KR102137379B1

KR102137379B1 - 저 부식 태양열 제어 적층체

Info

Publication number: KR102137379B1
Application number: KR1020187024755A
Authority: KR
Inventors: 노에미 쇼카
Original assignee: 생-고뱅 퍼포먼스 플라스틱스 코포레이션
Priority date: 2016-02-05
Filing date: 2017-02-02
Publication date: 2020-07-27
Anticipated expiration: 2037-02-02
Also published as: WO2017136499A1; CN109070544A; CN109070544B; JP2019503914A; JP6703123B2; EP3411227A1; EP3411227A4; US20170227691A1; US10591653B2; KR20180099927A

Abstract

복합 적층체는 제 1 기판 층, 은을 포함하는 기능 층, 내 부식성 재료를 포함하는 제 1 차단 층 및 Ti, Ni, Cr, Cu, Al, Mg, NiCr, 또는 이들의 합금들 중 임의의 하나에서 선택된 차단 재료를 포함할 수 있는 제 2 차단층을 포함할 수 있다. 제 2 차단 층은 제 1 차단 층에 인접할 수 있다. 복합 적층체는 추가로 적어도 약 50%의 VLT 및 적어도 약 30%의 TSER를 가질 수 있다. 복합 적층체는 또한, 또는 대안으로 약 20% 보다 크지 않은 방사율을 가질 수 있다.

Description

저 부식 태양열 제어 적층체

본 발명은 복합 적층체(composite stack)에 관한 것이다. 보다 상세하게는, 본 발명은 복합 적층체가 특정 태양열 에너지 및 방사율 특성을 갖는 투명 기판 상에 적용하기 위한 복합 적층체에 관한 것이다.

박막 층들의 복합 적층체들은 태양열 제어 장점들을 제공하기 위해 빌딩들이나 차량들의 창문에 적용되는 커버링(covering)으로 사용될 수 있다. 예를 들어, 바람직한 태양열 제어 장점들은 고 가시 광 투과율(visible light transmittance), 고 총 태양열 에너지 차단율(total solar energy rejection) 및 또는 저 방사율(low emissivity)을 포함 할 수 있다. 박막 층들의 이런 복합 적층체들은 적층체의 기능 박막 층들을 투명 기판, 예컨대 유리 윈도우 또는 플라스틱 기판에 부착될 수 있는 보호용 및 광학적으로 투명한 코팅에 라미네이팅 함으로써 전통적으로 보호된다. 라미네이션(lamination)은 박막 층들의 복합 적층체의 내구성을 향상시키지만, 또한 특정 파장들에서 기능 층들의 태양열 제어 장점들을 방해하는 경향이 있다. 이와 같이, 라미네이션을 이용하지 않고 높은 내구성을 보이지만 또한 예외적이고 바람직한 태양열 제어 장점들을 예증하는 복합 적층체들에 대한 요구가 존재한다.

일 측면에 따른, 복합 적층체(composite stack)은 제 1 기판 층, 은(silver)을 포함할 수 있는 적어도 하나의 기능 층(functional layer), 내 부식성(corrosion resistant) 재료를 포함할 수 있는 적어도 제 1 차단 층(blocker layer) 및 Ti, Ni, Cr, Cu, Al, Mg, NiCr, 또는 이들의 합금들 중 임의의 하나에서 선택된 차단 재료(blocker material)를 포함할 수 있는 적어도 제 2 차단 층을 포함할 수 있다. 상기 제 2 차단 층은 상기 제 1 차단 층에 인접할 수 있다. 상기 복합 적층체는 적어도 약 50%의 VLT를 가질 수 있다. 상기 복합 적층체는 적어도 약 30%의 TSER를 추가로 가질 수 있다.

또 다른 측면에 따른, 복합 적층체는 제 1 기판 층, 은을 포함할 수 있는 적어도 하나의 기능 층, 내 부식성 재료를 포함할 수 있는 적어도 제 1 차단 층 및 Ti, Ni, Cr, Cu, Al, Mg, NiCr, 또는 이들의 합금들 중 임의의 하나에서 선택된 차단 재료를 포함할 수 있는 적어도 제 2 차단 층을 포함할 수 있다. 상기 제 2 차단 층은 상기 제 1 차단 층에 인접할 수 있다. 상기 복합 적층체는 약 30% 보다 크지 않은 방사율(emissivity)를 추가로 가질 수 있다.

또 다른 측면에 따른, 복합 적층체를 형성하는 방법은 제 1 기판 층을 제공하는 단계, 은을 포함할 수 있는 적어도 하나의 기능 층을 형성하는 단계, 내 부식성 재료를 포함할 수 있는 적어도 제 1 차단 층을 형성하는 단계 및 Ti, Ni, Cr, Cu, Al, Mg, NiCr, 또는 이들의 합금들 중 임의의 하나에서 선택된 차단 재료를 포함할 수 있는 적어도 제 2 차단 층을 형성하는 단계를 포함할 수 있다. 상기 제 2 차단 층은 상기 제 1 차단 층에 인접하여 형성될 수 있다. 상기 복합 적층체는 적어도 약 50%의 VLT를 가질 수 있다. 상기 복합 적층체는 적어도 약 30%의 TSER를 추가로 가질 수 있다.

실시예들은 예제의 방식으로 예시되고 첨부 도면들에 제한되지 않는다.
도 1은 본 출원에 설명된 임의의 실시예들에 따른 예제 복합 적층체의 예시를 포함한다;
도 2는 본 출원에 설명된 임의의 실시예들에 따른 다른 예제 복합 적층체의 예시를 포함한다;
도 3은 본 출원에 설명된 임의의 실시예들에 따른 다른 예제 복합 적층체의 예시를 포함한다;
도 4는 본 출원에 설명된 임의의 실시예들에 따른 다른 예제 복합 적층체의 예시를 포함한다;
도 5는 본 출원에 설명된 임의의 실시예들에 따른 다른 예제 복합 적층체의 예시를 포함한다;
도 6은 본 출원에 설명된 임의의 실시예들에 따른 다른 예제 복합 적층체의 예시를 포함한다;
도면들 7a-7f는 10 일 BSN 내구성 테스트 후에 본 출원에서 설명된 실시예들에 따른 예제 복합 적층체들의 표면의 현미경 이미지들을 포함한다;
도면들 8a-8e는 21 일 BSN 내구성 테스트 후에 본 출원에서 설명된 실시예들에 따른 예제 복합 적층체들의 표면의 현미경 이미지들을 포함한다;
도면들 9a-9i는 10 일 BSN 내구성 테스트 후에 비교 예 복합 적층체들의 표면의 현미경 이미지들을 포함한다; 및
도면들 10a-10c는 21 일 BSN 내구성 테스트 후에 비교 예 복합 적층체들의 표면의 현미경 이미지들을 포함한다.
숙련된 당업자들은 도면들에 엘리먼트들은 단순화 및 명확성을 위하여 예시되고 반드시 축척에 맞게 도시될 필요가 없다는 것을 인식할 것이다. 예를 들어, 엘리먼트들의 일부의 치수는 다른 엘리먼트들에 비하여 과장되어 본 발명의 실시예들의 이해를 향상시키는 데 도움을 줄 수 있다. 더구나, 상이한 도면들에서 동일한 도면 번호들의 사용은 유사하거나 또는 같은 아이템들을 나타낸다.

도면들과 결합된 이하의 설명은 본 출원에 개시된 교리들을 이해하는데 도움을 주기 위해 제공된다. 이하의 논의는 교리들의 특정 구현예들 및 실시예들에 초점을 둘 것이다. 이 초점은 교리를 설명하는 것을 돕기 위해 제공되며, 교리들의 범위 또는 응용 가능성에 대한 제한으로 해석되지 않아야 한다. 그러나, 다른 실시예들이 본 출원에 개시된 교리들에 기초하여 사용될 수 있다.

본 출원에서 사용되는, 용어 “가시 광 투과율(visible light transmittance)” 또는 “VLT”은 복합 적층체/투명 기판 시스템을 통과하여 투과되는 총 가시 광의 비율을 나타내고 10˚ 각도에서 D65 광원을 이용하여 산출될 수 있다.

용어 “총 태양열 에너지 차단율(total solar energy rejected)” 또는 “TSER”는 총 태양열 에너지 (열) 복합 적층체/투명 기판 시스템을 나타내고 ISO 9050에 따라 산출될 수 있다.

용어 “방사율(emissivity)”은 복합 적층체/투명 기판 시스템에 의해 반사된 방사 열(히트(heat)) 에너지의 퍼센티지를 나타내고 ASTM 표준 NFRC301에 따라 산출될 수 있다.

"포함하다", "포함하는", "포함한다", "포함하는", "가지고 있다", "가지고 있는" 또는 임의의 다른 변형은 비 배타적 포함을 커버하도록 의도된다. 예를 들어, 특징들의 리스트를 포함하는 방법, 물품 또는 장치는 반드시 그러한 특징들에만 제한되는 것이 아니라 명시적으로 열거되지 않거나 그러한 방법, 물품 또는 장치에 고유한 다른 특징들을 포함 할 수 있다. 또한, 반대로 명시적으로 언급되지 않는 한, "또는(or)"은 배타적인-또는(exclusive-or) 이 아니라 포괄적인-또는(inclusive-or)을 의미한다. 예를 들어 조건 A 또는 B는 다음 중 하나에 의해 충족된다 : A는 참 (또는 존재)이고 B는 거짓 (또는 존재하지 않음), A는 거짓 (또는 존재하지 않음), B는 참 (또는 존재) , A와 B는 모두 참 (또는 현재)이다.

또한, "a" 또는 "an"의 사용은 본 출원에 설명된 엘리먼트들 및 컴포넌트들을 설명하기 위해 사용된다. 이는 단지 편의상 및 본 발명의 일반적인 범위를 이해하기 위해 행해진다. 이 설명은 다른 의미를 의도하는 것이 명백하지 않는 한, 하나, 적어도 하나, 또는 복수를 포함하는 단수 또는 그 반대를 포함하도록 해석되어야 한다. 예를 들어, 단일 아이템이 본 출원에서 설명되는 경우, 단일 아이템 대신 하나 초과의 아이템이 사용될 수 있다. 유사하게, 하나 초과의 아이템이 본 출원에서 설명되는 경우, 단일 아이템이 해당 하나 초과의 아이템 대신 치환될 수 있다.

달리 정의되지 않는 한, 본 출원에서 사용되는 모든 기술 및 과학 용어는 본 발명이 속하는 기술 분야의 당업자에 의해 통상 이해되는 것과 동일한 의미를 갖는다. 재료들, 방법들 및 예들은 단지 예시적인 것이며 제한하는 것으로 의도되지 않는다. 본 출원에 설명되지 않은 범위에서 특정 재료 및 프로세싱 방법에 관한 많은 세부 사항들은 일반적인 것이며 태양열 제어 기술 내의 교과서들 및 기타 출처에서 찾을 수 있다.

본 출원에서 설명된 실시예들은 전반적으로 적어도 하나의 기판 층, 적어도 하나의 기능 층 및 기능 층에 인접한 적어도 하나의 듀얼 차단 적층체를 갖는 멀티-층 구조를 포함하는 복합 적층체들에 관한 것이고, 여기서 듀얼 차단 적층체는 고 내식성을 제공하면서 동시에 기능 층의 기능성을 유지한다. 특정 실시예들에 따른, 듀얼 차단 적층체는 내 부식성 재료를 포함할 수 있는 제 1 차단 층 및 제 1 차단 층에 인접하고 Ti, Ni, Cr, Cu, Al, Mg, NiCr, 또는 이들의 합금들 중 임의의 하나에서 선택된 차단 재료를 포함할 수 있는 제 2 차단층을 포함할 수 있다. 본 출원에 설명된 실시예들에 따라 형성된 복합 적층체는 특정 성능 특성들, 예컨대, 저 방사율, 고 가시 광 투과율, 높은 TSER 또는 이들의 조합을 가질 수 있다.

이들 개념들은 본 발명의 범위를 제한하지 않고 예시하는 이하에 설명된 실시예들의 관점에서 더 잘 이해된다.

도 1은 예제 복합 적층체 (100) 부분의 단면도의 예시를 포함한다. 도 1 에 도시된 바와 같이, 복합 적층체 (100)는 제 1 기판 층 (110), 기능 층 (120), 제 1 차단 층 (132) 및 제 2 차단 층 (134)을 포함할 수 있다. 제 1 차단 층 (132)은 내 부식성 재료(corrosion resistant material)를 포함할 수 있다. 제 2 차단 층 (134)은 제 1 차단 층 (132)에 인접할 수 있고 Ti, Ni, Cr, Cu, Al, Mg, NiCr, 또는 이들의 합금들 중 임의의 하나에서 선택된 차단 재료를 포함할 수 있다.

제 1 차단 층 (132) 및 제 2 차단 층 (134)은 조합하여 기능 층 (120)에 인접할 수 있는 제 1 듀얼 차단 적층체 (130)로 지칭될 수 있다. 특정 실시예에 따라, 도 1에 도시된 바와 같이, 제 1 듀얼 차단 적층체 (130)는 제 1 기판 층 (110)과 기능 층 (120) 사이에 위치될 수 있다.

대안 실시예에 따른, 기능 층 (120)은 제 1 기판 층 (110)과 제 1 듀얼 차단 적층체 (130) 사이에 위치될 수 있다 (도 1에 미도시).

또 다른 특정 실시예들에 따라, 도 1 에 도시된 바와 같이, 제 1 차단 층 (132) 및 제 2 차단 층 (134)은 제 1 듀얼 차단 적층체 (130)로 배열되어 제 1 차단 층 (132)은 기능 층 (120)에 인접할 수 있다.

