KR102076803B1 - Optical filter and camera module for comprising the same - Google Patents
Optical filter and camera module for comprising the same Download PDFInfo
- Publication number
- KR102076803B1 KR102076803B1 KR1020130084093A KR20130084093A KR102076803B1 KR 102076803 B1 KR102076803 B1 KR 102076803B1 KR 1020130084093 A KR1020130084093 A KR 1020130084093A KR 20130084093 A KR20130084093 A KR 20130084093A KR 102076803 B1 KR102076803 B1 KR 102076803B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- thin film
- film layer
- transmittance
- optical filter
- wavelength
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims abstract description 31
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 69
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 55
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 claims abstract description 41
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 23
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 claims abstract description 18
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 claims description 12
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 claims 6
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 8
- 230000000740 bleeding effect Effects 0.000 description 6
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 2
- 230000014509 gene expression Effects 0.000 description 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03B—APPARATUS OR ARRANGEMENTS FOR TAKING PHOTOGRAPHS OR FOR PROJECTING OR VIEWING THEM; APPARATUS OR ARRANGEMENTS EMPLOYING ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ACCESSORIES THEREFOR
- G03B17/00—Details of cameras or camera bodies; Accessories therefor
- G03B17/02—Bodies
- G03B17/12—Bodies with means for supporting objectives, supplementary lenses, filters, masks, or turrets
- G03B17/14—Bodies with means for supporting objectives, supplementary lenses, filters, masks, or turrets interchangeably
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B5/00—Optical elements other than lenses
- G02B5/20—Filters
- G02B5/208—Filters for use with infrared or ultraviolet radiation, e.g. for separating visible light from infrared and/or ultraviolet radiation
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B5/00—Optical elements other than lenses
- G02B5/20—Filters
- G02B5/22—Absorbing filters
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03B—APPARATUS OR ARRANGEMENTS FOR TAKING PHOTOGRAPHS OR FOR PROJECTING OR VIEWING THEM; APPARATUS OR ARRANGEMENTS EMPLOYING ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ACCESSORIES THEREFOR
- G03B11/00—Filters or other obturators specially adapted for photographic purposes
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N23/00—Cameras or camera modules comprising electronic image sensors; Control thereof
- H04N23/50—Constructional details
- H04N23/55—Optical parts specially adapted for electronic image sensors; Mounting thereof
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Blocking Light For Cameras (AREA)
- Optical Filters (AREA)
- Optical Elements Other Than Lenses (AREA)
Abstract
본 발명의 한 실시예에 따른 광학 필터는 기판, 상기 기판 상에 형성된 버퍼층, 그리고 상기 버퍼층 상에 형성되며, 굴절율이 서로 다른 제1 박막층 및 상기 제2 박막층이 적어도 2회 이상 교대로 형성된 코팅층을 포함하며, 파장이 415nm 내지 495nm인 범위 내에서 파장 영역 별 투과율이 달라지도록 설정된다.The optical filter according to an embodiment of the present invention comprises a substrate, a buffer layer formed on the substrate, and a coating layer formed on the buffer layer, the first thin film layer and the second thin film layer having different refractive indices alternately formed at least two or more times. It includes, and is set so that the transmittance for each wavelength region is different within the range of 415nm to 495nm wavelength.
Description
본 발명은 카메라 모듈에 관한 것으로, 보다 상세하게는 광학 필터 및 이를 포함하는 카메라 모듈에 관한 것이다.The present invention relates to a camera module, and more particularly, to an optical filter and a camera module including the same.
스마트폰 및 이에 내장되는 카메라의 기술이 발달함에 따라, 슬림화, 저소비전력, 고해상도 및 경량화 등에 대한 요구가 커지고 있다. 카메라 모듈에 일반적으로 사용되는 CMOS(Complementary Metal-Oxide Semiconductor) 센서는 적색에 대한 감도가 높아, 이미지가 붉게 구현될 가능성이 크다. 이에 따라, IR 필터를 이용하여 근적외선이 센서에 의해 감지되는 것을 차단할 필요가 있다.With the development of smart phones and cameras embedded therein, demands for slimming, low power consumption, high resolution and light weight are increasing. Complementary Metal-Oxide Semiconductor (CMOS) sensors, which are typically used in camera modules, have high sensitivity to red, which makes the image red. Accordingly, it is necessary to block the near infrared rays from being sensed by the sensor using the IR filter.
IR 필터의 일 예인 반사형 필터는 유리 기판 상에 고굴절, 저굴절 물질을 다층으로 쌓아 올린 구조이다. 반사형 필터는 카메라 모듈 내에 들어오는 근적외선을 반사시켜 차폐한다. An example of an IR filter is a reflective filter in which high and low refractive materials are stacked on a glass substrate. The reflective filter reflects and shields near infrared rays entering the camera module.
IR 필터의 다른 예인 흡수형 필터는 700nm 이상의 빛을 선택적으로 흡수하는 흡수체가 첨가된 유리 기판이다. 흡수형 필터는 카메라 모듈 내에 들어오는 근적외선을 흡수시키며, 블루 필터(blue filter) 또는 블루 글라스(blue glass)라고 불릴 수도 있다. Another example of an IR filter is an absorption filter, which is a glass substrate to which an absorber that selectively absorbs light of 700 nm or more is added. The absorption filter absorbs near infrared rays entering the camera module and may be called a blue filter or blue glass.
이러한 IR 필터는 청색광의 색번짐 문제가 있다. 이는 필터를 투과하는 청색광의 양이 많고, 입사각에 따라 청색광의 시프트(shift)가 일어나기 때문이다.Such an IR filter has a problem of color bleeding of blue light. This is because the amount of blue light passing through the filter is large and a shift of the blue light occurs depending on the incident angle.
