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KR101953822B1 - Liquid crystal display device - Google Patents

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KR101953822B1
KR101953822B1 KR1020120088891A KR20120088891A KR101953822B1 KR 101953822 B1 KR101953822 B1 KR 101953822B1 KR 1020120088891 A KR1020120088891 A KR 1020120088891A KR 20120088891 A KR20120088891 A KR 20120088891A KR 101953822 B1 KR101953822 B1 KR 101953822B1
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KR
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layer
light
reflective layer
panel
liquid crystal
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KR1020120088891A
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KR20140022603A (en
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유재호
조현진
윤대호
이문규
정병호
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삼성디스플레이 주식회사
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Abstract

본 발명은 하부 절연 기판 및 하부 반사층을 포함하는 하부 표시판; 상부 절연 기판 및 상부 반사층을 포함하는 상부 표시판; 상기 하부 표시판의 상기 하부 반사층 및 상기 상부 표시판의 상기 상부 반사층의 사이에 위치하는 액정층; 및 상기 하부 표시판의 하부에 위치하며, 광원을 포함하는 백라이트 유닛을 포함하며, 상기 하부 표시판 및 상기 상부 표시판 중 적어도 하나의 표시판에는 한 쌍의 전계 생성 전극이 형성되어 있으며, 상기 하부 반사층, 상기 상부 반사층 및 상기 액정층은 마이크로 캐비티를 형성하며, 상기 전계 생성 전극에 의하여 생성된 전계에 의하여 상기 마이크로 캐비티에서 공진하여 방출되는 빛의 파장 및 휘도가 변하는 액정 표시 장치에 대한 것이다.The present invention relates to a lower display panel including a lower insulating substrate and a lower reflective layer. An upper display panel including an upper insulating substrate and an upper reflective layer; A liquid crystal layer positioned between the lower reflective layer of the lower panel and the upper reflective layer of the upper panel; And a backlight unit disposed at a lower portion of the lower display panel and including a light source, wherein at least one of the lower display panel and the upper display panel has a pair of field generating electrodes formed thereon, Reflective layer and the liquid crystal layer form a micro cavity and a wavelength and a luminance of light emitted by resonating in the micro cavity are changed by an electric field generated by the electric field generating electrode.

Description

액정 표시 장치{LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE}[0001] LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE [0002]

본 발명은 액정 표시 장치에 대한 것이다.The present invention relates to a liquid crystal display device.

액정 표시 장치는 현재 가장 널리 사용되고 있는 평판 표시 장치 중 하나로서, 화소 전극과 공통 전극 등 전기장 생성 전극이 형성되어 있는 두 장의 표시판과 그 사이에 들어 있는 액정층으로 이루어진다.The liquid crystal display device is one of the most widely used flat panel display devices and is composed of two display panels having an electric field generating electrode such as a pixel electrode and a common electrode and a liquid crystal layer interposed therebetween.

전기장 생성 전극에 전압을 인가하여 액정층에 전기장을 생성하고 이를 통하여 액정층의 액정 분자들의 배향을 결정하고 입사광의 편광을 제어함으로써 영상을 표시한다.A voltage is applied to the electric field generating electrode to generate an electric field in the liquid crystal layer, thereby determining the orientation of the liquid crystal molecules in the liquid crystal layer and controlling the polarization of the incident light to display an image.

일반적으로 액정 표시 장치에서는 색을 표시하기 위하여 컬러 필터를 사용하며, 빛을 투과시켜 화이트를 표시하거나 빛을 차단하여 블랙을 표시하기 위하여 편광판을 사용한다. 이와 같이 사용되는 컬러 필터와 편광판은 액정 표시 장치로 입사되는 빛의 투과율을 감소시키는 원인이된다. 즉, 컬러 필터는 약 1/3의 투과율을 감소시키며, 편광판은 1/2 이상의 투과율을 감소시킨다.Generally, in a liquid crystal display device, a color filter is used to display a color, and a polarizing plate is used to display white by transmitting light or blocking light to display black. The color filter and the polarizing plate used in this manner cause a decrease in the transmittance of light incident on the liquid crystal display device. That is, the color filter reduces the transmissivity by about 1/3, and the polarizer reduces the transmissivity by 1/2 or more.

그러므로 액정 표시 장치가 일정 휘도 레벨을 표시하기 위해서는 백라이트에서는 훨신 높은 레벨의 휘도를 표시할 수 있어야 하는 단점이 있다.Therefore, in order for a liquid crystal display device to display a constant luminance level, there is a disadvantage that it is necessary to be able to display a much higher level of luminance in the backlight.

본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 컬러 필터와 편광판을 사용하지 않아 투과율이 적게 감소되는 표시 장치를 제공하고자 한다.Disclosure of Invention Technical Problem [8] The present invention provides a display device which does not use a color filter and a polarizing plate, thereby reducing the transmittance to a minimum.

이러한 과제를 해결하기 위하여 본 발명의 실시예에 따른 액정 표시 장치는 하부 절연 기판 및 하부 반사층을 포함하는 하부 표시판; 상부 절연 기판 및 상부 반사층을 포함하는 상부 표시판; 상기 하부 표시판의 상기 하부 반사층 및 상기 상부 표시판의 상기 상부 반사층의 사이에 위치하는 액정층; 및 상기 하부 표시판의 하부에 위치하며, 광원을 포함하는 백라이트 유닛을 포함하며, 상기 하부 표시판 및 상기 상부 표시판 중 적어도 하나의 표시판에는 한 쌍의 전계 생성 전극이 형성되어 있으며, 상기 하부 반사층, 상기 상부 반사층 및 상기 액정층은 마이크로 캐비티를 형성하며, 상기 전계 생성 전극에 의하여 생성된 전계에 의하여 상기 마이크로 캐비티에서 공진하여 방출되는 빛의 파장 또는 휘도가 변한다.According to an aspect of the present invention, there is provided a liquid crystal display comprising: a lower panel including a lower insulating substrate and a lower reflective layer; An upper display panel including an upper insulating substrate and an upper reflective layer; A liquid crystal layer positioned between the lower reflective layer of the lower panel and the upper reflective layer of the upper panel; And a backlight unit disposed at a lower portion of the lower display panel and including a light source, wherein at least one of the lower display panel and the upper display panel has a pair of field generating electrodes formed thereon, The reflective layer and the liquid crystal layer form a micro cavity, and the wavelength or brightness of light emitted by resonating in the micro cavity is changed by an electric field generated by the electric field generating electrode.

상기 전계 생성 전극에 인가하는 전압을 조절하여 전계를 변화시켜 마이크로 캐비티에서 방출하는 빛의 휘도를 변경시켜 계조를 표시할 수 있다.The voltage applied to the electric field generating electrode is adjusted to change the electric field to change the brightness of light emitted from the micro cavity to display the gray level.

상기 상부 반사층 및 상기 하부 반사층은 고 굴절율층과 저 굴절율층이 반복적으로 적층된 단위 적층 구조를 포함할 수 있다.The upper reflection layer and the lower reflection layer may include a unit laminate structure in which a high refractive index layer and a low refractive index layer are repeatedly laminated.

상기 단위 적층 구조는 상기 고 굴절율층이 상 하에 두 개층으로 형성되며, 그 사이에 상기 저 굴절율층이 위치하는 삼중층 구조를 가질 수 있다.The unit laminate structure may have a triple layer structure in which the high refractive index layer is formed as two layers above and below and the low refractive index layer is interposed therebetween.

상기 상부 반사층 및 상기 하부 반사층 중 적어도 하나는 상기 단위 적층 구조가 상하로 형성되며, 그 사이에 금속층이 형성되어 있을 수 있다.At least one of the upper reflection layer and the lower reflection layer may have the unit laminate structure formed up and down, and a metal layer may be formed therebetween.

상기 상부 표시판은 형광층을 포함하는 형광체 유닛을 더 포함할 수 있다.The upper panel may further include a phosphor unit including a fluorescent layer.

상기 형광층은 상기 광원에서 제공된 특정 파장의 빛에 의하여 여기되어 색을 표시할 수 있다.The fluorescent layer may be excited by light of a specific wavelength provided by the light source to display a color.

상기 형광체 유닛은 상기 형광층의 아래에 위치하며, 상기 특정 파장의 빛을 투과시키는 광 투과층을 더 포함할 수 있다.The phosphor unit may further include a light transmitting layer positioned below the fluorescent layer and transmitting light having the specific wavelength.

상기 형광체 유닛은 상기 형광층의 위에 위치하며, 상기 특정 파장의 빛을 차단하는 광 차단층을 더 포함할 수 있다.The phosphor unit may further include a light blocking layer disposed on the fluorescent layer and blocking light of the specific wavelength.

상기 형광체 유닛은 상기 상부 절연 기판과 상기 상부 반사층의 사이에 위치할 수 있다.The phosphor unit may be positioned between the upper insulating substrate and the upper reflective layer.

상기 형광체 유닛은 상기 상부 절연 기판의 외측에 위치할 수 있다.The phosphor unit may be located outside the upper insulating substrate.

상기 전계 생성 전극은 상기 상부 표시판에 형성되어 있는 공통 전극과 상기 하부 표시판에 형성되어 있는 화소 전극을 포함하며, 상기 공통 전극은 상기 상부 반사층의 위에 위치하며, 상기 화소 전극은 상기 하부 반사층의 아래에 위치할 수 있다.Wherein the electric field generating electrode includes a common electrode formed on the upper panel and a pixel electrode formed on the lower panel, the common electrode is positioned on the upper reflective layer, and the pixel electrode is disposed under the lower reflective layer Can be located.

상기 전계 생성 전극은 상기 상부 표시판에 형성되어 있는 공통 전극과 상기 하부 표시판에 형성되어 있는 화소 전극을 포함하며, 상기 공통 전극은 상기 상부 반사층의 아래에 위치하며, 상기 화소 전극은 상기 하부 반사층의 위에 위치할 수 있다.Wherein the electric field generating electrode includes a common electrode formed on the upper panel and a pixel electrode formed on the lower panel, the common electrode being located below the upper reflective layer, Can be located.

상기 하부 표시판은 상기 하부 반사층의 하부에 위치하는 제2 하부 반사층을 더 포함하고, 상기 상부 표시판은 상기 상부 반사층의 상부에 위치하는 제2 상부 반사층을 더 포함할 수 있다.The lower panel may further include a second lower reflective layer positioned below the lower reflective layer, and the upper panel may further include a second upper reflective layer disposed on the upper reflective layer.

상기 하부 반사층과 상기 제2 하부 반사층의 사이에 위치하는 하부 유전체층 및 상기 상부 반사층과 상기 제2 상부 반사층의 사이에 위치하는 상부 유전체층을 더 포함할 수 있다.A lower dielectric layer positioned between the lower reflective layer and the second lower reflective layer, and an upper dielectric layer positioned between the upper reflective layer and the second upper reflective layer.

상기 상부 표시판의 최외측 또는 상기 하부 표시판의 최하측에 부착되어 있는 광학 필름을 더 포함하며, 상기 광학 필름은 편광판이 아닐 수 있다.And an optical film attached to the outermost side of the upper display panel or the lowermost side of the lower display panel, wherein the optical film is not a polarizer.

상기 백라이트 유닛은 상기 광원에서 제공된 빛을 상기 하부 표시판으로 전달시키는 도광판 및 반사 시트를 더 포함할 수 있다.The backlight unit may further include a light guide plate and a reflective sheet for transmitting the light provided from the light source to the lower display panel.

상기 도광판의 하부면에는 돌기 패턴이 형성되어 있을 수 있다.A protrusion pattern may be formed on the lower surface of the light guide plate.

상기 도광판의 상부에는 프리즘 패턴을 가지는 프리즘 시트를 더 포함할 수 있다.The prism sheet may further include a prism sheet having a prism pattern on the light guide plate.

상기 광원은 자외선 또는 청색 광을 제공할 수 있다.The light source may provide ultraviolet light or blue light.

이상과 같이 컬러 필터와 편광판을 사용하지 않아 투과율이 적게 감소되어 액정 표시 장치의 투과율을 향상시킬 수 있다. 또한, 액정 표시 장치에서 편광판을 사용하지 않고서도 빛의 투과율을 조절하여 계조를 표시할 수 있다. As described above, since the color filter and the polarizing plate are not used, the transmittance is reduced to be small, and the transmittance of the liquid crystal display device can be improved. Further, it is possible to display the grayscale by adjusting the transmittance of light without using a polarizing plate in a liquid crystal display device.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 액정 표시 장치의 단면도이다.
도 2 및 도 3은 본 발명의 실시예에 따른 반사층을 도시한 단면도이다.
도 4 내지 도 6은 도 1의 실시예에 따른 액정 표시 장치의 특성을 도시한 그래프이다.
도 7은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 액정 표시 장치의 단면도이다.
도 8 및 도 9는 도 7의 실시예에 따른 액정 표시 장치의 특성을 도시한 그래프이다.
도 10 내지 도 14는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 액정 표시 장치의 단면도이다.
도 15 내지 도 18은 본 발명의 실시예의 특성을 도시한 그래프이다.
1 is a cross-sectional view of a liquid crystal display device according to an embodiment of the present invention.
2 and 3 are cross-sectional views illustrating a reflective layer according to an embodiment of the present invention.
4 to 6 are graphs showing the characteristics of the liquid crystal display device according to the embodiment of FIG.
7 is a cross-sectional view of a liquid crystal display device according to another embodiment of the present invention.
8 and 9 are graphs showing the characteristics of the liquid crystal display device according to the embodiment of FIG.
10 to 14 are sectional views of a liquid crystal display device according to another embodiment of the present invention.
15 to 18 are graphs showing the characteristics of the embodiment of the present invention.

첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS The above and other features and advantages of the present invention will become more apparent by describing in detail exemplary embodiments thereof with reference to the attached drawings in which: FIG. The present invention may, however, be embodied in many different forms and should not be construed as limited to the embodiments set forth herein.

도면에서 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었다. 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 동일한 도면 부호를 붙였다. 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "위에" 있다고 할 때, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우뿐 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 반대로 어떤 부분이 다른 부분 "바로 위에" 있다고 할 때에는 중간에 다른 부분이 없는 것을 뜻한다.In the drawings, the thickness is enlarged to clearly represent the layers and regions. Like parts are designated with like reference numerals throughout the specification. It will be understood that when an element such as a layer, film, region, plate, or the like is referred to as being "on" another portion, it includes not only the element directly over another element, Conversely, when a part is "directly over" another part, it means that there is no other part in the middle.

이제 본 발명의 실시예에 따른 액정 표시 장치에 대하여 도 1을 참고로 하여 상세하게 설명한다.Now, a liquid crystal display according to an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to FIG.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 액정 표시 장치의 단면도이다.1 is a cross-sectional view of a liquid crystal display device according to an embodiment of the present invention.

도 1에서 도시하고 있는 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 액정 표시 장치는 하부 표시판(100), 상부 표시판(200), 이들 사이에 위치하고 있는 액정층(3) 및 백라이트 유닛(500)을 포함한다.1, a liquid crystal display device according to an embodiment of the present invention includes a lower panel 100, an upper panel 200, a liquid crystal layer 3 disposed therebetween, and a backlight unit 500 do.

백라이트 유닛(500)은 광원(510), 도광판(520), 반사 시트(525) 및 프리즘 시트(530)을 포함한다. 그 위에 위치하는 하부 표시판(100)은 하부 절연 기판(110)위에 박막 트랜지스터(TFT), 화소 전극(191), 및 하부 반사층(111)을 포함한다. 그 위에 위치하는 상부 표시판(200)은 상부 절연 기판(210)에 형광체 유닛(230), 공통 전극(270) 및 상부 반사층(211)을 포함한다. 하부 표시판(100) 및 상부 표시판(200)은 편광판을 포함하지 않는다.The backlight unit 500 includes a light source 510, a light guide plate 520, a reflection sheet 525, and a prism sheet 530. A lower panel 100 disposed thereon includes a TFT, a pixel electrode 191, and a lower layer 111 on a lower insulating substrate 110. The upper panel 200 disposed thereon includes a phosphor unit 230, a common electrode 270, and an upper reflective layer 211 on an upper insulating substrate 210. The lower display panel 100 and the upper display panel 200 do not include a polarizer.

먼저, 백라이트 유닛(500)을 살펴본다.First, the backlight unit 500 will be described.

백라이트 유닛(500)은 광원(510), 도광판(520), 반사 시트(525) 및 프리즘 시트(530)를 포함한다. The backlight unit 500 includes a light source 510, a light guide plate 520, a reflection sheet 525, and a prism sheet 530.

광원(510)은 상부 표시판(200)에 형성되는 형광층(231)이 여기되어 색을 표시하도록 할 수 있는 파장 대역의 빛을 제공하며, 실시예에 따라서는 자외선 또는 청색 광원을 사용할 수도 있다.The light source 510 provides a light of a wavelength band that allows the fluorescent layer 231 formed on the upper panel 200 to be excited to display a color, and ultraviolet or blue light sources may be used depending on the embodiment.

본 실시예에서 광원(510)은 도광판(520)의 측면에 위치한다. 도광판(520)은 하부면에는 돌기 패턴이 형성되어 있다. 또한, 도광판(520)의 하부면에는 반사 시트(525)가 위치하고 있으며, 돌기 패턴의 아래에도 반사 시트(525)가 위치할 수 있다. 도광판(520)의 돌기 패턴과 반사 시트(525)는 광원(510)에서 제공되는 빛이 수직 방향으로도 진행하여 하부 표시판(100)측으로 제공되도록 한다. In this embodiment, the light source 510 is positioned on the side surface of the light guide plate 520. The light guide plate 520 has a protrusion pattern formed on the lower surface thereof. Also, a reflective sheet 525 is disposed on the lower surface of the light guide plate 520, and a reflective sheet 525 may be disposed under the protruding pattern. The protrusion pattern of the light guide plate 520 and the reflective sheet 525 allow the light provided by the light source 510 to travel in the vertical direction to be provided to the lower panel 100 side.

도광판(520)의 위에는 프리즘 시트(530)가 위치하고 있다. 프리즘 시트(530)는 프리즘 패턴을 포함한다. 프리즘 패턴은 삼각형의 단면 구조를 가지는 패턴이 일 방향으로 연장되어 있을 수 있다. 또한 실시예에 따라서는 반원의 단면 구조를 가질 수 있다. 또한, 실시예에 따라서는 반구의 패턴을 가질 수도 있다. 본 실시예에서의 프리즘 패턴은 프리즘 시트(530)의 양 면 중 도광판(520)측의 면에 위치하고 있다. 실시예에 따라서는 프리즘 시트(530)가 두 장 사용될 수 있으며, 그 경우 프리즘 패턴이 연장된 방향이 서로 수직하도록 위치할 수 있다. A prism sheet 530 is disposed on the light guide plate 520. The prism sheet 530 includes a prism pattern. The prism pattern may have a pattern having a triangular cross-sectional structure extending in one direction. Depending on the embodiment, it may have a semicircular cross-sectional structure. Also, depending on the embodiment, it may have a hemispherical pattern. The prism pattern in this embodiment is located on the side of the light guide plate 520 on both sides of the prism sheet 530. Depending on the embodiment, two prism sheets 530 may be used, in which case the prism patterns may be positioned such that their extending directions are perpendicular to each other.

실시예에 따라서는 프리즘 시트(530)는 포함되지 않을 수도 있으며, 프리즘 시트(530)외에 추가적인 필름(휘도 향상 필름, 디퓨져 등)을 더 포함할 수 있다.In some embodiments, the prism sheet 530 may not be included, and may further include additional films (brightness enhancement films, diffusers, etc.) in addition to the prism sheet 530.

이하, 하부 표시판(100)에 대하여 살펴본다.Hereinafter, the lower display panel 100 will be described.

하부 절연 기판(110)위에 게이트 전극(124)을 포함하는 게이트선(도시하지 않음)이 형성되어 있으며, 게이트선은 게이트 절연막(140)에 의하여 덮혀 있다.A gate line (not shown) including a gate electrode 124 is formed on a lower insulating substrate 110, and the gate line is covered with a gate insulating film 140.

