KR101974513B1

KR101974513B1 - Liquid crystal display device

Info

Publication number: KR101974513B1
Application number: KR1020120156852A
Authority: KR
Inventors: 서유진; 신승목; 석재명; 정재우
Original assignee: 엘지디스플레이 주식회사
Priority date: 2012-12-28
Filing date: 2012-12-28
Publication date: 2019-05-02
Anticipated expiration: 2032-12-28
Also published as: KR20140086406A

Abstract

본 발명의 실시 예에 따른 액정 디스플레이 장치는 제1 기판; 상기 제1 기판과 대향하는 제2 기판; 상기 제1 기판과 제2 기판 사이에 형성된 액정층; 상기 제1 기판 상에 형성되며, 게이트 전극, 액티브층, 소스 전극 및 드레인 전극을 포함하여 이루어진 박막 트랜지스터; 상기 제1 기판 상의 화소 영역에 형성된 컬러 필터층; 상기 드레인 전극과 연결되는 화소 전극; 및 상기 화소 전극과 함께 전계를 형성하여 상기 액정층의 배열상태를 조절하는 공통 전극을 포함한다. A liquid crystal display device according to an embodiment of the present invention includes a first substrate; A second substrate facing the first substrate; A liquid crystal layer formed between the first substrate and the second substrate; A thin film transistor formed on the first substrate and including a gate electrode, an active layer, a source electrode, and a drain electrode; A color filter layer formed in a pixel region on the first substrate; A pixel electrode connected to the drain electrode; And a common electrode which forms an electric field together with the pixel electrode to control the alignment of the liquid crystal layer.

Description

[0001] Liquid crystal display device [0002]

본 발명은 액정 디스플레이 장치에 관한 것으로서, 보다 구체적으로는 제조 공정이 효율적인 액정 디스플레이 장치에 관한 것이다. BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a liquid crystal display device, and more particularly, to a liquid crystal display device in which a manufacturing process is efficient.

액정 디스플레이 장치는 동작 전압이 낮아 소비 전력이 적고 휴대용으로 쓰일 수 있는 등의 이점으로 노트북 컴퓨터, 모니터, 우주선, 항공기 등에 이르기까지 응용분야가 넓고 다양하다.Liquid crystal display devices have a wide variety of applications ranging from notebook computers, monitors, spacecrafts and aircraft to the advantage of low operating voltage and low power consumption and being portable.

액정 디스플레이 장치는 상부 기판, 하부 기판, 및 상기 양 기판 사이에 형성된 액정층을 포함하여 구성되며, 전계 인가 유무에 따라 액정층의 배열 상태가 조절되고 그에 따라 광의 투과도가 조절되어 화상이 표시되는 장치이다. A liquid crystal display device includes an upper substrate, a lower substrate, and a liquid crystal layer formed between the two substrates. The liquid crystal display device adjusts the alignment of the liquid crystal layer depending on whether an electric field is applied or not, to be.

이하, 도면을 참조로 하여 종래의 액정 디스플레이 장치에 대해서 설명하기로 한다. Hereinafter, a conventional liquid crystal display device will be described with reference to the drawings.

도 1은 종래의 액정 디스플레이 장치의 개략적인 단면도이다. 1 is a schematic cross-sectional view of a conventional liquid crystal display device.

도 1에서 알 수 있듯이, 종래의 액정 디스플레이 장치는, 하부 기판(10), 상부 기판(20) 및 액정층(30)을 포함하여 이루어진다. 1, the conventional liquid crystal display device includes a lower substrate 10, an upper substrate 20, and a liquid crystal layer 30.

상기 하부 기판(10) 상에는 게이트 전극(11), 게이트 절연막(12), 액티브층(13), 소스 전극(14a), 드레인 전극(14b), 보호막(15), 화소 전극(16), 층간 절연막(17), 및 공통 전극(18)이 형성되어 있다. A gate electrode 11, a gate insulating film 12, an active layer 13, a source electrode 14a, a drain electrode 14b, a protective film 15, a pixel electrode 16, (17), and a common electrode (18) are formed.

상기 게이트 전극(11)은 상기 하부 기판(10) 상에 패턴 형성되어 있다. The gate electrode 11 is patterned on the lower substrate 10.

상기 게이트 절연막(12)을 상기 게이트 전극(11) 상에 형성되어 있다. 특히, 상기 게이트 절연막(12)은 상기 게이트 전극(11)을 포함한 기판 전면에 형성되어 있다. The gate insulating film 12 is formed on the gate electrode 11. In particular, the gate insulating film 12 is formed on the entire surface of the substrate including the gate electrode 11.

상기 액티브층(13)은 상기 게이트 절연막(12) 상에 패턴 형성되어 있다. The active layer 13 is patterned on the gate insulating film 12.

상기 소소 전극(14a) 및 드레인 전극(14b)은 상기 액티브층(13) 상에 패턴 형성되어 있다. 상기 소스 전극(14a)과 드레인 전극(14b)은 서로 마주하도록 패턴 형성되어 있다. The source electrode 14a and the drain electrode 14b are patterned on the active layer 13. The source electrode 14a and the drain electrode 14b are patterned to face each other.

