KR102004195B1

KR102004195B1 - 키트 및 적층체

Info

Publication number: KR102004195B1
Application number: KR1020177026663A
Authority: KR
Inventors: 요시타카 카모치; 유 이와이; 이치로 코야마; 아츠시 나카무라
Original assignee: 후지필름 가부시키가이샤
Priority date: 2015-03-23
Filing date: 2016-03-14
Publication date: 2019-07-26
Anticipated expiration: 2036-03-14
Also published as: KR20170118890A; CN107406748A; US20180012751A1; TW201639939A; JPWO2016152598A1; WO2016152598A1; CN107406748B; JP6450451B2; TWI683878B; US10580640B2

Abstract

반도체 제조에 있어서, 가접착제에서 유래하는 잔사를 억제 가능한 키트 및 적층체가 제공된다. 용제 A를 포함하는 조성물, 용제 B를 포함하는 조성물, 용제 C를 포함하는 조성물을 구비하는 반도체 장치 제조용 키트로서, 제1 기판 상에, 가접착제와 용제 A를 포함하는 가접착제 조성물을 이용하여 가접착제층을 형성한 후, 제1 기판에 있어서의 잉여인 가접착제 중 적어도 일부를, 용제 B를 포함하는 조성물을 이용하여 세정하는 것, 및 가접착제층을 통하여, 제1 기판과 제2 기판을 첩합하여 적층체를 제조하는 것을 행한 후, 적층체로부터, 제1 기판 및 제2 기판 중 한쪽을 40℃ 미만에서 박리하고, 제1 기판 및 제2 기판 중 적어도 한쪽에 잔존하고 있는 가접착제를, 용제 C를 포함하는 조성물을 이용하여 세정할 때에 이용하는 키트이며, 용제 A, 용제 B 및 용제 C가, 각각 소정의 증기압 및 포화 용해도를 충족시킨다.

Description

키트 및 적층체

본 발명은, 키트 및 적층체에 관한 것이다. 특히, 반도체 제조장치용 가접착제를 이용한 가공 시에 이용하는 키트 등에 관한 것이다.

IC(집적 회로)나 LSI(대규모 집적 회로) 등의 반도체 디바이스의 제조 프로세스에 있어서는, 디바이스 웨이퍼 상에 다수의 IC칩이 형성되고, 다이싱에 의하여 개편화(個片化)된다.

전자 기기의 추가적인 소형화 및 고성능화의 요구에 따라, 전자 기기에 탑재되는 IC칩에 대해서도 추가적인 소형화 및 고집적화가 요구되고 있다.

여기에서, 집적 회로의 다층화는, IC칩의 두께를 증대시키기 때문에, IC칩을 구성하는 부재의 박형화가 필요하다. 이와 같은 부재의 박형화로서는, 예를 들면 디바이스 웨이퍼의 박형화가 검토되고 있다.

따라서, 박형화 전의 디바이스 기판과 캐리어 기판을 가접착제에 의하여 일시적으로 고정(가접착)하고, 디바이스 웨이퍼의 이면을 연삭하여 박형화한 후에, 디바이스 기판으로부터 캐리어 기판을 탈리시키는 기술이 알려져 있다.

여기에서, 특허문헌 1에는, 지지체 상에, 사이클로올레핀계 중합체와, 다이아릴실리콘 구조, 다이알킬실리콘 구조, 불소화 알킬 구조, 불소화 알켄일 구조 및 탄소수 8 이상의 알킬 구조로부터 선택되는 적어도 1종의 구조와, 폴리옥시알킬렌 구조, 인산기를 갖는 구조 및 설포기를 갖는 구조로부터 선택되는 적어도 1종의 구조를 갖는 화합물을 함유하는 가고정재를 적어도 포함하는 가고정재를 통하여, 기재(基材)를 가고정함으로써, 적층체를 얻는 공정, 기재를 가공하고, 및/또는 적층체를 이동시키는 공정과, 기재면에 대하여 대략 수직 방향으로, 기재 또는 지지체에 힘을 부가함으로써, 기재를 지지체로부터 박리시키는 공정을 이 순서로 갖는, 기재의 처리 방법이 개시되어 있다.

특허문헌 1: 일본 공개특허공보 2013-241568호

상기 특허문헌 1은, 기재를 지지체로부터 박리할 때에, 기재의 파손을 방지하는 것이 가능한 처리 방법을 개시하는 것을 과제로 하고 있다. 그러나, 특허문헌 1에 대하여, 본 발명자가 검토한바, 특허문헌 1에 기재된 처리 방법에서는, 기재나 지지체의 이면, 에지부나 베벨부가 오염되거나, 기재를 지지체로부터 박리할 때에 트러블이 일어나는 경우가 있는 것을 알 수 있었다. 특히, 가접착제에서 유래하는 잔사가, 디바이스 기판의 특성에 큰 영향을 주는 것을 알 수 있었다.

본 발명은, 이러한 과제를 해결하는 것을 목적으로 한 것으로서, 디바이스 기판에 있어서의, 가접착제에서 유래하는 잔사를 억제하는 것을 과제로 한다. 구체적으로는, 반도체 제조에 있어서, 가접착제에서 유래하는 잔사를 억제하는 키트 및 적층체를 제공하는 것을 목적으로 한다.

이러한 상황하, 본 발명자가 검토한 결과, 가접착제와 용제 A를 포함하는 조성물을 이용하여 가접착제층을 형성할 때, 제1 기판에 있어서의 잉여인 가접착제를 용제 B를 포함하는 조성물을 이용하여 세정할 때, 적층체로부터, 제1 기판 및 제2 기판 중 한쪽을 40℃ 미만에서 박리하고, 제1 기판 또는 제2 기판에 잔존하고 있는 가접착제를, 용제로 세정할 때의 용제에는, 각각 적절한 범위가 있는 것을 발견하여, 각 공정에 적합한 용제를 선정함으로써, 상기 과제를 해결할 수 있는 것을 발견하였다.

구체적으로는, 하기 수단 <1> 및 <17>에 의하여, 바람직하게는 <2> 내지 <16>, <18> 및 <19>에 의하여, 상기 과제는 해결되었다.

<1> 용제 A를 포함하는 조성물, 용제 B를 포함하는 조성물, 및 용제 C를 포함하는 조성물을 구비하는 반도체 장치 제조용 키트로서, 제1 기판 상에, 가접착제와 용제 A를 포함하는 가접착제 조성물을 이용하여 가접착제층을 형성한 후, 제1 기판에 있어서의 잉여인 가접착제 중 적어도 일부를, 용제 B를 포함하는 조성물을 이용하여 세정하는 것, 및 가접착제층을 통하여, 제1 기판과 제2 기판을 첩합하여 적층체를 제조하는 것을 행한 후, 적층체로부터, 제1 기판 및 제2 기판 중 한쪽을 40℃ 미만에서 박리하고, 제1 기판 및 제2 기판 중 적어도 한쪽에 잔존하고 있는 가접착제를, 용제 C를 포함하는 조성물을 이용하여 세정할 때에 이용하는 키트이며, 용제 A가 식 1을, 용제 B가 식 2를, 용제 C가 식 3을 충족시키는, 키트;

[수학식 1]

식 1~식 3에 있어서, P_A, P_B, P_C는, 각각 용제 A, 용제 B, 용제 C의 25℃에 있어서의 증기압을 나타내고, C_A, C_B, C_C는, 각각 가접착제의 용제 A, 용제 B, 용제 C에 대한 25℃에 있어서의 포화 용해도를 나타낸다; 단, 증기압의 단위는 Pa이며, 포화 용해도의 단위는 질량%이다.

<2> 용제 A의 용해 파라미터를 sp_A, 용제 B의 용해 파라미터를 sp_B로 했을 때, ｜sp_A-sp_B｜≤3.0을 충족시키는, <1>에 기재된 키트; 단, 용해 파라미터의 단위는 (MPa)^0.5이다.

<3> 적층체가, 제1 기판의 표면에 1층 이상의 가접착제층을 갖고, 가접착제층의 표면에 제2 기판을 갖는, <1> 또는 <2>에 기재된 키트.

<4> 가접착제층이 1층인, <3>에 기재된 키트.

<5> 가접착제층은, 제1 기판 상에, 가접착제와 용제 A를 포함하는 가접착제 조성물을 도포하여 형성하는, <1> 내지 <4> 중 어느 하나에 기재된 키트.

<6> 적층체 중의 잉여인 가접착제는, 제1 기판의 제2 기판으로부터 먼 측의 면, 제1 기판의 에지부 및 제1 기판의 베벨부 중 적어도 하나에 존재하고 있는 것인, <1> 내지 <5> 중 어느 하나에 기재된 키트.

<7> 용제 A를 포함하는 조성물이, 가접착제와 용제 A를 포함하는 가접착제 조성물인, <1> 내지 <6> 중 어느 하나에 기재된 키트.

<8> 가접착제가 엘라스토머를 포함하는, <1> 내지 <7> 중 어느 하나에 기재된 키트.

<9> 엘라스토머는 스타이렌 유래의 반복 단위를 포함하는, <8>에 기재된 키트.

<10> 엘라스토머는 수소 첨가물인, <8> 또는 <9>에 기재된 키트.

<11> 엘라스토머는, 편말단 또는 양말단에 스타이렌 블록을 갖는, <8> 내지 <10> 중 어느 하나에 기재된 키트.

<12> 용제 C의 25℃에 있어서의 포화 용해도 C_C가 26~35질량%인, <1> 내지 <11> 중 어느 하나에 기재된 키트.

<13> 용제 A, 용제 B 및 용제 C가, 각각 지환 및 방향환 중 적어도 한쪽을 갖는 탄화 수소류인, <1> 내지 <12> 중 어느 하나에 기재된 키트.

<14> 용제 A~C의 101300Pa, 25℃에 있어서의 비점이, 각각 155~206℃인, <1> 내지 <13> 중 어느 하나에 기재된 키트.

<15> 용제 A를 포함하는 조성물의 90질량% 이상이 용제 A인, <1> 내지 <14> 중 어느 하나에 기재된 키트.

<16> 용제 B를 포함하는 조성물의 90질량% 이상이 용제 B이며, 용제 C를 포함하는 조성물의 90질량% 이상이 용제 C인, <1> 내지 <15> 중 어느 하나에 기재된 키트.

<17> 제1 기판, 가접착제를 포함하는 가접착제층, 제2 기판의 순으로 갖는 반도체 장치 제조용 적층체로서, 제1 기판의 표면에 1층 이상의 가접착제층을 갖고, 가접착제층의 표면에 제2 기판을 가지며, 가접착제층이, 용제 A를 포함하고, 용제 A의 25℃에 있어서의 증기압을 P_A로 하며, 가접착제의 용제 A에 대한 25℃에 있어서의 포화 용해도를 C_A로 했을 때, 이하의 식을 충족시키는, 적층체;

[수학식 2]

단, 증기압의 단위는 Pa이며, 포화 용해도의 단위는 질량%이다.

<18> 가접착제층 중의 Na, K, Ca, Fe, Cu, Mg, Mn, Al, Pb, Ni, Cr, Sn 및 Zn의 각각의 함유량이 0.01질량% 이하인, <17>에 기재된 적층체.

<19> 가접착제층 중의 용제 A 및 용제 B의 함유량의 합계가 0.000001~0.1질량%인, <17> 또는 <18>에 기재된 적층체.

반도체 제조에 있어서, 가접착제에서 유래하는 잔사를 억제 가능한 키트 및 적층체를 제공 가능하게 되었다.

도 1은 반도체 장치의 제조 방법을 나타내는 일례의 개략도이다.

이하, 본 발명의 실시형태를 상세하게 설명한다.

본 명세서에 있어서의 기(원자단)의 표기에 있어서, 치환 및 무치환을 기재하지 않은 표기는, 치환기를 갖지 않는 것과 함께 치환기를 갖는 것도 포함하는 것이다. 예를 들면, "알킬기"란, 치환기를 갖지 않는 알킬기(무치환 알킬기)뿐만 아니라, 치환기를 갖는 알킬기(치환 알킬기)도 포함하는 것이다.

본 명세서 중에 있어서의 "활성광선" 또는 "방사선"은, 예를 들면 가시광선, 자외선, 원자외선, 전자선, X선 등을 포함하는 것을 의미한다.

본 명세서에 있어서, "광"이란, 활성광선 또는 방사선을 의미하고 있다.

본 명세서에 있어서, "노광"이란, 특별히 설명하지 않는 한, 수은등, 자외선, 엑시머 레이저로 대표되는 원자외선, X선, 극단 자외선(EUV) 등에 의한 노광뿐만 아니라, 전자선 및 이온빔 등의 입자선에 의한 노광도 의미하고 있다.

본 명세서에 있어서, "(메트)아크릴레이트"는, 아크릴레이트 및 메타크릴레이트를 나타내고, "(메트)아크릴"은, 아크릴 및 메타크릴을 나타내며, "(메트)아크릴로일"은, 아크릴로일 및 메타크릴로일을 나타낸다.

본 명세서에 있어서, 중량 평균 분자량 및 수평균 분자량은, 젤 퍼미에이션 크로마토그래피(GPC) 측정에 의한 폴리스타이렌 환산값으로서 정의된다. 본 명세서에 있어서, 중량 평균 분자량(Mw) 및 수평균 분자량(Mn)은, 예를 들면 HLC-8220(도소(주)제)을 이용하고, 칼럼으로서 TSK gel Super AWM-H(도소(주)제, 내경(ID) 6.0mm×15.0cm)를, 용리액으로서 10mmol/L 리튬 브로마이드 NMP(N-메틸피롤리딘온) 용액을 이용함으로써 구할 수 있다.

또한, 이하에 설명하는 실시형태에 있어서, 이미 참조한 도면에 있어서 설명한 부재 등에 대해서는, 도면 중에 동일 부호 혹은 상당 부호를 붙임으로써 설명을 간략화 혹은 생략화한다.

키트

본 발명의 키트는, 용제 A를 포함하는 조성물, 용제 B를 포함하는 조성물, 및 용제 C를 포함하는 조성물을 구비하는 반도체 장치 제조용 키트로서, 제1 기판 상에, 가접착제와 용제 A를 포함하는 가접착제 조성물을 이용하여 가접착제층을 형성한 후, 제1 기판에 있어서의 잉여인 가접착제 중 적어도 일부를, 용제 B를 포함하는 조성물을 이용하여 세정하는 것, 및 가접착제층을 통하여, 제1 기판과 제2 기판을 첩합하여 적층체를 제조하는 것을 행한 후, 상기 가접착제층을 통하여, 제1 기판과 제2 기판을 첩합하여 적층체를 제조하며, 상기 적층체로부터, 제1 기판 및 제2 기판 중 한쪽을 40℃ 미만에서 박리하고, 상기 제1 기판 및 제2 기판 중 적어도 한쪽에 잔존하고 있는 가접착제를, 용제 C를 포함하는 조성물을 이용하여 세정할 때에 이용하는 키트이며, 용제 A가 식 1을, 용제 B가 식 2를, 용제 C가 식 3을 충족시키는 것을 특징으로 한다.

[수학식 3]

이와 같은 구성으로 함으로써, 가접착제층을 형성하는 공정, 제1 기판에 있어서의 잉여인 가접착제를 세정하는 공정, 적층체로부터, 제1 기판 및 제2 기판 중 한쪽을 박리하는 공정의 각각에 있어서, 적절한 용제가 이용되어, 가접착제에서 유래하는 잔사를 효과적으로 억제할 수 있다. 특히, 지금까지, 본 발명의 기술 분야에 있어서, 가접착제층을 형성하는 공정 및 가접착제층을 박리하는 공정에 있어서, 용제에 대하여, 대부분 검토되어 있지 않았다. 또한 제1 기판에 있어서의 잉여인 가접착제를 세정하는 공정에 대해서는, 공정 그 자체도, 검토되어 있지 않았다. 그러나, 실제로는, 각 공정에서 이용하는 용제가 적절한 것이 아니면, 가접착제에서 유래하는 잔사가 발생하고, 이 잔사가, 얻어지는 디바이스 기판에 큰 영향을 주는 것을 알 수 있었다. 본 발명에서는 이와 같은 과제를 발견해 낸 점에 기술적 의의가 있다.

