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KR102067546B1 - Organic device for X-ray detect and method of manufacturing the same - Google Patents

Organic device for X-ray detect and method of manufacturing the same Download PDF

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KR102067546B1
KR102067546B1 KR1020180022136A KR20180022136A KR102067546B1 KR 102067546 B1 KR102067546 B1 KR 102067546B1 KR 1020180022136 A KR1020180022136 A KR 1020180022136A KR 20180022136 A KR20180022136 A KR 20180022136A KR 102067546 B1 KR102067546 B1 KR 102067546B1
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pcbm
pcdtbt
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layer
substrate
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강정원
선혜지
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단국대학교 산학협력단
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Abstract

X-선 검출용 유기소자의 신호 취득 효율을 높일 수 있는 X-선 검출용 유기소자 및 그 제조방법이 개시된다. 종래의 P3HT:PCBM를 기반으로 한 활성층을 포함하는 X-선 검출용 유기소자의 경우 가시광 영역의 흡광도가 저조하여 조사된 X-선이 섬광체에 의해 빛으로 변환되어 검출소자에 입사될 경우 그 흡수율이 낮은 단점을 가지고 있으나, 이를 개선하기 위해 활성층의 물질로 PCDTBT:PCBM를 사용하여 종래의 P3HT:PCBM 대비 가시광 영역의 흡광도를 개선함으로써 신호 취득 효율을 향상시킬 수 있는 X-선 검출용 유기소자 및 그 제조방법을 제공한다.Disclosed are an organic device for detecting X-rays and a method of manufacturing the same, which can improve signal acquisition efficiency of an organic device for detecting X-rays. In the case of the X-ray detection organic device including the active layer based on P3HT: PCBM, the absorbance of the X-rays irradiated due to the low absorption of visible light is converted to light by the scintillator and incident on the detection device. Although it has a low disadvantage, in order to improve the X-ray detection organic device that can improve the signal acquisition efficiency by improving the absorbance of the visible light region compared to the conventional P3HT: PCBM by using PCDTBT: PCBM as the material of the active layer and It provides a manufacturing method.

Description

X-선 검출용 유기소자 및 그 제조방법{Organic device for X-ray detect and method of manufacturing the same}Organic device for X-ray detection and its manufacturing method {Organic device for X-ray detect and method of manufacturing the same}

본 발명은 X-선 검출용 유기소자 및 그 제조방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 PCDTBT:PCBM을 이용한 X-선 검출용 유기소자 및 그 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to an organic device for detecting X-rays and a method of manufacturing the same, and more particularly, to an organic device for detecting X-rays using PCDTBT: PCBM and a method of manufacturing the same.

일반적으로, 사용빈도가 높은 디지털 X-선 영상장치는 크게 광도전체 (photoconductor)의 전기적 신호를 직접 받아 영상을 만들어내는 직접변환방식과 유도된 섬광체(scintillator)의 빛을 집광 소자를 이용하여 전기신호로 변환시켜 영상을 만들어내는 간접변환방식이 있다.In general, a high frequency digital X-ray imaging apparatus uses a direct conversion method that directly receives an electrical signal of a photoconductor to produce an image, and uses an optical signal of a scintillator to induce light of a scintillator. There is an indirect conversion method that converts a video into a video.

종래에는 반도체 무기재료 기반의 X-선 검출기가 일반적으로 사용되고 있으며 대체할 기술로써 유기태양전지 기술과 X-선 기술을 접목시킨 유기재료 기반의 검출소자의 연구가 진행되고 있다.Conventionally, an X-ray detector based on a semiconductor inorganic material is generally used, and as a technique to replace, research on an organic material based detection device combining organic solar cell technology and X-ray technology has been conducted.

도 1은 종래의 X-선 검출용 유기소자를 나타내는 도면이다.1 is a view showing a conventional organic device for detecting X-rays.

도 1을 참조하면, 종래의 X-선 검출용 유기소자(100)는 기판(110), 기판(110) 상부에 형성되는 제1 전극층(120), 제1 전극층(120) 상부에 형성되고 정공의 수송을 향상시키는 정공수송층(130), 정공수송층(130) 상부에 형성되고 인가되는 X-선으로부터 전자-정공쌍을 형성하는 활성층(140) 및 활성층(140) 상부에 형성되는 제2 전극층(150)을 포함한다.Referring to FIG. 1, a conventional X-ray detecting organic device 100 is formed on a substrate 110, a first electrode layer 120 formed on an upper surface of the substrate 110, and an upper portion of the first electrode layer 120. A hole transport layer 130 to improve the transport of the active layer 140 formed on the hole transport layer 130 and applied to form an electron-hole pair from the applied X-rays and the second electrode layer formed on the active layer 140 ( 150).

이러한 종래의 X-선 검출용 유기소자(100)의 경우 1V 이하의 구동전압에서 동작하며, X-선이 인가되었을 때 변환효율은 반도체기반 검출기의 100분의 1정도의 검출 성능을 갖는다.The conventional X-ray detection organic device 100 operates at a driving voltage of 1V or less, and when X-rays are applied, the conversion efficiency has a detection performance of about one hundredth of that of a semiconductor-based detector.

또한, 종래의 X-선 검출용 유기소자(100)는 활성층(140) 물질로써 일반적으로 P3HT:PCBM을 사용한다. 하지만, 간접변환방식에 있어서 P3HT:PCBM 활성층(140)이 적용된 검출소자의 경우 섬광체에서 변환되어 도달하는 광을 다시 전기신호로 변환하는 검출 효율이 낮기에 이에 대한 개선이 필요하다.In addition, the conventional organic device 100 for detecting X-rays generally uses P3HT: PCBM as the active layer 140 material. However, in the indirect conversion method, the detection device to which the P3HT: PCBM active layer 140 is applied has a low detection efficiency for converting light that is converted and arrived from the scintillator back into an electric signal, and thus an improvement is required.

한국등록특허 10-1412896Korea Patent Registration 10-1412896

본 발명은 상술한 종래 기술의 문제점을 해결하기 위한 것이다. 즉, 종래의 물질 대비 우수한 흡광도를 기반으로 신호 취득 효율을 향상시킬 수 있는 X-선 검출용 유기소자 및 그 제조방법을 제공함에 있다.The present invention solves the problems of the prior art described above. That is, the present invention provides an X-ray detecting organic device and a method of manufacturing the same, which can improve signal acquisition efficiency based on superior absorbance compared to conventional materials.

상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 X-선 검출용 유기소자는 기판, 상기 기판 상부에 형성되는 제1 전극층, 상기 제1 전극층 상부에 형성되고, 정공의 수송을 향상시키는 정공수송층, 상기 정공수송층 상부에 형성되고, 상기 기판 하부에서 발생한 가시광선을 흡수하여 전자-정공 쌍을 생성하는 활성층, 상기 활성층 상부에 형성되는 제2 전극층 및 상기 기판 하부에 형성되며, X-선을 가시광선으로 변환하는 섬광체층(scintillator)을 포함하고, 상기 활성층은 PCDTBT:PCBM의 혼합물로 형성되는 것을 특징으로 한다.The organic device for detecting X-rays of the present invention for solving the above problems is a substrate, a first electrode layer formed on the substrate, a hole transport layer formed on the first electrode layer, to improve the transport of holes, the hole transport layer An active layer formed on the substrate and absorbing visible light generated from the bottom of the substrate to generate an electron-hole pair, a second electrode layer formed on the active layer, and a substrate formed on the substrate, and converting X-rays to visible rays And a scintillator layer, wherein the active layer is formed of a mixture of PCDTBT: PCBM.

상기 PCDTBT:PCBM는 상기 PCDTBT 1중량부에 대하여 PCBM 2 내지 4.5중량부로 이루어질 수 있다.The PCDTBT: PCBM may be made of PCBM 2 to 4.5 parts by weight based on 1 part by weight of the PCDTBT.

상기 PCDTBT:PCBM는 상기 섬광체층의 스팩트럼 특성과 비교하여 높은 정합도를 갖도록 PCDTBT 1중량부에 대하여 PCBM 4중량부를 갖을 수 있다.The PCDTBT: PCBM may have 4 parts by weight of PCBM based on 1 part by weight of PCDTBT to have a high degree of matching compared to the spectral characteristics of the scintillator layer.

상기 PCDTBT:PCBM이 혼합된 상기 활성층은 65nm 내지 90nm의 두께를 갖을 수 있다.The active layer in which the PCDTBT: PCBM is mixed may have a thickness of about 65 nm to about 90 nm.

상기 PCDTBT:PCBM이 혼합된 상기 활성층은 85nm의 두께를 갖을 수 있다.The active layer in which the PCDTBT: PCBM is mixed may have a thickness of 85 nm.

상기 섬광체층은 Nal:TI, Csl:TI, Y3Al5O12:Ce, CdWO4, LuAG:Ce및 Gd2O2S:Tb로 이루어진 군에서 어느 하나로 형성될 수 있다.The scintillator layer may be formed of any one of a group consisting of Nal: TI, Csl: TI, Y 3 Al 5 O 12: Ce, CdWO 4, LuAG: Ce, and Gd 2 O 2 S: Tb.

상기 Csl:TI 물질로 형성된 섬광체층의 발광도와 상기 PCDTBT:PCBM이 혼합된 활성층의 흡광도가 500 내지 650nm 파장 영역에서 겹칠 수 있다.The luminescence of the scintillator layer formed of the Csl: TI material and the absorbance of the active layer in which the PCDTBT: PCBM is mixed may overlap in the wavelength range of 500 to 650 nm.