상기 보호막(15)은 상기 소소 전극(14a) 및 드레인 전극(14b) 상에 형성되어 있다. 상기 보호막(15)은 상기 소소 전극(14a) 및 드레인 전극(14b)을 포함한 기판 전면에 형성되어 있다. 다만, 상기 보호막(15)에는 콘택홀이 구비되어 있어, 상기 콘택홀을 통해서 상기 드레인 전극(14b)이 노출된다. The protective film 15 is formed on the source electrode 14a and the drain electrode 14b. The protective layer 15 is formed on the entire surface of the substrate including the small electrode 14a and the drain electrode 14b. However, the protective film 15 is provided with a contact hole, and the drain electrode 14b is exposed through the contact hole.

상기 화소 전극(16)은 상기 보호막(15) 상에 패턴 형성되어 있다. 상기 화소 전극(16)은 상기 보호막(15)에 구비된 콘택홀을 통해서 상기 드레인 전극(14b)과 연결되어 있다. The pixel electrode 16 is patterned on the protective film 15. The pixel electrode 16 is connected to the drain electrode 14b through a contact hole formed in the protective layer 15. [

상기 층간 절연막(17)은 상기 화소 전극(16) 상에 형성되어 있다. 상기 층간 절연막(17)은 상기 화소 전극(16)을 포함한 기판 전면에 형성되어 있다. The interlayer insulating film 17 is formed on the pixel electrode 16. The interlayer insulating film 17 is formed on the entire surface of the substrate including the pixel electrode 16.

상기 공통 전극(18)은 상기 층간 절연막(17) 상에 패턴 형성되어 있다. 상기 공통 전극(18)은 소정의 슬릿을 갖도록 패턴 형성되어 있다. 따라서, 상기 슬릿을 통해서 공통 전극(18)과 화소 전극(16) 사이에 프린지 필드(Fringe Field)가 생성되고, 그와 같은 프린지 필드에 의해서 상기 액정층(30)의 배열상태가 조절된다. The common electrode 18 is formed in a pattern on the interlayer insulating film 17. The common electrode 18 is patterned to have a predetermined slit. Therefore, a fringe field is generated between the common electrode 18 and the pixel electrode 16 through the slit, and the alignment state of the liquid crystal layer 30 is controlled by the fringe field.

상기 상부 기판(20) 상에는 차광층(21), 컬러 필터층(22), 및 오버 코트층(23)이 형성되어 있다. A light shielding layer 21, a color filter layer 22, and an overcoat layer 23 are formed on the upper substrate 20.

상기 차광층(21)은 상기 상부 기판(20) 상에 형성되어 화소 영역 이외의 영역으로 광이 누설되는 것을 차단하는 역할을 한다. 이와 같은 차광층(21)은 매트릭스 구조로 형성되어 있다. The light shielding layer 21 is formed on the upper substrate 20 to prevent light from leaking to a region other than the pixel region. The light-shielding layer 21 is formed in a matrix structure.

상기 컬러 필터층(22)은 상기 매트릭스 구조의 차광층(21) 사이의 영역에 형성되어 있다. The color filter layer 22 is formed in a region between the light shielding layers 21 of the matrix structure.

상기 오버 코트층(23)은 상기 컬러 필터층(22)을 포함한 기판 전면에 형성되어 기판의 표면을 평탄화시키는 역할을 한다. The overcoat layer 23 is formed on the entire surface of the substrate including the color filter layer 22 to flatten the surface of the substrate.

상기 액정층(30)은 상기 하부 기판(10)과 상부 기판(20) 사이에 형성되어 있으며, 전술한 바와 같이, 공통 전극(18)과 화소 전극(16) 사이의 프린지 필드(Fringe Field)에 의해서 그 배열상태가 조절된다. The liquid crystal layer 30 is formed between the lower substrate 10 and the upper substrate 20. The liquid crystal layer 30 is formed on the fringe field between the common electrode 18 and the pixel electrode 16, The arrangement state is adjusted.

이와 같은 종래의 액정 디스플레이 장치에 따르면, 상기 하부 기판(10) 상에 다수의 구성요소가 형성되어 있고, 또한 상기 상부 기판(20) 상에 다수의 구성요소가 형성되어 있다. 따라서, 하부 기판(10)과 상부 기판(20)을 별도의 제조 공정 라인을 통해서 제조해야 하므로, 제조 공정을 단순화시키는데 한계가 있다. According to such a conventional liquid crystal display device, a plurality of components are formed on the lower substrate 10, and a plurality of components are formed on the upper substrate 20. Therefore, since the lower substrate 10 and the upper substrate 20 must be manufactured through separate manufacturing process lines, there is a limitation in simplifying the manufacturing process.