게이트 절연막(140)의 위에는 반도체(154)가 형성되어 있으며, 반도체(154)의 일부를 덮는 소스 전극(173), 드레인 전극(175) 및 데이터선(도시하지 않음)을 포함하는 데이터 도전체가 형성된다. 데이터 도전체는 제1 보호막(180)에 의하여 덮혀 있으며, 데이터 도전체 중 드레인 전극(175)은 제1 보호막(180)에 형성되어 있는 접촉 구멍에 의하여 노출되어 있다.A semiconductor 154 is formed on the gate insulating film 140 and a data conductor including a source electrode 173, a drain electrode 175 and a data line (not shown) covering a part of the semiconductor 154 is formed do. The data conductor is covered by the first protective film 180 and the drain electrode 175 of the data conductor is exposed by the contact hole formed in the first protective film 180. [

게이트 전극(124), 반도체(154), 소스 전극(173) 및 드레인 전극(175)은 박막 트랜지스터(TFT)를 이루며, 반도체(154)에 박막 트랜지스터(TFT)의 채널이 형성된다. 게이트 전극(124)은 박막 트랜지스터(TFT)의 제어 단자이고, 소스 전극(173)은 박막 트랜지스터(TFT)의 입력 단자이며, 드레인 전극(175)는 박막 트랜지스터(TFT)의 출력 단자일 수 있다.The gate electrode 124, the semiconductor 154, the source electrode 173 and the drain electrode 175 constitute a thin film transistor (TFT), and a channel of the thin film transistor (TFT) is formed in the semiconductor 154. The gate electrode 124 is a control terminal of the thin film transistor TFT and the source electrode 173 is an input terminal of the thin film transistor TFT and the drain electrode 175 is an output terminal of the thin film transistor TFT.

제1 보호막(180)의 위에는 ITO 또는 IZO와 같은 투명한 도전 물질로 형성된 화소 전극(191)이 형성되어 있으며, 접촉 구멍을 통하여 노출되어 있는 드레인 전극(175)과 전기적으로 연결되어 있다.A pixel electrode 191 formed of a transparent conductive material such as ITO or IZO is formed on the first passivation layer 180 and is electrically connected to the drain electrode 175 exposed through the contact hole.

박막 트랜지스터(TFT)의 제어 단자는 게이트선과 연결되어 있으며, 입력 단자는 데이터선과 연결되어 있다. 박막 트랜지스터(TFT)의 출력 단자는 화소 전극(191)과 연결되어 있다. The control terminal of the thin film transistor (TFT) is connected to the gate line, and the input terminal is connected to the data line. The output terminal of the thin film transistor TFT is connected to the pixel electrode 191.

게이트선과 데이터선의 사이에 게이트 절연막(140)이 형성되어 서로 절연되어 교차하고 있다. A gate insulating film 140 is formed between the gate line and the data line and is insulated and crossed.

화소 전극(191)의 위에는 제2 보호막(185)이 형성되어 있다. 제1 보호막(180) 및 제2 보호막(185)은 무기 물질 또는 유기 물질을 포함하는 절연 물질로 형성되어 있다. 실시에 따라서는 제2 보호막(185)이 생략될 수도 있다.A second passivation layer 185 is formed on the pixel electrode 191. The first passivation layer 180 and the second passivation layer 185 are formed of an insulating material including an inorganic material or an organic material. In some embodiments, the second protective film 185 may be omitted.

제2 보호막(185)의 위에는 하부 반사층(111)이 형성되어 있다. 하부 반사층(111)은 다층의 유전체를 포함하거나 다층의 유전체에 금속막을 더 포함하는 구조를 가질 수 있다. 도 2 및 도 3에서는 반사층의 층상 구조를 도시하고 있는데, 이에 대해서는 후술한다.A lower reflective layer 111 is formed on the second protective film 185. The lower reflective layer 111 may have a structure including a multilayered dielectric or further include a metal film on a multilayered dielectric. 2 and 3 show the layered structure of the reflection layer, which will be described later.

하부 반사층(111)의 위에는 배향막(도시하지 않음)이 형성되어 있을 수 있다.An alignment film (not shown) may be formed on the lower reflective layer 111.

이상과 같이 하부 표시판(100)에는 편광판이 부착되어 있지 않다.As described above, the polarizer is not attached to the lower panel 100.

이하에서는, 상부 표시판(200)에 대하여 살펴본다.Hereinafter, the upper panel 200 will be described.

상부 절연 기판(210)의 아래에 형광체 유닛(230)이 형성되어 있다. 형광체 유닛(230)은 형광층(231)과 형광층(231)의 상부에 위치하는 광 차단층(233) 및 형광층(231)의 하부에 위치하는 광 투과층(232)을 포함한다. 광 차단층(233)은 외부에서 제공된 빛에 의하여 형광층(231)이 여기되는 것을 방지하기 위하여 형광층(231)을 여기시키는 파장 대역의 빛을 차단하며, 광 투과층(232)은 형광층(231)을 여기시키는 파장 대역의 빛을 투과시킨다. 광원(510)이 자외선을 제공하는 경우 광 차단층(233)은 자외선 차단층이며, 광 투과층(232)은 자외선 투과층이고, 광원(510)이 청색 광을 제공하는 경우에는 광 차단층(233)은 청색광 차단층이며, 광 투과층(232)은 청색광 투과층이다. 광 투과층(232)은 형광층(231)에서 백라이트 유닛(500)측에 위치하며, 광 차단층(233)은 형광층(231)에서 외측에 위치한다. 실시예에 따라서는 광 투과층(232) 및 광 차단층(233) 중 적어도 하나가 제거될 수 있다.A phosphor unit 230 is formed below the upper insulating substrate 210. The phosphor unit 230 includes a fluorescent layer 231 and a light blocking layer 233 located above the fluorescent layer 231 and a light transmitting layer 232 located below the fluorescent layer 231. The light blocking layer 233 blocks light in a wavelength band that excites the fluorescent layer 231 to prevent the fluorescent layer 231 from being excited by light provided from the outside, To transmit the light of the wavelength band that excites the light emitting layer 231. When the light source 510 provides ultraviolet light, the light blocking layer 233 is an ultraviolet blocking layer, the light transmitting layer 232 is an ultraviolet transmitting layer, and when the light source 510 provides blue light, 233 is a blue light blocking layer, and the light transmitting layer 232 is a blue light transmitting layer. The light transmitting layer 232 is located on the backlight unit 500 side in the fluorescent layer 231 and the light blocking layer 233 is located on the outside in the fluorescent layer 231. In some embodiments, at least one of the light-transmitting layer 232 and the light-blocking layer 233 may be removed.

형광체 유닛(230)의 아래에는 공통 전극(270) 및 상부 반사층(211)이 형성되어 있다. 공통 전극(270)은 ITO 또는 IZO와 같은 투명한 도전 물질로 형성되어 있다. 상부 반사층(211)은 다층의 유전체를 포함하거나 다층의 유전체에 금속막을 더 포함하는 구조를 가질 수 있으며, 하부 반사층(111)과 동일하게 형성될 수 있다. 도 2 및 도 3에서는 반사층의 층상 구조를 도시하고 있는데, 이에 대해서는 후술한다. 도 1의 실시예에서는 공통 전극(270)의 아래에 상부 반사층(211)이 위치하고 있지만, 실시예에 따라서는 그 위치가 바뀔 수도 있다.A common electrode 270 and an upper reflective layer 211 are formed under the phosphor unit 230. The common electrode 270 is formed of a transparent conductive material such as ITO or IZO. The upper reflective layer 211 may include a multi-layer dielectric or may have a structure including a metal layer on a multi-layer dielectric, and may be formed in the same manner as the lower reflective layer 111. 2 and 3 show the layered structure of the reflection layer, which will be described later. In the embodiment of FIG. 1, the upper reflection layer 211 is located under the common electrode 270, but the position may be changed depending on the embodiment.

상부 반사층(211)의 아래에는 배향막(도시하지 않음)이 형성되어 있을 수 있다.An alignment layer (not shown) may be formed under the upper reflective layer 211.

이상과 같이 상부 표시판(200)에는 편광판이 부착되어 있지 않다.As described above, the polarizer is not attached to the upper display panel 200.

상부 표시판(200)과 하부 표시판(100)의 사이에는 액정 분자를 포함하는 액정층(3)이 위치하고 있다. 액정층(3)은 수직 배향 모드를 가지거나 수평 배향 모드를 가질 수 있으며, TN 모드의 액정도 사용될 수 있다. 액정층(3)은 일정한 셀갭을 가지기 위하여 스페이서(도시하지 않음)가 형성되어 있을 수 있으며, 스페이서는 상부 표시판(200) 또는 하부 표시판(100)에 형성되어 있을 수 있다.A liquid crystal layer 3 including liquid crystal molecules is disposed between the upper display panel 200 and the lower panel 100. The liquid crystal layer 3 may have a vertical alignment mode or a horizontal alignment mode, and a TN mode liquid crystal may also be used. A spacer (not shown) may be formed on the liquid crystal layer 3 to have a predetermined cell gap, and the spacer may be formed on the upper display panel 200 or the lower display panel 100.

이상에서 기술한 상부 반사층(211)과 하부 반사층(111)은 도 2 또는 도 3의 구조를 가질 수 있다.The upper reflection layer 211 and the lower reflection layer 111 described above may have the structure of FIG. 2 or FIG.

도 2 및 도 3은 본 발명의 실시예에 따른 반사층을 도시한 단면도이다.2 and 3 are cross-sectional views illustrating a reflective layer according to an embodiment of the present invention.

도 2에서는 다층의 유전체를 포함하는 실시예가 도시되어 있으며, 도 3에서는 다층의 유전체에 금속막을 더 포함하는 실시예가 도시되어 있다.In Fig. 2, an embodiment including a multilayer dielectric is shown, and in Fig. 3 an embodiment further comprising a metal film in the multilayer dielectric is shown.

먼저, 도 2를 참고하면, 하부 반사층(111) 또는 상부 반사층(211)은 고 굴절율을 가지는 유전층(H; 이하 고 굴절율층이라 함)과 저 굴절율을 가지는 유전층(L; 이하 저 굴절율층이라 함)을 포함하며, 고 굴절율층과 저 굴절율층이 반복적으로 적층된 구조(이하 단위 적층 구조라 함)를 가진다. 도 2의 실시예에서는 단위 적층 구조가 고 굴절율층이 상 하에 두 개층으로 형성되며, 그 사이에 저 굴절율층이 위치하는 삼중층 구조를 가진다. 하지만, 단위 적층 구조는 삼중층에 한정되지 않고, 이중층 이상으로 두 굴절율층이 반복하여 적층되는 모든 경우를 포함한다.2, the lower reflection layer 111 or the upper reflection layer 211 includes a dielectric layer H (hereinafter referred to as a high refractive index layer) having a high refractive index and a dielectric layer L (hereinafter referred to as a low refractive index layer) having a low refractive index. ), And has a structure in which a high refractive index layer and a low refractive index layer are repeatedly laminated (hereinafter referred to as a unit laminated structure). In the embodiment of FIG. 2, the unit laminate structure has a triple layer structure in which a high refractive index layer is formed as two layers above and below and a low refractive index layer is positioned therebetween. However, the unit laminate structure is not limited to a triple layer, and includes all cases in which two refractive index layers are repeatedly laminated in two or more layers.

또한, 도 3을 참고하면, 하부 반사층(111) 또는 상부 반사층(211)은 고 굴절율층과 저 굴절율층이 반복적으로 적층된 단위 적층 구조가 상하로 형성되며, 그 사이에 금속층(Metal)이 형성되어 있는 구조를 가진다. 상하로 위치하는 한 쌍의 단위 적층 구조는 도 3과 같이 서로 동일한 적층 구조를 가질 수도 있고, 서로 다른 적층 구조를 가질 수도 있다. 단위 적층 구조는 삼중층에 한정되지 않고, 이중층 이상으로 두 굴절율층이 반복하여 적층되는 모든 경우를 포함한다. 또한, 금속층은 빛의 반사뿐만 아니라 특정 파장의 빛은 투과될 수 있는 두께로 형성될 수 있다.3, the lower reflection layer 111 or the upper reflection layer 211 has a unit laminate structure in which a high refractive index layer and a low refractive index layer are repeatedly stacked, and a metal layer is formed therebetween . As shown in FIG. 3, the upper and lower unit laminated structures may have the same laminated structure or may have different laminated structures. The unit laminate structure is not limited to a triple layer, and includes all cases in which two refractive index layers are repeatedly laminated in two or more layers. In addition, the metal layer may be formed to have a thickness capable of transmitting light of a specific wavelength as well as reflection of light.

이상과 같은 액정 표시 장치는 편광판을 포함하지 않아 광 효율이 향상된다. 뿐만 아니라, 컬러 필터 대신에 형광층을 사용하여 광 효율을 향상시킨다. The liquid crystal display device as described above does not include a polarizing plate, thereby improving light efficiency. In addition, a fluorescent layer is used instead of the color filter to improve the light efficiency.

또한, 상부 반사층(211)과 하부 반사층(111)의 사이의 공간(micro cavity)에서 빛이 공진하여 특정 파장의 빛이 상부 반사층(211)을 투과하여 방출된다. 이 때, 액정층의 굴절율 변화에 의하여 투과하는 파장이 변하게 되고, 파장이 변함에 따라서 투과되는 빛의 량(투과율)도 변하여 계조 표현이 가능하다. 이와 같은 본 발명의 실시예에 따른 액정 표시 장치의 특성에 대하여 도 4 내지 도 6을 참고하여 살펴본다.In addition, light is resonated in a micro cavity between the upper reflective layer 211 and the lower reflective layer 111, and light of a specific wavelength is transmitted through the upper reflective layer 211 and emitted. At this time, the wavelength transmitted by the change of the refractive index of the liquid crystal layer changes, and the amount of light (transmittance) transmitted through the wavelength changes, so that the gradation can be expressed. The characteristics of the liquid crystal display according to the embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 4 to 6. FIG.

도 4 내지 도 6은 도 1의 실시예에 따른 액정 표시 장치의 특성을 도시한 그래프이다.4 to 6 are graphs showing the characteristics of the liquid crystal display device according to the embodiment of FIG.

먼저, 도 4는 파장에 대한 휘도에 대한 그래프로, 최대 휘도를 100으로 하고 백분율로 나타낸 그래프이다.First, FIG. 4 is a graph of luminance versus wavelength, and is a graph showing the maximum luminance as 100 and a percentage.

도 4에서는 본 발명의 실시예에서 사용된 광원의 파장에 대한 휘도 그래프를 도시하고 있으며, 도 1에서 사용된 광 투과층(232)의 투과 특성도 “UV pass filter”로 도시하고 있다. 도 1의 실시예에서 광원은 자외선 광을 사용하였으며, 광 투과층(232)은 자외선 투과층이 사용되었다.FIG. 4 shows a graph of luminance versus wavelength of the light source used in the embodiment of the present invention, and the transmission characteristic of the light transmitting layer 232 used in FIG. 1 is also shown as "UV pass filter". In the embodiment of FIG. 1, ultraviolet light is used as a light source, and an ultraviolet ray transmitting layer is used as a light transmitting layer 232.

또한, 도 4에서는 액정층(3)의 굴절율(N)에 의하여 상부 반사층(211)과 하부 반사층(111)의 사이의 공간(micro cavity)에서 빛이 공진하여 방출되는 빛을 도시하고 있다. 액정층(3)은 TN 모드의 액정이 사용되었으며, 액정 분자의 꼬임이 매우 큰 경우 액정 분자가 가지는 두 굴절율(no, ne)의 평균 굴절률에 준하는 값으로 액정층(3)의 굴절율이 정해진다. 액정층(3)의 굴절율은 화소 전극(191)과 공통 전극(270) 사이의 전계에 의하여 두 굴절율(no, ne)의 평균 굴절률 부근에서 변하며, 그에 따라서 마이크로 캐비디(micro cavity)에서 투과되는 빛의 특성을 시뮬레이션을 통하여 도 4에 도시하였다.4 shows light emitted from a cavity in the micro cavity between the upper reflective layer 211 and the lower reflective layer 111 due to the refractive index N of the liquid crystal layer 3. The TN mode liquid crystal is used for the liquid crystal layer 3, and when the twist of the liquid crystal molecules is very large, the refractive index of the liquid crystal layer 3 is determined to be a value corresponding to an average refractive index of two refractive indices no and ne of the liquid crystal molecules . The refractive index of the liquid crystal layer 3 varies near the average refractive index of the two refractive indices no and ne due to the electric field between the pixel electrode 191 and the common electrode 270 and is transmitted through the microcavity The characteristics of light are shown in FIG. 4 through simulation.

액정층(3)의 굴절율(N)이 1.5에서 1.55, 1.6. 1.65로 점점 커질수록 마이크로 캐비디(micro cavity)에서 투과되는 빛의 파장이 커지는 것을 알 수 있다. 도 4에서의 특성은 마이크로 캐비디(micro cavity)에서 투과되는 빛의 특성을 시뮬레이션 한 것이므로, 광원에서 제공되는 파장 별 휘도보다 큰 휘도를 가지는 그래프가 도시되어 있다.The refractive index N of the liquid crystal layer 3 is 1.5 to 1.55, 1.65, the wavelength of the light transmitted through the microcavity increases. The characteristic shown in FIG. 4 is a graph simulating characteristics of light transmitted through a micro cavity, and therefore has a luminance higher than that of each wavelength provided by the light source.

하지만, 실제로는 광원에서 제공되는 파장 별 휘도값에 의하여 제한되므로 실제 마이크로 캐비디(micro cavity)에서 투과되는 빛의 휘도 특성은 도 5와 같다. 뿐만 아니라, 도 5에서는 광 투과층(232)에 의하여 투과 파장 대역에 대응하지 않는 빛이 차단된 결과를 보여준다. 즉, 도 5에서 도시된 그래프는 형광체 유닛(230)의 형광층(231)에 실제 입사되는 빛의 특성이다.However, since the actual luminance is limited by the luminance value of each wavelength provided by the light source, the luminance characteristic of light transmitted through a micro cavity is actually the same as that of FIG. In addition, FIG. 5 shows the result that light not corresponding to the transmission wavelength band is blocked by the light transmission layer 232. That is, the graph shown in FIG. 5 is a characteristic of light actually incident on the phosphor layer 231 of the phosphor unit 230.

도 5에 의하면, 액정층(3)의 굴절율(N)이 1.5에서 1.55, 1.6. 1.65로 점점 커질수록 마이크로 캐비디(micro cavity)에서 투과되는 빛의 파장은 커지고, 그에 따라 빛의 휘도도 증가하는 것을 알 수 있다. 형광체 유닛(230)의 형광층(231)은 입사된 빛에 의하여 발광하여 해당 색을 표시하는데, 입사되는 휘도가 감소하면 발광하는 정도도 감소하게 된다.5, the refractive index N of the liquid crystal layer 3 is 1.5 to 1.55, and the refractive index N of the liquid crystal layer 3 is 1.6. 1.65, the wavelength of the light transmitted through the microcavity increases, and the luminance of the light increases accordingly. The fluorescent layer 231 of the phosphor unit 230 emits light by the incident light to display the corresponding color, and the degree of light emission decreases as the incident brightness decreases.

그러므로, 화소 전극(191)의 전압을 조절하여 액정층(3)의 굴절율(N)을 조절하고, 그에 따라서 마이크로 캐비디(micro cavity)에서 투과되는 빛의 휘도가 변하고, 그에 따라서 형광층(231)의 발광 정도가 변함에 의하여 계조 표현이 가능하다.Therefore, by adjusting the voltage of the pixel electrode 191 to adjust the refractive index N of the liquid crystal layer 3, the luminance of light transmitted through the microcavity is changed, and accordingly, the fluorescent layer 231 The gradation can be expressed by changing the degree of light emission of the light emitting element.

도 4 및 도 5에서는 TN 모드의 액정층(3)을 사용하였지만, 수직 배향 모드의 액정층(3)을 사용하는 경우에는 굴절율(N)이 커질수록 투과하는 빛의 파장 대역이 줄어들어 도 4 및 도 5와 반대의 특성을 가질 수 있다. 즉, 사용하는 액정층(3)의 특성에 따라 변동이 가능하다.4 and 5, the TN mode liquid crystal layer 3 is used. However, in the case of using the liquid crystal layer 3 in the vertical alignment mode, the wavelength band of the transmitted light decreases as the refractive index N increases, It may have a characteristic opposite to that of FIG. That is, it is possible to vary depending on the characteristics of the liquid crystal layer 3 used.

