KR101942319B1 - Apparatus For Plolishing Notch Of Wafer - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 연마 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 웨이퍼의 노치를 연마하는 장치에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE
반도체 소자의 재료로서 실리콘(Si) 웨이퍼(wafer)가 널리 사용되고 있다. 통상적으로 웨이퍼는 초크랄스키(Czozhralski) 등의 방법으로 형성한 실리콘 단결정 잉곳을 슬라이싱한 후, 래핑, 에칭과 같은 성형 공정들을 거쳐 제조된다.BACKGROUND ART [0002] Silicon (Si) wafers are widely used as materials for semiconductor devices. Generally, a wafer is manufactured by slicing a silicon single crystal ingot formed by a method such as Czozhralski, and then performing a forming process such as lapping and etching.
고품질의 웨이퍼를 제작하기 위하여 여러 공정을 실시하는데, 이러한 공정 또는 운반 장치 내에서 웨이퍼의 위치를 정확히 인지할 필요가 있다. 상술한 공정이 효과적으로 진행되기 위해서 복수 개의 웨이퍼들이 고정된 방향에 미리 배열되거나 위치되어야 한다.Various processes are performed to produce high quality wafers, and it is necessary to precisely recognize the position of the wafers in such a process or carrier. A plurality of wafers must be arranged or positioned in a fixed direction in advance in order for the above-described process to proceed effectively.
따라서, 웨이퍼의 결정 격자 방향 및 웨이퍼 정렬(align)을 위한 기준점으로서 웨이퍼의 일부 영역을 수평으로 절단한 플랫존(flat zone)을 구비한 플랫형 웨이퍼와, 웨이퍼의 가장자리 일부에 V 형상의 노치(notch)를 형성한 노치형 웨이퍼가 있다.Therefore, a flat wafer having a flat zone formed by horizontally cutting a part of the wafer as a crystal lattice direction of the wafer and a reference point for aligning the wafer, and a flat wafer having a V-shaped notch a notch type wafer is formed.
노치형 웨이퍼는 플랫형 웨이퍼보다 마크를 위해 절단되는 면적이 적으므로 보다 큰 영역에 반도체 소자들을 배치할 수 있는 장점이 있다. 통상 노치형 웨이퍼는 웨이퍼 노치 가공 장치에 의해 노치가 형성된다.The notched wafers have an advantage in that semiconductor elements can be arranged in a larger area because the area cut off for the mark is smaller than that of a flat wafer. Normally, a notch type wafer is notched by a wafer notch processing apparatus.
구체적으로 웨이퍼 노치 가공 장치는 노치 휠(wheel)을 이용하여 웨이퍼의 가장 자리로부터 안쪽으로 홈을 파서 노치를 형성한다. 이를 위해 노치 휠과 웨이퍼 중 적어도 하나가 회전하면서 상호간의 마찰력에 의하여 웨이퍼의 노치 부분이 연삭된다. 노치 휠은 쉽게 마모되지 않도록 다이아몬드 등의 재질로 이루어질 수 있다.Specifically, the wafer notch processing apparatus uses a notch wheel to groov inward from the edge of the wafer to form a notch. For this, at least one of the notch wheel and the wafer rotates, and the notch portion of the wafer is ground by the frictional force between them. The notch wheel may be made of diamond or the like so as not to be easily worn.
연삭 공정을 마친 웨이퍼의 노치 부분은 미세한 부분에 거친 흔적이 남아 있으므로 에칭액 또는 웨이퍼 노치 연마 장치에 의해 매끄럽게 가공되어야 한다.The notched portion of the wafer after the grinding process should be smoothly machined by an etchant or a wafer notch polishing apparatus since there are rough marks on the fine portions.
본 발명은 웨이퍼의 노치의 연마시 발생하는 부산물, 이물질 등에 의해 웨이퍼가 오염되는 현상을 방지하고 웨이퍼 노치 연마 효율을 향상시킬 수 있는 웨이퍼 노치 연마 장치를 제공하고자 한다.An object of the present invention is to provide a wafer notch polishing apparatus capable of preventing the wafer from being contaminated by by-products, foreign matter, and the like which are generated during polishing of a wafer notch and improving wafer notch polishing efficiency.
