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KR101964897B1 - Memory apparatus based on low power circuit and operating method thereof - Google Patents

Memory apparatus based on low power circuit and operating method thereof Download PDF

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KR101964897B1
KR101964897B1 KR1020170066739A KR20170066739A KR101964897B1 KR 101964897 B1 KR101964897 B1 KR 101964897B1 KR 1020170066739 A KR1020170066739 A KR 1020170066739A KR 20170066739 A KR20170066739 A KR 20170066739A KR 101964897 B1 KR101964897 B1 KR 101964897B1
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South Korea
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signal
clock
write operation
read operation
operation signal
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엄재홍
홍현석
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빌리브마이크론(주)
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Abstract

저전력 프로그래밍이 가능한 논리회로를 기반으로 실제 동작 구간에서만 클럭 신호가 할당되는 메모리 장치가 제공된다. 상기 장치는: 기준 클럭 신호, 쓰기 동작 신호 및 읽기 동작 신호 중 적어도 하나에 기초하여 클럭정보를 발생시키는 클럭 처리부와, 상기 쓰기 동작 신호 및 상기 읽기 동작 신호 중 적어도 하나를 수행하는 구간에서 상기 클럭정보를 활성화하도록 제어하는 지연 처리부, 및 상기 활성화된 클럭정보를 기초로 쓰기 연산 및 읽기 연산 중 적어도 하나를 수행하고, 상기 수행에 대응하는 결과 데이터를 출력하는 코어 메모리부를 포함할 수 있다. 이 때, 상기 코어 메모리부는 상기 쓰기 연산 및 상기 읽기 연산에 연관되는 프로그래밍이 가능한 적어도 하나의 논리회로로 구현된다.There is provided a memory device in which a clock signal is allocated only in an actual operation period based on a logic circuit capable of low power programming. The apparatus includes: a clock processor for generating clock information based on at least one of a reference clock signal, a write operation signal, and a read operation signal; and a clock processor for performing at least one of the write operation signal and the read operation signal, And a core memory unit for performing at least one of a write operation and a read operation based on the activated clock information and outputting result data corresponding to the execution. At this time, the core memory unit is implemented with at least one logic circuit that is programmable associated with the write operation and the read operation.

Description

저전력 프로그래밍이 가능한 논리회로로 구현되는 메모리 장치 및 이의 동작 방법{MEMORY APPARATUS BASED ON LOW POWER CIRCUIT AND OPERATING METHOD THEREOF}TECHNICAL FIELD [0001] The present invention relates to a memory device implemented as a low-power programmable logic circuit and a method of operating the memory device.

저전력 프로그래밍이 가능한 논리회로로 구현되는 메모리에 연관되며, 보다 상세하게는 ASIC(Application Specific Integrated Circuit)과 같이 저전력 프로그래밍이 가능한 논리회로를 기반으로 실제 동작 구간에서만 클럭 신호가 할당되는 메모리 장치 및 이의 동작 방법에 연관된다.And more particularly, to a memory device in which a clock signal is allocated only in an actual operation period based on a logic circuit capable of low-power programming such as an ASIC (Application Specific Integrated Circuit) and its operation ≪ / RTI >

주문형 반도체 회로(Application Specific Integrated Circuit; ASIC)와 같은 저전력 프로그래밍이 가능한 논리회로는 설계자의 의도대로 용이하게 회로 설계가 가능하다는 점에서 다양한 분야에 활용되고 있다. 일반적으로, 회로 설계 시에는 메모리가 필수적으로 사용되는데, 논리회로를 이용하여 메모리를 구현하는 경우 전력(power) 및 클럭(clock) 신호를 고정적으로 할당하게 된다. 이러한 경우, 메모리가 실제 동작하지 않는 휴지 구간에서도 클럭을 계속 유지하면서 전력이 소모될 수 있으며, 이로 인해 불필요한 소모 전력이 발생되는 문제점이 있다.Low-power programmable logic circuits, such as application specific integrated circuits (ASICs), are being used in a variety of applications in that they allow easy circuit design as intended by the designer. Generally, a memory is essential when designing a circuit. When a memory is implemented using a logic circuit, a power and a clock signal are fixedly allocated. In this case, the power may be consumed while maintaining the clock even in the idle period where the memory does not actually operate, thereby causing unnecessary power consumption.

일측에 따르면, 저전력 프로그래밍이 가능한 논리회로를 기반으로 실제 동작 구간에서만 클럭 신호가 할당되는 메모리 장치가 제공된다. 상기 장치는: 기준 클럭 신호, 쓰기 동작 신호 및 읽기 동작 신호 중 적어도 하나에 기초하여 클럭정보를 발생시키는 클럭 처리부와, 상기 쓰기 동작 신호 및 상기 읽기 동작 신호 중 적어도 하나를 수행하는 구간에서 상기 클럭정보를 활성화하도록 제어하는 지연 처리부, 및 상기 활성화된 클럭정보를 기초로 쓰기 연산 및 읽기 연산 중 적어도 하나를 수행하고, 상기 수행에 대응하는 결과 데이터를 출력하는 코어 메모리부를 포함할 수 있다. 이 때, 상기 코어 메모리부는 상기 쓰기 연산 및 상기 읽기 연산에 연관되는 프로그래밍이 가능한 적어도 하나의 논리회로로 구현된다.According to one aspect, a memory device is provided in which a clock signal is assigned only in an actual operation period based on a logic circuit capable of low power programming. The apparatus includes: a clock processor for generating clock information based on at least one of a reference clock signal, a write operation signal, and a read operation signal; and a clock processor for performing at least one of the write operation signal and the read operation signal, And a core memory unit for performing at least one of a write operation and a read operation based on the activated clock information and outputting result data corresponding to the execution. At this time, the core memory unit is implemented with at least one logic circuit that is programmable associated with the write operation and the read operation.

일실시예에 따르면, 상기 클럭 처리부는: 상기 기준 클럭 신호를 기초로 상기 쓰기 동작 신호의 입력에 대응하는 제1 출력신호를 출력하는 제1 D 플립플롭(flip-flop), 및 상기 기준 클럭 신호를 기초로 상기 읽기 동작 신호의 입력에 대응하는 제2 출력신호를 출력하는 제2 D 플립플롭(flip-flop)을 포함할 수 있다.According to one embodiment, the clock processing unit includes: a first D flip-flop for outputting a first output signal corresponding to the input of the write operation signal based on the reference clock signal; and a second D flip- And a second D flip-flop for outputting a second output signal corresponding to the input of the read operation signal based on the read operation signal.

또한, 상기 클럭 처리부는: 상기 쓰기 동작 신호, 상기 읽기 동작 신호, 상기 제1 출력신호 및 상기 제2 출력신호 중 적어도 어느 하나가 1이면 1을 데이터 신호로 입력받고, 모든 신호가 0이면 0을 데이터 신호로 입력받아 상기 기준 클럭 신호의 하강 에지(negative edge)에 동기하여 상기 클럭정보를 생성하는 제3 D 플립플롭(flip-flop)을 더 포함할 수 있다. 이 경우, 상기 지연 처리부는: 상기 제3 D 플립플롭의 출력신호가 1인 구간에서 상기 클럭정보를 상기 코어 메모리부로 입력한다.The clock processing unit receives 1 as a data signal when at least one of the write operation signal, the read operation signal, the first output signal, and the second output signal is 1, And a third D flip-flop that receives the data signal and generates the clock information in synchronization with a negative edge of the reference clock signal. In this case, the delay processing unit inputs the clock information to the core memory unit in a period in which the output signal of the third D flip-flop is 1.

일실시예에 따르면, 상기 지연 처리부는: 상기 쓰기 동작 신호 및 상기 읽기 동작 신호 중 적어도 하나의 신호가 발생한 구간에 대해 하나의 클럭 단위만큼 지연하여 상기 클럭정보를 상기 코어 메모리부로 전달할 수 있다.According to one embodiment, the delay processing unit may delay the clock signal by one clock unit with respect to a period in which at least one of the write operation signal and the read operation signal occurs, and transmit the clock information to the core memory unit.

