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KR102097539B1 - Display device with metal mesh and method for manufacturing the same - Google Patents

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KR102097539B1
KR102097539B1 KR1020180101745A KR20180101745A KR102097539B1 KR 102097539 B1 KR102097539 B1 KR 102097539B1 KR 1020180101745 A KR1020180101745 A KR 1020180101745A KR 20180101745 A KR20180101745 A KR 20180101745A KR 102097539 B1 KR102097539 B1 KR 102097539B1
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copper
metal mesh
display device
copper film
polymer substrate
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이대훈
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Abstract

본 발명의 메탈 메쉬를 포함하는 디스플레이 소자는 패터닝된 감광성 수지와 구리막과의 높은 밀착력으로 인해 구리막의 에칭(etching) 시 언더컷(under-cut) 요인이 제거되고, 미세하고(<10㎛) 정밀한 메탈 메쉬의 패턴 형성이 가능하다.The display element including the metal mesh of the present invention, due to the high adhesion between the patterned photosensitive resin and the copper film, the undercut factor during etching of the copper film is removed, and fine (<10 μm) and precision Metal mesh pattern can be formed.

Description

메탈 메쉬가 형성된 디스플레이 소자 및 그 제조방법{Display device with metal mesh and method for manufacturing the same} Display device with metal mesh and method for manufacturing the same

본 발명은 메탈 메쉬가 형성된 디스플레이 소자 및 그 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 패터닝된 감광성 수지와 구리막과의 높은 밀착력으로 인해 구리막의 에칭(etching) 시 언더컷(under-cut) 요인이 제거되고, 미세하고(<10㎛) 정밀한 메탈 메쉬의 패턴 형성이 가능한 메탈 메쉬가 형성된 디스플레이 소자 및 그 제조방법에 관한 것이다. The present invention relates to a display device formed with a metal mesh and a method for manufacturing the same, and more specifically, an under-cut factor is removed during etching of the copper film due to high adhesion between the patterned photosensitive resin and the copper film. The present invention relates to a display device having a metal mesh capable of forming fine (<10 μm) and fine metal mesh patterns and a manufacturing method thereof.

최근 네이게이션, 스마트폰과 같이 소형 디스플레이 장치가 구비된 전자기기의 사용이 확대되면서 터치 스크린 패널과 같은 입력수단이 구비된 디스플레이 소자가 널리 이용되고 있다.2. Description of the Related Art Recently, as the use of electronic devices equipped with a small display device such as a navigation device or a smart phone is expanded, display devices equipped with input means such as a touch screen panel are widely used.

터치 스크린 패널(touch screen panel, TSP)은 손 또는 터치펜 등을 이용하여 컴퓨터를 제어할 수 있는 입력수단이 구비된 전자소자이다. 터치 스크린 패널은 압력을 감지하는 저항막 방식, 전하의 이동을 감지하는 정전용량 방식 등이 있고, 제조원가를 절감하고 입력 오류를 최소화하기 위한 다양한 구조와 제조방법에 관한 기술이 개발되고 있다.A touch screen panel (TSP) is an electronic device equipped with an input means for controlling a computer using a hand or a touch pen. The touch screen panel includes a resistive film method that senses pressure, a capacitive method that senses the movement of charges, and techniques for various structures and manufacturing methods have been developed to reduce manufacturing cost and minimize input errors.

터치 스크린 패널은 윈도우 기판, 블랙매트릭스층, 투명도전층, 금속전극층, 프라이머층 등으로 구성되어 있는 것이 일반적이며, 먼저 윈도우 기판에 블랙매트릭스층, 투명도전층, 금속전극층을 순차적으로 형성하고, 프라이머를 이용하여 디스플레이 기판에 터치 스크린 패널을 결합하는 순서로 진행된다. 이 중에서 투명 전극 소재로서는 인듐 틴 옥사이드(ITO) 박막을 사용하는 것이 주종을 이루고 있다.The touch screen panel is generally composed of a window substrate, a black matrix layer, a transparent conductive layer, a metal electrode layer, and a primer layer. First, a black matrix layer, a transparent conductive layer, and a metal electrode layer are sequentially formed on a window substrate, and a primer is used. By proceeding in the order of bonding the touch screen panel to the display substrate. Among them, the use of an indium tin oxide (ITO) thin film as a transparent electrode material has become the main type.

이러한 인듐 틴 옥사이드 소재는 투과도나 전기적 특성 등은 우수하지만, 희토류 금속을 사용하므로 수급이 원활하지 않고, 고가이며, 굴곡성이 없어 유연한 재료로는 사용할 수 없는 단점이 있다.The indium tin oxide material has excellent transmittance and electrical properties, but since it uses a rare earth metal, it has a disadvantage that it cannot be used as a flexible material because it is not smoothly supplied, expensive, and has no flexibility.

따라서 기존에 많이 사용하고 있는 인듐 틴 옥사이드를 대체하기 위하여 은나노와이어, 탄소나노튜브, 그래핀, 산화아연 등의 투명 전극 소재에 대해 많은 연구를 하고 있으며, 메탈 메쉬처럼 다른 방법을 이용한 투명 전극층도 일부 사용되고 있다. 이처럼 투명 전극 소재에서 인듐 틴 옥사이드 필름을 대체할 것으로 기대되는 메탈 메쉬는 은(Ag) 이나 구리(Cu) 등의 금속을 사용하므로 저항값이 낮은 장점이 있으나, 투과도가 낮은 단점도 병존한다.Therefore, in order to replace the indium tin oxide that is frequently used, many researches have been conducted on transparent electrode materials such as silver nanowires, carbon nanotubes, graphene, and zinc oxide, and some transparent electrode layers using other methods such as metal mesh are also used. Is being used. The metal mesh, which is expected to replace the indium tin oxide film in the transparent electrode material, uses metals such as silver (Ag) or copper (Cu), so it has an advantage of low resistance, but also has a disadvantage of low permeability.

