KR101987267B1

KR101987267B1 - Conductive structure body, method for manufacturing the same and display panel comprising the same

Info

Publication number: KR101987267B1
Application number: KR1020150113879A
Authority: KR
Inventors: 김주연; 손용구; 이승헌
Original assignee: 주식회사 엘지화학
Priority date: 2015-08-12
Filing date: 2015-08-12
Publication date: 2019-06-10
Anticipated expiration: 2035-08-12
Also published as: KR20170019706A

Abstract

본 명세서는 전도성 구조체, 이의 제조방법 및 이를 포함하는 디스플레이 패널에 관한 것이다. TECHNICAL FIELD [0001] The present invention relates to a conductive structure, a method of manufacturing the same, and a display panel including the same.

Description

TECHNICAL FIELD [0001] The present invention relates to a conductive structure, a method of manufacturing the same, and a display panel including the conductive structure. [0002]

본 명세서는 전도성 구조체, 이의 제조방법 및 이를 포함하는 디스플레이 패널에 관한 것이다.TECHNICAL FIELD [0001] The present invention relates to a conductive structure, a method of manufacturing the same, and a display panel including the same.

일반적으로, 터치 패널은 신호의 검출 방식에 따라 다음과 같이 분류할 수 있다. 즉, 직류 전압을 인가한 상태에서 압력에 의해 눌려진 위치를 전류 또는 전압 값의 변화를 통해 감지하는 저항막 방식(resistive type)과, 교류 전압을 인가한 상태에서 캐패시턴스 커플링(capacitance coupling)을 이용하는 정전 용량 방식(capacitive type)과, 자계를 인가한 상태에서 선택된 위치를 전압의 변화로서 감지하는 전자 유도 방식(electromagnetic type) 등이 있다.Generally, the touch panel can be classified as follows according to the signal detection method. That is, a resistive type in which a position depressed by a pressure in a state where a direct current voltage is applied is sensed through a change in a current or a voltage value, and a resistive type in which a capacitance coupling is used in a state in which an alternating voltage is applied There is a capacitive type and an electromagnetic type in which a selected position is sensed as a change in voltage while a magnetic field is applied.

상용화된 터치 스크린 패널(touch screen panel)은 ITO 박막을 기반으로 사용하고 있으나, 대면적 터치 스크린 패널 적용시 ITO 투명 전극 자체의 면저항으로 인해 터치 인식 속도가 느려진다는 단점을 안고 있었다. 이에 따라, 상기 투명 ITO 박막을 대체하기 위한 기술로서 터치 스크린 패널의 전극용으로 사용되는 메탈메쉬(metal mesh)가 제시되었다. 하지만, 메탈 메쉬의 경우, 높은 반사도로 인하여 패턴이 사람의 눈에 잘 나타나는 시인성 측면의 문제와 함께 외부 광에 대한 높은 반사도로 인하여 눈부심 등이 일어날 수 있는 문제 등을 개선하기 위한 노력이 필요하다.Although a commercially available touch screen panel is used based on ITO thin film, when a large area touch screen panel is applied, the touch recognition speed is slowed due to the sheet resistance of the ITO transparent electrode itself. Accordingly, a metal mesh used for an electrode of a touch screen panel has been proposed as a technique for replacing the transparent ITO thin film. However, in the case of a metal mesh, it is necessary to make efforts to improve the visibility of the pattern due to high reflectivity and the problem of glare due to high reflectance to external light.

대한민국 공개특허공보 제10-2010-0007605호Korean Patent Publication No. 10-2010-0007605

본 명세서가 해결하고자 하는 과제는, 전도성 라인의 눈부심 효과를 효과적으로 저감할 수 있는 전도성 구조체를 제공하고자 함에 있다. SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide a conductive structure capable of effectively reducing the glare effect of a conductive line.

본 명세서의 일 실시상태는, 기재; 상기 기재의 상면 상에 구비된 전도성 라인; 및 상기 전도성 라인의 상면 및 측면 상에 구비된 광반사 저감층을 포함하고, An embodiment of the present disclosure includes a substrate; A conductive line disposed on an upper surface of the substrate; And a light reflection reducing layer provided on the upper and side surfaces of the conductive line,

상기 광반사 저감층은 고분자 매트릭스 및 유기 염료를 포함하는 것인 전도성 구조체를 제공한다. Wherein the light reflection reducing layer comprises a polymer matrix and an organic dye.

본 명세서의 일 실시상태는, 기재를 준비하는 단계; 상기 기재의 상면 상에, 금속을 포함하는 금속층을 형성하는 단계; 상기 금속층의 상면 상에, 고분자 화합물 및 유기 염료를 포함하는 조성물을 이용하여 고분자 패턴층을 형성하는 단계; 상기 금속층을 식각하여 전도성 라인을 형성하는 단계; 및 상기 고분자 패턴층을 이용하여, 상기 전도성 라인의 상면 및 측면 상에 구비된 광반사 저감층을 형성하는 단계를 포함하는 전도성 구조체의 제조방법을 제공한다. An embodiment of the present disclosure includes a method of manufacturing a semiconductor device, comprising: preparing a substrate; Forming a metal layer including a metal on the upper surface of the substrate; Forming a polymer pattern layer on a top surface of the metal layer using a composition including a polymer compound and an organic dye; Etching the metal layer to form a conductive line; And forming a light reflection reducing layer on the upper and side surfaces of the conductive line using the polymer pattern layer.

본 명세서의 일 실시상태는, 화면부, 배선부 및 패드부를 포함하는 전기 전자 소자에 있어서, 상기 화면부는 상기 전도성 구조체를 포함하는 전기 전자 소자를 제공한다. According to an embodiment of the present invention, there is provided an electric / electronic device including a screen portion, a wiring portion and a pad portion, wherein the screen portion includes the conductive structure.

