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KR101949542B1 - Methods and systems for producing silane - Google Patents

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KR101949542B1
KR101949542B1 KR1020137019441A KR20137019441A KR101949542B1 KR 101949542 B1 KR101949542 B1 KR 101949542B1 KR 1020137019441 A KR1020137019441 A KR 1020137019441A KR 20137019441 A KR20137019441 A KR 20137019441A KR 101949542 B1 KR101949542 B1 KR 101949542B1
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Abstract

반응성 성분을 재생시키기 위해 전기분해를 사용하는 실란의 제조 방법 및 시스템이 기재되어 있다. 상기 방법 및 시스템은 할로겐, 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속 및/또는 수소에 대하여 실질적으로 폐루프일 수 있다.Methods and systems for the preparation of silanes using electrolysis to regenerate reactive components are described. The method and system may be substantially closed loop with respect to halogens, alkali metals or alkaline earth metals and / or hydrogen.

Description

실란의 제조 방법 및 시스템 {METHODS AND SYSTEMS FOR PRODUCING SILANE}METHODS AND SYSTEMS FOR PRODUCING SILANE FIELD OF THE INVENTION [0001]

본 개시내용의 분야는 실란의 제조 방법, 특히 반응성 성분을 재생시키기 위해 전기분해의 사용을 포함하는 방법에 관한 것이다. 일부 특정 실시양태는 실란의 제조가 할로겐 및/또는 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속에 대하여 실질적으로 "폐루프(closed-loop)"인 방법에 관한 것이다.Field of the present disclosure relates to methods of making silanes, and in particular to methods involving the use of electrolysis to regenerate reactive components. Some specific embodiments relate to a process wherein the preparation of the silane is substantially " closed-loop " with respect to halogens and / or alkali metals or alkaline earth metals.

실란은 수많은 공업적 용도를 갖는 다목적 화합물이다. 반도체 산업에서, 실란은 반도체 웨이퍼 상에 에피택셜(epitaxial) 실리콘 층의 퇴적 및 다결정질 실리콘의 제조를 위해 이용될 수 있다. 다결정질 실리콘은 유동상(fluidized bed) 반응기에서의 실란의 실리콘 입자상으로 열분해에 의해 제조될 수 있는, 예를 들어 집적 회로 및 광전지 (즉, 태양 전지)를 비롯한 여러 상품의 제조에 사용되는 필수적인 원료이다.Silanes are multipurpose compounds with numerous industrial applications. In the semiconductor industry, silanes can be used for deposition of epitaxial silicon layers on semiconductor wafers and for the production of polycrystalline silicon. Polycrystalline silicon is an essential raw material that is used in the manufacture of various products, for example, integrated circuits and photovoltaic cells (i.e., solar cells), which can be produced by pyrolysis on silicon particles of silane in a fluidized bed reactor to be.

실란은 모든 관련있고 부합되는 목적을 위해 본원에 참고로 포함되는 미국 특허 제4,632,816호에 개시된 바와 같이, 실리콘 테트라플루오라이드와, 나트륨 알루미늄 테트라하이드라이드와 같은 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속 알루미늄 하이드라이드의 반응에 의해 제조할 수 있다. 상기 방법은 고에너지 효율을 특징으로 하지만; 출발 물질 비용이 이러한 시스템의 경제에 불리하게 영향을 줄 수 있다.Silanes can be prepared by reacting silicon tetrafluoride with an alkali metal or alkaline earth metal aluminum hydride such as sodium aluminum tetrahydride, as disclosed in U.S. Patent No. 4,632,816, which is incorporated herein by reference for all relevant and consistent purposes. . ≪ / RTI > The method is characterized by high energy efficiency; The cost of starting materials can adversely affect the economy of this system.

별법으로, 실란은 모든 관련있고 부합되는 목적을 위해 본원에 포함되는 문헌 [Mueller et al. in "Development and Economic Evaluation of a Reactive Distillation Process for Silane Production," Distillation and Adsorption: Integrated Processes, 2002]에 개시된 바와 같이, 야금용 실리콘이 수소 및 실리콘 테트라클로라이드와 반응하여 트리클로로실란을 생성하는 소위 "유니언 카바이드 공정(Union Carbide Process)"으로 제조할 수 있다. 트리클로로실란은 후속적으로 일련의 불균화 및 증류 단계를 거쳐 실란 최종 생성물을 제조한다. 상기 방법은 초기 설비 비용 뿐만 아니라, 운전 비용을 증가시키는 다수의 대량 재순환 스트림을 필요로 한다.Alternatively, the silane can be used for all related and consistent purposes, as described in Mueller et al. quot ;, which is a so-called " process " in which the silicon for metallurgy reacts with hydrogen and silicon tetrachloride to form trichlorosilane, as disclosed in " Development and Economic Evaluation of a Reactive Distillation Process for Silane Production, Quot; Union Carbide Process ". The trichlorosilane subsequently undergoes a series of disproportionation and distillation steps to produce the silane end product. The method requires a large number of mass recycle streams to increase operating costs as well as initial equipment costs.

따라서, 실란을 제조하기 위한 경제적인 방법 및 제조 방법에서 사용되는 특정 물질에 대하여 폐루프인 방법이 계속해서 요구되고 있다. 또한, 실질적인 폐루프 시스템을 포함하는 그러한 방법을 수행하기 위한 시스템도 요구되고 있다.Thus, there is a continuing need for economical methods for producing silanes and for methods that are closed-loop for certain materials used in the manufacturing process. There is also a need for a system for performing such a method that includes a substantially closed loop system.

본 개시내용의 한 측면은 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속 할라이드 염 공급원으로부터 실란을 제조하는 방법에 관한 것이다. 상기 방법은 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속 할라이드 염이 전기분해되어 금속성 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속 및 할로겐 가스를 생성하는 것을 포함한다. 금속성 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속은 수소와 접촉하여 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속 하이드라이드를 생성한다. 실리콘 테트라할라이드, 트리할로실란, 디할로실란 및 모노할로실란으로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상의 할로실란을 함유하는 할로겐화된 실리콘 공급물 가스가 할로겐 가스와 (1) 실리콘 테트라할라이드를 생성하는 실리콘 및 (2) 할로겐화 수소를 생성하는 수소 중 1종 이상의 접촉에 의해 생성되고, 여기서 할로겐화 수소는 실리콘과 추가로 접촉하여 실리콘 테트라할라이드 및 트리할로실란을 함유하는 혼합물을 생성한다. 할로겐화된 공급물 가스는 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속 하이드라이드와 접촉하여 실란 및 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속 할라이드 염을 생성한다.One aspect of the disclosure is directed to a process for preparing a silane from an alkali metal or alkaline earth metal halide salt source. The method comprises electrolysis of an alkali metal or alkaline earth metal halide salt to produce a metallic alkali or alkaline earth metal and a halogen gas. The metallic alkali metal or alkaline earth metal is contacted with hydrogen to produce an alkali metal or alkaline earth metal hydride. A halogenated silicon feed gas containing at least one halosilane selected from the group consisting of silicon tetra halide, trihalosilane, dihalosilane and monohalosilane is reacted with a halogen gas and (1) silicon to produce silicon tetra halide And (2) hydrogen generating hydrogen halide, wherein hydrogen halide is further contacted with silicon to produce a mixture containing silicon tetra halide and trihalosilane. The halogenated feed gas is contacted with an alkali metal or alkaline earth metal hydride to produce a silane and an alkali metal or alkaline earth metal halide salt.

본 개시내용의 또 다른 측면은 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속에 대한 실질적인 폐루프 시스템에서의 실란의 제조 방법에 관한 것이다. 할로겐화된 실리콘 공급물 가스는 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속 하이드라이드와 접촉하여 실란 및 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속 할라이드 염을 생성한다. 할라이드 염은 전기분해되어 금속성 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속 및 할로겐 가스를 생성한다. 금속성 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속은 수소와 접촉하여 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속 하이드라이드를 생성한다. 금속성 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속 및 수소의 접촉에 의해 생성된 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속 하이드라이드는 할로겐화된 실리콘 공급물 가스와 접촉하여 실란 및 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속 할라이드 염을 생성한다.Another aspect of the disclosure is directed to a method of making a silane in a substantially closed loop system for an alkali metal or alkaline earth metal. The halogenated silicon feed gas is contacted with an alkali metal or alkaline earth metal hydride to produce a silane and an alkali metal or alkaline earth metal halide salt. Halide salts are electrolyzed to produce metallic alkaline or alkaline earth metals and halogen gases. The metallic alkali metal or alkaline earth metal is contacted with hydrogen to produce an alkali metal or alkaline earth metal hydride. The alkali metal or alkaline earth metal hydride produced by the contacting of the metallic alkali or alkaline earth metal and hydrogen is contacted with a halogenated silicon feed gas to produce a silane and an alkali metal or alkaline earth metal halide salt.

본 개시내용의 또 다른 측면은 할로겐에 대한 실질적인 폐루프 시스템에서의 실란의 제조 방법에 관한 것이다. 실리콘 테트라할라이드, 트리할로실란, 디할로실란 및 모노할로실란으로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상의 할로실란을 함유하는 할로겐화된 실리콘 공급물 가스는 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속 하이드라이드와 접촉하여 실란 및 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속 할라이드 염을 생성한다. 할라이드 염은 전기분해되어 금속성 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속 및 할로겐 가스를 생성한다. 실리콘 테트라할라이드, 트리할로실란, 디할로실란 및 모노할로실란으로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상의 할로실란을 함유하는 할로겐화된 실리콘 공급물 가스가 할로겐 가스와 (1) 실리콘 테트라할라이드를 생성하는 실리콘 및 (2) 할로겐화 수소를 생성하는 수소 중 1종 이상의 접촉에 의해 생성되고, 여기서 할로겐화 수소는 실리콘과 추가로 접촉하여 실리콘 테트라할라이드 및 트리할로실란을 포함하는 혼합물을 생성한다. 할로겐화된 실리콘 공급물 가스는 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속 하이드라이드와 접촉하여 실란 및 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속 할라이드 염을 생성한다.Another aspect of the disclosure is directed to a method of making a silane in a substantially closed loop system for a halogen. A halogenated silicon feed gas containing at least one halosilane selected from the group consisting of silicon tetra halides, trihalosilanes, dihalosilanes and monohalosilanes is contacted with an alkali metal or alkaline earth metal hydride to form silane and alkali Metal or alkaline earth metal halide salt. Halide salts are electrolyzed to produce metallic alkaline or alkaline earth metals and halogen gases. A halogenated silicon feed gas containing at least one halosilane selected from the group consisting of silicon tetra halide, trihalosilane, dihalosilane and monohalosilane is reacted with a halogen gas and (1) silicon to produce silicon tetra halide And (2) hydrogen generating hydrogen halide, wherein hydrogen halide is further contacted with silicon to produce a mixture comprising silicon tetra halide and trihalosilane. The halogenated silicon feed gas is contacted with an alkali metal or alkaline earth metal hydride to produce a silane and an alkali metal or alkaline earth metal halide salt.

본 개시내용의 또 다른 측면에서, 다결정질 실리콘의 폐루프 제조 방법은 실리콘 테트라할라이드, 트리할로실란, 디할로실란 및 모노할로실란으로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상의 할로실란을 함유하는 할로겐화된 실리콘 공급물 가스가 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속 하이드라이드와 접촉하여 실란 및 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속 할라이드 염을 생성하는 것을 포함한다. 실란은 열분해되어 다결정질 실리콘 및 수소를 생성한다. 할라이드 염은 전기분해되어 금속성 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속 및 할로겐 가스를 생성한다. 실리콘 테트라할라이드, 트리할로실란, 디할로실란 및 모노할로실란으로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상의 할로실란을 함유하는 할로겐화된 실리콘 공급물 가스가 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속 할라이드의 전기분해에 의해 생성된 할로겐 가스와 (1) 실리콘 테트라할라이드를 생성하는 실리콘 및 (2) 할로겐화 수소를 생성하는 수소 중 1종 이상의 접촉에 의해 생성되고, 여기서 할로겐화 수소는 실리콘과 추가로 접촉하여 실리콘 테트라할라이드 및 트리할로실란을 함유하는 혼합물을 생성한다. 금속성 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속은 실란의 열분해로부터 생성된 수소와 접촉하여 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속 하이드라이드를 생성한다. 할로겐 가스 또는 할로겐화 수소와 실리콘의 접촉에 의해 생성된 할로겐화된 실리콘 공급물 가스는 금속성 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속과 수소의 접촉에 의해 생성된 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속 하이드라이드와 접촉하여 실란 및 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속 할라이드 염을 생성한다.In yet another aspect of the present disclosure, a method of making a closed loop of polycrystalline silicon includes providing a halogenated < RTI ID = 0.0 > Wherein the silicon feed gas is contacted with an alkali metal or alkaline earth metal hydride to produce a silane and an alkali metal or alkaline earth metal halide salt. The silane is pyrolyzed to produce polycrystalline silicon and hydrogen. Halide salts are electrolyzed to produce metallic alkaline or alkaline earth metals and halogen gases. A halogenated silicon feed gas containing at least one halosilane selected from the group consisting of silicon tetra halides, trihalosilanes, dihalosilanes and monohalosilanes is produced by electrolysis of an alkali metal or alkaline earth metal halide Wherein the hydrogen halide is further contacted with silicon to form a silicon tetra halide and a trihalo halide, wherein the halogen halide is produced by contacting at least one of halogen gas and silicon producing (1) silicon tetra halide and (2) hydrogen generating hydrogen halide, Silane. ≪ / RTI > The metallic alkali metal or alkaline earth metal is contacted with hydrogen generated from pyrolysis of the silane to produce an alkali metal or alkaline earth metal hydride. The halogenated silicon feed gas produced by the contact of a halogen gas or hydrogen halide with silicon is contacted with an alkali metal or alkaline earth metal hydride produced by the contact of a metallic alkali metal or alkaline earth metal with hydrogen to form silane and an alkali metal or alkaline earth metal hydride, To produce a ground metal halide salt.

