KR102091849B1

KR102091849B1 - Condensor microphone and manufacturing method thereof

Info

Publication number: KR102091849B1
Application number: KR1020190032413A
Authority: KR
Inventors: 강영진; 이준석
Original assignee: (주)다빛센스
Priority date: 2018-11-30
Filing date: 2019-03-21
Publication date: 2020-03-20
Anticipated expiration: 2039-03-21
Also published as: CN111263282A; CN111263282B; KR102091854B1

Abstract

The present invention relates to a condenser microphone. The condenser microphone comprises: a base substrate; a membrane arranged on the base substrate; a back plate portion arranged on the membrane; an air layer arranged between the membrane and the back plate portion; and a plurality of tube-shaped protrusions configured to protrude in the air layer from the back plate portion to the membrane.

Description

CONDENSOR MICROPHONE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF}

본 발명은 콘덴서 마이크로폰(condenser microphone) 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 음압에 의해 진동하는 멤브레인의 진동효율이 좋고, 출력전압의 감도가 우수한 콘덴서 마이크로폰 및 그 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to a condenser microphone and a method for manufacturing the same, and more particularly, to a condenser microphone having a good vibration efficiency of a membrane vibrating by sound pressure and having excellent output voltage sensitivity, and a method for manufacturing the same.

일반적으로 음향 센서(acoustic sensor)는 음향신호를 전기적 신호로 변환하는 장치로서 마이크로폰을 포함한다. In general, an acoustic sensor is a device that converts an acoustic signal into an electrical signal and includes a microphone.

마이크로폰은 재질이나 작동원리에 따라 매우 다양한 종류가 있다.There are many different types of microphones depending on the material and operating principle.

예를 들어, 재질에 따라서는 카본 마이크로폰(carbon microphone), 크리스탈 마이크로폰(crystal microphone) 및 마그네틱 마이크로폰(magnetic microphone)등으로 구분된다.For example, depending on the material, it is classified into a carbon microphone, a crystal microphone, and a magnetic microphone.

또한, 작동원리에 따라서는 자기장에 의한 유도기전력을 이용하는 다이내믹 마이크로폰(dynamic microphone)과 멤브레인(membrane)이나 다이어프램(diaphragm)과 같은 진동판의 진동에 따른 캐패시턴스(capacitance) 변화를 이용하는 콘덴서 마이크로폰으로 구분될 수 있다.In addition, depending on the operating principle, it can be divided into a dynamic microphone using an induced electromotive force by a magnetic field and a condenser microphone using a change in capacitance due to vibration of a diaphragm such as a membrane or diaphragm. have.

컴퓨터, 이동통신단말기, MP3녹음기, 카세트 녹음기, 캠코더, 헤드셋 등과 같은 휴대용 전자기기 또는 소형 전자기기에는 ECM(Electret Condensor Microphone) 마이크로폰이나 MEMS(Micro Electro Mechanical System) 마이크로폰 등과 같은 초소형 콘덴서 마이크로폰이 주로 사용되고 있다. For portable electronic devices such as computers, mobile communication terminals, MP3 recorders, cassette recorders, camcorders, and headsets, or small electronic devices, microminiature condenser microphones such as an electret condensor microphone (ECM) microphone or a microelectromechanical system (MEMS) microphone are mainly used. .

ECM 마이크로폰은 일렉트릿(electret)이라는 분극 유전체 물질을 이용한다. ECM 마이크로폰은 바이어스 전압이 인가되지 않는 동안 전하를 축적하는 기능을 갖고 있다. 일렉트릿 물질의 전하는 온도에 민감하고 장기 드리프트(Long-Term Drift)로 인해 특성이 악화되어 마이크로폰의 감도를 떨어뜨린다. 그래서, 일렉트릿 물질로 테프론(Teflon)을 마이크로폰에 적용했지만, 표준 양산공정에 테프론을 적용하는 것은 많은 어려운 문제점들을 만들어냈다.ECM microphones use a polarized dielectric material called electret. The ECM microphone has a function of accumulating electric charge while no bias voltage is applied. The charge of the electret material is sensitive to temperature and deteriorates characteristics due to long-term drift, which degrades the sensitivity of the microphone. So, although Teflon was applied to the microphone as an electret material, the application of Teflon to a standard mass production process created many difficult problems.

반면, 콘덴서 마이크로폰은 일렉트릿 물질이 필요하지 않고, 전하를 축적하기 위해 바이어스 전압을 인가해 주면 된다. On the other hand, the condenser microphone does not require an electret material, and a bias voltage may be applied to accumulate electric charges.

콘덴서 마이크로폰은 온도에 따라 적절한 센싱(Sensing) 감도와 낮은 센싱 감도를 갖기도 한다. 이러한 콘덴서 마이크로폰은 작은 크기(size)와 저비용 양산화를 위해 대개 MEMS(Micro-Electro-Mechanical System)공정으로 제조되므로, 콘덴서 마이크로폰은 멤즈 마이크로폰(MEMS microphone)으로 통칭되기도 한다.Condenser microphones have adequate sensing sensitivity and low sensing sensitivity depending on the temperature. Since such a condenser microphone is usually manufactured by a micro-electro-mechanical system (MEMS) process for small size and low cost mass production, the condenser microphone is also commonly referred to as a MEMS microphone.

콘덴서 마이크로폰은 두 개의 평판 캐패시턴스, 즉 진동판과 백플레이트(back plate)를 포함하며, 두 개의 평판 캐패시턴스는 절연 물질로 작용하는 공기층(air gap)을 통해 분리된다.The condenser microphone includes two flat-panel capacitances, a diaphragm and a back plate, and the two flat-panel capacitances are separated through an air gap acting as an insulating material.

진동판과 백플레이트를 지지하는 베이스 기판에는 백 챔버(Back Chamber)가 형성된다. 백플레이트에는 복수의 음향홀이 형성되어 에어 댐핑(Air Damping)을 완화시키는 역할을 하게 된다.A back chamber is formed on the base plate supporting the diaphragm and the back plate. A plurality of acoustic holes are formed in the back plate to serve to alleviate air damping.

백플레이트의 음향홀을 통해 인입된 음파는 진동판을 휘게 하는 원인이 되고, 진동판과 백플레이트 간의 캐패시턴스는 공기층의 두께의 변화에 따라 변한다. The sound wave introduced through the acoustic hole of the back plate causes the diaphragm to bend, and the capacitance between the diaphragm and the back plate changes according to the change in the thickness of the air layer.

이러한 공기층의 두께 변화에 따라 변하게 되는 캐패시턴스는 콘덴서 마이크로폰에 구성된 판독 회로(Readout Circuit)에 의해 적절한 전기적 신호로 변환된다. The capacitance that changes according to the change in the thickness of the air layer is converted into an appropriate electrical signal by a readout circuit configured in the condenser microphone.

마이크로폰 상용화 제조 업체들은 마이크로폰의 감도 개선 및 노이즈 레벨(Noise Level)을 낮추기 위해 진동판과 백플레이트의 구조와 물질을 계속 개선해 왔다.Manufacturers of commercialization of microphones have been continuously improving the structure and materials of diaphragms and backplates in order to improve the sensitivity of the microphones and lower the noise level.

콘덴서 마이크로폰은 기생 캐패시턴스를 최소화하고 진동판의 진동효율을 높이기 위해 진동판의 효율적인 진동이 유지되어야 한다.Condenser microphones must maintain efficient vibration of the diaphragm in order to minimize parasitic capacitance and increase the vibration efficiency of the diaphragm.

도 1은 종래의 콘덴서 마이크로폰의 일부 구조를 도시한다.1 shows a partial structure of a conventional condenser microphone.

도 1에 도시한 것처럼, 종래의 콘덴서 마이크로폰은 베이스 기판(10), 진동판(11), 백플레이트(12), 베이스 기판(10)과 백플레이트(12) 사이에 위치하고 진동판(11)을 지지하는 절연 연결부(13a, 13a) 및 진동판(11)과 백플레이트(14) 사이에 위치하는 공기층(14)을 구비한다.1, the conventional condenser microphone is located between the base substrate 10, the diaphragm 11, the back plate 12, the base substrate 10 and the back plate 12, and supports the diaphragm 11 It has an insulating connection (13a, 13a) and an air layer (14) located between the diaphragm (11) and the back plate (14).

이때, 절연 연결부(13a, 13b)는, 도 1에 도시한 것처럼, 진동판(11)을 중심으로 하여 하부에 위치하는 부분(13a)과 상부에 위치한 부분(13b)으로 나눠진다.At this time, the insulating connecting portions 13a and 13b are divided into a portion 13a positioned at the bottom and a portion 13b positioned at the top, with the diaphragm 11 as the center, as shown in FIG. 1.

베이스 기판(10)에 형성된 진동판(11)은 공기층(14)에서 쉽게 진동할 수 있도록 탄성을 가지고 있으며 수직 방향으로 진동하여 백플레이트(12)와의 사이에 해당 크기의 캐패시턴스(Ce, Cc)를 형성한다. The vibration plate 11 formed on the base substrate 10 has elasticity so that it can be easily vibrated in the air layer 14 and vibrates in the vertical direction to form capacitances Ce and Cc of the corresponding size between the back plate 12 and the back plate 12. do.