대안 실시예에 따른, 제 1 차단 층 (132) 및 제 2 차단 층 (134)은 제 1 듀얼 차단 적층체 (130)로 배열되어 제 2 차단 층 (134)은 기능 층 (120)에 인접할 수 있다 (도 1에 미도시).

특정 실시예들에 따른, 제 1 기판 층 (110)은 폴리머 재료를 포함할 수 있다. 다른 특정 실시예들에 따른, 제 1 기판 층 (110)은 폴리머 재료로 구성될 수 있다. 또 다른 실시예들에 따른, 제 1 기판 층 (110)은 폴리머 기판 층일 수 있다. 특정 실시예들에 따른, 폴리머 기판 층은 임의의 바람직한 폴리머 재료를 포함할 수 있다.

또 다른 실시예에 따른, 제 1 기판 층 (110)은 유리 재료를 포함할 수 있다. 또 다른 실시예에 따른, 제 1 기판 층 (110)은 유리 재료로 구성될 수 있다. 또 다른 실시예에 따른, 제 1 기판 층 (110)은 유리 기판 층일 수 있다. 또 다른 실시예들에 따른들, 유리 재료는 임의의 바람직한 유리 재료를 포함할 수 있다.

또 다른 실시예들에 따른, 제 1 기판 층 (110)이 폴리머 기판 층일 때, 그것은 특정 두께를 가질 수 있다. 예를 들어, 제 1 기판 층 (110)은 적어도 약 10 마이크론, 예컨대, 적어도 약 15 마이크론, 적어도 약 20 마이크론, 적어도 약 25 마이크론, 적어도 약 30 마이크론, 적어도 약 35 마이크론, 적어도 약 40 마이크론, 적어도 약 45 마이크론, 적어도 약 50 마이크론, 적어도 약 75 마이크론, 적어도 약 100 마이크론 또는 심지어 적어도 약 125 마이크론의 두께를 가질 수 있다. 또 다른 실시예에 따른, 제 1 기판 층 (110)은 약 250 마이크론 보다 크지 않은, 예컨대, 약 245 마이크론 보다 크지 않은, 약 240 마이크론 보다 크지 않은, 약 235 마이크론 보다 크지 않은, 약 230 마이크론 보다 크지 않은, 약 225 마이크론 보다 크지 않은, 약 220 마이크론 보다 크지 않은, 약 215 마이크론 보다 크지 않은, 약 210 마이크론 보다 크지 않은, 약 205 마이크론 보다 크지 않은, 약 200 마이크론 보다 크지 않은, 약 175 마이크론 또는 심지어 약 150 마이크론 보다 크지 않는 두께를 가질 수 있다. 제 1 기판 층 (110)은 상기에서 언급된 임의의 최소값과 최대값 사이의 범위 내 두께를 가질 수 있다는 것이 인식될 것이다. 추가로 제 1 기판 층 (110)은 상기에서 언급된 임의의 최소값과 최대값 사이의 임의의 값의 두께를 가질 수 있다는 것이 인식될 것이다.

추가로 제 1 기판 층 (110)이 유리 기판 층 일 때, 그것은 임의의 희망하는 두께를 가질 수 있다는 것이 인식될 것이다.

특정 실시예들에 따라, 기능 층 (120)은 은(silver)을 포함할 수 있다. 또 다른 실시예에 따른, 기능 층 (120)은 본질적으로 은으로 구성될 수 있다. 또 다른 실시예에 따른, 기능 층 (120)은 은 층일 수 있다.

또 다른 실시예들에 따른, 기능 층 (120)은 특정 두께를 가질 수 있다. 예를 들어, 기능 층은 적어도 약 5 나노미터, 예컨대, 적어도 약 6 나노미터, 적어도 약 7 나노미터, 적어도 약 8 나노미터, 적어도 약 9 나노미터, 적어도 약 10 나노미터, 적어도 약 12 나노미터, 적어도 약 14 나노미터, 적어도 약 16 나노미터, 적어도 약 18 나노미터, 적어도 약 20 나노미터, 적어도 약 25 나노미터, 적어도 약 30 나노미터 또는 심지어 적어도 약 35 나노미터의 두께를 가질 수 있다. 또 다른 실시예에 따른, 기능 층 (120)은 약 40 나노미터 보다 크지 않은, 예컨대, 약 39 나노미터 보다 크지 않은, 약 38 나노미터 보다 크지 않은, 약 37 나노미터 보다 크지 않은, 약 36 나노미터 보다 크지 않은, 약 35 나노미터 보다 크지 않은, 약 34 나노미터 보다 크지 않은, 약 33 나노미터 보다 크지 않은, 약 32 나노미터 또는 심지어 약 31 나노미터 보다 크지 않은 두께를 가질 수 있다. 기능 층 (120)은 상기에서 언급된 임의의 최소값과 최대값 사이의 범위 내 두께를 가질 수 있다는 것이 인식될 것이다. 추가로 기능 층 (120)은 상기에서 언급된 임의의 최소값과 최대값 사이의 임의의 값의 두께를 가질 수 있다는 것이 인식될 것이다.

본 출원에서 사용되는, 복합 적층체 내 “기능 층(functional layer)” (즉, 기능 층 (120))은 복합 적층체 (즉, 저-방사율 층, 내 부식성 또는 가시 광 투과율)내 그것의 성능 목적을 충족시키기 위한 기능 층 또는 차단 층을 허용하는 특정 두께에 기초하여 복합 적층체 내 “차단 층(blocker layer)"(즉, 차단 층들 (132) 또는 (134))과 구별될 수 있다는 것이 인식될 것이다.

다른 실시예에 따른, 제 1 차단 층 (132)은 내 부식성 재료(corrosion resistant material)를 포함할 수 있다. 또 다른 실시예에 따른, 제 1 차단 층 (132)은 본질적으로 내 부식성 재료로 구성될 수 있다. 또 다른 실시예에 따른, 제 1 차단 층 (132)은 내 부식성 층일 수 있다. 특정 실시예들에 따른, 제 1 차단 층 (132)의 내 부식성 재료는 임의의 노블 금속(noble metal) 또는 프리셔스 금속(precious metal), 예컨대, 예를 들어, 루테늄, 로듐, 팔라듐, 은, 오스뮴, 이리듐, 백금 또는 금일 수 있다. 특정 실시예들에 따른, 제 1 차단 층 (132)의 내 부식성 재료는 임의의 노블 금속 또는 프리셔스 금속의 합금, 예컨대, 예를 들어, 루테늄, 로듐, 팔라듐, 은, 오스뮴, 이리듐, 백금, 금 또는 그것의 조합들의 합금일 수 있다. 또 다른 실시예들에 따른, 제 1 차단 층 (132) 금(gold)을 포함할 수 있다. 또 다른 실시예들에 따른, 제 1 차단 층 (132)은 본질적으로 금으로 구성될 수 있다. 다른 실시예들에 따른, 제 1 차단 층 (132)은 금 차단 층으로 지칭될 수 있다.

또 다른 실시예에 따른, 제 1 차단 층 (132)은 특정 두께를 가질 수 있다. 예를 들어, 제 1 차단 층은 약 10 나노미터 보다 크지 않은, 예컨대, 약 9 나노미터 보다 크지 않은, 약 8 나노미터 보다 크지 않은, 약 7 나노미터 보다 크지 않은, 약 6 나노미터 보다 크지 않은, 약 5 나노미터 보다 크지 않은, 약 4.5 나노미터 보다 크지 않은, 약 4 나노미터 보다 크지 않은, 약 3.5 나노미터 보다 크지 않은, 약 3 나노미터 보다 크지 않은, 약 2.8 나노미터 보다 크지 않은, 약 2.6 나노미터 보다 크지 않은, 약 2.4 나노미터 보다 크지 않은, 약 2.2 나노미터 보다 크지 않은, 약 2.0 나노미터 보다 크지 않은, 약 1.8 나노미터 보다 크지 않은, 약 1.6 나노미터 보다 크지 않은, 약 1.4 나노미터 보다 크지 않은, 약 1.2 나노미터 보다 크지 않은, 약 1.0 나노미터 보다 크지 않은, 약 0.8 나노미터 보다 크지 않은, 약 0.6 나노미터 보다 크지 않은, 약 0.5 나노미터 보다 크지 않은, 약 0.4 나노미터 보다 크지 않은, 약 0.3 나노미터 또는 심지어 약 0.2 나노미터 보다 크지 않은 두께를 가질 수 있다. 또 다른 실시예에 따른, 제 1 차단 층 (132)은 적어도 약 0.1 나노미터, 예컨대, 적어도 약 0.2 나노미터, 적어도 약 0.3 나노미터, 적어도 약 0.4 나노미터의 두께를 가질 수 있다. 제 1 차단 층 (132)은 상기에서 언급된 임의의 최소값과 최대값 사이의 범위 내 두께를 가질 수 있다는 것이 인식될 것이다. 추가로 제 1 차단 층은 상기에서 언급된 임의의 최소값과 최대값 사이의 임의의 값의 두께를 가질 수 있다는 것이 인식될 것이다.

또 다른 특정 실시예에 따른, 제 2 차단 층 (134)은 은(silver) 보다 덜 안정한(stable) 표준 포텐셜(standard potential)을 갖는 임의의 차단 재료를 포함할 수 있다. 예를 들어, 제 2 차단 층 (134)은 Ti, Ni, Cr, Cu, Al, Mg, NiCr, 또는 이들의 합금들 중 임의의 하나에서 선택된 차단 재료를 포함할 수 있다. 또 다른 실시예에 따른, 제 2 차단 층 (134) 은 NiCr를 포함할 수 있다. 또 다른 실시예들에 따른, 제 2 차단 층 (134)은 본질적으로 NiCr으로 구성될 수 있다. 또 다른 실시예에 따른, 제 2 차단 층 (134)은 NiCr 층으로 지칭될 수 있다.

또 다른 실시예에 따른, 제 2 차단 층 (134)은 특정 두께를 가질 수 있다. 예를 들어, 제 2 차단 층 (134)은 약 10 나노미터 보다 크지 않은, 예컨대, 약 9 나노미터 보다 크지 않은, 약 8 나노미터 보다 크지 않은, 약 7 나노미터 보다 크지 않은, 약 6 나노미터 보다 크지 않은, 약 5 나노미터 보다 크지 않은, 약 4.5 나노미터 보다 크지 않은, 약 4 나노미터 보다 크지 않은, 약 3.5 나노미터 보다 크지 않은, 약 3 나노미터 보다 크지 않은, 약 2.8 나노미터 보다 크지 않은, 약 2.6 나노미터 보다 크지 않은, 약 2.4 나노미터 보다 크지 않은, 약 2.2 나노미터 보다 크지 않은, 약 2.0 나노미터 보다 크지 않은, 약 1.8 나노미터 보다 크지 않은, 약 1.6 나노미터 보다 크지 않은, 약 1.4 나노미터 보다 크지 않은, 약 1.2 나노미터 보다 크지 않은, 약 1.0 나노미터 보다 크지 않은, 약 0.8 나노미터 보다 크지 않은, 약 0.6 나노미터 보다 크지 않은, 약 0.5 나노미터 보다 크지 않은, 약 0.4 나노미터 보다 크지 않은, 약 0.3 나노미터 또는 심지어 약 0.2 나노미터 보다 크지 않은 두께를 가질 수 있다. 또 다른 실시예에 따른, 제 2 차단 층은 적어도 약 0.1 나노미터, 예컨대, 적어도 약 0.2 나노미터, 적어도 약 0.3 나노미터 또는 심지어 적어도 약 0.4 나노미터의 두께를 가질 수 있다. 제 2 차단 층 (134)은 상기에서 언급된 임의의 최소값과 최대값 사이의 범위 내 두께를 가질 수 있다는 것이 인식될 것이다. 추가로 제 2 기판 층 (134)은 상기에서 언급된 임의의 최소값과 최대값 사이의 범위 내 임의의 값의 두께를 가질 수 있다는 것이 인식될 것이다.

또 다른 실시예에 따른, 복합 적층체 (100)는 특정 방사율을 가질 수 있다. 예를 들어, 복합 적층체 (100)는 약 20% 보다 크지 않은, 예컨대, 약 18% 보다 크지 않은, 약 15% 보다 크지 않은, 약 13% 보다 크지 않은, 약 13% 보다 크지 않은, 약 10% 보다 크지 않은, 약 9% 보다 크지 않은, 약 8% 보다 크지 않은, 약 7% 보다 크지 않은, 약 6% 또는 심지어 약 5% 보다 크지 않은 방사율을 가질 수 있다. 복합 적층체 (100)는 상기에서 언급된 임의의 최소값과 최대값 사이의 범위 내 방사율을 가질 수 있다는 것이 인식될 것이다. 추가로 복합 적층체 (100)는 상기에서 언급된 임의의 최소값과 최대값 사이의 임의의 값의 방사율을 가질 수 있다는 것이 인식될 것이다.

또 다른 실시예에 따른, 복합 적층체 (100)는 특정 VLT를 가질 수 있다. 예를 들어, 복합 적층체 (100)는 적어도 약 10%, 예컨대, 적어도 약 20%, 적어도 약 30%, 적어도 약 40%, 적어도 약 50%, 적어도 약 60%, 적어도 약 70%, 적어도 약 75%, 적어도 약 80%, 적어도 약 85%, 적어도 약 90 %의 VLT를 가질 수 있다. 또 다른 실시예에 따른, 복합 적층체 (100)는 약 99% 보다 크지 않은 VLT를 가질 수 있다. 복합 적층체 (100)는 상기에서 언급된 임의의 최소값과 최대값 사이의 범위 내 VLT를 가질 수 있다는 것이 인식될 것이다. 추가로 복합 적층체 (100)는 상기에서 언급된 임의의 최소값과 최대값 사이의 임의의 값의 VLT를 가질 수 있다는 것이 인식될 것이다.