본 개시내용의 또 다른 측면에서, 실질적인 폐루프 방법으로 실란을 제조하는 시스템은 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속 할라이드 염이 전기분해되어 금속성 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속 및 할로겐 가스를 생성하는 용기를 포함한다. 상기 시스템은 실리콘과 (1) 용기로부터 방출된 할로겐 가스 및 (2) 용기로부터 방출된 할로겐 가스와 수소의 접촉에 의해 생성된 할로겐화 수소 중 1종 이상의 반응에 의해 (1) 실리콘 테트라할라이드 및 (2) 트리할로실란 중 1종 이상을 생성하는 할로겐화 반응기를 포함한다. 상기 시스템은 용기로부터 방출된 금속성 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속과 수소가 반응하여 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속 하이드라이드를 생성하는 하이드라이드 반응기를 포함한다. 상기 시스템은 (1) 실리콘 테트라할라이드 및 (2) 트리할로실란 중 1종 이상이 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속 하이드라이드와 반응하여 실란 및 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속 할라이드 염을 생성하는 실란 반응기를 포함한다.In another aspect of the present disclosure, a system for producing silanes in a substantially closed-loop process includes a vessel in which an alkali metal or alkaline earth metal halide salt is electrolyzed to produce a metallic alkali metal or alkaline earth metal and a halogen gas. The system comprises (1) a silicon tetrahalide and (2) at least one of a silicon tetrahalide and a silicon tetrachloride by reaction of silicon and (1) a halogen gas released from a vessel and (2) ) Trihalosilane. ≪ / RTI > The system comprises a hydride reactor in which hydrogen reacts with the metallic alkali or alkaline earth metal released from the vessel to produce an alkali metal or alkaline earth metal hydride. The system comprises a silane reactor in which at least one of (1) a silicon tetra halide and (2) a trihalosilane reacts with an alkali metal or alkaline earth metal hydride to produce a silane and an alkali metal or alkaline earth metal halide salt.

본 개시내용의 상기에 언급된 측면과 관련하여 명시된 특징이 다양하게 개선된다. 추가 특징이 또한 본 개시내용의 상기에 언급된 측면에 포함될 수 있다. 이러한 개선 및 추가 특징은 개별적으로 또는 임의로 조합되어 존재할 수 있다. 예를 들어, 본 개시내용의 예시된 실시양태 중 어느 하나와 관련하여 하기에 논의된 다양한 특징이 본 개시내용의 상기에 기재된 측면 중 어느 하나에 단독으로 또는 임의로 조합되어 포함될 수 있다.The features specified in connection with the above-mentioned aspects of the present disclosure are variously improved. Additional features may also be included in the above-mentioned aspects of the present disclosure. These improvements and additional features may be present individually or in any combination. For example, various features discussed below in connection with any of the illustrated embodiments of the present disclosure may be included alone or in any combination in any of the aspects described above in this disclosure.

도 1은 본 개시내용의 실시양태에 따른, 할라이드 염의 전기분해를 포함하는 실란 제조 시스템의 개략도이고;
도 2는 할라이드 염의 전기분해에 적합한 다운스 셀(Down's cell)의 단면도이고;
도 3은 실리콘 테트라할라이드 및 트리할로실란을 함유하는 할로겐화된 실리콘 공급물 가스 제조 시스템의 개략도이고;
도 4는 본 개시내용의 실시양태에 따른, 실란을 제조하는 실질적인 폐루프 시스템의 개략도이고;
도 5는 본 개시내용의 실시양태에 따른, 다결정질 실리콘을 제조하는 실질적인 폐루프 시스템의 개략도이다.
상응하는 참조 부호는 도면 전체에서 상응하는 부재를 나타낸다.
1 is a schematic diagram of a silane manufacturing system comprising electrolysis of a halide salt according to an embodiment of the present disclosure;
Figure 2 is a cross-sectional view of a Down's cell suitable for electrolysis of a halide salt;
Figure 3 is a schematic diagram of a halogenated silicon feed gas production system containing silicon tetra halide and trihalosilane;
Figure 4 is a schematic view of a substantially closed loop system for producing silanes, in accordance with an embodiment of the present disclosure;
5 is a schematic diagram of a substantially closed loop system for making polycrystalline silicon, in accordance with an embodiment of the present disclosure;
Corresponding reference characters denote corresponding members throughout the drawings.

본 개시내용의 실시양태의 방법은 실란 제조 방법에서 전기분해를 사용하여 반응성 성분을 재생시킨다. 전기분해는 실란 제조 방법이 임의적으로 시스템에서 사용되는 특정 화합물, 예컨대 할로겐 (예를 들어, 염소) 및/또는 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속 (예를 들어, 나트륨)에 대하여 실질적으로 폐루프 시스템이 되도록 한다. 본원에서 사용된 표현 "실질적으로 폐루프 방법" 또는 "실질적으로 폐루프 시스템"은 그 화합물에 대하여 시스템 또는 방법이 폐루프인 화합물이 불순물로서가 아니라면 시스템 또는 방법으로 회수되지 않고, 또한 불순물로서 시스템에서 유실된 화합물의 양을 보충하는 것 (예를 들어, 보충되는 화합물의 양은 하기에 더욱 자세히 설명된 바와 같이, 시스템 내에서 순환하는 전체의 약 5% 미만임) 이외의 목적으로는 시스템 또는 방법에 공급되지 않는 방법 또는 시스템을 말한다.The method of the present disclosure regenerates the reactive component using electrolysis in a silane manufacturing process. Electrolysis allows the silane manufacturing process to be essentially a closed loop system for certain compounds used in the system, such as halogens (e.g. chlorine) and / or alkali metals or alkaline earth metals (e. G. Sodium) . As used herein, the expression " substantially closed loop method " or " substantially closed loop system " means that for the compound the system or method is not recovered by the system or method unless the compound is a closed loop as an impurity, (E. G., Less than about 5% of the total circulating in the system, as will be described below in more detail, the amount of compound being supplemented) To a system or a system that does not supply it.

본 개시내용의 하나 이상의 실시양태에서, 실란은 금속성 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속 및 할로겐 가스를 생성하는 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속 할라이드 염의 전기분해에 의해 제조된다. 금속성 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속은 수소와 반응하여 하이드라이드를 생성하고, 할로겐 가스는 실리콘 (또한 일부 실시양태에서는, 추가적으로 수소)과 반응하여 실리콘 테트라할라이드 및, 일부 실시양태에서는 트리할로실란을 함유하는 할로겐화된 실리콘 공급물 가스를 생성한다. 공급물 가스는 반응하여 실란 및 할라이드 염을 생성한다. 방법이 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속 및 할로겐 가스 중 1종 이상에 대하여 실질적으로 폐루프인 실시양태에서, 할라이드 염 부산물은 금속성 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속 및 할로겐 가스를 생성하는 할라이드 염의 전기분해에 의해 재순환한다.In one or more embodiments of this disclosure, the silane is produced by electrolysis of an alkali metal or alkaline earth metal halide salt that produces a metallic alkali or alkaline earth metal and a halogen gas. The metallic alkali metal or alkaline earth metal reacts with hydrogen to produce hydride and the halogen gas reacts with silicon (and in some embodiments, additionally hydrogen) to form silicon tetrahalide and, in some embodiments, trihalosilane To produce a halogenated silicon feed gas. The feed gas reacts to produce silanes and halide salts. In embodiments where the process is a substantially closed loop for at least one of the alkali metal or alkaline earth metal and the halogen gas, the halide salt byproduct is recycled by electrolysis of a halide salt that produces a metallic alkali or alkaline earth metal and a halogen gas.

실란을Silane 제조하기 위한 전기분해의 사용 Use of electrolysis to make

여기서 도 1을 참조하면, 할라이드 염 (3)이 용기 (4)에 도입되고, 여기서 할라이드 염이 전기분해되어 할로겐 가스 (예를 들어, Cl2) 및 금속 (예를 들어, 금속성 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속)을 생성한다. 본원에서 사용된 "할라이드 염"은 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속 및 할로겐을 함유한다. 할라이드 염은 MXy의 화학식을 가질 수 있고, 여기서 M은 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속이고, X는 할로겐이고, y는 M이 알칼리 금속일 경우에는 1이고, M이 알칼리 토금속일 경우에는 2이다. 할라이드 염의 (또한 하기에 기재된 특정 실시양태에서는 폐루프 시스템 내에서 재순환하는) 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속은 리튬, 나트륨, 칼륨, 마그네슘, 바륨, 칼슘 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택될 수 있다. 할로겐은 불소, 염소, 브롬, 요오드 및 이들의 혼합물로부터 선택될 수 있다. 염화나트륨의 광범위한 이용가능성과, 염화나트륨이 다른 할라이드 염에 비해 그의 구성 부분 (예를 들어, 클로라이드 가스 및 나트륨 금속)으로 보다 용이하게 분리될 수 있다는 점을 고려하면, 나트륨이 바람직한 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속이고 클로라이드가 바람직한 할로겐이다. 이와 관련하여, 특히 하기에 기재된 바와 같이 실란의 제조 방법 및 시스템이 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속에 대하여 폐루프인 실시양태에서, 임의의 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속이 사용될 수 있고, 또한 임의의 할로겐이 사용될 수 있다는 것을 알아야 한다.Referring now to Figure 1, a halide salt 3 is introduced into a vessel 4, where the halide salt is electrolyzed to form a halide gas (e.g., Cl 2 ) and a metal (e.g., a metallic alkali metal or an alkali Earth metal). As used herein, " halide salts " contain alkali or alkaline earth metals and halogens. The halide salt may have the formula MX y wherein M is an alkali or alkaline earth metal, X is halogen, y is 1 when M is an alkali metal, and 2 when M is an alkaline earth metal. The alkali metal or alkaline earth metal of the halide salt (also recirculated in the closed loop system in certain embodiments described below) may be selected from the group consisting of lithium, sodium, potassium, magnesium, barium, calcium, and mixtures thereof. The halogen may be selected from fluorine, chlorine, bromine, iodine, and mixtures thereof. Considering the wide availability of sodium chloride and the fact that sodium chloride can be more easily separated into its constituent parts (e.g., chloride gas and sodium metal) compared to other halide salts, sodium is the preferred alkali metal or alkaline earth metal Chloride is the preferred halogen. In this regard, it will be appreciated that in embodiments wherein the method and system of making silane are closed loop to alkali metal or alkaline earth metal, as described below, any alkali metal or alkaline earth metal may be used and any halogen may be used .

할라이드 염이 전기분해되는, 한 적합한 용기 (4)는 다운스 셀(Downs cell)이다. 다운스 셀의 예가 도 2에 도시되어 있고, 일반적으로 부호 "20"으로 언급된다. 다운스 셀 (20)은 그 안에 1종 이상의 할라이드 염 (15)을 포함하고 애노드 (anode; 14) 및 캐소드 (cathode; 16)를 함유한다. 애노드 (14)는, 예를 들어 탄소 (예를 들어, 흑연)로 구성될 수 있고, 캐소드 (16)는, 예를 들어 강철 또는 철로 구성될 수 있다. 애노드 (14)에서, 염소 이온이 산화되어 할로겐 가스 (예를 들어, Cl2)를 형성한다. 캐소드 (16)에서, 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속 이온이 환원되어 금속성 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속을 형성한다. 이와 관련하여, 본원에서 사용된 용어 "금속성"은 산화수가 0인 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속을 말하는 것임을 알아야 한다. 형성된 할로겐 가스 및 금속성 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속은 분리기 (19)에 의해 나눠진다. 분리기 (19)는 강철 또는 철로 만들어진 스크린(screen) 또는 거즈(gauze)일 수 있다. 이와 관련하여, 다운스 셀 이외의 전기분해 셀, 예컨대 모든 관련있고 부합되는 목적을 위해 본원에 참고로 포함되는 미국 특허 제5,904,821호에 개시된 전기분해 셀이 사용될 수 있다는 것을 알아야 한다.One suitable vessel 4 in which the halide salt is electrolyzed is a downs cell. An example of a Downsell is shown in FIG. 2 and is generally referred to by the reference numeral " 20 ". The downshell 20 contains therein at least one halide salt 15 and contains an anode 14 and a cathode 16. [ The anode 14 can be made of, for example, carbon (e.g., graphite), and the cathode 16 can be made of, for example, steel or iron. At the anode 14, the chloride ion is oxidized to form a halogen gas (e.g., Cl 2 ). In the cathode 16, alkali metal or alkaline earth metal ions are reduced to form a metallic alkali metal or alkaline earth metal. In this connection, it should be understood that the term " metallic " as used herein refers to an alkali metal or alkaline earth metal with zero oxidation number. The formed halogen gas and the metallic alkali or alkaline earth metal are separated by the separator 19. The separator 19 may be a screen or a gauze made of steel or iron. In this regard, it should be understood that electrolysis cells other than downs cells, such as the electrolysis cells disclosed in U.S. Patent No. 5,904,821, incorporated herein by reference for all relevant and consistent purposes, may be used.