이때 움직일 수 있는 진동판(11)의 진동 범위는 백플레이트(12)에 닿기 전(즉, 붙기 전)까지이며, 일단 진동판(11)이 백플레이트(12)에 붙게 되면 더 이상 전하가 이동하지 않는 풀인 전압(Pull-In Voltage) 상태에 도달하여 콘덴서 마이크로폰을 구비한 음향 센서는 정상적인 센서의 기능을 못하고 손상된다.At this time, the vibration range of the movable diaphragm 11 is before reaching the back plate 12 (that is, before attaching it), and once the diaphragm 11 is attached to the back plate 12, the charge does not move any more. Acoustic sensors equipped with condenser microphones are damaged due to reaching the pull-in voltage state.

콘덴서 마이크로폰의 동작 효율을 높이기 위해, 콘덴서 마이크로폰은 음성신호에 대한 백플레이트(12)와 진동판(11) 간의 정전용량을 극대화하고, 누설 정전용량을 최소화해야 한다. In order to increase the operation efficiency of the condenser microphone, the condenser microphone should maximize the capacitance between the back plate 12 and the diaphragm 11 for a voice signal and minimize the leakage capacitance.

동작 중에 대표적으로 발생되는 누설 정전용량은 백플레이트(12)와 진동판(11) 간의 절연 연결부(13b)에서 발생하는 기생 캐패시턴스(Parasitic capacitance, Cp1)와 진동판(11)과 베이스 기판(10) 간의 절연 연결부(13a)에서 발생하는 기생 캐패시턴스(Cp2) 등이 있다. 이러한 기생 캐패시시턴스 외에도 마이크로폰 본체(도시하지 않음)와 신호의 입출력을 위해 형성된 패드(pad)를 연결하는 와이어(wire)에서 발생하는 캐패시턴스도 존재한다.The leakage capacitance typically generated during operation is parasitic capacitance (Cp1) generated in the insulating connection portion 13b between the back plate 12 and the diaphragm 11 and the insulation between the diaphragm 11 and the base substrate 10 And parasitic capacitance Cp2 generated in the connecting portion 13a. In addition to this parasitic capacitance, there is also a capacitance generated from a wire connecting a microphone body (not shown) and a pad formed for input / output of a signal.

한국공개특허 제10-2016-0127212호(공개일 2016.11.03)Korean Patent Publication No. 10-2016-0127212 (Public Date 2016.11.03)

본 발명이 해결하려는 과제는 동작 전압에서 진동판의 진동 효율을 높여 콘덴서 마이크로폰의 성능을 향상시키기 위한 콘덴서 마이크로폰 및 그 제조방법을 제공하는 것이다. The problem to be solved by the present invention is to provide a condenser microphone and a manufacturing method for improving the performance of the condenser microphone by increasing the vibration efficiency of the diaphragm at the operating voltage.

본 발명이 해결하려는 다른 과제는 출력전압의 감도가 우수한 콘덴서 마이크로폰 및 그 제조방법을 제공하는 것이다.Another problem to be solved by the present invention is to provide a condenser microphone having excellent output voltage sensitivity and a manufacturing method thereof.

상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 콘덴서 마이크로폰은 베이스 기판, 상기 베이스 기판 위에 위치하는 멤브레인, 상기 멤브레인 위에 위치하는 백플레이트부, 상기 멤브레인과 상기 백플레이트부 사이에 위치하는 공기층, 그리고 상기 백플레이트부에서 상기 멤브레인 쪽으로 공기층에 돌출되어 있는 복수 개의 튜브형 돌기를 포함한다.The condenser microphone of the present invention for solving the above problems includes a base substrate, a membrane positioned on the base substrate, a back plate portion positioned on the membrane, an air layer positioned between the membrane and the back plate portion, and the back plate portion It includes a plurality of tubular projections protruding from the air layer toward the membrane.

상기 복수 개의 튜브형 돌기의 돌출 길이는 위치에 무관하게 동일할 수 있다. The protruding lengths of the plurality of tubular protrusions may be the same regardless of the position.

상기 복수 개의 튜브형 돌기의 돌출 길이는 위치에 따라 상이할 수 있다. The protruding lengths of the plurality of tubular projections may be different depending on the location.

상기 멤브레인의 중심부에서 가장자리부로 갈수록 이에 대향하는 튜브형 돌기의 돌출 길이는 증가할 수 있다.The protruding length of the tubular projection facing the membrane may increase as it goes from the center of the membrane to the edge.

상기 튜브형 돌기의 돌출 길이는 정해진 비율로 증가할 수 있다.The protruding length of the tubular projection may increase at a predetermined rate.

상기 복수 개의 튜브형 돌기의 밀도는 위치에 따라 상이할 수 있다.The density of the plurality of tubular projections may be different depending on the location.

상기 멤브레인의 중심부에서 가장자리부로 갈수록 이에 대향하는 튜브형 돌기의 밀도는 감소할 수 있다.The density of the tubular projections facing the membrane may decrease as it goes from the center of the membrane to the edge.

각 튜브형 돌기는 0.6~2.0㎛의 외경을 갖고, 0.3~1.5㎛의 내경을 가질 수 있다.Each tubular projection may have an outer diameter of 0.6 to 2.0 μm, and an inner diameter of 0.3 to 1.5 μm.

본 발명의 특징에 따른 콘덴서 마이크로폰은 상기 백플레이트부를 관통하는 복수 개의 음향홀을 더 포함할 수 있고, 상기 복수 개의 튜브형 돌기는 상기 복수 개의 음향홀이 위치하지 않는 부분에 위치할 수 있다.The condenser microphone according to the feature of the present invention may further include a plurality of sound holes penetrating the back plate portion, and the plurality of tubular protrusions may be located at a portion where the plurality of sound holes are not located.

본 발명의 특징에 따른 콘덴서 마이크로폰은 상기 백플레이트부에서 상기 멤브레인 쪽으로 공기층에 돌출되어 있는 복수 개의 바형 돌기를 더 포함할 수 있다. The condenser microphone according to the features of the present invention may further include a plurality of bar-shaped protrusions protruding from the back plate portion to the air layer toward the membrane.

본 발명의 특징에 따른 콘덴서 마이크로폰은 상기 백플레이트부를 관통하는 복수 개의 음향홀을 더 포함할 수 있고, 상기 복수 개의 바형 돌기는 상기 복수 개의 음향홀과 상기 복수 개의 튜브형 돌기가 위치하지 않는 부분에 위치할 수 있다. The condenser microphone according to the feature of the present invention may further include a plurality of acoustic holes penetrating the back plate portion, and the plurality of bar-shaped protrusions may be located in the portion where the plurality of acoustic holes and the plurality of tubular protrusions are not located. can do.

상기 복수 개의 바형 돌기의 돌출 길이는 위치에 무관하게 동일할 수 있다. The protrusion lengths of the plurality of bar-shaped protrusions may be the same regardless of the position.

상기 복수 개의 바형 돌기의 돌출 길이는 위치에 따라 상이할 수 있다.The protruding lengths of the plurality of bar-shaped protrusions may be different depending on the position.

상기 백플레이트부는 상기 공기층과 접해 있고, 상기 튜브형 돌기가 위치하는 제1 백플레이트를 포함할 수 있다.The back plate portion may include a first back plate that is in contact with the air layer and on which the tubular projection is located.

상기 백플레이트부는 상기 제1 백플레이트 위에 위치하고 상기 튜브형 돌기와 연결되어 있는 제2 백플레이트를 더 포함할 수 있다.The back plate portion may further include a second back plate positioned on the first back plate and connected to the tubular projection.

상기 제2 백플레이트는 상기 튜브형 돌기와 동일한 재료로 이루어질 수 있다.The second back plate may be made of the same material as the tubular projection.

상기 제1 백플레이트는 상기 제2 백플레이트와 동일한 재료로 이루어질 수 있다.The first back plate may be made of the same material as the second back plate.

상기 제1 백플레이트는 상기 제2 백플레이트와 다른 재료로 이루어질 수 있다.The first back plate may be made of a different material than the second back plate.

본 발명의 다른 특징에 따른 콘덴서 마이크로폰의 제조 방법은 베이스 기판 위에 멤브레인을 형성하는 단계, 상기 멤브레인 위에 희생층을 형성하는 단계, 상기 희생층 위에 제1 백플레이트층을 형성하는 단계, 상기 제1 백플레이트층 위에 레지스트막을 적층한 후 마스크를 이용하여 상기 레지스트막을 선택적으로 식각하여 식각된 부분에 위치하는 제1 백플레이트층의 부분을 노출시키는 단계, 남아있는 상기 레지스트막을 마스크로 하여 노출된 상기 제1 백플레이트층의 부분을 제거하여, 튜브 형태의 빈 부분을 구비하는 제1 백플레이트를 형성하는 단계, 남아있는 상기 레지스트막을 제거하는 단계, 상기 빈 부분을 통해 노출된 희생층을 정해진 깊이만큼 식각하여 상기 제1 백플레이트와 상기 희생층에 튜브형 돌기용 홀을 형성하는 단계, 그리고 상기 튜브형 돌기용 홀 내에 정해진 물질을 증착하여 튜브형 돌기를 형성하는 단계를 포함한다. The method of manufacturing a condenser microphone according to another aspect of the present invention includes forming a membrane on a base substrate, forming a sacrificial layer on the membrane, forming a first backplate layer on the sacrificial layer, and the first bag. After depositing a resist film on the plate layer, using a mask to selectively etch the resist film to expose a portion of the first back plate layer located in the etched portion, the exposed first using the remaining resist film as a mask By removing a portion of the back plate layer, forming a first back plate having a hollow portion in the form of a tube, removing the remaining resist film, and etching the sacrificial layer exposed through the blank portion by a predetermined depth Forming a hole for a tubular projection on the first back plate and the sacrificial layer, and Depositing a predetermined material in the hole for the tubular projection includes forming a tubular projection.

