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KR101977759B1 - Exhaust assembly and Apparatus for treating substrate - Google Patents

Exhaust assembly and Apparatus for treating substrate Download PDF

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KR101977759B1
KR101977759B1 KR1020170101091A KR20170101091A KR101977759B1 KR 101977759 B1 KR101977759 B1 KR 101977759B1 KR 1020170101091 A KR1020170101091 A KR 1020170101091A KR 20170101091 A KR20170101091 A KR 20170101091A KR 101977759 B1 KR101977759 B1 KR 101977759B1
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South Korea
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duct
exhaust duct
integrated exhaust
airflow
processing space
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이영준
강동훈
김형준
이옥성
김치현
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세메스 주식회사
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Abstract

본 발명은 기판을 처리하는 장치를 제공한다. 기판 처리 장치는 내부에 기판을 처리하는 제1 처리 공간을 가지는 제1 챔버; 내부에 기판을 처리하는 제2 처리 공간을 가지는 제2 챔버; 및 상기 제1 처리 공간 및 제2 처리 공간 각각을 배기하는 배기 어셈블리를 포함하되; 상기 배기 어셈블리는 통합 배기 덕트; 상기 통합 배기 덕트를 감압하는 감압 부재; 상기 제1 처리 공간과 상기 통합 배기 덕트를 연결하는 제1 연결 덕트; 및 상기 제1 처리 공간과 상기 통합 배기 덕트를 연결하는 제1 연결 덕트를 포함하며, 상기 통합 배기 덕트는 제1연결 덕트를 통해 유입되는 제1기류가 상기 제2연결 덕트를 통해 유입되는 제2기류와 충돌되지 않도록 상기 제1기류의 방향을 안내하는 기류 안내부재를 포함할 수 있다. The present invention provides an apparatus for processing a substrate. The substrate processing apparatus includes: a first chamber having a first processing space for processing a substrate therein; A second chamber having a second processing space for processing the substrate therein; And an exhaust assembly for exhausting each of the first processing space and the second processing space; The exhaust assembly includes an integrated exhaust duct; A decompression member for decompressing the integrated exhaust duct; A first connection duct connecting the first processing space and the integrated exhaust duct; And a first connection duct connecting the first processing space and the integrated exhaust duct, wherein the integrated exhaust duct includes a first connection duct and a second connection duct, wherein the first airflow introduced through the first connection duct is connected to the second connection duct through the second connection duct, And an airflow guiding member for guiding the direction of the first airflow so as not to collide with the airflow.

Description

배기 어셈블리 및 이를 갖는 기판 처리 장치{Exhaust assembly and Apparatus for treating substrate}[0001] The present invention relates to an exhaust assembly and a substrate processing apparatus having the same,

본 발명은 기판을 처리하는 장치에 관한 것이다.The present invention relates to an apparatus for processing a substrate.

반도체 소자를 제조하기 위해서는 세정, 증착, 사진, 식각, 그리고 이온주입 등과 같은 다양한 공정이 수행된다. 다양한 공정들은 순서에 맞춰 진행되며, 기판은 그 순서에 맞게 각각의 챔버에 순차적으로 반송된다. 챔버의 내부에는 처리 공간이 제공되며, 이 처리 공간은 일정한 분위기를 유지하기 위해 배기된다.Various processes such as cleaning, deposition, photolithography, etching, and ion implantation are performed to manufacture semiconductor devices. Various processes are carried out in sequence, and the substrates are sequentially conveyed to the respective chambers in accordance with the order. A processing space is provided inside the chamber, and the processing space is evacuated to maintain a constant atmosphere.

일반적으로 처리 공간은 배기 어셈블리에 의해 배기되며, 배기 어셈블리는 동일한 공정을 수행하는 복수 개의 챔버들을 각각 배기한다. Generally, the process space is evacuated by the exhaust assembly, which exhausts each of the plurality of chambers performing the same process.

도 1은 일반적인 배기 어셈블리를 보여주는 단면도이고, 도 2는 배기 덕트에서 기류의 간섭 현상을 보여주는 도면이다. FIG. 1 is a sectional view showing a general exhaust assembly, and FIG. 2 is a view showing an air current interference phenomenon in an exhaust duct.

도 1 및 도 2를 참조하면, 배기 어셈블리(4)는 배기 덕트(6) 및 감압 부재(8)를 포함한다. 배기 덕트(6)는 챔버들(2)에 각각 병렬 연결되며, 감압 부재(8)는 배기 덕트(6)를 감압한다. 이에 따라 챔버(2)의 내부 분위기는 배기 덕트(6)를 통해 배기된다. Referring to Figs. 1 and 2, the exhaust assembly 4 includes an exhaust duct 6 and a pressure-reducing member 8. The exhaust duct 6 is connected in parallel to each of the chambers 2, and the pressure-reducing member 8 decompresses the exhaust duct 6. Thus, the interior atmosphere of the chamber 2 is exhausted through the exhaust duct 6.

이러한 기존 배기 덕트(6)는 구조 편의상 그 단면이 사각형이며, 길이방향을 따라 위에서 아래 방향으로 배기된다. 그러나, 챔버(2)의 배기 기류는 배기 덕트(6)의 내측면에 충돌한 후 아래 방향으로 배기된다. 또한, 하층에 위치된 챔버(2)의 배기 기류는 배기 덕트(6)에 유입되는 과정에서 상층에 위치한 챔버의 배기 기류와 간섭된다. 즉, 간섭된 배기 기류에 의해 와류가 발생되며, 이는 각 챔버의 배기를 방해하는 원인이 된다. 이로 인해 챔버들의 배기 효율이 저하되고 챔버들 각각의 배기가 불균일해지며, 불균일한 기류 흐름으로 인해 배기 덕트(6) 내부에 퓸(fume)이 증착하기 쉽고 이로 인해 PM 주기가 짧아지는 문제점이 발생된다.The existing exhaust duct 6 is quadrangular in cross section for convenience of the structure and is exhausted from the top to the bottom along the longitudinal direction. However, the exhaust airflow of the chamber 2 collides with the inner surface of the exhaust duct 6 and is exhausted downward. In addition, the exhaust airflow of the chamber 2 located in the lower layer interferes with the exhaust airflow of the chamber located in the upper layer in the process of being introduced into the exhaust duct 6. That is, a vortex is generated by the interfered exhaust air flow, which causes the exhaust of each chamber to be interrupted. As a result, the exhaust efficiency of the chambers is reduced and the exhaust of each of the chambers becomes uneven, and fume is easily deposited inside the exhaust duct 6 due to a non-uniform flow of airflow, thereby shortening the PM cycle do.

한국 공개 특허 2007-0005817Korean Published Patent 2007-0005817

본 발명은 챔버의 내부 공간에 대한 배기 효율을 향상시킬 수 있는 장치를 제공하고자 한다.An object of the present invention is to provide an apparatus capable of improving the exhaust efficiency with respect to the internal space of a chamber.

또한 본 발명은 챔버의 배기 기류가 배기되는 과정에서 배기 덕트에 충돌되는 것을 방지할 수 있는 장치를 제공하고자 한다.Another object of the present invention is to provide an apparatus for preventing the exhaust airflow of a chamber from colliding with an exhaust duct during exhausting.

또한 본 발명은 2 이상의 배기 기류들이 서로 간섭되는 것을 최소화할 수 있는 장치를 제공하고자 한다.It is another object of the present invention to provide an apparatus capable of minimizing interference between two or more exhaust air streams.

또한, 본 발명은 흄 증착을 방지할 수 있는 장치를 제공하고자 한다. The present invention also provides an apparatus capable of preventing fume deposition.

본 발명의 목적은 여기에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 목적들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The objects of the present invention are not limited thereto, and other objects not mentioned can be clearly understood by those skilled in the art from the following description.

본 발명의 일측면에 따르면, 내부에 기판을 처리하는 제1 처리 공간을 가지는 제1 챔버; 내부에 기판을 처리하는 제2 처리 공간을 가지는 제2 챔버; 및 상기 제1 처리 공간 및 제2 처리 공간 각각을 배기하는 배기 어셈블리를 포함하되; 상기 배기 어셈블리는 통합 배기 덕트; 상기 통합 배기 덕트를 감압하는 감압 부재; 상기 제1 처리 공간과 상기 통합 배기 덕트를 연결하는 제1 연결 덕트; 및 상기 제1 처리 공간과 상기 통합 배기 덕트를 연결하는 제1 연결 덕트를 포함하며, 상기 통합 배기 덕트는 제1연결 덕트를 통해 유입되는 제1기류가 상기 제2연결 덕트를 통해 유입되는 제2기류와 충돌되지 않도록 상기 제1기류의 방향을 안내하는 기류 안내부재를 포함하는 기판 처리 장치가 제공될 수 있다.According to an aspect of the present invention, there is provided a plasma processing apparatus comprising: a first chamber having a first processing space for processing a substrate therein; A second chamber having a second processing space for processing the substrate therein; And an exhaust assembly for exhausting each of the first processing space and the second processing space; The exhaust assembly includes an integrated exhaust duct; A decompression member for decompressing the integrated exhaust duct; A first connection duct connecting the first processing space and the integrated exhaust duct; And a first connection duct connecting the first processing space and the integrated exhaust duct, wherein the integrated exhaust duct includes a first connection duct and a second connection duct, wherein the first airflow introduced through the first connection duct is connected to the second connection duct through the second connection duct, There is provided a substrate processing apparatus including an airflow guiding member for guiding the direction of the first airflow so as not to collide with an airflow.