한편, 도 6에서는 마이크로 캐비디(micro cavity)로 입사하는 빛의 각도에 의하여 마이크로 캐비디(micro cavity)에서 공진하여 방출하는 빛의 피크 파장의 변화를 시뮬레이션하여 도시하고 있다. 도 6에서 가로축은 0은 하부 반사층(111)에 수직으로 입사되는 경우이며, 각도가 커질수록 비스듬하게 입사하는 것을 나타낸다. 도 6의 세로축은 투과 파장의 피크 치의 변동값을 nm 단위로 나타낸 것으로 수직으로 입사된 빛을 기준으로 계산된 값이다.Meanwhile, FIG. 6 illustrates a change in peak wavelength of light emitted from a micro cavity due to the angle of light incident on a micro cavity. Referring to FIG. In FIG. 6, the horizontal axis represents 0 when the light is incident vertically on the lower reflection layer 111, and the larger the angle, the more the incident light is obliquely incident. The vertical axis in Fig. 6 represents the variation value of the peak value of the transmission wavelength in nm and is a value calculated based on the light incident vertically.

즉, 입사 각도가 커질수록, 즉, 비스듬하게 입사될수록, 마이크로 캐비디(micro cavity)에서 방출되는 빛의 피크 파장이 변화되며, 약 20도로 입사되는 경우 마이크로 캐비디(micro cavity)를 거쳐 투과된 빛의 파장은 10nm 변동되며, 이보다 큰 각도로 입사되는 경우에는 광 투과층(232)에서 차단되는 빛의 파장에 대응하여 형광층(231)으로 진행되지 않는다.That is, as the incident angle increases, that is, as the incident angle becomes oblique, the peak wavelength of light emitted from the microcavity changes. When the incident angle is about 20 degrees, the light is transmitted through the microcavity The wavelength of the light is varied by 10 nm. When the light is incident at a larger angle than the wavelength, the light does not proceed to the fluorescent layer 231 corresponding to the wavelength of the light blocked by the light transmitting layer 232.

그 결과 광원에서 제공된 빛 중 인접한 화소에 제공되어야 할 빛이 잘못하여 본 화소의 형광층(231)에 입사되는 혼색(color parallax)의 문제가 감소하는 장점이 있을 수 있다.As a result, there is an advantage that the problem of color parallax which is incident on the fluorescent layer 231 of the pixel due to the light to be provided to adjacent pixels among the light provided by the light source is reduced.

이상과 같이 형광체 유닛(230)의 광 투과층(232)은 형광층(231)에 입사하는 빛을 조절하여 형광층(231)이 노이즈 없이 발광하도록 유도한다. 또한, 형광체 유닛(230)의 광 차단층(233)도 형광층(231)이 방출한 빛을 노이즈 없이 사용자에게 제공한다.As described above, the light transmitting layer 232 of the phosphor unit 230 controls the light incident on the fluorescent layer 231 to induce the fluorescent layer 231 to emit light without noise. The light blocking layer 233 of the phosphor unit 230 also provides the light emitted by the fluorescent layer 231 to the user without noise.

이하에서는 본 발명의 또 다른 실시예인 도 7의 실시예에 대하여 살펴본다.Hereinafter, the embodiment of FIG. 7, which is another embodiment of the present invention, will be described.

도 7의 실시예는 도 1의 실시예와 달리 형광체 유닛(230)이 상부 절연 기판(210)의 외측에 위치하고 있다.The embodiment of FIG. 7 differs from the embodiment of FIG. 1 in that the phosphor unit 230 is located outside the upper insulating substrate 210.

도 7은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 액정 표시 장치의 단면도이다.7 is a cross-sectional view of a liquid crystal display device according to another embodiment of the present invention.

도 7에서 도시하고 있는 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 액정 표시 장치는 하부 표시판(100), 상부 표시판(200), 이들 사이에 위치하고 있는 액정층(3) 및 백라이트 유닛(500)을 포함한다.7, the liquid crystal display device according to the embodiment of the present invention includes a lower panel 100, an upper panel 200, a liquid crystal layer 3 disposed therebetween, and a backlight unit 500 do.

백라이트 유닛(500)은 광원(510), 도광판(520), 반사 시트(525) 및 프리즘 시트(530)을 포함한다. 그 위에 위치하는 하부 표시판(100)은 하부 절연 기판(110)위에 박막 트랜지스터(TFT), 화소 전극(191), 및 하부 반사층(111)을 포함한다. 그 위에 위치하는 상부 표시판(200)은 상부 절연 기판(210)에 형광체 유닛(230), 공통 전극(270) 및 상부 반사층(211)을 포함한다. 하부 표시판(100) 및 상부 표시판(200)은 편광판을 포함하지 않는다.The backlight unit 500 includes a light source 510, a light guide plate 520, a reflection sheet 525, and a prism sheet 530. A lower panel 100 disposed thereon includes a TFT, a pixel electrode 191, and a lower layer 111 on a lower insulating substrate 110. The upper panel 200 disposed thereon includes a phosphor unit 230, a common electrode 270, and an upper reflective layer 211 on an upper insulating substrate 210. The lower display panel 100 and the upper display panel 200 do not include a polarizer.

먼저, 백라이트 유닛(500)을 살펴본다.First, the backlight unit 500 will be described.

백라이트 유닛(500)은 광원(510), 도광판(520), 반사 시트(525) 및 프리즘 시트(530)를 포함한다. The backlight unit 500 includes a light source 510, a light guide plate 520, a reflection sheet 525, and a prism sheet 530.

광원(510)은 상부 표시판(200)에 형성되는 형광층(231)이 색을 표시하도록 할 수 있는 파장 대역의 빛을 제공하며, 실시예에 따라서는 자외선 또는 청색 광원을 사용할 수도 있다.The light source 510 provides light of a wavelength band that allows the fluorescent layer 231 formed on the upper panel 200 to display a color, and ultraviolet or blue light sources may be used depending on the embodiment.

본 실시예에서 광원(510)은 도광판(520)의 측면에 위치한다. 도광판(520)은 하부면에는 돌기 패턴이 형성되어 있다. 또한, 도광판(520)의 하부면에는 반사 시트(525)가 위치하고 있으며, 돌기 패턴의 아래에도 반사 시트(525)가 위치할 수 있다. 도광판(520)의 돌기 패턴과 반사 시트(525)는 광원(510)에서 제공되는 빛이 수직 방향으로도 진행하여 하부 표시판(100)측으로 제공되도록 한다. In this embodiment, the light source 510 is positioned on the side surface of the light guide plate 520. The light guide plate 520 has a protrusion pattern formed on the lower surface thereof. Also, a reflective sheet 525 is disposed on the lower surface of the light guide plate 520, and a reflective sheet 525 may be disposed under the protruding pattern. The protrusion pattern of the light guide plate 520 and the reflective sheet 525 allow the light provided by the light source 510 to travel in the vertical direction to be provided to the lower panel 100 side.

도광판(520)의 위에는 프리즘 시트(530)가 위치하고 있다. 프리즘 시트(530)는 프리즘 패턴을 포함한다. 프리즘 패턴은 삼각형의 단면 구조를 가지는 패턴이 일 방향으로 연장되어 있을 수 있다. 또한 실시예에 따라서는 반원의 단면 구조를 가질 수 있다. 또한, 실시예에 따라서는 반구의 패턴을 가질 수도 있다. 본 실시예에서의 프리즘 패턴은 프리즘 시트(530)의 양 면 중 도광판(520)측의 면에 위치하고 있다. 실시예에 따라서는 프리즘 시트(530)가 두 장 사용될 수 있으며, 그 경우 프리즘 패턴이 연장된 방향이 서로 수직하도록 위치할 수 있다. A prism sheet 530 is disposed on the light guide plate 520. The prism sheet 530 includes a prism pattern. The prism pattern may have a pattern having a triangular cross-sectional structure extending in one direction. Depending on the embodiment, it may have a semicircular cross-sectional structure. Also, depending on the embodiment, it may have a hemispherical pattern. The prism pattern in this embodiment is located on the side of the light guide plate 520 on both sides of the prism sheet 530. Depending on the embodiment, two prism sheets 530 may be used, in which case the prism patterns may be positioned such that their extending directions are perpendicular to each other.

실시예에 따라서는 프리즘 시트(530)는 포함되지 않을 수도 있으며, 프리즘 시트(530)외에 추가적인 필름(휘도 향상 필름, 디퓨져 등)을 더 포함할 수 있다.In some embodiments, the prism sheet 530 may not be included, and may further include additional films (brightness enhancement films, diffusers, etc.) in addition to the prism sheet 530.

이하, 하부 표시판(100)에 대하여 살펴본다.Hereinafter, the lower display panel 100 will be described.

하부 절연 기판(110)위에 게이트 전극(124)을 포함하는 게이트선(도시하지 않음)이 형성되어 있으며, 게이트선은 게이트 절연막(140)에 의하여 덮혀 있다.A gate line (not shown) including a gate electrode 124 is formed on a lower insulating substrate 110, and the gate line is covered with a gate insulating film 140.

게이트 절연막(140)의 위에는 반도체(154)가 형성되어 있으며, 반도체(154)의 일부를 덮는 소스 전극(173), 드레인 전극(175) 및 데이터선(도시하지 않음)을 포함하는 데이터 도전체가 형성된다. 데이터 도전체는 제1 보호막(180)에 의하여 덮혀 있으며, 데이터 도전체 중 드레인 전극(175)은 제1 보호막(180)에 형성되어 있는 접촉 구멍에 의하여 노출되어 있다.A semiconductor 154 is formed on the gate insulating film 140 and a data conductor including a source electrode 173, a drain electrode 175 and a data line (not shown) covering a part of the semiconductor 154 is formed do. The data conductor is covered by the first protective film 180 and the drain electrode 175 of the data conductor is exposed by the contact hole formed in the first protective film 180. [

게이트 전극(124), 반도체(154), 소스 전극(173) 및 드레인 전극(175)은 박막 트랜지스터(TFT)를 이루며, 반도체(154)에 박막 트랜지스터(TFT)의 채널이 형성된다. 게이트 전극(124)은 박막 트랜지스터(TFT)의 제어 단자이고, 소스 전극(173)은 박막 트랜지스터(TFT)의 입력 단자이며, 드레인 전극(175)는 박막 트랜지스터(TFT)의 출력 단자일 수 있다.The gate electrode 124, the semiconductor 154, the source electrode 173 and the drain electrode 175 constitute a thin film transistor (TFT), and a channel of the thin film transistor (TFT) is formed in the semiconductor 154. The gate electrode 124 is a control terminal of the thin film transistor TFT and the source electrode 173 is an input terminal of the thin film transistor TFT and the drain electrode 175 is an output terminal of the thin film transistor TFT.

제1 보호막(180)의 위에는 ITO 또는 IZO와 같은 투명한 도전 물질로 형성된 화소 전극(191)이 형성되어 있으며, 접촉 구멍을 통하여 노출되어 있는 드레인 전극(175)과 전기적으로 연결되어 있다.A pixel electrode 191 formed of a transparent conductive material such as ITO or IZO is formed on the first passivation layer 180 and is electrically connected to the drain electrode 175 exposed through the contact hole.

박막 트랜지스터(TFT)의 제어 단자는 게이트선과 연결되어 있으며, 입력 단자는 데이터선과 연결되어 있다. 박막 트랜지스터(TFT)의 출력 단자는 화소 전극(191)과 연결되어 있다. The control terminal of the thin film transistor (TFT) is connected to the gate line, and the input terminal is connected to the data line. The output terminal of the thin film transistor TFT is connected to the pixel electrode 191.

게이트선과 데이터선의 사이에 게이트 절연막(140)이 형성되어 서로 절연되어 교차하고 있다. A gate insulating film 140 is formed between the gate line and the data line and is insulated and crossed.

화소 전극(191)의 위에는 제2 보호막(185)이 형성되어 있다. 제1 보호막(180) 및 제2 보호막(185)은 무기 물질 또는 유기 물질을 포함하는 절연 물질로 형성되어 있다. 실시에 따라서는 제2 보호막(185)이 생략될 수도 있다.A second passivation layer 185 is formed on the pixel electrode 191. The first passivation layer 180 and the second passivation layer 185 are formed of an insulating material including an inorganic material or an organic material. In some embodiments, the second protective film 185 may be omitted.

제2 보호막(185)의 위에는 하부 반사층(111)이 형성되어 있다. 하부 반사층(111)은 다층의 유전체를 포함하거나 다층의 유전체에 금속막을 더 포함하는 구조를 가질 수 있다. 도 2 및 도 3에서는 반사층의 층상 구조를 도시하고 있는데, 이에 대해서는 후술한다.A lower reflective layer 111 is formed on the second protective film 185. The lower reflective layer 111 may have a structure including a multilayered dielectric or further include a metal film on a multilayered dielectric. 2 and 3 show the layered structure of the reflection layer, which will be described later.

하부 반사층(111)의 위에는 배향막(도시하지 않음)이 형성되어 있을 수 있다.An alignment film (not shown) may be formed on the lower reflective layer 111.

이상과 같이 하부 표시판(100)에는 편광판이 부착되어 있지 않다.As described above, the polarizer is not attached to the lower panel 100.

이하에서는, 상부 표시판(200)에 대하여 살펴본다.Hereinafter, the upper panel 200 will be described.

상부 절연 기판(210)의 외측에 형광체 유닛(230)이 형성되어 있다. 형광체 유닛(230)은 형광층(231)과 형광층(231)의 상부에 위치하는 광 차단층(233) 및 형광층(231)의 하부에 위치하는 광 투과층(232)을 포함한다. 광 차단층(233)은 외부에서 제공된 빛에 의하여 형광층(231)이 여기되는 것을 방지하기 위하여 형광층(231)을 여기시키는 파장 대역의 빛을 차단하며, 광 투과층(232)은 형광층(231)을 여기시키는 파장 대역의 빛을 투과시킨다. 광원(510)이 자외선을 제공하는 경우 광 차단층(233)은 자외선 차단층이며, 광 투과층(232)은 자외선 투과층이고, 광원(510)이 청색 광을 제공하는 경우에는 광 차단층(233)은 청색광 차단층이며, 광 투과층(232)은 청색광 투과층이다. 광 투과층(232)은 형광층(231)에서 백라이트 유닛(500)측에 위치하여 상부 절연 기판(210)의 외측면에 접하며, 광 차단층(233)은 형광층(231)에서 외측에 위치한다. 실시예에 따라서는 광 투과층(232) 및 광 차단층(233) 중 적어도 하나가 제거될 수 있다.A phosphor unit 230 is formed on the outer side of the upper insulating substrate 210. The phosphor unit 230 includes a fluorescent layer 231 and a light blocking layer 233 located above the fluorescent layer 231 and a light transmitting layer 232 located below the fluorescent layer 231. The light blocking layer 233 blocks light in a wavelength band that excites the fluorescent layer 231 to prevent the fluorescent layer 231 from being excited by light provided from the outside, To transmit the light of the wavelength band that excites the light emitting layer 231. When the light source 510 provides ultraviolet light, the light blocking layer 233 is an ultraviolet blocking layer, the light transmitting layer 232 is an ultraviolet transmitting layer, and when the light source 510 provides blue light, 233 is a blue light blocking layer, and the light transmitting layer 232 is a blue light transmitting layer. The light transmitting layer 232 is located on the backlight unit 500 side of the fluorescent layer 231 and contacts the outer surface of the upper insulating substrate 210. The light blocking layer 233 is located outside the fluorescent layer 231 do. In some embodiments, at least one of the light-transmitting layer 232 and the light-blocking layer 233 may be removed.

상부 절연 기판(210)의 아래에는 공통 전극(270) 및 상부 반사층(211)이 형성되어 있다. 공통 전극(270)은 ITO 또는 IZO와 같은 투명한 도전 물질로 형성되어 있다. 상부 반사층(211)은 다층의 유전체를 포함하거나 다층의 유전체에 금속막을 더 포함하는 구조를 가질 수 있으며, 하부 반사층(111)과 동일하게 형성될 수 있다. 도 2 및 도 3에서는 반사층의 층상 구조를 도시하고 있는데, 이에 대해서는 후술한다. 도 7의 실시예에서는 공통 전극(270)의 아래에 상부 반사층(211)이 위치하고 있지만, 실시예에 따라서는 그 위치가 바뀔 수도 있다.A common electrode 270 and an upper reflective layer 211 are formed under the upper insulating substrate 210. The common electrode 270 is formed of a transparent conductive material such as ITO or IZO. The upper reflective layer 211 may include a multi-layer dielectric or may have a structure including a metal layer on a multi-layer dielectric, and may be formed in the same manner as the lower reflective layer 111. 2 and 3 show the layered structure of the reflection layer, which will be described later. In the embodiment of FIG. 7, the upper reflection layer 211 is located under the common electrode 270, but the position may be changed depending on the embodiment.

상부 반사층(211)의 아래에는 배향막(도시하지 않음)이 형성되어 있을 수 있다.An alignment layer (not shown) may be formed under the upper reflective layer 211.

이상과 같이 상부 표시판(200)에는 편광판이 부착되어 있지 않다.As described above, the polarizer is not attached to the upper display panel 200.

상부 표시판(200)과 하부 표시판(100)의 사이에는 액정 분자를 포함하는 액정층(3)이 위치하고 있다. 액정층(3)은 수직 배향 모드를 가지거나 수평 배향 모드를 가질 수 있으며, TN 모드의 액정도 사용될 수 있다. A liquid crystal layer 3 including liquid crystal molecules is disposed between the upper display panel 200 and the lower panel 100. The liquid crystal layer 3 may have a vertical alignment mode or a horizontal alignment mode, and a TN mode liquid crystal may also be used.

이상에서 기술한 상부 반사층(211)과 하부 반사층(111)은 도 2 또는 도 3의 구조를 가질 수 있다.The upper reflection layer 211 and the lower reflection layer 111 described above may have the structure of FIG. 2 or FIG.

도 2 및 도 3은 본 발명의 실시예에 따른 반사층을 도시한 단면도이다.2 and 3 are cross-sectional views illustrating a reflective layer according to an embodiment of the present invention.

도 2에서는 다층의 유전체를 포함하는 실시예가 도시되어 있으며, 도 3에서는 다층의 유전체에 금속막을 더 포함하는 실시예가 도시되어 있다.In Fig. 2, an embodiment including a multilayer dielectric is shown, and in Fig. 3 an embodiment further comprising a metal film in the multilayer dielectric is shown.

먼저, 도 2를 참고하면, 하부 반사층(111) 또는 상부 반사층(211)은 고 굴절율층과 저 굴절율층을 포함하며, 고 굴절율층과 저 굴절율층이 반복적으로 적층된 단위 적층 구조를 가진다. 도 2의 실시예에서는 단위 적층 구조가 고 굴절율층이 상 하에 두 개층으로 형성되며, 그 사이에 저 굴절율층이 위치하는 삼중층 구조를 가진다. 하지만, 단위 적층 구조는 삼중층에 한정되지 않고, 이중층 이상으로 두 굴절율층이 반복하여 적층되는 모든 경우를 포함한다.Referring to FIG. 2, the lower reflection layer 111 or the upper reflection layer 211 includes a high refractive index layer and a low refractive index layer, and has a unit laminate structure in which a high refractive index layer and a low refractive index layer are repeatedly laminated. In the embodiment of FIG. 2, the unit laminate structure has a triple layer structure in which a high refractive index layer is formed as two layers above and below and a low refractive index layer is positioned therebetween. However, the unit laminate structure is not limited to a triple layer, and includes all cases in which two refractive index layers are repeatedly laminated in two or more layers.