특히, 카메라 모듈의 슬림화 추세에 따라 렌즈의 표면에 DOE(Diffractive Optical Element) 패턴을 형성하는 경우, 청색광의 투과율이 더욱 높아지며, 중심부와 주변부 간의 청색광 투과율 차가 커지는 문제가 있다.Particularly, when the DOE pattern is formed on the surface of the lens according to the slimming trend of the camera module, the transmittance of blue light is further increased, and the difference in blue light transmittance between the central part and the peripheral part is increased.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 광학 필터 및 이를 포함하는 카메라 모듈을 제공하는 데 있다.An object of the present invention is to provide an optical filter and a camera module including the same.
본 발명의 한 실시예에 따른 광학 필터는 기판, 상기 기판 상에 형성된 버퍼층, 상기 버퍼층 상에 형성되며, 굴절율이 서로 다른 제1 박막층 및 상기 제2 박막층이 적어도 2회 이상 교대로 형성된 코팅층을 포함하며, 파장이 415nm 내지 495nm인 범위 내에서 파장 영역 별 투과율이 달라지도록 설정된다.An optical filter according to an embodiment of the present invention includes a substrate, a buffer layer formed on the substrate, a coating layer formed on the buffer layer, the first thin film layer having a different refractive index, and the second thin film layer alternately formed at least two or more times. In addition, the transmittance for each wavelength region is set within the range of 415 nm to 495 nm.
상기 기판은 파장이 415nm 내지 495nm인 범위 내에서 파장 영역 별 투과율이 달라지도록 설정된 흡수체를 포함할 수 있다.The substrate may include an absorber set to vary transmittance for each wavelength region within a range of 415 nm to 495 nm.
상기 기판은 파장이 415nm 내지 495nm인 범위 내에서 투과율이 10% 내지 40%일 수 있다.The substrate may have a transmittance of 10% to 40% within a range of 415 nm to 495 nm in wavelength.
파장이 415nm 내지 450nm인 제1 파장 영역에 대한 투과율은 10% 내지 25%이고, 파장이 450nm 내지 495nm인 제2 파장 영역에 대한 투과율은 25% 내지 40%일 수 있다.The transmittance for the first wavelength region having a wavelength of 415 nm to 450 nm may be 10% to 25%, and the transmittance for the second wavelength region having a wavelength of 450 nm to 495 nm may be 25% to 40%.
상기 기판은 근적외선을 흡수하는 흡수체를 더 포함할 수 있다.The substrate may further include an absorber for absorbing near infrared rays.
상기 코팅층은 중심으로부터 주변으로 갈수록 두께가 두꺼워질 수 있다.The coating layer may be thicker from the center toward the periphery.
적어도 하나의 제1 박막층 및 적어도 하나의 제2 박막층 중 적어도 하나는 415nm 내지 495nm의 0.15 내지 0.35배의 두께로 형성될 수 있다.At least one of the at least one first thin film layer and the at least one second thin film layer may be formed to a thickness of 0.15 to 0.35 times of 415 nm to 495 nm.
적어도 하나의 제1 박막층 및 적어도 하나의 제2 박막층 중 적어도 하나는 415nm 내지 450nm의 0.15 내지 0.35배의 두께로 형성되는 제1 영역, 그리고 상기 제1 영역의 가장자리에 위치하며, 450nm 내지 495nm의 0.15 내지 0.35배의 두께로 형성되는 제2 영역을 포함할 수 있다.At least one of the at least one first thin film layer and the at least one second thin film layer is formed at a thickness of 0.15 to 0.35 times the thickness of 415 nm to 450 nm, and is located at the edge of the first region, and is 0.15 of 450 nm to 495 nm. It may include a second region formed to a thickness of 0.35 times.
상기 제1 박막층은 TiO2를 포함하고, 상기 제2 박막층은 SiO2를 포함할 수 있다.The first thin film layer may include TiO 2 , and the second thin film layer may include SiO 2 .
본 발명의 한 실시예에 따른 카메라 모듈은 인쇄회로기판, 상기 인쇄회로기판 상에 장착되며, 와이어에 의하여 상기 인쇄회로기판과 연결되는 이미지 센서, 상기 이미지 센서 상에 형성되며, 파장이 415nm 내지 495nm인 범위 내에서 파장 영역 별 투과율이 달라지도록 설정되는 광학 필터, 상기 광학 필터 상에 형성되는 렌즈 어셈블리, 그리고 상기 광학 필터 및 상기 렌즈 어셈블리를 내장하며, 지지하는 렌즈 홀더를 포함한다.Camera module according to an embodiment of the present invention is mounted on a printed circuit board, the printed circuit board, an image sensor connected to the printed circuit board by a wire, is formed on the image sensor, the wavelength is 415nm to 495nm An optical filter is set so that the transmittance for each wavelength region is different within a phosphorus range, a lens assembly formed on the optical filter, and a lens holder in which the optical filter and the lens assembly are built and supported.
상기 렌즈 어셈블리는 DOE(Diffractive Optical element) 패턴이 형성된 렌즈를 포함할 수 있다.The lens assembly may include a lens having a diffractive optical element (DOE) pattern formed thereon.
본 발명의 실시예에 따르면, 청색광의 투과율 및 파장 시프트를 낮춘 광학 필터를 얻을 수 있다. 이에 따라, 청색광의 색번짐 문제를 줄일 수 있으며, 중심부와 주변부의 색번짐 차이를 낮출 수 있다. 특히, DOE 패턴이 형성된 렌즈를 포함하는 카메라 모듈에도 적용할 수 있으므로, 카메라 모듈을 슬림하게 구현하는 것도 가능하다.According to the embodiment of the present invention, an optical filter having a lower transmittance and a wavelength shift of blue light can be obtained. Accordingly, it is possible to reduce the color bleeding problem of the blue light, and to reduce the color bleeding difference between the central portion and the peripheral portion. In particular, it can be applied to a camera module including a lens having a DOE pattern, it is also possible to implement a slim camera module.