메탈 메쉬는 PET 필름 등의 투명 소재 위에 금속을 직교 형태로 눈에 보이지 않을 만큼 수 ㎛ 정도로 매우 미세하게 입혀 전극 필름을 제작하는데 기존의 투명 전극 소재인 인듐 틴 옥사이드를 대체할 수 있어 가격 경쟁력을 확보할 수 있다. 또한 기존의 인듐 틴 옥사이드의 크랙 특성으로 인해 적용할 수 없었던 플렉서블 디스플레이(flexible display)용 터치 스크린 패널에 적용이 가능하다.The metal mesh is coated on a transparent material such as a PET film in an orthogonal form and coated very finely to several micrometers invisibly to make the electrode film. It can replace the existing transparent electrode material, indium tin oxide, securing price competitiveness. can do. In addition, it can be applied to a touch screen panel for a flexible display (flexible display) that could not be applied due to the crack characteristics of the existing indium tin oxide.

현재까지는 중대형 제품에 주로 적용되고 있는 메탈 메쉬 기술에 대하여 회로 폭을 5㎛ 이하로 미세화하는 공정이 개발됨에 따라 모바일 제품에 적용할 수 있는 가능성이 높아졌으며, 향후 터치 스크린 패널 시장에서 폭발적인 성장이 기대된다.As the process of miniaturizing the circuit width to 5 µm or less has been developed for the metal mesh technology mainly applied to mid-to-large products so far, the possibility of application to mobile products has increased, and explosive growth is expected in the future touch screen panel market. do.

터치 스크린패널용 메탈메쉬는 일반적으로 PET 필름 상에 스퍼터링이나, 전사 또는 도금 등의 방법으로 구리(Cu), 은(Ag) 등의 금속층을 형성시킨 후 적용 제품에 맞는 패턴을 구현하고 현상, 에칭 및 박리 공정을 통해 제작한다. 메탈메쉬 의 제조방법에 대한 선행 기술로는 대한민국 등록특허 제10-1447927호, 대한민국 등록특허 제10-1671169호가 있다.Metal meshes for touch screen panels are generally sputtering on PET films, or forming metal layers, such as copper (Cu) and silver (Ag), by transfer or plating, and then implement patterns suitable for the applied product and develop and etch. And a peeling process. Prior art for a method of manufacturing a metal mesh is Korean Patent Registration No. 10-1447927, Korean Patent Registration No. 10-1671169.

본 발명이 해결하고자 하는 첫 번째 과제는 감광성 물질과의 높은 밀착력으로 인해 에칭(etching) 시 언더컷(under-cut) 요인이 제거되고, 미세하고(<10㎛) 정밀한 패턴 형성이 가능한 메탈 메쉬를 포함하는 디스플레이 소자를 제공하는 것이다.The first problem to be solved by the present invention is a metal mesh capable of forming a fine (<10 μm) and fine pattern by removing under-cut factors during etching due to high adhesion with a photosensitive material. It is to provide a display device.

본 발명이 해결하고자 하는 두 번째 과제는 상기 디스플레이 소자의 제조방법을 제공하는 것이다.The second problem to be solved by the present invention is to provide a method for manufacturing the display device.

본 발명은 상기 첫 번째 해결과제를 해결하기 위하여 고분자 기판; 및 상기 고분자 기판 위에 위치하며, 무전해 구리 도금 방법을 이용하여 형성된 복수의 결정 형태의 돌기를 갖는 구리막;을 포함하는 메탈 메쉬가 형성된 디스플레이 소자를 제공한다.The present invention is a polymer substrate to solve the first problem; And a copper film positioned on the polymer substrate and having a plurality of crystalline forms of protrusions formed using an electroless copper plating method.

본 발명의 일 구현예에 따르면, 상기 결정 형태의 돌기는 하부의 폭이 상부의 폭보다 넓은 형상일 수 있다.According to the exemplary embodiment of the present invention, the protrusion of the crystal form may have a shape in which the width of the lower portion is wider than the width of the upper portion.

본 발명의 다른 구현예에 따르면, 상기 결정 형태의 돌기는 다각형 뿔 형태로 이루어질 수 있다.According to another embodiment of the present invention, the crystal-shaped protrusions may be formed in a polygonal horn shape.

본 발명의 또 다른 구현예에 따르면, 상기 결정 형태의 돌기는 표면 조도 Ra가 100 nm 이하의 구리 결정일 수 있다.According to another embodiment of the present invention, the protrusion of the crystal form may be a copper crystal having a surface roughness Ra of 100 nm or less.

본 발명은 상기 두 번째 해결과제를 해결하기 위하여 고분자 기판을 제공하는 단계; 상기 고분자 기판에 무전해 도금을 위한 전처리를 수행하는 단계; 상기 전처리된 고분자 기판의 표면에 복수의 결정 형태의 돌기를 가지는 구리막을 형성하는 단계; 상기 복수의 결정 형태의 돌기를 가지는 구리막 위에 감광층을 형성하는 단계; 상기 감광층을 소정의 패턴을 가지는 마스크로 노광하여 마스크층을 형성하는 단계; 및 상기 마스크층을 이용하여 상기 복수의 결정 형태의 돌기를 가지는 구리막을 선택적으로 제거하는 단계;를 포함하는 메탈 메쉬를 포함하는 디스플레이 소자의 제조방법을 제공한다.The present invention provides a polymer substrate to solve the second problem; Performing a pretreatment for electroless plating on the polymer substrate; Forming a copper film having a plurality of crystalline projections on the surface of the pretreated polymer substrate; Forming a photosensitive layer on the copper film having protrusions of the plurality of crystal forms; Forming a mask layer by exposing the photosensitive layer with a mask having a predetermined pattern; And selectively removing the copper film having the plurality of crystalline forms of protrusions by using the mask layer. The present invention provides a method of manufacturing a display device including a metal mesh.

본 발명의 또 다른 구현예에 따르면, 상기 결정 형태의 돌기는 하부의 폭이 상부의 폭보다 넓은 형상일 수 있다.According to another embodiment of the present invention, the protrusion of the crystalline form may have a shape in which the width of the lower portion is wider than the width of the upper portion.

본 발명의 또 다른 구현예에 따르면, 상기 결정 형태의 돌기는 다각형 뿔 형태로 이루어질 수 있다.According to another embodiment of the present invention, the crystal-shaped protrusions may be formed in a polygonal horn shape.