본 발명은 전술한 종래의 단점을 해결하기 위해 고안된 것으로서, 본 발명은 하부 기판 상에 모든 구성요소를 형성함으로써 제조 공정이 단순화되는 액정 디스플레이 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다. SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide a liquid crystal display device in which manufacturing processes are simplified by forming all the components on a lower substrate.

본 발명은 상기 목적을 달성하기 위해서, 제1 기판; 상기 제1 기판과 대향하는 제2 기판; 상기 제1 기판과 제2 기판 사이에 형성된 액정층; 상기 제1 기판 상에 형성되며, 게이트 전극, 액티브층, 소스 전극 및 드레인 전극을 포함하여 이루어진 박막 트랜지스터; 상기 제1 기판 상의 화소 영역에 형성된 컬러 필터층; 상기 드레인 전극과 연결되는 화소 전극; 및 상기 화소 전극과 함께 전계를 형성하여 상기 액정층의 배열상태를 조절하는 공통 전극을 포함하여 이루어진 액정 디스플레이 장치를 제공한다. In order to achieve the above object, the present invention provides a liquid crystal display comprising: a first substrate; A second substrate facing the first substrate; A liquid crystal layer formed between the first substrate and the second substrate; A thin film transistor formed on the first substrate and including a gate electrode, an active layer, a source electrode, and a drain electrode; A color filter layer formed in a pixel region on the first substrate; A pixel electrode connected to the drain electrode; And a common electrode which forms an electric field together with the pixel electrode to control the alignment of the liquid crystal layer.

본 발명에 따르면 다음과 같은 효과가 있다. The present invention has the following effects.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 제1 기판 상에 박막 트랜지스터, 화소 전극 및 공통 전극이 형성됨과 더불어 컬러 필터층 및 차광층이 함께 형성되어 있어, 종래와 같이 제1 기판과 제2 기판을 별도의 제조 공정 라인을 통해 제조할 필요가 없어 제조 공정이 보다 효율적이다.According to an embodiment of the present invention, a thin film transistor, a pixel electrode, and a common electrode are formed on a first substrate, a color filter layer and a light shielding layer are formed together, and a first substrate and a second substrate are separately formed The manufacturing process is more efficient since there is no need to manufacture through a manufacturing process line.

또한, 본 발명의 다른 실시예에 따르면, 컬러 필터층이 드레인 전극과 오버랩되지 않도록 형성되어, 컬러 필터층을 구성하는 안료가 상기 드레인 전극 상에서 들뜨는 현상이 방지될 수 있고, 그에 따라, 컬러 필터층 상에 형성되는 화소 전극이 단선되지 않는다. Further, according to another embodiment of the present invention, the color filter layer is formed so as not to overlap with the drain electrode, so that the phenomenon that the pigment constituting the color filter layer floats on the drain electrode can be prevented, The pixel electrode is not disconnected.

도 1은 종래의 액정 디스플레이 장치의 개략적인 단면도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 액정 디스플레이 장치의 개략적인 단면도이다.
도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 액정 디스플레이 장치의 개략적인 단면도이다. 1 is a schematic cross-sectional view of a conventional liquid crystal display device.
2 is a schematic cross-sectional view of a liquid crystal display device according to an embodiment of the present invention.
3 is a schematic cross-sectional view of a liquid crystal display device according to another embodiment of the present invention.

본 명세서에서 기술되는 "상에"라는 용어는 어떤 구성이 다른 구성의 바로 상면에 형성되는 경우뿐만 아니라 이들 구성들 사이에 제3의 구성이 개재되는 경우까지 포함하는 것을 의미한다. The term " on " as used herein is meant to encompass not only when a configuration is formed directly on top of another configuration, but also to the extent that a third configuration is interposed between these configurations.

이하, 도면을 참조로 본 발명의 바람직한 실시예에 대해서 상세히 설명하기로 한다. Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 액정 디스플레이 장치의 개략적인 단면도이다. 2 is a schematic cross-sectional view of a liquid crystal display device according to an embodiment of the present invention.

도 2에서 알 수 있듯이, 본 발명의 일 실시예에 따른 액정 디스플레이 장치는, 제1 기판(100), 제2 기판(200) 및 액정층(300)을 포함하여 이루어진다. 2, the liquid crystal display device according to an embodiment of the present invention includes a first substrate 100, a second substrate 200, and a liquid crystal layer 300. As shown in FIG.

상기 제1 기판(100) 상에는 게이트 전극(110), 게이트 절연막(120), 액티브층(130), 소스 전극(140a), 드레인 전극(140b), 컬러 필터층(150), 화소 전극(160), 층간 절연막(170), 공통 전극(180), 차광층(190), 및 컬럼 스페이서(195)가 형성되어 있다. A gate electrode 110, a gate insulating layer 120, an active layer 130, a source electrode 140a, a drain electrode 140b, a color filter layer 150, a pixel electrode 160, and a gate electrode 140 are formed on the first substrate 100, An interlayer insulating film 170, a common electrode 180, a light shielding layer 190, and a column spacer 195 are formed.