생성된 금속성 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속은 할라이드 염보다 농도가 낮고, 이는 셀에서 그러한 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속이 상승하게 한다. 할로겐 가스 또한 상승하고, 할로겐 가스 (18)와 금속성 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속 (17)이 둘다 다운스 셀로부터 제거된다. 제2 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속 염을 다운스 셀에 첨가하여, 공융 혼합물을 형성하고 전기분해되는 할라이드 염의 융점을 억제(suppress)하여 할라이드 염을 용융시키고/용융시키거나 할라이드 염을 용융된 상태로 유지하는 에너지 비용을 줄일 수 있다. 예를 들어, 염화나트륨이 다운스 셀 (20)에서 전기분해될 경우에, 일정량의 염화칼슘, 염화알루미늄 또는 탄산나트륨을 첨가하여 염화나트륨의 융점을 억제할 수 있다. 예를 들어, 염화나트륨 단독의 융점이 801℃인 것에 반해, 염화칼슘 53.2 몰% 및 염화나트륨 46.8 몰%를 함유하는 혼합물은 494℃의 융점을 가지며, 탄산나트륨 23.1 몰% 및 염화나트륨 76.9 몰%를 함유하는 예시 혼합물은 634℃의 융점을 갖는다. 바람직하게는, 제2 염의 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속은 할라이드 염의 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속과 동일하거나, 할라이드 염의 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속의 환원에 영향을 주지 않도록 할라이드 염의 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속보다 약한 산화제이다.The resulting metallic alkali or alkaline earth metal has a lower concentration than the halide salt, which causes such alkali metal or alkaline earth metal to rise in the cell. The halogen gas also rises and both the halogen gas 18 and the metallic alkali metal or alkaline earth metal 17 are removed from the downsell. A second alkali metal or alkaline earth metal salt is added to the downshell to form a eutectic mixture and suppress the melting point of the electrolyzed halide salt to melt and melt the halide salt or to maintain the halide salt in the molten state Energy costs can be reduced. For example, when sodium chloride is electrolyzed in the downshell 20, a certain amount of calcium chloride, aluminum chloride or sodium carbonate can be added to suppress the melting point of sodium chloride. For example, a mixture containing 53.2 mol% of calcium chloride and 46.8 mol% of sodium chloride has a melting point of 494 DEG C, while the melting point of sodium chloride alone is 801 DEG C, and an exemplary mixture containing 23.1 mol% of sodium carbonate and 76.9 mol% Lt; RTI ID = 0.0 > 634 C. < / RTI > Preferably, the alkali metal or alkaline earth metal of the second salt is the same as or less than the alkali or alkaline earth metal of the halide salt so as not to affect the reduction of the alkali or alkaline earth metal of the halide salt.

다시 도 1을 참조하면, 할로겐 가스 (18)가 할로겐화 반응기 (8)에 도입되고, 여기서 할로겐 가스가 실리콘 (6)과 접촉하여 실리콘 테트라할라이드 (예를 들어, SiCl4)를 함유하는 할로겐화된 공급물 가스 (21)를 생성한다. 상기 반응은 하기와 같이 설명된다.Referring again to FIG. 1, a halogen gas 18 is introduced into the halogenation reactor 8, wherein a halogen gas is contacted with the silicon 6 to form a halogenated supply containing silicon tetra halide (e.g., SiCl 4 ) Water gas 21 is generated. The reaction is described as follows.

Si + 2X2 → SiX4 (1)Si + 2X 2 ? SiX 4 (1)

실리콘 (6)의 공급원은 야금용 실리콘일 수 있지만; 실리콘의 다른 공급원, 예컨대 모래 (즉, SiO2), 석영, 수석, 규조토, 규산염 광물, 플루오로실리케이트 및 이들의 혼합물이 사용될 수 있다는 것을 알아야 한다. 이와 관련하여, 본원에서 사용된 바와 같이, 2종 이상의 반응성 화합물의 "접촉"은 일반적으로 성분의 반응을 초래하고, 용어 "접촉" 및 "반응"은 이들 용어의 파생어인 것처럼 같은 뜻을 가지며, 이들 용어 및 이들의 파생어는 제한적인 의미로 간주되어서는 안된다는 것을 알아야 한다.The source of silicon 6 may be silicon for metallurgy; It should be understood that other sources of silicon may be used, such as sand (i.e., SiO 2 ), quartz, chief, diatomaceous earth, silicate minerals, fluorosilicates, and mixtures thereof. In this regard, as used herein, " contacting " of two or more reactive compounds generally results in the reaction of the components, and the terms " contact " and " reaction " It should be understood that these terms and their derivatives should not be construed as limiting.

실리콘과의 직접 반응에 대한 별법으로서 도 3에 도시된 바와 같이, 할로겐 가스 (18)는 할로겐화 수소 버너(burner) (25) (동의어로 할로겐화 수소 "오븐" 또는 "노(furnace)")에서 수소 (28)와 반응하여 할로겐화 수소 (26; HX)를 형성할 수 있다. 할로겐화 수소 (26)는 할로겐화 반응기 (8)에서 하기에 나타낸 반응에 따라 실리콘 (6)과 반응하여 트리할로실란 및 실리콘 테트라할라이드를 함유하는, 할로겐화된 실리콘 공급물 가스 (21')를 형성할 수 있다.As an alternative to direct reaction with silicon, the halogen gas 18 can be hydrogen halide in the hydrogen halide burner 25 (synonyms hydrogen halide " oven " or " furnace & (HX) by reacting with hydrogen halide (28). The hydrogen halide 26 is reacted with the silicon 6 according to the reaction shown below in the halogenation reactor 8 to form a halogenated silicon feed gas 21 'containing trihalosilane and silicon tetrahalide .

Si + 3HX → SiHX3 + H2 (2) Si + 3HX? SiHX 3 + H 2 (2)

Si + 4HX → SiX4 + 2H2 (3) Si + 4HX → SiX 4 + 2H 2 (3)

할로겐화된 실리콘 공급물 가스 (21') 중의 실리콘 테트라할라이드 대 트리할로실란의 몰비는 달라질 수 있고, 다양한 실시양태에서 약 1:7 내지 약 1:2 또는 약 1:6 내지 약 1:3일 수 있다. 이와 관련하여, 실리콘 (6)과 할로겐화 수소 (26)의 반응은 또한 비제한적으로 일정량의 디할로실란 및/또는 모노할로실란을 생성할 수 있다는 것을 알아야 한다.The molar ratio of the silicon tetrahalide to the trihalosilane in the halogenated silicon feed gas 21 'may be varied, and in various embodiments from about 1: 7 to about 1: 2 or from about 1: 6 to about 1: 3 . In this regard, it should be appreciated that the reaction of silicon 6 with hydrogen halide 26 may also produce an unlimited amount of dihalosilane and / or monohalosilane.

특정 실시양태에서, 할로겐 가스 (18)가 수소 (28)와 반응하여 할로겐화 수소를 형성한 후에 실리콘과 반응하여 트리할로실란 및 실리콘 테트라할라이드를 포함하는 혼합물을 형성하는 것 (도 3)이 실리콘의 직접적인 할로겐화 (도 1)에 비해 바람직한데, 그 이유는 하기 반응 5-6ii에 나타낸 바와 같이 실리콘 테트라할라이드보다 트리할로실란으로부터 실란을 제조하는 것이 하이드라이드를 적게 사용하기 때문이다. 추가로, 직접적인 할로겐화 반응은 할로겐화 수소와 실리콘의 반응보다 높은 온도를 요구할 수 있고 제어하기가 더 어려울 수 있다.In certain embodiments, halogen gas 18 reacts with hydrogen 28 to form hydrogen halide and then reacts with silicon to form a mixture comprising trihalosilane and silicon tetra halide (Figure 3) (Figure 1), because the silane is prepared from the trihalosilane rather than the silicon tetrahalide as shown in the following reaction 5-6ii because it uses less hydride. In addition, direct halogenation reactions may require higher temperatures than the reaction of hydrogen halide with silicon and may be more difficult to control.

수소 (28)의 공급원은 수소 공급물 (31)과 관련하여 하기에 기재된 공급원으로부터 선택될 수 있다. 임의로, 수소 (28)의 공급원은 할로겐화된 공급물 가스 (21')와 함께 재순환하는 수소 또는 할로겐화된 실리콘 공급물 가스 (21')로부터 분리된 수소일 수 있다. 수소는 증기-액체 분리기 (도시되지 않음)의 사용으로 할로겐화된 실리콘 공급물 가스 (21')로부터 분리될 수 있다. 이러한 증기-액체 분리기의 예에는 유입되는 가스의 압력 및/또는 온도가 감소하여, 저비점 가스 (예를 들어, 실리콘 테트라할라이드 및/또는 트리할로실란)가 응축되어 고비점 가스 (예를 들어, 수소)로부터 분리되도록 하는 용기가 포함된다. 적합한 용기에는 당업계에서 일반적으로 "녹아웃 드럼(knock-out drum)"이라 하는 용기가 포함된다. 임의로, 용기는 가스의 분리를 촉진하도록 냉각될 수 있다. 별법으로, 수소는 하나 이상의 증류 컬럼에 의해 분리될 수 있다.The source of hydrogen 28 may be selected from the sources described below with respect to hydrogen feed 31. [ Optionally, the source of hydrogen 28 may be hydrogen separated from the recycled hydrogen or halogenated silicon feed gas 21 'along with the halogenated feed gas 21'. Hydrogen may be separated from the halogenated silicon feed gas 21 'by use of a vapor-liquid separator (not shown). Examples of such vapor-liquid separators include those in which the pressure and / or temperature of the incoming gas is reduced such that a low boiling point gas (e.g., silicon tetra halide and / or trihalosilane) is condensed to form a high boiling point gas (e.g., Hydrogen). ≪ / RTI > Suitable containers include containers commonly referred to in the art as " knock-out drums ". Optionally, the vessel may be cooled to facilitate separation of the gas. Alternatively, the hydrogen may be separated by one or more distillation columns.

도 3에 도시된 바와 같이 할로겐화 수소 버너에서의 수소와 할로겐의 반응 후에, 할로겐화 반응기에서 할로겐화 수소와 실리콘의 반응이 이어지는 것에 대한 별법으로서, 수소 가스, 할로겐 가스 및 실리콘이 한 용기에서 반응하여 트리할로실란 및 실리콘 테트라할라이드를 포함하는 혼합물을 생성할 수 있다. 이와 관련하여, 할로겐화 수소의 제조가 일반적으로 무수성 할로겐화 수소 가스와 관련하여 설명되었지만, 일부 실시양태에서 당업자에게 공지된 방법으로 실리콘과 반응하여 트리할로실란 및 실리콘 테트라할라이드를 포함하는 혼합물을 생성할 수 있는 수성 할로겐화 수소 및 특히 수성 HF가 생성될 수 있다는 것을 알아야 한다. 추가로 이와 관련하여, 할로겐화 수소와 실리콘의 반응 생성물이 트리할로실란 및 실리콘 테트라할라이드를 포함하는 혼합물로서 기재되었지만, 반응 파라미터는 실리콘 테트라할라이드 및 단지 미량의 트리할로실란 (예를 들어, 약 5 부피% 미만 또는 약 1 부피% 미만)을 생성하거나 또는 미량의 실리콘 테트라할라이드 (예를 들어, 약 5 부피% 미만 또는 약 1 부피% 미만)와 함께 트리할로실란을 생성하도록 제어될 수 있다는 것을 알아야 한다.As an alternative to the subsequent reaction of hydrogen halide with silicon in a halogenation reactor after the reaction of hydrogen with halogen in a halogenated hydrogen burner as shown in Figure 3, hydrogen gas, halogen gas and silicon react in one vessel To produce a mixture comprising silane and silicon tetra halide. In this regard, although the preparation of hydrogen halide is generally described in the context of anhydrous hydrogen halide gas, in some embodiments it is reacted with silicon in a manner known to those skilled in the art to produce a mixture comprising trihalosilane and silicon tetrahalide It should be appreciated that aqueous hydrogen halides and especially aqueous HF that can be produced can be produced. Further in this regard, although the reaction product of hydrogen halide and silicon has been described as a mixture comprising trihalosilane and silicon tetra halide, the reaction parameters include silicon tetra halide and only trace amounts of trihalosilane 5 vol% or less than about 1 vol%) or to produce trihalosilanes with minor amounts of silicon tetra halide (e.g., less than about 5 vol% or less than about 1 vol%) You should know.

할로겐화 반응기 (8)는 실리콘이 유입되는 가스 (예를 들어, 할로겐 (18) (도 1) 또는 할로겐화 수소 (26) (도 3))에 부유하는 유동상으로서 작동할 수 있다. 할로겐화 반응기 (8)는, 특히 불소가 할로겐으로서 선택될 경우에 실온 (예를 들어, 약 20℃)에서 작동할 수 있다. 보다 일반적으로, 반응기는 약 20℃ 이상, 약 75℃ 이상, 약 150℃ 이상, 약 250℃ 이상, 약 500℃ 이상, 약 750℃ 이상, 약 1000℃ 이상 또는 약 1150℃ 이상 (예를 들어, 약 20℃ 내지 약 1200℃, 약 250℃ 내지 약 1200℃ 또는 약 500℃ 내지 약 1200℃)의 온도에서 작동할 수 있다. 반응기 (8)는 약 1 bar 이상, 약 3 bar 이상 또는 약 6 bar 이상 (예를 들어, 약 1 bar 내지 약 8 bar 또는 약 3 bar 내지 약 8 bar)의 압력에서 작동할 수 있다.The halogenation reactor 8 can operate as a fluidized bed floating in a gas into which silicon is introduced (e.g., halogen 18 (FIG. 1) or hydrogen halide 26 (FIG. 3)). The halogenation reactor 8 can operate at room temperature (e.g., about 20 캜), particularly when fluorine is selected as the halogen. More generally, the reactor is heated to a temperature of at least about 20 ° C, at least about 75 ° C, at least about 150 ° C, at least about 250 ° C, at least about 500 ° C, at least about 750 ° C, About < RTI ID = 0.0 > 20 C < / RTI > to about 1200 C, from about 250 C to about 1200 C, or from about 500 C to about 1200 C). Reactor 8 can operate at pressures greater than about 1 bar, greater than about 3 bar, or greater than about 6 bar (e.g., from about 1 bar to about 8 bar or from about 3 bar to about 8 bar).

