KR102103258B1 - Structure for preventing reflection and method of fabricating the same - Google Patents
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Abstract
본 발명은 내구성이 향상된 새로운 구조의 반사방지 구조체를 제공하기 위한 것으로서, 상기 반사방지 구조체는 베이스 기판; 및 상기 베이스 기판 상에 제 1 영역과 제 2 영역으로 구성되는 반사방지층;을 포함하며, 상기 제 1 영역은 상기 베이스 기판의 측방향으로 연속적으로 연결된 막 구조를 가지며, 상기 제 2 영역은 상기 제 1 영역 상에 형성되고 상기 베이스 기판의 측방항으로 소정의 거리로 이격된 복수의 기둥 구조를 가진다. The present invention is to provide an anti-reflection structure of a new structure with improved durability, the anti-reflection structure comprises a base substrate; And an anti-reflection layer composed of a first region and a second region on the base substrate, wherein the first region has a film structure continuously connected in the lateral direction of the base substrate, and the second region is the first region. It has a plurality of pillar structures formed on one region and spaced a predetermined distance in a lateral direction of the base substrate.
Description
본 발명은 반사방지 구조체 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 더 상세하게는 내구성이 향상된 새로운 구조의 반사방지 구조체 및 그 제조방법에 관한 것이다. The present invention relates to an antireflective structure and a method for manufacturing the same, and more particularly, to a new structure of the antireflective structure having improved durability and a method for manufacturing the same.
액정 디스플레이(Liquid Crystal Display) 장치, 플라즈마 디스플레이 패널(Plasma Display Panel, PDP) 등의 디스플레이 장치는 외부광의 표면 반사에 의하여 주변의 사물이 화면에 비춰질 수 있으며, 이에 따라 화면에 표시되는 화면이 잘 보이지 않는 경우가 있다. 이러한 표면 반사는 디스플레이 장치의 화면이 대면적화될수록, 그리고 주변이 밝을수록 더 빈번하게 나타날 수 있다. 이러한 표면 반사가 심하게 되면 디스플레이 화면을 가리게 되므로, 이를 주시하는 사용자가 영상을 잘 볼 수 없는 문제가 있다. 이러한 외부광에 의한 표면 반사를 방지하기 위하여, 디스플레이 장치의 표시 화면에 반사를 방지할 수 있는 구조체를 배치하는 기술들이 제안되고 있다. In a display device such as a liquid crystal display (LCD) device or a plasma display panel (PDP), surrounding objects may be reflected on the screen by surface reflection of external light, and accordingly, the screen displayed on the screen is not easily seen. It may not. Such surface reflection may appear more frequently as the screen of the display device becomes larger and the surroundings are brighter. When the surface reflection is severe, the display screen is obscured, so there is a problem that a user who watches this cannot see the image well. In order to prevent surface reflection by external light, techniques for arranging a structure capable of preventing reflection on a display screen of a display device have been proposed.
본 발명은 내구성이 향상된 반사방지 구조체 및 그 제조방법을 제공하는 것을 목적으로 한다. 그러나 이러한 과제는 예시적인 것으로, 이에 의해 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다.An object of the present invention is to provide an antireflection structure with improved durability and a method for manufacturing the same. However, these problems are exemplary, and the scope of the present invention is not limited thereby.
본 발명의 일 관점에 의한 반사방지 구조체가 제공된다. 상기 반사방지 구조체는 베이스 기판; 및 상기 베이스 기판 상에 제 1 영역과 제 2 영역으로 구성되는 반사방지층;을 포함한다. 상기 제 1 영역은 상기 베이스 기판의 측방향으로 연속적으로 연결된 막 구조를 형성하며, 상기 제 2 영역은 상기 제 1 영역 상에 형성된 복수의 기둥 구조를 가진다. An antireflective structure according to one aspect of the present invention is provided. The anti-reflection structure includes a base substrate; And an anti-reflection layer composed of a first region and a second region on the base substrate. The first region forms a film structure continuously connected in the lateral direction of the base substrate, and the second region has a plurality of pillar structures formed on the first region.
상기 반사방지 구조체에서, 상기 연속적으로 연결된 막 구조는 20 nm 내지 50 nm의 두께를 가질 수 있다. In the antireflection structure, the continuously connected film structure may have a thickness of 20 nm to 50 nm.
상기 반사방지 구조체에서, 상기 복수의 기둥 구조는 상기 베이스 기판의 측방항으로 소정의 거리로 이격되어 배치될 수 있다. In the anti-reflection structure, the plurality of pillar structures may be disposed spaced apart at a predetermined distance in a lateral direction of the base substrate.
상기 반사방지 구조체에서, 상기 제 1 영역과 상기 제 2 영역의 접촉각은 70도 내지 90도의 범위를 가질 수 있다. In the anti-reflection structure, the contact angle between the first region and the second region may have a range of 70 degrees to 90 degrees.
상기 반사방지 구조체에서, 상기 제 1 영역과 상기 제 2 영역의 접촉각은 90도를 넘는 둔각을 가질 수 있다. In the anti-reflection structure, the contact angle between the first region and the second region may have an obtuse angle exceeding 90 degrees.
상기 반사방지 구조체에서, 각각의 상기 기둥 구조가 상기 제 1 영역과 맞닿는 단면적의 최대 길이(A)와 상기 기둥 구조의 최대 높이(B)의 비(A/B)는 1 내지 2일 수 있다.In the anti-reflection structure, the ratio (A / B) of the maximum length (A) of the cross-sectional area where each of the pillar structures abuts the first region and the maximum height (B) of the pillar structure may be 1 to 2.
상기 반사방지 구조체에서, 상기 베이스 기판은 불소계 투명 폴리머, 아크릴계 투명 폴리머, 폴리에틸렌 테레프탈레이트계열 투명 폴리머, 폴리카보네이트, 폴리에틸렌 나프탈레이트, 폴리에테르설폰, 폴리시클로올레핀, CR39 및 폴리우레탄에서 선택된 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다. In the anti-reflective structure, the base substrate is at least one selected from fluorine-based transparent polymer, acrylic-based transparent polymer, polyethylene terephthalate-based transparent polymer, polycarbonate, polyethylene naphthalate, polyether sulfone, polycycloolefin, CR39, and polyurethane. It can contain.
상기 반사방지 구조체에서, 상기 반사방지층은 회전전극을 사용하는 상압플라즈마 CVD 공정으로 형성된 실리콘산화물로 이루어질 수 있다.In the anti-reflection structure, the anti-reflection layer may be made of silicon oxide formed by an atmospheric pressure plasma CVD process using a rotating electrode.