본 발명은 고분자 기판 표면에 복수의 결정 형태의 돌기를 갖는 구리막을 포함하여 고분자 기판 표면에 균일한 조도를 가지는 미세 조직이 형성되어 있고, 패터닝된 감광성 수지와 구리막과의 높은 밀착력으로 인해 구리막의 에칭(etching) 시 언더컷(under-cut) 요인이 제거되어, 미세하고(<10㎛) 정밀한 패턴 형성이 가능한 메탈 메쉬가 형성된 디스플레이 소자 및 이의 제조방법을 제공할 수 있다. The present invention is formed of a microstructure having a uniform roughness on the surface of the polymer substrate, including a copper film having a plurality of crystalline forms of projections on the surface of the polymer substrate, and due to the high adhesion between the patterned photosensitive resin and the copper film, the copper film It is possible to provide a display device having a metal mesh capable of forming a fine (<10 μm) and fine pattern by removing an under-cut factor during etching, and a method for manufacturing the same.

도 1은 본 발명의 메탈 메쉬가 형성된 디스플레이 소자의 제조방법을 설명하기 위한 도면이다.
도 2는 실시예 및 비교예의 메탈 메쉬의 광학현미경 사진이다.
도 3은 본 발명의 일 구현예에 따라 형성된 디스플레이 소자의 표면에 형성된 복수의 결정 형태의 돌기를 갖는 구리막의 표면 사진이다.
도 4는 본 발명의 일 구현예에 따라 형성된 구리막과 일반 화학동 도금법에 의해 형성된 구리막의 조도 대비 사진이다.
1 is a view for explaining a method of manufacturing a display device formed with a metal mesh of the present invention.
2 is an optical microscope photograph of a metal mesh of Examples and Comparative Examples.
3 is a photograph of the surface of a copper film having a plurality of crystalline projections formed on a surface of a display device formed according to an embodiment of the present invention.
Figure 4 is a contrast picture of the roughness of the copper film formed by the general chemical copper plating method and the copper film formed according to an embodiment of the present invention.

이하 설명하는 기술은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 실시예를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 상세하게 설명한다. 하지만 본 발명을 특정한 실시 형태로 한정하려는 것은 아니며, 후술하는 기술의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함한다.The technique described below may be applied to various changes and may have various embodiments, and specific embodiments will be illustrated in the drawings and described in detail. However, the present invention is not intended to be limited to specific embodiments, and includes all modifications, equivalents, and substitutes included in the spirit and scope of the technology described below.

본 명세서에서 사용하는 용어 "복수의 결정 형태의 돌기"는 이에 한정하는 것은 아니나 부정형의 다각형 뿔 형태로 이루어질 수 있고, 여기서 다각형 뿔이란 삼각뿔, 사각뿔, 오각뿔, 육각뿔 등에 원뿔을 포함하여 지칭한다. 도면에서 상기 결정 형태의 돌기는 하부의 폭이 상부의 폭보다 넓은 형상을 도시하지만 구조와 배열을 이에 한정하는 것은 아니며, 필요에 따라서는 상기 다각형 뿔 형태 중 적어도 어느 두 개가 혼합된 복합 형태를 갖는 것일 수 있다. 본 명세서에서 사용하는 용어 “조도”는 달리 특정하지 않는 한 표면조도 Ra로 측정된 값을 지칭한다. 본 명세서에 사용하는 용어 "구리막"은 구리결정층, 구리층과 같은 의미로 사용될 수 있다. 본 명세서에서 사용하는 용어 "디스플레이 소자"는 인쇄회로기판, 연성인쇄회로기판을 의미할 수 있다.As used herein, the term "protrusion of a plurality of crystal forms" may include, but is not limited to, an inverted polygonal horn shape, wherein the polygonal horn refers to a triangular pyramid, a square pyramid, a pentagonal pyramid, a hexagonal cone, and the like. In the drawing, the projections of the crystalline form show a shape in which the width of the lower portion is wider than the width of the upper portion, but the structure and arrangement are not limited thereto, and if necessary, at least any two of the polygonal horn shapes have a mixed shape. May be As used herein, the term “roughness” refers to a value measured by surface roughness Ra unless otherwise specified. The term "copper film" used in this specification may be used in the same sense as a copper crystal layer or a copper layer. The term "display element" used in the present specification may mean a printed circuit board or a flexible printed circuit board.

본 발명은 고분자 기판, 상기 고분자 기판 위에 위치하며, 무전해 구리 도금 방법을 이용하여 형성된 복수의 결정 형태의 돌기를 갖는 구리막을 포함하는 메탈 메쉬가 형성된 디스플레이 소자를 제공한다. The present invention provides a display device formed on a polymer substrate, a metal mesh including a copper film having a plurality of crystalline projections formed on the polymer substrate and formed using an electroless copper plating method.

본 발명의 메탈 메쉬가 형성된 디스플레이 소자는 터치 스크린 센서에 이용되는 것으로서, 인듐 틴 옥사이드 박막을 이용한 기존의 투명 전극을 대체할 수 있고, 도금 방법에 의하여 제조되므로 제조비용을 절감할 수 있다. 또한, 분자 기판 표면에 복수의 결정 형태의 돌기를 갖는 구리막을 포함하여 표면에 균일한 조도 및 미세 조직이 형성되어, 감광성 물질과의 높은 밀착력으로 인해 에칭(etching) 시 언더컷(under-cut) 요인이 제거되고, 미세하고(<10㎛) 정밀한 회로 형성이 가능하다. The display device formed with the metal mesh of the present invention is used for a touch screen sensor, and can replace an existing transparent electrode using an indium tin oxide thin film, and is manufactured by a plating method, thereby reducing manufacturing cost. In addition, a uniform roughness and a microstructure are formed on the surface of the molecular substrate, including a copper film having a plurality of crystal-shaped protrusions, and under-cut factors during etching due to high adhesion with a photosensitive material. This is eliminated, and fine (<10 μm) and precise circuit formation is possible.