이와 관련하여, 도 1에 도시된 할로겐화된 실리콘 공급물 스트림 (21) 및 도 3에 도시된 할로겐화된 실리콘 공급물 스트림 (21')은 실리콘 테트라할라이드 또는 트리할로실란 이외의 할로실란, 예컨대 일정량의 모노할로실란 및/또는 디할로실란을 함유할 수 있다는 것을 알아야 한다. 추가로, 할로겐화된 실리콘 공급물 스트림 (21) 또는 할로겐화된 실리콘 공급물 스트림 (21')은 불균화 시스템 (도시되지 않음)에 도입되어 일정량의 트리할로실란, 디할로실란 및/또는 모노할로실란을 생성할 수 있다. 본원에서 사용된 "할로겐화된 실리콘 공급물 가스"는 임의의 양의 1종 이상의 할로실란 (즉, 실리콘 테트라할라이드, 트리할로실란, 디할로실란 또는 모노할로실란)을 함유하는 임의의 가스를 포함하고, 불균화 시스템에 도입되지 않은 가스 및 불균화 시스템에 도입된 가스를 둘다 포함한다는 것을 알아야 한다.In this regard, the halogenated silicon feed stream 21 shown in FIG. 1 and the halogenated silicon feed stream 21 'shown in FIG. 3 may be a halosilane other than silicon tetra halide or trihalosilane, By weight of monohalosilane and / or dihalosilane. In addition, the halogenated silicon feed stream 21 or the halogenated silicon feed stream 21 'may be introduced into a disproportionation system (not shown) to produce a quantity of trihalosilane, dihalosilane and / To produce silane. As used herein, " halogenated silicon feed gas " includes any gas containing any amount of at least one halosilane (i.e., silicon tetrahalide, trihalosilane, dihalosilane, or monohalosilane) And includes both gases that have not been introduced into the disproportionation system and gases that have been introduced into the disproportionation system.

다시 도 1을 참조하면, 할로겐화된 실리콘 공급물 스트림 (21) (또는 도 3에서처럼 할로겐화된 실리콘 공급물 스트림 (21'))이 실란 반응기 (30)에 도입되어 실란 (35)을 제조한다. 실란 반응기 (30)에 도입되기 전에, 할로겐화된 실리콘 공급물 가스 (21) (또는 실리콘 테트라할라이드와 트리할로실란을 둘다 함유하는 공급물 가스 (21'))는 불순물, 예컨대 알루미늄 할라이드 또는 철 할라이드 (예를 들어, 할라이드가 염소일 경우에는 AlCl3 및/또는 FeCl3) 및/또는 실리콘 중합체 (예를 들어, 할라이드가 염소일 경우에는 SinClm 중합체)를 제거하기 위해 정제될 수 있다. 이러한 불순물은 가스를 냉각시켜 불순물을 시스템으로부터 석출시킴으로써 제거할 수 있다. 석출된 불순물은 가스를 미립자 분리기, 예컨대 백 필터(bag filter) 또는 사이클론 분리기(cyclonic separator)로 도입함으로써 제거할 수 있다. 불순물 (예를 들어, 금속 할라이드 및/또는 실리콘 중합체)을 석출시키기 위해, 할로겐화된 실리콘 공급물 가스 (21) (또는 실리콘 테트라할라이드 및/또는 트리할로실란 혼합물 (21'))는 약 200℃ 미만, 또는 다른 실시양태에서처럼 약 175℃ 미만, 약 150℃ 미만 또는 약 125℃ 미만 (예를 들어, 약 100℃ 내지 약 200℃ 또는 약 125℃ 내지 약 175℃)의 온도로 냉각될 수 있다. 가스는 열교환 장치 및/또는 냉각 장치에서 냉각수 또는 냉각 오일과 열교환함으로써 냉각될 수 있다. 불순물 제거 후에, 할로겐화된 실리콘 공급물 가스 (21) (또는 실리콘 테트라할라이드 및/또는 트리할로실란 혼합물 (21'))는 10 부피% 미만의 불순물 (즉, 할로실란 이외의 화합물) 또는 약 5 부피% 미만, 약 1 부피% 미만, 약 0.1 부피% 미만 또는 약 0.01 부피% 미만의 불순물 (예를 들어, 0.001 부피% 내지 약 10 부피% 또는 약 0.001 부피% 내지 약 1 부피%)을 함유할 수 있다.Referring again to FIG. 1, a halogenated silicon feed stream 21 (or a halogenated silicon feed stream 21 'as in FIG. 3) is introduced into the silane reactor 30 to produce silane 35. Before being introduced to the silane reactor 30, the halogenated silicon feed gas 21 (or the feed gas 21 'containing both the silicon tetra halide and the trihalosilane) may contain impurities such as aluminum halide or iron halide (For example, AlCl 3 and / or FeCl 3 if the halide is chlorine) and / or silicon polymer (eg, Si n Cl m polymer if the halide is chlorine). These impurities can be removed by cooling the gas to precipitate impurities from the system. The precipitated impurities can be removed by introducing the gas into a particulate separator, such as a bag filter or a cyclonic separator. The halogenated silicon feed gas 21 (or the silicon tetra halide and / or trihalosilane mixture 21 ') is heated to about 200 < 0 > C to precipitate impurities (e.g., metal halide and / Or less than about 125 占 폚 (e.g., from about 100 占 폚 to about 200 占 폚 or from about 125 占 폚 to about 175 占 폚) as in other embodiments. The gas may be cooled by heat exchange with cooling water or cooling oil in the heat exchanger and / or the cooling device. After the impurity removal, the halogenated silicon feed gas 21 (or the silicon tetra halide and / or trihalosilane mixture 21 ') may contain less than 10 vol% impurities (i.e., compounds other than halosilanes) (For example, from 0.001% by volume to about 10% by volume or from about 0.001% by volume to about 1% by volume) of impurities (for example, less than about 1% by volume, less than about 1% by volume, less than about 0.1% .

전기분해 생성물로서 생성된 금속성 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속 (17)은 하이드라이드 반응기 (9)에 도입된다. 일정량의 수소 (31)가 또한 하이드라이드 반응기 (9)에 도입된다. 금속성 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속과 수소 사이의 반응은 하기 반응으로 나타낸 바와 같이 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속 하이드라이드 (32)를 생성한다.The metallic alkali or alkaline earth metal 17 produced as the electrolysis product is introduced into the hydride reactor 9. A certain amount of hydrogen (31) is also introduced into the hydride reactor (9). The reaction between a metallic alkali metal or alkaline earth metal and hydrogen produces an alkali metal or alkaline earth metal hydride (32) as shown by the following reaction.

(2/y)M + H2 → (2/y)MHy (4)(2 / y) M + H 2 ? (2 / y) MH y (4)

상기 반응식에서, y는 M이 알칼리 금속일 경우에는 1이고, M이 알칼리 토금속일 경우에는 2이다. 예를 들어, M이 Na일 경우에는 반응이 하기와 같이 진행된다.In the above reaction formula, y is 1 when M is an alkali metal and 2 when M is an alkaline earth metal. For example, when M is Na, the reaction proceeds as follows.

2Na + H2 → 2NaH (4i) 2Na + H 2 → 2NaH (4i )

M이 Ca일 경우에는, 반응이 하기와 같이 진행된다.When M is Ca, the reaction proceeds as follows.

Ca + H2 → CaH2 (4ii)Ca + H 2 ? CaH 2 (4ii)

반응 4는 하이드라이드 반응기 (9)에서 용매의 존재하에 발생할 수 있다. 적합한 용매에는 다양한 탄화수소 화합물, 예컨대 톨루엔, 디메틸 에테르, 디글림(diglyme) 및 NaAlCl4와 같은 이온성 액체가 포함된다. NaAlCl4가 사용되는 실시양태에서, 하이드라이드 반응기 (9)는 전극을 포함할 수 있다. 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속 하이드라이드의 공급량이 고갈되면, 나트륨 (NaAlCl4로부터의 일정량의 Na 포함)과 H2가 반응하도록 전극에 에너지가 공급되고 하이드라이드 화합물을 재생시킬 수 있다. NaAlCl4가 용매로서 사용되는 실시양태에서, 다른 이온성 화합물이 첨가되어 공융 혼합물을 형성할 수 있고, 이는 모든 관련있고 부합되는 목적을 위해 본원에 포함되는 미국 특허 제6,482,381호에 개시되어 있다.Reaction 4 can occur in the presence of a solvent in the hydride reactor (9). Suitable solvents include various hydrocarbon compounds such as toluene, dimethyl ether, diglyme and ionic liquids such as NaAlCl 4 . NaAlCl In embodiments wherein 4 is used, the hydride reactor 9 can contain an electrode. When the supply of alkali metal or alkaline earth metal hydride is depleted, the electrode is energized and hydride compounds can be regenerated so that H 2 reacts with sodium (including a certain amount of Na from NaAlCl 4 ). In embodiments where NaAlCl 4 is used as a solvent, other ionic compounds may be added to form a eutectic mixture, as disclosed in U.S. Patent No. 6,482,381, which is incorporated herein by reference for all related and consistent purposes.

하이드라이드 반응기 (9)는 교반형 탱크 반응기일 수 있고, 여기에 일정량의 용매 (도시되지 않음) 및 금속성 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속 (17)이 첨가된다. 수소 (31)는 반응 혼합물을 통해 기포를 형성하여 배치식(batch) 또는 반연속식 또는 연속식 공정으로 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속 하이드라이드 (32)를 형성할 수 있다. 수소 (31)의 적합한 공급원은 시판되는 수소 또는 다른 공정 스트림으로부터 수득된 수소를 포함한다. 예를 들어, 수소는 할로겐화 수소가 실리콘과 반응하는 실시양태에서 트리할로실란 및 실리콘 테트라할라이드 혼합물 (21')로부터 분리될 수 있다 (예를 들어, 상기에 기재된 증기-액체 분리기). 선택적으로 또는 추가적으로, 다결정질 실리콘의 하류 제조 동안에 실란으로부터 방출된 수소가 사용될 수 있다. 반응기 (9)에 첨가되는 용매, 수소 (31) 및 금속성 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속 (17)의 양은 반응기 (9)에서의 하이드라이드 대 용매 양의 중량비가 약 1:20 이상, 또한 다른 실시양태에서는 약 1:10 이상, 약 1:5 이상, 약 1:3 이상, 약 2:3 이상 또는 약 1:1 이상 (예를 들어, 약 1:20 내지 약 1:1 또는 약 1:10 내지 약 2:3)일 수 있도록 선택될 수 있다.The hydride reactor 9 can be a stirred tank reactor, to which a quantity of solvent (not shown) and a metallic alkali or alkaline earth metal 17 are added. Hydrogen 31 may form bubbles through the reaction mixture to form an alkali metal or alkaline earth metal hydride 32 in a batch or semi-continuous or continuous process. Suitable sources of hydrogen 31 include commercially available hydrogen or hydrogen obtained from another process stream. For example, hydrogen can be separated from the trihalosilane and silicon tetrahalide mixture 21 'in embodiments where hydrogen halide is reacted with silicon (e.g., the vapor-liquid separator described above). Optionally or additionally, hydrogen released from the silane during the downstream production of polycrystalline silicon may be used. The amount of solvent, hydrogen (31) and metallic alkali metal or alkaline earth metal (17) added to the reactor (9) is such that the weight ratio of hydride to solvent in reactor (9) is at least about 1:20, About 1: 10 or more, about 1: 5 or more, about 1: 3 or more, about 2: 3 or more, or about 1: 1 or more (for example, about 1:20 to about 1: 2: 3).

하나 이상의 실시양태에서, 반응기 (9)에서의 반응 혼합물은, 예를 들어 하나 이상의 임펠러(impeller)를 갖는 하나 이상의 비교적 고속 교반 혼합기를 사용하여 잘 혼합된다. 비교적 고속 교반은 수소 용해 속도를 최대화하도록 수소가 반응 혼합물 전체에 잘 분산되도록 하고, 또한 액체 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속이 용해된 수소와의 반응에 연속적으로 이용가능하도록 임의의 고체 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속 하이드라이드를 금속성 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속으로부터 전단한다(shear). 이와 관련하여 특정 이론에 구애됨이 없이, 하이드라이드 반응기에서의 물질 전달은 액체 횡방향 저항에 좌우되고, 부피측정(volumetric) 가스-액체 물질 전달 계수 (KLaG)는 약 100 내지 약 1000000 s-1, 보다 전형적으로는 약 1,000 내지 약 10,000 s-1인 것으로 예상된다. 특정 부피측정 가스-액체 물질 전달 계수 (KLaG)는 반응기 (9)에서 사용하기 위해 선택된 특정 하이드라이드 및 용매에 따라 달라질 수 있다는 것을 주목해야 한다. 상기 값은 당업자라면 공지된 방법론에 따라 용이하게 결정할 수 있다 (예를 들어, 시간의 함수로서 수소 이용량 측정).In one or more embodiments, the reaction mixture in reactor 9 is mixed well using, for example, one or more relatively high-speed agitating mixers having one or more impellers. The relatively high rate of agitation is such that hydrogen is well dispersed throughout the reaction mixture to maximize the rate of dissolution of the hydrogen and any solid alkali or alkaline earth metal hydrogens such that the liquid alkali or alkaline earth metal is continuously available for reaction with the dissolved hydrogen The rides are sheared from metallic alkaline or alkaline earth metals. In this regard, without being bound by any particular theory, the mass transfer in the hydride reactor is dependent on the liquid transverse resistance and the volumetric gas-liquid mass transfer coefficient (K L a G ) is in the range of about 100 to about 1000000 s -1 , more typically from about 1,000 to about 10,000 s -1 . It should be noted that the specific volumetric gas-liquid mass transfer coefficient (K L a G ) may vary depending on the particular hydride and solvent selected for use in reactor (9). The value can be readily determined by one of ordinary skill in the art according to known methodologies (e. G., The measurement of hydrogen utilization as a function of time).