본 발명은 본체부; 노치가 형성된 웨이퍼의 가장 자리 영역이 끼워지면서 지지되며, 상기 본체부에 결합되는 노치부 그리퍼; 및 상기 웨이퍼가 끼워지는 상기 노치부 그리퍼 영역에 클리닝액을 분사하는 클리닝액 분사부;를 포함하는 웨이퍼 노치 연마 장치를 제공한다.The present invention relates to a light emitting device, A notch gripper supported by the edge region of the wafer on which the notch is formed and fitted to the body portion; And a cleaning liquid spraying unit for spraying a cleaning liquid to the notched gripper area in which the wafer is sandwiched.
상기 노치부 그리퍼는 상기 웨이퍼의 하면을 지지하는 하부 그리퍼; 상기 웨이퍼의 상면과 접촉되는 상부 그리퍼; 및 상기 하부 그리퍼와 상부 그리퍼의 경계면에 함몰되어 상기 웨이퍼의 가장자리 영역이 끼워지도록 하는 고정홈; 을 포함할 수 있다.The notched gripper includes a lower gripper for supporting a lower surface of the wafer; An upper gripper in contact with an upper surface of the wafer; And a fixing groove recessed at an interface between the lower gripper and the upper gripper to fit an edge region of the wafer. . ≪ / RTI >
상기 하부 그리퍼의 외측 단부는 노치 연마휠이 이동하는 가공홈을 사이에 두고 한 쌍으로 이격 배치되며, 상기 상부 그리퍼는 한 쌍으로 이루어져 상기 하부 그리퍼의 단부들에 각각 결합될 수 있다.The outer end of the lower gripper is spaced apart by a pair of machining grooves through which the notch polishing wheel moves, and the upper grippers may be coupled to the ends of the lower gripper.
상기 클리닝액 분사부는 상기 하부 그리퍼 내측에 배치되어 클리닝액이 공급되는 공급관; 및 상기 하부 그리퍼에 관통 형성되어 상기 공급관으로 공급된 상기 클리닝액이 분사되는 분사공;을 포함할 수 있다.Wherein the cleaning liquid jetting unit is disposed inside the lower gripper and supplied with a cleaning liquid; And a spray hole penetrating the lower gripper and spraying the cleaning liquid supplied to the supply pipe.
상기 공급관은 상기 하부 그리퍼의 외측 단부들과 나란하도록 한 쌍으로 배치될 수 있다.The supply pipe may be arranged in a pair so as to be parallel to the outer ends of the lower gripper.
상기 고정홈을 이루는 상기 하부 그리퍼의 경사면과 상기 분사공에 인접한 상기 공급관의 경사면은 서로 나란하게 배치될 수 있다.The inclined surface of the lower gripper forming the fixing groove and the inclined surface of the supply pipe adjacent to the injection hole may be arranged in parallel to each other.
상기 하부 그리퍼는 상기 본체부와의 체결을 위한 다수의 나사공이 형성되며, 상기 공급관은 상기 다수의 나사공들의 사이에 위치할 수 있다.The lower gripper may be formed with a plurality of screw holes for fastening with the body portion, and the supply pipe may be positioned between the plurality of screw holes.
상기 분사공은 상기 하부 그리퍼의 외측 단부의 중심 영역에 배치될 수 있다.The injection hole may be disposed at a central region of the outer end of the lower gripper.
상기 분사공은 상기 고정홈에 인접하도록 상기 하부 그리퍼에 관통 형성될 수 있다.The injection hole may be formed through the lower gripper so as to be adjacent to the fixing groove.
한편, 본 발명은 본체부; 상기 본체부에 결합되어 노치가 형성된 웨이퍼의 가장 자리 영역이 끼워지면서 지지되도록 하는 노치부 그리퍼; 상기 노치부 그리퍼와 마주보도록 배치되며 상기 웨이퍼의 타측 가장자리 영역이 끼워지면서 지지되도록 하는 에지부 그리퍼; 및 상기 웨이퍼가 끼워지는 상기 노치부 그리퍼 또는 상기 에지부 그리퍼 중 적어도 어느 하나의 영역에 클리닝액을 분사하는 클리닝액 분사부;를 포함하는 웨이퍼 노치 연마 장치를 제공한다.According to another aspect of the present invention, A notched gripper coupled to the body to support and support an edge region of the notched wafer; An edge gripper disposed to face the notched gripper and adapted to support and support the other edge region of the wafer; And a cleaning liquid spraying unit for spraying a cleaning liquid onto at least any one of the notched gripper or the edge gripper in which the wafer is sandwiched.