상기 제1 기판(100)은 유리가 주로 이용되지만, 구부리거나 휠 수 있는 투명한 플라스틱, 예로서, 폴리이미드가 이용될 수 있다. 폴리이미드를 상기 제1 기판(100)의 재료로 이용할 경우에는, 상기 제1 기판(100) 상에서 고온의 증착 공정이 이루어짐을 감안할 때, 고온에서 견딜 수 있는 내열성이 우수한 폴리이미드가 이용될 수 있다. Although glass is mainly used for the first substrate 100, transparent plastic such as polyimide which can be bent or rolled can be used. When polyimide is used as the material of the first substrate 100, polyimide excellent in heat resistance that can withstand high temperatures can be used, considering that a high temperature deposition process is performed on the first substrate 100 .

상기 게이트 전극(110)은 상기 제1 기판(100) 상에 패턴 형성되어 있다. The gate electrode 110 is patterned on the first substrate 100.

도시하지는 않았지만, 평면 구조상으로, 상기 게이트 전극(110)은 상기 제1 기판(100) 상에서 제1 방향, 예로서 가로 방향으로 배열되어 있는 게이트 라인에서 분기될 수 있다. Although not shown, the gate electrode 110 may be branched on the first substrate 100 in a first direction, for example, a gate line arranged in the horizontal direction.

상기 게이트 전극(110)은 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 금(Au), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 네오듐(Nd), 구리(Cu), 또는 그들의 합금으로 이루어질 수 있으며, 상기 금속 또는 합금의 단일층 또는 2층 이상의 다중층으로 이루어질 수 있다. The gate electrode 110 may be formed of at least one selected from the group consisting of Mo, Al, Cr, Au, Ti, Ni, Alloy, and may be composed of a single layer of the metal or alloy or multiple layers of two or more layers.

상기 게이트 절연막(120)은 상기 게이트 전극(110) 상에 형성되어 있어, 상기 게이트 전극(110)을 상기 액티브층(130)으로부터 절연시킨다. 이와 같은 게이트 절연막(120)은 상기 게이트 전극(110)을 포함한 기판 전면에 형성되어 있다. The gate insulating layer 120 is formed on the gate electrode 110 to isolate the gate electrode 110 from the active layer 130. The gate insulating layer 120 is formed on the entire surface of the substrate including the gate electrode 110.

상기 게이트 절연막(120)은 실리콘 산화물 또는 실리콘 질화물과 같은 무기계 절연물질로 이루어질 수 있지만, 반드시 그에 한정되는 것은 아니고, 포토아크릴(Photo acryl) 또는 벤조사이클로부텐(BCB) 등과 같은 유기계 절연물질로 이루어질 수도 있다. The gate insulating layer 120 may be made of an inorganic insulating material such as silicon oxide or silicon nitride but may be formed of an organic insulating material such as photo acryl or benzocyclobutene have.

상기 액티브층(130)은 상기 게이트 절연막(120) 상에 패턴 형성되어 있다. The active layer 130 is patterned on the gate insulating layer 120.

상기 액티브층(130)은 In-Ga-Zn-O(IGZO)와 같은 산화물 반도체로 이루어질 수 있지만, 반드시 그에 한정되는 것은 아니고, 실리콘계 반도체로 이루어질 수도 있다. The active layer 130 may be made of an oxide semiconductor such as In-Ga-Zn-O (IGZO), but is not limited thereto, and may be made of a silicon-based semiconductor.

상기 소소 전극(140a) 및 드레인 전극(140b)은 상기 액티브층(130) 상에 패턴 형성되어 있다. The source electrode 140a and the drain electrode 140b are formed in a pattern on the active layer 130.

도시하지는 않았지만, 평면 구조상으로, 상기 소스 전극(140a)은 상기 제1 기판(100) 상에서 제2 방향, 예로서 세로 방향으로 배열되어 있는 데이터 라인에서 분기될 수 있다. 상기 데이터 라인과 전술한 게이트 라인은 서로 교차하여 화소 영역을 정의하게 된다. Although not shown, the source electrode 140a may be branched on a data line arranged on the first substrate 100 in a second direction, for example, vertically, in a planar structure. The data line and the gate line cross each other to define a pixel region.

상기 소스 전극(140a)은 상기 액티브층(130)의 일측 상에 형성되어 있고, 상기 드레인 전극(140b)은 상기 액티브층(130)의 타측 상에 형성되어 있으며, 이와 같은 소스 전극(140a)과 드레인 전극(140b)은 서로 마주하도록 패턴 형성되어 있다. The source electrode 140a is formed on one side of the active layer 130 and the drain electrode 140b is formed on the other side of the active layer 130. The source electrode 140a, The drain electrodes 140b are patterned to face each other.

상기 소스 전극(140a) 및 드레인 전극(140b)은 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 금(Au), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 네오듐(Nd), 구리(Cu), 또는 그들의 합금으로 이루어질 수 있으며, 상기 금속 또는 합금의 단일층 또는 2층 이상의 다중층으로 이루어질 수 있다. The source electrode 140a and the drain electrode 140b may be formed of one selected from the group consisting of Mo, Al, Cr, Au, Ti, Ni, (Cu), or an alloy thereof, and may be composed of a single layer of the metal or alloy or multiple layers of two or more layers.

