효율, 낮은 구동전압, 고내열성을 달성할 수 있고, 소자의 색순도 및 수명을 크게 향상시킬 수 있다.
도 1은 본 발명에 따른 유기전기발광소자의 예시도이다.
이하, 본 발명의 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 상세하게 설명한다.
각 도면의 구성요소들에 참조부호를 부가함에 있어서, 동일한 구성요소들에 대해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 부호를 가지도록 하고 있음에 유의해야 한다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어, 관련된 공지 구성 또는 기능에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략한다.
또한, 본 발명의 구성 요소를 설명하는 데 있어서, 제 1, 제 2, A, B, (a),(b) 등의 용어를 사용할 수 있다. 이러한 용어는 그 구성 요소를 다른 구성 요소와 구별하기 위한 것일 뿐, 그 용어에 의해 해당 구성 요소의 본질이나 차례 또는 순서 등이 한정되지 않는다. 어떤 구성 요소가 다른 구성요소에 "연결", "결합" 또는 "접속"된다고 기재된 경우, 그 구성 요소는 그 다른 구성요소에 직접적으로 연결되거나 또는 접속될 수 있지만, 각 구성 요소 사이에 또 다른 구성 요소가 "연결", "결합" 또는 "접속"될 수도 있다고 이해되어야 할 것이다.
본 명세서 및 첨부된 청구의 범위에서 사용된 바와 같이, 달리 언급하지 않는 한, 하기 용어의 의미는 하기와 같다:
본 명세서에서 사용된 용어 "할로" 또는 "할로겐"은 다른 설명이 없는 한 불소(F), 브롬(Br), 염소(Cl) 또는 요오드(I)이다.
본 발명에 사용된 용어 "알킬" 또는 "알킬기"는 다른 설명이 없는 한 1 내지 60의 탄소수의 단일결합을 가지며, 직쇄 알킬기, 분지쇄 알킬기, 사이클로알킬(지환족)기, 알킬-치환된 사이클로알킬기, 사이클로알킬-치환된 알킬기를 비롯한 포화 지방족 작용기의 라디칼을 의미한다.
본 발명에 사용된 용어 "할로알킬기" 또는 "할로겐알킬기"는 다른 설명이 없는 한 할로겐으로 치환된 알킬기를 의미한다.
본 발명에 사용된 용어 "헤테로알킬기"는 알킬기를 구성하는 탄소 원자 중 하나 이상이 헤테로원자로 대체된 것을 의미한다.
본 발명에 사용된 용어 "알켄일기" 또는 "알킨일기"는 다른 설명이 없는 한 각각 2 내지 60의 탄소수의 이중결합 또는 삼중결합을 가지며, 직쇄형 또는 측쇄형 사슬기를 포함하며, 여기에 제한되는 것은 아니다.
본 발명에 사용된 용어 "시클로알킬"은 다른 설명이 없는 한 3 내지 60의 탄소수를 갖는 고리를 형성하는 알킬을 의미하며, 여기에 제한되는 것은 아니다.
본 발명에 사용된 용어 "알콕실기", "알콕시기", 또는 "알킬옥시기"는 산소 라디칼이 부착된 알킬기를 의미하며, 다른 설명이 없는 한 1 내지 60의 탄소수를 가지며, 여기에 제한되는 것은 아니다.
본 발명에 사용된 용어 "알켄옥실기", "알켄옥시기", "알켄일옥실기", 또는 "알켄일옥시기"는 산소 라디칼이 부착된 알켄일기를 의미하며, 다른 설명이 없는 한 2 내지 60의 탄소수를 가지며, 여기에 제한되는 것은 아니다.
본 발명에 사용된 용어 "아릴옥실기" 또는 "아릴옥시기"는 산소 라디칼이 부착된 아릴기를 의미하며, 다른 설명이 없는 한 6 내지 60의 탄소수를 가지며, 여기에 제한되는 것은 아니다.
본 발명에 사용된 용어 "아릴기" 및 "아릴렌기"는 다른 설명이 없는 한 각각 6 내지 60의 탄소수를 가지며, 이에 제한되는 것은 아니다. 본 발명에서 아릴기 또는 아릴렌기는 단일 고리 또는 다중 고리의 방향족을 의미하며, 이웃한 치환기가 결합 또는 반응에 참여하여 형성된 방향족 고리를 포함한다. 예컨대, 아릴기는 페닐기, 비페닐기, 플루오렌기, 스파이로플루오렌기일 수 있다.
접두사 "아릴" 또는 "아르"는 아릴기로 치환된 라디칼을 의미한다. 예를 들어 아릴알킬기는 아릴기로 치환된 알킬기이며, 아릴알켄일기는 아릴기로 치환된 알켄일기이며, 아릴기로 치환된 라디칼은 본 명세서에서 설명한 탄소수를 가진다.
또한 접두사가 연속으로 명명되는 경우 먼저 기재된 순서대로 치환기가 나열되는 것을 의미한다. 예를 들어, 아릴알콕시기의 경우 아릴기로 치환된 알콕시기를 의미하며, 알콕실카르보닐기의 경우 알콕실기로 치환된 카르보닐기를 의미하며, 또한 아릴카르보닐알켄일기의 경우 아릴카르보닐기로 치환된 알켄일기를 의미하며 여기서 아릴카르보닐기는 아릴기로 치환된 카르보닐기이다.
본 명세서에서 사용된 용어 "헤테로알킬"은 다른 설명이 없는 한 하나 이상의 헤테로원자를 포함하는 알킬을 의미한다. 본 발명에 사용된 용어 "헤테로아릴기" 또는 "헤테로아릴렌기"는 다른 설명이 없는 한 각각 하나 이상의 헤테로원자를 포함하는 탄소수 2 내지 60의 아릴기 또는 아릴렌기를 의미하며, 여기에 제한되는 것은 아니며, 단일 고리 및 다중 고리 중 적어도 하나를 포함하며, 이웃한 작용기기가 결합하여 형성될 수도 있다.
본 발명에 사용된 용어 "헤테로고리기"는 다른 설명이 없는 한 하나 이상의 헤테로원자를 포함하고, 2 내지 60의 탄소수를 가지며, 단일 고리 및 다중 고리 중 적어도 하나를 포함하며, 헤테로지방족 고리 및 헤테로방향족 고리를 포함한다. 이웃한 작용기가 결합하여 형성될 수도 있다.
본 명세서에서 사용된 용어 "헤테로원자"는 다른 설명이 없는 한 N, O, S, P 또는 Si를 나타낸다.
또한 "헤테로고리기"는, 고리를 형성하는 탄소 대신 SO2를 포함하는 고리도 포함할 수 있다. 예컨대, "헤테로고리기"는 다음 화합물을 포함한다.
다른 설명이 없는 한, 본 발명에 사용된 용어 "지방족"은 탄소수 1 내지 60의 지방족 탄화수소를 의미하며, "지방족고리"는 탄소수 3 내지 60의 지방족 탄화수소 고리를 의미한다.
다른 설명이 없는 한, 본 발명에 사용된 용어 "포화 또는 불포화 고리"는 포화 또는 불포화 지방족고리 또는 탄소수 6 내지 60의 방향족고리 또는 헤테로고리를 의미한다.
전술한 헤테로화합물 이외의 그 밖의 다른 헤테로화합물 또는 헤테로라디칼은 하나 이상의 헤테로원자를 포함하며, 여기에 제한되는 것은 아니다.
다른 설명이 없는 한, 본 발명에 사용된 용어 "카르보닐"이란 -COR'로 표시되는 것이며, 여기서 R'은 수소, 탄소수 1 내지 20 의 알킬기, 탄소수 6 내지 30 의 아릴기, 탄소수 3 내지 30의 사이클로알킬기, 탄소수 2 내지 20의 알켄일기, 탄소수 2 내지 20의 알킨일기, 또는 이들의 조합인 것이다.
다른 설명이 없는 한, 본 발명에 사용된 용어 "에테르"란 -R-O-R'로 표시되는 것이며, 여기서 R 또는 R'은 각각 서로 독립적으로 수소, 탄소수 1 내지 20의 알킬기, 탄소수 6 내지 30의 아릴기, 탄소수 3 내지 30의 사이클로알킬기, 탄소수 2 내지 20의 알켄일기, 탄소수 2 내지 20의 알킨일기, 또는 이들의 조합인 것인 것이다.
또한 명시적인 설명이 없는 한, 본 발명에서 사용된 용어 "치환 또는 비치환된"에서 "치환"은 중수소, 할로겐, 아미노기, 니트릴기, 니트로기, C1~C20의 알킬기, C1~C20의 알콕실기, C1~C20의 알킬아민기, C1~C20의 알킬티오펜기, C6~C20의 아릴티오펜기, C2~C20의 알켄일기, C2~C20의 알킨일기, C3~C20의 시클로알킬기, C6~C20의 아릴기, 중수소로 치환된 C6~C20의 아릴기, C8~C20의 아릴알켄일기, 실란기, 붕소기, 게르마늄기, 및 C2~C20의 헤테로고리기로 이루어진 군으로부터 선택되는 1개 이상의 치환기로 치환됨을 의미하며, 이들 치환기에 제한되는 것은 아니다.
또한 명시적인 설명이 없는 한, 본 발명에서 사용되는 화학식은 하기 화학식의 지수 정의에 의한 치환기 정의와 동일하게 적용된다.
여기서, a가 0의 정수인 경우 치환기 R1은 부존재하며, a가 1의 정수인 경우 하나의 치환기 R1은 벤젠 고리를 형성하는 탄소 중 어느 하나의 탄소에 결합하며, a가 2 또는 3의 정수인 경우 각각 다음과 같이 결합하며 이때 R1은 서로 동일하거나 다를 수 있으며, a가 4 내지 6의 정수인 경우 이와 유사한 방식으로 벤젠 고리의 탄소에 결합하며, 한편 벤젠 고리를 형성하는 탄소에 결합된 수소의 표시는 생략한다.
도 1은 본 발명에 일 실시예에 따른 유기전기소자에 대한 예시도이다.
도 1을 참조하면, 본 발명에 따른 유기전기소자(100)는 기판(110) 상에 형성된 제 1전극(120), 제 2전극(180) 및 제 1전극(110)과 제 2전극(180) 사이에 본 발명에 따른 화합물을 포함하는 유기물층을 구비한다. 이때, 제 1전극(120)은 애노드(양극)이고, 제 2전극(180)은 캐소드(음극)일 수 있으며, 인버트형의 경우에는 제 1전극이 캐소드이고 제 2전극이 애노드일 수 있다.
유기물층은 제 1전극(120) 상에 순차적으로 정공주입층(130), 정공수송층(140), 발광층(150), 전자수송층(160) 및 전자주입층(170)을 포함할 수 있다. 이때, 발광층(150)을 제외한 나머지 층들이 형성되지 않을 수 있다. 정공저지층, 전자저지층, 발광보조층(151), 버퍼층(141) 등을 더 포함할 수도 있고, 전자수송층(160) 등이 정공저지층의 역할을 할 수도 있을 것이다.
또한, 미도시하였지만, 본 발명에 따른 유기전기소자는 제 1전극과 제 2전극 중 적어도 일면 중 상기 유기물층과 반대되는 일면에 형성된 보호층 또는 광효율 개선층(Capping layer)을 더 포함할 수 있다.
상기 유기물층에 적용되는 본 발명에 따른 화합물은 정공주입층(130), 정공수송층(140), 전자수송층(160), 전자주입층(170), 발광층(150)의 호스트 또는 도펀트 또는 광효율 개선층의 재료로 사용될 수 있을 것이다. 바람직하게는, 본 발명의 화합물은 발광층(150) 또는 발광보조층(151)으로 사용될 수 있을 것이다.