여기서, 상기 지연 처리부는: 상기 기준 클럭 신호 및 상기 클럭 처리부로부터 생성된 클럭정보를 AND 연산한 결과인 제3 출력신호를 상기 코어 메모리부로 출력한다.Here, the delay processing unit outputs to the core memory unit a third output signal that is a result of ANDing the reference clock signal and the clock information generated from the clock processing unit.

일실시예에 따르면, 상기 논리회로는: FPGA(Field Programmable Gate Array), ASIC(Application Specific Integrated Circuit), CPLD(Complex Programmable Logic Device) 및 FPAA(Field Programmable Analog Array) 중 적어도 하나를 포함한다.According to one embodiment, the logic circuit includes at least one of a Field Programmable Gate Array (FPGA), an Application Specific Integrated Circuit (ASIC), a Complex Programmable Logic Device (CPLD), and a Field Programmable Analog Array (FPAA).

다른 일측에 따르면, 저전력 프로그래밍이 가능한 논리회로를 기반으로 실제 동작 구간에서만 클럭 신호가 할당되는 메모리 장치의 동작 방법이 제공된다. 상기 방법은: 클럭 처리부가 기준 클럭 신호, 쓰기 동작 신호 및 읽기 동작 신호 중 적어도 하나에 기초하여 클럭정보를 생성하는 단계와, 지연 처리부가 상기 쓰기 동작 신호 및 상기 읽기 동작 신호 중 적어도 하나를 수행하는 구간에서 상기 클럭정보를 활성화하도록 제어하는 단계, 및 코어 메모리부가 상기 활성화된 클럭정보를 기초로 쓰기 연산 및 읽기 연산 중 적어도 하나를 수행하고, 상기 수행에 대응하는 결과 데이터를 출력하는 단계를 포함할 수 있다.According to another aspect, a method of operating a memory device is provided in which a clock signal is assigned only in an actual operation period based on a logic circuit capable of low-power programming. The method includes the steps of: generating clock information based on at least one of a clock signal, a write operation signal and a read operation signal, and a delay processing unit performing at least one of the write operation signal and the read operation signal Controlling the clock information to be activated in a period, and performing a write operation and a read operation on a core memory based on the activated clock information, and outputting result data corresponding to the execution .

일실시예에 따르면, 상기 클럭정보를 생성하는 단계는: 상기 기준 클럭 신호를 기초로 상기 쓰기 동작 신호의 입력에 대응하는 제1 출력신호를 출력하는 단계와, 상기 기준 클럭 신호를 기초로 상기 읽기 동작 신호의 입력에 대응하는 제2 출력신호를 출력하는 단계, 및 상기 쓰기 동작 신호, 상기 읽기 동작 신호, 상기 제1 출력신호 및 상기 제2 출력신호 중 적어도 하나를 기초로 상기 클럭정보를 생성하는 단계를 포함할 수 있다.According to an embodiment, the step of generating the clock information may include: outputting a first output signal corresponding to the input of the write operation signal based on the reference clock signal; Outputting a second output signal corresponding to an input of an operation signal, and generating the clock information based on at least one of the write operation signal, the read operation signal, the first output signal, and the second output signal Step < / RTI >

이 때, 상기 클럭정보를 생성하는 단계는: 상기 쓰기 동작 신호, 상기 읽기 동작 신호, 상기 제1 출력신호 및 상기 제2 출력신호 중 적어도 어느 하나가 1이면 1을 데이터 신호로 입력받고, 모든 신호가 0이면 0을 데이터 신호로 입력받아 상기 기준 클럭 신호의 하강 에지(negative edge)에 동기하여 상기 클럭정보를 생성할 수 있다. 또한, 상기 클럭정보를 활성화하도록 제어하는 단계는: 상기 쓰기 동작 신호, 상기 읽기 동작 신호, 상기 제1 출력신호 및 상기 제2 출력신호 중 적어도 어느 하나가 1이면 상기 클럭 정보를 상기 코어 메모리부로 입력할 수 있다.At this time, the step of generating the clock information may include: receiving 1 as a data signal if at least one of the write operation signal, the read operation signal, the first output signal, and the second output signal is 1, 0 is input as a data signal and the clock information is generated in synchronization with a negative edge of the reference clock signal. The step of controlling to activate the clock information may include the steps of: when the at least one of the write operation signal, the read operation signal, the first output signal, and the second output signal is 1, can do.

일실시예에 따르면, 상기 클럭정보를 활성화하도록 제어하는 단계는: 상기 쓰기 동작 신호 및 상기 읽기 동작 신호 중 적어도 하나의 신호가 발생한 구간에 대해 하나의 클럭 단위만큼 지연하여 상기 클럭정보를 상기 코어 메모리부로 전달할 수 있다.According to one embodiment, the step of controlling to activate the clock information may include: delaying the clock signal by one clock unit with respect to a period in which at least one of the write operation signal and the read operation signal occurs, Can be delivered to the department.

여기서, 상기 클럭정보를 활성화하도록 제어하는 단계는: 상기 기준 클럭 신호 및 상기 클럭 처리부로부터 생성된 클럭정보를 AND 연산한 결과인 제3 출력신호를 상기 코어 메모리부로 출력한다.The step of controlling to activate the clock information may include: outputting a third output signal obtained as a result of ANDing the reference clock signal and the clock information generated from the clock processor to the core memory unit.

도 1은 일반적인 메모리 장치의 회로 구성을 나타내는 도면이다.
도 2는 일반적인 구조를 가지는 메모리 장치의 동작을 나타내는 그래프이다.
도 3은 일실시예에 따라 실제 동작 구간에서만 클럭 신호가 할당되는 메모리 장치를 도시하는 블록도이다.
도 4는 일실시예에 따라 실제 동작 구간에서만 클럭 신호가 할당되는 메모리 장치의 회로 구성을 나타내는 도면이다.
도 5는 일실시예에 따른 메모리 장치의 클럭 처리부에 관한 세부 구성을 설명하는 회로도이다.
도 6은 일실시예에 따라 실제 동작 구간에서만 클럭 신호가 할당되는 메모리 장치의 동작을 나타내는 그래프이다.
도 7은 일실시예에 따른 메모리 장치의 동작 방법을 도시하는 흐름도이다.
1 is a diagram showing a circuit configuration of a general memory device.
2 is a graph showing the operation of a memory device having a general structure.
3 is a block diagram illustrating a memory device in which a clock signal is assigned only in an actual operating period according to an embodiment.
4 is a diagram showing a circuit configuration of a memory device to which a clock signal is allocated only in an actual operation period according to an embodiment.
5 is a circuit diagram illustrating a detailed configuration of a clock processing unit of a memory device according to an embodiment.
6 is a graph illustrating an operation of a memory device to which a clock signal is allocated only in an actual operation period according to an exemplary embodiment of the present invention.
7 is a flow chart illustrating a method of operation of a memory device according to one embodiment.

본 명세서에 개시되어 있는 본 발명의 개념에 따른 실시예들에 대해서 특정한 구조적 또는 기능적 설명들은 단지 본 발명의 개념에 따른 실시예들을 설명하기 위한 목적으로 예시된 것으로서, 본 발명의 개념에 따른 실시예들은 다양한 형태로 실시될 수 있으며 본 명세서에 설명된 실시예들에 한정되지 않는다.It is to be understood that the specific structural or functional descriptions of embodiments of the present invention disclosed herein are presented for the purpose of describing embodiments only in accordance with the concepts of the present invention, May be embodied in various forms and are not limited to the embodiments described herein.