또한, 본 발명에서는, 제1 기판에 있어서의 잉여인 가접착제를, 용제 B를 포함하는 조성물을 이용하여 세정하는 공정과, 가접착제층을 통하여 제1 기판과 제2 기판을 첩합하여 적층체를 제조하는 공정은, 어느 것을 먼저 행해도 된다.

또, 제1 기판에 있어서의 잉여인 가접착제를, 용제 B를 포함하는 조성물을 이용하여 세정하는 공정은, 가접착제층을 통하여 제1 기판과 제2 기판을 첩합하여 적층체를 제조하는 공정의 전후 쌍방에 행해도 된다.

본 발명에서는, 용제 A, 용제 B, 용제 C의 25℃에 있어서의 증기압과 가접착제의 용제 A, 용제 B, 용제 C에 대한 25℃에 있어서의 포화 용해도가 상기 식 1~식 3을 충족시킨다. 식 1은, 용제 A가, 가접착제를 용해하여, 원하는 막두께의 가접착제층을 형성하기 위하여 이용되는 점에서, 가접착제를 충분히 용해하고, 기판 전체면에서 균질인 막을 얻기 위하여 건조되기 어려운 용제를 선택한 것을 의미한다. 식 2는, 용제 B는, 제1 기판에 있어서의 잉여인 가접착제를 세정하기 위하여 이용하는 것이기 때문에, 가접착제에 대하여 과한 흡수를 방지할 목적으로, 가접착제를 약간 용해하고, 건조되기 쉬운 것을 선택한 것을 의미한다. 또, 식 3은, 용제 C는, 적층체로부터, 제1 기판 및 제2 기판 중 한쪽을 박리한 후에, 이들 기판에 잔존하는 불필요한 가접착제를 잔사 없이 세정하는 것이기 때문에, 가접착제가 충분히 용해되고, 건조되기 쉬운 것을 선택한 것을 의미한다.

여기에서, 용제의 증기압의 단위로서, 당업자에게 통상 이용되는, Pa를 선택하고, 가접착제의 포화 용해도의 단위에 대해서도, 당업자에게 통상 이용되는, 질량%를 선택했다. 여기에서, 용제의 증기압과, 가접착제의 포화 용해도에 대하여, 수치의 유효 숫자의 자릿수를 어느 정도 맞추기 위하여, 기압은 10logP로 했다.

그리고, 각종 용제를 널리 검토하여, 가접착제층을 형성하는 공정에서 이용하는 용제 A, 제1 기판에 있어서의 잉여인 가접착제를 세정하는 공정에서 이용하는 용제 B, 적층체로부터, 제1 기판 및 제2 기판 중 한쪽을 박리하는 공정에서 이용하는 용제 C에 대하여, 각각 특히 양호한 성능을 나타낸 용제를 중심점으로 하고, 다른 용제의 시험예를 거쳐, 상기 식 1~식 3의 범위 내에서, 양호한 디바이스 기판이 얻어지는 것을 확인했다.

여기에서, 식 1의 값(식 1의 좌측의 값)의 하한값은, 바람직하게는 3.0 이상이다.

여기에서, 식 2의 값(식 2의 좌측의 값)은, 바람직하게는 1.0 이상이고, 보다 바람직하게는 2.6 이상이며, 나아가서는 3.0 이상으로 할 수도 있고, 특히 3.5 이상으로 할 수도 있다.

여기에서, 식 3의 값(식 3의 좌측의 값)은, 바람직하게는 2.3 이상이고, 보다 바람직하게는 3.5 이상이며, 더 바람직하게는 4.0 이상이다.

적층체

본 발명에 있어서의 적층체는, 제1 기판과, 제1 기판 상의 가접착제층과, 제2 기판을 상기 순서대로 갖는다.

본 발명에 있어서의 적층체는, 바람직하게는 제1 기판의 표면에 1층 이상의 가접착제층을 갖고, 가접착제층의 표면에 제2 기판을 갖는 양태이다. 보다 바람직하게는 가접착제층이 1층, 예를 들면 단층인 양태이다.

한편, 본 발명에 있어서의 적층체는, 제1 기판과 가접착제층의 사이, 및/또는 가접착제층과 제2 기판의 사이에, 다른 층을 포함하고 있어도 된다. 다른 층으로서는, 제1 또는 제2 기판과 가접착제층의 박리를 용이하게 하기 위한 층(분리층이나 박리층이라고 칭해지는 경우가 있음)이 예시된다. 제1 또는 제2 기판과 가접착제층의 박리를 용이하게 하기 위한 층으로서는, 광이나 열 등을 가함으로써 변성하고, 제1 또는 제2 기판과 가접착제층의 사이를 분리시키는 층이나, 특정 용제에 용해되기 쉬운 층이며, 적층체의 디바이스 기판을 박형화한 후에, 특정 용제에 침지하여, 디바이스 기판과 고정 부재를 박리하는 양태 등이 예시된다. 박리층으로서는, 예를 들면 일본 공개특허공보 2014-212292호의 단락 0025~0055의 기재를 참조할 수 있으며, 이들 내용은 본 명세서에 원용된다. 또, 분리층으로서는, WO2013-065417호 팸플릿의 단락 0069~0124의 기재를 참조할 수 있으며, 이들 내용은 본원 명세서에 원용된다.

본 발명에 있어서의 제1 기판은, 바람직하게는 박형화되는 디바이스 웨이퍼이며, 제2 기판은, 바람직하게는 캐리어 기판이다. 디바이스 웨이퍼를, 가접착제층을 통하여, 캐리어 기판에 고정하고, 디바이스 웨이퍼가 박형화되는 것이 바람직하다.

캐리어 기판으로서는, 실리콘 웨이퍼, SiC 웨이퍼, GaN 웨이퍼 등의 각종 웨이퍼, 유리, 유기 기재 등의 각종 재질의 기판, 및 기판 상에 유기막이나 무기막이 형성된 것이 예시된다. 캐리어 기판의 두께는, 특별히 한정되는 것은 아니지만, 예를 들면 300μm~100mm가 바람직하고, 300μm~10mm가 보다 바람직하다.

디바이스 웨이퍼로서는, 공지의 것을 제한 없이 사용할 수 있으며, 예를 들면 실리콘 기판, 화합물 반도체 기판 등을 들 수 있다. 화합물 반도체 기판의 구체예로서는, SiC 기판, SiGe 기판, ZnS 기판, ZnSe 기판, GaAs 기판, InP 기판, GaN 기판 등을 들 수 있다.

디바이스 웨이퍼의 표면에는, 기계 구조나 회로가 형성되어 있어도 된다. 기계 구조나 회로가 형성된 디바이스 웨이퍼로서는, 예를 들면 MEMS(Micro Electro Mechanical Systems), 파워 디바이스, 이미지 센서, 마이크로 센서, 발광 다이오드(LED), 광학 디바이스, 인터포저, 매립형 디바이스, 마이크로 디바이스 등을 들 수 있다.

디바이스 웨이퍼는, 금속 범프 등의 구조를 갖고 있는 것이 바람직하다. 본 발명에 의하면, 표면에 구조를 갖고 있는 디바이스 웨이퍼에 대해서도, 안정적으로 가접착할 수 있음과 함께, 디바이스 웨이퍼에 대한 가접착을 용이하게 해제할 수 있다. 구조의 높이는, 특별히 한정은 없지만, 예를 들면 1~150μm가 바람직하고, 5~100μm가 보다 바람직하다.

본 발명에 있어서의 적층체는, 바람직하게는 제1 기판, 가접착제를 포함하는 가접착제층, 제2 기판의 순으로 갖는 반도체 장치 제조용 적층체로서, 제1 기판의 표면에 1층 이상의 가접착제층을 갖고, 가접착제층의 표면에 제2 기판을 가지며, 가접착제층이, 용제 A를 포함하고, 용제 A의 25℃에 있어서의 증기압을 P_A로 하며, 가접착제의 용제 A에 대한 25℃에 있어서의 포화 용해도를 C_A로 했을 때, 이하의 식을 충족시킨다. 이와 같은 적층체는 예를 들면 상기 적층체의 제조 방법에 의하여 얻어진다.

[수학식 4]

본 발명에 있어서의 적층체는, 적층체 중의 금속 성분의 함유량이 0.01질량% 이하인 것이 바람직하고, 0.005질량% 이하인 것이 보다 바람직하며, 0.001질량% 이하인 것이 더 바람직하다. 적층체 중의 금속 성분의 함유량의 하한값으로서는, 특별히 정하는 것은 아니고, 0질량%여도 되지만, 예를 들면 0.00001질량% 이상으로 하면, 수지 중에 존재하는 미량의 수분이나 산소 등, 수지를 산화·변성시키는 성분을 포착할 수 있다는 메리트가 있다.

본 발명에 있어서의 적층체의, 가접착제층 중의 용제 A와 용제 B의 함유량의 합계는, 0.0000001~0.5질량%인 것이 바람직하고, 0.000001~0.1질량%인 것이 보다 바람직하다. 가접착제층 중의 용제 A와 용제 B의 함유량의 합계의 하한값으로서는, 특별히 정하는 것은 아니고, 0질량% 이상이어도 되지만, 통상은, 용제가 잔류한다. 또한 가접착제층 중의 용제 A와 용제 B의 함유량의 합계의 하한값을, 0.00001질량% 이상으로 하면, 제1 기판 및 제2 기판 중 적어도 한쪽에 잔존하고 있는 가접착제를, 용제 C를 포함하는 조성물을 이용하여 세정하는 공정에 있어서, 가접착제의 세정을 가속한다는 메리트가 있다.

반도체 장치의 제조 방법

이하, 적층체를 제조하는 공정을 거친 반도체 장치의 제조 방법을 예로 하여, 적층체의 제조 방법을 설명한다. 이때, 도 1을 참조하면서 설명하지만, 본 발명은, 이하의 실시형태에 한정되는 것은 아니다.

도 1(A)~(E)는, 각각 제1 기판(예를 들면, 캐리어 기판)과, 제2 기판(예를 들면, 디바이스 웨이퍼)의 가접착 상태를 설명하는 개략 단면도(도 1(A), (B))이며, 제1 기판에 가접착된 제2 기판이 박형화된 상태(도 1(C)), 제1 기판과 제2 기판을 박리한 상태(도 1(D)), 제2 기판으로부터 가접착제를 세정한 후의 상태(도 1(E))를 나타내는 개략 단면도이다.

본 실시형태에서는, 도 1(A)에 나타내는 바와 같이, 제1 기판(12) 상에, 가접착제와 용제 A를 포함하는 조성물을 이용하여 가접착제층(11)을 형성하고 있다. 바람직하게는, 가접착제층을, 가접착제와 용제 A를 포함하는 가접착제 조성물을 도포하여 형성한다. 가접착제층의 제조 방법은, 제1 기판의 표면에, 가접착제 조성물을 층 형상으로 하고, 용제를 건조시켜, 가접착제층을 제조하는 것이 바람직하다.

가접착제 조성물의 도포 방법으로서, 스핀 코팅법, 블레이드 코팅법, 스프레이법, 롤러 코팅법, 플로 코팅법, 닥터 코팅법, 스크린 인쇄법, 딥 코팅법 등을 들 수 있으며, 스핀 코팅법 및 블레이드 코팅법이 바람직하다.

가접착제 조성물의 도포량은, 용도에 따라 다르지만, 예를 들면 건조 후의 가접착제층의 평균 막두께가 0.1~500μm가 되는 도포량이 바람직하다. 하한은 1μm 이상이 보다 바람직하다. 상한은 200μm 이하가 보다 바람직하고, 100μm 이하가 더 바람직하다.

또한, 본 발명에 있어서, 가접착제층의 평균 막두께는, 가접착제층의 일 방향을 따른 단면에 있어서, 한쪽의 단부면으로부터 다른 쪽의 단부면을 향하여, 등간격으로 5개소의 장소에 있어서의 막두께를, 마이크로미터에 의하여 측정한 값의 평균값으로 정의한다. 또, 본 발명에 있어서, "가접착제층의 일 방향을 따른 단면"이란, 가접착제층이 다각형상인 경우에는 장변 방향에 직교하는 단면으로 한다. 또, 가접착제층이 정사각형상인 경우에는, 어느 한쪽의 변에 직교하는 단면으로 한다. 또, 가접착제층이 원형 또는 타원형인 경우에는, 무게 중심을 통과하는 단면으로 한다.

건조 조건은, 가접착제 조성물의 종류나, 가접착제층의 막두께에 따라 다르다. 건조 조건은, 예를 들면 60~250℃에서, 10~600초가 바람직하다. 건조 온도는 80~200℃가 보다 바람직하다. 건조 시간은 30~500초가 보다 바람직하고, 40~400초가 더 바람직하다.

건조는 2단계로 나누어 단계적으로 온도를 올려 실시해도 된다. 예를 들면, 80~160℃에서, 30~250초 가열한 후, 170~250℃에서, 30~250초 가열하는 것을 들 수 있다.

이하, 얻어진 제1 기판(12) 상에 가접착제층(11)을 형성하여 얻어진 것을, 접착성 지지체(100)라고 칭한다.

가접착제층(11)은, 통상은, 미량의 용제 A를 포함하고 있으며, 상세에 대해서는 후술한다.

제2 기판(60)은, 예를 들면 디바이스 기판이며, 실리콘 기판(61)의 표면(61a)에 복수의 디바이스 칩(62)이 마련된 것이 예시된다.

디바이스 기판의 두께는, 예를 들면 200~1,200μm가 바람직하다. 디바이스 칩(62)은 예를 들면 금속 구조체인 것이 바람직하고, 높이는 10~100μm가 바람직하다.

이어서, 제1 기판에 있어서의 잉여인 가접착제를, 용제 B를 포함하는 조성물을 이용하여 세정하는 공정 및 가접착제층을 통하여 제1 기판과 제2 기판을 첩합하여 적층체를 제조하는 공정을 행한다. 이들 공정은 어느 것을 먼저 행해도 된다.

먼저, 제1 기판에 있어서의 잉여인 가접착제 중 적어도 일부를, 용제 B를 포함하는 조성물을 이용하여 세정하는 공정에 대하여 설명한다. 제1 기판에 있어서의 잉여인 가접착제는, 예를 들면 제1 기판의 제2 기판으로부터 먼 측의 면(이면), 제1 기판의 에지부, 및 제1 기판의 베벨부 중 적어도 하나에 존재하고 있는 것이다. 이와 같은 잉여인 가접착제를, 용제 B를 포함하는 조성물을 이용하여 세정함으로써, 가접착제 유래의 잔사의 발생을 억제할 수 있다. 용제 B의 상세에 대해서는 후술한다.

다음으로, 가접착제층을 통하여 제1 기판과 제2 기판을 첩합하여 적층체를 제조하는 공정에 대하여 설명한다.

본 공정에서는, 예를 들면 도 1(B)에 나타내는 바와 같이, 제1 기판(12) 상에 가접착제층(11)을 형성하여 얻어진 접착성 지지체(100)와 제2 기판(60)을 압착시켜, 제1 기판(12)과 제2 기판(60)을 가접착시킨다. 가압 접착 조건은, 예를 들면 온도 100~210℃, 압력 0.01~1MPa, 시간 20초~15분이 바람직하다.