본 개시내용의 다수의 실시양태에서, 하이드라이드 반응기 (9)는 고압 조건, 예컨대 약 50 bar 이상, 약 125 bar 이상, 약 200 bar 이상, 약 275 bar 이상 또는 약 350 bar 이상 (예를 들어, 약 50 bar 내지 약 350 bar 또는 약 50 bar 내지 약 200 bar)의 압력하에 작동한다. 하이드라이드 반응기 (9)는 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속 할라이드의 열분해보다 낮은 온도, 예컨대 약 160℃ 미만, 약 145℃ 미만 또는 약 130℃ 미만 (예를 들어, 약 120℃ 내지 약 160℃)의 온도에서 작동할 수 있다.In many embodiments of the present disclosure, the hydride reactor 9 is operated under high pressure conditions, such as at least about 50 bar, at least about 125 bar, at least about 200 bar, at least about 275 bar, From about 50 bar to about 350 bar or from about 50 bar to about 200 bar). The hydride reactor 9 is operated at a temperature lower than the thermal decomposition of the alkali metal or alkaline earth metal halide, such as below about 160 占 폚, below about 145 占 폚, or below about 130 占 폚 (e.g., about 120 占 폚 to about 160 占 폚) Can operate.

알칼리 금속 또는 알칼리 토금속 하이드라이드 (32)는 전형적으로 유기 용매에서 고체이다. 용매에 현탁된 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속 하이드라이드 (32)를 함유하는 슬러리가 실란 반응기 (30)에 도입되어 실란 (35)을 제조할 수 있다. 이와 관련하여, 본 개시내용의 다른 특정 실시양태에서, 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속 하이드라이드 (32)가 보다 소량의 용매를 함유하는 고체 또는 케이크(caked) 고체로서 실란 반응기 (30)에 도입될 수 있다는 것을 알아야 한다. 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속은 원심분리 또는 여과 또는 당업자가 이용가능한 임의의 다른 적합한 방법으로 용매로부터 분리될 수 있다. 이와 관련하여, 유기 용매 이외의 용매 (예를 들어, NaAlCl4)가 비제한적으로 사용될 수 있다는 것을 알아야 한다.The alkali metal or alkaline earth metal hydride (32) is typically a solid in an organic solvent. A slurry containing an alkali metal or alkaline earth metal hydride (32) suspended in a solvent may be introduced into the silane reactor (30) to produce the silane (35). In this regard, in another particular embodiment of the present disclosure, an alkali metal or alkaline earth metal hydride (32) can be introduced into the silane reactor (30) as a solid or caked solid containing a smaller amount of solvent You should know. The alkali metal or alkaline earth metal can be separated from the solvent by centrifugation or filtration or any other suitable method available to those skilled in the art. In this regard, it should be understood that solvents other than organic solvents (e.g., NaAlCl 4 ) may be used without limitation.

상기에 기재된 바와 같이, 할로겐화된 실리콘 공급물 가스 (21) (또는 도 3에서처럼 실리콘 테트라할라이드 및 트리할로실란을 포함하는 혼합물 (21'))로부터의 실리콘 테트라할라이드 및 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속 하이드라이드 (32)가 실란 반응기 (30)에 도입되어 하기에 나타낸 반응에 따라 실란 (35) 및 할라이드 염 (37)을 생성한다.As described above, the silicon tetra halide and the alkali metal or alkaline earth metal hydride from the halogenated silicon feed gas 21 (or the mixture 21 'comprising silicon tetra halide and trihalosilane as in FIG. 3) (32) is introduced into the silane reactor (30) to produce silane (35) and halide salt (37) according to the reaction shown below.

(4/y)MHy + SiX4 → (4/y)MXy + SiH4 (5)(4 / y) MH y + SiX 4 ? (4 / y) MX y + SiH 4 (5)

3MHy + ySiHX3 → 3MXy + ySiH4 (6) 3MH y + ySiHX 3 → 3MX y + ySiH 4 (6)

상기 반응식에서, y는 M이 알칼리 금속일 경우에는 1이고, M이 알칼리 토금속일 경우에는 2이다. 예를 들어, M이 Na이고 X가 Cl일 경우에는, 반응이 하기와 같이 진행된다.In the above reaction formula, y is 1 when M is an alkali metal and 2 when M is an alkaline earth metal. For example, when M is Na and X is Cl, the reaction proceeds as follows.

4NaH + SiCl4 → 4NaCl + SiH4 (5i) 4NaH + SiCl 4 → 4NaCl + SiH 4 (5i)

3NaH + SiHCl3 → 3NaCl + SiH4 (6i)3NaH + SiHCl 3 ? 3NaCl + SiH 4 (6i)

M이 Ba이고 X가 Cl일 경우에는, 반응이 하기와 같이 진행된다.When M is Ba and X is Cl, the reaction proceeds as follows.

2BaH2 + SiCl4 → 2BaCl2 + SiH4 (5ii)2BaH 2 + SiCl 4 ? 2BaCl 2 + SiH 4 (5ii)

3BaH2 + 2SiHCl3 → 3BaCl2 + 2SiH4 (6ii)3BaH 2 + 2SiHCl 3 ? 3BaCl 2 + 2SiH 4 (6ii)

실란 반응기 (30)는 교반형 탱크 반응기 (예를 들어, 임펠러 교반형)일 수 있다. 반응기 (30)에 첨가되는 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속 하이드라이드 (32)는 그것이 생성된 (예를 들어, 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속과 수소의 반응에 의해) 일정량의 용매 (예를 들어, 톨루엔)에 현탁될 수 있다. 실리콘 테트라할라이드 및/또는 트리할로실란 (31)은 하이드라이드 슬러리를 통해, 또한 바람직하게는 역류 관계로 기포를 형성할 수 있다. 반응기 (30)에 첨가되는 하이드라이드 (32) 대 반응기에 첨가되는 용매 양의 중량비는 약 1:20 이상, 또한 다른 실시양태에서는 약 1:10 이상 또는 약 1:5 이상 (예를 들어, 약 1:20 내지 약 1:5 또는 약 1:20 내지 약 2:10)일 수 있다. 할로겐화된 실리콘 공급물 가스 (21) (도 1)로부터의 실리콘 테트라할라이드 또는 할로겐화된 실리콘 공급물 가스 (21') (도 3)로부터의 실리콘 테트라할라이드 및 트리할로실란은 하이드라이드 (32)에 대한 실질적인 화학량론적 비율로 첨가될 수 있고, 그러한 몰비는 상기 반응 5 내지 6ii에 나타나 있다.The silane reactor 30 may be a stirred tank reactor (e.g., an impeller agitation type). The alkali or alkaline earth metal hydride 32 added to the reactor 30 is suspended in a certain amount of solvent (e.g., toluene) (e.g., by reaction of the alkali metal or alkaline earth metal with hydrogen) . The silicon tetra halide and / or trihalosilane (31) may form bubbles through the hydride slurry, and preferably in a countercurrent relationship. The weight ratio of hydride (32) added to the reactor (30) to the amount of solvent added to the reactor is at least about 1:20, and in yet another embodiment at least about 1:10 or at least about 1: 5 1: 20 to about 1: 5 or about 1: 20 to about 2: 10). The silicon tetra halide and the trihalosilane from the silicon tetra halide or halogenated silicon feed gas 21 '(FIG. 3) from the halogenated silicon feed gas 21 (FIG. 1) are added to the hydride 32 Can be added at substantial stoichiometric ratios, and such molar ratios are shown in reactions 5 to 6ii above.

일정량의 촉매, 예컨대 트리에틸 알루미늄, 다양한 루이스산 또는 미량 알칼리 금속 (예를 들어, 금속 클로라이드와 같은 불순물 루이스산)이 반응기 (30)에 첨가될 수 있다. 이러한 촉매는 반응 5 및 6이 충분한 전환을 달성하는 온도를 낮추고 시스템으로의 입열량을 감소시킬 수 있다. 촉매가 사용되지 않는 실시양태에서, 반응기 (30)는 약 120℃ 이상 (예를 들어, 약 120℃ 내지 약 225℃ 또는 약 140℃ 내지 약 200℃)의 온도에서 작동할 수 있지만; 촉매가 사용되는 실시양태에서는 반응기 (30)가 약 30℃ 이상 (예를 들어, 약 30℃ 내지 약 125℃, 약 40℃ 내지 약 100℃ 또는 약 40℃ 내지 약 80℃)의 비교적 저온에서 작동할 수 있다. 반응기 (30)에 첨가된 물질의 평균 체류 시간은 약 5분 내지 약 60분일 수 있다.A certain amount of a catalyst such as triethylaluminum, various Lewis acids or trace alkali metals (e.g., impurity Lewis acids such as metal chlorides) may be added to the reactor 30. These catalysts can lower the temperature at which reactions 5 and 6 achieve sufficient conversion and reduce the amount of heat input into the system. In embodiments where the catalyst is not used, the reactor 30 may operate at a temperature of about 120 캜 or higher (e.g., about 120 캜 to about 225 캜 or about 140 캜 to about 200 캜); In embodiments wherein the catalyst is used, the reactor 30 is operated at relatively low temperatures of about 30 캜 or higher (e.g., from about 30 캜 to about 125 캜, from about 40 캜 to about 100 캜, or from about 40 캜 to about 80 캜) can do. The average residence time of the material added to the reactor 30 can be from about 5 minutes to about 60 minutes.

실란 가스 (35)는 비교적 순수할 수 있다 (예를 들어, 실란 이외의 화합물을 약 5 부피% 미만 또는 약 2 부피% 미만으로 함유함). 실란 가스 (35)가 반응기 (30)로부터 제거된 후에, 실란 가스 (35)는 추가 가공에 적용될 수 있다. 예를 들어, 실란 (35)은 모든 관련있고 부합되는 목적을 위해 각각 본원에 참고로 포함되는 미국 특허 제5,211,931호, 미국 특허 제4,554,141호 또는 미국 특허 제5,206,004호에 개시된 바와 같이 불순물을 제거하기 위한 하나 이상의 증류 컬럼 및/또는 분자체(molecular sieve)에 도입되거나 당업자가 이용가능한 다른 공지된 방법으로 정제될 수 있다 (예를 들어, 붕소 할라이드 또는 인 할라이드와 같은 화합물을 제거하기 위해).The silane gas 35 can be relatively pure (e.g., containing less than about 5 vol% or less than about 2 vol% of compounds other than silane). After the silane gas 35 has been removed from the reactor 30, the silane gas 35 may be applied for further processing. For example, silane (35) can be used to remove impurities as disclosed in U.S. Patent No. 5,211,931, U.S. Patent No. 4,554,141, or U.S. Patent No. 5,206,004, each of which is incorporated herein by reference for all relevant and consistent purposes. May be introduced into one or more distillation columns and / or molecular sieves or purified by other known methods available to those skilled in the art (e.g., to remove compounds such as boron halides or phosphorus halides).

실란 가스 (35)는 다결정질 실리콘 (예를 들어, 과립형 또는 덩어리형 다결정질 실리콘)의 제조에 사용될 수 있거나 또는 실리콘 웨이퍼 상의 하나 이상의 에피택셜 층을 제조하는 데에 사용될 수 있다. 실란 가스는 당업자가 인지하고 있는바와 같이 사용 전에 저장 및/또는 수송될 수 있다.The silane gas 35 may be used in the manufacture of polycrystalline silicon (e.g., granular or agglomerated polycrystalline silicon) or may be used to produce one or more epitaxial layers on a silicon wafer. The silane gas may be stored and / or transported prior to use, as will be appreciated by those skilled in the art.

알칼리 금속 또는 알칼리 토금속 하이드라이드와 할로겐화된 실리콘 공급물 가스 (21) (또는 트리할로실란 및 실리콘 테트라할라이드를 포함하는 혼합물 (21')) 중의 실리콘 테트라할라이드의 반응은 부산물로서 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속 할라이드 염 (37)을 생성한다. 할라이드 염 (37)은 용매가 사용되는 실시양태에서 용매 (예를 들어, 톨루엔)에 용해되고, 또한 보다 전형적으로 현탁될 수 있다. 할라이드 염 (37)은 용매로부터 분리하여 시판할 수 있거나, 하기에 추가로 기재된 바와 같이 재순환 사용할 수 있다.The reaction of the silicon tetra halide in an alkali metal or alkaline earth metal hydride with a halogenated silicon feed gas 21 (or a mixture 21 'comprising a trihalosilane and a silicon tetra halide) can be carried out in the presence of an alkali metal or alkaline earth metal To produce the halide salt (37). Halide salt 37 can be dissolved in a solvent (e. G., Toluene) in an embodiment where a solvent is used and more typically suspended. The halide salt (37) may be commercially available separately from the solvent or may be recycled as further described below.