한편, 동일한 코어일지라도 어느 위치에 어느 치환기를 결합시키냐에 따라 밴드갭(band gap), 전기적 특성, 계면 특성 등이 달라질 수 있으므로, 코어의 선택 및 이에 결합된 서브(sub)-치환체의 조합도 아주 중요하며, 특히 각 유기물층 간의 에너지 준위 및 T1 값, 물질의 고유특성(이동도, 계면특성 등) 등이 최적의 조합을 이루었을 때 긴 수명과 높은 효율을 동시에 달성할 수 있다.
이미 설명한 것과 같이, 최근 유기 전기 발광소자에 있어 정공수송층에서의 발광 문제를 해결하기 위해서는 정공수송층과 발광층 사이에 발광보조층이 형성하는 것이 바람직하며, 각각의 발광층(R, G, B)에 따른 서로 다른 발광 보조층의 개발이 필요한 시점이다. 한편, 발광보조층의 경우 정공수송층 및 발광층(호스트)과의 상호관계를 파악해야하므로 유사한 코어를 사용하더라도 사용되는 유기물층이 달라지면 그 특징을 유추하기는 매우 어려울 것이다.
따라서, 본 발명에서는 화학식 (1) 내지 화학식 (6)으로 표시되는 화합물을 사용하여 발광층 또는 발광보조층을 형성함으로써 각 유기물층 간의 에너지 레벨(level) 및 T1 값, 물질의 고유특성(mobility, 계면특성 등) 등을 최적화하여 유기전기소자의 수명 및 효율을 동시에 향상시킬 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 유기전기발광소자는 PVD(physical vapor deposition) 방법을 이용하여 제조될 수 있다. 예컨대, 기판 상에 금속 또는 전도성을 가지는 금속 산화물 또는 이들의 합금을 증착시켜 양극(120)을 형성하고, 그 위에 정공주입층(130), 정공수송층(140), 발광층(150), 전자수송층(160) 및 전자주입층(170)을 포함하는 유기물층을 형성한 후, 그 위에 음극(180)으로 사용할 수 있는 물질을 증착시킴으로써 제조될 수 있다.
또한, 유기물층은 다양한 고분자 소재를 사용하여 증착법이 아닌 용액 공정 또는 솔벤트 프로세스(solvent process), 예컨대 스핀코팅 공정, 노즐 프린팅 공정, 잉크젯 프린팅 공정, 슬롯코팅 공정, 딥코팅 공정, 롤투롤 공정, 닥터 블레이딩 공정, 스크린 프린팅 공정, 또는 열 전사법 등의 방법에 의하여 더 적은 수의 층으로 제조할 수 있다. 본 발명에 따른 유기물층은 다양한 방법으로 형성될 수 있으므로, 그 형성방법에 의해 본 발명의 권리범위가 제한되는 것은 아니다.
본 발명에 따른 유기전기소자는 사용되는 재료에 따라 전면 발광형, 후면 발광형 또는 양면 발광형일 수 있다.
WOLED(White Organic Light Emitting Device)는 고해상도 실현이 용이하고 공정성이 우수한 한편, 기존의LCD의 칼라필터 기술을 이용하여 제조될 수 있는 이점이 있다. 주로 백라이트 장치로 사용되는 백색 유기발광소자에 대한 다양한 구조들이 제안되고 특허화되고 있다. 대표적으로, R(Red),G(Green),B(Blue) 발광부들을 상호평면적으로 병렬배치(side-by-side) 방식, R,G,B 발광층이 상하로 적층되는 적층(stacking) 방식이 있고, 청색(B) 유기발광층에 의한 전계발광과 이로부터의 광을 이용하여 무기형광체의 자발광(photo-luminescence)을 이용하는 색변환물질(color conversion material, CCM) 방식 등이 있는데, 본 발명은 이러한 WOLED에도 적용될 수 있을 것이다.
또한, 본 발명에 따른 유기전기소자는 유기전기발광소자(OLED), 유기태양전지, 유기감광체(OPC), 유기트랜지스터(유기 TFT), 단색 또는 백색 조명용 소자 중 하나일 수 있다.
본 발명의 다른 실시예는 상술한 본 발명의 유기전기소자를 포함하는 디스플레이장치와, 이 디스플레이장치를 제어하는 제어부를 포함하는 전자장치를 포함할 수 있다. 이때, 전자장치는 현재 또는 장래의 유무선 통신단말일 수 있으며, 휴대폰 등의 이동 통신 단말기, PDA, 전자사전, PMP, 리모콘, 네비게이션, 게임기, 각종 TV, 각종 컴퓨터 등 모든 전자장치를 포함한다.
이하, 본 발명의 일 측면에 따른 유기전기소자에 대하여 설명한다.
본 발명의 일 구체 예에 따르면, 제 1전극; 제 2전극; 및 상기 제 1전극과 제 2전극 사이에 위치하는 유기물층;을 포함하는 유기전기소자에 있어서,
상기 유기물층은 정공수송층, 발광보조층 및 발광층을 포함하며, 상기 발광보조층은 상기 정공수송층과 상기 발광층 사이에 형성되며 하기 화학식 (1)로 표시되는 화합물을 포함하고, 상기 발광층은 호스트 및 도펀트를 포함하며, 상기 호스트는 하기 화학식 (2) 내지 (6)으로 표시되는 화합물 중 적어도 하나를 포함하는 유기전기소자를 제공한다.
화학식 (1)
화학식 (2) 화학식(3)
화학식 (4) 화학식 (5) 화학식 (6)
상기 화학식 (1)에서,
m, n 및 o는 서로 독립적으로 0 내지 4의 정수이며,
R1 내지 R3는 상기 m, n 및 o가 2 이상인 경우 각각 복수로서 서로 동일하거나 상이하며, 서로 독립적으로 중수소; 할로겐; C6~C60의 아릴기; 플루오렌일기; O, N, S, Si 및 P 중 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는 C2~C60의 헤테로고리기; C3~C60의 지방족고리와 C6~C60의 방향족고리의 융합고리기; C1~C50의 알킬기; C2~C20의 알켄일기; C2~C20의 알킨일기; C1~C30의 알콕실기; C6~C30의 아릴옥시기; 및 -La-N(Ra)(Rb);로 이루어진 군에서 선택되거나(여기서 상기 La은 단일결합; C6~C60의 아릴렌기; 플루오렌일렌기; C3~C60의 지방족고리와 C6~C60의 방향족고리의 2가 융합고리기; 및 O, N, S, Si 및 P 중 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는 C2~C60의 2가 헤테로고리기;로 이루어진 군에서 선택되며, 상기 Ra 및 Rb는 서로 독립적으로 C6~C60의 아릴기; 플루오렌일기; C3~C60의 지방족고리와 C6~C60의 방향족고리의 융합고리기; 및 O, N, S, Si 및 P 중 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는 C2~C60의 헤테로고리기;로 이루어진 군에서 선택됨), 또는 복수의 R1 내지 R3은 각각 결합하여 이들과 결합한 탄소와 함께 방향족고리를 형성할 수 있으며,
Ar1 내지 Ar3는 서로 독립적으로 C6~C60의 아릴기; 플루오렌일기; O, N, S, Si 및 P 중 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는 C2~C60의 헤테로고리기; C3~C60의 지방족고리와 C6~C60의 방향족고리의 융합고리기; C1~C50의 알킬기; C2~C20의 알켄일기; C2~C20의 알킨일기; C1~C30의 알콕실기; C6~C30의 아릴옥시기; 히드록시기 및 -Lb-N(Rc)(Rd);로 이루어진 군에서 선택되거나(여기서 상기 Lb, Rc 및 Rd는 각각 상기 La, Ra 및 Rb의 정의와 동일함), 또는 Ar1 및 Ar2가 서로 결합하여 이들이 결합된 플루오렌과 함께 스파이로 화합물을 형성할 수 있으며,
L1은 C6~C60의 아릴렌기; O, N, S, Si 및 P 중 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는 C2~C60의 2가 헤테로고리기; 플루오렌일렌기; C3~C60의 지방족고리와 C6~C60의 방향족고리의 2가 융합고리기; 및 C6~C60의 아릴렌기와 O, N, S, Si 및 P 중 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는 C2~C60의 2가의 헤테로고리기의 조합으로 이루어진 2가의 작용기;로 이루어진 군에서 선택되며,
L2는 단일결합; C6~C60의 아릴렌기; O, N, S, Si 및 P 중 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는 C2~C60의 2가 헤테로고리기; 플루오렌일렌기; 및 C3~C60의 지방족고리와 C6~C60의 방향족고리의 2가 융합고리기;로 이루어진 군에서 선택되며,
상기 화학식 (2) 및 (3)에서,
a 및 b는 각각 0 내지 1의 정수이며, a+b는 1 이상이며,
X 및 Y는 서로 독립적으로 단일결합; S; O; NR';CR'R"; 및 SiR'R";로 이루어진 군에서 선택되며, 여기서 R' 및 R"은 서로 독립적으로 수소; C6~C60의 아릴기; O, N, S, Si 및 P 중 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는 C2~C60의 헤테로고리기; 및 C1~C50의 알킬기로 이루어진 군에서 선택되며,
p는 0 내지 2의 정수이며, q 및 r은 0 내지 4의 정수이며,
R4 내지 R6는 상기 p가 2, q 또는 r이 2 내지 4의 정수인 경우 각각 복수로서 서로 동일하거나 상이하며, 서로 독립적으로 중수소; 할로겐; C6~C60의 아릴기; 플루오렌일기; O, N, S, Si 및 P 중 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는 C2~C60의 헤테로고리기; C3~C60의 지방족고리와 C6~C60의 방향족고리의 융합고리기; C1~C50의 알킬기; C2~C20의 알켄일기; C2~C20의 알킨일기; C1~C30의 알콕실기; C6~C30의 아릴옥시기; 및 -Lc-N(Re)(Rf);로 이루어진 군에서 선택되거나(여기서 상기 Lc, Re 및 Rf는 각각 상기 La, Ra 및 Rb의 정의와 동일함), 또는 복수의 R4 내지 R6은 각각 결합하여 이들과 결합한 탄소와 함께 방향족고리를 형성할 수 있으며,
Ar4 및 Ar5는 서로 독립적으로 C6~C60의 아릴기; 플루오렌일기; O, N, S, Si 및 P 중 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는 C2~C60의 헤테로고리기; C3~C60의 지방족고리와 C6~C60의 방향족고리의 융합고리기; C1~C50의 알킬기; C2~C20의 알켄일기; C2~C20의 알킨일기; C1~C30의 알콕실기; C6~C30의 아릴옥시기; 및 -Ld-N(Rg)(Rh);로 이루어진 군에서 선택되며(여기서 상기 Ld, Rg 및 Rh는 각각 상기 La, Ra 및 Rb의 정의와 동일함),
L3 및 L4는 서로 독립적으로 단일결합; C6~C60의 아릴렌기; O, N, S, Si 및 P 중 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는 C2~C60의 2가 헤테로고리기; 플루오렌일렌기; 및 C1~C60의 2가 지방족 탄화수소;로 이루어진 군에서 선택되며,
Z1 내지 Z16은 서로 독립적으로 CR7; 또는 N;이고(단, Z5 내지 Z8 중 적어도 하나 및 Z9 내지 Z12 중 적어도 하나는 CR7이며, 여기서 Z5 내지 Z8 중 하나 및 Z9 내지 Z12 중 하나의 CR7의 C는 R7과 결합하는 대신 상기 L4와 결합함),
여기서 R7은 수소; C6~C60의 아릴기; O, N, S, Si 및 P 중 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는 C2~C60의 헤테로고리기; C1~C50의 알킬기; 플루오렌일기; 및 -Le-N(Ri)(Rj);로 이루어진 군에서 선택되거나(여기서 상기 Le, Ri 및 Rj는 각각 상기 La, Ra 및 Rb의 정의와 동일함), 또는 Z1 내지 Z16 중에서 이웃한 Z가 각각 CR7인 경우에는 이웃한 기와 서로 결합하여 이들과 결합한 탄소와 함께 방향족고리를 형성할 수 있으며,
W는 NAr6; O; 및 S;로 이루어진 군에서 선택되며,
여기서 Ar6은 C6~C60의 아릴기; 플루오렌일기; O, N, S, Si 및 P 중 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는 C2~C60의 헤테로고리기; 및 C1~C50의 알킬기;로 이루어진 군에서 선택되며,
상기 화학식 (4) 내지 (6)에서,
R8 내지 R39는 서로 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐; C6~C60의 아릴기; 플루오렌일기; O, N, S, Si 및P 중 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는 C2~C60의 헤테로고리기; C3~C60의 지방족고리와 C6~C60의 방향족고리의 융합고리기; C1~C50의 알킬기; C2~C20의 알켄일기; C2~C20의 알킨일기; C1~C30의 알콕실기; C6~C30의 아릴옥시기; 및 -Lf-N(Rk)(Rl);로 이루어진 군에서 선택되거나(여기서 상기 Lf, Rk 및 Rl은 각각 상기 La, Ra 및 Rb의 정의와 동일함), 또는 ⅰ) R8과 R9, R9와 R10, R10과 R11, R11과 R12, R12와 R13, R13과 R14, R14와 R15, R15와 R16, R16과 R17, R17과 R18, R18과 R19 또는 R19와 R8은 서로 결합하여 고리를 형성하거나, 또는 ⅱ) R20과 R21, R21과 R22, R22와 R23, R23과 R24, R24와 R25, R25와 R26, R26과 R27, R27과 R28, R28과 R29 또는 R29와 R20는 서로 결합하여 고리를 형성하거나, 또는 ⅲ) R30과 R31, R31과 R32, R32와 R33, R33과 R34, R34와 R35, R35와 R36, R36과 R37, R37과 R38, R38과 R39 또는 R39와 R30는 서로 결합하여 고리를 형성할 수 있으며,
여기서 상기 아릴기, 플루오렌일기, 헤테로고리기, 융합고리기, 지방족 탄화수소기, 알킬기, 알켄일기, 알킨일기, 알콕실기, 아릴옥시기, 아릴렌기, 플루오렌일렌기는 각각 중수소; 할로겐; 실란기; 실록산기; 붕소기; 게르마늄기; 시아노기; 니트로기; -Lg-N(Rm)(Rn)(여기서 상기 Lg, Rm 및 Rn은 각각 상기 La, Ra 및 Rb의 정의와 동일함); C1~C20의 알킬싸이오기; C1~C20의 알콕실기; C1~C20의 알킬기; C2~C20의 알켄일기; C2~C20의 알킨일기; C6~C20의 아릴기; 중수소로 치환된 C6~C20의 아릴기; 플루오렌일기; C2~C20의 헤테로고리기; C3~C20의 시클로알킬기; C7~C20의 아릴알킬기 및 C8~C20의 아릴알켄일기로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 치환기로 더욱 치환될 수 있으며, 또한 이들 치환기들은 서로 결합하여 고리를 형성할 수도 있다.