본 발명의 또 다른 특징에 따른 콘덴서 마이크로폰의 제조 방법은 베이스 기판 위에 멤브레인을 형성하는 단계, 상기 멤브레인 위에 희생층을 형성하는 단계, 상기 희생층 위에 제1 백플레이트층을 형성하는 단계, 상기 제1 백플레이트층 위에 레지스트막을 적층한 후 마스크를 이용하여 상기 레지스트막을 선택적으로 식각하여 식각된 부분에 위치하는 제1 백플레이트층의 부분을 노출시키는 단계, 남아있는 상기 레지스트막을 마스크로 하여 노출된 상기 제1 백플레이트층의 부분을 제거하여, 튜브형의 빈 부분과 바형 빈 부분을 구비하는 제1 백플레이트를 형성하는 단계, 남아있는 상기 레지스트막을 제거하는 단계, 상기 튜브형의 빈 부분과 상기 바형의 빈 부분을 통해 노출된 희생층을 정해진 깊이만큼 식각하여 상기 제1 백플레이트와 상기 희생층에 튜브형 돌기용 홀과 바형 돌기용 홀을 형성하는 단계, 그리고 상기 튜브형 돌기용 홀과 상기 바형 돌기용 홀 내에 정해진 물질을 증착하여 튜브형 돌기와 바형 돌기를 형성하는 단계를 포함한다.A method of manufacturing a condenser microphone according to another aspect of the present invention includes forming a membrane on a base substrate, forming a sacrificial layer on the membrane, forming a first backplate layer on the sacrificial layer, and the first. After depositing a resist film on the back plate layer, using a mask to selectively etch the resist film to expose a portion of the first back plate layer located in the etched portion, the remaining exposed resist film as a mask 1 removing a portion of the back plate layer to form a first back plate having a tubular hollow portion and a bar-shaped hollow portion, removing the remaining resist film, the tubular hollow portion and the bar-shaped hollow portion The first back plate and the sacrificial layer are etched through a predetermined depth by etching the exposed sacrificial layer. By forming a tubular projection hole and the hole for the bar-type projection, and depositing a predetermined material in the tubular projection hole for the hole and the bar-type projection includes forming a tubular projection bar-type projections.

상기 특징에 따른 콘덴서 마이크로폰의 제조 방법은 상기 제1 백플레이트 위와 상기 튜브형 돌기 위에 제2 백플레이트를 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다. The method of manufacturing a condenser microphone according to the above feature may further include forming a second back plate on the first back plate and on the tubular projection.

상기 제2 백플레이트 형성 단계는 상기 튜브형 돌기와 동일한 재료를 이용하여 상기 제2 백플레이트를 형성할 수 있다. In the forming of the second back plate, the second back plate may be formed using the same material as the tubular projection.

상기 특징에 따른 콘덴서 마이크로폰의 제조 방법은 상기 제1 백플레이트 위, 상기 튜브형 돌기 및 상기 바형 돌기 위에 제2 백플레이트를 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다. The method of manufacturing a condenser microphone according to the above feature may further include forming a second back plate on the first back plate, on the tubular projection and the bar-shaped projection.

상기 제2 백플레이트 형성 단계는 상기 튜브형 돌기와 동일한 재료를 이용하여 상기 제2 백플레이트를 형성할 수 있다.In the forming of the second back plate, the second back plate may be formed using the same material as the tubular projection.

이러한 본 발명의 특징에 따르면, 가운데에 빈 공간을 구비함에 따라 상대적으로 큰 외경을 갖고 좁은 선폭을 갖는 튜브형 돌기로 인해, 진동하는 멤브레인이 백플레이트부와 접촉하여 접착되는 현상이 방지된다. 또한, 상대적으로 큰 외경으로 인해, 튜브형 돌기와의 접촉 시 멤브레인의 손상이 방지되거나 최소화된다. 따라서, 멤브레인의 수명이 증가한다. According to this feature of the present invention, due to the tubular projection having a relatively large outer diameter and a narrow line width as the empty space is provided in the center, the phenomenon that the vibrating membrane contacts and adheres to the back plate portion is prevented. In addition, due to the relatively large outer diameter, damage to the membrane is prevented or minimized upon contact with the tubular projection. Therefore, the life of the membrane is increased.

또한, 높은 음압이 콘덴서 마이크로폰에 인가되었을 때, 튜브형 돌기가 멤브레인의 넓은 부분과 접촉하므로 튜브형 돌기의 완충 효과에 의해 콘덴서 마이크로폰의 내구성을 향상시킨다.In addition, when a high sound pressure is applied to the condenser microphone, the tubular projection contacts the wide part of the membrane, thereby improving the durability of the condenser microphone by the buffering effect of the tubular projection.

추가로 복수 개의 튜브형 돌기의 밀도가 중심부에서 가장자리부로 갈수록 감소하므로, 멤브레인의 진동 패턴에 따른 등고선형 돌기부의 완충 효과 및 접착 방지 효과가 향상된다. In addition, since the density of the plurality of tubular projections decreases from the center to the edge, the buffering effect and the anti-adhesion effect of the contoured projections according to the vibration pattern of the membrane are improved.

튜브형 돌기 외에 바형 돌기가 부가적으로 구비될 때, 음향홀이 형성되지 않는 부분에 튜브형 돌기와 바형 돌기가 위치하므로, 백플레이트의 공간 활용이 향상되고 멤브레인의 제어 효과는 더욱 향상된다. When a bar-shaped protrusion is additionally provided in addition to the tube-shaped protrusion, the tubular protrusion and the bar-shaped protrusion are located in the portion where the acoustic hole is not formed, thereby improving the space utilization of the back plate and further improving the control effect of the membrane.

이에 더하여, 백플레이트부를 2층으로 형성하여 튜브형 돌기의 지지력이 향상되고, 휨 현상이 크게 줄어든다.In addition to this, the back plate portion is formed in two layers to improve the supporting force of the tubular projection, and the warpage phenomenon is greatly reduced.

도 1는 종래의 콘덴서 마이크로폰의 구조를 일부 도시한 단면도이다. 일부 구조를 도시한다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 콘덴서 마이크로폰의 구조를 설명하기 위한 콘덴서 마이크로폰의 예시적인 평면도이다.
도 3은 도 2에 도시한 콘덴서 마이크로폰을 Ⅲ-Ⅲ 선을 따라 잘라 도시한 단면도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예의 콘덴서 마이크로폰에서 음향홀과 튜브형 돌기의 배치 상태를 개략적으로 도시한 콘덴서 마이크로폰의 일부 평면도이다.
도 5a 내지 도 5j는 도 2의 Ⅲ-Ⅲ 선을 따라 잘라 도시한 단면도로서, 본 발명의 일 실시예에 따른 콘덴서 마이크로폰의 제조 순서에 따라 순차적으로 도시한 단면도이다.
도 6은 발명의 다른 실시예에 따른 콘덴서 마이크로폰의 구조를 설명하기 위한 콘덴서 마이크로폰의 예시적인 평면도이다.
도 7은 도 6에 도시한 콘덴서 마이크로폰을 Ⅶ-Ⅶ 선을 따라 잘라 도시한 단면도이다.
도 8은 본 예의 콘덴서 마이크로폰에서 음향홀, 튜브형 돌기 및 바형 돌기의 배치 상태를 개략적으로 도시한 콘덴서 마이크로폰의 일부 평면도이다. 1 is a cross-sectional view partially showing the structure of a conventional condenser microphone. Some structures are shown.
2 is an exemplary plan view of a condenser microphone for explaining the structure of a condenser microphone according to an embodiment of the present invention.
3 is a cross-sectional view of the condenser microphone shown in FIG. 2 taken along the line III-III.
Figure 4 is a partial plan view of a condenser microphone schematically showing the arrangement state of the acoustic hole and the tubular projection in the condenser microphone of an embodiment of the present invention.
5A to 5J are cross-sectional views taken along the line III-III of FIG. 2, sequentially showing the condenser microphone according to an exemplary embodiment of the present invention.
6 is an exemplary plan view of a condenser microphone for explaining the structure of a condenser microphone according to another embodiment of the present invention.
7 is a cross-sectional view of the condenser microphone shown in FIG. 6 taken along the line VII-VII.
8 is a partial plan view of a condenser microphone schematically showing an arrangement of acoustic holes, tubular projections, and bar projections in the condenser microphone of this example.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명한다. 본 발명을 설명하는데 있어서, 해당 분야에 이미 공지된 기술 또는 구성에 대한 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. In the description of the present invention, for the technology or configuration already known in the art

구체적인 설명을 부가하는 것이 본 발명의 요지를 불분명하게 할 수 있다고 판단되는 경우에는 상세한 설명에서 이를 일부 생략하도록 한다. 또한, 본 명세서에서 사용되는 용어들은 본 발명의 실시예들을 적절히 표현하기 위해 사용된 용어들로서, 이는 해당 분야의 관련된 사람 또는 관례 등에 따라 달라질 수 있다. 따라서, 본 용어들에 대한 정의는 본 명세서 전반에 걸친 내용을 토대로 내려져야 할 것이다.When it is determined that adding the detailed description may obscure the gist of the present invention, some of them will be omitted from the detailed description. In addition, the terms used in the present specification are terms used to properly express the embodiments of the present invention, which may vary according to persons or practices related to the field. Therefore, definitions of these terms should be made based on the contents throughout the present specification.