본 발명의 웨이퍼 노치 연마 장치에 따르면, 웨이퍼의 노치의 연마시 발생하는 부산물, 이물질 등을 클리닝액 분사부를 통해 노치부 그리퍼로부터 제거함으로써 웨이퍼가 오염되거나 파손되는 현상을 방지하고 웨이퍼 노치 연마 효율을 향상시켜 품질 열위를 방지할 수 있다.According to the wafer notch polishing apparatus of the present invention, it is possible to prevent the wafer from being contaminated or broken by removing the byproducts, foreign substances, and the like, which are generated during polishing of the wafer notches from the notch gripper through the cleaning liquid jetting section, Thereby preventing quality degradation.
도 1은 실시예에 따른 웨이퍼 노치 연마 장치의 개략적인 사시도이다.
도 2는 도 1에서 웨이퍼가 분리된 상태의 사시도이다.
도 3은 도 2의 평면도이다.
도 4는 웨이퍼 노치에 대한 연마를 보여주는 측면도이다.
도 5는 도 2의 노치부 그리퍼 영역에 대한 사시도이다.
도 6은 도 5의 노치부 그리퍼에 대한 측면도이다.
도 7은 노치부 그리퍼에 클리닝액 분사부가 장착된 상태를 보여준다.
도 8은 도 7의 측면도이다.
도 9는 도 7의 평면도이다.1 is a schematic perspective view of a wafer notch polishing apparatus according to an embodiment.
FIG. 2 is a perspective view of the wafer in FIG.
3 is a plan view of Fig.
Figure 4 is a side view showing the polishing of the wafer notch.
5 is a perspective view of the notched gripper area of FIG. 2;
6 is a side view of the notched gripper of Fig.
7 shows a state in which the cleaning liquid jetting unit is mounted on the notched gripper.
Fig. 8 is a side view of Fig. 7. Fig.
Fig. 9 is a plan view of Fig. 7. Fig.
이하, 실시 예들은 첨부된 도면 및 실시 예들에 대한 설명을 통하여 명백하게 드러나게 될 것이다. 실시 예의 설명에 있어서, 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들이 기판, 각 층(막), 영역, 패드 또는 패턴들의 "상/위(on)"에 또는 "하/아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "상/위(on)"와 "하/아래(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 층을 개재하여 (indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 층의 상/위 또는 하/아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS The above and other features and advantages of the present invention will become more apparent from the following detailed description taken in conjunction with the accompanying drawings, in which: FIG. In the description of the embodiments, it is to be understood that each layer (film), region, pattern or structure may be referred to as being "on" or "under" a substrate, each layer It is to be understood that the terms " on "and " under" include both " directly "or" indirectly " do. In addition, the criteria for the top / bottom or bottom / bottom of each layer are described with reference to the drawings.
도면에서 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장되거나 생략되거나 또는 개략적으로 도시되었다. 또한 각 구성요소의 크기는 실제크기를 전적으로 반영하는 것은 아니다. 또한 동일한 참조번호는 도면의 설명을 통하여 동일한 요소를 나타낸다. 이하, 첨부된 도면을 참조하여 실시 예를 설명한다.In the drawings, dimensions are exaggerated, omitted, or schematically illustrated for convenience and clarity of illustration. Also, the size of each component does not entirely reflect the actual size. The same reference numerals denote the same elements throughout the description of the drawings. Hereinafter, embodiments will be described with reference to the accompanying drawings.
도 1은 실시예에 따른 웨이퍼 노치 연마 장치의 개략적인 사시도이고, 도 2는 도 1에서 웨이퍼가 분리된 상태의 사시도이며, 도 3은 도 2의 평면도이다.Fig. 1 is a schematic perspective view of a wafer notch polishing apparatus according to an embodiment, Fig. 2 is a perspective view of the wafer in a state in which the wafer is separated in Fig. 1, and Fig. 3 is a plan view of Fig.