본 명세서의 일 실시상태에 따른 전도성 구조체는, 우수한 전기 전도도를 유지하며, 금속층의 눈부심 효과를 효과적으로 방지할 수 있는 장점이 있다.The conductive structure according to one embodiment of the present invention has an advantage that it can maintain an excellent electrical conductivity and effectively prevent the glare effect of the metal layer.

본 명세서의 일 실시상태에 따른 전도성 구조체는, 시인성이 우수하며, 화학적 내구성 및 물리적 내구성이 우수한 장점이 있다.The conductive structure according to one embodiment of the present invention has an advantage of excellent visibility, chemical durability and physical durability.

본 명세서의 일 실시상태에 따른 전도성 구조체는, 간단한 제조 공정을 통하여 효과적으로 전도성 라인의 눈부심 현상을 제어할 수 있다. The conductive structure according to one embodiment of the present invention can effectively control the glare of the conductive line through a simple manufacturing process.

본 명세서의 일 실시상태에 따른 전도성 구조체는, 전도성 라인의 측면부에 의한 눈부심 현상도 제어할 수 있으므로, 우수한 시인성을 구현할 수 있다. The conductive structure according to one embodiment of the present disclosure can also control the phenomenon of glare caused by the side portions of the conductive lines, thereby achieving excellent visibility.

도 1은 본 명세서의 일 실시상태에 따른 전도성 구조체의 단면을 도시한 것이다.
도 2는 본 명세서의 일 실시상태에 따른 전도성 구조체의 제조방법을 도시한 것이다.
도 3은 본 명세서의 일 실시상태에 따른 전도성 구조체의 주사 전자 현미경 이미지를 나타낸 것이다.
도 4는 광반사 저감층의 일부를 제거한 본 명세서의 일 실시상태에 따른 전도성 구조체의 주사 전자 현미경 이미지를 나타낸 것이다.
도 5는 광반사 저감층을 적용 유무에 따른 실시예 1 및 비교예 1의 전도성 구조체의 광반사율을 나타낸 것이다.1 illustrates a cross-section of a conductive structure according to one embodiment of the present disclosure.
2 illustrates a method of manufacturing a conductive structure according to an embodiment of the present invention.
Figure 3 shows a scanning electron microscope image of a conductive structure according to one embodiment of the present disclosure.
4 shows a scanning electron microscope image of a conductive structure according to an embodiment of the present invention in which a part of the light reflection reducing layer is removed.
5 shows the light reflectance of the conductive structures of Example 1 and Comparative Example 1 with or without the application of the light reflection reducing layer.

본 명세서에서 어떤 부재가 다른 부재 "상에" 위치하고 있다고 할 때, 이는 어떤 부재가 다른 부재에 접해 있는 경우뿐 아니라 두 부재 사이에 또 다른 부재가 존재하는 경우도 포함한다.When a member is referred to herein as being "on " another member, it includes not only a member in contact with another member but also another member between the two members.

본 명세서에서 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함" 한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성 요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다. Whenever a component is referred to as "comprising ", it is to be understood that the component may include other components as well, without departing from the scope of the present invention.

본 명세서에서 "전도성"이란 전기 전도성을 의미한다.As used herein, "conductive" means electrical conductivity.

이하, 본 명세서에 대하여 더욱 상세하게 설명한다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail.

본 명세서의 일 실시상태에 따른 전도성 구조체는 전도성 라인이 기재에 접하는 면을 제외한 외측면 전체에 광반사 저감층이 구비되어, 우수한 은폐성을 구현할 수 있다. 구체적으로, 본 명세서의 일 실시상태에 따른 전도성 구조체는 전도성 라인의 상면을 비롯한 측면부에도 광반사 저감층이 구비되어, 전도성 라인의 측면에서의 빛반사로 인한 눈부심 현상을 효과적으로 제어할 수 있다. In the conductive structure according to one embodiment of the present invention, the light reflection reducing layer is provided on the entire outer surface except for the side where the conductive line contacts the substrate, so that excellent hiding ability can be realized. In particular, the conductive structure according to one embodiment of the present disclosure is provided with a light reflection reducing layer on the side surface including the top surface of the conductive line, thereby effectively controlling the glare caused by light reflection on the side of the conductive line.

또한, 본 명세서의 일 실시상태에 따른 전도성 구조체는 전도성 라인의 외측면 전체에 광반사 저감층이 구비되어, 전도성 라인의 내구성을 향상시킬 수 있다. 구체적으로, 상기 광반사 저감층은 산소 및 수분으로부터 상기 전도성 라인을 보호할 수 있으므로, 전도성 라인의 성능 저하를 최소화할 수 있는 장점이 있다. In addition, the conductive structure according to one embodiment of the present invention may include a light reflection reducing layer on the entire outer surface of the conductive line, thereby improving the durability of the conductive line. Specifically, since the light reflection reducing layer can protect the conductive line from oxygen and moisture, it is possible to minimize deterioration in the performance of the conductive line.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 고분자 매트릭스는 방향족 화합물로부터 유래된 것일 수 있다. 구체적으로, 상기 고분자 매트릭스는 방향족 화합물의 중합에 의하여 형성되는 것일 수 있다. According to one embodiment of the present disclosure, the polymer matrix may be derived from an aromatic compound. Specifically, the polymer matrix may be formed by polymerization of an aromatic compound.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 고분자 매트릭스는 광경화성 물질 또는 열경화성 물질을 상기 방향족 화합물과 함께 중합하여 형성될 수 있다. 상기 광경화성 물질 또는 열경화성 물질은 상기 고분자 매트릭스의 내구성을 향상시키는 역할을 할 수 있다. According to one embodiment of the present disclosure, the polymer matrix may be formed by polymerizing a photo-curable material or a thermoset material together with the aromatic compound. The photocurable or thermosetting material may serve to improve the durability of the polymer matrix.