또 다른 실시예에 따른, 복합 적층체 (100)는 특정 TSER를 가질 수 있다. 예를 들어, 복합 적층체 (100)는 적어도 약 30%, 예컨대, 적어도 약 40%, 적어도 약 50%, 적어도 약 60%, 적어도 약 70%, 적어도 약 80% 또는 심지어 적어도 약 85%의 TSER를 가질 수 있다. 또 다른 실시예에 따른, 복합 적층체 (100)는 약 99% 보다 크지 않은 TSER를 가질 수 있다. 복합 적층체 (100)는 상기에서 언급된 임의의 최소값과 최대값 사이의 범위 내 TSER를 가질 수 있다는 것이 인식될 것이다. 추가로 복합 적층체 (100)는 상기에서 언급된 임의의 최소값과 최대값 사이의 임의의 값의 TSER를 가질 수 있다는 것이 인식될 것이다.

또 다른 실시예에 따른, 복합 적층체 (100)는 특정 두께 비율 TH_BL1/TH_FL를 가질 수 있고 여기서 TH_BL1은 제 1 차단 층 (132)의 두께이고 TH_FL은 기능 층 (120)의 두께이다. 예를 들어, 복합 적층체 (100)는 약 5 보다 크지 않은, 예컨대, 약 4 보다 크지 않은, 약 3 보다 크지 않은, 약 2 보다 크지 않은, 약 1 보다 크지 않은, 약 0.9 보다 크지 않은, 약 0.8 보다 크지 않은, 약 0.7 보다 크지 않은, 약 0.6 보다 크지 않은, 약 0.5 보다 크지 않은, 약 0.4 보다 크지 않은, 약 0.3 보다 크지 않은, 약 0.35 보다 크지 않은, 약 0.3 보다 크지 않은, 약 0.25 보다 크지 않은, 약 0.2 보다 크지 않은, 약 0.15 보다 크지 않은, 약 0.1 보다 크지 않은, 약 0.05 보다 크지 않은, 약 0.04 보다 크지 않은, 약 0.03 보다 크지 않은, 약 0.02 보다 크지 않은, 심지어 약 0.01 보다 크지 않거나 또는 심지어 약 0.005 보다 크지 않은 비율 TH_BL1/TH_FL 을 가질 수 있다. 또 다른 실시예에 따른, 복합 적층체 (100)는 적어도 약 0.002, 예컨대, 적어도 약 0.005, 적어도 약 0.01, 적어도 약 0.02, 적어도 약 0.03, 적어도 약 0.04, 적어도 약 0.05, 적어도 약 0.06, 적어도 약 0.07, 적어도 약 0.08, 적어도 약 0.09, 적어도 약 0.1, 적어도 약 0.2, at 약 0.4, 적어도 약 0.5의 비율 TH_BL1/TH_FL 을 가질 수 있다. 복합 적층체 (100)는 상기에서 언급된 임의의 최소값과 최대값 사이의 범위 내 임의의 값의 비율 TH_BL1/TH_FL 을 가질 수 있다는 것이 인식될 것이다. 추가로 복합 적층체 (100)는 상기에서 언급된 임의의 최소값과 최대값 사이의 임의의 값의 비율 TH_BL1/TH_FL를 가질 수 있다는 것이 인식될 것이다.

또 다른 실시예에 따른, 복합 적층체 (100)는 특정 두께 비율 TH_BL2/TH_FL를 가질 수 있고 여기서 TH_BL2은 제 2 차단 층 (134)의 두께이고 TH_FL은 기능 층 (120)의 두께이다. 예를 들어, 복합 적층체 (100)는 약 5 보다 크지 않은, 예컨대, 약 4 보다 크지 않은, 약 3 보다 크지 않은, 약 2 보다 크지 않은, 약 1 보다 크지 않은, 약 0.9 보다 크지 않은, 약 0.8 보다 크지 않은, 약 0.7 보다 크지 않은, 약 0.6 보다 크지 않은, 약 0.5 보다 크지 않은, 약 0.4 보다 크지 않은, 약 0.3 보다 크지 않은, 약 0.35 보다 크지 않은, 약 0.3 보다 크지 않은, 약 0.25 보다 크지 않은, 약 0.2 보다 크지 않은, 약 0.15 보다 크지 않은, 약 0.1 보다 크지 않은, 약 0.05 보다 크지 않은, 약 0.04 보다 크지 않은, 약 0.03 보다 크지 않은, 약 0.02 보다 크지 않은, 심지어 약 0.01 보다 크지 않거나 또는 심지어 약 0.005 보다 크지 않은 비율 TH_BL2/TH_FL 를 가질 수 있다. 또 다른 실시예에 따른, 복합 적층체 (100)는 적어도 약 0.002, 예컨대, 적어도 약 0.005, 적어도 약 0.01, 적어도 약 0.02, 적어도 약 0.03, 적어도 약 0.04, 적어도 약 0.05, 적어도 약 0.06, 적어도 약 0.07, 적어도 약 0.08, 적어도 약 0.09, 적어도 약 0.1, 적어도 약 0.2, 적어도 약 0.4, 적어도 약 0.5의 비율 TH_BL2/TH_FL 를 가질 수 있다. 복합 적층체 (100)는 상기에서 언급된 임의의 최소값과 최대값 사이의 범위 내 임의의 값의 비율 TH_BL2/TH_FL 을 가질 수 있다는 것이 인식될 것이다. 추가로 복합 적층체 (100)는 상기에서 언급된 임의의 최소값과 최대값 사이의 임의의 값의 비율 TH_BL2/TH_FL를 가질 수 있다는 것이 인식될 것이다.

도 2는 예제 복합 적층체 (200) 부분의 단면도의 예시를 포함한다. 도 2에 도시된 바와 같이, 복합 적층체 (200)는 제 1 기판 층 (210), 기능 층 (220), 제 1 차단 층 (232), 제 2 차단 층 (234) 및 제 3 차단 층 (236)을 포함할 수 있다. 제 1 차단 층 (232)은 내 부식성 재료(corrosion resistant material)를 포함할 수 있다. 제 2 차단 층 (234)은 제 1 차단 층 (232)에 인접할 수 있고 Ti, Ni, Cr, Cu, Al, Mg, NiCr, 또는 이들의 합금들 중 임의의 하나에서 선택된 차단 재료를 포함할 수 있다.

제 1 차단 층 (232) 및 제 2 차단 층 (234)은 조합하여 기능 층 (220)에 인접할 수 있는 제 1 듀얼 차단 적층체 (230)로 지칭될 수 있다. 특정 실시예에 따른, 도 2에 도시된 바와 같이, 제 1 듀얼 차단 적층체 (230)는 제 1 기판 층 (210)과 기능 층 (220) 사이에 위치될 수 있고, 제 3 차단 층 (236)은 또한 기능 층 (220)에 인접할 수 있어서 기능 층 (220) 및 듀얼 차단 적층체 (230)는 제 3 차단 층 (236)과 제 1 기판 (210) 사이에 있을 수 있다.

또 다른 특정 실시예에 따른, 제 3 차단 층 (236)은 제 1 기판 층 (210)과 기능 층 (220) 사이에 위치될 수 있고, 제 1 듀얼 차단 적층체 (230)는 또한 기능 층 (220)에 인접할 수 있어서 기능 층 (220) 및 제 3 차단 층 (236)은 제 1 듀얼 차단 적층체 (230)과 제 1 기판 (210) 사이에 있을 수 있다 (도 2에 미도시).

또 다른 특정 실시예들에 따른, 도 2 에 도시된 바와 같이, 제 1 차단 층 (232) 및 제 2 차단 층 (234)은 제 1 듀얼 차단 적층체 (230)로 배열되어 제 1 차단 층 (232)은 기능 층 (220)에 인접할 수 있다.

또 다른 실시예들에 따른, 제 1 차단 층 (232) 및 제 2 차단 층 (234)은 제 1 듀얼 차단 적층체 (230)로 배열되어 제 2 차단 층 (234)은 기능 층 (220)에 인접할 수 있다(도 2에 미도시).

복합 적층체 (200), 제 1 기판 층 (210), 기능 층 (220), 제 1 차단 층 (232), 제 2 차단 층 (234) 및 제 1 듀얼 차단 적층체 (230)는 도 1에 대응하는 층들을 참고로 하여 본 출원에서 설명된 임의의 특성들을 가질 수 있다는 것이 인식될 것이다.

특정 실시예에 따른, 제 3 차단 층 (236)은 내 부식성 재료(corrosion resistant material)를 포함할 수 있다. 또 다른 실시예에 따른, 제 3 차단 층 (236)은 본질적으로 내 부식성 재료로 구성될 수 있다. 또 다른 실시예에 따른, 제 3 차단 층 (236)은 내 부식성 층일 수 있다. 특정 실시예들에 따른, 제 3 차단 층 (236)의 내 부식성 재료는 임의의 노블 금속(noble metal) 또는 프리셔스 금속(precious metal), 예컨대, 예를 들어, 루테늄, 로듐, 팔라듐, 은, 오스뮴, 이리듐, 백금 또는 금일 수 있다. 또 다른 실시예들에 따른, 제 3 차단 층 (236)은 금(gold)을 포함할 수 있다. 또 다른 실시예들에 따른, 제 3 차단 층 (236)은 본질적으로 금으로 구성될 수 있다. 다른 실시예들에 따른, 제 3 차단 층 (236)은 금 차단 층으로 지칭될 수 있다.

또 다른 특정 실시예에 따른, 제 3 차단 층 (236)은 은(silver) 보다 덜 안정한 표준 포텐셜(standard potential)을 갖는 임의의 차단 재료를 포함할 수 있다. 예를 들어, 제 3 차단 층 (236)은 Ti, Ni, Cr, Cu, Al, Mg, NiCr, 또는 이들의 합금들 중 임의의 하나에서 선택된 차단 재료를 포함할 수 있다. 또 다른 실시예에 따른, 제 3 차단 층 (236)은 NiCr를 포함할 수 있다. 또 다른 실시예들에 따른, 제 3 차단 층 (236)은 본질적으로 NiCr으로 구성될 수 있다. 또 다른 실시예에 따른, 제 3 차단 층 (236)은 NiCr 층으로 지칭될 수 있다.

또 다른 실시예에 따른, 제 3 차단 층 (236)은 특정 두께를 가질 수 있다. 예를 들어, 제 3 차단 층 (236)은 약 10 나노미터 보다 크지 않은, 예컨대, 약 9 나노미터 보다 크지 않은, 약 8 나노미터 보다 크지 않은, 약 7 나노미터 보다 크지 않은, 약 6 나노미터 보다 크지 않은, 약 5 나노미터 보다 크지 않은, 약 4.5 나노미터 보다 크지 않은, 약 4 나노미터 보다 크지 않은, 약 3.5 나노미터 보다 크지 않은, 약 3 나노미터 보다 크지 않은, 약 2.8 나노미터 보다 크지 않은, 약 2.6 나노미터 보다 크지 않은, 약 2.4 나노미터 보다 크지 않은, 약 2.2 나노미터 보다 크지 않은, 약 2.0 나노미터 보다 크지 않은, 약 1.8 나노미터 보다 크지 않은, 약 1.6 나노미터 보다 크지 않은, 약 1.4 나노미터 보다 크지 않은, 약 1.2 나노미터 보다 크지 않은, 약 1.0 나노미터 보다 크지 않은, 약 0.8 나노미터 보다 크지 않은, 약 0.6 나노미터 보다 크지 않은, 약 0.5 나노미터 보다 크지 않은, 약 0.4 나노미터 보다 크지 않은, 약 0.3 나노미터 보다 크지 않거나 또는 심지어 약 0.2 나노미터 보다 크지 않은 두께를 가질 수 있다. 또 다른 실시예에 따른, 제 3 차단 층 (236)은 적어도 약 0.1 나노미터, 적어도 약 0.2 나노미터, 적어도 약 0.3 나노미터, 예컨대, 적어도 약 0.4 나노미터의 두께를 가질 수 있다. 제 3 차단 층 (236)은 상기에서 언급된 임의의 최소값과 최대값 사이의 범위 내 두께를 가질 수 있다는 것이 인식될 것이다. 추가로 제 3 차단 층 (236)은 상기에서 언급된 임의의 최소값과 최대값내 임의의 값의 두께를 가질 수 있다는 것이 인식될 것이다.