가접착제층(11)은, 디바이스 칩(62)을 완전하게 덮고 있는 것이 바람직하고, 디바이스 칩의 높이가 Xμm, 가접착제층의 두께가 Yμm인 경우, "X+100≥Y>X"의 관계를 충족시키는 것이 보다 바람직하다.

가접착제층(11)이 디바이스 칩(62)을 완전하게 피복하고 있는 것은, 박형 디바이스 웨이퍼의 TTV(Total Thickness Variation)를 보다 저하시키고자 하는 경우(즉, 박형 디바이스 웨이퍼의 평탄성을 보다 향상시키고자 하는 경우)에 유효하다.

즉, 디바이스 웨이퍼를 박형화할 때에 있어서, 복수의 디바이스 칩(62)을 가접착제층(11)에 의하여 보호함으로써, 제1 기판(12)과의 접촉면에 있어서, 요철 형상을 거의 없애는 것이 가능하다. 따라서, 상기 가접착제층을 통하여, 제1 기판과 제2 기판을 첩합한 적층체 상태에서 박형화해도, 복수의 디바이스 칩(62)에서 유래하는 형상이, 박형 디바이스 웨이퍼의 이면(61b1)에 전사될 우려는 저감되고, 그 결과 최종적으로 얻어지는 박형 디바이스 웨이퍼의 TTV를 보다 저하시킬 수 있다.

이어서, 도 1(C)에 나타내는 바와 같이, 제1 기판(61)의 이면(61b)에 대하여, 기계적 또는 화학적인 처리(특별히 한정되지 않지만, 예를 들면 그라인딩이나 화학적 기계적 연마(CMP) 등의 박형화 처리, 화학 기상 성장(CVD)이나 물리 기상 성장(PVD) 등의 고온·진공하에서의 처리, 유기 용제, 산성 처리액이나 염기성 처리액 등의 약품을 이용한 처리, 도금 처리, 활성광선의 조사, 가열·냉각 처리 등)를 실시하고, 도 1(C)에 나타내는 바와 같이, 실리콘 기판(61)의 두께를 얇게 하여(예를 들면, 평균 두께 500μm 미만인 것이 바람직하고, 1~200μm인 것이 보다 바람직함), 박형 디바이스 웨이퍼를 얻는다.

또, 기계적 또는 화학적인 처리로서, 박형화 처리 후에, 박형 디바이스 웨이퍼의 이면(61b1)으로부터 실리콘 기판을 관통하는 관통 구멍(도시하지 않음)을 형성하고, 이 관통 구멍 내에 실리콘 관통 전극(도시하지 않음)을 형성하는 처리를 행해도 된다.

또, 기계적 또는 화학적인 처리에 있어서, 가열 처리에 있어서의 최고 도달 온도는 130~400℃가 바람직하고, 180~350℃가 보다 바람직하다. 가열 처리에 있어서의 최고 도달 온도는 가접착제층의 분해 온도보다 낮은 온도로 하는 것이 바람직하다. 가열 처리는, 최고 도달 온도에서의 30초~30분의 가열인 것이 바람직하고, 최고 도달 온도에서의 1분~10분의 가열인 것이 보다 바람직하다.

이어서, 제1 기판 및 제2 기판 중 한쪽을 40℃ 미만에서 박리한다. 예를 들면, 도 1(D)에 나타내는 바와 같이, 제1 기판(12)을, 박형화된 제2 기판(60a)으로부터 박리시킨다. 여기에서, 박리는 40℃ 미만, 즉, 가열 등을 행하지 않는 조건하에서 행하는 것이 바람직하다. 박리 시의 온도의 상한값은, 38℃ 이하가 바람직하다. 박리 시의 온도의 하한값은, 10℃ 이상이 바람직하고, 20℃ 이상이 보다 바람직하다.

박리의 방법은 특별히 한정되는 것은 아니지만, 아무런 처리 없이 박형화된 제2 기판(60a)의 단부로부터 박형화된 제2 기판면에 대하여 수직 방향으로 끌어올려 박리하는 것이 바람직하다. 이때, 박리 계면은, 제1 기판(12)과 가접착제층(11)의 계면에서 박리되는 것이 바람직하다. 박리 시의 끌어올림 속도는, 30~70mm/분의 속도인 것이 바람직하고, 40~60mm/분의 속도인 것이 보다 바람직하다. 이 경우, 제1 기판(12)과 가접착제층(11)의 계면의 박리 강도 A, 디바이스 웨이퍼 표면(61a)과 가접착제층(11)의 박리 강도 B는, 이하의 식 4를 충족시키는 것이 바람직하다.

A<B ····식 4

또, 박리 시의 단부를 끌어올릴 때의 힘은, 1N/mm 이하로 할 수 있고, 0.5N/mm 이하로 할 수도 있다. 하한값으로서는 바람직하게는 0.03N/mm 이상이다. 이때의 힘은, 포스 게이지를 이용하여 측정할 수 있다.

또, 가접착제층(11)에 박리액을 접촉시키고, 그 후 필요에 따라 제1 기판(12)에 대하여 제2 기판(60a)을 슬라이딩시킨 후에, 제2 기판(60a)의 단부로부터 디바이스 웨이퍼에 대하여 수직 방향으로 끌어올려 박리할 수도 있다.

다음으로, 제1 기판 및 제2 기판 중, 디바이스 웨이퍼측에 잔존하고 있는 가접착제를, 용제 C를 포함하는 조성물을 이용하여 세정한다. 이와 같이 잔존하고 있는 가접착제를 세정함으로써, 가접착제 유래의 잔사의 발생을 억제할 수 있다. 용제 C의 상세에 대해서는 후술한다.

도 1에서는, 주로, 제1 기판이 지지체이며, 그 표면(61a) 상에 가접착제층을 형성하는 양태를 예로 하여 설명했지만, 제1 기판이 디바이스 웨이퍼이며, 그 표면에 가접착제층을 마련하는 양태도 본 발명의 범위에 포함된다.

키트

본 발명의 키트는, 용제 A를 포함하는 조성물, 용제 B를 포함하는 조성물, 용제 C를 포함하는 조성물을 구비한다.

본 발명의 키트의 제1 실시형태로서는, 상기 용제 A를 포함하는 조성물이, 가접착제와 용제 A를 포함하는 가접착제 조성물인 형태가 예시된다. 본 실시형태에 있어서는, 용제 B를 포함하는 조성물의, 바람직하게는 90질량% 이상, 보다 바람직하게는 95질량% 이상, 더 바람직하게는 99질량% 이상이 용제 B이며, 용제 C를 포함하는 조성물의, 바람직하게는 90질량% 이상, 보다 바람직하게는 95질량% 이상, 더 바람직하게는 99질량% 이상이 용제 C이다. 본 실시형태의 키트는, 반도체 장치의 가공 프로세스에 있어서의, 디바이스 기판을 박형화하기 위한, 고정 부재와의 가접착 공정에 그대로 이용할 수 있다.

또, 본 발명의 키트의 제2 실시형태로서는, 용제 A를 포함하는 조성물의 90질량% 이상이 용제 A인 형태가 예시된다. 본 실시형태에 있어서는, 용제 B를 포함하는 조성물의 90질량% 이상이 용제 B이며, 용제 C를 포함하는 조성물의 90질량% 이상이 용제 C인 것이 바람직하다. 이와 같은 키트는, 반도체 프로세스에 이용하는 용제의 조합 세트로서 유익하다. 사용 시에는, 용제 A를 포함하는 조성물에, 적절히 가접착제를 배합하여 이용하는 것이 바람직하다. 용제에 대한 첨가가 가접착 공정의 직전인 것이 바람직한 경우에, 제2 실시형태의 키트가 바람직하게 이용된다.

본 발명의 키트는, 용제 A를 포함하는 조성물, 용제 B를 포함하는 조성물, 용제 C를 포함하는 조성물은, 각각 용제 A, 용제 B, 용제 C만으로 이루어져 있어도 되고, 다른 성분을 포함하고 있어도 된다.

용제 A를 포함하는 조성물이 상기 가접착제와 용제 A를 포함하는 가접착제 조성물인 경우, 가접착제 및 용제 이외의 다른 성분으로서는, 후술하는 가접착제 조성물로 설명하는 성분과 동일하며, 바람직한 범위도 동일하다.

또, 용제 B를 포함하는 조성물, 용제 C를 포함하는 조성물에 포함되어 있어도 되는 다른 성분으로서는, 계면활성제, 산화 방지제 등이 예시된다. 계면활성제 및 산화 방지제의 상세는, 후술하는 가접착제 조성물에 포함되어 있어도 되는, 계면활성제 및 산화 방지제의 기재를 참조할 수 있다.

<용제>

본 발명에서 이용하는 키트는, 상술한 바와 같이, 용제 A를 포함하는 조성물, 용제 B를 포함하는 조성물, 및 용제 C를 포함하는 조성물을 구비한다. 본 발명의 키트는, 적층체가 상술한 것과 같은 박리층 등을 갖는 경우, 또한 박리층을 용해시키는 용제 등을 포함하고 있어도 되지만, 본 발명의 키트는, 용제 A를 포함하는 조성물, 용제 B를 포함하는 조성물, 및 용제 C를 포함하는 조성물로 이루어지는 것이 바람직하다. 용제 A를 포함하는 조성물, 용제 B를 포함하는 조성물, 및 용제 C를 포함하는 조성물은, 각각 1종류의 용제 A, 용제 B, 또는 용제 C로 구성되어 있어도 되고, 2종류 이상의 용제로 구성되어 있어도 된다.

용제 A의 증기압 P_A는, 하한값은 100Pa 이상인 것이 바람직하고, 130Pa 이상인 것이 보다 바람직하며, 200Pa 이상으로 할 수도 있고, 280Pa 이상으로 할 수도 있다.

상한값은, 700Pa 이하인 것이 바람직하고, 410Pa 이하인 것이 보다 바람직하며, 400Pa 이하인 것이 더 바람직하고, 340Pa 이하인 것이 한층 더 바람직하다.

용제 B의 증기압 P_B는, 하한값은 200Pa 이상인 것이 바람직하고, 240Pa 이상인 것이 보다 바람직하다. 상한값은 1,800Pa 이하인 것이 바람직하고, 620Pa 이하인 것이 보다 바람직하며, 420Pa 이하인 것이 더 바람직하다.

용제 C의 증기압 P_C는, 하한값은 210Pa 이상인 것이 바람직하고, 280Pa 이상인 것이 보다 바람직하다. 상한값은 1,800Pa 이하인 것이 바람직하고, 620Pa 이하인 것이 보다 바람직하며, 420Pa 이하인 것이 더 바람직하고, 360Pa 이하인 것이 한층 더 바람직하다.

본 발명에서 이용하는 용제 A, 용제 B, 용제 C는, 각각 소정의 용해 파라미터를 충족시키는 것이 바람직하다. 여기에서, 용해 파라미터란, "Solubility Parameter값", "SP값"이라고 칭해지는 것이며, 힐데브란드(Hildebrand)에 의하여 도입된 정규 용액론에 의하여 정의된 값이며, 계산에 의하여 구해진다. 여기에서, 용해 파라미터의 단위는 (MPa)^1/2이다.

용제 A의 용해 파라미터 sp_A는, 하한값은 14.0 이상이 바람직하고, 17.0 이상으로 할 수도 있다. 상한값은 20.0 이하가 바람직하고, 18.4 이하로 할 수도 있다.

용제 B의 용해 파라미터 sp_B는, 하한값은 14.5 이상이 바람직하고, 16.0 이상이 보다 바람직하며, 17.0 이상으로 할 수도 있다. 상한값은 18.5 이하가 바람직하고, 18.3 이하로 할 수도 있다.

용제 C의 용해 파라미터 sp_C는, 하한값은 14.5 이상이 바람직하고, 17.0 이상이 보다 바람직하다. 상한값은 20.0 이하가 바람직하고, 19.0 이하가 보다 바람직하며, 18.5 이하가 더 바람직하다.

또한 용제 A의 용해 파라미터를 sp_A, 용제 B의 용해 파라미터를 sp_B로 했을 때, ｜sp_A-sp_B｜≤3.0을 충족시키는 것이 바람직하다. 보다 바람직하게는, ｜sp_A-sp_B｜<3.0이고, 더 바람직하게는 ｜sp_A-sp_B｜≤2.0이며, ｜sp_A-sp_B｜≤1.0인 것이 한층 더 바람직하다. 또, ｜sp_A-sp_B｜의 하한값에 대해서는, 0.0 이상인 것이 바람직하다. 이와 같은 범위 내로 함으로써, 용제 A와 용제 B의 상용성이 높아져, 가접착제층의 단부의 직사각형성을 향상시킬 수 있다.

용제 A, 용제 B, 용제 C는, 각각 101,300Pa에 있어서의 비점이, 각각 155℃ 이상인 것이 바람직하고, 160℃ 이상인 것이 보다 바람직하며, 164℃ 이상인 것이 더 바람직하고, 또 206℃ 이하인 것이 바람직하며, 195℃ 이하인 것이 보다 바람직하고, 190℃ 이하인 것이 더 바람직하며, 179℃ 이하인 것이 한층 더 바람직하다.

용제 A, 용제 B, 용제 C는, 각각 유기 용제가 바람직하고, 탄화 수소로 이루어지는 가접착제의 주(主)수지의 용해성이 우수한 관점에서 탄화 수소류가 보다 바람직하며, 지환 및 방향환 중 적어도 한쪽을 갖는 탄화 수소류가 더 바람직하고, 방향환을 포함하는 내열성이 높은 가접착제의 주수지의 용해성이 우수한 관점에서 방향환을 적어도 갖는 탄화 수소류(방향족 탄화 수소류)가 한층 더 바람직하다.