또한, 도 3을 참고하면, 하부 반사층(111) 또는 상부 반사층(211)은 고 굴절율층과 저 굴절율층이 반복적으로 적층된 단위 적층 구조가 상하로 형성되며, 그 사이에 금속층(Metal)이 형성되어 있는 구조를 가진다. 상하로 위치하는 한 쌍의 단위 적층 구조는 도 3과 같이 서로 동일한 적층 구조를 가질 수도 있고, 서로 다른 적층 구조를 가질 수도 있다. 단위 적층 구조는 삼중층에 한정되지 않고, 이중층 이상으로 두 굴절율층이 반복하여 적층되는 모든 경우를 포함한다. 또한, 금속층은 빛의 반사뿐만 아니라 특정 파장의 빛은 투과될 수 있는 두께로 형성될 수 있다.3, the lower reflection layer 111 or the upper reflection layer 211 has a unit laminate structure in which a high refractive index layer and a low refractive index layer are repeatedly stacked, and a metal layer is formed therebetween . As shown in FIG. 3, the upper and lower unit laminated structures may have the same laminated structure or may have different laminated structures. The unit laminate structure is not limited to a triple layer, and includes all cases in which two refractive index layers are repeatedly laminated in two or more layers. In addition, the metal layer may be formed to have a thickness capable of transmitting light of a specific wavelength as well as reflection of light.

도 7의 실시예는 도 1의 실시예와 달리 형광체 유닛(230)이 상부 절연 기판(210)의 외측에 형성되어 사용자가 형광체 유닛(230)의 패턴을 시인할 수 있을 수도 있다. 이러한 경우 사용자가 형광체 유닛(230)의 패턴을 시인하지 못하도록 추가적인 광학 필름을 형광체 유닛(230)의 외측에 부착할 수도 있다. 광학 필름으로는 다양한 필름이 사용될 수 있으며, 보호 필름, 코팅 필름이나, 이물질을 방지하는 안티 프린지(anti-fringe)필름 또는 외부광이 반사되어 표시 품질 저하를 방지하는 반사 방지(anti-reflection, anti-glare)등이 사용될 수 있다. 이상의 광학 필름은 형광체 유닛(230)의 패턴이 시인되는 것도 방지하는 역할도 수행할 수 있다.7, the phosphor unit 230 may be formed outside the upper insulating substrate 210 to allow the user to recognize the pattern of the phosphor unit 230, unlike the embodiment of FIG. In this case, an additional optical film may be attached to the outside of the phosphor unit 230 so that the user can not recognize the pattern of the phosphor unit 230. Various films can be used as the optical film, and a protective film, a coating film, an anti-fringe film for preventing foreign substances, or an anti-reflection (anti-reflection) -glare) and the like can be used. The above optical film can also prevent the pattern of the phosphor unit 230 from being visually recognized.

이상과 같은 액정 표시 장치는 이상과 같은 액정 표시 장치는 편광판을 포함하지 않아 광 효율이 향상된다. 뿐만 아니라, 컬러 필터 대신에 형광층을 사용하여 광 효율을 향상시킨다. 또한, 상부 반사층(211)과 하부 반사층(111)의 사이의 공간(micro cavity)에서 빛이 공진하여 특정 파장의 빛이 상부 반사층(211)을 투과하여 방출된다. 이 때, 액정층의 굴절율 변화에 의하여 투과하는 파장이 변하게 되고, 파장이 변함에 따라서 투과되는 빛의 량(투과율)도 변하여 계조 표현이 가능하다. 도 7의 실시예의 특성에 대해서도 도 8 및 도 9를 통하여 살펴본다.In a liquid crystal display device as described above, the liquid crystal display device as described above does not include a polarizing plate, thereby improving light efficiency. In addition, a fluorescent layer is used instead of the color filter to improve the light efficiency. In addition, light is resonated in a micro cavity between the upper reflective layer 211 and the lower reflective layer 111, and light of a specific wavelength is transmitted through the upper reflective layer 211 and emitted. At this time, the wavelength transmitted by the change of the refractive index of the liquid crystal layer changes, and the amount of light (transmittance) transmitted through the wavelength changes, so that the gradation can be expressed. The characteristics of the embodiment of FIG. 7 will also be described with reference to FIGS. 8 and 9. FIG.

도 8 및 도 9는 도 7의 실시예에 따른 액정 표시 장치의 특성을 도시한 그래프이다.8 and 9 are graphs showing the characteristics of the liquid crystal display device according to the embodiment of FIG.

먼저, 도 8는 파장에 대한 휘도에 대한 그래프로, 최대 휘도를 100으로 하고 백분율로 나타낸 그래프이다.8 is a graph of luminance versus wavelength, and is a graph showing the maximum luminance as 100 and a percentage.

도 8에서는 본 발명의 실시예에서 사용된 광원의 파장에 대한 휘도 그래프를 도시하고 있다. 도 7의 실시예에서 광원은 자외선 광을 사용하였다.FIG. 8 shows a graph of luminance versus wavelength of a light source used in an embodiment of the present invention. In the embodiment of Fig. 7, ultraviolet light was used as the light source.

또한, 도 8에서는 액정층(3)의 굴절율(N)에 의하여 상부 반사층(211)과 하부 반사층(111)의 사이의 공간(micro cavity)에서 빛이 공진하여 방출되는 빛을 도시하고 있다. 액정층(3)은 TN 모드의 액정이 사용되었으며, 액정 분자의 꼬임이 매우 큰 경우 액정 분자가 가지는 두 굴절율(no, ne)의 평균 굴절률에 준하는 값으로 액정층(3)의 굴절율이 정해진다. 액정층(3)의 굴절율은 화소 전극(191)과 공통 전극(270) 사이의 전계에 의하여 두 굴절율(no, ne)의 평균 굴절률 부근에서 변하며, 그에 따라서 마이크로 캐비디(micro cavity)에서 투과되는 빛의 특성을 시뮬레이션을 통하여 도 8에 도시하였다.8 illustrates light emitted by resonating light in a micro cavity between the upper reflective layer 211 and the lower reflective layer 111 due to the refractive index N of the liquid crystal layer 3. The TN mode liquid crystal is used for the liquid crystal layer 3, and when the twist of the liquid crystal molecules is very large, the refractive index of the liquid crystal layer 3 is determined to be a value corresponding to an average refractive index of two refractive indices no and ne of the liquid crystal molecules . The refractive index of the liquid crystal layer 3 varies near the average refractive index of the two refractive indices no and ne due to the electric field between the pixel electrode 191 and the common electrode 270 and is transmitted through the microcavity The characteristics of the light are shown in FIG. 8 through simulation.

액정층(3)의 굴절율(N)이 1.5에서 1.55, 1.6. 1.65로 점점 커질수록 마이크로 캐비디(micro cavity)에서 투과되는 빛의 파장이 커지는 것을 알 수 있다. 도 8에서의 특성은 마이크로 캐비디(micro cavity)에서 투과되는 빛의 특성을 시뮬레이션 한 것이므로, 광원에서 제공되는 파장 별 휘도보다 큰 휘도를 가지는 그래프가 도시되어 있다.The refractive index N of the liquid crystal layer 3 is 1.5 to 1.55, 1.65, the wavelength of the light transmitted through the microcavity increases. The characteristic shown in FIG. 8 is a graph simulating characteristics of light transmitted through a micro cavity, and therefore has a luminance higher than the luminance per wavelength provided by the light source.

하지만, 실제로는 광원에서 제공되는 파장 별 휘도값에 의하여 제한되므로 실제 마이크로 캐비디(micro cavity)에서 투과되는 빛의 휘도 특성은 광원의 휘도보다 클 수 없다. (도 5 참고)However, in practice, the luminance characteristic of the light transmitted through the micro cavity can not be greater than the luminance of the light source since the luminance is limited by the luminance value provided by the light source. (See FIG. 5)

그러므로 도 8의 결과는 실제 마이크로 캐비디(micro cavity)에서 투과되는 빛의 휘도와는 차이가 있으며, 광원의 그래프에 기준하여 휘도가 감소하는 것이 실제 마이크로 캐비디(micro cavity)에서 투과되는 빛의 휘도이다.Therefore, the result of FIG. 8 is different from the luminance of light actually transmitted through a micro cavity, and a decrease in luminance based on a graph of a light source is considered to be due to the fact that the light transmitted through a micro- Brightness.

도 8의 특성은 도 4의 특성과 유사하다. 즉, 도 1과 도 7의 실시예로 차이가 있지만, 마이크로 캐비디(micro cavity)에서 투과되는 빛의 특성에서는 구조적인 차이가 없어 거의 유사한 것을 확인할 수 있다.The characteristics of Fig. 8 are similar to those of Fig. In other words, although there is a difference between the embodiments of FIGS. 1 and 7, there is no difference in the characteristics of light transmitted through a microcavity.

도 7의 실시예에 대하여 도 9에서는 액정층(3)의 굴절율(N)에 대한 마이크로 캐비디(micro cavity)에서 투과되는 빛의 휘도를 그래프로 도시하고 있다.FIG. 9 is a graph showing the luminance of light transmitted through a microcavity with respect to the refractive index N of the liquid crystal layer 3, according to the embodiment of FIG.

도 9의 그래프에서 확인할 수 있는 바와 같이 액정층(3)의 굴절율(N)이 감소함에 따라서 마이크로 캐비디(micro cavity)에서 투과되는 빛의 휘도도 감소한다. 즉, 액정층(3)의 굴절율(N)이 1.5에서 1.55, 1.6. 1.65로 점점 커질수록 마이크로 캐비디(micro cavity)에서 투과되는 빛의 휘도도 증가한다. 액정층(3)의 굴절율(N)과 마이크로 캐비디(micro cavity)에서 투과되는 빛의 휘도가 선형 대응 관계에 있지 않지만, 액정층(3)의 굴절율(N)을 조절하여 마이크로 캐비디(micro cavity)에서 투과되는 빛의 휘도를 조절할 수 있고, 그 결과 형광체 유닛(230)의 형광층(231)은 입사된 빛의 양을 조절할 수 있다. 이에 의하여 형광층(231)이 발광하는 정도도 조절할 수 있어 계조 표현이 가능하다. 액정층(3)의 굴절율(N)의 변화는 화소 전극(191)과 공통 전극(270)간의 전압차이로 인하여 발생하는 전계에 의하여 변하게 되고, 공통 전극(270)의 전압을 일정할 수 있으므로, 화소 전극(191)의 전압을 조절하여 편광판 없이도 투과광의 휘도를 조절하여 계조를 표현할 수 있다.As can be seen from the graph of FIG. 9, as the refractive index N of the liquid crystal layer 3 decreases, the luminance of the light transmitted through the microcavity also decreases. That is, the refractive index N of the liquid crystal layer 3 is 1.5 to 1.55, 1.6. As the size increases to 1.65, the brightness of the light transmitted through the microcavity also increases. The refractive index N of the liquid crystal layer 3 and the brightness of light transmitted through the micro cavity are not linearly related to each other but the refractive index N of the liquid crystal layer 3 is adjusted, the phosphor layer 231 of the phosphor unit 230 can control the amount of incident light. As a result, the degree to which the fluorescent layer 231 emits light can be controlled, thereby enabling the expression of gradation. The change of the refractive index N of the liquid crystal layer 3 is changed by the electric field generated due to the voltage difference between the pixel electrode 191 and the common electrode 270 and the voltage of the common electrode 270 can be constant, The voltage of the pixel electrode 191 can be adjusted to control the brightness of the transmitted light without using the polarizer.

도 8 및 도 9에서는 TN 모드의 액정층(3)을 사용하였지만, 수직 배향 모드의 액정층(3)을 사용하는 경우에는 굴절율(N)이 커질수록 투과하는 빛의 파장 대역이 줄어들어 도 8 및 도 9와 반대의 특성을 가질 수 있다. 즉, 사용하는 액정층(3)의 특성에 따라 변동이 가능하다.8 and 9, the TN mode liquid crystal layer 3 is used. However, in the case of using the liquid crystal layer 3 in the vertical alignment mode, as the refractive index N increases, the wavelength band of the transmitted light decreases, It may have a characteristic opposite to that of FIG. That is, it is possible to vary depending on the characteristics of the liquid crystal layer 3 used.

이하에서는 본 발명의 또 다른 실시예를 도 10 내지 도 14를 통하여 살펴본다.Hereinafter, another embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 10 to 14. FIG.

도 10 내지 도 14는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 액정 표시 장치의 단면도이다.10 to 14 are sectional views of a liquid crystal display device according to another embodiment of the present invention.

먼저, 도 10의 실시예를 살펴본다.First, the embodiment of FIG. 10 will be described.

도 10의 실시예는 도 1의 실시예와 달리 형광체 유닛(230)이 상부 절연 기판(210)의 외측에 위치하고 있으며, 도 1 및 도 7의 실시예와 달리 한 쌍의 반사층(112, 212)을 더 포함한다.10 differs from the embodiment of FIG. 1 in that the phosphor unit 230 is located on the outer side of the upper insulating substrate 210 and unlike the embodiment of FIGS. 1 and 7, the pair of reflective layers 112 and 212, .

도 10에서 도시하고 있는 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 액정 표시 장치는 하부 표시판(100), 상부 표시판(200), 이들 사이에 위치하고 있는 액정층(3) 및 백라이트 유닛(500)을 포함한다.10, a liquid crystal display device according to an embodiment of the present invention includes a lower panel 100, an upper panel 200, a liquid crystal layer 3 disposed therebetween, and a backlight unit 500 do.

백라이트 유닛(500)은 광원(510), 도광판(520), 반사 시트(525) 및 프리즘 시트(530)을 포함한다. 그 위에 위치하는 하부 표시판(100)은 하부 절연 기판(110)위에 박막 트랜지스터(TFT), 화소 전극(191) 및 제1 및 제2 하부 반사층(111, 112)을 포함한다. 그 위에 위치하는 상부 표시판(200)은 상부 절연 기판(210)에 형광체 유닛(230), 공통 전극(270) 및 제1 및 제2 상부 반사층(211, 212)을 포함한다. 하부 표시판(100) 및 상부 표시판(200)은 편광판을 포함하지 않는다.The backlight unit 500 includes a light source 510, a light guide plate 520, a reflection sheet 525, and a prism sheet 530. The lower panel 100 disposed thereon includes a TFT, a pixel electrode 191 and first and second lower layers 111 and 112 on a lower insulating substrate 110. The upper panel 200 located on the upper panel 200 includes a phosphor unit 230, a common electrode 270 and first and second upper reflective layers 211 and 212 on an upper insulating substrate 210. The lower display panel 100 and the upper display panel 200 do not include a polarizer.

먼저, 백라이트 유닛(500)을 살펴본다.First, the backlight unit 500 will be described.

백라이트 유닛(500)은 광원(510), 도광판(520), 반사 시트(525) 및 프리즘 시트(530)를 포함한다. The backlight unit 500 includes a light source 510, a light guide plate 520, a reflection sheet 525, and a prism sheet 530.

광원(510)은 상부 표시판(200)에 형성되는 형광층(231)이 색을 표시하도록 할 수 있는 파장 대역의 빛을 제공하며, 실시예에 따라서는 자외선 또는 청색 광원을 사용할 수도 있다.The light source 510 provides light of a wavelength band that allows the fluorescent layer 231 formed on the upper panel 200 to display a color, and ultraviolet or blue light sources may be used depending on the embodiment.

본 실시예에서 광원(510)은 도광판(520)의 측면에 위치한다. 도광판(520)은 하부면에는 돌기 패턴이 형성되어 있다. 또한, 도광판(520)의 하부면에는 반사 시트(525)가 위치하고 있으며, 돌기 패턴의 아래에도 반사 시트(525)가 위치할 수 있다. 도광판(520)의 돌기 패턴과 반사 시트(525)는 광원(510)에서 제공되는 빛이 수직 방향으로도 진행하여 하부 표시판(100)측으로 제공되도록 한다. In this embodiment, the light source 510 is positioned on the side surface of the light guide plate 520. The light guide plate 520 has a protrusion pattern formed on the lower surface thereof. Also, a reflective sheet 525 is disposed on the lower surface of the light guide plate 520, and a reflective sheet 525 may be disposed under the protruding pattern. The protrusion pattern of the light guide plate 520 and the reflective sheet 525 allow the light provided by the light source 510 to travel in the vertical direction to be provided to the lower panel 100 side.

도광판(520)의 위에는 프리즘 시트(530)가 위치하고 있다. 프리즘 시트(530)는 프리즘 패턴을 포함한다. 프리즘 패턴은 삼각형의 단면 구조를 가지는 패턴이 일 방향으로 연장되어 있을 수 있다. 또한 실시예에 따라서는 반원의 단면 구조를 가질 수 있다. 또한, 실시예에 따라서는 반구의 패턴을 가질 수도 있다. 본 실시예에서의 프리즘 패턴은 프리즘 시트(530)의 양 면 중 도광판(520)측의 면에 위치하고 있다. 실시예에 따라서는 프리즘 시트(530)가 두 장 사용될 수 있으며, 그 경우 프리즘 패턴이 연장된 방향이 서로 수직하도록 위치할 수 있다. A prism sheet 530 is disposed on the light guide plate 520. The prism sheet 530 includes a prism pattern. The prism pattern may have a pattern having a triangular cross-sectional structure extending in one direction. Depending on the embodiment, it may have a semicircular cross-sectional structure. Also, depending on the embodiment, it may have a hemispherical pattern. The prism pattern in this embodiment is located on the side of the light guide plate 520 on both sides of the prism sheet 530. Depending on the embodiment, two prism sheets 530 may be used, in which case the prism patterns may be positioned such that their extending directions are perpendicular to each other.

실시예에 따라서는 프리즘 시트(530)는 포함되지 않을 수도 있으며, 프리즘 시트(530)외에 추가적인 필름(휘도 향상 필름, 디퓨져 등)을 더 포함할 수 있다.In some embodiments, the prism sheet 530 may not be included, and may further include additional films (brightness enhancement films, diffusers, etc.) in addition to the prism sheet 530.

이하, 하부 표시판(100)에 대하여 살펴본다.Hereinafter, the lower display panel 100 will be described.

하부 절연 기판(110)위에 게이트 전극(124)을 포함하는 게이트선(도시하지 않음)이 형성되어 있으며, 게이트선은 게이트 절연막(140)에 의하여 덮혀 있다.A gate line (not shown) including a gate electrode 124 is formed on a lower insulating substrate 110, and the gate line is covered with a gate insulating film 140.

게이트 절연막(140)의 위에는 반도체(154)가 형성되어 있으며, 반도체(154)의 일부를 덮는 소스 전극(173), 드레인 전극(175) 및 데이터선(도시하지 않음)을 포함하는 데이터 도전체가 형성된다. 데이터 도전체는 제1 보호막(180)에 의하여 덮혀 있으며, 데이터 도전체 중 드레인 전극(175)은 제1 보호막(180)에 형성되어 있는 접촉 구멍에 의하여 노출되어 있다.A semiconductor 154 is formed on the gate insulating film 140 and a data conductor including a source electrode 173, a drain electrode 175 and a data line (not shown) covering a part of the semiconductor 154 is formed do. The data conductor is covered by the first protective film 180 and the drain electrode 175 of the data conductor is exposed by the contact hole formed in the first protective film 180. [

게이트 전극(124), 반도체(154), 소스 전극(173) 및 드레인 전극(175)은 박막 트랜지스터(TFT)를 이루며, 반도체(154)에 박막 트랜지스터(TFT)의 채널이 형성된다. 게이트 전극(124)은 박막 트랜지스터(TFT)의 제어 단자이고, 소스 전극(173)은 박막 트랜지스터(TFT)의 입력 단자이며, 드레인 전극(175)는 박막 트랜지스터(TFT)의 출력 단자일 수 있다.The gate electrode 124, the semiconductor 154, the source electrode 173 and the drain electrode 175 constitute a thin film transistor (TFT), and a channel of the thin film transistor (TFT) is formed in the semiconductor 154. The gate electrode 124 is a control terminal of the thin film transistor TFT and the source electrode 173 is an input terminal of the thin film transistor TFT and the drain electrode 175 is an output terminal of the thin film transistor TFT.

제1 보호막(180)의 위에는 ITO 또는 IZO와 같은 투명한 도전 물질로 형성된 화소 전극(191)이 형성되어 있으며, 접촉 구멍을 통하여 노출되어 있는 드레인 전극(175)과 전기적으로 연결되어 있다.A pixel electrode 191 formed of a transparent conductive material such as ITO or IZO is formed on the first passivation layer 180 and is electrically connected to the drain electrode 175 exposed through the contact hole.

