KR101983779B1 - 발광 소자 패키지 - Google Patents
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Abstract
실시 예는 제1 리드 프레임 및 제2 리드 프레임, 상기 제1 리드 프레임 및 상기 제2 리드 프레임과 전기적으로 연결되는 발광 소자, 및 상기 제1 리드 프레임 및 상기 제2 리드 프레임 상에 배치되고, 바닥부 및 상기 발광 소자 주위에 위치하는 측벽부를 포함하는 패키지 몸체를 포함하고, 상기 바닥부는 표면에 형성되는 돌출 패턴을 가지며, 상기 돌출 패턴은 복수의 돌출 라인들을 포함하고, 복수의 돌출 라인들 각각은 적어도 하나의 돌기를 갖는다.
Description
실시 예는 발광 소자 패키지에 관한 것이다.
반도체의 3-5족 또는 2-6족 화합물 반도체 물질을 이용한 발광 다이오드(Light Emitting Diode: LED)나 레이저 다이오드(Laser Diode:LD)와 같은 발광 소자는 박막 성장 기술 및 소자 재료의 개발로 적색, 녹색, 청색 및 자외선 등 다양한 색을 구현할 수 있으며, 형광 물질을 이용하거나 색을 조합함으로써 효율이 좋은 백색 광선도 구현이 가능하며, 형광등, 백열등 등 기존의 광원에 비해 저소비 전력, 반영구적인 수명, 빠른 응답속도, 안전성, 환경친화성의 장점을 가진다.
따라서, 광 통신 수단의 송신 모듈, LCD(Liquid Crystal Display) 표시 장치의 백라이트를 구성하는 냉음극관(CCFL:Cold Cathode Fluorescenece Lamp)을 대체하는 발광 다이오드 백라이트, 형광등이나 백열 전구를 대체할 수 있는 백색 발광 다이오드 조명 장치, 자동차 헤드 라이트 및 신호등에까지 응용이 확대되고 있다.
조명 장치나 표시 장치에는 발광 소자 패키지가 널리 사용되고 있다. 발광 소자 패키지는 일반적으로 몸체, 몸체 내에 위치하는 리드 프레임들, 및 리드 프레임들 중 어느 하나에 위치하는 발광 소자(예컨대, LED)를 포함할 수 있다.
실시 예는 지향각에 따른 색 편차를 감소시킬 수 있고, 엘로우 링 발생을 억제할 수 있는 발광 소자 패키지를 제공한다.
실시 예에 따른 발광 소자 패키지는 제1 리드 프레임 및 제2 리드 프레임; 상기 제1 리드 프레임 및 상기 제2 리드 프레임과 전기적으로 연결되는 발광 소자; 및 상기 제1 리드 프레임 및 상기 제2 리드 프레임 상에 배치되고, 바닥부 및 상기 발광 소자 주위에 위치하는 측벽부를 포함하는 패키지 몸체를 포함하고, 상기 바닥부는 표면에 형성되는 돌출 패턴을 가지며, 상기 돌출 패턴은 복수의 돌출 라인들을 포함하고, 복수의 돌출 라인들 각각은 적어도 하나의 돌기를 갖는다.
상기 돌출 패턴은 제1 돌출 라인들과 제2 돌출 라인들을 포함할 수 있으며, 상기 제1 돌출 라인들 각각은 서로 이격하고, 상기 제2 돌출 라인들 각각은 서로 이격할 수 있다.
상기 제1 돌출 라인들과 상기 제2 돌출 라인들은 서로 직교할 수 있다.
상기 돌출 패턴은 동일선상에 배치되고, 이격하는 복수의 돌출 라인들을 포함할 수 있다.
상기 복수의 돌출 라인들 중 서로 접하는 2개의 돌출 라인들이 이루는 각도는 직각 또는 예각일 수 있다.
상기 돌출 패턴은 상기 발광 소자의 주위를 둘러싸도록 배치되는 서로 이격하는 복수의 돌출 링들을 포함할 수 있다.
상기 적어도 하나의 돌기는 서로 인접하는 반구형의 돌기들일 수 있다.
상기 적어도 하나의 돌기는 서로 이격하는 반구형의 돌기들일 수 있다.
상기 적어도 하나의 돌기는 라인 형태의 하나의 돌기일 수 있다.
상기 제1 및 제2 리드 프레임들 각각은 상부면의 제1 영역에 제1 홈을 가지며, 상기 바닥부는 상기 제1 홈 내에 배치될 수 있다.
상기 제1 및 제2 리드 프레임들 각각은 상부면의 제2 영역에 제2 홈을 가지며, 상기 측벽부는 하면에 상기 제2 홈에 삽입되는 돌기를 가질 수 있다.
상기 제1 및 제2 리드 프레임들 각각은 상기 바닥부로부터 노출되는 일 부분을 가지며, 상기 발광 소자는 상기 제1 및 제2 리드 프레임들 각각의 노출되는 상기 일부분에 본딩될 수 있다.
실시 예는 지향각에 따른 색 편차를 감소시킬 수 있고, 엘로우 링 발생을 억제할 수 있다.
도 1은 제1 실시 예에 따른 발광 소자 패키지의 사시도를 나타낸다.
도 2는 도 1에 도시된 발광 소자 패키지의 평면도를 나타낸다.
도 3은 도 2에 도시된 발광 소자 패키지의 AB 방향의 단면도를 나타낸다.
도 4는 도 1에 도시된 제1 및 제2 리드 프레임들을 나타낸다.
도 5는 도 1에 도시된 바닥부 및 측벽부를 포함하는 패키지 몸체의 단면도를 나타낸다.
도 6은 돌출 패턴이 없는 바닥부를 나타낸다.
도 7은 도 1에 도시된 돌출 패턴의 일 실시 예를 나타낸다.
도 8은 도 7에 도시된 제1 및 제2 돌출 라인들 각각에 포함되는 적어도 하나의 돌기의 제1 실시 예를 나타낸다.
도 9는 도 8에 도시된 복수의 돌기들 각각의 형상을 나타낸다.
도 10은 도 7에 도시된 제1 및 제2 돌출 라인들 각각에 포함되는 적어도 하나의 돌기의 제2 실시 예를 나타낸다.
도 11은 도 7에 도시된 제1 및 제2 돌출 라인들 각각에 포함되는 적어도 하나의 돌기의 제3 실시 예를 나타낸다.
도 12는 도 1에 도시된 돌출 패턴의 변형 예를 나타낸다.
도 13은 도 1에 도시된 돌출 패턴의 다른 변형 예를 나타낸다.
도 14는 도 8에 도시된 돌기들을 갖는 도 7에 도시된 돌출 패턴을 포함하는 발광 소자 패키지의 조도 분포를 나타낸다
도 15는 도 8에 도시된 돌기들을 갖는 도 7에 도시된 돌출 패턴을 포함하는 발광 소자 패키지의 지향각 특성을 나타낸다.