본 발명에서 이용되는 용제로서는, 아세트산 에틸, 아세트산-n-뷰틸, 아세트산 아이소뷰틸, 폼산 아밀, 아세트산 아이소아밀, 프로피온산 뷰틸, 뷰티르산 아이소프로필, 뷰티르산 에틸, 뷰티르산 뷰틸, 락트산 메틸, 락트산 에틸, 옥시아세트산 알킬(예: 옥시아세트산 메틸, 옥시아세트산 에틸, 옥시아세트산 뷰틸 등(예를 들면, 메톡시아세트산 메틸, 메톡시아세트산 에틸, 메톡시아세트산 뷰틸, 에톡시아세트산 메틸, 에톡시아세트산 에틸 등)), 3-옥시프로피온산 알킬에스터류(예: 3-옥시프로피온산 메틸, 3-옥시프로피온산 에틸 등(예를 들면, 3-메톡시프로피온산 메틸, 3-메톡시프로피온산 에틸, 3-에톡시프로피온산 메틸, 3-에톡시프로피온산 에틸 등)), 2-옥시프로피온산 알킬에스터류(예: 2-옥시프로피온산 메틸, 2-옥시프로피온산 에틸, 2-옥시프로피온산 프로필 등(예를 들면, 2-메톡시프로피온산 메틸, 2-메톡시프로피온산 에틸, 2-메톡시프로피온산 프로필, 2-에톡시프로피온산 메틸, 2-에톡시프로피온산 에틸)), 2-옥시-2-메틸프로피온산 메틸 및 2-옥시-2-메틸프로피온산 에틸 등(예를 들면, 2-메톡시-2-메틸프로피온산 메틸, 2-에톡시-2-메틸프로피온산 에틸 등), 피루브산 메틸, 피루브산 에틸, 피루브산 프로필, 아세토아세트산 메틸, 아세토아세트산 에틸, 2-옥소뷰탄산 메틸, 2-옥소뷰탄산 에틸, 1-메톡시-2-프로필아세테이트 등의 에스터류;

다이에틸렌글라이콜다이메틸에터, 테트라하이드로퓨란, 에틸렌글라이콜모노메틸에터, 에틸렌글라이콜모노에틸에터, 메틸셀로솔브아세테이트, 에틸셀로솔브아세테이트, 다이에틸렌글라이콜모노메틸에터, 다이에틸렌글라이콜모노에틸에터, 다이에틸렌글라이콜모노뷰틸에터, 프로필렌글라이콜모노메틸에터, 프로필렌글라이콜모노메틸에터아세테이트, 프로필렌글라이콜모노에틸에터아세테이트, 프로필렌글라이콜모노프로필에터아세테이트 등의 에터류;

메틸에틸케톤, 사이클로헥산온, 2-헵탄온, 3-헵탄온, N-메틸-2-피롤리돈, γ-뷰티로락톤 등의 케톤류;

톨루엔, 자일렌, 아니솔, 메시틸렌, 유사 큐멘(pseudocumene), 에틸벤젠, 프로필벤젠, 큐멘, n-뷰틸벤젠, sec-뷰틸벤젠, 아이소뷰틸벤젠, tert-뷰틸벤젠, 아밀벤젠, 아이소아밀벤젠, (2,2-다이메틸프로필)벤젠, 1-페닐헥세인, 1-페닐헵테인, 1-페닐옥테인, 1-페닐노네인, 1-페닐데케인, 사이클로프로필벤젠, 사이클로헥실벤젠, 2-에틸톨루엔, 1,2-다이에틸벤젠, o-사이멘, 인데인, 1,2,3,4-테트라하이드로나프탈렌, 3-에틸톨루엔, m-사이멘, 1,3-다이아이소프로필벤젠, 4-에틸톨루엔, 1,4-다이에틸벤젠, p-사이멘, 1,4-다이아이소프로필벤젠, 4-tert-뷰틸톨루엔, 1,4-다이-tert-뷰틸벤젠, 1,3-다이에틸벤젠, 1,2,3-트라이메틸벤젠, 1,2,4-트라이메틸벤젠, 4-tert-뷰틸-o-자일렌, 1,2,4-트라이에틸벤젠, 1,3,5-트라이에틸벤젠, 1,3,5-트라이아이소프로필벤젠, 5-tert-뷰틸-m-자일렌, 3,5-다이-tert-뷰틸톨루엔, 1,2,3,5-테트라메틸벤젠, 1,2,4,5-테트라메틸벤젠, 펜타메틸벤젠, 데카하이드로나프탈렌 등의 방향족 탄화 수소류;

에틸사이클로헥세인, 리모넨(특히, d-리모넨), p-멘테인, 노네인, 데케인, 도데케인, 데칼린 등의 지방족 탄화 수소류가 예시된다.

본 발명에서는, 용제 A가, 메시틸렌, 뷰틸벤젠, 유사 큐멘 및 사이멘으로부터 선택되는 것이 바람직하다. 또, 용제 B가, 메시틸렌, 뷰틸벤젠, 유사 큐멘 및 사이멘으로부터 선택되는 것이 바람직하다. 또한 용제 C가, 사이멘 및 멘테인으로부터 선택되는 것이 바람직하다.

<가접착제 조성물>

다음으로, 본 발명에 있어서의 가접착제 조성물에 대하여 설명한다. 본 발명에 있어서의 가접착제 조성물은, 가접착제와 용제 A를 포함한다. 또한 다른 첨가제를 포함하고 있어도 된다. 가접착제, 용제 A 및 첨가제는, 각각 1종류씩 포함하고 있어도 되고, 2종류 이상 포함하고 있어도 된다.

<<용제>>

본 발명에 있어서의 가접착제 조성물은 용제 A를 포함한다. 용제 A의 함유량은, 가접착제 조성물의 전체 고형분 농도가 5~90질량%가 되는 양이 바람직하고, 5~70질량%가 보다 바람직하며, 10~60질량%가 더 바람직하고, 20~45질량%가 한층 더 바람직하다. 용제 A는 1종류만 포함되어 있어도 되고, 2종류 이상 포함되어 있어도 된다.

그 외, 용제 A에 대해서는, 상술에서 설명한 바와 같이, 바람직한 범위도 동일하다.

또, 본 발명에 있어서의 가접착제 조성물은, 본 발명의 취지를 일탈하지 않는 범위에서, 다른 용제를 포함하고 있어도 된다. 다른 용제의 함유량은, 용제 A의 함유량의 10질량% 이하인 것이 바람직하고, 5질량% 이하인 것이 보다 바람직하며, 3질량% 이하인 것이 더 바람직하다. 또, 하한값에 대해서는, 0질량%여도 된다.

<<가접착제>>

본 발명에서 이용하는 가접착제는, 25℃에 있어서의, 용제 A에 대한 포화 용해도 C_A는, 상한값이 40질량% 이하인 것이 바람직하고, 37질량% 이하인 것이 보다 바람직하며, 35질량% 이하인 것이 더 바람직하다. 하한값으로서는, 27질량% 이상인 것이 바람직하고, 28질량% 이상인 것이 보다 바람직하며, 30질량% 이상으로 할 수도 있다.

본 발명에서 이용하는 가접착제는, 25℃에 있어서의, 용제 B에 대한 포화 용해도 C_B는, 하한값이 26질량% 이상인 것이 바람직하고, 28질량% 이상으로 할 수도 있으며, 나아가서는 30질량% 이상으로 할 수도 있다. 상한값은 35질량% 이하인 것이 바람직하고, 33질량% 이하인 것이 보다 바람직하다.

본 발명에서 이용하는 가접착제는, 25℃에 있어서의, 용제 C에 대한 포화 용해도 C_C는, 하한값이 26질량% 이상인 것이 바람직하고, 29질량%를 넘는 것이 보다 바람직하며, 29.5질량% 이상인 것이 더 바람직하다. 상한값은 40질량% 이하인 것이 바람직하고, 37질량% 이하인 것이 더 바람직하다.

본 발명에 있어서의 가접착제로서는, 엘라스토머나 다른 고분자 화합물을 이용할 수 있으며, 이들은 1종류만이어도 되고, 2종류 이상을 병용해도 된다.

<<<엘라스토머>>>

본 발명에 있어서의 가접착제 조성물은, 엘라스토머를 함유하는 것이 바람직하다. 엘라스토머는 1종류만 포함하고 있어도 되고, 2종류 이상 포함하고 있어도 된다.

엘라스토머를 사용함으로써, 디바이스 기판의 미세한 요철에도 추종하고, 적절한 앵커 효과에 의하여, 접착성이 우수한 가접착제층을 형성할 수 있다. 또, 적층체로부터, 제1 기판과 제2 기판의 한쪽을 박리할 때에, 기판 등에 응력을 가하지 않고, 적층체로부터 박리할 수 있어, 디바이스 기판 상의 디바이스 등의 파손이나 박락(剝落)을 방지할 수 있다.

또한, 본 명세서에 있어서, 엘라스토머란, 탄성 변형을 나타내는 고분자 화합물을 나타낸다. 즉 외력을 가했을 때에, 그 외력에 따라 즉시 변형되고, 또한 외력을 제거했을 때에는, 단시간에 원래의 형상을 회복하는 성질을 갖는 고분자 화합물이라고 정의한다.

엘라스토머의 중량 평균 분자량은, 2,000~200,000이 바람직하고, 10,000~200,000이 보다 바람직하며, 50,000~100,000이 더 바람직하다. 이 범위에 있음으로써, 가접착제의, 용제에 대한 용해성이 우수한 것이 되어, 도포성이 향상된다. 또, 기재를 지지체로부터 박리 후, 잔존하는 가접착제층을 제거할 때에도, 용제에 대한 용해성이 우수하기 때문에, 기재나 지지체에 잔사가 남지 않는 이점이 있다.

본 발명에 있어서, 엘라스토머로서는, 특별히 한정은 없으며, 블록 공중합체, 랜덤 공중합체, 그래프트 공중합체를 들 수 있고, 블록 공중합체가 바람직하다. 블록 공중합체이면, 가열 프로세스 시의 가접착제의 유동을 억제할 수 있으며, 가열 프로세스 시에 있어서도 접착을 유지할 수 있고, 또한 가열 프로세스 후여도 박리성이 변화되지 않는다는 효과를 기대할 수 있다.

엘라스토머의 종류로서는, 스타이렌 유래의 반복 단위를 포함하는 엘라스토머(폴리스타이렌계 엘라스토머), 폴리에스터계 엘라스토머, 폴리올레핀계 엘라스토머, 폴리유레테인계 엘라스토머, 폴리아마이드계 엘라스토머, 폴리아크릴계 엘라스토머, 실리콘계 엘라스토머, 폴리이미드계 엘라스토머 등을 사용할 수 있다. 특히, 폴리스타이렌계 엘라스토머, 폴리에스터계 엘라스토머, 폴리아마이드계 엘라스토머가 바람직하고, 내열성과 박리성의 관점에서 폴리스타이렌계 엘라스토머가 보다 바람직하다.

본 발명에 있어서, 엘라스토머는, 수소 첨가물인 것이 바람직하다. 특히, 폴리스타이렌계 엘라스토머의 수소 첨가물이 바람직하다. 엘라스토머가 수소 첨가물이면, 열안정성이나 보존 안정성이 향상된다. 나아가서는, 박리성 및 박리 후의 가접착제층의 세정 제거성이 향상된다. 또한, 수소 첨가물이란, 엘라스토머가 수소 첨가된 구조의 중합체를 의미한다.

엘라스토머는, 25℃부터, 20℃/분으로 승온한 5% 열질량 감소 온도가, 250℃ 이상인 것이 바람직하고, 300℃ 이상인 것이 보다 바람직하며, 350℃ 이상인 것이 더 바람직하고, 400℃ 이상인 것이 한층 더 바람직하다. 또, 상한값은 특별히 한정은 없지만, 예를 들면 1,000℃ 이하가 바람직하고, 800℃ 이하가 보다 바람직하다. 이 양태에 의하면, 내열성이 우수한 가접착제층을 형성하기 쉽다.

본 발명의 엘라스토머는, 원래의 크기를 100%로 했을 때에, 실온(20℃)에 있어서 작은 외력으로 200%까지 변형시킬 수 있고, 또한 외력을 제거했을 때에, 단시간에 130% 이하로 되돌아오는 성질을 갖는 것이 바람직하다.

<<<<폴리스타이렌계 엘라스토머>>>>

폴리스타이렌계 엘라스토머로서는, 특별히 제한은 없으며, 목적에 따라 적절히 선택할 수 있다. 예를 들면, 스타이렌-뷰타다이엔-스타이렌 블록 공중합체(SBS), 스타이렌-아이소프렌-스타이렌 블록 공중합체(SIS), 스타이렌-에틸렌-뷰틸렌-스타이렌 블록 공중합체(SEBS), 스타이렌-뷰타다이엔-뷰틸렌-스타이렌 공중합체(SBBS) 및 이들의 수소 첨가물, 스타이렌-에틸렌-뷰틸렌스타이렌 블록 코폴리머(SEBS), 스타이렌-에틸렌-프로필렌-스타이렌 블록 공중합체(SEPS), 스타이렌-에틸렌-에틸렌-프로필렌-스타이렌 블록 공중합체 등을 들 수 있다.

폴리스타이렌계 엘라스토머에 있어서의, 스타이렌 유래의 반복 단위의 함유량은 10~90질량%가 바람직하다. 박리성의 관점에서, 하한값은 25질량% 이상이 바람직하고, 51질량% 이상이 보다 바람직하다.

본 발명에 있어서, 폴리스타이렌계 엘라스토머는, 스타이렌 유래의 반복 단위를 전체 반복 단위 중에 10질량% 이상 50질량% 이하의 비율로 함유하는 엘라스토머 A와, 스타이렌 유래의 반복 단위를 전체 반복 단위 중에 50질량%를 넘고 95질량% 이하의 비율로 함유하는 엘라스토머 B를 조합하여 이용하는 것도 바람직하다. 엘라스토머 A와 엘라스토머 B를 병용함으로써, 우수한 박리성을 가지면서, 기재의 연마면의 평탄성(이하, 평탄 연마성이라고도 함)이 양호하고, 연마 후의 기재의 휨의 발생을 효과적으로 억제할 수 있다. 이와 같은 효과가 얻어지는 메커니즘은, 이하에 의한 것이라고 추측할 수 있다.

즉, 엘라스토머 A는, 비교적 부드러운 재료이기 때문에, 탄성을 갖는 가접착제층을 형성하기 쉽다. 이로 인하여, 본 발명에 있어서의 가접착제 조성물을 이용하여 기재와 지지체의 적층체를 제조하고, 기재를 연마하여 박형화할 때에, 연마 시의 압력이 국소적으로 가해져도, 가접착제층이 탄성 변형하여 원래의 형상으로 되돌아오기 쉽게 할 수 있다. 그 결과, 우수한 평탄 연마성이 얻어진다. 또, 연마 후의 적층체를 가열 처리하고 그 후 냉각해도, 가접착제층에 의하여, 냉각 시에 발생하는 내부 응력을 완화할 수 있어, 휨의 발생을 효과적으로 억제할 수 있다.

또, 상기 엘라스토머 B는, 비교적 딱딱한 재료이기 때문에, 엘라스토머 B를 포함함으로써, 박리성이 우수한 가접착제층을 제조할 수 있다.

상기 엘라스토머 A는, 스타이렌 유래의 반복 단위를 전체 반복 단위 중에 13~45질량% 함유하는 것이 바람직하고, 15~40질량% 함유하는 것이 보다 바람직하다. 이 양태이면, 보다 우수한 평탄 연마성이 얻어진다. 나아가서는, 연마 후의 기재의 휨의 발생을 효과적으로 억제할 수 있다.

엘라스토머 A의 경도는, 20~82가 바람직하고, 60~79가 보다 바람직하다. 또한, 경도는 JIS K6253의 방법에 따라, 타입 A 듀로미터로 측정한 값이다.

상기 엘라스토머 B는, 스타이렌 유래의 반복 단위를 전체 반복 단위 중에 55~90질량% 함유하는 것이 바람직하고, 60~80질량% 함유하는 것이 보다 바람직하다. 이 양태에 의하면 박리성을 보다 효과적으로 향상시킬 수 있다.

엘라스토머 B의 경도는, 83~100이 바람직하고, 90~99가 보다 바람직하다.

상기 엘라스토머 A와, 상기 엘라스토머 B의 질량비는, 엘라스토머 A:엘라스토머 B=5:95~95:5가 바람직하고, 10:90~80:20이 보다 바람직하며, 15:85~60:40이 더 바람직하다. 상기 범위이면 상술한 효과가 보다 효과적으로 얻어진다.

폴리스타이렌계 엘라스토머는, 스타이렌과 다른 수지의 블록 공중합체인 것이 바람직하고, 편말단 또는 양말단이 스타이렌의 블록 공중합체인 것이 보다 바람직하며, 양말단이 스타이렌의 블록 공중합체인 것이 더 바람직하다. 폴리스타이렌계 엘라스토머의 양단을, 스타이렌의 블록 공중합체(스타이렌 유래의 반복 단위를 갖는 블록 공중합체)로 하면, 열안정성이 보다 향상되는 경향이 있다. 이것은, 내열성이 높은 스타이렌 유래의 반복 단위가 말단에 존재하게 되기 때문이다. 특히, 편말단 또는 양말단이 스타이렌 유래의 반복 단위를 갖는 반응성의 폴리스타이렌계 하드 블록인 것에 의하여, 내열성, 내약품성이 보다 우수한 경향이 있어 바람직하다. 또, 이들을 블록 공중합체로 하면, 200℃ 이상에 있어서 하드 블록과 소프트 블록에서의 상분리를 행한다고 생각된다. 그 상분리의 형상은 디바이스 웨이퍼의 기판 표면의 요철의 발생의 억제에 기여한다고 생각된다. 그리고, 이와 같은 수지는, 용제에 대한 용해성 및 레지스트 용제에 대한 내성의 관점에서도 보다 바람직하다.