상기 섬광체층은 1mm이하의 두께를 갖을 수 있다.The scintillator layer may have a thickness of 1 mm or less.

상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 X-선 검출용 유기소자의 제조방법은 기판 상부에 제1 전극층을 형성하는 단계, 상기 제1 전극층 상부에 정공수송층을 형성하는 단계, 상기 정공수송층 상부에 PCDTBT:PCBM의 혼합물로 형성된 활성층을 형성하는 단계, 상기 활성층 상부에 제2 전극층을 형성하는 단계 및 상기 기판 하부에 섬광체층(scintillator)을 형성하는 단계를 포함한다.According to an aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing an organic device for detecting X-rays, the method comprising: forming a first electrode layer on a substrate, forming a hole transport layer on the first electrode layer, and a PCDTBT on the hole transport layer. : Forming an active layer formed of a mixture of PCBM, forming a second electrode layer on the active layer and forming a scintillator on the bottom of the substrate.

상기 기판 상부에 제1 전극층을 형성하는 단계에서, 상기 기판은 ITO 투명 전극이 코팅된 무알칼리 글라스(Non-Alkali Glass) 기판일 수 있다.In the forming of the first electrode layer on the substrate, the substrate may be a non-alkali glass substrate coated with an ITO transparent electrode.

상기 활성층을 형성하는 단계에서, 상기 PCDTBT:PCBM는 상기 PCDTBT 1중량부에 대하여 PCBM 2 내지 4.5중량부로 이루어질 수 있다.In the step of forming the active layer, the PCDTBT: PCBM may be made of PCBM 2 to 4.5 parts by weight based on 1 part by weight of the PCDTBT.

상기 활성층을 형성하는 단계에서, 상기 PCDTBT:PCBM이 혼합된 상기 활성층은 65nm 내지 90nm의 두께를 갖을 수 있다.In the step of forming the active layer, the active layer mixed with the PCDTBT: PCBM may have a thickness of 65nm to 90nm.

상기 섬광체층을 형성하는 단계에서, 상기 섬광체층은 Nal:TI, Csl:TI, Y3Al5O12:Ce, CdWO4, LuAG:Ce및 Gd2O2S:Tb로 이루어진 군에서 어느 하나로 형성될 수 있다.In the step of forming the scintillator layer, the scintillator layer may be formed of any one of a group consisting of Nal: TI, Csl: TI, Y 3 Al 5 O 12: Ce, CdWO 4, LuAG: Ce, and Gd 2 O 2 S: Tb.

상기 Csl:TI 물질로 형성된 섬광체층의 발광도와 상기 PCDTBT:PCBM이 혼합된 활성층의 흡광도가 500 내지 650nm 파장 영역에서 겹칠 수 있다.The luminescence of the scintillator layer formed of the Csl: TI material and the absorbance of the active layer in which the PCDTBT: PCBM is mixed may overlap in the wavelength range of 500 to 650 nm.

상기 제2 전극층을 형성하는 단계 이후에 봉지(Encapsulation)공정을 수행하는 단계를 더 포함할 수 있다.The method may further include performing an encapsulation process after forming the second electrode layer.

본 발명에 따르면, 간접변환방식의 유기재료 기반의 X-선 검출소자를 제작함으로써 종래의 반도체기반의 검출소자보다 대면적, 경제성, 공정적인 부분 등의 측면에서 장점을 갖고 있다.According to the present invention, by fabricating an X-ray detection device based on an organic material based on an indirect conversion method, it has advantages in terms of large area, economical efficiency, and fairness, compared to conventional semiconductor-based detection devices.

즉, 종래의 P3HT:PCBM의 혼합물질을 기반으로 한 활성층을 포함하는 X-선 검출소자의 경우 가시광 영역의 흡광도가 저조하여 조사된 X-선이 섬광체에 의해 빛으로 변환되어 검출소자에 입사될 경우 그 흡수율이 낮은 단점을 가지고 있으나, 본 발명에 따른 PCDTBT:PCBM 혼합물질을 기반으로 한 활성층을 포함하는 X-선 검출소자의 경우 종래의 P3HT:PCBM 대비 가시광 영역의 흡광도가 우수하여 신호 취득 효율을 향상시킬 수 있는 장점이 있다.That is, in the case of an X-ray detection device including an active layer based on a mixture of P3HT: PCBM in the related art, the absorbed X-rays are irradiated by the scintillator to be incident on the detection device due to low absorbance of the visible light region. In case of having a low absorption rate, the X-ray detection device including the active layer based on the PCDTBT: PCBM mixture according to the present invention has an excellent absorbance of visible light region compared to the conventional P3HT: PCBM signal acquisition efficiency. There is an advantage to improve.

본 발명의 기술적 효과들은 이상에서 언급한 것들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 효과들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The technical effects of the present invention are not limited to those mentioned above, and other technical effects that are not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the following description.

도 1은 종래의 X-선 검출용 유기소자를 나타내는 도면이다.
도 2는 본 발명의 X-선 검출용 유기소자를 나타내는 도면이다.
도 3은 X-선 검출용 유기소자의 두 가지 활성층 물질(P3HT:PCBM, PCDTBT:PCBM)의 흡광 곡선과 섬광체의 발광 곡선의 비교 그래프이다.
도 4 내지 도 8은 본 발명의 X-선 검출용 유기소자의 제작방법을 나타내는 도면이다.
도 9는 본 발명에 따른 X-선 검출소자의 X-선 노출시 검출된 전하량을 나타내는 그래프이다.
도 10은 본 발명의 PCDTBT:PCBM 혼합 비율에 따른 간접변환방식의 X-선 검출소자의 특성을 나타낸 그래프이다.
도 11은 본 발명의 PCDTBT:PCBM 혼합 비율에 따른 X-선 검출소자의 IPCE 특성을 나타낸 그래프이다.
도 12는 본 발명의 PCDTBT:PCBM이 혼합된 활성층의 두께에 따른 특성 변화를 나타내는 그래프이다.
도 13은 X-선 검출용 유기소자의 두 가지 활성층 물질(P3HT:PCBM, PCDTBT:PCBM)에 대한 민감도와 암 전류 밀도를 비교하기 위한 그래프이다.
1 is a view showing a conventional organic device for detecting X-rays.
2 is a view showing an organic device for X-ray detection of the present invention.
3 is a graph comparing the absorption curves of the two active layer materials (P3HT: PCBM, PCDTBT: PCBM) and the emission curves of the scintillator of the organic device for X-ray detection.
4 to 8 are views showing a method for manufacturing an organic device for detecting X-rays of the present invention.
9 is a graph showing the amount of charge detected upon X-ray exposure of the X-ray detection device according to the present invention.
10 is a graph showing the characteristics of the X-ray detection device of the indirect conversion method according to the PCDTBT: PCBM mixing ratio of the present invention.
11 is a graph showing the IPCE characteristics of the X-ray detection device according to the PCDTBT: PCBM mixing ratio of the present invention.
12 is a graph showing a change in characteristics according to the thickness of the active layer mixed with PCDTBT: PCBM of the present invention.
FIG. 13 is a graph for comparing sensitivity and dark current density of two active layer materials (P3HT: PCBM, PCDTBT: PCBM) of an organic device for X-ray detection.

본 발명은 다양한 변환을 가할 수 있고 여러 가지 실시 예를 가질 수 있는바, 특정 실시 예들을 도면에 예시하고 상세한 설명에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 실시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변환, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 본 발명을 설명함에 있어서 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명을 생략한다.As the inventive concept allows for various changes and numerous embodiments, particular embodiments will be illustrated in the drawings and described in detail in the written description. However, this is not intended to limit the present invention to specific embodiments, it should be understood to include all transformations, equivalents, and substitutes included in the spirit and scope of the present invention. In the following description of the present invention, if it is determined that the detailed description of the related known technology may obscure the gist of the present invention, the detailed description thereof will be omitted.

이하, 본 발명에 따른 실시 예들을 첨부 도면을 참조하여 상세히 설명하기로 하며, 첨부 도면을 참조하여 설명함에 있어, 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 도면번호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings, and in the following description with reference to the accompanying drawings, the same or corresponding components are given the same reference numerals and redundant description thereof will be omitted. Shall be.

실시예Example

도 2는 본 발명의 X-선 검출용 유기소자(200)를 나타내는 도면이다.2 is a view showing the organic device for detecting X-rays 200 of the present invention.

도 2를 참조하면, 본 발명에 따른 X-선 검출용 유기소자(200)는 기판(210), 제1 전극층(220), 정공수송층(230), 활성층(240), 제2 전극층(250) 및 섬광체층(scintillator)(270)을 포함하며, 하부로부터 섬광체층(270), 기판(210), 제1 전극층(220), 정공수송층(230), 활성층(240) 및 제2 전극층(250)의 순서로 형성될 수 있다.2, the organic device 200 for detecting X-rays according to the present invention may include a substrate 210, a first electrode layer 220, a hole transport layer 230, an active layer 240, and a second electrode layer 250. And a scintillator layer 270, from which the scintillator layer 270 is formed, the scintillator layer 270, the substrate 210, the first electrode layer 220, the hole transport layer 230, the active layer 240, and the second electrode layer 250. It may be formed in the order of.