도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 실시예에 따른 웨이퍼 노치 연마 장치(1)는 본체부(100), 노치부 그리퍼(200), 에지부 그리퍼(300), 승하강 유닛(400)을 포함하여 구성될 수 있다.1 and 2, the wafer
본체부(100)에는 웨이퍼 노치 연마 장치(1)의 각종 부품들과 유닛들이 설치될 수 있다. 도면들에는 설명의 편의상 개략적인 형태의 본체부(100)와, 실시예와 관련 있는 본체부(100)에 인접한 주요 구성들을 도시하였으나 본체부(100)의 형상 및 본체부(100)에 결합된 구성요소들은 도면에 제한되지 않는다.Various components and units of the wafer
노치부 그리퍼(200)는 본체부(100)의 일측에 결합되며, 연마 대상의 웨이퍼(W)의 가장 자리(Edge) 영역이 끼워지면서 지지될 수 있다. 도 1에 도시된 바와 같이 노치부 그리퍼(200)에서는 웨이퍼(W)의 노치(n)가 형성된 부분이 위치할 수 있다. 웨이퍼(W)의 노치(n)는 별도의 노치부 가공 장치(미도시)에서 'V'자의 홈 형태로 가공될 수 있다. 예를 들어 웨이퍼(W)는 300 mm 크기의 웨이퍼일 수 있으며 크기는 이에 제한되지 않는다.The
에지부 그리퍼(300)는 노치부 그리퍼(200)와 마주보도록 배치되며, 에지부 그리퍼(300)에는 노치부 그리퍼(200) 웨이퍼(W)의 타측 가장자리 영역이 끼워지면서 지지될 수 있다.The
에지부 그리퍼(300)는 노치부 그리퍼(200)에 대하여 가까워지나 멀어지도록 이동할 수 있다. 이를 위해 도 3에 도시된 바와 같이 본체부(100)에는 에지부 그리퍼(300)를 선형 이동시킬 수 있는 모터부(450)가 장착될 수 있다. 예를 들어 모터부(450)는 본체부(100)의 상부 커버(110) 아래에 위치할 수 있으며, 모터와 기어 등을 포함하여 에지부 그리퍼(300)를 선형이동시킬 수 있다.The
따라서 웨이퍼(W)가 노치부 그리퍼(200)와 에지부 그리퍼(300) 사이에 끼워지기 전에는 에지부 그리퍼(300)가 노치부 그리퍼(200)로부터 멀리 떨어지도록 이격되며, 노치부 그리퍼(200)에 끼워진 웨이퍼(W)의 위치를 고정하기 위해서는 에지부 그리퍼(300)가 노치부 그리퍼(200)와 가까워지는 방향으로 이동할 수 있다.The
도 4는 웨이퍼 노치에 대한 연마를 보여주는 측면도이고, 도 5는 도 2의 노치부 그리퍼 영역에 대한 사시도이며, 도 6은 도 5의 노치부 그리퍼에 대한 측면도이다.Fig. 4 is a side view showing the polishing of the wafer notch, Fig. 5 is a perspective view of the notched gripper area of Fig. 2, and Fig. 6 is a side view of the notched gripper of Fig.
연마 대상의 웨이퍼(W)가 노치부 그리퍼(200)와 에지부 그리퍼(300) 사이에 끼워져 안착되면, 도 4 및 도 5에 도시된 바와 같이 노치 연마휠(650)이 노치부 그리퍼(200)를 향해 접근하면서 웨이퍼(W)의 노치(n)에 대한 연마를 수행할 수 있다.4 and 5, when the wafer W to be polished is sandwiched between the
노치 연마휠(650)은 노치 드럼(600)과, 노치 패드(700)를 포함할 수 있다.The
노치 드럼(600)은 노치 패드(700)를 감싸며, 중심축을 중심으로 회전할 수 있다. 예를 들어 노치 드럼(600)은 원반형으로써 노치 패드(700)를 착탈 결합시킬 수 있다.The
노치 패드(700)는 원반형으로 이루어지며, 노치 드럼(600)에 의해 회전하면서 웨이퍼(W)의 노치(n)의 연마를 수행할 수 있다. 예를 들어 노치 연마휠(650)은 노치(n)의 연마시 1,000 rpm으로 고속 회전할 수 있다.The
그리고 웨이퍼 노치 연마 장치(1)는 도 4에 도시된 바와 같이 노치 연마휠(650)에 대한 연마 작업시 웨이퍼(W)에 슬러리(Slurry)를 공급하는 슬러리 공급부(800)와, 세정액(DIW)을 공급 분사하는 세정액 분사부(900)를 더 포함할 수 있다.4, the wafer
슬러리 공급부(800)는 웨이퍼(W)의 상부 또는 하부에서 슬러리를 공급할 수 있으며, 공급된 슬러리는 노치(n)가 형성된 웨이퍼(W) 표면에서 비산되면서 웨이퍼(W)의 노치(n)를 연마한 후 하부로 이동하여 배출될 수 있다.The