본 발명의 또 다른 구체 예에서, 상기 발광보조층은 상기 화학식 (1)로 표시되는 화합물을 함유하고, 상기 발광층의 호스트는 상기 화학식 (2) 내지 (6)으로 표시되는 화합물 중 서로 다른 2개가 혼합된 화합물을 함유하는 유기전기소자를 제공한다.
본 발명의 또 다른 구체 예에서, 상기 화학식 (1)의 L1은 하기 화학식으로 표시되는 것 중 하나일 수 있다.
상기 화학식에서,
Q1은 CR40; 또는 N;이며,
Q2는 C(R41)(R42); NR43; S; 또는 O;로 이루어진 군에서 선택되며,
여기서 R40, Ar7 및 Ar8은 서로 독립적으로, 수소; 중수소; C6~C60의 아릴기; O, N, S, Si 및 P 중 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는 C2~C60의 헤테로고리기; C1~C50의 알킬기; C2~C20의 알켄일기; C1~C30의 알콕시기; 및 플루오렌일기;로 이루어진 군에서 선택되며,
R41 내지 R43은 서로 독립적으로, C6~C60의 아릴기; O, N, S, Si 및 P 중 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는 C2~C60의 헤테로고리기; C1~C50의 알킬기; C2~C20의 알켄일기; C1~C30의 알콕시기; 및 플루오렌일기;로 이루어진 군에서 선택되거나, 또는 R41 및 R42가 서로 결합하여 이들이 결합된 플루오렌과 함께 스파이로 화합물을 형성할 수 있다.
본 발명의 또 다른 구체 예에서, 상기 화학식 (1)로 표시되는 화합물은 하기 화학식 (7) 내지 화학식 (10)으로 표시되는 것 중 하나일 수 있다.
화학식 (7) 화학식 (8) 화학식 (9) 화학식 (10)
상기 화학식 (7) 내지 화학식 (10)에서, L1, L2, Ar1~Ar3, R2, R3, n 및 o는 각각 상기 화학식 (1)의 L1, L2, Ar1~Ar3, R2, R3, n 및 o의 정의와 동일하다.
본 발명의 또 다른 구체 예에서, 상기 화학식 (1)로 표시되는 화합물은 하기 화합물 중 하나일 수 있다.
본 발명의 또 다른 구체 예에서, 상기 화학식 (2)로 표시되는 화합물은 하기 화합물 중 하나일 수 있다.
본 발명의 또 다른 구체 예에서, 상기 화학식 (3)으로 표시되는 화합물은 하기 화합물 중 하나일 수 있다.
본 발명의 또 다른 구체 예에서, 상기 화학식 (4)로 표시되는 화합물은 하기 화합물 중 하나일 수 있다.
본 발명의 또 다른 구체 예에서, 상기 화학식 (5)로 표시되는 화합물은 하기 화합물 중 하나일 수 있다.
본 발명의 또 다른 구체 예에서, 상기 화학식 (6)으로 표시되는 화합물은 하기 화합물 중 하나일 수 있다.
본 발명의 또 다른 구체 예에서, 상기 제 1전극의 일측면 중 상기 유기물층과 반대되는 일측 또는 상기 제 2전극의 일측면 중 상기 유기물층과 반대되는 일측 중 적어도 하나에 형성되는 광효율 개선층을 포함하는 유기전기소자를 제공한다.
본 발명의 또 다른 구체 예에서, 상기 유기물층은 스핀코팅 공정, 노즐 프린팅 공정, 잉크젯 프린팅 공정, 슬롯코팅 공정, 딥코팅 공정 및 롤투롤 공정 중 어느 하나에 의해 형성됨을 특징으로 하는 유기전기소자를 제공한다.
본 발명의 또 다른 구체 예에서, 제 1전극; 제 2전극; 및 상기 제 1전극과 제 2전극 사이에 위치하는 유기물층;을 포함하는 유기전기소자에 있어서, 상기 유기물층은 정공수송층, 발광보조층 및 발광층을 포함하며, 상기 발광보조층은 상기 정공수송층과 상기 발광층 사이에 위치하며 화학식 (1)로 표시되는 화합물을 포함하고, 상기 발광층은 화학식 (2) 내지 (6)으로 표시되는 화합물 중 적어도 하나를 포함하는 유기전기소자를 포함하는 디스플레이장치; 및 상기 디스플레이장치를 구동하는 제어부;를 포함하는 전자장치를 제공한다.
본 발명의 또 다른 구체 예에서, 본 발명에 따르는 유기전기소자는 유기전기발광소자(OLED), 유기태양전지, 유기감광체(OPC), 유기트랜지스터(유기 TFT), 및 단색 또는 백색 조명용 소자 중 적어도 하나일 수 있다.
이하에서, 본 발명의 유기전기소자에 함유되는 화학식 (1) 내지 화학식 (6)으로 표시되는 화합물의 합성예 및 본 발명의 유기전기소자의 제조예에 관하여 실시예를 들어 구체적으로 설명하지만, 본 발명이 하기의 실시예로 한정되는 것은 아니다.
합성예
상기 화합물의 합성은 하기와 같은 방법으로 수행하였다.
I. 화학식 (1)의 합성
예시적으로 본 발명에 따른 화합물 (1)(Final Product)은 하기 <반응식 1>과 같이 Sub 1과 Sub 2를 반응시켜 제조한다.
<반응식 1>
(Hal3= Br 또는 Cl이고, R1~R3, L1, L2, Ar1~Ar3, m, n 및 o는 상기 화학식 (1)에서 정의한 것과 동일함)
1.
Sub
1의 합성예시
<반응식 1>의 Sub 1은 하기 <반응식 2>의 반응경로에 의해 합성될 수 있으며, 이에 한정되는 것은 아니다.
<반응식 2>
(Hal1~Hal2= I 또는 Br이며, Hal3= Br 또는 Cl이고, R1, R2, L1, m 및 n은 상기 화학식 (1)에서 정의한 것도 동일함)
Sub 1에 속하는 구체적 화합물의 합성예는 다음과 같다.
(1)
Sub
1-4 합성예시
<반응식 3>
중간체
Sub
1-I-4 합성
출발물질인 phenylboronic acid (16.52g, 135.5mmol)를 둥근바닥플라스크에 THF로 녹인 후에, 1-bromo-2-nitrobenzene (32.84g, 162.6mmol), Pd(PPh3)4 (7.83g, 6.8mmol), K2CO3 (56.18g, 406.5mmol), 물을 첨가하고 80℃에서 교반하였다. 반응이 완료되면 CH2Cl2와 물로 추출한 후 유기층을 MgSO4로 건조하고 농축한 후 생성된 화합물을 silicagel column 및 재결정하여 생성물 24.83g (수율: 92%)를 얻었다.
중간체
Sub
1-
II
-4 합성
상기 합성에서 얻어진 Sub 1-I-4 (24.83g, 124.6mmol)를 둥근바닥플라스크에 o-dichlorobenzene으로 녹인 후에, triphenylphosphine (81.73g, 311.6mmol)을 첨가하고 200℃에서 교반하였다. 반응이 완료되면 증류를 통해 o-dichlorobenzene을 제거하고 CH2Cl2와 물로 추출하였다. 유기층을 MgSO4로 건조하고 농축한 후 생성된 화합물을 silicagel column 및 재결정하여 생성물 16.46g (수율: 79%)를 얻었다.
Sub
1-4 합성
상기 합성에서 얻어진 Sub 1-II-4 (16.46g, 98.4mmol)를 둥근바닥플라스크에 toluene으로 녹인 후에, 4-bromo-4'-iodo-1,1'-biphenyl (70.68g, 196.9mmol), Pd2(dba)3 (2.7g, 3mmol), 50% P(t-Bu)3 (3.8ml, 7.9mmol), NaOt-Bu (28.38g, 295.3mmol)을 첨가하고 70℃에서 교반하였다. 반응이 완료되면 CH2Cl2와 물로 추출한 후 유기층을 MgSO4로 건조하고 농축한 후 생성된 화합물을 silicagel column 및 재결정하여 생성물 26.27g (수율: 67%)를 얻었다.
(2)
Sub
1-5
합성예
<반응식 4>
중간체
Sub
1-I-5 합성
출발물질인 phenylboronic acid (10.36g, 85mmol)에 3-bromo-4-nitro-1,1'-biphenyl (28.36g, 102mmol), Pd(PPh3)4 (4.91g, 4.2mmol), K2CO3 (35.23g, 254.9mmol), THF, 물을 상기 Sub 1-I-4 합성법을 사용하여 생성물 21.05g (수율: 90%)를 얻었다.
중간체
Sub
1-
II
-5 합성
상기 합성에서 얻어진 Sub 1-I-5 (21.05g, 76.5mmol)에 triphenylphosphine (50.14g, 191.2mmol), o-dichlorobenzene을 상기 Sub 1-II-4 합성법을 사용하여 생성물 13.95g (수율: 75%)를 얻었다.
Sub
1-5 합성
상기 합성에서 얻어진 Sub 1-II-5 (13.95g, 57.3mmol)에 4-bromo-4'-iodo-1,1'-biphenyl (41.17g, 114.7mmol), Pd2(dba)3 (1.58g, 1.7mmol), 50% P(t-Bu)3 (2.2ml, 4.6mmol), NaOt-Bu (16.53g, 172mmol), toluene을 상기 Sub 1-4 합성법을 사용하여 생성물 17.95g (수율: 66%)를 얻었다.