또 다른 실시예에 따른, 복합 적층체 (200)는 특정 두께 비율 TH_BL3/TH_FL를 가질 수 있고 여기서 TH_BL2은 제 3 차단 층 (236)의 두께이고 TH_FL은 기능 층 (220)의 두께이다. 예를 들어, 복합 적층체 (200)는 약 5 보다 크지 않은, 예컨대, 약 4 보다 크지 않은, 약 3 보다 크지 않은, 약 2 보다 크지 않은, 약 1 보다 크지 않은, 약 0.9 보다 크지 않은, 약 0.8 보다 크지 않은, 약 0.7 보다 크지 않은, 약 0.6 보다 크지 않은, 약 0.5 보다 크지 않은, 약 0.4 보다 크지 않은, 약 0.3 보다 크지 않은, 약 0.35 보다 크지 않은, 약 0.3 보다 크지 않은, 약 0.25 보다 크지 않은, 약 0.2 보다 크지 않은, 약 0.15 보다 크지 않은, 약 0.1 보다 크지 않은, 약 0.05 보다 크지 않은, 약 0.04 보다 크지 않은, 약 0.03 보다 크지 않은, 약 0.02 보다 크지 않은, 심지어 약 0.01 보다 크지 않거나 또는 심지어 약 0.005 보다 크지 않은 비율 TH_BL2/TH_FL 를 가질 수 있다. 또 다른 실시예에 따른, 복합 적층체 (200)는 적어도 약 0.002, 예컨대, 적어도 약 0.005, 적어도 약 0.01, 적어도 약 0.02, 적어도 약 0.03, 적어도 약 0.04, 적어도 약 0.05, 적어도 약 0.06, 적어도 약 0.07, 적어도 약 0.08, 적어도 약 0.09, 적어도 약 0.1, 적어도 약 0.2, 적어도 약 0.4, 적어도 약 0.5의 비율 TH_BL3/TH_FL 를 가질 수 있다. 복합 적층체 (200)는 상기에서 언급된 임의의 최소값과 최대값 사이의 범위 내 임의의 값의 비율 TH_BL2/TH_FL 을 가질 수 있다는 것이 인식될 것이다. 추가로 복합 적층체 (200)는 상기에서 언급된 임의의 최소값과 최대값 사이의 임의의 값의 비율 TH_BL2/TH_FL를 가질 수 있다는 것이 인식될 것이다.

도 3은 예제 복합 적층체 (300) 부분의 단면도의 예시를 포함한다. 도 3에 도시된 바와 같이, 복합 적층체 (300)는 제 1 기판 층 (310), 기능 층 (320), 제 1 차단 층 (332), 제 2 차단 층 (334), 제 3 차단 층 (336) 및 제 4 차단 층(338)을 포함할 수 있다. 제 1 차단 층 (332)은 내 부식성 재료를 포함할 수 있다. 제 2 차단 층 (334)은 제 1 차단 층 (332)에 인접할 수 있고, Ti, Ni, Cr, Cu, Al, Mg, NiCr, 또는 이들의 합금들 중 임의의 하나에서 선택된 차단 재료를 포함할 수 있다. 제 3 차단 층 (335)은 내 부식성 재료를 포함할 수 있다. 제 4 차단 층 (338)은 제 3 차단 층 (336)에 인접할 수 있고, Ti, Ni, Cr, Cu, Al, Mg, NiCr, 또는 이들의 합금들 중 임의의 하나에서 선택된 차단 재료를 포함할 수 있다.

제 1 차단 층 (332) 및 제 2 차단 층 (334)은 조합하여 기능 층 (320)에 인접할 수 있는 제 1 듀얼 차단 적층체 (330)로 지칭될 수 있다. 제 3 차단 층 (336) 및 제 4 차단 층 (338)은 조합하여 제 2 듀얼 차단 적층체 (335)로 지칭될 수 있다. 특정 실시예에 따른, 도 3에 도시된 바와 같이, 제 1 듀얼 차단 적층체 (330)는 제 1 기판 층 (310)과 기능 층 (320) 사이에 위치될 수 있고, 제 2 듀얼 차단 적층체 (335)은 또한 기능 층 (320)에 인접할 수 있어서 기능 층 (320) 및 듀얼 차단 적층체 (330)는 제 2 듀얼 차단 적층체 (335)와 제 1 기판 (310) 사이에 있을 수 있다.

또 다른 특정 실시예들에 따라, 도 3 에 도시된 바와 같이, 제 1 차단 층 (332) 및 제 2 차단 층 (334)은 제 1 듀얼 차단 적층체 (330)로 배열되어 제 1 차단 층 (332)은 기능 층 (320)에 인접할 수 있다.

또 다른 실시예들에 따른, 제 1 차단 층 (332) 및 제 2 차단 층 (334)은 제 1 듀얼 차단 적층체 (330)로 배열되어 제 2 차단 층 (334)은 기능 층 (320)에 인접할 수 있다(도 3에 미도시).

또 다른 특정 실시예들에 따라, 도 3 에 도시된 바와 같이, 제 3 차단 층 (336) 및 제 4 차단 층 (338)은 제 2 듀얼 차단 적층체 (335)로 배열되어 제 3 차단 층 (336)은 기능 층 (320)에 인접할 수 있다.

또 다른 실시예들에 따른, 제 3 차단 층 (336) 및 제 4 차단 층 (338)은 제 2 듀얼 차단 적층체 (335)로 배열되어 제 4 차단 층 (338)은 기능 층 (320)에 인접할 수 있다(도 3에 미도시).

복합 적층체 (300)는 제 1 기판 층 (310), 기능 층 (320), 제 1 차단 층 (332), 제 2 차단 층 (334) 및 제 3 차단 층 (336)은 도면들 1 또는 2에 대응하는 층들을 참고로 하여 본 출원에서 설명된 임의의 특성들을 가질 수 있다는 것이 인식될 것이다.

특정 실시예에 따른, 제 3 차단 층 (336)은 내 부식성 재료를 포함할 수 있다. 또 다른 실시예에 따른, 제 3 차단 층 (336)은 본질적으로 내 부식성 재료로 구성될 수 있다. 또 다른 실시예에 따른, 제 3 차단 층 (336)은 내 부식성 층일 수 있다. 특정 실시예들에 따른, 제 3 차단 층 (336)의 내 부식성 재료는 임의의 노블 금속(noble metal) 또는 프리셔스 금속(precious metal), 예컨대, 예를 들어, 루테늄, 로듐, 팔라듐, 은, 오스뮴, 이리듐, 백금 또는 금(gold) 일 수 있다. 특정 실시예들에 따른, 제 3 차단 층 (336)의 내 부식성 재료는 임의의 노블 금속 또는 프리셔스 금속의 합금, 예컨대, 예를 들어, 루테늄, 로듐, 팔라듐, 은, 오스뮴, 이리듐, 백금, 금 또는 이들의 조합들의 합금일 수 있다. 또 다른 실시예들에 따른, 제 3 차단 층 (336)은 금을 포함할 수 있다. 또 다른 실시예들에 따른, 제 3 차단 층 (336)은 본질적으로 금으로 구성될 수 있다. 다른 실시예들에 따른, 제 3 차단 층 (336)은 금 차단 층으로 지칭될 수 있다.

또 다른 특정 실시예에 따른, 제 4 차단 층 (338)은 은(silver) 보다 덜 안정한 표준 포텐셜을 갖는 임의의 차단 재료를 포함할 수 있다. 예를 들어, 제 4 차단 층 (338)은 Ti, Ni, Cr, Cu, Al, Mg, NiCr, 또는 이들의 합금들 중 임의의 하나에서 선택된 차단 재료를 포함할 수 있다. 또 다른 실시예에 따른, 제 4 차단 층 (338)은 NiCr를 포함할 수 있다. 또 다른 실시예들에 따른, 제 4 차단 층 (338)은 본질적으로 NiCr으로 구성될 수 있다. 또 다른 실시예에 따른, 제 4 차단 층 (338)은 NiCr 층으로 지칭될 수 있다.

또 다른 실시예에 따른, 제 4 차단 층 (338)은 특정 두께를 가질 수 있다. 예를 들어, 제 4 차단 층 (338)은 약 10 나노미터 보다 크지 않은, 예컨대, 약 9 나노미터 보다 크지 않은, 약 8 나노미터 보다 크지 않은, 약 7 나노미터 보다 크지 않은, 약 6 나노미터 보다 크지 않은, 약 5 나노미터 보다 크지 않은, 약 4.5 나노미터 보다 크지 않은, 약 4 나노미터 보다 크지 않은, 약 3.5 나노미터 보다 크지 않은, 약 3 나노미터 보다 크지 않은, 약 2.8 나노미터 보다 크지 않은, 약 2.6 나노미터 보다 크지 않은, 약 2.4 나노미터 보다 크지 않은, 약 2.2 나노미터 보다 크지 않은, 약 2.0 나노미터 보다 크지 않은, 약 1.8 나노미터 보다 크지 않은, 약 1.6 나노미터 보다 크지 않은, 약 1.4 나노미터 보다 크지 않은, 약 1.2 나노미터 보다 크지 않은, 약 1.0 나노미터 보다 크지 않은, 약 0.8 나노미터 보다 크지 않은, 약 0.6 나노미터 보다 크지 않은, 약 0.5 나노미터 보다 크지 않은, 약 0.4 나노미터 보다 크지 않은, 약 0.3 나노미터 보다 크지 않거나 또는 심지어 약 0.2 나노미터 보다 크지 않은 두께를 가질 수 있다. 또 다른 실시예에 따른, 제 4 차단 층 (338)은 적어도 약 0.1 나노미터, 적어도 약 0.2 나노미터, 적어도 약 0.3 나노미터, 예컨대, 적어도 약 0.4 나노미터의 두께를 가질 수 있다. 제 4 차단 층 (338)은 상기에서 언급된 임의의 최소값과 최대값 사이의 범위 내 두께를 가질 수 있다는 것이 인식될 것이다. 추가로 제 4 차단 층 (338)은 상기에서 언급된 임의의 최소값과 최대값 사이의 임의의 값의 두께를 가질 수 있다는 것이 인식될 것이다.

도 4는 예제 복합 적층체 (400) 부분의 단면도의 예시를 포함한다. 도 4에 도시된 바와 같이, 복합 적층체 (400)는 제 1 기판 층 (410), 기능 층 (420), 제 1 차단 층 (432), 제 2 차단 층 (434), 제 3 차단 층 (436), 제 4 차단 층(438) 및 제 1 유전체 층(dielectric layer)(440)을 포함할 수 있다. 제 1 차단 층 (432)은 내 부식성 재료를 포함할 수 있다. 제 2 차단 층 (434)은 제 1 차단 층 (432)에 인접할 수 있고, Ti, Ni, Cr, Cu, Al, Mg, NiCr, 또는 이들의 합금들 중 임의의 하나에서 선택된 차단 재료를 포함할 수 있다. 제 1 차단 층 (432) 및 제 2 차단 층 (434)은 조합하여 기능 층 (420)에 인접할 수 있는 제 1 듀얼 차단 적층체 (430)로 지칭될 수 있다. 제 3 차단 층 (435)은 내 부식성 재료를 포함할 수 있다. 제 4 차단 층 (438)은 제 3 차단 층 (436)에 인접할 수 있고, Ti, Ni, Cr, Cu, Al, Mg, NiCr, 또는 이들의 합금들 중 임의의 하나에서 선택된 차단 재료를 포함할 수 있다. 제 3 차단 층 (436) 및 제 4 차단 층 (438)은 조합하여 기능 층 (420)에 인접할 수 있는 제 2 듀얼 차단 적층체 (435)로 지칭될 수 있고 기능 층 (420)은 제 1 듀얼 차단 적층체 (430)과 제 2 듀얼 차단 적층체 (435) 사이에 있을 수 있다. 제 1 유전체 층 (440)은 제 1 듀얼 차단 적층체 (430)과 제 1 기판 층 (410) 사이에 위치될 수 있다.

복합 적층체 (400), 제 1 기판 층 (410), 기능 층 (420), 제 1 차단 층 (432), 제 2 차단 층 (434), 제 1 듀얼 차단 적층체 (430), 제 3 차단 층 (436), 제 4 차단 층 (438) 및 제 2 듀얼 차단 적층체 (435)은 도면들 1, 2 또는 3에 대응하는 층들을 참고로 하여 본 출원에서 설명된 임의의 특성들을 가질 수 있다는 것이 인식될 것이다.

추가로 대안 실시예들에 따른, 제 1 유전체 층 (440)은 도면들 1, 2 또는 3에 도시된 임의의 복합 적층체들에 포함될 수 있다는 것이 인식될 것이다.

임의의 실시예들에 따른, 제 1 유전체 층 (440)은 유전체 재료를 포함할 수 있다. 또 다른 실시예들에 따른, 제 1 유전체 층 (440)은 본질적으로 유전체 재료로 구성될 수 있다. 제 1 유전체 층 (440)의 유전체 재료는 임의의 알려진 투명 유전체 재료일 수 있다. 예를 들어, 투명 유전체 재료는, 임의의 비율에, 인듐 (In) 산화물, 주석 (Sn) 산화물, 또는 인듐 주석 산화물 (ITO)의 혼합물일 수 있다. 또 다른 실시예들에 따른, 유전체 재료는 개별 순수 산화물의 인듐 산화물, 주석 산화물 또는 인듐 주석 산화물, 가능하게는 산소에 화학량론에 따른 것(under-stoichiometric), 및 가능하게는 다른 원자(atom)로 (예를 들어, Sb) 도핑된 것을 포함 할 수 있다. 또 다른 실시예들에 따른, 투명 유전체 재료는 포함할 순수 산화물들, 가능하게는 산소에 화학량론에 따른 것 및 가능하게는 20% 아래의 도펀트 중량 함량으로 다른 원자로(예를 들어, In, Ga, Al) 도핑된 것을 포함하는 Sn 산화물 및 Zn 산화물 (SnZnO_x)의 임의의 비율에 임의의 혼합물을 포함할 수 있다. 또 다른 실시예들에 따른, 투명 유전체 재료는 Si 산화물, Si 나이트라이드, 또는 Si 산화 질화물의 임의의 조성물(composition)을 포함할 수 있다. 또 다른 실시예들에 따른, 유전체 재료는 임의의 화학량론 형태 또는 Ti 산화물 (즉, TiO_x, 1 < x < 2)의 화학량론 형태를 포함할 수 있다. 또 다른 실시예들에 따른, 유전체 재료는 임의의 화학량론 형태 또는 Nb 산화물 (즉, NbO_x, 1 < x < 2.5)의 화학량론 형태를 포함할 수 있다. 또 다른 실시예들에 따른, 유전체 재료는 ITO, Sn_xZn_yO_z, SiO₂, Si₃N₄, Nb₂O₅, TiO₂, TiO_x, In₂O₃, AZO 또는 이들의 조합들 중 임의의 것을 포함할 수 있다.