상기 컬러 필터층(150)은 상기 게이트 절연막(120) 상에 패턴 형성되어 있다. The color filter layer 150 is patterned on the gate insulating layer 120.

상기 컬러 필터층(150)은 상기 데이터 라인과 게이트 라인이 서로 교차하여 정의된 화소 영역에 형성되어 있다. 이와 같은 컬러 필터층(150)은 적색(R) 컬러 필터, 녹색(G) 컬러 필터, 및 청색 컬러 필터(B)를 포함하여 이루어지며, 각각의 컬러 필터는 개별적으로 화소 영역에 형성된다. The color filter layer 150 is formed in a pixel region defined by intersecting the data line and the gate line. Such a color filter layer 150 includes a red (R) color filter, a green (G) color filter, and a blue color filter (B), and each color filter is individually formed in the pixel region.

상기 컬러 필터층(150)은 상기 드레인 전극(140b)과 소정 영역에서 오버랩되도록 형성되어 있다. The color filter layer 150 is formed to overlap with the drain electrode 140b in a predetermined region.

상기 화소 전극(160)은 상기 컬러 필터층(150) 상에 패턴 형성되어 있다. The pixel electrode 160 is formed in a pattern on the color filter layer 150.

이와 같은 화소 전극(160)은 상기 드레인 전극(140b) 상면까지 연장되어 상기 드레인 전극(140b)과 연결된다. 즉, 상기 화소 전극(160)은 별도의 콘택홀을 통해서 상기 드레인 전극(140b)과 연결되는 것이 아니라, 상기 드레인 전극(140b)의 상면과 직접 연결된다. The pixel electrode 160 extends to the upper surface of the drain electrode 140b and is connected to the drain electrode 140b. That is, the pixel electrode 160 is not connected to the drain electrode 140b through a separate contact hole, but is directly connected to the upper surface of the drain electrode 140b.

상기 화소 전극(160)은 ITO와 같은 투명 도전물로 이루어진다. The pixel electrode 160 is made of a transparent conductive material such as ITO.

상기 층간 절연막(170)은 상기 화소 전극(160) 상에 형성되어 있다. The interlayer insulating layer 170 is formed on the pixel electrode 160.

상기 층간 절연막(170)은 상기 화소 전극(160)을 포함한 기판 전면에 형성되어 있다. The interlayer insulating layer 170 is formed on the entire surface of the substrate including the pixel electrode 160.

상기 층간 절연막(170)은 실리콘 산화물 또는 실리콘 질화물과 같은 무기계 절연물질로 이루어질 수 있지만, 반드시 그에 한정되는 것은 아니고, 포토아크릴(Photo acryl) 또는 벤조사이클로부텐(BCB) 등과 같은 유기계 절연물질로 이루어질 수도 있다. The interlayer insulating layer 170 may be made of an inorganic insulating material such as silicon oxide or silicon nitride, but is not necessarily limited to, and may be made of an organic insulating material such as photo acryl or benzocyclobutene (BCB) have.

상기 공통 전극(180)은 상기 층간 절연막(170) 상에 패턴 형성되어 있다. The common electrode 180 is patterned on the interlayer insulating layer 170.

상기 공통 전극(180)은 상기 화소 전극(160)과 오버랩되도록 형성되어 있으며, 특히, 상기 공통 전극(180)은 적어도 하나의 슬릿(181)을 갖도록 패턴 형성되어 있다. 따라서, 상기 슬릿을 통해서 공통 전극(180)과 화소 전극(160) 사이에 프린지 필드(Fringe Field)가 생성되고, 그와 같은 프린지 필드에 의해서 상기 액정층(300)의 배열상태가 조절된다. The common electrode 180 is formed to overlap with the pixel electrode 160. In particular, the common electrode 180 is patterned to have at least one slit 181. Accordingly, a fringe field is generated between the common electrode 180 and the pixel electrode 160 through the slit, and the alignment state of the liquid crystal layer 300 is controlled by the fringe field.

상기 공통 전극(180)은 ITO와 같은 투명 도전물로 이루어진다. The common electrode 180 is made of a transparent conductive material such as ITO.

상기 차광층(190)은 상기 층간 절연막(170) 상에 패턴 형성되어 있다. The light shielding layer 190 is patterned on the interlayer insulating layer 170.

상기 차광층(190)은 화소 영역 이외의 영역으로 광이 누설되는 것을 차단하는 역할을 한다. 이와 같은 차광층(190)은 전술한 게이트 라인 및 데이터 라인과 오버랩되도록 형성되어, 평면 구조상으로 매트릭스 구조로 형성된다. The light shielding layer 190 serves to prevent leakage of light to regions other than the pixel region. The light-shielding layer 190 is formed to overlap with the gate line and the data line, and is formed in a matrix structure in a planar structure.