(3)
Sub
1-24
합성예
<반응식 5>
상기 합성에서 얻어진 Sub 1-II-4 (5.72g, 34.2mmol)에 3,7-dibromodibenzo[b,d]thiophene (23.4g, 68.4mmol), Pd2(dba)3 (0.94g, 1mmol), 50% P(t-Bu)3 (1.3ml, 2.7mmol), NaOt-Bu (9.86g, 102.6mmol), toluene을 상기 Sub 1-4 합성법을 사용하여 생성물 8.94g (수율: 61%)를 얻었다.
한편, Sub 1의 예시는 아래와 같으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 이들의 FD-MS는 하기 [표 1]과 같다.
[표 1]
2.
Sub
2의 합성
<반응식 1>의 Sub 2는 하기 <반응식 6>의 반응경로에 의해 합성될 수 있다.
<반응식 6>
(Hal4, Hal6= Br 또는 Cl이며, Hal5= I 또는 Br이고, R3, o, Ar1~Ar3 및 L2는 상기 화학식 (1)에서 정의한 것과 동일함)
Sub 2에 속하는 구체적 화합물의 합성예는 다음과 같다.
(1)
Sub
2-1
합성예
<반응식 7>
중간체
Sub
2-I-1 합성
출발물질인 methyl 4-chloro-2-hydroxybenzoate (51.27g, 274.8mmol)을 둥근바닥플라스크에 CH2Cl2로 녹인 후에, triethylamine (57.9ml, 412.2mmol)을 넣었다. 반응물의 온도를 -78℃로 낮추고 trifluoromethanesulfonic anhydride (50.8ml, 302.3mmol)를 천천히 적가시킨 후, 상온으로 서서히 온도를 올려 교반하였다. 반응이 완료되면 CH2Cl2와 물로 추출한 후 유기층을 MgSO4로 건조하고 농축한 후 생성된 화합물을 다시 diethyl ether로 용해시키고 silicagel filter하여 어두운 색을 제거한 뒤 농축하여 진공 건조시켰다. 무색의 오일로서 생성물 84.93g (수율: 97%)를 얻었다.
중간체
Sub
2-
II
-1 합성
상기 합성에서 얻어진 Sub 2-I-1 (84.93g, 266.5mmol)을 둥근바닥플라스크에 DMF로 녹인 후에, phenylboronic acid (32.5g, 266.5mmol), Pd(PPh3)4 (6.16g, 5.3mmol), K2CO3 (55.26g, 399.8mmol)를 첨가하고 110℃에서 교반하였다. 반응이 완료되면 diethyl ether와 물로 추출한 후 유기층을 MgSO4로 건조하고 농축한 후 생성된 화합물을 silicagel column 및 재결정하여 무색의 오일로서 생성물 53.92g (수율: 82%)를 얻었다.
중간체
Sub
2-
IV
-1 합성
상기 합성에서 얻어진 Sub 2-II-1 (33.19g, 134.5mmol)을 둥근바닥플라스크에 THF로 녹인 후에, methylmagnesium chloride 3.0M in THF (179.4ml, 538.2mmol)을 천천히 적가시킨 후, 상온에서 교반하였다. 반응이 완료되면 diethyl ether와 물로 추출한 후 유기층을 MgSO4로 건조하고 농축한 후 생성물 Sub 2-III-1을 얻었다. 이 Sub 2-III-1를 acetic acid 용액 (500ml)에 녹이고 HCl (10ml)을 첨가한 뒤 환류시켰다. 반응이 완료되면 물을 넣고 교반 후 생성된 고체를 감압여과 후 물과 메탄올로 세척하여 백색 분말로서 생성물 25.85g (수율: 84% over two steps)를 얻었다.
Sub
2-1 합성
상기 합성에서 얻어진 Sub 2-IV-1 (4.01g, 17.5mmol)을 둥근바닥플라스크에 toluene으로 녹인 후에, aniline (3.27g, 35.1mmol), Pd2(dba)3 (0.48g, 0.5mmol), 50% P(t-Bu)3 (0.7ml, 1.4mmol), NaOt-Bu (5.06g, 52.6mmol)을 첨가하고 40℃에서 교반하였다. 반응이 완료되면 CH2Cl2와 물로 추출한 후 유기층을 MgSO4로 건조하고 농축한 후 생성된 화합물을 silicagel column 및 재결정하여 생성물 4.25g (수율: 85%)를 얻었다.
(2)
Sub
2-8
합성예
<반응식 8>
상기 합성에서 얻어진 Sub 2-IV-1 (5.82g, 25.4mmol)에 isoquinolin-4-amine (7.34g, 50.9mmol), Pd2(dba)3 (0.7g, 0.8mmol), 50% P(t-Bu)3 (1ml, 2mmol), NaOt-Bu (7.34g, 76.3mmol), toluene을 상기 Sub 2-1 합성법을 사용하여 생성물 6.33g (수율: 74%)를 얻었다.
(3)
Sub
2-13
합성예
<반응식 9>
상기 합성에서 얻어진 Sub 2-IV-1 (8.42g, 36.8mmol)에 [1,1'-biphenyl]-4-amine (12.46g, 73.6mmol), Pd2(dba)3 (1.01g, 1.1mmol), 50% P(t-Bu)3 (1.4ml, 2.9mmol), NaOt-Bu (10.61g, 110.4mmol), toluene을 상기 Sub 2-1 합성법을 사용하여 생성물 10.91g (수율: 82%)를 얻었다.
(4)
Sub
2-30
합성예
<반응식 10>
중간체
Sub
2-V-30 합성
상기 합성에서 얻어진 Sub 2-IV-1 (6.98g, 30.5mmol)를 둥근바닥플라스크에 DMF로 녹인 후에, Bis(pinacolato)diboron (8.52g, 33.6mmol), Pd(dppf)Cl2 (0.75g, 0.9mmol), KOAc (8.99g, 91.6mmol)를 첨가하고 90℃에서 교반하였다. 반응이 완료되면 증류를 통해 DMF를 제거하고 CH2Cl2와 물로 추출하였다. 유기층을 MgSO4로 건조하고 농축한 후 생성된 화합물을 silicagel column 및 재결정하여 생성물 7.92g (수율: 81%)를 얻었다.
중간체
Sub
2-
VI
-30 합성
상기 합성에서 얻어진 Sub 2-V-30 (7.92g, 24.7mmol)를 둥근바닥플라스크에 THF로 녹인 후에, 1-bromo-4-iodobenzene (10.5g, 37.1mmol), Pd(PPh3)4 (1.43g, 1.2mmol), K2CO3 (10.25g, 74.2mmol), 물을 첨가하고 80℃에서 교반하였다. 반응이 완료되면 CH2Cl2와 물로 추출한 후 유기층을 MgSO4로 건조하고 농축한 후 생성된 화합물을 silicagel column 및 재결정하여 생성물 6.56g (수율: 76%)를 얻었다.
Sub
2-30 합성
상기 합성에서 얻어진 Sub 2-VI-30 (6.56g, 18.8mmol)에 [1,1'-biphenyl]-4-amine (6.36g, 37.6mmol), Pd2(dba)3 (0.52g, 0.6mmol), 50% P(t-Bu)3 (0.7ml, 1.5mmol), NaOt-Bu (5.42g, 56.3mmol), toluene을 상기 Sub 2-1 합성법을 사용하여 생성물 6.82g (수율: 83%)를 얻었다.
(5)
Sub
2-42
합성예
<반응식 11>
중간체
Sub
2-
IV
-42 합성
상기 합성에서 얻어진 Sub 2-II-1 (15.02g, 60.9mmol)에 phenylmagnesium chloride 2.0M in THF (121.8ml, 243.5mmol), THF을 상기 Sub 2-III-1 합성법을 사용하여 생성물 Sub 2-III-42를 얻고, 이 Sub 2-III-42에 acetic acid 용액 (250ml), HCl (5ml)를 상기 Sub 2-IV-1 합성법을 사용하여 생성물 17.4g (수율: 81% over two steps)를 얻었다.
Sub
2-42 합성
상기 합성에서 얻어진 Sub 2-IV-42 (10.05g, 28.5mmol)에 [1,1'-biphenyl]-4-amine (9.64g, 57mmol), Pd2(dba)3 (0.78g, 0.9mmol), 50% P(t-Bu)3 (1.1ml, 2.3mmol), NaOt-Bu (8.21g, 85.4mmol), toluene을 상기 Sub 2-1 합성법을 사용하여 생성물 10.7g (수율: 78%)를 얻었다.
한편, Sub 2의 예시는 아래와 같으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 이들의 FD-MS는 하기 [표 2]와 같다.
[표 2]
4. 최종 생성물(
Final
Product
)의 합성
Sub 2 (1 당량)를 둥근바닥플라스크에 toluene으로 녹인 후에, Sub 1 (1.1 당량), Pd2(dba)3 (0.03 당량), P(t-Bu)3 (0.08 당량), NaOt-Bu (3 당량)을 첨가하고 100℃에서 교반하였다. 반응이 완료되면 CH2Cl2와 물로 추출한 후 유기층을 MgSO4로 건조하고 농축한 후 생성된 화합물을 silicagel column 및 재결정하여 최종 생성물(Final Product)을 얻었다.
(1)
Product
1-15 합성
<반응식 12>
상기 합성에서 얻어진 Sub 2-13 (5.48g, 15.2mmol)을 둥근바닥플라스크에 toluene으로 녹인 후에, Sub 1-4 (6.64g, 16.7mmol), Pd2(dba)3 (0.42g, 0.5mmol), 50% P(t-Bu)3 (0.6ml, 1.2mmol), NaOt-Bu (4.37g, 45.5mmol)을 첨가하고 100℃에서 교반하였다. 반응이 완료되면 CH2Cl2와 물로 추출한 후 유기층을 MgSO4로 건조하고 농축한 후 생성된 화합물을 silicagel column 및 재결정하여 생성물 8.03g (수율: 78%)를 얻었다.
(2)
Product
1-23 합성
<반응식 13>
상기 합성에서 얻어진 Sub 2-8 (6.19g, 18.4mmol)에 Sub 1-4 (8.06g, 20.2mmol), Pd2(dba)3 (0.51g, 0.6mmol), 50% P(t-Bu)3 (0.7ml, 1.5mmol), NaOt-Bu (5.31g, 55.2mmol), toluene을 상기 Product 1-15 합성법을 사용하여 생성물 8.78g (수율: 73%)를 얻었다.
(3)
Product
1-27 합성
<반응식 14>
상기 합성에서 얻어진 Sub 2-1 (4.12g, 14.4mmol)에 Sub 1-5 (7.53g, 15.9mmol), Pd2(dba)3 (0.4g, 0.4mmol), 50% P(t-Bu)3 (0.6ml, 1.2mmol), NaOt-Bu (4.16g, 43.3mmol), toluene을 상기 Product 1-15 합성법을 사용하여 생성물 7.94g (수율: 81%)를 얻었다.
(4)
Product
1-36 합성
<반응식 15>
상기 합성에서 얻어진 Sub 2-42 (6.32g, 13mmol)에 Sub 1-5 (6.79g, 14.3mmol), Pd2(dba)3 (0.36g, 0.4mmol), 50% P(t-Bu)3 (0.5ml, 1mmol), NaOt-Bu (3.75g, 39mmol), toluene을 상기 Product 1-15 합성법을 사용하여 생성물 8.47g (수율: 74%)를 얻었다.
(5)
Product
1-55 합성
<반응식 16>
상기 합성에서 얻어진 Sub 2-13 (5.26g, 14.6mmol)에 Sub 1-24 (6.86g, 16mmol), Pd2(dba)3 (0.4g, 0.4mmol), 50% P(t-Bu)3 (0.6ml, 1.2mmol), NaOt-Bu (4.2g, 43.7mmol), toluene을 상기 Product 1-15 합성법을 사용하여 생성물 7.94g (수율: 77%)를 얻었다.