세정액 분사부(900)는 웨이퍼(W)의 노치(n) 연마 작업시 비산되는 슬러리 및 부산물 등 웨이퍼(W) 표면에 묻은 오염물에 대한 세정을 수행할 수 있다. 예를 들어 세정액 분사부(900)는 웨이퍼(W)의 상부 영역에서 초순수(DIW)를 분사하는 분사노즐을 포함할 수 있다.The cleaning
웨이퍼(W)의 노치(n) 연마 작업 동안, 도 4에 도시된 바와 같이 웨이퍼(W)는 수평면에 대해 상부 또는 하부로 일정 각도(예컨대, 상부 및 하부로 각각 40˚) 경사지게 그 위치가 변화하면서 노치(n)의 가공면을 조절할 수 있다. 이를 위해 에지부 그리퍼(300)는 승하강 유닛(400)에 의해 노치부 그리퍼(200)를 축심으로 하여 웨이퍼(W)의 일측 가장자리 영역을 승하강시킬 수 있다.During the notch n polishing operation of the wafer W, as shown in Fig. 4, the position of the wafer W is inclined at an angle (e.g., 40 DEG to the upper and lower sides, respectively) So that the machined surface of the notch n can be adjusted. To this end, the
한편, 노치부 그리퍼(200)는 보다 상세하게는 하부 그리퍼(210), 상부 그리퍼(220, 230), 고정홈(221, 231)을 포함할 수 있다.The notched
하부 그리퍼(210)는 웨이퍼(W)의 하면을 지지하며, 본체부(100)에 볼트 등으로 결합될 수 있다. 예를 들어 하부 그리퍼(210)의 외측 단부는 노치 연마휠(650)이 이동하는 가공홈을 사이에 두고 한 쌍으로 이격 배치될 수 있다. 즉, 하부 그리퍼(210)는 'ㄷ'자 형상으로 이루어질 수 있다.The
상부 그리퍼(220, 230)는 웨이퍼(W)의 상면과 접촉되며, 하부 그리퍼(210)에 결합될 수 있다. 예를 들어 상부 그리퍼(220, 230)는 한 쌍으로 이루어져, 상술한 하부 그리퍼(210)의 단부들에 각각 결합될 수 있다.The
고정홈(221, 231)은 하부 그리퍼(210)와 상부 그리퍼(220, 230)의 경계면에 함몰되어 웨이퍼(W)의 가장자리 영역이 끼워지도록 한다. 예를 들어 고정홈(221, 231)은 도 5 및 도 6에 도시된 바와 같이 'V'자 형상을 가질 수 있다.The fixing
한편, 상술한 노치부 그리퍼(200)에 웨이퍼(W)가 끼워지면서 노치(n) 연마 가공을 수행하는 동안, 노치 연마휠(650)의 고속 회전, 슬러리 및 세정액(DIW)의 분사로 인해 부산물이 사방으로 비산하게 되면서 도 6에 도시된 바와 같이 가공시 부산물, 즉 이물질(P)이 상술한 고정홈(221, 231)에 축적될 수 있다.On the other hand, during the notch (n) polishing process while the wafer W is sandwiched by the notched
고정홈(221, 231)에 축적되는 이물질(P)은 웨이퍼 노치(n) 연마 작업이 반복될수록 더욱 축적될 수 있다.The foreign matter P accumulated in the fixing
이와 같이 이물질(P)이 노치부 그리퍼(200)의 고정홈(221, 231)에 축적되면, 웨이퍼(W) 노치(n) 연마 가공시의 웨이퍼(W)의 수평도를 해치거나 이물질(P)에 의해 웨이퍼(W)의 손상, 오염 등 웨이퍼(W)의 품질 열위를 발생시킬 수 있다.If the foreign matter P is accumulated in the fixing
이러한 현상을 방지하기 위해서 실시예에서는 클리닝액 분사부(500)를 더 포함할 수 있다.In order to prevent such a phenomenon, the cleaning
도 7은 노치부 그리퍼에 클리닝액 분사부가 장착된 상태를 보여주고, 도 8은 도 7의 측면도이며, 도 9는 도 7의 평면도이다.FIG. 7 shows a state in which the cleaning liquid jetting unit is mounted on the notched gripper, FIG. 8 is a side view of FIG. 7, and FIG. 9 is a plan view of FIG.