상기 고분자 매트릭스는 상기 유기 염료가 구비될 수 있는 층을 의미할 수 있다. 구체적으로, 상기 고분자 매트릭스는 상기 유기 염료가 임베드(embed)될 수 있는 층을 의미할 수 있다.The polymer matrix may mean a layer on which the organic dye may be provided. Specifically, the polymer matrix may mean a layer on which the organic dye can be embedded.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 방향족 화합물은 페놀 노볼락 수지, 크레졸 노볼락 수지, 에폭시 노볼락 수지, 레졸 수지, 폴리비닐페놀, 및 폴리스티렌-폴리비닐페놀 공중합체로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상을 포함할 수 있다. According to one embodiment of the present invention, the aromatic compound is selected from the group consisting of phenol novolac resins, cresol novolak resins, epoxy novolac resins, resol resins, polyvinyl phenols, and polystyrene-polyvinyl phenol copolymers. Or more species.

상기 고분자 매트릭스는 상기 방향족 화합물을 이용하여, 우수한 내산성을 구현할 수 있다. The polymer matrix can realize excellent acid resistance by using the aromatic compound.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 광반사 저감층의 두께는 100 ㎚ 이상 2 ㎛ 이하일 수 있다. According to one embodiment of the present invention, the thickness of the light reflection reducing layer may be 100 nm or more and 2 占 퐉 or less.

상기 광반사 저감층의 두께 범위가 100 ㎚ 이상 2 ㎛ 이하인 경우, 효과적으로 전도성 라인의 눈부심 현상을 제어할 수 있다. 상기 광반사 저감층의 두께가 100 ㎚ 미만인 경우, 전도성 라인의 눈부심 현상을 낮추기 곤란하고, 상기 광반사 저감층의 두께가 2 ㎛를 초과하는 경우, 패턴 구현 정밀도가 현저하게 떨어지는 문제점이 있다. When the thickness of the light reflection reducing layer is 100 nm or more and 2 m or less, the glare of the conductive line can be effectively controlled. When the thickness of the light reflection reducing layer is less than 100 nm, it is difficult to lower the glare of the conductive line, and when the thickness of the light reflection reducing layer is more than 2 탆, the pattern implementation accuracy is remarkably reduced.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 유기 염료의 함량은 상기 광반사 저감층에 대하여 10 wt% 이상 90 wt% 이하일 수 있다.According to one embodiment of the present invention, the content of the organic dye may be 10 wt% or more and 90 wt% or less with respect to the light reflection reducing layer.

상기 유기 염료의 함량은 상기 광반사 저감층 고형분에 대한 함량으로서, 상기 광반사 저감층을 형성하기 위한 조성물에서의 함량은 아니다. The content of the organic dye is the content of the light reflection reducing layer in the composition for forming the light reflection reducing layer.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 유기 염료는 아닐리노 아조계 염료, 피리돈 아조계 염료, 피라졸 아조계 염료, 트리페닐메탄계 염료, 안트라퀴논계 염료, 아트라피리돈계 염료, 옥소놀계 염료, 벤질리덴 염료, 및 크산텐 염료로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상을 포함할 수 있다. According to one embodiment of the present invention, the organic dyes include anilinoazo dyes, pyridone azo dyes, pyrazole dyes, triphenylmethane dyes, anthraquinone dyes, atrapyridone dyes, Dyes, benzylidene dyes, and xanthene dyes.

상기 유기 염료를 사용하는 경우, 상기 광반사 저감층을 형성하기 위한 조성물 내에서 우수한 용해성을 확보할 수 있다. 또한, 안료에 비하여 낮은 응집력을 나타내므로 미세한 입자로 분산이 가능하며, 색불균형 및 입자 산란이 적은 장점이 있다. 또한, 상기 유기 염료를 이용하는 경우, 높은 색재현율을 구현할 수 있으며, 별도의 분산 과정이 필요하지 않은 장점이 있다. When the organic dye is used, excellent solubility can be secured in the composition for forming the light reflection reducing layer. In addition, since it exhibits a lower cohesive force than a pigment, it can be dispersed into fine particles, and there is an advantage of less color imbalance and particle scattering. In addition, when the organic dye is used, a high color reproducibility can be realized, and a separate dispersion process is not required.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 전도성 라인은 복수의 개구부와 이를 구획하는 전도성 패턴을 형성할 수 있다. According to one embodiment of the present disclosure, the conductive line may form a plurality of openings and a conductive pattern defining the plurality of openings.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 전도성 라인은 규칙적 패턴 또는 불규칙적인 패턴을 형성할 수 있다. 구체적으로, 상기 전도성 라인은 패터닝 과정을 통하여 상기 기재 상에서 패턴을 형성하며 구비될 수 있다. According to one embodiment of the present disclosure, the conductive lines may form a regular pattern or an irregular pattern. Specifically, the conductive lines may be provided to form a pattern on the substrate through a patterning process.

구체적으로, 상기 패턴은 삼각형, 사각형 등의 다각형, 원, 타원형 또는 무정형의 형태가 될 수 있다. 상기 삼각형은 정삼각형 또는 직각삼각형 등이 될 수 있고, 상기 사각형은 정사각형, 직사각형 또는 사다리꼴 등이 될 수 있다.Specifically, the pattern may be in the form of a polygon such as a triangle, a rectangle, etc., a circle, an ellipse or an amorphous form. The triangle may be an equilateral triangle or a right triangle, and the rectangle may be a square, a rectangle, a trapezoid, or the like.