또한, 상기 제2 챔버는 상기 제1챔버 아래에 배치되고, 상기 통합 배기 덕트는 그 단면이 원형이며, 위에서 아래로 흐르는 배기 흐름을 제공할 수 있다.In addition, the second chamber is disposed below the first chamber, and the integrated exhaust duct is circular in cross section and can provide an exhaust flow flowing from top to bottom.

또한, 상기 통합 배기 덕트는 상기 제1연결 덕트가 연결되는 제1연결홀; 및 상기 제2연결 덕트가 연결되는 제2연결홀을 포함하고, 상기 기류 안내부재는 상기 제2연결홀 상부에 위치될 수 있다.The integrated exhaust duct may include a first connection hole to which the first connection duct is connected; And a second connection hole to which the second connection duct is connected, and the airflow guide member may be positioned above the second connection hole.

또한, 상기 기류 안내 부재는 삼각 형상을 가질 수 있다.Further, the airflow guiding member may have a triangular shape.

또한, 상기 제1 연결덕트와 상기 제2 연결 덕트는 소용돌기 기류 형성을 위해 상기 통합 배기 덕트의 내경에 접선방향으로 연결될 수 있다.The first connection duct and the second connection duct may be tangentially connected to the inner diameter of the integrated exhaust duct to form a small protrusion airflow.

또한, 상기 통합 배기 덕트는 소용돌이 기류 형성을 위해 내주면에 나선형 유로가 형성될 수 있다.In addition, the integrated exhaust duct may be formed with a helical flow path on the inner circumferential surface to form a swirl flow.

또한, 상기 나선형 유로는 상기 통합 배기 덕트의 내주면으로부터 돌출된 나선형 돌기들에 의해 제공될 수 있다.Further, the helical flow path may be provided by spiral protrusions protruding from the inner circumferential surface of the integrated exhaust duct.

또한, 상기 나선형 유로는 상기 통합 배기 덕트의 내주면에 음각된 나선형 홈들에 의해 제공될 수 있다.Further, the helical flow path may be provided by helical grooves engraved on the inner circumferential surface of the integrated exhaust duct.

본 발명의 다른 측면에 따르면, 수직방향으로 설치되고, 배기 통로를 갖는 통합 배기 덕트; 및 기판 처리가 이루어지는 챔버들과 상기 통합 배기 덕트를 연결하는 연결 덕트들을 포함하되; 상기 통합 배기 덕트는 상기 배기 통로를 흐르는 선 기류가 상기 연결 덕트를 통해 유입되는 후 기류와 충돌하지 않도록 상기 선 기류의 방향을 안내하는 기류 안내부재를 포함하는 배기 어셈블리가 제공될 수 있다.According to another aspect of the present invention, there is provided an exhaust gas purification apparatus comprising: an integrated exhaust duct installed in a vertical direction and having an exhaust passage; And connection ducts connecting the integrated exhaust ducts with the chambers in which the substrate processing is performed; The integrated exhaust duct may include an exhaust assembly including an airflow guide member for guiding the direction of the pre-flow so that the pre-flow of air flowing through the exhaust passage does not collide with the flow of air flowing through the connection duct.

또한, 상기 통합 배기 덕트는 그 단면이 원형일 수 있다.In addition, the integrated exhaust duct may have a circular cross section.

또한, 상기 통합 배기 덕트는 상기 연결 덕트들과 연결되는 연결홀들이 수직방향으로 서로 이격되어 배치될 수 있다.In the integrated exhaust duct, the connection holes connected to the connection ducts may be disposed apart from each other in the vertical direction.

또한, 상기 기류 안내 부재는 삼각 형상을 가질 수 있다.Further, the airflow guiding member may have a triangular shape.

또한, 상기 연결덕트는 소용돌기 기류 형성을 위해 상기 통합 배기 덕트의 내경에 접선방향으로 연결될 수 있다.The connecting duct may be tangentially connected to the inner diameter of the integrated exhaust duct to form a small protrusion airflow.

또한, 상기 통합 배기 덕트는 소용돌이 기류 형성을 위해 내주면에 나선형 유로가 형성될 수 있다. In addition, the integrated exhaust duct may be formed with a helical flow path on the inner circumferential surface to form a swirl flow.

또한, 상기 나선형 유로는 상기 통합 배기 덕트의 내주면으로부터 돌출된 나선형 돌기들 또는 상기 통합 배기 덕트의 내주면에 음각된 나선형 홈들에 의해 제공될 수 있다. The spiral flow path may be provided by spiral protrusions protruding from the inner circumferential surface of the integrated exhaust duct or spiral grooves engraved on the inner circumferential surface of the integrated exhaust duct.

본 발명의 실시예에 의하면. 기류 안내부재가 제1연결 덕트를 통해 유입되어 통합 배기 덕트의 배기 통로로 흐르는 제1기류의 방향을 틀어줌으로써 제2연결 덕트를 통해 유입되는 제2기류와의 자연스럽게 합류되어 하나의 기류가 되어 흐르게 되는 각별한 효과를 갖는다.According to an embodiment of the present invention. The airflow guiding member flows through the first connecting duct and turns the direction of the first airflow flowing into the exhaust passage of the integrated exhaust duct to naturally join with the second airflow flowing through the second connecting duct to flow as one airflow It has a remarkable effect.

본 발명의 실시예에 의하면, 통합 배기 덕트에 기류가 유입되는 동시에 빠르게 회전하도록 소용돌이 기류를 발생시키는 구조적인 특징을 가짐으로써 통합 배기 덕트에서 소용돌이 기류는 아래로 갈수록 강해지게 되면서 덕트 내부에 정체 구간이 발생되지 않아 흄이 덕트 내주면에 증착되는 것을 방지할 수 있다. According to the embodiment of the present invention, since the eddy current flows in the integrated exhaust duct and the eddy current is generated so as to rotate rapidly, the eddy current in the integrated exhaust duct becomes stronger as it goes downward, It is possible to prevent the fume from being deposited on the inner circumferential surface of the duct.

도 1은 일반적인 배기 어셈블리를 보여주는 단면도이다.
도 2는 배기 덕트에서 기류의 간섭 현상을 보여주는 도면이다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 설비를 보여주는 평면도이다.
도 4는 도 3의 도포 챔버를 보여주는 단면도이다.
도 5는 도 3의 가열 유닛을 보여주는 단면도이다.
도 6은 배기 어셈블리를 보여주는 단면도이다.
도 7은 배기 어셈블리의 평면도이다.
도 8은 통합 배기 덕트의 단면도이다.
도 9는 통합 배기 덕트에서의 기류 흐름을 보여주는 도면이다.
도 10은 통합 배기 덕트의 다른 예를 보여주는 도면이다.
1 is a sectional view showing a general exhaust assembly;
FIG. 2 is a view showing an air current interference phenomenon in an exhaust duct. FIG.
3 is a plan view showing a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
Fig. 4 is a cross-sectional view showing the application chamber of Fig. 3;
5 is a cross-sectional view showing the heating unit of Fig.
6 is a cross-sectional view showing the exhaust assembly.
7 is a top view of the exhaust assembly.
8 is a cross-sectional view of the integrated exhaust duct.
9 is a view showing the flow of air in the integrated exhaust duct.
10 is a view showing another example of the integrated exhaust duct.

이하, 본 발명의 실시 예를 첨부된 도면을 참조하여 더욱 상세히 설명한다. 본 발명의 실시 예는 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래의 실시 예들로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시 예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해 과장되었다. Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. The embodiments of the present invention may be modified in various forms, and the scope of the present invention should not be construed as being limited to the following embodiments. This embodiment is provided to more fully describe the present invention to those skilled in the art. Thus, the shape of the elements in the figures has been exaggerated to emphasize a clearer description.

본 실시예의 설비는 반도체 웨이퍼 또는 평판 표시 패널과 같은 기판에 대해 포토리소그래피 공정을 수행하는 데 사용될 수 있다. 특히 본 실시예의 설비는 노광장치에 연결되어 기판에 대해 도포 공정 및 현상 공정을 수행하는 데 사용될 수 있다. 아래에서는 기판으로 웨이퍼가 사용된 경우를 예로 들어 설명한다.The facilities of this embodiment can be used to perform a photolithography process on a substrate such as a semiconductor wafer or a flat panel display panel. In particular, the apparatus of this embodiment can be used to perform a coating process and a developing process on a substrate, which is connected to an exposure apparatus. Hereinafter, a case where a wafer is used as a substrate will be described as an example.

도 3은 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 설비를 보여주는 평면도이다. 3 is a plan view showing a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 3을 참조하면, 기판 처리 설비(1)는 인덱스 모듈(10)과 공정 처리 모듈(20)을 가진다. Referring to FIG. 3, the substrate processing apparatus 1 has an index module 10 and a processing module 20.