또한, 상기 차광층(190)은 박막 트랜지스터와도 오버랩되도록 형성되며, 따라서, 상기 차광층(190)은 상기 소스 전극(140a) 및 드레인 전극(140b)과 오버랩되도록 형성된다. The light shielding layer 190 is formed to overlap with the thin film transistor so that the light shielding layer 190 overlaps the source electrode 140a and the drain electrode 140b.

상기 컬럼 스페이서(195)는 상기 차광층(190) 상에 형성되어 있다. 상기 컬럼 스페이서(195)는 상기 제2 기판(200)과 접하도록 형성되어 액정 디스플레이 장치의 셀갭을 균일하게 유지시키는 역할을 한다. The column spacer 195 is formed on the light shielding layer 190. The column spacer 195 is formed in contact with the second substrate 200 to uniformly maintain the cell gap of the liquid crystal display device.

이와 같은 컬럼 스페이서(195)는 상기 차광층(190)과 오버랩되도록 형성되어, 상기 컬럼 스페이서(195)로 인해서 광투과율이 저하되는 것이 방지된다. The column spacer 195 is formed to overlap with the light shielding layer 190, so that the light transmittance is prevented from being lowered due to the column spacer 195.

한편, 도시하지는 않았지만, 상기 제2 기판(200)과 마주하지 않는 제1 기판(100)의 후면에는 제1 편광판이 형성될 수 있다. Meanwhile, although not shown, a first polarizer may be formed on the rear surface of the first substrate 100, which is not facing the second substrate 200.

상기 제2 기판(200)은 상기 제1 기판(100)과 대향되도록 위치한다. The second substrate 200 is positioned to face the first substrate 100.

상기 제1 기판(100)과 마주하는 제2 기판(200) 상에는 별도의 구성요소가 형성되어 있지 않다. 한편, 도시하지는 않았지만, 상기 제1 기판(100)과 마주하지 않는 제2 기판(200)의 전면에는 제2 편광판이 형성될 수 있다. No separate components are formed on the second substrate 200 facing the first substrate 100. Meanwhile, although not shown, a second polarizing plate may be formed on the entire surface of the second substrate 200, which does not face the first substrate 100.

상기 액정층(300)은 상기 제1 기판(100)과 제2 기판(200) 사이에 형성되어 있으며, 전술한 바와 같이, 공통 전극(180)과 화소 전극(160) 사이의 프린지 필드(Fringe Field)에 의해서 그 배열상태가 조절된다. The liquid crystal layer 300 is formed between the first substrate 100 and the second substrate 200 and the fringe field between the common electrode 180 and the pixel electrode 160, ).

이와 같은 본 발명의 일 실시예에 따르면, 제1 기판(100) 상에 게이트 전극(110), 액티브층(130), 소스 전극(140a) 및 드레인 전극(140b)을 포함하여 이루어진 박막 트랜지스터(Thin film transistor), 화소 전극(160) 및 공통 전극(180)이 형성됨과 더불어 컬러 필터층(150), 차광층(190) 및 컬럼 스페이서(195)도 함께 형성되어 있다. According to one embodiment of the present invention, a thin film transistor Thin (hereinafter, referred to as a thin film transistor) including a gate electrode 110, an active layer 130, a source electrode 140a and a drain electrode 140b is formed on a first substrate 100 a color filter layer 150, a light shielding layer 190, and a column spacer 195 are formed in addition to the pixel electrode 160 and the common electrode 180.

따라서, 본 발명의 일 실시예에 따르면, 종래와 같이 제1 기판과 제2 기판을 별도의 제조 공정 라인을 통해 제조할 필요가 없어 제조 공정이 보다 효율적이다.Therefore, according to the embodiment of the present invention, the manufacturing process is more efficient since it is not necessary to manufacture the first substrate and the second substrate through separate manufacturing process lines as in the prior art.

한편, 도 2에 도시한 본 발명의 일 실시예에 따른 액정 디스플레이 장치의 경우에는, 상기 컬러 필터층(150)이 상기 드레인 전극(140b)과 소정 영역에서 오버랩되도록 형성되어 있는데, 이 경우, 상기 컬러 필터층(150)을 구성하는 안료가 상기 드레인 전극(140b) 상에서 들뜨는 현상이 발생할 수 있다. 즉, 도 2의 A영역에서 안료의 들뜸 현상이 발생할 수 있다. 2, the color filter layer 150 is formed to overlap with the drain electrode 140b in a predetermined region. In this case, the color filter layer 150 is formed to overlap with the drain electrode 140b. In this case, The pigment constituting the filter layer 150 may float on the drain electrode 140b. That is, lifting of the pigment may occur in the region A of FIG.

이와 같이, 상기 컬러 필터층(150)을 구성하는 안료가 상기 드레인 전극(140b) 상에서 들뜨게 되면, 상기 컬러 필터층(150) 상에부터 상기 드레인 전극(140b)까지 연장되도록 형성되는 화소 전극(160)이 단선되는 문제가 발생할 수 있다. The pixel electrode 160 formed to extend from the color filter layer 150 to the drain electrode 140b when the pigment constituting the color filter layer 150 floats on the drain electrode 140b, There is a problem that the wire is disconnected.