기판(210)은 유리 또는 유연성이 있는 플라스틱으로 형성될 수 있다. 기판(210)이 유연성이 있는 플라스틱일 경우, PET(polyethylene terephthalate), PES (polyester), PT(polythiophene), PI(polyimide)중에서 어느 하나인 플라스틱으로 형성되거나, 알루미늄 포일(aluminum foil), 또는 스테인리스 스틸 포일(stainless steel foil)인 유연한 재료로 형성되어 유연성을 가진다. 바람직한 실시예에 따르면, 본 발명에 따른 기판(210)은 ITO 투명 전극이 코팅된 무알칼리 글라스(Non-Alkali Glass) 기판(210)일 수 있다.The substrate 210 may be formed of glass or plastic having flexibility. When the substrate 210 is a flexible plastic, the substrate 210 may be formed of any one of polyethylene terephthalate (PET), polyester (PES), polythiophene (PT), and polyimide (PI), aluminum foil, or stainless steel. It is formed from a flexible material that is a stainless steel foil and has flexibility. According to a preferred embodiment, the substrate 210 according to the present invention may be a non-alkali glass substrate 210 coated with an ITO transparent electrode.

제1 전극층(220)은 기판(210) 상부에 형성될 수 있으며, 제1 전극층(220)은 투명하거나 전도성 물질일 수 있다. 제1 전극층(220)을 이루는 물질은 인듐 틴 옥사이드(indium tin oxide: ITO), 안티몬 틴 옥사이드(antimony tin oxide: ATO), 플루오린 틴 옥사이드(fluorine tin oxide: FTO), 알루미늄 도핑된 징크 옥사이드(Al-doped Zinc Oxide: AZO) 등으로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상일 수 있다. 바람직하게는 인듐 틴 옥사이드(ITO)를 사용하여 제1 전극층(220)이 형성될 수 있다.The first electrode layer 220 may be formed on the substrate 210, and the first electrode layer 220 may be a transparent or conductive material. The material of the first electrode layer 220 may be indium tin oxide (ITO), antimony tin oxide (ATO), fluorine tin oxide (FTO), or aluminum-doped zinc oxide ( Al-doped Zinc Oxide: AZO) may be one or more selected from the group consisting of. Preferably, the first electrode layer 220 may be formed using indium tin oxide (ITO).

정공수송층(230)은 제1 전극층(220) 상부에 형성될 수 있으며, 활성층(240)과 제1 전극층(220) 사이에 계면 특성을 개선하여 전하 전달 효율을 향상시킬 수 있다. 정공수송층(230)의 재료로는 정공을 수송하는 능력을 갖고, 전자를 차단하는 특성 뿐 아니라 박막 형성 능력이 우수한 화합물일 수 있다. 예를 들어, 정공수송층(230)의 재료는 TPD, PEDOT:PSS, G-PEDOT, PANI:PSS, PANI:CSA, PDBT, NPB, 아릴아민기(arylamine group)를 가지는 저분자와 고분자, 방향족아민기(aromatic amine group)를 가지는 저분자와 고분자 등일 수 있다. 정공수송층(230)의 형성방법으로는 스핀 코팅법, 스프레이 코팅법, 스크린 인쇄법, 바(bar) 코팅법, 닥터블레이드 코팅법, 그라비아 프린팅법 등이 적용될 수 있다.The hole transport layer 230 may be formed on the first electrode layer 220, and may improve charge transfer efficiency by improving an interface property between the active layer 240 and the first electrode layer 220. The material of the hole transport layer 230 may be a compound having the ability to transport holes, and excellent in thin film formation ability as well as blocking electrons. For example, the material of the hole transport layer 230 is TPD, PEDOT: PSS, G-PEDOT, PANI: PSS, PANI: CSA, PDBT, NPB, low molecular and polymer having an arylamine group (arylamine group), aromatic amine group It may be a low molecule and a polymer having an (aromatic amine group). As the method of forming the hole transport layer 230, a spin coating method, a spray coating method, a screen printing method, a bar coating method, a doctor blade coating method, a gravure printing method, or the like may be applied.

활성층(240)은 정공수송층(230) 상부에 형성될 수 있으며, 활성층(240)에서는 인가된 X-선으로부터의 전자와 정공이 각각의 전극으로 분리되어 수송 및 주입된다. 활성층(240)은 다양한 형태로 구현이 가능한데, 도너(donor)물질과 억셉터(acceptor)물질의 혼합박막층의 1층구조를 취할 수도 있으며, 도너물질과 억셉터 물질이 각각 적층된 형태의 2층구조를 취할 수도 있다.The active layer 240 may be formed on the hole transport layer 230. In the active layer 240, electrons and holes from the applied X-rays are separated and transported and injected into the respective electrodes. The active layer 240 may be implemented in various forms. The active layer 240 may have a single layer structure of a mixed thin film layer of a donor material and an acceptor material, and a two layer in which a donor material and an acceptor material are stacked. It may take the structure.

도너물질로는 CuPc(copper phthalocyanine)과 같은 프탈로 시아닌계 안료, 인디고, 티오인디고계 안료, 멜로시아닌 화합물, 시아닌 화합물 등의 저분자 화합물과 폴리파라페닐렌비닐렌(poly-ρ-phenylenevinylene; PPV)등과 같은 페닐렌비닐렌계 고분자 유도체, 폴리티오펜(polythiophene), PCPDTBT, P3HT등과 같은 싸이오펜계 고분자 유도체 등을 포함하는 전도성 고분자가 이용될 수 있으나, 본 발명에 따른 바람직한 실시예에 따르면 도너물질로 PCPDTBT가 사용될 수 있다.As donor materials, low molecular weight compounds such as phthalocyanine pigments such as copper phthalocyanine (CuPc), indigo, thioindigo pigments, melocyanine compounds and cyanine compounds, and polyparaphenylenevinylene (PPV); Conductive polymers including phenylene vinylene-based polymer derivatives such as), thiophene-based polymer derivatives such as polythiophene, PCPDTBT, P3HT, etc. may be used, but according to a preferred embodiment of the present invention PCPDTBT can be used.

억셉터 물질로는 풀러렌(fullerene; C60), ICBA, ICBM, PCBM, PC70BM과 같은 풀러렌 유도체, 페릴렌(perylene), PTCBI와 같은 페릴렌 유도체, CdS, CdSe, CdTe, 또는 ZnSe와 같은 반도체 나노입자가 사용 될 수 있으나, 본 발명에 따른 바람직한 실시예에 따르면 억셉터 물질로 PCBM이 사용될 수 있다.Acceptor materials include fullerene (C60), ICBA, ICBM, PCBM, fullerene derivatives such as PC70BM, perylenes, perylene derivatives such as PTCBI, semiconductor nanoparticles such as CdS, CdSe, CdTe, or ZnSe Although may be used, according to a preferred embodiment according to the invention PCBM may be used as the acceptor material.

즉, 본 발명에 따른 X-선 검출용 유기소자(200)의 활성층(240) 물질로써 도너물질인 PCPDTBT와 억셉터 물질인 PCBM를 혼합한 PCDTBT:PCBM 혼합물이 활성층(240)으로 사용될 수 있다. 일예로써, 종래의 P3HT:PCBM의 혼합물질을 기반으로 한 활성층(240)을 포함하는 유기 검출소자의 경우 가시광 영역의 흡광도가 저조하여 조사된 X-선이 섬광체에 의해 빛으로 변환되어 검출소자에 입사될 경우 그 흡수율이 낮은 단점을 가지고 있으나, 본 발명에 따른 PCDTBT:PCBM 혼합물질을 기반으로 한 활성층(240)을 포함하는 X-선 검출용 유기소자(200)의 경우 종래의 P3HT:PCBM 대비 가시광 영역의 흡광도가 우수하여 신호 취득 효율을 향상시킬 수 있는 장점이 있다.That is, a PCDTBT: PCBM mixture of a donor material PCPDTBT and an acceptor material PCBM may be used as the active layer 240 as the active layer 240 material of the organic device 200 for X-ray detection according to the present invention. For example, in the case of the organic detection device including the active layer 240 based on a mixture of P3HT: PCBM, the X-rays irradiated due to low absorbance of the visible light region are converted into light by the scintillator, and the When incident, the absorption rate is low, but the X-ray detection organic device 200 including the active layer 240 based on the PCDTBT: PCBM mixture according to the present invention, compared to the conventional P3HT: PCBM The absorbance of the visible light region is excellent, there is an advantage that can improve the signal acquisition efficiency.

도 3은 X-선 검출용 유기소자의 두 가지 활성층 물질(P3HT:PCBM, PCDTBT:PCBM)의 흡광 곡선과 섬광체의 발광 곡선의 비교 그래프이다.3 is a graph comparing the absorption curves of the two active layer materials (P3HT: PCBM, PCDTBT: PCBM) and the emission curves of the scintillator of the organic device for X-ray detection.

도 3을 참조하면, 간접변환방식의 유기재료 기반의 X-선 검출소자에 대해 종래의 활성층 물질인 P3HT:PCBM과 본 발명에 따른 활성층(240) 물질인 PCDTBT:PCBM의 발광 곡선을 섬광체(scintillator)의 발광 곡선과 비교하였다.Referring to FIG. 3, the emission curves of P3HT: PCBM, which is a conventional active layer material, and PCDTBT: PCBM, which is an active layer 240 material according to the present invention, are scintillators for an X-ray detection device based on an organic material based on an indirect conversion method. ) And a light emission curve.