(6)
Product
1-67 합성
<반응식 17>
상기 합성에서 얻어진 Sub 2-30 (5.93g, 13.6mmol)에 Sub 1-4 (5.94g, 14.9mmol), Pd2(dba)3 (0.37g, 0.4mmol), 50% P(t-Bu)3 (0.5ml, 1.1mmol), NaOt-Bu (3.91g, 40.7mmol), toluene을 상기 Product 1-15 합성법을 사용하여 생성물 8.08g (수율: 79%)를 얻었다.
한편, 상기와 같은 합성예에 따라 제조된 본 발명의 화합물 1-1 내지 1-95의 FD-MS 값은 하기 [표 3]과 같다.
[표 3]
II
. 화학식 (2)의 합성
최종 생성물 2-9의 합성
본 발명에 따른 화학식 (2) 중 Product 2-9의 합성 예시는 <반응식 18>과 같다.
<반응식 18>
중간체 M 2-I-9 합성
출발물질인 dibenzo[b,d]thiophen-4-ylboronic acid (9.05g, 39.7mmol)를 둥근바닥플라스크에 THF로 녹인 후에, 1-bromo-2-nitrobenzene (9.62g, 47.6mmol), Pd(PPh3)4 (2.29g, 2mmol), K2CO3 (16.45g, 119mmol), 물을 첨가하고 80℃에서 교반하였다. 반응이 완료되면 CH2Cl2와 물로 추출한 후 유기층을 MgSO4로 건조하고 농축한 후 생성된 화합물을 silicagel column 및 재결정하여 생성물 10.78g (수율: 89%)를 얻었다.
중간체 M 2-
II
-9 합성
상기 합성에서 얻어진 M 2-I-9 (10.78g, 35.3mmol)를 둥근바닥플라스크에 o-dichlorobenzene으로 녹인 후에, triphenylphosphine (23.15g, 88.3mmol)을 첨가하고 200℃에서 교반하였다. 반응이 완료되면 증류를 통해 o-dichlorobenzene을 제거하고 CH2Cl2와 물로 추출하였다. 유기층을 MgSO4로 건조하고 농축한 후 생성된 화합물을 silicagel column 및 재결정하여 생성물 7.14g (수율: 74 %)를 얻었다.
Sub
2-9 합성
상기 합성에서 얻어진 M 2-II-9 (7.14g, 26.1mmol)을 둥근바닥플라스크에 toluene으로 녹인 후에, 5-chloro-2,4-diphenylpyrimidine (7.66g, 28.7mmol), Pd2(dba)3 (0.72g, 0.8mmol), 50% P(t-Bu)3 (1ml, 2.1mmol), NaOt-Bu (7.53g, 78.4mmol)을 첨가하고 100℃에서 교반하였다. 반응이 완료되면 CH2Cl2와 물로 추출한 후 유기층을 MgSO4로 건조하고 농축한 후 생성된 화합물을 silicagel column 및 재결정하여 생성물 8.29g (수율: 63%)를 얻었다.
한편, 상기와 같은 합성예에 따라 제조된 본 발명의 화합물 2-1 내지 2-32의 FD-MS 값은 하기 [표 4]와 같다.
[표 4]
III
. 화학식 (3)의 합성
최종 생성물 3-1의 합성
본 발명에 따른 화학식 (3) 중 Product 3-1의 합성 예시는 <반응식 19>와 같다.
<반응식 19>
중간체 M 3-I-1 합성
출발물질인 (9-phenyl-9H-carbazol-3-yl)boronic acid (7.32g, 25.5mmol)를 둥근바닥플라스크에 THF로 녹인 후에, 3-bromo-9H-carbazole (7.53g, 30.6mmol), Pd(PPh3)4 (1.47g, 1.3mmol), K2CO3 (10.57g, 76.5mmol), 물을 첨가하고 80℃에서 교반하였다. 반응이 완료되면 CH2Cl2와 물로 추출한 후 유기층을 MgSO4로 건조하고 농축한 후 생성된 화합물을 silicagel column 및 재결정하여 생성물 8.85g (수율: 85%)를 얻었다.
Sub
3-1 합성
상기 합성에서 얻어진 M 3-I-1 (8.85g, 21.7mmol)을 둥근바닥플라스크에 toluene으로 녹인 후에, 2-chloro-4,6-diphenyl-1,3,5-triazine (6.38g, 23.8mmol), Pd2(dba)3 (0.6g, 0.6mmol), 50% P(t-Bu)3 (0.8 ml, 1.7mmol), NaOt-Bu (6.25g, 65mmol)을 첨가하고 100℃에서 교반하였다. 반응이 완료되면 CH2Cl2와 물로 추출한 후 유기층을 MgSO4로 건조하고 농축한 후 생성된 화합물을 silicagel column 및 재결정하여 생성물 9.56g (수율: 69%)를 얻었다.
한편, 상기와 같은 합성예에 따라 제조된 본 발명의 화합물 3-1 내지 3-24의 FD-MS 값은 하기 [표 5]와 같다.
[표 5]
IV
. 화학식 (4)의 합성
최종 생성물 4-6의 합성
본 발명에 따른 화학식 (4) 중 Product 4-6의 합성 예시는 <반응식 20>과 같다.
<반응식 20>
출발물질인 triphenylen-2-ylboronic acid (5.44g, 20mmol)를 둥근바닥플라스크에 THF로 녹인 후에, 2-(4-bromophenyl)-4,6-diphenyl-1,3,5-triazine (7.76g, 20mmol), Pd(PPh3)4 (0.69g, 0.6mmol), K2CO3 (8.29g, 60mmol), 물을 첨가하고 80℃에서 교반하였다. 반응이 완료되면 CH2Cl2와 물로 추출한 후 유기층을 MgSO4로 건조하고 농축한 후 생성된 화합물을 silicagel column 및 재결정하여 생성물 7.5g (수율: 70%)를 얻었다.
한편, 상기와 같은 합성예에 따라 제조된 본 발명의 화합물 4-1 내지 4-20의 FD-MS 값은 하기 [표 6]과 같다.
[표 6]
V. 화학식 (5), 화학식 (6)의 합성
1. 최종 생성물 5-10의 합성
본 발명에 따른 화학식 (5) 중 Product 5-10의 합성 예시는 <반응식 21>과 같다.
<반응식 21>
출발물질인 9,10-dibromoanthracene (6.71g, 20mmol)를 둥근바닥플라스크에 THF로 녹인 후에, naphthalen-2-ylboronic acid (7.56g, 43.9mmol), Pd(PPh3)4 (0.69g, 0.6mmol), K2CO3 (8.28g, 59.9mmol), 물을 첨가하고 80℃에서 교반하였다. 반응이 완료되면 CH2Cl2와 물로 추출한 후 유기층을 MgSO4로 건조하고 농축한 후 생성된 화합물을 silicagel column 및 재결정하여 생성물 6.71g (수율: 78%)를 얻었다.
2. 최종 생성물 6-5의 합성
본 발명에 따른 화학식 6 중 Product 6-5의 합성 예시는 <반응식 22>와 같다.
<반응식 22>
출발물질인 1,6-dibromopyrene (7.69g, 21.4mmol)을 둥근바닥플라스크에 Toluene으로 녹인 후에, phenylboronic acid (5.73g, 47mmol), Pd(PPh3)4 (0.74g, 0.6mmol), K2CO3 (8.86g, 64.1mmol), 물을 첨가하고 100℃에서 교반하였다. 반응이 완료되면 CH2Cl2와 물로 추출한 후 유기층을 MgSO4로 건조하고 농축한 후 생성된 화합물을 silicagel column 및 재결정하여 생성물 7.91g (수율: 86%)를 얻었다.
3. 최종 생성물 6-14의 합성
본 발명에 따른 화학식 (6) 중 Product 6-14의 합성 예시는 <반응식 23>과 같다.
<반응식 23>
출발물질인 1,6-dibromopyrene (7.27g, 20.2mmol)을 둥근바닥플라스크에 toluene으로 녹인 후에, diphenylamine (8.2g, 48.5mmol), Pd2(dba)3 (0.55g, 0.6mmol), 50% P(t-Bu)3 (0.8ml, 1.6mmol), NaOt-Bu (5.82g, 60.6mmol)을 첨가하고 100℃에서 교반하였다. 반응이 완료되면 CH2Cl2와 물로 추출한 후 유기층을 MgSO4로 건조하고 농축한 후 생성된 화합물을 silicagel column 및 재결정하여 생성물 8.13g (수율: 75%)를 얻었다.
한편, 상기와 같은 합성예에 따라 제조된 본 발명의 화합물 5-1 내지 5-24 및 6-1 내지 6-16의 FD-MS 값은 하기 [표 7]과 같다.
[표 7]
한편, 상기에서는 화학식 (1) 내지 화학식 (6)으로 표시되는 본 발명의 예시적 합성예를 설명하였지만, 이들은 모두 Suzuki cross-coupling 반응, PPh3-mediated reductive cyclization 반응 (J. Org . Chem. 2005, 70, 5014.), Buchwald-Hartwig cross coupling 반응, Triflatation 반응, Grignard 반응, Cyclic Dehydration 반응, Miyaura boration 반응 등에 기초한 것으로 구체적 합성예에 명시된 치환기 이외에 화학식 (1) 내지 화학식 (6)에 정의된 치환기(Ar1~Ar5, L1~L4, W, X, Y, Z1~Z16, R1~R39)가 결합되더라도 상기 반응이 진행된다는 것을 당업자라면 쉽게 이해할 수 있을 것이다. 예컨데, <반응식 2>에서 출발물질 -> Sub 1-I 반응, <반응식 6>에서 Sub 2-I -> Sub 2-II 반응 및 Sub 2-V -> Sub 2-VI 반응, <반응식 18>에서 출발물질 -> M 2-I-9 반응, <반응식 19>에서 출발물질 -> M 3-I-1 반응, <반응식 20> 내지 <반응식 22>는 Suzuki cross-coupling 반응에 기초한 것이고, <반응식 2>에서 Sub 1-I -> Sub 1-II 반응, <반응식 18>에서 M 2-I-9 -> M 2-II-9 반응은 PPh3-mediated reductive cyclization 반응에 기초한 것이며, <반응식 2>에서 Sub 1-II -> Sub 1 반응, <반응식 6>에서 Sub 2-VI -> Sub 2 반응, <반응식 12> 내지 <반응식 19>, <반응식 23>은 Buchwald-Hartwig cross coupling 반응에 기초한 것이다. 이어서 반응식 (6)에서 출발물질 -> Sub 2-I 반응은 Triflatation 반응에 기초한 것이고 반응식 (6)에서 Sub 2-II -> Sub 2-III 반응은 Grignard 반응에 기초한 것이며, 반응식 (6)에서 Sub 2-III -> Sub 2-IV 반응은 Cyclic Dehydration 반응에 기초한 것이고, 반응식 (6)에서 Sub 2-IV -> Sub 2-V 반응은 Miyaura boration 반응에 기초한 것이다. 이들에 구체적으로 명시되지 않은 치환기가 결합되더라도 상기 반응들은 진행할 것이다.
