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KR101940602B1 - 증착률을 측정하기 위한 측정 어셈블리 및 이를 위한 방법 - Google Patents

증착률을 측정하기 위한 측정 어셈블리 및 이를 위한 방법 Download PDF

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KR101940602B1
KR101940602B1 KR1020177034318A KR20177034318A KR101940602B1 KR 101940602 B1 KR101940602 B1 KR 101940602B1 KR 1020177034318 A KR1020177034318 A KR 1020177034318A KR 20177034318 A KR20177034318 A KR 20177034318A KR 101940602 B1 KR101940602 B1 KR 101940602B1
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조세 마누엘 디에게즈-캄포
안드레아스 로프
우베 슈쓸러
스테판 방게르트
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어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
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Abstract

증발된 재료의 증착률을 측정하기 위한 측정 어셈블리(100)가 설명된다. 측정 어셈블리(100)는 증착률을 측정하기 위한 발진 크리스털(110), 증발된 재료를 발진 크리스털(110)에 제공하기 위한 측정 배출구(150), 및 자기력에 의해 측정 배출구(150)를 개방 및 폐쇄하도록 구성된 자기 폐쇄 메커니즘(160)을 포함한다.

Description

증착률을 측정하기 위한 측정 어셈블리 및 이를 위한 방법
[0001] 본 개시내용은 증발된 재료의 증착률(deposition rate)을 측정하기 위한 측정 어셈블리, 재료의 증발을 위한 증발 소스, 재료를 기판에 적용하기 위한 증착 장치 및 증발된 재료의 증착률을 측정하기 위한 방법에 관한 것이다. 본 개시내용은 특히, 증발된 유기 재료의 증착률을 측정하기 위한 측정 어셈블리 및 이를 위한 방법에 관한 것이다. 또한, 본 개시내용은 특히, 내부에 유기 재료들을 포함하는 디바이스들, 예컨대 유기 재료를 위한 증발 소스 및 증착 장치에 관한 것이다.
[0002] 유기 증발기(organic evaporator)들은, OLED(organic light-emitting diode)들의 생산을 위한 툴이다. OLED들은, 발광 층이 특정 유기 화합물들의 박막을 포함하는 특별한 타입의 발광 다이오드이다. OLED(organic light emitting diode)들은, 정보를 디스플레이하기 위한 텔레비전 스크린들, 컴퓨터 모니터들, 모바일 폰들, 다른 핸드-헬드(hand-held) 디바이스들 등의 제조에 사용된다. OLED들은 또한, 일반적 공간 조명을 위해 사용될 수 있다. OLED 디스플레이들로 가능한 컬러들, 휘도, 및 시야각들의 범위는, 통상의 LCD 디스플레이들의 것보다 더 큰데, 왜냐하면 OLED 픽셀들이 광을 직접적으로 방출하며 백 라이트(back light)를 수반하지 않기 때문이다. 그러므로, OLED 디스플레이들의 에너지 소비는, 통상의 LCD 디스플레이들의 에너지 소비보다 상당히 더 적다. 또한, OLED들이 가요성 기판(flexible substrate)들 상에 제조될 수 있다는 사실은 추가의 애플리케이션들을 유발한다.
[0003] OLED의 기능성은 유기 재료의 코팅 두께에 따른다. 이 두께는 미리 결정된 범위 내에 있어야 한다. OLED들의 제조에서, 유기 재료로 코팅이 실행되는 증착률이, 미리 결정된 허용오차 범위 내에 있도록 제어된다. 다시 말해, 유기 증발기의 증착률은 생산 프로세스에서 철저히 제어되어야 한다.
[0004] 따라서, OLED 애플리케이션들에 대해서뿐만 아니라 다른 증발 프로세스들에 대해서도, 비교적 긴 시간에 걸쳐 증착률의 높은 정확도가 필요하다. 이용가능한 증발기들의 증착률을 측정하기 위한 복수의 측정 시스템들이 존재한다. 그러나, 이들 측정 시스템들은 원하는 시간 기간에 걸쳐 불충분한 정확도 및/또는 불충분한 안정성을 겪는다.
[0005] 따라서, 개선된 증착률 측정 시스템들, 증착률 측정 방법들, 증발기들 및 증착 장치들을 제공하는 것에 대한 계속되는 요구가 있다.
[0006] 상기 내용을 고려하여, 독립 청구항들에 따른, 증발된 재료의 증착률(deposition rate)을 측정하기 위한 측정 어셈블리, 증발 소스, 증착 장치 및 증발된 재료의 증착률을 측정하기 위한 방법이 제공된다. 추가의 장점들, 특징들, 양상들 및 세부사항들은 종속 청구항들, 상세한 설명 및 도면들로부터 명백하다.
[0007] 본 개시내용의 일 양상에 따르면, 증발된 재료의 증착률을 측정하기 위한 측정 어셈블리가 제공된다. 측정 어셈블리는 증착률을 측정하기 위한 발진 크리스털(oscillation crystal), 증발된 재료를 발진 크리스털에 제공하기 위한 측정 배출구(measurement outlet), 및 자기력에 의해 측정 배출구를 개방 및 폐쇄하도록 구성된 자기 폐쇄 메커니즘(magnetic closing mechanism)을 포함한다.
[0008] 본 개시내용의 다른 양상에 따르면, 재료의 증발을 위한 증발 소스가 제공된다. 증발 소스는 증발 도가니 ― 증발 도가니는 재료를 증발시키도록 구성됨 ―; 분배 파이프 ― 분배 파이프는 증발된 재료를 제공하기 위해 분배 파이프의 길이를 따라 제공된 하나 또는 그 초과의 배출구들을 갖고, 분배 파이프는 증발 도가니와 유체 연통함 ―; 및 본원에서 설명되는 임의의 실시예에 따른 측정 어셈블리를 포함한다.
[0009] 본 개시내용의 추가의 양상에 따르면, 재료를 일 증착률로 진공 챔버 내의 기판에 적용하기 위한 증착 장치가 제공된다. 증착 장치는, 본원에서 설명되는 실시예들에 따른 적어도 하나의 증발 소스를 포함한다.
[0010] 본 개시내용의 또 다른 양상에 따르면, 증발된 재료의 증착률을 측정하기 위한 방법이 제공된다. 방법은, 재료를 증발시키는 단계; 증발된 재료의 제1 부분을 기판에 적용하는 단계; 증발된 재료의 제2 부분을 발진 크리스털로 전환(diverting)시키는 단계; 및 본원에서 설명된 실시예들에 따라 측정 어셈블리를 사용함으로써 증착률을 측정하는 단계를 포함한다.
[0011] 본 개시내용은 또한, 방법들을 수행하기 위한 장치 부분들을 포함하는, 개시된 방법들을 수행하기 위한 장치에 관한 것이다. 방법은, 하드웨어 컴포넌트들에 의해, 적절한 소프트웨어에 의해 프로그래밍된 컴퓨터에 의해, 이들 둘의 임의의 조합에 의해, 또는 임의의 다른 방식으로 수행될 수 있다. 게다가, 본 개시내용은 또한, 설명된 장치의 동작 방법들에 관한 것이다. 본 개시내용은, 장치의 모든 각각의 기능을 수행하기 위한 방법을 포함한다.