도 3에 도시한 그래프에서와 같이 종래의 P3HT:PCBM가 혼합된 활성층의 경우 약 520nm의 파장대역에서 흡광도(absorbance)가 최고치를 보인 이후 파장이 증가할수록 흡광도가 낮아지다가 600nm 중반 이후부터는 빛을 거의 흡수하지 못하는 양상을 보인다. 그러나, 본 발명의 PCDTBT:PCBM가 혼합된 활성층의 경우 전체 가시광 영역 대역에서 P3HT:PCBM에 비해 상대적으로 우수한 흡광도를 보이며, 특히, CsI(Tl) 섬광체의 발광 곡선을 고려할 경우 피크 레벨 560nm 대비 56% 감소한 영역인 500nm ~ 650nm 영역에서 정합도가 높기 때문에 많은 빛의 흡수로 전류 발생에 우수한 특성을 보인다.As shown in the graph of FIG. 3, in the case of the active layer mixed with the conventional P3HT: PCBM, the absorbance decreases with increasing wavelength in the wavelength band of about 520 nm. It does not absorb. However, the active layer of the PCDTBT: PCBM mixed with the present invention shows relatively good absorbance compared to P3HT: PCBM in the entire visible region band, especially when considering the emission curve of the CsI (Tl) scintillator 56% compared to the peak level of 560nm. In the reduced region, 500nm to 650nm, the high degree of matching shows excellent characteristics for current generation due to the absorption of a lot of light.

또한, PCDTBT:PCBM의 혼합 비율은 PCDTBT 1중량부에 대하여 PCBM 2 내지 4.5중량부로 이루어지는 것이 바람직하다. 더욱 상세하게는, PCDTBT:PCBM는 섬광체의 스팩트럼 특성과 비교하여 높은 정합도를 갖도록 PCDTBT와 PCBM의 중량비율로 1:4를 갖는 것이 바람직하다.In addition, it is preferable that the mixing ratio of PCDTBT: PCBM consists of 2 to 4.5 weight part PCBM with respect to 1 weight part of PCDTBT. More specifically, it is preferable that PCDTBT: PCBM has a weight ratio of 1: 4 in the weight ratio of PCDTBT and PCBM to have a high degree of matching compared to the spectral characteristics of the scintillator.

만약, PCDTBT 1중량부에 대하여 PCBM 2중량부 이하가 되면, 수집 전류 밀도(Collected CurrentDensity, CCD)가 낮아지기 때문에 검출감도가 혼합 비율 1:4 대비 8%이상 급격히 감소하며, 혼합 비율이 1:1에서는 검출감도가 38%나 감소되는 경향을 보인다. 또한, PCDTBT 1중량부에 대하여 PCBM 4.5중량부 이상이 되면, 암 전류 밀도(Dark CurrentDensity, DCD)의 증가와 수집 전류 밀도의 감소로 인한 검출감도의 손실을 보인다. 즉, PCDTBT:PCBM의 혼합 비율이 1:2 이하가 되거나 1:4.5 이상이 되면, 검출감도가 감소되기 때문에 검출감도를 향상시키기 위해 X-선의 선량(dose) 증가가 요구되나, 이는 인체 X-선 검출기 적용시 환자에게 조사되는 피폭량이 증가되는 단점을 초래하게 된다.If less than 2 parts by weight of PCBM per 1 part by weight of PCDTBT, the collected current density (CCD) is lowered, so the detection sensitivity is rapidly decreased by more than 8% compared to the mixing ratio 1: 4, and the mixing ratio is 1: 1. Shows a 38% decrease in detection sensitivity. In addition, when 4.5 parts by weight or more of PCBM with respect to 1 part by weight of PCDTBT, the detection sensitivity is lost due to the increase of dark current density (DCD) and the decrease of collection current density. That is, when the mixing ratio of PCDTBT: PCBM is 1: 2 or less or 1: 4.5 or more, the detection sensitivity is reduced, so that an increase in dose of X-rays is required to improve detection sensitivity. Application of the line detector results in an increase in the amount of exposure to the patient.

계속해서, 제2 전극층(250)은 활성층(240) 상부에 형성될 수 있으며, 전자를 수집하는 역할 즉, 활성층(240)에서 분리된 전자를 받아들이는 역할을 수행한다. 이러한 제2 전극층(250)의 재료는 일함수가 작은 금속, 합금, 전기 전도성 화합물 및 이들의 혼합물 중 하나 또는 하나 이상일 수 있으나 이에 한정하지 않는다. 구체적으로 제2 전극층(250)의 재료는 알루미늄(Al), 아연(Zn), 타타늄(Ti), 인듐(In), 알칼리 금속, 나트륨-칼륨(Na:K)합금, 마그네슘-은(Mg:Ag)합금, 리튬-알루미늄(Li/Al)이층전극, 리튬플루오라이드-알루미늄(LiF/Al)이층전극 중 하나 또는 하나 이상일 수 있으나 이에 한정하지 않는다. 제2 전극층(250)은 DC스퍼터링방식, 열증착 또는 이와 달리 화학적 증착법(CVD), 원자층증착(ALD), 전기도금 및 각종 프린팅기술과 같은 습식방식 등에 의해 형성될 수 있다. 또한, 도 2에서는 생략되었으나 활성층(240)과 제2 전극층(250) 사이에는 생성된 전하의 취득효율을 높이기 위해 Alq3과 같은 전자수송층(미도시)이 더 포함될 수도 있다.Subsequently, the second electrode layer 250 may be formed on the active layer 240, and collects electrons, that is, receives electrons separated from the active layer 240. The material of the second electrode layer 250 may be, but is not limited to, one or more of a metal, an alloy, an electrically conductive compound, and a mixture thereof having a small work function. Specifically, the material of the second electrode layer 250 is aluminum (Al), zinc (Zn), titanium (Ti), indium (In), alkali metal, sodium-potassium (Na: K) alloy, magnesium-silver (Mg The alloy may be one or more than one of an alloy, a lithium-aluminum (Li / Al) double layer electrode, and a lithium fluoride-aluminum (LiF / Al) double layer electrode, but is not limited thereto. The second electrode layer 250 may be formed by DC sputtering, thermal evaporation, or alternatively by a wet method such as chemical vapor deposition (CVD), atomic layer deposition (ALD), electroplating, and various printing techniques. In addition, although omitted in FIG. 2, an electron transport layer (not shown) such as Alq3 may be further included between the active layer 240 and the second electrode layer 250 to increase the efficiency of acquiring the generated charge.

일반적으로, X-선 검출용 유기소자는 크게 광도전체 (photoconductor)의 전기적 신호를 직접 받아 영상을 만들어내는 직접변환방식과 유도된 섬광체층(scintillator)(270)의 빛을 집광 소자를 이용하여 전기신호로 변환시켜 영상을 만들어내는 간접변환방식이 있다. 보다 구체적으로, 직접검출방식의 경우 입사되는 X-선에 의해 유기소자의 활성층(240)에서 생성되는 전하를 측정하는 방식이며, 간접검출방식의 경우 검출소자에 섬광체층(270)을 부착하여 섬광체층(270)에 의해 변환된 가시광에 의하여 유기소자의 활성층(240)에서 생성되는 전하를 측정하는 방식이다.In general, the organic device for detecting X-rays is a direct conversion method for generating an image by directly receiving an electrical signal of a photoconductor and using a light collecting element to induce light from the scintillator layer 270. There is an indirect conversion method that converts a signal to produce an image. More specifically, in the case of the direct detection method, the charge generated in the active layer 240 of the organic device is measured by the incident X-rays. In the case of the indirect detection method, the scintillator layer 270 is attached to the detection device to illuminate the scintillator. The charge generated in the active layer 240 of the organic device is measured by the visible light converted by the layer 270.

본 발명에 따른 X-선 검출용 유기소자(200)는 상기한 간접변환방식을 적용하기 위해 유기소자의 기판(210) 하부에 섬광체층(270)이 형성된다. 따라서 형성된 섬광체층(270)에 의해 입사되는 X-선이 가시광으로 변화하게 되고, 변화된 가시광이 활성층(240)에 도달하여 활성층(240)에서 생성되는 전하를 측정하게 된다.In the organic device 200 for detecting X-rays according to the present invention, the scintillator layer 270 is formed under the substrate 210 of the organic device in order to apply the indirect conversion method. Therefore, X-rays incident by the formed scintillator layer 270 are changed into visible light, and the changed visible light reaches the active layer 240 to measure the charge generated in the active layer 240.

섬광체층(270)에 사용될 수 있는 물질로는, 예를 들어, Nal:TI, Csl:TI, Y3Al5O12:Ce, CdWO4, LuAG:Ce,Gd2O2S:Tb등이 사용될 수 있으나, 바람직하게는 표 1에서와 같이 Maximum emission이 540nm를 갖고, PL output이 59000photons/MeV인 CsI:TI가 사용될 수 있다.As a material that can be used for the scintillator layer 270, for example, Nal: TI, Csl: TI, Y3Al5O12: Ce, CdWO4, LuAG: Ce, Gd2O2S: Tb, etc. may be used. As described above, CsI: TI having a maximum emission of 540nm and a PL output of 59000photons / MeV may be used.