실란의Silane 실질적인  substantial 폐루프Closed loop 제조 방법 Manufacturing method

상기에 기재된 방법은 실란의 실질적인 폐루프 제조 방법에 포함될 수 있다. 상기 방법은 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속 및/또는 할로겐에 대하여 폐루프일 수 있다. 여기서 도 4를 참조하면, 할라이드 염 (37)이 분리기 (40)의 사용으로 용매로부터 분리될 수 있다. 분리기 (40)는 증발기일 수 있거나, 또는 결정화 장치, 여과기 및/또는 중력-기반 분리기 (예를 들어, 원심분리기)를 비롯한 다른 적합한 설비가 증발기와 함께 또는 증발기 대신에 사용될 수 있다. 적합한 증발기에는 와이프-필름 증발기(wiped-film evaporator)가 포함된다. 분리 후에, 건조된 할라이드 염을 가열하여 (예를 들어, 500℃까지) 미량의 용매를 제거할 수 있다.The method described above can be included in a method for producing a substantially closed loop of silane. The process may be a closed loop for alkali metals or alkaline earth metals and / or halogens. Referring now to FIG. 4, halide salt 37 may be separated from the solvent by use of separator 40. Separator 40 may be an evaporator or other suitable equipment, such as a crystallizer, a filter and / or a gravity-based separator (e.g., a centrifuge) may be used with or in place of the evaporator. Suitable evaporators include wiped-film evaporators. After separation, the dried halide salt can be heated (e.g., up to 500 ° C) to remove trace amounts of solvent.

용매 (43)는 응축되어 하이드라이드 반응기 (9) 및/또는 실란 반응기 (30)에 재도입될 수 있다. 분리된 할라이드 염 (3)은 전기분해를 위한 공급물 (3)로서 사용되어, 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속 및/또는 할라이드가 시스템을 통해 실질적으로 재순환한다.The solvent 43 may be condensed and reintroduced into the hydride reactor 9 and / or the silane reactor 30. The separated halide salt (3) is used as a feed (3) for electrolysis, whereby the alkali metal or alkaline earth metal and / or halide is substantially recirculated through the system.

이와 관련하여, 도 4에 도시된 실질적인 폐루프 방법은 도 3에서처럼 실리콘 테트라할라이드 및 트리할로실란을 함유하는 가스 (21')를 생성하는 할로겐화 수소 버너 (25)를 포함하도록 변경될 수 있다는 것을 알아야 한다.In this regard, the actual closed-loop method shown in Figure 4 may be modified to include a halogenated hydrogen burner 25 that produces a gas 21 'containing silicon tetra halide and trihalosilane as in Figure 3 You should know.

도 4에 도시된 바와 같이, 방법은 시스템이 주입 스트림 (6, 31) 어디에서도 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속 또는 할로겐 (즉, 단독으로 또는 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속 또는 할로겐 함유 화합물로서)을 포함하지 않고, 또한 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속 및 할로겐이 배출 스트림 (35)으로 제거되지 않는다는 점에서 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속 및 할로겐에 대하여 실질적으로 폐루프이다. 이와 관련하여, 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속 및/또는 할로겐이 불순물로서 시스템으로부터 제거될 수 있거나 퍼지(purge) 스트림에 포함될 수 있고, 보충 스트림으로서 시스템 또는 방법에 공급될 수 있다는 것을 알아야 한다. 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속 및/또는 할로겐의 임의의 보충은 각각의 요소를 함유하는 화합물의 시스템으로의 첨가에 의해, 또한 특정 실시양태에서는 각각의 할라이드 염 자체에 의해 달성될 수 있다. 다양한 실시양태에서, 시스템에 보충되는 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속 및/또는 할로겐 가스 (알칼리 금속 또는 알칼리 토금속 염으로서 첨가될 수 있음)의 양은 시스템 내의 전체 순환량의 약 5% 미만이고, 또한 다른 실시양태에서는 시스템 내의 전체 순환량의 약 2% 미만이다 (예를 들어, 약 0.5% 내지 약 5%).As shown in Figure 4, the method does not involve an alkali metal or alkaline earth metal or halogen (i. E., Alone or as an alkali metal or alkaline earth metal or halogen containing compound) anywhere in the injection stream (6, 31) And is substantially a closed loop for the alkali metal or alkaline earth metal and halogen in that the alkali metal or alkaline earth metal and halogen are not removed by the effluent stream 35. In this connection it is to be understood that alkali metals or alkaline earth metals and / or halogens may be removed from the system as impurities or included in the purge stream and supplied to the system or process as a supplemental stream. Any supplement of alkali metal or alkaline earth metal and / or halogen may be achieved by addition of the compound containing each element to the system, and in certain embodiments, by the respective halide salt itself. In various embodiments, the amount of alkali metal or alkaline earth metal and / or halogen gas (which may be added as an alkali metal or alkaline earth metal salt) supplemented to the system is less than about 5% of the total circulating amount in the system, (E.g., from about 0.5% to about 5%) of the total circulation in the system.

본 개시내용의 일부 실시양태에서, 시스템 및 방법은 수소에 대하여 실질적으로 폐루프일 수 있다. 예를 들어, 도 5에 도시된 바와 같이, 실란 반응기 (30)에서 나오는 실란 (35)은, 바람직하게는 미량 실란, 탄소 화합물, 미량 금속 및 임의의 도판트(dopant) 붕소, 인 또는 알루미늄 화합물을 제거하기 위한 정제 (예를 들어, 극저온 활성탄 흡착제에 의한 정제) 후에 다결정질 반응기 (50)에 도입될 수 있다. 다결정질 반응기 (50)는 유동상 (예를 들어, 과립형 다결정질 실리콘 제조) 또는 지멘스(Siemens) 반응기 (예를 들어, 덩어리형 다결정질 실리콘 제조)일 수 있거나, 다결정질 실리콘 제조에 적합한 임의의 다른 반응기 설계를 포함할 수 있다. 실란은 하기 반응에 따라 열분해되어 다결정질 실리콘을 제조한다.In some embodiments of the present disclosure, the system and method may be substantially closed loop with respect to hydrogen. For example, as shown in FIG. 5, the silane 35 from the silane reactor 30 is preferably selected from the group consisting of trace silanes, carbon compounds, trace metals and any dopant boron, May be introduced into the polycrystalline reactor 50 after purification (e. G., Purification by cryogenic activated carbon adsorbent) to remove < / RTI > The polycrystalline reactor 50 may be a fluidized phase (e.g., granular polycrystalline silicon production) or a Siemens reactor (e.g., agglomerated polycrystalline silicon production) ≪ / RTI > Silane is pyrolyzed according to the following reaction to produce polycrystalline silicon.

SiH4 → Si + 2H2 (7)SiH 4 ? Si + 2H 2 (7)

실란은 다결정질 반응기 (50)에 첨가되기 전에 추가 가공, 예컨대 상기에 기재된 바와 같이 다양한 정제 단계를 진행할 수 있다. 반응기 (50)의 반응 생성물은 다결정질 실리콘 (52) 및 수소 (31)를 포함한다. 도 5에 도시된 바와 같이, 수소 (31)는 하이드라이드 반응기 (9)에 도입된다. 수소 (31)는 하이드라이드 반응기 (9)에 도입되기 전에 실리콘 분진의 분리 및 정제 (예를 들어, 증류)에 의해 추가로 가공될 수 있다. 도 5에 도시된 바와 같이, 시스템으로의 유일한 투입은 실리콘 (6)이고, 유일한 배출은 다결정질 실리콘 (52)이다. 시스템은 수소가 유일하게 불순물로서 또는 퍼지 스트림 (도시되지 않음)으로서 제거되고, 또한 유일하게 보충 스트림 (도시되지 않음)으로서 첨가된다는 점에서 수소에 대하여 실질적으로 폐루프이다.The silane can be further processed before being added to the polycrystalline reactor 50, for example, various purification steps as described above. The reaction product of the reactor 50 comprises polycrystalline silicon 52 and hydrogen 31. As shown in FIG. 5, hydrogen 31 is introduced into the hydride reactor 9. Hydrogen 31 can be further processed by separation and purification (e. G., Distillation) of silicon dust before introduction into hydride reactor 9. As shown in FIG. 5, the only input into the system is silicon 6, and the only emission is polycrystalline silicon 52. The system is substantially a closed loop with respect to hydrogen in that hydrogen is solely removed as an impurity or as a purge stream (not shown) and is also solely added as a supplemental stream (not shown).

실란의Silane 실질적인  substantial 폐루프Closed loop 제조 시스템 Manufacturing System

본 발명의 방법은 실란을 제조하기 위한 시스템, 예컨대 도 1-도 5에 예시된 시스템 중 어느 하나에서 수행할 수 있다. 시스템은 할로겐, 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속 및 수소 중 1종 이상에 대하여 실질적으로 폐루프일 수 있다.The process of the present invention can be carried out in a system for producing silanes, for example, any of the systems illustrated in FIGS. The system may be substantially closed loop for at least one of halogen, alkali metal or alkaline earth metal and hydrogen.

도 1을 참조하면, 시스템은 할라이드 염이 전기분해되어 금속성 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속 및 할로겐 가스를 생성하는 용기 (4) (예를 들어, 다운스 셀)를 포함할 수 있다. 할로겐 가스는 운반 장치에 의해 (1) 수소와 반응하여 할로겐화 수소를 생성하는 할로겐화 수소 버너 (25) (도 3) 및 (2) 실리콘 (운반 장치에 의해 실리콘 저장소로부터 할로겐화 반응기 (8)로 운반됨)과 반응하여 실리콘 테트라할라이드를 생성하는 할로겐화 반응기 (8) 중 적어도 하나에 운반된다. 할로겐 가스가 반응하여 할로겐화 수소를 생성하는 실시양태에서, 할로겐화 수소는 이어서 운반 장치에 의해 할로겐화 반응기 (8)로 운반되어 실리콘 테트라할라이드 및 트리할로실란을 포함하는 혼합물을 생성할 수 있다. 생성된 임의의 실리콘 테트라할라이드 및/또는 트리할로실란 가스는 운반 장치에 의해 실란 반응기 (30)로 운반된다.Referring to FIG. 1, the system may include a vessel 4 (e.g., a downsell) in which a halide salt is electrolyzed to produce a metallic alkali or alkaline earth metal and a halogen gas. The halogen gas is transferred from the silicon reservoir to the halogenation reactor 8 by means of a conveying device (1) by a halogenated hydrogen burner 25 (FIG. 3) which reacts with hydrogen to produce hydrogen halide To a halogenation reactor (8) which produces a silicon tetrahalide. In the embodiment where the halogen gas reacts to produce hydrogen halide, the hydrogen halide can then be carried to the halogenation reactor 8 by a carrier apparatus to produce a mixture comprising silicon tetra halide and trihalosilane. Any silicon tetra halide and / or trihalosilane gas produced is carried to the silane reactor 30 by a conveyor.

시스템은 또한 하이드라이드 반응기 (9) (예를 들어, 교반형 탱크 반응기)를 포함한다. 금속성 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속이 운반 장치에 의해 용기로부터 하이드라이드 반응기 (9)로 운반된다. 수소 가스가 또한 운반 장치에 의해 하이드라이드 반응기 (9)로 운반되어 금속성 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속과 반응하여 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속 하이드라이드를 생성한다. 시스템은 하이드라이드 (존재한다면, 임의의 용매)가 운반 장치에 의해 운반되는 실란 반응기 (30) (예를 들어, 교반형 탱크 반응기)를 포함한다. 하이드라이드는 실란 반응기 (30)에서, 임의로 용매의 존재하에 실리콘 테트라할라이드 및/또는 트리할로실란 가스와 반응하여 할라이드 염을 형성한다.The system also includes a hydride reactor 9 (e.g., a stirred tank reactor). A metallic alkali metal or alkaline earth metal is carried from the vessel to the hydride reactor (9) by means of a conveying device. Hydrogen gas is also carried to the hydride reactor 9 by the conveying device and reacts with the metallic alkali or alkaline earth metal to produce an alkali metal or alkaline earth metal hydride. The system includes a silane reactor 30 (e.g., a stirred tank reactor) in which the hydride (any solvent, if present) is carried by the conveyor. The hydride is reacted with a silicon tetra halide and / or a trihalosilane gas in the silane reactor 30, optionally in the presence of a solvent to form a halide salt.

다양한 실시양태에서 도 4에 도시된 바와 같이, 용매 및 할라이드 염은 운반 장치에 의해 용매를 할라이드 염으로부터 분리하기 위한 분리기 (40)로 운반될 수 있다. 용매는 운반 장치에 의해 하이드라이드 반응기 (9)로 운반될 수 있고, 할라이드 염은 운반 장치에 의해 재순환하여 할로겐 및 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속에 대하여 실질적인 폐루프 시스템을 완성할 수 있도록 용기 (4) (예를 들어, 다운스 셀)로 운반될 수 있다.In various embodiments, as shown in FIG. 4, the solvent and halide salt may be conveyed to a separator 40 for separating the solvent from the halide salt by the conveying device. The solvent may be conveyed to the hydride reactor 9 by a conveying device and the halide salt may be recycled by the conveying device to form a vessel 4 (FIG. 1) so as to complete a substantially closed loop system for halogens and alkali metals or alkaline earth metals. For example, a downs cell).

다수의 추가 실시양태에서, 시스템은 또한 지멘스형 반응기 또는 유동상 반응기일 수 있는 다결정질 반응기 (50)를 포함한다. 실란은 실란 반응기 (30)로부터 다결정질 반응기 (50)로 운반 장치에 의해 운반되어 수소 및 다결정질 실리콘을 제조한다. 수소를 재순환시켜 수소에 대하여 실질적인 폐루프 시스템을 완성할 수 있도록 수소는 운반 장치에 의해 다결정질 반응기 (50)로부터 하이드라이드 반응기 (9)로 운반될 수 있다.In many additional embodiments, the system also includes a polycrystalline reactor 50, which may be a Siemens type reactor or a fluidized bed reactor. The silane is carried from the silane reactor (30) to the polycrystalline reactor (50) by the delivery apparatus to produce hydrogen and polycrystalline silicon. Hydrogen may be carried from the polycrystalline reactor 50 to the hydride reactor 9 by a carrier so that hydrogen can be recycled to complete a substantially closed loop system for hydrogen.