여기서 사용되는 전문용어는 단지 특정 실시예를 언급하기 위한 것이며, 본 발명을 한정하는 것을 의도하지 않는다. 여기서 사용되는 단수 형태들은 문구들이 이와 명백히 반대의 의미를 나타내지 않는 한 복수 형태들도 포함한다. 명세서에서 사용되는 '포함하는'의 의미는 특정 특성, 영역, 정수, 단계, 동작, 요소 및/또는 성분을 구체화하며, 다른 특정 특성, 영역, 정수, 단계, 동작, 요소, 성분 및/또는 군의 존재나 부가를 제외시키는 것은 아니다.The terminology used herein is only to refer to a specific embodiment and is not intended to limit the invention. The singular forms used herein include plural forms unless the phrases clearly indicate the opposite. As used herein, the meaning of 'comprising' embodies certain properties, regions, integers, steps, actions, elements and / or components, and other specific properties, regions, integers, steps, actions, elements, components and / or groups. It does not exclude the existence or addition of.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 한 실시예에 따른 콘덴서 마이크로폰 및 그 제조방법에 대해서 설명하도록 한다.Hereinafter, a condenser microphone according to an embodiment of the present invention and a method of manufacturing the same will be described with reference to the accompanying drawings.

먼저, 도 2 내지 도 4를 참고로 하여 본 발명의 일 실시예에 따른 콘덴서 마이크로폰의 구조에 대하여 설명한다.First, the structure of a condenser microphone according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 2 to 4.

도 2 및 도 3에 도시한 것처럼, 본 실시예의 콘덴서 마이크로폰은 베이스 기판(100), 베이스 기판(100) 위에 위치하는 멤브레인(110), 멤브레인(110) 위에 위치하는 백플레이트부(120), 베이스 기판(100)과 백플레이트부(120) 사이에 위치하는 공기층(130), 그리고 백플레이트부(120)에서 공기층(130)으로 돌출되어 있는 복수 개의 튜브형 돌기(140)를 구비한다.2 and 3, the condenser microphone of the present embodiment includes a base substrate 100, a membrane 110 positioned on the base substrate 100, a back plate portion 120 positioned on the membrane 110, and a base. An air layer 130 positioned between the substrate 100 and the back plate portion 120 and a plurality of tubular protrusions 140 protruding from the back plate portion 120 to the air layer 130 are provided.

베이스 기판(100)은 실리콘 웨이퍼(silicon wafer) 등으로 이루어져 있다. The base substrate 100 is made of a silicon wafer or the like.

이러한 베이스 기판(100)에는 실리콘 웨이퍼가 존재하지 않는 백 챔버(즉, 공동)(101)를 구비한다. 따라서, 백 챔버(101) 내에 일렉트릿 소자가 위치한다. The base substrate 100 is provided with a back chamber (ie, a cavity) 101 in which no silicon wafer is present. Therefore, the electret element is located in the back chamber 101.

멤브레인(110)은 콘덴서 마이크로폰 내부로 유입되는 음파의 크기에 따라 진동하는 진동판으로, 이러한 음파에 따른 멤브레인(110)의 진동에 따라 해당하는 전기 신호가 생성된다. The membrane 110 is a vibrating plate that vibrates according to the size of sound waves flowing into the condenser microphone, and corresponding electrical signals are generated according to the vibration of the membrane 110 according to the sound waves.

한 예로서, 멤브레인(110)은 0.5~2.0㎛의 두께를 갖고, 폴리 실리콘(Poly Si)으로 이루어질 수 있다.As one example, the membrane 110 has a thickness of 0.5 ~ 2.0㎛, it may be made of polysilicon (Poly Si).

멤브레인(110)의 두께가 0.5㎛ 미만인 경우, 멤브레인(110)의 두께가 너무 얇아 파손의 위험이 크고, 2.0㎛를 초과하는 두께를 가질 경우 음파에 따른 진동 동작에 방해를 받게 된다. If the thickness of the membrane 110 is less than 0.5㎛, the thickness of the membrane 110 is too thin, the risk of breakage is large, and when it has a thickness exceeding 2.0㎛, the vibration operation due to sound waves is disturbed.

백플레이트부(120)는 공기층(130)을 사이에 두고 멤브레인(110)과 대향하고 있다. 따라서, 멤브레인(110)의 진동에 따른 멤브레인(110)과 백플레이트부(120) 간의 거리 변화에 따라 멤브레인(110)과 백플레이트부(120) 사이에 해당 크기의 캐패시턴스가 발생된다. The back plate portion 120 faces the membrane 110 with the air layer 130 interposed therebetween. Accordingly, a capacitance of a corresponding size is generated between the membrane 110 and the back plate portion 120 according to a change in the distance between the membrane 110 and the back plate portion 120 according to the vibration of the membrane 110.

이러한 백플레이트부(120)는 공기층(130) 바로 위에 위치하여 공기층(130)과 접해 있는 복수 개의 튜브형 돌기(140)가 위치하는 제1 백플레이트(120a)와 제1 백플레이트(120a) 위에 위치하고 복수 개의 튜브형 돌기(140)와 연결되어 있는 제2 백플레이트(120b)를 구비한다.The back plate portion 120 is located on the first back plate 120a and the first back plate 120a in which a plurality of tubular projections 140 positioned directly above the air layer 130 and in contact with the air layer 130 are located. A second back plate 120b connected to the plurality of tubular protrusions 140 is provided.

제1 백플레이트(120a)는 대향하고 있는 멤브레인(110)과 커패시턴스 발생에 기여하며, 제2 백플레이트(120b)는 튜브형 돌기(140)를 지지하는 역할을 한다.The first back plate 120a contributes to the opposing membrane 110 and the generation of capacitance, and the second back plate 120b serves to support the tubular projection 140.

제1 백플레이트(120a)와 제2 백플레이트(120b)는 동일한 재료로 이루어져 있거나 서로 다른 재료로 이루어질 수 있다. 또한, 제2 백플레이트(120b)는 튜브형 돌기(140)와 동일한 재료로 이루어져 있다.The first back plate 120a and the second back plate 120b may be made of the same material or may be made of different materials. In addition, the second back plate 120b is made of the same material as the tubular projection 140.

제1 백플레이트(120a)와 제2 백플레이트(120b)가 동일한 재료로 이루어질 경우, 제1 백플레이트(120a)와 제2 백플레이트(120b)는 튜브형 돌기(140)와 같은 재료(예, 질화물)로 이루어질 수 있다.When the first back plate 120a and the second back plate 120b are made of the same material, the first back plate 120a and the second back plate 120b are made of the same material as the tubular projection 140 (eg, nitride) ).

하지만, 제1 백플레이트(120a)와 제2 백플레이트(120b)가 다른 재료로 이루어질 경우, 제2 백플레이트(120a)만이 튜브형 돌기(140)와 동일한 재료로 이루어진다.However, when the first back plate 120a and the second back plate 120b are made of different materials, only the second back plate 120a is made of the same material as the tubular projection 140.

이처럼 백플레이트부(120)가 2층으로 이루어져 있으므로, 공기층(130)과 대면하고 있는 백플레이트부(120)의 지지력이 향상되어 휨 현상이 방지된다.As such, since the back plate portion 120 is made of two layers, the supporting force of the back plate portion 120 facing the air layer 130 is improved to prevent warpage.

또한, 튜브형 돌기(140)와 동일한 재료로 이루어진 제2 백플레이트(120b)로 인해, 튜브형 돌기(140)의 지지력이 증가하여 백플레이트부(120)에서 튜브형 돌기(140)가 떨어지는 현상이 방지된다. In addition, due to the second back plate 120b made of the same material as the tubular projection 140, the support force of the tubular projection 140 increases to prevent the tubular projection 140 from falling off the back plate portion 120. .

하지만, 다른 예에서 제2 백플레이트(120b)는 생략될 수 있다.However, in another example, the second back plate 120b may be omitted.

절연층인 공기층(130)을 사이에 두고 있는 멤브레인(110)과 백플레이트부(120)는 각각 반대 방향에서 마주보고 있는 대향 전극으로서 기능할 수 있다. 이 경우, 멤브레인(110)과 백플레이트부(120)에는 각각 멤브레인 전극과 백플레이트 전극이 추가로 구비될 수 있다. 멤브레인 전극에는 바이어스 전압(bias voltage)이 인가될 수 있고, 백플레이트 전극은 생성된 출력 전압이 인가되어 외부로의 출력이 이루어질 수 있도록 한다. The membrane 110 and the back plate portion 120, which sandwich the air layer 130, which is an insulating layer, may function as counter electrodes facing each other in opposite directions. In this case, a membrane electrode and a back plate electrode may be additionally provided on the membrane 110 and the back plate portion 120, respectively. A bias voltage may be applied to the membrane electrode, and the generated output voltage may be applied to the back plate electrode to allow output to the outside.

공기층(130)은 이미 기술한 것처럼 멤브레인(110)과 백플레이트부(120) 사이에 위치하여, 공기층(130)의 두께만큼 멤브레인(110)과 백플레이트부(120) 사이를 이격시킨다.The air layer 130 is positioned between the membrane 110 and the back plate portion 120 as described above, and spaces between the membrane 110 and the back plate portion 120 by the thickness of the air layer 130.