또, 폴리스타이렌계 엘라스토머는 수소 첨가물이면, 열에 대한 안정성이 향상되어, 분해나 중합 등의 변질이 일어나기 어렵다. 또한 용제에 대한 용해성 및 레지스트 용제에 대한 내성의 관점에서도 보다 바람직하다.

폴리스타이렌계 엘라스토머의 불포화 이중 결합량으로서는, 가열 공정 후의 박리성의 관점에서, 폴리스타이렌계 엘라스토머 1g당, 15mmol 미만인 것이 바람직하고, 5mmol 미만인 것이 보다 바람직하며, 0.5mmol 미만인 것이 더 바람직하다. 또한, 여기에서 말하는 불포화 이중 결합량은, 스타이렌 유래의 벤젠환 내의 불포화 이중 결합을 포함하지 않는다. 불포화 이중 결합량은, Nuclear Magnetic Resonance(NMR) 측정에 의하여 산출할 수 있다.

또한, 본 명세서에 있어서 "스타이렌 유래의 반복 단위"란, 스타이렌 또는 스타이렌 유도체를 중합했을 때에 중합체에 포함되는 스타이렌 유래의 구성 단위이며, 치환기를 갖고 있어도 된다. 스타이렌 유도체로서는, 예를 들면 α-메틸스타이렌, 3-메틸스타이렌, 4-프로필스타이렌, 4-사이클로헥실스타이렌 등을 들 수 있다. 치환기로서는, 예를 들면 탄소수 1~5의 알킬기, 탄소수 1~5의 알콕시기, 탄소수 1~5의 알콕시알킬기, 아세톡시기, 카복실기 등을 들 수 있다.

폴리스타이렌계 엘라스토머의 시판품으로서는, 예를 들면 터프프렌 A, 터프프렌 125, 터프프렌 126S, 솔프렌 T, 아사프렌 T-411, 아사프렌 T-432, 아사프렌 T-437, 아사프렌 T-438, 아사프렌 T-439, 터프텍 H1272, 터프텍 P1500, 터프텍 H1052, 터프텍 H1062, 터프텍 M1943, 터프텍 M1911, 터프텍 H1041, 터프텍 MP10, 터프텍 M1913, 터프텍 H1051, 터프텍 H1053, 터프텍 P2000, 터프텍 H1043(이상, 아사히 가세이 케미컬즈(주)제), 엘라스토머 AR-850C, 엘라스토머 AR-815C, 엘라스토머 AR-840C, 엘라스토머 AR-830C, 엘라스토머 AR-860C, 엘라스토머 AR-875C, 엘라스토머 AR-885C, 엘라스토머 AR-SC-15, 엘라스토머 AR-SC-0, 엘라스토머 AR-SC-5, 엘라스토머 AR-710, 엘라스토머 AR-SC-65, 엘라스토머 AR-SC-30, 엘라스토머 AR-SC-75, 엘라스토머 AR-SC-45, 엘라스토머 AR-720, 엘라스토머 AR-741, 엘라스토머 AR-731, 엘라스토머 AR-750, 엘라스토머 AR-760, 엘라스토머 AR-770, 엘라스토머 AR-781, 엘라스토머 AR-791, 엘라스토머 AR-FL-75N, 엘라스토머 AR-FL-85N, 엘라스토머 AR-FL-60N, 엘라스토머 AR-1050, 엘라스토머 AR-1060, 엘라스토머 AR-1040(아론 가세이(주)제), 크레이튼 D1111, 크레이튼 D1113, 크레이튼 D1114, 크레이튼 D1117, 크레이튼 D1119, 크레이튼 D1124, 크레이튼 D1126, 크레이튼 D1161, 크레이튼 D1162, 크레이튼 D1163, 크레이튼 D1164, 크레이튼 D1165, 크레이튼 D1183, 크레이튼 D1193, 크레이튼 DX406, 크레이튼 D4141, 크레이튼 D4150, 크레이튼 D4153, 크레이튼 D4158, 크레이튼 D4270, 크레이튼 D4271, 크레이튼 D4433, 크레이튼 D1170, 크레이튼 D1171, 크레이튼 D1173, 카리플렉스 IR0307, 카리플렉스 IR0310, 카리플렉스 IR0401, 크레이튼 D0242, 크레이튼 D1101, 크레이튼 D1102, 크레이튼 D1116, 크레이튼 D1118, 크레이튼 D1133, 크레이튼 D1152, 크레이튼 D1153, 크레이튼 D1155, 크레이튼 D1184, 크레이튼 D1186, 크레이튼 D1189, 크레이튼 D1191, 크레이튼 D1192, 크레이튼 DX405, 크레이튼 DX408, 크레이튼 DX410, 크레이튼 DX414, 크레이튼 DX415, 크레이튼 A1535, 크레이튼 A1536, 크레이튼 FG1901, 크레이튼 FG1924, 크레이튼 G1640, 크레이튼 G1641, 크레이튼 G1642, 크레이튼 G1643, 크레이튼 G1645, 크레이튼 G1633, 크레이튼 G1650, 크레이튼 G1651, 크레이튼 G1652, 크레이튼 G1654, 크레이튼 G1657, 크레이튼 G1660, 크레이튼 G1726, 크레이튼 G1701, 크레이튼 G1702, 크레이튼 G1730, 크레이튼 G1750, 크레이튼 G1765, 크레이튼 G4609, 크레이튼 G4610(Kraton사제), TR2000, TR2001, TR2003, TR2250, TR2500, TR2601, TR2630, TR2787, TR2827, TR1086, TR1600, SIS5002, SIS5200, SIS5250, SIS5405, SIS5505, 다이나론 6100P, 다이나론 4600P, 다이나론 6200P, 다이나론 4630P, 다이나론 8601P, 다이나론 8630P, 다이나론 8600P, 다이나론 8903P, 다이나론 6201B, 다이나론 1321P, 다이나론 1320P, 다이나론 2324P, 다이나론 9901P(JSR(주)제), 덴카 STR 시리즈(덴키 가가쿠 고교(주)제), 퀸택 3520, 퀸택 3433N, 퀸택 3421, 퀸택 3620, 퀸택 3450, 퀸택 3460(닛폰 제온(주)제), TPE-SB 시리즈(스미토모 가가쿠(주)제), 라발론 시리즈(미쓰비시 가가쿠(주)제), 셉톤 1001, 셉톤 8004, 셉톤 4033, 셉톤 2104, 셉톤 8007, 셉톤 2007, 셉톤 2004, 셉톤 2063, 셉톤 HG252, 셉톤 8076, 셉톤 2002, 셉톤 1020, 셉톤 8104, 셉톤 2005, 셉톤 2006, 셉톤 4055, 셉톤 4044, 셉톤 4077, 셉톤 4099, 셉톤 8006, 셉톤 V9461, 셉톤 V9475, 셉톤 V9827, 하이브라 7311, 하이브라 7125, 하이브라 5127, 하이브라 5125(이상, (주) 구라레제), 스미플렉스(스미토모 베이클라이트(주)제), 레오스토머, 액티머(이상, 리켄 테크노스(주)제) 등을 들 수 있다.

<<<<폴리에스터계 엘라스토머>>>>

폴리에스터계 엘라스토머로서는, 특별히 제한은 없으며, 목적에 따라 적절히 선택할 수 있다. 예를 들면, 다이카복실산 또는 그 유도체와, 다이올 화합물 또는 그 유도체를 중축합하여 얻어지는 것을 들 수 있다.

다이카복실산으로서는, 예를 들면 테레프탈산, 아이소프탈산, 나프탈렌다이카복실산 등의 방향족 다이카복실산 및 이들의 방향핵의 수소 원자가 메틸기, 에틸기, 페닐기 등으로 치환된 방향족 다이카복실산, 아디프산, 세바스산, 도데케인다이카복실산 등의 탄소수 2~20의 지방족 다이카복실산, 및 사이클로헥세인다이카복실산 등의 지환식 다이카복실산 등을 들 수 있다. 이들은 1종 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상 병용해도 된다.

다이올 화합물로서는, 예를 들면 에틸렌글라이콜, 1,3-프로페인다이올, 1,4-뷰테인다이올, 1,6-헥세인다이올, 1,10-데케인다이올, 1,4-사이클로헥세인다이올 등의 지방족 다이올, 지환식 다이올, 하기 구조식으로 나타나는 2가의 페놀 등을 들 수 있다.

[화학식 1]

상기 식 중, Y^DO는, 탄소 원자수 1~10의 알킬렌기, 탄소 원자수 4~8의 사이클로알킬렌기, -O-, -S-, 및 -SO₂- 중 어느 하나를 나타내거나, 벤젠환끼리의 직접 결합(단결합)을 나타낸다. R^DO1 및 R^DO2는 각각 독립적으로 할로젠 원자 또는 탄소 원자수 1~12의 알킬기를 나타낸다. p^do1 및 p^do2는 각각 독립적으로 0~4의 정수를 나타내고, n^do1은 0 또는 1을 나타낸다.

폴리에스터계 엘라스토머의 구체예로서는, 비스페놀 A, 비스(4-하이드록시페닐)메테인, 비스(4-하이드록시-3-메틸페닐)프로페인, 레조신 등을 들 수 있다. 이들은 1종 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상 병용해도 된다.

또, 폴리에스터계 엘라스토머로서, 방향족 폴리에스터(예를 들면, 폴리뷰틸렌테레프탈레이트) 부분을 하드 세그먼트 성분으로, 지방족 폴리에스터(예를 들면, 폴리테트라메틸렌글라이콜) 부분을 소프트 세그먼트 성분으로 한 멀티 블록 공중합체를 이용할 수도 있다. 멀티 블록 공중합체로서는, 하드 세그먼트와 소프트 세그먼트의 종류, 비율, 및 분자량의 차이에 따라 다양한 그레이드의 것을 들 수 있다. 구체예로서는, 하이트렐 3046(듀폰-도레이(주)제), 펠프렌(도요보(주)제), 프리말로이(미쓰비시 가가쿠(주)제), 누벨란(데이진(주)제), 에스펠 1612, 1620(히타치 가세이 고교(주)제) 등을 들 수 있다.

<<<<폴리올레핀계 엘라스토머>>>>

폴리올레핀계 엘라스토머로서는, 특별히 제한은 없으며, 목적에 따라 적절히 선택할 수 있다. 예를 들면, 에틸렌, 프로필렌, 1-뷰텐, 1-헥센, 4-메틸-1-펜텐 등의 탄소수 2~20의 α-올레핀의 공중합체 등을 들 수 있다. 예를 들면, 에틸렌-프로필렌 공중합체(EPR), 에틸렌-프로필렌-다이엔 공중합체(EPDM) 등을 들 수 있다. 또, 다이사이클로펜타다이엔, 1,4-헥사다이엔, 사이클로옥타다이엔, 메틸렌노보넨, 에틸리덴노보넨 등의 탄소수 2~20의 비공액 다이엔과 α-올레핀 공중합체 등을 들 수 있다. 또, 뷰타다이엔-아크릴로나이트릴 공중합체에 메타크릴산을 공중합한 카복시 변성 나이트릴 고무를 들 수 있다. 또한 에틸렌·α-올레핀 공중합체 고무, 에틸렌·α-올레핀·비공액 다이엔 공중합체 고무, 프로필렌·α-올레핀 공중합체 고무, 뷰텐·α-올레핀 공중합체 고무 등을 들 수 있다.

시판품으로서, 밀라스토머(미쓰이 가가쿠(주)제), 써모런(미쓰비시 가가쿠(주)제), EXACT(엑슨 가가쿠사제), ENGAGE(다우 케미컬사제), 에스폴렉스(스미토모 가가쿠(주)제), Sarlink(도요보(주)제), 뉴콘(니혼 폴리프로(주)제), EXCELINK(JSR(주)제) 등을 들 수 있다.

<<<폴리유레테인계 엘라스토머>>>

폴리유레테인계 엘라스토머로서는, 특별히 제한은 없으며, 목적에 따라 적절히 선택할 수 있다. 예를 들면, 저분자의 글라이콜 및 다이아이소사이아네이트로 이루어지는 하드 세그먼트와, 고분자(장쇄) 다이올 및 다이아이소사이아네이트로 이루어지는 소프트 세그먼트의 구조 단위를 포함하는 엘라스토머 등을 들 수 있다.

고분자(장쇄) 다이올로서는, 폴리프로필렌글라이콜, 폴리테트라메틸렌옥사이드, 폴리(1,4-뷰틸렌아디페이트), 폴리(에틸렌·1,4-뷰틸렌아디페이트), 폴리카프로락톤, 폴리(1,6-헥실렌카보네이트), 폴리(1,6-헥실렌·네오펜틸렌아디페이트) 등을 들 수 있다. 고분자(장쇄) 다이올의 수평균 분자량은 500~10,000이 바람직하다.

저분자의 글라이콜로서는, 에틸렌글라이콜, 프로필렌글라이콜, 1,4-뷰테인다이올, 비스페놀 A 등의 단쇄 다이올을 이용할 수 있다. 단쇄 다이올의 수평균 분자량은 48~500이 바람직하다.

폴리유레테인계 엘라스토머의 시판품으로서는, PANDEX T-2185, T-2983N(DIC(주)제), 미락트란(닛폰 미락트란(주)제), 엘라스톨란(BASF사제), 레자민(다이니치 세이카 고교(주)제), 펠레탄(다우·케미컬사제), 아이언 러버(NOK사제), 모빌론(닛신보 케미컬(주)제) 등을 들 수 있다.

<<<<폴리아마이드계 엘라스토머>>>>

폴리아마이드계 엘라스토머로서는, 특별히 제한은 없으며, 목적에 따라 적절히 선택할 수 있다. 예를 들면, 폴리아마이드-6, 11, 12 등의 폴리아마이드를 하드 세그먼트에 이용하고, 폴리옥시에틸렌, 폴리옥시프로필렌, 폴리테트라메틸렌글라이콜 등의 폴리에터 및/또는 폴리에스터를 소프트 세그먼트에 이용한 엘라스토머 등을 들 수 있다. 이 엘라스토머는, 폴리에터 블록 아마이드형, 폴리에터에스터 블록 아마이드형의 2종류로 크게 구별된다.

시판품으로서, UBE 폴리아마이드 엘라스토머, UBESTA XPA(우베 고산(주)제), 다이아마이드(다이셀 에보닉(주)제), PEBAX(ARKEMA사제), 그릴론 ELX(엠스 케미 재팬(주)제), 노바미드(미쓰비시 가가쿠(주)제), 그릴럭스(도요보(주)제), 폴리에터에스터아마이드 PA-200, PA-201, TPAE-12, TPAE-32, 폴리에스터아마이드 TPAE-617, TPAE-617C((주)T&K TOKA제) 등을 들 수 있다.

<<<<폴리아크릴계 엘라스토머>>>>

폴리아크릴계 엘라스토머로서는, 특별히 제한은 없으며, 목적에 따라 적절히 선택할 수 있다. 예를 들면, 에틸아크릴레이트, 뷰틸아크릴레이트, 메톡시에틸아크릴레이트, 에톡시에틸아크릴레이트 등의 아크릴산 에스터를 주성분으로 한 것이나,

아크릴산 에스터와, 글리시딜메타크릴레이트, 알릴글리시딜에터와의 공중합체 등을 들 수 있다. 또한 아크릴산 에스터와, 아크릴로나이트릴이나 에틸렌 등의 가교점 모노머를 공중합하여 이루어지는 것 등을 들 수 있다. 구체적으로는, 아크릴로나이트릴-뷰틸아크릴레이트 공중합체, 아크릴로나이트릴-뷰틸아크릴레이트-에틸아크릴레이트 공중합체, 아크릴로나이트릴-뷰틸아크릴레이트-글리시딜메타크릴레이트 공중합체 등을 들 수 있다.

