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KR101936625B1 - Flexible organic light emitting diode display device and fabricating method of the same - Google Patents

Flexible organic light emitting diode display device and fabricating method of the same Download PDF

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KR101936625B1
KR101936625B1 KR1020120031092A KR20120031092A KR101936625B1 KR 101936625 B1 KR101936625 B1 KR 101936625B1 KR 1020120031092 A KR1020120031092 A KR 1020120031092A KR 20120031092 A KR20120031092 A KR 20120031092A KR 101936625 B1 KR101936625 B1 KR 101936625B1
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Abstract

본 발명은 플렉서블 유기발광다이오드 표시장치 및 그 제조방법을 개시한다. 개시된 본 발명의 플렉서블 유기발광다이오드 표시장치는, 표시장치는, 표시영역 및 패드영역으로 구획되는 플렉서블 기판과; 상기 플렉서블 기판 상에 형성된 평탄막과; 상기 표시영역의 평탄막 상에 형성된 박막 트랜지스터와; 상기 박막 트랜지스터 상의 보호층과 유기절연층상에 형성된 유기발광다이오드와; 상기 패드영역의 평탄막 상에 형성된 패드부와; 상기 패드영역의 패드부 상에 형성된 게이트 절연막과; 상기 패드영역의 게이트 절연막 상에 형성되는 IC패드와; 상기 IC패드 상부에 형성되는 IC콘택부와; 상기 플렉서블 기판 상에 직접 실장되어 상기 IC콘택부를 통해 상기 IC패드와 전기적으로 연결되는 드라이브 IC와; 상기 패드영역의 평탄막 상에 형성되고, 상기 드라이브 IC가 실장되는 영역과 상기 IC패드에 중첩되도록 하부에 형성된 배리어 패턴을 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명은 레이저를 사용하여 베이스 기판과 플렉서블 기판 분리시, 플렉서블 기판 상에 실장되는 드라이브 IC드이 레이저빔에 의해 손상되는 것을 방지한 효과가 있다.The present invention discloses a flexible organic light emitting diode display device and a method of manufacturing the same. In the disclosed flexible organic light emitting diode display device of the present invention, the display device includes: a flexible substrate divided into a display region and a pad region; A flat film formed on the flexible substrate; A thin film transistor formed on a flat film of the display region; An organic light emitting diode formed on the protective layer and the organic insulating layer on the thin film transistor; A pad portion formed on a flat film of the pad region; A gate insulating layer formed on the pad portion of the pad region; An IC pad formed on the gate insulating film of the pad region; An IC contact formed on the IC pad; A drive IC directly mounted on the flexible substrate and electrically connected to the IC pad through the IC contact portion; And a barrier pattern formed on a flat film of the pad region and formed below the IC chip so as to be superimposed on the IC pad.
The present invention has an effect of preventing a drive IC mounted on a flexible substrate from being damaged by a laser beam when a base substrate and a flexible substrate are separated by using a laser.

Description

플렉서블 유기발광다이오드 표시장치 및 그 제조방법{Flexible organic light emitting diode display device and fabricating method of the same}TECHNICAL FIELD [0001] The present invention relates to a flexible organic light emitting diode (OLED) display device and a fabrication method thereof,

본 발명은 플렉서블 유기발광다이오드 표시장치에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 레이저빔을 사용하여 베이스기판과 플렉서블 기판을 분리할 때, 드라이브 IC가 실장되는 패드 영역에 배리어 패턴을 형성하여 레이저빔에 의한 드라이브 IC의 손상을 방지한 플렉서블 유기발광다이오드 표시장치 및 그 제조방법에 관한 것이다. BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to a flexible organic light emitting diode (PDP) display device, and more particularly, to a flexible organic light emitting diode (PDP) display device using a laser beam to form a barrier pattern in a pad area on which a drive IC is mounted, The present invention relates to a flexible organic light emitting diode display device and a method of manufacturing the same.

근래에 들어 사회가 본격적인 정보화 시대로 접어듦에 따라 대량의 정보를 처리 및 표시하는 디스플레이(display) 분야가 급속도로 발전해 왔고, 이에 부응하여 여러 가지 다양한 평판표시장치가 개발되고 있다.2. Description of the Related Art In recent years, as the society has become a full-fledged information age, a display field for processing and displaying a large amount of information has rapidly developed, and various flat panel display devices have been developed in response to this.

이 같은 평판표시장치의 구체적인 예로는 액정표시장치(Liquid Crystal Display device : LCD), 플라즈마표시장치(Plasma Display Panel device : PDP), 전계방출표시장치(Field Emission Display device : FED), 전기발광표시장치(Electroluminescence Display device : ELD) 등을 들 수 있는데, 이들 평판표시장치는 박형화, 경량화, 저소비전력화의 우수한 성능을 보여 기존의 브라운관(Cathode Ray Tube : CRT)을 빠르게 대체하고 있다.Specific examples of such flat panel display devices include a liquid crystal display device (LCD), a plasma display panel (PDP), a field emission display (FED) And electroluminescence display device (ELD). These flat panel display devices are excellent in performance of thinning, light weight, and low power consumption, and are rapidly replacing existing cathode ray tubes (CRTs).

최근에는 플라스틱이나 얇은 금속 기판을 이용하여 플렉서블 디스플레이(flexible Display) 장치가 제안되고 있는데, 이러한 플렉서블 디스플레이 장치는 플라스틱 등의 얇은 기판 상에 표시장치의 소자들이 형성되어 있어, 종이처럼 접거나 말아도 소자들이 손상되지 않고, 화면을 디스플레이할 수 있다. 현재 박막 트랜지스터(TFT: thin film transistor)를 구비한 액정표시장치(LCD: liquid crystal display) 및 유기전계발광다이오드(OLED: organic light emitting diode) 등에 이러한 기판을 채용하여 플렉서블 디스플레이를 구현하고 있다.In recent years, a flexible display device has been proposed using plastic or a thin metal substrate. In such a flexible display device, devices of a display device are formed on a thin substrate such as plastic, The display screen can be displayed without being damaged. Currently, such a substrate is employed in a liquid crystal display (LCD) having a thin film transistor (TFT) and an organic light emitting diode (OLED) to realize a flexible display.

그러나 플렉서블기판은 잘 휘어지는 특성 때문에 유리 또는 석영기판을 대상으로 설계된 기존의 표시장치용 제조장비에 적용하기 어려우며, 일례로 트랙(track) 장비나 로봇(robot)에 의한 이송 또는 카세트(cassette)로의 수납이 어려운 제약이 있다.However, flexible substrates are difficult to apply to existing manufacturing equipment for display devices designed for glass or quartz substrates due to their well-deflected characteristics. For example, they can be transported by track equipment, robots, or stored in a cassette This is a difficult restriction.

이를 해소하기 위해 유리 또는 석영재질의 베이스기판 상에 점착제를 통해 플렉서블기판을 부착하고, 표시장치 소자들을 플렉서블 기판 상에 형성한 후, 적절한 단계에서 베이스기판으로부터 플렉서블기판을 분리하는 기술이 소개되었다.To solve this problem, there has been introduced a technique of attaching a flexible substrate via a pressure-sensitive adhesive onto a base substrate made of glass or quartz, forming display device elements on a flexible substrate, and then separating the flexible substrate from the base substrate in an appropriate step.

상기 플렉서블 기판을 분리하는 공정에는 베이스 기판과 플렉서블 기판을 점착제로 부착한 다음, 점착제가 경화되지 않는 150℃ 이하의 온도에 표시장치 소자들을 플렉서블 기판 상에 형성하고, 플렉서블 기판을 분리하는 공정이 있다.In the step of separating the flexible substrate, there is a step of attaching the base substrate and the flexible substrate with an adhesive, then forming the display device elements on the flexible substrate at a temperature of 150 DEG C or less at which the adhesive does not harden, and separating the flexible substrate .

이와 같은 공정은, 표시장치 소자들이 저온에서 형성되기 때문에 소자성능이 저하되고, 플렉서블 기판을 분리한 후에도 플렉서블 기판 배면에 붙어있는 경화되지 않은 점착제를 추가로 제거하는 공정이 필요한 문제가 있다.Such a process is problematic in that the device performance is deteriorated because the display device elements are formed at a low temperature and a process of further removing the uncured adhesive attached to the back surface of the flexible substrate after the flexible substrate is separated is required.