도 16은 도 8에 도시된 돌기들을 갖는 도 7에 도시된 돌출 패턴을 포함하는 발광 소자 패키지의 색 편차를 나타낸다.
도 17은 다른 실시 예에 따른 발광 소자 패키지의 단면도를 나타낸다.
도 18은 도 1에 도시된 발광 소자의 일 실시 예를 나타낸다.
도 19는 도 1에 도시된 발광 소자의 다른 실시 예를 나타낸다.
도 20은 실시 예에 따른 발광 소자 패키지를 포함하는 조명 장치의 분해 사시도이다.
도 21는 실시 예에 따른 발광 소자 패키지를 포함하는 표시 장치를 나타낸다.
도 22는 실시 예에 따른 발광 소자 패키지를 포함하는 해드 램프를 나타낸다.
도 2는 도 1에 도시된 발광 소자 패키지의 평면도를 나타낸다.
도 3은 도 2에 도시된 발광 소자 패키지의 AB 방향의 단면도를 나타낸다.
도 4는 도 1에 도시된 제1 및 제2 리드 프레임들을 나타낸다.
도 5는 도 1에 도시된 바닥부 및 측벽부를 포함하는 패키지 몸체의 단면도를 나타낸다.
도 6은 돌출 패턴이 없는 바닥부를 나타낸다.
도 7은 도 1에 도시된 돌출 패턴의 일 실시 예를 나타낸다.
도 8은 도 7에 도시된 제1 및 제2 돌출 라인들 각각에 포함되는 적어도 하나의 돌기의 제1 실시 예를 나타낸다.
도 9는 도 8에 도시된 복수의 돌기들 각각의 형상을 나타낸다.
도 10은 도 7에 도시된 제1 및 제2 돌출 라인들 각각에 포함되는 적어도 하나의 돌기의 제2 실시 예를 나타낸다.
도 11은 도 7에 도시된 제1 및 제2 돌출 라인들 각각에 포함되는 적어도 하나의 돌기의 제3 실시 예를 나타낸다.
도 12는 도 1에 도시된 돌출 패턴의 변형 예를 나타낸다.
도 13은 도 1에 도시된 돌출 패턴의 다른 변형 예를 나타낸다.
도 14는 도 8에 도시된 돌기들을 갖는 도 7에 도시된 돌출 패턴을 포함하는 발광 소자 패키지의 조도 분포를 나타낸다
도 15는 도 8에 도시된 돌기들을 갖는 도 7에 도시된 돌출 패턴을 포함하는 발광 소자 패키지의 지향각 특성을 나타낸다.
도 16은 도 8에 도시된 돌기들을 갖는 도 7에 도시된 돌출 패턴을 포함하는 발광 소자 패키지의 색 편차를 나타낸다.
도 17은 다른 실시 예에 따른 발광 소자 패키지의 단면도를 나타낸다.
도 18은 도 1에 도시된 발광 소자의 일 실시 예를 나타낸다.
도 19는 도 1에 도시된 발광 소자의 다른 실시 예를 나타낸다.
도 20은 실시 예에 따른 발광 소자 패키지를 포함하는 조명 장치의 분해 사시도이다.
도 21는 실시 예에 따른 발광 소자 패키지를 포함하는 표시 장치를 나타낸다.
도 22는 실시 예에 따른 발광 소자 패키지를 포함하는 해드 램프를 나타낸다.
이하, 실시 예들은 첨부된 도면 및 실시 예들에 대한 설명을 통하여 명백하게 드러나게 될 것이다. 실시 예의 설명에 있어서, 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들이 기판, 각 층(막), 영역, 패드 또는 패턴들의 "상/위(on)"에 또는 "하/아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "상/위(on)"와 "하/아래(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 층을 개재하여 (indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 층의 상/위 또는 하/아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다.
도면에서 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장되거나 생략되거나 또는 개략적으로 도시되었다. 또한 각 구성요소의 크기는 실제크기를 전적으로 반영하는 것은 아니다. 또한 동일한 참조번호는 도면의 설명을 통하여 동일한 요소를 나타낸다. 이하, 첨부된 도면을 참조하여 실시 예에 따른 발광 소자 패키지를 설명한다.
도 1은 제1 실시 예에 따른 발광 소자 패키지(100)의 사시도를 나타내고, 도 2는 도 1에 도시된 발광 소자 패키지(100)의 평면도를 나타내고, 도 3은 도 2에 도시된 발광 소자 패키지(100)의 AB 방향의 단면도를 나타내고, 도 4는 도 1에 도시된 제1 및 제2 리드 프레임들(31,32)을 나타내고, 도 5는 도 1에 도시된 바닥부(101) 및 측벽부(102)를 포함하는 패키지 몸체(10)의 단면도를 나타낸다.
도 1 내지 도 5을 참조하면, 발광 소자 패키지(100)는 패키지 몸체(10), 제1 리드 프레임(31), 제2 리드 프레임(32), 발광 소자(20), 및 수지층(40)을 포함한다.
제1 리드 프레임(31)과 제2 리드 프레임(32)은 서로 이격되어 배치될 수 있다. 제1 리드 프레임(31), 및 제2 리드 프레임(32)은 금속과 같은 전도성 재질, 예컨대, 알루미늄(Al), 티타늄(Ti), 구리(Cu), 니켈(Ni), 금(Au), 크롬(Cr), 탄탈늄(Ta), 백금(Pt), 주석(Sn), 은(Ag), 인(P) 중 하나, 또는 이들을 포함하는 합금으로 형성될 수 있으며, 단층 또는 다층 구조일 수 있다.
발광 소자(20)는 제1 리드 프레임(31) 및 제2 리드 프레임(32) 상에 배치되며, 제1 및 제2 리드 프레임들(31)과 전기적으로 연결될 수 있다.
도 18은 도 1에 도시된 발광 소자(20)의 일 실시 예(300-1)를 나타낸다.
도 18을 참조하면, 발광 소자(300-1)는 기판(310), 발광 구조물(320), 전도층(330), 제1 전극(342), 및 제2 전극(344)을 포함한다.
기판(310)은 반도체 물질 성장에 적합한 물질, 캐리어 웨이퍼로 형성될 수 있다. 또한 기판(310)은 열전도성이 뛰어난 물질로 형성될 수 있으며, 전도성 기판 또는 절연성 기판일 수 있다. 예를 들어 기판(310)은 사파이어(Al203), GaN, SiC, ZnO, Si, GaP, InP, Ga203, GaAs 중 적어도 하나를 포함하는 물질일 수 있다. 이러한 기판(310)의 상면에는 요철 패턴이 형성될 수 있다.