이하에서 설명하는 본 발명의 다른 실시예에 따른 액정 디스플레이 장치는 위와 같은 안료의 들뜸 현상을 차단하여 화소 전극(160)의 단선 문제가 발생하지 않는 액정 디스플레이 장치에 관한 것이다. The liquid crystal display device according to another embodiment of the present invention described below is related to a liquid crystal display device in which the problem of disconnection of the pixel electrode 160 does not occur by blocking lifting of the pigment.

도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 액정 디스플레이 장치의 개략적인 단면도로서, 이는, 컬러 필터층(150)과 화소 전극(160)의 형성 모습이 변경된 것을 제외하고 전술한 도 2에 따른 액정 디스플레이 장치와 동일하다. 따라서, 동일한 구성에 대해서는 동일한 도면부호를 부여하였고, 동일한 구성에 대한 상세한 설명은 생략하기로 한다. 3 is a schematic cross-sectional view of a liquid crystal display device according to another embodiment of the present invention, except that the shape of the color filter layer 150 and the pixel electrode 160 is changed, . Therefore, the same reference numerals are assigned to the same components, and a detailed description of the same components will be omitted.

도 3에서 알 수 있듯이, 본 발명의 다른 실시예에 따른 액정 디스플레이 장치는, 제1 기판(100), 제2 기판(200) 및 액정층(300)을 포함하여 이루어진다. 3, the liquid crystal display device according to another embodiment of the present invention includes a first substrate 100, a second substrate 200, and a liquid crystal layer 300. As shown in FIG.

상기 게이트 절연막(120)은 상기 게이트 전극(110) 상에 형성되어 있으며, 특히, 상기 게이트 전극(110)을 포함한 기판 전면에 형성되어 있다. The gate insulating layer 120 is formed on the gate electrode 110, particularly on the entire surface of the substrate including the gate electrode 110.

상기 컬러 필터층(150)은 상기 드레인 전극(140b)과 오버랩되지 않도록 형성된다. 즉, 상기 컬러 필터층(150)은 박막 트랜지스터와 소정 거리를 두고 이격되도록 형성된다. 보다 구체적으로, 상기 컬러 필터층(150)은 상기 액티브층(130) 및 드레인 전극(140b)과 소정 거리를 두고 이격되도록 형성된다. The color filter layer 150 is formed so as not to overlap the drain electrode 140b. That is, the color filter layer 150 is spaced apart from the TFT by a predetermined distance. More specifically, the color filter layer 150 is spaced apart from the active layer 130 and the drain electrode 140b by a predetermined distance.

따라서, 상기 컬러 필터층(150)을 구성하는 안료가 상기 드레인 전극(140b) 상에서 들뜨는 현상이 방지될 수 있고, 그에 따라, 상기 컬러 필터층(150) 상에 형성되는 화소 전극(160)이 단선되는 문제가 방지될 수 있다. Therefore, it is possible to prevent the phenomenon that the pigment constituting the color filter layer 150 floats on the drain electrode 140b, so that the pixel electrode 160 formed on the color filter layer 150 is disconnected Can be prevented.

이와 같은 화소 전극(160)은 상기 컬러 필터층(150) 상에서 상기 드레인 전극(140b) 상면까지 연장되어 상기 드레인 전극(140b)과 연결된다. The pixel electrode 160 extends to the upper surface of the drain electrode 140b on the color filter layer 150 and is connected to the drain electrode 140b.

전술한 바와 같이, 상기 컬러 필터층(150)이 상기 드레인 전극(140b)과 소정 거리를 두고 이격되도록 형성되어 있기 때문에, 상기 화소 전극(160)은 상기 컬러 필터층(150) 상면에서 상기 게이트 절연막(120) 상면을 경유하여 상기 드레인 전극(140b) 상면까지 연장되어 있다. The color filter layer 150 is spaced apart from the drain electrode 140b by a predetermined distance as described above so that the pixel electrode 160 is formed on the upper surface of the color filter layer 150, And extends to the upper surface of the drain electrode 140b.

상기 층간 절연막(170)은 상기 화소 전극(160) 상에 형성되며, 특히, 상기 화소 전극(160)을 포함한 기판 전면에 형성되어 있다. The interlayer insulating layer 170 is formed on the entire surface of the substrate including the pixel electrode 160.

상기 공통 전극(180)은 적어도 하나의 슬릿(181)을 구비하면서 상기 층간 절연막(170) 상에 패턴 형성되어 있다. The common electrode 180 has at least one slit 181, and is patterned on the interlayer insulating layer 170.

상기 컬럼 스페이서(195)는 상기 차광층(190) 상에서 상기 제2 기판(200)과 접하도록 패턴 형성되어 있다. The column spacer 195 is patterned to contact the second substrate 200 on the light shielding layer 190.