본 발명의 개념에 따른 실시예들은 다양한 변경들을 가할 수 있고 여러 가지 형태들을 가질 수 있으므로 실시예들을 도면에 예시하고 본 명세서에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명의 개념에 따른 실시예들을 특정한 개시형태들에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 변경, 균등물, 또는 대체물을 포함한다.Embodiments in accordance with the concepts of the present invention are capable of various modifications and may take various forms, so that the embodiments are illustrated in the drawings and described in detail herein. However, it is not intended to limit the embodiments according to the concepts of the present invention to the specific disclosure forms, but includes changes, equivalents, or alternatives falling within the spirit and scope of the present invention.

제1 또는 제2 등의 용어를 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만, 예를 들어 본 발명의 개념에 따른 권리 범위로부터 이탈되지 않은 채, 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소는 제1 구성요소로도 명명될 수 있다.The terms first, second, or the like may be used to describe various elements, but the elements should not be limited by the terms. The terms may be named for the purpose of distinguishing one element from another, for example without departing from the scope of the right according to the concept of the present invention, the first element being referred to as the second element, Similarly, the second component may also be referred to as the first component.

어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "연결되어" 있다거나 "접속되어" 있다고 언급된 때에는, 그 다른 구성요소에 직접적으로 연결되어 있거나 또는 접속되어 있을 수도 있지만, 중간에 다른 구성요소가 존재할 수도 있다고 이해되어야 할 것이다. 반면에, 어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "직접 연결되어" 있다거나 "직접 접속되어" 있다고 언급된 때에는, 중간에 다른 구성요소가 존재하지 않는 것으로 이해되어야 할 것이다. 구성요소들 간의 관계를 설명하는 표현들, 예를 들어 "~사이에"와 "바로~사이에" 또는 "~에 직접 이웃하는" 등도 마찬가지로 해석되어야 한다.It is to be understood that when an element is referred to as being "connected" or "connected" to another element, it may be directly connected or connected to the other element, . On the other hand, when an element is referred to as being "directly connected" or "directly connected" to another element, it should be understood that there are no other elements in between. Expressions that describe the relationship between components, for example, "between" and "immediately" or "directly adjacent to" should be interpreted as well.

본 명세서에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예들을 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 명세서에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 설시된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것이 존재함으로 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.The terminology used herein is for the purpose of describing particular embodiments only and is not intended to be limiting of the invention. The singular expressions include plural expressions unless the context clearly dictates otherwise. In this specification, the terms "comprises ", or" having ", and the like, are used to specify one or more of the features, numbers, steps, operations, elements, But do not preclude the presence or addition of steps, operations, elements, parts, or combinations thereof.

다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가진다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥상 가지는 의미와 일치하는 의미를 갖는 것으로 해석되어야 하며, 본 명세서에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.Unless defined otherwise, all terms used herein, including technical or scientific terms, have the same meaning as commonly understood by one of ordinary skill in the art to which this invention belongs. Terms such as those defined in commonly used dictionaries are to be interpreted as having a meaning consistent with the meaning of the context in the relevant art and, unless explicitly defined herein, are to be interpreted as ideal or overly formal Do not.

이하, 실시예들을 첨부된 도면을 참조하여 상세하게 설명한다. 그러나, 특허출원의 범위가 이러한 실시예들에 의해 제한되거나 한정되는 것은 아니다. 각 도면에 제시된 동일한 참조 부호는 동일한 부재를 나타낸다.Hereinafter, embodiments will be described in detail with reference to the accompanying drawings. However, the scope of the patent application is not limited or limited by these embodiments. Like reference symbols in the drawings denote like elements.

도 1은 일반적인 메모리 장치(100)의 회로 구성을 나타내는 도면으로, 프로그래밍이 가능한 논리회로를 이용하여 구현한 종래 방식의 메모리이다.1 is a diagram showing a circuit configuration of a general memory device 100, which is a conventional memory implemented using a programmable logic circuit.

도 1을 참조하면, 표준화된 코어 라이브러리를 이용하여 메모리 장치(100)를 구현할 수 있는데, 이러한 방식으로 구현된 메모리 장치(100)는 NOR 게이트(110) 및 코어 메모리(120)를 포함한다.Referring to FIG. 1, a memory device 100 may be implemented using a standardized core library. The memory device 100 implemented in this manner includes a NOR gate 110 and a core memory 120.

상기 메모리 장치(100)는 적어도 하나의 동작 명령 신호에 대응하여 데이터를 저장하고, 저장된 데이터를 출력한다. 이 과정에서, 상기 메모리 장치(100)는 입력된 클럭 정보에 기초하여 읽기 동작 명령 신호나 쓰기 동작 명령 신호를 수신하고, 수신된 동작 명령 신호를 처리하게 된다.The memory device 100 stores data in response to at least one operation command signal and outputs stored data. In this process, the memory device 100 receives the read operation command signal or the write operation command signal based on the input clock information, and processes the received operation command signal.

도 1에서, 미리 지정된 주기를 가지는 클럭 정보(clock)가 상기 메모리 장치(100)에 입력되고, 이는 그대로 코어 메모리(120)에 전달된다. 편의상 코어 메모리(120)로 전달되는 클럭 정보는 clk_core로 표시하기로 한다.In FIG. 1, clock information having a predetermined period is input to the memory device 100, which is transferred to the core memory 120 as it is. For convenience, the clock information transmitted to the core memory 120 is denoted by clk_core.

NOR 게이트(110)는 읽기 동작에 대한 인에이블 신호(rden) 및 쓰기 동작에 대한 인에이블 신호(wren)의 NOR 연산에 따라 코어 메모리(120)의 인에이블 신호(cen-core)의 값을 결정한다. 이를 테면, 상기 메모리 장치(100)가 읽기 동작에 대한 인에이블 신호(rden) 및 쓰기 동작에 대한 인에이블 신호(wren) 중 어느 하나를 입력받으면, NOR 게이트(110)는 코어 메모리(120)를 인에이블 하기 위한 신호(cen-core)를 출력한다. 이와 함께, 상기 메모리 장치(100)는 읽기 동작 또는 쓰기 동작을 처리하기 위한 주소 정보(addr)를 수신하고, 이를 코어 메모리(120)로 전달한다. 코어 메모리(120)로 전달되는 주소 정보는 a_core로 표시될 수 있다.The NOR gate 110 determines the value of the enable signal cen-core of the core memory 120 according to the NOR operation of the enable signal rden for the read operation and the enable signal wren for the write operation do. For example, when the memory device 100 receives either the enable signal rden for the read operation or the enable signal wren for the write operation, the NOR gate 110 may control the core memory 120 And outputs a signal (cen-core) for enabling. At the same time, the memory device 100 receives the address information (addr) for processing a read operation or a write operation, and transfers the address information (addr) to the core memory 120. The address information transmitted to the core memory 120 may be represented by a_core.

또한, 상기 메모리 장치(100)가 쓰기 동작을 위한 데이터(wdata)를 수신하면, 쓰기 동작 처리를 위해 상기 데이터는 코어 메모리(120)로 전달되며, 이는 d_core로 표시될 수 있다. 상기 코어 메모리(120)는 입력받은 신호에 대응하여 결과 신호(q_core)를 출력할 수 있는데, 상기 q_core는 동작 신호 처리 결과를 나타내는 값이나 처리 결과에 대응하여 저장 및 출력되는 데이터 등을 포함할 수 있다. 상기 코어 메모리(120)의 동작 신호 처리에 대응하여 상기 메모리 장치(100)가 출력하는 신호 또는 데이터는 rdata로 표시된다.In addition, when the memory device 100 receives the data (wdata) for a write operation, the data is transferred to the core memory 120 for a write operation process, which may be represented by d_core. The core memory 120 may output a result signal q_core in response to an input signal. The q_core may include a value indicating a result of processing an operation signal or data stored and output corresponding to a processing result have. The signal or data output from the memory device 100 in response to the operation signal processing of the core memory 120 is represented by rdata.