또 다른 실시예에 따른, 제 1 유전체 층 (440)은 특정 두께를 가질 수 있다. 예를 들어, 제 1 유전체 층 (440)은 약 200 나노미터 보다 크지 않은, 예컨대, 약 190 나노미터 보다 크지 않은, 약 180 나노미터 보다 크지 않은, 약 170 나노미터 보다 크지 않은, 약 160 나노미터 보다 크지 않은, 약 150 나노미터 보다 크지 않은, 약 140 나노미터 보다 크지 않은, 약 130 나노미터 보다 크지 않은, 약 120 나노미터 보다 크지 않은, 약 110 나노미터 보다 크지 않은, 약 100 나노미터 보다 크지 않은, 약 95 나노미터 보다 크지 않은, 약 90 나노미터 보다 크지 않은, 약 85 나노미터 보다 크지 않은, 약 80 나노미터 보다 크지 않은, 약 75 나노미터 보다 크지 않은, 약 70 나노미터 보다 크지 않은, 약 65 나노미터 보다 크지 않은, 약 60 나노미터 보다 크지 않은, 약 55 나노미터 보다 크지 않은, 약 50 나노미터 보다 크지 않은, 약 45 나노미터 보다 크지 않은, 약 40 나노미터 보다 크지 않은, 약 35 나노미터 보다 크지 않은, 약 30 나노미터 보다 크지 않은, 약 30 나노미터 보다 크지 않은, 약 25 나노미터 보다 크지 않은, 약 20 나노미터 보다 크지 않거나 또는 심지어 약 15 보다 크지 않은 두께를 가질 수 있다. 또 다른 실시예에 따른, 제 1 유전체 층 (440)은 적어도 약 3 나노미터, 예컨대, 적어도 약 5 나노미터, 적어도 약 8 나노미터, 적어도 약 10 나노미터, 적어도 약 20 나노미터, 적어도 약 25 나노미터 또는 심지어 적어도 약 30 나노미터의 두께를 가질 수 있다. 제 1 유전체 층 (440)은 상기에서 언급된 임의의 최소값과 최대값 사이의 범위 내 두께를 가질 수 있다는 것이 인식될 것이다. 추가로 제 1 유전체 층 (440)은 상기에서 언급된 임의의 최소값과 최대값 사이의 임의의 값의 두께를 가질 수 있다는 것이 인식될 것이다.

도 5는 예제 복합 적층체 (500) 부분의 단면도의 예시를 포함한다. 도 5 에 도시된 바와 같이, 복합 적층체 (500)는 제 1 기판 층 (510), 기능 층 (520), 제 1 차단 층 (532), 제 2 차단 층 (534), 제 3 차단 층 (536), 제 4 차단 층 (538), 제 1 유전체 층 (540) 및 제 2 유전체 층 (545)를 포함할 수 있다. 제 1 차단 층 (532)은 내 부식성 재료를 포함할 수 있다. 제 2 차단 층 (534)은 제 1 차단 층 (532)에 인접할 수 있고, Ti, Ni, Cr, Cu, Al, Mg, NiCr, 또는 이들의 합금들 중 임의의 하나에서 선택된 차단 재료를 포함할 수 있다. 제 1 차단 층 (532) 및 제 2 차단 층 (534)은 조합하여 기능 층 (520)에 인접할 수 있는 제 1 듀얼 차단 적층체 (530)로 지칭될 수 있다. 제 3 차단 층 (536)은 내 부식성 재료를 포함할 수 있다. 제 4 차단 층 (538)은 제 3 차단 층 (536)에 인접할 수 있고, Ti, Ni, Cr, Cu, Al, Mg, NiCr, 또는 이들의 합금들 중 임의의 하나에서 선택된 차단 재료를 포함할 수 있다. 제 3 차단 층 (536) 및 제 4 차단 층 (538)은 조합하여 기능 층 (520)에 인접할 수 있는 제 2 듀얼 차단 적층체 (535)로 지칭될 수 있고 기능 층 (520)은 제 1 듀얼 차단 적층체 (530)과 제 2 듀얼 차단 적층체 (535) 사이에 있을 수 있다. 제 1 유전체 층 (540)은 제 1 듀얼 차단 적층체 (530)과 제 1 기판 층 (510) 사이에 위치될 수 있다. 제 2 유전체 층 (545)은 제 2 듀얼 차단 적층체 (535)에 인접하여 위치될 수 있어서 제 2 듀얼 차단 적층체 (535)는 제 2 유전체 층 (545)과 기능 층 (520) 사이에 있을 수 있다.

복합 적층체 (500), 제 1 기판 층 (510), 기능 층 (520), 제 1 차단 층 (532), 제 2 차단 층 (534), 제 1 듀얼 차단 적층체 (530), 제 3 차단 층 (536), 제 4 차단 층 (538), 제 2 듀얼 차단 적층체 (535) 및 제 1 유전체 층 (540)은 도면들 1, 2, 3 또는 4에 대응하는 층들을 참고로 하여 본 출원에서 설명된 임의의 특성들을 가질 수 있다는 것이 인식될 것이다.

추가로 대안 실시예들에 따른, 제 2 유전체 층 (545)은 도면들 1, 2, 3 또는 4에 도시된 임의의 복합 적층체들에 포함될 수 있다는 것이 인식될 것이다.

임의의 실시예들에 따른, 제 2 유전체 층 (545)은 유전체 재료를 포함할 수 있다. 또 다른 실시예들에 따른, 제 2 유전체 층 (545)은 본질적으로 유전체 재료로 구성될 수 있다. 제 2 유전체 층 (545)의 유전체 재료는 임의의 알려진 투명 유전체 재료일 수 있다. 예를 들어, 투명 유전체 재료는, 임의의 비율에, 인듐 (In) 산화물, 주석 (Sn) 산화물, 또는 인듐 주석 산화물 (ITO)의 혼합물일 수 있다. 또 다른 실시예들에 따른, 유전체 재료는 개별 순수 산화물들의 인듐 산화물, 주석 산화물 또는 인듐 주석 산화물, 가능하게는 산소에 화학량론에 따른 것, 및 가능하게는 다른 원자(예를 들어, Sb)로 도핑된 것을 포함할 수 있다. 또 다른 실시예들에 따른, 투명 유전체 재료는 포함할 순수 산화물들, 가능하게는 산소에 화학량론을 따른 것 및 가능하게는 20% 아래의 도펀트 중량 함량으로 다른 원자(예를 들어, In, Ga, Al)로 도핑된 것을 포함하는 Sn 산화물 및 Zn 산화물 (SnZnO_x)의 임의의 비율에 임의의 혼합물을 포함할 수 있다. 또 다른 실시예들에 따른, 투명 유전체 재료는 Si 산화물, Si 나이트라이드, 또는 Si 산화 질화물의 임의의 조성물을 포함할 수 있다. 또 다른 실시예들에 따른, 유전체 재료는 임의의 화학량론 형태 또는 Ti 산화물 (즉, TiO_x, 1 < x < 2)의 화학량론 형태를 포함할 수 있다. 또 다른 실시예들에 따른, 유전체 재료는 임의의 화학량론 형태 또는 Nb 산화물 (즉, NbO_x, 1 < x < 2.5)의 화학량론 형태를 포함할 수 있다. 또 다른 실시예들에 따른, 유전체 재료는 ITO, Sn_xZn_yO_z, SiO₂, Si₃N₄, Nb₂O₅, TiO₂, TiO_x, In₂O₃, AZO 또는 이들의 조합들 중 임의의 것을 포함할 수 있다.

또 다른 실시예에 따른, 제 2 유전체 층 (545)은 특정 두께를 가질 수 있다. 예를 들어, 제 2 유전체 층은 약 200 나노미터 보다 크지 않은, 예컨대, 약 190 나노미터 보다 크지 않은, 약 180 나노미터 보다 크지 않은, 약 170 나노미터 보다 크지 않은, 약 160 나노미터 보다 크지 않은, 약 150 나노미터 보다 크지 않은, 약 140 나노미터 보다 크지 않은, 약 130 나노미터 보다 크지 않은, 약 120 나노미터 보다 크지 않은, 약 110 나노미터 보다 크지 않은, 약 100 나노미터 보다 크지 않은, 약 95 나노미터 보다 크지 않은, 약 90 나노미터 보다 크지 않은, 약 85 나노미터 보다 크지 않은, 약 80 나노미터 보다 크지 않은, 약 75 나노미터 보다 크지 않은, 약 70 나노미터 보다 크지 않은, 약 65 나노미터 보다 크지 않은, 약 60 나노미터 보다 크지 않은, 약 55 나노미터 보다 크지 않은, 약 50 나노미터 보다 크지 않은, 약 45 나노미터 보다 크지 않은, 약 40 나노미터 보다 크지 않은, 약 35 나노미터 보다 크지 않은, 약 30 나노미터 보다 크지 않은, 약 30 나노미터 보다 크지 않은, 약 25 나노미터 보다 크지 않은, 약 20 나노미터 보다 크지 않거나 또는 심지어 약 15 보다 크지 않는 두께를 가질 수 있다. 또 다른 실시예에 따른, 제 2 유전체 층은 적어도 약 3 나노미터, 예컨대, 적어도 약 5 나노미터, 적어도 약 8 나노미터, 적어도 약 10 나노미터, 적어도 약 20 나노미터, 적어도 약 25 나노미터 또는 심지어 적어도 약 30 나노미터의 두께를 가질 수 있다. 제 2 유전체 층은 상기에서 언급된 임의의 최소값과 최대값 사이의 범위 내 두께를 가질 수 있다는 것이 인식될 것이다. 추가로 제 2 유전체 층은 상기에서 언급된 임의의 최소값과 최대값 사이의 범위 내 임의의 값의 두께를 가질 수 있다는 것이 인식될 것이다.

도 6은 예제 복합 적층체 (600) 부분의 단면도의 예시를 포함한다. 도 6 에 도시된 바와 같이, 복합 적층체 (600)는 제 1 기판 층 (610), 기능 층 (620), 제 1 차단 층 (632), 제 2 차단 층 (634), 제 3 차단 층 (636), 제 4 차단 층 (638), 제 1 유전체 층 (640), 제 2 유전체 층 (645) 및 제 2 기판 층 (650)을 포함할 수 있다. 제 1 차단 층 (632)은 내 부식성 재료를 포함할 수 있다. 제 2 차단 층 (634)은 제 1 차단 층 (632)에 인접할 수 있고, Ti, Ni, Cr, Cu, Al, Mg, NiCr, 또는 이들의 합금들 중 임의의 하나에서 선택된 차단 재료를 포함할 수 있다. 제 1 차단 층 (632) 및 제 2 차단 층 (634)은 조합하여 기능 층 (620)에 인접할 수 있는 제 1 듀얼 차단 적층체 (630)로 지칭될 수 있다. 제 3 차단 층 (636)은 내 부식성 재료를 포함할 수 있다. 제 4 차단 층 (638)은 제 3 차단 층 (636)에 인접할 수 있다. 제 3 차단 층 (636) 및 제 4 차단 층 (638)은 조합하여 기능 층 (620)에 인접할 수 있는 제 2 듀얼 차단 적층체 (635)로 지칭될 수 있고 기능 층 (620)은 제 1 듀얼 차단 적층체 (630)과 제 2 듀얼 차단 적층체 (635) 사이에 있을 수 있다. 제 1 유전체 층 (640)은 제 1 듀얼 차단 적층체 (630)과 제 1 기판 층 (610) 사이에 위치될 수 있다. 제 2 유전체 층 (645)은 제 2 듀얼 차단 적층체 (635)에 인접하여 위치될 수 있어서 제 2 듀얼 차단 적층체 (635)는 제 2 유전체 층 (645)과 기능 층 (620) 사이에 있을 수 있다.

복합 적층체 (600), 제 1 기판 층 (610), 기능 층 (620), 제 1 차단 층 (632), 제 2 차단 층 (634), 제 1 듀얼 차단 적층체 (630), 제 3 차단 층 (636), 제 4 차단 층 (638), 제 2 듀얼 차단 적층체 (635), 제 1 유전체 층 (640) 및 제 2 유전체 층 (645)은 도면들 1, 2, 3, 4 또는 5에 대응하는 층들을 참고로 하여 본 출원에서 설명된 임의의 특성들을 가질 수 있다는 것이 인식될 것이다.

추가로 대안 실시예들에 따른, 제 2 기판 층 (650)은 도면들 1, 2, 3, 4 또는 5에 도시된 임의의 복합 적층체들에 포함될 수 있다는 것이 인식될 것이다.

특정 실시예들에 따른, 제 2 기판 층 (650)은 폴리머 재료를 포함할 수 있다. 다른 특정 실시예들에 따른, 제 2 기판 층 (650)은 폴리머 재료로 구성될 수 있다. 또 다른 실시예들에 따른, 제 2 기판 층 (650)은 폴리머 기판 층일 수 있다. 특정 실시예들에 따른, 폴리머 기판 층은 임의의 바람직한 폴리머 재료를 포함할 수 있다.

또 다른 실시예들에 따른, 제 2 기판 층 (650)은 유리 재료를 포함할 수 있다. 또 다른 실시예들에 따른, 제 2 기판 층 (650)은 유리 재료로 구성될 수 있다. 또 다른 실시예에 따른, 제 2 기판 층 (650)은 유리 기판 층일 수 있다. 특정 실시예들에 따른, 유리 기판 층은 임의의 바람직한 유리 재료를 포함할 수 있다.