[0012] 본원에서 설명된 본 개시내용의 상기 열거된 특징들이 상세히 이해될 수 있는 방식으로, 앞서 간략히 요약된 보다 구체적인 설명이 실시예들을 참조로 하여 이루어질 수 있다. 첨부 도면들은 본 개시내용의 실시예들에 관한 것이고, 하기에서 설명된다:
도 1은 본원에서 설명되는 실시예들에 따라, 증발된 재료의 증착률을 측정하기 위한 측정 어셈블리의 개략적 측면도를 도시하며, 측정 배출구는 개방 상태에 있고;
도 2는 도 1에 따른 측정 어셈블리의 개략적 측면도를 도시하며, 측정 배출구는 폐쇄 상태에 있고;
도 3a는 본원에서 설명되는 추가의 실시예들에 따라, 증발된 재료의 증착률을 측정하기 위한 측정 어셈블리의 개략적 측면도를 도시하며, 측정 배출구는 개방 상태에 있고;
도 3b는 도 3a에 따른 측정 어셈블리의 개략적 측면도를 도시하며, 측정 배출구는 폐쇄 상태에 있고;
도 4는 본원에서 설명되는 추가의 실시예들에 따라, 증발된 재료의 증착률을 측정하기 위한 측정 어셈블리의 개략적 측면도를 도시하고;
도 5a 내지 도 5c는 본원에서 설명되는 실시예들에 따른, 측정 어셈블리를 위한 자기 폐쇄 엘리먼트의 상이한 실시예들의 개략적 측면도들을 도시하고;
도 6a 및 도 6b는 본원에서 설명되는 실시예들에 따른 증발 소스의 개략적 측면도들을 도시하고;
도 7은 본원에서 설명되는 실시예들에 따른 증발 소스의 사시도를 도시하고;
도 8은 본원에서 설명되는 실시예들에 따라 진공 챔버 내의 기판에 재료를 적용하기 위한 증착 장치의 개략적 평면도를 도시하고; 그리고
도 9는 본원에서 설명되는 실시예들에 따라, 증발된 재료의 증착률을 측정하기 위한 방법을 예시하는 블록 다이어그램을 도시한다.
[0013] 이제, 본 개시내용의 다양한 실시예들이 상세히 참조될 것이고, 다양한 실시예들의 하나 또는 그 초과의 예들이 도면들에서 예시된다. 도면들의 다음의 설명 내에서, 동일한 참조 번호들은 동일한 컴포넌트들을 지칭한다. 다음에서, 개별적인 실시예들에 대한 차이들만이 설명된다. 각각의 예는 본 개시내용의 설명으로 제공되고, 본 개시내용의 제한으로서 의도되지 않는다. 추가로, 일 실시예의 일부로서 예시되거나 또는 설명되는 특징들은, 또 다른 추가의 실시예를 산출하기 위해, 다른 실시예들에 대해 또는 다른 실시예들과 함께 사용될 수 있다. 설명은 그러한 변형들 및 변화들을 포함하도록 의도된다.
[0014] 본 개시내용에서, "증착률(deposition rate)을 측정하기 위한 발진 크리스털"이라는 표현은, 발진 크리스털 공진기(oscillation crystal resonator)의 주파수의 변화를 측정함으로써 단위 면적 당 발진 크리스털 상에 증착된 재료의 질량 변동을 측정하기 위한 발진 크리스털로서 이해될 수 있다. 특히, 본 개시내용에서, 발진 크리스털은 석영 크리스털 공진기로서 이해될 수 있다. 더 구체적으로, "증착률을 측정하기 위한 발진 크리스털"은 QCM(quartz crystal microbalance)으로서 이해될 수 있다.
[0015] 본 개시내용에서, "측정 배출구"는, 증발된 재료가 측정 디바이스, 예컨대 발진 크리스털에 제공될 수 있게 하는 개구 또는 애퍼처로서 이해될 수 있다. 또한, 본 개시내용에서, "측정 배출구"는 증발 소스의 분배 파이프의 벽, 특히 후면측 벽에 제공되는 개구 또는 애퍼처로서 이해될 수 있다. 특히, "측정 배출구"는 증착 소스의 분배 파이프로부터 분배 파이프의 측정 측으로, 증발된 재료를 위한 통로를 제공할 수 있다. "측정 측"은, 특히 증착률을 측정하기 위해 발진 크리스털을 사용함으로써 측정이 수행되는 분배 파이프의 측으로서 이해될 수 있다. 예컨대, "측정 측"은 분배 파이프의 후면측에 있을 수 있다.
[0016] 본 개시내용에서, "자기 폐쇄 메커니즘"은 애퍼처, 예컨대 측정 배출구를 폐쇄 및 개방하도록 구성되는 메커니즘으로서 이해될 수 있다. 특히, "자기 폐쇄 메커니즘"은 측정 배출구를 폐쇄 및 개방하기 위해 자기력들이 이용되는 메커니즘으로서 이해될 수 있다.
[0017] 도 1을 예시적으로 참조하면, 본원에서 설명되는 실시예들에 따라, 증발된 재료의 증착률을 측정하기 위한 측정 어셈블리(100)는 증착률을 측정하기 위한 발진 크리스털(110), 증발된 재료를 발진 크리스털(110)에 제공하기 위한 측정 배출구(150), 및 자기 폐쇄 메커니즘(160)을 포함한다. 자기 폐쇄 메커니즘(160)은 자기력에 의해 측정 배출구(150)를 개방 및 폐쇄하도록 구성된다.
[0018] 본원에서 설명되는 바와 같은 자기 폐쇄 메커니즘을 갖는 측정 어셈블리를 제공함으로써, 측정 배출구는 신속하고 효율적인 방식으로 폐쇄될 수 있다. 예컨대, 측정 배출구는 제1 측정과 제2 측정 간의 시간 인터벌(time interval)에서 폐쇄될 수 있다. 따라서, 제1 측정과 제2 측정 간의 시간 인터벌에서, 발진 크리스털은 증발된 재료로부터 보호될 수 있다. 또한, 발진 크리스털 상에 증발된 재료의 양은 증발된 재료의 증착률을 측정하는 데 필요한 실제 양으로 최소화될 수 있으며, 이는 발진 크리스털의 수명을 연장하는 데 유리할 수 있다. 따라서, 본원에서 설명되는 바와 같은 측정 어셈블리의 실시예들은 고품질 증착률 측정들을 제공할 수 있는데, 왜냐하면, 발진 크리스털이 증발된 재료에 영구적으로 노출되는 구성에 비해 더 긴 시간 동안 발진 크리스털이 수행될 수 있기 때문이다. 부가적으로, 폐쇄가능 측정 배출구, 예컨대 폐쇄가능 노즐을 제공함으로써, 측정 어셈블리의 측정 측, 즉, 발진 크리스털이 배열되는 측 상에서의 증발된 재료의 입자 생성이 감소될 수 있거나 심지어 회피될 수 있으며, 이는 증착률 측정의 정확도에 유리할 수 있다. 따라서, 본원에서 설명되는 실시예들에 따라 증착률을 측정하기 위한 측정 어셈블리를 이용하는 것은 고품질 디스플레이 제조, 특히 OLED 제조에 유리할 수 있다.
[0019] 또한, 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 실시예들에 따르면, 측정 어셈블리(100)는 발진 크리스털(110)을 홀딩하기 위한 홀더(120)를 포함할 수 있다. 도 1에 예시적으로 도시된 바와 같이, 발진 크리스털(110)은 홀더(120) 내부에 배열될 수 있다. 또한, 증발된 재료의 증착률을 측정하기 위한 발진 크리스털(110)에 대한 증발된 재료 접근을 제공하기 위한 측정 개구(121)가 홀더(120)에 제공될 수 있다. 특히, 측정 개구(121)는, 증발된 재료가, 증발된 재료의 증착률을 측정하기 위한 발진 크리스털 상에 증착될 수 있도록 구성 및 배열될 수 있다. 도 1의 점선 화살표들은 측정 배출구(150)를 통해 제공되는 증발된 재료의 경로를 개략적으로 예시한다.
[0020] 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 실시예들에 따르면, 자기 폐쇄 메커니즘(160)은 도 1 내지 도 4에 예시적으로 도시된 바와 같은 자기 폐쇄 엘리먼트(161)를 포함할 수 있다. 예컨대, 자기 폐쇄 엘리먼트(161)는, 강자성 재료들, 특히 철, 니켈, 코발트, 희금속 합금들 및 강자성 합금들로 이루어진 그룹으로부터 선택된 적어도 하나의 자성 재료를 포함할 수 있다.