인덱스 모듈(10)은 로드 포트(120) 및 이송 프레임(140)을 가진다. 로드 포트(120), 이송 프레임(140), 그리고 공정 처리 모듈(20)은 순차적으로 일렬로 배열된다. 이하, 로드 포트(120), 이송 프레임(140), 그리고 공정 처리 모듈(20)이 배열된 방향을 제1방향(12)이라 하고, 상부에서 바라볼 때, 제1방향(12)과 수직한 방향을 제2방향(14)이라 하며, 제1방향(12)과 제2방향(14)을 포함한 평면에 수직인 방향을 제3방향(16)이라 칭한다.The index module 10 has a load port 120 and a transfer frame 140. The load port 120, the transfer frame 140, and the process module 20 are sequentially arranged in a line. The direction in which the load port 120, the transfer frame 140 and the processing module 20 are arranged is referred to as a first direction 12 and a direction perpendicular to the first direction 12 Direction is referred to as a second direction 14 and a direction perpendicular to the plane including the first direction 12 and the second direction 14 is referred to as a third direction 16. [

로드 포트(120)에는 기판(W)이 수납된 캐리어(130)가 안착된다. 로드 포트(120)는 복수 개가 제공되며 이들은 제2방향(14)을 따라 일렬로 배치된다. 로드 포트(120)의 개수는 공정 처리 모듈(20)의 공정 효율 및 풋 프린트조건 등에 따라 증가하거나 감소할 수도 있다. 캐리어(130)에는 기판(W)들을 지면에 대해 수평하게 배치한 상태로 수납하기 위한 다수의 슬롯(미도시)이 형성된다. 캐리어(130)로는 전면 개방 일체형 포드(Front Opening Unifed Pod;FOUP)가 사용될 수 있다. The carrier 130 in which the substrate W is accommodated is mounted on the load port 120. A plurality of load ports 120 are provided, and they are arranged in a line along the second direction 14. The number of load ports 120 may increase or decrease depending on the process efficiency and footprint conditions of the process module 20 and the like. A plurality of slots (not shown) are formed in the carrier 130 for accommodating the substrates W horizontally with respect to the paper surface. As the carrier 130, a front opening unified pod (FOUP) may be used.

공정 처리 모듈(20)은 버퍼 유닛(220), 이송 챔버(240), 도포 챔버(260), 베이크 챔버(280), 그리고 배기 어셈블리(700)를 가진다. 이송 챔버(240)는 그 길이 방향이 제 1 방향(12)과 평행하게 배치된다. 이송 챔버(240)의 일측에는 도포 챔버들(260)이 배치되고, 타측에는 베이크 챔버들(280)이 배치될 수 있다. 도포 챔버들(260) 및 베이크 챔버들(280)은 이송 챔버(240)를 기준으로 대칭되도록 제공될 수 있다. 도포 챔버들(260) 및 베이크 챔버들(280) 각각의 일부는 이송 챔버(240)의 길이 방향을 따라 배치된다. 또한, 도포 챔버들(260) 및 베이크 챔버들(280) 각각의 일부는 서로 적층되게 배치될 수 있다. 즉, 이송 챔버(240)의 일측에는 도포 챔버들(260)이 A X B의 배열로 배치되고, 타측에는 베이크 챔버들(280)이 A X B의 배열로 배치될 수 있다. 여기서 A는 제1방향(12)을 따라 일렬로 제공된 도포 챔버(260) 및 베이크 챔버(280)의 수이고, B는 제3방향(16)을 따라 일렬로 제공된 도포 챔버(260) 및 베이크 챔버(280)의 수이다. 이송 챔버(240)의 일측에 도포 챔버(260)가 4개 또는 6개 제공되는 경우, 도포 챔버들(260)은 2 X 2 또는 3 X 2의 배열로 배치될 수 있다.The processing module 20 has a buffer unit 220, a transfer chamber 240, an application chamber 260, a bake chamber 280, and an exhaust assembly 700. The transfer chamber 240 is disposed such that its longitudinal direction is parallel to the first direction 12. The application chambers 260 may be disposed on one side of the transfer chamber 240 and the bake chambers 280 may be disposed on the other side. The application chambers 260 and the bake chambers 280 may be provided to be symmetrical with respect to the transfer chamber 240. A portion of each of the application chambers 260 and the bake chambers 280 is disposed along the longitudinal direction of the transfer chamber 240. Further, a part of each of the application chambers 260 and the bake chambers 280 may be arranged so as to be stacked on each other. That is, on one side of the transfer chamber 240, the application chambers 260 are arranged in the arrangement of A X B and on the other side the bake chambers 280 are arranged in the arrangement of A X B. Where A is the number of application chambers 260 and bake chambers 280 provided in a row along the first direction 12 and B is the number of application chambers 260 and bake chambers 25 provided in a row along the third direction 16, (280). When four or six application chambers 260 are provided on one side of the transfer chamber 240, the application chambers 260 may be arranged in an array of 2 X 2 or 3 X 2.

또한 이송 챔버(240)의 타측에 베이크 챔버(280)가 4개 또는 6개 제공되는 경우, 베이크 챔버들(280)은 2 X 2 또는 3 X 2의 배열로 배치될 수 있다. 도포 챔버(260) 및 베이크 챔버(280)의 개수는 증가하거나 감소할 수도 있다.Further, when four or six bake chambers 280 are provided on the other side of the transfer chamber 240, the bake chambers 280 may be arranged in an array of 2 X 2 or 3 X 2. The number of application chambers 260 and the number of bake chambers 280 may increase or decrease.

버퍼 유닛(220)은 이송 프레임(140)과 이송 챔버(240) 사이에 배치된다. 버퍼 유닛(220)은 이송 챔버(240)와 이송 프레임(140) 간에 기판(W)이 반송되기 전에 기판(W)이 머무르는 공간을 제공한다. 버퍼 유닛(220)의 내부에는 기판(W)이 놓이는 슬롯(미도시)이 제공된다. 슬롯(미도시)들은 서로 간에 제3방향(16)을 따라 이격되도록 복수 개가 제공된다. 버퍼 유닛(220)은 이송 프레임(140)과 마주보는 면 및 이송 챔버(240)와 마주보는 면이 개방된다. The buffer unit 220 is disposed between the transfer frame 140 and the transfer chamber 240. The buffer unit 220 provides a space for the substrate W to stay before the transfer of the substrate W between the transfer chamber 240 and the transfer frame 140. [ In the buffer unit 220, a slot (not shown) in which the substrate W is placed is provided. A plurality of slots (not shown) are provided to be spaced along the third direction 16 from each other. The buffer unit 220 is opened on the side facing the transfer frame 140 and on the side facing the transfer chamber 240.

이송 프레임(140)은 로드 포트(120)에 안착된 캐리어(130)와 버퍼 유닛(220) 간에 기판(W)을 반송한다. 이송 프레임(140)에는 인덱스 레일(142)과 인덱스 로봇(144)이 제공된다. 인덱스 레일(142)은 그 길이 방향이 제2방향(14)과 나란하게 제공된다. 인덱스 로봇(144)은 인덱스 레일(142) 상에 설치되며, 인덱스 레일(142)을 따라 제2방향(14)으로 직선 이동된다. 인덱스 로봇(144)은 베이스(144a), 몸체(144b), 그리고 인덱스암(144c)을 가진다. The transfer frame 140 transfers the substrate W between the buffer unit 220 and the carrier 130 that is seated on the load port 120. The transfer frame 140 is provided with an index rail 142 and an index robot 144. The index rail 142 is provided so that its longitudinal direction is parallel to the second direction 14. The index robot 144 is installed on the index rail 142 and is linearly moved along the index rail 142 in the second direction 14. The index robot 144 has a base 144a, a body 144b, and an index arm 144c.

베이스(144a)는 인덱스 레일(142)을 따라 이동 가능하도록 설치된다. 몸체(144b)는 베이스(144a)에 결합된다. 몸체(144b)는 베이스(144a) 상에서 제3방향(16)을 따라 이동 가능하도록 제공된다. 또한, 몸체(144b)는 베이스(144a) 상에서 회전 가능하도록 제공된다. 인덱스암(144c)은 몸체(144b)에 결합되고, 몸체(144b)에 대해 전진 및 후진 이동 가능하도록 제공된다. 인덱스암(144c)은 복수 개 제공되어 각각 개별 구동되도록 제공된다. 인덱스암(144c)들은 제3방향(16)을 따라 서로 이격된 상태로 적층되게 배치된다. 인덱스암(144c)들 중 일부는 공정처리 모듈(20)에서 캐리어(130)로 기판(W)을 반송할 때 사용되고, 이의 다른 일부는 캐리어(130)에서 공정 처리모듈(20)로 기판(W)을 반송할 때 사용될 수 있다. 이는 인덱스 로봇(144)이 기판(W)을 반입 및 반출하는 과정에서 공정 처리 전의 기판(W)으로부터 발생된 파티클이 공정 처리 후의 기판(W)에 부착되는 것을 방지할 수 있다. The base 144a is installed so as to be movable along the index rail 142. The body 144b is coupled to the base 144a. The body 144b is provided to be movable along the third direction 16 on the base 144a. Also, the body 144b is provided to be rotatable on the base 144a. The index arm 144c is coupled to the body 144b and is provided to be movable forward and backward relative to the body 144b. A plurality of index arms 144c are provided and each is provided to be individually driven. The index arms 144c are stacked in a state of being spaced from each other along the third direction 16. Some of the index arms 144c are used to transfer the substrate W from the processing module 20 to the carrier 130 and another portion of the index arms 144c from the carrier 130 to the processing module 20, ). ≪ / RTI > This can prevent the particles generated from the substrate W before the process processing from adhering to the substrate W after the process processing in the process of loading and unloading the substrate W by the index robot 144. [