또한 기판(310) 위에는 2족 내지 6족 원소의 화합물 반도체를 이용한 층 또는 패턴, 예컨대, ZnO층(미도시), 버퍼층(미도시), 언도프드 반도체층(미도시) 중 적어도 한 층이 형성될 수 있다. 버퍼층 또는 언도프드 반도체층은 3족-5족 원소의 화합물 반도체를 이용하여 형성될 수 있으며, 버퍼층은 기판과의 격자 상수의 차이를 줄여주게 되며, 언도프드 반도체층은 도핑하지 않는 GaN계 반도체로 형성될 수 있다.
발광 구조물(320)은 빛을 발생하는 반도체층일 수 있으며, 제1 반도체층(322), 활성층(324), 및 제2 반도체층(326)을 포함할 수 있다.
제1 반도체층(322)은 3족-5족, 2족-6족 등의 화합물 반도체로 구현될 수 있으며, 제1 도전형 도펀트가 도핑될 수 있다. 예컨대, 제1 반도체층(322)은 InxAlyGa1-x-yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 가지는 반도체일 수 있으며, n형 도펀트(예: Si, Ge, Sn 등)가 도핑될 수 있다.
활성층(324)은 제1 반도체층(322) 및 제2 반도체층(326)으로부터 제공되는 전자(electron)와 정공(hole)의 재결합(recombination) 과정에서 발생하는 에너지에 의해 광을 생성할 수 있다.
활성층(324)은 반도체 화합물, 예컨대, 3족-5족, 2족-6족의 화합물 반도체일 수 있으며, 단일 우물 구조, 다중 우물 구조, 양자 선(Quantum-Wire) 구조, 또는 양자 점(Quantum Dot) 구조 등으로 형성될 수 있다. 활성층(324)이 양자우물구조인 경우에는 InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 우물층과 InaAlbGa1-a-bN (0≤a≤1, 0≤b≤1, 0≤a+b≤1)의 조성식을 갖는 장벽층을 갖는 단일 또는 양자우물구조를 가질 수 있다. 우물층은 장벽층의 에너지 밴드 갭보다 낮은 밴드 갭을 갖는 물질일 수 있다.
제2 반도체층(326)은 3족-5족, 2족-6족 등의 화합물 반도체로 구현될 수 있으며, 제2 도전형 도펀트가 도핑될 수 있다. 예컨대, 제2 반도체층(326)은 InxAlyGa1-x-yN(0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체일 수 있으며, p형 도펀트(예컨대, Mg, Zn, Ca, Sr, Ba)가 도핑될 수 있다.
발광 구조물(320)는 제2 반도체층(326), 활성층(324) 및 제1 반도체층(322)의 일부가 제거되어 제1 반도체층(322)의 일부를 노출할 수 있다.
전도층(330)은 전반사를 감소시킬 뿐만 아니라, 투광성이 좋기 때문에 활성층(324)으로부터 제2 반도체층(326)으로 방출되는 빛의 추출 효율을 증가시킬 수 있다.
전도층(330)은 투명 전도성 산화물, 예컨대, ITO(Indium Tin Oxide), TO(Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide), ITZO(Indium Tin Zinc Oxide), IAZO(Indium Aluminum Zinc Oxide), IGZO(Indium Gallium Zinc Oxide), IGTO(Indium Gallium Tin Oxide), AZO(Aluminum Zinc Oxide), ATO(Antimony tin Oxide), GZO(Gallium Zinc Oxide), IrOx, RuOx,RuOx/ITO, Ni, Ag, Ni/IrOx/Au, 또는 Ni/IrOx/Au/ITO 중 하나 이상을 이용하여 단층 또는 다층으로 이루어질 수 있다.
제1 전극(342)은 노출되는 제1 반도체층(322) 상에 배치되며, 제2 전극(344)은 전도층(330) 상에 배치된다.
도 19는 도 1에 도시된 발광 소자(20)의 다른 실시 예(300-2)를 나타낸다.
도 19를 참조하면, 발광 소자(300-2)는 제2 전극부(405), 보호층(440), 전류 차단층(Current Blocking Layer; 445), 발광 구조물(450), 패시베이션층(465), 및 제1 전극부(470)를 포함한다.
제2 전극부(405)는 제1 전극부(470)와 함께 발광 구조물(450)에 전원을 제공한다. 제2 전극부(405)는 지지층(support, 410), 접합층(bonding layer, 415), 배리어층(barrier layer, 420), 반사층(reflective layer, 425), 및 오믹층(ohmic layer, 430)을 포함할 수 있다.
지지층(410)는 발광 구조물(450)을 지지한다. 지지층(210)은 금속 또는 반도체 물질로 형성될 수 있다. 또한 지지층(410)은 전기 전도성과 열 전도성이 높은 물질로 형성될 수 있다. 예컨대, 지지층(410)는 구리(Cu), 구리 합금(Cu alloy), 금(Au), 니켈(Ni), 몰리브덴(Mo), 및 구리-텅스텐(Cu-W) 중 적어도 하나를 포함하는 금속 물질이거나, 또는 Si, Ge, GaAs, ZnO, SiC 중 적어도 하나를 포함하는 반도체일 수 있다.
접합층(415)은 지지층(410)와 배리어층(420) 사이에 배치될 수 있으며, 지지층(410)과 배리어층(420)을 접합시키는 본딩층(bonding layer)의 역할을 할 수 있다. 접합층(415)은 금속 물질, 예를 들어, In,Sn, Ag, Nb, Pd, Ni, Au, Cu 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 접합층(415)은 지지층(410)을 본딩 방식으로 접합하기 위해 형성하는 것이므로 지지층(410)을 도금이나 증착 방법으로 형성하는 경우에는 접합층(215)은 생략될 수 있다.
배리어층(420)은 반사층(425), 오믹층(430), 및 보호층(440)의 아래에 배치되며, 접합층(415) 및 지지층(410)의 금속 이온이 반사층(425), 및 오믹층(430)을 통과하여 발광 구조물(450)로 확산하는 것을 방지할 수 있다. 예컨대, 배리어층(420)은 Ni, Pt, Ti,W,V, Fe, Mo 중 적어도 하나를 포함할 수 있으며, 단층 또는 다층으로 이루어질 수 있다.
반사층(425)은 배리어층(420) 상에 배치될 수 있으며, 발광 구조물(450)로부터 입사되는 광을 반사시켜 주어, 광 추출 효율을 개선할 수 있다. 반사층(425)은 광 반사 물질, 예컨대, Ag, Ni, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au, Hf 중 적어도 하나를 포함하는 금속 또는 합금으로 형성될 수 있다.
반사층(425)은 금속 또는 합금과 IZO, IZTO, IAZO, IGZO, IGTO, AZO, ATO 등의 투광성 전도성 물질을 이용하여 다층으로 형성할 수 있으며, 예를 들어, IZO/Ni, AZO/Ag, IZO/Ag/Ni, AZO/Ag/Ni 등으로 형성할 수 있다.