상기 규칙적인 패턴으로는 메쉬 패턴 등 당 기술분야의 패턴 형태가 사용될 수 있다. 상기 불규칙 패턴으로는 특별히 한정되지 않으나, 보로노이 다이어그램을 이루는 도형들의 경계선 형태일 수도 있다. 본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 패턴 형태를 불규칙 패턴으로 하는 경우, 불규칙 패턴에 의하여 지향성이 있는 조명에 의한 반사광의 회절 패턴을 제거할 수도 있고, 상기 광반사 저감층에 의하여 빛의 산란에 의한 영향을 최소화할 수 있어 시인성에 있어서의 문제점을 최소화할 수 있다.As the regular pattern, a pattern form of the related art such as a mesh pattern can be used. The irregular pattern is not particularly limited, but may be a boundary line shape of the Voronoi diagram. According to one embodiment of the present invention, when the pattern shape is an irregular pattern, the diffraction pattern of the reflected light due to the illumination having the directivity by the irregular pattern can be removed, and the light reflection scattering layer So that the problem of visibility can be minimized.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 전도성 라인의 선폭은 0.1 ㎛ 이상 100 ㎛ 이하일 수 있다. 구체적으로, 본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 전도성 라인의 선폭은 0.1 ㎛ 이상 50 ㎛ 이하일 수 있고, 0.1 ㎛ 이상 30 ㎛ 이하, 또는 0.1 ㎛ 이상 10 ㎛ 이하일 수 있으나, 이에만 한정되는 것은 아니다. 상기 전도성 라인의 선폭은 상기 전도성 구조체의 최종 용도에 따라 설계될 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the line width of the conductive line may be 0.1 mu m or more and 100 mu m or less. Specifically, according to one embodiment of the present invention, the line width of the conductive line may be in the range of 0.1 탆 or more and 50 탆 or less, 0.1 탆 or more and 30 탆 or less, or 0.1 탆 or more and 10 탆 or less, but is not limited thereto . The line width of the conductive line may be designed according to the end use of the conductive structure.

상기 전도성 라인의 선폭이 0.1 ㎛ 미만이면 패턴의 구현이 어려울 수 있고, 100 ㎛ 초과이면 시인성이 떨어질 수 있다.If the line width of the conductive line is less than 0.1 탆, the pattern may be difficult to implement. If the line width is more than 100 탆, the visibility may be deteriorated.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 전도성 라인 간의 선간격은 1 ㎛ 이상 1 ㎜ 이하일 수 있다. According to one embodiment of the present disclosure, the line spacing between the conductive lines may be between 1 μm and 1 mm.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 선간격은 1 ㎛ 이상일 수 있고, 더욱 구체적으로 10 ㎛ 이상일 수 있으며, 더욱 더 구체적으로 20 ㎛ 이상일 수 있다. 또한, 본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 선간격은 1 ㎜ 이하, 또는 100 ㎛ 이하일 수 있으며, 더욱 구체적으로 30 ㎛ 이하일 수 있다.According to one embodiment of the present disclosure, the line spacing may be at least 1 占 퐉, more specifically at least 10 占 퐉, and even more specifically at least 20 占 퐉. Further, according to one embodiment of the present disclosure, the line spacing may be 1 mm or less, or 100 占 퐉 or less, and more specifically, 30 占 퐉 or less.

도 1은 본 명세서의 일 실시상태에 따른 전도성 구조체의 단면을 도시한 것이다. 도 1에 있어서, 기재(100), 전도성 라인(210), 전도성 라인의 상면 및 측면에 구비된 광반사 저감층(310)이 구비된 것을 나타낸다. 다만, 본 명세서의 일 실시상태에 따른 전도성 구조체는 도 1의 구조에 한정되지 않고, 추가의 층이 더 구비될 수 있다.1 illustrates a cross-section of a conductive structure according to one embodiment of the present disclosure. 1, the substrate 100, the conductive line 210, and the light reflection reducing layer 310 provided on the upper and side surfaces of the conductive line are provided. However, the conductive structure according to one embodiment of the present invention is not limited to the structure of FIG. 1, but may further include additional layers.

도 1에서 a는 전도성 라인의 선폭을 의미하고, b는 인접하는 전도성 라인간의 선간격을 의미한다.In FIG. 1, a denotes a line width of a conductive line, and b denotes a line interval between adjacent conductive lines.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 전도성 라인의 두께는 10 ㎚ 이상 1 ㎛ 이하일 수 있다. 구체적으로, 본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 전도성 라인의 두께는 100 nm 이상일 수 있고, 더욱 구체적으로 150 nm 이상일 수 있다. 또한, 본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 전도성 라인의 두께는 500 nm 이하일 수 있고, 더욱 구체적으로 200 nm 이하일 수 있다. 상기 전도성 라인의 전기 전도도가 두께에 의존하므로 매우 얇으면 연속적인 두께가 형성되지 않아서 비저항 값이 증가하는 문제가 있을 수 있으므로, 상기 전도성 라인의 두께는 100 nm 이상일 수 있다.According to one embodiment of the present disclosure, the thickness of the conductive line may be 10 nm or more and 1 占 퐉 or less. Specifically, according to one embodiment of the present disclosure, the thickness of the conductive line may be greater than or equal to 100 nm, and more specifically greater than or equal to 150 nm. Further, according to one embodiment of the present disclosure, the thickness of the conductive line may be 500 nm or less, more specifically 200 nm or less. Since the electrical conductivity of the conductive line depends on the thickness, if the thickness of the conductive line is very thin, the thickness of the conductive line may be more than 100 nm since the continuous thickness may not be formed and the specific resistance value may increase.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 전도성 라인은 구리, 알루미늄, 은, 네오디뮴, 몰리브덴, 니켈, 크롬 중 적어도 하나의 금속, 상기 금속 중 2 이상을 포함하는 합금, 상기 금속 중 1 이상을 포함하는 산화물 및 상기 금속 중 1 이상을 포함하는 질화물로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나 이상을 포함할 수 있다. 구체적으로, 본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 전도성 라인은 알루미늄을 포함할 수 있다. 본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 전도성 라인은 알루미늄으로 이루어진 것일 수 있다. 또한, 본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 전도성 라인은 알루미늄을 주성분으로 포함하는 것일 수 있다. 다만, 제조 공정상 불순물을 일부 포함할 수 있다.According to one embodiment of the present disclosure, the conductive line comprises at least one of copper, aluminum, silver, neodymium, molybdenum, nickel, chromium, an alloy comprising at least two of the metals, An oxide, and a nitride including at least one of the foregoing metals. Specifically, according to one embodiment of the present disclosure, the conductive line may comprise aluminum. According to one embodiment of the present disclosure, the conductive line may be made of aluminum. According to an embodiment of the present invention, the conductive line may include aluminum as a main component. However, some impurities may be contained in the manufacturing process.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 기재는 특별히 한정되지 않으며, 당 기술분야에 알려진 재료를 이용할 수 있다. 본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 투명 기재는 투명 기재이면 어느 것이든 무방하며, 예를 들어, 유리 또는 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 폴리카보네이트(PC) 또는 폴리아미드(PA)일 수 있다.According to one embodiment of the present invention, the substrate is not particularly limited, and materials known in the art can be used. According to one embodiment of the present invention, the transparent substrate may be a transparent substrate, for example, glass or polyethylene terephthalate (PET), polycarbonate (PC), or polyamide (PA).