이러한 문제를 해소하기 위해, 베이스기판에 경화 시 유연한 특성을 갖는 고분자 물질, 예를들면 폴리이미드(PI)를 전면에 도포하고 이를 경화시킴으로써 플렉서블기판을 형성하고, 표시장치용 소자들을 형성한 다음, 레이저빔을 베이스기판의 배면에 조사하여 플렉서블기판을 베이스기판으로부터 분리시키는 공정이 제안되었다.In order to solve such a problem, a flexible substrate is formed by applying a polymer material having flexibility properties such as polyimide (PI) on the entire surface of the base substrate and curing the substrate, forming devices for display devices, A process of irradiating a laser beam to the back surface of the base substrate to separate the flexible substrate from the base substrate has been proposed.

하지만, 유리기판 상에 칩의 형태로 직접 드라이브 IC를 실장하는 COG(Chip On Glass)형 유기발광다이오드 표시장치의 경우, 플렉서블기판을 베이스기판으로부터 분리하기 위해 레이저빔을 베이스기판 배면에 조사하게 되면, 상기 레이저빔으로 인해 드라이브 IC에 손상이 발생하여 도 4a에서와 같이, 플렉서블 유리발광다이오드 표시장치의 표시 영역에 휘도 불량(X, Y)이 발생된다.However, in the case of a COG (Chip On Glass) type organic light emitting diode display device in which a direct drive IC is mounted on a glass substrate in the form of chips, when a laser beam is irradiated on the back surface of the base substrate in order to separate the flexible substrate from the base substrate , Damage to the drive IC is caused by the laser beam, and as shown in FIG. 4A, a defective luminance (X, Y) is generated in the display region of the flexible glass LED display.

도 1은 종래 플렉서블 유기발광다이오드 표시장치의 드라이브 IC 영역을 도시한 도면이다.1 is a view showing a drive IC region of a conventional flexible organic light emitting diode display device.

도 1을 참조하면, 종래 플렉서블 유기발광다이오드 표시장치의 제조 공정이 완료되면, 베이스 기판(10)과 플렉서블 기판(12)을 분리하기 위해 베이스 기판(10)의 배면에 레이저 빔을 조사한다. 도면에 도시된 바와 같이, IC 영역에는 플렉서블 기판(12)이 희생층(11)을 사이에 두고 베이스 기판(10)과 합착되어 있고, 상기 플렉서블 기판(12) 상에는 평탄막(13), 게이트 절연막(21)이 형성되어 있다. 상기 게이트 절연막(21) 상에는 IC 패드(23)가 형성되어 있고, 상기 IC패드(23)는 보호층(24)의 오픈 영역에서 IC콘택부(25)와 전기적으로 연결되어 있다. 도면에는 기재되었지만, 설명되지 않은 26은 유기절연층이고, 29는 버퍼층이다. 또한, 도면에는 도시하지 않았지만, 표시영역에는 스위칭 소자와 게이트 및 데이터 배선들이 형성될 수 있다. 또한, IC 패드(23)가 형성된 영역에는 드라이브 IC의 소자들이 형성된다.Referring to FIG. 1, a laser beam is irradiated to the back surface of the base substrate 10 to separate the base substrate 10 and the flexible substrate 12 after the manufacturing process of the conventional flexible organic light emitting diode display device is completed. As shown in the figure, a flexible substrate 12 is bonded to a base substrate 10 with a sacrificial layer 11 interposed therebetween in the IC region. On the flexible substrate 12, a flat film 13, (Not shown). An IC pad 23 is formed on the gate insulating film 21 and the IC pad 23 is electrically connected to the IC contact portion 25 in the open region of the protection layer 24. [ Although not shown in the drawings, 26 is an organic insulating layer and 29 is a buffer layer. Although not shown in the figure, switching elements, gates, and data lines may be formed in the display region. Further, elements of the drive IC are formed in the region where the IC pads 23 are formed.

상기 플렉서블 기판(12)을 베이스 기판(10)과 분리하기 위해 상기 베이스 기판(10) 배면에 레이저빔(50)이 스캔되면, 플렉서블 기판(12)과 베이스 기판(10) 사이에 형성된 희생층(11)의 점착력이 약화되어 두개의 기판이 분리된다.The laser beam 50 is scanned on the back surface of the base substrate 10 in order to separate the flexible substrate 12 from the base substrate 10 and the sacrificial layer 12 formed between the flexible substrate 12 and the base substrate 10 11 are weakened and the two substrates are separated.

하지만, 기판의 분리공정을 위해 레이저빔(50)이 베이스 기판(10)의 전 영역에 조사되면서, 상기 레이저빔(50)이 패드 영역에 실장되는 드라이브 IC에 조사되어, 드라이브 IC에 형성되어 있는 소자들을 손상시킨다.However, as the laser beam 50 is irradiated to the entire area of the base substrate 10 for the substrate separation process, the laser beam 50 is irradiated to the drive IC mounted on the pad area, Damage the devices.

구체적으로는 실장되는 드라이브 IC 내의 트랜지스터의 채널층에 레이저 빔이 조사되어, 채널층 손상 등의 문제를 야기시킨다. 이와 같이, 드라이브 IC가 손상되면, 외부 시스템으로부터 공급되는 신호들이 손상된 드라이브 IC 내에서 왜곡되어 결과적으로 표시품질을 저하시킨다.Specifically, a laser beam is irradiated on a channel layer of a transistor in a drive IC to be mounted, which causes a problem such as damage of a channel layer. As such, when the drive IC is damaged, signals supplied from the external system are distorted in the damaged drive IC, resulting in deteriorated display quality.

본 발명은 드라이브 IC들이 실장되는 패드 영역에 상기 드라이브 IC와 대응되도록 배리어 패턴을 형성하여, 베이스 기판과 플렉서블 기판 분리시, 레이저빔에 의해 드라이브 IC 소자들이 손상되지 않도록 한 플렉서블 유기발광다이오드 표시장치 및 그 제조방법을 제공하는데 그 목적이 있다. A flexible organic light emitting diode display device in which a barrier pattern is formed so as to correspond to the drive IC in a pad area where the drive ICs are mounted so that the drive IC devices are not damaged by the laser beam when the base substrate and the flexible substrate are separated, And a manufacturing method thereof.

또한, 본 발명은 드라이브 IC가 실장되는 영역이 레이저 빔에 노출되지 않도록 함으로써, 화면 불량을 개선한 플렉서블 유기발광다이오드 표시장치 및 그 제조방법을 제공하는데 다른 목적이 있다.It is another object of the present invention to provide a flexible organic light emitting diode display device and a method of manufacturing the flexible organic light emitting diode display device in which a screen defect is prevented by preventing a region where a drive IC is mounted from being exposed to a laser beam.

또한, 본 발명은 게이트 전극 형성 공정시 드라이브 IC가 실장되는 영역에 레이저 빔을 차단할 수 있는 배리어 패턴을 형성함으로써, 추가 공정 없이 드라이브 IC가 레이저빔에 의해 손상되는 것을 방지한 플렉서블 유기발광다이오드 표시장치 및 그 제조방법을 제공하는데 또 다른 목적이 있다. In addition, the present invention provides a flexible organic light emitting diode display device in which a barrier pattern capable of blocking a laser beam is formed in a region where a drive IC is mounted during a gate electrode forming process, thereby preventing a drive IC from being damaged by a laser beam without an additional process And a manufacturing method thereof.

상기와 같은 종래 기술의 과제를 해결하기 위한 본 발명의 플렉서블 유기발광다이오드 표시장치는, 표시장치는, 표시영역 및 패드영역으로 구획되는 플렉서블 기판과; 상기 플렉서블 기판 상에 형성된 평탄막과; 상기 표시영역의 평탄막 상에 형성된 박막 트랜지스터와; 상기 박막 트랜지스터 상의 보호층과 유기절연층상에 형성된 유기발광다이오드와; 상기 패드영역의 평탄막 상에 형성된 패드부와; 상기 패드영역의 패드부 상에 형성된 게이트 절연막과; 상기 패드영역의 게이트 절연막 상에 형성되는 IC패드와; 상기 IC패드 상부에 형성되는 IC콘택부와; 상기 플렉서블 기판 상에 직접 실장되어 상기 IC콘택부를 통해 상기 IC패드와 전기적으로 연결되는 드라이브 IC와; 상기 패드영역의 평탄막 상에 형성되고, 상기 드라이브 IC가 실장되는 영역과 상기 IC패드에 중첩되도록 하부에 형성된 배리어 패턴을 포함하는 것을 특징으로 한다.According to an aspect of the present invention, there is provided a flexible organic light emitting diode display device including: a flexible substrate divided into a display region and a pad region; A flat film formed on the flexible substrate; A thin film transistor formed on a flat film of the display region; An organic light emitting diode formed on the protective layer and the organic insulating layer on the thin film transistor; A pad portion formed on a flat film of the pad region; A gate insulating layer formed on the pad portion of the pad region; An IC pad formed on the gate insulating film of the pad region; An IC contact formed on the IC pad; A drive IC directly mounted on the flexible substrate and electrically connected to the IC pad through the IC contact portion; And a barrier pattern formed on a flat film of the pad region and formed below the IC chip so as to be superimposed on the IC pad.