오믹층(430)은 반사층(425)과 제2 반도체층(452) 사이에 배치될 수 있으며,제2 반도체층(452)에 오믹 접촉(ohmic contact)되어 발광 구조물(450)에 전원이 원활히 공급되도록 할 수 있다.
투광성 전도층과 금속을 선택적으로 사용하여 오믹층(430)을 형성할 수 있다. 예컨대 오믹층(430)은 제2 반도체층(452)과 오믹 접촉하는 금속 물질, 예컨대, Ag, Ni,Cr,Ti,Pd,Ir, Sn, Ru, Pt, Au, Hf 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.
보호층(440)은 제2 전극층(405)의 가장 자리 영역 상에 배치될 수 있다. 예컨대, 보호층(440)은 오믹층(430)의 가장 자리 영역, 또는 반사층(425)의 가장 자리 영역, 또는 배리어층(420)의 가장 자리 영역, 또는 지지층(410)의 가장 자리 영역 상에 배치될 수 있다.
보호층(440)은 발광 구조물(450)과 제2 전극층(405) 사이의 계면이 박리되어 발광 소자(300-2)의 신뢰성이 저하되는 것을 방지할 수 있다. 보호층(440)은 전기 절연성 물질, 예를 들어, ZnO, SiO2, Si3N4, TiOx(x는 양의 실수), 또는 Al2O3 등으로 형성될 수 있다.
전류 차단층(445)은 오믹층(430)과 발광 구조물(450) 사이에 배치될 수 있다. 전류 차단층(445)의 상면은 제2 반도체층(452)과 접촉하고, 전류 차단층(445)의 하면, 또는 하면과 측면은 오믹층(430)과 접촉할 수 있다. 전류 차단층(445)은 수직 방향으로 제1 전극부(470)와 적어도 일부가 오버랩되도록 배치될 수 있다.
전류 차단층(445)은 오믹층(430)과 제2 반도체층(452) 사이에 형성되거나, 반사층(425)과 오믹층(430) 사이에 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
발광 구조물(450)은 오믹층(430) 및 보호층(440) 상에 배치될 수 있다. 발광 구조물(450)의 측면은 단위 칩으로 구분하는 아이솔레이션(isolation) 에칭 과정에서 경사면이 될 수 있다.
발광 구조물(450)은 제2 반도체층(452), 활성층(454), 및 제1 반도체층(456)을 포함할 수 있으며, 도 18에서 설명한 바와 동일할 수 있으며, 중복을 피하기 위하여 설명을 생략한다.
패시베이션층(465)은 발광 구조물(450)을 전기적으로 보호하기 위하여 발광 구조물(450)의 측면에 배치될 수 있다. 패시베이션층(465)은 제1 반도체층(456)의 상면 일부 또는 보호층(440)의 상면에도 배치될 수 있다. 패시베이션층(465)은 절연 물질, 예컨대, SiO2, SiOx, SiOxNy, Si3N4, 또는 Al2O3 로 형성될 수 있다.
제1 전극부(470)는 제1 반도체층(456) 상에 배치될 수 있다. 제1 전극부(470)은 소정의 패턴 형상일 수 있다. 제1 반도체층(456)의 상면은 광 추출 효율을 증가시키기 위해 러프니스 패턴(미도시)이 형성될 수 있다. 또한 광 추출 효율을 증가시키기 위하여 제1 전극(470)의 상면에도 러프니스 패턴(미도시)이 형성될 수 있다.
패키지 몸체(10)는 제1 리드 프레임(31) 및 제2 리드 프레임(32) 상에 배치될 수 있다. 또한 패키지 몸체(10)의 일 부분은 제1 리드 프레임(31)과 제2 리드 프레임(32) 사이에 배치될 수 있으며, 제1 리드 프레임(31)과 제2 리드 프레임(32)을 전기적으로 분리할 수 있다.
패키지 몸체(10)는 반사도가 높은 폴리프탈아미드(PPA:Polyphthalamide), EMC(Epoxy Molding Compound), PA9T, 실리콘과 같은 수지 재질로 형성될 수 있다. 또한 패키지 몸체(10)는 실리콘 기반의 웨이퍼 레벨 패키지(wafer level package), 실리콘 기판, 실리콘 카바이드(SiC), 질화알루미늄(aluminum nitride, AlN) 등과 같이 절연성 또는 열전도도가 좋은 기판으로 형성될 수 있다. 패키지 몸체(10)는 복수 개의 기판이 적층되는 구조일 수 있다.
패키지 몸체(10)의 상부면 형상은 발광 소자 패키지(100)의 용도 및 설계에 따라 삼각형, 사각형, 다각형, 및 원형 등 다양한 형상일 수 있다. 그러나 실시 예는 상술한 몸체의 재질, 구조, 및 형상으로 한정되는 것은 아니다.
패키지 몸체(10)는 바닥부(101) 및 측벽부(102)를 포함할 수 있다.
바닥부(101)는 제1 및 제2 리드 프레임들(31,32) 각각의 상부면(111, 112)의 제1 영역(S11,S12)에 위치할 수 있고, 제1 및 제2 리드 프레임들(31,32) 사이에 위치할 수 있다.
예컨대, 바닥부(101)는 제1 및 제2 리드 프레임들(31,32) 각각의 상부면(111, 112)의 제1 영역(S11,S12)에 위치하는 제1 부분(301) 및 제1 및 제2 리드 프레임들(31,32) 사이에 위치하는 제2 부분(302)을 포함할 수 있다. 바닥부(101)의 제2 부분(302)에 의하여 제1 리드 프레임(31)과 제2 리드 프레임(32)은 전기적으로 절연될 수 있다.
제1 및 제2 리드 프레임들(31,32) 각각은 바닥부(101)로부터 노출되는 일 부분(31-1,31-2)을 가질 수 있으며, 바닥부(101)는 노출되는 제1 및 제2 리드 프레임들(31,32)의 일 부분(31-1,32-1)을 둘러쌀 수 있다.
도 2를 참조하면, 바닥부(101)의 제1 부분(301)과 측벽부(102)의 경계선(108)으로부터 제1 리드 프레임 및 제2 리드 프레임들(31,32) 각각의 노출되는 일 부분(31-1, 31-2)까지의 제1 방향으로의 거리(D1)는 0.4mm ~ 0.5mm일 수 있다. 여기서 제1 방향은 발광 소자(20)의 가로 및 세로 중 길이가 긴 방향일 수 있다.
또한 바닥부(101)의 제1 부분(301)과 측벽부(102)의 경계선(108)으로부터 제1 리드 프레임 및 제2 리드 프레임들(31,32) 각각의 노출되는 일 부분(31-1, 31-2)까지의 제2 방향으로의 거리(D2)는 0.65mm ~ 0.75mm일 수 있다. 제2 방향은 제1 방향과 수직일 수 있다.