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 광반사 저감층 표면에서의 광반사율은 380 ㎚ 내지 780 ㎚ 파장 영역의 빛에서 평균 20 % 이하일 수 있다. 구체적으로, 본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 광반사 저감층 표면에서의 광반사율은 380 ㎚ 내지 780 ㎚ 파장 영역의 빛에서 평균 15 % 이하일 수 있다.According to one embodiment of the present invention, the light reflectance at the surface of the light reflection reducing layer can be an average of 20% or less in the light of the wavelength region of 380 nm to 780 nm. Specifically, according to one embodiment of the present invention, the light reflectance at the surface of the light reflection reducing layer can be 15% or less on average in the light of the wavelength range of 380 nm to 780 nm.

본 명세서의 일 실시상태는, 상기 전도성 구조체의 제조방법을 제공한다. One embodiment of the present disclosure provides a method of manufacturing the conductive structure.

상기 제조방법에 있어서, 기재, 전도성 라인 및 광반사 저감층은 전술한 바와 동일할 수 있다. In the above production method, the substrate, the conductive line and the light reflection reducing layer may be the same as described above.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 광반사 저감층을 형성하는 단계는, 상기 고분자 패턴층을 리플로우 처리하는 것일 수 있다. According to one embodiment of the present invention, the step of forming the light reflection reducing layer may be a step of reflowing the polymer pattern layer.

도 2는 본 명세서의 일 실시상태에 따른 전도성 구조체의 제조방법을 도시한 것이다. 구체적으로, 도 2는 (a) 준비된 기재(100) 상에 금속층(200)을 형성하고, (b) 금속층 상에 고분자 패턴층(300)을 형성하며, (c) 식각 공정을 통하여, 금속층(200)을 전도성 라인(210)으로 형성하고, (d) 리플로우 처리를 통하여, 고분자 패턴층(300)을 광반사 저감층(310)으로 형성하는 과정을 도시한 것이다. 2 illustrates a method of manufacturing a conductive structure according to an embodiment of the present invention. Specifically, FIG. 2 illustrates a method of forming a metal layer (a) by forming a metal layer 200 on a prepared substrate 100, (b) forming a polymer pattern layer 300 on the metal layer, and (c) 200 is formed as a conductive line 210 and (d) a polymer pattern layer 300 is formed as a light reflection reducing layer 310 through a reflow process.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 금속을 포함하는 금속층을 형성하는 단계는 증착(evaporation), 스퍼터링(sputtering), 습식 코팅, 증발, 전해 도금 또는 무전해 도금, 금속박의 라미네이션 등의 방법을 이용할 수 있다.According to one embodiment of the present invention, the metal layer including the metal may be formed by evaporation, sputtering, wet coating, evaporation, electroplating or electroless plating, or metal foil lamination. .

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 고분자 패턴층은 에칭 레지스트(Etching resist) 특성을 가질 수 있다. According to an embodiment of the present invention, the polymer pattern layer may have an etching resist property.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 고분자 패턴층을 형성하는 단계는 상기 조성물을 인쇄법, 포토리소그래피법, 포토그래피법, 건식 필름 레지스트 방법, 습식 레지스트 방법, 마스크를 이용한 방법 또는 레이저 전사, 예컨대, 열 전사 이미징(thermal transfer imaging) 등을 이용하여 고분자 패턴층을 형성할 수 있다. According to one embodiment of the present invention, the step of forming the polymer pattern layer may be performed by a method such as a printing method, a photolithography method, a photolithography method, a dry film resist method, a wet resist method, a method using a mask, , Thermal transfer imaging, or the like can be used to form the polymer pattern layer.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 고분자 패턴층을 형성하는 단계는, 상기 조성물을 오프셋 인쇄법을 이용하여 인쇄한 후 건조하는 것을 포함할 수 있다. According to an embodiment of the present invention, the step of forming the polymer pattern layer may include printing the composition using an offset printing method and then drying the composition.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 고분자 화합물은 방향족 화합물일 수 있다. 구체적으로, 상기 방향족 화합물은 전술한 방향족 화합물과 동일할 수 있다. According to one embodiment of the present invention, the polymer compound may be an aromatic compound. Specifically, the aromatic compound may be the same as the aromatic compound described above.