한편, 상기 메모리 장치(100)의 동작 과정은 도 2의 그래프와 같이 나타낼 수 있다. 도 2에서, 상단에서부터 clock, wren, rden, addr, wdata 및 rdata는 메모리 장치(100)에 입력 또는 출력되는 신호이고, 하단의 clk_core, cen_core, wen_core, a_core, d_core 및 q_core는 코어 메모리(120)의 입/출력 신호를 각각 나타낸다. 도 2에서 볼 수 있듯이, 일정 주기를 가지는 클럭 정보(clock)가 메모리 장치(100)에 입력되고, 상기 클럭 정보(clock)에 기초하여 쓰기 동작에 대한 인에이블 신호(wren), 읽기 동작에 대한 인에이블 신호(rden), 읽기/쓰기 동작을 위한 주소 정보(addr) 및 쓰기 동작을 위한 데이터(wdata) 등이 입력된다.The operation of the memory device 100 may be illustrated in the graph of FIG. 2, clk_core, cen_core, wen_core, a_core, d_core, and q_core at the bottom are signals input to or output from the memory device 100 and clock, wren, rden, addr, wdata and rdata from the top, Respectively. 2, a clock signal having a predetermined period is input to the memory device 100, and an enable signal (wren) for a write operation based on the clock information (clock) An enable signal rden, address information addr for a read / write operation, and data (wdata) for a write operation.

상기 메모리 장치(100)에 인가되는 클럭 정보(clock)의 210 구간에서 쓰기 동작에 대한 명령이 입력되면(211), 상기 쓰기 동작 처리를 위한 주소 A0 및 A1이 할당되고, 상기 할당된 주소에는 입력된 쓰기 동작 데이터(wdata)에 대응하는 D0 및 D1이 각각 저장된다. 마찬가지로, 상기 메모리 장치(100)에 인가되는 클럭 정보(clock)의 220 구간에서 읽기 동작에 대한 명령이 입력되면(221), 상기 읽기 동작에 대응하는 주소 A0 및 A1로부터 데이터 D0 및 D1이 출력된다. 이와 같은 메모리 장치(100)의 동작에 대응하여, 코어 메모리(120)는 cen_core, wen_core, a_core, d_core 및 q_core의 신호를 처리하며, 이 과정에서 회로를 구성하는 게이트 간 지연 t(212, 222)가 발생될 수 있다.Addresses A0 and A1 for the write operation process are allocated to the memory device 100 when a command for a write operation is input in a period 210 of a clock signal applied to the memory device 100, D0 and D1 corresponding to the write operation data wdata are stored, respectively. Similarly, when a command for a read operation is inputted in a section 220 of the clock information applied to the memory device 100, data D0 and D1 are output from the addresses A0 and A1 corresponding to the read operation . Corresponding to the operation of the memory device 100, the core memory 120 processes signals of cen_core, wen_core, a_core, d_core, and q_core. In this process, the inter-gate delay t (212, 222) May occur.

도 2를 참조하면, 코어 메모리(120)는 메모리 장치(100)에 인가되는 클럭 정보(clock)와 동일한 클럭신호(clk_core)를 입력받는다. 이로 인해, 실제 메모리의 쓰기 또는 읽기 동작에 관계없이 지속적으로 클럭신호가 발생되며, 메모리를 사용하지 않는 구간에서도 계속 클럭이 유지되기 때문에 불필요하게 전력이 소모되는 문제가 있다. 이러한 불필요한 전력 소모를 방지하기 위해서는, 메모리 구현 시 프로그래밍이 가능한 논리회로를 기반으로 실제 동작 구간에서만 클럭이 할당되도록 설계할 필요가 있다.Referring to FIG. 2, the core memory 120 receives a clock signal clk_core identical to the clock signal applied to the memory device 100. Therefore, a clock signal is continuously generated irrespective of the write or read operation of the actual memory, and the clock is continuously maintained even in a section in which the memory is not used, thereby unnecessarily consuming power. In order to prevent unnecessary power consumption, it is necessary to design the memory so that the clock is allocated only in the actual operation period based on the logic circuit that can be programmed.

도 3은 일실시예에 따라 실제 동작 구간에서만 클럭 신호가 할당되는 메모리 장치(300)를 도시하는 블록도이다.FIG. 3 is a block diagram illustrating a memory device 300 in which a clock signal is assigned only in an actual operating period according to one embodiment.

상기 메모리 장치(300)는 프로그래밍이 가능한 논리회로를 이용하여 저전력 동작이 가능하도록 구현된 것으로, 실제 동작이 수행되는 구간에서만 클럭신호가 발생하도록 하여 메모리의 소모 전력을 크게 낮출 수 있다. 상기 메모리 장치(300)는 클럭 처리부(310), 지연 처리부(320) 및 코어 메모리부(330)를 포함할 수 있다.The memory device 300 is implemented to enable low-power operation using a programmable logic circuit. The memory device 300 generates a clock signal only during a period in which actual operation is performed, thereby greatly reducing power consumption of the memory. The memory device 300 may include a clock processor 310, a delay processor 320, and a core memory 330.

먼저, 클럭 처리부(310)는 입력받은 기준 클럭 신호, 쓰기 동작 신호 및 읽기 동작 신호 중 적어도 하나에 기초하여 클럭정보를 발생시킬 수 있다. 상기 클럭 처리부(310)는 제1 D 플립플롭, 제2 D 플립플롭 및 제3 D 플립플롭으로 구성되는 3개의 D 플립플롭(flip-flop)을 포함한다. 제1 D 플립플롭은 상기 기준 클럭 신호를 기초로 상기 쓰기 동작 신호의 입력에 대응하는 제1 출력신호를 출력하고, 제2 D 플립플롭은 상기 기준 클럭 신호를 기초로 상기 읽기 동작 신호의 입력에 대응하는 제2 출력신호를 출력한다. 또한, 제3 D 플립플롭은 상기 쓰기 동작 신호, 상기 읽기 동작 신호, 상기 제1 출력신호 및 상기 제2 출력신호 중 적어도 하나에 기초하여 상기 클럭정보를 생성한다. 이를 테면, 상기 제3 D 플립플롭은 상기 쓰기 동작 신호, 상기 읽기 동작 신호, 상기 제1 출력신호 및 상기 제2 출력신호 중 적어도 하나가 '1'이면 '1'을 데이터 신호로 입력받고, 모든 신호가 '0'이면 '0'을 데이터 신호로 입력받으며, 상기 기준 클럭 신호의 하강 에지(negative edge)에 동기하여 상기 클럭정보를 생성하게 된다.First, the clock processor 310 may generate clock information based on at least one of the input reference clock signal, the write operation signal, and the read operation signal. The clock processing unit 310 includes three D flip-flops constituted by a first D flip-flop, a second D flip-flop, and a third D flip-flop. The first D flip flop outputs a first output signal corresponding to the input of the write operation signal based on the reference clock signal and the second D flip flop outputs a first output signal corresponding to the input of the read operation signal based on the reference clock signal And outputs a corresponding second output signal. The third D flip-flop generates the clock information based on at least one of the write operation signal, the read operation signal, the first output signal, and the second output signal. For example, if at least one of the write operation signal, the read operation signal, the first output signal, and the second output signal is '1', the third D flip flop receives '1' as a data signal, When the signal is '0', '0' is input as a data signal, and the clock information is generated in synchronization with a negative edge of the reference clock signal.