제1 및 제2 리드 프레임들(31,32) 각각은 상부면(111,112)의 제1 영역(S11,S12)에 기설정된 깊이(D3)를 갖는 제1 홈(401, 402)을 가질 수 있다. 바닥부(101)의 제1 부분(301)은 제1 홈(401, 402) 내에 배치될 수 있다. 이는 바닥부(101)와 제1 및 제2 리드 프레임들(31,32) 간의 접촉 면적을 증가시켜, 양자 접착력을 향상시키기 위함이다. 또한 가스 침투 경로를 길게 함으로써 기밀성을 향상시킬 수 있다.
발광 소자(20)는 제1 및 제2 리드 프레임들(31,32) 상에 배치될 수 있으며, 제1 및 제2 리드 프레임들(31,32)의 노출되는 일 부분(31-1,32-1)과 전기적으로 연결될 수 있다. 예컨대, 발광 소자(20)는 제1 및 제2 리드 프레임들(31,32)의 노출되는 일 부분(31-1,32-1)에 플립 칩(flip-chip) 본딩 또는 유테틱(eutetic) 본딩될 수 있다.
예컨대, 발광 소자(20)가 도 18에 도시된 수평형 발광 소자일 경우, 제1 전극(342)은 제1 리드 프레임(31)의 노출된 일 부분(31-1)에 본딩될 수 있고, 제2 전극(344)은 제2 리드 프레임(32)의 노출출된 일 부분(32-1)에 본딩될 수 있다.
다른 실시 예에서는 발광 소자(20)는 와이어 본딩(wire bonding) 방식에 의해 제1 및 제2 리드 프레임들(31,32)의 노출되는 일 부분(31-1,32-1)과 전기적으로 연결될 수도 있다.
측벽부(102)는 바닥부(101)를 둘러싸도록 제1 및 제2 리드 프레임들(31,32)의 상부면(111,112)의 제2 영역(S21,S22) 상에 배치될 수 있다. 바닥부(101)를 기준으로 측벽부(102)의 내측면은 일정한 각도로 기울어진 경사면일 수 있다. 측벽부(101)와 바닥부(101)는 캐비티(cavity)를 형성할 수 있다.
측벽부(102)는 제1 및 제2 리드 프레임들(31,32)의 노출되는 일 부분(31-1,32-1) 주위를 감싸도록 배치될 수 있다. 측벽부(102)의 폭(W)은 0.4mm ~ 0.45mm일 수 있다.
제1 및 제2 리드 프레임들(31,32) 각각은 상부면(111,112)의 제2 영역(S21,S22)에 제2 홈(403, 404)을 가질 수 있다. 측벽부(102)의 하면에는 제2 홈(403,404)에 삽입되는 돌기(501,502)가 마련될 수 있다. 돌기(501,502)는 제1 및 제2 리드 프레임들(31,32) 각각과 측벽부(102) 사이의 접착력 또는 결합력을 향상시키는 역할을 할 수 있다.
바닥부(101)는 표면에 형성되는 돌출 패턴을 가질 수 있다. 돌출 패턴은 복수의 돌출 라인들을 포함할 수 있으며, 복수의 돌출 라인들 각각은 복수의 돌기들을 포함할 수 있다.
도 6은 돌출 패턴이 없는 바닥부(101)를 나타내고, 도 7은 도 1에 도시된 돌출 패턴의 일 실시 예(70)를 나타낸다.
도 6을 참조하면, 돌출 패턴이 없는 바닥부(201)의 상부면은 편평할 수 있다. 도 7을 참조하면, 실시 예에 따른 바닥부(101)는 표면에 형성되는 돌출 패턴(70)을 가질 수 있다. 돌출 패턴(70)은 라인 형태일 수 있다. 실시 예에 따른 바닥부(101)의 직경은 1.8mm ~ 2.0mm일 수 있으며, 바람직하게는 1.8mm일 수 있다.
예컨대, 돌출 패턴(70)은 서로 직교하는 제1 돌출 라인들(a1 내지 an, n>1인 자연수) 및 제2 돌출 라인들(b1 내지 bm, m>1인 자연수)을 포함할 수 있다. 예컨대, 제1 돌출 라인들(a1 내지 an, n>1인 자연수)과 제2 돌출 라인들(b1 내지 bm, m>1인 자연수)이 이루는 각도(θ1)는 직각일 수 있다.
제1 돌출 라인들(a1 내지 an, n>1인 자연수)의 길이 방향은 제1 리드 프레임(31)에서 제2 리드 프레임(32)으로 향하는 방향(QQ')과 수직한 방향일 수 있고, 제2 돌출 라인들(b1 내지 bm, m>1인 자연수)의 길이 방향은 제1 리드 프레임(31)에서 제2 리드 프레임(32)으로 향하는 방향(QQ')과 평행할 수 있다.
제1 돌출 라인들(a1 내지 an, n>1인 자연수) 각각은 서로 이격할 수 있으며, 제2 돌출 라인들(b1 내지 bm, m>1인 자연수) 각각은 서로 이격할 수 있다.
복수의 돌출 라인들(a1 내지 an, b1 내지 bm, n,m>1인 자연수) 각각은 적어도 하나의 돌기를 포함할 수 있다.
도 8은 도 7에 도시된 제1 및 제2 돌출 라인들 각각에 포함되는 적어도 하나의 돌기의 제1 실시 예를 나타낸다.
도 8을 참조하면, 제1 및 제2 돌출 라인들(a1 내지 an, b1 내지 bm, n,m>1인 자연수) 각각은 서로 인접하는 복수의 돌기들(71-1 내지 71-k, k>1인 자연수)을 포함할 수 있다. 서로 인접하는 복수의 돌기들(71-1 내지 71-k, k>1인 자연수)은 라인 형태일 수 있다. 복수의 돌기들(71-1 내지 71-k, k>1인 자연수) 각각은 반구 형상일 수 있다.
도 8에는 반구 형상인 돌기를 도시하였지만, 돌기의 형상이 이에 한정되는 것은 아니며, 다른 실시 예는 사면체 등과 같은 다면체, 또는 돔 형상일 수 있다.
도 9는 도 8에 도시된 복수의 돌기들 각각의 형상을 나타낸다. 도 9를 참조하면, 복수의 돌기들(71-1 내지 71-k, k>1인 자연수) 각각은 반지름이 R인 반구일 수 있다. 이때, 반지름(R)은 0.01mm ~ 0.05mm일 수 있다.
도 10은 도 7에 도시된 제1 및 제2 돌출 라인들 각각에 포함되는 적어도 하나의 돌기의 제2 실시 예를 나타낸다.