이러한 공기층(130)은 유전체로서 기능하여, 이미 기술한 것처럼, 음파에 따른 멤브레인(110)의 진동에 따라 멤브레인(110)과 백플레이트부(120) 사이에 해당 크기의 캐패시턴스가 발생한다.The air layer 130 functions as a dielectric, and as described above, a capacitance of a corresponding size is generated between the membrane 110 and the back plate portion 120 according to the vibration of the membrane 110 according to sound waves.

복수 개의 튜브형 돌기(140)는 멤브레인(110)의 진동 시 멤브레인(110)이 백플레이트부(120)와 맞붙게 되어 발생되는 풀인 전압 상태를 방지하며, 계면 완충 역할을 위한 것이다. The plurality of tubular protrusions 140 prevents a pull-in voltage state that occurs when the membrane 110 comes into contact with the back plate portion 120 when the membrane 110 vibrates, and serves for interfacial buffering.

본 예의 각 튜브형 돌기(140)는 질화물로 이루어져 있고, 명칭에서 알 수 있듯이 링(ring) 형태로서, 가운데 부분에 원형과 같은 형태로 공기가 채워지는 빈 공간(H14)을 구비한다. Each tubular projection 140 of this example is made of nitride and, as the name suggests, has a ring shape, with an empty space (H14) filled with air in the form of a circle at the center.

이러한 튜브형 돌기(140)는, 도 3에 도시한 것처럼, 백플레이트부(120)에서 멤브레인(110) 쪽으로 정해진 길이만큼 돌출되어 있고, 이러한 복수 개의 튜브형 돌기(140)에 의해, 진동하는 멤브레인(110)은 백플레이트부(120)가 아닌 마주하고 있는 튜브형 돌기(140)와 접하게 될 수 있다.3, the tubular projection 140 protrudes a predetermined length from the back plate portion 120 toward the membrane 110, and the membrane 110 vibrates by the plurality of tubular projections 140. ) May be in contact with the facing tube-like protrusion 140 rather than the back plate part 120.

따라서, 진동 시에도 맴브레인(110)은 백플레이트부(120)와 접하지 않게 되어 풀인 전압 상태가 발생하지 않아, 멤브레인(110)의 수명이 연장되고 이로 인해, 콘덴서 마이크로폰의 수명 역시 연장된다.Therefore, even during vibration, the membrane 110 does not come into contact with the back plate portion 120, so that a pull-in voltage state does not occur, thereby extending the life of the membrane 110, thereby extending the life of the condenser microphone.

도 3의 경우, 백플레이트(120), 좀 더 구체적으로 제1 백플레이트(120a)의 하면에서부터 멤브레인(110) 쪽으로 공기층(130)에 돌출되는 튜브형 돌기(140)의 돌출 길이는 위치에 무관하게 동일하다.In the case of FIG. 3, the protruding length of the tubular protrusion 140 protruding from the lower surface of the back plate 120, more specifically the first back plate 120a toward the membrane 110 toward the membrane 110 is independent of the position. same.

하지만, 이에 한정되지 않고 대안적인 예에서, 적어도 두 개의 튜브형 돌기(140)의 돌출 길이는 위치에 따라 상이하고, 이에 따라, 콘덴서 마이크로폰의 중심부에 위치한 튜브형 돌기(140)가 가장자리부에 위치한 튜브형 돌기(140)보다 돌출 길이가 짧을 수 있다. However, the present invention is not limited thereto, and in an alternative example, the protruding lengths of the at least two tubular projections 140 are different depending on the location, and accordingly, the tubular projections 140 located at the center of the condenser microphone are located at the edges. The protrusion length may be shorter than 140.

위치에 따라 돌출 길이가 상이할 경우, 콘덴서 마이크로폰의 중심부에서 가장자리부 쪽으로 갈수록 튜브형 돌기(140)의 돌출 길이는 증가할 수 있다. 이때, 돌출 길이의 증가 비율은 정해진 비율에 따라 비례적으로 증가할 수 있다.When the protruding length differs depending on the position, the protruding length of the tubular projection 140 may increase as it goes from the center of the condenser microphone toward the edge. At this time, the increase ratio of the protruding length may increase proportionally according to the predetermined ratio.

일반적으로 동일한 크기의 음파가 유입될 때, 멤브레인(110)의 진동폭은 중심부에서 가장자리부로 갈수록 줄어든다.In general, when sound waves of the same size are introduced, the vibration width of the membrane 110 decreases from the center to the edge.

따라서, 콘덴서 마이크로폰의 중심부에서 가장자리부로 갈수록 튜브형 돌기(140)의 돌출 길이가 증가할 경우, 멤브레인(110)은 대향되는 튜브형 돌기(140)에 방해받지 않고 해당 폭의 진동 동작이 정상적으로 이루어져, 멤브레인(110)의 진동은 중심부에 대해 대칭적으로 유지된다. Therefore, when the protruding length of the tubular projection 140 increases from the center to the edge of the condenser microphone, the membrane 110 is normally unaffected by the opposing tubular projection 140, and the vibration operation of the corresponding width is normally performed. The vibration of 110) remains symmetrical about the center.

이로 인해, 유입되는 음파에 대응하는 정확한 캐패시턴스의 발생이 이루어져 콘덴서 마이크로폰의 동작의 신뢰도가 향상되며, 튜브형 돌기(140)와의 접촉 빈도나 접촉 시 충격이 완화되어, 멤브레인(110)의 손상이나 파손이 줄어든다. Due to this, the correct capacitance corresponding to the incoming sound wave is generated to improve the reliability of the operation of the condenser microphone. Decreases.

특히 가운데 부분에 위치하는 빈 공간(H14)이 공기로 채워져 있으므로, 멤브레인(110)이 대응하는 튜브형 돌기(140)에 부딪힐 때 완충 효과가 발생하여 멤브레인(110)의 손상이나 파손은 더욱 감소한다. In particular, since the empty space H14 located in the middle portion is filled with air, a buffering effect occurs when the membrane 110 hits the corresponding tubular projection 140, thereby further reducing damage or breakage of the membrane 110. .

각 튜브형 돌기(140)의 외부 직경(D11)은 0.6㎛ 내지 2.0㎛를 유지하고 내부 직경(D12)은 0.3㎛ 내지 1.5㎛를 유지할 수 있으며, 각 튜브형 돌기(140)의 선폭(W11), 즉, 두께는 최소 0.2㎛를 유지하여 얇다.The outer diameter D11 of each tubular protrusion 140 can be maintained at 0.6 μm to 2.0 μm, and the inner diameter D12 can be maintained at 0.3 μm to 1.5 μm, and the line width W11 of each tubular protrusion 140, that is, , The thickness is thin by maintaining a minimum of 0.2㎛.

큰 외경을 갖고 있고, 가운데 부분에 빈 공간을 구비하고 있으므로, 본 예의 튜브형 돌기(140)는 큰 내구성을 갖게 된다. 이로 인해, 멤브레인(110)과의 잦은 충돌로 인한 튜브형 돌기(140)의 파손이나 파손이 줄어든다. Since it has a large outer diameter and an empty space in the middle, the tubular projection 140 of this example has great durability. Due to this, breakage or breakage of the tubular projection 140 due to frequent collisions with the membrane 110 is reduced.

또한, 좁은 선폭(W11)으로 인해, 멤브레인(110)과 접촉되는 튜브형 돌기(140)의 접촉 면적이 감소하므로, 멤브레인(110)이 튜브형 돌기(140)에 접촉되더라도 튜브형 돌기(140)에 접착되는 현상이 방지된다. In addition, because of the narrow line width W11, the contact area of the tubular projection 140 contacting the membrane 110 is reduced, so that the membrane 110 is adhered to the tubular projection 140 even if it is in contact with the tubular projection 140. The phenomenon is prevented.

튜브형 돌기(140)의 외부 직경이 0.6㎛ 이상이면, 튜브형 돌기(140)가 접촉하는 멤브레인(110)의 범위를 증가시켜 멤브레인의 충격 흡수 효과를 향상시키고, 튜브형 돌기(140)의 내구성을 증가시킨다. 반대로 튜브형 돌기(140)의 외부 직경이 2.0㎛ 이하이면 튜브형 돌기(140)의 형성 면적의 증가로 인한 문제가 방지된다. When the outer diameter of the tubular projection 140 is 0.6 μm or more, the range of the membrane 110 in contact with the tubular projection 140 is increased to improve the shock absorption effect of the membrane, and the durability of the tubular projection 140 is increased. . Conversely, if the outer diameter of the tubular projection 140 is 2.0 μm or less, a problem due to an increase in the formation area of the tubular projection 140 is prevented.

또한, 튜브형 돌기(140)의 내부 직경이 0.3㎛ 이상이면, 튜브형 돌기 형성에 어려움이 감소되며 멤브레인(110)과의 접착 현상에 도움을 주고, 튜브형 돌기(140)의 내부 직경이 1.5㎛이하이면 튜브형 돌기(140)의 선폭 감소 문제가 방지된다. In addition, if the inner diameter of the tubular projection 140 is 0.3 µm or more, difficulty in forming the tubular projection is reduced and helps adhesion with the membrane 110, and if the inner diameter of the tubular projection 140 is 1.5 µm or less The problem of reducing the line width of the tubular projection 140 is prevented.

각 튜브형 돌기(140)의 선폭(W11)이 0.2㎛ 이상이면, 튜브형 돌기(140)의 형성이 용이하며 멤브레인(110)와 충돌 시 파손의 위험이 감소한다.When the line width W11 of each tubular projection 140 is 0.2 µm or more, the formation of the tubular projection 140 is easy and the risk of damage when colliding with the membrane 110 is reduced.