도 1은 카메라 모듈의 단면도를 예시한다.
도 2는 DOE 렌즈 및 415nm CUT IR 필터를 포함하는 카메라 모듈로부터 얻어진 영상이다.
도 3은 도 2의 A 부분을 확대한 도면이고, 도 4는 도 2의 B부분을 확대한 도면이다.
도 5는 입사각에 따른 파장 시프트 현상을 나타내는 그래프이며, 도 6은 도 5의 청색광 영역을 확대한 그래프이다.
도 7은 본 발명의 한 실시예에 따른 광학 필터의 단면도이다.
도 8은 TiO2와 SiO2의 파장 별 굴절율을 비교하는 그래프이다.1 illustrates a cross-sectional view of a camera module.
2 is an image obtained from a camera module including a DOE lens and a 415 nm CUT IR filter.
3 is an enlarged view of portion A of FIG. 2, and FIG. 4 is an enlarged view of portion B of FIG. 2.
5 is a graph illustrating a wavelength shift phenomenon according to an incident angle, and FIG. 6 is an enlarged graph of the blue light region of FIG. 5.
7 is a cross-sectional view of an optical filter according to an embodiment of the present invention.
8 is a graph comparing refractive indices of wavelengths of TiO 2 and SiO 2 .
본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 실시예를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 실시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. As the invention allows for various changes and numerous embodiments, particular embodiments will be illustrated and described in the drawings. However, this is not intended to limit the present invention to specific embodiments, it should be understood to include all modifications, equivalents, and substitutes included in the spirit and scope of the present invention.
제2, 제1 등과 같이 서수를 포함하는 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되지는 않는다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제2 구성요소는 제1 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제1 구성요소도 제2 구성요소로 명명될 수 있다. 및/또는 이라는 용어는 복수의 관련된 기재된 항목들의 조합 또는 복수의 관련된 기재된 항목들 중의 어느 항목을 포함한다. Terms including ordinal numbers, such as second and first, may be used to describe various components, but the components are not limited by the terms. The terms are used only for the purpose of distinguishing one component from another. For example, without departing from the scope of the present invention, the second component may be referred to as the first component, and similarly, the first component may also be referred to as the second component. The term and / or includes a combination of a plurality of related items or any item of a plurality of related items.
어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "연결되어" 있다거나 "접속되어" 있다고 언급된 때에는, 그 다른 구성요소에 직접적으로 연결되어 있거나 또는 접속되어 있을 수도 있지만, 중간에 다른 구성요소가 존재할 수도 있다고 이해되어야 할 것이다. 반면에, 어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "직접 연결되어" 있다거나 "직접 접속되어" 있다고 언급된 때에는, 중간에 다른 구성요소가 존재하지 않는 것으로 이해되어야 할 것이다. When a component is said to be "connected" or "connected" to another component, it may be directly connected to or connected to that other component, but it may be understood that another component may be present in the middle. Should be. On the other hand, when a component is said to be "directly connected" or "directly connected" to another component, it should be understood that there is no other component in between.
본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 출원에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.The terminology used herein is for the purpose of describing particular example embodiments only and is not intended to be limiting of the present invention. Singular expressions include plural expressions unless the context clearly indicates otherwise. In this application, the terms "comprise" or "have" are intended to indicate that there is a feature, number, step, operation, component, part, or combination thereof described in the specification, and one or more other features. It is to be understood that the present invention does not exclude the possibility of the presence or the addition of numbers, steps, operations, components, components, or a combination thereof.
다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가지고 있다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥 상 가지는 의미와 일치하는 의미를 가지는 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.Unless defined otherwise, all terms used herein, including technical or scientific terms, have the same meaning as commonly understood by one of ordinary skill in the art. Terms such as those defined in the commonly used dictionaries should be construed as having meanings consistent with the meanings in the context of the related art, and shall not be construed in ideal or excessively formal meanings unless expressly defined in this application. Do not.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 실시예를 상세히 설명하되, 도면 부호에 관계없이 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 참조 번호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다.Hereinafter, exemplary embodiments will be described in detail with reference to the accompanying drawings, and the same or corresponding components will be given the same reference numerals regardless of the reference numerals, and redundant description thereof will be omitted.
본 명세서에서 광학 필터의 일 예인 IR 필터를 중심으로 설명하나, 이는 예시에 지나지 않으며, 본 발명의 기술적 사상이 이에 제한되는 것은 아니다. 본 발명의 실시예는 IR 필터뿐만 아니라 다양한 광학 필터에 적용될 수 있다.In the present specification, an example of an optical filter will be described based on an IR filter, but this is only an example, and the technical spirit of the present invention is not limited thereto. Embodiments of the present invention can be applied to various optical filters as well as IR filters.
도 1은 카메라 모듈의 단면도를 예시한다.1 illustrates a cross-sectional view of a camera module.
