KR101966236B1

KR101966236B1 - 실리콘 원단 제조장치

Info

Publication number: KR101966236B1
Application number: KR1020180096665A
Authority: KR
Inventors: 김동원; 윤주섭
Original assignee: 김동원; 윤주섭
Priority date: 2018-08-20
Filing date: 2018-08-20
Publication date: 2019-04-05
Anticipated expiration: 2038-08-20

Abstract

실리콘 원단 제조장치가 개시된다. 본 발명에 따른 실리콘 원단 제조장치는 슬립용 엠보싱이 형성된 이형지에 액상 실리콘 고무를 포함하는 제1 코팅액을 도포하고 건조시켜 이형지에 슬립용 실리콘층을 형성하는 제1 실리콘층 형성유닛; 제1 실리콘 형성유닛에 인라인되게 배치되며, 슬립용 실리콘층에 액상 실리콘 고무를 포함하는 제2 코팅액을 균일하게 도포하고 건조시켜 부가용 실리콘층을 형성하는 적어도 하나의 제2 실리콘층 형성유닛; 및 제2 실리콘층 형성유닛에 인라인되게 배치되며 최외각의 부가용 실리콘층에 액상 실리콘 고무를 포함하는 제3 코팅액을 균일하게 도포하여 점착용 실리콘층을 형성하되 점착용 실리콘층에 원단을 합포하여 건조시키는 합포유닛을 포함한다.

Description

실리콘 원단 제조장치{MANUFACTURING APPARATUS FOR FABRIC WITH SILICON}

본 발명은 실리콘 원단 제조장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 친환경 소재를 이용한 실리콘 원단 제조장치에 관한 것이다.

종래 합성피혁 제조시 코팅재 또는 함침재로는 폴리우레탄이 주로 사용되어 왔다. 이는 폴리우레탄의 우수한 탄성과 물성이 합성피혁의 소재로 적합하였기 때문이다. 일반적인 폴리우레탄 합성피혁의 제조는 디메틸포름아미드나 메틸에틸케톤등의 유기용매하에 우레탄 원료인 폴리올, 사슬연장제, 이소시아네이트를 중합하여 만든 고형분이 20 내지 80중량부이고 점도가 50,000 내지 150,000cps/25℃인 폴리우레탄을 함침재와 코팅재로 이용하여 합성피혁을 제조하는 데, 그 제조 방법에는 건식법과 습식법이 있다.

건식법에서는 폴리우레탄을 코팅층과 접착층으로 사용하는 데, 폴리우레탄, 디메틸포름아미드, 메틸에틸케톤 및 안료를 적정비로 배합한 코팅액을 적어도 1회이상 이형지 위에 코팅을 한 후, 상기 이형지를 건조기를 통과하여 용매를 휘발시켜 필름을 형성시키고, 그 위에 다시 폴리우레탄 접착제와 경화제, 경화촉진제 및 디메틸포름아미드, 메틸에틸케톤을 적정비로 배합한 코팅액으로 코팅한 후, 원단(직물, 부직포, 기타원단)을 접착하여 접착제가 충분히 경화되도록 한 후, 이형지를 박리하여 합성피혁을 제조한다.

습식법에서는 원단(부직포, 직물)을 폴리우레탄, 디메틸포름아미드 및 안료를 적정비로 배합한 함침액에 함침한 후, 상기 함침된 원단을 물 및 디메틸포름아미드가 혼합된 응고조에서 응고시킨 다음, 폴리우레탄, 디메틸포름아미드 및 안료를 적정비로 배합한 코팅액을 폴리우레탄이 함침된 원단에 코팅을 하고, 물 및 디메틸포름아미드가 혼합된 응고조에서 응고시키고, 수세조와 건조기를 통해 건조시킨 후, 여러가지 후가공(엠보싱, 버핑, 열처리, 처리 등)을 거쳐 합성피혁을 제조한다.

그러나, 폴리우레탄을 이용하여 합성피혁을 제조하는 방법은 디메틸포름아미드나 메틸에틸케톤과 같은 유기용매가 사용되고, 온도에 따른 유연성의 변화로 저온 지방에서 사용될 때 합성피혁이 단단해지고 고온 지방에서 사용될 때는 너무 유연해져 온도에 따른 형태 안정성이 떨어지며, 120℃ 이상에서 폴리우레탄은 열분해가 일어날 수 있어 고온에서 사용되는 분야에서 제약을 받게 되고, 물에 대한 내가수분해성이 약하며, 내오염성이 좋지 않아 특히 밝은 색깔의 경우 쉽게 오염되어 세탁을 자주 필요로 하는 단점이 있었다.

특히 폴리우레탄을 이용하여 합성피혁을 제조하는 방법은 유기용매가 사용되므로 유기용매 사용에 따른 작업환경 문제점 및 합성피혁 완제품 내부에 잔존하는 유기용매로 인한 환경적인 문제가 대두되고 있으며 이는 최근의 친환경제품을 선호하는 소비자의 성향에 반하므로 합성피혁 제조시 유해성이 없는 제품에 대한 요구가 증가되고 있다.

대한민국 등록특허 제10-0769939호(2007.10.24. 공고)

따라서 본 발명이 해결하고자 하는 기술적 과제는 작업 시 유해성분이 없어 친환경적이며 저온과 고온에서 안정적이고 슬립성을 부여하여 실리콘의 단점인 끈적임을 해소한 실리콘 원단 제조장치를 제공하는 것이다.

또한 내가수분해성, 내열성, 내한성, 방수성, 절연성, 복원성, 반발탄성과 신율 및 항균성이 뛰어난 실리콘을 이용한 실리콘 원단을 제공하며 아울러 실리콘 표면의 끈적임을 해소하고 고온용 이형지에 형성된 슬립용 엠보싱을 이용하여 슬립성과 접착력을 부여한 실리콘 원단을 제공하는 실리콘 원단 제조장치를 제공하는 것이다.

본 발명의 일 측면에 따르면, 슬립용 엠보싱이 형성된 이형지에 액상 실리콘 고무를 포함하는 제1 코팅액을 도포하고 건조시켜 상기 이형지에 슬립용 실리콘층을 형성하는 제1 실리콘층 형성유닛; 상기 제1 실리콘 형성유닛에 인라인되게 배치되며, 상기 슬립용 실리콘층에 액상 실리콘 고무를 포함하는 제2 코팅액을 균일하게 도포하고 건조시켜 부가용 실리콘층을 형성하는 적어도 하나의 제2 실리콘층 형성유닛; 및 상기 제2 실리콘층 형성유닛에 인라인되게 배치되며 최외각의 상기 부가용 실리콘층에 액상 실리콘 고무를 포함하는 제3 코팅액을 균일하게 도포하여 점착용 실리콘층을 형성하되 상기 점착용 실리콘층에 원단을 합포하여 건조시키는 합포유닛을 포함하는 실리콘 원단 제조장치가 제공될 수 있다.

상기 제1 실리콘층 형성유닛은 상기 이형지의 상부에 높이방향으로 승강가능하게 마련되고 상기 이형지의 폭방향으로 길게 배치된 제1 나이프를 구비하여 상기 이형지에 상기 제1 코팅액을 도포하며 상기 이형지에 형성되는 상기 슬립용 실리콘층의 두께를 조절하는 제1 실리콘 도포부; 및 상기 제1 실리콘 도포부에 인라인되게 배치되어 상기 슬립용 실리콘층을 건조시키는 제1 건조챔버를 포함할 수 있다.

상기 제1 건조챔버는 유입구와 배출구가 형성된 제1 본체부; 상기 제1 본체부의 내부에 마련된 복수의 제1 세라믹 원적외선 히터; 복수의 상기 제1 세라믹 원적외선 히터가 고정되는 제1 히터 고정판; 상기 제1 히터 고정판에 연결되어 상기 제1 히터 고정판을 높이방향으로 승강시키는 제1 승강부; 및 상기 제1 히터 고정판의 상부에 마련된 제1 배기덕트를 포함할 수 있다.

상기 제1 실리콘 도포부는 상기 제1 나이프에 연결되어 상기 제1 나이프를 높이방향으로 승강시키는 제1 나이프 승강부; 상기 제1 나이프의 양단부에 각각 마련되되 상기 이형지의 폭방향으로 이동가능하며 일측이 상기 제1 나이프의 측벽에 밀착되고 하단이 상기 이형지의 폭방향 양측 테두리에 밀착되어 상기 이형지에 슬립용 실리콘층을 도포하는 동안 상기 제1 코팅액이 상기 제1 나이프의 양측으로 누설되는 것을 방지하는 한 쌍의 제1 누설방지판; 및 상기 제1 나이프의 양단부에 각각 마련되며 상기 제1 나이프의 승강에 따라 상기 제1 나이프의 양단을 각각 지지하는 한 쌍의 제1 지지부재를 더 포함할 수 있다.

상기 제2 실리콘층 형성유닛은 상기 슬립용 실리콘층이 형성된 상기 이형지의 상부에 높이방향으로 승강가능하게 마련되고 상기 이형지의 폭방향으로 길게 배치된 제2 나이프를 구비하여 상기 슬립용 실리콘층에 상기 제2 코팅액을 균일하게 도포하며 상기 슬립용 실리콘층에 형성되는 상기 부가용 실리콘층의 두께를 조절하는 제2 실리콘 도포부; 및 상기 제2 실리콘 도포부에 인라인되게 배치되어 상기 부가용 실리콘층을 건조시키는 제2 건조챔버를 포함할 수 있다.

상기 제2 나이프의 끝단부는 하방으로 갈수록 폭이 감소되도록 상기 이형지가 이송되는 방향에 대향되는 제1 측벽이 하방 경사지게 형성되며, 상기 제2 나이프의 끝단부에는 볼록한 제1 라운드면이 형성되고, 상기 제2 나이프의 끝단부 상기 제1 측벽에는 상기 제1 라운드면에서 연속되게 형성되고 오목한 제2 라운드면이 형성될 수 있다.