상기 반사방지 구조체에서, 상기 제 1 영역과 상기 제 2 영역은 경계에서 계면을 형성하지 않으면서 일체를 이루는 동일한 물질로 이루어질 수 있다. In the anti-reflection structure, the first region and the second region may be made of the same material that is integral without forming an interface at the boundary.
상기 반사방지 구조체에서, 상기 제 1 영역과 상기 제 2 영역은 경계에서 계면을 형성하면서 동일한 물질로 이루어질 수 있다. In the anti-reflection structure, the first region and the second region may be made of the same material while forming an interface at the boundary.
상기 반사방지 구조체에서, 상기 제 1 영역과 상기 제 2 영역은 경계에서 계면을 형성하면서 서로 상이한 물질로 이루어질 수 있다.In the anti-reflection structure, the first region and the second region may be made of different materials from each other while forming an interface at the boundary.
본 발명의 다른 관점에 의한 반사방지 구조체의 제조방법이 제공된다. 상기 반사방지 구조체의 제조방법은 베이스 기판을 준비하는 단계; 및 상기 베이스 기판 상에 제 1 영역과 제 2 영역으로 구성되는 반사방지층을 형성하는 단계;를 포함하고, 상기 제 1 영역은 상기 베이스 기판의 측방향으로 연속적으로 연결된 막 구조를 형성하되 20 nm 내지 50 nm의 두께를 가지며, 상기 제 2 영역은 상기 제 1 영역 상에 형성된 복수의 기둥 구조를 가진다. A method of manufacturing an antireflective structure according to another aspect of the present invention is provided. The method of manufacturing the anti-reflection structure includes preparing a base substrate; And forming an anti-reflection layer composed of a first region and a second region on the base substrate, wherein the first region forms a film structure continuously connected in a lateral direction of the base substrate, but is 20 nm to It has a thickness of 50 nm, and the second region has a plurality of pillar structures formed on the first region.
상기 반사방지 구조체의 제조방법에서, 상기 제 1 영역과 제 2 영역으로 구성되는 반사방지층을 형성하는 단계;는 회전전극을 사용하는 상압플라즈마 CVD 공정으로 상기 제 1 영역을 형성하는 단계; 및 회전전극을 사용하는 상압플라즈마 CVD 공정으로 상기 제 2 영역을 형성하는 단계;를 포함할 수 있다. In the method of manufacturing the anti-reflection structure, forming an anti-reflection layer composed of the first region and the second region; forming the first region by atmospheric pressure plasma CVD using a rotating electrode; And forming the second region by an atmospheric pressure plasma CVD process using a rotating electrode.
상기 반사방지 구조체의 제조방법에서, 상기 제 1 영역과 제 2 영역으로 구성되는 반사방지층을 형성하는 단계;는 스퍼터링 공정으로 상기 제 1 영역을 형성하는 단계; 및 회전전극을 사용하는 상압플라즈마 CVD 공정으로 상기 제 2 영역을 형성하는 단계;를 포함할 수 있다. In the method of manufacturing the anti-reflection structure, forming an anti-reflection layer composed of the first region and the second region; forming the first region by a sputtering process; And forming the second region by an atmospheric pressure plasma CVD process using a rotating electrode.
상기한 바와 같이 이루어진 본 발명의 일 실시예에 따르면, 내구성이 향상된 새로운 구조의 반사방지 구조체 및 그 제조방법을 제공할 수 있다. 그러나 이러한 과제는 예시적인 것으로, 이에 의해 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다.According to one embodiment of the present invention made as described above, it is possible to provide an anti-reflective structure of a new structure with improved durability and a method of manufacturing the same. However, these problems are exemplary, and the scope of the present invention is not limited thereby.
도 1a 내지 도 1b는 본 발명의 일 실시예에 따른 반사방지 구조체를 구성하는 반사방지층의 단면을 나타낸 SEM 사진들이다.
도 1c는 본 발명의 일 실시예에 따른 반사방지 구조체를 구성하는 반사방지층의 제 2 영역을 나타낸 평면 SEM 사진이다.
도 2a는 본 발명의 일 실시예에 따른 반사방지 구조체를 제조하는 방법을 도해하는 도면이다.
도 2b는 본 발명의 일 실시예에 따른 반사방지 구조체를 제조하는 방법에서 회전전극을 이용한 상압플라즈마 CVD 공정의 개념을 도식적으로 도해하는 도면이다.
도 3은 본 발명의 비교예 및 실시예에 따른 반사방지 구조체에서 제 1 영역의 두께에 따른 내구성 변화를 나타낸 그래프이다.
도 4a 내지 도 4b는 본 발명의 비교예에 따른 반사방지 구조체를 구성하는 반사방지층의 단면을 나타낸 SEM 사진들이다.
도 5는 본 발명의 비교예에 따른 반사방지 구조체에서 기둥 구조가 제 1 영역과 맞닿는 단면적의 최대 길이(A)와 기둥 구조의 최대 높이(B)의 비(A/B)를 나타낸 사진이다.
도 6은 본 발명의 실시예에 따른 반사방지 구조체에서 기둥 구조가 제 1 영역과 맞닿는 단면적의 최대 길이(A)와 기둥 구조의 최대 높이(B)의 비(A/B)를 나타낸 사진이다.
도 7a 및 도 7b는 본 발명의 비교예에 따른 반사방지 구조체를 구성하는 반사방지층에 대하여 내구성 테스트를 수행한 이후의 상태를 촬영한 사진들이다.
도 8a 및 도 8b는 본 발명의 일 실시예에 따른 반사방지 구조체를 구성하는 반사방지층에 대하여 내구성 테스트를 수행한 이후의 상태를 촬영한 사진들이다.
도 9a는 본 발명의 비교예에 따른 반사방지 구조체를 구성하는 반사방지층에 대한 경도(hardness)를 측정한 결과를 나타낸 그래프이다.
도 9b는 본 발명의 일 실시예에 따른 반사방지 구조체를 구성하는 반사방지층에 대한 경도(hardness)를 측정한 결과를 나타낸 그래프이다.
도 10a는 본 발명의 비교예에 따른 반사방지 구조체를 구성하는 반사방지층에 대한 단면 TEM EDAX 성분 분석 결과를 나타낸 그래프이다.