Density [g/cm3]Density [g / cm 3 ] 4.514.51 Maximum emission [nm]Maximum emission [nm] 540540 Lower wavelength cutoff[nm]Lower wavelength cutoff [nm] 320320 Refractive index at maximum emissionRefractive index at maximum emission 1.791.79 PL output(Photons/MeV)PL output (Photons / MeV) 5900059000

섬광체층으로 CsI:TI를 사용하였을 때는 섬광체층의 두께를 1mm이하의 두께를 갖도록 하는 것이 바람직하다. 이는, 1mm 보다 두꺼운 섬광체층(270)은 섬광체층(270) 내부에서 생성된 가시광 Photon이 섬광체층(270) 내에서 재흡수가 일어나거나, 후면이 아닌 다른 방향으로 이동되는 이유에 기인하기 때문이다.When CsI: TI is used as the scintillator layer, the scintillator layer preferably has a thickness of 1 mm or less. This is because the scintillator layer 270 thicker than 1 mm is due to the reason why visible light Photon generated inside the scintillator layer 270 is reabsorbed in the scintillator layer 270 or moved in a direction other than the rear surface. .

도 4 내지 도 8은 본 발명의 X-선 검출용 유기소자의 제작방법을 나타내는 도면이다.4 to 8 are views showing a method for manufacturing an organic device for detecting X-rays of the present invention.

도 4 내지 도 8을 참조하면, 본 발명의 X-선 검출용 유기소자(200)의 제작방법은 기판(210) 상부에 제1 전극층(220)을 형성하는 단계, 제1 전극층(220) 상부에 정공수송층(230)을 형성하는 단계, 정공수송층(230) 상부에 PCDTBT:PCBM의 혼합물로 형성된 활성층(240)을 형성하는 단계, 활성층(240) 상부에 제2 전극층(250)을 형성하는 단계 및 기판(210) 하부에 섬광체층(270)을 형성하는 단계를 포함한다.4 to 8, in the manufacturing method of the organic device for detecting X-rays 200 of the present invention, forming the first electrode layer 220 on the substrate 210 and the upper portion of the first electrode layer 220. Forming a hole transport layer 230 in, forming an active layer 240 formed of a mixture of PCDTBT: PCBM on the hole transport layer 230, and forming a second electrode layer 250 on the active layer 240. And forming a scintillator layer 270 under the substrate 210.

기판(210) 상부에 제1 전극층(220)을 형성하는 단계에서는 도 4에 도시한 바와 같이, 투명 유리나 유연성을 갖는 폴리머 기판(210) 상에 DC 스퍼터링 방식 또는 이와 달리 화학적 증착법(CVD), 원자층 증착(ALD), 졸겔 코팅(sol-gel coating), 전기도금 등에 의해 투명전극인 제1 전극층(220)이 형성될 수 있다. 기판(210)은 사용 직전에 세정공정을 거치며, 아세톤, 알콜, 물 혹은 이들의 혼합 용액에 담근 후 초음파 세정을 실시할 수도 있다. 이러한 투명전극의 두께는 바람직하게는 100~1,000nm일 수 있다. 또한, 사용되는 기판(210)은 바람직하게는 ITO 투명 전극이 코팅된 무알칼리 글라스(Non-Alkali Glass) 기판(210)일 수 있다.In the forming of the first electrode layer 220 on the substrate 210, as shown in FIG. 4, a DC sputtering method or a chemical vapor deposition (CVD) atom on the transparent glass or the flexible polymer substrate 210 is different. The first electrode layer 220, which is a transparent electrode, may be formed by layer deposition (ALD), sol-gel coating, or electroplating. The substrate 210 undergoes a cleaning process immediately before use, and may be ultrasonically cleaned after soaking in acetone, alcohol, water, or a mixed solution thereof. The thickness of the transparent electrode may be preferably 100 ~ 1,000nm. In addition, the substrate 210 used may preferably be a non-alkali glass substrate 210 coated with an ITO transparent electrode.

제1 전극층(220) 상부에 정공수송층(230)을 형성하는 단계는 도 5에 도시한 바와 같이, 제1 전극층(220) 상부에 스핀 코팅법, 스프레이 코팅법, 스크린 인쇄법, 바(bar) 코팅법, 닥터블레이드 코팅법, 그라비아 프린팅법 등을 이용하여 정공수송층(Hole Transfer Layer, HTL)(230)을 형성할 수 있다. 이와 같이 형성된 정공수송층(230)의 두께는 바람직하게는 5~300nm일 수 있다. 정공수송층(230) 물질로는 TPD, PEDOT:PSS, G-PEDOT, PANI:PSS, PANI:CSA, PDBT, NPB, 아릴아민기(arylamine group)를 가지는 저분자와 고분자, 방향족아민기(aromatic amine group)를 가지는 저분자와 고분자 등일 수 있다.Forming the hole transport layer 230 on the first electrode layer 220 as shown in Figure 5, the spin coating method, spray coating method, screen printing method, bar (bar) on the first electrode layer 220 A hole transfer layer (HTL) 230 may be formed using a coating method, a doctor blade coating method, a gravure printing method, or the like. The hole transport layer 230 formed as described above may have a thickness of about 5 nm to about 300 nm. The material for the hole transport layer 230 is TPD, PEDOT: PSS, G-PEDOT, PANI: PSS, PANI: CSA, PDBT, NPB, a low molecular and polymer having an arylamine group (arylamine group), aromatic amine group (aromatic amine group It may be a low molecule and a polymer having a).

정공수송층(230) 상부에 PCDTBT:PCBM로 형성된 활성층(240)을 형성하는 단계에서, 활성층(240)은 도너물질로 CuPc(copper phthalocyanine)과 같은 프탈로 시아닌계 안료, 인디고, 티오인디고계 안료, 멜로시아닌 화합물, 시아닌 화합물 등의 저분자 화합물과 폴리파라페닐렌비닐렌(poly-ρ-phenylenevinylene; PPV)등과 같은 페닐렌비닐렌계 고분자 유도체, 폴리티오펜(polythiophene), PCPDTBT, P3HT등과 같은 싸이오펜계 고분자 유도체 등을 포함하는 전도성 고분자가 이용될 수 있으나, 본 발명에 따른 바람직한 실시예에 따르면 도너물질로 PCPDTBT가 사용될 수 있다. 또한, 억셉터 물질로는 풀러렌(fullerene; C60), ICBA, ICBM, PCBM, PC70BM과 같은 풀러렌 유도체, 페릴렌(perylene), PTCBI와 같은 페릴렌 유도체, CdS, CdSe, CdTe, 또는 ZnSe와 같은 반도체 나노입자가 사용 될 수 있으나, 본 발명에 따른 바람직한 실시예에 따르면 억셉터 물질로 PCBM이 사용될 수 있다.In the step of forming the active layer 240 formed of PCDTBT: PCBM on the hole transport layer 230, the active layer 240 is a phthalocyanine-based pigment, such as copper phthalocyanine (CuPc) as a donor material, indigo, thioindigo-based pigments, Low molecular weight compounds such as melocyanine compounds and cyanine compounds, and phenylenevinylene-based polymer derivatives such as poly-ρ-phenylenevinylene (PPV), thiophenes such as polythiophene, PCPDTBT, and P3HT. A conductive polymer including a polymer derivative may be used, but according to a preferred embodiment of the present invention, PCPDTBT may be used as a donor material. In addition, acceptor materials include fullerene (C60), ICBA, ICBM, PCBM, fullerene derivatives such as PC70BM, perylene derivatives such as perylene, PTCBI, semiconductors such as CdS, CdSe, CdTe, or ZnSe Nanoparticles can be used, but according to a preferred embodiment according to the invention PCBM may be used as the acceptor material.

즉, 본 발명에 따른 X-선 검출용 유기소자(200)의 활성층(240) 물질로써 도너물질인 PCPDTBT와 억셉터 물질인 PCBM를 혼합한 PCDTBT:PCBM 혼합물이 활성층(240)으로 사용될 수 있다. 여기서, PCDTBT:PCBM는 PCDTBT 1중량부에 대하여 PCBM 2 내지 4.5중량부로 이루어지는 것이 바람직하다. 더욱 상세하게는, PCDTBT:PCBM는 섬광체의 스팩트럼 특성과 비교하여 높은 정합도를 갖도록 PCDTBT와 PCBM의 중량비율로 1:4를 갖는 것이 바람직하다.That is, a PCDTBT: PCBM mixture of a donor material PCPDTBT and an acceptor material PCBM may be used as the active layer 240 as the active layer 240 material of the organic device 200 for X-ray detection according to the present invention. Here, it is preferable that PCDTBT: PCBM consists of 2 to 4.5 weight part of PCBM with respect to 1 weight part of PCDTBT. More specifically, it is preferable that PCDTBT: PCBM has a weight ratio of 1: 4 in the weight ratio of PCDTBT and PCBM to have a high degree of matching compared to the spectral characteristics of the scintillator.

상기한 PCDTBT:PCBM를 이용하여 활성용액이 형성되면, 활성용액을 정공수송층(230) 상부에 스핀 코팅, 스프레이 코팅, 스크린 인쇄 공정, 바 코팅, 닥터블레이드 코팅 및 그라비아 프린팅등을 이용하여 활성층(240)을 형성한다. 이렇게 형성된 PCDTBT:PCBM 혼합물을 포함하는 활성층 기반의 X-선 검출용 유기소자(200)는 종래의 P3HT:PCBM 혼합물을 포함하는 활성층 기반의 X-선 검출용 유기소자에 비해 가시광 영역의 흡광도가 우수하여 신호 취득 효율을 향상시킬 수 있다.When the active solution is formed using the PCDTBT: PCBM, the active solution is formed by spin coating, spray coating, screen printing, bar coating, doctor blade coating, and gravure printing on the hole transport layer 230. ). The active layer based X-ray detection organic device 200 including the PCDTBT: PCBM mixture thus formed has better absorbance in the visible region than the active layer based X-ray detection organic device including the P3HT: PCBM mixture. The signal acquisition efficiency can be improved.