도 1을 참조하면, 카메라 모듈(100)은 인쇄회로기판(110), 이미지 센서(120), IR(InfraRed) 필터(130), 렌즈 어셈블리(140) 및 렌즈 홀더(150)를 포함한다.Referring to FIG. 1, the
인쇄회로기판(110) 상에 이미지 센서(120)가 장착되며, 이미지 센서(120)는 와이어(wire, 112)에 의하여 인쇄회로기판(110)과 연결된다. 이미지 센서(120)는, 예를 들면 CCD(Charge-Coupled Device) 또는 CMOS 센서일 수 있다.The
이미지 센서(120) 상에는 IR 필터(130)가 형성된다. IR 필터(130)는 카메라 모듈(100) 내에 입사되는 광으로부터 근적외선, 예를 들면 파장이 700nm 내지 1100nm 사이인 빛을 선택적으로 차단한다.An
렌즈 어셈블리(140)는 IR 필터(130) 상에 형성된다. 렌즈 어셈블리(140)는 DOE(Diffractive Optical Element) 패턴이 형성된 렌즈를 포함할 수 있다.The
그리고, IR 필터(130) 및 렌즈 어셈블리(140)는 렌즈 홀더(150) 내에 내장되며, 지지된다.In addition, the
이때, 카메라 모듈(100)로부터 얻어진 영상에는 청색광의 색번짐 문제가 발생할 수 있다. 이는 IR 필터(130)를 투과한 청색광의 양이 많으며, 입사각에 따라 청색광의 파장 시프트(shift)가 일어나기 때문이다. 특히, 렌즈가 DOE 패턴을 포함하는 경우, 청색광의 색번짐은 더욱 심해질 수 있다. In this case, the color blurring problem of blue light may occur in the image obtained from the
예를 들어, 일반적인 렌즈를 포함하는 카메라 모듈로부터 얻어진 영상의 경우, 중심부 및 주변부의 청색광 투과율이 약 5%이다. 그러나, DOE 렌즈 및 파장이 415nm 이하인 광을 차단하는 415nm CUT IR 필터를 포함하는 카메라 모듈로부터 얻어진 영상의 경우, 중심부의 청색광 투과율이 약 13%이고, 주변부의 청색광 투과율이 약 37%이다.For example, in the case of an image obtained from a camera module including a general lens, the blue light transmittance of the central part and the peripheral part is about 5%. However, for images obtained from a camera module comprising a DOE lens and a 415 nm CUT IR filter that blocks light having a wavelength of 415 nm or less, the blue light transmittance at the center is about 13% and the blue light transmittance at the periphery is about 37%.
이러한 영상은 도 2에 예시되어 있으며, 도 3은 도 2의 A 부분을 확대한 도면이고, 도 4는 도 2의 B부분을 확대한 도면이다. 이와 같이, 카메라 모듈의 슬림화 및 색수차 개선을 위하여 DOE 패턴이 형성된 렌즈를 사용하는 경우, 청색광의 색번짐이 심하며, 영상의 중심부(도 2의 A 부분, 예를 들면, 0.0F 내지 0.5F)에서 주변부(도 2의 B 부분, 예를 들면, 0.5F 내지 1.0F)로 갈수록 청색광의 색번짐이 더욱 심해진다. 이는 입사각이 작은 중심부에서는 적색광과 청색광의 노이즈가 유사하나, 입사각이 큰 주변부에서는 청색광의 노이즈가 현저히 커져, 파장 시프트가 일어나기 때문이다.2 is an enlarged view of portion A of FIG. 2, and FIG. 4 is an enlarged view of portion B of FIG. 2. As described above, when the lens having the DOE pattern is formed to reduce the camera module and improve chromatic aberration, the color blur of the blue light is severe, and the peripheral portion at the center of the image (part A of FIG. 2, for example, 0.0F to 0.5F) is used. (B part of FIG. 2, for example, 0.5F to 1.0F), the color bleeding of blue light becomes more severe. This is because the noise of the red light and the blue light is similar at the center of the small incident angle, but the noise of the blue light is significantly increased at the peripheral portion having the large incident angle, resulting in a wavelength shift.
도 5는 입사각에 따른 파장 시프트 현상을 나타내는 그래프이며, 도 6은 도 5의 청색광 영역을 확대한 그래프이다. 도 5 내지 6과 같이, 입사각에 따라 청색광의 파장 시프트가 발생하면, 영상의 중심부와 주변부 사이의 색번짐 정도가 달라지며, 영상의 질을 떨어뜨리게 된다.5 is a graph illustrating a wavelength shift phenomenon according to an incident angle, and FIG. 6 is an enlarged graph of the blue light region of FIG. 5. 5 to 6, when the wavelength shift of the blue light occurs according to the incident angle, the degree of color blur between the center and the peripheral portion of the image is changed, and the quality of the image is degraded.
본 발명의 실시예에 따르면, 청색광 범위에서 파장 영역 별 투과율이 달라지도록 설정된 광학 필터를 제공하고자 한다.According to an embodiment of the present invention, an optical filter is set to change transmittance for each wavelength region in a blue light range.
본 명세서에서, 투과율(%)은 빛이 광학 필터를 투과한 비율을 의미한다. 그리고, 청색광은 파장 영역이 415nm 내지 495nm, 바람직하게는 430nm 내지 460nm인 광을 의미한다.In the present specification, the transmittance (%) means the rate at which light transmitted through the optical filter. In addition, blue light means light having a wavelength range of 415 nm to 495 nm, preferably 430 nm to 460 nm.
도 7은 본 발명의 한 실시예에 따른 광학 필터의 단면도이다.7 is a cross-sectional view of an optical filter according to an embodiment of the present invention.
도 7을 참조하면, 광학 필터(700)는 기판(710), 버퍼층(720) 및 코팅층(730)을 포함한다. 광학 필터(700)의 두께는 0.3mm이하일 수 있다. 여기서, 광학 필터(700)는, 예를 들면 카메라 모듈에 입사되는 광으로부터 근적외선을 차단하는 IR 필터일 수 있다.Referring to FIG. 7, the
기판(710)은 가시광선 투과율이 90% 이상이고, 유리전이온도가 100℃ 이상인 수지, 필름 또는 유리일 수 있다.The
버퍼층(720)은 기판(710) 상에 형성되며, 코팅층(730)은 버퍼층(720) 상에 형성된다. 코팅층(730)은 굴절율이 서로 다른 제1 박막층(731) 및 제2 박막층(732)이 적어도 2회 이상 교대로 형성될 수 있다. 제1 박막층(731)은 TiO2를 포함하고, 제2 박막층(732)은 SiO2를 포함할 수 있다. The
차단하고자 하는 기준 파장이 Xnm인 경우, 제1 박막층과 제2 박막층 중 적어도 하나의 두께를 0.15Xnm 내지 0.35Xnm, 바람직하게는 0.2Xnm 내지 0.3Xnm로 설정하면, 기준 파장에 대한 반사율을 최적화할 수 있다. 예를 들어, 기준 파장이 820nm인 경우, 제1 박막층과 제2 박막층 중 적어도 하나의 두께를 123nm 내지 328nm, 바람직하게는 164nm 내지 246nm로 설정하면, 근적외선에 대한 반사율을 높일 수 있다.When the reference wavelength to be blocked is Xnm, by setting the thickness of at least one of the first thin film layer and the second thin film layer to 0.15Xnm to 0.35Xnm, preferably 0.2Xnm to 0.3Xnm, the reflectance with respect to the reference wavelength can be optimized. have. For example, when the reference wavelength is 820 nm, when the thickness of at least one of the first thin film layer and the second thin film layer is set to 123 nm to 328 nm, preferably 164 nm to 246 nm, the reflectance with respect to near infrared rays can be increased.