도 10b는 본 발명의 일 실시예에 따른 반사방지 구조체를 구성하는 반사방지층에 대한 단면 TEM EDAX 성분 분석 결과를 나타낸 그래프이다.
도 11은 본 발명의 비교예 및 실시예에 따른 반사방지 구조체에 대하여 내구성 테스트 전후의 투과도를 나타낸 그래프이다.
도 12는 본 발명의 비교예 및 실시예에 따른 반사방지 구조체에 대하여 내구성 테스트 전후의 반사율을 나타낸 그래프이다.1A to 1B are SEM photographs showing a cross section of an antireflection layer constituting an antireflection structure according to an embodiment of the present invention.
1C is a planar SEM photograph showing a second region of the antireflection layer constituting the antireflection structure according to an embodiment of the present invention.
2A is a diagram illustrating a method of manufacturing an anti-reflective structure according to an embodiment of the present invention.
2B is a diagram schematically illustrating the concept of an atmospheric pressure plasma CVD process using a rotating electrode in a method of manufacturing an anti-reflective structure according to an embodiment of the present invention.
Figure 3 is a graph showing the change in durability according to the thickness of the first region in the anti-reflection structure according to the comparative examples and examples of the present invention.
4A to 4B are SEM photographs showing a cross section of an antireflection layer constituting an antireflection structure according to a comparative example of the present invention.
5 is a photograph showing the ratio (A / B) of the maximum length (A) of the cross-sectional area where the pillar structure abuts the first region and the maximum height (B) of the pillar structure in the anti-reflective structure according to the comparative example of the present invention.
FIG. 6 is a photograph showing the ratio (A / B) of the maximum length (A) of the cross-sectional area where the pillar structure abuts the first region and the maximum height (B) of the pillar structure in the anti-reflective structure according to the embodiment of the present invention.
7A and 7B are photographs of a state after a durability test is performed on the antireflection layer constituting the antireflection structure according to the comparative example of the present invention.
8A and 8B are photographs of a state after a durability test is performed on the anti-reflection layer constituting the anti-reflection structure according to an embodiment of the present invention.
9A is a graph showing the results of measuring the hardness of the anti-reflection layer constituting the anti-reflection structure according to the comparative example of the present invention.
9B is a graph showing the results of measuring the hardness of the antireflection layer constituting the antireflection structure according to an embodiment of the present invention.
10A is a graph showing a cross-sectional TEM EDAX component analysis result for an anti-reflection layer constituting an anti-reflection structure according to a comparative example of the present invention.
10B is a graph showing a cross-sectional TEM EDAX component analysis result for an anti-reflection layer constituting an anti-reflection structure according to an embodiment of the present invention.
11 is a graph showing transmittance before and after a durability test with respect to the anti-reflection structure according to Comparative Examples and Examples of the present invention.
12 is a graph showing the reflectance before and after the durability test for the anti-reflection structure according to Comparative Examples and Examples of the present invention.
이하, 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세히 설명하면 다음과 같다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있는 것으로, 이하의 실시예는 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이다. 또한 설명의 편의를 위하여 도면에서는 적어도 일부의 구성 요소들이 그 크기가 과장 또는 축소될 수 있다. 도면에서 동일한 부호는 동일한 요소를 지칭한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments disclosed below, but can be implemented in various different forms, and the following embodiments make the disclosure of the present invention complete, and the scope of the invention to those skilled in the art It is provided to inform you completely. Also, for convenience of description, the size of at least some of the components may be exaggerated or reduced in the drawings. The same reference numerals in the drawings refer to the same elements.
명세서 전체에 걸쳐서, 층 또는 영역과 같은 하나의 구성요소가 다른 구성요소 "상에" 위치한다고 언급할 때는, 상기 하나의 구성요소가 직접적으로 상기 다른 구성요소 "상에" 접하거나, 그 사이에 개재되는 또 다른 구성요소들이 존재할 수 있다고 해석될 수 있다. 반면에, 하나의 구성요소가 다른 구성요소 "직접적으로 상에" 위치한다고 언급할 때는, 그 사이에 개재되는 다른 구성요소들이 존재하지 않는다고 해석된다. Throughout the specification, when one component, such as a layer or region, is referred to as being “on” another component, the one component directly touches or “between” the other component. It can be interpreted that there may be other intervening components. On the other hand, when referring to one component being "directly on" another component, it is interpreted that there are no other components interposed therebetween.
도 1a 내지 도 1b는 본 발명의 일 실시예에 따른 반사방지 구조체를 구성하는 반사방지층의 단면을 나타낸 SEM 사진들이고, 도 1c는 본 발명의 일 실시예에 따른 반사방지 구조체를 구성하는 반사방지층의 제 2 영역을 나타낸 평면 SEM 사진이고, 도 2a는 본 발명의 일 실시예에 따른 반사방지 구조체를 제조하는 방법을 도해하는 도면이고, 도 2b는 본 발명의 일 실시예에 따른 반사방지 구조체를 제조하는 방법에서 회전전극을 이용한 상압플라즈마 CVD 공정의 개념을 도식적으로 도해하는 도면이다. 1A to 1B are SEM photographs showing a cross-section of an antireflection layer constituting an antireflection structure according to an embodiment of the present invention, and FIG. 1C is an antireflection layer constituting an antireflection structure according to an embodiment of the present invention. 2A is a diagram illustrating a method of manufacturing an antireflective structure according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2B is an antireflective structure according to an embodiment of the present invention. It is a diagram schematically illustrating the concept of an atmospheric pressure plasma CVD process using a rotating electrode.