활성층(240) 상부에 제2 전극층(250)을 형성하는 단계에서는 도 7에 도시한 바와 같이, 활성층(240) 상부에 활성층(240)에서 분리된 전자를 받아들이는 역할을 수행하는 제2 전극층(250)이 형성된다. 제2 전극층(250)은 알루미늄(Al), 아연(Zn), 타타늄(Ti), 인듐(In), 알칼리 금속, 나트륨-칼륨(Na:K)합금, 마그네슘-은(Mg:Ag)합금, 리튬-알루미늄(Li/Al)이층전극, 리튬플루오라이드-알루미늄(LiF/Al)이층전극과 같이 금속전극일 수 있으며, 활성층(240) 상부에 DC스퍼터링방식, 열증착 또는 이와 달리 화학적 증착법(CVD), 원자층증착(ALD), 전기도금 및 각종 프린팅기술과 같은 습식방식 등에 의해 형성될 수 있다. 도시하지는 않았지만 활성층(240)과 제2 전극층(250) 사이에는 생성된 전하의 취득효율을 높이기 위해 Alq3과 같은 전자수송층(미도시)이 활성층(240) 상부에 잉크젯방식, 오프셋 인쇄방식, 그라비아 인쇄방식 등으로 더 형성될 수 있다.In the forming of the second electrode layer 250 on the active layer 240, as illustrated in FIG. 7, the second electrode layer (not shown) receives the electrons separated from the active layer 240 on the active layer 240 ( 250) is formed. The second electrode layer 250 is made of aluminum (Al), zinc (Zn), titanium (Ti), indium (In), alkali metal, sodium-potassium (Na: K) alloy, magnesium-silver (Mg: Ag) alloy , Lithium-aluminum (Li / Al) double layer electrode, lithium fluoride-aluminum (LiF / Al) double layer electrode may be a metal electrode, the DC sputtering method on the active layer 240, thermal evaporation or otherwise chemical vapor deposition ( CVD), atomic layer deposition (ALD), electroplating and wet methods such as various printing techniques. Although not shown, an electron transport layer (not shown) such as Alq3 is formed on the active layer 240 to increase the efficiency of acquiring the generated charges between the active layer 240 and the second electrode layer 250. It may be further formed in a manner or the like.

제2 전극층(250)을 형성하는 단계 이후에는, 봉지(Encapsulation) 공정을 수행하는 단계를 더 포함할 수 있다. 봉지 공정은 유기소자를 공기 중의 수분과 산소로부터 보호하기 위해 제1 전극층(220), 정공수송층(230), 활성층(240) 및 제2 전극층(250)의 외부를 감싸도록 봉지층(260)이 형성될 수 있다.After forming the second electrode layer 250, the method may further include performing an encapsulation process. In the encapsulation process, the encapsulation layer 260 encapsulates the outside of the first electrode layer 220, the hole transport layer 230, the active layer 240, and the second electrode layer 250 to protect the organic device from moisture and oxygen in the air. Can be formed.

기판(210) 하부에 섬광체층(270)을 형성하는 단계는 도 9에 도시한 바와 같이, 상술한 봉지 공정에 의해 봉지층(260)을 형성한 이후에, 제작된 유기소자와 섬광체층(270) 사이의 광학적 손실을 최소화하기 위한 광학적 접착제(Optical Glue)등을 이용하여 섬광체층(270)이 유기소자의 기판(210)하부에 형성될 수 있다.The forming of the scintillator layer 270 under the substrate 210 is performed by forming the encapsulation layer 260 by the encapsulation process described above, as shown in FIG. 9, and then fabricating the organic device and the scintillator layer 270. The scintillator layer 270 may be formed under the substrate 210 of the organic device by using an optical glue to minimize optical loss between the layers.

실험예Experimental Example

도 9는 본 발명에 따른 X-선 검출소자의 X-선 노출시 검출된 전하량을 나타내는 그래프이다.9 is a graph showing the amount of charge detected upon X-ray exposure of the X-ray detection device according to the present invention.

도 9를 참조하면, 본 발명에 따른 실험예는 PCDTBT:PCBM를 기반으로 제작된 간접 방식 검출소자에서 X-선을 온, 오프하여 X-선을 조사하였을 때 생성된 전하량을 통해 소자의 성능을 평가하는 방식으로 진행하였다. 본 실험을 위해 의료용으로 주로 이용되는 관전압 80kVp, 63mAs의 인가 조건에서 본 발명의 유기소자(200)에 0.2~1.0V의 직류전압을 인가하여 X-선이 조사되었을 때 생성된 전하량을 음극에서 측정하였다.Referring to FIG. 9, the experimental example according to the present invention shows the performance of the device through the amount of charge generated when X-rays are irradiated by turning on and off X-rays in an indirect type detection device manufactured based on PCDTBT: PCBM. The evaluation was carried out. The amount of charge generated when X-rays were irradiated by applying a DC voltage of 0.2 to 1.0 V to the organic device 200 of the present invention under the conditions of applying a tube voltage of 80 kVp and 63 mAs, which is mainly used for medical purposes, was measured at the cathode. It was.

측정결과 도 9에 도시한 바와 같이, 0.2V에서 1.0V로 인가전압이 증가할수록 음극에서 측정되는 전하량이 증가되는 것을 확인할 수 있다.As shown in FIG. 9, it can be seen that as the applied voltage increases from 0.2V to 1.0V, the amount of charge measured at the cathode increases.

측정된 전하량을 기반으로 하여 본 발명에 따른 간접변환방식의 X-선 검출소자(200)에 대한 수집 전류 밀도(Collected CurrentDensity, CCD), 암 전류 밀도(Dark CurrentDensity, DCD) 및 X-선 검출감도(Sensitivity)를 각각 계산할 수 있다.Based on the measured charge amount, the collected current density (Collected Current Density, CCD), the dark current density (Dark Current Density, DCD) and the X-ray detection sensitivity of the X-ray detection device 200 of the indirect conversion method according to the present invention. (Sensitivity) can be calculated separately.

수집 전하 밀도를 계산하기 위한 수식을 수학식 1에 나타내었다.Equation 1 for calculating the collection charge density is shown in Equation 1.

Figure 112018019278875-pat00001
Figure 112018019278875-pat00001

여기서, Exposed Time[s]*Detection Area[cm2]는 X-선 검출 영역을 의미하고, Charges duringX-rayON[nC]는 X-선이 조사될 때의 측정된 전하량을 의미한다.Here, Exposed Time [s] * Detection Area [cm 2 ] means X-ray detection area, and Charges during X-rayON [nC] means measured amount of charge when X-rays are irradiated.

또한, 암 전류 밀도를 계산하기 위한 수식은 수학식 2에, 검출감도를 계산하기 위한 수식은 수학식 3에 각각 나타내었다.In addition, a formula for calculating the dark current density is shown in Equation 2, and a formula for calculating the detection sensitivity is shown in Equation 3, respectively.

Figure 112018019278875-pat00002
Figure 112018019278875-pat00002

Figure 112018019278875-pat00003
Figure 112018019278875-pat00003

여기서, Absorbed Dose[Gy]는 피복 선량, Detection Area[cm2]는 X선 검출 영역을 의미하고, CurrentduringX-ray ON은 X선이 조사될 때의 측정된 전하량을 의미한다.Here, Absorbed Dose [Gy] denotes a coating dose, and Detection Area [cm 2 ] denotes an X-ray detection region, and Currentduring X-ray ON means an amount of electric charge measured when X-rays are irradiated.

상술한, 수집 전류 밀도, 암 전류 밀도 및 X-선 검출감도를 이용하여 본 발명에 따른 PCDTBT:PCBM 혼합 물질로 형성된 활성층을 포함하는 X-선 검출소자를 종래의 P3HT:PCBM 혼합 물질로 형성된 활성층을 포함하는 X-선 검출소자를 비교군으로 선정하여 비교 실험을 실시하였다.An active layer formed of a conventional P3HT: PCBM mixed material using the collection current density, the dark current density, and the X-ray detection sensitivity of the X-ray detection device including the active layer formed of the PCDTBT: PCBM mixed material according to the present invention. The comparison experiment was performed by selecting the X-ray detection device comprising a comparison group.

도 10은 본 발명의 PCDTBT:PCBM 혼합 비율에 따른 간접변환방식의 X-선 검출소자의 특성을 나타낸 그래프이다.10 is a graph showing the characteristics of the X-ray detection device of the indirect conversion method according to the PCDTBT: PCBM mixing ratio of the present invention.

도 10을 참조하면, PCDTBT:PCBM 혼합 비율중 1:2 ~ 1:4.5에서 수집 전류 밀도, 암 전류 밀도 및 X-선 검출감도 특성이 높게 측정 되었으며, 특히, PCDTBT:PCBM의 혼합 비율중 1:4에서 수집 전류 밀도(CCD)=215.23nA/cm2, 암 전류 밀도(DCD)=7.59 nA/cm2, X-선 검출감도(Sensitivity)=1.55mA/Gy·2로 가장 우수한 특성이 나타남을 확인할 수 있다.Referring to FIG. 10, the collection current density, the dark current density, and the X-ray detection sensitivity characteristics of the PCDTBT: PCBM mixing ratio were measured from 1: 2 to 1: 4.5. In particular, the ratio of PCDTBT: PCBM mixing ratio was 1: 4, the collecting current density (CCD) = 215.23nA / cm 2 , the dark current density (DCD) = 7.59 nA / cm 2, X- ray detection sensitivity (sensitivity) = the most excellent characteristics represented by a 1.55mA / Gy · 2 from You can check it.