상기 제2 나이프의 끝단부 상기 제1 측벽은 상방에서 하방으로 갈수록 연속되는 제1 경사면과 제2 경사면이 형성되고, 상기 제2 경사면의 경사각도가 상기 제1 경사면의 경사각도보다 더 크며, 상기 제2 라운드면은 상기 제2 경사면에 형성될 수 있다.

상기 제2 건조챔버는 유입구와 배출구가 형성된 제2 본체부; 상기 제2 본체부의 내부에 마련된 복수의 제2 세라믹 원적외선 히터; 복수의 상기 제2 세라믹 원적외선 히터가 고정되는 제2 히터 고정판; 상기 제2 히터 고정판에 연결되어 상기 제2 히터 고정판을 높이방향으로 승강시키는 제2 승강부; 및 상기 제2 히터 고정판의 상부에 마련된 제2 배기덕트를 포함할 수 있다.

상기 제2 실리콘 도포부는 상기 제2 나이프에 연결되어 상기 제2 나이프를 높이방향으로 승강시키는 제2 나이프 승강부; 상기 제2 나이프의 양단부에 각각 마련되되 상기 이형지의 폭방향으로 이동가능하며 일측이 상기 제2 나이프의 측벽에 밀착되고 하단이 상기 이형지의 폭방향 양측 테두리에 밀착되어 상기 이형지에 부가용 실리콘층을 도포하는 동안 상기 제2 코팅액이 상기 제2 나이프의 양측으로 누설되는 것을 방지하는 한 쌍의 제2 누설방지판; 및 상기 제2 나이프의 양단부에 각각 마련되며 상기 제2 나이프의 승강에 따라 상기 제2 나이프의 양단을 각각 지지하는 한 쌍의 제2 지지부재를 더 포함할 수 있다.

상기 합포유닛은 상기 부가용 실리콘층이 형성된 상기 이형지의 상부에 높이방향으로 승강가능하게 마련되고 상기 이형지의 폭방향으로 길게 배치된 제3 나이프를 구비하여 상기 부가용 실리콘층에 상기 제3 코팅액을 균일하게 도포하며 상기 부가용 실리콘층에 형성되는 상기 점착용 실리콘층의 두께를 조절하는 제3 실리콘 도포부; 상기 제3 실리콘 도포부에 인라인되게 배치되며 상기 슬립용 실리콘층과 상기 부가용 실리콘층과 상기 점착용 실리콘층이 순차로 적층된 상기 이형지를 사이에 두고 상호 대향되게 마련되어 상기 점착용 실리콘층에 원단을 합포하는 한 쌍의 롤러를 구비한 합포부; 및 상기 합포부에 인라인되게 배치되어 상기 점착용 실리콘층을 건조시키는 제3 건조챔버를 포함할 수 있다.

상기 제3 나이프의 끝단부는 하방으로 갈수록 폭이 감소되도록 상기 이형지가 이송되는 방향에 대향되는 제2 측벽이 하방 경사지게 형성되며, 상기 제3 나이프의 끝단부에는 볼록한 제3 라운드면이 형성되고, 상기 제3 나이프의 끝단부 상기 제2 측벽에는 상기 제3 라운드면에서 연속되게 형성되고 오목한 제4 라운드면이 형성될 수 있다.

상기 제3 나이프의 끝단부 상기 제2 측벽은 상방에서 하방으로 갈수록 연속되는 제3 경사면과 제4 경사면이 형성되고, 상기 제4 경사면의 경사각도가 상기 제3 경사면의 경사각도보다 더 크며, 상기 제4 라운드면은 상기 제4 경사면에 형성될 수 있다.

상기 한 쌍의 롤러는 상기 점착용 실리콘층에 대향되게 마련되며 상기 점착용 실리콘층에 배치되는 상기 원단을 가압하는 실리콘고무와 니트럴고무와 클로로프렌고무가 혼합된 고무재질의 가압층이 형성된 상부롤러; 및 상기 이형지에 대향되게 마련되며 상기 이형지를 가압하는 하부롤러를 포함할 수 있다.

상기 가압층은 경도가 60~80 jis일 수 있다.

상기 제3 건조챔버는 유입구와 배출구가 형성되며 상기 슬립용 실리콘층과 상기 부가용 실리콘층과 상기 점착용 실리콘층과 상기 원단이 순차로 적층된 상기 이형지가 지그재그 형태로 이송되는 제3 본체부; 상기 제3 본체부의 내부에 마련된 복수의 제3 세라믹 원적외선 히터; 복수의 상기 제3 세라믹 원적외선 히터가 고정되는 제3 히터 고정판; 상기 제3 히터 고정판에 연결되어 상기 제3 히터 고정판을 높이방향으로 승강시키는 제3 승강부; 및 상기 제3 히터 고정판의 상부에 마련된 제3 배기덕트를 포함할 수 있다.

상기 제3 실리콘 도포부는 상기 제3 나이프에 연결되어 상기 제3 나이프를 높이방향으로 승강시키는 제3 나이프 승강부; 상기 제3 나이프의 양단부에 각각 마련되되 상기 이형지의 폭방향으로 이동가능하며 일측이 상기 제3 나이프의 측벽에 밀착되고 하단이 상기 이형지의 폭방향 양측 테두리에 밀착되어 상기 이형지에 점착용 실리콘층을 도포하는 동안 상기 제3 코팅액이 상기 제3 나이프의 양측으로 누설되는 것을 방지하는 한 쌍의 제3 누설방지판; 및 상기 제3 나이프의 양단부에 각각 마련되며 상기 제3 나이프의 승강에 따라 상기 제3 나이프의 양단을 각각 지지하는 한 쌍의 제3 지지부재를 더 포함할 수 있다.

상기 합포유닛에 인라인되게 배치되며 상기 슬립용 실리콘층에서 상기 이형지를 박리하되 상기 슬립용 실리콘층에 보호필름을 부착하는 보호필름 부착유닛을 더 포함할 수 있다.

본 발명의 실시예는 슬립용 엠보싱이 형성된 이형지에 슬립용 실리콘층과 부가용 실리콘층을 순차로 형성하여 건조시킨 후 부가용 실리콘층에 점착용 실리콘층을 도포하고 원단을 합포하여 건조함으로써 유해성분이 없는 친환경적이며 저온과 고온에서 안정적이고 슬립성이 부여된 실리콘 원단을 제조할 수 있다.

또한 본 발명의 실시예는 실리콘 표면의 끈적임을 해소하고 고온용 이형지의 슬립용 엠보싱을 이용하여 슬립성과 접착력을 부여하여 내가수분해성, 내열성, 내한성, 방수성, 절연성, 복원성, 반발탄성과 신율 및 항균성이 뛰어난 실리콘 원단을 제조할 수 있다.

도 1은 본 발명에 따른 실리콘 원단 제조장치를 개략적으로 나타내는 도면이다.
도 2는 본 발명에 따른 제1 실리콘 형성유닛을 나타내는 도면이다.
도 3은 본 발명에 따른 제1 실리콘 도포부를 나타내는 확대도이다.
도 4는 본 발명에 따른 제2 실리콘 형성유닛을 나타내는 도면이다.
도 5는 본 발명에 따른 제2 실리콘 도포부를 나타내는 확대도이다.
도 6은 본 발명에 따른 합포유닛을 나타내는 도면이다.
도 7은 본 발명에 따른 제3 실리콘 도포부를 나타내는 확대도이다.
도 8은 본 발명에 따른 합포부를 나타내는 확대도이다.
도 9는 본 발명에 따른 보호필름 부착유닛을 나타내는 도면이다.
도 10은 본 발명에 따른 합포유닛에 의해 제조된 실리콘 원단과 보호필름이 부착된 실리콘 원단을 나타내는 단면도이다.

본 발명과 본 발명의 동작상의 이점 및 본 발명의 실시에 의하여 달성되는 목적을 충분히 이해하기 위해서는 본 발명의 바람직한 실시 예를 예시하는 첨부 도면 및 첨부 도면에 기재된 내용을 참조하여야만 한다.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 예를 설명함으로써, 본 발명을 상세히 설명한다. 각 도면에 제시된 동일한 참조부호는 동일한 부재를 나타낸다.

도 1은 본 발명에 따른 실리콘 원단 제조장치를 개략적으로 나타내는 도면이고, 도 2는 본 발명에 따른 제1 실리콘 형성유닛을 나타내는 도면이고, 도 3은 본 발명에 따른 제1 실리콘 도포부를 나타내는 확대도이고, 도 4는 본 발명에 따른 제2 실리콘 형성유닛을 나타내는 도면이고, 도 5는 본 발명에 따른 제2 실리콘 도포부를 나타내는 확대도이고, 도 6은 본 발명에 따른 합포유닛을 나타내는 도면이고, 도 7은 본 발명에 따른 제3 실리콘 도포부를 나타내는 확대도이고, 도 8은 본 발명에 따른 합포부를 나타내는 확대도이고, 도 9는 본 발명에 따른 보호필름 부착유닛을 나타내는 도면이고, 도 10은 본 발명에 따른 합포유닛에 의해 제조된 실리콘 원단과 보호필름이 부착된 실리콘 원단을 나타내는 단면도이다.

도 1을 참조하면, 본 발명에 따른 실리콘 원단 제조장치(100)는 슬립용 엠보싱(E)이 형성된 이형지(10)에 슬립용 실리콘층(20)을 형성하는 제1 실리콘층 형성유닛(200)과, 제1 실리콘층 형성유닛(200)에 인라인되게 배치되어 슬립용 실리콘층(20)에 부가용 실리콘층(30)을 형성하는 적어도 하나의 제2 실리콘층 형성유닛(300)과, 제2 실리콘층 형성유닛(300)에 인라인되게 배치되며 최외각의 부가용 실리콘층(30)에 점착용 실리콘층(40)을 형성하되 점착용 실리콘층(40)에 원단(50)을 합포하는 합포유닛(400)과, 합포유닛(400)에 인라인되게 배치되어 슬립용 실리콘층(20)에서 이형지(10)를 박리시키고 슬립용 실리콘층(20)에 보호필름(60)을 부착하는 보호필름 부착유닛(500)을 포함한다.