박막 트랜지스터(TFT)의 제어 단자는 게이트선과 연결되어 있으며, 입력 단자는 데이터선과 연결되어 있다. 박막 트랜지스터(TFT)의 출력 단자는 화소 전극(191)과 연결되어 있다. The control terminal of the thin film transistor (TFT) is connected to the gate line, and the input terminal is connected to the data line. The output terminal of the thin film transistor TFT is connected to the pixel electrode 191.

게이트선과 데이터선의 사이에 게이트 절연막(140)이 형성되어 서로 절연되어 교차하고 있다. A gate insulating film 140 is formed between the gate line and the data line and is insulated and crossed.

화소 전극(191)의 위에는 제2 보호막(185)이 형성되어 있다. 제1 보호막(180) 및 제2 보호막(185)은 무기 물질 또는 유기 물질을 포함하는 절연 물질로 형성되어 있다. 실시에 따라서는 제2 보호막(185)이 생략될 수도 있다.A second passivation layer 185 is formed on the pixel electrode 191. The first passivation layer 180 and the second passivation layer 185 are formed of an insulating material including an inorganic material or an organic material. In some embodiments, the second protective film 185 may be omitted.

제2 보호막(185)의 위에는 제2 하부 반사층(112)가 형성되어 있다. 제2 하부 반사층(112)의 위에는 하부 유전체층(113)이 형성되어 있으며, 하부 유전체층(113)의 위에는 제1 하부 반사층(111)이 형성되어 있다. 제1 및 제2 하부 반사층(111)은 다층의 유전체를 포함하거나 다층의 유전체에 금속막을 더 포함하는 구조를 가질 수 있다. (도 2 및 도 3 참고) 하부 유전체층(113)은 유전율을 가지는 물질로 형성되며, 절연 물질일 수 있다.A second lower reflective layer 112 is formed on the second protective layer 185. A lower dielectric layer 113 is formed on the second lower reflective layer 112 and a first lower reflective layer 111 is formed on the lower dielectric layer 113. The first and second lower reflection layers 111 may have a structure including a multilayered dielectric or may further include a metal film on a multilayered dielectric. 2 and 3). The lower dielectric layer 113 is formed of a material having a dielectric constant, and may be an insulating material.

제1 하부 반사층(111)의 위에는 배향막(도시하지 않음)이 형성되어 있을 수 있다.An alignment layer (not shown) may be formed on the first lower reflective layer 111.

이상과 같이 하부 표시판(100)에는 편광판이 부착되어 있지 않다.As described above, the polarizer is not attached to the lower panel 100.

이하에서는, 상부 표시판(200)에 대하여 살펴본다.Hereinafter, the upper panel 200 will be described.

상부 절연 기판(210)의 외측에 형광체 유닛(230)이 형성되어 있다. 형광체 유닛(230)은 형광층(231)과 형광층(231)의 상부에 위치하는 광 차단층(233) 및 형광층(231)의 하부에 위치하는 광 투과층(232)을 포함한다. 광 차단층(233)은 외부에서 제공된 빛에 의하여 형광층(231)이 여기되는 것을 방지하기 위하여 형광층(231)을 여기시키는 파장 대역의 빛을 차단하며, 광 투과층(232)은 형광층(231)을 여기시키는 파장 대역의 빛을 투과시킨다. 광원(510)이 자외선을 제공하는 경우 광 차단층(233)은 자외선 차단층이며, 광 투과층(232)은 자외선 투과층이고, 광원(510)이 청색 광을 제공하는 경우에는 광 차단층(233)은 청색광 차단층이며, 광 투과층(232)은 청색광 투과층이다. 광 투과층(232)은 형광층(231)에서 백라이트 유닛(500)측에 위치하여 상부 절연 기판(210)의 외측면에 접하며, 광 차단층(233)은 형광층(231)에서 외측에 위치한다. 실시예에 따라서는 광 투과층(232) 및 광 차단층(233) 중 적어도 하나가 제거될 수 있다.A phosphor unit 230 is formed on the outer side of the upper insulating substrate 210. The phosphor unit 230 includes a fluorescent layer 231 and a light blocking layer 233 located above the fluorescent layer 231 and a light transmitting layer 232 located below the fluorescent layer 231. The light blocking layer 233 blocks light in a wavelength band that excites the fluorescent layer 231 to prevent the fluorescent layer 231 from being excited by light provided from the outside, To transmit the light of the wavelength band that excites the light emitting layer 231. When the light source 510 provides ultraviolet light, the light blocking layer 233 is an ultraviolet blocking layer, the light transmitting layer 232 is an ultraviolet transmitting layer, and when the light source 510 provides blue light, 233 is a blue light blocking layer, and the light transmitting layer 232 is a blue light transmitting layer. The light transmitting layer 232 is located on the backlight unit 500 side of the fluorescent layer 231 and contacts the outer surface of the upper insulating substrate 210. The light blocking layer 233 is located outside the fluorescent layer 231 do. In some embodiments, at least one of the light-transmitting layer 232 and the light-blocking layer 233 may be removed.

상부 절연 기판(210)의 아래에는 공통 전극(270), 제1 및 제2 상부 반사층(211, 212) 및 상부 유전체층(213)이 형성되어 있다. 공통 전극(270)은 ITO 또는 IZO와 같은 투명한 도전 물질로 형성되어 있다. 제1 및 제2 상부 반사층(211, 212)은 다층의 유전체를 포함하거나 다층의 유전체에 금속막을 더 포함하는 구조를 가질 수 있으며, 하부 반사층(111)과 동일하게 형성될 수 있다. (도 2 및 도 3 참고) 상부 절연 기판(210)의 아래에 공통 전극(270)이 위치하며, 공통 전극(270)의 아래에 제2 상부 반사층(212)이 위치하며, 그 아래에 상부 유전체층(213)이 위치하며, 그 아래에 제1 상부 반사층(211)이 위치한다. A common electrode 270, first and second upper reflection layers 211 and 212, and an upper dielectric layer 213 are formed under the upper insulating substrate 210. The common electrode 270 is formed of a transparent conductive material such as ITO or IZO. The first and second upper reflective layers 211 and 212 may include a multi-layer dielectric or may include a metal layer in a multi-layer dielectric, and may be formed in the same manner as the lower reflective layer 111. 2 and 3), a common electrode 270 is disposed under the upper insulating substrate 210, a second upper reflective layer 212 is disposed under the common electrode 270, And a first upper reflective layer 211 is disposed under the first upper reflective layer 213. [

제1 상부 반사층(211)의 아래에는 배향막(도시하지 않음)이 형성되어 있을 수 있다.An alignment layer (not shown) may be formed under the first upper reflective layer 211.

이상과 같이 상부 표시판(200)에는 편광판이 부착되어 있지 않다.As described above, the polarizer is not attached to the upper display panel 200.

상부 표시판(200)과 하부 표시판(100)의 사이에는 액정 분자를 포함하는 액정층(3)이 위치하고 있다. 액정층(3)은 수직 배향 모드를 가지거나 수평 배향 모드를 가질 수 있으며, TN 모드의 액정도 사용될 수 있다. A liquid crystal layer 3 including liquid crystal molecules is disposed between the upper display panel 200 and the lower panel 100. The liquid crystal layer 3 may have a vertical alignment mode or a horizontal alignment mode, and a TN mode liquid crystal may also be used.

이상에서 기술한 제1 및 제2 상부 반사층(211, 212)과 제1 및 제2 하부 반사층(111, 112)은 도 2 또는 도 3의 구조를 가질 수 있다.The first and second upper reflective layers 211 and 212 and the first and second lower reflective layers 111 and 112 described above may have the structure of FIG. 2 or FIG.

도 2 및 도 3은 본 발명의 실시예에 따른 반사층을 도시한 단면도이다.2 and 3 are cross-sectional views illustrating a reflective layer according to an embodiment of the present invention.

도 2에서는 다층의 유전체를 포함하는 실시예가 도시되어 있으며, 도 3에서는 다층의 유전체에 금속막을 더 포함하는 실시예가 도시되어 있다.In Fig. 2, an embodiment including a multilayer dielectric is shown, and in Fig. 3 an embodiment further comprising a metal film in the multilayer dielectric is shown.

먼저, 도 2를 참고하면, 제1 및 제2 상부 반사층(211, 212) 또는 제1 및 제2 하부 반사층(111, 112)은 고 굴절율층과 저 굴절율층을 포함하며, 고 굴절율층과 저 굴절율층이 반복적으로 적층된 단위 적층 구조를 가진다. 도 2의 실시예에서는 단위 적층 구조가 고 굴절율층이 상 하에 두 개층으로 형성되며, 그 사이에 저 굴절율층이 위치하는 삼중층 구조를 가진다. 하지만, 단위 적층 구조는 삼중층에 한정되지 않고, 이중층 이상으로 두 굴절율층이 반복하여 적층되는 모든 경우를 포함한다.Referring to FIG. 2, the first and second upper reflective layers 211 and 212 or the first and second lower reflective layers 111 and 112 include a high refractive index layer and a low refractive index layer. And has a unit laminate structure in which a refractive index layer is repeatedly laminated. In the embodiment of FIG. 2, the unit laminate structure has a triple layer structure in which a high refractive index layer is formed as two layers above and below and a low refractive index layer is positioned therebetween. However, the unit laminate structure is not limited to a triple layer, and includes all cases in which two refractive index layers are repeatedly laminated in two or more layers.

또한, 도 3을 참고하면, 제1 및 제2 상부 반사층(211, 212) 또는 제1 및 제2 하부 반사층(111, 112)은 고 굴절율층과 저 굴절율층이 반복적으로 적층된 단위 적층 구조가 상하로 형성되며, 그 사이에 금속층(Metal)이 형성되어 있는 구조를 가진다. 상하로 위치하는 한 쌍의 단위 적층 구조는 도 3과 같이 서로 동일한 적층 구조를 가질 수도 있고, 서로 다른 적층 구조를 가질 수도 있다. 단위 적층 구조는 삼중층에 한정되지 않고, 이중층 이상으로 두 굴절율층이 반복하여 적층되는 모든 경우를 포함한다. 또한, 금속층은 빛의 반사뿐만 아니라 특정 파장의 빛은 투과될 수 있는 두께로 형성될 수 있다.3, the first and second upper reflective layers 211 and 212 or the first and second lower reflective layers 111 and 112 may have a unit laminated structure in which a high refractive index layer and a low refractive index layer are repeatedly stacked And has a structure in which a metal layer is formed therebetween. As shown in FIG. 3, the upper and lower unit laminated structures may have the same laminated structure or may have different laminated structures. The unit laminate structure is not limited to a triple layer, and includes all cases in which two refractive index layers are repeatedly laminated in two or more layers. In addition, the metal layer may be formed to have a thickness capable of transmitting light of a specific wavelength as well as reflection of light.

이상과 같은 액정 표시 장치는 이상과 같은 액정 표시 장치는 편광판을 포함하지 않아 광 효율이 향상된다. 뿐만 아니라, 컬러 필터 대신에 형광층을 사용하여 광 효율을 향상시킨다. 또한, 제1 상부 반사층(211)과 제1 하부 반사층(111)의 사이의 공간(micro cavity)에서 빛이 공진하여 특정 파장의 빛이 제1 상부 반사층(211)을 투과하여 방출된다. 이 때, 액정층의 굴절율 변화에 의하여 투과하는 파장이 변하게 되고, 파장이 변함에 따라서 투과되는 빛의 량(투과율)도 변하여 계조 표현이 가능하다. In a liquid crystal display device as described above, the liquid crystal display device as described above does not include a polarizing plate, thereby improving light efficiency. In addition, a fluorescent layer is used instead of the color filter to improve the light efficiency. In addition, light is resonated in a micro cavity between the first upper reflective layer 211 and the first lower reflective layer 111, so that light of a specific wavelength passes through the first upper reflective layer 211 and is emitted. At this time, the wavelength transmitted by the change of the refractive index of the liquid crystal layer changes, and the amount of light (transmittance) transmitted through the wavelength changes, so that the gradation can be expressed.

한편, 추가 형성되어 있는 제2 하부 반사층(112)과 제2 상부 반사층(212)은 그 내부에 위치하고 있는 하부 유전체층(113), 상부 유전체층(213)과 함께 유전체층을 이용하는 마이크로 캐비디(micro cavity)를 형성한다. 즉, 제1 및 제2 하부 반사층(111, 112)과 그 사이의 하부 유전체층(113)은 마이크로 캐비디(micro cavity)를 이루고, 제1 및 제2 상부 반사층(211, 212)과 그 사이의 상부 유전체층(213)도 마이크로 캐비디(micro cavity)를 이룬다. 추가 형성되어 있는 마이크로 캐비디(micro cavity)는 유전체층을 사이에 포함하는 마이크로 캐비디(micro cavity; 이하 유전체 마이크로 캐비티라고도 함)이며, 제1 상부 반사층(211)과 제1 하부 반사층(111)을 포함하는 마이크로 캐비디(micro cavity)는 액정층(3)을 포함하고 있어 액정층 마이크로 캐비티라고 하여 차이가 있다.The second lower reflection layer 112 and the second upper reflection layer 212 are formed in a micro cavity using a dielectric layer together with a lower dielectric layer 113 and an upper dielectric layer 213 located inside the second lower reflection layer 112 and the second upper reflection layer 212, . That is, the first and second lower reflection layers 111 and 112 and the lower dielectric layer 113 between the first and second lower reflection layers 111 and 112 form a microcavity, and the first and second upper reflection layers 211 and 212, The upper dielectric layer 213 also forms a microcavity. The additional microcavity is a microcavity (hereinafter also referred to as a dielectric microcavity) including a dielectric layer between the first upper reflective layer 211 and the first lower reflective layer 111 The micro cavity includes a liquid crystal layer 3, which is different from a liquid crystal layer micro cavity.

도 10의 실시예에서는 추가된 유전체 마이크로 캐비티에 의하여 공진하여 투과되는 빛의 파장을 보다 넓은 파장 대역을 가지도록 조정할 수 있다. 이에 대해서는 도 16을 통하여 상세하게 살펴본다.In the embodiment of FIG. 10, the wavelength of the light that is resonated and transmitted by the added dielectric micro-cavity can be adjusted to have a broader wavelength band. This will be described in detail with reference to FIG.

이하에서는 도 11의 실시예를 살펴본다.Hereinafter, the embodiment of FIG. 11 will be described.

도 11의 실시예는 도 1의 실시예와 달리 표시판(100, 200)의 외측에 광학 필름(221, 121)을 추가 형성한 실시예이다.11 differs from the embodiment of FIG. 1 in that optical films 221 and 121 are additionally formed on the outside of the display panels 100 and 200. FIG.

도 11에서 도시하고 있는 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 액정 표시 장치는 하부 표시판(100), 상부 표시판(200), 이들 사이에 위치하고 있는 액정층(3) 및 백라이트 유닛(500)을 포함한다.11, the liquid crystal display device according to the embodiment of the present invention includes a lower panel 100, an upper panel 200, a liquid crystal layer 3 disposed therebetween, and a backlight unit 500 do.

백라이트 유닛(500)은 광원(510), 도광판(520), 반사 시트(525) 및 프리즘 시트(530)을 포함한다. 그 위에 위치하는 하부 표시판(100)은 하부 절연 기판(110)위에 박막 트랜지스터(TFT), 화소 전극(191), 및 하부 반사층(111)을 포함한다. 그 위에 위치하는 상부 표시판(200)은 상부 절연 기판(210)에 형광체 유닛(230), 공통 전극(270) 및 상부 반사층(211)을 포함한다. 하부 표시판(100) 및 상부 표시판(200)은 편광판을 포함하지 않는다.The backlight unit 500 includes a light source 510, a light guide plate 520, a reflection sheet 525, and a prism sheet 530. A lower panel 100 disposed thereon includes a TFT, a pixel electrode 191, and a lower layer 111 on a lower insulating substrate 110. The upper panel 200 disposed thereon includes a phosphor unit 230, a common electrode 270, and an upper reflective layer 211 on an upper insulating substrate 210. The lower display panel 100 and the upper display panel 200 do not include a polarizer.

도 11의 실시예의 백라이트 유닛(500)은 도 1의 백라이트 유닛(500)과 차이가 없어 추가 설명은 생략한다.The backlight unit 500 of the embodiment of FIG. 11 is not different from the backlight unit 500 of FIG. 1 and further description is omitted.

또한, 하부 표시판(100)도 도 1의 실시예와 유사하다. 다만, 하부 표시판(100)의 최하측(백라이트 유닛(500)측)에 광학 필름(121)을 부착하고 있다는 점에서 차이가 있다.Further, the lower panel 100 is also similar to the embodiment of Fig. However, there is a difference in that the optical film 121 is attached to the lowermost side (the backlight unit 500 side) of the lower panel 100.

상부 표시판(200)도 도 1의 실시예와 유사하지만, 상부 표시판(200)의 최외측에 광학 필름(221)이 부착되어 있어 차이가 있다.The upper display panel 200 is similar to the embodiment of FIG. 1 but differs therefrom in that the optical film 221 is attached to the outermost side of the upper panel 200.

광학 필름(121, 221)은 편광판은 아니며, 다양한 광학 필름이 사용될 수 있다. 예를 들면, 상부 표시판(200)이나 하부 표시판(100)을 보호하기 위한 보호 필름, 코팅 필름이나, 이물질을 방지하는 안티 프린지(anti-fringe)필름 또는 외부광이 반사되어 표시 품질 저하를 방지하는 반사 방지(anti-reflection, anti-glare) 필름 등이 사용될 수 있다.The optical films 121 and 221 are not polarizing plates, and various optical films can be used. For example, a protective film or a coating film for protecting the upper panel 200 or the lower panel 100, an anti-fringe film for preventing foreign substances, or an anti- An anti-reflection (anti-glare) film, or the like can be used.

뿐만 아니라, 형광체 유닛(230)에 포함되어 있는 광 차단층(233) 및 광 투과층(232)이 형광체 유닛(230)에서 삭제되고, 광학 필름(121, 221)위치에 형성될 수도 있다. 즉, 형광체 유닛(230)은 형광층(231)만을 포함하고, 하부 표시판(100)의 광학 필름(121)으로 광 투과층이 형성되고, 상부 표시판(200)의 광학 필름(221)으로 광 차단층이 형성될 수도 있다.In addition, the light blocking layer 233 and the light transmitting layer 232 included in the phosphor unit 230 may be removed from the phosphor unit 230 and formed at the positions of the optical films 121 and 221. That is, the phosphor unit 230 includes only the fluorescent layer 231, the light transmitting layer is formed of the optical film 121 of the lower panel 100, and the light blocking is performed by the optical film 221 of the upper panel 200 Layer may be formed.

또한, 실시예에 따라서는 두 개의 광학 필름(121, 221) 중 하나만 형성될 수 있으며, 상부 표시판(200)의 외측의 광학 필름(221)만이 형성될 수도 있다.In addition, according to an embodiment, only one of the two optical films 121 and 221 may be formed, and only the optical film 221 outside the upper panel 200 may be formed.

도 11의 실시예에서도 상부 반사층(211) 및 하부 반사층(111)은 도 2 또는 도 3의 실시예에 준하는 구조를 가진다.11, the upper reflective layer 211 and the lower reflective layer 111 have a structure similar to the embodiment of FIG. 2 or FIG.

도 11은 도 1과 같은 마이크로 캐비티 구조를 가지므로 이상과 같은 액정 표시 장치는 편광판을 포함하지 않아 광 효율이 향상된다. 뿐만 아니라, 컬러 필터 대신에 형광층을 사용하여 광 효율을 향상시킨다. 또한, 상부 반사층(211)과 하부 반사층(111)의 사이의 공간(micro cavity)에서 빛이 공진하여 특정 파장의 빛이 상부 반사층(211)을 투과하여 방출된다. 이 때, 액정층의 굴절율 변화에 의하여 투과하는 파장이 변하게 되고, 파장이 변함에 따라서 투과되는 빛의 량(투과율)도 변하여 계조 표현이 가능하다. 11 has a micro-cavity structure as shown in FIG. 1, so that the liquid crystal display device as described above does not include a polarizing plate, thereby improving light efficiency. In addition, a fluorescent layer is used instead of the color filter to improve the light efficiency. In addition, light is resonated in a micro cavity between the upper reflective layer 211 and the lower reflective layer 111, and light of a specific wavelength is transmitted through the upper reflective layer 211 and emitted. At this time, the wavelength transmitted by the change of the refractive index of the liquid crystal layer changes, and the amount of light (transmittance) transmitted through the wavelength changes, so that the gradation can be expressed.