즉, 혼합 비율이 1:2 이하가 되면, 도 10에서와 같이, 수집 전류 밀도가 낮아지기 때문에 검출감도가 가장 높은 혼합 비율 1:4 대비 8%이상 급격히 감소하며, 혼합 비율이 1:1에서는 검출감도가 38%나 감소되는 경향을 보인다. 또한, 혼합 비율이 1:4.5 이상이 되면, 암 전류 밀도의 증가와 수집 전류 밀도의 감소로 인한 검출감도의 손실을 보인다. 즉, PCDTBT:PCBM의 혼합 비율이 1:2 이하가 되거나, 1:4.5 이상이 되면, 검출감도가 감소되기 때문에 검출감도를 향상시키기 위해 X-선의 선량(dose) 증가가 요구되나, 이는 인체 X-선 검출기 적용시 환자에게 조사되는 피폭량이 증가되는 단점을 초래하게 된다.That is, when the mixing ratio is 1: 2 or less, as shown in FIG. 10, since the collection current density is lowered, the detection sensitivity is sharply reduced by more than 8% compared to the mixing ratio 1: 4 having the highest detection sensitivity. The sensitivity tends to decrease by 38%. In addition, when the mixing ratio is 1: 4.5 or more, the detection sensitivity is lost due to the increase in the dark current density and the decrease in the collection current density. That is, when the mixing ratio of PCDTBT: PCBM is 1: 2 or less, or 1: 4.5 or more, the detection sensitivity is reduced, so that an increase in dose of X-rays is required to improve detection sensitivity. Application of the -ray detector results in an increase in the amount of exposure to the patient.

도 11은 본 발명의 PCDTBT:PCBM 혼합 비율에 따른 X-선 검출소자의 IPCE 특성을 나타낸 그래프이다.11 is a graph showing the IPCE characteristics of the X-ray detection device according to the PCDTBT: PCBM mixing ratio of the present invention.

도 11을 참조하면, 도 11은 회전속도(spin rate)를 1100rpm으로 고정하고 PCDTBT:PCBM의 혼합 비율을 변경하며, IPCE(Incident Photon-to-Current Efficiency) 특성을 측정한 그래프이다.Referring to FIG. 11, FIG. 11 is a graph measuring the spin rate at 1100 rpm, changing the mixing ratio of PCDTBT: PCBM, and measuring the Incident Photon-to-Current Efficiency (IPCE) characteristics.

도 11에 도시한 바와 같이, 섬광체의 발광 파장에 인접한 부분에서 PCDTBT:PCBM의 혼합 비율이 1:2 ~ 1:4.5 범위가 상대적으로 우수한 IPCE 특성이 나타남을 확인할 수 있다. 또한, PCDTBT:PCBM의 혼합 비율중 1:4에서 가장 우수한 IPCE 특성이 나타남을 확인 할 수 있다. 따라서, PCDTBT:PCBM의 혼합 비율이 1:4로 형성된 활성층이 섬광체와 결합 시 X-선 검출소자의 검출감도를 향상시킬 수 있음을 확인할 수 있다.As shown in FIG. 11, it can be seen that IPCE characteristics of the ratio of PCDTBT: PCBM in the range adjacent to the emission wavelength of the scintillator are relatively excellent in the range of 1: 2 to 1: 4.5. In addition, it can be seen that the best IPCE characteristic appears at 1: 4 in the mixing ratio of PCDTBT: PCBM. Accordingly, it can be seen that the active layer having the mixing ratio of PCDTBT: PCBM 1: 4 can improve the detection sensitivity of the X-ray detection element when combined with the scintillator.

도 12는 본 발명의 PCDTBT:PCBM이 혼합된 활성층의 두께에 따른 특성 변화를 나타내는 그래프이다.12 is a graph showing a change in characteristics according to the thickness of the active layer mixed with PCDTBT: PCBM of the present invention.

도 12를 참조하면, 도 12는 PCDTBT:PCBM의 혼합 비율중 특성이 가장 우수한 1:4 혼합 비율로 형성된 활성층의 두께를 변경하며 실험한 결과이며, 활성층의 두께 변경에 따른 수집 전류 밀도, 암 전류 밀도 및 X-선 검출감도를 측정한 결과를 나타낸다.Referring to FIG. 12, FIG. 12 is an experimental result of changing the thickness of an active layer formed at a 1: 4 mixing ratio having the best characteristics among the mixing ratios of PCDTBT: PCBM, and the collection current density and the dark current according to the thickness change of the active layer. The result of measuring density and X-ray detection sensitivity is shown.

도 12에 도시된 바와 같이, PCDTBT:PCBM이 혼합된 활성층의 두께가 65nm ~ 90nm 범위에서 수집 전류 밀도, 암 전류 밀도 및 X-선 검출감도가 향상되는 것을 확인할 수 있다. 만약, 활성층의 두께가 65nm 이하인 경우, 얇은 두께로 인한 급격한 암 전류 밀도의 증가(85nm 두께 대비 98%이상 증가)로 도 12에서와 같이, 검출감도가 감소하는 경향을 보이며, 활성층의 두께가 90nm 이상의 두께를 가지면 X-선 검출기의 경우, 활성층에서 생성된 전하가 전극으로 이동하며 발생하는 손실로 인한 수집 전류 밀도의 감소로 검출감도가 감소하게 된다. 따라서, 활성층의 두께가 90nm 이상이 되면 검출감도를 증가시키기 위해 X-선의 선량(dose) 증가가 요구되기 때문에 환자에게 조사되는 피폭량이 증가되는 단점을 초래하게 된다.As shown in Figure 12, it can be seen that the thickness of the active layer mixed with PCDTBT: PCBM is improved in the collection current density, dark current density and X-ray detection sensitivity in the range of 65nm ~ 90nm. If the thickness of the active layer is less than 65 nm, the detection sensitivity tends to decrease as shown in FIG. 12 due to the rapid increase of dark current density (more than 98% of the thickness of 85 nm) due to the thin thickness, and the thickness of the active layer is 90 nm. With the above thickness, in the case of the X-ray detector, the detection sensitivity decreases due to the decrease in the collection current density due to the loss generated by the charge generated in the active layer moving to the electrode. Therefore, when the thickness of the active layer is greater than 90nm, since the dose of X-rays is required to increase the detection sensitivity, the exposure dose to the patient is increased.

또한, PCDTBT:PCBM이 혼합된 활성층의 두께 중에서는 두께가 85nm 일 때, 수집 전류 밀도=235.58nA/cm2, 암 전류 밀도=9.68nA/cm2, X-선 검출감도=1.69mA/Gy·2로 가장 우수한 특성이 나타남을 확인 할 수 있다.Moreover, when the thickness of the active layer mixed with PCDTBT: PCBM was 85 nm, the collection current density was 235.58 nA / cm 2 , the dark current density was 9.68 nA / cm 2 , and the X-ray detection sensitivity was 1.69 mA / Gy ·. It can be seen that the best characteristic is shown as 2 .

도 13는 X-선 검출용 유기소자의 두 가지 활성층 물질(P3HT:PCBM, PCDTBT:PCBM)에 대한 민감도와 암 전류 밀도를 비교하기 위한 그래프이다.FIG. 13 is a graph for comparing sensitivity and dark current density of two active layer materials (P3HT: PCBM, PCDTBT: PCBM) of an organic device for X-ray detection.

또한, 도 13에 도시된 그래프에 따른 데이터를 표 2에 나타내었다.In addition, data according to the graph shown in FIG. 13 is shown in Table 2.

Active Layer MaterialsActive Layer Materials Sensitivity
[nC/mR*cm2]
Sensitivity
[nC / mR * cm 2 ]
Dark CurrentDensity
[nA/cm2]
Dark CurrentDensity
[nA / cm 2 ]
P3HT:PCBMP3HT: PCBM 1.121.12 11.4911.49 PCDTBT:PCBMPCDTBT: PCBM 1.691.69 9.689.68 Rate of changeRate of change + 33.7 %+ 33.7% - 18.7 %-18.7%

도 13 및 표 2를 참조하면, 본 발명에 따른 PCDTBT:PCBM 기반 X-선 검출용 유기소자(200)의 경우 종래의 P3HT:PCBM 기반 X-선 검출용 유기소자에 비해 동일 전압 조건에서 X-선 검출감도가 33.7% 향상된 것을 확인할 수 있으며, 암 전류(X-선이 없는 상황에서 동일 전압을 인가 시 유기검출소자에서 측정되는 전류) 밀도의 경우 18.7% 감소된 효과를 확인 할 수 있다.Referring to FIG. 13 and Table 2, in the case of the PCDTBT: PCBM-based X-ray detecting organic device 200 according to the present invention, X- under the same voltage condition as compared to the conventional P3HT: PCBM-based X-ray detecting organic device. It can be seen that the line detection sensitivity is improved by 33.7%. In the case of the dark current (current measured by the organic detection device when the same voltage is applied in the absence of X-rays), the effect of decrease of 18.7% can be confirmed.

