KR101987711B1 - 기판 전체에 유체 분사가 가능한 노즐 및 이를 이용한 기판 세정 시스템 - Google Patents
기판 전체에 유체 분사가 가능한 노즐 및 이를 이용한 기판 세정 시스템 Download PDFInfo
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Abstract
Description
도 2는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 분사 노즐부의 실시예를 도시한 도면이다.
도 3은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 분사 노즐부를 도시한 단면도이다.
도 4 및 도 5는 분사 노즐부에서 개구부의 다양한 실시예를 도시한 평면도이다.
도 6은 중앙영역과 주변영역을 갖는 분사 노즐부의 실시예를 도시한 평면도이다.
도 7은 다양한 사이즈의 개구부를 갖는 분사 노즐부의 실시예를 도시한 평면도이다.
도 8은 다양한 형상의 개구부를 도시한 단면도이다.
도 9및 도 10은 분사 노즐부의 다른 실시예를 도시한 도면이다.
도 11은 도 10에 도시된 분사 노즐부를 통해 스팀을 분사하는 과정을 도시한 도면이다.
도 12는 기판과의 간격이 비균일한 분사 노즐부의 실시예를 도시한 도면이다.
도 13은 흡입부가 장착된 분사 노즐부의 실시예를 도시한 도면이다.
Claims (10)
- 유체 공급원과 연결되어 유체를 공급받는 노즐몸체; 및
상기 노즐몸체에 구비되며 상기 유체 공급원으로부터 공급된 유체를 기판 전체에 분사하는 하나 이상의 개구부를 갖고, 상부방향으로 오목한 형태를 갖는 배플판을 포함하고,
상기 배플판으로부터 상기 기판까지의 거리는, 상기 배플판의 중앙영역에서 상기 배플판의 에지영역으로 갈수록 짧아지는 것을 특징으로 하는 기판 전체에 유체 분사가 가능한 노즐.
- 삭제
- 제1항에 있어서,
상기 개구부는,
슬릿 형상으로 형성된 기판 전체에 유체 분사가 가능한 노즐.
- 제1항에 있어서,
상기 개구부는
상기 배플판의 중앙영역에 형성되는 센터 개구부; 및
상기 배플판의 중앙영역을 제외한 영역에 형성되는 에지 개구부를 포함하는 기판 전체에 유체 분사가 가능한 노즐.
- 제1항에 있어서,
상기 노즐몸체는,
내부에 유체가 머무는 중공의 공간을 갖는 제1 노즐몸체; 및
상기 제1 노즐몸체와 이격되도록 상기 제1 노즐몸체가 내부에 구비되는 제2 노즐몸체를 포함하고,
상기 노즐몸체로 공급된 유체는,
상기 제1 노즐몸체를 통해 분사되고, 상기 제1노즐몸체와 상기 제2 노즐몸체 사이의 이격된 공간을 통해 분사되는 기판 전체에 유체 분사가 가능한 노즐.
- 제5항에 있어서,
상기 제1 노즐몸체로 공급되는 유체는 상기 제1 노즐몸체와 상기 제2 노즐몸체 사이의 이격된 공간으로 공급되는 유체와 동일한 시간에 공급되거나 또는 다른 시간에 공급되는 기판 전체에 유체 분사가 가능한 노즐.
- 제1항에 있어서,
상기 기판으로 분사된 유체를 다시 흡입하는 흡입부를 더 포함하는 기판 전체에 유체 분사가 가능한 노즐.
- 제1항에 있어서,
상기 배플판은,
내부에 열선을 포함하는 기판 전체에 유체 분사가 가능한 노즐.
- 유체를 공급받아 가열하여 스팀을 생성하는 스팀 생성부;
상기 스팀 생성부와 연결되며, 제1항, 제3항 내지 제 8항 중 어느 하나로 형성되어 스팀을 분사하는 노즐; 및
상기 노즐이 설치되며, 내부에 기판을 지지하기 위한 서셉터가 구비되는 챔버를 포함하는 기판 전체에 유체 분사가 가능한 노즐을 이용한 기판 세정 시스템.
- 제9항에 있어서,
상기 서셉터는,
상기 노즐에서 스팀이 분사되는 동안 회전하는 기판 전체에 유체 분사가 가능한 노즐을 이용한 기판 세정 시스템.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020170058480A KR101987711B1 (ko) | 2017-05-11 | 2017-05-11 | 기판 전체에 유체 분사가 가능한 노즐 및 이를 이용한 기판 세정 시스템 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020170058480A KR101987711B1 (ko) | 2017-05-11 | 2017-05-11 | 기판 전체에 유체 분사가 가능한 노즐 및 이를 이용한 기판 세정 시스템 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20180124266A KR20180124266A (ko) | 2018-11-21 |
KR101987711B1 true KR101987711B1 (ko) | 2019-06-11 |
Family
ID=64602420
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020170058480A Active KR101987711B1 (ko) | 2017-05-11 | 2017-05-11 | 기판 전체에 유체 분사가 가능한 노즐 및 이를 이용한 기판 세정 시스템 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR101987711B1 (ko) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102232495B1 (ko) * | 2019-03-19 | 2021-03-26 | 무진전자 주식회사 | 기판 건조 챔버 |
KR102155962B1 (ko) * | 2019-05-21 | 2020-09-14 | 중앙대학교 산학협력단 | 반도체 공정용 유체 확산 성능 향상을 위한 베인 어셈블리 |
KR102682161B1 (ko) * | 2019-09-09 | 2024-07-08 | 주식회사 케이씨텍 | 챔버 세정 장치 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003309100A (ja) * | 2002-04-16 | 2003-10-31 | Uct Kk | レジスト膜除去装置及びレジスト膜除去方法、並びに有機物除去装置及び有機物除去方法 |
KR101095687B1 (ko) * | 2010-10-25 | 2011-12-20 | 주식회사 케이씨텍 | 8분기 구조를 갖는 원자층 증착 장치 |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101133285B1 (ko) * | 2009-03-25 | 2012-04-06 | 엘아이지에이디피 주식회사 | 화학기상증착장치 |
KR101698433B1 (ko) * | 2015-04-30 | 2017-01-20 | 주식회사 에이씨엔 | 기상식각 및 세정을 위한 플라즈마 장치 |
-
2017
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Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003309100A (ja) * | 2002-04-16 | 2003-10-31 | Uct Kk | レジスト膜除去装置及びレジスト膜除去方法、並びに有機物除去装置及び有機物除去方法 |
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Publication number | Publication date |
---|---|
KR20180124266A (ko) | 2018-11-21 |
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A201 | Request for examination | ||
PA0109 | Patent application |
Patent event code: PA01091R01D Comment text: Patent Application Patent event date: 20170511 |
|
PA0201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
PE0902 | Notice of grounds for rejection |
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|
PG1501 | Laying open of application | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
PE0701 | Decision of registration |
Patent event code: PE07011S01D Comment text: Decision to Grant Registration Patent event date: 20190326 |
|
GRNT | Written decision to grant | ||
PR0701 | Registration of establishment |
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|
PR1002 | Payment of registration fee |
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PR1001 | Payment of annual fee |
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PR1001 | Payment of annual fee |
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