또 다른 실시예들에 따른, 제 2 기판 층 (650)은 접착제 재료를 이용하여 복합 적층체 (600)에 나머지 층들에 부착될 수 있다. 또 다른 실시예들에 따른, 접착제 재료는 임의의 알려진 접착제 재료들일 수 있다. 또 다른 실시예들에 따른, 접착제 재료는 임의의 아크릴계 접착제일 수 있다. 또 다른 실시예에 따른, 접착제 재료는 임의의 실리콘계 접착제일 수 있다.

특정 실시예들에 따른, 본 출원에서 설명된 제 1 및 제 2 기판들 상에 또는 그 사이에 형성된 복합 적층체의 모든 층들은 임의의 적절한 기술을 이용하여 형성될 수 있다. 예를 들어, 본 출원에 설명된 제 1 및 제 2 기판 상에 또는 이들 사이에 형성된 복합 적층체의 모든 층들은 마그네트론 스퍼터링(magnetron sputtering)을 사용하여 형성 될 수 있다. 또 다른 실시예에 따른, 본 출원에 설명된 제 1 및 제 2 기판 상에 또는 이들 사이에 형성된 복합 적층체의 모든 층은 물리적 기상 증착을 사용하여 형성 될 수 있다.

많은 상이한 측면들 및 실시예들이 가능하다. 해당 측면들 및 실시예들의 일부가 본 출원에 설명된다. 본 명세서를 읽은 후에, 숙련된 당업자는 해당 측면들 및 실시예들이 단지 예시적인 것이며 본 발명의 범위를 제한하지 않음을 이해할 것이다. 실시 예들은 이하에 열거된 실시예들 중 임의의 하나 이상에 따른 것일 수 있다.

실시예 1. 복합 적층체는: 제 1 기판 층; 은(silver)을 포함하는 기능 층(function layer); 내 부식성 재료를 포함하는 제 1 차단 층(blocker layer); 및 NiCr를 포함하는 제 2 차단 층을 포함하되, 상기 제 2 차단 층은 상기 제 1 차단 층에 인접하고; 상기 복합 적층체는 적어도 약 50%의 VLT 및 적어도 약 30%DML TSER를 갖는다.

실시예 2. 복합 적층체는: 제 1 기판 층; 은(silver)을 포함하는 기능 층; 내 부식성 재료를 포함하는 제 1 차단 층; 및 NiCr를 포함하는 제 2 차단 층을 포함하되, 상기 제 2 차단 층은 상기 제 1 차단 층에 인접하고; 상기 복합 적층체는 약 20%보다 크지 않은 방사율을 갖는다.

실시예 3. 복합 적층체를 형성하는 방법은 : 제 1 기판 층을 제공하는 단계; 은(silver)을 포함하는 기능 층(function layer)을 형성하는 단계; 내 부식성 재료를 포함하는 제 1 차단 층(blocker layer)를 형성하는 단계; 및 NiCr를 포함하는 제 2 차단 층을 형성하는 단계를 포함하되, 상기 제 2 차단 층은 상기 제 1 차단 층에 인접하고; 상기 복합 적층체는 적어도 약 50%의 VLT 및 적어도 약 30%DML TSER를 갖는다.

실시예 4. 이전 실시예들 중 임의의 복합 적층체 또는 방법에 있어서, 상기 제 1 기판은 폴리머 재료를 포함하고, 상기 제 1 기판은 유리 기판을 포함하고; 상기 제 1 기판은 폴리머 재료로 구성되고; 상기 제 1 기판은 유리 기판으로 구성된다.

실시예 5. 이전 실시예들 중 임의의 복합 적층체 또는 방법에 있어서, 상기 내 부식성 재료는 임의의 노블 금속(noble metal) 또는 프리셔스 금속(precious metal) 중 임의의 것을 포함하고, 상기 부식 재료는 루테늄, 로듐, 팔라듐, 은, 오스뮴, 이리듐, 백금 또는 금(gold)을 포함한다.

실시예 6. 이전 실시예들 중 임의의 복합 적층체 또는 방법에 있어서, 상기 제 1 차단 층은 금으로 구성되고, 백금으로 구성된다.

실시예 7. 이전 실시예들 중 임의의 복합 적층체 또는 방법에 있어서, 상기 복합 적층체는 적어도 약 10%, 적어도 약 20%, 적어도 약 30%, 적어도 약 40%, 적어도 약 50%, 적어도 약 60%, 적어도 약 70%, 적어도 약 75%, 적어도 약 80%, 적어도 약 85% 및 적어도 약 90 %의 VLT를 포함한다.

실시예 8. 이전 실시예들 중 임의의 복합 적층체 또는 방법에 있어서, 상기 복합 적층체는 약 99%보다 크지 않은 VLT를 포함한다.

실시예 9. 이전 실시예들 중 임의의 복합 적층체 또는 방법에 있어서, 상기 복합 적층체는 적어도 약 적어도 약 30%, 적어도 약 40%, 적어도 약 50%, 적어도 약 60%, 적어도 약 70%, 적어도 약 80% 및 적어도 약 85%의 TSER를 포함한다.

실시예 10. 이전 실시예들 중 임의의 복합 적층체 또는 방법에 있어서, 상기 기능 층은 은(silver)을 포함하고, 은으로 구성된다.

실시예 11. 이전 실시예들 중 임의의 복합 적층체 또는 방법에 있어서, 상기 기능 층은 적어도 약 5 나노미터, 적어도 약 6 나노미터, 적어도 약 7 나노미터, 적어도 약 8 나노미터, 적어도 약 9 나노미터, 적어도 약 10 나노미터, 적어도 약 12 나노미터, 적어도 약 14 나노미터, 적어도 약 16 나노미터, 적어도 약 18 나노미터, 적어도 약 20 나노미터, 적어도 약 25 나노미터, 적어도 약 30 나노미터 및 적어도 약 35 나노미터의 두께를 가진다.

실시예 12. 이전 실시예들 중 임의의 복합 적층체 또는 방법에 있어서, 상기 기능 층은 약 40 나노미터 보다 크지 않은, 약 39 나노미터 보다 크지 않은, 약 38 나노미터 보다 크지 않은, 약 37 나노미터 보다 크지 않은, 약 36 나노미터 보다 크지 않은, 약 35 나노미터 보다 크지 않은, 약 34 나노미터 보다 크지 않은, 약 33 나노미터 보다 크지 않은, 약 32 나노미터 보다 크지 않은 및 약 31 나노미터 보다 크지 않은 두께를 가진다.

실시예 13. 이전 실시예들 중 임의의 복합 적층체 또는 방법에 있어서, 상기 기능 층은 약 20% 보다 크지 않은, 약 18% 보다 크지 않은, 약 15% 보다 크지 않은, 약 13% 보다 크지 않은, 약 13% 보다 크지 않은, 약 10% 보다 크지 않은, 약 9% 보다 크지 않은, 약 8% 보다 크지 않은, 약 7% 보다 크지 않은, 약 6% 보다 크지 않고 그리고 약 5% 보다 크지 않은 방사율을 가진다.

실시예 14. 이전 실시예들 중 임의의 복합 적층체 또는 방법에 있어서, 상기 제 1 차단 층은 약 10 나노미터 보다 크지 않은, 약 9 나노미터 보다 크지 않은, 약 8 나노미터 보다 크지 않은, 약 7 나노미터 보다 크지 않은, 약 6 나노미터 보다 크지 않은, 약 5 나노미터 보다 크지 않은, 약 4.5 나노미터 보다 크지 않은, 약 4 나노미터 보다 크지 않은, 약 3.5 나노미터 보다 크지 않은, 약 3 나노미터 보다 크지 않은, 약 2.8 나노미터 보다 크지 않은, 약 2.6 나노미터 보다 크지 않은, 약 2.4 나노미터 보다 크지 않은, 약 2.2 나노미터 보다 크지 않은, 약 2.0 나노미터 보다 크지 않은, 약 1.8 나노미터 보다 크지 않은, 약 1.6 나노미터 보다 크지 않은, 약 1.4 나노미터 보다 크지 않은, 약 1.2 나노미터 보다 크지 않은, 약 1.0 나노미터 보다 크지 않은, 약 0.8 나노미터 보다 크지 않은, 약 0.6 나노미터 보다 크지 않은, 약 0.5 나노미터 보다 크지 않은, 약 0.4 나노미터 보다 크지 않은, 약 0.3 나노미터 보다 크지 않은 및 약 0.2 나노미터 보다 크지 않은 두께를 가진다.

실시예 15. 이전 실시예들 중 임의의 복합 적층체 또는 방법에 있어서, 상기 제 1 차단 층은 적어도 약 0.1 나노미터, 적어도 약 0.2 나노미터, 적어도 약 0.3 나노미터 및 적어도 약 0.4 나노미터의 두께를 가진다.

실시예 16. 이전 실시예들 중 임의의 복합 적층체 또는 방법에 있어서, 상기 복합 적층체는 약 5보다 크지 않은 두께 비율 TH_BL1/TH_FL 을 더 포함하고, 여기서, TH_BL1 은 상기 제 1 차단 층의 두께이고, TH_FL 은 상기 기능 층의 두께이고, 약 4 보다 크지 않은, 약 3 보다 크지 않은, 약 2 보다 크지 않은, 약 1 보다 크지 않은, 약 0.9 보다 크지 않은, 약 0.8 보다 크지 않은, 약 0.7 보다 크지 않은, 약 0.6 보다 크지 않은, 약 0.5 보다 크지 않은, 약 0.4 보다 크지 않은, 약 0.3 보다 크지 않은, 약 0.35 보다 크지 않은, 약 0.3 보다 크지 않은, 약 0.25 보다 크지 않은, 약 0.2 보다 크지 않은, 약 0.15 보다 크지 않은, 약 0.1 보다 크지 않은, 약 0.05 보다 크지 않은, 약 0.04 보다 크지 않은, 약 0.03 보다 크지 않은, 약 0.02, 심지어 약 0.01 보다 크지 않고 약 0.005 보다 크지 않은 두께를 가진다.

실시예 17. 이전 실시예들 중 임의의 복합 적층체 또는 방법에 있어서, 상기 복합 적층체는 적어도 약 0.002의 두께 비율 TH_BL1/TH_FL을 더 포함하고, 여기서, TH_BL1 은 상기 제 1 차단 층의 두께이고, TH_FL 은 상기 기능 층의 두께이고, 적어도 약 0.005, 적어도 약 0.01, 적어도 약 0.02, 적어도 약 0.03, 적어도 약 0.04, 적어도 약 0.05, 적어도 약 0.06, 적어도 약 0.07, 적어도 약 0.08, 적어도 약 0.09, 적어도 약 0.1, 적어도 약 0.2, at 약 0.4 및 적어도 약 0.5의 두께를 가진다.

실시예 18. 이전 실시예들 중 임의의 복합 적층체 또는 방법에 있어서, 상기 제 1 차단 층은 상기 기능 층에 인접하고, 상기 제 1 차단 층은 상기 기능 층과 상기 제 1 기판 층 사이에 있다.

실시예 19. 이전 실시예들 중 임의의 복합 적층체 또는 방법에 있어서, 상기 제 2 차단 층은 은(silver) 보다 덜 안정한 표준 포텐셜(standard potential)을 갖는 재료를 포함하고, 상기 제 2 차단 층은 NiCr를 포함한다.

실시예 20. 이전 실시예들 중 임의의 복합 적층체 또는 방법에 있어서, 상기 제 2 차단 층은 약 10 나노미터 보다 크지 않은, 약 9 나노미터 보다 크지 않은, 약 8 나노미터 보다 크지 않은, 약 7 나노미터 보다 크지 않은, 약 6 나노미터 보다 크지 않은, 약 5 나노미터 보다 크지 않은, 약 4.5 나노미터 보다 크지 않은, 약 4 나노미터 보다 크지 않은, 약 3.5 나노미터 보다 크지 않은, 약 3 나노미터 보다 크지 않은, 약 2.8 나노미터 보다 크지 않은, 약 2.6 나노미터 보다 크지 않은, 약 2.4 나노미터 보다 크지 않은, 약 2.2 나노미터 보다 크지 않은, 약 2.0 나노미터 보다 크지 않은, 약 1.8 나노미터 보다 크지 않은, 약 1.6 나노미터 보다 크지 않은, 약 1.4 나노미터 보다 크지 않은, 약 1.2 나노미터 보다 크지 않은, 약 1.0 나노미터 보다 크지 않은, 약 0.8 나노미터 보다 크지 않은, 약 0.6 나노미터 보다 크지 않은, 약 0.5 나노미터 보다 크지 않은, 약 0.4 나노미터 보다 크지 않은, 약 0.3 나노미터 보다 크지 않고 그리고 약 0.2 나노미터 보다 크지 않은 두께를 가진다.

실시예 21. 이전 실시예들 중 임의의 복합 적층체 또는 방법에 있어서, 상기 제 2 차단 층은 적어도 약 0.1 나노미터, 적어도 약 0.2 나노미터, 적어도 약 0.3 나노미터 및 적어도 약 0.4 나노미터의 두께를 가진다.