제1 박막층과 제2 박막층의 두께 비는 각 박막층에 포함되는 물질의 굴절율(Reflactive Index, n)에 따를 수도 있다. TiO2와 SiO2의 파장 별 굴절율을 비교하는 그래프인 도 8을 참조하면, 820nm에서 TiO2와 SiO2의 귤절율의 비는 약 2.8/1.55(=1.81)이다. 이에 따라, 제1 박막층 두께의 1.81배가 되도록 제2 박막층 두께를 설정할 수 있다.The thickness ratio of the first thin film layer and the second thin film layer may be based on the refractive index (n) of the material included in each thin film layer. Referring to FIG. 8, which is a graph comparing the refractive indexes of TiO 2 and SiO 2 by wavelength, the ratio of the refractive indexes of TiO 2 and SiO 2 at 820 nm is about 2.8 / 1.55 (= 1.81). Accordingly, the thickness of the second thin film layer can be set to be 1.81 times the thickness of the first thin film layer.
본 발명의 한 실시예에 따르면, 청색광 범위에서 파장 영역 별 투과율이 달라지도록 설정하기 위하여, 기판(710) 또는 코팅층(730)은 파장이 415nm 내지 495nm인 범위 내에서 파장 영역 별 투과율이 달라지도록 설정된 흡수체를 포함할 수 있다. 기판(710)이 Si 글라스인 경우, 파장 영역 별로 선택적으로 청색광을 흡수하는 흡수체는, 예를 들면 Na, K 및 Zn을 포함하는 물질일 수 있다. 또는, 가시광선 흡수 염료인 YT-245(ADEKA ARLKS, λmax=430nm) 또는 GPX-201(ADEKA ARLKS, λmax=493nm) 등이 청색광을 흡수하는 흡수체로 사용될 수도 있다. According to an embodiment of the present invention, in order to set the transmittance for each wavelength region in the blue light range, the
본 발명의 실시예에 따르면, 흡수체의 농도 및 비율을 조절하여 파장 영역 별로 원하는 수준의 투과율을 얻을 수 있다.According to an embodiment of the present invention, a desired level of transmittance can be obtained for each wavelength region by adjusting the concentration and the ratio of the absorber.
도 9는 본 발명의 한 실시예에 따라 파장 영역 별 청색광의 투과율을 설정하는 그래프이다. 9 is a graph for setting the transmittance of blue light for each wavelength region according to an embodiment of the present invention.
도 9를 참조하면, 기판(710) 또는 코팅층(730)은 파장이 415nm 내지 495nm인 범위 내에서 투과율이 10% 내지 40%인 것으로 설정될 수 있다. 예를 들어, 파장이 415nm 내지 450nm인 제1 파장 영역에 대한 투과율은 10% 내지 25%으로 설정되고, 파장이 450nm 내지 495nm인 제2 파장 영역에 대한 투과율은 25% 내지 40%으로 설정될 수 있다.Referring to FIG. 9, the
430nm CUT IR 필터의 중심부에서의 청색광 투과율이 약 21%이고, 주변부에서의 청색광 투과율이 약 26%이며, 460nm CUT IR 필터의 중심부에서의 청색광 투과율이 약 4%이고, 주변부에서의 청색광 투과율이 약 21%이다. 이와 같이, 특정 파장 이하의 광을 모두 차단하도록 설계된 IR 필터는 중심부 및 주변부의 청색광 투과율이 모두 높거나, 중심부 및 주변부의 청색광 투과율 차가 커지게 된다.The blue light transmittance at the center of the 430nm CUT IR filter is about 21%, the blue light transmittance at the periphery is about 26%, the blue light transmittance at the center of the 460nm CUT IR filter is about 4%, and the blue light transmittance at the periphery is about 21%. As described above, the IR filter designed to block all light below a specific wavelength has a high blue light transmittance at both the center and the periphery, or a large blue light transmittance difference at the center and the periphery.
이에 반해, 도 9와 같이 파장 영역 별 청색광의 투과율이 달라지도록 설정하면, IR 필터를 청색광의 투과율을 적절하게 유지하여 색번짐을 줄이면서도, 중심부와 주변부의 영상을 균일하게 유지할 수 있다.On the contrary, when the transmittance of the blue light for each wavelength region is set as shown in FIG. 9, the IR filter can maintain the transmittance of the blue light appropriately to reduce color bleeding while maintaining the central and peripheral images uniformly.