이송 챔버(240)는 버퍼 유닛(220)과 도포 챔버(260) 간에, 도포 챔버(260)와 베이크 챔버(280) 간에, 베이크 챔버(280)들 간에, 그리고 도포 챔버(260)들 간에 기판(W)을 반송한다. 이송 챔버(240)에는 가이드 레일(242)과 메인 로봇(244)이 제공된다. 가이드 레일(242)은 그 길이 방향이 제1방향(12)과 나란하도록 배치된다. 메인 로봇(244)은 가이드 레일(242) 상에 설치되고, 가이드 레일(242) 상에서 제1방향(12)을 따라 직선 이동된다. 메인로봇(244)은 베이스(244a), 몸체(244b), 그리고 메인암(244c)을 가진다. 베이스(244a)는 가이드 레일(242)을 따라 이동 가능하도록 설치된다. 몸체(244b)는 베이스(244a)에 결합된다. 몸체(244b)는 베이스(244a) 상에서 제3방향(16)을 따라 이동 가능하도록 제공된다. 또한, 몸체(244b)는 베이스(244a) 상에서 회전 가능하도록 제공된다. 메인암(244c)은 몸체(244b)에 결합되고, 이는 몸체(244b)에 대해 전진 및 후진 이동 가능하도록 제공된다.The transfer chamber 240 is connected between the buffer unit 220 and the application chamber 260, between the application chamber 260 and the bake chamber 280, between the bake chambers 280 and between the application chambers 260 W). The transfer chamber 240 is provided with a guide rail 242 and a main robot 244. The guide rails 242 are arranged so that their longitudinal directions are parallel to the first direction 12. The main robot 244 is installed on the guide rails 242 and is linearly moved along the first direction 12 on the guide rails 242. The main robot 244 has a base 244a, a body 244b, and a main arm 244c. The base 244a is installed so as to be movable along the guide rail 242. The body 244b is coupled to the base 244a. The body 244b is provided to be movable along the third direction 16 on the base 244a. Body 244b is also provided to be rotatable on base 244a. The main arm 244c is coupled to the body 244b, which is provided for forward and backward movement relative to the body 244b.

메인암(244c)은 복수 개 제공되어 각각 개별 구동되도록 제공된다. 메인암들(244c)은 제3방향(16)을 따라 서로 이격된 상태로 적층되게 배치된다.A plurality of main arms 244c are provided and each is provided to be individually driven. The main arms 244c are stacked in a state of being spaced from each other along the third direction 16.

도포 챔버(260)에는 기판(W) 상에 막을 형성하는 막 형성 공정을 수행한다. 각각의 도포 챔버(260) 내에는 동일한 구조의 장치(도 4에 도시됨)가 제공된다. 다만, 각 장치는 수행하는 공정의 종류에 따라 상이한 구조를 가질 수 있다. 선택적으로 도포 챔버들(260)은 복수 개의 그룹으로 구분되어, 동일한 그룹에 속하는 도포 챔버(260) 내에 장치들(300)은 서로 동일하고, 서로 상이한 그룹에 속하는 도포 챔버(260) 내에 장치의 구조는 서로 상이하게 제공될 수 있다.In the application chamber 260, a film forming process for forming a film on the substrate W is performed. In each of the application chambers 260, an apparatus of the same structure (shown in Fig. 4) is provided. However, each device may have a different structure depending on the type of process to be performed. Optionally, the application chambers 260 are divided into a plurality of groups such that the devices 300 in the application chamber 260 belonging to the same group are identical to one another, and the structure of the device within the application chamber 260 belonging to different groups May be provided differently from each other.

도 4는 도 3의 도포 챔버를 보여주는 단면도이다. Fig. 4 is a cross-sectional view showing the application chamber of Fig. 3;

도 4를 참조하면, 도포 챔버(260)는 기판(W) 상에 하드 마스크막과 같은 박막을 형성한다. 일 예에 의하면, 도포 챔버(260)는 스핀 온 하드 마스크(SOH: Spin-On Hard mask 이하 도포) 공정을 수행할 수 있다. 도포 챔버(260)는 하우징(810), 기류 제공 유닛(820), 기판 지지 유닛(830), 처리 용기(850), 승강 유닛(890), 그리고 액 공급 유닛(840)을 포함한다. Referring to FIG. 4, the application chamber 260 forms a thin film, such as a hard mask film, on a substrate W. According to an example, the application chamber 260 may perform a spin-on hard mask (SOH) process. The application chamber 260 includes a housing 810, an airflow providing unit 820, a substrate support unit 830, a processing vessel 850, a lift unit 890, and a liquid supply unit 840.

하우징(810)은 내부에 공간(812)을 가지는 직사각의 통 형상으로 제공된다. 하우징(810)의 일측에는 개구(미도시)가 형성된다. 개구는 기판(W)이 반출입되는 입구로 기능한다. 개구에는 도어가 설치되며, 도어는 개구를 개폐한다. 도어는 기판 처리 공정이 진행되면, 개구를 차단하여 하우징(810)의 내부 공간(812)을 밀폐한다. 하우징(810)의 하부면에는 내측 배기구(814) 및 외측 배기구(816)가 형성된다. 하우징(810) 내에 형성된 기류는 내측 배기구(814) 및 외측 배기구(816)를 통해 외부로 배기된다. 일 예에 의하면, 처리 용기(850) 내에 제공된 기류는 내측 배기구(814)를 통해 배기되고, 처리 용기(850)의 외측에 제공된 기류는 외측 배기구(816)를 통해 배기될 수 있다.The housing 810 is provided in a rectangular tubular shape having a space 812 therein. An opening (not shown) is formed at one side of the housing 810. The opening serves as an inlet through which the substrate W is carried in and out. The opening is provided with a door, and the door opens and closes the opening. When the substrate processing process is performed, the door is closed to seal the inner space 812 of the housing 810. An inner exhaust port 814 and an outer exhaust port 816 are formed on the lower surface of the housing 810. The airflow formed in the housing 810 is exhausted to the outside through the inner exhaust port 814 and the outer exhaust port 816. According to one example, the airflow provided in the processing vessel 850 is exhausted through the inner exhaust port 814, and the airflow provided outside the processing vessel 850 can be exhausted through the outer exhaust port 816.

기류 제공 유닛(820)은 하우징(810)의 내부 공간에 하강 기류를 형성한다. 기류 제공 유닛(820)은 기류 공급 라인(822), 팬(824), 그리고 필터(826)를 포함한다. 기류 공급 라인(822)은 하우징(810)에 연결된다. 기류 공급라인(822)은 외부의 에어를 하우징(810)에 공급한다. 필터(826)는 기류 공급 라인(822)으로부터 제공되는 에어를 필터(826)링 한다. 필터(826)는 에어에 포함된 불순물을 제거한다. 팬(824)은 하우징(810)의 상부면에 설치된다. 팬(824)은 하우징(810)의 상부면에서 중앙 영역에 위치된다. 팬(824)은 하우징(810)의 내부 공간에 하강기류를 형성한다. 기류 공급 라인(822)으로부터 팬(824)에 에어가 공급되면, 팬(824)은 아래 방향으로 에어를 공급한다. The airflow providing unit 820 forms a downward flow in the inner space of the housing 810. The airflow providing unit 820 includes an airflow supply line 822, a fan 824, and a filter 826. The airflow supply line 822 is connected to the housing 810. The air supply line 822 supplies external air to the housing 810. The filter 826 links the air provided from the airflow supply line 822 to the filter 826. The filter 826 removes impurities contained in the air. The fan 824 is mounted on the upper surface of the housing 810. The fan 824 is located in a central region in the upper surface of the housing 810. The fan 824 forms a downward flow in the inner space of the housing 810. When air is supplied to the fan 824 from the airflow supply line 822, the fan 824 supplies air in a downward direction.

기판 지지 유닛(830)은 하우징(810)의 내부 공간에서 기판(W)을 지지한다. 기판 지지 유닛(830)은 기판(W)을 회전시킨다. 기판 지지 유닛(830)은 스핀척(832) 및 회전 구동 부재(834,836)를 포함한다. 스핀척(832)은 기판을 지지하는 기판 지지 부재(832)로 제공된다. 스핀척(832)은 원형의 판 형상을 가지도록 제공된다. 스핀척(832)의 상면에는 기판(W)이 접촉한다. 스핀척(832)은 기판(W)보다 작은 직경을 가지도록 제공된다. 일 예에 의하면, 스핀척(832)은 기판(W)을 진공 흡입하여 기판(W)을 척킹할 수 있다. 선택적으로, 스핀척(832)은 정전기를 이용하여 기판(W)을 척킹하는 정전척으로 제공될 수 있다. 또한 스핀척(832)은 기판(W)을 물리적 힘으로 척킹할 수 있다. The substrate support unit 830 supports the substrate W in the inner space of the housing 810. The substrate support unit 830 rotates the substrate W. The substrate support unit 830 includes a spin chuck 832 and rotation drive members 834 and 836. The spin chuck 832 is provided with a substrate support member 832 for supporting the substrate. The spin chuck 832 is provided to have a circular plate shape. The substrate W contacts the upper surface of the spin chuck 832. The spin chuck 832 is provided so as to have a smaller diameter than the substrate W. [ According to one example, the spin chuck 832 can vacuum-suck the substrate W and chuck the substrate W. Alternatively, the spin chuck 832 may be provided with an electrostatic chuck for chucking the substrate W using static electricity. The spin chuck 832 can also chuck the substrate W by physical force.