상기 복수의 결정 형태의 돌기는 하부의 폭이 상부의 폭보다 넓은 형상일 수 있는데, 이러한 형상을 구비함에 따라 고분자 기판과의 개선된 밀착력을 제공하게 된다. 또한, 상기 돌기는 다각형 뿔 형태로 이루어질 수 있으며, 예를 들어 삼각뿔, 사각뿔, 오각뿔, 육각뿔, 원뿔 등일 수 있으며, 다양하게 혼합된 형태일 수도 있고, 배열은 다양하게 변형될 수 있다. 본 발명의 구리막은 복수의 결정 형태의 구리시드들이 돌기의 형태로 연속적으로 형성된 것이다. 구리막의 표면이 돌기의 형태로 형성되기 때문에 표면적이 넓어져 감광성 물질과의 접착력이 매우 우수하다. 이에 따라, 에칭(etching) 시 언더컷(under-cut) 요인이 제거되고, 미세하고(<10㎛) 정밀한 회로 형성이 가능하다. 상기 복수의 결정 형태의 돌기는 표면 조도 Ra가 100 nm 이하의 구리 결정일 수 있다. 상기 조도 Ra는 가급적 1.00 ㎛ 이하, 0.66 ㎛ 이하, 혹은 0.30 ㎛ 이하로 관리되는 것이 좋다. 하한치는 이에 특정하는 것은 아니나, 0.01 ㎛ 이상, 0.05 ㎛ 이상, 혹은 0.10 ㎛ 이상으로 관리되는 것이 최소한도의 밀착력 제공을 고려할 때 바람직하다.The protrusions of the plurality of crystal forms may have a shape in which the width of the lower portion is wider than the width of the upper portion, thereby providing improved adhesion to the polymer substrate. Further, the protrusion may be formed in a polygonal horn shape, for example, triangular pyramid, square pyramid, pentagonal pyramid, hexagonal pyramid, conical, etc., may be variously mixed, and the arrangement may be variously modified. The copper film of the present invention is one in which a plurality of crystalline copper seeds are continuously formed in the form of protrusions. Since the surface of the copper film is formed in the form of a projection, the surface area is wide and the adhesion with the photosensitive material is very excellent. Accordingly, an under-cut factor is removed during etching, and fine (<10 μm) and precise circuit formation is possible. The protrusions of the plurality of crystal forms may be copper crystals having a surface roughness Ra of 100 nm or less. Preferably, the roughness Ra is managed to be 1.00 μm or less, 0.66 μm or less, or 0.30 μm or less. The lower limit is not particularly specified, but it is preferable to consider the provision of the minimum adhesive force to be managed at 0.01 µm or more, 0.05 µm or more, or 0.10 µm or more.

상기 고분자 기판은 PC(polycarbonate), PET(poly ethylene telephthalate), PEN(poly ethylene naphthalate), PES(polyether sulfone), PMMA(poly methyl methacrlate), PAR(polyarylate) 및 PI(polyimide)로 이루어진 군으로부터 선택된 1종일 수 있다. The polymer substrate is selected from the group consisting of PC (polycarbonate), PET (polyethylene telephthalate), PEN (polyethylene naphthalate), PES (polyether sulfone), PMMA (poly methyl methacrlate), PAR (polyarylate) and PI (polyimide). It can be one.

도 1은 본 발명의 메탈 메쉬가 형성된 디스플레이 소자의 제조방법을 설명하기 위한 도면이다. 도 1을 참조하여 본 발명의 디스플레이 소자의 제조방법을 설명한다. 먼저 첫 번째 단계 (가)로 고분자 기판(101)을 준비한다. 고분자 기판(101)은 PC(polycarbonate), PET(poly ethylene telephthalate), PEN(poly ethylene naphthalate), PES(polyether sulfone), PMMA(poly methyl methacrlate), PAR(polyarylate) 및 PI(polyimide)로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상일 수 있다. 1 is a view for explaining a method of manufacturing a display device formed with a metal mesh of the present invention. A manufacturing method of the display device of the present invention will be described with reference to FIG. 1. First, the polymer substrate 101 is prepared in the first step (a). The polymer substrate 101 is a group consisting of PC (polycarbonate), PET (polyethylene telephthalate), PEN (polyethylene naphthalate), PES (polyether sulfone), PMMA (poly methyl methacrlate), PAR (polyarylate) and PI (polyimide) It may be one or more selected from.

두 번째 단계 (나)로 고분자 기판(101)에 무전해 도금을 위한 전처리를 수행하여 전처리층(102)를 형성한다. 상기 전처리로 프리딥, 촉매 처리 및 환원처리를 수행할 수 있다. 본 발명은 접착제를 이용하지 않고, 열 압착 등 물리적인 압력 없이도 고분자 기판에 구리막을 형성시킬 수 있으며 상호간의 밀착력도 매우 우수하다. 이를 위해서는 전처리가 필수적으로 수행되어져야 한다. 전처리 단계가 생략될 경우 고분자 기판과 구리막의 밀착력이 저하된다. 상기 프리딥, 촉매 처리 및 환원 처리는 연속된 공정일 수 있다. 예를 들어 프리-딥은 이후 촉매 용액의 오염을 방지하고 보다 효과적으로 Pd 흡착이 될 수 있도록 수행될 수 있다. 또한, 촉매 처리는 화학동도금 공정을 위해 표면에 균일한 Pd 입자를 흡착시키는 것으로 Pd 흡착 효율이 우수한 촉매 용액을 사용하는 것이 바람직하다. 또한, 환원처리는 상기 촉매 처리 시 흡착된 Pd 이온을 Pd로 석출시켜 화학동 공정 중 이온화 경향차를 이용한 구리 도금을 시키기 위한 활성화작업일 수 있다.In the second step (B), a pretreatment for electroless plating is performed on the polymer substrate 101 to form a pretreatment layer 102. Pre-dipping, catalytic treatment, and reduction treatment may be performed as the pretreatment. The present invention can form a copper film on a polymer substrate without using an adhesive and without physical pressure such as thermal compression, and also has excellent adhesion between each other. For this, pre-treatment must be performed. If the pretreatment step is omitted, the adhesion between the polymer substrate and the copper film is reduced. The pre-dip, catalytic treatment and reduction treatment may be a continuous process. For example, the pre-dip can then be performed to prevent contamination of the catalyst solution and more effectively to adsorb Pd. In addition, the catalytic treatment adsorbs uniform Pd particles on the surface for the chemical copper plating process, and it is preferable to use a catalyst solution having excellent Pd adsorption efficiency. In addition, the reduction treatment may be an activation operation for depositing Pd ions adsorbed during the catalyst treatment to Pd to perform copper plating using an ionization tendency difference during the chemical copper process.