또한, 본 발명의 플렉서블 유기발광다이오드 표시장치 제조 방법은, 표시영역과 패드영역으로 구획된 플렉서블 기판에 희생층을 사이에 두고 베이스 기판을 합착하는 단계와; 상기 플렉서블 기판 상에 평탄막을 형성하는 단계와; 상기 표시영역의 평탄막 상에 게이트 전극을 형성하고, 패드영역에 패드부 및 배리어 패턴을 형성하는 단계와; 상기 게이트 전극이 형성된 플렉서블 기판의 전면에 게이트 절연막을 형성하는 단계와; 상기 게이트 절연막이 형성된 플렉서블 기판 상에 상기 게이트 전극과 중첩되도록 반도체층, 상기 반도체층과 콘택되는 소스 및 드레인 전극을 형성하여 박막 트랜지스터를 완성하고, 동시에 상기 패드 영역의 게이트 절연막 상에 IC패드를 형성하는 단계와; 상기 박막 트랜지스터가 형성된 플렉서블 기판 상에 보호층을 형성하고 콘택홀 공정을 진행하여, 상기 박막 트랜지스터의 드레인 전극, 패드부 및 IC패드를 노출하는 단계와; 상기 보호층이 형성된 플렉서블 기판 상에 금속층을 형성한 다음, 마스크 공정을 진행하여, 상기 드레인 전극과 콘택되는 연결전극, 상기 패드부와 콘택되는 패드콘택부 및 상기 IC패드와 콘택되는 IC콘택부를 형성하는 단계와; 상기 연결전극이 형성된 플렉서블 기판 상에 유기절연층을 형성하고, 콘택홀 공정을 진행하여, 상기 드레인 전극 상의 연결전극, 상기 패드콘택부 및 IC콘택부를 노출하는 단계와; 상기 유기절연층이 형성된 플렉서블 기판 상에 금속층을 형성한 다음, 마스크 공정을 진행하여 상기 표시 영역의 화소 영역에 캐소드 전극을 형성하는 단계와; 상기 캐소드 전극이 형성된 플렉서블 기판 상에 버퍼층을 형성하고, 상기 캐소드 전극을 노출시키는 단계와; 상기 버퍼층이 형성된 플렉서블 기판의 캐소드 전극 상에 유기발광층을 형성하는 단계와; 상기 유기발광층이 형성된 플렉서블 기판 상에 애노드 전극을 형성하여 유기발광다이오드를 형성하는 단계를 포함하고 상기 배리어 패턴은 상기 IC패드와 상기 IC패드 상에 실장되는 드라이브 IC에 중첩되도록 형성하는 것을 특징으로 한다.According to another aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a flexible organic light emitting diode display device, comprising: attaching a base substrate to a flexible substrate divided into a display area and a pad area with a sacrificial layer interposed therebetween; Forming a flat film on the flexible substrate; Forming a gate electrode on the flat film of the display region, forming a pad portion and a barrier pattern in the pad region; Forming a gate insulating film on the entire surface of the flexible substrate on which the gate electrode is formed; A source electrode and a drain electrode, which are in contact with the semiconductor layer, are formed on the flexible substrate on which the gate insulating film is formed to complete the thin film transistor, and an IC pad is formed on the gate insulating film of the pad region ; Forming a protective layer on the flexible substrate on which the thin film transistor is formed and performing a contact hole process to expose the drain electrode, the pad portion and the IC pad of the thin film transistor; A metal layer is formed on the flexible substrate on which the protection layer is formed, and then a mask process is performed to form a connection electrode to be in contact with the drain electrode, a pad contact portion to be in contact with the pad portion, and an IC contact portion to be in contact with the IC pad ; Forming an organic insulating layer on the flexible substrate on which the connection electrode is formed, and performing a contact hole process to expose the connection electrode, the pad contact, and the IC contact on the drain electrode; Forming a metal layer on the flexible substrate on which the organic insulating layer is formed, and then performing a mask process to form a cathode electrode in a pixel region of the display region; Forming a buffer layer on the flexible substrate on which the cathode electrode is formed and exposing the cathode electrode; Forming an organic light emitting layer on the cathode electrode of the flexible substrate on which the buffer layer is formed; And forming an organic light emitting diode by forming an anode electrode on the flexible substrate on which the organic light emitting layer is formed, wherein the barrier pattern is formed to overlap the IC pad and the drive IC mounted on the IC pad .

본 발명에 따른 플렉서블 유기발광다이오드 표시장치 및 그 제조방법은, 드라이브 IC들이 실장되는 패드 영역에 상기 드라이브 IC와 대응되도록 배리어 패턴을 형성하여, 베이스 기판과 플렉서블 기판 분리시, 레이저빔에 의해 드라이브 IC 소자들이 손상되지 않도록 한 제 1 효과가 있다.A flexible organic light emitting diode display device and a method of manufacturing the same according to the present invention are characterized by forming a barrier pattern so as to correspond to the drive IC in a pad area where the drive ICs are mounted, There is a first effect of preventing the elements from being damaged.

또한, 본 발명에 따른 플렉서블 유기발광다이오드 표시장치 및 그 제조방법은, 드라이브 IC가 실장되는 영역이 레이저 빔에 노출되지 않도록 함으로써, 화면 불량을 개선한 제 2 효과가 있다.Further, the flexible organic light emitting diode display device and the manufacturing method thereof according to the present invention have the second effect of preventing the defective area from being exposed to the laser beam.

또한, 본 발명에 따른 플렉서블 유기발광다이오드 표시장치 및 그 제조방법은, 게이트 전극 형성 공정시 드라이브 IC가 실장되는 영역에 레이저 빔을 차단할 수 있는 배리어 패턴을 형성함으로써, 추가 공정 없이 드라이브 IC가 레이저빔에 의해 손상되는 것을 방지한 제 3 효과가 있다.A flexible organic light emitting diode display device and a manufacturing method thereof according to the present invention are characterized in that a barrier pattern capable of blocking a laser beam is formed in a region where a drive IC is mounted in a gate electrode formation process, The third effect is obtained.

도 1은 종래 플렉서블 유기발광다이오드 표시장치의 드라이브 IC 영역을 도시한 도면이다.
도 2는 본 발명의 플렉서블 유기발광다이오드 표시장치를 도시한 도면이다.
도 3a 내지 도 3d는 본 발명의 플렉서블 유기발광다이오드 표시장치의 제조방법을 도시한 도면이다.
도 4a 및 도 4b는 종래 플렉서블 유기발광다이오드 표시장치 화면과 본 발명의 플렉서블 유기발광다이오드 표시장치 화면을 도시한 도면이다.1 is a view showing a drive IC region of a conventional flexible organic light emitting diode display device.
2 is a view showing a flexible organic light emitting diode display device of the present invention.
3A to 3D are views showing a method of manufacturing a flexible organic light emitting diode display device of the present invention.
FIGS. 4A and 4B are views showing a conventional flexible organic light emitting diode display screen and a flexible organic light emitting diode display screen of the present invention.

이하, 본 발명의 실시예들은 도면을 참고하여 상세하게 설명한다. 다음에 소개되는 실시예들은 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 예로서 제공되는 것이다. 따라서, 본 발명은 이하 설명되는 실시예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 그리고 도면들에 있어서, 장치의 크기 및 두께 등은 편의를 위하여 과장되어 표현될 수도 있다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호들은 동일한 구성요소들을 나타낸다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. The following embodiments are provided by way of example so that those skilled in the art can fully understand the spirit of the present invention. Therefore, the present invention is not limited to the embodiments described below, but may be embodied in other forms. In the drawings, the size and thickness of the device may be exaggerated for convenience. Like reference numerals designate like elements throughout the specification.