이하에서는 도 12의 실시예를 살펴본다.Hereinafter, the embodiment of FIG. 12 will be described.

도 12의 실시예는 도 1의 실시예와 달리 형광체 유닛(230)에 광 차단층(233) 및 광 투과층(232)이 포함되지 않고 생략된 구조를 가진다.12 has a structure in which the light blocking layer 233 and the light transmitting layer 232 are not included in the phosphor unit 230, but is omitted, as in the embodiment of FIG.

즉, 도 12에서 도시하고 있는 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 액정 표시 장치는 하부 표시판(100), 상부 표시판(200), 이들 사이에 위치하고 있는 액정층(3) 및 백라이트 유닛(500)을 포함한다.12, the liquid crystal display according to the exemplary embodiment of the present invention includes a lower panel 100, an upper panel 200, a liquid crystal layer 3 and a backlight unit 500 disposed therebetween, .

백라이트 유닛(500)은 광원(510), 도광판(520), 반사 시트(525) 및 프리즘 시트(530)을 포함한다. 그 위에 위치하는 하부 표시판(100)은 하부 절연 기판(110)위에 박막 트랜지스터(TFT), 화소 전극(191), 및 하부 반사층(111)을 포함한다. 그 위에 위치하는 상부 표시판(200)은 상부 절연 기판(210)에 형광체 유닛(230), 공통 전극(270) 및 상부 반사층(211)을 포함한다. 하부 표시판(100) 및 상부 표시판(200)은 편광판을 포함하지 않는다. 여기서 형광체 유닛(230)은 광 차단층(233) 및 광 투과층(232)을 포함하지 않는다.The backlight unit 500 includes a light source 510, a light guide plate 520, a reflection sheet 525, and a prism sheet 530. A lower panel 100 disposed thereon includes a TFT, a pixel electrode 191, and a lower layer 111 on a lower insulating substrate 110. The upper panel 200 disposed thereon includes a phosphor unit 230, a common electrode 270, and an upper reflective layer 211 on an upper insulating substrate 210. The lower display panel 100 and the upper display panel 200 do not include a polarizer. Here, the phosphor unit 230 does not include the light blocking layer 233 and the light transmitting layer 232.

도 12의 실시예의 백라이트 유닛(500), 하부 표시판(100)은 도 1의 백라이트 유닛(500) 및 하부 표시판(100)과 차이가 없어 추가 설명은 생략한다.The backlight unit 500 and the lower panel 100 of the embodiment of FIG. 12 are different from the backlight unit 500 of FIG. 1 and the lower panel 100, and further description is omitted.

상부 표시판(200)도 도 1의 실시예와 유사하지만, 상부 표시판(200)의 형광체 유닛(230)은 광 차단층(233) 및 광 투과층(232)을 포함하지 않는다.1, the phosphor unit 230 of the upper panel 200 does not include the light blocking layer 233 and the light transmitting layer 232. [

도 12의 실시예에서 상부 반사층(211) 및 하부 반사층(111)은 도 2 또는 도 3의 실시예에 준하는 구조를 가진다.In the embodiment of FIG. 12, the upper reflection layer 211 and the lower reflection layer 111 have a structure similar to the embodiment of FIG. 2 or 3.

도 12은 도 1과 같은 마이크로 캐비티 구조를 가지므로 이상과 같은 액정 표시 장치는 편광판을 포함하지 않아 광 효율이 향상된다. 뿐만 아니라, 컬러 필터 대신에 형광층을 사용하여 광 효율을 향상시킨다. 또한, 상부 반사층(211)과 하부 반사층(111)의 사이의 공간(micro cavity)에서 빛이 공진하여 특정 파장의 빛이 상부 반사층(211)을 투과하여 방출된다. 이 때, 액정층의 굴절율 변화에 의하여 투과하는 파장이 변하게 되고, 파장이 변함에 따라서 투과되는 빛의 량(투과율)도 변하여 계조 표현이 가능하다. 다만, 도 1과 달리 마이크로 캐비티 구조를 투과한 빛을 광 투과층(232)에서 일부 걸러 주지 않아 형광층(231)에 불필요한 빛도 입사하는 단점이 있고, 또한, 광 차단층(233)에서도 외부 광에 의하여 형광층(231)이 여기되는 것을 걸러 주지 않아 표시 품질이 저하될 수 있다. 12 has a micro-cavity structure as shown in FIG. 1, the liquid crystal display device as described above does not include a polarizing plate, thereby improving light efficiency. In addition, a fluorescent layer is used instead of the color filter to improve the light efficiency. In addition, light is resonated in a micro cavity between the upper reflective layer 211 and the lower reflective layer 111, and light of a specific wavelength is transmitted through the upper reflective layer 211 and emitted. At this time, the wavelength transmitted by the change of the refractive index of the liquid crystal layer changes, and the amount of light (transmittance) transmitted through the wavelength changes, so that the gradation can be expressed. Unlike FIG. 1, however, the light passing through the micro-cavity structure is not partially filtered by the light transmitting layer 232, and unnecessary light is also incident on the fluorescent layer 231. In addition, The fluorescent layer 231 is not filtered by the excitation light and the display quality may be deteriorated.

즉, 형광체 유닛(230)의 광 투과층(232)은 형광층(231)에 입사하는 빛을 조절하여 형광층(231)이 노이즈 없이 발광하도록 유도하지만, 광 투과층(232)이 형성되지 않더라도 표시 품질이 일부 저하될 수 있지만, 표시 장치로서 화상을 표시하는데 문제는 없다. 또한, 형광체 유닛(230)의 광 차단층(233)도 형광층(231)이 방출한 빛을 노이즈 없이 사용자에게 제공하지만, 이 층이 제거되더라도 표시 품질이 일부 저하될 수 있지만, 표시 장치로서 화상을 표시하는데 문제가 없다. 그러므로, 실시예에 따라서는 형광체 유닛(230)의 광 투과층(232) 및 광 차단층(233)은 삭제 될 수 있다. 이 경우 제조 비용이 감소하는 장점이 있다.That is, the light transmitting layer 232 of the phosphor unit 230 controls the light incident on the fluorescent layer 231 to induce the fluorescent layer 231 to emit light without noise. However, even if the light transmitting layer 232 is not formed There is no problem in displaying an image as a display device although the display quality may be partially degraded. The light shielding layer 233 of the phosphor unit 230 also provides the light emitted by the fluorescent layer 231 to the user without noise. However, even if this layer is removed, the display quality may be partially degraded. However, There is no problem in displaying. Therefore, depending on the embodiment, the light transmitting layer 232 and the light blocking layer 233 of the phosphor unit 230 can be eliminated. In this case, the manufacturing cost is reduced.

또한, 도 12에서 삭제된 광 차단층(233) 및 광 투과층(232)은 도 11에서 도시하고 있는 광학 필름(121, 221)의 위치에 형성되거나 그 외의 위치에 형성될 수도 있다.In addition, the light blocking layer 233 and the light transmitting layer 232, which are omitted in FIG. 12, may be formed at the positions of the optical films 121 and 221 shown in FIG. 11 or may be formed at other positions.

이하에서는 도 13의 실시예를 살펴본다.Hereinafter, the embodiment of FIG. 13 will be described.

도 13의 실시예는 도 1의 실시예와 달리 상부 반사층(211)이 공통 전극(270)의 상측에 위치하고, 하부 반사층(111)이 화소 전극(191)의 하측에 위치하는 구조를 가진다.13 is different from the embodiment of FIG. 1 in that the upper reflective layer 211 is located on the upper side of the common electrode 270 and the lower reflective layer 111 is located on the lower side of the pixel electrode 191.

도 13에서 도시하고 있는 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 액정 표시 장치는 하부 표시판(100), 상부 표시판(200), 이들 사이에 위치하고 있는 액정층(3) 및 백라이트 유닛(500)을 포함한다.13, the liquid crystal display device according to the embodiment of the present invention includes a lower panel 100, an upper panel 200, a liquid crystal layer 3 disposed therebetween, and a backlight unit 500 do.

백라이트 유닛(500)은 광원(510), 도광판(520), 반사 시트(525) 및 프리즘 시트(530)을 포함한다. 그 위에 위치하는 하부 표시판(100)은 하부 절연 기판(110)위에 박막 트랜지스터(TFT), 화소 전극(191), 및 하부 반사층(111)을 포함한다. 그 위에 위치하는 상부 표시판(200)은 상부 절연 기판(210)에 형광체 유닛(230), 공통 전극(270) 및 상부 반사층(211)을 포함한다. 하부 표시판(100) 및 상부 표시판(200)은 편광판을 포함하지 않는다. The backlight unit 500 includes a light source 510, a light guide plate 520, a reflection sheet 525, and a prism sheet 530. A lower panel 100 disposed thereon includes a TFT, a pixel electrode 191, and a lower layer 111 on a lower insulating substrate 110. The upper panel 200 disposed thereon includes a phosphor unit 230, a common electrode 270, and an upper reflective layer 211 on an upper insulating substrate 210. The lower display panel 100 and the upper display panel 200 do not include a polarizer.

도 13의 실시예의 백라이트 유닛(500)은 도 1의 백라이트 유닛(500)과 차이가 없어 추가 설명은 생략한다.The backlight unit 500 of the embodiment of FIG. 13 is not different from the backlight unit 500 of FIG. 1 and further description is omitted.

하부 표시판(100)에 대하여 살펴본다.The lower display panel 100 will be described.

하부 절연 기판(110)위에 게이트 전극(124)을 포함하는 게이트선(도시하지 않음)이 형성되어 있으며, 게이트선은 게이트 절연막(140)에 의하여 덮혀 있다.A gate line (not shown) including a gate electrode 124 is formed on a lower insulating substrate 110, and the gate line is covered with a gate insulating film 140.

게이트 절연막(140)의 위에는 반도체(154)가 형성되어 있으며, 반도체(154)의 일부를 덮는 소스 전극(173), 드레인 전극(175) 및 데이터선(도시하지 않음)을 포함하는 데이터 도전체가 형성된다. 데이터 도전체는 제1 보호막(180)에 의하여 덮혀 있으며, 데이터 도전체 중 드레인 전극(175)은 제1 보호막(180)에 형성되어 있는 접촉 구멍에 의하여 노출되어 있다.A semiconductor 154 is formed on the gate insulating film 140 and a data conductor including a source electrode 173, a drain electrode 175 and a data line (not shown) covering a part of the semiconductor 154 is formed do. The data conductor is covered by the first protective film 180 and the drain electrode 175 of the data conductor is exposed by the contact hole formed in the first protective film 180. [

게이트 전극(124), 반도체(154), 소스 전극(173) 및 드레인 전극(175)은 박막 트랜지스터(TFT)를 이루며, 반도체(154)에 박막 트랜지스터(TFT)의 채널이 형성된다. 게이트 전극(124)은 박막 트랜지스터(TFT)의 제어 단자이고, 소스 전극(173)은 박막 트랜지스터(TFT)의 입력 단자이며, 드레인 전극(175)는 박막 트랜지스터(TFT)의 출력 단자일 수 있다.The gate electrode 124, the semiconductor 154, the source electrode 173 and the drain electrode 175 constitute a thin film transistor (TFT), and a channel of the thin film transistor (TFT) is formed in the semiconductor 154. The gate electrode 124 is a control terminal of the thin film transistor TFT and the source electrode 173 is an input terminal of the thin film transistor TFT and the drain electrode 175 is an output terminal of the thin film transistor TFT.

제1 보호막(180)은 무기 물질 또는 유기 물질을 포함하는 절연 물질로 형성되어 있다. The first passivation layer 180 is formed of an insulating material including an inorganic material or an organic material.

제1 보호막(180)의 위에는 하부 반사층(111)이 형성되어 있다. 하부 반사층(111)은 다층의 유전체를 포함하거나 다층의 유전체에 금속막을 더 포함하는 구조를 가질 수 있다. (도 2 및 도 3 참고)A lower reflective layer 111 is formed on the first protective layer 180. The lower reflective layer 111 may have a structure including a multilayered dielectric or further include a metal film on a multilayered dielectric. (See Figures 2 and 3)

제1 보호막(180) 및 하부 반사층(111)에는 드레인 전극(175)을 노출시키는 접촉 구멍이 형성되어 있다.The contact hole for exposing the drain electrode 175 is formed in the first protective film 180 and the lower reflective layer 111.

하부 반사층(111)의 위에는 ITO 또는 IZO와 같은 투명한 도전 물질로 형성된 화소 전극(191)이 형성되어 있으며, 접촉 구멍을 통하여 노출되어 있는 드레인 전극(175)과 전기적으로 연결되어 있다.A pixel electrode 191 formed of a transparent conductive material such as ITO or IZO is formed on the lower reflective layer 111 and is electrically connected to the drain electrode 175 exposed through the contact hole.

박막 트랜지스터(TFT)의 제어 단자는 게이트선과 연결되어 있으며, 입력 단자는 데이터선과 연결되어 있다. 박막 트랜지스터(TFT)의 출력 단자는 화소 전극(191)과 연결되어 있다. The control terminal of the thin film transistor (TFT) is connected to the gate line, and the input terminal is connected to the data line. The output terminal of the thin film transistor TFT is connected to the pixel electrode 191.

게이트선과 데이터선의 사이에 게이트 절연막(140)이 형성되어 서로 절연되어 교차하고 있다. A gate insulating film 140 is formed between the gate line and the data line and is insulated and crossed.

화소 전극(191)의 위에는 배향막(도시하지 않음)이 형성되어 있을 수 있다.An alignment film (not shown) may be formed on the pixel electrode 191.

이상과 같이 하부 표시판(100)에는 편광판이 부착되어 있지 않다.As described above, the polarizer is not attached to the lower panel 100.

이하에서는, 상부 표시판(200)에 대하여 살펴본다.Hereinafter, the upper panel 200 will be described.

상부 절연 기판(210)의 아래에 형광체 유닛(230)이 형성되어 있다. 형광체 유닛(230)은 형광층(231)과 형광층(231)의 상부에 위치하는 광 차단층(233) 및 형광층(231)의 하부에 위치하는 광 투과층(232)을 포함한다. 광 차단층(233)은 외부에서 제공된 빛에 의하여 형광층(231)이 여기되는 것을 방지하기 위하여 형광층(231)을 여기시키는 파장 대역의 빛을 차단하며, 광 투과층(232)은 형광층(231)을 여기시키는 파장 대역의 빛을 투과시킨다. 광원(510)이 자외선을 제공하는 경우 광 차단층(233)은 자외선 차단층이며, 광 투과층(232)은 자외선 투과층이고, 광원(510)이 청색 광을 제공하는 경우에는 광 차단층(233)은 청색광 차단층이며, 광 투과층(232)은 청색광 투과층이다. 광 투과층(232)은 형광층(231)에서 백라이트 유닛(500)측에 위치하며, 광 차단층(233)은 형광층(231)에서 외측에 위치한다. 실시예에 따라서는 광 투과층(232) 및 광 차단층(233) 중 적어도 하나가 제거될 수 있다.A phosphor unit 230 is formed below the upper insulating substrate 210. The phosphor unit 230 includes a fluorescent layer 231 and a light blocking layer 233 located above the fluorescent layer 231 and a light transmitting layer 232 located below the fluorescent layer 231. The light blocking layer 233 blocks light in a wavelength band that excites the fluorescent layer 231 to prevent the fluorescent layer 231 from being excited by light provided from the outside, To transmit the light of the wavelength band that excites the light emitting layer 231. When the light source 510 provides ultraviolet light, the light blocking layer 233 is an ultraviolet blocking layer, the light transmitting layer 232 is an ultraviolet transmitting layer, and when the light source 510 provides blue light, 233 is a blue light blocking layer, and the light transmitting layer 232 is a blue light transmitting layer. The light transmitting layer 232 is located on the backlight unit 500 side in the fluorescent layer 231 and the light blocking layer 233 is located on the outside in the fluorescent layer 231. In some embodiments, at least one of the light-transmitting layer 232 and the light-blocking layer 233 may be removed.

형광체 유닛(230)의 아래에는 상부 반사층(211)이 형성되어 있다. 상부 반사층(211)은 다층의 유전체를 포함하거나 다층의 유전체에 금속막을 더 포함하는 구조를 가질 수 있으며, 하부 반사층(111)과 동일하게 형성될 수 있다. (도 2 및 도 3 참고)An upper reflective layer 211 is formed under the phosphor unit 230. The upper reflective layer 211 may include a multi-layer dielectric or may have a structure including a metal layer on a multi-layer dielectric, and may be formed in the same manner as the lower reflective layer 111. (See Figures 2 and 3)

상부 반사층(211)의 아래에는 공통 전극(270)이 형성되어 있으며, 공통 전극(270)은 ITO 또는 IZO와 같은 투명한 도전 물질로 형성되어 있다. A common electrode 270 is formed under the upper reflective layer 211 and the common electrode 270 is formed of a transparent conductive material such as ITO or IZO.

공통 전극(270)의 아래에는 배향막(도시하지 않음)이 형성되어 있을 수 있다.An alignment film (not shown) may be formed under the common electrode 270.

이상과 같이 상부 표시판(200)에는 편광판이 부착되어 있지 않다.As described above, the polarizer is not attached to the upper display panel 200.

상부 표시판(200)과 하부 표시판(100)의 사이에는 액정 분자를 포함하는 액정층(3)이 위치하고 있다. 액정층(3)은 수직 배향 모드를 가지거나 수평 배향 모드를 가질 수 있으며, TN 모드의 액정도 사용될 수 있다. A liquid crystal layer 3 including liquid crystal molecules is disposed between the upper display panel 200 and the lower panel 100. The liquid crystal layer 3 may have a vertical alignment mode or a horizontal alignment mode, and a TN mode liquid crystal may also be used.

이상에서 기술한 상부 반사층(211)과 하부 반사층(111)은 도 2 또는 도 3의 구조를 가질 수 있다. 다만, 도 13의 실시예의 하부 반사층(111)은 접촉 구멍을 포함하고 있다.The upper reflection layer 211 and the lower reflection layer 111 described above may have the structure of FIG. 2 or FIG. However, the lower reflection layer 111 of the embodiment of FIG. 13 includes contact holes.

도 13의 액정 표시 장치는 이상과 같은 액정 표시 장치는 편광판을 포함하지 않아 광 효율이 향상된다. 뿐만 아니라, 컬러 필터 대신에 형광층을 사용하여 광 효율을 향상시킨다. 또한, 상부 반사층(211)과 하부 반사층(111)의 사이의 공간(micro cavity)에서 빛이 공진하여 특정 파장의 빛이 상부 반사층(211)을 투과하여 방출된다. 다만, 도 1의 실시예와 비교할 때, 상부 반사층(211)과 하부 반사층(111)의 사이의 공간(micro cavity)에 공통 전극(270)과 화소 전극(191)이 존재하여 공진 특성이 상대적으로 저하될 수 있다. 하지만, 도 13의 실시예는 도 1의 실시예에 비하여 낮은 전압으로도 액정층(3)의 굴절율(N)을 변경시킬 수 있다. 또한, 상부 반사층(211)과 하부 반사층(111)이 금속을 포함하더라도 화소 전극(191)과 공통 전극(270) 사이에서 발생하는 전계가 영향을 적게받는 장점이 있다.In the liquid crystal display device of Fig. 13, the liquid crystal display device as described above does not include a polarizing plate, and the light efficiency is improved. In addition, a fluorescent layer is used instead of the color filter to improve the light efficiency. In addition, light is resonated in a micro cavity between the upper reflective layer 211 and the lower reflective layer 111, and light of a specific wavelength is transmitted through the upper reflective layer 211 and emitted. 1, the common electrode 270 and the pixel electrode 191 are present in a micro cavity between the upper reflective layer 211 and the lower reflective layer 111, Can be degraded. However, the embodiment of FIG. 13 can change the refractive index N of the liquid crystal layer 3 at a lower voltage than the embodiment of FIG. Even if the upper reflective layer 211 and the lower reflective layer 111 include a metal, there is an advantage that an electric field generated between the pixel electrode 191 and the common electrode 270 is less influenced.