한편, 본 발명의 한 실시예에 따르면, 파장이 415nm 내지 495nm인 범위 내에서 파장 영역 별 투과율이 달라지도록 설정하기 위하여, 코팅층(730)의 두께를 조절할 수도 있다. Meanwhile, according to one embodiment of the present invention, the thickness of the
즉, 도 5 및 6에 도시된 바와 같이, 광학 필터(700)를 통과한 빛은 입사각에 따라 파장 시프트가 일어난다. 입사각에 따른 파장 시프트를 줄이기 위하여, 코팅층(730)의 중심부로부터 주변부로 갈수록 코팅층의 두께를 두껍게 설정할 수 있다. That is, as shown in FIGS. 5 and 6, the light passing through the
이를 위하여, 적어도 하나의 제1 박막층 및 적어도 하나의 제2 박막층 중 적어도 하나는 중심부로부터 주변부로 갈수록 두꺼워지도록 설정할 수 있다. 이에 따라, 입사각이 작은 영역 및 입사각이 큰 영역 각각에서 청색광의 반사율 또는 투과율을 최적화할 수 있다.To this end, at least one of the at least one first thin film layer and the at least one second thin film layer may be set to become thicker from the central portion to the periphery. Accordingly, the reflectance or transmittance of the blue light can be optimized in each of the region having a small incident angle and the region having a large incident angle.
일반적으로, 제1 박막층 및 제2 박막층 중 적어도 하나의 두께는 차단하고자 하는 파장의 0.15 내지 0.35배, 바람직하게는 0.2 내지 0.3의 두께로 설계할 수 있다. 따라서, 적어도 하나의 제1 박막층 및 적어도 하나의 제2 박막층 중 적어도 하나를 415nm 내지 495nm의 0.15 내지 0.35배, 바람직하게는 0.2 내지 0.3배의 두께로 형성할 수 있다. In general, the thickness of at least one of the first thin film layer and the second thin film layer may be designed to a thickness of 0.15 to 0.35 times the wavelength to be blocked, preferably 0.2 to 0.3. Accordingly, at least one of the at least one first thin film layer and the at least one second thin film layer may be formed to a thickness of 0.15 to 0.35 times, preferably 0.2 to 0.3 times, of 415 nm to 495 nm.
그리고, 적어도 하나의 제1 박막층 및 적어도 하나의 제2 박막층 중 적어도 하나는 415nm 내지 450nm의 0.15 내지 0.35배, 바람직하게는 0.2 내지 0.3배의 두께로 형성되는 제1 영역, 그리고 상기 제1 영역의 가장자리에 위치하며, 450nm 내지 495nm의 0.15 내지 0.35배, 바람직하게는 0.2 내지 0.3배의 두께로 형성되는 제2 영역을 포함할 수 있다.In addition, at least one of the at least one first thin film layer and the at least one second thin film layer may have a thickness of 0.15 to 0.35 times, preferably 0.2 to 0.3 times, between 415 nm and 450 nm, and Located at the edge, it may include a second region formed to a thickness of 0.15 to 0.35 times, preferably 0.2 to 0.3 times of 450nm to 495nm.
이때, 제1 박막층 및 제2 박막층의 두께는 각 박막층에 포함되는 물질의 굴절율을 고려하여 설정될 수도 있다. 예를 들어, 도 8에서 나타낸 바와 같이, 430nm에서 TiO2와 SiO2의 귤절율의 비는 3.15/1.55이고, 460nm에서 TiO2와 SiO2의 귤절율의 비는 3.1/1.55이다. 이에 따라, 제1 박막층 및 제2 박막층 중 적어도 하나를 제1 영역에서 415nm 내지 450nm의 0.15 내지 0.35배, 바람직하게는 0.2 내지 0.3배의 두께로 형성하고, 제2 영역에서 450nm 내지 495nm의 0.15 내지 0.35배, 바람직하게는 0.2 내지 0.3배의 두께로 형성하되, 제1 영역에서는 제1 박막층 두께의 3.15/1.55배가 되도록 제2 박막층 두께를 설정하고, 제2 영역에서는 제1 박막층 두께의 3.1/1.55배가 되도록 제2 박막층 두께를 설정할 수 있다.In this case, the thickness of the first thin film layer and the second thin film layer may be set in consideration of the refractive index of the material included in each thin film layer. For example, as shown in FIG. 8, the ratio of the regulation ratio of
이에 따라, 도 10에서 도시된 바와 같이, 파장이 415nm 내지 495nm인 범위 내에서 입사각에 따른 파장 시프트가 최소화된 광학 필터를 얻을 수 있다. Accordingly, as shown in FIG. 10, an optical filter having a minimum wavelength shift according to an incident angle within a range of 415 nm to 495 nm may be obtained.
한편, 본 발명의 실시예에 따른 IR 필터는 기판, 버퍼층 및 코팅층을 포함하는 것으로 예시되어 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. IR 필터는 버퍼층 및 코팅층을 포함하지 않을수도 있다. 이때, IR 필터는 근적외선을 흡수하는 흡수체 및 415nm 내지 495nm의 범위에서 파장 영역 별로 투과율이 다른 흡수체를 더 포함하는 기판을 포함할 수 있다. 근적외선을 흡수하는 흡수체는, 예를 들면 P2O5계 물질을 포함할 수 있다.Meanwhile, the IR filter according to the embodiment of the present invention is illustrated as including a substrate, a buffer layer, and a coating layer, but is not limited thereto. The IR filter may not include a buffer layer and a coating layer. In this case, the IR filter may include a substrate including an absorber absorbing near infrared rays and an absorber having a different transmittance for each wavelength region in a range of 415 nm to 495 nm. The absorber absorbing near infrared rays may include, for example, a P 2 O 5 based material.
상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.Although described above with reference to a preferred embodiment of the present invention, those skilled in the art will be variously modified and changed within the scope of the invention without departing from the spirit and scope of the invention described in the claims below I can understand that you can.