도 7 내지 9에 도시된 바와 같이 클리닝액 분사부(500)는 웨이퍼(W)가 끼워지는 노치부 그리퍼(200) 영역에 클리닝액을 분사할 수 있다. 따라서 클리닝액 분사부(500)는 웨이퍼(W)의 노치(n)의 연마시 발생하는 부산물, 이물질 등을 노치부 그리퍼(200)로부터 제거함으로써 웨이퍼(W)가 오염되는 현상을 방지하고 웨이퍼(W) 노치(n) 연마 효율을 향상시킴과 웨이퍼(W)의 품질 열위를 방지할 수 있다.7 to 9, the cleaning
보다 상세하게 클리닝액 분사부(500)는 공급관(520), 분사공(510)을 포함할 수 있다.In more detail, the cleaning
공급관(520)은 하부 그리퍼(210) 내측에 배치되어 클리닝액이 공급되는 통로를 형성한다. 공급관(520)은 공급 노즐(nozzle)로 호칭될 수도 있다. 공급관(520)은 웨이퍼 노치 연마 장치(1)에 설치된 상술한 세정액 분사부(900)의 세정액 공급라인과 연결하면서 클리닝액으로 세정액(DIW)를 공급받아 사용할 수 있다.The
물론, 공급관(520)은 클리닝액을 공급하는 별도의 클리닝액 저장탱크 및 컴프레서 등의 분사수단과 연결될 수도 있다.Of course, the
예를 들어 공급관(520)은 도 7 및 도 9에 도시된 바와 같이 하부 그리퍼(210)의 외측 단부들과 나란하도록 한 쌍으로 배치될 수 있다. 따라서 각각의 공급관(520)은 한 쌍의 고정홈(221, 231)에 클리닝액을 동시에 공급할 수 있다.For example, the
한편, 하부 그리퍼(210)에는 본체부(100)와의 체결을 위한 다수의 나사공(240)이 형성되는데, 공급관(520)은 다수의 나사공(240)들의 사이에 위치하면서 본체부(100)와의 체결에 방해가 되지 않도록 할 수 있다.The
분사공(510)은 고정홈(221, 231)에 인접하도록 하부 그리퍼(210)에 관통 형성되어 공급관(520)으로 공급된 클리닝액이 분사될 수 있다. 본 도면에서는 실시예로서 하나의 분사공(510)을 도시하였으나 분사공(510)의 개수와 위치는 다양하게 변형실시될 수 있다.The spray holes 510 are formed in the
한편, 분사공(510)이 클리닝액을 분사하여 효율적으로 이물질(P)을 제거할 수 있도록 도 8에 도시된 바와 같이 고정홈(221, 231)을 이루는 하부 그리퍼(210)의 경사면과 분사공(510)에 인접한 공급관(520)의 경사면은 서로 나란하게 배치될 수 있다.8, the inclined surface of the
따라서 분사공(510)에서 분사된 클리닝액은 하부 그리퍼(210)의 경사면을 따라서 분사되어 고정홈(221, 231)의 상부를 이루는 상부 그리퍼(220, 230)의 하면으로 분사하여 이물질(P)을 효율적으로 제거할 수 있다.The cleaning liquid sprayed from the
분사공(510)은 하부 그리퍼(210)의 외측 단부의 중심 영역에 배치될 수 있다. 하부 그리퍼(210)의 외측 단부 중심 영역에 분사공(510)이 위치함으로써 분사되는 클리닝액은 중심 영역에서 양측 가장자리로 분사되어 고정홈(221, 231)에 축적된 이물질을 제거하여 노치부 그리퍼(200)의 양측 아래로 배출될 수 있다.The
한편, 전술한 클리닝액 분사부(500)는 노치부 그리퍼(200)에만 구비되었으나 노치부 그리퍼(200) 또는 에지부 그리퍼(300) 중 적어도 어느 하나의 영역에 클리닝액 분사부(500)가 장착될 수도 있을 것이다. 즉, 클리닝액 분사부(500)는 노치부 그리퍼(200)와 에지부 그리퍼(300) 모두에도 설치할 수 있을 것이다.The cleaning
이와 같이 본 발명의 웨이퍼 노치 연마 장치에 따르면, 웨이퍼의 노치의 연마시 발생하는 부산물, 이물질 등을 클리닝액 분사부를 통해 노치부 그리퍼로부터 제거함으로써 웨이퍼가 오염되거나 파손되는 현상을 방지하고 웨이퍼 노치 연마 효율을 향상시켜 품질 열위를 방지할 수 있다.As described above, according to the wafer notch polishing apparatus of the present invention, by-products, foreign matter, and the like, which are generated during polishing of a wafer notch, are removed from the notch portion gripper through the cleaning liquid injection portion to prevent contamination or breakage of the wafer, Can be improved to prevent quality degradation.