회전 구동 부재(834,836)는 회전축(834) 및 구동기(836)을 포함한다. 회전축(834)은 스핀척(832)의 아래에서 스핀척(832)을 지지한다. 회전축(834)은 그 길이방향이 상하방향을 향하도록 제공된다. 회전축(834)은 그 중심축을 중심으로 회전 가능하도록 제공된다. 구동기(836)는 회전축(834)이 회전되도록 구동력을 제공한다. 예컨대, 구동기(836)는 회전축의 회전 속도를 가변 가능한 모터일 수 있다.The rotation drive members 834 and 836 include a rotation shaft 834 and a driver 836. The rotating shaft 834 supports the spin chuck 832 below the spin chuck 832. The rotary shaft 834 is provided such that its longitudinal direction is directed up and down. The rotation shaft 834 is provided so as to be rotatable about its central axis. The driver 836 provides a driving force such that the rotation shaft 834 is rotated. For example, the driver 836 may be a motor capable of varying the rotational speed of the rotating shaft.

처리 용기(850)는 하우징(810)의 내부 공간(812)에 위치된다. 처리 용기(850)는 내부에 처리 공간을 제공한다. 처리 용기(850)는 상부가 개방된 컵 형상을 가지도록 제공된다. 처리 용기(850)는 내측 컵(852) 및 외측 컵(862)을 포함한다. The processing vessel 850 is located in the interior space 812 of the housing 810. The processing vessel 850 provides a processing space therein. The processing vessel 850 is provided so that the upper portion thereof has an open cup shape. The processing vessel 850 includes an inner cup 852 and an outer cup 862.

내측 컵(852)은 회전축(834)을 감싸는 원형의 판 형상으로 제공된다. 상부에서 바라볼 때 내측 컵(852)은 내측 배기구(814)와 중첩되도록 위치된다. 상부에서 바라볼 때 내측 컵(852)의 상면은 그 외측 영역과 내측 영역 각각이 서로 상이한 각도로 경사지도록 제공된다. 일 예에 의하면, 내측 컵(852)의 외측 영역은 기판 지지 유닛(830)으로부터 멀어질수록 하향 경사진 방향을 향하며, 내측 영역은 기판 지지 유닛(830)으로부터 멀어질수록 상향 경사진 방향을 향하도록 제공된다. 내측 컵(852)의 외측 영역과 내측 영역이 서로 만나는 지점은 기판(W)의 측단부와 상하 방향으로 대응되게 제공된다. 내측 컵(852)의 상면 외측 영역은 라운드지도록 제공된다. 내측컵(852)의 상면 외측 영역은 아래로 오목하게 제공된다. 내측 컵(852)의 상면 외측 영역은 처리액이 흐르는 영역으로 제공될 수 있다.The inner cup 852 is provided in the shape of a circular plate surrounding the rotation shaft 834. The inner cup 852 is positioned to overlap the inner vent 814 when viewed from above. The upper surface of the inner cup 852 is provided such that its outer and inner regions are inclined at different angles from each other. According to one example, the outer region of the inner cup 852 is oriented downwardly away from the substrate support unit 830, and the inner region is oriented in an upward sloping direction away from the substrate support unit 830 Lt; / RTI > A point where the outer region and the inner region of the inner cup 852 meet with each other is vertically provided in correspondence with the side end portion of the substrate W. [ The upper surface area of the inner cup 852 is provided to be rounded. The upper surface area of the inner cup 852 is provided downwardly concave. The upper surface area of the inner cup 852 may be provided in a region where the processing liquid flows.

외측 컵(862)은 기판 지지 유닛(830) 및 내측 컵(852)을 감싸는 컵 형상을 가지도록 제공된다. 외측 컵(862)은 바닥벽(864), 측벽(866), 상벽(870), 그리고 경사벽(870)을 가진다. 바닥벽(864)은 중공을 가지는 원형의 판 형상을 가지도록 제공된다. 바닥벽(864)에는 회수 라인(865)이 형성된다. 회수 라인(865)은 기판(W) 상에 공급된 처리액을 회수한다. 회수 라인(865)에 의해 회수된 처리액은 외부의 액 재생 시스템에 의해 재사용될 수 있다. 측벽(866)은 기판 지지 유닛(830)을 감싸는 원형의 통 형상을 가지도록 제공된다. 측벽(866)은 바닥벽(864)의 측단으로부터 수직한 방향으로 연장된다. 측벽(866)은 바닥벽(864)으로부터 위로 연장된다.The outer cup 862 is provided to have a cup shape that encloses the substrate support unit 830 and the inner cup 852. The outer cup 862 has a bottom wall 864, a side wall 866, a top wall 870, and an inclined wall 870. The bottom wall 864 is provided to have a circular plate shape having a hollow. A collection line 865 is formed in the bottom wall 864. The recovery line 865 recovers the treatment liquid supplied on the substrate W. [ The treatment liquid recovered by the recovery line 865 can be reused by an external liquid recovery system. The side wall 866 is provided to have a circular tubular shape surrounding the substrate supporting unit 830. The side wall 866 extends in a vertical direction from the side edge of the bottom wall 864. The side wall 866 extends upwardly from the bottom wall 864.

경사벽(870)은 측벽(866)의 상단으로부터 외측 컵(862)의 내측 방향으로 연장된다. 경사벽(870)은 위로 갈수록 기판 지지 유닛(830)에 가까워지도록 제공된다. 경사벽(870)은 링 형상을 가지도록 제공된다. 경사벽(870)의 상단은 기판 지지 유닛(830)에 지지된 기판(W)보다 높게 위치된다. The inclined wall 870 extends inward of the outer cup 862 from the top of the side wall 866. The inclined wall 870 is provided so as to approach the substrate supporting unit 830 upward. The inclined wall 870 is provided so as to have a ring shape. The upper end of the inclined wall 870 is positioned higher than the substrate W supported on the substrate supporting unit 830. [

승강 유닛(890)은 내측 컵(852) 및 외측 컵(862)을 각각 승강 이동시킨다. 승강 유닛(890)은 내측 이동 부재(892) 및 외측 이동 부재(894)를 포함한다. 내측 이동 부재(892)는 내측 컵(852)을 승강 이동 시키고, 외측 이동 부재(894)는 외측 컵(862)을 승강 이동시킨다. The lifting unit 890 lifts the inner cup 852 and the outer cup 862, respectively. The elevating unit 890 includes an inside moving member 892 and an outside moving member 894. The inner moving member 892 lifts the inner cup 852 and the outer moving member 894 moves the outer cup 862 up and down.

액 공급 유닛(840)은 도포 공정 및 이비알 공정을 수행한다. 도포 공정은 기판 상에 박막을 형성하는 공정이고, 이비알 공정(EBR: Edge Bead Removal)은 도포 공정에 의해 형성된 처리액막 상에 엣지 비드를 제거하는 공정이다. 액 공급 유닛(840)은 기판(W) 상에 다양한 종류의 액을 공급한다. 일 예에 의하면, 액 공급 유닛(840)은 기판(W) 상에 처리액 및 엣지 비드 제거액을 공급할 수 있다. The liquid supply unit 840 performs the coating process and the ball process. The coating step is a step of forming a thin film on a substrate, and the edge bead removal (EBR) is a step of removing edge beads on a treatment liquid film formed by a coating step. The liquid supply unit 840 supplies various kinds of liquid onto the substrate W. According to one example, the liquid supply unit 840 can supply the treatment liquid and the edge bead removing liquid onto the substrate W. [

액 공급 유닛(840)은 도포 노즐(842) 및 이비알 노즐(844)을 포함한다. 도포 노즐(842)은 기판(W) 상에 처리액을 공급한다. 기판(W) 상에 공급된 처리액은 박막을 형성한다. 이비알 노즐(844)은 기판(W) 상에 엣지 비드 제거액을 공급한다. 엣지 비드 제거액은 기판(W) 상에 형성된 처리액막 중 엣지부를 제거한다. 엣지 비드 제거액은 기판(W)의 엣지부를 처리액막으로부터 노출시킨다. The liquid supply unit 840 includes an application nozzle 842 and the ball nozzle 844. The application nozzle 842 supplies the treatment liquid onto the substrate W. The treatment liquid supplied onto the substrate W forms a thin film. This ball nozzle 844 supplies the edge bead removing liquid onto the substrate W. [ The edge bead removing liquid removes the edge portion of the treatment liquid film formed on the substrate (W). The edge bead removing liquid exposes the edge portion of the substrate W from the treatment liquid film.

예컨대, 처리액은 유기 물질이고, 엣지 비드 제거액은 유기 물질과 반응할 수 있는 액일 수 있다. 처리액에 의해 형성된 막은 감광액이 도포되기 전에 기판(W) 상에 형성되는 하드 마스크막일 수 있다. For example, the treatment liquid may be an organic substance, and the edge bead removing liquid may be a liquid capable of reacting with an organic substance. The film formed by the treatment liquid may be a hard mask film formed on the substrate W before the photosensitive liquid is applied.

베이크 챔버(280)는 기판(W)을 열처리한다. 예컨대, 베이크 챔버(280)은 처리액을 도포하기 전에 기판(W)을 소정의 온도로 가열하여 기판(W) 표면의 유기물이나 수분을 제거하는 프리 베이크(prebake) 공정이나 처리액을 기판(W) 상에 도포한 후에 행하는 소프트 베이크(soft bake) 공정 등을 수행하고, 각각의 가열 공정 이후에 기판(W)을 냉각하는 냉각 공정 등을 수행할 수 있다. 베이크 챔버(280)는 냉각 플레이트(284) 및 가열 유닛(282)을 포함한다. 냉각 플레이트(284)는 원형의 판 형상으로 제공된다. 냉각 플레이트(284)에는 냉각수 또는 열전 소자와 같은 냉각 수단(423)이 제공된다. 예컨대, 냉각 플레이트(284)는 가열된 기판(W)을 상온으로 냉각시킬 수 있다. The bake chamber 280 heat-treats the substrate W. For example, the bake chamber 280 may include a prebake step for heating the substrate W to a predetermined temperature to remove organic matter and moisture on the surface of the substrate W, And a cooling step of cooling the substrate W after each heating step, and the like can be performed. The bake chamber 280 includes a cooling plate 284 and a heating unit 282. The cooling plate 284 is provided in a circular plate shape. Cooling plate 284 is provided with cooling means 423, such as cooling water or a thermoelectric element. For example, the cooling plate 284 can cool the heated substrate W to room temperature.