상기 고분자 패턴층은 상기 방향족 화합물의 중합을 통하여 형성될 수 있으며, 우수한 내산성을 나타낼 수 있다. 이를 통하여, 상기 금속층을 식각하는 경우 우수한 레지스트 역할을 할 수 있다. The polymer pattern layer can be formed through polymerization of the aromatic compound and can exhibit excellent acid resistance. Accordingly, when the metal layer is etched, it can serve as an excellent resist.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 전도성 라인을 형성하는 단계는 금속 에천트를 이용한 습식 식각을 이용할 수 있다. 상기 에천트는 금속층을 에칭할 수 있는 것이라면 적용될 수 있다. According to an embodiment of the present invention, the step of forming the conductive line may use a wet etching using a metal etchant. The etchant may be applied as long as it can etch the metal layer.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 광반사 저감층을 형성하는 단계는, 리플로우 처리를 통하여 상기 고분자 패턴층이 유동성을 가지게 되어, 상기 전도성 라인의 외측면을 모두 덮도록 하는 것일 수 있다. According to an embodiment of the present invention, the step of forming the light reflection reducing layer may be such that the polymer pattern layer has fluidity through reflow processing so as to cover the entire outer surface of the conductive line.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 리플로우 처리는 110 ℃ 이상 150 ℃ 이하의 온도에서 수행되는 것일 수 있다. 구체적으로, 본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 리플로우 처리는 130 ℃ 이상 145 ℃ 이하의 온도에서 수행되는 것일 수 있다.According to one embodiment of the present disclosure, the reflow treatment may be performed at a temperature of 110 ° C or higher and 150 ° C or lower. Specifically, according to one embodiment of the present specification, the reflow treatment may be performed at a temperature of 130 ° C or more and 145 ° C or less.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 전기 전자 소자는 디스플레이 패널, 터치 센서, 전기 변색 소자 또는 발열체일 수 있다. 다만, 이에 한정되지 않고, 전도성 패턴이 필요한 소자는 적용이 가능하다. According to an embodiment of the present invention, the electric / electronic device may be a display panel, a touch sensor, an electrochromic device, or a heating element. However, the present invention is not limited to this, and an element requiring a conductive pattern can be applied.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 디스플레이 패널은 터치 스크린 패널일 수 있다. According to one embodiment of the present disclosure, the display panel may be a touch screen panel.

본 명세서의 일 실시상태는 상기 전기 전자 소자를 포함하는 디스플레이 장치를 제공한다. An embodiment of the present invention provides a display device including the electric / electronic device.

본 명세서에서, 디스플레이 장치란 TV나 컴퓨터용 모니터 등을 통틀어 일컫는 말로서, 화상을 형성하는 디스플레이 소자 및 디스플레이 소자를 지지하는 케이스를 포함한다.In this specification, the term " display device " refers to a television, a computer monitor, or the like, and includes a display element for forming an image and a case for supporting the display element.

본 명세서의 일 실시상태에 따른 터치 스크린 패널은 전술한 전도성 구조체 이외에 추가의 구조체를 더 포함할 수 있다. 이 경우, 2개의 구조체가 서로 같은 방향으로 배치될 수도 있으며, 2개의 구조체가 서로 반대 방향으로 배치될 수도 있다. 상기 터치 스크린 패널에 포함될 수 있는 2개 이상의 구조체는 동일한 구조일 필요는 없으며, 어느 하나, 바람직하게는 사용자에 가장 가까운 측의 구조체만 전술한 전도성 구조체를 포함하는 것이기만 할 수 있으며, 추가로 포함되는 구조체는 광반사 저감층을 포함하지 않아도 된다. 또한, 2개 이상의 구조체 내의 층 적층 구조가 서로 상이해도 된다. 2개 이상의 구조체가 포함되는 경우 이들 사이에는 절연층이 구비될 수 있다. 이 때 절연층은 점착층의 기능이 추가로 부여될 수도 있다.The touch screen panel according to one embodiment of the present disclosure may further include an additional structure in addition to the above-described conductive structure. In this case, the two structures may be arranged in the same direction, or the two structures may be arranged in directions opposite to each other. The two or more structures that may be included in the touch screen panel do not have to be of the same structure and only one of the structures closest to the user, preferably the user, may include only the above-described conductive structure, May not include the light reflection reducing layer. Further, the layer lamination structures in two or more structures may be different from each other. When two or more structures are included, an insulating layer may be provided therebetween. At this time, the insulating layer may be further given the function of the adhesive layer.

본 명세서의 일 실시상태에 따른 터치 스크린 패널은 하부 기재; 상부 기재; 및 상기 하부 기재의 상부 기재에 접하는 면 및 상기 상부 기재의 하부 기재에 접하는 면 중 어느 한 면 또는 양면에 구비된 전극층을 포함할 수 있다. 상기 전극층은 각각 X축 위치 검출 및 Y축 위치 검출 기능을 할 수 있다.A touch screen panel according to an embodiment of the present disclosure includes a lower substrate; An upper substrate; And an electrode layer provided on at least one side of a surface of the lower substrate contacting the upper substrate and a surface of the upper substrate contacting the lower substrate. The electrode layers can perform X-axis position detection and Y-axis position detection functions, respectively.

이 때, 상기 하부 기재 및 상기 하부 기재의 상부 기재에 접하는 면에 구비된 전극층; 및 상기 상부 기재 및 상기 상부 기재의 하부 기재에 접하는 면에 구비된 전극층 중 하나 또는 두 개 모두가 전술한 본 명세서의 일 실시상태에 따른 전도성 구조체일 수 있다. 상기 전극층 중 어느 하나만이 본 명세서의 일 실시상태에 따른 따른 전도성 구조체인 경우, 나머지 다른 하나는 당 기술분야에 알려져 있는 전도성 패턴을 가질 수 있다.An electrode layer provided on a surface of the lower substrate and an upper substrate of the lower substrate; And one or both of the upper substrate and the electrode layer provided on the surface in contact with the lower substrate of the upper substrate may be a conductive structure according to one embodiment of the present invention described above. If only one of the electrode layers is a conductive structure according to one embodiment of the present disclosure, the other one may have a conductive pattern known in the art.