본 발명의 일 실시예에 따른 반사방지 구조체는 베이스 기판(1); 및 베이스 기판(1) 상에 형성된 반사방지층(10, 20)을 포함한다. The anti-reflection structure according to an embodiment of the present invention includes a
도 1a 내지 도 1c를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 반사방지 구조체를 구성하는 반사방지층(10, 20)은 제 1 영역(10)과 제 2 영역(20)을 포함한다. 제 1 영역(10)은 베이스 기판(1)의 측방향으로 연속적으로 연결된 막 구조를 가진다. 특히, 도 1b를 참조하면, 제 1 영역(10)에서는 약 30 nm의 두게를 가지는 실리콘산화물층이 서로 연결되어 있음을 확인할 수 있다. 제 2 영역(20)은 제 1 영역(10) 상에 형성된 복수의 기둥 구조를 가진다. 복수의 기둥 구조는 복수의 돌기 구조로 이해할 수도 있다. 1A to 1C, the
한편, 상기 복수의 기둥 구조들 중의 적어도 일부는 베이스 기판(1)의 측방항으로 소정의 거리로 이격되어 배치될 수도 있다. 여기에서 베이스 기판(1)의 측방향이라 함은 베이스 기판(1)의 상면(예컨대, 주표면)과 평행한 방향을 의미할 수 있다. Meanwhile, at least some of the plurality of pillar structures may be arranged spaced apart at a predetermined distance in a lateral direction of the
제 1 영역(10)과 제 2 영역(20)의 접촉각은 70도 내지 90도의 범위를 가질 수 있다. 여기에서, 제 1 영역(10)과 제 2 영역(20)의 접촉각이라 함은 제 2 영역(20)의 기둥 구조의 측면이 제 1 영역(10)에서 상방으로 신장하는 방향과 베이스 기판(1)의 상기 측방향이 이루는 각도를 의미할 수 있다. 예컨대, 도 1a를 참조하면, 제 1 영역(10)과 제 2 영역(20)의 접촉각은 81도, 82도 또는 83도일 수 있으며, 도 1b 참조하면, 제 1 영역(10)과 제 2 영역(20)의 접촉각은 78도, 82도 또는 88도일 수 있다. 한편, 도면에는 도시하지 않았으나, 본 발명의 변형된 실시예에 따른 반사방지 구조체에서 제 1 영역(10)과 제 2 영역(20)이 이루는 접촉각은 90도를 넘어서 둔각을 가질 수도 있다. The contact angle between the
제 1 영역(10)과 제 2 영역(20)은 동일한 물질로 이루어지되, 제 1 영역(10)과 제 2 영역(20)의 경계에서 계면을 형성하지 않으면서 일체를 이룰 수 있다. 또는, 제 1 영역(10)과 제 2 영역(20)은 제 1 영역(10)과 제 2 영역(20)의 경계에서 계면을 형성하면서 동일한 물질로 이루어질 수도 있다. 한편, 이와 달리, 제 1 영역(10)과 제 2 영역(20)은 제 1 영역(10)과 제 2 영역(20)의 경계에서 계면을 형성하면서 서로 상이한 물질로 이루어질 수도 있다. The
본 발명의 일 실시예에 의하면, 제 1 영역(10)을 형성하는 공정과 제 2 영역(20)을 형성하는 공정은 동일할 수 있는 바, 예를 들어, 제 1 영역(10)을 형성하는 공정은 상압플라즈마 CVD 공정이며 제 2 영역(20)을 형성하는 공정도 상압플라즈마 CVD 공정일 수 있다. According to an embodiment of the present invention, the process of forming the
한편, 본 발명의 변형된 실시예에 의하면, 제 1 영역(10)을 형성하는 공정과 제 2 영역(20)을 형성하는 공정은 서로 상이할 수 있는 바, 예를 들어, 제 1 영역(10)을 형성하는 공정은 스퍼터링 공정이며 제 2 영역(20)을 형성하는 공정도 상압플라즈마 CVD 공정일 수 있다. On the other hand, according to a modified embodiment of the present invention, the process of forming the
도 2a 및 도 2b를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 반사방지 구조체를 제조하는 방법은 회전전극(30)을 이용한 상압플라즈마 CVD(Chemical Vapor Deposition) 공정을 이용한다. 2A and 2B, a method of manufacturing an anti-reflection structure according to an embodiment of the present invention uses an atmospheric plasma CVD (Chemical Vapor Deposition) process using a rotating
베이스 기판(1)은 폴리머 필름으로서, 예컨대, 불소계 투명 폴리머, 아크릴계 투명 폴리머, 폴리에틸렌 테레프탈레이트계열 투명 폴리머, 폴리카보네이트, 폴리에틸렌 나프탈레이트, 폴리에테르설폰, 폴리시클로올레핀, CR39 및 폴리우레탄에서 선택된 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다. The
반사방지층(10, 20)은 회전전극(30)을 사용하는 상압플라즈마 CVD 공정으로 형성된 실리콘산화물(SiO2)로 이루어질 수 있다. 본 발명자는, 상압플라즈마 CVD 공정에서 공정압력은 90 내지 110 Torr이며, 베이스 기판(1)에 대한 회전전극(30)의 스캔속도(S)는 27 내지 33 mm/sec이며, 주입가스(G)는 아르곤가스와 산소가스를 포함하는 경우, 상술한 제 1 영역(10)과 제 2 영역(20)으로 구성된 반사방지층(10, 20)이 구현될 수 있음을 확인하였다. The anti-reflection layers 10 and 20 may be made of silicon oxide (SiO 2 ) formed by an atmospheric pressure plasma CVD process using the rotating
이하에서는 상술한 제 1 영역(10)과 제 2 영역(20)으로 구성된 반사방지층(10, 20)이 본 발명의 비교예와 대조하여 내구성이 향상됨을 설명하고자 한다. Hereinafter, the anti-reflection layers 10 and 20 composed of the
도 3은 본 발명의 비교예 및 실시예에 따른 반사방지 구조체에서 제 1 영역(10)의 두께에 따른 내구성 변화를 나타낸 그래프이다. 3 is a graph showing the durability change according to the thickness of the
도 3을 참조하면, 제 1 영역(연속층)의 두께에 따른 내구성 변화가 비교된다. 먼저, 연속층이 없는 비교예(Ref.)에 따른 반사방지 구조체에서는 내구성 테스트 전후의 투과율 변화가 상대적으로 크며, 이는 내구성이 불량함을 나타낸다. Referring to FIG. 3, the durability change according to the thickness of the first region (continuous layer) is compared. First, in the anti-reflective structure according to the comparative example (Ref.) Without a continuous layer, the change in transmittance before and after the durability test is relatively large, indicating that the durability is poor.
이에 반하여, 제 1 영역(연속층)의 두께가 20nm 내지 50nm인(예를 들어, 24nm, 36nm, 48nm) 반사방지 구조체에서는 내구성 테스트 전후의 투과율 변화가 상대적으로 작으며, 이는 내구성이 양호함을 나타낸다. On the other hand, in the anti-reflective structure in which the thickness of the first region (continuous layer) is 20 nm to 50 nm (for example, 24 nm, 36 nm, 48 nm), the transmittance change before and after the durability test is relatively small, which indicates that the durability is good. Shows.