지연 처리부(320)는 상기 쓰기 동작 신호 및 상기 읽기 동작 신호 중 적어도 하나를 수행하는 구간에서 상기 클럭정보가 활성화되도록 제어할 수 있다. 상기 지연 처리부(320)는 상기 제3 D 플립플롭의 출력신호가 '1'인 구간에서 상기 클럭정보를 코어 메모리부(330)로 입력하는 방식으로, 실제 동작 구간에서만 상기 클럭정보가 상기 코어 메모리부(330)로 전달되도록 한다. 또한, 상기 지연 처리부(320)는 동작 신호 처리 과정에서 발생할 수 있는 회로 내 게이트 간 지연(delay)을 고려하여, 상기 쓰기 동작 신호 및 상기 읽기 동작 신호 중 적어도 하나의 신호가 발생한 구간을 기준으로 하나의 클럭 단위만큼 지연하여 상기 클럭정보를 상기 코어 메모리부(330)로 전달한다. 여기서, 상기 지연 처리부(320)는 AND 게이트로 이해될 수 있으며, 상기 기준 클럭 신호 및 상기 클럭 처리부(310)로부터 생성된 클럭정보를 AND 연산한 결과인 제3 출력신호를 상기 코어 메모리부(330)로 출력한다.The delay processing unit 320 may control the clock information to be activated in an interval in which at least one of the write operation signal and the read operation signal is performed. The delay processing unit 320 inputs the clock information to the core memory unit 330 during a period in which the output signal of the third D flip-flop is '1' (330). In addition, the delay processing unit 320 may include a delay unit for delaying at least one of the write operation signal and the read operation signal in consideration of a delay between gates in the circuit, And transfers the clock information to the core memory unit 330. The clock signal generator 320 generates a clock signal by using the clock signal. Here, the delay processing unit 320 may be regarded as an AND gate, and outputs a third output signal obtained as a result of ANDing the reference clock signal and the clock information generated from the clock processing unit 310 to the core memory unit 330 .

상기 코어 메모리부(330)는 상기 활성화된 클럭정보를 기초로 쓰기 연산 및 읽기 연산 중 적어도 하나를 수행하고, 상기 수행에 대응하는 결과 데이터를 출력한다. 여기서, 상기 코어 메모리부(330)는 상기 쓰기 연산 및 상기 읽기 연산에 연관되는 프로그래밍이 가능한 적어도 하나의 논리회로로 구현되며, 상기 논리회로는 FPGA(Field Programmable Gate Array), ASIC(Application Specific Integrated Circuit), CPLD(Complex Programmable Logic Device) 및 FPAA(Field Programmable Analog Array) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.The core memory unit 330 performs at least one of a write operation and a read operation based on the activated clock information, and outputs result data corresponding to the execution. Here, the core memory unit 330 is implemented by at least one logic circuit that is programmable in association with the write operation and the read operation, and the logic circuit includes an FPGA (Field Programmable Gate Array), an ASIC ), A Complex Programmable Logic Device (CPLD), and a Field Programmable Analog Array (FPAA).

메모리 장치(300)는 프로그래밍이 가능한 논리회로를 기반으로 실제 동작 구간에서만 클럭정보가 코어 메모리부에 인가되도록 제어함으로써, 메모리 장치의 소비 전력을 크게 낮추고 전력 효율을 향상시킬 수 있다.The memory device 300 can control the clock information to be applied to the core memory unit only in an actual operation period based on a programmable logic circuit, thereby greatly reducing power consumption of the memory device and improving power efficiency.

도 4는 일실시예에 따라 실제 동작 구간에서만 클럭 신호가 할당되는 메모리 장치(400)의 회로 구성을 나타내는 도면으로, 도 3의 메모리 장치(300)를 프로그래밍이 가능한 논리회로로 구현한 회로도를 도시하고 있다.4 is a circuit diagram showing a circuit configuration of a memory device 400 to which a clock signal is assigned only in an actual operation period according to an embodiment. FIG. 4 is a circuit diagram showing a memory device 300 of FIG. .

도 4를 참조하면, 메모리 장치(400)는 클럭 처리 블록 A(410), AND 게이트(420), NOR 게이트(430) 및 코어 메모리(440)를 포함한다. 상기 메모리 장치(400)에 입력되는 신호(clock, rden, wren, addr, wdata)는 앞서 설명한 도 1에서 메모리 장치(100)의 입력 신호와 동일하다.4, memory device 400 includes clock processing block A 410, AND gate 420, NOR gate 430, and core memory 440. The signals (clock, rden, wren, addr, wdata) input to the memory device 400 are the same as the input signals of the memory device 100 in FIG.

클럭 처리 블록(410) 및 AND 게이트(420)는 코어 메모리(440)에 제공되는 클럭정보를 처리 및 제어한다. 상기 클럭 처리 블록(410)에 대해서는 도 5를 참조하여 상세히 설명한다.The clock processing block 410 and the AND gate 420 process and control the clock information provided to the core memory 440. The clock processing block 410 will be described in detail with reference to FIG.

도 5는 일실시예에 따라 구현된 메모리 장치(400)의 클럭 처리부(410)에 관한 세부 구성을 나타내는 회로도이다. 클럭 처리부(410)는 상기 메모리 장치(400)에 입력된 기준 클럭 신호(clock), 읽기 동작 신호(rden) 및 쓰기 동작 신호(wren)에 기초하여 클럭 정보(en_clk_neg)를 생성한다. 상기 클럭 처리부(410)는 3개의 D 플립플롭(510, 520, 560)과 3개의 OR 게이트(530, 540, 550)로 구현될 수 있다. 제1 D 플립플롭(510)은 주기적으로 인가되는 기준 클럭 신호(clock)에 기초하여 상기 쓰기 동작 신호(wren)를 입력받고, 상기 입력에 대응하여 wren_1d의 신호를 출력한다, 제2 D 플립플롭(520)는 주기적으로 인가되는 기준 클럭 신호(clock)에 기초하여 상기 읽기 동작 신호(rden)를 입력받고, 상기 입력에 대응하여 rden_1d의 신호를 출력한다. 제1 OR 게이트(530)는 상기 제1 D 플립플롭(510)의 출력신호인 wren_1d와 상기 제2 D 플립플롭(520)의 출력신호인 rden_1d를 입력받아 OR 연산한 결과를 출력하고, 제2 OR 게이트(540)는 상기 읽기 동작 신호(rden) 및 상기 쓰기 동작 신호(wren)를 입력받아 OR 연산한 결과를 출력한다. 제3 OR 게이트(550)는 상기 제1 OR 게이트(530)의 출력신호와 및 상기 제2 OR 게이트(540)의 출력신호를 입력받아 OR 연산한 결과(en_clk)를 출력한다. 그리고, 제3 D 플립플롭(560)은 주기적으로 입력되는 기준 클럭 신호(clock)에 기초하여 상기 제3 OR 게이트(550)의 출력신호(en_clk)를 입력받고, 상기 입력에 대응하여 상기 클럭 정보(en_clk_neg)를 출력한다. 상기 제3 D 플립플롭(560)은 하강 에지(negative edge) D 플립플롭으로, 상기 기준 클럭 신호(clock)의 하강 에지에 동기하여 상기 클럭 정보(en_clk_neg)를 출력하게 된다.5 is a circuit diagram showing a detailed configuration of the clock processing unit 410 of the memory device 400 implemented according to an embodiment. The clock processor 410 generates the clock information en_clk_neg based on the reference clock signal, the read operation signal rden, and the write operation signal wren input to the memory device 400. The clock processing unit 410 may be implemented by three D flip-flops 510, 520, and 560 and three OR gates 530, 540, and 550. The first D flip flop 510 receives the write operation signal wren based on a periodically applied reference clock signal and outputs a signal of wren_1d in response to the input. (520) receives the read operation signal (rden) based on a periodically applied reference clock signal (clock), and outputs a signal of rden_1d in response to the input. The first OR gate 530 receives the wren_1d output signal of the first D flip flop 510 and the output signal rden_1d of the second D flip flop 520 and outputs a result of the OR operation, The OR gate 540 receives the read operation signal rden and the write operation signal wren and outputs an OR operation result. The third OR gate 550 receives the output signal of the first OR gate 530 and the output signal of the second OR gate 540 and outputs a result (en_clk) obtained by performing an OR operation. The third D flip-flop 560 receives the output signal en_clk of the third OR gate 550 based on the periodically input reference clock signal and receives the clock signal (en_clk_neg). The third D flip-flop 560 outputs the clock information (en_clk_neg) in synchronization with a falling edge of the reference clock signal with a negative edge D flip-flop.