적합한 운반 장치는 통상적이며 당업계에 널리 공지된 것이다. 가스의 전달에 적합한 운반 장치에는, 예를 들어 압축기 또는 송풍기가 포함되고, 고체의 전달에 적합한 운반 장치에는, 예를 들어 드래그(drag), 스크류(screw), 벨트(belt) 및 공기식 컨베이어가 포함된다. 이와 관련하여, 본원에서 "운반 장치"라는 표현의 사용은 시스템의 한 유닛에서 또 다른 유닛으로의 직접직인 전달을 의미하려는 것이 아니라, 단지 물질이 임의의 개수의 간접적인 전달 부재 및/또는 메카니즘에 의해 한 유닛에서 또 다른 유닛으로 전달되는 것을 의미함을 알아야 한다. 예를 들어, 한 유닛으로부터의 물질이 추가 가공 유닛 (예를 들어, 정제 유닛 또는 연속식 또는 배치식 공정 사이에 완충제를 제공하기 위해 사용되는 저장 유닛)으로 운반된 후에, 제2 유닛으로 운반될 수 있다. 상기 예에서, 중간 가공 설비 자체를 포함하는 각각의 운반 유닛이 "운반 장치"인 것으로 간주될 수 있고, "운반 장치"라는 표현은 제한적인 의미로 간주되어서는 안된다.Suitable delivery devices are conventional and well known in the art. Suitable conveying devices for the delivery of gases include, for example, compressors or blowers, and suitable conveying devices for the delivery of solids include, for example, a drag, screw, belt and pneumatic conveyor . In this regard, the use of the term " carrier device " in this context is not intended to mean direct delivery of a system from one unit to another, but merely refers to any number of indirect transfer members and / Lt; RTI ID = 0.0 > from one unit to another. ≪ / RTI > For example, after a material from one unit is conveyed to an additional processing unit (e.g., a purifier unit or a storage unit used to provide a buffer between successive or batch processes) . In the above example, each delivery unit comprising the intermediate processing facility itself may be considered to be a " delivery device ", and the expression " delivery device " should not be construed in a limiting sense.

바람직하게는, 실란의 제조 시스템에서 이용되는 모든 설비는 시스템 내에서 사용되고 생성되는 화합물에 대한 노출을 포함하는 환경에서 내부식성이다. 적합한 구성 재료는 통상적이며 본 개시내용의 분야에서 널리 공지된 것이고, 예를 들어 탄소강, 스테인리스강, 모넬(MONEL) 합금, 인코넬(INCONEL) 합금, 하스텔로이(HASTELLOY) 합금, 니켈 및 비금속성 물질, 예컨대 석영 (즉, 유리), 및 플루오르화된 중합체, 예컨대 테플론(TEFLON), 켈프(KEL-F), 바이톤(VITON), 칼리즈(KALREZ) 및 아프라스(AFLAS)가 포함된다.Preferably, all the equipment used in the silane manufacturing system is corrosion resistant in an environment that is used in the system and involves exposure to the resulting compound. Suitable constituent materials are conventional and well known in the art of this disclosure and include, for example, carbon steels, stainless steels, MONEL alloys, INCONEL alloys, HASTELLOY alloys, nickel and non- for example, it includes quartz (i.e., glass), and fluorinated polymers such as TEFLON (TEFLON), kelp (KEL-F), Viton (VITON), knife grease (KALREZ) and ill Ras (AFLAS).

본 개시내용의 범주로부터 이탈함이 없이, 상기에 기재된 방법 및 시스템이 언급된 유닛 (예를 들어, 반응기 및/또는 분리 유닛) 중 어느 하나를 초과하여 포함할 수 있고, 또한 여러 개의 유닛이 연속적으로 또한/또는 동시에 작동할 수 있다는 것을 알아야 한다. 추가로 이와 관련하여, 기재된 방법 및 시스템이 예시적이며, 또한 방법 및 시스템이 비제한적으로 추가 기능을 수행하는 추가 유닛을 포함할 수 있다는 것을 알아야 한다.Without departing from the scope of the present disclosure, it is to be understood that the above-described methods and systems may include more than any of the mentioned units (e.g., reactors and / or separation units) / RTI > and / or < / RTI > simultaneously. In addition, it should be understood that the method and system described are exemplary and that the method and system may include additional units that perform additional functions without limitation.

본 개시내용 또는 그의 바람직한 실시양태(들)의 요소를 도입할 때, 관사 "하나의", "한", "그" 및 "상기"는 하나 이상의 요소가 존재한다는 것을 의미하고자 한다. "포함하는", "비롯한" 및 "갖는"이라는 용어는 포괄적인 것이며 나열된 요소 이외의 추가 요소가 존재할 수도 있다는 것을 의미하고자 한다.When introducing elements of the present disclosure or its preferred embodiment (s), the articles "a", "an", "the" and "the" are intended to mean that there is more than one element. The terms "comprising", "including" and "having" are intended to be inclusive and mean that there may be additional elements other than the listed elements.

본 개시내용의 범주로부터 이탈함이 없이 상기 장치 및 방법에 다양한 변화가 있을 수 있기 때문에, 상기 상세한 설명에 포함되었고 첨부된 도면에 도시된 모든 사항은 제한적인 의미가 아닌 예시적인 것으로 해석하고자 한다.As various changes may be made in the apparatus and method without departing from the scope of the present disclosure, it is intended that all matter contained in the above description and shown in the accompanying drawings shall be interpreted as illustrative and not in a limiting sense.

Claims (95)