100: 카메라 모듈
110: 인쇄회로기판
120: 이미지 센서
130: IR 필터
140: 렌즈 어셈블리
150: 렌즈 홀더
700: 광학 필터
710: 기판
720: 버퍼층
730: 코팅층100: camera module
110: printed circuit board
120: image sensor
130: IR filter
140: lens assembly
150: lens holder
700: optical filter
710: substrate
720: buffer layer
730: coating layer
Claims (13)
상기 기판 상에 형성된 버퍼층, 그리고
상기 버퍼층 상에 형성되며, 굴절율이 서로 다른 제1 박막층 및 제2 박막층이 적어도 2회 이상 교대로 형성된 코팅층을 포함하며,
파장이 415nm 내지 495nm인 범위 내에서 파장 영역 별 투과율이 달라지도록 설정되고,
상기 코팅층은 중심으로부터 주변으로 갈수록 두께가 두꺼워지며,
적어도 하나의 제1 박막층 및 적어도 하나의 제2 박막층 중 적어도 하나는 415nm 내지 495nm의 0.15 내지 0.35배의 두께로 형성되고,
적어도 하나의 제1 박막층 및 적어도 하나의 제2 박막층 중 적어도 하나는
415nm 내지 450nm의 0.15 내지 0.35배의 두께로 형성되는 제1 영역, 그리고
상기 제1 영역의 가장자리에 위치하며, 450nm 내지 495nm의 0.15 내지 0.35배의 두께로 형성되는 제2 영역을 포함하는 광학 필터.Board,
A buffer layer formed on the substrate, and
A coating layer formed on the buffer layer, wherein the first thin film layer and the second thin film layer having different refractive indices are alternately formed at least two times,
The transmittance for each wavelength region is set to be different within a range of 415 nm to 495 nm,
The coating layer is thicker from the center toward the periphery,
At least one of the at least one first thin film layer and the at least one second thin film layer is formed to a thickness of 0.15 to 0.35 times of 415 nm to 495 nm,
At least one of the at least one first thin film layer and the at least one second thin film layer
A first region formed to a thickness of 0.15 to 0.35 times of 415 nm to 450 nm, and
An optical filter including a second region positioned at an edge of the first region and formed to a thickness of 0.15 to 0.35 times of 450 nm to 495 nm.
상기 기판은 파장이 415nm 내지 495nm인 범위 내에서 파장 영역 별 투과율이 달라지도록 설정된 흡수체를 포함하는 광학 필터.The method of claim 1,
The substrate includes an absorber configured to vary the transmittance for each wavelength region within a range of 415 nm to 495 nm.
상기 기판은 파장이 415nm 내지 495nm인 범위 내에서 투과율이 10% 내지 40%인 광학 필터.The method of claim 2,
The substrate has an optical filter having a transmittance of 10% to 40% within a wavelength range of 415 nm to 495 nm.
파장이 415nm 내지 450nm인 제1 파장 영역에 대한 투과율은 10% 내지 25%이고,
파장이 450nm 내지 495nm인 제2 파장 영역에 대한 투과율은 25% 내지 40%인 광학 필터.The method of claim 3,
The transmittance for the first wavelength region having a wavelength of 415 nm to 450 nm is 10% to 25%,
An optical filter having a transmittance of 25% to 40% for a second wavelength region having a wavelength of 450 nm to 495 nm.
상기 기판은 근적외선을 흡수하는 흡수체를 더 포함하는 광학 필터.The method of claim 4, wherein
The substrate further comprises an absorber for absorbing near infrared rays.
상기 제1 박막층은 TiO2를 포함하고, 상기 제2 박막층은 SiO2를 포함하는 광학 필터.The method of claim 1,
The first thin film layer comprises TiO 2 , and the second thin film layer comprises SiO 2 .
상기 인쇄회로기판 상에 장착되며, 와이어에 의하여 상기 인쇄회로기판과 연결되는 이미지 센서,
상기 이미지 센서 상에 형성되며, 파장이 415nm 내지 495nm인 범위 내에서 파장 영역 별 투과율이 달라지도록 설정되는 광학 필터,
상기 광학 필터 상에 형성되는 렌즈 어셈블리, 그리고
상기 광학 필터 및 상기 렌즈 어셈블리를 내장하며, 지지하는 렌즈 홀더를 포함하고,
상기 광학 필터는
기판,
상기 기판 상에 형성된 버퍼층, 그리고
상기 버퍼층 상에 형성되며, 굴절율이 서로 다른 제1 박막층 및 제2 박막층이 적어도 2회 이상 교대로 형성된 코팅층을 포함하며,
파장이 415nm 내지 495nm인 범위 내에서 파장 영역 별 투과율이 달라지도록 설정되고,
상기 코팅층은 중심으로부터 주변으로 갈수록 두께가 두꺼워지며,
적어도 하나의 제1 박막층 및 적어도 하나의 제2 박막층 중 적어도 하나는 415nm 내지 495nm의 0.15 내지 0.35배의 두께로 형성되고,
적어도 하나의 제1 박막층 및 적어도 하나의 제2 박막층 중 적어도 하나는415nm 내지 450nm의 0.15 내지 0.35배의 두께로 형성되는 제1 영역, 그리고
상기 제1 영역의 가장자리에 위치하며, 450nm 내지 495nm의 0.15 내지 0.35배의 두께로 형성되는 제2 영역을 포함하는 카메라 모듈.Printed circuit board,
An image sensor mounted on the printed circuit board and connected to the printed circuit board by a wire;
An optical filter formed on the image sensor and set to have a different transmittance for each wavelength region within a range of 415 nm to 495 nm;
A lens assembly formed on the optical filter, and
A lens holder incorporating and supporting the optical filter and the lens assembly;
The optical filter is
Board,
A buffer layer formed on the substrate, and
A coating layer formed on the buffer layer, wherein the first thin film layer and the second thin film layer having different refractive indices are alternately formed at least two times,
The transmittance for each wavelength region is set to be different within a range of 415 nm to 495 nm,
The coating layer is thicker from the center toward the periphery,
At least one of the at least one first thin film layer and the at least one second thin film layer is formed to a thickness of 0.15 to 0.35 times of 415 nm to 495 nm,
At least one of the at least one first thin film layer and the at least one second thin film layer is a first region formed to a thickness of 0.15 to 0.35 times of 415 nm to 450 nm, and
And a second region positioned at an edge of the first region and formed to a thickness of 0.15 to 0.35 times of 450 nm to 495 nm.