한편, 제 1 영역(연속층)의 두께가 20nm 보다 작은(예를 들어, 12nm) 반사방지 구조체에서는 내구성 테스트 전후의 투과율 변화가 상대적으로 크며, 이는 내구성이 상대적으로 불량함을 나타낸다. 나아가, 제 1 영역(연속층)의 두께가 50nm 보다 큰(예를 들어, 56nm) 반사방지 구조체에서도 내구성 테스트 전후의 투과율 변화가 상대적으로 크며, 이는 내구성이 상대적으로 불량함을 나타낸다. On the other hand, in the anti-reflective structure in which the thickness of the first region (continuous layer) is smaller than 20 nm (eg, 12 nm), the change in transmittance before and after the durability test is relatively large, indicating that the durability is relatively poor. Furthermore, even in the anti-reflective structure in which the thickness of the first region (continuous layer) is greater than 50 nm (eg, 56 nm), the change in transmittance before and after the durability test is relatively large, indicating that the durability is relatively poor.
도 4a 내지 도 4b는 본 발명의 비교예에 따른 반사방지 구조체를 구성하는 반사방지층의 단면을 나타낸 SEM 사진들이다. 먼저, 도 4a 및 도 4b를 참조하면, 본 발명의 비교예에 따른 반사방지 구조체를 구성하는 반사방지층(10, 20)은 진공 조건에서 플라즈마를 이용한 CVD 공정으로 실리콘산화물로 이루어진 제 1 영역(10) 및 제 2 영역(20)으로 구분된다. 본 발명의 비교예에 따른 반사방지층(10, 20)은 진공 챔버 내의 서셉터 상에 폴리머 필름을 베이스 기판으로 배치한 후에 진공 PECVD 공정을 수행하여 구현하였는 바, 구체적인 공정조건으로는 공정압력이 160 mTorr이며, 주입가스는 아르곤가스와 산소가스를 포함하였다. 본 발명의 비교예에 따른 반사방지층(10, 20)에서 제 1 영역(10)은 약 40nm 두께를 가지며, 실리콘산화물의 입자들이 서로 연결되지 않고 단절되어 있음을 확인할 수 있다. 또한, 제 2 영역(20)을 구성하는 돌기들이 제 1 영역(10)과 이루는 접촉각은 평균적으로 60도 정도임을 확인할 수 있다. 반사방지층(10, 20)의 뿌리 부분에 해당하는 제 1 영역(10)이 단절되어 있어 내구성 측면에서 불리하다. 4A to 4B are SEM photographs showing a cross section of an antireflection layer constituting an antireflection structure according to a comparative example of the present invention. First, referring to FIGS. 4A and 4B, the anti-reflection layers 10 and 20 constituting the anti-reflection structure according to the comparative example of the present invention include a
본 발명자는, 제 2 영역(20)을 구성하는 돌기들이 제 1 영역(10)과 이루는 접촉각이 70도 보다 작은 경우 제 1 영역(10)을 구성하는 입자들이 서로 연결되지 않고 단절되어 내구성 테스트 전후의 투과율 변화가 상대적으로 큼을 확인하였는 바, 이는 내구성이 상대적으로 불량함을 의미한다. 실제로, 도 3에 도시한 비교예(연속층이 없는 경우, 연속층의 두께가 12nm인 경우, 연속층의 두께가 56nm인 경우)에서 제 2 영역(20)을 구성하는 돌기들이 제 1 영역(10)과 이루는 접촉각은 모두 70도 보다 작음을 관찰하였다. The present inventor, before and after the durability test, the particles constituting the
한편, 본 발명의 기술적 사상에 의한 반사방지층에서 제 2 영역(20)을 구성하는 기둥 구조의 종횡비(aspect ratio)는 소정의 범위를 가질 수 있다. Meanwhile, an aspect ratio of a pillar structure constituting the
도 5를 참조하면, 본 발명의 비교예에 따른 반사방지층(10, 20)에서 제 2 영역(20)을 구성하는 기둥 구조가 제 1 영역(10)과 맞닿는 단면적의 최대 길이(A)와 제 2 영역(20)을 구성하는 기둥 구조의 최대 높이(B)의 비(A/B)는 대략 9의 값을 가짐을 확인할 수 있다. Referring to FIG. 5, the pillar structure constituting the
도 6을 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 반사방지층(10, 20)에서 제 2 영역(20)을 구성하는 기둥 구조가 제 1 영역(10)과 맞닿는 단면적의 최대 길이(A)와 제 2 영역(20)을 구성하는 기둥 구조의 최대 높이(B)의 비(A/B)는 대략 1의 값을 가짐을 확인할 수 있다. 본 발명자는, 상술한 비(A/B)가 대략 1 내지 2 의 값을 가지는 경우, 도 3과 같은 양호한 내구성을 확보할 수 있음을 확인하였다. 즉, 도 3에 도시한 실시예(연속층의 두께가 24nm인 경우, 연속층의 두께가 36nm인 경우, 연속층의 두께가 48nm인 경우)에서 상술한 비(A/B)는 1 내지 2 의 범위 내에 있는 반면에, 비교예(연속층이 없는 경우, 연속층의 두께가 12nm인 경우, 연속층의 두께가 56nm인 경우)에서 상술한 비(A/B)는 1 보다 작거나 2 보다 크다는 것을 관찰하였다. Referring to FIG. 6, a pillar structure constituting the
본 발명의 일 실시예에 따른 반사방지층(도 1a 내지 도 1c)과 본 발명의 비교예에 따른 반사방지층(도 4a 및 도 4b)에 대하여 내구성 테스트를 진행한 실험 결과에 대하여 구체적으로 설명한다. 내구성 테스트는 베이스 기판 상에 형성된 반사방지층 상에 지우개를 300g의 하중으로 좌우 500번 스캔하여 스캔 전과 스캔 후의 상태를 비교한 것이다. The experimental results of the durability test for the antireflective layers (FIGS. 1A to 1C) and the antireflective layers (FIGS. 4A and 4B) according to the comparative example of the present invention will be described in detail. The durability test is to compare the state before and after the scan by scanning the
도 7a 및 도 7b는 본 발명의 비교예에 따른 반사방지 구조체를 구성하는 반사방지층에 대하여 내구성 테스트를 수행한 이후의 상태를 촬영한 사진들이고, 도 8a 및 도 8b는 본 발명의 일 실시예에 따른 반사방지 구조체를 구성하는 반사방지층에 대하여 내구성 테스트를 수행한 이후의 상태를 촬영한 사진들이다. 7A and 7B are photographs of a state after a durability test is performed on the antireflection layer constituting the antireflection structure according to the comparative example of the present invention, and FIGS. 8A and 8B are exemplary embodiments of the present invention. These are photos taken after the durability test of the anti-reflection layer constituting the anti-reflection structure.