세 번째 단계 (다)로 상기 전처리된 고분자 기판 표면에 복수의 결정 형태의 돌기를 가지는 구리막(103)을 형성한다. 상기 구리막은 고분자 기판을 도금액 조성물 중에 침지하거나 도금액 조성물을 분무하여 수행될 수 있으나, 해당 도금 단계는 통상적인 도금 시간 및 온도를 적용할 수 있다. 도금액 조성물은 고분자 기판 표면에 구리시드를 형성할 수 있는 최소한의 구리 성분과, 이들 구리성분을 시드로 하여 표면에 복수의 돌기 형태를 제공할 정도로 확산시킬 수 있는 질소계 성분을 포함할 수 있다. 상기 구리 성분은 고분자 기판 표면에 구리 시드를 형성하면서 동시에 함께 투입되는 질소계 성분에 의해 시드를 성장시키도록 상기 질소계 성분과 상호 반응력을 갖는 성분일 수 있다. 상기 구리 성분은 황산구리, 염화구리, 질산구리, 수산화구리 또는 구리 설파메이트에서 선택된 것일 수 있고, 상기 질소계 성분은 5환 또는 6환의 질소계 성분일 수 있다. 상기 5환 또는 6환의 질소계 성분은 퓨린계 화합물, 피리다진, 메틸피페리딘, 1,2-디-(2-피리딜)에틸렌, 1,2-디-(피리딜)에틸렌, 2,2'-디피리딜아민, 2,2'-비피리딜, 2,2'-비피리미딘, 6,6'-디메틸-2,2'-디피리딜, 디-2-피릴케톤, N,N,N',N'-테트라에틸렌디아민, 나프탈렌, 1,8-나프티리딘, 1,6-나프티리딘, 테트라티아푸르발렌, 터피리딘, 프탈산, 이소프탈산 및 2,2'-디벤조산 중에서 선택된 1종 이상일 수 있다. 상기 구리 성분은 구리 이온 농도를 적어도 0.5 g/L, 바람직하게는 1 g/L 내지 30 g/L, 더욱 바람직하게는 1 g/L 내지 20 g/L의 양으로 제공하도록 무전해 도금 적층체를 제공하기 위하여 투입되는 도금 조성물에 포함될 수 있다. 또한 고분자 표면에 구리 시드를 형성한 다음 이를 성장시키는 반응의 효율성을 고려할 때 필요에 따라 소량으로 나누어 적절히 분할 투입하거나 반응시간 도중 연속 투입하는 것도 바람직할 수 있다. 상기 5환 또는 6환의 질소계 성분은 0.01 ppm 내지 1000 ppm, 바람직하게는 0.05 ppm 내지 10 ppm의 양으로 도금액 조성물에 포함될 수 있다. 상기와 같이 형성된 복수의 결정 형태의 돌기는 하부의 폭이 상부의 폭보다 넓은 형상일 수 있는데, 이러한 형상을 구비함에 따라 고분자 기판과의 개선된 밀착력을 제공하게 된다. 또한, 상기 돌기는 다각형 뿔 형태로 이루어질 수 있으며, 예를 들어 삼각뿔, 사각뿔, 오각뿔, 육각뿔, 원뿔 등일 수 있으며, 다양하게 혼합된 형태일 수도 있고, 배열은 다양하게 변형될 수 있다. 또한, 상기 복수의 결정 형태의 돌기는 표면 조도 Ra가 100 nm 이하의 구리 결정일 수 있다. 상기 복수의 결정 형태의 돌기를 갖는 구리막은 균일하고 미세한 조도를 가져 이후 감광성 물질과의 접착력이 증대된다. In the third step (c), a copper film 103 having a plurality of crystalline projections is formed on the surface of the pretreated polymer substrate. The copper film may be performed by immersing the polymer substrate in the plating solution composition or spraying the plating solution composition, but the plating step may apply a typical plating time and temperature. The plating solution composition may include a minimum copper component capable of forming a copper seed on the surface of the polymer substrate, and a nitrogen-based component capable of diffusing the copper component as a seed so as to provide a plurality of protrusions on the surface. The copper component may be a component having a mutual reaction force with the nitrogen-based component so as to form a copper seed on the surface of the polymer substrate and to simultaneously grow the seed by the nitrogen-based component. The copper component may be selected from copper sulfate, copper chloride, copper nitrate, copper hydroxide or copper sulfamate, and the nitrogen-based component may be a 5- or 6-ring nitrogen-based component. The 5 or 6 ring nitrogen-based component is a purine-based compound, pyridazine, methylpiperidine, 1,2-di- (2-pyridyl) ethylene, 1,2-di- (pyridyl) ethylene, 2, 2'-dipyridylamine, 2,2'-bipyridyl, 2,2'-bipyrimidine, 6,6'-dimethyl-2,2'-dipyridyl, di-2-pyrylketone, N, N, N ', N'-tetraethylenediamine, naphthalene, 1,8-naphthyridine, 1,6-naphthyridine, tetrathiafurvalene, terpyridine, phthalic acid, isophthalic acid and 2,2'-dibenzoic acid It may be one or more selected from. The copper component is electroless plated to provide a copper ion concentration in an amount of at least 0.5 g / L, preferably 1 g / L to 30 g / L, more preferably 1 g / L to 20 g / L. It may be included in the plating composition is introduced to provide. In addition, when considering the efficiency of a reaction for forming a copper seed on a polymer surface and then growing it, it may be desirable to divide it into small amounts as necessary, and to input it appropriately or continuously during the reaction time. The 5 or 6 ring nitrogen-based component may be included in the plating solution composition in an amount of 0.01 ppm to 1000 ppm, preferably 0.05 ppm to 10 ppm. The protrusions of the plurality of crystalline forms formed as described above may have a shape in which the width of the lower portion is wider than the width of the upper portion, thereby providing improved adhesion to the polymer substrate. In addition, the protrusion may be formed in the form of a polygonal horn, for example, triangular pyramid, square pyramid, pentagonal pyramid, hexagonal pyramid, cone, etc., may be of various mixed forms, the arrangement may be variously modified. Further, the protrusions of the plurality of crystal forms may be copper crystals having a surface roughness Ra of 100 nm or less. The copper film having a plurality of projections in the form of crystals has a uniform and fine roughness, and thereafter, adhesion to a photosensitive material is increased.