상기 렌즈 어셈블리는 DOE(Diffractive Optical element) 패턴이 형성된 렌즈를 포함하는 카메라 모듈.The method of claim 10,
The lens assembly includes a lens formed with a diffractive optical element (DOE) pattern.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020130084093A KR102076803B1 (en) | 2013-07-17 | 2013-07-17 | Optical filter and camera module for comprising the same |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020130084093A KR102076803B1 (en) | 2013-07-17 | 2013-07-17 | Optical filter and camera module for comprising the same |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20150009764A KR20150009764A (en) | 2015-01-27 |
KR102076803B1 true KR102076803B1 (en) | 2020-02-12 |
Family
ID=52481810
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020130084093A Active KR102076803B1 (en) | 2013-07-17 | 2013-07-17 | Optical filter and camera module for comprising the same |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR102076803B1 (en) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102615941B1 (en) | 2016-07-29 | 2023-12-20 | 삼성전자 주식회사 | IR cut-off filter and camera or an electronic apparatus having the same |
KR102176796B1 (en) * | 2018-12-19 | 2020-11-10 | 주식회사 세코닉스 | Lens for camera module |
JP2020134571A (en) * | 2019-02-14 | 2020-08-31 | キヤノン株式会社 | Optical element, optical system, imaging device and lens device |
KR102406864B1 (en) * | 2021-11-05 | 2022-06-10 | 신진엠텍(주) | Optical structure including optical multilayer film and manufacturing method thereof |
CN116224548A (en) * | 2023-03-29 | 2023-06-06 | 诚瑞光学(常州)股份有限公司 | optical lens |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002031714A (en) | 2000-07-14 | 2002-01-31 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Optical filter and tunable optical filter device |
JP2006154359A (en) * | 2004-11-30 | 2006-06-15 | Kyocera Kinseki Corp | Infrared cut filter |
JP2011022432A (en) * | 2009-07-17 | 2011-02-03 | Sony Corp | Multilayer film optical filter, solid imaging element, imaging apparatus, display device, and communication device |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2689661B2 (en) * | 1989-12-18 | 1997-12-10 | 松下電器産業株式会社 | Thin film electroluminescent device including optical interference filter |
KR101178720B1 (en) * | 2009-06-16 | 2012-09-03 | 제일모직주식회사 | Optical film with anti-reflection and near infrared absorption |
-
2013
- 2013-07-17 KR KR1020130084093A patent/KR102076803B1/en active Active
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002031714A (en) | 2000-07-14 | 2002-01-31 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Optical filter and tunable optical filter device |
JP2006154359A (en) * | 2004-11-30 | 2006-06-15 | Kyocera Kinseki Corp | Infrared cut filter |
JP2011022432A (en) * | 2009-07-17 | 2011-02-03 | Sony Corp | Multilayer film optical filter, solid imaging element, imaging apparatus, display device, and communication device |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20150009764A (en) | 2015-01-27 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US9835779B2 (en) | Near infrared cutoff filter | |
US10416365B2 (en) | Optical arrangement for camera modules, camera modules with optical arrangements, and method of manufacture | |
US9726797B2 (en) | Near-infrared cut filter | |
KR102076803B1 (en) | Optical filter and camera module for comprising the same | |
US10228500B2 (en) | Optical filter and imaging device | |
WO2014084167A1 (en) | Near-infrared ray cut filter | |
US20170146708A1 (en) | Optical filter and imaging device comprising same | |
CN103261927B (en) | Optical filter module and optical filter system | |
WO2019189039A1 (en) | Optical filter | |
CN103675970A (en) | Infrared cut filter and imaging apparatus | |
JP7251423B2 (en) | Optical components and camera modules | |
TW201417257A (en) | Imaging element and imaging device | |
US20100271482A1 (en) | Imaging element unit | |
US20150316416A1 (en) | Optical module and imaging system | |
US9122008B2 (en) | Optical element with infrared absorbing layer and lens module including same | |
JP4963028B2 (en) | ND filter and light quantity reduction device using the ND filter | |
JP6136661B2 (en) | Near-infrared cut filter | |
CN108693584A (en) | Optical filter and the solid-state imaging apparatus for using optical filter | |
US20140016188A1 (en) | Lens System | |
TWI400795B (en) | Image sensor | |
KR102048002B1 (en) | Telecentric optical system and camera module for comprising the same | |
JP2013174818A (en) | Optical filter | |
KR102053761B1 (en) | Ir filter and camera module for comprising the same | |
US10304883B2 (en) | Color filter array and image sensing device using the same | |
JP6268691B2 (en) | Beam splitting optical element and digital single lens reflex camera |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PA0109 | Patent application |
Patent event code: PA01091R01D Comment text: Patent Application Patent event date: 20130717 |
|
PG1501 | Laying open of application | ||
PA0201 | Request for examination |
Patent event code: PA02012R01D Patent event date: 20180706 Comment text: Request for Examination of Application Patent event code: PA02011R01I Patent event date: 20130717 Comment text: Patent Application |
|
E902 | Notification of reason for refusal | ||
PE0902 | Notice of grounds for rejection |
Comment text: Notification of reason for refusal Patent event date: 20190627 Patent event code: PE09021S01D |
|
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
PE0701 | Decision of registration |
Patent event code: PE07011S01D Comment text: Decision to Grant Registration Patent event date: 20191107 |
|
GRNT | Written decision to grant | ||
PR0701 | Registration of establishment |
Comment text: Registration of Establishment Patent event date: 20200206 Patent event code: PR07011E01D |
|
PR1002 | Payment of registration fee |
Payment date: 20200207 End annual number: 3 Start annual number: 1 |
|
PG1601 | Publication of registration |