알칼리 금속 또는 알칼리 토금속 할라이드 염의 공급원으로부터 실란을 제조하는 방법으로서,
알칼리 금속 또는 알칼리 토금속 할라이드 염을 전기분해하여 금속성 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속 및 할로겐 가스를 생성하는 단계;
상기 금속성 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속이 수소와 접촉하여 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속 하이드라이드를 생성하는 단계;
상기 할로겐 가스와
(1) 실리콘 테트라할라이드를 생성하는 실리콘; 및
(2) 할로겐화 수소를 생성하는 수소 - 상기 할로겐화 수소는 실리콘과 추가로 접촉하여 실리콘 테트라할라이드 및 트리할로실란을 포함하는 혼합물을 생성함 -
중 1종 이상의 접촉에 의해 실리콘 테트라할라이드, 트리할로실란, 디할로실란 및 모노할로실란으로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상의 할로실란을 포함하는 할로겐화된 실리콘 공급물 가스를 생성하는 단계; 및
상기 할로겐화된 실리콘 공급물 가스를 상기 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속 하이드라이드와 접촉시켜 실란 및 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속 할라이드 염을 생성하는 단계 - 상기 할로겐화된 실리콘 공급물 가스는 상기 할로겐화된 실리콘 공급물 가스와 상기 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속 하이드라이드의 접촉 전에 불균화 시스템으로 도입됨 -
를 포함하는 방법.
A process for preparing a silane from a source of an alkali metal or alkaline earth metal halide salt,
Electrolyzing an alkali metal or alkaline earth metal halide salt to produce a metallic alkali or alkaline earth metal and halogen gas;
Said metallic alkali or alkaline earth metal being in contact with hydrogen to produce an alkali metal or alkaline earth metal hydride;
The halogen gas
(1) silicon to produce silicon tetra halide; And
(2) Hydrogen to generate hydrogen halide - The hydrogen halide further contacts with silicon to produce a mixture comprising silicon tetra halide and trihalosilane,
To produce a halogenated silicon feed gas comprising at least one halosilane selected from the group consisting of silicon tetra halides, trihalosilanes, dihalosilanes, and monohalosilanes; And
Contacting the halogenated silicon feed gas with the alkali metal or alkaline earth metal hydride to produce a silane and an alkali metal or alkaline earth metal halide salt, the halogenated silicon feed gas comprising the halogenated silicon feed gas and the halogenated silicon feed gas, Introduced into the disproportionation system prior to contact with an alkali metal or alkaline earth metal hydride -
≪ / RTI >
알칼리 금속 또는 알칼리 토금속 할라이드 염의 공급원으로부터 실란을 제조하는 방법으로서,
알칼리 금속 또는 알칼리 토금속 할라이드 염을 전기분해하여 금속성 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속 및 할로겐 가스를 생성하는 단계;
상기 금속성 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속이 용매 중에서 수소와 접촉하여 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속 하이드라이드를 생성하는 단계;
상기 할로겐 가스와
(1) 실리콘 테트라할라이드를 생성하는 실리콘; 및
(2) 할로겐화 수소를 생성하는 수소 - 상기 할로겐화 수소는 실리콘과 추가로 접촉하여 실리콘 테트라할라이드 및 트리할로실란을 포함하는 혼합물을 생성함 -
중 1종 이상의 접촉에 의해 실리콘 테트라할라이드, 트리할로실란, 디할로실란 및 모노할로실란으로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상의 할로실란을 포함하는 할로겐화된 실리콘 공급물 가스를 생성하는 단계; 및
상기 할로겐화된 실리콘 공급물 가스를 상기 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속 하이드라이드와 접촉시켜 실란 및 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속 하이드라이드 염을 생성하는 단계
를 포함하는 방법.
A process for preparing a silane from a source of an alkali metal or alkaline earth metal halide salt,
Electrolyzing an alkali metal or alkaline earth metal halide salt to produce a metallic alkali or alkaline earth metal and halogen gas;
Said metallic alkali or alkaline earth metal being contacted with hydrogen in a solvent to produce an alkali metal or alkaline earth metal hydride;
The halogen gas
(1) silicon to produce silicon tetra halide; And
(2) Hydrogen to generate hydrogen halide - The hydrogen halide further contacts with silicon to produce a mixture comprising silicon tetra halide and trihalosilane,
To produce a halogenated silicon feed gas comprising at least one halosilane selected from the group consisting of silicon tetra halides, trihalosilanes, dihalosilanes, and monohalosilanes; And
Contacting said halogenated silicon feed gas with said alkali metal or alkaline earth metal hydride to produce silane and an alkali metal or alkaline earth metal hydride salt
≪ / RTI >
제2항에 있어서, 상기 용매가 톨루엔, 디메틸 에테르, 디글림(diglyme), NaAlCl4 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택된 것인 방법.The method of claim 2, wherein said solvent is selected from toluene, dimethyl ether, diglyme (diglyme), NaAlCl 4, and mixtures thereof. 제2항에 있어서, 상기 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속 하이드라이드가 톨루엔, 디메틸 에테르, 디글림, NaAlCl4 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택된 용매 중에서 상기 할로겐화된 실리콘 공급물 가스와 접촉하는 것인 방법.The method of claim 2, wherein the method of contacting with said alkali metal or alkaline earth metal hydride, toluene, dimethyl ether, diglyme, NaAlCl 4 and the halogenated silicon feed gas in a solvent selected from the group consisting of a mixture thereof. 제2항에 있어서, 상기 할라이드 염 및 상기 용매를 포함하는 소비된 용매가 상기 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속 하이드라이드와 상기 할로겐화된 실리콘 공급물 가스의 접촉시에 생성되고, 상기 방법은 상기 할라이드 염과 상기 용매의 분리에 의해 상기 용매가 재생되는 단계를 포함하는 방법.3. The method of claim 2, wherein the consumed solvent comprising the halide salt and the solvent is produced upon contact of the alkali metal or alkaline earth metal hydride with the halogenated silicon feed gas, And recovering the solvent by separation of the solvent. 제1항 또는 제2항에 있어서, 할라이드 염이
상기 염을 캐소드(cathode), 애노드(anode), 및 상기 캐소드와 애노드 사이에 배치된 분리기를 포함하는 용기에 도입하고;
전류를 상기 캐소드 및 애노드에 적용하여 할로겐 가스 및 금속성 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속을 생성하고;
할로겐 가스 및 금속성 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속을 상기 용기로부터 방출시킴으로써 전기분해되는 것인 방법.
The process according to claim 1 or 2, wherein the halide salt is selected from the group consisting of
Introducing the salt into a vessel comprising a cathode, an anode, and a separator disposed between the cathode and the anode;
Applying a current to the cathode and the anode to produce a halogen gas and a metallic alkali or alkaline earth metal;
Halogen gas and a metallic alkali or alkaline earth metal from the vessel.
알칼리 금속 또는 알칼리 토금속에 대한 실질적인 폐루프 시스템에서의 실란을 제조하는 방법으로서,
할로겐화된 실리콘 공급물 가스를 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속 하이드라이드와 접촉시켜 실란 및 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속 할라이드 염을 생성하는 단계 - 상기 할로겐화된 실리콘 공급물 가스는 상기 할로겐화된 실리콘 공급물 가스와 상기 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속 하이드라이드의 접촉 전에 불균화 시스템에 도입됨 - ;
상기 할라이드 염을 전기분해하여 금속성 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속 및 할로겐 가스를 생성하는 단계;
상기 금속성 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속을 수소와 접촉시켜 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속 하이드라이드를 생성하는 단계; 및
상기 금속성 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속과 수소의 접촉에 의해 생성된 상기 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속 하이드라이드를 상기 할로겐화된 실리콘 공급물 가스와 접촉시켜 실란 및 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속 할라이드 염을 생성하는 단계
를 포함하는 방법.
CLAIMS What is claimed is: 1. A method of making a silane in a substantially closed loop system for an alkali metal or alkaline earth metal,
Contacting a halogenated silicon feed gas with an alkali metal or alkaline earth metal hydride to produce a silane and an alkali metal or alkaline earth metal halide salt wherein the halogenated silicon feed gas is contacted with the halogenated silicon feed gas and the alkali metal Or introduced into the disproportionation system prior to contact of the alkaline earth metal hydride;
Electrolyzing the halide salt to produce a metallic alkali metal or alkaline earth metal and a halogen gas;
Contacting the metallic alkali or alkaline earth metal with hydrogen to produce an alkali metal or alkaline earth metal hydride; And
Contacting the alkali metal or alkaline earth metal hydride produced by the contacting of the metallic alkali or alkaline earth metal with hydrogen with the halogenated silicon feed gas to form silane and an alkali metal or alkaline earth metal halide salt
≪ / RTI >
알칼리 금속 또는 알칼리 토금속에 대한 실질적인 폐루프 시스템에서 실란을 제조하는 방법으로서,
할로겐화된 실리콘 공급물 가스를 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속 하이드라이드와 접촉시켜 실란 및 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속 할라이드 염을 생성하는 단계;
상기 할라이드 염을 전기분해하여 금속성 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속 및 할로겐 가스를 생성하는 단계;
상기 금속성 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속을 용매 중에서 수소와 접촉시켜 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속 하이드라이드를 생성하는 단계; 및
상기 금속성 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속과 수소의 접촉에 의해 생성된 상기 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속 하이드라이드를 상기 할로겐화된 실리콘 공급물 가스와 접촉시켜 실란 및 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속 할라이드 염을 생성하는 단계
를 포함하는 방법.
CLAIMS What is claimed is: 1. A method of making a silane in a substantially closed loop system for an alkali metal or alkaline earth metal,
Contacting the halogenated silicon feed gas with an alkali metal or alkaline earth metal hydride to produce silane and an alkali metal or alkaline earth metal halide salt;
Electrolyzing the halide salt to produce a metallic alkali metal or alkaline earth metal and a halogen gas;
Contacting the metallic alkali or alkaline earth metal with hydrogen in a solvent to produce an alkali metal or alkaline earth metal hydride; And
Contacting the alkali metal or alkaline earth metal hydride produced by the contacting of the metallic alkali or alkaline earth metal with hydrogen with the halogenated silicon feed gas to form silane and an alkali metal or alkaline earth metal halide salt;
≪ / RTI >
제8항에 있어서, 상기 금속성 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속이 상기 용매를 포함하는 반응 용기에 첨가되어 반응 혼합물을 형성하고, 수소 가스가 상기 반응 혼합물을 통해 기포를 형성하는 것인 방법.9. The method of claim 8 wherein said metallic alkali or alkaline earth metal is added to a reaction vessel comprising said solvent to form a reaction mixture and hydrogen gas forms bubbles through said reaction mixture. 할로겐에 대한 실질적인 폐루프 시스템에서 실란을 제조하는 방법으로서,
실리콘 테트라할라이드, 트리할로실란, 디할로실란 및 모노할로실란으로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상의 할로실란을 포함하는 할로겐화된 실리콘 공급물 가스를 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속 하이드라이드와 접촉시켜 실란 및 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속 할라이드 염을 생성하는 단계;
상기 할라이드 염을 전기분해하여 금속성 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속 및 할로겐 가스를 생성하는 단계;
상기 할로겐 가스와
(1) 실리콘 테트라할라이드를 생성하는 실리콘; 및
(2) 할로겐화 수소를 생성하는 수소 - 상기 할로겐화 수소는 실리콘과 추가로 접촉하여 실리콘 테트라할라이드 및 트리할로실란을 포함하는 혼합물을 생성함 -
중 1종 이상의 접촉에 의해 실리콘 테트라할라이드, 트리할로실란, 디할로실란 및 모노할로실란으로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상의 할로실란을 포함하는 할로겐화된 실리콘 공급물 가스를 생성하는 단계; 및
상기 할로겐화된 실리콘 공급물 가스를 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속 하이드라이드와 접촉시켜 실란 및 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속 할라이드 염을 생성하는 단계 - 상기 할로겐화된 실리콘 공급물 가스는 상기 할로겐화된 실리콘 공급물 가스와 상기 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속 하이드라이드의 접촉 전에 불균화 시스템에 도입됨 -
를 포함하는 방법.
A method of making a silane in a substantially closed loop system for a halogen,
A halogenated silicon feed gas comprising at least one halosilane selected from the group consisting of silicon tetra halide, trihalosilane, dihalosilane and monohalosilane is contacted with an alkali metal or alkaline earth metal hydride to form silane and alkali Producing a metal or alkaline earth metal halide salt;
Electrolyzing the halide salt to produce a metallic alkali metal or alkaline earth metal and a halogen gas;
The halogen gas
(1) silicon to produce silicon tetra halide; And
(2) Hydrogen to generate hydrogen halide - The hydrogen halide further contacts with silicon to produce a mixture comprising silicon tetra halide and trihalosilane,
To produce a halogenated silicon feed gas comprising at least one halosilane selected from the group consisting of silicon tetra halides, trihalosilanes, dihalosilanes, and monohalosilanes; And
Contacting said halogenated silicon feed gas with an alkali metal or alkaline earth metal hydride to produce silane and an alkali metal or alkaline earth metal halide salt, said halogenated silicon feed gas comprising said halogenated silicon feed gas and said alkali Introduced into the disproportionation system prior to contact of the metal or alkaline earth metal hydride -
≪ / RTI >
다결정질 실리콘의 폐루프 제조 방법으로서,
실리콘 테트라할라이드, 트리할로실란, 디할로실란 및 모노할로실란으로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상의 할로실란을 포함하는 할로겐화된 실리콘 공급물 가스를 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속 하이드라이드와 접촉시켜 실란 및 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속 할라이드 염을 생성하는 단계;
실란이 열분해되어 다결정질 실리콘 및 수소를 생성하는 단계;
상기 할라이드 염을 전기분해하여 금속성 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속 및 할로겐 가스를 생성하는 단계;
상기 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속 할라이드의 전기분해에 의해 생성된 상기 할로겐 가스와
(1) 실리콘 테트라할라이드를 생성하는 실리콘; 및
(2) 할로겐화 수소를 생성하는 수소 - 상기 할로겐화 수소는 실리콘과 추가로 접촉하여 실리콘 테트라할라이드 및 트리할로실란을 포함하는 혼합물을 생성함 -
중 1종 이상의 접촉에 의해 실리콘 테트라할라이드, 트리할로실란, 디할로실란 및 모노할로실란으로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상의 할로실란을 포함하는 할로겐화된 실리콘 공급물 가스를 생성하는 단계;
상기 금속성 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속을 실란의 열분해로부터 생성된 수소와 접촉시켜 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속 하이드라이드를 생성하는 단계; 및
할로겐 가스 또는 할로겐화 수소와 실리콘의 접촉에 의해 생성된 상기 할로겐화된 실리콘 공급물 가스를 상기 금속성 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속과 수소의 접촉에 의해 생성된 상기 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속 하이드라이드와 접촉시켜 실란 및 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속 할라이드 염을 생성하는 단계
를 포함하는 폐루프 제조 방법.
A method for producing a closed loop of polycrystalline silicon,
A halogenated silicon feed gas comprising at least one halosilane selected from the group consisting of silicon tetra halide, trihalosilane, dihalosilane and monohalosilane is contacted with an alkali metal or alkaline earth metal hydride to form silane and alkali Producing a metal or alkaline earth metal halide salt;
Pyrolyzing the silane to produce polycrystalline silicon and hydrogen;
Electrolyzing the halide salt to produce a metallic alkali metal or alkaline earth metal and a halogen gas;
The halogen gas produced by electrolysis of the alkali metal or alkaline earth metal halide and
(1) silicon to produce silicon tetra halide; And
(2) Hydrogen to generate hydrogen halide - The hydrogen halide further contacts with silicon to produce a mixture comprising silicon tetra halide and trihalosilane,
To produce a halogenated silicon feed gas comprising at least one halosilane selected from the group consisting of silicon tetra halides, trihalosilanes, dihalosilanes, and monohalosilanes;
Contacting said metallic alkali or alkaline earth metal with hydrogen generated from pyrolysis of silane to produce an alkali metal or alkaline earth metal hydride; And
Contacting said halogenated silicon feed gas produced by contact of a halogen gas or hydrogen halide with silicon with said alkali metal or alkaline earth metal hydride produced by contacting said metallic alkali metal or alkaline earth metal with hydrogen to form silane and alkali Step of producing a metal or alkaline earth metal halide salt
/ RTI >
실질적인 폐루프 방법으로 실란을 제조하는 시스템으로서,
알칼리 금속 또는 알칼리 토금속 할라이드 염을 전기분해하여 금속성 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속 및 할로겐 가스를 생성하는 용기;
실리콘과
(1) 상기 용기로부터 방출된 할로겐 가스; 및
(2) 상기 용기로부터 방출된 할로겐 가스와 수소의 접촉에 의해 생성된 할로겐화 수소
중 1종 이상의 반응에 의해
(1) 실리콘 테트라할라이드, 및
(2) 트리할로실란
중 1종 이상을 생성하는 할로겐화 반응기;
상기 용기로부터 방출된 금속성 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속과 수소가 반응하여 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속 하이드라이드를 생성하는 하이드라이드 반응기 - 상기 하이드라이드 반응기는 수소가 용매 및 금속성 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속을 함유하는 반응 혼합물을 통해 기포를 형성하여 상기 용매에 현탁된 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속 하이드라이드를 생성하는 교반형 탱크 반응기임 - ; 및
(1) 실리콘 테트라할라이드 및 (2) 트리할로실란 중 1종 이상이 상기 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속 하이드라이드와 반응하여 실란 및 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속 할라이드 염을 생성하는 실란 반응기
를 포함하는 시스템.
A system for producing silane in a substantially closed loop process,
A container for electrolyzing an alkali metal or alkaline earth metal halide salt to produce a metallic alkali metal or alkaline earth metal and a halogen gas;
With silicon
(1) halogen gas emitted from the vessel; And
(2) hydrogen halide produced by the contact of the halogen gas discharged from the container with hydrogen
By one or more of the reactions
(1) a silicon tetrahalide, and
(2) trihalosilane
A halogenating reaction unit for producing at least one of the halogenating reactants;
A hydride reactor in which hydrogen reacts with a metallic alkali metal or alkaline earth metal released from the vessel to produce an alkali metal or alkaline earth metal hydride, the hydride reactor being characterized in that the hydrogen is a reaction mixture containing a solvent and a metallic alkali metal or alkaline earth metal A tank reactor in the form of an agitated tank for forming bubbles through the liquid to produce an alkali metal or alkaline earth metal hydride suspended in the solvent; And
A silane reactor in which at least one of (1) silicon tetra halide and (2) trihalosilane reacts with the alkali metal or alkaline earth metal hydride to produce silane and an alkali metal or alkaline earth metal halide salt
/ RTI >
실질적인 폐루프 방법으로 실란을 제조하는 시스템으로서,
알칼리 금속 또는 알칼리 토금속 할라이드 염을 전기분해하여 금속성 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속 및 할로겐 가스를 생성하는 용기;
실리콘과
(1) 상기 용기로부터 방출된 할로겐 가스; 및
(2) 상기 용기로부터 방출된 할로겐 가스와 수소의 접촉에 의해 생성된 할로겐화 수소
중 1종 이상의 반응에 의해
(1) 실리콘 테트라할라이드, 및
(2) 트리할로실란
중 1종 이상을 생성하는 할로겐화 반응기;
(1) 실리콘 테트라할라이드 및 (2) 트리할로실란 중 1종 이상으로부터 모노할로실란 또는 디할로실란을 생성하는 불균화 시스템;
상기 용기로부터 방출된 금속성 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속이 수소와 반응하여 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속 하이드라이드를 생성하는 하이드라이드 반응기; 및
(1) 실리콘 테트라할라이드 및 (2) 트리할로실란 중 1종 이상이 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속 하이드라이드와 반응하여 실란 및 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속 할라이드 염을 생성하는 실란 반응기
를 포함하는 시스템.
A system for producing silane in a substantially closed loop process,
A container for electrolyzing an alkali metal or alkaline earth metal halide salt to produce a metallic alkali metal or alkaline earth metal and a halogen gas;
With silicon
(1) halogen gas emitted from the vessel; And
(2) hydrogen halide produced by the contact of the halogen gas discharged from the container with hydrogen
By one or more of the reactions
(1) a silicon tetrahalide, and
(2) trihalosilane
A halogenating reaction unit for producing at least one of the halogenating reactants;
A disproportionation system that produces monohalosilane or dihalosilane from at least one of (1) silicon tetra halide and (2) trihalosilane;
A hydride reactor in which the metallic alkali or alkaline earth metal released from the vessel reacts with hydrogen to produce an alkali metal or alkaline earth metal hydride; And
A silane reactor in which at least one of (1) silicon tetra halide and (2) trihalosilane reacts with an alkali metal or alkaline earth metal hydride to produce silane and an alkali metal or alkaline earth metal halide salt
/ RTI >
제12항 또는 제13항에 있어서, 상기 실란 반응기는, 실리콘 테트라할라이드, 트리할로실란, 디할로실란 및 모노할로실란으로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상의 할로실란을 포함하는 할로겐화된 실리콘 공급물 가스가 용매 및 상기 용매 중에 분산된 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속 하이드라이드를 함유하는 반응 혼합물을 통해 기포를 형성하는 교반형 탱크 반응기이고, 생성된 상기 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속 할라이드 염이 상기 용매 중에 용해되거나 현탁되는 것인 시스템.14. The method of claim 12 or 13, wherein the silane reactor is a halogenated silicon feed comprising at least one halosilane selected from the group consisting of silicon tetra halide, trihalosilane, dihalosilane, and monohalosilane Wherein the gas is a stirred tank reactor that forms bubbles through a reaction mixture containing a solvent and an alkali metal or alkaline earth metal hydride dispersed in the solvent and wherein the alkali metal or alkaline earth metal halide salt is dissolved or suspended in the solvent Lt; / RTI > 제14항에 있어서, 상기 용매와 상기 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속 할라이드 염을 분리하기 위한 분리기를 포함하는 시스템.15. The system of claim 14, comprising a separator for separating said solvent and said alkali metal or alkaline earth metal halide salt. 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete
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