한편, 상기 도금은 기판상의 어떤 금속 클래딩도 부식되지 않도록 알칼리 환경에서 수행되는 것이 바람직하다. 상기 도금액 조성물은 킬레이트제, pH 조절제 또는 환원제를 더욱 포함할 수 있다. 상기 킬레이트제는 예를 들어 카복실산과 같은 유기산 및 그의 염을 포함하나, 이에 한정되지 않는다. 이러한 카복실산은 타르타르산, 시트르산, 아세트산, 말산, 말론산, 아스코르브산, 옥살산, 락트산, 숙신산 및 그의 염을 포함하나, 이에 한정되지 않는다. 상기 염은 유기산의 알칼리 금속염, 예를 들어 포타슘 소듐 타르트레이트 및 디포타슘 타르트레이트를 포함하는 로셸 염을 포함한다. 킬레이트제는 또한 히단토인 및 히단토인 유도체, 예를 들어 1-메틸히단토인, 1,3-디메틸히단토인 및 5,5-디메틸히단토인, 니트릴로아세트산 및 그의 알칼리 금속 염, 트리에탄올아민, 에틸렌디아민테트라아세트산 (EDTA) 및 그의 알칼리 금속 염, 예를 들어 테트라소듐 에틸렌디아민테트라아세테이트, 개질된 에틸렌 디아민 테트라아세트산, 예를 들어 N-하이드록시에틸렌디아민 트리아세테이트, 하이드록시알킬 치환된 디알칼리성 트리아민, 예를 들어 펜타하이드록시 프로필디에틸렌트리아민 및 N,N-디카복시메틸 L-글루탐산 테트라소듐 염으로 이루어진 그룹에서 선택되는 1종 이상을 포함할 수 있다. 바람직하게는, 상기 킬레이트제는 로셸 염, 디포타슘 타르트레이트 또는 이들의 혼합물이다. 상기 킬레이트제는 적어도 0.5 g/L, 바람직하게는 1 g/L 내지 150 g/L, 더욱 바람직하게는 10 g/L 내지 100 g/L, 가장 바람직하게는 15 g/L 내지 50 g/L의 양으로 조성물에 포함될 수 있다. 상기 pH 조절제는 알칼리 조성물을 목적하는 pH 범위 내에서 제공하는 것으로 공지된 다양한 화합물들이 사용될 수 있다. 예를 들어 상기 알칼리 화합물은 하나 이상의 알칼리 금속 수산화물, 예를 들어 수산화나트륨, 수산화칼륨 및 수산화리튬을 포함하나, 이에 한정되지 않는다. 전형적으로 수산화나트륨, 수산화칼륨 또는 이들의 혼합물이 사용된다. 이러한 알칼리 화합물은 pH 범위를 8 이상, 바람직하게는 10 내지 14, 더욱 바람직하게는 11 내지 13.5로 제공하는 양으로 포함될 수 있다. 상기 환원제는 일례로 포름알데히드과 같은 통상의 환원성 물질을 포함한다. 상기 환원제의 다른 예로는, 하이포포스파이트 염, 예를 들어 알칼리 금속 하이포포스파이트, 예를 들어 소듐 하이포포스파이트, 설피네이트 화합물, 예를 들어 소듐 하이드록시메탄설피네이트를 포함하나, 이에 한정되지 않는다. 환원제는 또한 글리옥실산, 포름알데히드, 수소화붕소 염 및 디메틸아민 보란을 포함할 수 있다. 이 같은 통상적인 환원제는 통상적인 양으로 포함되며, 바람직하게는 이들은 1 g/L 이상, 더욱 바람직하게는 5 g/L 내지 20 g/L의 양으로 포함된다. 상기 조성물은 글리옥실산 및 환경 비친화적인 환원제를 함유하지 않는 것이 바람직하고, 환경 비친화적인 환원제, 예를 들어 포름알데히드, 수소화붕소 염 및 디메틸아민 보란(DMAB)을 함유하지 않는 것이 더욱 바람직하다.On the other hand, the plating is preferably performed in an alkaline environment so that no metal cladding on the substrate is corroded. The plating solution composition may further include a chelating agent, a pH adjusting agent, or a reducing agent. The chelating agent includes, but is not limited to, organic acids such as carboxylic acids and salts thereof. Such carboxylic acids include, but are not limited to, tartaric acid, citric acid, acetic acid, malic acid, malonic acid, ascorbic acid, oxalic acid, lactic acid, succinic acid and salts thereof. The salts include alkali metal salts of organic acids, such as Rochelle salts comprising potassium sodium tartrate and dipotassium tartrate. Chelating agents are also hydantoin and hydantoin derivatives such as 1-methylhydantoin, 1,3-dimethylhydantoin and 5,5-dimethylhydantoin, nitriloacetic acid and alkali metal salts thereof, triethanolamine, ethylenediamine Tetraacetic acid (EDTA) and alkali metal salts thereof, such as tetrasodium ethylenediaminetetraacetate, modified ethylene diamine tetraacetic acid, such as N-hydroxyethylenediamine triacetate, hydroxyalkyl substituted dialkaline triamine, For example, it may include one or more selected from the group consisting of pentahydroxy propyldiethylenetriamine and N, N-dicarboxymethyl L-glutamic acid tetrasodium salt. Preferably, the chelating agent is a Rochelle salt, dipotassium tartrate, or mixtures thereof. The chelating agent is at least 0.5 g / L, preferably 1 g / L to 150 g / L, more preferably 10 g / L to 100 g / L, most preferably 15 g / L to 50 g / L It can be included in the composition in an amount of. The pH adjusting agent may be a variety of compounds known to provide an alkali composition within a desired pH range. For example, the alkali compound includes, but is not limited to, one or more alkali metal hydroxides, such as sodium hydroxide, potassium hydroxide and lithium hydroxide. Typically sodium hydroxide, potassium hydroxide or mixtures thereof are used. The alkali compound may be included in an amount that provides a pH range of 8 or more, preferably 10 to 14, and more preferably 11 to 13.5. The reducing agent includes, for example, conventional reducing substances such as formaldehyde. Other examples of such reducing agents include, but are not limited to, hypophosphite salts, such as alkali metal hypophosphites, such as sodium hypophosphite, sulfinate compounds, such as sodium hydroxymethanesulfinate. . Reducing agents may also include glyoxylic acid, formaldehyde, boron hydride salts and dimethylamine borane. Such conventional reducing agents are included in a conventional amount, preferably they are contained in an amount of 1 g / L or more, more preferably 5 g / L to 20 g / L. It is preferred that the composition does not contain glyoxylic acid and an environmentally unfriendly reducing agent, and more preferably does not contain an environmentally unfriendly reducing agent such as formaldehyde, boron hydride salt and dimethylamine borane (DMAB). .