도 2는 본 발명의 플렉서블 유기발광다이오드 표시장치를 도시한 도면이다.2 is a view showing a flexible organic light emitting diode display device of the present invention.

도 2를 참조하면, 본 발명의 플렉서블 유기발광다이오드 표시장치는 COG(Chip On Glass) 방식으로 형성될 수 있다. 본 발명의 플렉서블 기판(112)은 화상을 디스플레이하는 표시영역(A)과 외부 시스템으로부터 신호를 공급받는 패드영역(B)으로 구획되고, 상기 표시영역(A)은 박막 트랜지스터(TFT)와 유기발광다이오드(OLED)가 형성된 다수의 화소 영역으로 구획되어 있다.Referring to FIG. 2, the flexible organic light emitting diode display of the present invention may be formed by a COG (Chip On Glass) method. The flexible substrate 112 of the present invention is divided into a display area A for displaying an image and a pad area B for receiving a signal from an external system. The display area A is a thin film transistor (TFT) And is divided into a plurality of pixel regions where a diode (OLED) is formed.

상기 표시영역(A)의 화소 영역에는 평탄막(113)이 형성된 플렉서블 기판(112) 상에 게이트 전극(114), 게이트 절연막(121), 반도체층(122), 소스 전극(124a) 및 드레인 전극(124b)으로 구성된 박막 트랜지스터(TFT)와, 상기 박막 트랜지스터(TFT)와 보호층(125) 및 유기절연층(130)을 사이에 두고 전기적으로 연결된 유기발광다이오드(OLED)가 형성되어 있다. 도면에는 도시하지 않았지만, 화소 영역은 게이트 배선과 데이터 배선이 교차 배열되어 화소 영역을 정의하고, 상기 게이트 배선은 박막 트랜지스터(TFT)의 게이트 전극(114)과 연결되어, 상기 게이트 배선을 통해 공급되는 구동신호에 의해 박막 트랜지스터(TFT)를 온/오프 한다. 상기 데이터 배선은 박막 트랜지스터(TFT)의 소스 전극(124a)과 연결되어 박막 트랜지스터가 온 상태일 때, 상기 데이터 배선을 통해 공급되는 데이터신호가 유기발광다이오드(OLED)에 공급되어 화상을 디스플레이 한다.A gate electrode 114, a gate insulating film 121, a semiconductor layer 122, a source electrode 124a and a drain electrode 124b are formed on a flexible substrate 112 on which a flat film 113 is formed in a pixel region of the display region A. [ And an organic light emitting diode (OLED) electrically connected to the thin film transistor TFT via the protective layer 125 and the organic insulating layer 130 are formed. Although not shown in the drawing, a pixel region defines a pixel region by intersecting a gate wiring and a data wiring, and the gate wiring is connected to the gate electrode 114 of the thin film transistor (TFT) and is supplied through the gate wiring And turns on / off the thin film transistor TFT by a driving signal. The data line is connected to a source electrode 124a of a thin film transistor (TFT), and when a thin film transistor is on, a data signal supplied through the data line is supplied to the organic light emitting diode OLED to display an image.

또한, 상기 유기발광다이오드(OLED)는, 반사판 역할을 하는 캐소드전극(131), 상기 캐소드전극(131) 상에 형성된 유기발광층(133) 및 상기 유기발광층(133) 상에 형성된 애노드전극(134)을 포함한다. 상기 유기발광층(133)은 캐소드전극(131) 형성 후, 플렉서블 기판(112) 상에 버퍼층(132)을 형성한 다음, 화소 영역 단위로 상기 버퍼층(132)을 패터닝하여 캐소드 전극(131)을 노출시키고, 노출된 캐소드 전극(131) 상에 형성된다.The organic light emitting diode OLED includes a cathode 131 serving as a reflective plate, an organic emission layer 133 formed on the cathode 131, and an anode 134 formed on the organic emission layer 133. . The buffer layer 132 is formed on the flexible substrate 112 and then the buffer layer 132 is patterned in units of pixel regions to expose the cathode electrode 131 And is formed on the exposed cathode electrode 131.

또한, 상기 유기발광다이오드(OLED)의 캐소드 전극(131)은 유기절연층(130)과 보호층(125)에 형성된 콘택홀에 의해 노출된 박막 트랜지스터의 드레인 전극(124b)과 전기적으로 연결되는데, 상기 캐소드 전극(131)과 드레인 전극(124b) 사이에는 연결전극(126)이 형성되어 있다. 즉, 상기 유기절연층(130)과 보호층(125)이 제거되어 박막 트랜지스터의 드레인 전극(124b)이 노출된 영역에 상기 드레인 전극(124b)과 연결전극(126)이 직접 콘택되어 있고, 상기 연결전극(126) 상에는 유기발광다이오드(OLED)의 캐소드 전극(131)이 직접 콘택되어 있다. The cathode electrode 131 of the organic light emitting diode OLED is electrically connected to the drain electrode 124b of the thin film transistor exposed by the organic insulating layer 130 and the contact hole formed in the passivation layer 125, A connection electrode 126 is formed between the cathode electrode 131 and the drain electrode 124b. That is, the drain electrode 124b and the connection electrode 126 are directly in contact with the region where the organic insulating layer 130 and the protective layer 125 are removed and the drain electrode 124b of the thin film transistor is exposed, A cathode electrode 131 of the organic light emitting diode OLED is directly connected to the connection electrode 126.

또한, 패드 영역(B)에는 평탄층(113) 상에 형성된 패드부(115)와 상기 패드부(115) 상에 패드콘택부(127)가 형성되어 있고, 게이트 절연막(121) 상에 형성된 IC패드(123)와 상기 IC패드(123) 상에 IC콘택부(128)가 형성되어 있다.In the pad region B, a pad portion 115 formed on the flat layer 113 and a pad contact portion 127 formed on the pad portion 115 are formed, and an IC An IC contact portion 128 is formed on the pad 123 and the IC pad 123.

상기 IC패드(123)는 본 발명이 칩 온 글라스(COG) 구조의 표시장치이기 때문에 드라이브 IC이 기판 상에 직접 실장되기 때문에 형성된 패드 들이다. The IC pad 123 is a pad formed because the drive IC is directly mounted on a substrate because the present invention is a display device of a chip on glass (COG) structure.

따라서, 본 발명에서는 플렉서블 유기발광다이오드 표시장치의 플렉서블 기판(112)의 분리 공정에서 드라이브 IC가 실장되는 패드 영역의 손상을 방지하기 위해 평탄층(113) 상에 배리어 패턴(116)을 형성하였다. 상기 배리어 패턴(116)은 상기 게이트 전극(114)과 동일한 평면 상에 상기 IC패드(123)와 중첩되도록 형성되며, 도면에서는 IC패드(123) 하고만 중첩되어 있지만, IC 영역 전체에 걸쳐 중첩되도록 배리어 패턴(116)이 형성될 수 있다. Therefore, in the present invention, the barrier pattern 116 is formed on the flat layer 113 to prevent damage of the pad area where the drive IC is mounted in the process of separating the flexible substrate 112 of the flexible organic light emitting diode display device. The barrier pattern 116 is formed so as to overlap the IC pad 123 on the same plane as the gate electrode 114 and only the IC pad 123 overlaps with the gate pad 114. However, A barrier pattern 116 may be formed.

즉, 레이저 빔 조사로 인하여 패드 영역에 실장되는 드라이브 IC들의 내부 소자들이 손상되는 것을 방지 하는 것이기 때문에 IC 패드(123) 영역 뿐만 아니라, 실장되는 드라이브 IC의 전체와 중첩되도록 배리어 패턴(116)이 형성될 수 있다.That is, since the internal elements of the drive ICs mounted in the pad area are prevented from being damaged due to the laser beam irradiation, the barrier pattern 116 is formed so as to overlap not only the IC pad 123 but also the entire drive IC to be mounted .

이와 같이, 본 발명에서는 플렉서블 기판(112)과 베이스 기판(도 3a 참조)을 분리하기 위하여 조사되는 레이저 빔이 패드 영역(B)의 드라이브 IC 영역에 드라이브 IC들에 직접 조사되는 것을 차단할 수 있다.As described above, in the present invention, the laser beam irradiated to separate the flexible substrate 112 and the base substrate (see FIG. 3A) can be prevented from directly irradiating the drive ICs in the drive IC region of the pad region B.