유기전기소자의 제조평가
[
실험예
Ⅰ]
레드유기전기발광소자
(
발광보조층
+
발광층
호스트)
먼저, 유리 기판에 형성된 ITO층(양극) 위에 4,4',4''-Tris[2-naphthyl(phenyl)amino]triphenylamine (이하 2-TNATA로 약기함)을 60nm 두께로 진공증착하여 정공주입층을 형성한 후, 정공주입층 위에 4,4-비스[N-(1-나프틸)-N-페닐아미노]비페닐 (이하 NPD로 약기함)를 60nm 두께로 진공증착하여 정공수송층을 형성하였다. 다음으로, 정공수송층 위에 발광보조층 재료로 본 발명의 화합물(1-1~1-95 중 하나)을 20nm 두께로 진공증착하여 발광보조층을 형성하였다. 이어서, 상기 발광보조층 상에 호스트 물질로 본 발명의 화합물(2-5)을, 도판트 물질로 (piq)2Ir(acac) [bis-(1-phenylisoquinolyl)iridium(Ⅲ)acetylacetonate]을 95:5 중량비로 도핑하여 30nm 두께의 발광층을 증착하였다. 이어서, 상기 발광층 상에 (1,1'비스페닐)-4-올레이토)비스(2-메틸-8-퀴놀린올레이토)알루미늄 (이하 BAlq로 약기함)을 10nm 두께로 진공증착하여 정공저지층을 형성하고, 상기 정공저지층 상에 트리스(8-퀴놀리놀)알루미늄(이하 Alq3로 약기함)을 40nm 두께로 전자수송층을 성막하였다. 이후, 전자수송층 상에 할로젠화 알칼리 금속인 LiF를 0.2nm 두께로 증착하여 전자주입층을 형성하고, 이어서 Al을 150nm의 두께로 증착하여 음극을 형성함으로써 유기전기발광소자를 제조하였다.
[
비교예
1]
발광보조층을 사용하지 않은 것을 제외하고는 상기 [실험예 I]과 동일한 방법으로 유기전기발광소자를 제작하였다.
이와 같이 제조된 [실험예 I](실험예(1) 내지 실험예(68)) 및 [비교예 1]에 의한 유기전기발광소자들에 순바이어스 직류전압을 가하여 포토리서치(photoresearch)사의 PR-650으로 전기발광(EL) 특성을 측정하였으며, 그 측정결과 2500cd/㎡ 기준 휘도에서 맥사이언스사에서 제조된 수명 측정 장비를 통해 T95 수명을 측정하였다.
하기 [표 8]은 발명에 따른 화합물을 적용한 [실험예 I](실험예(1) 내지 실험예(68)) 및 [비교예 1]에 대한 소자제작 및 그 평가 결과를 나타낸다.
[표 8]
[
실험예
Ⅱ] 그린유기전기발광소자(
발광보조층
+
발광층
호스트)
먼저, 유리 기판에 형성된 ITO층(양극) 위에 2-TNATA을 60nm 두께로 진공증착하여 정공주입층을 형성한 후, 정공주입층 위에 NPD를 60nm 두께로 진공증착하여 정공수송층을 형성하였다. 다음으로, 정공수송층 위에 발광보조층 재료로 본 발명의 화합물(1-1~1-95 중 하나)을 20nm 두께로 진공증착하여 발광보조층을 형성하였다. 이어서, 상기 발광보조층 상에 호스트 물질로 본 발명의 화합물(3-1)을, 도판트 물질로 Ir(ppy)3 [tris(2-phenylpyridine)-iridium]를 95:5 중량비로 도핑하여 30nm 두께의 발광층을 증착하였다. 이어서, 상기 발광층 상에 BAlq를 10nm 두께로 진공증착하여 정공저지층을 형성하고, 상기 정공저지층 상에 Alq3을 40nm 두께로 전자수송층을 성막하였다. 이후, 전자수송층 상에 할로젠화 알칼리 금속인 LiF를 0.2nm 두께로 증착하여 전자주입층을 형성하고, 이어서 Al을 150nm의 두께로 증착하여 음극을 형성함으로써 유기전기발광소자를 제조하였다.
[
비교예
2]
발광보조층을 사용하지 않은 것을 제외하고는 상기 [실험예 Ⅱ]와 동일한 방법으로 유기전기발광소자를 제작하였다.
이와 같이 제조된 [실험예 Ⅱ](실험예(69) 내지 실험예(115)) 및 [비교예 2]에 의한 유기전기발광소자들에 순바이어스 직류전압을 가하여 포토리서치(photoresearch)사의 PR-650으로 전기발광(EL) 특성을 측정하였으며, 그 측정결과 5000cd/㎡ 기준 휘도에서 맥사이언스사에서 제조된 수명 측정 장비를 통해 T95 수명을 측정하였다.
하기 [표 9]는 발명에 따른 화합물을 적용한 [실험예 Ⅱ](실험예(69) 내지 실험예(115)) 및 [비교예 2]에 대한 소자제작 및 그 평가 결과를 나타낸다.
[표 9]
[
실험예
Ⅲ] 그린유기전기발광소자(
발광보조층
+
발광층
호스트)
먼저, 유리 기판에 형성된 ITO층(양극) 위에 2-TNATA를 60nm 두께로 진공증착하여 정공주입층을 형성한 후, 정공주입층 위에 NPD를 60nm 두께로 진공증착하여 정공수송층을 형성하였다. 다음으로, 정공수송층 위에 발광보조층 재료로 본 발명의 화합물(1-1~1-95 중 하나)을 20nm 두께로 진공증착하여 발광보조층을 형성하였다. 이어서, 상기 발광보조층 상에 호스트 물질로 본 발명의 화합물(2-7)을, 도판트 물질로 Ir(ppy)3 [tris(2-phenylpyridine)-iridium]를 95:5 중량비로 도핑하여 30nm 두께의 발광층을 증착하였다. 이어서, 상기 발광층 상에 BAlq를 10nm 두께로 진공증착하여 정공저지층을 형성하고, 상기 정공 저지층 상에 Alq3을 40nm 두께로 전자수송층을 성막하였다. 이후, 전자수송층 상에 할로젠화 알칼리 금속인 LiF를 0.2nm 두께로 증착하여 전자주입층을 형성하고, 이어서 Al을 150nm의 두께로 증착하여 음극을 형성함으로써 유기전기발광소자를 제조하였다.
[
비교예
3]
발광보조층을 사용하지 않은 것을 제외하고는 상기 [실험예 Ⅲ]과 동일한 방법으로 유기전기발광소자를 제작하였다.
이와 같이 제조된 [실험예 Ⅲ](실험예(116) 내지 실험예(162)) 및 [비교예 3]에 의한 유기전기발광소자들에 순바이어스 직류전압을 가하여 포토리서치(photoresearch)사의 PR-650으로 전기발광(EL) 특성을 측정하였으며, 그 측정결과 5000cd/㎡ 기준 휘도에서 맥사이언스사에서 제조된 수명 측정 장비를 통해 T95 수명을 측정하였다.
하기 [표 10]은 발명에 따른 화합물을 적용한 [실험예 Ⅲ](실험예(116) 내지 실험예(162)) 및 [비교예 3]에 대한 소자제작 및 그 평가 결과를 나타낸다.
[표 10]
[
실험예
Ⅳ]
블루유기전기발광소자
(
발광보조층
+
발광층
호스트)
먼저, 유리 기판에 형성된 ITO층(양극) 위에 2-TNATA를 60nm 두께로 진공증착하여 정공주입층을 형성한 후, 정공주입층 위에 NPD를 60nm 두께로 진공증착하여 정공수송층을 형성하였다. 다음으로, 정공수송층 위에 발광보조층 재료로 본 발명의 화합물(1-1~1-95 중 하나)을 20nm 두께로 진공증착하여 발광보조층을 형성하였다. 이어서, 상기 발광보조층 상에 호스트 물질로 본 발명의 화합물(5-10)을, 도판트 물질로 BD-052X(Idemitsu Kosan)를 93:7 중량비로 도핑하여 30nm 두께의 발광층을 증착하였다. 이어서, 상기 발광층 상에 BAlq를 10nm 두께로 진공증착하여 정공저지층을 형성하고, 상기 정공 저지층 상에 Alq3을 40nm 두께로 전자수송층을 성막하였다. 이후, 전자수송층 상에 할로젠화 알칼리 금속인 LiF를 0.2nm 두께로 증착하여 전자주입층을 형성하고, 이어서 Al을 150nm의 두께로 증착하여 음극을 형성함으로써 유기전기발광소자를 제조하였다.
[
비교예
4]
발광보조층을 사용하지 않은 것을 제외하고는 상기 [실험예 Ⅳ]와 동일한 방법으로 유기전기발광소자를 제작하였다.
이와 같이 제조된 [실험예 Ⅳ](실험예(163) 내지 실험예(189)) 및 [비교예 4]에 의한 유기전기발광소자들에 순바이어스 직류전압을 가하여 포토리서치(photoresearch)사의 PR-650으로 전기발광(EL) 특성을 측정하였으며, 그 측정결과 500cd/㎡ 기준 휘도에서 맥사이언스사에서 제조된 수명 측정 장비를 통해 T95 수명을 측정하였다.
하기 [표 11]은 발명에 따른 화합물을 적용한 [실험예 Ⅳ](실험예(163) 내지 실험예(189)) 및 [비교예 4]에 대한 소자제작 및 그 평가 결과를 나타낸다.
[표 11]
[
실험예
V]
블루유기전기발광소자
(
발광보조층
+
발광층
호스트)
먼저, 유리 기판에 형성된 ITO층(양극) 위에 2-TNATA 를 60nm 두께로 진공증착하여 정공주입층을 형성한 후, 정공주입층 위에 NPD를 60nm 두께로 진공증착하여 정공수송층을 형성하였다. 다음으로, 정공수송층 위에 발광보조층 재료로 본 발명의 화합물(1-1~1-95 중 하나)을 20nm 두께로 진공증착하여 발광보조층을 형성하였다. 이어서, 상기 발광보조층 상에 호스트 물질로 본 발명의 화합물(6-5)을, 도판트 물질로 BD-052X(Idemitsu Kosan)를 93:7 중량비로 도핑하여 30nm 두께의 발광층을 증착하였다. 이어서, 상기 발광층 상에 BAlq를 10nm 두께로 진공증착하여 정공저지층을 형성하고, 상기 정공 저지층 상에 Alq3을 40nm 두께로 전자수송층을 성막하였다. 이후, 전자수송층 상에 할로젠화 알칼리 금속인 LiF를 0.2nm 두께로 증착하여 전자주입층을 형성하고, 이어서 Al을 150nm의 두께로 증착하여 음극을 형성함으로써 유기전기발광소자를 제조하였다.
[
비교예
5]
발광보조층을 사용하지 않은 것을 제외하고는 상기 [실험예 V]와 동일한 방법으로 유기전기발광소자를 제작하였다.
이와 같이 제조된 [실험예 V](실험예(190) 내지 실험예(208)) 및 [비교예 5]에 의한 유기전기발광소자들에 순바이어스 직류전압을 가하여 포토리서치(photoresearch)사의 PR-650으로 전기발광(EL) 특성을 측정하였으며, 그 측정결과 500cd/㎡ 기준 휘도에서 맥사이언스사에서 제조된 수명 측정 장비를 통해 T95 수명을 측정하였다.
하기 [표 12]는 발명에 따른 화합물을 적용한 [실험예 V](실험예(190) 내지 실험예(208)) 및 [비교예 5]에 대한 소자제작 및 그 평가 결과를 나타낸다.
[표 12]
상기 [표 8] 내지 [표 12]의 결과로부터 알 수 있듯이, 본 발명의 유기전기발광소자용 재료를 발광 보조층 재료로 사용하여 (레드, 그린, 블루)유기전기발광소자를 제작한 경우 발광보조층을 사용하지 않은 비교예([비교예 1] 내지 [비교예 5])보다 유기전기발광소자의 구동전압을 낮출 수 있을 뿐만 아니라 발광 효율과 수명을 현저히 개선시킬 수 있다.
이는 본 발명의 화합물들을 발광보조층으로 사용할 경우, 전하균형(charge balance) 유지 및 높은 T1 값을 나타내어 구동전압을 낮추고 엑시톤이 발광층에 잘 머물도록 효과적인 블로킹을 하게 함으로써 결과적으로 효율과 수명 모두 크게 향상시키는 것을 확인 할 수 있다. 다시 말해, 발광보조층으로 사용한 본 발명의 화합물들이 높은 T1 값과 깊은 HOMO 에너지 레벨을 가지면서 정공이 보다 원활하게 정공수송층에서 발광층으로 수송되고 엑시톤이 발광층 내에 가두어져 발광 누수가 방지됨에 따라 우수한 유기전기 발광소자의 구현이 가능하게 된다.