다시 도 4를 참조하면, AND 게이트(420)는 상기 메모리 장치(400)에 주기적으로 인가되는 기준 클럭 신호(clock)과 상기 클럭 처리 블록(410)에서 생성된 클럭 정보(en_clk_neg)를 입력으로 AND 연산한 결과를 최종 클럭 정보(clk_core)로서 코어 메모리(440)로 제공한다. 도 4에서는 상기 클럭 처리 블록(410) 및 상기 AND 게이트(420)를 분리하여 도시하였으나, 일부 실시예에서는 AND 게이트(420)가 상기 클럭 처리 블록(410) 내에 포함되도록 구현될 수 있으며, 어느 하나의 실시예에 의해 제한되지 않는다.4, the AND gate 420 receives the reference clock signal periodically applied to the memory device 400 and the clock information (en_clk_neg) generated by the clock processing block 410 as AND And provides the calculated result to the core memory 440 as the final clock information clk_core. Although the clock processing block 410 and the AND gate 420 are shown separately in FIG. 4, in some embodiments, an AND gate 420 may be implemented to be included in the clock processing block 410, The present invention is not limited to the embodiments of Figs.

NOR 게이트(430) 및 코어 메모리(440)는 도 1의 구성과 동일하게 동작한다. 상기 NOR 게이트(430)는 읽기 동작 신호(rden) 및 쓰기 동작 신호(wren)를 NOR 연산한 결과를 코어 메모리(440)의 동작 신호(cen-core)로서 제공한다. 또한, 상기 코어 메모리(440)는 상기 메모리 장치(400)가 수신한 동작 신호 처리를 위한 주소 정보(addr) 및 쓰기 동작을 위한 데이터(wdata)를 입력신호로 전달받고 (편의상 전달받은 주소 정보 및 데이터를 각각 a_core 및 d_core로 표시함), 상기 입력신호에 대응하여 결과 신호(q_core)를 출력한다. 상기 q_core는 동작 신호 처리 결과를 나타내는 값이나 처리 결과에 대응하여 저장 및 출력되는 데이터 등을 포함할 수 으며, 상기 코어 메모리(440)의 처리 결과에 대응하여 상기 메모리 장치(400)가 출력하는 신호 또는 데이터는 rdata로 표시된다.The NOR gate 430 and the core memory 440 operate in the same manner as the configuration shown in FIG. The NOR gate 430 provides a result of the NOR operation of the read operation signal rden and the write operation signal wren as the operation signal cen-core of the core memory 440. The core memory 440 receives the address information addr for processing the operation signal received by the memory device 400 and the data wdata for the write operation as an input signal Data are represented by a_core and d_core, respectively), and a result signal (q_core) is output in response to the input signal. The q_core may include a value indicating a result of the operation signal processing or data to be stored and output in accordance with the processing result. The q_core may include a signal output from the memory device 400 in response to the processing result of the core memory 440 Or data is represented by rdata.

도 6은 일실시예에 따라 실제 동작 구간에서만 클럭 신호가 할당되는 메모리 장치의 동작을 나타내는 그래프로서, 상기 메모리 장치(400)의 동작 과정으로 이해될 수 있다.FIG. 6 is a graph illustrating an operation of a memory device to which a clock signal is allocated only in an actual operation period according to an exemplary embodiment, and it can be understood as an operation process of the memory device 400. Referring to FIG.

도 6에서, 상단에서부터 clock, wren, rden, addr, wdata 및 rdata는 메모리 장치(400)에 입력 또는 출력되는 신호이고, 중단의 wren_1d, rden_1d, en_clk 및 en_clk_neg는 클럭 처리 블록(410)에서 처리되는 신호이며, 하단의 clk_core, cen_core, wen_core, a_core, d_core 및 q_core는 코어 메모리(440)의 입/출력 신호를 각각 나타낸다. 도 2와 마찬가지로, 일정 주기를 가지는 기준 클럭 신호(clock)가 메모리 장치(400)에 입력되고, 상기 기준 클럭 신호(clock)에 기초하여 쓰기 동작 신호(wren), 읽기 동작 신호(rden), 읽기/쓰기 동작을 위한 주소 정보(addr) 및 쓰기 동작을 위한 데이터(wdata) 등이 입력된다. 상기 메모리 장치(400)에 인가되는 기준 클럭 신호(clock)의 610 구간에서 쓰기 동작에 대한 명령이 입력되면(611), 상기 쓰기 동작 처리를 위한 주소 A0 및 A1이 할당되고, 상기 할당된 주소에는 입력된 쓰기 동작 데이터(wdata)에 대응하는 D0 및 D1이 각각 저장된다. 또한, 상기 메모리 장치(400)에 인가되는 기준 클럭 신호(clock)의 620 구간에서 읽기 동작에 대한 명령이 입력되면(621), 상기 읽기 동작에 대응하는 주소 A0 및 A1로부터 데이터 D0 및 D1이 출력된다.6, clock, wren, rden, addr, wdata and rdata from the top are signals input to or outputted from the memory device 400, and wren_1d, rden_1d, en_clk and en_clk_neg of the interruption are processed in the clock processing block 410 And the lower clk_core, cen_core, wen_core, a_core, d_core, and q_core represent the input / output signals of the core memory 440, respectively. 2, a reference clock signal having a predetermined period is input to the memory device 400, and based on the reference clock signal, a write operation signal wren, a read operation signal rden, Address information (addr) for write operation and data (wdata) for write operation are input. When a command for a write operation is inputted in a period 610 of a reference clock signal (clock) applied to the memory device 400, addresses A0 and A1 for the write operation process are allocated, D0 and D1 corresponding to the input write operation data (wdata) are respectively stored. When a command for a read operation is inputted in a period 620 of a reference clock signal (clock) applied to the memory device 400, data D0 and D1 are output from addresses A0 and A1 corresponding to the read operation do.

다만, 도 2와 달리, 도 6에서는 클럭 처리 블록(410)의 신호 처리에 의해 코어 메모리(440)로 전달되는 신호가 제어된다. 코어 메모리(440)는 클럭 처리 블록(410)의 출력인 en_clk_neg가 '1'인 구간에서만 최종 클럭 정보(clk_core)를 입력받으며, 이로 인해 실제 메모리가 동작하는 구간에서만 코어 메모리(440)의 클럭신호가 발생되기 때문에 메모리를 사용하지 않는 구간에서의 불필요한 전력 소모를 방지할 수 있다. 또한, 클럭 처리 블록(410)은 동작 신호 처리 과정에서 회로를 구성하는 게이트 간 지연 t(612, 622)가 과도하게 발생되는 경우를 대비하여, 기준 클럭 신호(clock)의 하강 에지에 동기하여 클럭 정보(en_clk_neg)를 출력하고, 여분의 1-클럭 주기(M)를 추가하여 상기 최종 클럭 정보(clk_core)를 상기 코어 메모리(440)로 전달한다.Unlike FIG. 2, in FIG. 6, signals transmitted to the core memory 440 are controlled by the signal processing of the clock processing block 410. The core memory 440 receives the final clock information clk_core only in a period in which the output of the clock processing block 410 en_clk_neg is '1', so that only the clock signal of the core memory 440 It is possible to prevent unnecessary power consumption in a section in which the memory is not used. In addition, the clock processing block 410 generates a clock signal in synchronization with the falling edge of the reference clock signal (clock) in preparation for a case where the inter-gate delay t (612, 622) Information (en_clk_neg) and adds the extra 1-clock period (M) to transfer the final clock information (clk_core) to the core memory 440.