상기 액정층(300)은 상기 제1 기판(100)과 제2 기판(200) 사이에 형성되어 있다.The liquid crystal layer 300 is formed between the first substrate 100 and the second substrate 200.

이상 설명한 도 2에 따른 본 발명의 일 실시예 및 도 3에 따른 본 발명의 다른 실시예에서는, 박막 트랜지스터로서 게이트 전극(110)이 액티브층(130)의 아래에 형성되는 소위 바텀 게이트(Bottom Gate) 구조의 박막 트랜지스터를 도시하였지만, 본 발명이 반드시 그에 한정되는 것은 아니고, 본 발명은 게이트 전극(110)이 액티브층(130)의 위에 형성되는 소위 탑 게이트(Top Gate) 구조의 박막 트랜지스터도 포함한다. 2, a gate electrode 110 is formed as a thin film transistor under a so-called bottom gate (not shown) formed below the active layer 130. In this embodiment, Though the present invention is not limited thereto, the present invention also includes a thin film transistor of a so-called top gate structure in which the gate electrode 110 is formed on the active layer 130 do.

또한, 이상 설명한 도 2에 따른 본 발명의 일 실시예 및 도 3에 따른 본 발명의 다른 실시예에서는, 화소 전극(160) 및 적어도 하나의 슬릿(181)을 구비한 공통 전극(180) 사이에 형성되는 프린지 필드(Fringe Field)에 의해서 액정층(300)의 배열상태가 조절되는 소위 프린지 필드 스위칭 모드(Fringe Field Switching mode) 액정 디스플레이 장치에 대해서 도시하였지만, 본 발명이 반드시 그에 한정되는 것은 아니다. In the embodiment of the present invention shown in FIG. 2 and the embodiment of FIG. 3 according to the present invention, between the pixel electrode 160 and the common electrode 180 having at least one slit 181, Called Fringe Field Switching mode liquid crystal display device in which the alignment state of the liquid crystal layer 300 is controlled by a fringe field formed in the liquid crystal display device. However, the present invention is not limited thereto.

예로서, 본 발명은 화소 전극(160)에 적어도 하나의 슬릿이 구비되고 공통 전극(180)에 슬릿이 구비되지 않는 프린지 필드 스위칭 모드 액정 디스플레이 장치도 포함하고, 또한, 화소 전극(160)과 공통 전극(180)이 포크(fork) 형상으로 서로 평행하게 배열되어 화소 전극(160)과 공통 전극(180) 사이에 형성되는 수평 전계에 의해 액정층(300)의 배열상태가 조절되는 소위 수평 전계 모드(In-plane switching mode) 액정 디스플레이 장치도 포함한다. For example, the present invention also includes a fringe field switching mode liquid crystal display device in which at least one slit is provided in the pixel electrode 160 and the slit is not provided in the common electrode 180, A so-called horizontal electric field mode in which the electrodes 180 are arranged in parallel to each other in a fork shape so that the alignment state of the liquid crystal layer 300 is controlled by a horizontal electric field formed between the pixel electrode 160 and the common electrode 180 (In-plane switching mode) liquid crystal display device.

100: 제1 기판 110: 게이트 전극
120: 게이트 절연막 130: 액티브층
140a: 소스 전극 140b: 드레인 전극
150: 컬러 필터층 160: 화소 전극
170: 층간 절연막 180: 공통 전극
190: 차광층 195: 컬럼 스페이서
200: 제2 기판 300: 액정층100: first substrate 110: gate electrode
120: gate insulating film 130: active layer
140a: source electrode 140b: drain electrode
150: color filter layer 160: pixel electrode
170: interlayer insulating film 180: common electrode
190: Shading layer 195: Column spacer
200: second substrate 300: liquid crystal layer

Claims

A first substrate;
A second substrate facing the first substrate;
A liquid crystal layer formed between the first substrate and the second substrate;
A thin film transistor formed on the first substrate and including a gate electrode, an active layer, a source electrode, and a drain electrode;
A color filter layer formed in the pixel region on the first substrate and spaced apart from the drain electrode;
A pixel electrode connected to the drain electrode;
An interlayer insulating film formed on the pixel electrode;
A common electrode which forms an electric field together with the pixel electrode to control the alignment state of the liquid crystal layer;
A light-shielding layer formed on the interlayer insulating layer and overlapping the source electrode and the drain electrode; And
And a column spacer formed on the light-shielding layer so as to overlap with the light-shielding layer.

delete

The method according to claim 1,
And the color filter layer is spaced apart from the active layer.

The method according to claim 1,
And the pixel electrode is formed on the color filter layer.

The method according to claim 1,
And the pixel electrode is directly connected to the drain electrode.

The method according to claim 1,
A gate insulating film is formed between the gate electrode and the active layer, and the color filter layer is formed on the gate insulating film.

The method according to claim 6,
And the pixel electrode extends from the upper surface of the color filter layer to the upper surface of the drain electrode via the upper surface of the gate insulating film.

delete

The method according to claim 1,
Wherein the common electrode is formed on the interlayer insulating film and has at least one slit therein.