[0021] 본원에서 설명되는 바와 같은 측정 어셈블리(100)의 실시예들에 따르면, 자기 폐쇄 엘리먼트는 측정 배출구(150)의 개방 상태와 폐쇄 상태 간에 이동하도록 구성될 수 있다. 도 1은 본원에서 설명되는 실시예들에 따른 측정 어셈블리(100)의 개략적 측면도를 도시하며, 측정 배출구(150)는 개방 상태에 있다. 도 2는 도 1에 따른 측정 어셈블리(100)의 개략적 측면도를 도시하며, 측정 배출구(150)는 폐쇄 상태에 있다. 도 2에 예시적으로 도시된 바와 같이, 측정 배출구(150)의 폐쇄 상태에서, 자기 폐쇄 엘리먼트(161)는, 측정 배출구(150) 내에서, 측정 배출구(150)가 자기 폐쇄 엘리먼트(161)에 의해 차단되는 포지션에 있을 수 있다. 따라서, 자기 폐쇄 엘리먼트(161) 및 측정 배출구(150)는, 측정 배출구(150)가 자기 폐쇄 엘리먼트(161)에 의해 밀봉될 수 있도록 구성될 수 있다. 따라서, 측정 배출구를 통한 경로는 측정 배출구의 폐쇄 상태에서, 증발된 재료에 대해 차단될 수 있다.
[0022] 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 실시예들에 따르면, 도 1 및 도 2에 예시적으로 도시된 바와 같이, 자기 폐쇄 메커니즘(160)은 전자기 어레인지먼트(165)를 포함할 수 있다. 전자기 어레인지먼트(165)는, 측정 배출구(150)의 개방 상태로부터 폐쇄 상태로 자기 폐쇄 엘리먼트(161)를 이동시키기 위해 자기 폐쇄 엘리먼트(161)에 자기력을 가하도록 구성된다. 도 1에 예시적으로 도시된 바와 같이, 전자기 어레인지먼트(165)는 측정 배출구(150) 둘레에 배열될 수 있다. 예컨대, 전자기 어레인지먼트(165)는, 측정 측 가까이 로케이팅되는 측정 배출구의 포지션에 배열될 수 있다.
[0023] 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 실시예들에 따르면, 개방 포지션에서 자기 폐쇄 엘리먼트(161)를 홀딩하기 위해 홀딩 엘리먼트(163)가 제공될 수 있다. 도 1을 예시적으로 참조하면, 홀딩 엘리먼트(163)는 스프링과 같은 탄성 엘리먼트일 수 있다. 홀딩 엘리먼트(163)는 자기 폐쇄 엘리먼트(161)에 연결될 수 있다. 또한, 홀딩 엘리먼트(163)는 측정 배출구(150)의 통로의 내부 벽에 연결될 수 있다. 따라서, 전자기 어레인지먼트(165)가 자기 폐쇄 엘리먼트(161)에 자기력을 가하도록 스위치 온되는 경우, 자기 폐쇄 엘리먼트가 전자기 어레인지먼트(165)의 포지션을 향해 이동하여, 도 2에 예시적으로 도시된 바와 같이, 측정 배출구(150)의 폐쇄를 유발할 수 있다. 당업자는, 전자기 어레인지먼트(165)가 스위치 오프될 때, 홀딩 엘리먼트(163)가 자기 폐쇄 엘리먼트(161)에 힘을 가하여, 자기 폐쇄 엘리먼트(161)가 자신의 초기 포지션, 예컨대 도 1에 도시된 바와 같은 개방 상태 포지션으로 다시(back) 이동할 수 있다는 것을 도 1 및 도 2로부터 이해한다. 특히, 도 2에 예시적으로 도시된 바와 같이, 홀딩 엘리먼트(163)는, 자기 폐쇄 엘리먼트(161)의 폐쇄 상태 포지션에서, 자기 폐쇄 엘리먼트(161)에 탄성력, 예컨대 탄성 세장형 홀딩 엘리먼트(163)에 저장된 스프링력을 가할 수 있다.
[0024] 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 실시예들에 따르면, 자기 폐쇄 엘리먼트(161)는 다양한 기하학적 형상들의 형태일 수 있다. 특히, 자기 폐쇄 엘리먼트는 공기역학적(aerodynamic), 층류-촉진(laminar-promoting), 및/또는 난류 감소(turbulence reducing) 형상을 포함할 수 있다. 예컨대, 자기 폐쇄 엘리먼트(161)는, 도 2에 예시적으로 도시된 바와 같이, 측정 배출구(150)의 폐쇄 상태에서 측정 배출구(150)를 밀봉하도록 구성된 구형 형상을 가질 수 있다. 대안적으로, 자기 폐쇄 엘리먼트(161)는 타원형 형상, 원뿔형(cone-like) 형상, 이중 원뿔형 형상, 피라미드형 형상, 다이아몬드형 형상 또는 임의의 다른 적절한 형상을 포함할 수 있다. 본원에서 설명되는 실시예들에 따라 자기 폐쇄 엘리먼트(161)를 위해 사용될 수 있는 다양한 기하학적 형상들의 예시적 예들이 도 5a 내지 도 5c에 도시된다. 예컨대, 도 5a는 원뿔형 형상 또는 원추형 형상(conus-like shape)을 갖는 자기 폐쇄 엘리먼트(161)를 도시하고, 도 5b는 이중 원뿔형 또는 다이아몬드형 형상을 갖는 자기 폐쇄 엘리먼트(161)를 도시하고, 도 5c는 타원형 형상을 갖는 자기 폐쇄 엘리먼트(161)를 도시한다. 본원에서 설명되는 실시예들에 따라, 자기 폐쇄 엘리먼트(161)의 기하학적 구조 및 측정 배출구(150)의 기하학적 구조는, 자기 폐쇄 엘리먼트(161)의 폐쇄 포지션에서 측정 배출구(150)가 밀봉될 수 있도록 구성되고 서로 적응된다는 것이 이해될 것이다.
[0025] 도 1 내지 도 4에 예시적으로 도시된 바와 같이, 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 실시예들에 따르면, 전자기 어레인지먼트는 전력원(180)에 연결될 수 있다. 전력원은 가변 전압 전력원, 이를테면, DC 전력원, AC 전력원 등을 포함할 수 있다. 예컨대, 전자기 어레인지먼트가 전력원(180)에 의해 활성화되는(energized) 경우, 전자기 어레인지먼트가 자기 폐쇄 엘리먼트(161)를 자기적으로 바이어싱하여, 자기 폐쇄 엘리먼트(161)는 결과적으로, 활성화된 전자기 어레인지먼트가 배열되는 포지션을 향해 이동할 수 있다. 자기 폐쇄 엘리먼트(161)의 이동은 도 1에서 자기 폐쇄 엘리먼트(161) 상의 화살표에 의해 예시적으로 표시된다.
[0026] 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 실시예들에 따르면, 전자기 어레인지먼트(165)는 도 1 및 도 2에 예시적으로 도시된 바와 같이, 측정 배출구(150) 둘레에 배열된 링 자석으로서 구성될 수 있다. 대안적으로, 전자석 어레인지먼트(165)는 측정 배출구(150) 둘레에 배열되는 하나 또는 그 초과의 전자기 엘리먼트들을 포함할 수 있다. 하나 또는 그 초과의 전자기 엘리먼트들은 하나 또는 그 초과의 전자기 엘리먼트들을 활성화(energizing)하기 위한 전력원(180)에 연결될 수 있다.