도 7a를 참조하면, 본 발명의 비교예에 따른 반사방지층에서는, 내구성 테스트 이후에 돌기들이 뜯겨진 부분이 있음을 확인할 수 있다(영역 A). 또한, 도 7b를 참조하면, 본 발명의 비교예에 따른 반사방지층에서는, 내구성 테스트 이후에 그나마 남아있는 돌기들도 모두 눌려 있음을 확인할 수 있다(영역 B).Referring to FIG. 7A, in the anti-reflection layer according to the comparative example of the present invention, it can be confirmed that there are portions in which the protrusions are torn after the durability test (area A). In addition, referring to FIG. 7B, in the anti-reflection layer according to the comparative example of the present invention, it can be confirmed that all the protrusions remaining after the durability test are pressed (area B).
이에 반하여, 도 8a 및 도 8b를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 반사방지층에서는, 내구성 테스트 이후에 뜯겨진 흔적이 거의 없었으며(영역 C), 남아있는 돌기층등로 눌려있긴 하지만 원형이 살아있음을 확인할 수 있었다(영역 D). 참고로, 영역 E는 내구성 테스트에서 사용된 지우개 덩어리이며, 돌기가 뜯겨진 흔적이 아님을 이해하여야 한다. 여기에서 언급한 돌기라 함은 상술한 반사방지층의 제 2 영역(20)으로 이해할 수 있다. 본 발명이 일 실시예에 의한 반사방지층의 비교예에 비하여 내구성이 우수한 것은 돌기 구조(상술한, 제 2 영역)를 잘 지탱해줄 수 있는 뿌리 구조(상술한 제 1 영역)를 가지고 있기 때문이다. On the contrary, referring to FIGS. 8A and 8B, in the anti-reflection layer according to an embodiment of the present invention, after the durability test, there were almost no signs of tearing (area C), and it was pressed by the remaining protrusion layer, etc. It was confirmed that this was alive (area D). For reference, it should be understood that the area E is a lump of eraser used in the durability test, and is not a trace of the torn. The projection referred to herein can be understood as the
도 9a는 본 발명의 비교예에 따른 반사방지 구조체를 구성하는 반사방지층에 대한 경도(hardness)를 측정한 결과를 나타낸 그래프이고, 도 9b는 본 발명의 일 실시예에 따른 반사방지 구조체를 구성하는 반사방지층에 대한 경도(hardness)를 측정한 결과를 나타낸 그래프이다. 그래프의 적색 점선 영역을 살펴보면, 본 발명의 비교예에 따른 반사방지 구조체를 구성하는 실리콘산화물로 이루어진 반사방지층은 2 내지 6 GPa의 경도를 가지며, 본 발명의 일 실시예에 따른 반사방지 구조체를 구성하는 실리콘산화물로 이루어진 반사방지층은 3 내지 7 GPa의 경도를 가짐을 확인할 수 있다. Figure 9a is a graph showing the results of measuring the hardness (hardness) for the anti-reflection layer constituting the anti-reflection structure according to the comparative example of the present invention, Figure 9b is an anti-reflective structure according to an embodiment of the present invention It is a graph showing the results of measuring the hardness of the anti-reflection layer. Looking at the red dotted area of the graph, the antireflection layer made of silicon oxide constituting the antireflection structure according to the comparative example of the present invention has a hardness of 2 to 6 GPa, and constitutes the antireflection structure according to an embodiment of the present invention It can be seen that the anti-reflection layer made of silicon oxide has a hardness of 3 to 7 GPa.
도 10a는 본 발명의 비교예에 따른 반사방지 구조체를 구성하는 반사방지층에 대한 단면 TEM EDAX 성분 분석 결과를 나타낸 그래프이고, 도 10b는 본 발명의 일 실시예에 따른 반사방지 구조체를 구성하는 반사방지층에 대한 단면 TEM EDAX 성분 분석 결과를 나타낸 그래프이다. 이를 살펴보면, 본 발명의 비교예에 따른 반사방지 구조체를 구성하는 실리콘산화물로 이루어진 반사방지층은 탄소/실리콘 강도가 약 0.2임에 반하여, 본 발명의 일 실시예에 따른 반사방지 구조체를 구성하는 실리콘산화물로 이루어진 반사방지층은 탄소/실리콘 강도가 약 0.09인 것으로 나타나 비교예에 비하여 탄소의 함량이 상대적으로 적음을 확인할 수 있다. 10A is a graph showing a cross-sectional TEM EDAX component analysis result for an anti-reflection layer constituting an anti-reflection structure according to a comparative example of the present invention, and FIG. 10B is an anti-reflection layer constituting an anti-reflection structure according to an embodiment of the present invention. It is a graph showing the results of cross-sectional TEM EDAX component analysis. Looking at this, the antireflection layer made of silicon oxide constituting the antireflection structure according to the comparative example of the present invention has a carbon / silicon strength of about 0.2, whereas the silicon oxide constituting the antireflection structure according to an embodiment of the present invention The anti-reflection layer made of carbon / silicon strength was found to be about 0.09, indicating that the carbon content was relatively small compared to the comparative example.
도 11은 본 발명의 비교예 및 실시예에 따른 반사방지 구조체에 대하여 내구성 테스트 전후의 투과도를 나타낸 그래프이다. 그래프에서, "Ref.Structure"항목은 본 발명의 비교예에 따른 반사방지 구조체에서 내구성 테스트을 진행하기 이전의 투과도를 나타낸 것이며, "After test(Ref.)"항목은 본 발명의 비교예에 따른 반사방지 구조체에서 내구성 테스트을 진행한 이후의 투과도를 나타낸 것이며, "New Structure"항목은 본 발명의 일 실시예에 따른 반사방지 구조체에서 내구성 테스트을 진행하기 이전의 투과도를 나타낸 것이며, "After test(New)"항목은 본 발명의 일 실시예에 따른 반사방지 구조체에서 내구성 테스트을 진행한 이후의 투과도를 나타낸 것이며, "Bare PET"항목은 반사방지층을 형성하기 이전의 베이스 기판에 대한 투과도를 나타낸 것이다. 11 is a graph showing transmittance before and after a durability test with respect to the anti-reflection structure according to Comparative Examples and Examples of the present invention. In the graph, the "Ref.Structure" item indicates the transmittance before the durability test is performed in the antireflection structure according to the comparative example of the present invention, and the "After test (Ref.)" Item reflects the reflection according to the comparative example of the present invention The transmittance after the durability test is performed on the prevention structure, and the “New Structure” item indicates the transmittance before the durability test is performed on the anti-reflection structure according to an embodiment of the present invention, and “After test (New)” The item shows the transmittance after the durability test in the anti-reflection structure according to an embodiment of the present invention, the "Bare PET" item shows the transmittance to the base substrate before forming the anti-reflection layer.