실시예 22. 이전 실시예들 중 임의의 복합 적층체 또는 방법에 있어서, 상기 복합 적층체는 약 5보다 크지 않은 두께 비율 TH_BL2/TH_FL를 더 포함하고, 여기서 TH_BL2 는 상기 제 2 차단 층의 두께이고 TH_FL 는 상기 기능 층의 두께이고, 약 4 보다 크지 않은, 약 3 보다 크지 않은, 약 2 보다 크지 않은, 약 1 보다 크지 않은, 약 0.9 보다 크지 않은, 약 0.8 보다 크지 않은, 약 0.7 보다 크지 않은, 약 0.6 보다 크지 않은, 약 0.5 보다 크지 않은, 약 0.4 보다 크지 않은, 약 0.3 보다 크지 않은, 약 0.35 보다 크지 않은, 약 0.3 보다 크지 않은, 약 0.25 보다 크지 않은, 약 0.2 보다 크지 않은, 약 0.15 보다 크지 않은, 약 0.1 보다 크지 않은, 약 0.05 보다 크지 않은, 약 0.04 보다 크지 않은, 약 0.03 보다 크지 않은, 약 0.02보다 크지 않은, 심지어 약 0.01 보다 크지 않고 및 약 0.005 보다 크지 않은 두께를 가진다.

실시예 23. 이전 실시예들 중 임의의 복합 적층체 또는 방법에 있어서, 상기 복합 적층체는 적어도 약 0.002의 두께 비율 TH_BL2/TH_FL를 더 포함하고, 여기서, TH_BL2 는 상기 제 2 차단 층의 두께이고 TH_FL 는 상기 기능 층의 두께이고, 적어도 약 0.005, 적어도 약 0.01, 적어도 약 0.02, 적어도 약 0.03, 적어도 약 0.04, 적어도 약 0.05, 적어도 약 0.06, 적어도 약 0.07, 적어도 약 0.08, 적어도 약 0.09, 적어도 약 0.1, 적어도 약 0.2, at 약 0.4 및 적어도 약 0.5의 두께를 가진다.

실시예 24. 이전 실시예들 중 임의의 복합 적층체 또는 방법에 있어서, 상기 제 2 차단 층은 상기 기능 층에 인접하고, 상기 제 2 차단 층은 상기 기능 층과 상기 제 1 폴리머 기판 층 사이에 있다.

실시예 25. 이전 실시예들 중 임의의 복합 적층체 또는 방법에 있어서, 상기 제 3 차단 층은 임의의 노블 금속 또는 프리셔스 금속, 루테늄, 로듐, 팔라듐, 은, 오스뮴, 이리듐, 백금, 금을 포함한다.

실시예 26. 이전 실시예들 중 임의의 복합 적층체 또는 방법에 있어서, 상기 제 3 차단 층은 약 10 나노미터 보다 크지 않은, 약 9 나노미터 보다 크지 않은, 약 8 나노미터 보다 크지 않은, 약 7 나노미터 보다 크지 않은, 약 6 나노미터 보다 크지 않은, 약 5 나노미터 보다 크지 않은, 약 4.5 나노미터 보다 크지 않은, 약 4 나노미터 보다 크지 않은, 약 3.5 나노미터 보다 크지 않은, 약 3 나노미터 보다 크지 않은, 약 2.8 나노미터 보다 크지 않은, 약 2.6 나노미터 보다 크지 않은, 약 2.4 나노미터 보다 크지 않은, 약 2.2 나노미터 보다 크지 않은, 약 2.0 나노미터 보다 크지 않은, 약 1.8 나노미터 보다 크지 않은, 약 1.6 나노미터 보다 크지 않은, 약 1.4 나노미터 보다 크지 않은, 약 1.2 나노미터 보다 크지 않은, 약 1.0 나노미터 보다 크지 않은, 약 0.8 나노미터 보다 크지 않은, 약 0.6 나노미터 보다 크지 않은, 약 0.5 나노미터 보다 크지 않은, 약 0.4 나노미터 보다 크지 않은, 약 0.3 나노미터 보다 크지 않고 그리고 약 0.2 나노미터 보다 크지 않은 두께를 가진다.

실시예 27. 이전 실시예들 중 임의의 복합 적층체 또는 방법에 있어서, 상기 제 3 차단 층은 적어도 약 0.1 나노미터, 적어도 약 0.2 나노미터, 적어도 약 0.3 나노미터 및 적어도 약 0.4 나노미터의 두께를 가진다.

실시예 28. 이전 실시예들 중 임의의 복합 적층체 또는 방법에 있어서, 상기 복합 적층체는 추가로 포함하는 약 5보다 크지 않은 두께 비율 TH_BL3/TH_FL를 더 포함하고, 여기서 TH_BL3 는 상기 제 3 차단 층의 두께이고 TH_FL 는 상기 기능 층의 두께이다.

실시예 29. 이전 실시예들 중 임의의 복합 적층체 또는 방법에 있어서, 상기 복합 적층체는 적어도 약 0.002의 두께 비율 TH_BL3/TH_FL를 더 포함하고, 여기서, TH_BL3 는 상기 제 3 차단 층의 두께이고 TH_FL 는 상기 기능 층의 두께이다.

실시예 30. 이전 실시예들 중 임의의 복합 적층체 또는 방법에 있어서, 상기 제 3 차단 층은 상기 기능 층에 인접하다.

실시예 31. 이전 실시예들 중 임의의 복합 적층체 또는 방법에 있어서, 상기 제 4 차단 층은 임의의 노블 금속 또는 프리셔스 금속, 루테늄, 로듐, 팔라듐, 은, 오스뮴, 이리듐, 백금, 금을 포함한다.

실시예 32. 이전 실시예들 중 임의의 복합 적층체 또는 방법에 있어서, 상기 제 4 차단 층은 약 10 나노미터 보다 크지 않은, 약 9 나노미터 보다 크지 않은, 약 8 나노미터 보다 크지 않은, 약 7 나노미터 보다 크지 않은, 약 6 나노미터 보다 크지 않은, 약 5 나노미터 보다 크지 않은, 약 4.5 나노미터 보다 크지 않은, 약 4 나노미터 보다 크지 않은, 약 3.5 나노미터 보다 크지 않은, 약 3 나노미터 보다 크지 않은, 약 2.8 나노미터 보다 크지 않은, 약 2.6 나노미터 보다 크지 않은, 약 2.4 나노미터 보다 크지 않은, 약 2.2 나노미터 보다 크지 않은, 약 2.0 나노미터 보다 크지 않은, 약 1.8 나노미터 보다 크지 않은, 약 1.6 나노미터 보다 크지 않은, 약 1.4 나노미터 보다 크지 않은, 약 1.2 나노미터 보다 크지 않은, 약 1.0 나노미터 보다 크지 않은, 약 0.8 나노미터 보다 크지 않은, 약 0.6 나노미터 보다 크지 않은, 약 0.5 나노미터 보다 크지 않은, 약 0.4 나노미터 보다 크지 않은, 약 0.3 나노미터 보다 크지 않고 약 0.2 나노미터 보다 크지 않은 두께를 가진다.

실시예 33. 이전 실시예들 중 임의의 복합 적층체 또는 방법에 있어서, 상기 제 4 차단 층은 적어도 약 0.1 나노미터, 적어도 약 0.2 나노미터, 적어도 약 0.3 나노미터 및 적어도 약 0.4 나노미터의 두께를 가진다.

실시예 34. 이전 실시예들 중 임의의 복합 적층체 또는 방법에 있어서, 상기 복합 적층체는 약 5보다 크지 않은 두께 비율 TH_BL4/TH_FL를 더 포함하고, 여기서, TH_BL4 는 상기 제 4 차단 층의 두께이고 TH_FL 는 상기 기능 층의 두께이다.

실시예 35. 이전 실시예들 중 임의의 복합 적층체 또는 방법에 있어서, 상기 복합 적층체는 추가로 포함하는 적어도 약 0.002 의 두께 비율 TH_BL4/TH_FL를 더 포함하고, 여기서, TH_BL4 는 상기 제 4 차단 층의 두께이고 TH_FL 는 상기 기능 층의 두께이다.

실시예 36. 이전 실시예들 중 임의의 복합 적층체 또는 방법에 있어서, 상기 제 4 차단 층은 상기 기능 층에 인접한 상기 제 3 차단 층에 인접하다.

실시예 37. 이전 실시예들 중 임의의 복합 적층체 또는 방법에 있어서, 상기 복합 적층체는 제 1 유전체 층을 더 포함한다.

실시예 38. 이전 실시예들 중 임의의 복합 적층체 또는 방법에 있어서, 상기 제 1 유전체 층은 ITO, SnZnO, SiO₂, Si₃N₄, Nb₂O₅, TiO₂, TiO_x, In₂O₃ 또는 AZO을 포함한다.

실시예 39. 이전 실시예들 중 임의의 복합 적층체 또는 방법에 있어서, 상기 제 1 유전체 층은 약 100 나노미터 보다 크지 않은 두께를 가진다.

실시예 40. 이전 실시예들 중 임의의 복합 적층체 또는 방법에 있어서, 상기 제 1 유전체 층은 적어도 약 3 나노미터의 두께를 가진다.

실시예 41. 이전 실시예들 중 임의의 복합 적층체 또는 방법에 있어서, 상기 제 1 유전체 층은 상기 제 2 차단 층과 상기 제 1 폴리머 기판 사이에 있다.

실시예 42. 이전 실시예들 중 임의의 복합 적층체 또는 방법에 있어서, 상기 복합 적층체는 제 2 유전체 층을 더 포함한다.

실시예 43. 이전 실시예들 중 임의의 복합 적층체 또는 방법에 있어서, 상기 제 2 유전체 층은 ITO, SnZnO, SiO₂, Si₃N₄, Nb₂O₅, TiO₂, TiO_x, In₂O₃ 또는 AZO를 포함한다.

실시예 44. 이전 실시예들 중 임의의 복합 적층체 또는 방법에 있어서, 상기 제 2 유전체 층은 약 100 나노미터 보다 크지 않은 두께를 가진다.

실시예 45. 이전 실시예들 중 임의의 복합 적층체 또는 방법에 있어서, 상기 제 2 유전체 층은 적어도 약 3 나노미터의 두께를 가진다.

실시예 46. 이전 실시예들 중 임의의 복합 적층체 또는 방법에 있어서, 상기 제 2 유전체 층은 상기 제 2 차단 층과 상기 제 1 폴리머 기판 사이에 있다.

실시예 47. 이전 실시예들 중 임의의 복합 적층체 또는 방법에 있어서, 상기 제 1 기판 층은 PET를 포함하고, PET로 구성된다.

실시예 48. 이전 실시예들 중 임의의 복합 적층체 또는 방법에 있어서, 상기 복합 적층체는 제 2 기판 층을 더 포함하고, 상기 제 2 기판 층은 유리 층이고, 상기 제 2 기판 층은 폴리머 기판 층이다.

실시예 49. 이전 실시예들 중 임의의 복합 적층체 또는 방법에 있어서, 상기 제 2 기판 층은 PET을 포함하고, PET로 구성된다.

예들

본 출원에서 설명된 개념들은 청구항들에 설명된 본 발명의 범위를 제한하지 않는 이하의 예들에 추가로 설명될 것이다.

샘플 복합 적층체들

여섯개의 샘플 복합 적층체들 (S1-S6)은 본 출원에 설명된 임의의 실시예들에 따라 구성되고 형성되었다. 모든 여섯개의 샘플 복합 적층체들 (S1-S6)은 제 1 기판 층, 제 1 (즉, 바닥) 유전체 층 및 제 2 (즉, 최상부) 유전체 층을 포함한다. 전체적인 층 조성물, 배열 및 두께를 포함하여 바닥 유전체 층과 최상부 유전체 층 사이에 위치된 각각의 적층체내 층들의 구성이, 아래의 표 1에 요약된다. 표 1에 열거된 층들의 순서는 복합 적층체내 층들의 순서를 나타내어 표에 바닥 로우(row)는 복합 적층체에 바닥 층에 대응한다는 것이 인식될 것이다.

표 1 - 샘플 복합 적층체 구성들

* 빗금친 박스(Crossed out box)는 적층체내 대응하는 층이 없다는 것을 나타낸다.

각각의 샘플 복합 적층체의 성능은 10 일 BSN 테스트를 이용하여 그리고 21 일 BSN 테스트를 이용하여 평가되었다. BSN 테스트들은 표준 EN10962에 따라 수행되었다. 특별히, BSN 지속기간 테스트 (duration test)는 일정한 온도에 습기가 있고 염분이 있는(중성) 분위기에 코팅된 층들을 노출시키는 것을 포함한다. 테스트될 코팅된 층들은 가요성의 PET 기판상에 증착되고, 이 기판은 테스트의 지속기간 내내 유리 지지체에 라미네이트된다. 샘플들 (사이즈 100 mm x 100 mm)은 수직 축에 대하여 15° +/- 5° 의 기울기로 20mm ≤ 거리 ≤40mm (각각의 샘플 사이)에서 균등하게 퍼져 챔버 안쪽에 배치된다. 코팅된 층들을 갖는 측면이 위쪽을 향하거나, 또는 챔버의 문 쪽을 향해야 한다. 이 테스트를 위해 설계된 기계는 총 부피가 0.4m³보다 큰 챔버가 있어야 한다. 챔버내 염분 레벨(salt level)은 테스트 지속기간 내내 50g/l +/- 5g/l 에서 25℃ +/- 2℃ 에서 염분 농도 및 온도에 균일성을 보장하도록 자동으로 제어되어야 한다. 온도는 챔버의 벽들로부터 적어도 100 mm에서 측정되어야 한다. 염수 분무의 pH는 중성이어야 한다. 챔버는 시료 도입 전 적어도 24 시간 동안 평형 조건을 테스트하기 위해 시작 및 조절되어야 한다. 중성 염수(salt water) (전형적으로 기계의 가장자리와 측벽을 따라 축적됨)는 샘플 표면상에 직접 떨어 뜨려서는 안 된다.