<<<<실리콘계 엘라스토머>>>>

실리콘계 엘라스토머로서는, 특별히 제한은 없으며, 목적에 따라 적절히 선택할 수 있다. 예를 들면, 오가노폴리실록세인을 주성분으로 한 것으로, 폴리다이메틸실록세인계, 폴리메틸페닐실록세인계, 폴리다이페닐실록세인계 등을 들 수 있다. 시판품의 구체예로서는, KE 시리즈(신에쓰 가가쿠 고교(주)제), SE 시리즈, CY 시리즈, SH 시리즈(이상, 도레이 다우코닝 실리콘(주)제) 등을 들 수 있다.

<<<<그 외 엘라스토머>>>>

본 발명에서는, 엘라스토머로서, 고무 변성한 에폭시 수지(에폭시계 엘라스토머)를 이용할 수 있다. 에폭시계 엘라스토머는, 예를 들면 비스페놀 F형 에폭시 수지, 비스페놀 A형 에폭시 수지, 살리실알데하이드형 에폭시 수지, 페놀 노볼락형 에폭시 수지 혹은 크레졸 노볼락형 에폭시 수지의 일부 또는 전부의 에폭시기를, 양말단 카복실산 변성형 뷰타다이엔-아크릴로나이트릴 고무, 말단 아미노 변성 실리콘 고무 등에 의하여 변성시킴으로써 얻어진다.

<<다른 고분자 화합물>>

본 발명에서는, 바인더로서, 상술한 엘라스토머 이외의 고분자 화합물(다른 고분자 화합물이라고도 함)을 이용할 수 있다. 다른 고분자 화합물은, 1종 또는 2종 이상을 병용할 수 있다.

다른 고분자 화합물의 구체예로서는, 예를 들면 탄화 수소 수지, 노볼락 수지, 페놀 수지, 에폭시 수지, 멜라민 수지, 유레아 수지, 불포화 폴리에스터 수지, 알키드 수지, 폴리아마이드 수지, 폴리이미드 수지, 폴리아마이드이미드 수지, 폴리벤즈이미다졸 수지, 폴리벤즈옥사졸 수지, 폴리 염화 바이닐 수지, 폴리아세트산 바이닐 수지, 폴리아세탈 수지, 폴리카보네이트 수지, 폴리페닐렌에터 수지, 폴리뷰틸렌테레프탈레이트 수지, 폴리에틸렌테레프탈레이트 수지, 폴리페닐렌설파이드 수지, 폴리설폰 수지, 폴리에터설폰 수지, 폴리아릴레이트 수지, 폴리에터에터케톤 수지, 메틸메타크릴레이트·스타이렌 공중합 수지(시판품의 예로서는 에스타이렌 MS-200(신닛테쓰 스미킨 가가쿠(주)제)) 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 탄화 수소 수지, 폴리에터설폰 수지, 폴리이미드 수지, 폴리카보네이트 수지가 바람직하고, 폴리에터설폰 수지 및 탄화 수소 수지가 보다 바람직하다.

또, 본 발명에서는, 바인더로서 후술하는 불소 원자를 포함하는 것을 이용할 수 있지만, 불소 원자를 포함하는 바인더(이하, 불소계 바인더라고도 함)는, 실질적으로 포함하지 않는 것이 바람직하다. 불소계 바인더를 실질적으로 포함하지 않는다란, 불소계 바인더의 함유량이, 바인더의 전체 질량에 대하여, 예를 들면 0.1질량% 이하가 바람직하고, 0.05질량% 이하가 보다 바람직하며, 함유하지 않는 것이 더 바람직하다.

<<<탄화 수소 수지>>>

본 발명에 있어서, 탄화 수소 수지로서 임의의 것을 사용할 수 있다.

탄화 수소 수지는, 기본적으로는 탄소 원자와 수소 원자만으로 이루어지는 수지를 의미하지만, 기본이 되는 골격이 탄화 수소 수지이면, 측쇄로서 그 외의 원자를 포함하고 있어도 된다. 즉, 탄소 원자와 수소 원자만으로 이루어지는 탄화 수소 수지에, 아크릴 수지, 폴리바이닐알코올 수지, 폴리바이닐아세탈 수지, 폴리바이닐피롤리돈 수지와 같이, 주쇄에 탄화 수소기 이외의 관능기가 직접 결합하는 경우도 본 발명에 있어서의 탄화 수소 수지에 포함되는 것이며, 이 경우, 주쇄에 탄화 수소기가 직접 결합되어 이루어지는 반복 단위의 함유량이, 수지의 전체 반복 단위에 대하여 30몰% 이상인 것이 바람직하다.

상기 조건에 합치하는 탄화 수소 수지로서는 예를 들면, 터펜 수지, 터펜페놀 수지, 변성 터펜 수지, 수소 첨가 터펜 수지, 수소 첨가 터펜페놀 수지, 로진, 로진에스터, 수소 첨가 로진, 수소 첨가 로진에스터, 중합 로진, 중합 로진에스터, 변성 로진, 로진 변성 페놀 수지, 알킬페놀 수지, 지방족 석유 수지, 방향족 석유 수지, 수소 첨가 석유 수지, 변성 석유 수지, 지환족 석유 수지, 쿠마론 석유 수지, 인덴 석유 수지, 폴리스타이렌-폴리올레핀 공중합체, 올레핀 폴리머(예를 들면, 메틸펜텐 공중합체), 및 사이클로올레핀 폴리머(예를 들면, 노보넨계 공중합체, 다이사이클로펜타다이엔 공중합체, 테트라사이클로도데센 공중합체) 등을 들 수 있다.

탄화 수소 수지는, 그 중에서도, 터펜 수지, 로진, 석유 수지, 수소화 로진, 중합 로진, 올레핀 폴리머, 또는 사이클로올레핀 폴리머인 것이 바람직하고, 터펜 수지, 로진, 올레핀 폴리머, 또는 사이클로올레핀 폴리머인 것이 보다 바람직하며, 사이클로올레핀 폴리머인 것이 한층 더 바람직하다.

사이클로올레핀 폴리머로서는, 노보넨계 중합체, 단환의 환상 올레핀의 중합체, 환상 공액 다이엔의 중합체, 바이닐 지환식 탄화 수소 중합체, 및 이들 중합체의 수소화물 등을 들 수 있다. 사이클로올레핀 폴리머의 바람직한 예로서는, 하기 일반식 (II)로 나타나는 반복 단위를 적어도 1종 이상 포함하는 부가 (공)중합체, 및 일반식 (I)로 나타나는 반복 단위의 적어도 1종 이상을 더 포함하여 이루어지는 부가 (공)중합체를 들 수 있다. 또, 사이클로올레핀 폴리머의 다른 바람직한 예로서는, 일반식 (III)으로 나타나는 환상 반복 단위를 적어도 1종 포함하는 개환 (공)중합체를 들 수 있다.

[화학식 2]

식 중, m은 0~4의 정수를 나타낸다. R¹~R⁶은, 각각 수소 원자 또는 탄소수 1~10의 탄화 수소기를 나타내고, X¹~X³, 및 Y¹~Y³은, 각각 수소 원자, 탄소수 1~10의 탄화 수소기, 할로젠 원자, 할로젠 원자로 치환된 탄소수 1~10의 탄화 수소기, -(CH₂)_nCOOR¹¹, -(CH₂)_nOCOR¹², -(CH₂)_nNCO, -(CH₂)_nNO₂, -(CH₂)_nCN, -(CH₂)_nCONR¹³R¹⁴, -(CH₂)_nNR¹⁵R¹⁶, -(CH₂)_nOZ, -(CH₂)_nW, 또는 X¹과 Y¹, X²와 Y², 혹은 X³과 Y³으로 구성된 (-CO)₂O, (-CO)₂NR¹⁷을 나타낸다. R¹¹, R¹², R¹³, R¹⁴, R¹⁵, R¹⁶ 및 R¹⁷은, 각각 수소 원자, 또는 탄화 수소기(바람직하게는 탄소수 1~20의 탄화 수소기), Z는, 탄화 수소기, 또는 할로젠으로 치환된 탄화 수소기를 나타내며, W는 SiR¹⁸ _pD₃ _-p(R¹⁸은 탄소수 1~10의 탄화 수소기를 나타내고, D는 할로젠 원자, -OCOR¹⁸ 또는 -OR¹⁸을 나타내며, p는 0~3의 정수를 나타냄)를 나타낸다. n은 0~10의 정수를 나타낸다.

노보넨계 중합체는, 일본 공개특허공보 평10-7732호, 일본 공표특허공보 2002-504184호, US2004/229157A1호 공보 혹은 WO2004/070463A1호 공보 등에 개시되어 있다. 노보넨계 중합체는, 노보넨계 다환상 불포화 화합물끼리를 부가 중합함으로써 얻을 수 있다. 또, 필요에 따라 노보넨계 다환상 불포화 화합물과, 에틸렌, 프로필렌, 뷰텐; 뷰타다이엔, 아이소프렌과 같은 공액 다이엔; 에틸리덴노보넨과 같은 비공액 다이엔을 부가 중합할 수도 있다. 이 노보넨계 중합체는, 미쓰이 가가쿠(주)로부터 아펠이라는 상품명으로 발매되고 있으며, 유리 전이 온도(Tg)가 다른 예를 들면 APL8008T(Tg70℃), APL6013T(Tg125℃) 혹은 APL6015T(Tg145℃) 등의 그레이드가 있다. 폴리플라스틱(주)로부터 TOPAS 8007, 동 5013, 동 6013, 동 6015 등의 펠릿이 발매되고 있다. 또한 Ferrania사로부터 Appear 3000이 발매되고 있다.

노보넨계 중합체의 수소화물은, 일본 공개특허공보 평1-240517호, 일본 공개특허공보 평7-196736호, 일본 공개특허공보 소60-26024호, 일본 공개특허공보 소62-19801호, 일본 공개특허공보 2003-1159767호 혹은 일본 공개특허공보 2004-309979호 등에 개시되어 있는 바와 같이, 다환상 불포화 화합물을 부가 중합 혹은 메타세시스 개환 중합한 후, 수소 첨가함으로써 제조할 수 있다.

일반식 (III) 중, R⁵ 및 R⁶은, 수소 원자 또는 메틸기인 것이 바람직하고, X³ 및 Y³은 수소 원자인 것이 바람직하며, 그 외의 기는 적절히 선택된다. 이 노보넨계 중합체는, JSR(주)로부터 아톤(Arton) G 혹은 아톤 F라는 상품명으로 발매되고 있고, 또 닛폰 제온(주)로부터 제오노아(Zeonor) ZF14, ZF16, 제오넥스(Zeonex) 250, 동 280, 동 480R이라는 상품명으로 시판되고 있으며, 이들을 사용할 수 있다.

<<<폴리이미드 수지>>>

폴리이미드 수지는, 테트라카복실산 이무수물과 다이아민을 공지의 방법으로 축합 반응시켜 얻어지는 것을 이용할 수 있다.

공지의 합성 방법으로서는, 예를 들면 유기 용제 중에서, 테트라카복실산 이무수물과 다이아민을 대략 등몰 혼합하고, 반응 온도 80℃ 이하에서 반응시켜 얻어진 폴리암산을 탈수 폐환시키는 방법 등을 들 수 있다. 여기에서, 대략 등몰이란, 테트라카복실산 이무수물과 다이아민의 몰량비가 1:1 근방인 것을 말한다. 또한, 필요에 따라 테트라카복실산 이무수물과 다이아민의 조성비가, 테트라카복실산 이무수물의 합계 1.0몰에 대하여, 다이아민의 합계가 0.5~2.0몰이 되도록 조정해도 된다. 테트라카복실산 이무수물과 다이아민의 조성비를 상기의 범위 내에서 조정함으로써, 폴리이미드 수지의 중량 평균 분자량을 조정할 수 있다.

테트라카복실산 이무수물로서는, 특별히 한정되는 것은 아니지만, 예를 들면 파이로멜리트산 이무수물, 3,3',4,4'-바이페닐테트라카복실산 이무수물, 2,2',3,3'-바이페닐테트라카복실산 이무수물, 2,2-비스(3,4-다이카복시페닐)프로페인 이무수물, 2,2-비스(2,3-다이카복시페닐)프로페인 이무수물, 1,1-비스(2,3-다이카복시페닐)에테인 이무수물, 1,1-비스(3,4-다이카복시페닐)에테인 이무수물, 비스(2,3-다이카복시페닐)메테인 이무수물, 비스(3,4-다이카복시페닐)메테인 이무수물, 비스(3,4-다이카복시페닐)설폰 이무수물, 3,4,9,10-페릴렌테트라카복실산 이무수물, 비스(3,4-다이카복시페닐)에터 이무수물, 벤젠-1,2,3,4-테트라카복실산 이무수물, 3,4,3',4'-벤조페논테트라카복실산 이무수물, 2,3,2',3'-벤조페논테트라카복실산 이무수물, 2,3,3',4'-벤조페논테트라카복실산 이무수물, 1,2,5,6-나프탈렌테트라카복실산 이무수물, 1,4,5,8-나프탈렌테트라카복실산 이무수물, 2,3,6,7-나프탈렌테트라카복실산 이무수물, 1,2,4,5-나프탈렌테트라카복실산 이무수물, 2,6-다이클로로나프탈렌-1,4,5,8-테트라카복실산 이무수물, 2,7-다이클로로나프탈렌-1,4,5,8-테트라카복실산 이무수물, 2,3,6,7-테트라클로로나프탈렌-1,4,5,8-테트라카복실산 이무수물, 페난트렌-1,8,9,10-테트라카복실산 이무수물, 피라진-2,3,5,6-테트라카복실산 이무수물, 싸이오펜-2,3,4,5-테트라카복실산 이무수물, 2,3,3',4'-바이페닐테트라카복실산 이무수물, 3,4,3',4'-바이페닐테트라카복실산 이무수물, 2,3,2',3'-바이페닐테트라카복실산 이무수물, 비스(3,4-다이카복시페닐)다이메틸실레인 이무수물, 비스(3,4-다이카복시페닐)메틸페닐실레인 이무수물, 비스(3,4-다이카복시페닐)다이페닐실레인 이무수물, 1,4-비스(3,4-다이카복시페닐다이메틸실릴)벤젠 이무수물, 1,3-비스(3,4-다이카복시페닐)-1,1,3,3-테트라메틸다이사이클로헥세인 이무수물, p-페닐렌비스(트라이멜리테이트 무수물), 에틸렌테트라카복실산 이무수물, 1,2,3,4-뷰테인테트라카복실산 이무수물, 데카하이드로나프탈렌-1,4,5,8-테트라카복실산 이무수물, 4,8-다이메틸-1,2,3,5,6,7-헥사하이드로나프탈렌-1,2,5,6-테트라카복실산 이무수물, 사이클로펜테인-1,2,3,4-테트라카복실산 이무수물, 피롤리딘-2,3,4,5-테트라카복실산 이무수물, 1,2,3,4-사이클로뷰테인테트라카복실산 이무수물, 비스(엑소-바이사이클로〔2,2,1〕헵테인-2,3-다이카복실산) 이무수물, 바이사이클로-〔2,2,2〕-옥트-7-엔-2,3,5,6-테트라카복실산 이무수물, 2,2-비스(3,4-다이카복시페닐)프로페인 이무수물, 2,2-비스〔4-(3,4-다이카복시페닐)페닐〕프로페인 이무수물, 2,2-비스(3,4-다이카복시페닐)헥사플루오로프로페인 이무수물, 2,2-비스〔4-(3,4-다이카복시페닐)페닐〕헥사플루오로프로페인 이무수물, 4,4'-비스(3,4-다이카복시페녹시)다이페닐설파이드 이무수물, 1,4-비스(2-하이드록시헥사플루오로아이소프로필)벤젠비스(트라이멜리트산 무수물), 1,3-비스(2-하이드록시헥사플루오로아이소프로필)벤젠비스(트라이멜리트산 무수물), 5-(2,5-다이옥소테트라하이드로퓨릴)-3-메틸-3-사이클로헥센-1,2-다이카복실산 이무수물, 테트라하이드로퓨란-2,3,4,5-테트라카복실산 이무수물, 4,4'-옥시다이프탈산 이무수물, 1,2-(에틸렌)비스(트라이멜리테이트 무수물), 1,3-(트라이메틸렌)비스(트라이멜리테이트 무수물), 1,4-(테트라메틸렌)비스(트라이멜리테이트 무수물), 1,5-(펜타메틸렌)비스(트라이멜리테이트 무수물), 1,6-(헥사메틸렌)비스(트라이멜리테이트 무수물), 1,7-(헵타메틸렌)비스(트라이멜리테이트 무수물), 1,8-(옥타메틸렌)비스(트라이멜리테이트 무수물), 1,9-(노나메틸렌)비스(트라이멜리테이트 무수물), 1,10-(데카메틸렌)비스(트라이멜리테이트 무수물), 1,12-(도데카메틸렌)비스(트라이멜리테이트 무수물), 1,16-(헥사데카메틸렌)비스(트라이멜리테이트 무수물), 1,18-(옥타데카메틸렌)비스(트라이멜리테이트 무수물) 등을 들 수 있으며, 이들을 1종 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 이용할 수 있다. 이들 중에서도, 3,4,3',4'-벤조페논테트라카복실산 이무수물, 2,3,2',3'-벤조페논테트라카복실산 이무수물, 2,3,3',4'-벤조페논테트라카복실산 이무수물이 바람직하고, 3,4,3',4'-벤조페논테트라카복실산 이무수물이 보다 바람직하다.