도 7은 일실시예에 따른 메모리 장치의 동작 방법을 도시하는 흐름도이다.7 is a flow chart illustrating a method of operation of a memory device according to one embodiment.

일실시예에 따른 메모리 장치는 프로그래밍이 가능한 논리회로를 이용하여 저전력 동작이 가능하도록 구현된 것으로, 실제 동작이 수행되는 구간에서만 클럭신호가 발생하도록 하여 메모리의 소모 전력을 크게 낮추는 방법을 제공한다.The memory device according to one embodiment is implemented to be capable of low power operation using a programmable logic circuit, and provides a method of greatly reducing power consumption of a memory by causing a clock signal to be generated only during an actual operation.

단계 710에서는, 상기 메모리 장치의 클럭 처리부가 입력받은 기준 클럭 신호, 쓰기 동작 신호 및 읽기 동작 신호 중 적어도 하나에 기초하여 클럭정보를 생성할 수 있다. 여기서, 상기 클럭 처리부는 3개의 D 플립플롭(flip-flop)을 포함하는데, 단계 710에서 제1 D 플립플롭은 상기 기준 클럭 신호를 기초로 상기 쓰기 동작 신호의 입력에 대응하는 제1 출력신호를 출력하고, 제2 D 플립플롭은 상기 기준 클럭 신호를 기초로 상기 읽기 동작 신호의 입력에 대응하는 제2 출력신호를 출력한다. 제3 D 플립플롭은 상기 쓰기 동작 신호, 상기 읽기 동작 신호, 상기 제1 출력신호 및 상기 제2 출력신호 중 적어도 하나에 기초하여 상기 클럭정보를 생성한다. 이를 테면, 상기 제3 D 플립플롭은 상기 쓰기 동작 신호, 상기 읽기 동작 신호, 상기 제1 출력신호 및 상기 제2 출력신호 중 적어도 하나가 '1'이면 '1'을 데이터 신호로 입력받고, 모든 신호가 '0'이면 '0'을 데이터 신호로 입력받으며, 상기 기준 클럭 신호의 하강 에지(negative edge)에 동기하여 상기 클럭정보를 생성하게 된다.In operation 710, the clock processor of the memory device may generate clock information based on at least one of the reference clock signal, the write operation signal, and the read operation signal. Here, the clock processing unit includes three D flip-flops. In step 710, the first D flip-flop generates a first output signal corresponding to the input of the write operation signal based on the reference clock signal And the second D flip flop outputs a second output signal corresponding to the input of the read operation signal based on the reference clock signal. The third D flip flop generates the clock information based on at least one of the write operation signal, the read operation signal, the first output signal, and the second output signal. For example, if at least one of the write operation signal, the read operation signal, the first output signal, and the second output signal is '1', the third D flip flop receives '1' as a data signal, When the signal is '0', '0' is input as a data signal, and the clock information is generated in synchronization with a negative edge of the reference clock signal.

단계 720에서는, 상기 메모리 장치의 지연 처리부가 상기 쓰기 동작 신호 및 상기 읽기 동작 신호 중 적어도 하나를 수행하는 구간에서 상기 클럭정보가 활성화되도록 제어할 수 있다. 상기 지연 처리부는 상기 제3 D 플립플롭의 출력신호가 '1'인 구간에서 상기 클럭정보를 코어 메모리부로 입력하는 방식으로, 실제 동작 구간에서만 상기 클럭정보가 상기 코어 메모리부로 전달되도록 한다.In step 720, the delay information of the memory device may be controlled such that the clock information is activated during a period in which the delay processing unit performs at least one of the write operation signal and the read operation signal. The delay processing unit inputs the clock information to the core memory unit in a period in which the output signal of the third D flip-flop is '1', so that the clock information is transferred to the core memory unit only during an actual operation period.

단계 720에서, 상기 지연 처리부는 동작 신호 처리 과정에서 발생할 수 있는 회로 내 게이트 간 지연(delay)을 고려하여, 상기 쓰기 동작 신호 및 상기 읽기 동작 신호 중 적어도 하나의 신호가 발생한 구간을 기준으로 하나의 클럭 단위만큼 지연하여 상기 클럭정보를 상기 코어 메모리부로 전달한다. 여기서, 상기 지연 처리부는 AND 게이트로 이해될 수 있으며, 상기 기준 클럭 신호 및 상기 클럭 처리부로부터 생성된 클럭정보를 AND 연산한 결과인 제3 출력신호를 상기 코어 메모리부로 출력한다.In step 720, the delay processing unit considers a delay between gates in the circuit, which may occur in the operation signal processing process, to generate a delayed signal in response to at least one of the write operation signal and the read operation signal, And transfers the clock information to the core memory unit with a delay of a clock unit. Here, the delay processing unit may be understood as an AND gate, and outputs a third output signal, which is a result of ANDing the reference clock signal and the clock information generated from the clock processing unit, to the core memory unit.

단계 730에서는, 상기 메모리 장치의 코어 메모리부가 상기 활성화된 클럭정보를 기초로 쓰기 연산 및 읽기 연산 중 적어도 하나를 수행하고, 상기 수행에 대응하는 결과 데이터를 출력할 수 있다.In operation 730, the core memory unit of the memory device may perform at least one of a write operation and a read operation based on the activated clock information, and output result data corresponding to the execution.

이상과 같이 실시예들이 비록 한정된 실시예와 도면에 의해 설명되었으나, 해당 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 상기의 기재로부터 다양한 수정 및 변형이 가능하다. 예를 들어, 설명된 기술들이 설명된 방법과 다른 순서로 수행되거나, 및/또는 설명된 시스템, 구조, 장치, 회로 등의 구성요소들이 설명된 방법과 다른 형태로 결합 또는 조합되거나, 다른 구성요소 또는 균등물에 의하여 대치되거나 치환되더라도 적절한 결과가 달성될 수 있다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments. For example, it is to be understood that the techniques described may be performed in a different order than the described methods, and / or that components of the described systems, structures, devices, circuits, Lt; / RTI > or equivalents, even if it is replaced or replaced.

그러므로, 다른 구현들, 다른 실시예들 및 특허청구범위와 균등한 것들도 후술하는 특허청구범위의 범위에 속한다.Therefore, other implementations, other embodiments, and equivalents to the claims are also within the scope of the following claims.

Claims (13)