가열 유닛(282)은 공정 분위기에서 기판(W)을 가열 처리한다. 공정 분위기는 상압보다 낮은 감압 분위기일 수 있다. 도 5는 도 3의 가열 유닛을 보여주는 단면도이다. 도 5를 참조하면, 가열 유닛(282)는 하우징(910), 지지 플레이트(920), 그리고 히터(930)를 포함한다. The heating unit 282 heats the substrate W in a process atmosphere. The process atmosphere may be a reduced-pressure atmosphere lower than normal pressure. 5 is a cross-sectional view showing the heating unit of Fig. 5, the heating unit 282 includes a housing 910, a support plate 920, and a heater 930.

하우징(910)은 냉각 플레이트(284)의 일측에 위치된다. 하우징(910)은 내부에 기판(W)의 가열 처리하는 처리 공간(912)을 제공한다. 처리 공간(912)은 외부와 차단된 공간으로 제공된다. 하우징(910)의 바닥면에는 배기홀(914)이 형성된다. 배기홀(914)에는 배기 어셈블리(700)가 연결된다.The housing 910 is located at one side of the cooling plate 284. The housing 910 provides a processing space 912 for heating the substrate W therein. The processing space 912 is provided with an outside and a closed space. An exhaust hole 914 is formed in the bottom surface of the housing 910. An exhaust assembly 700 is connected to the exhaust hole 914.

지지 플레이트(920)는 처리 공간(912)에 위치된다. 지지 플레이트(920)는 원형의 판 형상으로 제공된다. 지지 플레이트(920)의 상면은 기판(W)이 안착되는 영역으로 제공된다. 지지 플레이트(920)의 상면에는 복수 개의 핀홀들(미도시)이 형성된다. 각각의 핀 홀(미도시)은 지지 플레이트(920)의 원주 방향을 따라 이격되게 위치된다. 핀 홀들(미도시)은 서로 간에 동일 간격으로 이격되게 위치된다. 각각의 핀 홀에는 리프트핀(미도시)이 제공된다. 리프트핀(미도시)은 상하 방향으로 이동하도록 제공된다. 예컨대, 핀 홀들(미도시)은 3 개로 제공될 수 있다. The support plate 920 is located in the processing space 912. The support plate 920 is provided in a circular plate shape. The upper surface of the support plate 920 is provided in a region where the substrate W is seated. A plurality of pinholes (not shown) are formed on the upper surface of the support plate 920. Each of the pin holes (not shown) is positioned to be spaced along the circumferential direction of the support plate 920. The pin holes (not shown) are spaced at equal intervals from each other. Each pin hole is provided with a lift pin (not shown). The lift pins (not shown) are provided to move up and down. For example, pin holes (not shown) may be provided in three.

히터(930)는 지지 플레이트(920)에 놓인 기판(W)을 기설정 온도로 가열한다. 히터(930)는 복수 개로 제공되며, 지지 플레이트(920)에서 서로 상이한 영역에 위치된다. 각각의 히터(930)는 동일 평면 상에 위치된다. 각각의 히터(930)는 지지 플레이트(920)의 서로 상이한 영역을 가열한다. 각 히터(930)에 대응되는 지지 플레이트(920)의 영역들은 히팅존들로 제공된다. 예컨대 히팅존들은 15개 일 수 있다. 예컨대, 히터(930)는 열전 소자 또는 열선일 수 있다.The heater 930 heats the substrate W placed on the support plate 920 to a preset temperature. The heaters 930 are provided in a plurality of locations and are located in areas different from each other in the support plate 920. Each heater 930 is located on the same plane. Each heater 930 heats different areas of the support plate 920. The areas of the support plate 920 corresponding to each heater 930 are provided with heating zones. For example, the heating zones may be fifteen. For example, the heater 930 may be a thermoelectric element or a hot wire.

도 6은 배기 어셈블리를 보여주는 단면도이고, 도 7은 배기 어셈블리의 평면도이며, 도 8은 통합 배기 덕트의 단면도이다.  Fig. 6 is a cross-sectional view showing the exhaust assembly, Fig. 7 is a plan view of the exhaust assembly, and Fig. 8 is a cross-sectional view of the integrated exhaust duct.

도 6 내지 도 8을 참조하면, 배기 어셈블리(700)는 베이크 챔버들(280)을 각각 배기할 수 있다. 배기 어셈블리(700)에 대해 설명하기 앞서, 서로 적층되게 위치된 베이크 챔버들(280)을 하층 챔버(280b)와 상층 챔버(280a)로 설명한다. 상층 챔버(282a)는 하층 챔버(282b)의 위에 위치되는 챔버로 정의한다. 본 실시예에서는 2개의 베이크 챔버들이 적층된 상태를 도시하였으나, 이에 한정되지 않는다.6 through 8, the exhaust assembly 700 can exhaust the bake chambers 280, respectively. Prior to describing the exhaust assembly 700, the bake chambers 280 positioned one above the other are described as the lower chamber 280b and the upper chamber 280a. The upper layer chamber 282a is defined as a chamber located above the lower layer chamber 282b. Although two bake chambers are stacked in this embodiment, the present invention is not limited thereto.

배기 어셈블리(700)는 통합 배기 덕트(710), 연결 덕트(720) 그리고 감압 부재(790)를 포함할 수 있다. The exhaust assembly 700 may include an integrated exhaust duct 710, a connecting duct 720, and a pressure reducing member 790.

통합 배기 덕트(710)는 상층 챔버(282a) 및 하층 챔버(282b) 일측에 수직하게 제공될 수 있다. 바람직하게 통합 배기 덕트(710)는 전체적인 형상이 원통형상으로 제공될 수 있으며, 그 평단면이 원형일 수 있다. The integrated exhaust duct 710 may be provided vertically to one side of the upper chamber 282a and the lower chamber 282b. Preferably, the integrated exhaust duct 710 may be provided in a cylindrical shape as a whole, and its flat cross-section may be circular.

통합 배기 덕트(710)는 연결 덕트(720)들을 통해 상층 챔버(282a) 및 하층 챔버(282b)에 각각 병렬 연결될 수 있다. 이를 위해 통합 배기 덕트(710)의 일부분에는 연결홀들(712)이 형성된다. 배기 덕트(710)의 일부분은 상층 챔버(282a) 및 하층 챔버(282b)가 배열되는 방향과 평행한 길이 방향을 가질 수 있다. 연결홀들(712)은 서로 적층되게 위치된 베이크 챔버(280)들의 개수와 동일하게 제공될 수 있다. 연결홀들(712)은 상하 방향을 따라 서로 이격되게 배열될 수 있다. The integrated exhaust duct 710 may be connected in parallel to the upper chamber 282a and the lower chamber 282b, respectively, through the connecting ducts 720. [ To this end, connection holes 712 are formed in a part of the integrated exhaust duct 710. A part of the exhaust duct 710 may have a longitudinal direction parallel to the direction in which the upper layer chamber 282a and the lower layer chamber 282b are arranged. The connection holes 712 may be provided in the same number as the number of the bake chambers 280 positioned to be stacked on each other. The connection holes 712 may be spaced apart from each other along the vertical direction.

감압 부재(790)는 통합 배기 덕트(710)의 끝단에 가깝게 설치된다. 감압 부재(790)는 통합 배기 덕트(710)를 감압한다. 이에 따라 상층 챔버(282a) 및 하층 챔버(282b)의 내부 분위기는 통합 배기 덕트(710)를 통해 배기된다. The pressure-reducing member 790 is installed close to the end of the integrated exhaust duct 710. The pressure-reducing member 790 decompresses the integrated exhaust duct 710. The interior atmosphere of the upper chamber 282a and the lower chamber 282b is exhausted through the integrated exhaust duct 710. [

연결 덕트(720)는 상층 챔버(282a) 및 하층 챔버(282b) 각각을 통합 배기 덕트(710)에 연결한다. 연결 덕트(720)는 상층 챔버(282a) 및 하층 챔버(282b)의 처리 공간과 연결홀(712)을 서로 연결한다. 감압 부재(790)로부터 제공된 감압력은 통합 배기 덕트(710) 및 연결 덕트(720)를 통해 상층 챔버(282a) 및 하층 챔버(282b)로 전달된다. 따라서 상층 챔버(282a) 및 하층 챔버(282b)의 내부 분위기는 연결 덕트(720) 및 배기 덕트(710)를 순차적으로 따라 배기된다. 연결 덕트(720)는 제1연결 덕트(722) 및 제2연결 덕트(724)를 포함한다. 제1연결 덕트(722)는 상층 챔버(282a)와 배기 덕트(710)를 연결하고, 제2연결 덕트(724)는 하층 챔버(282b)와 배기 덕트(710)를 연결한다. The connecting duct 720 connects each of the upper chamber 282a and the lower chamber 282b to an integrated exhaust duct 710. The connecting duct 720 connects the process space of the upper chamber 282a and the lower chamber 282b with the connecting hole 712 to each other. The reduced pressure provided from the pressure-reducing member 790 is transmitted to the upper chamber 282a and the lower chamber 282b through the integrated exhaust duct 710 and the connecting duct 720. [ Thus, the inner atmosphere of the upper chamber 282a and the lower chamber 282b is exhausted sequentially through the connecting duct 720 and the exhaust duct 710. The connecting duct 720 includes a first connecting duct 722 and a second connecting duct 724. The first connecting duct 722 connects the upper chamber 282a and the exhaust duct 710 and the second connecting duct 724 connects the lower chamber 282b and the exhaust duct 710.