이상에서 실시 예들에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 본 발명의 적어도 하나의 실시 예에 포함되며, 반드시 하나의 실시 예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시 예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시 예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의해 다른 실시 예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.The features, structures, effects and the like described in the embodiments are included in at least one embodiment of the present invention and are not necessarily limited to one embodiment. Further, the features, structures, effects, and the like illustrated in the embodiments can be combined and modified by other persons having ordinary skill in the art to which the embodiments belong. Therefore, it should be understood that the present invention is not limited to these combinations and modifications.
1 : 웨이퍼 노치 연마 장치 100 : 본체부
110 : 상부 커버 200 : 노치부 그리퍼
210 : 하부그리퍼 220, 230 : 상부그리퍼
221, 231 : 고정홈 240 : 볼트
300 : 에지부 그리퍼 400 : 승하강 유닛
450 : 모터부 500 : 클리닝액 분사부
510 : 분사공 520 : 공급관
650 : 노치 연마휠 600 : 노치드럼
700 : 노치 패드 800 : 슬러리 공급부
900 : 세정액 분사부 DIW : 초순수1: wafer notch polishing apparatus 100:
110: upper cover 200: notch gripper
210:
221, 231: Fixing groove 240: Bolt
300: Edge gripper 400: Up / down unit
450: motor section 500: cleaning liquid spraying section
510: Spout 520: Feeder
650: notch polishing wheel 600: notch drum
700: Notch pad 800: Slurry supply part
900: Cleaning liquid injection part DIW: Ultrapure water
Claims (10)
노치가 형성된 웨이퍼의 가장 자리 영역이 끼워지면서 지지되며, 상기 웨이퍼의 하면을 지지하는 하부 그리퍼와, 상기 웨이퍼의 상면과 접촉되는 상부 그리퍼; 및 상기 하부 그리퍼와 상부 그리퍼의 경계면에 함몰되어 상기 웨이퍼의 가장자리 영역이 끼워지도록 하는 고정홈; 을 포함하며, 상기 본체부에 결합되는 노치부 그리퍼; 및
상기 웨이퍼가 끼워지는 상기 노치부 그리퍼 영역에 클리닝액을 분사하는 클리닝액 분사부;를 포함하되,
상기 하부 그리퍼의 외측 단부는 노치 연마휠이 이동하는 가공홈을 사이에 두고 한 쌍으로 이격 배치되며, 상기 상부 그리퍼는 한 쌍으로 이루어져 상기 하부 그리퍼의 단부들에 각각 결합되며,
상기 클리닝액 분사부는
상기 하부 그리퍼 내측에 배치되어 클리닝액이 공급되는 공급관; 및
상기 하부 그리퍼에 관통 형성되어 상기 공급관으로 공급된 상기 클리닝액이 분사되는 분사공;을 포함하는 웨이퍼 노치 연마 장치.A body portion;
A lower gripper for supporting a bottom surface of the wafer, the upper gripper being held in contact with an upper surface of the wafer; And a fixing groove recessed at an interface between the lower gripper and the upper gripper to fit an edge region of the wafer. A notch gripper coupled to the body portion; And
And a cleaning liquid spraying unit for spraying a cleaning liquid onto the notched gripper area where the wafer is sandwiched,
The outer end of the lower gripper is spaced apart by a pair of machining grooves through which the notch polishing wheel moves, the upper grippers are coupled to the ends of the lower gripper,
The cleaning liquid jetting unit
A supply pipe disposed inside the lower gripper to supply a cleaning liquid; And
And a spray hole formed in the lower gripper and through which the cleaning liquid supplied to the supply pipe is sprayed.