본 실시예에 따른 제1 실리콘층 형성유닛(200)은 슬립용 엠보싱(E)이 형성된 이형지(10)에 슬립용 실리콘층(20)을 형성하는 역할을 한다.

도 2 및 도 3을 참조하면, 제1 실리콘층 형성유닛(200)은 슬립용 엠보싱(E)이 형성된 이형지(10)를 이송하고 정렬하는 제1 정렬부(210)와, 제1 정렬부(210)에 인라인되게 배치되어 이형지(10)의 슬립용 엠보싱(E)이 형성된 면에 액상 실리콘 고무를 포함하는 제1 코팅액을 도포하여 슬립용 실리콘층(20)을 형성하는 제1 실리콘 도포부(230)와, 제1 실리콘 도포부(230)에 인라인되게 배치되어 이형지(10)에 도포된 슬립용 실리콘층(20)을 건조시키는 제1 건조챔버(250)를 포함한다.

본 실시예에서 이형지(10)는 고온에 견디며 표면이 슬립성을 가지며, 이형지(10)의 표면에 다양한 크기를 갖는 엠보싱(E) 무늬가 형성된다.

제1 정렬부(210)는 슬립용 엠보싱(E)이 형성된 이형지(10)를 이송하여 후방에 배치된 제1 실리콘 도포부(230)에 대한 이형지(10)의 위치를 정렬한다. 제1 정렬부(210)는 언와인더(W1)에 감겨진 이형지(10)를 이송하는 복수의 제1 롤러(211)와, 제1 실리콘 도포부(230)에 대해 이형지(10)가 정렬된 상태로 이송될 수 있도록 이형지(10)의 위치를 정렬하는 복수의 제1 모터 액츄에이터(213)를 포함한다.

본 실시예는 제1 모터 액츄에이터(213)(motor actuator)를 이용하여 이형지(10)가 제1 실리콘 도포부(230)에 대해 정렬된 상태로 이송될 수 있도록 함으로써 신속하고 정밀한 제어가 가능하며 종전의 유입타입과 달리 소음이 없으며 기름 누유로 인해 이형지(10)가 오염되는 것을 방지할 수 있다.

그리고 제1 실리콘 도포부(230)는 슬립용 엠보싱(E)이 형성된 이형지(10)의 표면에 액상 실리콘 고무를 포함하는 제1 코팅액을 도포하는 역할을 한다.

도 3에서 도시한 바와 같이, 제1 실리콘 도포부(230)는 이송되는 이형지(10)의 상부에 승강가능하게 마련되고 이형지(10)의 폭방향으로 길게 배치된 제1 나이프(231)와, 제1 나이프(231)에 연결되어 제1 나이프(231)를 높이방향으로 승강시키는 제1 나이프 승강부(233)를 포함한다.

여기서, 제1 코팅액은 실리콘 표면의 끈적임을 해소하고 표면에 슬립성(slip)이 부여된 슬립용 실리콘층(20)을 형성하도록 한다.

본 실시예는 모든 산업자재들과 혼합성이 자유롭고 기타 다른 물질과 공존할 수 있도록 하기 위해 종래의 실리콘의 표면이 가지는 끈적임을 제거하고 실리콘의 표면에 슬립성을 부여한다.

이처럼 이형지(10)의 표면에 슬립성을 갖는 슬립용 실리콘층(20)을 형성하기 위해 본 실시예에 따른 제1 코팅액은 하이드라진 실란(hydrazine silane), 알콕시 실란(alcoxy silane), 에녹시 실란(enoxy silane), 하이드록시 디메틸 실록산(hydroxyl dimethyl siloxane), 헥사메틸 디실록산(hexamethyl disiloxane), 안료, 충전재 및 촉매를 포함한다.

상기 하이드라진 실란은 하기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함할 수 있다.

[화학식 1]

상기 제1 코팅액은, 하이드라진 실란(hydrazine silane) 100중량부에 대하여, 알콕시 실란(alcoxy silane) 10 내지 70중량부; 에녹시 실란(enoxy silane) 50 내지 110중량부; 하이드록시 디메틸 실록산(hydroxyl dimethyl siloxane) 50 내지 110중량부; 헥사메틸 디실록산(hexamethyl disiloxane) 30 내지 90중량부; 안료 1 내지 50중량부; 충전재 1 내지 50중량부; 및 촉매 0.001 내지 0.1중량부;를 포함하는 것이 바람직하다.

더욱 바람직하게는, 상기 제1 코팅액은, 하이드라진 실란(hydrazine silane) 100중량부에 대하여, 알콕시 실란(alcoxy silane) 20 내지 60중량부; 에녹시 실란(enoxy silane) 60 내지 100중량부; 하이드록시 디메틸 실록산(hydroxyl dimethyl siloxane) 60 내지 100중량부; 헥사메틸 디실록산(hexamethyl disiloxane) 40 내지 80중량부; 안료 10 내지 40중량부; 충전재 10 내지 40중량부; 및 촉매 0.001 내지 0.1중량부;를 포함할 수 있다.

더욱 더 바람직하게는, 상기 제1 코팅액은, 하이드라진 실란(hydrazine silane) 100중량부에 대하여, 알콕시 실란(alcoxy silane) 30 내지 50중량부; 에녹시 실란(enoxy silane) 70 내지 90중량부; 하이드록시 디메틸 실록산(hydroxyl dimethyl siloxane) 70 내지 90중량부; 헥사메틸 디실록산(hexamethyl disiloxane) 50 내지 70중량부; 안료 20 내지 30중량부; 충전재 20 내지 30중량부; 및 촉매 0.001 내지 0.1중량부;를 포함할 수 있다.

상기 촉매는 백금, 클로로백금산, 알코올-변성 클로로백금산, 클로로백금산-올레핀 착물, 클로로백금산-알케닐실록산 착물, 클로로백금산-디비닐테트라메틸디실록산 착물 등일 수 있으나, 본 발명의 범위가 여기에 한정되지 않는다. 또한, 이하 언급되는 촉매는 상술한 촉매와 동일하다.

상기한 제1 코팅액을 슬립용 엠보싱(E)이 형성된 이형지(10)의 표면에 도포하기 위해 본 실시예에서는 제1 나이프 승강부(233)를 제어하여 이형지(10)의 폭방향으로 길게 배치된 제1 나이프(231)를 이형지(10)의 상부에서 승강시키며, 이형지(10)의 표면과 제1 나이프(231)의 끝단 사이의 거리를 조절함으로써 이형지(10)의 표면에 형성되는 슬립용 실리콘층(20)의 두께를 조절한다.

본 실시예에서 슬립용 실리콘층(20)은 이형지(10)의 표면에 0.2~1mm의 두께를 갖도록 도포될 수 있으나, 본 발명의 권리범위가 이에 의해 한정되는 것은 아니다. 제1 나이프(231)는 이형지(10)의 표면에 슬립용 실리콘층(20)이 균일하게 형성되도록 하는 한편 이형지(10)의 슬립용 엠보싱(E)이 형성된 면에 형성되는 엠보싱 무늬가 손상되는 것을 방지하는 높이에 위치된다. 그리고 슬립용 실리콘층(20)은 이형지(10)에 형성된 엠보싱(E)에 의해 표면에 다양한 크기를 갖는 엠보싱 무늬가 형성된다.

본 실시예에서 제1 나이프(231)는 스틸재질로 제조되며 이형지(10)의 폭방향으로 길게 배치되고 이형지(10)가 이송되는 방향에 대향되는 측벽이 하방으로 갈수록 폭이 감소되도록 하방 경사지게 형성된다. 또한 제1 나이프(231)의 끝단부는 볼록하게 라운드지게 형성될 수 있다.

한편, 본 실시예에 따른 제1 실리콘 도포부(230)는 제1 나이프(231)의 양단부에 각각 마련되되 이형지(10)의 폭방향으로 이동가능하며 일측이 제1 나이프(231)의 측벽에 밀착되고 하단이 이형지(10)의 폭방향 양측 테두리에 밀착되어 이형지(10)에 슬립용 실리콘층(20)을 도포하는 동안 제1 코팅액이 제1 나이프(231)의 양측으로 누설되는 것을 방지하는 한 쌍의 제1 누설방지판(235)을 더 포함할 수 있다.

한 쌍의 제1 누설방지판(235)은 제1 나이프(231)의 양단부에 각각 마련되며 이형지(10)의 폭에 따라 상호 접근 또는 이격된다. 그리고 슬립용 실리콘층(20)을 형성하는 동안 제1 코팅액이 제1 나이프(231)의 양단부로 이동되어 외부로 배출되는 것을 차단한다.

또한 본 실시예에 따른 제1 실리콘 도포부(230)는 제1 나이프(231)의 양단부에 각각 마련되며 제1 나이프(231)의 승강에 따라 제1 나이프(231)의 양단을 각각 지지하는 한 쌍의 제1 지지부재(237)를 더 포함할 수 있다.

제1 나이프(231)는 이형지(10)의 폭방향으로 길게 배치되고 제1 나이프 승강부(233)에 의해 높이방향으로 승강된다. 이때 제1 나이프(231)가 스틸재질로 형성되는 경우에 자체 하중이 무겁기 때문에 제1 나이프 승강부(233)만으로 제1 나이프(231)의 위치를 고정하는 데 한계가 있다. 따라서 한 쌍의 제1 지지부재(237)가 제1 나이프(231)의 양단부 하면을 지지할 수 있도록 한다. 이때 제1 나이프(231)의 높이에 따라 한 쌍의 제1 지지부재(237)의 높이도 조절가능하다.

그리고 제1 건조챔버(250)는 이형지(10)의 표면에 도포된 슬립용 실리콘층(20)을 건조 및 경화시키는 역할을 한다.

제1 건조챔버(250)는 유입구와 배출구가 형성된 제1 본체부(251)와, 제1 본체부(251)의 내부에 마련된 복수의 제1 세라믹 원적외선 히터(253)와, 복수의 제1 세라믹 원적외선 히터(253)가 고정되는 제1 히터 고정판(255)과, 제1 히터 고정판(255)에 연결되어 제1 히터 고정판(255)을 높이방향으로 승강시키는 제1 승강부(257)와, 제1 히터 고정판(255)의 상부에 마련된 제1 배기덕트(259)를 포함한다.