[
실험예
Ⅵ] 그린유기전기발광소자(
발광보조층
+
발광층
혼합 호스트)
먼저, 유리 기판에 형성된 ITO층(양극) 위에 2-TNATA를 60nm 두께로 진공증착하여 정공주입층을 형성한 후, 정공주입층 위에 NPD를 60nm 두께로 진공증착하여 정공수ⅥⅥ송층을 형성하였다. 다음으로, 정공수송층 위에 발광보조층 재료로 본 발명의 화합물(1-1~1-95 중 하나)을 20nm 두께로 진공증착하여 발광보조층을 형성하였다. 이어서, 상기 발광보조층 상에 호스트 물질로 본 발명의 화합물(2-7)과 본 발명 화합물(3-1)을 혼합(50:50 중량비)하고, 도판트 물질로 Ir(ppy)3 [tris(2-phenylpyridine)-iridium]를 95:5 중량비로 도핑하여 30nm 두께의 발광층을 증착하였다. 이어서, 상기 발광층 상에 BAlq를 10nm 두께로 진공증착하여 정공저지층을 형성하고, 상기 정공 저지층 상에 Alq3을 40nm 두께로 전자수송층을 성막하였다. 이후, 전자수송층 상에 할로젠화 알칼리 금속인 LiF를 0.2nm 두께로 증착하여 전자주입층을 형성하고, 이어서 Al을 150nm의 두께로 증착하여 음극을 형성함으로써 유기전기발광소자를 제조하였다.
[
비교예
6]
발광보조층을 사용하지 않은 것을 제외하고는 상기 [실험예 Ⅵ]과 동일한 방법으로 유기전기발광소자를 제작하였다.
이와 같이 제조된 [실험예 Ⅵ](실험예(209) 내지 실험예(235)) 및 [비교예 6]에 의한 유기전기발광소자들에 순바이어스 직류전압을 가하여 포토리서치(photoresearch)사의 PR-650으로 전기발광(EL) 특성을 측정하였으며, 그 측정결과 5000cd/㎡ 기준 휘도에서 맥사이언스사에서 제조된 수명 측정 장비를 통해 T95 수명을 측정하였다.
하기 [표 13]은 발명에 따른 화합물을 적용한 [실험예 Ⅵ](실험예(209) 내지 실험예(235)) 및 [비교예 6]에 대한 소자제작 및 그 평가 결과를 나타낸다.
[표 13]
[
실험예
Ⅶ] 그린유기전기발광소자(
발광보조층
+
발광층
혼합 호스트)
먼저, 유리 기판에 형성된 ITO층(양극) 위에 2-TNATA를 60nm 두께로 진공증착하여 정공주입층을 형성한 후, 정공주입층 위에 NPD를 60nm 두께로 진공증착하여 정공수송층을 형성하였다. 다음으로, 정공수송층 위에 발광보조층 재료로 본 발명의 화합물(1-1~1-95 중 하나)을 20nm 두께로 진공증착하여 발광보조층을 형성하였다. 이어서, 상기 발광보조층 상에 호스트 물질로 본 발명의 화합물(3-1)과 본 발명 화합물(4-1)을 혼합(50:50 중량비)하고, 도판트 물질로 Ir(ppy)3 [tris(2-phenylpyridine)-iridium]를 95:5 중량비로 도핑하여 30nm 두께의 발광층을 증착하였다. 이어서, 상기 발광층 상에 BAlq를 10nm 두께로 진공증착하여 정공저지층을 형성하고, 상기 정공 저지층 상에 Alq3을 40nm 두께로 전자수송층을 성막하였다. 이후, 전자수송층 상에 할로젠화 알칼리 금속인 LiF를 0.2nm 두께로 증착하여 전자주입층을 형성하고, 이어서 Al을 150nm의 두께로 증착하여 음극을 형성함으로써 유기전기발광소자를 제조하였다.
[
비교예
7]
발광보조층을 사용하지 않은 것을 제외하고는 상기 [실험예 Ⅶ]과 동일한 방법으로 유기전기발광소자를 제작하였다.
이와 같이 제조된 [실험예 Ⅶ](실험예(236) 내지 실험예(262)) 및 [비교예 7]에 의한 유기전기발광소자들에 순바이어스 직류전압을 가하여 포토리서치(photoresearch)사의 PR-650으로 전기발광(EL) 특성을 측정하였으며, 그 측정결과 5000cd/㎡ 기준 휘도에서 맥사이언스사에서 제조된 수명 측정 장비를 통해 T95 수명을 측정하였다.
하기 [표 14]는 발명에 따른 화합물을 적용한 [실험예 Ⅶ](실험예(236) 내지 실험예(262)) 및 [비교예 7]에 대한 소자제작 및 그 평가 결과를 나타낸다.
[표 14]
상기 [표 13] 내지 [표 14]의 결과로부터 알 수 있듯이, 본 발명의 유기전기발광소자용 재료를 발광보조층 재료로 사용한 유기전기발광소자는 단일 호스트 물질을 사용했을 때보다 두 개의 혼합된 호스트 물질(화학식 (2)와 화학식 (3)의 화합물 혼합, 화학식 (3)과 화학식 (4)의 화합물 혼합)을 사용하였을 때, 보다 높은 발광 효율과 낮은 구동전압 및 수명을 현저히 개선시키는 것을 확인할 수 있다. 이는 혼합된 두 개의 호스트 물질로 인해 단일 호스트 물질일 때보다 넓은 밴드 갭을 가짐과 동시에 발광층 내에 전하균형을 이루는 것을 용이하게 만들기 때문인 것으로 판단된다.
특히, 본 발명의 발광보조층으로 사용되는 화합물은 굽은형의 3-플루오렌 화합물로서, 종래에 사용하던 직선형의 2-플루오렌 화합물 보다 넓은 밴드갭을 갖으며, T1값도 높으므로 소자 적용시 특성을 더 향상시킬 수 있으며, 제품 양산시에도 3-플루오렌 화합물이 2-플루오렌 화합물보다 증착온도가 낮아 공정시간을 단축시킬 수 있는 장점이 있다.
이상의 설명은 본 발명을 예시적으로 설명한 것에 불과한 것으로, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가지는 자라면 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 다양한 변형이 가능할 것이다. 따라서, 본 명세서에 개시된 실시예들은 본 발명을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예에 의하여 본 발명의 사상과 범위가 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 보호범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술은 본 발명의 권리범위에 포함하는 것으로 해석되어야 할 것이다.
100: 유기전기소자 110: 기판
120: 제 1전극 130: 정공주입층
140: 정공수송층 141: 버퍼층
150: 발광층 151: 발광보조층
160: 전자수송층 170: 전자주입층
180: 제 2전극
120: 제 1전극 130: 정공주입층
140: 정공수송층 141: 버퍼층
150: 발광층 151: 발광보조층
160: 전자수송층 170: 전자주입층
180: 제 2전극
Claims (19)
- 삭제
- 삭제
- 삭제
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- 제 1전극; 제 2전극; 및 상기 제 1전극과 제 2전극 사이에 위치하는 유기물층;을 포함하는 유기전기소자에 있어서,
상기 유기물층은 정공수송층, 발광보조층 및 발광층을 포함하며, 상기 발광보조층은 상기 정공수송층과 상기 발광층 사이에 형성되며 하기 화학식 (1)로 표시되는 화합물을 포함하고, 상기 발광층은 호스트 및 도펀트를 포함하며, 상기 호스트는 i) 하기 화학식 (3)으로 표시되는 화합물과 ii) 하기 화학식 (2) 및 화학식 (4)로 표시되는 화합물 중 하나가 혼합된 혼합물을 함유하는 것을 특징으로 하는 유기전기소자.
화학식 (1)
화학식 (2) 화학식(3)
화학식 (4)
[상기 화학식 (1)에서,
m, n 및 o는 서로 독립적으로 0 내지 4의 정수이며,
R1 내지 R3는 상기 m, n 및 o가 2 이상인 경우 각각 복수로서 서로 동일하거나 상이하며, 서로 독립적으로 중수소; 할로겐; C6~C60의 아릴기; 플루오렌일기; O, N, S, Si 및 P 중 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는 C2~C60의 헤테로고리기; C3~C60의 지방족고리와 C6~C60의 방향족고리의 융합고리기; C1~C50의 알킬기; C2~C20의 알켄일기; C2~C20의 알킨일기; C1~C30의 알콕실기; C6~C30의 아릴옥시기; 및 -La-N(Ra)(Rb);로 이루어진 군에서 선택되거나(여기서 상기 La은 단일결합; C6~C60의 아릴렌기; 플루오렌일렌기; C3~C60의 지방족고리와 C6~C60의 방향족고리의 2가 융합고리기; 및 O, N, S, Si 및 P 중 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는 C2~C60의 2가 헤테로고리기;로 이루어진 군에서 선택되며, 상기 Ra 및 Rb는 서로 독립적으로 C6~C60의 아릴기; 플루오렌일기; C3~C60의 지방족고리와 C6~C60의 방향족고리의 융합고리기; 및 O, N, S, Si 및 P 중 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는 C2~C60의 헤테로고리기;로 이루어진 군에서 선택됨), 또는 복수의 R1 내지 R3은 각각 결합하여 이들과 결합한 탄소와 함께 방향족고리를 형성할 수 있으며,
Ar1 내지 Ar3는 서로 독립적으로 C6~C60의 아릴기; 플루오렌일기; O, N, S, Si 및 P 중 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는 C2~C60의 헤테로고리기; C3~C60의 지방족고리와 C6~C60의 방향족고리의 융합고리기; C1~C50의 알킬기; C2~C20의 알켄일기; C2~C20의 알킨일기; C1~C30의 알콕실기; C6~C30의 아릴옥시기; 히드록시기 및 -Lb-N(Rc)(Rd);로 이루어진 군에서 선택되거나(여기서 상기 Lb, Rc 및 Rd는 각각 상기 La, Ra 및 Rb의 정의와 동일함), 또는 Ar1 및 Ar2가 서로 결합하여 이들이 결합된 플루오렌과 함께 스파이로 화합물을 형성할 수 있으며,
L1은 C6~C60의 아릴렌기; O, N, S, Si 및 P 중 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는 C2~C60의 2가 헤테로고리기; 플루오렌일렌기; C3~C60의 지방족고리와 C6~C60의 방향족고리의 2가 융합고리기; 및 C6~C60의 아릴렌기와 O, N, S, Si 및 P 중 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는 C2~C60의 2가의 헤테로고리기의 조합으로 이루어진 2가의 작용기;로 이루어진 군에서 선택되며,
L2는 단일결합; C6~C60의 아릴렌기; O, N, S, Si 및 P 중 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는 C2~C60의 2가 헤테로고리기; 플루오렌일렌기; 및 C3~C60의 지방족고리와 C6~C60의 방향족고리의 2가 융합고리기;로 이루어진 군에서 선택되며,
상기 화학식 (2) 및 (3)에서,
a 및 b는 각각 0 내지 1의 정수이며, a+b는 1 이상이며,
X 및 Y는 서로 독립적으로 단일결합; S; O; NR';CR'R"; 및 SiR'R";로 이루어진 군에서 선택되며, 여기서 R' 및 R"은 서로 독립적으로 수소; C6~C60의 아릴기; O, N, S, Si 및 P 중 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는 C2~C60의 헤테로고리기; 및 C1~C50의 알킬기로 이루어진 군에서 선택되며,
p는 0 내지 2의 정수이며, q 및 r은 0 내지 4의 정수이며,
R4 내지 R6는 상기 p가 2, q 또는 r이 2 내지 4의 정수인 경우 각각 복수로서 서로 동일하거나 상이하며, 서로 독립적으로 중수소; 할로겐; C6~C60의 아릴기; 플루오렌일기; O, N, S, Si 및 P 중 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는 C2~C60의 헤테로고리기; C3~C60의 지방족고리와 C6~C60의 방향족고리의 융합고리기; C1~C50의 알킬기; C2~C20의 알켄일기; C2~C20의 알킨일기; C1~C30의 알콕실기; C6~C30의 아릴옥시기; 및 -Lc-N(Re)(Rf);로 이루어진 군에서 선택되거나(여기서 상기 Lc, Re 및 Rf는 각각 상기 La, Ra 및 Rb의 정의와 동일함), 또는 복수의 R4 내지 R6은 각각 결합하여 이들과 결합한 탄소와 함께 방향족고리를 형성할 수 있으며,
Ar4 및 Ar5는 서로 독립적으로 C6~C60의 아릴기; 플루오렌일기; O, N, S, Si 및 P 중 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는 C2~C60의 헤테로고리기; C3~C60의 지방족고리와 C6~C60의 방향족고리의 융합고리기; C1~C50의 알킬기; C2~C20의 알켄일기; C2~C20의 알킨일기; C1~C30의 알콕실기; C6~C30의 아릴옥시기; 및 -Ld-N(Rg)(Rh);로 이루어진 군에서 선택되며(여기서 상기 Ld, Rg 및 Rh는 각각 상기 La, Ra 및 Rb의 정의와 동일함),