도 10을 참조하면, 제1 및 제2 돌출 라인들(a1 내지 an, b1 내지 bm, n,m>1인 자연수) 각각은 서로 이격하는 복수의 돌기들(72-1 내지 72-k, k>1인 자연수)을 포함할 수 있다. 복수의 돌기들(72-1 내지 72-k, k>1인 자연수) 각각은 반지름이 R인 반구일 수 있다. 이때, 반지름(R)은 0.01mm ~ 0.05mm일 수 있다. 이웃하는 돌기들 사이의 이격 거리(X1)는 돌기의 반지름(R) 이하일 수 있다. 예컨대, 이격 거리(X1)는 0.05mm이하일 수 있다.
도 11은 도 7에 도시된 제1 및 제2 돌출 라인들 각각에 포함되는 적어도 하나의 돌기의 제3 실시 예를 나타낸다.
도 11을 참조하면, 제1 및 제2 돌출 라인들(a1 내지 an, b1 내지 bm, n,m>1인 자연수) 각각은 라인 형태의 하나의 돌기(73)를 가질 수 있다. 돌기(73)의 높이(H1)는 0.01mm ~ 0.05mm일 수 있다.
수지층(40)은 발광 소자(20)를 밀봉하여 보호하도록 측벽부(102) 내에 배치될 수 있다. 예컨대, 수지층(40)은 발과 소자(200를 밀봉하도록 바닥부(101) 및 측벽부(102)가 이루는 캐비티 내에 충진될 수 있다. 수지층(40)은 에폭시 또는 실리콘과 같은 무색 투명한 고분자 수지로 이루어질 수 있다.
수지층(40)은 발광 소자(20)에서 방출된 광의 파장을 변화시킬 수 있도록 형광체를 포함할 수 있다. 예컨대, 수지층(40)은 적색 형광체, 녹색 형광체, 및 황색 형광체 등 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
도 12는 도 1에 도시된 돌출 패턴(70)의 변형 예(70-1)를 나타낸다.
도 12를 참조하면, 돌출 패턴(70-1)은 복수의 돌출 라인들(C1 내지 Cn, n>1인 자연수)을 포함할 수 있다.
복수의 돌출 라인들(C1 내지 Cn, n>1인 자연수) 중 일부(예컨대, C3 및 C4)는 동일선상에 위치할 수 있으며, 서로 이격할 수 있다. 또한 복수의 돌출 라인들(C1 내지 Cn, n>1인 자연수) 중 인접하는 2개의 돌출 라인들(예컨대, C1과 C2)이 이루는 각도(θ2)는 직각 또는 예각일 수 있다.
복수의 돌출 라인들(C1 내지 Cn, n>1인 자연수)의 각각의 길이 방향과 제1 리드 프레임(31)에서 제2 리드 프레임(32)으로 향하는 방향(QQ')이 이루는 각도(θ2)는 예각일 수 있다.
복수의 돌출 라인들(C1 내지 Cn, n>1인 자연수) 각각은 적어도 하나의 돌기를 가질 수 있으며, 적어도 하나의 돌기의 형상은 도 8, 도 10, 및 도 11에서 설명한 바와 동일할 수 있다.
도 13은 도 1에 도시된 돌출 패턴(70)의 다른 변형 예(70-2)를 나타낸다.
도 13을 참조하면, 돌출 패턴(70-2)은 서로 이격하는 복수의 돌출 링들(d1 내지 dn, n>1인 자연수)을 포함할 수 있다. 복수의 돌출 링들(d1 내지 dn, n>1인 자연수)은 발광 소자(20) 주위를 둘러싸도록 배치될 수 있다. 즉 발광 소자(20)는 돌출 링(d1 내지 dn, n>1인 자연수)들 내측에 위치할 수 있다.
복수의 돌출 링들(d1 내지 dn, n>1인 자연수) 각각은 적어도 하나의 돌기를 가질 수 있으며, 적어도 하나의 돌기의 형상은 도 8, 도 10, 및 도 11에서 설명한 바와 동일할 수 있다.
도 14는 도 8에 도시된 돌기들을 갖는 도 7에 도시된 돌출 패턴을 포함하는 발광 소자 패키지의 조도 분포를 나타낸다. g1은 돌출 패턴을 갖지 않는 발광 소자 패키지의 조도 분포이고, g2는 실시 예에 따른 발광 소자 패키지의 조도 분포를 나타낸다. x축은 발광 소자(20)를 기준으로 좌우 거리를 나타내고, y축은 조도를 나타낸다.
도 14를 참조하면, g2는 g1과 차이가 거의 없는 것을 알 수 있으며, 조도 분포는 동일한 수준을 유지할 수 있다.
도 15는 도 8에 도시된 돌기들을 갖는 도 7에 도시된 돌출 패턴을 포함하는 발광 소자 패키지의 지향각 특성을 나타낸다. g1는 돌출 패턴을 갖지 않는 발광 소자 패키지의 지향각 특성이고, g4는 실시 예에 따른 발광 소자 패키지의 지향각 특성을 나타낸다.
도 15를 참조하면, g4와 g3에 비교할 때, 실시 예는 배광 형상이 날카로워짐을 알 수 있다.
도 16은 도 8에 도시된 돌기들을 갖는 도 7에 도시된 돌출 패턴을 포함하는 발광 소자 패키지의 색 편차를 나타낸다. g5는 돌출 패턴을 갖지 않는 발광 소자 패키지의 색 편차를 나타내고, g6는 실시 예에 따른 발광 소자 패키지의 색 편차를 나타낸다.
도 16을 참조하면, g6와 g5를 비교할 때, 실시 예는 색 편차가 감소함을 알 수 있다. 따라서 실시 예는 돌출 패턴에 의하여 난반사가 일어나기 때문에, 발광이 균일할 수 있고, 이로 인하여 엘로우 링(yellow ring)과 같은 현상을 방지할 수 있다.
도 14 내지 도 16을 참조할 때, 실시 예는 배광 형상이 날카로워지고, 색 편차가 감소하기 때문에, 엘로우 링과 같은 현상의 발생을 억제하여 품질을 향상시킬 수 있다. 또한 실시 예는 조도 분포의 특성이 저하되지 않는다.
도 17은 다른 실시 예에 따른 발광 소자 패키지(200)의 단면도를 나타낸다.
도 3과 동일한 도면 부호는 동일한 구성을 나타내며, 동일한 구성에 대해서는 설명을 생략하거나, 간략하게 설명한다.
도 17을 참조하면, 발광 소자 패키지(200)는 패키지 몸체(10-1), 제1 리드 프레임(31), 제2 리드 프레임(32), 발광 소자(20), 및 수지층(40)을 포함한다. 패키지 몸체(10-1)는 바닥부(101-1) 및 측벽부(102)를 포함할 수 있다.
바닥부(101-1)는 제1 및 제2 리드 프레임들(31,32) 각각의 상부면(111, 112)의 제1 영역(S11,S12)에 위치하는 제1 부분(303) 및 제1 및 제2 리드 프레임들(31,32) 사이에 위치하는 제2 부분(302)을 포함할 수 있다.