슬리용 실리콘층이 형성된 이형지(10)는 유입구를 통해 제1 본체부(251)로 유입되고 제1 본체부(251)의 내부에서 이송되면서 동시에 건조 및 경화된 후 배출구를 통해 배출된다.

제1 본체부(251)의 내부 상측에는 제1 히터 고정판(255)이 배치되며 제1 히터 고정판(255)의 하면에는 복수의 제1 세라믹 원적외선 히터(253)가 소정간격 이격되게 고정된다. 그리고 제1 히터 고정판(255)은 제1 승강부(257)에 의해 높이방향으로 승강되어 제1 세라믹 원적외선 히터(253)가 이형지(10)에 형성된 슬립용 실리콘층(20)에 접근 또는 이격된다.

슬립용 실리콘층(20)을 건조 및 경화시키기 위해 제1 세라믹 원적외선 히터(253)를 슬립용 실리콘층(20)에 접근되게 할 수 있으며 제1 세라믹 원적외선 히터(253)에서 발생된 열은 하부로 직접 전달되어 슬립용 실리콘층(20)을 건조 및 경화시키는 데 효율적이다.

또한 제1 세라믹 원적외선 히터(253)로 원적외선을 방출하여 슬립용 실리콘층(20)을 건조 및 경화시키는 경우에 방출되는 원적외선의 파장(3∼20㎛)을 조절하여 슬립용 실리콘층(20)만을 효과적으로 가열하고 제1 본체부(251)의 내부에 마련된 각종 설비들은 가열하지 않을 수 있다.

이는 실리콘 고무가 7∼15㎛의 범위에서 흡수 스펙트럼의 피크를 가지고 다른 재질은 원적외선 파장영역에서 흡수 스펙트럼을 가지지 않으므로 원적외선이 방출되면 슬립용 실리콘층(20)만을 선택적으로 가열할 수 있으며 제1 본체부(251)의 내부 설비는 가열되지 않는다.

이처럼 슬립용 실리콘층(20)을 건조 및 경화시키기 위해 제1 세라믹 원적외선 히터(253)를 사용하는 경우에 슬립용 실리콘층(20)이 원적외선을 완전히 흡수하기 때문에 단시간에 효율적으로 온도를 상승시켜 슬립용 실리콘층(20)의 건조 및 경화 시간을 단축할 수 있으며, 제1 본체부(251)의 내부에 설치된 각종 설비들은 실질적으로 가열되지 않으므로 냉각시키지 않고 계속 사용할 수 있어 작업효율을 향상시킬 수 있으며, 별도의 냉각장치 등을 구비할 필요가 없으므로 설비비용을 절감할 수 있으며, 기존의 오븐구조보다 구조가 간단하고 컴팩트하게 제작될 수 있으며 기존의 오븐구조와는 달리 대기중에 악취 및 가스를 배출시키지 않아 친환경적이며, 제1 세라믹 원적외선 히터(253)의 비용이 저렴하므로 생산원가를 절감할 수 있으며, 또한 슬립용 실리콘층(20)의 표면이 부드럽게 되고 가열에 따른 열변색과 황변현상이 생기지 않는 이점이 있다.

한편, 제1 본체부(251)의 내부 상측에는 제1 본체부(251) 내부의 고온의 열기를 배출할 수 있도록 제1 배기덕트(259)가 적어도 하나 이상 마련된다.

상기와 같이 제1 실리콘층 형성유닛(200)은 슬립용 엠보싱(E)이 형성된 이형지(10)에 슬립용 실리콘층(20)을 형성하며, 슬립용 실리콘층(20)이 형성된 이형지(10)는 후방에 배치된 제2 실리콘층 형성유닛(300)으로 이송되며, 제2 실리콘층 형성유닛(300)은 슬립용 실리콘층(20)에 부가용 실리콘층(30)을 형성한다.

본 실시예에 따른 제2 실리콘층 형성유닛(300)은 이형지(10)에 형성된 슬립용 실리콘층(20)에 부가용 실리콘층(30)을 형성하는 역할을 한다. 본 실시예에 따른 제2 실리콘층 형성유닛(300)은 적어도 하나 이상 인라인되게 설치되어 슬립용 실리콘층(20)에 적어도 하나의 부가용 실리콘층(30)을 형성할 수 있다.

도 4 및 도 5를 참조하면, 제2 실리콘 형성유닛은 슬립용 실리콘층(20)이 형성된 이형지(10)를 이송하고 정렬하는 제2 정렬부(310)와, 제2 정렬부(310)에 인라인되게 배치되어 이형지(10)에 형성된 슬립용 실리콘층(20)에 액상 실리콘 고무를 포함하는 제2 코팅액을 도포하여 부가용 실리콘층(30)을 형성하는 제2 실리콘 도포부(330)와, 제2 실리콘 도포부(330)에 인라인되게 배치되어 슬립용 실리콘층(20)에 도포된 부가용 실리콘층(30)을 건조시키는 제2 건조챔버(350)를 포함한다.

제2 정렬부(310)는 슬립용 실리콘층(20)이 형성된 이형지(10)를 이송하여 후방에 배치된 제2 실리콘 도포부(330)에 대한 이형지(10)의 위치를 정렬한다. 제2 정렬부(310)는 제1 건조챔버(250)에서 건조 및 경화되어 배출된 슬립용 실리콘층(20)이 형성된 이형지(10)를 이송하는 복수의 제2 롤러(311)와 제2 실리콘 도포부(330)에 대해 이형지(10)가 정렬된 상태로 이송될 수 있도록 이형지(10)의 위치를 정렬하는 복수의 제2 모터 액츄에이터(313)를 포함한다.

본 실시예는 제2 모터 액츄에이터(313)를 이용하여 이형지(10)가 제2 실리콘 도포부(330)에 대해 정렬된 상태로 이송될 수 있도록 함으로써 신속하고 정밀한 제어가 가능하며 종전의 유입타입과 달리 소음이 없으며 기름 누유로 인해 슬립용 실리콘층(20) 및 이형지(10)가 오염되는 것을 방지할 수 있다.

그리고 제2 실리콘 도포부(330)는 이형지(10)에 형성된 슬립용 실리콘층(20)의 표면에 액상 실리콘 고무를 포함하는 제2 코팅액을 도포하는 역할을 한다.

도 5에서 도시한 바와 같이, 제2 실리콘 도포부(330)는 이송되는 이형지(10)의 상부에 승강가능하게 마련되고 이형지(10)의 폭방향으로 길게 배치된 제2 나이프(331)와, 제2 나이프(331)에 연결되어 제2 나이프(331)를 높이방향으로 승강시키는 제2 나이프 승강부(337)를 포함한다.

여기서, 제2 코팅액은 슬립용 실리콘층(20)에 도포되어 부가용 실리콘층(30)을 형성하도록 한다.

이처럼 슬립용 실리콘층(20)에 부가용 실리콘층(30)을 형성하기 위해 본 실시예에 따른 제2 코팅액은 하이드라진 실란(hydrazine silane), 에녹시 실란(enoxy silane), 아마이드 실란(amide silane), 옥타메틸 시클로테트라실록산(octamethyl cyclotetrasiloxane), 옥타메틸 트리실록산(octamethyl trisiloxane), 폴리디메틸 실록산(polydimethyl siloxane), 안료, 충전재 및 촉매를 포함한다.

상기 제2 코팅액은, 하이드라진 실란(hydrazine silane) 100중량부에 대하여, 에녹시 실란(enoxy silane) 10 내지 60중량부; 아마이드 실란(amide silane) 10 내지 60중량부; 옥타메틸 시클로테트라실록산(octamethyl cyclotetrasiloxane) 10 내지 60중량부; 옥타메틸 트리실록산(octamethyl trisiloxane) 1 내지 45중량부; 폴리디메틸 실록산(polydimethyl siloxane) 15 내지 75중량부; 안료 1 내지 45중량부; 충전재 10 내지 60중량부; 및 촉매 0.001 내지 0.1중량부;를 포함하는 것이 바람직하다.

더욱 바람직하게는, 상기 제2 코팅액은, 하이드라진 실란(hydrazine silane) 100중량부에 대하여, 에녹시 실란(enoxy silane) 20 내지 50중량부; 아마이드 실란(amide silane) 20 내지 50중량부; 옥타메틸 시클로테트라실록산(octamethyl cyclotetrasiloxane) 20 내지 50중량부; 옥타메틸 트리실록산(octamethyl trisiloxane) 5 내지 35중량부; 폴리디메틸 실록산(polydimethyl siloxane) 25 내지 65중량부; 안료 10 내지 35중량부; 충전재 20 내지 50중량부; 및 촉매 0.001 내지 0.1중량부;를 포함할 수 있다.

더욱 더 바람직하게는, 상기 제2 코팅액은, 하이드라진 실란(hydrazine silane) 100중량부에 대하여, 에녹시 실란(enoxy silane) 30 내지 40중량부; 아마이드 실란(amide silane) 30 내지 40중량부; 옥타메틸 시클로테트라실록산(octamethyl cyclotetrasiloxane) 30 내지 40중량부; 옥타메틸 트리실록산(octamethyl trisiloxane) 15 내지 25중량부; 폴리디메틸 실록산(polydimethyl siloxane) 35 내지 55중량부; 안료 20 내지 25중량부; 충전재 30 내지 40중량부; 및 촉매 0.001 내지 0.1중량부;를 포함할 수 있다.

상기한 제2 코팅액을 이형지(10)에 형성된 슬립용 실리콘층(20) 표면에 도포하기 위해 본 실시예에서는 제2 나이프 승강부(337)를 제어하여 이형지(10)의 폭방향으로 길게 배치된 제2 나이프(331)를 이형지(10)의 상부에서 승강시키며, 슬립용 실리콘층(20)의 표면과 제2 나이프(331)의 끝단 사이의 거리를 조절함으로써 슬립용 실리콘층(20)의 표면에 형성되는 부가용 실리콘층(30)의 두께를 조절한다.