상기 단계 (다) 이후, 방청 처리(실란을 사용한 Anti-tarnish 처리에 해당)를 포함하여 화학적 결합력을 향상시킬 수 있다.After the step (c), it is possible to improve the chemical bonding power, including anti-corrosion treatment (corresponding to anti-tarnish treatment using silane).

네 번째 단계 (라)로 상기 복수의 결정 형태의 돌기를 가지는 구리막(103) 위에 감광층(104)을 형성하는 단계를 수행한다. 상기 감광층은 상기 구리막 위에 감광성 수지를 코팅하여 감광층을 형성할 수 있다. 상기 감광성 수지는 감광성 필름(드라이 필름)일 수 있다. In a fourth step (d), a step of forming a photosensitive layer 104 is performed on the copper film 103 having the plurality of protrusions in the crystalline form. The photosensitive layer may form a photosensitive layer by coating a photosensitive resin on the copper film. The photosensitive resin may be a photosensitive film (dry film).

다섯 번째 단계 (마)로 상기 감광층(104)을 소정의 패턴을 가지는 마스크로 노광하여 마스크층(105)을 형성하는 단계를 수행한다. 이때, 상기 패턴의 폭은 20㎛ 이하인 것이 바람직하다. In the fifth step (E), the photosensitive layer 104 is exposed with a mask having a predetermined pattern to form a mask layer 105. At this time, the width of the pattern is preferably 20㎛ or less.

여섯 번째 단계 (바)로 상기 마스크층(105)을 이용하여 상기 복수의 결정 형태의 돌기를 가지는 구리막을 선택적으로 제거하는 단계를 수행한다. 상기 단계 (바)는 에칭에 의해 수행될 수 있다. 상기 에칭은 염화동을 주성분으로 하는 타입과, 질산이나 황산과 과산화수소수를 주성분으로 하는 타입의 에칭액이 적용될 수 있다. 본 발명의 디스플레이 소자는 복수의 결정 형태의 돌기를 가지는 구리막의 넓은 표면적에 의해 감광성 물질과의 높은 밀착력으로 인해 에칭 시 언더컷 요인이 제거되고 미세하고 정밀한 회로 형성이 가능하다.In the sixth step (bar), the mask layer 105 is used to selectively remove the copper film having the plurality of crystalline protrusions. The above step (bar) can be performed by etching. For the etching, an etching solution of a type containing copper chloride as a main component and a type containing nitric acid or sulfuric acid and hydrogen peroxide as a main component may be applied. In the display device of the present invention, undercut factors are removed during etching and fine and precise circuit formation is possible due to the high adhesion to the photosensitive material due to the large surface area of the copper film having a plurality of crystal-shaped protrusions.

아래에서 실시예를 이용하여 본 발명의 연성동박적층판 및 이를 이용한 연성인쇄회로기판의 제조방법에 대하여 보다 상세히 설명한다.Hereinafter, a method of manufacturing a flexible copper-clad laminate of the present invention and a flexible printed circuit board using the same will be described in more detail using examples.

실시예 : 메탈 메쉬가 형성된 디스플레이 소자 제조Example: Manufacturing a metal mesh display device

PET 기판을 준비하였다. 상기 기판을 황산(61.5%) 90 ml/L에 20~40sec 동안 처리하여 프리 딥을 수행하였다. 그 후, YMT사의 이온 팔라듐 촉매 Cata 855 Cata 855 30 ml/L, 황산(61.5%) 90 ml/L를 이용하여 30~35℃에서 2~5분간 처리하여 기판 표면에 팔라듐을 흡착시켰다. 그 후, 환원제로 차아인산소다를 사용하였다. 상기 전처리된 고분자 기판을 도금액에 30~40℃에서 5~20분 동안 침지하여 구리시드를 형성하여 연성동박적층판을 제조하였다. 상기 도금액은 증류수 황산구리, 수산화나트륨, 피리다진을 첨가하여 제조하였다. 상기 연성동박적층판 위로 드라이 필름을 합지하고 패턴의 폭이 15㎛인 메쉬 패턴을 가지는 마스크로 노광하여 마스크층을 형성하였다. 그 후, 상기 마스크층을 이용하여 복수의 결정 형태의 돌기를 가지는 구리막을 에칭하여 제거하여 메탈 메쉬의 형태를 가지는 연성 인쇄회로기판을 제조하였다.A PET substrate was prepared. The substrate was treated with 90 ml / L sulfuric acid (61.5%) for 20-40 sec to perform a pre-dip. Thereafter, YMT's ion palladium catalyst Cata 855 Cata 855 30 ml / L and sulfuric acid (61.5%) 90 ml / L were treated at 30 to 35 ° C. for 2 to 5 minutes to adsorb palladium on the substrate surface. Then, sodium hypophosphite was used as a reducing agent. The pretreated polymer substrate was immersed in a plating solution at 30-40 ° C. for 5-20 minutes to form a copper seed to prepare a flexible copper-clad laminate. The plating solution was prepared by adding distilled water copper sulfate, sodium hydroxide, pyridazine. A dry film was laminated on the flexible copper-clad laminate, and a mask layer was formed by exposing it with a mask having a mesh pattern having a pattern width of 15 μm. Thereafter, a copper film having a plurality of crystal-shaped protrusions was etched and removed using the mask layer, thereby manufacturing a flexible printed circuit board having a metal mesh shape.

비교예 : 일반적인 동도금으로 메탈 메쉬가 형성된 디스플레이 소자 제조Comparative Example: Manufacturing of a display device formed of a metal mesh by general copper plating

일반적인 동도금으로 메탈 메쉬가 형성된 디스플레이 소자를 제조하였다. 도금액을 일반적인 동도금액(제품명: SME 도금액)을 사용하여 고분자 기판 표면에 동도금층을 형성한 것 외에는 상기 실시예에 동일한 방법을 이용하여 제조하였다. A display device in which a metal mesh is formed by general copper plating was manufactured. The plating solution was prepared by using the same method as in the above embodiment, except that a copper plating layer was formed on the surface of the polymer substrate using a common copper plating solution (product name: SME plating solution).