이로 인하여 본 발명에서는 베이스 기판의 분리 공정에서 사용되는 레이저빔에 의해 드라이브 IC의 손상을 방지한 효과가 있다.Therefore, the present invention has the effect of preventing the damage of the drive IC by the laser beam used in the process of separating the base substrate.

도 3a 내지 도 3d는 본 발명의 플렉서블 유기발광다이오드 표시장치의 제조방법을 도시한 도면이다.3A to 3D are views showing a method of manufacturing a flexible organic light emitting diode display device of the present invention.

도 3a를 참조하면, 표시영역(A)과 패드영역(B)으로 구획된 플렉서블 기판(112)이 희생층(111)에 의해 베이스 기판(110)과 합착되어 있다. 상기 플렉서블 기판(112) 상에는 표면 평탄화 및 이후 형성되는 층과의 접착 특성을 개선하기 위해 평탄막(113)을 형성한다. 상기 베이스 기판(110)은 유리로 형성될 수 있으며, 상기 플렉서블 기판(112)은 유연한 특성을 갖는 폴리이미드(PI)를 전면에 도포하고 이를 경화시킴으로써 형성할 수 있다. 상기 평탄막(113)은 금속 기판에 직접적으로 소자들을 형성할 경우, 전기적인 문제가 발생할 수 있으므로 SiNx와 같은 무기 절연물질 등으로 형성할 수 있다.3A, a flexible substrate 112 partitioned by a display region A and a pad region B is bonded to a base substrate 110 by a sacrificial layer 111. A flattening film 113 is formed on the flexible substrate 112 in order to improve the surface planarization and adhesion characteristics with the layer to be formed later. The base substrate 110 may be formed of glass, and the flexible substrate 112 may be formed by applying polyimide (PI) having flexibility to the entire surface and curing the entire surface. The planarization layer 113 may be formed of an inorganic insulating material such as SiNx because an electrical problem may occur when elements are directly formed on a metal substrate.

상기 평탄막(113)이 형성된 플렉서블 기판(112) 상에 게이트 금속층을 형성하고, 마스크 공정을 진행한다. 상기 게이트 금속층 상에 포토레지스트를 형성하고 투과부와 차단부로 이루어진 마스크를 이용해 노광 및 현상 공정을 진행하여 포토레지스트 패턴을 형성한다. 상기 포토레지스트 패턴을 마스크로 하여 상기 게이트 금속층을 식각하여 상기 표시영역(A)의 화소 영역에 게이트 전극(114)과 상기 패드영역(B)에 패드부(115)를 형성한다. 상기 패드부(115)는 게이트 패드부 또는 데이터 패드부로 형성될 수 있다. 도면에는 도시하지 않았지만, 상기 게이트 전극(114)를 형성할 때, 게이트 전극(114) 및 게이트 패드부와 일체로 형성되는 게이트 배선이 형성된다.A gate metal layer is formed on the flexible substrate 112 on which the flat film 113 is formed, and the mask process is performed. A photoresist is formed on the gate metal layer, and a photoresist pattern is formed by performing an exposure and a development process using a mask including a transmission portion and a blocking portion. The gate metal layer is etched using the photoresist pattern as a mask to form the gate electrode 114 in the pixel region of the display region A and the pad portion 115 in the pad region B. The pad portion 115 may be formed as a gate pad portion or a data pad portion. Although not shown in the drawing, when forming the gate electrode 114, a gate wiring formed integrally with the gate electrode 114 and the gate pad portion is formed.

상기 마스크 공정에서 형성하는 게이트 금속층은 알루미늄-네오디뮴(AlNd), 몰리브덴(Mo), 티타늄(Ti), 탄탈륨(Ta), 텅스텐(W), 구리(Cu), 크롬(Cr), 알루미늄(Al), 이들의 조합으로부터 형성되는 합금 또는 투명성 도전물질인 ITO, IZO 및 ITZO 중 적어도 하나 이상을 적층하여 형성할 수 있다. The gate metal layer to be formed in the mask process may be at least one selected from the group consisting of AlNd, Mo, Ti, Ta, W, Cu, Cr, , An alloy formed from a combination thereof, or ITO, IZO, and ITZO which are transparent conductive materials.

도면에서는 게이트 전극(114)과 패드부(115)가 단일 금속층으로 형성되어 있지만, 이것은 고정된 것이 아니므로 이중 금속층 또는 3개 이상의 금속층으로 적층하여 형성할 수 있다.Although the gate electrode 114 and the pad portion 115 are formed of a single metal layer in the drawing, the gate electrode 114 and the pad portion 115 are not fixed and can be formed by stacking a double metal layer or three or more metal layers.

또한, 상기 게이트 전극(114) 및 패드부(115)와 동일한 평면상에 배리어 패턴(116)을 형성한다. 상기 배리어 패턴(116)은 드라이브 IC가 형성되는 영역 전체에 걸쳐 형성될 수 있다. 상기 배리어 패턴(116)은 플렉서블 유기발광다이오드 표시장치의 제조 공정이 완료된 후, 베이스 기판(110)과 플렉서블 기판(112)의 분리하는 과정에서 조사되는 레이저빔에 의해 드라이브 IC 내의 소자들이 손상되는 것을 방지하는 효과가 있다. 상기 배리어 패턴(116)은 알루미늄-네오디뮴(AlNd), 몰리브덴(Mo), 구리(Cu), 은(Ag), 금(Au), 티타늄(Ti) 등 레이저빔 반사 효율이 좋은 금속으로 형성될 수 있다. 또한, 상기 게이트전극(114) 및 패드부(115)와 동일한 물질인 알루미늄-네오디뮴(AlNd), 몰리브덴(Mo), 티타늄(Ti), 탄탈륨(Ta), 텅스텐(W), 구리(Cu), 크롬(Cr), 알루미늄(Al), 이들의 조합으로부터 형성되는 합금 등으로 동일한 공정에서 형성될 수 있다.In addition, a barrier pattern 116 is formed on the same plane as the gate electrode 114 and the pad portion 115. The barrier pattern 116 may be formed over the entire region where the drive IC is formed. The barrier pattern 116 may cause damage to elements in the drive IC due to a laser beam irradiated in the process of separating the base substrate 110 and the flexible substrate 112 after the manufacturing process of the flexible organic light emitting diode display device is completed . The barrier pattern 116 may be formed of a metal having good laser beam reflection efficiency such as aluminum-neodymium (AlNd), molybdenum (Mo), copper (Cu), silver (Ag), gold (Au), titanium have. AlNd, Mo, Ti, tantalum, tungsten, copper, tantalum, or the like, which are the same materials as the gate electrode 114 and the pad portion 115, Chromium (Cr), aluminum (Al), an alloy formed from a combination thereof, or the like.

즉, 상기 배리어 패턴(116)의 재질에 따라 게이트 전극(114) 형성 공정시 동시에 형성하거나, 별도의 마스크 공정을 진행하여 형성될 수 있다. That is, it may be formed at the same time as the formation of the gate electrode 114 depending on the material of the barrier pattern 116, or may be formed by a separate mask process.

도 3b를 참조하면, 게이트 전극(114), 패드부(115) 및 배리어 패턴(116)을 포함하는 플렉서블 기판(112) 상에 게이트 절연막(121)이 형성된다. 상기 게이트 절연막(121) 상에 비정질 실리콘막을 형성하고, 열처리 공정에 의해 결정질 실리콘막으로 형성한 다음, 마스크 공정을 진행하여 상기 게이트 전극(114)과 중첩되도록 상기 게이트 절연막(121) 상에 반도체층(122)을 형성한다.3B, a gate insulating layer 121 is formed on a flexible substrate 112 including a gate electrode 114, a pad portion 115, and a barrier pattern 116. In FIG. An amorphous silicon film is formed on the gate insulating film 121 and is formed into a crystalline silicon film by a heat treatment process and then a mask process is performed to form a semiconductor layer on the gate insulating film 121, (122).