[0027] 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 실시예들에 따르면, 자기 폐쇄 엘리먼트(161)는 도 3a, 도 3b, 도 4, 및 도 5a 내지 도 5c에 예시적으로 도시된 바와 같은 코팅(162)을 포함할 수 있다. 코팅(162)은 측정될 증발된 재료에 대해 비-반응성인 재료를 포함할 수 있다. 특히, 코팅은 증발된 유기 재료에 대해 비-반응성인 재료를 포함할 수 있다. 예컨대, 코팅(162)은, 티타늄(Ti); 세라믹들, 특히 실리콘 산화물(SiO2), 알루미늄 산화물(Al2O3), 마그네슘 산화물(MgO), 및 지르코늄 산화물(ZrO2)로 이루어진 그룹으로부터 선택된 적어도 하나의 재료를 포함할 수 있다. 따라서, 자기 폐쇄 엘리먼트(161) 상에서의 증발된 재료의 축적은 감소되거나 심지어 회피될 수 있다.
[0028] 도 4를 예시적으로 참조로, 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 실시예들에 따르면, 자기 폐쇄 메커니즘(160)은 제1 전자석 어레인지먼트(165A) 및 제2 전자석 어레인지먼트(166)를 포함할 수 있다. 제1 전자기 어레인지먼트(165A)는 측정 배출구(150)의 측정 측(111) 가까이 로케이팅된 측정 배출구의 포지션에 배열될 수 있고, 제2 전자석 어레인지먼트(166)는 측정 측(111)의 반대 측(112) 가까이 로케이팅된 측정 배출구의 포지션에 배열될 수 있다. 따라서, 증발된 재료의 통로는 도 2에 예시적으로 도시된 바와 같은 제1 포지션에서 또는 도 3b에 예시적으로 도시된 바와 같은 제2 포지션에서, 자기 폐쇄 엘리먼트(161)에 의해 차단될 수 있다. 따라서, 자기 폐쇄 엘리먼트는 (도 3a에 예시적으로 도시된) 개방 포지션과 (도 2에 예시적으로 도시된) 제1 폐쇄 포지션 또는 (도 3b에 예시적으로 도시된) 제2 폐쇄 포지션 간에 이동가능하도록 구성될 수 있다. 2개의 상이한 폐쇄 포지션들 간의 자기 폐쇄 엘리먼트의 이러한 가능한 이동은 도 3a에서 자기 폐쇄 엘리먼트(161) 상의 양방향 화살표(double sided arrow)에 의해 예시적으로 예시된다.
[0029] 또한, 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 실시예들에 따르면, 도 3a 및 도 3b에 예시적으로 도시된 바와 같이, 제1 전자기 어레인지먼트(165A)와 제2 전자석 어레인지먼트(166) 간에 배열되는 제3 전자기 어레인지먼트(167)가 제공될 수 있다. 예컨대, 제3 전자기 어레인지먼트(167)는 도 3a에 도시된 바와 같이, 자기 폐쇄 엘리먼트를 제1 폐쇄 포지션 또는 제2 폐쇄 포지션으로부터 개방 포지션으로 이동시키기 위해 사용될 수 있다. 예컨대, 제3 전자기 어레인지먼트가 전력원(180)에 의해 활성화되는 경우, 제3 전자기 어레인지먼트(167)가 자기 폐쇄 엘리먼트(161)를 자기적으로 바이어싱하여, 자기 폐쇄 엘리먼트(161)는 결과적으로, 제3 전자기 어레인지먼트가 배열되는 포지션을 향해 이동할 수 있다. 따라서, 제3 전자기 어레인지먼트(167)는 폐쇄된 측정 배출구를 개방하기 위해서뿐만 아니라, 측정 배출구의 개방 상태가 유지될 수 있도록 개방 포지션에서 자기 폐쇄 엘리먼트를 홀딩하기 위해 사용될 수 있다.
[0030] 도 3a 및 도 3b를 예시적으로 참조하면, 제1 전자기 어레인지먼트(165A), 제2 전자기 어레인지먼트(166) 및 제3 전자기 어레인지먼트(167)는 전력원(180)에 연결될 수 있다. 대안적으로, 제1 전자기 어레인지먼트(165A), 제2 전자기 어레인지먼트(166) 및 제3 전자기 어레인지먼트(167) 각각은 별개의 전력원(도시되지 않음)에 연결될 수 있다. 본원에서 설명되는 바와 같은 전력원은, 전력원이 연결되는 각각의 전자기 어레인지먼트를 활성화하는 데 사용될 수 있어서, 각각의 전자기 어레인지먼트가 자기 폐쇄 엘리먼트(161)를 자기적으로 바이어싱시킬 수 있다는 것이 이해될 것이다. 따라서, 자기 폐쇄 엘리먼트는 각각의 활성화된 전자기 어레인지먼트가 배열되는 포지션을 향해 이동할 수 있다.
[0031] 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 실시예들에 따르면, 측정 배출구(150)로의 통로의 내부 벽은 공기역학적 및/또는 층류-촉진 및/또는 난류 감소 기하학적 구조를 갖도록 구성될 수 있다. 또한, 측정 배출구(150)로의 통로의 내부 벽은 도 4에 예시적으로 도시된 바와 같은 표면 코팅(155)을 포함할 수 있다. 표면 코팅(155)은 증발된 재료에 대해 비-반응성인, 특히 증발된 유기 재료에 대해 비-반응성인 재료를 포함할 수 있다. 예컨대, 표면 코팅(155)은, 티타늄(Ti); 세라믹들, 특히 실리콘 산화물(SiO2), 알루미늄 산화물(Al2O3), 마그네슘 산화물(MgO), 및 지르코늄 산화물(ZrO2)로 이루어진 그룹으로부터 선택된 적어도 하나의 재료를 포함할 수 있다. 따라서, 측정 배출구(150)의 통로의 내부 벽 상에서의 증발된 재료의 축적은 감소될 수 있거나 심지어 회피될 수 있으며, 이는 측정 배출구(150)의 막힘(clogging)을 회피하기에 유리할 수 있다.
[0032] 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 실시예들에 따르면, 측정 어셈블리(100)는 도 4에 예시적으로 도시된 바와 같은 제어 시스템(170)을 포함할 수 있다. 제어 시스템(170)은, 자기 폐쇄 엘리먼트(161)에 작용하는 자기력을 생성하기 위한 각각의 전자기 어레인지먼트에 연결될 수 있다. 예컨대, 도 4에 도시된 예시적 실시예에서, 제어 시스템(170)은 제1 전자기 어레인지먼트(165A) 및 제2 전자기 어레인지먼트(166)에 연결된다. 도 1 내지 도 3b에 명시적으로 예시되지 않았지만, 당업자는, 제어 시스템(170)이 또한, 도 1 및 도 2에 도시된 전자기 어레인지먼트(165) 또는 도 3a 및 도 3b에 도시된 제1 전자기 어레인지먼트(165A), 제2 전자기 어레인지먼트(166), 및 제3 전자기 어레인지먼트(167)에 연결될 수 있다는 것을 이해한다. 도 4에 예시적으로 도시된 바와 같이, 제어 시스템(170)은 각각의 전자기 어레인지먼트를 활성화하기 위한 전력원, 예컨대 제1 전자기 어레인지먼트(165A)를 활성화하기 위한 제1 전력원(180A) 및 제2 전자기 어레인지먼트(166)를 활성화하기 위한 제2 전력원(180B)에 연결될 수 있다. 특히, 제어 시스템(170)은 각각의 전자기 어레인지먼트를 활성화하는 데 이용되는 각각의 전력원의 전력을 제어할 수 있다. 따라서, 각각의 전력원의 전력을 제어함으로써, 각각의 전자기 어레인지먼트에 의해 생성되는 자기력이 조정될 수 있으며, 이는 측정 배출구의 폐쇄 상태로부터 측정 배출구의 개방 상태로의 그리고 측정 배출구의 개방 상태로부터 측정 배출구의 폐쇄 상태로의 스위칭 시간을 제어하는 데 유리할 수 있다.