이와 같이, 외부 구경(즉, 외부 직경)(D11)이 넓게 형성되므로 단위 돌기당 접촉할 수 있는 멤브레인(110)의 범위가 확대된다.In this way, the outer diameter (ie, outer diameter) D11 is formed wide, so that the range of the membrane 110 that can be contacted per unit protrusion is expanded.

이러한 복수 개의 튜브형 돌기(140)는 도 4에 도시한 것처럼 음향홀(H10)이 위치하지 않는 백플레이트부(120)의 부분에 위치한다. 음향홀(H10)은 음파가 유입되는 구멍으로서 백플레이트부(120)를 완전히 관통하는 관통홀이다. The plurality of tubular protrusions 140 are located in a portion of the back plate portion 120 where the acoustic hole H10 is not located, as shown in FIG. 4. The acoustic hole H10 is a hole through which sound waves flow, and is a through hole that completely penetrates the back plate portion 120.

즉, 튜브형 돌기(140)는 백 플레이트 음향홀(H10)을 피해서 음향홀(H10) 주변에 배치된다. 이때, 인접한 두 튜브형 돌기(140) 간의 간격은 일정할 수 있다.That is, the tubular protrusion 140 is disposed around the acoustic hole H10 to avoid the back plate acoustic hole H10. At this time, the interval between two adjacent tubular projections 140 may be constant.

본 예의 경우 도 2에 도시한 것처럼 콘덴서 마이크로폰의 해당 부분[즉, 백플레이트부(120)]의 중심부(즉, 가운데부)에 밀집되어 있고 가장자리부에는 위치하지 않을 수 있다.In the case of this example, as shown in FIG. 2, the corresponding portion of the condenser microphone (that is, the back plate portion 120) is concentrated in the central portion (ie, the middle portion) and may not be located at the edge portion.

하지만, 튜브형 돌기(140)는 콘덴서 마이크로폰의 해당 부분의 중심부뿐만 아니라 가장자리부와 같이 다른 부분에도 위치할 수 있다. 이 경우, 멤브레인(110)의 진동이 중심부에서 강하고 가장자리부로 갈수록 약해지므로, 튜브형 돌기(140)의 밀도는 대향하고 있는 멤브레인(110)의 위치에 따라 상이할 수 있고, 예를 들어, 튜브형 돌기(140)의 밀도는 멤브레인(110)의 중심부에서 가장자리부로 갈수록 감소할 수 있다.However, the tubular projection 140 may be located in other parts, such as the edge, as well as the center of the corresponding portion of the condenser microphone. In this case, since the vibration of the membrane 110 is strong at the center and weakens toward the edge, the density of the tubular projection 140 may be different depending on the position of the facing membrane 110, for example, the tubular projection ( The density of 140) may decrease from the center of the membrane 110 toward the edge.

따라서, 멤브레인(110)의 중심부에 대향되게 위치하는 인접한 두 튜브형 돌기(140)의 간격은 멤브레인(110)의 가장자리부에 대향되게 위치하는 인접한 두 튜브형 돌기(140)의 간격보다 좁을 수 있다. 이때, 인접한 두 튜브형 돌기(140)의 간격은 멤브레인(110)의 중심부에서 가장자리부로 갈수록 비례적으로 변할 수 있다. Accordingly, the distance between two adjacent tubular protrusions 140 facing the center of the membrane 110 may be narrower than the distance between two adjacent tubular protrusions 140 facing the edge of the membrane 110. At this time, the distance between two adjacent tubular projections 140 may change proportionally from the center of the membrane 110 toward the edge.

이러한 구조를 갖는 본 예의 콘덴서 마이크로폰은 도 2 및 도 3에 도시한 구성요소 이외에도, 베이스 기판(100) 위에 위치하여 백플레이트부(120)를 지지하는 절연 연결부, 백플레이트 전극과 전기적으로 연결되어 전기 신호를 출력하는 출력 패드, 멤브레인 전극과 전기적으로 연결되어 바이어 전압의 입력을 위한 바이어스 패드, 백플레이트 전극과 출력 패드와의 연결 및 멤브레인 전극과 바이어스 패드와의 연결을 위한 각각의 커넥터 등과 적어도 하나의 구성요소를 추가로 구비할 수 있다.The condenser microphone of this example having such a structure, in addition to the components shown in FIGS. 2 and 3, is located on the base substrate 100 and electrically connected to an insulating connection portion and a back plate electrode to support the back plate portion 120. At least one such as an output pad for outputting a signal, a bias pad for inputting a via voltage that is electrically connected to the membrane electrode, a connection between the backplate electrode and the output pad, and a respective connector for connection between the membrane electrode and the bias pad. Additional components may be provided.

다음, 도 5a 내지 도 5j를 참고로 하여 본 발명의 일 실시예에 따른 콘덴서 마이크로폰의 제조 방법을 개략적으로 설명한다.Next, a method of manufacturing a condenser microphone according to an embodiment of the present invention will be schematically described with reference to FIGS. 5A to 5J.

먼저, 도 5a에 도시한 것처럼, 실리콘 웨이퍼로 이루어진 베이스 기판(100) 위에 폴리 실리콘막을 CVD 증착 성장법으로 증착하여 멤브레인(110)을 형성한다. 이때, 형성되는 멤브레인(110)은 0.5㎛~2.0㎛의 두께를 가질 수 있다.First, as shown in FIG. 5A, a polysilicon film is deposited on a base substrate 100 made of a silicon wafer by a CVD deposition growth method to form a membrane 110. At this time, the formed membrane 110 may have a thickness of 0.5㎛ ~ 2.0㎛.

다음, 도 5b에 도시한 것처럼 멤브레인(110) 위에 열산화법으로 1.5~4.0㎛ 두께의 막을 성장시켜 희생층(131)을 형성한다. 이때, 희생층(131)의 두께는 맴브레인(110)의 진동 범위와 튜브형 돌기(140)의 돌출 길이 등에 따라 정해질 수 있다. Next, as shown in FIG. 5B, a sacrificial layer 131 is formed by growing a film having a thickness of 1.5 to 4.0 μm on the membrane 110 by thermal oxidation. At this time, the thickness of the sacrificial layer 131 may be determined according to the vibration range of the membrane 110 and the protruding length of the tubular projection 140.

그런 다음, 도 5c에 도시한 것처럼, 희생층(131) 위에 증착법을 이용하여 질화물로 이루어진 제1 백플레이트층(121a)을 형성한다. 제1 백플레이트층(121a)의 두께는 2.0㎛~3.5㎛일 수 있다.Then, as illustrated in FIG. 5C, a first back plate layer 121a made of nitride is formed on the sacrificial layer 131 using a deposition method. The thickness of the first back plate layer 121a may be 2.0 μm to 3.5 μm.

다음, 도 5d에 도시한 것처럼, 레지스트막(151)을 적층한 후 마스크(mask)를 이용하여 레지스트막(151)을 선택적으로 마스킹하여 노출된 레지스트막(151)의 부분을 식각해 하부에 위치한 제1 백플레이트층(121a)을 노출시킨다. Next, as illustrated in FIG. 5D, after the resist film 151 is stacked, a portion of the exposed resist film 151 is etched by selectively masking the resist film 151 using a mask to be located at the bottom. The first back plate layer 121a is exposed.

이때, 식각된 레지스트막(151)의 부분은 튜브형 돌기(140)의 형성 위치가 된다.At this time, a portion of the etched resist film 151 becomes a location where the tubular projection 140 is formed.

이처럼, 레지스트막(151)을 이용하여 제1 백플레이트층(121a)의 원하는 부분을 노출시킨 후, 남아있는 레지스트막(151)을 마스크로 하여 노출된 제1 백플레이트층(121a)의 부분을 식각하여 제1 백플레이트(120a)를 형성한다(도 5e).As described above, after exposing a desired portion of the first back plate layer 121a using the resist film 151, a portion of the exposed first back plate layer 121a is exposed using the remaining resist film 151 as a mask. The first back plate 120a is formed by etching (FIG. 5E).

이때, 제1 백플레이트(120a)는 식각 동작에 의해 튜브형의 빈 부분을 구비하고 이 빈 부분을 통해 희생층(131)의 해당 부분이 노출된다.At this time, the first back plate 120a is provided with a hollow portion of a tubular shape by an etching operation, and a corresponding portion of the sacrificial layer 131 is exposed through the hollow portion.

식각액은 노출된 제1 백플레이트층(121a)의 부분만을 선택적으로 제거하는 것으로서, 노출된 희생층(131)의 부분은 식각되지 않는다.The etchant selectively removes only a portion of the exposed first backplate layer 121a, and the exposed portion of the sacrificial layer 131 is not etched.

그런 다음, 제1 백플레이트(120a) 위에 존재하는 레지스트막(121)은 제거된다(도 5f). Then, the resist film 121 existing on the first back plate 120a is removed (FIG. 5F).

도 5g에 도시한 것처럼, 노출된 희생층(131)의 표면에서부터 정해진 깊이만큼 희생층(131)을 식각하여 제1 백플레이트(120a)의 해당 위치와 희생층(131)의 해당 위치에 각각 튜브형 돌기용 홀(H140)을 형성한다.As shown in FIG. 5G, the sacrificial layer 131 is etched by a predetermined depth from the surface of the exposed sacrificial layer 131, respectively, to form a tube at a corresponding position of the first back plate 120a and a corresponding position of the sacrificial layer 131 A protrusion hole (H140) is formed.