그런 다음, 상기 반도체층(122)이 형성된 플렉서블 기판(112) 상에 소스/드레인 금속층을 형성하고 마스크 공정을 진행하여, 상기 반도체층(122) 상에는 서로 마주하도록 소스 전극(124a)과 드레인 전극(124b)을 형성한다.A source / drain metal layer is formed on the flexible substrate 112 on which the semiconductor layer 122 is formed and a mask process is performed to form source and drain electrodes 124a and 124b on the semiconductor layer 122, 124b.

패드영역(B)에서는 상기 게이트 절연막(121) 상의 상기 배리어 패턴(116)과 중첩되도록 IC패드(123)를 형성한다. 도면에서는 IC 패드(123)만 중첩되도록 형성되어 있지만, 실장되는 드라이브 IC 내의 소자 손상을 방지하는 것이기 때문에 드라이브 IC가 실장되는 전체 영역에 배리어 패턴(116)이 형성된다.In the pad region B, the IC pad 123 is formed so as to overlap with the barrier pattern 116 on the gate insulating film 121. In the drawing, only the IC pad 123 is formed so as to overlap. However, since the element damage in the drive IC to be mounted is prevented, the barrier pattern 116 is formed in the entire area where the drive IC is mounted.

또한, 상기 반도체층(122)은 비정질 실리콘막 및 도핑된 비정질 실리콘막(n+ 또는 p+)으로 구성될 수 있고, 비정질 실리콘막을 결정화한 결정질 실리콘막으로 형성될 수 있다. 결정질 실리콘막으로 형성될 경우에는 소스 전극(124a)과 드레인 전극(124b)과 접촉되는 영역에 도핑 공정을 진행할 수 있다.In addition, the semiconductor layer 122 may be formed of an amorphous silicon film and a doped amorphous silicon film (n + or p +), and may be formed of a crystalline silicon film in which the amorphous silicon film is crystallized. In the case of a crystalline silicon film, a doping process may be performed on a region that is in contact with the source electrode 124a and the drain electrode 124b.

또한, 상기 소스/드레인 금속층은 몰리브덴(Mo), 티타늄(Ti), 탄탈륨(Ta), 텅스텐(W), 구리(Cu), 크롬(Cr), 알루미늄(Al), 이들의 조합으로부터 형성되는 합금 중 어느 하나를 이용할 수 있다. 또한, ITO(Indium Tin Oxide)와 같은 투명성 도전물질을 사용할 수 있다. 또한, 도면에서는 단일 금속막으로 형성되어 있지만 경우에 따라서는 적어도 2개 이상의 금속막들을 적층하여 형성할 수 있다.The source / drain metal layer may be formed of a metal such as molybdenum (Mo), titanium (Ti), tantalum (Ta), tungsten (W), copper (Cu), chromium (Cr), aluminum Can be used. In addition, a transparent conductive material such as indium tin oxide (ITO) may be used. In addition, although the metal film is formed of a single metal film, it may be formed by stacking at least two metal films.

또한, 상기 IC패드(123)는 소스전극(124a) 및 드레인전극(124b)과 같은 물질로 형성될 수 있다. 이로써, 게이트전극(114), 게이트절연막(121), 반도체층(122), 소스전극(124a) 및 드레인전극(124b)으로 구성된 박막 트랜지스터(TFT)가 완성된다.In addition, the IC pad 123 may be formed of the same material as the source electrode 124a and the drain electrode 124b. This completes the thin film transistor (TFT) composed of the gate electrode 114, the gate insulating film 121, the semiconductor layer 122, the source electrode 124a and the drain electrode 124b.

도 3c를 참조하면, 박막 트랜지스터(TFT)가 형성된 플렉서블 기판(112) 전면에 보호막(125)을 형성하고, 마스크 공정을 진행하여, 상기 드레인 전극(124b)을 노출시키는 콘택홀, 상기 패드부(115)를 노출시키는 콘택홀 및 상기 IC패드(123)를 노출하는 콘택홀을 형성한다.3C, a protective film 125 is formed on the entire surface of a flexible substrate 112 on which a thin film transistor (TFT) is formed, a contact hole exposing the drain electrode 124b by a mask process, 115 and the contact hole exposing the IC pad 123 are formed.

상기와 같이, 보호막(125) 상에 콘택홀이 형성되면, 플렉서블 기판(112)의 전면에 금속층을 형성한 다음, 마스크 공정을 진행하여 상기 노출된 드레인 전극(124b)과 직접 콘택되는 연결전극(126)을 형성한다.When a contact hole is formed on the protective film 125 as described above, a metal layer is formed on the entire surface of the flexible substrate 112, and then a masking process is performed to form a connection electrode (not shown) directly contacting the exposed drain electrode 124b 126 are formed.

또한, 패드 영역(B)에서는 상기 패드부(115)와 직접 콘택되는 패드콘택부(127)를 형성하고 상기 IC패드(123)와 직접 콘택되는 IC콘택부(128)를 형성한다.In the pad region B, a pad contact portion 127 directly contacting with the pad portion 115 is formed and an IC contact portion 128 directly contacting the IC pad 123 is formed.

그런 다음, 도 3d를 참조하면, 상기 연결전극(126), 상기 패드콘택부(127) 및 상기 IC콘택부(128)가 형성된 상기 플렉서블 기판(112) 의 전면에 포토 아크릴과 같은 유기물질로 된 유기절연층(130)을 형성한다. 상기 유기절연층(130)은 플렉서블 기판(112)의 표면이 상기 박막 트랜지스터(TFT)와 각종 배선들이 형성되어 표면이 매끄럽지 못하고, 울퉁불퉁하게 단차가 형성되는 것을 평탄화하기 위해 형성된다. Referring to FIG. 3D, on the front surface of the flexible substrate 112 on which the connection electrode 126, the pad contact portion 127, and the IC contact portion 128 are formed, An organic insulating layer 130 is formed. The organic insulating layer 130 is formed to planarize the surface of the flexible substrate 112 in which the thin film transistor (TFT) and various wirings are formed and the surface is not smooth and unevenly formed.

상기 유기절연층(130)이 플렉서블 기판(112) 상에 형성되면, 마스크 공정을 진행하여, 연결전극(126), 패드콘택부(127) 및 IC콘택부(128)를 각각 노출시키는 콘텍홀들을 형성한다.When the organic insulating layer 130 is formed on the flexible substrate 112, the mask process is performed to expose the contact holes 126, the pad contact portions 127 and the IC contact portions 128, .

그런 다음, 상기 유기절연층(130)이 형성된 플렉서블 기판(112) 상에 금속층을 형성한 다음, 마스크 공정을 진행하여 상기 표시 영역(A)의 화소 영역에 캐소드 전극(131)을 형성한다. 상기 캐소드 전극(131)이 형성되면, 상기 플렉서블 기판(112) 상에 버퍼층(130)을 형성한 다음, 마스크 공정을 진행하여 화소 영역의 캐소드 전극(131)이 노출되도록 버퍼층(130)을 패터닝한다. 이때, 상기 패드콘택부(127)와 IC콘택부(128) 영역도 노출된다.A metal layer is formed on the flexible substrate 112 on which the organic insulating layer 130 is formed and then a mask process is performed to form a cathode electrode 131 in a pixel region of the display region A. [ When the cathode electrode 131 is formed, a buffer layer 130 is formed on the flexible substrate 112, and then the buffer layer 130 is patterned to expose the cathode electrode 131 of the pixel region . At this time, the pad contact portion 127 and the IC contact portion 128 are also exposed.

상기 버퍼층(130)이 패터닝되면, 상기 노출된 캐소드 전극(131) 상에 유기발광층(133)을 형성하고, 상기 유기발광층(133)을 포함한 플렉서블 기판(112)의 표시영역(A) 상에 애노드 전극(134)을 형성하여 유기발광 다이오드(OLED)를 완성한다.When the buffer layer 130 is patterned, an organic light emitting layer 133 is formed on the exposed cathode electrode 131 and a light emitting layer 133 is formed on the display region A of the flexible substrate 112 including the organic light emitting layer 133. [ Electrode 134 is formed to complete the organic light emitting diode (OLED).