기준 클럭 신호, 쓰기 동작 신호 및 읽기 동작 신호 중 적어도 하나에 기초하여 클럭정보를 발생시키는 클럭 처리부;
상기 쓰기 동작 신호 및 상기 읽기 동작 신호 중 적어도 하나를 수행하는 구간에서 상기 클럭정보를 활성화하도록 제어하는 지연 처리부; 및
상기 활성화된 클럭정보를 기초로 쓰기 연산 및 읽기 연산 중 적어도 하나를 수행하고, 상기 수행에 대응하는 결과 데이터를 출력하는 코어 메모리부
를 포함하며,
상기 코어 메모리부는, 상기 쓰기 연산 및 상기 읽기 연산에 연관되는 프로그래밍이 가능한 적어도 하나의 논리회로로 구현되고,
상기 클럭 처리부는,
상기 기준 클럭 신호를 기초로 상기 쓰기 동작 신호의 입력에 대응하는 제1 출력신호를 출력하는 제1 D 플립플롭(flip-flop); 및
상기 기준 클럭 신호를 기초로 상기 읽기 동작 신호의 입력에 대응하는 제2 출력신호를 출력하는 제2 D 플립플롭(flip-flop)
을 포함하는 메모리 장치.
A clock processor for generating clock information based on at least one of a reference clock signal, a write operation signal, and a read operation signal;
A delay processing unit for controlling the clock information to be activated in a section for performing at least one of the write operation signal and the read operation signal; And
A core memory unit for performing at least one of a write operation and a read operation based on the activated clock information and outputting result data corresponding to the execution,
/ RTI >
Wherein the core memory unit is implemented with at least one logic circuit that is programmable associated with the write operation and the read operation,
The clock processing unit,
A first D flip-flop for outputting a first output signal corresponding to an input of the write operation signal based on the reference clock signal; And
A second D flip-flop for outputting a second output signal corresponding to the input of the read operation signal based on the reference clock signal,
≪ / RTI >
삭제delete 제1항에 있어서,
상기 클럭 처리부는,
상기 쓰기 동작 신호, 상기 읽기 동작 신호, 상기 제1 출력신호 및 상기 제2 출력신호 중 적어도 어느 하나가 1이면 1을 데이터 신호로 입력받고, 모든 신호가 0이면 0을 데이터 신호로 입력받아 상기 기준 클럭 신호의 하강 에지(negative edge)에 동기하여 상기 클럭정보를 생성하는 제3 D 플립플롭(flip-flop)
을 더 포함하는 메모리 장치.
The method according to claim 1,
The clock processing unit,
1 is input as a data signal when at least one of the write operation signal, the read operation signal, the first output signal, and the second output signal is 1, and when all the signals are 0, 0 is input as a data signal, A third D flip-flop for generating the clock information in synchronization with a negative edge of the clock signal;
≪ / RTI >
제3항에 있어서,
상기 지연 처리부는,
상기 제3 D 플립플롭의 출력신호가 1인 구간에서 상기 클럭정보를 상기 코어 메모리부로 입력하는 메모리 장치.
The method of claim 3,
The delay processing unit,
And the clock information is input to the core memory unit in a period in which the output signal of the third D flip-flop is 1.
제1항에 있어서,
상기 지연 처리부는,
상기 쓰기 동작 신호 및 상기 읽기 동작 신호 중 적어도 하나의 신호가 발생한 구간에 대해 하나의 클럭 단위만큼 지연하여 상기 클럭정보를 상기 코어 메모리부로 전달하는 메모리 장치.
The method according to claim 1,
The delay processing unit,
And transfers the clock information to the core memory unit by a delay of one clock unit for a period in which at least one of the write operation signal and the read operation signal occurs.
제5항에 있어서,
상기 지연 처리부는,
상기 기준 클럭 신호 및 상기 클럭 처리부로부터 생성된 클럭정보를 AND 연산한 결과인 제3 출력신호를 상기 코어 메모리부로 출력하는 메모리 장치.
6. The method of claim 5,
The delay processing unit,
And outputs a third output signal as a result of ANDing the reference clock signal and the clock information generated from the clock processor to the core memory unit.
제1항에 있어서,
상기 논리회로는,
FPGA(Field Programmable Gate Array), ASIC(Application Specific Integrated Circuit), CPLD(Complex Programmable Logic Device) 및 FPAA(Field Programmable Analog Array) 중 적어도 하나를 포함하는 메모리 장치.
The method according to claim 1,
The logic circuit comprises:
A field programmable gate array (FPGA), an application specific integrated circuit (ASIC), a complex programmable logic device (CPLD), and a field programmable analog array (FPAA).
클럭 처리부가 기준 클럭 신호, 쓰기 동작 신호 및 읽기 동작 신호 중 적어도 하나에 기초하여 클럭정보를 생성하는 단계;
지연 처리부가 상기 쓰기 동작 신호 및 상기 읽기 동작 신호 중 적어도 하나를 수행하는 구간에서 상기 클럭정보를 활성화하도록 제어하는 단계; 및
코어 메모리부가 상기 활성화된 클럭정보를 기초로 쓰기 연산 및 읽기 연산 중 적어도 하나를 수행하고, 상기 수행에 대응하는 결과 데이터를 출력하는 단계
를 포함하며,
상기 코어 메모리부는, 상기 쓰기 연산 및 상기 읽기 연산에 연관되는 프로그래밍이 가능한 적어도 하나의 논리회로로 구현되고,
상기 클럭정보를 생성하는 단계는,
상기 기준 클럭 신호를 기초로 상기 쓰기 동작 신호의 입력에 대응하는 제1 출력신호를 출력하는 단계;
상기 기준 클럭 신호를 기초로 상기 읽기 동작 신호의 입력에 대응하는 제2 출력신호를 출력하는 단계; 및
상기 쓰기 동작 신호, 상기 읽기 동작 신호, 상기 제1 출력신호 및 상기 제2 출력신호 중 적어도 하나를 기초로 상기 클럭정보를 생성하는 단계
를 포함하는 메모리 장치의 동작 방법.
Generating a clock signal based on at least one of a clock signal, a write operation signal, and a read operation signal;
Controlling to activate the clock information in a period in which the delay processing unit performs at least one of the write operation signal and the read operation signal; And
The core memory unit performing at least one of a write operation and a read operation based on the activated clock information, and outputting result data corresponding to the execution
/ RTI >
Wherein the core memory unit is implemented with at least one logic circuit that is programmable associated with the write operation and the read operation,
Wherein the generating the clock information comprises:
Outputting a first output signal corresponding to an input of the write operation signal based on the reference clock signal;
Outputting a second output signal corresponding to an input of the read operation signal based on the reference clock signal; And
Generating the clock information based on at least one of the write operation signal, the read operation signal, the first output signal, and the second output signal
≪ / RTI >
삭제delete 제8항에 있어서,
상기 클럭정보를 생성하는 단계는,
상기 쓰기 동작 신호, 상기 읽기 동작 신호, 상기 제1 출력신호 및 상기 제2 출력신호 중 적어도 어느 하나가 1이면 1을 데이터 신호로 입력받고, 모든 신호가 0이면 0을 데이터 신호로 입력받아 상기 기준 클럭 신호의 하강 에지(negative edge)에 동기하여 상기 클럭정보를 생성하는 메모리 장치의 동작 방법.
9. The method of claim 8,
Wherein the generating the clock information comprises:
1 is input as a data signal when at least one of the write operation signal, the read operation signal, the first output signal, and the second output signal is 1, and when all the signals are 0, 0 is input as a data signal, And generating the clock information in synchronization with a negative edge of the clock signal.
제10항에 있어서,
상기 클럭정보를 활성화하도록 제어하는 단계는,
상기 쓰기 동작 신호, 상기 읽기 동작 신호, 상기 제1 출력신호 및 상기 제2 출력신호 중 적어도 어느 하나가 1이면 상기 클럭 정보를 상기 코어 메모리부로 입력하는 메모리 장치의 동작 방법.
11. The method of claim 10,
Wherein the step of controlling to activate the clock information comprises:
Wherein the clock signal is input to the core memory unit when at least one of the write operation signal, the read operation signal, the first output signal, and the second output signal is 1.
제8항에 있어서,
상기 클럭정보를 활성화하도록 제어하는 단계는,
상기 쓰기 동작 신호 및 상기 읽기 동작 신호 중 적어도 하나의 신호가 발생한 구간에 대해 하나의 클럭 단위만큼 지연하여 상기 클럭정보를 상기 코어 메모리부로 전달하는 메모리 장치의 동작 방법.
9. The method of claim 8,
Wherein the step of controlling to activate the clock information comprises:
And transfers the clock information to the core memory unit with a delay of one clock unit for a period in which at least one of the write operation signal and the read operation signal occurs.
제12항에 있어서,
상기 클럭정보를 활성화하도록 제어하는 단계는,
상기 기준 클럭 신호 및 상기 클럭 처리부로부터 생성된 클럭정보를 AND 연산한 결과인 제3 출력신호를 상기 코어 메모리부로 출력하는 메모리 장치의 동작 방법.
13. The method of claim 12,
Wherein the step of controlling to activate the clock information comprises:
And outputting a third output signal as a result of ANDing the reference clock signal and the clock information generated from the clock processor to the core memory unit.
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