[0033] 도 6a 및 도 6b는 본원에서 설명되는 바와 같은 실시예들에 따른 증발 소스(200)의 개략적 측면도들을 도시한다. 실시예들에 따르면, 증발 소스(200)는 증발 도가니(210)를 포함하고, 증발 도가니는 재료를 증발시키도록 구성된다. 또한, 증발 소스(200)는 도 6b에 예시적으로 도시된 바와 같이, 증발된 재료를 제공하기 위한 분배 파이프의 길이를 따라 제공된 하나 또는 그 초과의 배출구들(222)을 갖는 분배 파이프(220)를 포함한다. 실시예들에 따르면, 분배 파이프(220)는 도 6b에 예시적으로 도시된 바와 같이, 예컨대 증기 도관(232)에 의해 증발 도가니(210)와 유체 연통한다. 증기 도관(232)은, 분배 파이프의 중앙 부분에서, 또는 분배 파이프의 하부 단부와 분배 파이프의 상부 단부 간의 다른 포지션에서, 분배 파이프(220)에 제공될 수 있다. 또한, 본원에서 설명되는 실시예들에 따른 증발 소스(200)는 본원에서 설명되는 실시예들에 따른 측정 어셈블리(100)를 포함한다. 따라서, 증착률이 높은 정확도로 측정될 수 있는 증발 소스(200)가 제공된다. 따라서, 본원에서 설명되는 실시예들에 따른 증발 소스(200)를 이용하는 것은 고품질 디스플레이 제조, 특히 OLED 제조에 유리할 수 있다.
[0034] 도 6a에 예시적으로 도시된 바와 같이, 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 실시예들에 따르면, 분배 파이프(220)는 가열 엘리먼트(215)를 포함하는 세장형 튜브일 수 있다. 증발 도가니(210)는, 가열 유닛(225)을 이용하여 증발될 재료, 예컨대 유기 재료에 대한 저장소(reservoir)일 수 있다. 예컨대, 가열 유닛(225)이 증발 도가니(210)의 인클로저 내에 제공될 수 있다. 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 실시예들에 따르면, 분배 파이프(220)는 라인 소스를 제공할 수 있다. 예컨대, 도 6b에 예시적으로 도시된 바와 같이, 복수의 배출구들(222), 이를테면, 노즐들이 적어도 하나의 라인을 따라 배열될 수 있다. 대안적 실시예(도시되지 않음)에 따르면, 적어도 하나의 라인을 따라 연장되는 하나의 세장형 개구, 예컨대 슬릿이 제공될 수 있다. 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 일부 실시예들에 따르면, 라인 소스는 본질적으로 수직으로 연장될 수 있다.
[0035] 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 일부 실시예들에 따르면, 분배 파이프(220)의 길이는 증착 장치 내에서 재료가 증착될 기판의 높이에 대응할 수 있다. 대안적으로, 분배 파이프(220)의 길이는, 재료가 증착될 기판의 높이보다, 예컨대 적어도 10% 또는 심지어 20% 만큼 더 길 수 있다. 따라서, 기판의 상부 단부 및/또는 기판의 하부 단부에서의 균일한 증착이 제공될 수 있다. 예컨대, 분배 파이프(220)의 길이는 1.3 m 또는 그 초과, 예컨대 2.5 m 또는 그 초과일 수 있다.
[0036] 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 실시예들에 따르면, 증발 도가니(210)는 도 6a에 예시적으로 도시된 바와 같이, 분배 파이프(220)의 하부 단부에 제공될 수 있다. 재료, 예컨대 유기 재료가 증발 도가니(210)에서 증발될 수 있다. 증발된 재료는 분배 파이프의 최하부에서 분배 파이프(220)에 진입할 수 있고, 분배 파이프(220)의 복수의 배출구들(222)을 통해 본질적으로 옆으로(sideways), 예컨대 본질적으로 수직 기판을 향해 안내될 수 있다. 도 6b를 예시적으로 참조하면, 본원에서 설명되는 실시예들에 따른 측정 어셈블리(100)는 분배 파이프(220)의 상부 부분, 특히 상부 단부에 제공될 수 있다.
[0037] 도 6b를 예시적으로 참조로, 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 실시예들에 따르면, 측정 배출구(150)는 분배 파이프(220)의 벽 또는 분배 파이프의 단부 부분, 예컨대 도 6b 및 도 7에 예시적으로 도시된 바와 같은 분배 파이프의 후면측(224A)의 벽에 제공될 수 있다. 대안적으로, 측정 배출구(150)는 분배 파이프(220)의 최상부 벽(224C)에 제공될 수 있다. 도 6b 및 도 7에서 화살표(151)에 의해 예시적으로 표시된 바와 같이, 증발된 재료는 분배 파이프(220)의 내부로부터 측정 배출구(150)를 통해 측정 어셈블리(100)로 제공될 수 있다.
[0038] 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 실시예들에 따르면, 측정 배출구(150)는 0.5 mm 내지 4 mm의 개구를 가질 수 있다. 측정 배출구(150)는 노즐을 포함할 수 있다. 예컨대, 노즐은 측정 어셈블리(100)에 제공되는 증발된 재료의 유동을 조정하기 위한 조정가능 개구를 포함할 수 있다. 특히, 노즐은, 증발 소스에 의해 제공되는 총 유동의 1/70의 하한, 특히 증발 소스에 의해 제공되는 총 유동의 1/60의 하한, 더욱 특히 증발 소스에 의해 제공되는 총 유동의 1/50의 하한과 증발 소스에 의해 제공되는 총 유동의 1/40의 상한, 특히 증발 소스에 의해 제공되는 총 유동의 1/30의 상한, 더욱 특히 증발 소스에 의해 제공되는 총 유동의 1/25의 상한 간의 범위로부터 선택된 측정 유동을 제공하도록 구성될 수 있다. 예컨대, 노즐은 증발 소스에 의해 제공되는 총 유동의 1/54의 측정 유동을 제공하도록 구성될 수 있다.
[0039] 도 7은 본원에서 설명되는 실시예들에 따른 증발 소스(200)의 사시도를 도시한다. 도 7에 예시적으로 도시된 바와 같이, 분배 파이프(220)는 삼각형 형상으로 설계될 수 있다. 분배 파이프(220)의 삼각형 형상은, 2개 또는 그 초과의 분배 파이프들이 서로 나란히 배열되는 경우에 유리할 수 있다. 특히, 분배 파이프(220)의 삼각형 형상은, 이웃 분배 파이프들의 배출구들을 가능한 한 서로 근접하게 하는 것을 가능하게 한다. 이는, 예컨대, 2개, 3개 또는 훨씬 더 많은 상이한 재료들의 동시-증발의 경우에 대해, 상이한 분배 파이프들로부터의 상이한 재료들의 개선된 혼합을 달성하는 것을 허용한다. 도 7에 예시적으로 도시된 바와 같이, 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 실시예들에 따르면, 측정 어셈블리(100)는 분배 파이프(220)의 중공 공간, 특히 분배 파이프의 상부 단부에 제공될 수 있다.
[0040] 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 실시예들에 따르면, 분배 파이프(220)는 벽들, 예컨대 측벽들(224B) 및 분배 파이프의 후면측(224A)의 벽, 예컨대 분배 파이프의 단부 부분을 포함할 수 있고, 이들은 가열 엘리먼트(215)에 의해 가열될 수 있다. 가열 엘리먼트(215)는 분배 파이프(220)의 벽들에 장착 또는 부착될 수 있다. 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 일부 실시예들에 따르면, 증발 소스(200)는 실드(204)를 포함할 수 있다. 실드(204)는 증착 영역을 향한 열 방사를 감소시킬 수 있다. 또한, 실드(204)는 냉각 엘리먼트(216)에 의해 냉각될 수 있다. 예컨대, 냉각 엘리먼트(216)는 실드(204)에 장착될 수 있고, 냉각 유체를 위한 도관을 포함할 수 있다.