도 3에 도시된 실시 예는 바닥부(101)의 제1 부분(301)은 돌출 패턴을 갖지만, 도 17에 도시된 실시 예의 바닥부(101-1)의 제1 부분(303)은 오목부(75)를 갖는다는 점이 다르다.
바닥부(101-1)의 제1 부분(303)의 표면은 기설정된 곡률을 갖도록 라운드된(rounded) 오목부(75)를 가질 수 있다. 예컨대, 기설정된 곡률은 반지름이 0.4mm ~ 0.5mm인 원의 곡률과 동일할 수 있다.
실시 예는 오목부(75)에 의하여 발광 소자(20)로부터 조사된 빛이 오목부(75)에 의하여 난반사되고, 이로 인하여 색 편차가 감소하기 때문에, 실시 예는 엘로우 링과 같은 현상의 발생을 억제하여 품질을 향상시킬 수 있다.
도 20은 실시 예에 따른 발광 소자 패키지를 포함하는 조명 장치의 분해 사시도이다. 도 20을 참조하면, 조명 장치는 광을 투사하는 광원(750)과, 광원의 열을 방출하는 방열부(740)와, 광원(750)과 방열부(740)를 수납하는 하우징(700)과, 광원(750)과 방열부(740)를 하우징(700)에 결합하는 홀더(760)를 포함한다.
하우징(700)은 전기 소켓(미도시)에 결합되는 소켓 결합부(710)와, 소켓 결합부(710)와 연결되고 광원(750)이 내장되는 몸체부(730)를 포함할 수 있다. 몸체부(730)에는 하나의 공기 유동구(720)가 관통하여 형성될 수 있다.
하우징(700)의 몸체부(730) 상에 복수 개의 공기 유동구(720)가 구비될 수 있으며, 공기 유동구(720)는 하나이거나, 복수 개일 수 있다. 공기 유동구(720)는 몸체부(730)에 방사상으로 배치되거나 다양한 형태로 배치될 수 있다.
광원(750)은 기판(754) 상에 실장되는 복수 개의 발광 소자 패키지(752)를 포함할 수 있다. 기판(754)은 하우징(700)의 개구부에 삽입될 수 있는 형상일 수 있으며, 후술하는 바와 같이 방열부(740)로 열을 전달하기 위하여 열전도율이 높은 물질로 이루어질 수 있다. 예컨대, 발광 소자 패키지(752)는 도 7, 도 12, 또는 도 13에 도시된 돌출 패턴(70, 70-1,70-2)을 가질 수 있고, 돌출 패턴(70, 70-1,70-2)에 포함되는 돌기는 도 8 내지 도 10에 도시된 실시 예들 중 어느 하나일 수 있다.
광원(750)의 하부에는 홀더(760)가 구비되며, 홀더(760)는 프레임 및 다른 공기 유동구를 포함할 수 있다. 또한, 도시되지는 않았으나 광원(750)의 하부에는 광학 부재가 구비되어 광원(750)의 발광 소자 패키지(752)에서 투사되는 빛을 확산, 산란 또는 수렴시킬 수 있다.
도 21은 실시 예에 따른 발광 소자 패키지를 포함하는 표시 장치를 나타낸다. 도 21을 참조하면, 표시 장치(800)는 바텀 커버(810)와, 바텀 커버(810) 상에 배치되는 반사판(820)과, 광을 방출하는 발광 모듈(830, 835)과, 반사판(820)의 전방에 배치되며 상기 발광 모듈(830,835)에서 발산되는 빛을 표시 장치 전방으로 안내하는 도광판(840)과, 도광판(840)의 전방에 배치되는 프리즘 시트들(850,860)을 포함하는 광학 시트와, 광학 시트 전방에 배치되는 디스플레이 패널(870)과, 디스플레이 패널(870)과 연결되고 디스플레이 패널(870)에 화상 신호를 공급하는 화상 신호 출력 회로(872)와, 디스플레이 패널(870)의 전방에 배치되는 컬러 필터(880)를 포함할 수 있다. 여기서 바텀 커버(810), 반사판(820), 발광 모듈(830,835), 도광판(840), 및 광학 시트는 백라이트 유닛(Backlight Unit)을 이룰 수 있다.
발광 모듈은 기판(830) 상에 실장되는 발광 소자 패키지들(835)을 포함할 수 있다. 여기서, 기판(830)은 PCB 등이 사용될 수 있으며, 발광 소자 패키지(835)는 도 7, 도 12, 또는 도 13에 도시된 돌출 패턴(70, 70-1,70-2)을 가질 수 있고, 돌출 패턴(70, 70-1,70-2)에 포함되는 돌기는 도 8 내지 도 10에 도시된 실시 예들 중 어느 하나일 수 있다.
바텀 커버(810)는 표시 장치(800) 내의 구성 요소들을 수납할 수 있다. 그리고, 반사판(820)은 본 도면처럼 별도의 구성요소로 마련될 수도 있으며, 도광판(840)의 후면이나, 바텀 커버(810)의 전면에 반사도가 높은 물질로 코팅되는 형태로 마련되는 것도 가능하다.
여기서, 반사판(820)은 반사율이 높고 초박형으로 사용 가능한 소재를 사용할 수 있고, 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PolyEthylene Terephtalate; PET)를 사용할 수 있다.
도광판(830)은 폴리메틸메타크릴레이트(PolyMethylMethAcrylate; PMMA), 폴리카보네이트(PolyCarbonate; PC), 또는 폴리에틸렌(PolyEthylene; PE) 등으로 형성될 수 있다.
그리고, 제1 프리즘 시트(850)는 지지 필름의 일면에, 투광성이면서 탄성을 갖는 중합체 재료로 형성될 수 있으며, 중합체는 복수 개의 입체구조가 반복적으로 형성된 프리즘층을 가질 수 있다. 여기서, 복수 개의 패턴은 도시된 바와 같이 마루와 골이 반복적으로 스트라이프 타입으로 구비될 수 있다.
그리고, 제2 프리즘 시트(860)에서 지지 필름 일면의 마루와 골의 방향은, 제1 프리즘 시트(850) 내의 지지필름 일면의 마루와 골의 방향과 수직할 수 있다. 이는 발광 모듈과 반사 시트로부터 전달된 빛을 디스플레이 패널(1870)의 전면으로 고르게 분산하기 위함이다.
그리고, 도시되지는 않았으나, 도광판(840)과 제1 프리즘 시트(850) 사이에 확산 시트가 배치될 수 있다. 확산 시트는 폴리에스터와 폴리카보네이트 계열의 재료로 이루어질 수 있으며, 백라이트 유닛으로부터 입사된 빛을 굴절과 산란을 통하여 광 투사각을 최대로 넓힐 수 있다. 그리고, 확산 시트는 광확산제를 포함하는 지지층과, 광출사면(제1 프리즘 시트 방향)과 광입사면(반사시트 방향)에 형성되며 광확산제를 포함하지 않는 제1 레이어와 제2 레이어를 포함할 수 있다.