이때, 노출된 희생층(131)의 표면에서부터 식각되는 깊이는 희생층(131)의 총 두께의 1/2 이하인 것이 좋고, 한 예로, 0.5㎛~1.5㎛일 수 있다.At this time, the depth etched from the surface of the exposed sacrificial layer 131 is preferably less than 1/2 of the total thickness of the sacrificial layer 131, and may be, for example, 0.5 μm to 1.5 μm.

희생층(131)의 식각 깊이가 총 두께의 1/2를 초과할 경우, 멤브레인(110)의 진동폭에 비해 튜브형 돌기(140)와 멤브레인(110) 간의 거리가 짧아 멤브레인(110)의 진동 동작에 악영향을 끼친다. When the etching depth of the sacrificial layer 131 exceeds 1/2 of the total thickness, the distance between the tubular projection 140 and the membrane 110 is short compared to the vibration width of the membrane 110, and thus the vibration operation of the membrane 110 is reduced. It has an adverse effect.

이와 같이, 제1 백플레이트(120a)와 희생층(131)에 복수 개의 튜브형 돌기용 홀(H140)이 형성되면, 질화물의 증착 방식을 통해 복수 개의 튜브형 돌기용 홀(H140) 속에 질화물을 채워 넣어 복수 개의 튜브형 돌기(140)를 완성한다(도 5h).As described above, when a plurality of tubular projection holes H140 are formed in the first back plate 120a and the sacrificial layer 131, the nitride is filled into the plurality of tubular projection holes H140 through a deposition method of nitride. Complete a plurality of tubular projections 140 (FIG. 5H).

복수 개의 튜브형 돌기용 홀(H140) 속에만 질화물의 증착 동작을 위해, 튜브형 돌기용 홀(H140)이 위치하지 않는 제1 백플레이트(120a) 부분에는 마스크로 마스킹될 수 있다.For the deposition operation of the nitride only in the plurality of tubular projection holes H140, the first back plate 120a where the tubular projection holes H140 are not located may be masked with a mask.

형성된 각 튜브형 돌기(140)의 외부 직경(D11)은 0.6~2.0㎛일 수 있고, 희생층(131)으로 채워져 있는 내부 직경(D12)은 0.3~1.5㎛일 수 있다. 또한, 각 튜브형 돌기(130)의 폭(W11)은 최소 0.2㎛일 수 있다. The outer diameter D11 of each formed tubular protrusion 140 may be 0.6 to 2.0 μm, and the inner diameter D12 filled with the sacrificial layer 131 may be 0.3 to 1.5 μm. In addition, the width W11 of each tubular protrusion 130 may be at least 0.2 μm.

다음, 도 5i에 도시한 것처럼, 제1 백플레이트(120a) 위와 튜브형 돌기(140) 위에 질화물을 증착하여 제2 백플레이트(120b)를 형성한다. 이때, 제2 백플레이트(120b)가 생략될 경우, 이 단계는 생략된다. Next, as illustrated in FIG. 5I, a second back plate 120b is formed by depositing nitride on the first back plate 120a and on the tubular protrusion 140. At this time, if the second back plate 120b is omitted, this step is omitted.

그런 다음, 희생층(131)을 선택적으로 식각하여, 멤브레인(110)과 제1 백플레이트(120a) 사이에 공기층(130)을 형성한다(도 5j). 제2 백플레이트(120b)의 형성 단계가 생략될 경우, 튜브형 돌기(140)를 형성한 후 바로 공기층(130)을 형성하는 단계로 넘어간다.Then, the sacrificial layer 131 is selectively etched to form an air layer 130 between the membrane 110 and the first back plate 120a (FIG. 5J). If the step of forming the second back plate 120b is omitted, the process proceeds to the step of forming the air layer 130 immediately after forming the tubular protrusion 140.

마지막으로, 베이스 기판(100)을 선택적으로 제거하여 빈 공간인 백 챔버(101)을 형성한다(도 3 참조).Finally, the base substrate 100 is selectively removed to form an empty space, the back chamber 101 (see FIG. 3).

다음, 도 6 내지 도 8을 참고로 하여, 본 발명의 다른 실시예에 따른 콘덴서 마이크로폰을 설명한다.Next, a condenser microphone according to another embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 6 to 8.

도 2 내지 도 4에 도시한 콘덴서 마이크로폰과 비교하여, 동일한 구조를 갖고 같은 기능을 수행하는 본 예의 구성요소에 대해서는 도 2 내지 도 4의 도면 부호와 같은 도면 부호를 부여하고 그에 대한 자세한 설명을 생략한다. Compared to the condenser microphone shown in FIGS. 2 to 4, components of this example having the same structure and performing the same function are given the same reference numerals as in FIGS. 2 to 4 and detailed description thereof is omitted do.

본 예의 콘덴서 마이크로폰은 도 2 내지 도 4에 도시한 것과 유사한 구조를 갖는다.The condenser microphone of this example has a structure similar to that shown in Figs.

즉, 도 6 내지 도 8에 도시한 것처럼, 콘덴서 마이크로폰은 베이스 기판(100), 베이스 기판(100) 위에 위치하는 멤브레인(110), 멤브레인(110) 위에 위치하고 제1 및 제2 백플레이트(120a, 120b)를 구비하는 백플레이트부(120), 베이스 기판(100)과 백플레이트부(120) 사이에 위치하는 공기층(130), 그리고 백플레이트부(120)에서 공기층(130) 쪽으로 돌출되어 있는 복수 개의 튜브형 돌기(140)를 구비한다.That is, as shown in FIGS. 6 to 8, the condenser microphone includes a base substrate 100, a membrane 110 positioned on the base substrate 100, a first and second back plate 120a located on the membrane 110, 120b) having a back plate portion 120, an air layer 130 positioned between the base substrate 100 and the back plate portion 120, and a plurality of protrusions toward the air layer 130 from the back plate portion 120 It has two tubular projections (140).

하지만, 본 예의 콘덴서 마이크로폰은, 도 6 및 도 7에 도시한 것처럼, 추가적으로 복수 개의 바(bar)형 돌기(142)를 구비한다.However, the condenser microphone of this example, as shown in FIGS. 6 and 7, additionally includes a plurality of bar-shaped protrusions 142.

이로 인해, 본 예의 콘덴서 마이크로폰에는 복 수개의 튜브형 돌기(140)와 복수 개의 바형 돌기(142)가 공기층(130) 내에 혼재되어 있다.For this reason, in the condenser microphone of this example, a plurality of tubular projections 140 and a plurality of bar-shaped projections 142 are mixed in the air layer 130.

바형 돌기(142)는, 도 7에 도시한 것처럼, 튜브형 돌기(130)와 마찬가지로 제1 백플레이트(120a)의 표면에서부터 공기층(130) 쪽으로 정해진 길이만큼 돌출되어 있다.As shown in FIG. 7, the bar-shaped protrusion 142 protrudes a predetermined length from the surface of the first back plate 120a toward the air layer 130 as in the tube-shaped protrusion 130.

하지만, 튜브형 돌기(140)와는 달리 바형 돌기(142)에는 가운데 부분에 공기층(130)이 존재하는 빈 공간이 존재하지 않는 바(bar) 즉, 막대 형태이다.However, unlike the tubular projection 140, the bar-shaped projection 142 is a bar (ie, a bar) in which there is no empty space in which the air layer 130 is present in the center.

이러한 복수의 바형 돌기(142)는 튜브형 돌기(140)의 외경보다 작은 외경을 갖고, 튜브형 돌기(140)와 음향홀(H10)이 위치하지 않는 곳에 위치한다.The plurality of bar-shaped projections 142 have an outer diameter smaller than the outer diameter of the tubular projection 140, and are located where the tubular projection 140 and the acoustic hole H10 are not located.

예를 들어, 바형 돌기(142)는 인접한 두 튜브형 돌기(140) 사이, 인접한 두 음향홀(H10) 사이 및 도 6과 같이 튜브형 돌기(140)에 의해 에워싸여진 부분 중 적어도 하나에 위치할 수 있다. 이때, 인접한 두 바형 돌기(142) 간의 간격은 일정하거나 불규칙적이거나 또는 비례적으로 증가할 수도 있다. For example, the bar-shaped protrusion 142 may be located between at least two adjacent tubular protrusions 140, between two adjacent acoustic holes H10, and at least one of the portions surrounded by the tubular protrusion 140 as shown in FIG. . At this time, the distance between two adjacent bar-shaped protrusions 142 may be constant, irregular, or proportionally increased.

복수 개의 바형 돌기(142)와 복 수 개의 튜브형 돌기(140)의 배치 상태는 다양한 형태를 가질 수 있고, 한 예로 튜브형 돌기(140)에 인접하게 바형 돌기(142)가 배치될 수 있다.The arrangement state of the plurality of bar-like protrusions 142 and the plurality of tube-like protrusions 140 may have various shapes, and for example, the bar-like protrusion 142 may be disposed adjacent to the tube-like protrusion 140.

이러한 바형 돌기(142)가 추가적으로 위치함에 따라 멤브레인(110)의 진동은 균일하게 조절되어, 콘덴서 마이크로폰의 품질이 향상된다.As the bar-shaped protrusion 142 is additionally positioned, the vibration of the membrane 110 is uniformly adjusted, thereby improving the quality of the condenser microphone.