다이아민으로서는 특별히 제한은 없으며, 예를 들면 o-페닐렌다이아민, m-페닐렌다이아민, p-페닐렌다이아민, 3,3'-다이아미노다이페닐에터, 3,4'-다이아미노다이페닐에터, 4,4'-다이아미노다이페닐에터, 3,3'-다이아미노다이페닐메테인, 3,4'-다이아미노다이페닐메테인, 비스(4-아미노-3,5-다이메틸페닐)메테인, 비스(4-아미노-3,5-다이아이소프로필페닐)메테인, 3,3'-다이아미노다이페닐다이플루오로메테인, 3,4'-다이아미노다이페닐다이플루오로메테인, 4,4'-다이아미노다이페닐다이플루오로메테인, 3,3'-다이아미노다이페닐설폰, 3,4'-다이아미노다이페닐설폰, 4,4'-다이아미노다이페닐설폰, 3,3'-다이아미노다이페닐설파이드, 3,4'-다이아미노다이페닐설파이드, 4,4'-다이아미노다이페닐설파이드, 3,3'-다이아미노다이페닐케톤, 3,4'-다이아미노다이페닐케톤, 4,4'-다이아미노다이페닐케톤, 3-(4-아미노페닐)-1,1,3-트라이메틸-5-아미노인데인, 2,2-비스(3-아미노페닐)프로페인, 2,2'-(3,4'-다이아미노다이페닐)프로페인, 2,2-비스(4-아미노페닐)프로페인, 2,2-비스(3-아미노페닐)헥사플루오로프로페인, 2,2-(3,4'-다이아미노다이페닐)헥사플루오로프로페인, 2,2-비스(4-아미노페닐)헥사플루오로프로페인, 1,3-비스(3-아미노페녹시)벤젠, 1,4-비스(3-아미노페녹시)벤젠, 1,4-비스(4-아미노페녹시)벤젠, 3,3'-(1,4-페닐렌비스(1-메틸에틸리덴))비스아닐린, 3,4'-(1,4-페닐렌비스(1-메틸에틸리덴))비스아닐린, 4,4'-(1,4-페닐렌비스(1-메틸에틸리덴))비스아닐린, 2,2-비스(4-(3-아미노페녹시)페닐)프로페인, 2,2-비스(4-(3-아미노페녹시)페닐)헥사플루오로프로페인, 2,2-비스(4-(4-아미노페녹시)페닐)헥사플루오로프로페인, 비스(4-(3-아미노페녹시)페닐)설파이드, 비스(4-(4-아미노페녹시)페닐)설파이드, 비스(4-(3-아미노페녹시)페닐)설폰, 비스(4-(4-아미노페녹시)페닐)설폰, 3,3'-다이하이드록시-4,4'-다이아미노바이페닐, 3,5-다이아미노벤조산 등의 방향족 다이아민, 1,3-비스(아미노메틸)사이클로헥세인, 2,2-비스(4-아미노페녹시페닐)프로페인, 폴리옥시프로필렌다이아민, 4,9-다이옥사도데케인-1,12-다이아민, 4,9,14-트라이옥사헵타데케인-1,17-다이아민, 1,2-다이아미노에테인, 1,3-다이아미노프로페인, 1,4-다이아미노뷰테인, 1,5-다이아미노펜테인, 1,6-다이아미노헥세인, 1,7-다이아미노헵테인, 1,8-다이아미노옥테인, 1,9-다이아미노노네인, 1,10-다이아미노데케인, 1,11-다이아미노운데케인, 1,12-다이아미노도데케인, 1,2-다이아미노사이클로헥세인, 1,3-비스(3-아미노프로필)테트라메틸다이실록세인 등을 들 수 있다.

이들 다이아민 중에서도, 3-(4-아미노페닐)-1,1,3-트라이메틸-5-아미노인데인, 1,3-비스(3-아미노프로필)테트라메틸다이실록세인, 폴리옥시프로필렌다이아민, 2,2-비스(4-아미노페녹시페닐)프로페인, 4,9-다이옥사도데케인-1,12-다이아민, 1,6-다이아미노헥세인, 및 4,9,14-트라이옥사헵타데케인-1,17-다이아민으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상이 바람직하고, 3-(4-아미노페닐)-1,1,3-트라이메틸-5-아미노인데인이 보다 바람직하다.

상기 테트라카복실산 이무수물과 다이아민의 반응에 이용되는 용제로서는, 예를 들면 N,N-다이메틸아세트아마이드, N-메틸-2-피롤리돈, N,N-다이메틸폼아마이드를 들 수 있다. 원재료 등의 용해성을 조정하기 위하여, 비극성 용제(예를 들면, 톨루엔이나 자일렌)를 병용해도 된다.

상기 테트라카복실산 이무수물과 다이아민의 반응 온도는, 바람직하게는 100℃ 미만, 보다 바람직하게는 90℃ 미만이다. 또, 폴리암산의 이미드화는, 대표적으로는 불활성 분위기(대표적으로는, 진공 또는 질소 분위기)하에서 가열 처리함으로써 행해진다. 가열 처리 온도는, 바람직하게는 150℃ 이상, 보다 바람직하게는 180~450℃이다.

폴리이미드 수지의 중량 평균 분자량(Mw)은, 10,000~1,000,000이 바람직하고, 20,000~100,000이 보다 바람직하다.

본 발명에 있어서, 폴리이미드 수지는, γ-뷰티로락톤, 사이클로펜탄온, N-메틸피롤리돈, N-에틸-2-피롤리돈, 사이클로헥산온, 글라이콜에터, 다이메틸설폭사이드 및 테트라메틸유레아로부터 선택되는 적어도 1종의 용제에 대한 25℃에서의 용해도가 10g/100g Solvent 이상인 폴리이미드 수지가 바람직하다.

이와 같은 용해도를 갖는 폴리이미드 수지는, 예를 들면 3,4,3',4'-벤조페논테트라카복실산 이무수물과, 3-(4-아미노페닐)-1,1,3-트라이메틸-5-아미노인데인을 반응시켜 얻어지는 폴리이미드 수지 등을 들 수 있다. 이 폴리이미드 수지는, 내열성이 특히 우수하다.

폴리이미드 수지는, 시판품을 이용해도 된다. 예를 들면, Durimide(등록 상표) 200, 208A, 284(후지 필름(주)제), GPT-LT(군에이 가가쿠 고교(주)제), SOXR-S, SOXR-M, SOXR-U, SOXR-C(모두, 닛폰 고도시 고교(주)제) 등을 들 수 있다.

<<<폴리카보네이트 수지>>>

본 발명에 있어서, 폴리카보네이트 수지는, 하기 일반식 (1)로 나타나는 반복 단위를 갖는 것이 바람직하다.

[화학식 3]

일반식 (1) 중, Ar¹ 및 Ar²는 각각 독립적으로 방향족기를 나타내고, L은 단결합 또는 2가의 연결기를 나타낸다.

일반식 (1)에 있어서의 Ar¹ 및 Ar²는, 각각 독립적으로 방향족기를 나타낸다. 방향족기로서는, 벤젠환, 나프탈렌환, 펜탈렌환, 인덴환, 아줄렌환, 헵탈렌환, 인데센환, 페릴렌환, 펜타센환, 아세나프틸렌환, 페난트렌환, 안트라센환, 나프타센환, 크리센환, 트라이페닐렌환, 플루오렌환, 바이페닐환, 피롤환, 퓨란환, 싸이오펜환, 이미다졸환, 옥사졸환, 싸이아졸환, 피리딘환, 피라진환, 피리미딘환, 피리다진환, 인돌리진환, 인돌환, 벤조퓨란환, 벤조싸이오펜환, 아이소벤조퓨란환, 퀴놀리진환, 퀴놀린환, 프탈라진환, 나프티리딘환, 퀴녹살린환, 퀴녹사졸린환, 아이소퀴놀린환, 카바졸환, 페난트리딘환, 아크리딘환, 페난트롤린환, 싸이안트렌환, 크로멘환, 잔텐환, 페녹사싸이인환, 페노싸이아진환, 및 페나진환을 들 수 있다. 그 중에서도 벤젠환이 바람직하다.

이들 방향족기는, 치환기를 갖고 있어도 되지만, 갖고 있지 않은 것이 바람직하다.

방향족기가 갖고 있어도 되는 치환기의 예로서는, 할로젠 원자, 알킬기, 알콕시기, 아릴기 등을 들 수 있다.

할로젠 원자로서는, 불소 원자, 염소 원자, 브로민 원자, 아이오딘 원자 등을 들 수 있다.

알킬기로서는, 탄소수 1~30의 알킬기를 들 수 있다. 알킬기의 탄소수는, 1~20이 보다 바람직하고, 1~10이 더 바람직하다. 알킬기는, 직쇄, 분기 중 어느 것이어도 된다. 또, 알킬기의 수소 원자의 일부 또는 전부는, 할로젠 원자로 치환되어 있어도 된다. 할로젠 원자로서는, 불소 원자, 염소 원자, 브로민 원자, 아이오딘 원자 등을 들 수 있으며, 불소 원자가 바람직하다.

알콕시기로서는, 탄소수 1~30의 알콕시기가 바람직하다. 알콕시기의 탄소수는, 1~20이 보다 바람직하고, 1~10이 더 바람직하다. 알콕시기는, 직쇄, 분기, 환상 중 어느 것이어도 된다.

아릴기로서는, 탄소수 6~30의 아릴기가 바람직하고, 탄소수 6~20의 아릴기가 보다 바람직하다.

폴리카보네이트 수지의 중량 평균 분자량(Mw)은, 1,000~1,000,000인 것이 바람직하고, 10,000~80,000인 것이 보다 바람직하다. 상기 범위이면, 용매에 대한 용해성, 내열성이 양호하다.

폴리카보네이트 수지의 시판품으로서는, 예를 들면 PCZ-200, PCZ-300, PCZ-500, PCZ-800(미쓰비시 가스 가가쿠(주)제), APEC 9379(바이엘사제), 판라이트 L-1225LM(데이진(주)제) 등을 들 수 있다.

<<<폴리에터설폰 수지>>>

폴리에터설폰 수지의 시판품으로서는, 예를 들면 Ultrason E2020P, Ultrason E6020P(BASF사제), 스미카엑셀 3600P, 4100P, 4800P, 5003P, 5003PS, 5200P, 5400P, 5900P(스미토모 가가쿠(주)제) 등을 들 수 있다.

본 발명에 있어서의 가접착제 조성물에 있어서의, 가접착제(바람직하게는 엘라스토머)의 함유량은, 용제를 제외한 전체 고형분에 대하여, 50.00~99.99질량%가 바람직하고, 70.00~99.99질량%가 보다 바람직하며, 88.00~99.99질량%가 더 바람직하다. 가접착제는, 1종류만 포함하고 있어도 되고, 2종류 이상 포함하고 있어도 된다.

<<<산화 방지제>>>

본 발명에 있어서의 가접착제 조성물은, 가열 시의 산화에 의한 엘라스토머의 저분자화나 젤화를 방지하는 관점에서, 산화 방지제를 함유해도 된다. 산화 방지제로서는, 페놀계 산화 방지제, 황계 산화 방지제, 인계 산화 방지제, 퀴논계 산화 방지제, 아민계 산화 방지제 등을 사용할 수 있다.

산화 방지제의 구체예로서는, 일본 공개특허공보 2014-212292호의 단락 0048~0049의 기재를 참조할 수 있으며, 이들 내용은 본 명세서에 원용된다.

가접착제 조성물이 산화 방지제를 갖는 경우, 산화 방지제의 함유량은, 가접착제 조성물의 전체 고형분에 대하여, 0.001~20.0질량%가 바람직하고, 0.005~10.0질량%가 보다 바람직하다.

산화 방지제는 1종류만 사용해도 되고, 2종류 이상을 병용해도 된다. 산화 방지제가 2종류 이상인 경우에는, 그 합계가 상기 범위인 것이 바람직하다.

<<<계면활성제>>>

본 발명에 있어서의 가접착제 조성물에는, 도포성을 보다 향상시키는 관점에서, 각종 계면활성제를 첨가해도 된다. 계면활성제로서는, 불소계 계면활성제, 비이온계 계면활성제, 양이온계 계면활성제, 음이온계 계면활성제, 실리콘계 계면활성제 등의 각종 계면활성제를 사용할 수 있다.

특히, 본 발명에 있어서의 가접착제 조성물은, 불소계 계면활성제를 함유함으로써, 도포액으로서 조제했을 때의 액특성(특히, 유동성)이 보다 향상되는 점에서, 도포 두께의 균일성이나 성액성(省液性)을 보다 개선할 수 있다.

즉, 불소계 계면활성제를 함유하는 가접착제를 적용한 도포액을 이용하여 막형성하는 경우에 있어서는, 피도포면과 도포액의 계면 장력을 저하시킴으로써, 피도포면에 대한 습윤성이 개선되어, 피도포면에 대한 도포성이 향상된다. 이로 인하여, 소량의 액량으로 수 μm 정도의 박막을 형성한 경우이더라도, 두께 편차가 작은 균일 두께의 막형성을 보다 적합하게 행할 수 있는 점에서 유효하다.

불소계 계면활성제 중의 불소 함유율은, 3~40질량%가 바람직하고, 보다 바람직하게는 5~30질량%이며, 더 바람직하게는 7~25질량%이다. 불소 함유율이 이 범위 내인 불소계 계면활성제는, 도포막의 두께의 균일성이나 성액성의 점에서 효과적이며, 가접착제 중에 있어서의 용해성도 양호하다.