[0041] 도 8은 본원에서 설명되는 실시예들에 따라 진공 챔버(310) 내의 기판(333)에 재료를 적용하기 위한 증착 장치(300)의 개략적 평면도를 도시한다. 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 실시예들에 따르면, 본원에서 설명되는 바와 같은 증발 소스(200)는 진공 챔버(310) 내에서 예컨대 트랙, 예컨대 선형 가이드(320) 또는 루프형 트랙 상에 제공될 수 있다. 트랙 또는 선형 가이드(320)는 증발 소스(200)의 병진 이동을 위해 구성될 수 있다. 따라서, 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 실시예들에 따르면, 병진 이동을 위한 드라이브(drive)가, 진공 챔버(310) 내의 트랙 및/또는 선형 가이드(320)에서 증발 소스(200)를 위해 제공될 수 있다. 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 실시예들에 따르면, 인접한 진공 챔버(도 8에 도시되지 않음)에 대한 진공 밀봉(vacuum seal)을 가능하게 하는 제1 밸브(305), 예컨대 게이트 밸브가 제공될 수 있다. 제1 밸브는, 진공 챔버(310) 내로의 또는 진공 챔버(310) 밖으로의 기판(333) 또는 마스크(332)의 이송을 위해 개방될 수 있다.
[0042] 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 일부 실시예들에 따르면, 도 8에 예시적으로 도시된 바와 같이, 추가의 진공 챔버, 이를테면 유지보수 진공 챔버(maintenance vacuum chamber)(311)가 진공 챔버(310) 근처에 제공될 수 있다. 따라서, 진공 챔버(310) 및 유지보수 진공 챔버(311)는 제2 밸브(307)를 이용하여 연결될 수 있다. 제2 밸브(307)는, 진공 챔버(310)와 유지보수 진공 챔버(311) 간의 진공 밀봉을 개방 및 폐쇄하도록 구성될 수 있다. 제2 밸브(307)가 개방 상태에 있는 동안, 증발 소스(200)는 유지보수 진공 챔버(311)로 이송될 수 있다. 그 후에, 진공 챔버(310)와 유지보수 진공 챔버(311) 간에 진공 밀봉을 제공하기 위해, 제2 밸브(307)가 폐쇄될 수 있다. 제2 밸브(307)가 폐쇄되는 경우, 유지보수 진공 챔버(311)는 배기될(vented) 수 있으며, 진공 챔버(310)에서의 진공을 깨뜨리지 않으면서 증발 소스(200)의 유지보수를 위해 개방될 수 있다.
[0043] 도 8에 예시적으로 도시된 바와 같이, 2개의 기판들은 진공 챔버(310) 내의 각각의 이송 트랙들 상에 지지될 수 있다. 또한, 그 상부에 마스크들을 제공하기 위한 2개의 트랙들이 제공될 수 있다. 따라서, 코팅 동안 기판(333)은 각각의 마스크들에 의해 마스킹될 수 있다. 예컨대, 마스크(332)를 미리 결정된 포지션에 홀딩하기 위한 마스크 프레임(331)에 마스크가 제공될 수 있다.
[0044] 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 일부 실시예들에 따르면, 기판(333)은, 정렬 유닛(312)에 연결될 수 있는 기판 지지부(326)에 의해 지지될 수 있다. 정렬 유닛(312)은 마스크(332)에 대해 기판(333)의 포지션을 조정할 수 있다. 도 8에 예시적으로 도시된 바와 같이, 기판 지지부(326)는 정렬 유닛(312)에 연결될 수 있다. 따라서, 재료의 증착 동안, 고품질 디스플레이 제조에 유리할 수 있는 기판과 마스크 간의 적절한 정렬을 제공하기 위해, 기판이 마스크(332)에 대해 이동될 수 있다. 대안적으로 또는 부가적으로, 마스크(332) 및/또는 마스크(332)를 홀딩하는 마스크 프레임(331)이 정렬 유닛(312)에 연결될 수 있다. 따라서, 마스크(332)가 기판(333)에 대해 포지셔닝될 수 있거나, 또는 마스크(332) 및 기판(333) 둘 모두가 서로에 대해 포지셔닝될 수 있다.
[0045] 도 8에 도시된 바와 같이, 선형 가이드(320)는 증발 소스(200)의 병진 이동의 방향을 제공할 수 있다. 마스크(332)는 증발 소스(200)의 양측에 제공될 수 있다. 마스크들은 병진 이동의 방향에 대해 본질적으로 평행하게 연장될 수 있다. 또한, 증발 소스(200)의 반대 측들에 있는 기판들이 또한, 병진 이동의 방향에 대해 본질적으로 평행하게 연장될 수 있다. 도 8에 예시적으로 도시된 바와 같이, 증착 장치(300)의 진공 챔버(310)에 제공된 증발 소스(200)는 선형 가이드(320)를 따르는 병진 이동을 위해 구성될 수 있는 지지부(202)를 포함할 수 있다. 예컨대, 지지부(202)는 2개의 증발 도가니들 및 증발 도가니(210) 위에 제공되는 2개의 분배 파이프들(220)을 지지할 수 있다. 따라서, 증발 도가니에서 발생되는 증기는 상향으로 그리고 분배 파이프의 하나 또는 그 초과의 배출구들 밖으로 이동할 수 있다.
[0046] 따라서, 본원에서 설명되는 바와 같은 증착 장치의 실시예들은 개선된 품질의 디스플레이 제조, 특히 OLED 제조를 제공한다.
[0047] 도 9에서, 본원에서 설명되는 실시예들에 따라, 증발되는 재료의 증착률을 측정하기 위한 방법을 예시하는 블록 다이어그램이 도시된다. 실시예들에 따르면, 증발된 재료의 증착률을 측정하기 위한 방법(400)은, 재료, 예컨대 유기 재료를 증발시키는 단계(410), 증발된 재료의 제1 부분을 기판에 적용하는 단계(420), 증발된 재료의 제2 부분을 발진 크리스털(110)로 전환시키는 단계(430), 및 본원에서 설명된 실시예들에 따라 측정 어셈블리(100)를 사용함으로써 증착률을 측정하는 단계(440)를 포함한다. 따라서, 본원에서 설명되는 실시예들에 따라, 증발된 재료의 증착률을 측정하기 위한 방법을 이용함으로써, 증착률이 매우 정확하게 측정될 수 있다. 특히, 본원에서 설명되는 바와 같은 증착률을 측정하기 위한 방법을 이용함으로써, 측정 배출구의 폐쇄 상태로부터 측정 배출구의 개방 상태로의 그리고 측정 배출구의 개방 상태로부터 측정 배출구의 폐쇄 상태로의 스위칭 시간이, 증착률을 측정하기 위한 종래의 방법들보다 더 짧을 수 있다. 또한, 스위칭 시간이 매우 정확하게 제어될 수 있다.
[0048] 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 실시예들에 따르면, 재료를 증발시키는 단계(410)는 본원에서 설명되는 바와 같은 증발 도가니(210)를 사용하는 단계를 포함한다. 또한, 증발된 재료의 제1 부분을 기판에 적용하는 단계(420)는 본원에서 설명되는 실시예들에 따라 증발 소스(200)를 사용하는 단계를 포함할 수 있다. 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 실시예들에 따르면, 증발된 재료의 제2 부분을 발진 크리스털(110)로 전환시키는 단계(430)는 본원에서 설명되는 실시예들에 따라 측정 배출구(150)를 사용하는 단계를 포함할 수 있다. 특히, 증발된 재료의 제2 부분을 발진 크리스털(110)로 전환시키는 단계(430)는, 증발 소스에 의해 제공되는 총 유동의 1/70의 하한, 특히 증발 소스에 의해 제공되는 총 유동의 1/60의 하한, 더욱 특히 증발 소스에 의해 제공되는 총 유동의 1/50의 하한과 증발 소스에 의해 제공되는 총 유동의 1/40의 상한, 특히 증발 소스에 의해 제공되는 총 유동의 1/30의 상한, 더욱 특히 증발 소스에 의해 제공되는 총 유동의 1/25의 상한 간의 범위로부터 선택된 측정 유동을 제공하는 단계를 포함할 수 있다. 예컨대, 증발된 재료의 제2 부분을 발진 크리스털(110)로 전환시키는 단계(430)는 증발 소스에 의해 제공되는 총 유동의 1/54의 측정 유동을 제공하는 단계를 포함할 수 있다.