실시 예에서 확산 시트, 제1 프리즘시트(850), 및 제2 프리즘시트(860)가 광학 시트를 이루는데, 광학 시트는 다른 조합 예를 들어, 마이크로 렌즈 어레이로 이루어지거나 확산 시트와 마이크로 렌즈 어레이의 조합 또는 하나의 프리즘 시트와 마이크로 렌즈 어레이의 조합 등으로 이루어질 수 있다.
디스플레이 패널(870)은 액정 표시 패널(Liquid crystal display)가 배치될 수 있는데, 액정 표시 패널(860) 외에 광원을 필요로 하는 다른 종류의 표시 장치가 구비될 수 있다.
도 22는 실시 예에 따른 발광 소자 패키지를 포함하는 해드 램프(head lamp, 900)를 나타낸다. 도 22를 참조하면, 해드 램프(900)는 발광 모듈(901), 리플터(reflector, 902), 쉐이드(903), 및 렌즈(904)를 포함한다.
발광 모듈(901)은 기판(미도시) 상에 배치되는 발광 소자 패키지를 포함할 수 있다. 이때 발광 모듈(901)에 포함되는 발광 소자 패키지는 도 7, 도 12, 또는 도 13에 도시된 돌출 패턴(70, 70-1,70-2)을 가질 수 있고, 돌출 패턴(70, 70-1,70-2)에 포함되는 돌기는 도 8 내지 도 10에 도시된 실시 예들 중 어느 하나일 수 있다.
리플렉터(902)는 발광 모듈(901)로부터 조사되는 빛(911)을 일정 방향, 예컨대, 전방(912)으로 반사시킬 수 있다.
쉐이드(903)는 리플렉터(902)와 렌즈(904) 사이에 배치되며, 리플렉터(902)에 의하여 반사되어 렌즈(904)로 향하는 빛의 일부분을 차단 또는 반사하여 설계자가 원하는 배광 패턴을 이루도록 하는 부재로서, 쉐이드(903)의 일측부(903-1)와 타측부(903-2)는 서로 높이가 다를 수 있다.
발광 모듈(901)로부터 조사되는 빛은 리플렉터(902) 및 쉐이드(903)에서 반사된 후 렌즈(904)를 투과하여 차체 전방을 향할 수 있다. 렌즈(904)는 리플렉터(902)에 의하여 반사된 빛을 전방으로 굴절시킬 수 있다.
이상에서 실시 예들에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 본 발명의 적어도 하나의 실시 예에 포함되며, 반드시 하나의 실시 예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시 예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시 예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의해 다른 실시 예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
10: 패키지 몸체 20: 발광 소자
31: 제1 리드 프레임 32: 제2 리드 프레임
40: 수지층 70,70-1,70-2: 돌출 패턴
71-1 내지 71-k, 72-1 내지 72-k, 73: 돌기
101: 바닥부 102: 측벽부.
31: 제1 리드 프레임 32: 제2 리드 프레임
40: 수지층 70,70-1,70-2: 돌출 패턴
71-1 내지 71-k, 72-1 내지 72-k, 73: 돌기
101: 바닥부 102: 측벽부.
Claims (12)
- 제1 리드 프레임 및 제2 리드 프레임;
상기 제1 리드 프레임 및 상기 제2 리드 프레임과 전기적으로 연결되는 발광 소자; 및
상기 제1 리드 프레임 및 상기 제2 리드 프레임 상에 배치되고, 바닥부 및 상기 발광 소자 주위에 위치하는 측벽부를 포함하는 패키지 몸체를 포함하고,
상기 제1 리드 프레임의 상면은 상기 바닥부로부터 노출되는 제1 부분을 가지며, 상기 제2 리드 프레임의 상면은 상기 바닥부로부터 노출되는 제1 부분을 가지며,
상기 발광 소자는 상기 제1 및 제2 리드 프레임들의 제1 부분들 상에 배치되고,
상기 바닥부의 상면은 상기 제1 및 제2 리드 프레임들 각각의 제1 부분을 둘러싸고, 상기 바닥부의 상면에는 서로 이격되는 제1 돌출 라인들과 서로 이격되는 제2 돌출 라인들이 형성되고,
상기 제1 돌출 라인들과 상기 제2 돌출 라인들은 직교하고,
상기 제1 돌출 라인들 각각은 복수의 제1 돌기들을 포함하고,
상기 제2 돌출 라인들 각각은 복수의 제2 돌기들을 포함하고,
상기 제1 돌기들과 제2 돌기들은 상기 제1 및 제2 리드 프레임들의 제1 부분들을 감싸도록 배치되는 발광 소자 패키지. - 제1항에 있어서,
상기 제1 돌출 라인들 각각의 길이 방향은 상기 제1 리드 프레임에서 상기 제2 리드 프레임으로 향하는 방향과 수직인 방향이고,
상기 제2 돌출 라인들 각각의 길이 방향은 상기 제1 리드 프레임에서 상기 제2 리드 프레임으로 향하는 방향과 평행한 방향인 발광 소자 패키지. - 삭제
- 삭제
- 삭제
- 제1항에 있어서,
상기 제1 돌기들은 서로 이격되고, 상기 제2 돌기들은 서로 이격되는 발광 소자 패키지. - 제1항에 있어서,
상기 제1 돌기들은 서로 접하고, 상기 제2 돌기들은 서로 접하는 발광 소자 패키지. - 삭제
- 삭제
- 제2항에 있어서
상기 제1 및 제2 리드 프레임들 각각의 상면의 제1 영역에는 제1 홈이 형성되고, 상기 바닥부는 상기 제1 홈 내에 배치되고, 상기 제1 돌출 라인들과 상기 제2 돌출 라인들은 상기 제1 홈 상에 배치되고,
상기 제1 및 제2 리드 프레임들 각각의 상면의 제2 영역에는 제2 홈이 형성되고, 상기 측벽부의 하면에는 상기 제2 홈에 삽입되는 돌기가 형성된 발광 소자 패키지. - 삭제
- 삭제
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
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| PA0109 | Patent application |
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| PA0201 | Request for examination |
Patent event code: PA02012R01D Patent event date: 20171222 Comment text: Request for Examination of Application Patent event code: PA02011R01I Patent event date: 20130108 Comment text: Patent Application |
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| PE0902 | Notice of grounds for rejection |
Comment text: Notification of reason for refusal Patent event date: 20181012 Patent event code: PE09021S01D |
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Patent event code: PE07011S01D Comment text: Decision to Grant Registration Patent event date: 20190322 |
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Comment text: Registration of Establishment Patent event date: 20190523 Patent event code: PR07011E01D |
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