상기 캐소드 전극(131)은 비교적 일함수 값이 낮은 금속물질로 이루어지며, 상기 애노드 전극(133)은 일함수 값이 비교적 높은 물질인 인듐-틴-옥사이드(ITO)로 형성된다. 상기 유기발광층(132)은 발광물질로 이루어진 단일층으로 구성될 수도 있으며, 발광 효율을 높이기 위해 정공주입막(hole injection layer), 정공수송막(hole transporting layer), 발광물질막(emitting material layer), 전자수송막(electron transporting layer) 및 전자주입막(electron injection layer)의 다중층으로 구성될 수도 있다.The cathode electrode 131 is made of a metal material having a relatively low work function value and the anode electrode 133 is formed of indium-tin-oxide (ITO), which is a relatively high work function value. The organic light emitting layer 132 may include a hole injection layer, a hole transporting layer, a light emitting material layer, a light emitting layer, , An electron transporting layer, and an electron injection layer.

이 후, 상기 베이스 기판(110) 배면에서 상기 희생층(111)에 레이저빔(Laser Beam)을 조사하여, 베이스 기판(110)과 플렉서블 기판(112)의 분리 공정을 진행한다. 상기 레이저빔(Laser Beam)은 베이스기판(110) 전 영역에 조사되지만 상기 배리어 패턴(116)이 상기 IC패드(123) 하부에 형성되어 있어, 레이저빔(Laser Beam)이 상기 IC패드(123)에 직접 도달하지 않는다.A laser beam is irradiated to the sacrificial layer 111 from the back surface of the base substrate 110 to separate the base substrate 110 and the flexible substrate 112 from each other. The laser beam is irradiated to the entire area of the base substrate 110 but the barrier pattern 116 is formed under the IC pad 123 so that a laser beam is emitted from the IC pad 123, .

도면에서는 IC패드(123) 영역에만 배리어 패턴(116)이 형성된 것으로 보이지만, 실장되는 드라이브 IC와 중첩되도록 배리어 패턴(116)이 형성되기 때문에 레이저빔에 의해 실장된 드라이브 IC가 손상되지 않는다. 즉, 레이저빔은 배리어 패턴(116)에 의해 모두 차단되어 드라이브 IC에 조사되지 않는다.Although the barrier pattern 116 appears to be formed only in the area of the IC pad 123 in the drawing, the barrier pattern 116 is formed so as to overlap with the mounted drive IC, so that the drive IC mounted by the laser beam is not damaged. That is, the laser beam is all blocked by the barrier pattern 116 and is not irradiated to the drive IC.

따라서, 본 발명에서는 플렉시블 기판(112) 분리 공정에서 드라아브 IC가 손상되는 것을 방지할 수 있다. 상기 레이저빔(Laser Beam)은 532nm, 355nm, 308nm의 파장을 갖는 레이저빔이 사용될 수 있다. Therefore, in the present invention, it is possible to prevent the DRAW IC from being damaged in the process of separating the flexible substrate 112. The laser beam may be a laser beam having a wavelength of 532 nm, 355 nm or 308 nm.

도 4a 및 도 4b는 종래 플렉서블 유기발광다이오드 표시장치 화면과 본 발명의 플렉서블 유기발광다이오드 표시장치 화면을 도시한 도면이다.FIGS. 4A and 4B are views showing a conventional flexible organic light emitting diode display screen and a flexible organic light emitting diode display screen of the present invention.

도 4a를 참조하면, 종래 플렉서블 유기발광다이오드 표시장치는 본 발명과 같이, 레이저 빔을 차단하기 위한 배리어 패턴이 형성되지 않아 레이저빔으로 인해 드라이브 IC들이 손상된 경우, 표시 영역의 X 및 Y 영역에서 각각 휘도 불량이 발생된 것을 볼 수 있다.Referring to FIG. 4A, in the conventional flexible organic light emitting diode display device, when a drive IC is damaged due to a laser beam because a barrier pattern for blocking a laser beam is not formed as in the present invention, It can be seen that a luminance defect occurs.

이에 반해 도 4b를 참조하면, 본 발명의 플렉서블 유기발광다이오드 표시장치의 경우, 532nm, 355nm, 308nm의 파장을 갖는 레이저빔으로 실험해 본 결과 드라이브 IC 실장 영역에 형성된 배리어 패턴이 대부분의 레이저빔을 차단하기 때문에 드라이브 IC가 손상되지 않는다. 따라서, 표시 영역에서의 휘도 불량이 발생되지 않았다.On the other hand, referring to FIG. 4B, in the case of the flexible organic light emitting diode display device of the present invention, when a laser beam having a wavelength of 532 nm, 355 nm, or 308 nm was tested, The drive IC is not damaged because it blocks. Therefore, the luminance defect in the display area did not occur.

따라서, 본 발명에서는 레이저를 사용하여 베이스기판과 플렉서블 기판 분리시, 플렉서블 유기발광다이오드 표시장치의 패드 영역, 구체적으로는 드라이브 IC가 실장되는 영역에 배리어 패턴을 형성하여, 드라이브 IC가 레이저빔에 의해 인한 손상되는 것을 방지하였다.Therefore, in the present invention, when a base substrate and a flexible substrate are separated by using a laser, a barrier pattern is formed in a pad region of a flexible organic light emitting diode display device, specifically, a region where the drive IC is mounted, Thereby preventing damage caused by the above.

또한, 드라이브 IC가 레이저빔에 의해 손상되지 않기 때문에 화면 불량이 발생되지 않는다. 또한, 드라이브 IC의 실장 영역에 레이저빔이 조사되는 것을 방지하기 위해 형성한 배리어 패턴은 게이트 전극 형성시 동시에 형성함으로써, 추가 공정 없이 드라이브 IC의 손상을 방지할 수 있다.Further, since the drive IC is not damaged by the laser beam, no defective screen is generated. In addition, since the barrier pattern formed to prevent the laser beam from being irradiated to the mounting area of the drive IC is formed at the same time when the gate electrode is formed, damage to the drive IC can be prevented without an additional step.

이상 설명한 내용을 통해 당업자라면 본 발명의 기술사상을 일탈하지 아니하는 범위에서 다양한 변경 및 수정이 가능함을 알 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명의 기술적 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허 청구의 범위에 의해 정하여져야만 할 것이다.
It will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations can be made in the present invention without departing from the spirit or scope of the invention. Therefore, the technical scope of the present invention should not be limited to the contents described in the detailed description of the specification, but should be defined by the claims.

110: 베이스 기판 111: 희생층
112: 플렉서블 기판 113: 평탄막
114: 게이트 전극 115: 패드부
116: 배리어 패턴 121: 게이트 절연막
123: IC패드 128: IC콘택부110: base substrate 111: sacrificial layer
112: flexible substrate 113: flat film
114: gate electrode 115: pad portion
116: Barrier pattern 121: Gate insulating film
123: IC pad 128: IC contact part

Claims (12)