바형 돌기(142)는 음향홀(H10)의 직경 및 배치 간격, 그리고 멤브레인(110)의 연성 및 스트레스(stress) 등에 따라 바형 돌기(142)의 간격 및 위치 등이 정해질 수 있고, 또한, 바형 돌기(142)의 추가 여부도 정해질 수 있다.The bar-shaped protrusion 142 may have a space and a position of the bar-shaped protrusion 142 determined according to the diameter and arrangement interval of the acoustic hole H10 and the ductility and stress of the membrane 110, and the bar-shaped protrusion 142 may also be determined. Whether the projection 142 is added may also be determined.

이러한 바형 돌기(142)의 돌출 길이는, 튜브형 돌기(140)와 마찬가지로, 위치에 무관하게 모두 동일하거나, 상이한 돌출 길이를 갖는 적어도 두 개의 바형 돌기(142)가 존재한다.The protruding length of the bar-shaped protrusion 142, like the tubular protrusion 140, is at least two bar-shaped protrusions 142 having the same or different protrusion lengths regardless of the position.

바형 돌기(142)의 돌출 길이가 상이할 경우, 멤브레인(110)의 중심부에 대응되게 위치한 바형 돌기(142)의 돌출 길이가 멤브레인(110)의 가장자리부에 대응되게 위치한 바형 돌기(142)의 돌출 길이보다 짧은 수 있다. 이와 유사하게, 다른 예에서, 멤브레인(110)의 중심부에서 가장자리부로 갈수록 대향하고 있는 튜브형 돌기(140)의 돌출 길이가 증가할 수 있다. 이때, 돌출 길이의 증가 비율은 정해진 비율에 따라 비례적으로 증가할 수 있다.When the protruding lengths of the bar-shaped protrusions 142 are different, the protruding lengths of the bar-shaped protrusions 142 positioned corresponding to the center of the membrane 110 are projected of the bar-shaped protrusions 142 positioned corresponding to the edge of the membrane 110. It can be shorter than the length. Similarly, in another example, the protruding length of the tubular projections 140 facing from the center of the membrane 110 to the edge may increase. At this time, the increase ratio of the protruding length may increase proportionally according to the predetermined ratio.

이처럼, 튜브형 돌기(140)와 바형 돌기(142)를 모두 구비한 본 예의 콘덴서 마이크로폰의 제조 방법은 도 5a 내지 도 j에 도시한 것과 동일하다. As described above, the manufacturing method of the condenser microphone of this example having both the tubular projection 140 and the bar-shaped projection 142 is the same as that shown in FIGS. 5A to J.

다만, 도 5d에서 노출된 레지스트막(151)의 부분을 식각할 때, 튜브형 돌기(140)뿐만 아니라 바형 돌기(142)를 위한 부분을 식각하여 해당 위치에서 제1 백플레이트층(121a)을 추가로 노출시켜, 제1 백플레이트(120a)의 형성 시 제1 백플레이트(120a)는 튜브형 돌기(140)를 위한 튜브형의 빈 부분과 바형 돌기를 위한 바형 빈 부분을 구비한다. However, when etching the portion of the resist film 151 exposed in FIG. 5D, the portion for the bar-shaped protrusion 142 as well as the tubular protrusion 140 is etched to add the first back plate layer 121a at the corresponding position. When exposed to, when forming the first back plate 120a, the first back plate 120a includes a tubular hollow portion for the tubular projection 140 and a bar hollow portion for the bar-shaped projection.

따라서, 튜브형 빈 부분과 바형 빈 부분을 통해 노출된 희생층(131)을 정해진 깊이만큼 식각하여 튜브형 돌기용 홀과 바형 돌기용 홀이 형성된다. 그런 다음, 이후의 공정을 통해 튜브형 돌기(140)와 바형 돌기(142)의 형성이 이루어질 수 있도록 한다. Therefore, the sacrificial layer 131 exposed through the tubular hollow portion and the bar-shaped hollow portion is etched by a predetermined depth to form a tubular projection hole and a bar-shaped projection hole. Then, the tubular protrusion 140 and the bar-shaped protrusion 142 can be formed through a subsequent process.

이상, 본 발명의 콘덴서 마이크로폰 및 그 제조방법의 실시예들에 대해 설명하였다. 본 발명은 상술한 실시예 및 첨부한 도면에 한정되는 것은 아니며, 본 발명이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자의 관점에서 다양한 수정 및 변형이 가능할 것이다. 따라서 본 발명의 범위는 본 명세서의 청구범위뿐만 아니라 이 청구범위와 균등한 것들에 의해 정해져야 한다.In the above, embodiments of the condenser microphone of the present invention and its manufacturing method have been described. The present invention is not limited to the above-described embodiments and the accompanying drawings, and various modifications and variations will be possible from the viewpoint of those skilled in the art to which the present invention pertains. Therefore, the scope of the present invention should be defined not only by the claims of the present specification, but also by the claims and equivalents thereof.

100: 베이스기판 101: 백 챔버
110: 진동판, 멤브레인 120: 백플레이트부
120a: 제1 백플레이트 120b: 제2 백플레이트
121a: 제1 백플레이트층 130: 공기층
131: 희생층 140: 튜브형 돌기
142: 바형 돌기 H10: 음향홀100: base substrate 101: back chamber
110: diaphragm, membrane 120: back plate portion
120a: first back plate 120b: second back plate
121a: first back plate layer 130: air layer
131: sacrificial layer 140: tubular projection
142: bar projection H10: sound hole

Claims

Base substrate;
A membrane positioned on the base substrate;
A back plate portion positioned on the membrane;
An air layer located between the membrane and the back plate portion; And
A plurality of tubular projections protruding from the back plate portion to the air layer toward the membrane
Including,
The back plate portion includes a first back plate in contact with the air layer and the tubular projection is located, and a second back plate positioned on the first back plate and connected to the tubular projection.
Condenser microphone.

According to claim 1,
The condenser microphone having the same protruding length of the plurality of tubular protrusions regardless of the position.

According to claim 1,
The condenser microphone having a protruding length of the plurality of tubular projections differs depending on the position.

According to claim 3,
The condenser microphone whose protruding length of the tubular projection facing it increases from the center of the membrane to the edge.

According to claim 4,
The condenser microphone whose protruding length of the tubular projection increases at a fixed rate.

According to claim 1,
The density of the plurality of tubular projections differs depending on the location of the condenser microphone.

The method of claim 6,
A condenser microphone whose density decreases as it goes from the center of the membrane to the edge, and the density of the tubular projections facing it decreases.

According to claim 1,
Each tubular projection has an outer diameter of 0.6 to 2.0 µm, and a condenser microphone having an inner diameter of 0.3 to 1.5 µm.

According to claim 1,
Further comprising a plurality of sound holes through the back plate portion,
The plurality of tubular projections are condenser microphones located in a portion where the plurality of sound holes are not located.

According to claim 1,
A condenser microphone further comprising a plurality of bar-shaped protrusions protruding from the back plate portion to the air layer toward the membrane.

The method of claim 10,
A plurality of sound holes penetrating the back plate portion
Further comprising,
The plurality of bar-shaped projections are condenser microphones located in a portion where the plurality of acoustic holes and the plurality of tubular projections are not located.

The method of claim 11,
The condenser microphone having the same protruding length of the plurality of bar-shaped protrusions regardless of the position.

The method of claim 11,
The condenser microphone having a protruding length of the plurality of bar-shaped protrusions differs depending on the position.

The method of claim 13,
The condenser microphone whose protruding length of the tubular projection facing it increases from the center of the membrane to the edge.

delete

According to claim 1,
The second back plate is a condenser microphone made of the same material as the tubular projection.

The method of claim 17,
The first back plate is a condenser microphone made of the same material as the second back plate.

The method of claim 17,
The first back plate is a condenser microphone made of a material different from the second back plate.

Forming a membrane on the base substrate;
Forming a sacrificial layer on the membrane;
Forming a first backplate layer over the sacrificial layer;
Depositing a resist film on the first backplate layer and selectively etching the resist film using a mask to expose a portion of the first backplate layer positioned in the etched portion;
Removing a portion of the exposed first backplate layer using the remaining resist film as a mask to form a first backplate having a hollow portion in the form of a tube;
Removing the remaining resist film;
Etching a sacrificial layer exposed through the empty portion by a predetermined depth to form a hole for a tubular projection on the first back plate and the sacrificial layer;
Forming a tubular projection by depositing a predetermined material in the tubular projection hole; And
Forming a second back plate on the first back plate and on the tubular projections
Method of manufacturing a condenser microphone comprising a.

Forming a membrane on the base substrate;
Forming a sacrificial layer on the membrane;
Forming a first backplate layer over the sacrificial layer;
Depositing a resist film on the first backplate layer and selectively etching the resist film using a mask to expose a portion of the first backplate layer positioned in the etched portion;
Removing a portion of the exposed first backplate layer using the remaining resist film as a mask to form a first backplate having a tubular hollow portion and a bar-shaped hollow portion;
Removing the remaining resist film;
Etching the sacrificial layer exposed through the hollow portion of the tubular portion and the hollow portion of the bar shape to a predetermined depth to form tubular projection holes and bar-shaped projection holes in the first back plate and the sacrificial layer;
Forming a tubular projection and a bar-shaped projection by depositing a predetermined material in the tubular projection-hole and the bar-shaped projection hole; And
Forming a second back plate on the first back plate, on the tubular projection and the bar-shaped projection.
Method of manufacturing a condenser microphone comprising a.

delete

The method of claim 20,
The second back plate forming step is a method of manufacturing a condenser microphone to form the second back plate using the same material as the tubular projection.

delete

The method of claim 21,
The second back plate forming step is a method of manufacturing a condenser microphone to form the second back plate using the same material as the tubular projection.