본 실시예에서 부가용 실리콘층(30)은 슬립용 실리콘층(20)의 표면에 적어도 하나 이상 소정 두께를 갖도록 형성될 수 있으나, 본 발명의 권리범위는 슬립용 실리콘층(20)의 표면에 형성되는 부가용 실리콘층(30)의 개수에 의해 한정되는 것은 아니다.

제2 나이프(331)는 슬립용 실리콘층(20)의 표면에 부가용 실리콘층(30)이 균일하게 형성되게 하며 점도를 갖는 제2 코팅액을 슬립용 실리콘층(20)에 도포함에 있어서 부가용 실리콘층(30)의 내부에 발생될 수 있는 기포(B)를 제거하는 역할을 한다.

본 실시예에서 제2 나이프(331)는 스틸재질로 제조되며 이형지(10)의 폭방향으로 길게 배치되고 이형지(10)가 이송되는 방향에 대향되는 제1 측벽(332)이 하방으로 갈수록 폭이 감소되도록 하방 경사지게 형성된다.

구체적으로 제2 나이프(331)의 끝단부 제1 측벽(332)은 상방에서 하방으로 갈수록 연속되게 제1 경사면(333)과 제2 경사면(334)이 형성된다. 여기서 제2 경사면(334)의 경사각도(Θ2)는 제1 경사면(333)의 경사각도(Θ1)보다 더 크게 형성된다. 예를들어 제1 경사면(333)의 경사각도(Θ1)는 약 10°이고, 제2 경사면(334)의 경사각도(Θ2)는 약 24°일 수 있다.

그리고 제2 나이프(331)의 끝단부에는 볼록한 제1 라운드면(335)이 형성되고 제2 나이프(331)의 끝단부 제1 측벽(332)에는 제1 라운드면(335)에서 연속되게 형성되고 오목한 제2 라운드면(336)이 형성된다.

제2 코팅액이 슬립용 실리콘층(20)의 표면에 투여되고 이형지(10)가 제2 나이프(331) 방향으로 이송되는 경우에 제2 코팅액은 제2 라운드면(336)과 제2 경사면(334)을 따라 선회되면서 제2 코팅액에 내재된 기포(B)들이 제거된다. 그리고 기포(B)들이 제거된 제2 코팅액은 슬립용 실리콘층(20)과 제2 나이프(331)의 끝단 사이의 간격을 통해 슬립용 실리콘층(20)에 도포된다. 또한 제2 나이프(331)의 끝단부에 형성된 볼록한 제1 라운드면(335)은 제2 코팅액을 도포하는 동안 슬립용 실리콘층(20)을 손상시키는 것을 방지함과 동시에 부가용 실리콘층(30)의 표면이 매끄럽게 형성되게 한다.

이처럼 본 실시예에서는 제2 코팅액에 내재된 기포(B)들을 제거하기 위해 제2 나이프(331)의 제1 측벽(332)에 제1 경사면(333)과 제2 경사면(334)을 형성하고 제2 경사면(334)에 오목한 제2 라운드면(336)을 형성하며, 부가용 실리콘층(30)의 표면이 매끄럽게 형성되도록 제2 나이프(331)의 끝단부에 제1 라운드면(335)을 형성한다.

한편, 본 실시예에 따른 제2 실리콘 도포부(330)는 제2 나이프(331)의 양단부에 각각 마련되되 이형지(10)의 폭방향으로 이동가능하며 일측이 제2 나이프(331)의 제1 측벽(332)에 밀착되고 하단이 이형지(10)의 폭방향 양측 테두리에 밀착되어 슬립용 실리콘층(20)에 부가용 실리콘층(30)을 도포하는 동안 제2 코팅액이 제2 나이프(331)의 양측으로 누설되는 것을 방지하는 한 쌍의 제2 누설방지판(338)을 더 포함할 수 있다.

한 쌍의 제2 누설방지판(338)은 제2 나이프(331)의 양단부에 각각 마련되며 이형지(10)의 폭에 따라 상호 접근 또는 이격된다. 그리고 부가용 실리콘층(30)을 형성하는 동안 제2 코팅액이 제2 나이프(331)의 양단부로 이동되어 외부로 배출되는 것을 차단한다.

또한 본 실시예에 따른 제2 실리콘 도포부(330)는 제2 나이프(331)의 양단부에 각각 마련되며 제2 나이프(331)의 승강에 따라 제2 나이프(331)의 양단을 각각 지지하는 한 쌍의 제2 지지부재(339)를 더 포함할 수 있다.

제2 나이프(331)는 이형지(10)의 폭방향으로 길게 배치되고 제2 나이프 승강부(337)에 의해 높이방향으로 승강된다. 이때 제2 나이프(331)가 스틸재질로 형성되는 경우에 자체 하중이 무겁기 때문에 제2 나이프 승강부(337)만으로 제2 나이프(331)의 위치를 고정하는 데 한계가 있다. 따라서 한 쌍의 제2 지지부재(339)가 제2 나이프(331)의 양단부 하면을 지지할 수 있도록 한다. 이때 제2 나이프(331)의 높이에 따라 한 쌍의 제2 지지부재(339)의 높이도 조절가능하다.

그리고 제2 건조챔버(350)는 슬립용 실리콘층(20)에 도포된 부가용 실리콘층(30)을 건조 및 경화시키는 역할을 한다.

제2 건조챔버(350)는 유입구와 배출구가 형성된 제2 본체부(351)와, 제2 본체부(351)의 내부에 마련된 복수의 제2 세라믹 원적외선 히터(353)와, 복수의 제2 세라믹 원적외선 히터(353)가 고정되는 제2 히터 고정판(355)과, 제2 히터 고정판(355)에 연결되어 제2 히터 고정판(355)을 높이방향으로 승강시키는 제2 승강부(357)와, 제2 히터 고정판(355)의 상부에 마련된 제2 배기덕트(359)를 포함한다.

슬립용 실리콘층(20)에 부가용 실리콘층(30)이 형성된 이형지(10)는 유입구를 통해 제2 본체부(351)로 유입되고 제2 본체부(351)의 내부에서 이송되면서 동시에 건조 및 경화된 후 배출구를 통해 배출된다.

제2 본체부(351)의 내부 상측에는 제2 히터 고정판(355)이 배치되며 제2 히터 고정판(355)의 하면에는 복수의 제2 세라믹 원적외선 히터(353)가 소정간격 이격되게 고정된다. 그리고 제2 히터 고정판(355)은 제2 승강부(357)에 의해 높이방향으로 승강되어 제2 세라믹 원적외선 히터(353)가 부가용 실리콘층(30)에 접근 또는 이격된다.

부가용 실리콘층(30)을 건조 및 경화시키기 위해 제2 세라믹 원적외선 히터(353)를 부가용 실리콘층(30)에 접근되게 할 수 있으며 제2 세라믹 원적외선 히터(353)에서 발생된 열은 하부로 직접 전달되어 부가용 실리콘층(30)을 건조 및 경화시키는 데 효율적이다.

또한 제2 세라믹 원적외선 히터(353)로 원적외선을 방출하여 부가용 실리콘층(30)을 건조 및 경화시키는 경우에 방출되는 원적외선의 파장(3∼20㎛)을 조절하여 부가용 실리콘층(30)만을 효과적으로 가열하고 제2 본체부(351)의 내부에 마련된 각종 설비들은 가열하지 않을 수 있다.

이는 실리콘 고무가 7∼15㎛의 범위에서 흡수 스펙트럼의 피크를 가지고 다른 재질은 원적외선 파장영역에서 흡수 스펙트럼을 가지지 않으므로 원적외선이 방출되면 부가용 실리콘층(30)만을 선택적으로 가열할 수 있으며 제2 본체부(351)의 내부 설비는 가열되지 않는다.

이처럼 부가용 실리콘층(30)을 건조 및 경화시키기 위해 제2 세라믹 원적외선 히터(353)를 사용하는 경우에 부가용 실리콘층(30)이 원적외선을 완전히 흡수하기 때문에 단시간에 효율적으로 온도를 상승시켜 부가용 실리콘층(30)의 건조 및 경화 시간을 단축할 수 있으며, 제2 본체부(351)의 내부에 설치된 각종 설비들은 실질적으로 가열되지 않으므로 냉각시키지 않고 계속 사용할 수 있어 작업효율을 향상시킬 수 있으며, 별도의 냉각장치 등을 구비할 필요가 없으므로 설비비용을 절감할 수 있으며, 기존의 오븐구조보다 구조가 간단하고 컴팩트하게 제작될 수 있으며 기존의 오븐구조와는 달리 대기중에 악취 및 가스를 배출시키지 않아 친환경적이며, 제2 세라믹 원적외선 히터(353)의 비용이 저렴하므로 생산원가를 절감할 수 있으며, 또한 부가용 실리콘층(30)의 표면이 부드럽게 되고 가열에 따른 색상변화가 생기지 않는 이점이 있다.

한편, 제2 본체부(351)의 내부 상측에는 제2 본체부(351) 내부의 고온의 열기를 배출할 수 있도록 제2 배기덕트(359)가 적어도 하나 이상 마련된다.

상기와 같이 제2 실리콘층 형성유닛(300)은 이형지(10)에 형성된 슬립용 실리콘층(20)에 부가용 실리콘층(30)을 형성하며, 부가용 실리콘층(30)이 형성된 이형지(10)는 후방에 배치된 합포유닛(400)으로 이송되며, 합포유닛(400)은 부가용 실리콘층(30)에 점착용 실리콘층(40)을 형성하고 점착용 실리콘층(40)에 원단(50)을 합포한다.

본 실시예에 따른 합포유닛(400)은 부가용 실리콘층(30)에 점착용 실리콘층(40)을 형성하고 점착용 실리콘층(40)에 원단(50)을 합포하는 역할을 한다.