상기 공급관은 상기 하부 그리퍼의 외측 단부들과 나란하도록 한 쌍으로 배치되는 웨이퍼 노치 연마 장치.The method according to claim 1,
And the supply pipe is disposed in a pair so as to be parallel to the outer ends of the lower gripper.
상기 고정홈을 이루는 상기 하부 그리퍼의 경사면과 상기 분사공에 인접한 상기 공급관의 경사면은 서로 나란하게 배치되는 웨이퍼 노치 연마 장치.6. The method of claim 5,
Wherein an inclined surface of the lower gripper forming the fixing groove and an inclined surface of the supply pipe adjacent to the injection hole are arranged in parallel to each other.
상기 하부 그리퍼는 상기 본체부와의 체결을 위한 다수의 나사공이 형성되며, 상기 공급관은 상기 다수의 나사공들의 사이에 위치하는 웨이퍼 노치 연마 장치.The method according to claim 6,
Wherein the lower gripper is formed with a plurality of screw holes for fastening with the body portion, and the supply pipe is located between the plurality of screw holes.
상기 분사공은 상기 하부 그리퍼의 외측 단부의 중심 영역에 배치되는 웨이퍼 노치 연마 장치.8. The method of claim 7,
Wherein the injection hole is disposed in a central region of the outer end of the lower gripper.
상기 분사공은 상기 고정홈에 인접하도록 상기 하부 그리퍼에 관통 형성되는 웨이퍼 노치 연마 장치.The method according to claim 6,
And the injection hole is formed through the lower gripper so as to be adjacent to the fixing groove.
상기 노치부 그리퍼와 마주보도록 배치되며 상기 웨이퍼의 타측 가장자리 영역이 끼워지면서 지지되도록 하는 에지부 그리퍼; 및
상기 에지부 그리퍼 영역에 클리닝액을 분사하는 클리닝액 분사부를 더 포함하며,
상기 클리닝액 분사부는
클리닝액이 공급되는 공급관; 및
상기 공급관으로 공급된 상기 클리닝액이 분사되는 분사공을 포함하는 웨이퍼 노치 연마 장치.The method according to claim 1,
An edge gripper disposed to face the notched gripper and adapted to support and support the other edge region of the wafer; And
Further comprising a cleaning liquid jetting unit for jetting a cleaning liquid to the edge gripper area,
The cleaning liquid jetting unit
A supply pipe to which a cleaning liquid is supplied; And
And a spray hole through which the cleaning liquid supplied to the supply pipe is injected.
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|---|---|---|---|
| KR1020170103349A KR101942319B1 (en) | 2017-08-16 | 2017-08-16 | Apparatus For Plolishing Notch Of Wafer |
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| KR1020170103349A KR101942319B1 (en) | 2017-08-16 | 2017-08-16 | Apparatus For Plolishing Notch Of Wafer |
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|---|---|
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| KR1020170103349A Active KR101942319B1 (en) | 2017-08-16 | 2017-08-16 | Apparatus For Plolishing Notch Of Wafer |
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Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07176505A (en) * | 1993-12-21 | 1995-07-14 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | Substrate retainer washing device |
| JP5188952B2 (en) * | 2006-02-22 | 2013-04-24 | 株式会社荏原製作所 | Substrate processing equipment |
| KR20150081566A (en) * | 2014-01-06 | 2015-07-15 | 주식회사 엘지실트론 | Apparatus for cleaning a wafer block |
| KR20170087766A (en) * | 2016-01-21 | 2017-07-31 | 주식회사 엘지실트론 | Polisher for notch of wafer |
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2017
- 2017-08-16 KR KR1020170103349A patent/KR101942319B1/en active Active
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07176505A (en) * | 1993-12-21 | 1995-07-14 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | Substrate retainer washing device |
| JP5188952B2 (en) * | 2006-02-22 | 2013-04-24 | 株式会社荏原製作所 | Substrate processing equipment |
| KR20150081566A (en) * | 2014-01-06 | 2015-07-15 | 주식회사 엘지실트론 | Apparatus for cleaning a wafer block |
| KR20170087766A (en) * | 2016-01-21 | 2017-07-31 | 주식회사 엘지실트론 | Polisher for notch of wafer |
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