각각의 샘플 복합 적층체 (S1-S6)에 층들의 전체 두께는 각각의 샘플 복합 적층체에 대해 70 %의 VLT를 생성하도록 구성되었다. 복합 적층체가 약 10 % 내지 약 99 %의 범위 내에서 임의의 바람직한 VLT를 달성 할 수 있도록 각각의 샘플 복합체 적층체의 기능 층 및 차단 층들의 상대적 두께가 본 출원에 기재된 바와 같이 조절될 수 있다는 것이 인식될 것이다.

기록된 성능 측정량은 시트 저항 진화 (△Rsq) 및 가시 반사율 진화 (△RL)를 포함한다. 결과들이 아래의 표 2에 제공된다.

표 2 - 샘플 복합 적층체 성능 측정량

표 2에 도시된 바와 같이, 샘플들 S1-S6은 10 일 후에는 시트 저항 또는 가시 광 반사율 진화에서 어떠한 증가도 보이지 않았다. 표 2에 추가로 도시된 바와 같이, 샘플들 S1-S6은 21 일 후에는 시트 저항 또는 가시 광 반사율 진화에서 단지 제한된 증가만 보였다.

각각의 샘플 복합 적층체의 성능은 또한 각각의 샘플 복합 적층체의 표면의 광학 현미경 이미지들의 시각적 평가를 통하여 평가되었다.

도 7a는 10 일 BSN 테스트 후에 샘플 S1의 표면 이미지를 포함한다. 도 7b는 10 일 BSN 테스트 후에 샘플 S2의 표면 이미지를 포함한다. 도 7c는 10 일 BSN 테스트 후에 샘플 S3의 표면 이미지를 포함한다. 도 7d는 10 일 BSN 테스트 후에 샘플 S4의 표면 이미지를 포함한다. 도 7e는 10 일 BSN 테스트 후에 샘플 S5의 표면 이미지를 포함한다. 도 7f는 10 일 BSN 테스트 후에 샘플 S6의 표면 이미지를 포함한다.

도면들 7a-7f 에 도시된 바와 같이, 샘플들 S1-S6은 광학 이미지들상에서 어떠한 크랙(crack)들도 박리도 그리고 사실상의 부식 지점들의 징후들이 보이지 않았다.

도 8a는 21 일 BSN 테스트 후에 샘플 S1의 표면 이미지를 포함한다. 도 8b는 21 일 BSN 테스트 후에 샘플 S2의 표면 이미지를 포함한다. 도 8c는 21 일 BSN 테스트 후에 샘플 S3의 표면 이미지를 포함한다. 도 8d는 21 일 BSN 테스트 후에 샘플 S4의 표면 이미지를 포함한다. 도 8e는 21 일 BSN 테스트 후에 샘플 S5의 표면 이미지를 포함한다.

도면들 8a-8e에 도시된 바와 같이, 샘플들 S1-S5는 다시 광학 이미지들상에서 어떠한 크랙들도 박리의 징후들이 보이지 않았고, 단지 작은 부식 지점들을 보였다.

비교 샘플 복합 적층체들

아홉개의 비교 샘플 복합 적층체 적층체들 (CS1-CS9)이 상기에서 설명된 방법에 따라 만들어 졌다. 모든 아홉개의 샘플 비교 샘플 복합 적층체들 (CS1-CS9)은 제 1 기판 층, 제 1 (즉, 바닥) 유전체 층 및 제 2 (즉, 최상부) 유전체 층을 포함한다. 전체적인 층 조성물, 배열 및 두께를 포함하여 바닥 유전체 층과 최상부 유전체 층 사이에 위치된 각각의 적층체내 층들의 구성이, 아래의 표 3에 요약된다. 표에 열거된 층들의 순서는 비교 복합 적층체내 층들의 순서를 나타내어 표에 바닥 로우(row)는 비교 복합 적층체에 바닥 층에 대응한다는 것이 인식될 것이다.

표 3 - 비교 샘플 적층체 구성들

각각의 샘플 복합 적층체의 성능은 10 일 BSN 테스트를 이용하여 그리고 21 일 BSN 테스트를 이용하여 평가되었다. BSN 테스트들은 상기에서 설명된 것 처럼 표준 EN10962에 따라 수행되었다. 성능 측정량은 시트 저항 (△Rsq) 및 가시 반사율 진화 (△RL)를 포함한다. 결과들이 아래의 표 4에 제공된다.

표 4- 비교 샘플 복합 적층체 성능 측정량

* NMP는 샘플이 너무 손상되었고 측정이 불가능하였다는 것을 나타낸다

어떤 비교 샘플 복합 적층체 적층체들의 성능은 또한 비교 샘플 복합 적층체의 표면의 광학 현미경 이미지들의 시각적 평가를 통하여 평가되었다.

도 9a는 10 일 BSN 테스트 후에 CS1의 표면 이미지를 포함한다. 도 9b는 10 일 BSN 테스트 후에 CS2의 표면 이미지를 포함한다. 도 9c는 10 일 BSN 테스트 후에 CS3의 표면 이미지를 포함한다. 도 9d는 10 일 BSN 테스트 후에 CS4의 표면 이미지를 포함한다. 도 9e는 10 일 BSN 테스트 후에 CS5의 표면 이미지를 포함한다. 도 9f는 10 일 BSN 테스트 후에 CS6의 표면 이미지를 포함한다. 도 9g는 10 일 BSN 테스트 후에 CS7의 표면 이미지를 포함한다. 도 9h는 10 일 BSN 테스트 후에 CS8의 표면 이미지를 포함한다. 도 9i는 10 일 BSN 테스트 후에 CS9의 표면 이미지를 포함한다.

도시된 바와 같이 도면들 9a-9i가 도면들 7a-7f에 비교되면, 샘플들 CS1-CS9는 본 출원에서 설명된 실시예들에 따라 형성된 샘플 복합 적층체들 (S1-S6)에 비교되었을 때 10일 후에 광학 이미지들상에 증가된 크랙들, 증가된 박리 및 증가된 부식 지점 사이즈의 징후들이 보였다.

도 10a는 21일 BSN 테스트 후에 CS4의 표면 이미지를 포함한다. 도 10b는 21일 BSN 테스트 후에 CS5의 표면 이미지를 포함한다. 도 10c는 21일 BSN 테스트 후에 CS6의 표면 이미지를 포함한다.

도시된 바와 같이 도면들 10a-10c가 도면들 8a-8e에 비교되면, 샘플들 CS4-CS6은 본 출원에서 설명된 실시예들에 따라 형성된 샘플 복합 적층체들 (S1-S6)에 비교되었을 때 21일 후에 광학 이미지들상에 증가된 크랙들, 증가된 박리 및 증가된 부식 지점 사이즈의 징후들이 보였다.

전술한 실시예들은 최첨단 기술로부터의 이탈을 나타낸다. 특히, 본 출원의 실시예들의 복합 안전 적층체는 종래 기술에서 인식되지 않았고 성능 개선을 가능하게 하는 특징들의 조합을 포함한다. 이런 특징들은 내 부식성의 차단 층에 인접하고 Ti, Ni, Cr, Cu, Al, Mg, NiCr, 또는 이들의 합금들 중 임의의 하나에서 선택된 차단 재료를 포함하는 차단 층을 포함하는 듀얼 차단 구조 또는 적층체의 사용을 포함하는 복합 적층체들내에 층들의 특정 구성들을 포함할 수 있지만, 이것에 한정되지는 않는다. 본 출원에서 설명된 복합 적층체 실시예들은 최첨단 복합 적층체들에 비해 현저하고 예기치 않은 개선들을 입증하였다. 특별히, 그것들은 개선된 보호 및 내구성 성능을 보이면서 동시에 저-방사율 특성들에 조합하여 요구된 VLT 및 TSER 투과율을 충족시켰다.

개괄적인 설명 또는 예제로 상기에서 설명된 모든 활동이 요구되는 것은 아니며, 특정 활동의 일부가 요구되지 않을 수도 있고 설명 된 것에 추가로 하나 이상의 활동이 수행 될 수도 있다는 것에 유의한다. 더 나아가, 활동들이 열거된 순서는 반드시 그것들이 수행되는 순서인 것은 아니다.

장점들, 다른 장점들, 및 문제들에 대한 해결책들이 특정 실시예들에 관련하여 상기에서 설명되었다. 그러나 임의의 장점, 이점 또는 해결책을 발생시키거나 더 분명하게 만들 수 있는 장점들, 이점들, 문제들에 대한 해결책 및 임의의 특징(들)은 임의의 또는 모든 청구항들의 중요하거나 필수적이거나 본질적인 특징으로 해석되어서는 안 된다.

본 출원에 설명된 실시예들의 상세한 설명 및 예시들은 다양한 실시예의 구조에 대한 전반적인 이해를 제공하기 위한 것이다. 설명 및 예시들은 본 출원에서 설명된 구조들 또는 방법들을 활용하는 장치 및 시스템들의 모든 엘리먼트들 및 특징부들의 망라되고 포괄적인 설명 역할을 하는 것으로 의도되지 않는다. 개별 실시예들은 단일 실시예에서 조합하여 제공 될 수 있으며, 반대로, 간략화를 위해, 단일 실시예의 상황에서 설명된 다양한 특징들은 또한 개별적으로 또는 임의의 서브조합으로 제공 될 수 있다. 또한, 범위 내에 언급된 값에 대한 언급은 해당 범위 내 각각 및 모든 값을 포함한다. 많은 다른 실시예들은 본 명세서를 읽은 후에 숙련된 당업자에게 명백 할 수 있다. 다른 실시예들이 본 개시로부터 사용되고 파생 될 수 있어서 구조적 치환, 논리 치환 또는 다른 변경이 본 개시의 범위를 벗어나지 않고 이루어질 수 있다. 따라서, 본 개시는 제한적이기 보다는 오히려 예시적인 것으로 간주되어야 한다.

Claims

복합 적층체(composite stack)에 있어서,
폴리머 재료를 포함하는 제 1 기판 층;
은(silver)을 포함하는 기능 층(functional layer);
내 부식성 재료를 포함하는 제 1 차단 층(blocker layer); 및
NiCr를 포함하는 제 2 차단 층을 포함하되,
상기 제 1 차단 층은 상기 기능 층에 인접하고;
상기 제 2 차단 층은 상기 제 1 차단 층에 인접하고;
상기 제 1 차단 층은 상기 제 1 기판 층과 상기 기능 층 사이에 위치하고;
상기 복합 적층체는 적어도 50%의 VLT(visible light transmittance) 및 적어도 30%의 TSER(total solar energy rejected)를 갖는, 복합 적층체.
복합 적층체(composite stack)에 있어서,
폴리머 재료를 포함하는 제 1 기판 층;
은(silver)을 포함하는 기능 층(functional layer);
내 부식성 재료를 포함하는 제 1 차단 층(blocker layer); 및
NiCr를 포함하는 제 2 차단 층을 포함하되,
상기 제 1 차단 층은 상기 기능 층에 인접하고;
상기 제 2 차단 층은 상기 제 1 차단 층에 인접하고;
상기 제 1 차단 층은 상기 제 1 기판 층과 상기 기능 층 사이에 위치하고;
상기 복합 적층체는 20% 보다 크지 않은 방사율(emissivity)을 갖는, 복합 적층체.
복합 적층체를 형성하는 방법에 있어서,
폴리머 재료를 포함하는 제 1 기판 층을 제공하는 단계;
은(silver)을 포함하는 기능 층(functional layer)을 형성하는 단계;
내 부식성 재료를 포함하는 제 1 차단 층(blocker layer)을 형성하는 단계; 및
NiCr를 포함하는 제 2 차단 층을 형성하는 단계를 포함하되,
상기 제 1 차단 층은 상기 기능 층에 인접하고;
상기 제 2 차단 층은 상기 제 1 차단 층에 인접하고;
상기 제 1 차단 층은 상기 제 1 기판 층과 상기 기능 층 사이에 위치하고;
상기 복합 적층체는 적어도 50%의 VLT 및 적어도 30%의 TSER를 갖는, 방법.
삭제
청구항 1 또는 2에 있어서, 상기 내 부식성 재료는 루테늄, 로듐, 팔라듐, 은, 오스뮴, 이리듐, 백금 또는 금을 포함하는, 복합 적층체.
청구항 1 또는 2에 있어서, 상기 제 1 차단 층은 금으로 구성되는, 복합 적층체.
청구항 2에 있어서, 상기 복합 적층체는 적어도 10%의 VLT를 포함하는, 복합 적층체.
청구항 1 또는 2에 있어서, 상기 복합 적층체는 99% 보다 크지 않은 VLT를 포함하는, 복합 적층체.
청구항 1 또는 2에 있어서, 상기 복합 적층체는 적어도 40%의 TSER를 포함하는, 복합 적층체.
청구항 1 또는 2에 있어서, 상기 기능 층은 은으로 구성되는, 복합 적층체.
청구항 1 또는 2에 있어서, 상기 기능 층은 적어도 5 나노미터의 두께를 갖는, 복합 적층체.
청구항 1 또는 2에 있어서, 상기 기능 층은 40 나노미터 보다 크지 않은 두께를 갖는, 복합 적층체.
청구항 1 또는 2에 있어서, 상기 복합 적층체는 20% 보다 크지 않은 방사율(emissivity)을 갖는, 복합 적층체.
청구항 1 또는 2에 있어서, 상기 제 1 차단 층은 10 나노미터 보다 크지 않은 두께를 갖는, 복합 적층체.
청구항 1 또는 2에 있어서, 상기 제 1 차단 층은 적어도 0.1 나노미터의 두께를 갖는, 복합 적층체.