[0049] 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 실시예들에 따르면, 증착률을 측정하는 단계(440)는 제1 측정과 제2 측정 간의 시간 인터벌(ΔT)로 증착률을 측정하는 단계를 포함할 수 있고, 본원에서 설명되는 실시예들에 따른 측정 배출구(150)는 제1 측정과 제2 측정 간에 폐쇄 상태에 있다. 예컨대, 제1 측정과 제2 측정 간의 시간 인터벌(ΔT)은 측정된 증착률에 따라 조정될 수 있다. 특히, 측정된 증착률의 종속성은 증착률의 함수일 수 있다. 예컨대, 제1 측정 및/또는 제2 측정은 5분 또는 그 미만, 특히 3분 또는 그 미만, 더욱 특히 1분 또는 그 미만 동안 수행될 수 있다.
[0050] 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 실시예들에 따르면, 제1 측정과 제2 측정 간의 시간 인터벌(ΔT)은 50분 또는 그 미만, 특히 35분 또는 그 미만, 더욱 특히 20분 또는 그 미만이도록 조정될 수 있다. 따라서, 증착률의 함수에 따라 2개의 측정들 간의 시간 인터벌을 조정함으로써, 증착률의 측정 정확도가 증가될 수 있다. 특히, 증착률의 함수에 따라 2개의 측정들 간의 시간 인터벌을 조정함으로써, 증착 측정 디바이스의 수명이 연장될 수 있다. 특히, 증발된 재료의 증착률을 측정하기 위한 측정 디바이스의, 증발된 재료에의 노출은 최소로 감소될 수 있으며, 이는 측정 어셈블리의 전체적인 수명, 특히 발진 크리스털의 수명에 유리할 수 있다.
[0051] 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 실시예들에 따르면, 미리 선택된 타겟 증착률의 초기 조정 동안, 제1 측정과 제2 측정 간의 시간 인터벌(ΔT)은, 미리 선택된 타겟 증착률에 도달할 때의, 제1 측정과 제2 측정 간의 시간 인터벌(ΔT)에 비해 더 짧을 수 있다. 예컨대, 미리 선택된 타겟 증착률의 초기 조정 동안, 제1 측정과 제2 측정 간의 시간 인터벌(ΔT)은 10분 또는 그 미만일 수 있고, 특히 5분 또는 그 미만일 수 있고, 더욱 특히 3분 또는 그 미만일 수 있다. 미리 선택된 타겟 증착률에 도달할 때, 제1 측정과 제2 측정 간의 시간 인터벌(ΔT)은, 10분의 하한, 특히 20분의 하한, 더욱 특히 30분의 하한과 35분의 상한, 특히 45분의 상한, 더욱 특히 50분의 상한 간의 범위로부터 선택될 수 있다. 특히, 미리 선택된 타겟 증착률에 도달할 때, 제1 측정과 제2 측정 간의 시간 인터벌(ΔT)은 40분일 수 있다. 따라서, 본원에서 설명되는 실시예들에 따라, 증발된 재료의 증착률을 측정하기 위한 방법을 이용함으로써, 발진 크리스털 상에 증발되는 재료의 양은 증발된 재료의 증착률을 측정하는 데 필요한 실제 양으로 최소화될 수 있으며, 이는 발진 크리스털의 수명을 연장하는 데 유리할 수 있다.
[0052] 따라서, 본원에서 설명된 실시예들에 따른, 증발된 재료의 증착률을 측정하기 위한 측정 어셈블리, 증발 소스, 증착 장치 및 증착률을 측정하기 위한 방법은 개선된 증착률 측정 및 고품질 디스플레이 제조, 예컨대 고품질 OLED 제조를 제공한다.

Claims (19)

  1. 증발된 재료의 증착률을 측정하기 위한 측정 어셈블리(100)로서,
    증착률을 측정하기 위한 측정 디바이스,
    증발된 재료를 상기 측정 디바이스에 제공하기 위한 측정 배출구(measurement outlet)(150), 및
    상기 측정 배출구(150)를 자기력에 의해 개방 및 폐쇄하도록 구성된 자기 폐쇄 메커니즘(magnetic closing mechanism)(160);을 포함하며,
    상기 자기 폐쇄 메커니즘(160)은, 상기 측정 배출구(150)를 통해 지나가는 증발된 재료의 경로 방향에 대해 평행한 방향을 따라, 상기 측정 배출구(150)의 개방 상태와 폐쇄 상태 사이에서 이동되도록 구성된 자기 폐쇄 엘리먼트(161)를 포함하는,
    증발된 재료의 증착률을 측정하기 위한 측정 어셈블리(100).
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 자기 폐쇄 엘리먼트(161)는, 상기 증발된 재료에 대해 비-반응성인 재료의 코팅(162)을 포함하는,
    증발된 재료의 증착률을 측정하기 위한 측정 어셈블리(100).
  3. 제2 항에 있어서,
    상기 코팅(162)은, 티타늄(Ti), 세라믹, 실리콘 산화물(SiO2), 알루미늄 산화물(Al2O3), 마그네슘 산화물(MgO), 및 지르코늄 산화물(ZrO2)로 이루어진 그룹으로부터 선택된 하나 이상의 재료를 포함하는,
    증발된 재료의 증착률을 측정하기 위한 측정 어셈블리(100).
  4. 제1 항 내지 제3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 자기 폐쇄 엘리먼트(161)는, 강자성 재료, 철, 니켈, 코발트, 희금속 합금, 및 강자성 합금으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 하나 이상의 자성 재료를 포함하는,
    증발된 재료의 증착률을 측정하기 위한 측정 어셈블리(100).
  5. 제1 항 내지 제3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 자기 폐쇄 엘리먼트(161)는, 상기 측정 배출구(150)의 폐쇄 상태에서 상기 측정 배출구(150)를 밀봉하도록 구성되는, 구형 형상, 타원형 형상, 원뿔형 형상, 이중 원뿔형 형상, 피라미드형 형상, 다이아몬드형 형상, 또는 이들의 임의의 조합으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 형상을 포함하는,
    증발된 재료의 증착률을 측정하기 위한 측정 어셈블리(100).
  6. 제4 항에 있어서,
    상기 자기 폐쇄 엘리먼트(161)는, 상기 측정 배출구(150)의 폐쇄 상태에서 상기 측정 배출구(150)를 밀봉하도록 구성되는, 구형 형상, 타원형 형상, 원뿔형 형상, 이중 원뿔형 형상, 피라미드형 형상, 다이아몬드형 형상, 또는 이들의 임의의 조합으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 형상을 포함하는,
    증발된 재료의 증착률을 측정하기 위한 측정 어셈블리(100).
  7. 제1 항 내지 제3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 자기 폐쇄 메커니즘(160)은, 상기 자기 폐쇄 엘리먼트(161)를 상기 측정 배출구(150)의 폐쇄 상태와 개방 상태 사이에서 이동시키도록 구성된 전자기 어레인지먼트(165)를 포함하는,
    증발된 재료의 증착률을 측정하기 위한 측정 어셈블리(100).
  8. 제4 항에 있어서,
    상기 자기 폐쇄 메커니즘(160)은, 상기 자기 폐쇄 엘리먼트(161)를 상기 측정 배출구(150)의 폐쇄 상태와 개방 상태 사이에서 이동시키도록 구성된 전자기 어레인지먼트(165)를 포함하는,
    증발된 재료의 증착률을 측정하기 위한 측정 어셈블리(100).
  9. 제5 항에 있어서,
    상기 자기 폐쇄 메커니즘(160)은, 상기 자기 폐쇄 엘리먼트(161)를 상기 측정 배출구(150)의 폐쇄 상태와 개방 상태 사이에서 이동시키도록 구성된 전자기 어레인지먼트(165)를 포함하는,
    증발된 재료의 증착률을 측정하기 위한 측정 어셈블리(100).