상술한 바와 같이, 종래의 P3HT:PCBM의 혼합물질을 기반으로 한 활성층(240)을 포함하는 X-선 검출용 유기소자의 경우 가시광 영역의 흡광도가 저조하여 조사된 X-선이 섬광체에 의해 빛으로 변환되어 검출소자에 입사될 경우 그 흡수율이 낮은 단점을 가지고 있으나, 본 발명에 따른 PCDTBT:PCBM 혼합물질을 기반으로 한 활성층(240)을 포함하는 X-선 검출용 유기소자(200)의 경우 종래의 P3HT:PCBM 대비 가시광 영역의 흡광도가 우수하여 신호 취득 효율을 향상시킬 수 있는 장점이 있다.As described above, in the case of the organic device for detecting X-rays including the active layer 240 based on the mixture of P3HT: PCBM, the X-rays irradiated due to low absorbance of the visible region are emitted by the scintillator. Absorption rate is low when it is converted into the incident to the detection element, but the X-ray detection organic device 200 including the active layer 240 based on the PCDTBT: PCBM mixture according to the present invention Compared with the conventional P3HT: PCBM, the absorbance of the visible light region is excellent, so that the signal acquisition efficiency can be improved.

한편, 본 명세서와 도면에 개시된 본 발명의 실시 예들은 이해를 돕기 위해 특정 예를 제시한 것에 지나지 않으며, 본 발명의 범위를 한정하고자 하는 것은 아니다. 여기에 개시된 실시 예들 이외에도 본 발명의 기술적 사상에 바탕을 둔 다른 변형 예들이 실시 가능하다는 것은, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 자명한 것이다.On the other hand, the embodiments of the present invention disclosed in the specification and drawings are merely presented specific examples for clarity and are not intended to limit the scope of the present invention. It is apparent to those skilled in the art that other modifications based on the technical idea of the present invention can be carried out in addition to the embodiments disclosed herein.

210 : 기판 220 : 제1 전극층
230 : 정공수송층 240 : 활성층
250 : 제2 전극층 260 : 봉지층
270 : 섬광체층
210: substrate 220: first electrode layer
230: hole transport layer 240: active layer
250: second electrode layer 260: encapsulation layer
270: scintillator layer

Claims (15)

기판;
상기 기판 상부에 형성되는 제1 전극층;
상기 제1 전극층 상부에 형성되고, 정공의 수송을 향상시키는 정공수송층;
상기 정공수송층 상부에 형성되고, 상기 기판 하부에서 발생한 가시광선을 흡수하여 전자-정공 쌍을 생성하는 활성층;
상기 활성층 상부에 형성되는 제2 전극층; 및
상기 기판 하부에 Csl:TI로 형성되며, X-선을 가시광선으로 변환하는 섬광체층(scintillator);을 포함하고,
상기 활성층은,
560nm 파장에서 방사피크(Emission Peak)를 갖는 상기 Csl:TI의 스팩트럼 발광(Emission) 곡선과 상기 활성층의 흡광도(Absorbance) 곡선의 정합도를 고려하여 PCDTBT 1중량부에 대하여 PCBM 3 내지 4중량부로 이루어진 PCDTBT:PCBM의 혼합물로 형성되며,
상기 PCDTBT:PCBM의 혼합물로 형성된 상기 활성층은 80nm 내지 90nm의 두께를 갖는 것인 X-선 검출용 유기소자.
Board;
A first electrode layer formed on the substrate;
A hole transport layer formed on the first electrode layer and improving hole transport;
An active layer formed on the hole transport layer and absorbing visible light generated from the lower portion of the substrate to generate an electron-hole pair;
A second electrode layer formed on the active layer; And
And a scintillator layer formed of Csl: TI under the substrate and converting X-rays into visible light.
The active layer,
1 to 4 parts by weight of PCBM 3 parts by weight of PCDTBT in consideration of the match between the spectrum emission spectrum of the Csl: TI having an emission peak at a wavelength of 560 nm and the absorbance curve of the active layer PCDTBT: formed of a mixture of PCBB,
The active layer formed of a mixture of the PCDTBT: PCBM is an organic device for X-ray detection having a thickness of 80nm to 90nm.
삭제delete 제1항에 있어서,
상기 PCDTBT:PCBM는 상기 섬광체층의 스팩트럼 특성과 비교하여 높은 정합도를 갖도록 PCDTBT 1중량부에 대하여 PCBM 4중량부를 갖는 것인 X-선 검출용 유기소자.
The method of claim 1,
Wherein said PCDTBT: PCBM has 4 parts by weight of PCBM based on 1 part by weight of PCDTBT to have a high degree of matching compared to the spectral characteristics of the scintillator layer.
삭제delete 제1항에 있어서,
상기 PCDTBT:PCBM이 혼합된 상기 활성층은 85nm의 두께를 갖는 것인 X-선 검출용 유기소자.
The method of claim 1,
The PCDTBT: PCBM is mixed with the active layer is an organic device for X-ray detection having a thickness of 85nm.
삭제delete 제1항에 있어서,
상기 Csl:TI 물질로 형성된 섬광체층의 발광도와 상기 PCDTBT:PCBM이 혼합된 활성층의 흡광도가 500 내지 650nm 파장 영역에서 겹치는 것인 X-선 검출용 유기소자.
The method of claim 1,
And an absorbance of the scintillator layer formed of the Csl: TI material and an absorbance of the active layer in which the PCDTBT: PCBM is mixed are overlapped in the wavelength range of 500 to 650 nm.
제1항에 있어서,
상기 섬광체층은 1mm이하의 두께를 갖는 것인 X-선 검출용 유기소자.
The method of claim 1,
The scintillator layer has an thickness of 1 mm or less.
기판 상부에 제1 전극층을 형성하는 단계;
상기 제1 전극층 상부에 정공수송층을 형성하는 단계;
상기 정공수송층 상부에 활성층을 형성하는 단계;
상기 활성층 상부에 제2 전극층을 형성하는 단계; 및
상기 기판 하부에 Csl:TI로 형성된 섬광체층(scintillator)을 형성하는 단계를 포함하고,
상기 활성층은,
560nm 파장에서 방사피크(Emission Peak)를 갖는 상기 Csl:TI의 스팩트럼 발광(Emission) 곡선과 상기 활성층의 흡광도(Absorbance) 곡선의 정합도를 고려하여 PCDTBT 1중량부에 대하여 PCBM 3 내지 4중량부로 이루어진 PCDTBT:PCBM의 혼합물로 형성되며,
상기 PCDTBT:PCBM의 혼합물로 형성된 상기 활성층은 80nm 내지 90nm의 두께를 갖는 것인 X-선 검출용 유기소자의 제조방법.
Forming a first electrode layer on the substrate;
Forming a hole transport layer on the first electrode layer;
Forming an active layer on the hole transport layer;
Forming a second electrode layer on the active layer; And
Forming a scintillator layer formed of Csl: TI under the substrate,
The active layer,
Considering the match between the spectrum emission curve of Csl: TI having an emission peak at a wavelength of 560 nm and the absorbance curve of the active layer, it consists of 3 parts by weight of PCBM to 4 parts by weight based on PCDTBT. PCDTBT: formed of a mixture of PCBBM,
The active layer formed of a mixture of the PCDTBT: PCBM has a thickness of 80nm to 90nm manufacturing method of the organic device for X-ray detection.
제9항에 있어서, 상기 기판 상부에 제1 전극층을 형성하는 단계에서,
상기 기판은 ITO 투명 전극이 코팅된 무알칼리 글라스(Non-Alkali Glass) 기판인 것인 X-선 검출용 유기소자의 제조방법.
The method of claim 9, wherein in the forming of the first electrode layer on the substrate,
Wherein the substrate is a non-alkali glass (Ion-Alkali Glass) substrate coated with an ITO transparent electrode manufacturing method of the organic device for X-ray detection.
삭제delete 삭제delete 삭제delete 제9항에 있어서,
상기 Csl:TI 물질로 형성된 섬광체층의 발광도와 상기 PCDTBT:PCBM이 혼합된 활성층의 흡광도가 500 내지 650nm 파장 영역에서 겹치는 것인 X-선 검출용 유기소자의 제조방법.
The method of claim 9,
And a light absorbency of the scintillator layer formed of the Csl: TI material and an absorbance of the active layer in which the PCDTBT: PCBM is mixed are overlapped in a wavelength range of 500 to 650 nm.
제9항에 있어서,
상기 제2 전극층을 형성하는 단계 이후에 봉지(Encapsulation)공정을 수행하는 단계를 더 포함하는 것인 X-선 검출용 유기소자의 제조방법.
The method of claim 9,
A method of manufacturing an organic device for detecting X-rays, further comprising performing an encapsulation process after forming the second electrode layer.
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Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20150034910A1 (en) * 2013-07-31 2015-02-05 General Electric Company Organic x-ray detector
JP5741702B2 (en) 2011-10-20 2015-07-01 富士通株式会社 Photoelectric conversion element and manufacturing method thereof
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101033304B1 (en) * 2009-02-09 2011-05-09 광주과학기술원 Organic solar cell having luminescent properties and manufacturing method
US10326091B2 (en) 2012-05-09 2019-06-18 Lg Chem, Ltd. Organic electrochemical device, and method for manufacturing same
KR101653440B1 (en) * 2014-02-12 2016-09-01 단국대학교 산학협력단 Organic device for detecting x-ray image based on coplanar electrode structure and thereof manufacture method

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5741702B2 (en) 2011-10-20 2015-07-01 富士通株式会社 Photoelectric conversion element and manufacturing method thereof
US20150034910A1 (en) * 2013-07-31 2015-02-05 General Electric Company Organic x-ray detector
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