도 13의 실시예도 액정층(3)의 굴절율 변화에 의하여 투과하는 파장이 변하게 되고, 파장이 변함에 따라서 투과되는 빛의 량(투과율)도 변하여 계조 표현이 가능하다. In the embodiment shown in Fig. 13, the wavelength transmitted through the liquid crystal layer 3 changes due to the change in refractive index, and the amount of transmitted light (transmittance) changes as the wavelength changes.

이하에서는 도 14의 실시예를 살펴본다.Hereinafter, the embodiment of FIG. 14 will be described.

도 14의 실시예는 도 1의 실시예와 달리 하부 반사층(111)이 하부 절연 기판(110)의 바로 위에 위치한다. 한편, 상부 반사층(211)은 도 1의 실시예와 달리 공통 전극(270)의 상측에 위치한다.The embodiment of FIG. 14 differs from the embodiment of FIG. 1 in that the lower reflective layer 111 is located directly above the lower insulating substrate 110. On the other hand, the upper reflection layer 211 is located on the upper side of the common electrode 270, unlike the embodiment of FIG.

도 14에서 도시하고 있는 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 액정 표시 장치는 하부 표시판(100), 상부 표시판(200), 이들 사이에 위치하고 있는 액정층(3) 및 백라이트 유닛(500)을 포함한다.14, a liquid crystal display device according to an embodiment of the present invention includes a lower panel 100, an upper panel 200, a liquid crystal layer 3 disposed therebetween, and a backlight unit 500 do.

백라이트 유닛(500)은 광원(510), 도광판(520), 반사 시트(525) 및 프리즘 시트(530)을 포함한다. 그 위에 위치하는 하부 표시판(100)은 하부 절연 기판(110)위에 박막 트랜지스터(TFT), 화소 전극(191), 및 하부 반사층(111)을 포함한다. 그 위에 위치하는 상부 표시판(200)은 상부 절연 기판(210)에 형광체 유닛(230), 공통 전극(270) 및 상부 반사층(211)을 포함한다. 하부 표시판(100) 및 상부 표시판(200)은 편광판을 포함하지 않는다. The backlight unit 500 includes a light source 510, a light guide plate 520, a reflection sheet 525, and a prism sheet 530. A lower panel 100 disposed thereon includes a TFT, a pixel electrode 191, and a lower layer 111 on a lower insulating substrate 110. The upper panel 200 disposed thereon includes a phosphor unit 230, a common electrode 270, and an upper reflective layer 211 on an upper insulating substrate 210. The lower display panel 100 and the upper display panel 200 do not include a polarizer.

도 14의 실시예의 백라이트 유닛(500)은 도 1의 백라이트 유닛(500)과 차이가 없어 추가 설명은 생략한다.The backlight unit 500 of the embodiment of FIG. 14 is not different from the backlight unit 500 of FIG. 1, so that further explanation is omitted.

하부 표시판(100)에 대하여 살펴본다.The lower display panel 100 will be described.

하부 절연 기판(110)위에 하부 반사층(111)이 형성되어 있다. 하부 반사층(111)은 다층의 유전체를 포함하거나 다층의 유전체에 금속막을 더 포함하는 구조를 가질 수 있다. (도 2 및 도 3 참고)A lower reflective layer 111 is formed on the lower insulating substrate 110. The lower reflective layer 111 may have a structure including a multilayered dielectric or further include a metal film on a multilayered dielectric. (See Figures 2 and 3)

하부 반사층(111)의 위에는 게이트 전극(124)을 포함하는 게이트선(도시하지 않음)이 형성되어 있으며, 게이트선은 게이트 절연막(140)에 의하여 덮혀 있다.A gate line (not shown) including a gate electrode 124 is formed on the lower reflective layer 111, and the gate line is covered with a gate insulating layer 140.

게이트 절연막(140)의 위에는 반도체(154)가 형성되어 있으며, 반도체(154)의 일부를 덮는 소스 전극(173), 드레인 전극(175) 및 데이터선(도시하지 않음)을 포함하는 데이터 도전체가 형성된다. 데이터 도전체는 제1 보호막(180)에 의하여 덮혀 있으며, 데이터 도전체 중 드레인 전극(175)은 제1 보호막(180)에 형성되어 있는 접촉 구멍에 의하여 노출되어 있다.A semiconductor 154 is formed on the gate insulating film 140 and a data conductor including a source electrode 173, a drain electrode 175 and a data line (not shown) covering a part of the semiconductor 154 is formed do. The data conductor is covered by the first protective film 180 and the drain electrode 175 of the data conductor is exposed by the contact hole formed in the first protective film 180. [

게이트 전극(124), 반도체(154), 소스 전극(173) 및 드레인 전극(175)은 박막 트랜지스터(TFT)를 이루며, 반도체(154)에 박막 트랜지스터(TFT)의 채널이 형성된다. 게이트 전극(124)은 박막 트랜지스터(TFT)의 제어 단자이고, 소스 전극(173)은 박막 트랜지스터(TFT)의 입력 단자이며, 드레인 전극(175)는 박막 트랜지스터(TFT)의 출력 단자일 수 있다.The gate electrode 124, the semiconductor 154, the source electrode 173 and the drain electrode 175 constitute a thin film transistor (TFT), and a channel of the thin film transistor (TFT) is formed in the semiconductor 154. The gate electrode 124 is a control terminal of the thin film transistor TFT and the source electrode 173 is an input terminal of the thin film transistor TFT and the drain electrode 175 is an output terminal of the thin film transistor TFT.

제1 보호막(180)은 무기 물질 또는 유기 물질을 포함하는 절연 물질로 형성되어 있다. The first passivation layer 180 is formed of an insulating material including an inorganic material or an organic material.

제1 보호막(180)의 위에는 ITO 또는 IZO와 같은 투명한 도전 물질로 형성된 화소 전극(191)이 형성되어 있으며, 접촉 구멍을 통하여 노출되어 있는 드레인 전극(175)과 전기적으로 연결되어 있다.A pixel electrode 191 formed of a transparent conductive material such as ITO or IZO is formed on the first passivation layer 180 and is electrically connected to the drain electrode 175 exposed through the contact hole.

박막 트랜지스터(TFT)의 제어 단자는 게이트선과 연결되어 있으며, 입력 단자는 데이터선과 연결되어 있다. 박막 트랜지스터(TFT)의 출력 단자는 화소 전극(191)과 연결되어 있다. The control terminal of the thin film transistor (TFT) is connected to the gate line, and the input terminal is connected to the data line. The output terminal of the thin film transistor TFT is connected to the pixel electrode 191.

게이트선과 데이터선의 사이에 게이트 절연막(140)이 형성되어 서로 절연되어 교차하고 있다. A gate insulating film 140 is formed between the gate line and the data line and is insulated and crossed.

화소 전극(191)의 위에는 배향막(도시하지 않음)이 형성되어 있을 수 있다.An alignment film (not shown) may be formed on the pixel electrode 191.

이상과 같이 하부 표시판(100)에는 편광판이 부착되어 있지 않다.As described above, the polarizer is not attached to the lower panel 100.

이하에서는, 상부 표시판(200)에 대하여 살펴본다.Hereinafter, the upper panel 200 will be described.

상부 절연 기판(210)의 아래에 형광체 유닛(230)이 형성되어 있다. 형광체 유닛(230)은 형광층(231)과 형광층(231)의 상부에 위치하는 광 차단층(233) 및 형광층(231)의 하부에 위치하는 광 투과층(232)을 포함한다. 광 차단층(233)은 외부에서 제공된 빛에 의하여 형광층(231)이 여기되는 것을 방지하기 위하여 형광층(231)을 여기시키는 파장 대역의 빛을 차단하며, 광 투과층(232)은 형광층(231)을 여기시키는 파장 대역의 빛을 투과시킨다. 광원(510)이 자외선을 제공하는 경우 광 차단층(233)은 자외선 차단층이며, 광 투과층(232)은 자외선 투과층이고, 광원(510)이 청색 광을 제공하는 경우에는 광 차단층(233)은 청색광 차단층이며, 광 투과층(232)은 청색광 투과층이다. 광 투과층(232)은 형광층(231)에서 백라이트 유닛(500)측에 위치하며, 광 차단층(233)은 형광층(231)에서 외측에 위치한다. 실시예에 따라서는 광 투과층(232) 및 광 차단층(233) 중 적어도 하나가 제거될 수 있다.A phosphor unit 230 is formed below the upper insulating substrate 210. The phosphor unit 230 includes a fluorescent layer 231 and a light blocking layer 233 located above the fluorescent layer 231 and a light transmitting layer 232 located below the fluorescent layer 231. The light blocking layer 233 blocks light in a wavelength band that excites the fluorescent layer 231 to prevent the fluorescent layer 231 from being excited by light provided from the outside, To transmit the light of the wavelength band that excites the light emitting layer 231. When the light source 510 provides ultraviolet light, the light blocking layer 233 is an ultraviolet blocking layer, the light transmitting layer 232 is an ultraviolet transmitting layer, and when the light source 510 provides blue light, 233 is a blue light blocking layer, and the light transmitting layer 232 is a blue light transmitting layer. The light transmitting layer 232 is located on the backlight unit 500 side in the fluorescent layer 231 and the light blocking layer 233 is located on the outside in the fluorescent layer 231. In some embodiments, at least one of the light-transmitting layer 232 and the light-blocking layer 233 may be removed.

형광체 유닛(230)의 아래에는 상부 반사층(211)이 형성되어 있다. 상부 반사층(211)은 다층의 유전체를 포함하거나 다층의 유전체에 금속막을 더 포함하는 구조를 가질 수 있으며, 하부 반사층(111)과 동일하게 형성될 수 있다. (도 2 및 도 3 참고)An upper reflective layer 211 is formed under the phosphor unit 230. The upper reflective layer 211 may include a multi-layer dielectric or may have a structure including a metal layer on a multi-layer dielectric, and may be formed in the same manner as the lower reflective layer 111. (See Figures 2 and 3)

상부 반사층(211)의 아래에는 공통 전극(270)이 형성되어 있으며, 공통 전극(270)은 ITO 또는 IZO와 같은 투명한 도전 물질로 형성되어 있다. A common electrode 270 is formed under the upper reflective layer 211 and the common electrode 270 is formed of a transparent conductive material such as ITO or IZO.

공통 전극(270)의 아래에는 배향막(도시하지 않음)이 형성되어 있을 수 있다.An alignment film (not shown) may be formed under the common electrode 270.

이상과 같이 상부 표시판(200)에는 편광판이 부착되어 있지 않다.As described above, the polarizer is not attached to the upper display panel 200.

상부 표시판(200)과 하부 표시판(100)의 사이에는 액정 분자를 포함하는 액정층(3)이 위치하고 있다. 액정층(3)은 수직 배향 모드를 가지거나 수평 배향 모드를 가질 수 있으며, TN 모드의 액정도 사용될 수 있다. A liquid crystal layer 3 including liquid crystal molecules is disposed between the upper display panel 200 and the lower panel 100. The liquid crystal layer 3 may have a vertical alignment mode or a horizontal alignment mode, and a TN mode liquid crystal may also be used.

이상에서 기술한 상부 반사층(211)과 하부 반사층(111)은 도 2 또는 도 3의 구조를 가질 수 있다. The upper reflection layer 211 and the lower reflection layer 111 described above may have the structure of FIG. 2 or FIG.

도 14의 액정 표시 장치는 이상과 같은 액정 표시 장치는 편광판을 포함하지 않아 광 효율이 향상된다. 뿐만 아니라, 컬러 필터 대신에 형광층을 사용하여 광 효율을 향상시킨다. 또한, 상부 반사층(211)과 하부 반사층(111)의 사이의 공간(micro cavity)에서 빛이 공진하여 특정 파장의 빛이 상부 반사층(211)을 투과하여 방출된다. 다만, 도 1의 실시예와 비교할 때, 상부 반사층(211)과 하부 반사층(111)의 사이의 공간(micro cavity)에 공통 전극(270), 화소 전극(191) 및 박막 트랜지스터가 존재하여 공진 특성이 상대적으로 저하될 수 있다. 하지만, 도 14의 실시예는 도 1의 실시예에 비하여 낮은 전압으로도 액정층(3)의 굴절율(N)을 변경시킬 수 있다. 또한, 상부 반사층(211)과 하부 반사층(111)이 금속을 포함하더라도 화소 전극(191)과 공통 전극(270) 사이에서 발생하는 전계가 영향을 적게받는 장점이 있다.In the liquid crystal display device of Fig. 14, the liquid crystal display device as described above does not include the polarizing plate, and the light efficiency is improved. In addition, a fluorescent layer is used instead of the color filter to improve the light efficiency. In addition, light is resonated in a micro cavity between the upper reflective layer 211 and the lower reflective layer 111, and light of a specific wavelength is transmitted through the upper reflective layer 211 and emitted. 1, the common electrode 270, the pixel electrode 191, and the thin film transistor exist in a micro cavity between the upper reflective layer 211 and the lower reflective layer 111, Can be relatively lowered. However, the embodiment of FIG. 14 can change the refractive index N of the liquid crystal layer 3 with a lower voltage than the embodiment of FIG. Even if the upper reflective layer 211 and the lower reflective layer 111 include a metal, there is an advantage that an electric field generated between the pixel electrode 191 and the common electrode 270 is less influenced.

도 14의 실시예도 액정층(3)의 굴절율 변화에 의하여 투과하는 파장이 변하게 되고, 파장이 변함에 따라서 투과되는 빛의 량(투과율)도 변하여 계조 표현이 가능하다.In the embodiment of FIG. 14, the wavelength transmitted through the liquid crystal layer 3 is changed by the change of the refractive index, and the amount of light (transmittance) transmitted by the wavelength changes.

이하에서는 도 1, 도 7, 도 10 내지 도 14의 실시예에서의 빛의 특성을 도 15 내지 도 18을 통하여 살펴본다.Hereinafter, the characteristics of light in the embodiments of FIGS. 1, 7 and 10 to 14 will be described with reference to FIGS. 15 to 18. FIG.

도 15 내지 도 18은 본 발명의 실시예의 특성을 도시한 그래프이다.15 to 18 are graphs showing the characteristics of the embodiment of the present invention.

먼저, 도 15 및 도 16을 통하여 액정층 마이크로 캐비티를 포함하고 있는 도 1, 도 7, 도 11 내지 도 14의 실시예와 이에 추가적으로 유전체 마이크로 캐비티를 가지는 실시예의 특성을 살펴본다.First, the characteristics of the embodiments of FIGS. 1, 7, 11 to 14 including the liquid crystal layer micro-cavity and the embodiment having the dielectric micro-cavity in addition to those of FIGS. 15 and 16 will be described.

먼저, 도 15에서는 액정층 마이크로 캐비티만을 포함하는 실시예 1 및 2(도 1 및 도 7의 실시예)에서 액정층 마이크로 캐비티를 투과한 빛의 특성(파장에 따른 휘도)과 광원의 특성(파장에 따른 휘도)을 비교하여 도시하고 있다. 도 15에서 사용된 상부 및 하부 반사층(211, 111)은 도 2와 같은 구조를 가지며, 고 굴절율층은 TiO2를 사용하고 45nm로 형성하였고, 저 굴절율층은 SiO2를 사용하였고 77nm로 형성하였다. 상부 반사층(211) 및 하부 반사층(111)의 내측에는 배향막이 형성되어 있고, 배향막은 폴리 이미드로 100nm로 형성하였다. 또한 액정층(3)의 셀갭은 480nm이며, 액정층의 굴절율 △n은 0.2인 액정을 사용하였다. 이러한 조건에서 시뮬레이션 한 결과가 도 15에서 도시되어 있다.First, FIG. 15 shows the characteristics (light intensity according to wavelength) of light transmitted through the liquid crystal layer micro-cavities in Examples 1 and 2 (Examples of FIGS. 1 and 7) including only the liquid crystal layer micro- (Brightness according to the brightness). The upper and lower reflective layers 211 and 111 used in FIG. 15 had a structure as shown in FIG. 2. The high refractive index layer was formed using TiO 2 to have a thickness of 45 nm, and the low refractive index layer was formed to have a thickness of 77 nm using SiO 2. An orientation film was formed on the inner side of the upper reflection layer 211 and the lower reflection layer 111, and the orientation film was formed with 100 nm of polyimide. The cell gap of the liquid crystal layer 3 was 480 nm, and the liquid crystal having a refractive index DELTA n of 0.2 was used. The results of the simulation under these conditions are shown in Fig.

한편, 도 16에서는 도 10(실시예 3)과 같이 추가적으로 유전체 마이크로 캐비티를 가지는 경우에 액정층 마이크로 캐비티와 유전체 마이크로 캐비티를 투과한 빛의 특성(파장에 따른 휘도)과 광원의 특성(파장에 따른 휘도)을 비교하여 도시하고 있다. 도 16에서 사용된 제1 상부, 제2 상부, 제1 하부 및 제2 하부 반사층(211, 212, 111, 112)은 도 2와 같은 구조를 가지며, 고 굴절율층은 TiO2를 사용하고 44nm로 형성하였고, 저 굴절율층은 SiO2를 사용하였고 72nm로 형성하였다. 제1 상부 반사층(211)과 제2 상부 반사층(212)의 사이 및 제1 하부 반사층(111) 및 제2 하부 반사층(112)의 사이에는 유전체층이 위치하는데, 유전체층 대신 저 굴절율층 및 고 굴절율층을 배치하여 형성하였다. 즉, 고 굴절율층을 H, 저 굴절율층을 L, 액정층을 LC라 하는 경우 층상 관계는 다음과 같다.16 shows the characteristics (light intensity according to wavelength) of light transmitted through the liquid crystal layer micro-cavity and the dielectric micro-cavity and the characteristics of the light source (wavelength dependency) in addition to the dielectric micro- Luminance) are shown and compared. The first upper layer, the second upper layer, the first lower layer and the second lower reflection layer 211, 212, 111 and 112 used in FIG. 16 have a structure as shown in FIG. 2. The high refractive index layer is formed by using TiO 2 And a low refractive index layer was formed using SiO 2 and formed at a thickness of 72 nm. A dielectric layer is disposed between the first upper reflective layer 211 and the second upper reflective layer 212 and between the first lower reflective layer 111 and the second lower reflective layer 112. Instead of the dielectric layer, a low refractive index layer and a high refractive index layer . That is, when the high refractive index layer is H, the low refractive index layer is L, and the liquid crystal layer is LC, the layered relationship is as follows.

H L H 2L H L H L H L H LC H L H L H L H 2L H L HHLH 2L HLHL HLH LC HLH LHLH 2L HLH

여기서 2L은 저 굴절율층으로 다른 굴절율층의 두배 두께를 가지는 층을 나타낸다.Here, 2L denotes a layer having a low refractive index and having twice the thickness of another refractive index layer.

여기서, 굵은 글씨로 적혀있는 부분은 제1 상부 반사층(211), 액정층(3) 및 제1 하부 반사층(111)을 이루며, 그 외측에 기술되어 있는 구조는 제2 반사층 및 유전체층을 나타낸다. 제2 상부 반사층 및 상부 유전체층과 제2 하부 반사층 및 하부 유전체층은 대칭 구조를 가진다. In this case, the portion indicated in boldface forms the first upper reflective layer 211, the liquid crystal layer 3 and the first lower reflective layer 111, and the structure described on the outer side shows the second reflective layer and the dielectric layer. The second upper reflective layer and the upper dielectric layer and the second lower reflective layer and the lower dielectric layer have a symmetrical structure.

H L H의 구조를 단위 적층 구조로 파악하는 경우 최 외측의 구조를 제2 상부 반사층과 제2 하부 반사층으로 파악하고 그 사이의 나머지 층을 모두 유전체층으로 파악할 수 있다. 이 경우 도 10의 실시예에 대응한다.When the structure of H L H is grasped as a unit laminate structure, the outermost structure can be grasped as the second upper reflective layer and the second lower reflective layer, and all the remaining layers therebetween can be grasped as a dielectric layer. This case corresponds to the embodiment of Fig.