  10. 제7 항에 있어서,
    상기 측정 어셈블리는 상기 전자기 어레인지먼트(165)에 연결된 제어 시스템을 더 포함하고,
    상기 제어 시스템(170)은 상기 전자기 어레인지먼트(165)를 통해 폐쇄 상태와 개방 상태 사이에서 상기 자기 폐쇄 엘리먼트를 제어하도록 구성되는,
    증발된 재료의 증착률을 측정하기 위한 측정 어셈블리(100).
  11. 제1 항 내지 제3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 측정 배출구(150)는, 증발 소스에 의해 제공되는 총 유동의 1/70 내지 상기 증발 소스에 의해 제공되는 총 유동의 1/25의 측정 유동을 제공하도록 구성된 노즐인,
    증발된 재료의 증착률을 측정하기 위한 측정 어셈블리(100).
  12. 제10 항에 있어서,
    상기 측정 배출구(150)는, 증발 소스에 의해 제공되는 총 유동의 1/70 내지 상기 증발 소스에 의해 제공되는 총 유동의 1/25의 측정 유동을 제공하도록 구성된 노즐인,
    증발된 재료의 증착률을 측정하기 위한 측정 어셈블리(100).
  13. 제1 항에 있어서,
    상기 자기 폐쇄 엘리먼트(161)는 상기 증발된 재료에 대해 비-반응성인 재료의 코팅(162)을 포함하고,
    상기 자기 폐쇄 엘리먼트(161)는 구형 형상을 포함하고,
    상기 자기 폐쇄 메커니즘(160)은, 상기 자기 폐쇄 엘리먼트(161)를 상기 측정 배출구(150)의 개방 상태와 폐쇄 상태 사이에서 이동시키도록 구성된 전자기 어레인지먼트(165)를 포함하고,
    상기 측정 어셈블리는 상기 전자기 어레인지먼트(165)를 활성화(energizing)하기 위한 전력원(180)을 더 포함하는,
    증발된 재료의 증착률을 측정하기 위한 측정 어셈블리(100).
  14. 재료의 증발을 위한 증발 소스(200)로서,
    재료를 증발시키도록 구성된 증발 도가니(210);
    분배 파이프(220) ― 상기 분배 파이프(220)는, 증발된 재료를 제공하도록 상기 분배 파이프의 길이를 따라 제공된 하나 또는 그 초과의 배출구(222)를 가지며, 상기 증발 도가니(210)와 유체 연통함 ―; 및
    제1 항 내지 제3 항, 및 제13 항 중 어느 한 항에 따른 측정 어셈블리(100);를 포함하는,
    재료의 증발을 위한 증발 소스(200).
  15. 제14 항에 있어서,
    상기 측정 어셈블리(100) 및 측정 배출구(150)는 상기 분배 파이프(220)의 단부 부분에 배열되는,
    재료의 증발을 위한 증발 소스(200).
  16. 제15 항에 있어서,
    상기 측정 어셈블리(100) 및 측정 배출구(150)는 상기 분배 파이프(220)의 단부 부분의 후면측(224A)에 배열되는,
    재료의 증발을 위한 증발 소스(200).
  17. 소정의 증착률(a deposition rate)로 진공 챔버(310) 내의 기판(333)에 재료를 적용하기 위한 증착 장치(300)로서,
    제14 항에 따른 하나 이상의 증발 소스(200)를 포함하는,
    증착 장치(300).
  18. 증발된 재료의 증착률을 측정하기 위한 방법(400)으로서,
    재료를 증발시키는 단계(410);
    증발된 재료의 제1 부분을 기판에 적용하는 단계(420);
    상기 증발된 재료의 제2 부분을 측정 디바이스로 전환시키는(diverting) 단계(430); 및
    제1 항 내지 제3 항, 및 제13 항 중 어느 한 항에 따른 측정 어셈블리(100)를 사용하여 증착률을 측정하는 단계(440);를 포함하는,
    증발된 재료의 증착률을 측정하기 위한 방법(400).
  19. 제18 항에 있어서,
    상기 증착률을 측정하는 단계(440)는, 제1 측정과 제2 측정 사이에 시간 인터벌을 두고(with a time interval) 증착률을 측정하는 단계를 포함하며,
    상기 제1 측정과 상기 제2 측정 사이에서 측정 배출구(150)는 폐쇄 상태인,
    증발된 재료의 증착률을 측정하기 위한 방법(400).
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Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112912533B (zh) * 2018-11-28 2023-10-24 应用材料公司 用于沉积蒸发的材料的沉积源、沉积装置及其方法
WO2021010966A1 (en) * 2019-07-15 2021-01-21 Applied Materials, Inc. Measurement assembly for measuring a deposition rate, method of measuring a deposition rate, deposition source, and deposition apparatus
KR102477821B1 (ko) * 2020-12-07 2022-12-16 (주)씨엠디엘 다수의 oled용 재료 포집이 가능한 열안정성 평가 장치

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB1315647A (en) 1971-02-10 1973-05-02 Balzers Patent Beteilig Ag Deposition from the vapour phase in vacuo of layers
WO1998031847A1 (en) 1997-01-22 1998-07-23 Specialty Coating Systems, Inc. Crystal holder
WO2014123415A1 (en) * 2013-02-07 2014-08-14 Nederlandse Organisatie Voor Toegepast-Natuurwetenschappelijk Onderzoek Tno Method and apparatus for depositing atomic layers on a substrate

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS50125451U (ko) * 1974-03-29 1975-10-15
JPH0238562A (ja) * 1988-07-27 1990-02-07 Shin Meiwa Ind Co Ltd シャッタ装置および該シャッタ装置を用いた真空蒸着装置
JPH0356673A (ja) * 1989-07-24 1991-03-12 Matsushita Electric Ind Co Ltd 蒸着装置
JPH0793193B2 (ja) * 1990-05-30 1995-10-09 シャープ株式会社 薄膜el素子の製造方法
US5262194A (en) * 1992-11-10 1993-11-16 Dielectric Coating Industries Methods and apparatus for controlling film deposition
JP4575586B2 (ja) * 2000-12-19 2010-11-04 キヤノンアネルバ株式会社 成膜装置
US20030221616A1 (en) * 2002-05-28 2003-12-04 Micron Technology, Inc. Magnetically-actuatable throttle valve
KR20060081015A (ko) * 2005-01-06 2006-07-12 삼성에스디아이 주식회사 진공 증착기
US20070125303A1 (en) * 2005-12-02 2007-06-07 Ward Ruby High-throughput deposition system for oxide thin film growth by reactive coevaportation
JP2007171028A (ja) * 2005-12-22 2007-07-05 Nippon Seiki Co Ltd 蒸着膜厚測定方法及びその装置
EP2261388A1 (en) * 2009-06-12 2010-12-15 Applied Materials Inc. a Corporation of the State of Delaware Deposition rate monitor device, evaporator, coating installation, method for applying vapor to a substrate and method of operating a deposition rate monitor device
JP2011157602A (ja) * 2010-02-02 2011-08-18 Canon Inc 蒸発源
JP2014070969A (ja) * 2012-09-28 2014-04-21 Hitachi High-Technologies Corp レートセンサ及びリニアソース並びに蒸着装置
KR101480726B1 (ko) * 2012-12-21 2015-01-09 주식회사 선익시스템 진공 증착기

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB1315647A (en) 1971-02-10 1973-05-02 Balzers Patent Beteilig Ag Deposition from the vapour phase in vacuo of layers
WO1998031847A1 (en) 1997-01-22 1998-07-23 Specialty Coating Systems, Inc. Crystal holder
WO2014123415A1 (en) * 2013-02-07 2014-08-14 Nederlandse Organisatie Voor Toegepast-Natuurwetenschappelijk Onderzoek Tno Method and apparatus for depositing atomic layers on a substrate

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