L3 및 L4는 서로 독립적으로 단일결합; C6~C60의 아릴렌기; O, N, S, Si 및 P 중 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는 C2~C60의 2가 헤테로고리기; 플루오렌일렌기; 및 C1~C60의 2가 지방족 탄화수소로 이루어진 군에서 선택되며,
Z1 내지 Z16은 서로 독립적으로 CR7; 또는 N;이며(단, Z5 내지 Z8 중 적어도 하나 및 Z9 내지 Z12 중 적어도 하나는 CR7이며, 여기서 Z5 내지 Z8 중 하나 및 Z9 내지 Z12 중 하나의 CR7의 C는 R7과 결합하는 대신 상기 L4와 결합함),
여기서 R7은 수소; C6~C60의 아릴기; O, N, S, Si 및 P 중 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는 C2~C60의 헤테로고리기; C1~C50의 알킬기; 플루오렌일기; 및 -Le-N(Ri)(Rj);로 이루어진 군에서 선택되거나(여기서 상기 Le, Ri 및 Rj는 각각 상기 La, Ra 및 Rb의 정의와 동일함), 또는 Z1 내지 Z16 중에서 이웃한 Z가 각각 CR7인 경우에는 이웃한 기와 서로 결합하여 이들과 결합한 탄소와 함께 방향족고리를 형성할 수 있으며,
W는 NAr6; O; 및 S;로 이루어진 군에서 선택되며,
여기서 Ar6은 C6~C60의 아릴기; 플루오렌일기; O, N, S, Si 및 P 중 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는 C2~C60의 헤테로고리기; 및 C1~C50의 알킬기;로 이루어진 군에서 선택되며,
상기 화학식 (4)에서,
R8 내지 R19는 서로 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐; C6~C60의 아릴기; 플루오렌일기; O, N, S, Si 및P 중 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는 C2~C60의 헤테로고리기; C3~C60의 지방족고리와 C6~C60의 방향족고리의 융합고리기; C1~C50의 알킬기; C2~C20의 알켄일기; C2~C20의 알킨일기; C1~C30의 알콕실기; C6~C30의 아릴옥시기; 및 -Lf-N(Rk)(Rl);로 이루어진 군에서 선택되거나(여기서 상기 Lf, Rk 및 Rl은 각각 상기 La, Ra 및 Rb의 정의와 동일함), 또는 R8과 R9, R9와 R10, R10과 R11, R11과 R12, R12와 R13, R13과 R14, R14와 R15, R15와 R16, R16과 R17, R17과 R18, R18과 R19 또는 R19와 R8은 서로 결합하여 고리를 형성할 수 있으며,
여기서 상기 아릴기, 플루오렌일기, 헤테로고리기, 융합고리기, 지방족 탄화수소기, 알킬기, 알켄일기, 알킨일기, 알콕실기, 아릴옥시기, 아릴렌기, 플루오렌일렌기는 각각 중수소; 할로겐; 실란기; 실록산기; 붕소기; 게르마늄기; 시아노기; 니트로기; -Lg-N(Rm)(Rn)(여기서 상기 Lg, Rm 및 Rn은 각각 상기 La, Ra 및 Rb의 정의와 동일함); C1~C20의 알킬싸이오기; C1~C20의 알콕실기; C1~C20의 알킬기; C2~C20의 알켄일기; C2~C20의 알킨일기; C6~C20의 아릴기; 중수소로 치환된 C6~C20의 아릴기; 플루오렌일기; C2~C20의 헤테로고리기; C3~C20의 시클로알킬기; C7~C20의 아릴알킬기 및 C8~C20의 아릴알켄일기로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 치환기로 더욱 치환될 수 있으며, 또한 이들 치환기들은 서로 결합하여 고리를 형성할 수도 있다] - 제 15항에 있어서,
상기 화학식 (1) 로 표시되는 화합물은 하기 화합물 중 하나인 것을 특징으로 하는 유기전기소자.
- 제 15항에 있어서,
상기 화학식 (2)로 표시되는 화합물은 하기 화합물 중 하나인 것을 특징으로 하는 유기전기소자.
- 제 15항에 있어서,
상기 화학식 (3)으로 표시되는 화합물은 하기 화합물 중 하나인 것을 특징으로 하는 유기전기소자.
- 제 15항에 있어서,
상기 화학식 (4)로 표시되는 화합물은 하기 화합물 중 하나인 것을 특징으로 하는 유기전기소자.
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| WO2018110887A1 (ko) * | 2016-12-14 | 2018-06-21 | 주식회사 엘지화학 | 헤테로 고리 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자 |
| KR20180090931A (ko) | 2017-02-03 | 2018-08-14 | 삼성디스플레이 주식회사 | 아민계 화합물 및 이를 포함한 유기 발광 소자 |
| CN110337480B (zh) * | 2017-02-28 | 2023-05-23 | 三星Sdi株式会社 | 有机光电子器件用组合物、有机光电子器件和显示器件 |
| WO2018159916A1 (ko) * | 2017-02-28 | 2018-09-07 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 광전자 소자용 조성물, 유기 광전자 소자 및 표시 장치 |
| JP6938836B2 (ja) | 2017-03-08 | 2021-09-22 | エルジー・ケム・リミテッド | 有機発光素子 |
| WO2018170067A1 (en) * | 2017-03-14 | 2018-09-20 | Dana-Farber Cancer Institute, Inc. | Small molecule sensitization of bax activation for induction of cell death |
| CN107266436A (zh) * | 2017-06-30 | 2017-10-20 | 长春海谱润斯科技有限公司 | 一种有机光电材料及其制备方法和应用 |
| KR102667927B1 (ko) * | 2017-07-26 | 2024-05-23 | 듀폰스페셜티머터리얼스코리아 유한회사 | 복수 종의 호스트 재료 및 이를 포함하는 유기 전계 발광 소자 |
| KR102048920B1 (ko) | 2017-08-18 | 2019-11-27 | 삼성디스플레이 주식회사 | 아민계 화합물 및 이를 포함한 유기 발광 소자 |
| KR102649025B1 (ko) * | 2017-09-13 | 2024-03-20 | 주식회사 동진쎄미켐 | 신규 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자 |
| JP7250683B2 (ja) * | 2017-09-25 | 2023-04-03 | 保土谷化学工業株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| CN109553624A (zh) * | 2017-09-25 | 2019-04-02 | 北京鼎材科技有限公司 | 一种化合物及其在有机电致发光器件中的应用 |
| KR20190103788A (ko) * | 2018-02-28 | 2019-09-05 | 주식회사 엘지화학 | 유기 발광 소자 |
| CN110218175A (zh) * | 2018-03-02 | 2019-09-10 | 北京鼎材科技有限公司 | 一种通式化合物及其应用 |
| KR102677670B1 (ko) * | 2018-03-05 | 2024-06-25 | 덕산네오룩스 주식회사 | 유기전기소자용 화합물, 이를 이용한 유기전기소자 및 그 전자 장치 |
| CN111918950A (zh) * | 2018-04-04 | 2020-11-10 | 默克专利有限公司 | 用于电子器件的材料 |
| KR102665318B1 (ko) * | 2018-10-23 | 2024-05-14 | 덕산네오룩스 주식회사 | 유기전기 소자용 화합물, 이를 이용한 유기전기소자 및 그 전자 장치 |
| KR20200065952A (ko) * | 2018-11-30 | 2020-06-09 | 주식회사 엘지화학 | 유기 발광 소자 |
| CN110511151B (zh) * | 2019-04-30 | 2020-10-09 | 北京鼎材科技有限公司 | 一种化合物、包含其的有机电致发光器件及其应用 |
| KR102716917B1 (ko) * | 2019-05-03 | 2024-10-14 | 덕산네오룩스 주식회사 | 유기전기 소자용 화합물을 포함하는 유기전기소자 및 그 전자 장치 |
| CN111533678B (zh) * | 2019-07-19 | 2021-07-20 | 南京高光半导体材料有限公司 | 高效率电子阻挡材料及使用该种材料的有机电致发光器件 |
| WO2021162293A1 (ko) * | 2020-02-10 | 2021-08-19 | 주식회사 엘지화학 | 유기 발광 소자 |
| CN112047918B (zh) * | 2020-09-10 | 2022-09-06 | 吉林奥来德光电材料股份有限公司 | 含萘结构的杂蒽衍生物有机电致发光材料及制备方法与应用 |
| CN116530232A (zh) * | 2020-11-06 | 2023-08-01 | 保土谷化学工业株式会社 | 有机电致发光元件 |
| WO2023190987A1 (ja) * | 2022-03-31 | 2023-10-05 | 出光興産株式会社 | 化合物、有機エレクトロルミネッセンス素子用材料、有機エレクトロルミネッセンス素子、及び電子機器 |
| KR20240052471A (ko) * | 2022-10-14 | 2024-04-23 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 광전자 소자용 조성물, 유기 광전자 소자 및 표시 장치 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009016693A (ja) * | 2007-07-07 | 2009-01-22 | Idemitsu Kosan Co Ltd | ホスト材料および有機ｅｌ素子 |
| KR101181281B1 (ko) * | 2012-03-13 | 2012-09-10 | 덕산하이메탈(주) | 광효율 개선층을 포함하는 유기전기소자, 이를 포함하는 전자 장치 및 이에 이용되는 유기전기소자용 화합물 |
| WO2013017192A1 (de) * | 2011-08-03 | 2013-02-07 | Merck Patent Gmbh | Materialien für elektronische vorrichtungen |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2010044130A1 (ja) * | 2008-10-17 | 2010-04-22 | 三井化学株式会社 | 芳香族アミン誘導体、及びそれらを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| KR101202410B1 (ko) * | 2010-01-19 | 2012-11-16 | 주식회사 이엘엠 | 유기 전기 발광 조성물 및 이를 포함하는 유기 전기 발광 소자 |
| KR20120042633A (ko) * | 2010-08-27 | 2012-05-03 | 롬엔드하스전자재료코리아유한회사 | 신규한 유기 발광 화합물 및 이를 포함하는 유기 전계 발광 소자 |
-
2013
- 2013-07-11 KR KR1020130081436A patent/KR102137429B1/ko active Active
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009016693A (ja) * | 2007-07-07 | 2009-01-22 | Idemitsu Kosan Co Ltd | ホスト材料および有機ｅｌ素子 |
| WO2013017192A1 (de) * | 2011-08-03 | 2013-02-07 | Merck Patent Gmbh | Materialien für elektronische vorrichtungen |
| KR101181281B1 (ko) * | 2012-03-13 | 2012-09-10 | 덕산하이메탈(주) | 광효율 개선층을 포함하는 유기전기소자, 이를 포함하는 전자 장치 및 이에 이용되는 유기전기소자용 화합물 |
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