도 6 내지 도 8을 참조하면, 합포유닛(400)은 슬립용 실리콘층(20)과 부가용 실리콘층(30)이 순차로 형성된 이형지(10)를 이송하고 정렬하는 제3 정렬부(410)와, 제3 정렬부(410)에 인라인되게 배치되어 이형지(10)에 형성된 부가용 실리콘층(30)에 액상 실리콘 고무를 포함하는 제3 코팅액을 도포하여 점착용 실리콘층(40)을 형성하는 제3 실리콘 도포부(430)와, 점착용 실리콘층(40)에 원단(50)을 합포하는 합포부(450)와, 합포부(450)에 인라인되게 배치되어 원단(50)이 합포된 점착용 실리콘층(40)을 건조시키는 제3 건조챔버(470)를 포함한다.

제3 정렬부(410)는 슬립용 실리콘층(20)과 부가용 실리콘층(30)이 순차로 형성된 이형지(10)를 이송하여 후방에 배치된 제3 실리콘 도포부(430)에 대한 이형지(10)의 위치를 정렬한다. 제3 정렬부(410)는 제2 건조챔버(350)에서 건조 및 경화되어 배출된 슬립용 실리콘층(20)과 부가용 실리콘층(30)이 형성된 이형지(10)를 이송하는 복수의 제3 롤러(411)와 제3 실리콘 도포부(430)에 대해 이형지(10)가 정렬된 상태로 이송될 수 있도록 이형지(10)의 위치를 정렬하는 복수의 제3 모터 액츄에이터(413)를 포함한다.

본 실시예는 제3 모터 액츄에이터(413)를 이용하여 이형지(10)가 제3 실리콘 도포부(430)에 대해 정렬된 상태로 이송될 수 있도록 함으로써 신속하고 정밀한 제어가 가능하며 종전의 유입타입과 달리 소음이 없으며 기름 누유로 인해 부가용 실리콘층(30)과 슬립용 실리콘층(20) 및 이형지(10)가 오염되는 것을 방지할 수 있다.

그리고 제3 실리콘 도포부(430)는 부가용 실리콘층(30)의 표면에 액상 실리콘 고무를 포함하는 제3 코팅액을 도포하는 역할을 한다.

도 7에서 도시한 바와 같이, 제3 실리콘 도포부(430)는 이송되는 이형지(10)의 상부에 승강가능하게 마련되고 이형지(10)의 폭방향으로 길게 배치된 제3 나이프(431)와, 제3 나이프(431)에 연결되어 제3 나이프(431)를 높이방향으로 승강시키는 제3 나이프 승강부(437)를 포함한다.

여기서, 제3 코팅액은 부가용 실리콘층(30)에 도포되어 점착용 실리콘층(40)을 형성하도록 한다.

이처럼 부가용 실리콘층(30)에 점착용 실리콘층(40)을 형성하기 위해 본 실시예에 따른 제3 코팅액은 하이드라진 실란(hydrazine silane), 옥심 실란(oxime silane), 아미녹시 실란(aminoxy silane), 하이드록시 디메틸 실록산(hydroxyl dimethyl siloxane), 옥타메틸 시클로테트라실록산(octamethyl cyclotetrasiloxane), 데카메틸 테트라실록산(decamethyl tetrasiloxane), 안료, 충전재 및 촉매를 포함한다.

바람직하게는, 상기 제3 코팅액은, 하이드라진 실란(hydrazine silane) 100중량부에 대하여, 옥심 실란(oxime silane) 70 내지 130중량부; 아미녹시 실란(aminoxy silane) 250 내지 350중량부; 하이드록시 디메틸 실록산(hydroxyl dimethyl siloxane) 70 내지 130중량부; 옥타메틸 시클로테트라실록산(octamethyl cyclotetrasiloxane) 170 내지 230중량부; 데카메틸 테트라실록산(decamethyl tetrasiloxane) 70 내지 130중량부; 안료 1 내지 35중량부; 충전재 1 내지 30중량부; 및 촉매 0.001 내지 0.1중량부;를 포함할 수 있다.

더욱 바람직하게는, 상기 제3 코팅액은, 하이드라진 실란(hydrazine silane) 100중량부에 대하여, 옥심 실란(oxime silane) 80 내지 120중량부; 아미녹시 실란(aminoxy silane) 260 내지 340중량부; 하이드록시 디메틸 실록산(hydroxyl dimethyl siloxane) 80 내지 120중량부; 옥타메틸 시클로테트라실록산(octamethyl cyclotetrasiloxane) 160 내지 220중량부; 데카메틸 테트라실록산(decamethyl tetrasiloxane) 80 내지 120중량부; 안료 10 내지 25중량부; 충전재 5 내지 20중량부; 및 촉매 0.001 내지 0.1중량부;를 포함할 수 있다.

더욱 더 바람직하게는, 상기 제3 코팅액은, 하이드라진 실란(hydrazine silane) 100중량부에 대하여, 옥심 실란(oxime silane) 90 내지 110중량부; 아미녹시 실란(aminoxy silane) 270 내지 330중량부; 하이드록시 디메틸 실록산(hydroxyl dimethyl siloxane) 90 내지 110중량부; 옥타메틸 시클로테트라실록산(octamethyl cyclotetrasiloxane) 170 내지 210중량부; 데카메틸 테트라실록산(decamethyl tetrasiloxane) 90 내지 110중량부; 안료 15 내지 20중량부; 충전재 10 내지 15중량부; 및 촉매 0.001 내지 0.1중량부;를 포함할 수 있다.

상기 점착용 실리콘층(40)은 0.2 내지 1.5mm의 두께로 형성하는 것이 바람직하나, 본 발명의 권리범위가 이에 의해 한정되지 않는다.

상기한 제3 코팅액을 부가용 실리콘층(30) 표면에 도포하기 위해 본 실시예에서는 제3 나이프 승강부(437)를 제어하여 이형지(10)의 폭방향으로 길게 배치된 제3 나이프(431)를 이형지(10)의 상부에서 승강시키며, 부가용 실리콘층(30)의 표면과 제3 나이프(431)의 끝단 사이의 거리를 조절함으로써 부가용 실리콘층(30)의 표면에 형성되는 점착용 실리콘층(40)의 두께를 조절한다.

본 실시예에서 점착용 실리콘층(40)은 부가용 실리콘층(30)의 표면에 소정 두께를 갖도록 형성될 수 있다.

제3 나이프(431)는 부가용 실리콘층(30)의 표면에 점착용 실리콘층(40)이 균일하게 형성되게 하며 점도를 갖는 제3 코팅액을 부가용 실리콘층(30)에 도포함에 있어서 점착용 실리콘층(40)의 내부에 발생될 수 있는 기포(B)를 제거하는 역할을 한다.

본 실시예에서 제3 나이프(431)는 스틸재질로 제조되며 이형지(10)의 폭방향으로 길게 배치되고 이형지(10)가 이송되는 방향에 대향되는 제2 측벽(432)이 하방으로 갈수록 폭이 감소되도록 하방 경사지게 형성된다.

구체적으로 제3 나이프(431)의 끝단부 제2 측벽(432)은 상방에서 하방으로 갈수록 연속되게 제3 경사면(433)과 제4 경사면(434)이 형성된다. 여기서 제4 경사면(434)의 경사각도(Θ4)는 제3 경사면(433)의 경사각도(Θ3)보다 더 크게 형성된다. 예를들어 제3 경사면(433)의 경사각도(Θ3)는 약 10°이고, 제4 경사면(434)의 경사각도(Θ4)는 약 24°일 수 있다.

그리고 제3 나이프(431)의 끝단부에는 볼록한 제3 라운드면(435)이 형성되고 제3 나이프(431)의 끝단부 제2 측벽(432)에는 제3 라운드면(435)에서 연속되게 형성되고 오목한 제4 라운드면(436)이 형성된다.

제3 코팅액이 부가용 실리콘층(30)의 표면에 투여되고 이형지(10)가 제3 나이프(431) 방향으로 이송되는 경우에 제3 코팅액은 제4 라운드면(436)과 제4 경사면(434)을 따라 선회되면서 제3 코팅액에 내재된 기포(B)들이 제거된다. 그리고 기포(B)들이 제거된 제3 코팅액은 부가용 실리콘층(30)과 제3 나이프(431)의 끝단 사이의 간격을 통해 부가용 실리콘층(30)에 도포된다. 또한 제3 나이프(431)의 끝단부에 형성된 볼록한 제3 라운드면(435)은 제3 코팅액을 도포하는 동안 부가용 실리콘층(30)을 손상시키는 것을 방지함과 동시에 점착용 실리콘층(40)의 표면이 매끄럽게 형성되게 한다.

이처럼 본 실시예에서는 제3 코팅액에 내재된 기포(B)들을 제거하기 위해 제3 나이프(431)의 제2 측벽(432)에 제3 경사면(433)과 제4 경사면(434)을 형성하고 제4 경사면(434)에 오목한 제4 라운드면(436)을 형성하며, 점착용 실리콘층(40)의 표면이 매끄럽게 형성되도록 제3 나이프(431)의 끝단부에 제3 라운드면(435)을 형성한다.

한편, 본 실시예에 따른 제3 실리콘 도포부(430)는 제3 나이프(431)의 양단부에 각각 마련되되 이형지(10)의 폭방향으로 이동가능하며 일측이 제3 나이프(431)의 제2 측벽(432)에 밀착되고 하단이 이형지(10)의 폭방향 양측 테두리에 밀착되어 부가용 실리콘층(30)에 점착용 실리콘층(40)을 도포하는 동안 제3 코팅액이 제3 나이프(431)의 양측으로 누설되는 것을 방지하는 한 쌍의 제3 누설방지판(438)을 더 포함할 수 있다.

한 쌍의 제3 누설방지판(438)은 제3 나이프(431)의 양단부에 각각 마련되며 이형지(10)의 폭에 따라 상호 접근 또는 이격된다. 그리고 점착용 실리콘층(40)을 형성하는 동안 제3 코팅액이 제3 나이프(431)의 양단부로 이동되어 외부로 배출되는 것을 차단한다.

또한 본 실시예에 따른 제3 실리콘 도포부(430)는 제3 나이프(431)의 양단부에 각각 마련되며 제3 나이프(431)의 승강에 따라 제3 나이프(431)의 양단을 각각 지지하는 한 쌍의 제3 지지부재(439)를 더 포함할 수 있다.