도 9는 통합 배기 덕트에서의 기류 흐름을 보여주는 도면이다.9 is a view showing the flow of air in the integrated exhaust duct.

도 7 내지 도 9에서와 같이, 제1 연결덕트(722)와 제2 연결 덕트(724)는 통합 배기 덕트(710)의 배기 통로에서 소용돌기 기류 형성을 위해 통합 배기 덕트(710)의 내경에 접선방향으로 연결될 수 있다. 즉, 제1연결 덕트(722)와 제2연결 덕트(724)를 통해 통합 배기 덕트(710)로 유입되는 기류는 배기 통로의 내주면을 따라 나선형으로 흐르게 된다. 7 to 9, the first connection duct 722 and the second connection duct 724 are connected to the inner diameter of the integrated exhaust duct 710 in order to form a small projecting air flow in the exhaust passage of the integrated exhaust duct 710 Tangential direction. That is, the airflow introduced into the integrated exhaust duct 710 through the first connection duct 722 and the second connection duct 724 flows in a spiral manner along the inner peripheral surface of the exhaust passage.

한편, 통합 배기 덕트(710)는 기류 안내부재(750)를 포함한다. 기류 안내부재(750)는 제1연결 덕트(722)를 통해 유입되는 제1기류(도 9에 실선으로 표시됨)가 제2연결 덕트(724)를 통해 유입되는 제2기류(도 9에 점선으로 표시됨)와 충돌되지 않도록 제1기류의 방향을 안내한다. 본 실시예에서 기류 안내부재(750)는 그 형상이 삼각 형상을 가질 수 있다. 기류 안내부재(750)는 제1연결 덕트(722)를 통해 유입되어 통합 배기 덕트(710)의 배기 통로를 흐르는 제1기류의 방향을 틀어줌으로써 제2연결 덕트(724)를 통해 유입되는 제2기류와의 자연스럽게 합류되어 하나의 기류가 되어 흐르게 된다. On the other hand, the integrated exhaust duct 710 includes the airflow guiding member 750. The airflow guiding member 750 has a first air flow (indicated by a solid line in FIG. 9) flowing through the first connecting duct 722 and a second air flow (indicated by a dotted line in FIG. 9) flowing through the second connecting duct 724 The direction of the first airflow is guided so as not to collide with the first airflow. In this embodiment, the airflow guiding member 750 may have a triangular shape. The airflow guiding member 750 flows through the first connecting duct 722 and turns the direction of the first airflow flowing through the exhaust passage of the integrated exhaust duct 710 so that the second airflow passing through the second connecting duct 724 It naturally joins with the air stream and flows as a single air stream.

상술한 바와 같이, 배기 어셈블리(700)는 통합 배기 덕트(710)에 기류가 유입되는 동시에 빠르게 회전하도록 소용돌이 기류를 발생시키는 구조적인 특징을 갖는다. 통합 배기 덕트(710)에서 소용돌이 기류는 아래로 갈수록 강해지게 되면서 덕트 내부에 정체 구간이 발생되지 않아 흄이 덕트 내주면에 증착되는 것을 방지할 수 있다.As described above, the exhaust assembly 700 has a structural feature of generating a swirling airflow so that the airflow is introduced into the integrated exhaust duct 710 at the same time as the swirling airflow is rapidly rotated. The vortex flow in the integrated exhaust duct 710 becomes stronger as it goes downward, and congestion is not generated in the duct, thereby preventing fume from being deposited on the inner circumferential surface of the duct.

상술한 실시예에는 베이크 챔버(280)가 2 단으로 적층되는 것으로 설명하였다. 그러나 베이크 챔버(280)는 3 단이상으로 적층되게 제공될 수 있다. 또한 배기 어셈블리(700)는 베이크 챔버(280)를 배기하는 것으로 설명하였으나, 기판(W)을 처리하는 공간을 가지는 챔버라면 다양하게 적용 가능하다. In the above-described embodiment, the bake chambers 280 are stacked in two stages. However, the bake chamber 280 may be provided to be stacked in three or more stages. Also, although the exhaust assembly 700 has been described as exhausting the bake chamber 280, it can be applied variously as long as it is a chamber having a space for processing the substrate W.

도 10은 통합 배기 덕트의 다른 예를 보여주는 도면이다.10 is a view showing another example of the integrated exhaust duct.

도 10에서와 같이, 다른 예에 따른 통합 배기 덕트(710a)는 도 8에 도시된 통합 배기 덕트(710)와 대체로 유사한 구성과 기능으로 제공되므로, 이하에서는 본 실시예와의 차이점을 위주로 설명하가로 한다.As shown in FIG. 10, the integrated exhaust duct 710a according to another example is provided with a similar configuration and function to the integrated exhaust duct 710 shown in FIG. 8. Therefore, the difference from the present embodiment will be described below .

다른 예에서, 통합 배기 덕트(710a)는 소용돌이 기류 형성을 위해 내주면에 나선형 유로(718)가 형성될 수 있다. 나선형 유로(718)는 통합 배기 덕트(710a)의 내주면에 음각된 나선형 홈들에 의해 제공될 수 있다. 그러나, 이에 한정되는 것은 아니며, 나선형 유로(718)는 통합 배기 덕트(710a)의 내주면으로부터 돌출된 나선형 돌기들에 의해 제공될 수도 있다.In another example, the integrated exhaust duct 710a may be formed with a helical flow passage 718 on the inner circumferential surface thereof for the formation of a swirl flow. The helical flow path 718 may be provided by helical grooves engraved on the inner circumferential surface of the integrated exhaust duct 710a. However, the present invention is not limited thereto, and the helical flow passage 718 may be provided by spiral protrusions protruding from the inner peripheral surface of the integrated exhaust duct 710a.

이와 같이, 통합 배기 덕트(710a)의 내주면에 나선모양의 유로(718)가 형성됨으로써, 연결홀(712)들을 통해 유입되는 기류가 스월 유동을 형성하며, 이러한 유동이 통합 배기 덕트(710a) 내주면을 따라 회전하면서 배기 효율을 향상시킬 수 있다. Since the spiral passage 718 is formed on the inner circumferential surface of the integrated exhaust duct 710a as described above, the flow of air introduced through the connection holes 712 forms a swirl flow, and this flow is transmitted to the inner peripheral surface of the integrated exhaust duct 710a So that the exhaust efficiency can be improved.

이상의 설명은 본 발명의 기술 사상을 예시적으로 설명한 것에 불과한 것으로서, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 다양한 수정 및 변형이 가능할 것이다. 따라서, 본 발명에 개시된 실시 예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시 예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.The foregoing description is merely illustrative of the technical idea of the present invention, and various changes and modifications may be made by those skilled in the art without departing from the essential characteristics of the present invention. Therefore, the embodiments disclosed in the present invention are intended to illustrate rather than limit the scope of the present invention, and the scope of the technical idea of the present invention is not limited by these embodiments. The scope of protection of the present invention should be construed according to the following claims, and all technical ideas within the scope of equivalents should be construed as falling within the scope of the present invention.

700: 배기 어셈블리 710: 통합 배기 덕트
790: 감압 부재 720: 연결 덕트
950: 기류 안내부재
700: Exhaust assembly 710: Integrated exhaust duct
790: pressure reducing member 720: connecting duct
950: airflow guide member

Claims (15)