도 11을 참조하면, 본 발명의 비교예에 따른 반사방지 구조체가 내구성 테스트에 의하여 변화화는 투과도는 93.8에서 90.3으로 3.73% 감소하는 반면에, 본 발명의 실시예에 따른 반사방지 구조체가 내구성 테스트에 의하여 변화화는 투과도는 93.7에서 91.8로 2.03% 감소함을 확인할 수 있다. 즉, 본 발명의 실시예에 따른 반사방지 구조체는 비교예 보다 내구성 테스트에 따른 투과도의 감소가 상대적으로 작음을 확인할 수 있다. Referring to FIG. 11, the transmittance of the anti-reflective structure according to the comparative example of the present invention changed by the durability test is reduced by 3.73% from 93.8 to 90.3, while the anti-reflective structure according to the embodiment of the present invention is tested for durability. By the change, it can be seen that the transmittance decreases by 2.03% from 93.7 to 91.8. That is, the anti-reflection structure according to the embodiment of the present invention can be confirmed that the decrease in transmittance according to the durability test is relatively smaller than the comparative example.
도 12는 본 발명의 비교예 및 실시예에 따른 반사방지 구조체에 대하여 내구성 테스트 전후의 반사율을 나타낸 그래프이다. 그래프에서, "Ref.Structure"항목은 본 발명의 비교예에 따른 반사방지 구조체에서 내구성 테스트을 진행하기 이전의 반사율을 나타낸 것이며, "After test(Ref.)"항목은 본 발명의 비교예에 따른 반사방지 구조체에서 내구성 테스트을 진행한 이후의 반사율을 나타낸 것이며, "New Structure"항목은 본 발명의 일 실시예에 따른 반사방지 구조체에서 내구성 테스트을 진행하기 이전의 반사율을 나타낸 것이며, "After test(New)"항목은 본 발명의 일 실시예에 따른 반사방지 구조체에서 내구성 테스트을 진행한 이후의 반사율을 나타낸 것이며, "Bare PET"항목은 반사방지층을 형성하기 이전의 베이스 기판에 대한 반사율을 나타낸 것이다. 12 is a graph showing the reflectance before and after the durability test for the anti-reflection structure according to Comparative Examples and Examples of the present invention. In the graph, the "Ref.Structure" item indicates the reflectance before the durability test is performed in the antireflection structure according to the comparative example of the present invention, and the "After test (Ref.)" Item reflects the reflection according to the comparative example of the present invention Reflectance after the durability test is performed in the prevention structure, and “New Structure” refers to reflectance before the durability test is performed in the anti-reflection structure according to an embodiment of the present invention, and “After test (New)” The item shows the reflectance after the durability test in the antireflective structure according to an embodiment of the present invention, and the "Bare PET" item indicates the reflectance for the base substrate before forming the antireflection layer.
도 12를 참조하면, 본 발명의 비교예에 따른 반사방지 구조체가 내구성 테스트에 의하여 변화화는 반사율은 5.33에서 6.42로 20.5% 증가하는 반면에, 본 발명의 실시예에 따른 반사방지 구조체가 내구성 테스트에 의하여 변화화는 반사율은 5.07에서 5.68로 12.0% 증가함을 확인할 수 있다. 즉, 본 발명의 실시예에 따른 반사방지 구조체는 비교예 보다 내구성 테스트에 따른 반사율의 증가가 상대적으로 작음을 확인할 수 있다. Referring to Figure 12, the anti-reflection structure according to the comparative example of the present invention is changed by the durability test, the reflectance increases by 20.5% from 5.33 to 6.42, while the anti-reflection structure according to the embodiment of the present invention is a durability test By changing it, it can be seen that the reflectance increases by 12.0% from 5.07 to 5.68. That is, it can be confirmed that the antireflection structure according to the embodiment of the present invention has a relatively small increase in reflectivity according to the durability test than the comparative example.
본 발명은 도면에 도시된 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 다른 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것이다.Although the present invention has been described with reference to the embodiments shown in the drawings, these are merely exemplary, and those skilled in the art will understand that various modifications and equivalent other embodiments are possible therefrom. Therefore, the true technical protection scope of the present invention should be determined by the technical spirit of the appended claims.
1 : 베이스 기판
10 : 반사방지층의 제 1 영역
20 : 반사방지층의 제 2 영역
30 : 회전전극1: Base board
10: first region of the antireflection layer
20: second area of the antireflection layer
30: rotating electrode
Claims (17)
상기 베이스 기판 상에 제 1 영역과 제 2 영역으로 구성되는 반사방지층;을 포함하고,
상기 제 1 영역은 상기 베이스 기판의 측방향으로 연속적으로 연결된 막 구조를 형성하며, 상기 제 2 영역은 상기 제 1 영역 상에 형성된 복수의 기둥 구조를 가지는,
반사방지 구조체.Base substrate; And
It includes; an anti-reflection layer consisting of a first region and a second region on the base substrate;
The first region forms a film structure continuously connected in the lateral direction of the base substrate, and the second region has a plurality of pillar structures formed on the first region,
Anti-reflective structure.
상기 연속적으로 연결된 막 구조는 20 nm 내지 50 nm의 두께를 가지는, 반사방지 구조체.According to claim 1,
The continuously connected film structure has a thickness of 20 nm to 50 nm, antireflection structure.
상기 복수의 기둥 구조는 상기 베이스 기판의 측방항으로 소정의 거리로 이격되어 배치되는, 반사방지 구조체.According to claim 1,
The plurality of pillar structures are arranged to be spaced apart at a predetermined distance in a lateral direction of the base substrate, the anti-reflection structure.
상기 제 1 영역과 상기 제 2 영역의 접촉각은 70도 내지 90도의 범위를 가지는, 반사방지 구조체.According to claim 1,
The anti-reflection structure, wherein the contact angle between the first region and the second region has a range of 70 degrees to 90 degrees.