불소계 계면활성제로서는, 예를 들면 메가팍 F-171, 동 F-172, 동 F-173, 동 F-176, 동 F-177, 동 F-141, 동 F-142, 동 F-143, 동 F-144, F-251, 동 F-281, 동 F-430, 동 F-437, 동 F-444, 동 F-475, 동 F-477, 동 F-479, 동 F-482, 동 F-510, 동 F-552, 동 F-553, 동 F-554, 동 F-555, 동 F-556, 동 F-557, 동 F-558, 동 F-559, 동 F-560, 동 F-561, 동 F-562, 동 F-563, 동 F-565, 동 F-567, 동 F-568, 동 F-569, 동 F-570, 동 F-571, 동 F-780, 동 F-781, 동 R-30, 동 R-40, 동 R-41, 동 R-43, 동 R-94(이상, DIC(주)제), FC-430, FC-431, FC-171, FC-4430, FC-4432(이상, 스미토모 3M(주)제), 서프론 SC-101, 동 SC-103, 동 SC-104, 동 SC-105, 동 S-242, 동 S-243, 동 SC-381, 동 S-382, 동 SC-383, 동 S-386, 동 S-393, 동 S-651, 동 S-611, 동 S-420, 동 SC-1068, 동 KH-40(이상, AGC 세이미 케미컬(주)제), PF-636, PF-656, PF-6320, PF-6520, PF-7002(이상, OMNOVA사제) 등을 들 수 있다.

비이온계 계면활성제로서 구체적으로는, 글리세롤, 트라이메틸올프로페인, 트라이메틸올에테인과, 그들의 에톡실레이트 및 프로폭실레이트(예를 들면, 글리세롤프로폭실레이트, 글리세린에톡실레이트 등), 폴리옥시에틸렌라우릴에터, 폴리옥시에틸렌스테아릴에터, 폴리옥시에틸렌올레일에터, 폴리옥시에틸렌옥틸페닐에터, 폴리옥시에틸렌노닐페닐에터, 폴리에틸렌글라이콜다이라우레이트, 폴리에틸렌글라이콜다이스테아레이트, 소비탄 지방산 에스터(BASF사제의 플루로닉 L10, L31, L61, L62, 10R5, 17R2, 25R2, 테트로닉 304, 701, 704, 901, 904, 150R1, 솔스퍼스 20000(니혼 루브리졸(주)제) 등을 들 수 있다.

양이온계 계면활성제로서 구체적으로는, 프탈로사이아닌 유도체(상품명: EFKA-745, 모리시타 산교(주)제), 오가노실록세인 폴리머 KP341(신에쓰 가가쿠 고교(주)제), (메트)아크릴산계 (공)중합체 폴리플로 No. 75, No. 90, No. 95(교에이샤 가가쿠(주)제), W001(유쇼(주)제) 등을 들 수 있다.

음이온계 계면활성제로서 구체적으로는, W004, W005, W017(유쇼(주)제) 등을 들 수 있다.

실리콘계 계면활성제로서는, 모멘티브·퍼포먼스·머티리얼즈·재팬 고도가이샤제 TSF-4440, TSF-4300, TSF-4445, TSF-4460, TSF-4452, 신에쓰 실리콘(주)제 KP-341, KF-6001, KF-6002, 빅케미(주)제 BYK-307, BYK-323, BYK-330 등을 들 수 있다.

계면활성제는, 1종만을 이용해도 되고, 2종류 이상을 조합해도 된다.

계면활성제의 첨가량은, 가접착제의 전체 고형분에 대하여, 0.001~2.0질량%가 바람직하고, 보다 바람직하게는 0.005~1.0질량%이다.

<<<그 외의 성분>>>

본 발명에 있어서의 가접착제 조성물은, 본 발명의 효과를 저해하지 않는 범위에서, 필요에 따라 상기 이외의 각종 첨가물, 예를 들면 경화제, 경화 촉매, 라디칼 중합성 화합물, 라디칼 중합 개시제, 상기 이외의 함불소 화합물, 레벨링제, 탈포제, 소포제, 실레인 커플링제, 충전제, 밀착 촉진제, 자외선 흡수제, 응집 방지제 등을 배합할 수 있다. 이들 첨가제를 배합하는 경우, 그 합계 배합량은 가접착제의 전체 고형분의 3질량% 이하가 바람직하다. 이들의 상세에 대해서는, 일본 공개특허공보 2014-212292호의 단락 0065~0094의 기재, 단락 0096~0120의 기재를 참조할 수 있으며, 이들 내용은 본 명세서에 원용된다.

실시예

이하, 본 발명을 실시예에 의하여 더 구체적으로 설명하지만, 본 발명은 그 주지를 넘지 않는 한 이하의 실시예에 한정되는 것은 아니다. 또한, 특별히 설명하지 않는 한, "부", "%"는 질량 기준이다.

또, 프로필렌글라이콜모노메틸에터아세테이트를 "PGMEA"라고 기재한다.

<가접착제 조성물의 조제>

이하의 성분을 혼합하여 균일한 용액으로 한 후, 5μm의 포어 사이즈를 갖는 폴리테트라플루오로에틸렌제 필터를 이용하여 여과하여, 실시예 및 비교예의 조성물을 각각 조제했다.

<<가접착제 조성물의 조성>>

·표 1 또는 표 2에 기재된 수지 P(가접착제): 표 1 또는 표 2에 기재된 질량부

·표 1 또는 표 2에 기재된 용제 A: 표 1 또는 표 2에 기재된 질량부

·메가팍 F-553(DIC(주)제): 0.5질량부

[표 1-1]

[표 1-2]

상기 표에 있어서의, ｜sp_A-sp_B｜는, 용제 A와 용제 B의 용해 파라미터의 차이며, 후술하는 표 3에 기재된 각 용제의 용해 파라미터로부터 산출한 값이다.

표 1 또는 표 2 중에 기재된 수지 P는 이하와 같다.

<수지 P>

[표 2]

표 1 또는 표 2 중에 기재된 용제 A~C는 이하와 같다.

<용제>

[표 3]

상기 혼합 용매 A는, 메시틸렌과 p-멘테인을 50:50의 질량 비율로 배합한 것이고, 혼합 용매 B는, 메시틸렌과 메틸사이클로헥세인을 80:20의 질량 비율로 배합한 것이며, 혼합 용매 C는, t-뷰틸벤젠과 d-리모넨을 80:20의 질량 비율로 배합한 것이고, 혼합 용매 D는, 메틸사이클로헥세인과 데카하이드로나프탈렌을 20:80의 질량 비율로 배합한 것이다.

상기 표에 있어서, sp값은 용제의 sp값이고, 그 단위는 (MPa)^0.5이며, 상술한 방법에 의하여 산출된 값이다.

증기압 P는 용제의 25℃에 있어서의 증기압을 나타내며, 단위는 Pa이고, 정지법에 의하여 측정한 값이다.

포화 용해도 C는 용제의 25℃에 있어서의 포화 용해도를 나타내며, 단위는 질량%이고, 30mL의 샘플병에 각 용제를 20mL 넣은 후에 수지를 용해시켜, 샘플병의 상하를 반전시켰을 때에 용액이 낙하하지 않게 될 때의 농도이다.

비점은 용제의 비점이며, 그 단위는 ℃이다.

상기 식 1의 값, 식 2의 값, 식 3의 값은, 각각 식 1~식 3의 좌측의 값을 말하며, 각각 하기로 나타나는 값을 말한다.

[수학식 5]

<가접착제층의 형성 및 잉여인 가접착제의 세정(실시예 1~32, 34~37, 비교예 1~18)>

복수의 범프가 마련된 직경 8인치 실리콘 웨이퍼(제1 웨이퍼)(1인치는 2.54cm임) 상에, 표 1 또는 표 2에 기재된, 용제 A 및 수지 P(가접착제)를 포함하는 가접착제 조성물을 스핀 코터(MS-A300, 미카사(주)제)에 의하여 50rpm으로 회전시키면서, 30초 동안에 15mL 적하했다. 회전수를 600rpm까지 올려 30초 유지하고, 그 후 제1 웨이퍼를 회전시키면서 제1 웨이퍼 외주부(에지 및 베벨) 및 제1 웨이퍼 이면에 용제 B를 40초 공급하며, 제1 웨이퍼 외주부 및 제1 웨이퍼의 가접착제 조성물을 적하하고 있지 않은 측의 면(이면)에 부착된 가접착제 조성물을 세정했다. 핫플레이트를 이용하여, 110℃에서 3분 가열하고, 추가로 190℃에서 3분 가열함으로써, 제1 웨이퍼의 표면에 가접착제층이 형성된 접착성 지지체(100)를 얻었다. 또한, 실시예 1~32 및 34~37의 가접착제층에 포함되는 용제 A와 용제 B의 함유량을, 질량 분석 장치를 내장한 열분석 장치(TG-MS(PerkinElmer사제))를 이용하여 측정한 결과, 모두 0.000001~0.1질량%의 범위 내였다.

<적층체 1의 제작>

접착성 지지체(100)의 가접착제층이 형성된 측의 면에 대하여, 다른 1매의 8인치의 실리콘 웨이퍼(제2 웨이퍼)를, 웨이퍼 본더(EVG 520IS, EVG사제)에 의하여 진공하, 190℃, 0.51MPa의 압력으로 3분간 압착을 행하여, 적층체 1을 얻었다.

<적층체 1로부터 실리콘 웨이퍼의 박리>

적층체 1의 제1 웨이퍼를 고정하고, 웨이퍼 본더(EVG 805, EVG사제)를 이용하여, 제2 웨이퍼를 제2 웨이퍼의 기판면에 대하여, 수직인 방향으로, 50mm/분의 속도로 끌어올려 박리했다. 박리는 25℃에서 행했다.

<잔존하고 있는 가접착제의 세정>

상기 제2 웨이퍼를, 현상 장치(AD-3000, 미카사(주)제)에 의하여 200rpm으로 회전시키면서, 표 1 또는 표 2에 기재된 용제 C를 이용하여 120초간 분무함으로써 가접착제층을 세정했다.

<가접착제층의 형성 및 잉여인 가접착제의 세정(실시예 33)>

실시예 1에 있어서, 제2 웨이퍼로서 유리 웨이퍼(EN-A1, 아사히 글라스(주)제)를 이용한 것 이외에는, 동일하게 하여 적층체의 평가를 행했다. 또한, 실시예 33의 가접착제층에 포함되는 용제 A와 용제 B의 함유량을, 질량 분석 장치를 내장한 열분석 장치(TG-MS(PerkinElmer사제))를 이용하여 측정한 결과, 모두 0.000001~0.1질량%의 범위 내였다.

<평가>

<<가접착제의 잔사 평가>>

상기 제1 웨이퍼의 가접착제 유래의 잔사를, 광학 현미경을 이용하여 관찰하여 이하의 기준으로 평가했다. 관찰은, 제1 웨이퍼의, 표면(복수의 범프가 마련된 측)·베벨·이면(상기 표면과 반대측)의 각각의 개소에 있어서, 1mm²의 면적에서 20회의 관찰을 행하여, 가접착제 유래의 파티클의 평균 개수를 평가 대상으로 했다. 또한, 파티클이 구(球) 형상이 아닐 때의 직경은, 동 질량의 구로 환산했을 때의 직경으로 한다.

A: 제1 웨이퍼의 표면·베벨·이면에 직경 5μm 이상의 파티클이 5개/mm² 미만.

B: 제1 웨이퍼의 표면·베벨·이면에 직경 5μm 이상의 파티클이 5개/mm² 이상 15개/mm² 미만.

C: 제1 웨이퍼의 표면·베벨·이면에 직경 5μm 이상의 파티클이 15개/mm² 이상 30개/mm² 미만.

D: 제1 웨이퍼의 표면·베벨·이면에 직경 5μm 이상의 파티클이 30개/mm² 이상.

결과를 하기 표에 나타낸다.

[표 4-1]

[표 4-2]

상기 결과로부터 명확한 바와 같이, 본 발명의 키트를 이용한 경우, 가접착제 유래의 잔사가 적은 디바이스 기판이 얻어졌다. 한편, 본 발명의 키트를 이용하지 않는 경우, 가접착제 유래의 잔사가 많은 디바이스 기판이 되어 버렸다.

11: 가접착제층
12: 제1 기판
60: 제2 기판
60a: 박형화된 제2 기판
61: 실리콘 기판
61a: 표면
61b, 61b1: 이면
62: 디바이스 칩
100: 접착성 지지체

Claims

용제 A를 포함하는 조성물, 용제 B를 포함하는 조성물, 및 용제 C를 포함하는 조성물을 구비하는 반도체 장치 제조용 키트로서,
제1 기판 상에, 가접착제와 용제 A를 포함하는 가접착제 조성물을 이용하여 가접착제층을 형성한 후,
상기 제1 기판에 있어서의 잉여인 가접착제 중 적어도 일부를, 용제 B를 포함하는 조성물을 이용하여 세정하는 것, 및
상기 가접착제층을 통하여, 제1 기판과 제2 기판을 첩합하여 적층체를 제조하는 것을 행한 후,
상기 적층체로부터, 제1 기판 및 제2 기판 중 한쪽을 40℃ 미만에서 박리하고, 상기 제1 기판 및 제2 기판 중 적어도 한쪽에 잔존하고 있는 가접착제를, 용제 C를 포함하는 조성물을 이용하여 세정할 때에 이용하는 키트이며,
상기 용제 A가 식 1을, 상기 용제 B가 식 2를, 상기 용제 C가 식 3을 충족시키는, 키트;
[수학식 1]

식 1~식 3에 있어서, P_A, P_B, P_C는, 각각 용제 A, 용제 B, 용제 C의 25℃에 있어서의 증기압을 나타내고, C_A, C_B, C_C는, 각각 가접착제의 용제 A, 용제 B, 용제 C에 대한 25℃에 있어서의 포화 용해도를 나타낸다; 단, 증기압의 단위는 Pa이며, 포화 용해도의 단위는 질량%이다.
청구항 1에 있어서,
상기 용제 A의 용해 파라미터를 sp_A, 상기 용제 B의 용해 파라미터를 sp_B로 했을 때, ｜sp_A-sp_B｜≤3.0을 충족시키는, 키트; 단, 용해 파라미터의 단위는 (MPa)^0.5이다.
청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
상기 적층체가, 제1 기판의 표면에 1층 이상의 가접착제층을 갖고, 상기 가접착제층의 표면에 제2 기판을 갖는, 키트.
청구항 3에 있어서,
상기 가접착제층이 1층인, 키트.
청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
상기 가접착제층은, 제1 기판 상에, 가접착제와 용제 A를 포함하는 가접착제 조성물을 도포하여 형성하는, 키트.
청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
상기 적층체 중의 잉여인 가접착제는, 제1 기판의 제2 기판으로부터 먼 측의 면, 제1 기판의 에지부 및 제1 기판의 베벨부 중 적어도 하나에 존재하고 있는 것인, 키트.
청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
상기 용제 A를 포함하는 조성물이, 상기 가접착제와 용제 A를 포함하는 가접착제 조성물인, 키트.
청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
상기 가접착제가 엘라스토머를 포함하는, 키트.
청구항 8에 있어서,
상기 엘라스토머는 스타이렌 유래의 반복 단위를 포함하는, 키트.
청구항 8에 있어서,
상기 엘라스토머는 수소 첨가물인, 키트.
청구항 8에 있어서,
상기 엘라스토머는, 편말단 또는 양말단에 스타이렌 블록을 갖는, 키트.
청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
상기 용제 C의 25℃에 있어서의 포화 용해도 C_C가 26~35질량%인, 키트.
청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
상기 용제 A, 용제 B 및 용제 C가, 각각 지환 및 방향환 중 적어도 한쪽을 갖는 탄화 수소류인, 키트.
청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
상기 용제 A~C의 101,300Pa에 있어서의 비점이, 각각 155~206℃인, 키트.
청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
상기 용제 A를 포함하는 조성물의 90질량% 이상이 용제 A인, 키트.
청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
상기 용제 B를 포함하는 조성물의 90질량% 이상이 용제 B이며, 상기 용제 C를 포함하는 조성물의 90질량% 이상이 용제 C인, 키트.
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