제3 나이프(431)는 이형지(10)의 폭방향으로 길게 배치되고 제3 나이프 승강부(437)에 의해 높이방향으로 승강된다. 이때 제3 나이프(431)가 스틸재질로 형성되는 경우에 자체 하중이 무겁기 때문에 제3 나이프 승강부(437)만으로 제3 나이프(431)의 위치를 고정하는 데 한계가 있다. 따라서 한 쌍의 제3 지지부재(439)가 제3 나이프(431)의 양단부 하면을 지지할 수 있도록 한다. 이때 제3 나이프(431)의 높이에 따라 한 쌍의 제2 지지부재(339)의 높이도 조절가능하다.

그리고 합포부(450)는 점착용 실리콘층(40)의 표면에 배치된 원단(50)을 가압하여 점착용 실리콘층(40)과 원단(50)을 합포하는 역할을 한다.

도 8에서 도시한 바와 같이, 합포부(450)는 슬립용 실리콘층(20)과 부가용 실리콘층(30)과 점착용 실리콘층(40)이 순차로 적층된 이형지(10)를 사이에 두고 상호 대향되게 마련되어 점착용 실리콘층(40)에 원단(50)을 합포하는 한 쌍의 롤러를 포함한다. 여기서 한 쌍의 롤러는 점착용 실리콘층(40)에 대향되게 마련되며 점착용 실리콘층(40)에 배치되는 원단(50)을 가압하는 상부롤러(451)와, 이형지(10)에 대향되게 마련되며 이형지(10)를 가압하는 하부롤러(453)를 포함한다.

상부롤러(451)의 표면에는 실리콘고무와 니트럴고무와 클로로프렌고무가 혼합된 고무재질의 가압층(452)이 형성되고, 가압층(452)은 경도가 60~80 jis일 수 있다. 그리고 하부롤러(453)는 스틸재질로 형성될 수 있다. 이처럼, 상부롤러(451)의 표면에 가압층(452)을 형성함으로써 점착용 실리콘층(40)에 원단(50)을 합포하는 경우에 정전기 발생을 억제할 수 있다.

또한 합포부(450)는 상부롤러(451)에 연결되어 상부롤러(451)를 높이방향으로 승강시키는 상부롤러 승강부(455)를 더 포함한다. 상부롤러 승강부(455)에 의해 상부롤러(451)는 높이방향으로 승강되며 원단을 가압한다.

그리고 제3 건조챔버(470)는 부가용 실리콘층(30)과 원단(50) 사이에 도포된 점착용 실리콘층(40)을 건조 및 경화시키는 역할을 한다.

제3 건조챔버(470)는 유입구와 배출구가 형성되며 내부에서 이형지(10)가 S자형인 지그재그 형태로 이송되는 제3 본체부(471)와, 제3 본체부(471)의 내부에 마련된 복수의 제3 세라믹 원적외선 히터(473)와, 복수의 제3 세라믹 원적외선 히터(473)가 고정되는 제3 히터 고정판(475)과, 제3 히터 고정판(475)에 연결되어 제3 히터 고정판(475)을 높이방향으로 승강시키는 제3 승강부(477)와, 제3 히터 고정판(475)의 상부에 마련된 제3 배기덕트(479)를 포함한다.

점착용 실리콘층(40)에 원단(50)이 합포된 이형지(10)는 유입구를 통해 제3 본체부(471)로 유입되고 제3 본체부(471)의 내부에서 지그재그 형태로 이송되면서 건조 및 경화된 후 배출구를 통해 배출된다. 점착용 실리콘층(40)의 상면에 원단(50)이 합포된 상태로 점착용 실리콘층(40)을 경화 및 건조하여야 하기 때문에 점착용 실리콘층(40)의 경화 및 건조에 소요되는 시간이 길어질 수 있으므로 본 실시예에서는 이형지(10)를 제3 본체부(471)의 내부에서 S자형인 지그재그 형태로 이송함으로써 제3 세라믹 원적외선 히터(473)로 가열된 점착용 실리콘층(40)이 열량을 보존하면서 빠르게 경화 및 건조시키도록 하기 위함이다.

제3 본체부(471)의 내부 상측에는 제3 히터 고정판(475)이 배치되며 제3 히터 고정판(475)의 하면에는 복수의 제3 세라믹 원적외선 히터(473)가 소정간격 이격되게 고정된다. 그리고 제3 히터 고정판(475)은 제3 승강부(477)에 의해 높이방향으로 승강되어 제3 세라믹 원적외선 히터(473)가 원단(50)에 접근 또는 이격된다.

점착용 실리콘층(40)을 건조 및 경화시켜 원단(50)을 점착하기 위해 제3 세라믹 원적외선 히터(473)를 원단(50)에 접근되게 할 수 있으며 제3 세라믹 원적외선 히터(473)에서 발생된 열은 하부로 직접 전달되어 점착용 실리콘층(40)을 건조 및 경화시키는 데 효율적이다.

또한 제3 세라믹 원적외선 히터(473)로 원적외선을 방출하여 잠착용 실리콘층을 건조 및 경화시키는 경우에 방출되는 원적외선의 파장(3∼20㎛)을 조절하여 점착용 실리콘층(40)만을 효과적으로 가열하고 제3 본체부(471)의 내부에 마련된 각종 설비들은 가열하지 않을 수 있다.

이는 실리콘 고무가 7∼15㎛의 범위에서 흡수 스펙트럼의 피크를 가지고 다른 재질은 원적외선 파장영역에서 흡수 스펙트럼을 가지지 않으므로 원적외선이 방출되면 점착용 실리콘층(40)만을 선택적으로 가열할 수 있으며 제3 본체부(471)의 내부 설비는 가열되지 않는다.

이처럼 점착용 실리콘층(40)을 건조 및 경화시키기 위해 제3 세라믹 원적외선 히터(473)를 사용하는 경우에 점착용 실리콘층(40)이 원적외선을 완전히 흡수하기 때문에 단시간에 효율적으로 온도를 상승시켜 점착용 실리콘층(40)의 건조 및 경화 시간을 단축할 수 있으며, 제3 본체부(471)의 내부에 설치된 각종 설비들은 실질적으로 가열되지 않으므로 냉각시키지 않고 계속 사용할 수 있어 작업효율을 향상시킬 수 있으며, 별도의 냉각장치 등을 구비할 필요가 없으므로 설비비용을 절감할 수 있으며, 기존의 오븐구조보다 구조가 간단하고 컴팩트하게 제작될 수 있으며 기존의 오븐구조와는 달리 대기중에 악취 및 가스를 배출시키지 않아 친환경적이며, 제2 세라믹 원적외선 히터(353)의 비용이 저렴하므로 생산원가를 절감할 수 있으며, 또한 점착용 실리콘층(40)의 표면이 부드럽게 되고 가열에 따른 색상변화가 생기지 않는 이점이 있다.

한편, 제3 본체부(471)의 내부 상측에는 제3 본체부(471) 내부의 고온의 열기를 배출할 수 있도록 제3 배기덕트(479)가 적어도 하나 이상 마련된다.

상기와 같이 합포유닛(400)은 부가용 실리콘층(30)에 점착용 실리콘층(40)을 형성하고 점착용 실리콘층(40)에 원단(50)을 합포한 후 점착용 실리콘층(40)을 경화 및 건조시켜 원단(50)을 점착하며, 도 9에서 도시한 바와 같이 원단(50)이 점착된 이형지(10)는 후방에 배치된 보호필름 부착유닛(500)으로 이송된다.

도 10(a)은 합포유닛(400)의 제3 건조챔버(470)를 통과한 후 이형지(10)에 슬립용 실리콘층(20)과 부가용 실리콘층(30)과 점착용 실리콘층(40)과 원단(50)이 순차로 적층된 상태를 나타낸다.

그리고 보호필름 부착유닛(500)은 슬립용 실리콘층(20)에서 이형지(10)를 박리한 후 슬립용 실리콘층(20)에 보호필름(60)을 부착한다. 도 10(b)는 이형지(10)가 박리된 후 보호필름(60)이 부착된 실리콘 원단을 나타낸다. 그리고 보호필름(60)이 부착된 실리콘 원단은 후방에 배치된 리와인더(W2)에 감겨진다.

전술한 바와 같이, 본 발명에 따른 실리콘 원단 제조장치(100)는 제1 실리콘층 형성유닛(200)과 제2 실리콘층 형성유닛(300)과 합포유닛(400) 및 보호필름 부착유닛(500)을 인라인되게 배치하여 일련의 공정을 연속적으로 수행하도록 함으로써 생산성을 향상시킬 수 있다.

이와 같이 본 발명은 기재된 실시 예에 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 사상 및 범위를 벗어나지 않고 다양하게 수정 및 변형할 수 있음은 이 기술의 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 자명하다. 따라서 그러한 수정 예 또는 변형 예들은 본 발명의 특허청구범위에 속한다 하여야 할 것이다.