상기 상부 기재와 상기 하부 기재 모두의 일면에 전극층이 구비되어 ２층의 전극층이 형성되는 경우, 상기 전극층의 간격을 일정하기 유지하고 접속이 일어나지 않도록 상기 하부 기재와 상부 기재 사이에 절연층 또는 스페이서가 구비될 수 있다. 상기 절연층은 점착제 또는 UV 혹은 열 경화성 수지를 포함할 수 있다. 상기 터치 스크린 패널은 전술한 전도성 구조체 중의 전도성층의 패턴과 연결된 접지부를 더 포함할 수 있다. 예컨대, 상기 접지부는 상기 기재의 전도성층의 패턴이 형성된 면의 가장자리부에 형성될 수 있다. 또한，상기 전도성 구조체를 포함하는 적층재의 적어도 일면에는 반사 방지 필름, 편광 필름 및 내지문 필름 중 적어도 하나가 구비될 수 있다. 설계사양에 따라 전술한 기능성 필름 이외에 다른 종류의 기능성 필름을 더 포함할 수도 있다. 상기와 같은 터치 스크린 패널은 OLED 디스플레이 패널(OLED Display Panel), 액정 디스플레이(Liquid Crystal Display, LCD), 음극선관(Cathode-Ray Tube, CRT) 및 PDP와 같은 디스플레이 장치에 적용될 수 있다.When an electrode layer is formed on one surface of both the upper substrate and the lower substrate to form a two-layer electrode layer, an insulating layer or a spacer is interposed between the lower substrate and the upper substrate so as to maintain a constant interval between the electrode layers and prevent connection. . The insulating layer may include a pressure-sensitive adhesive or a UV or thermosetting resin. The touch screen panel may further include a ground portion connected to the pattern of the conductive layer in the conductive structure. For example, the ground portion may be formed at the edge portion of the surface of the substrate on which the pattern of the conductive layer is formed. In addition, at least one of an antireflection film, a polarizing film, and an inner fingerprint film may be provided on at least one side of the laminate including the conductive structure. But may further include other types of functional films other than the above-described functional films according to design specifications. The touch screen panel may be applied to a display device such as an OLED display panel, a liquid crystal display (LCD), a cathode ray tube (CRT), and a PDP.

본 명세서의 일 실시상태에 따른 터치 스크린 패널에 있어서, 상기 기재의 양면에 각각 전도성 라인 및 광반사 저감층이 구비될 수 있다.In a touch screen panel according to an embodiment of the present invention, conductive lines and a light reflection reducing layer may be provided on both sides of the substrate.

본 명세서의 일 실시상태에 따른 터치 스크린 패널은 상기 전도성 구조체 상에 전극부 또는 패드부를 추가로 포함할 수 있으며. 이 때 유효 화면부와 전극부 및 패드부는 동일한 전도체로 구성될 수 있다.The touch screen panel according to one embodiment of the present disclosure may further include an electrode portion or a pad portion on the conductive structure. At this time, the effective screen portion, the electrode portion and the pad portion may be composed of the same conductor.

본 명세서의 일 실시상태에 따른 터치 스크린 패널에 있어서, 상기 광반사 저감층은 사용자가 바라보는 측에 구비될 수 있다.In the touch screen panel according to one embodiment of the present invention, the light reflection reduction layer may be provided on a side where the user views the touch screen panel.

본 명세서의 일 실시상태는 상기 전도성 구조체를 포함하는 디스플레이 장치를 제공한다. 상기 디스플레이 장치에서 컬러필터 기판 또는 박막 트랜지스터 기판 등에 본 명세서의 일 실시상태에 따른 전도성 구조체가 사용될 수 있다.One embodiment of the present invention provides a display device including the conductive structure. In the display device, a conductive structure according to one embodiment of the present specification may be used for a color filter substrate or a thin film transistor substrate.

본 명세서의 일 실시상태는 상기 전도성 구조체를 포함하는 태양 전지를 제공한다. 예컨대, 태양 전지는 애노드 전극, 캐소드 전극, 광활성층, 정공 수송층 및/또는 전자 수송층을 포함할 수 있는데, 본 출원의 하나의 실시상태에 따는 전도성 구조체는 상기 애노드 전극 및/또는 캐소드 전극으로 사용될 수 있다.One embodiment of the present invention provides a solar cell including the conductive structure. For example, the solar cell may include an anode electrode, a cathode electrode, a photoactive layer, a hole transporting layer, and / or an electron transporting layer, and a conductive structure according to one embodiment of the present application may be used as the anode electrode and / have.

상기 전도성 구조체는 디스플레이 장치 또는 태양 전지에서 종래의 ITO를 대체할 수 있고, 플렉서블(flexible) 가능 용도로 활용할 수 있다. 또한, CNT, 전도성 고분자, 그래핀(Graphene) 등과 함께 차세대 투명 전극으로 활용할 수 있다.The conductive structure can replace the conventional ITO in a display device or a solar cell, and can be utilized as a flexible application. In addition, it can be utilized as a next-generation transparent electrode together with CNT, conductive polymer, and graphene.

이하, 본 명세서를 구체적으로 설명하기 위해 실시예를 들어 상세하게 설명하기로 한다. 그러나, 본 명세서에 따른 실시예들은 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 명세서의 범위가 아래에서 기술하는 실시예들에 한정되는 것으로 해석되지 않는다. 본 명세서의 실시예들은 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 명세서를 보다 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다.Hereinafter, the present invention will be described in detail by way of examples with reference to the drawings. However, the embodiments according to the present disclosure can be modified in various other forms, and the scope of the present specification is not construed as being limited to the embodiments described below. Embodiments of the present disclosure are provided to more fully describe the present disclosure to those of ordinary skill in the art.