내부에 기판을 처리하는 제1 처리 공간을 가지는 제1 챔버;
내부에 기판을 처리하는 제2 처리 공간을 가지는 제2 챔버; 및
상기 제1 처리 공간 및 제2 처리 공간 각각을 배기하는 배기 어셈블리를 포함하되;
상기 배기 어셈블리는
통합 배기 덕트;
상기 통합 배기 덕트를 감압하는 감압 부재;
상기 제1 처리 공간과 상기 통합 배기 덕트를 연결하는 제1 연결 덕트; 및
상기 제2 처리 공간과 상기 통합 배기 덕트를 연결하는 제2 연결 덕트를 포함하며,
상기 통합 배기 덕트는 상기 제1연결 덕트를 통해 유입되는 제1기류가 상기 제2연결 덕트를 통해 유입되는 제2기류와 충돌되지 않도록 상기 제1기류의 방향을 안내하는 기류 안내부재를 포함하고,
상기 기류 안내 부재는
상기 통합 배기덕트의 내주면에 나선형상으로 형성되며, 원형 단면을 갖는 상기 통합 배기덕트의 직경을 포함하는 수직방향 단면에서 삼각 형상을 갖는 기판 처리 장치.
A first chamber having a first processing space for processing a substrate therein;
A second chamber having a second processing space for processing the substrate therein; And
And an exhaust assembly for exhausting each of the first processing space and the second processing space;
The exhaust assembly
Integrated exhaust duct;
A decompression member for decompressing the integrated exhaust duct;
A first connection duct connecting the first processing space and the integrated exhaust duct; And
And a second connecting duct connecting the second processing space and the integrated exhaust duct,
Wherein the integrated exhaust duct includes an airflow guide member for guiding the direction of the first airflow so that the first airflow flowing through the first connecting duct does not collide with the second airflow flowing through the second connecting duct,
The airflow guiding member
Wherein the integrated exhaust duct is formed in a spiral shape on an inner peripheral surface of the integrated exhaust duct and has a triangular shape in a vertical cross section including a diameter of the integrated exhaust duct having a circular cross section.
제1항에 있어서,
상기 제2 챔버는 상기 제1챔버 아래에 배치되고,
상기 통합 배기 덕트는 그 단면이 원형이며, 위에서 아래로 흐르는 배기 흐름을 제공하는 기판 처리 장치.
The method according to claim 1,
The second chamber being disposed below the first chamber,
Wherein the integrated exhaust duct is circular in cross section and provides an exhaust flow flowing from top to bottom.
제2항에 있어서,
상기 통합 배기 덕트는
상기 제1연결 덕트가 연결되는 제1연결홀; 및
상기 제2연결 덕트가 연결되는 제2연결홀을 포함하고,
상기 기류 안내부재는 상기 제2연결홀 상부에 위치되는 기판 처리 장치.
3. The method of claim 2,
The integrated exhaust duct
A first connection hole to which the first connection duct is connected; And
And a second connection hole to which the second connection duct is connected,
And the airflow guiding member is positioned above the second connection hole.
삭제delete 내부에 기판을 처리하는 제1 처리 공간을 가지는 제1 챔버;
내부에 기판을 처리하는 제2 처리 공간을 가지는 제2 챔버; 및
상기 제1 처리 공간 및 제2 처리 공간 각각을 배기하는 배기 어셈블리를 포함하되;
상기 배기 어셈블리는
통합 배기 덕트;
상기 통합 배기 덕트를 감압하는 감압 부재;
상기 제1 처리 공간과 상기 통합 배기 덕트를 연결하는 제1 연결 덕트; 및
상기 제2 처리 공간과 상기 통합 배기 덕트를 연결하는 제2 연결 덕트를 포함하며,
상기 제1 연결 덕트와 상기 제2 연결 덕트는 소용돌기 기류 형성을 위해 상기 통합 배기 덕트의 내경에 접선 방향으로 연결되고,
상기 통합 배기 덕트는 상기 제1연결 덕트를 통해 유입되는 제1기류가 상기 제2연결 덕트를 통해 유입되는 제2기류와 충돌되지 않도록 상기 제1기류의 방향을 안내하는 기류 안내부재를 포함하며,
상기 기류 안내 부재는
상기 통합 배기덕트의 내주면에 나선형상으로 형성되며, 원형 단면을 갖는 상기 통합 배기덕트의 직경을 포함하는 수직방향 단면에서 삼각 형상을 갖는 기판 처리 장치.
A first chamber having a first processing space for processing a substrate therein;
A second chamber having a second processing space for processing the substrate therein; And
And an exhaust assembly for exhausting each of the first processing space and the second processing space;
The exhaust assembly
Integrated exhaust duct;
A decompression member for decompressing the integrated exhaust duct;
A first connection duct connecting the first processing space and the integrated exhaust duct; And
And a second connecting duct connecting the second processing space and the integrated exhaust duct,
Wherein the first connection duct and the second connection duct are tangentially connected to an inner diameter of the integrated exhaust duct for forming a small protruding air flow,
Wherein the integrated exhaust duct includes an airflow guiding member for guiding the direction of the first airflow so that the first airflow flowing through the first connecting duct does not collide with the second airflow flowing through the second connecting duct,
The airflow guiding member
Wherein the integrated exhaust duct is formed in a spiral shape on an inner peripheral surface of the integrated exhaust duct and has a triangular shape in a vertical cross section including a diameter of the integrated exhaust duct having a circular cross section.
내부에 기판을 처리하는 제1 처리 공간을 가지는 제1 챔버;
내부에 기판을 처리하는 제2 처리 공간을 가지는 제2 챔버; 및
상기 제1 처리 공간 및 제2 처리 공간 각각을 배기하는 배기 어셈블리를 포함하되;
상기 배기 어셈블리는
통합 배기 덕트;
상기 통합 배기 덕트를 감압하는 감압 부재;
상기 제1 처리 공간과 상기 통합 배기 덕트를 연결하는 제1 연결 덕트; 및
상기 제2 처리 공간과 상기 통합 배기 덕트를 연결하는 제2 연결 덕트를 포함하며,
상기 통합 배기 덕트는 상기 제1연결 덕트를 통해 유입되는 제1기류가 상기 제2연결 덕트를 통해 유입되는 제2기류와 충돌되지 않도록 상기 제1기류의 방향을 안내하는 기류 안내부재를 포함하고,
상기 제2챔버는 상기 제1챔버 아래에 배치되며,
상기 통합 배기 덕트는 그 단면이 원형이며, 위에서 아래로 흐르는 배기 흐름을 제공하되;
소용돌이 기류 형성을 위해 내주면에 나선형 유로가 형성된 기판 처리 장치.
A first chamber having a first processing space for processing a substrate therein;
A second chamber having a second processing space for processing the substrate therein; And
And an exhaust assembly for exhausting each of the first processing space and the second processing space;
The exhaust assembly
Integrated exhaust duct;
A decompression member for decompressing the integrated exhaust duct;
A first connection duct connecting the first processing space and the integrated exhaust duct; And
And a second connecting duct connecting the second processing space and the integrated exhaust duct,
Wherein the integrated exhaust duct includes an airflow guide member for guiding the direction of the first airflow so that the first airflow flowing through the first connecting duct does not collide with the second airflow flowing through the second connecting duct,
Wherein the second chamber is disposed below the first chamber,
Wherein the integrated exhaust duct is circular in cross section and provides exhaust flow flowing from top to bottom;
Wherein a spiral flow path is formed on an inner peripheral surface to form a swirl flow.
제6항에 있어서,
상기 나선형 유로는 상기 통합 배기 덕트의 내주면으로부터 돌출된 나선형 돌기들에 의해 제공되는 기판 처리 장치.
The method according to claim 6,
Wherein the spiral flow path is provided by spiral protrusions protruding from an inner peripheral surface of the integrated exhaust duct.
제6항에 있어서,
상기 나선형 유로는 상기 통합 배기 덕트의 내주면에 음각된 나선형 홈들에 의해 제공되는 기판 처리 장치.
The method according to claim 6,
Wherein the helical flow path is provided by helical grooves recessed in the inner circumferential surface of the integrated exhaust duct.
배기 어셈블리에 있어서:
수직방향으로 설치되고, 배기 통로를 갖는 통합 배기 덕트; 및
기판 처리가 이루어지는 챔버들과 상기 통합 배기 덕트를 연결하는 연결 덕트들을 포함하되;
상기 통합 배기 덕트는
상기 배기 통로를 흐르는 선 기류가 상기 연결 덕트를 통해 유입되는 후 기류와 충돌하지 않도록 상기 선 기류의 방향을 안내하는 기류 안내부재를 포함하며,
상기 기류 안내부재는
상기 통합 배기덕트의 내주면에 나선형상으로 형성되며, 원형 단면을 갖는 상기 통합 배기덕트의 직경을 포함하는 수직방향 단면에서 삼각 형상을 갖는 배기 어셈블리.
An exhaust assembly comprising:
An integrated exhaust duct installed in a vertical direction and having an exhaust passage; And
And a connecting duct connecting the integrated exhaust duct to the chambers where the substrate processing is performed;
The integrated exhaust duct
And an air flow guide member for guiding the direction of the air flow so that the air flow passing through the exhaust passage does not collide with the airflow flowing through the connecting duct,
The airflow guiding member
Wherein the exhaust duct is formed in a spiral shape on an inner peripheral surface of the integrated exhaust duct and has a triangular shape in a vertical cross section including a diameter of the integrated exhaust duct having a circular cross section.
삭제delete 제9항에 있어서,
상기 통합 배기 덕트는
상기 연결 덕트들과 연결되는 연결홀들이 수직방향으로 서로 이격되어 배치되는 배기 어셈블리.
10. The method of claim 9,
The integrated exhaust duct
And connection holes that are connected to the connection ducts are vertically spaced apart from each other.
삭제delete 제9항에 있어서,
상기 연결덕트는 소용돌기 기류 형성을 위해 상기 통합 배기 덕트의 내경에 접선방향으로 연결되는 배기 어셈블리.
10. The method of claim 9,
Wherein the connecting duct is tangentially connected to an inner diameter of the integrated exhaust duct for forming a small projecting air flow.
제9항, 제11항, 제13항 중 어느 하나의 항에 있어서,
상기 통합 배기 덕트는
소용돌이 기류 형성을 위해 내주면에 나선형 유로가 형성된 배기 어셈블리.
14. The method according to any one of claims 9, 11 and 13,
The integrated exhaust duct
An exhaust assembly having a spiral flow path formed on an inner circumferential surface thereof to form a swirl flow.
제14항에 있어서,
상기 나선형 유로는 상기 통합 배기 덕트의 내주면으로부터 돌출된 나선형 돌기들 또는 상기 통합 배기 덕트의 내주면에 음각된 나선형 홈들에 의해 제공되는 배기 어셈블리.
15. The method of claim 14,
Wherein the helical flow path is provided by spiral protrusions protruding from the inner circumferential surface of the integrated exhaust duct or spiral grooves engraved on the inner circumferential surface of the integrated exhaust duct.
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