100: 실리콘 원단 제조장치 200: 제1 실리콘층 형성유닛
210: 제1 정렬부 230: 제1 실리콘 도포부
250: 제1 건조챔버 300: 제2 실리콘층 형성유닛
310: 제2 정렬부 330: 제2 실리콘 도포부
350: 제2 건조챔버 400: 합포유닛
410: 제3 정렬부 430: 제3 실리콘 도포부
450: 합포부 470: 제3 건조챔버
500: 보호필름 부착유닛

Claims

슬립용 엠보싱이 형성된 이형지에 액상 실리콘 고무를 포함하는 제1 코팅액을 도포하고 건조시켜 상기 이형지에 슬립용 실리콘층을 형성하는 제1 실리콘층 형성유닛;
상기 제1 실리콘 형성유닛에 인라인되게 배치되며, 상기 슬립용 실리콘층에 액상 실리콘 고무를 포함하는 제2 코팅액을 균일하게 도포하고 건조시켜 부가용 실리콘층을 형성하는 적어도 하나의 제2 실리콘층 형성유닛; 및
상기 제2 실리콘층 형성유닛에 인라인되게 배치되며 최외각의 상기 부가용 실리콘층에 액상 실리콘 고무를 포함하는 제3 코팅액을 균일하게 도포하여 점착용 실리콘층을 형성하되 상기 점착용 실리콘층에 원단을 합포하여 건조시키는 합포유닛을 포함하며,
상기 제1 실리콘층 형성유닛은,
상기 이형지의 상부에 높이방향으로 승강가능하게 마련되고 상기 이형지의 폭방향으로 길게 배치된 제1 나이프를 구비하여 상기 이형지에 상기 제1 코팅액을 도포하며 상기 이형지에 형성되는 상기 슬립용 실리콘층의 두께를 조절하는 제1 실리콘 도포부; 및
상기 제1 실리콘 도포부에 인라인되게 배치되어 상기 슬립용 실리콘층을 건조시키는 제1 건조챔버를 포함하는 실리콘 원단 제조장치.
삭제
제1항에 있어서,
상기 제1 건조챔버는,
유입구와 배출구가 형성된 제1 본체부;
상기 제1 본체부의 내부에 마련된 복수의 제1 세라믹 원적외선 히터;
복수의 상기 제1 세라믹 원적외선 히터가 고정되는 제1 히터 고정판;
상기 제1 히터 고정판에 연결되어 상기 제1 히터 고정판을 높이방향으로 승강시키는 제1 승강부; 및
상기 제1 히터 고정판의 상부에 마련된 제1 배기덕트를 포함하는 실리콘 원단 제조장치.
제1항에 있어서,
상기 제1 실리콘 도포부는,
상기 제1 나이프에 연결되어 상기 제1 나이프를 높이방향으로 승강시키는 제1 나이프 승강부;
상기 제1 나이프의 양단부에 각각 마련되되 상기 이형지의 폭방향으로 이동가능하며 일측이 상기 제1 나이프의 측벽에 밀착되고 하단이 상기 이형지의 폭방향 양측 테두리에 밀착되어 상기 이형지에 슬립용 실리콘층을 도포하는 동안 상기 제1 코팅액이 상기 제1 나이프의 양측으로 누설되는 것을 방지하는 한 쌍의 제1 누설방지판; 및
상기 제1 나이프의 양단부에 각각 마련되며 상기 제1 나이프의 승강에 따라 상기 제1 나이프의 양단을 각각 지지하는 한 쌍의 제1 지지부재를 더 포함하는 실리콘 원단 제조장치.
제1항에 있어서,
상기 제2 실리콘층 형성유닛은,
상기 슬립용 실리콘층이 형성된 상기 이형지의 상부에 높이방향으로 승강가능하게 마련되고 상기 이형지의 폭방향으로 길게 배치된 제2 나이프를 구비하여 상기 슬립용 실리콘층에 상기 제2 코팅액을 균일하게 도포하며 상기 슬립용 실리콘층에 형성되는 상기 부가용 실리콘층의 두께를 조절하는 제2 실리콘 도포부; 및
상기 제2 실리콘 도포부에 인라인되게 배치되어 상기 부가용 실리콘층을 건조시키는 제2 건조챔버를 포함하는 실리콘 원단 제조장치.
제5항에 있어서,
상기 제2 나이프의 끝단부는 하방으로 갈수록 폭이 감소되도록 상기 이형지가 이송되는 방향에 대향되는 제1 측벽이 하방 경사지게 형성되며,
상기 제2 나이프의 끝단부에는 볼록한 제1 라운드면이 형성되고,
상기 제2 나이프의 끝단부 상기 제1 측벽에는 상기 제1 라운드면에서 연속되게 형성되고 오목한 제2 라운드면이 형성되는 실리콘 원단 제조장치.
제6항에 있어서,
상기 제2 나이프의 끝단부 상기 제1 측벽은 상방에서 하방으로 갈수록 연속되는 제1 경사면과 제2 경사면이 형성되고,
상기 제2 경사면의 경사각도가 상기 제1 경사면의 경사각도보다 더 크며,
상기 제2 라운드면은 상기 제2 경사면에 형성되는 실리콘 원단 제조장치.
제5항에 있어서,
상기 제2 건조챔버는,
유입구와 배출구가 형성된 제2 본체부;
상기 제2 본체부의 내부에 마련된 복수의 제2 세라믹 원적외선 히터;
복수의 상기 제2 세라믹 원적외선 히터가 고정되는 제2 히터 고정판;
상기 제2 히터 고정판에 연결되어 상기 제2 히터 고정판을 높이방향으로 승강시키는 제2 승강부; 및
상기 제2 히터 고정판의 상부에 마련된 제2 배기덕트를 포함하는 실리콘 원단 제조장치.
제5항에 있어서,
상기 제2 실리콘 도포부는,
상기 제2 나이프에 연결되어 상기 제2 나이프를 높이방향으로 승강시키는 제2 나이프 승강부;
상기 제2 나이프의 양단부에 각각 마련되되 상기 이형지의 폭방향으로 이동가능하며 일측이 상기 제2 나이프의 측벽에 밀착되고 하단이 상기 이형지의 폭방향 양측 테두리에 밀착되어 상기 이형지에 부가용 실리콘층을 도포하는 동안 상기 제2 코팅액이 상기 제2 나이프의 양측으로 누설되는 것을 방지하는 한 쌍의 제2 누설방지판; 및
상기 제2 나이프의 양단부에 각각 마련되며 상기 제2 나이프의 승강에 따라 상기 제2 나이프의 양단을 각각 지지하는 한 쌍의 제2 지지부재를 더 포함하는 실리콘 원단 제조장치.
제1항에 있어서,
상기 합포유닛은,
상기 부가용 실리콘층이 형성된 상기 이형지의 상부에 높이방향으로 승강가능하게 마련되고 상기 이형지의 폭방향으로 길게 배치된 제3 나이프를 구비하여 상기 부가용 실리콘층에 상기 제3 코팅액을 균일하게 도포하며 상기 부가용 실리콘층에 형성되는 상기 점착용 실리콘층의 두께를 조절하는 제3 실리콘 도포부;
상기 제3 실리콘 도포부에 인라인되게 배치되며 상기 슬립용 실리콘층과 상기 부가용 실리콘층과 상기 점착용 실리콘층이 순차로 적층된 상기 이형지를 사이에 두고 상호 대향되게 마련되어 상기 점착용 실리콘층에 원단을 합포하는 한 쌍의 롤러를 구비한 합포부; 및
상기 합포부에 인라인되게 배치되어 상기 점착용 실리콘층을 건조시키는 제3 건조챔버를 포함하는 실리콘 원단 제조장치.
제10항에 있어서,
상기 제3 나이프의 끝단부는 하방으로 갈수록 폭이 감소되도록 상기 이형지가 이송되는 방향에 대향되는 제2 측벽이 하방 경사지게 형성되며,
상기 제3 나이프의 끝단부에는 볼록한 제3 라운드면이 형성되고,
상기 제3 나이프의 끝단부 상기 제2 측벽에는 상기 제3 라운드면에서 연속되게 형성되고 오목한 제4 라운드면이 형성되는 실리콘 원단 제조장치.
제11항에 있어서,
상기 제3 나이프의 끝단부 상기 제2 측벽은 상방에서 하방으로 갈수록 연속되는 제3 경사면과 제4 경사면이 형성되고,
상기 제4 경사면의 경사각도가 상기 제3 경사면의 경사각도보다 더 크며,
상기 제4 라운드면은 상기 제4 경사면에 형성되는 실리콘 원단 제조장치.
제10항에 있어서,
상기 한 쌍의 롤러는,
상기 점착용 실리콘층에 대향되게 마련되며 상기 점착용 실리콘층에 배치되는 상기 원단을 가압하는 실리콘고무와 니트럴고무와 클로로프렌고무가 혼합된 고무재질의 가압층이 형성된 상부롤러; 및
상기 이형지에 대향되게 마련되며 상기 이형지를 가압하는 하부롤러를 포함하는 실리콘 원단 제조장치.
제13항에 있어서,
상기 가압층은 경도가 60~80 jis인 실리콘 원단 제조장치.
제10항에 있어서,
상기 제3 건조챔버는,
유입구와 배출구가 형성되며 상기 슬립용 실리콘층과 상기 부가용 실리콘층과 상기 점착용 실리콘층과 상기 원단이 순차로 적층된 상기 이형지가 지그재그 형태로 이송되는 제3 본체부;
상기 제3 본체부의 내부에 마련된 복수의 제3 세라믹 원적외선 히터;
복수의 상기 제3 세라믹 원적외선 히터가 고정되는 제3 히터 고정판;
상기 제3 히터 고정판에 연결되어 상기 제3 히터 고정판을 높이방향으로 승강시키는 제3 승강부; 및
상기 제3 히터 고정판의 상부에 마련된 제3 배기덕트를 포함하는 실리콘 원단 제조장치.
제10항에 있어서,
상기 제3 실리콘 도포부는,
상기 제3 나이프에 연결되어 상기 제3 나이프를 높이방향으로 승강시키는 제3 나이프 승강부;
상기 제3 나이프의 양단부에 각각 마련되되 상기 이형지의 폭방향으로 이동가능하며 일측이 상기 제3 나이프의 측벽에 밀착되고 하단이 상기 이형지의 폭방향 양측 테두리에 밀착되어 상기 이형지에 점착용 실리콘층을 도포하는 동안 상기 제3 코팅액이 상기 제3 나이프의 양측으로 누설되는 것을 방지하는 한 쌍의 제3 누설방지판; 및
상기 제3 나이프의 양단부에 각각 마련되며 상기 제3 나이프의 승강에 따라 상기 제3 나이프의 양단을 각각 지지하는 한 쌍의 제3 지지부재를 더 포함하는 실리콘 원단 제조장치.
제1항에 있어서,
상기 합포유닛에 인라인되게 배치되며 상기 슬립용 실리콘층에서 상기 이형지를 박리하되 상기 슬립용 실리콘층에 보호필름을 부착하는 보호필름 부착유닛을 더 포함하는 실리콘 원단 제조장치.