상기 제 1 영역과 상기 제 2 영역의 접촉각은 90도를 넘는 둔각을 가지는, 반사방지 구조체.According to claim 1,
The anti-reflection structure, wherein the contact angle between the first region and the second region has an obtuse angle greater than 90 degrees.
각각의 상기 기둥 구조가 상기 제 1 영역과 맞닿는 단면적의 최대 길이(A)와 상기 기둥 구조의 최대 높이(B)의 비(A/B)는 1 내지 2인, 반사방지 구조체.According to claim 1,
The ratio (A / B) of the maximum length (A) of the cross-sectional area where each of the pillar structures abuts the first region and the maximum height (B) of the pillar structure is 1 to 2, wherein the anti-reflective structure is formed.
상기 베이스 기판은 불소계 투명 폴리머, 아크릴계 투명 폴리머, 폴리에틸렌 테레프탈레이트계열 투명 폴리머, 폴리카보네이트, 폴리에틸렌 나프탈레이트, 폴리에테르설폰, 폴리시클로올레핀, CR39 및 폴리우레탄에서 선택된 적어도 어느 하나를 포함하는, 반사방지 구조체.According to claim 1,
The base substrate includes at least one selected from fluorine-based transparent polymer, acrylic-based transparent polymer, polyethylene terephthalate-based transparent polymer, polycarbonate, polyethylene naphthalate, polyethersulfone, polycycloolefin, CR39, and polyurethane. .
상기 반사방지층은 회전전극을 사용하는 상압플라즈마 CVD 공정으로 형성된 실리콘산화물로 이루어진, 반사방지 구조체.According to claim 1,
The anti-reflection layer is made of silicon oxide formed by an atmospheric pressure plasma CVD process using a rotating electrode.
상기 제 1 영역과 상기 제 2 영역은 경계에서 계면을 형성하지 않으면서 일체를 이루는 동일한 물질로 이루어진, 반사방지 구조체.The method according to any one of claims 1 to 8,
The first region and the second region are made of the same material that is integral without forming an interface at the boundary, the antireflection structure.
상기 제 1 영역과 상기 제 2 영역은 경계에서 계면을 형성하면서 동일한 물질로 이루어진, 반사방지 구조체.The method according to any one of claims 1 to 8,
The first region and the second region are made of the same material while forming an interface at the boundary, the anti-reflection structure.
상기 제 1 영역과 상기 제 2 영역은 경계에서 계면을 형성하면서 서로 상이한 물질로 이루어진, 반사방지 구조체.The method according to any one of claims 1 to 8,
The first region and the second region are made of a material different from each other while forming an interface at the boundary, the antireflection structure.
상기 베이스 기판 상에 제 1 영역과 제 2 영역으로 구성되는 반사방지층을 형성하는 단계;를 포함하고,
상기 제 1 영역은 상기 베이스 기판의 측방향으로 연속적으로 연결된 막 구조를 형성하며, 상기 제 2 영역은 상기 제 1 영역 상에 형성된 복수의 기둥 구조를 가지는,
반사방지층 구조체의 제조방법.Preparing a base substrate; And
And forming an anti-reflection layer composed of a first region and a second region on the base substrate.
The first region forms a film structure continuously connected in the lateral direction of the base substrate, and the second region has a plurality of pillar structures formed on the first region,
Method for manufacturing anti-reflection layer structure.
상기 연속적으로 연결된 막 구조는 20 nm 내지 50 nm의 두께를 가지는, 반사방지층 구조체의 제조방법.The method of claim 12,
The continuously connected film structure has a thickness of 20 nm to 50 nm, a method of manufacturing an antireflection layer structure.
상기 제 1 영역과 제 2 영역으로 구성되는 반사방지층을 형성하는 단계;는
회전전극을 사용하는 상압플라즈마 CVD 공정으로 형성된 실리콘산화물로 이루어진 상기 제 1 영역을 형성하는 단계; 및
회전전극을 사용하는 상압플라즈마 CVD 공정으로 형성된 실리콘산화물로 이루어진 상기 제 2 영역을 형성하는 단계;
를 포함하는, 반사방지층 구조체의 제조방법. The method of claim 12,
Forming an anti-reflection layer composed of the first region and the second region;
Forming the first region made of silicon oxide formed by an atmospheric pressure plasma CVD process using a rotating electrode; And
Forming the second region made of silicon oxide formed by an atmospheric pressure plasma CVD process using a rotating electrode;
Manufacturing method of the anti-reflection layer structure comprising a.
상기 제 1 영역과 제 2 영역으로 구성되는 반사방지층을 형성하는 단계;는
회전전극을 사용하는 상압플라즈마 CVD 공정으로 상기 제 1 영역을 형성하는 단계; 및
회전전극을 사용하는 상압플라즈마 CVD 공정으로 상기 제 2 영역을 형성하는 단계;
를 포함하는, 반사방지층 구조체의 제조방법. The method of claim 12,
Forming an anti-reflection layer composed of the first region and the second region;
Forming the first region by an atmospheric pressure plasma CVD process using a rotating electrode; And
Forming the second region by an atmospheric pressure plasma CVD process using a rotating electrode;
Manufacturing method of the anti-reflection layer structure comprising a.
상기 제 1 영역과 제 2 영역으로 구성되는 반사방지층을 형성하는 단계;는
스퍼터링 공정으로 형성된 실리콘산화물로 이루어진 상기 제 1 영역을 형성하는 단계; 및
회전전극을 사용하는 상압플라즈마 CVD 공정으로 형성된 실리콘산화물로 이루어진 상기 제 2 영역을 형성하는 단계;
를 포함하는, 반사방지층 구조체의 제조방법. The method of claim 12,
Forming an anti-reflection layer composed of the first region and the second region;
Forming the first region made of silicon oxide formed by a sputtering process; And
Forming the second region made of silicon oxide formed by an atmospheric pressure plasma CVD process using a rotating electrode;
Manufacturing method of the anti-reflection layer structure comprising a.
상기 제 1 영역과 제 2 영역으로 구성되는 반사방지층을 형성하는 단계;는
스퍼터링 공정으로 상기 제 1 영역을 형성하는 단계; 및
회전전극을 사용하는 상압플라즈마 CVD 공정으로 상기 제 2 영역을 형성하는 단계;
를 포함하는, 반사방지층 구조체의 제조방법.
The method of claim 12,
Forming an anti-reflection layer composed of the first region and the second region;
Forming the first region by a sputtering process; And
Forming the second region by an atmospheric pressure plasma CVD process using a rotating electrode;
Manufacturing method of the anti-reflection layer structure comprising a.
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