<실시예 1>&Lt; Example 1 >

유기 염료(도일에코텍 5 社, Black 082) 와 노볼락 수지 (m-크레졸과 p-크레졸을 중량비 6:4로 혼합하여 제조한 폴리스티렌 환산 중량평균분자량 1,000)의 함량을 각각 90 wt%, 10 wt%가 되도록 조성물을 제조하였다. 상기 조성물을 오프셋 인쇄법을 이용하여 알루미늄이 증착된 기재 상에 고분자 패턴층을 형성한 후, 에칭하여 알루미늄으로 이루어진 전도성 라인을 패터닝하였다. 상기 에칭 공정 이후, 140 의 분위기에서 리플로우 처리를 하여 전도성 라인의 측면 및 상면 상에 광반사 저감층을 형성하여 전도성 구조체를 제조하였다. The content of the organic dyes (Doyle Eco-Tek 5, Black 082) and novolak resin (weight average molecular weight 1,000 in terms of polystyrene produced by mixing m-cresol and p-cresol at a weight ratio of 6: 4) %. &Lt; / RTI > A polymer pattern layer was formed on the substrate on which aluminum was deposited by the offset printing method, and then the conductive line made of aluminum was patterned by etching. After the etching process, reflow processing was performed in an atmosphere of 140 to form a light reflection reducing layer on the side surfaces and the upper surface of the conductive line to prepare a conductive structure.

도 3은 본 명세서의 일 실시상태에 따른 전도성 구조체의 주사 전자 현미경 이미지를 나타낸 것이다. Figure 3 shows a scanning electron microscope image of a conductive structure according to one embodiment of the present disclosure.

도 4는 광반사 저감층의 일부를 제거한 본 명세서의 일 실시상태에 따른 전도성 구조체의 주사 전자 현미경 이미지를 나타낸 것이다. 4 shows a scanning electron microscope image of a conductive structure according to an embodiment of the present invention in which a part of the light reflection reducing layer is removed.

<비교예 1>&Lt; Comparative Example 1 &

광반사 저감층을 형성한 것을 제외하고, 실시예 1과 동일한 방법을 이용하여 전도성 구조체를 제조하였다. A conductive structure was prepared in the same manner as in Example 1, except that the light reflection reducing layer was formed.

도 5는 광반사 저감층을 적용 유무에 따른 실시예 1 및 비교예 1의 전도성 구조체의 광반사율을 나타낸 것이다.5 shows the light reflectance of the conductive structures of Example 1 and Comparative Example 1 with or without the application of the light reflection reducing layer.

도 5에 따르면, 본 명세서의 일 실시상태에 따른 전도성 구조체는 광반사 저감층의 적용을 통하여 낮은 수준의 광반사율을 나타내는 것을 알 수 있다. Referring to FIG. 5, it can be seen that the conductive structure according to one embodiment of the present invention exhibits a low level of light reflectance through the application of the light reflection reducing layer.

100: 기재
200: 금속층
210: 전도성 라인
300: 고분자 패턴층
310: 광반사 저감층100: substrate
200: metal layer
210: Conductive line
300: Polymer pattern layer
310: light reflection reducing layer

Claims

materials;
A conductive line disposed on an upper surface of the substrate; And
And a light reflecting and reducing layer provided on the top and sides of the conductive line,
Wherein the light reflection reducing layer comprises a polymer matrix and an organic dye,
The organic dyes may be selected from the group consisting of anilino azo dyes, pyridonazo dyes, pyrazole dyes, triphenylmethane dyes, anthraquinone dyes, atrapyridone dyes, oxolin dyes, benzylidene dyes, A dye, and a dye.
Wherein the light reflectance at the surface of the light reflection reducing layer is an average of 20% or less in the light in the wavelength region of 380 nm to 780 nm.

The method according to claim 1,
Wherein the polymer matrix is derived from an aromatic compound.

The method of claim 2,
Wherein the aromatic compound comprises at least one selected from the group consisting of a phenol novolak resin, a cresol novolac resin, an epoxy novolac resin, a resol resin, polyvinyl phenol, and a polystyrene-polyvinyl phenol copolymer .

The method according to claim 1,
Wherein the thickness of the light reflection reducing layer is 100 nm or more and 2 占 퐉 or less.

The method according to claim 1,
Wherein the content of the organic dye is 10 wt% or more and 90 wt% or less with respect to the light reflection reducing layer.

delete

The method according to claim 1,
Wherein the line width of the conductive line is 0.1 占 퐉 or more and 100 占 퐉 or less.

The method according to claim 1,
Wherein the line spacing between the conductive lines is 1 占 퐉 or more and 1 mm or less.

The method according to claim 1,
Wherein the conductive line has a thickness of 10 nm or more and 1 占 퐉 or less.

delete

1. An electric / electronic device comprising a screen portion, a wiring portion and a pad portion,
Wherein the screen portion includes the conductive structure according to any one of claims 1 to 5 and 7 to 9.

Preparing a substrate;
Forming a metal layer including a metal on the upper surface of the substrate;
Forming a polymer pattern layer on a top surface of the metal layer using a composition including a polymer compound and an organic dye;
Etching the metal layer to form a conductive line; And
And forming a light reflection reducing layer on the upper and side surfaces of the conductive line using the polymer pattern layer,
The organic dyes may be selected from the group consisting of anilino azo dyes, pyridonazo dyes, pyrazole dyes, triphenylmethane dyes, anthraquinone dyes, atrapyridone dyes, oxolin dyes, benzylidene dyes, A dye, and a dye.
Wherein the light reflectance at the surface of the light reflection reducing layer is an average of 20% or less in the light in the wavelength region of 380 nm to 780 nm.

The method of claim 12,
Wherein the step of forming the light reflection reducing layer includes reflowing the polymer pattern layer.

14. The method of claim 13,
Wherein the reflow treatment is performed at a temperature of 110 ° C or more and 150 ° C or less.

The method of claim 12,
Wherein the step of forming the polymer pattern layer includes a step of printing the composition using an offset printing method followed by drying.