평가예 1 : 메탈 메쉬의 선폭의 정밀도 확인Evaluation Example 1: Confirmation of precision of line width of metal mesh

상기 실시예 및 비교예에서 제조된 메탈 메쉬의 선폭의 정밀도를 확인하였다. 도 2는 실시예 및 비교예의 메탈 메쉬의 광학현미경 사진이다. 도 2를 통해 확인되는 바와 같이, 실시예의 메탈 메쉬는 선폭이 일정하여 정밀한 회로 구현이 가능함에 반해, 비교예의 메탈 메쉬는 선폭이 일정하지 못해 정밀 한 회로 구현이 어려움을 알 수 있다. The precision of the line width of the metal mesh produced in the above Examples and Comparative Examples was confirmed. 2 is an optical microscope photograph of a metal mesh of Examples and Comparative Examples. As can be seen through FIG. 2, while the metal mesh of the embodiment has a constant line width, it is possible to implement a precise circuit, whereas the metal mesh of the comparative example does not have a constant line width, so it can be seen that it is difficult to implement a precise circuit.

평가예 2 : 구리막 표면의 조도 확인 Evaluation Example 2: Confirmation of the roughness of the copper film surface

상기 실시예에서 형성된 구리막의 돌기 및 조도를 확인하였다. The protrusions and roughness of the copper film formed in the above example were confirmed.

도 3은 실시예에 따라 형성된 디스플레이 소자의 표면에 형성된 복수의 결정 형태의 돌기를 갖는 구리막의 표면 사진이다. 도 3을 통해 확인되는 바와 같이, 실시예의 기판은 제조된 복수의 결정 형태의 돌기를 갖는 구리막이 형성됨을 확인할 수 있다. 또한, 도 4는 실시예에 따라 기판에 형성된 구리막과 비교예에 의해 기판에 형성된 구리막의 조도 대비 사진이다. 도 4에서 확인되는 바와 같이, 본 발명은 복수의 결정 형태의 돌기를 갖는 구리막을 형성하기 때문에 동일 두께 구현 시 일반 동도금에 의해 형성된 구리막과 조도가 현저히 차이남을 확인할 수 있다. 3 is a photograph of the surface of a copper film having a plurality of crystalline projections formed on a surface of a display device formed according to an embodiment. As can be seen through FIG. 3, it can be confirmed that the substrate of the embodiment is formed with a copper film having a plurality of protruding protrusions in a crystalline form. In addition, Figure 4 is a contrast picture of the roughness of the copper film formed on the substrate by the comparative example and the copper film formed on the substrate according to the embodiment. As can be seen in FIG. 4, since the present invention forms a copper film having a plurality of crystalline forms of protrusions, it can be confirmed that the roughness differs significantly from the copper film formed by general copper plating when implementing the same thickness.

101: 고분자 기판 102: 전처리층
103: 구리막 104: 감광층
105: 마스크층
101: polymer substrate 102: pre-treatment layer
103: copper film 104: photosensitive layer
105: mask layer

Claims (7)

고분자 기판; 및
상기 고분자 기판 위에 위치하며, 무전해 구리 도금 방법을 이용하여 형성된 복수의 결정 형태의 돌기가 메쉬 형태로 배열된 패턴을 갖는 구리층;을 포함하고,
상기 결정 형태의 돌기는 하부의 폭이 상부의 폭보다 넓은 형상인 것인 메탈 메쉬가 형성된 디스플레이 소자.
Polymer substrates; And
Containing; on the polymer substrate, a copper layer having a pattern in which a plurality of crystalline forms of protrusions formed by using an electroless copper plating method are arranged in a mesh form;
The display device having a metal mesh is formed such that the projections of the crystalline form have a lower width than the upper width.
삭제delete 제1항에 있어서,
상기 결정 형태의 돌기는 다각형 뿔 형태로 이루어지는 것을 특징으로 하는 메탈 메쉬가 형성된 디스플레이 소자.
According to claim 1,
A display device with a metal mesh, characterized in that the projection of the crystal form is made of a polygonal horn shape.
제1항에 있어서,
상기 결정 형태의 돌기는 표면 조도 Ra가 100 nm 이하의 구리 결정인 것을 특징으로 하는 메탈 메쉬가 형성된 디스플레이 소자.
According to claim 1,
The metal element is formed display device, characterized in that the projection of the crystal form is a copper crystal having a surface roughness Ra of 100 nm or less.
고분자 기판을 제공하는 단계;
상기 고분자 기판에 무전해 도금을 위한 전처리를 수행하는 단계;
상기 전처리된 고분자 기판의 표면에 복수의 결정 형태의 돌기를 가지는 구리막을 형성하는 단계;
상기 복수의 결정 형태의 돌기를 가지는 구리막 위에 감광층을 형성하는 단계;
상기 감광층을 소정의 패턴을 가지는 마스크로 노광하여 마스크층을 형성하는 단계; 및
상기 마스크층을 이용하여 상기 복수의 결정 형태의 돌기를 가지는 구리막을 선택적으로 제거하여 복수의 결정 형태의 돌기가 메쉬 형태로 배열된 패턴을 갖는 구리층을 형성하는 단계;를 포함하고,
상기 결정 형태의 돌기는 하부의 폭이 상부의 폭보다 넓은 형상인 것인 메탈 메쉬가 형성된 디스플레이 소자의 제조방법.
Providing a polymer substrate;
Performing a pretreatment for electroless plating on the polymer substrate;
Forming a copper film having a plurality of crystalline projections on the surface of the pretreated polymer substrate;
Forming a photosensitive layer on the copper film having protrusions of the plurality of crystal forms;
Forming a mask layer by exposing the photosensitive layer with a mask having a predetermined pattern; And
Including the step of forming a copper layer having a pattern in which a plurality of crystal form protrusions are arranged in a mesh form by selectively removing the copper film having the plurality of crystal form protrusions using the mask layer.
The method of manufacturing a display device in which a metal mesh is formed in which the projection of the crystalline form has a shape in which the width of the lower portion is wider than the width of the upper portion.
삭제delete 제5항에 있어서,
상기 결정 형태의 돌기는 다각형 뿔 형태로 이루어지는 것을 특징으로 하는 메탈 메쉬가 형성된 디스플레이 소자의 제조방법.
The method of claim 5,
Method of manufacturing a display device is formed with a metal mesh, characterized in that the projection of the crystal form is made of a polygonal horn shape.
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