한편, 위에서 유전체층으로 파악된 층 중에서 H L H의 구조를 가지는 층을 추가 반사층으로 파악하는 경우에는 추가되는 상부 반사층 및 하부 반사층이 각각 두 개씩인 구조로도 파악할 수 있다. 이 경우에는 두 개의 유전체층이 더 추가되며, 각각 2L 및 L의 층이 두 개의 유전체층에 대응한다. 이 경우는 도 10과 달리 하나의 표시판에 총 3개의 반사층이 위치하고, 두 개의 유전체층이 형성된 구조에 대응한다. 그러므로 추가 반사층이 형성되는 경우 도 10과 달리 2 이상의 추가 반사층이 하나의 표시판에 형성될 수도 있다.On the other hand, in the case of grasping the layer having the structure of H L H as the additional reflection layer among the layers recognized as the dielectric layers from above, it is also possible to grasp the structure in which two additional upper reflection layer and lower reflection layer are added. In this case, two additional dielectric layers are added, with a layer of 2L and L, respectively, corresponding to the two dielectric layers. In this case, unlike FIG. 10, a total of three reflective layers are disposed on one display panel, corresponding to a structure in which two dielectric layers are formed. Therefore, when an additional reflective layer is formed, two or more additional reflective layers may be formed on one display plate, unlike FIG.

또한 액정층(3)의 셀갭은 730nm이며, 액정층의 굴절율 △n은 0.2인 액정을 사용하였다. 이러한 조건에서 시뮬레이션 한 결과가 도 16에서 도시되어 있다.The cell gap of the liquid crystal layer 3 was 730 nm, and the liquid crystal having a refractive index DELTA n of 0.2 was used. The results of the simulation under these conditions are shown in Fig.

도 15의 투과 파장은 특정 파장을 중심으로 피크를 이루는 것을 도시하고 있다. 이에 반하여 도 16의 투과 파장은 넓은 파장 범위에서 피크값을 가지는 것을 알 수 있다. 즉, 하나의 액정층 마이크로 캐비티만을 포함하는 경우에는 특정 파장을 중심으로 마이크로 캐비티를 투과하게 된다. 하지만, 유전체 마이크로 캐비티를 더 포함하는 경우에는 유전체 마이크로 캐비티의 특성으로 인하여 투과하는 파장 대역이 넓어지는 것을 확인할 수 있다.The transmission wavelength in Fig. 15 shows a peak around a specific wavelength. On the other hand, the transmission wavelength in FIG. 16 has a peak value in a wide wavelength range. That is, when only one liquid crystal layer microcavity is included, the microcavity is transmitted around a specific wavelength. However, when the dielectric micro-cavity is further included, it is confirmed that the wavelength band to be transmitted is widened due to the characteristics of the dielectric micro-cavity.

하지만, 모든 실시예에서 액정층(3)의 굴절율(N)을 조절하여 투과 빛의 휘도를 조절할 수 있으므로 계조 표현이 가능하다.However, in all the embodiments, the brightness of the transmitted light can be adjusted by adjusting the refractive index N of the liquid crystal layer 3, so that gradation expression is possible.

도 17 및 도 18에서는 형광체 유닛(230)에 포함되어 있는 광 차단층(233) 및 광 투과층(232)의 차단 및 투과 특성을 도시하고 있다.17 and 18 show the blocking and transmission characteristics of the light blocking layer 233 and the light transmitting layer 232 included in the phosphor unit 230. FIG.

먼저, 도 17에서는 광 투과층(232)의 투과 특성으로 자외선 투과 필터의 특성을 도시하고 있다.First, in FIG. 17, the characteristics of the ultraviolet ray transmitting filter are shown by the transmission characteristics of the light transmitting layer 232.

한편, 도 18에서는 광 차단층(233)의 투과 특성으로 자외선 차단 필터의 특성을 도시하고 있다.On the other hand, FIG. 18 shows the characteristics of the ultraviolet cut filter due to the transmission characteristics of the light blocking layer 233.

이와 같은 광 투과층(232) 및 광 차단층(233)에 의하여 형광층(231)에 입사하는 빛의 특성을 향상시켜, 형광층(231)에 불필요한 빛이 진입하지 못하도록 하고, 외부로부터 제공되는 빛에 의하여 형광층(231)이 여기되어 빛을 방출하지 않도록 하여 불필요한 광을 사용자의 눈으로 제공되지 않도록 하여 표시 품질을 향상시킨다.The characteristics of light incident on the fluorescent layer 231 are enhanced by the light transmitting layer 232 and the light blocking layer 233 to prevent unnecessary light from entering the fluorescent layer 231, The fluorescent layer 231 is excited by light to emit no light so that unnecessary light is not provided to the user's eyes, thereby improving the display quality.

하지만, 실시예에 따라서는 광 투과층(232) 및 광 차단층(233)을 생략할 수도 있다.However, depending on the embodiment, the light transmitting layer 232 and the light blocking layer 233 may be omitted.

이상의 실시예에서는, 화소 전극(191)과 공통 전극(270)이 생성한 전계에 의하여 액정층(3)의 굴절율(N)이 변동되며, 화소 전극(191)은 하부 표시판(100)에 위치하고, 공통 전극(270)은 상부 표시판(200)에 위치하는 것으로 도시하고 설명하였다. 하지만, 실시예에 따라서는 화소 전극(191)과 공통 전극(270)이 동일한 표시판에 위치할 수도 있고, 화소 전극(191)이 상부 표시판(200)에 위치하고, 공통 전극(270)이 하부 표시판(100)에 위치할 수도 있다. 화소 전극(191)과 공통 전극(270)은 한 쌍의 전계 생성 전극이라고도 하며, 상부 표시판(200) 및 하부 표시판(100) 중 적어도 하나에 형성되어 있다.The refractive index N of the liquid crystal layer 3 is varied by the electric field generated by the pixel electrode 191 and the common electrode 270. The pixel electrode 191 is located on the lower panel 100, And the common electrode 270 is disposed on the upper panel 200. However, according to the embodiment, the pixel electrode 191 and the common electrode 270 may be located on the same display panel, the pixel electrode 191 may be located on the upper display panel 200, the common electrode 270 may be on the lower display panel 100). The pixel electrode 191 and the common electrode 270 are also referred to as a pair of electric field generating electrodes and are formed on at least one of the upper panel 200 and the lower panel 100.

이상에서 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위에 속하는 것이다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments, Of the right.

100: 하부 표시판 110: 하부 절연 기판
111, 112: 하부 반사층 113: 하부 유전체층
121, 221: 광학 필름 124: 게이트 전극
140: 게이트 절연막 154: 반도체
173: 소스 전극 175: 드레인 전극
180: 제1 보호막 185: 제2 보호막
191: 화소 전극 200: 상부 표시판
210: 상부 절연 기판 211, 212: 상부 반사층
213: 상부 유전체층 230: 형광체 유닛
231: 형광층 232: 광 투과층
233: 광 차단층 270: 공통 전극
3: 액정층 500: 백라이트 유닛
510: 광원 520: 도광판
525: 반사 시트 530: 프리즘 시트
100: Lower display panel 110: Lower insulating substrate
111, 112: lower reflective layer 113: lower dielectric layer
121, 221: optical film 124: gate electrode
140: gate insulating film 154: semiconductor
173: source electrode 175: drain electrode
180: first protective film 185: second protective film
191: pixel electrode 200: upper panel
210: upper insulating substrate 211, 212: upper reflective layer
213: Upper dielectric layer 230: Phosphor unit
231: fluorescent layer 232: light-transmitting layer
233: light blocking layer 270: common electrode
3: liquid crystal layer 500: backlight unit
510: light source 520: light guide plate
525: reflective sheet 530: prism sheet

Claims (20)

하부 절연 기판 및 하부 반사층을 포함하는 하부 표시판;
상부 절연 기판 및 상부 반사층을 포함하는 상부 표시판;
상기 하부 표시판의 상기 하부 반사층 및 상기 상부 표시판의 상기 상부 반사층의 사이에 위치하는 액정층; 및
상기 하부 표시판의 하부에 위치하며, 광원을 포함하는 백라이트 유닛을 포함하며,
상기 하부 표시판 및 상기 상부 표시판에 한 쌍의 전계 생성 전극 중 각각 하나씩의 상기 전계 생성 전극이 형성되거나, 상기 하부 표시판 및 상기 상부 표시판 중 어느 하나에 상기 한 쌍의 전계 생성 전극이 모두 형성되어 있으며,
상기 하부 반사층, 상기 상부 반사층 및 상기 액정층은 마이크로 캐비티를 형성하며,
상기 전계 생성 전극에 의하여 생성된 전계에 의하여 상기 마이크로 캐비티에서 공진하여 방출되는 빛의 휘도가 변하며,
상기 액정층은 상기 상부 표시판과 상기 하부 표시판의 사이에 하나의 층으로 형성되어 있는 액정 표시 장치.
A lower display panel including a lower insulating substrate and a lower reflective layer;
An upper display panel including an upper insulating substrate and an upper reflective layer;
A liquid crystal layer positioned between the lower reflective layer of the lower panel and the upper reflective layer of the upper panel; And
A backlight unit disposed below the lower panel and including a light source,
Generating electrodes are respectively formed on the lower panel and the upper panel and one of the pair of the electric field generating electrodes is formed on either the lower panel or the upper panel,
Wherein the lower reflective layer, the upper reflective layer, and the liquid crystal layer form micro cavities,
The luminance of the light resonated and emitted from the micro-cavity is changed by the electric field generated by the electric field generating electrode,
Wherein the liquid crystal layer is formed as one layer between the upper display panel and the lower display panel.
제1항에서,
상기 전계 생성 전극에 인가하는 전압을 조절하여 전계를 변화시켜 마이크로 캐비티에서 방출하는 빛의 휘도를 변경시켜 계조를 표시하는 액정 표시 장치.
The method of claim 1,
Wherein the voltage applied to the field generating electrode is adjusted to change an electric field to change the brightness of light emitted from the micro cavity to display the gradation.
제2항에서,
상기 상부 반사층 및 상기 하부 반사층은 고 굴절율층과 저 굴절율층이 반복적으로 적층된 단위 적층 구조를 포함하는 액정 표시 장치.
3. The method of claim 2,
Wherein the upper reflective layer and the lower reflective layer include a unit laminate structure in which a high refractive index layer and a low refractive index layer are repeatedly laminated.
제3항에서,
상기 단위 적층 구조는 상기 고 굴절율층이 상 하에 두 개층으로 형성되며, 그 사이에 상기 저 굴절율층이 위치하는 삼중층 구조를 가지는 액정 표시 장치.
4. The method of claim 3,
Wherein the unit laminated structure has a triple layer structure in which the high refractive index layer is formed as two layers above and below and the low refractive index layer is interposed therebetween.
하부 절연 기판 및 하부 반사층을 포함하는 하부 표시판;
상부 절연 기판 및 상부 반사층을 포함하는 상부 표시판;
상기 하부 표시판의 상기 하부 반사층 및 상기 상부 표시판의 상기 상부 반사층의 사이에 위치하는 액정층; 및
상기 하부 표시판의 하부에 위치하며, 광원을 포함하는 백라이트 유닛을 포함하며,
상기 하부 표시판 및 상기 상부 표시판에 중 적어도 하나의 표시판에는 한 쌍의 전계 생성 전극 중 각각 하나씩의 상기 전계 생성 전극이 형성되거나, 상기 하부 표시판 및 상기 상부 표시판 중 어느 하나에 상기 한 쌍의 전계 생성 전극이 모두이 형성되어 있으며,
상기 하부 반사층, 상기 상부 반사층 및 상기 액정층은 마이크로 캐비티를 형성하며,
상기 전계 생성 전극에 의하여 생성된 전계에 의하여 상기 마이크로 캐비티에서 공진하여 방출되는 빛의 파장 또는 휘도가 변하여 계조가 표시되며,
상기 상부 반사층 및 상기 하부 반사층은 고 굴절율층과 저 굴절율층이 반복적으로 적층된 단위 적층 구조를 포함하고,
상기 상부 반사층 및 상기 하부 반사층 중 적어도 하나는 상기 단위 적층 구조가 상하로 형성되며, 그 사이에 금속층이 형성되어 있는 액정 표시 장치.
A lower display panel including a lower insulating substrate and a lower reflective layer;
An upper display panel including an upper insulating substrate and an upper reflective layer;
A liquid crystal layer positioned between the lower reflective layer of the lower panel and the upper reflective layer of the upper panel; And
A backlight unit disposed below the lower panel and including a light source,
Wherein at least one of the pair of field generating electrodes is formed on at least one of the lower panel and the upper panel, or one of the pair of field generating electrodes is formed on one of the lower panel and the upper panel, All of which are formed,
Wherein the lower reflective layer, the upper reflective layer, and the liquid crystal layer form micro cavities,
The wavelength or the luminance of the light resonated in the micro cavity is changed by the electric field generated by the electric field generating electrode,
Wherein the upper reflection layer and the lower reflection layer include a unit laminate structure in which a high refractive index layer and a low refractive index layer are repeatedly laminated,
Wherein at least one of the upper reflection layer and the lower reflection layer has the unit laminate structure formed up and down, and a metal layer is formed therebetween.
제3항에서,
상기 상부 표시판은 형광층을 포함하는 형광체 유닛을 더 포함하는 액정 표시 장치.
4. The method of claim 3,
Wherein the upper display panel further comprises a phosphor unit including a fluorescent layer.
제6항에서,
상기 형광층은 상기 광원에서 제공된 특정 파장의 빛에 의하여 여기되어 색을 표시하는 액정 표시 장치.
The method of claim 6,
Wherein the fluorescent layer is excited by light of a specific wavelength provided by the light source to display a color.
제7항에서,
상기 형광체 유닛은 상기 형광층의 아래에 위치하며, 상기 특정 파장의 빛을 투과시키는 광 투과층을 더 포함하는 액정 표시 장치.
8. The method of claim 7,
Wherein the phosphor unit further comprises a light transmitting layer positioned below the fluorescent layer and transmitting the light of the specific wavelength.
제7항에서,
상기 형광체 유닛은 상기 형광층의 위에 위치하며, 상기 특정 파장의 빛을 차단하는 광 차단층을 더 포함하는 액정 표시 장치.
8. The method of claim 7,
Wherein the phosphor unit further comprises a light blocking layer disposed on the fluorescent layer and blocking light of the specific wavelength.
제6항에서,
상기 형광체 유닛은 상기 상부 절연 기판과 상기 상부 반사층의 사이에 위치하는 액정 표시 장치.
The method of claim 6,
Wherein the phosphor unit is positioned between the upper insulating substrate and the upper reflective layer.
제6항에서,
상기 형광체 유닛은 상기 상부 절연 기판의 외측에 위치하는 액정 표시 장치.
The method of claim 6,
And the phosphor unit is located outside the upper insulating substrate.
제3항에서,
상기 전계 생성 전극은 상기 상부 표시판에 형성되어 있는 공통 전극과 상기 하부 표시판에 형성되어 있는 화소 전극을 포함하며,
상기 공통 전극은 상기 상부 반사층의 위에 위치하며,
상기 화소 전극은 상기 하부 반사층의 아래에 위치하는 액정 표시 장치.
4. The method of claim 3,
Wherein the electric field generating electrode includes a common electrode formed on the upper panel and a pixel electrode formed on the lower panel,
The common electrode is located on the upper reflective layer,
And the pixel electrode is located under the lower reflective layer.
제3항에서,
상기 전계 생성 전극은 상기 상부 표시판에 형성되어 있는 공통 전극과 상기 하부 표시판에 형성되어 있는 화소 전극을 포함하며,
상기 공통 전극은 상기 상부 반사층의 아래에 위치하며,
상기 화소 전극은 상기 하부 반사층의 위에 위치하는 액정 표시 장치.
4. The method of claim 3,
Wherein the electric field generating electrode includes a common electrode formed on the upper panel and a pixel electrode formed on the lower panel,
Wherein the common electrode is located below the upper reflective layer,
And the pixel electrode is positioned above the lower reflective layer.
하부 절연 기판 및 하부 반사층을 포함하는 하부 표시판;
상부 절연 기판 및 상부 반사층을 포함하는 상부 표시판;
상기 하부 표시판의 상기 하부 반사층 및 상기 상부 표시판의 상기 상부 반사층의 사이에 위치하는 액정층; 및
상기 하부 표시판의 하부에 위치하며, 광원을 포함하는 백라이트 유닛을 포함하며,
상기 하부 표시판 및 상기 상부 표시판에 한 쌍의 전계 생성 전극 중 각각 하나씩의 상기 전계 생성 전극이 형성되거나, 상기 하부 표시판 및 상기 상부 표시판 중 어느 하나에 상기 한 쌍의 전계 생성 전극이 모두 형성되어 있으며,
상기 하부 반사층, 상기 상부 반사층 및 상기 액정층은 마이크로 캐비티를 형성하며,
상기 전계 생성 전극에 의하여 생성된 전계에 의하여 상기 마이크로 캐비티에서 공진하여 방출되는 빛의 휘도가 변하여 계조가 표시되며,
상기 상부 반사층 및 상기 하부 반사층은 고 굴절율층과 저 굴절율층이 반복적으로 적층된 단위 적층 구조를 포함하고,
상기 하부 표시판은 상기 하부 반사층의 하부에 위치하는 제2 하부 반사층을 더 포함하고,
상기 상부 표시판은 상기 상부 반사층의 상부에 위치하는 제2 상부 반사층을 더 포함하는 액정 표시 장치.
A lower display panel including a lower insulating substrate and a lower reflective layer;
An upper display panel including an upper insulating substrate and an upper reflective layer;
A liquid crystal layer positioned between the lower reflective layer of the lower panel and the upper reflective layer of the upper panel; And
A backlight unit disposed below the lower panel and including a light source,
Generating electrodes are respectively formed on the lower panel and the upper panel and one of the pair of the electric field generating electrodes is formed on either the lower panel or the upper panel,
Wherein the lower reflective layer, the upper reflective layer, and the liquid crystal layer form micro cavities,
The intensity of the light resonated in the micro cavity is changed by the electric field generated by the electric field generating electrode,
Wherein the upper reflection layer and the lower reflection layer include a unit laminate structure in which a high refractive index layer and a low refractive index layer are repeatedly laminated,
Wherein the lower display panel further comprises a second lower reflective layer positioned below the lower reflective layer,
And the upper display panel further includes a second upper reflective layer positioned on the upper reflective layer.
제14항에서,
상기 하부 반사층과 상기 제2 하부 반사층의 사이에 위치하는 하부 유전체층 및
상기 상부 반사층과 상기 제2 상부 반사층의 사이에 위치하는 상부 유전체층을 더 포함하는 액정 표시 장치.
The method of claim 14,
A lower dielectric layer positioned between the lower reflective layer and the second lower reflective layer,
And an upper dielectric layer disposed between the upper reflective layer and the second upper reflective layer.
제3항에서,
상기 상부 표시판의 최외측 또는 상기 하부 표시판의 최하측에 부착되어 있는 광학 필름을 더 포함하며,
상기 광학 필름은 편광판이 아닌 액정 표시 장치.
4. The method of claim 3,
Further comprising an optical film attached to the outermost side of the upper display panel or the lowermost side of the lower display panel,
Wherein the optical film is not a polarizer.
제3항에서,
상기 백라이트 유닛은 상기 광원에서 제공된 빛을 상기 하부 표시판으로 전달시키는 도광판 및 반사 시트를 더 포함하는 액정 표시 장치.
4. The method of claim 3,
Wherein the backlight unit further comprises a light guide plate and a reflective sheet for transmitting the light provided from the light source to the lower display panel.
제17항에서,
상기 도광판의 하부면에는 돌기 패턴이 형성되어 있는 액정 표시 장치.
The method of claim 17,
And a protrusion pattern is formed on a lower surface of the light guide plate.
제17항에서,
상기 도광판의 상부에는 프리즘 패턴을 가지는 프리즘 시트를 더 포함하는 액정 표시 장치.
The method of claim 17,
And a prism sheet having a prism pattern on an upper portion of the light guide plate.
제3항에서,
상기 광원은 자외선 또는 청색 광을 제공하는 액정 표시 장치.
4. The method of claim 3,
Wherein the light source provides ultraviolet light or blue light.
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