표시영역 및 패드영역으로 구획되는 플렉서블 기판과;
상기 플렉서블 기판 상에 형성된 평탄막과;
상기 표시영역의 평탄막 상에 형성된 박막 트랜지스터와;
상기 박막 트랜지스터 상의 보호층과 유기절연층 상에 형성된 유기발광다이오드와;
상기 패드영역의 평탄막 상에 형성된 패드부와;
상기 패드영역의 패드부 상에 형성된 게이트 절연막과;
상기 패드영역의 게이트 절연막 상에 형성되는 IC패드와;
상기 IC패드 상부에 형성되는 IC콘택부와;
상기 플렉서블 기판 상에 직접 실장되어 상기 IC콘택부를 통해 상기 IC패드와 전기적으로 연결되는 드라이브 IC와;
상기 패드영역의 평탄막 상에 형성되고, 상기 드라이브 IC가 실장되는 영역과 상기 IC패드에 중첩되도록 하부에 형성된 배리어 패턴을 포함하는 것을 특징으로 하는 플렉서블 유기발광다이오드 표시장치.A flexible substrate divided into a display region and a pad region;
A flat film formed on the flexible substrate;
A thin film transistor formed on a flat film of the display region;
An organic light emitting diode formed on the protective layer and the organic insulating layer on the thin film transistor;
A pad portion formed on a flat film of the pad region;
A gate insulating layer formed on the pad portion of the pad region;
An IC pad formed on the gate insulating film of the pad region;
An IC contact formed on the IC pad;
A drive IC directly mounted on the flexible substrate and electrically connected to the IC pad through the IC contact portion;
And a barrier pattern formed on a flat film of the pad region, the barrier pattern being formed on an area where the drive IC is mounted and on the IC pad. 제 1 항에 있어서,
상기 박막 트랜지스터는 평탄막 상에 형성된 게이트 전극과;
상기 게이트 전극을 덮는 게이트 절연막과;
상기 게이트 절연막 상에 상기 게이트 전극과 중첩되게 형성된 반도체층과;
상기 반도체층 상에 일정 간격을 두고 마주하여 형성된 소스전극과 드레인전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 플렉서블 유기발광다이오드 표시장치.The method according to claim 1,
The thin film transistor includes: a gate electrode formed on a flat film;
A gate insulating film covering the gate electrode;
A semiconductor layer formed on the gate insulating layer so as to overlap with the gate electrode;
And a source electrode and a drain electrode formed on the semiconductor layer with a predetermined gap therebetween. 제 1 항에 있어서,
상기 유기발광다이오드는,
상기 유기절연층 상에 형성된 캐소드 전극과;
상기 캐소드 전극 상에 형성된 형성된 유기발광층과;
상기 유기발광층 상에 형성된 애노드 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 플렉서블 유기발광다이오드 표시장치.The method according to claim 1,
The organic light emitting diode includes:
A cathode electrode formed on the organic insulating layer;
An organic light emitting layer formed on the cathode electrode;
And an anode electrode formed on the organic light emitting layer. 제 3 항에 있어서,
상기 유기발광다이오드의 캐소드 전극은 상기 보호층과 유기절연층에 형성된 콘택홀에 의해 노출된 상기 박막 트랜지스터의 드레인 전극과 연결되며, 상기 캐소드전극과 드레인 전극은 연결전극을 사이에 두고 전기적으로 연결되는 것을 특징으로하는 플렉서블 유기발광다이오드 표시장치.The method of claim 3,
The cathode electrode of the organic light emitting diode is connected to the drain electrode of the thin film transistor exposed by the contact hole formed in the protective layer and the organic insulating layer, and the cathode electrode and the drain electrode are electrically connected through the connection electrode Wherein the organic light emitting diode display device is a flexible organic light emitting diode display device. 제 2 항에 있어서,
상기 배리어 패턴은 상기 게이트 전극 및 패드부와 같은 물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 플렉서블 유기발광다이오드 표시장치.3. The method of claim 2,
Wherein the barrier pattern is formed of the same material as the gate electrode and the pad portion. 표시영역과 패드영역으로 구획된 플렉서블 기판에 희생층을 사이에 두고 베이스 기판을 합착하는 단계와;
상기 플렉서블 기판 상에 평탄막을 형성하는 단계와;
상기 표시영역의 평탄막 상에 게이트 전극을 형성하고, 패드영역에 패드부 및 배리어 패턴을 형성하는 단계와;
상기 게이트 전극이 형성된 플렉서블 기판의 전면에 게이트 절연막을 형성하는 단계와;
상기 게이트 절연막이 형성된 플렉서블 기판 상에 상기 게이트 전극과 중첩되도록 반도체층, 상기 반도체층과 콘택되는 소스 및 드레인 전극을 형성하여 박막 트랜지스터를 완성하고, 동시에 상기 패드 영역의 게이트 절연막 상에 IC패드를 형성하는 단계와;
상기 박막 트랜지스터가 형성된 플렉서블 기판 상에 보호층을 형성하고 콘택홀 공정을 진행하여, 상기 박막 트랜지스터의 드레인 전극, 패드부 및 IC패드를 노출하는 단계와;
상기 보호층이 형성된 플렉서블 기판 상에 금속층을 형성한 다음, 마스크 공정을 진행하여, 상기 드레인 전극과 콘택되는 연결전극, 상기 패드부와 콘택되는 패드콘택부 및 상기 IC패드와 콘택되는 IC콘택부를 형성하는 단계와;
상기 연결전극이 형성된 플렉서블 기판 상에 유기절연층을 형성하고, 콘택홀 공정을 진행하여, 상기 드레인 전극 상의 연결전극, 상기 패드콘택부 및 IC콘택부를 노출하는 단계와;
상기 유기절연층이 형성된 플렉서블 기판 상에 금속층을 형성한 다음, 마스크 공정을 진행하여 상기 표시 영역의 화소 영역에 캐소드 전극을 형성하는 단계와;
상기 캐소드 전극이 형성된 플렉서블 기판 상에 버퍼층을 형성하고, 상기 캐소드 전극을 노출시키는 단계와;
상기 버퍼층이 형성된 플렉서블 기판의 캐소드 전극 상에 유기발광층을 형성하는 단계와;
상기 유기발광층이 형성된 플렉서블 기판 상에 애노드 전극을 형성하여 유기발광다이오드를 형성하는 단계를 포함하고,
상기 배리어 패턴은 상기 IC패드와 상기 IC패드 상에 실장되는 드라이브 IC에 중첩되도록 형성하는 것을 특징으로 하는 플렉서블 유기발광다이오드 표시장치 제조방법.Attaching a base substrate to a flexible substrate partitioned by a display region and a pad region with a sacrificial layer interposed therebetween;
Forming a flat film on the flexible substrate;
Forming a gate electrode on the flat film of the display region, forming a pad portion and a barrier pattern in the pad region;
Forming a gate insulating film on the entire surface of the flexible substrate on which the gate electrode is formed;
A source electrode and a drain electrode, which are in contact with the semiconductor layer, are formed on the flexible substrate on which the gate insulating film is formed to complete the thin film transistor, and an IC pad is formed on the gate insulating film of the pad region ;
Forming a protective layer on the flexible substrate on which the thin film transistor is formed and performing a contact hole process to expose the drain electrode, the pad portion and the IC pad of the thin film transistor;
A metal layer is formed on the flexible substrate on which the protection layer is formed, and then a mask process is performed to form a connection electrode to be in contact with the drain electrode, a pad contact portion to be in contact with the pad portion, and an IC contact portion to be in contact with the IC pad ;
Forming an organic insulating layer on the flexible substrate on which the connection electrode is formed, and performing a contact hole process to expose the connection electrode, the pad contact, and the IC contact on the drain electrode;
Forming a metal layer on the flexible substrate on which the organic insulating layer is formed, and then performing a mask process to form a cathode electrode in a pixel region of the display region;
Forming a buffer layer on the flexible substrate on which the cathode electrode is formed and exposing the cathode electrode;
Forming an organic light emitting layer on the cathode electrode of the flexible substrate on which the buffer layer is formed;
Forming an organic light emitting diode by forming an anode electrode on a flexible substrate on which the organic light emitting layer is formed,
Wherein the barrier pattern is formed so as to overlap the IC pad and the drive IC mounted on the IC pad. 삭제delete 제 6 항에 있어서,
상기 유기발광다이오드의 캐소드 전극은 상기 유기절연층 상에 형성된 콘택홀을 통해 상기 드레인 전극 상에 형성된 연결전극과 직접 콘택되는 것을 특징으로 하는 플렉서블 유기발광다이오드 표시장치 제조방법.The method according to claim 6,
Wherein the cathode electrode of the organic light emitting diode is directly contacted with the connection electrode formed on the drain electrode through the contact hole formed on the organic insulation layer. 제 6 항에 있어서,
상기 유기발광다이오드를 형성한 후,
상기 베이스 기판의 배면에 레이저빔을 조사하여 상기 베이스 기판과 플렉서블 기판 사이의 희생층을 경화시키는 단계와;
상기 희생층의 경화로 인하여 상기 베이스 기판을 상기 플렉서블 기판으로부터 분리하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 플렉서블 유기발광다이오드 표시장치 제조방법.The method according to claim 6,
After forming the organic light emitting diode,
Irradiating a laser beam onto a back surface of the base substrate to cure the sacrificial layer between the base substrate and the flexible substrate;
And separating the base substrate from the flexible substrate due to the curing of the sacrificial layer. 제 9 항에 있어서,
상기 레이저빔은 532nm, 355nm, 308nm 중 어느 하나의 파장을 갖는 것을 특징으로 하는 플렉서블 유기발광다이오드 표시장치 제조방법.10. The method of claim 9,
Wherein the laser beam has a wavelength of 532 nm, 355 nm, or 308 nm. 제 6 항에 있어서,
상기 배리어 패턴은 상기 게이트 전극 및 패드부와 동일 물질로 형성하는 것을 특징으로 하는 플렉서블 유기발광다이오드 표시장치 제조방법.The method according to claim 6,
Wherein the barrier pattern is formed of the same material as the gate electrode and the pad portion. 제 6 항에 있어서,
상기 배리어 패턴은 알루미늄-네오디뮴(AlNd), 몰리브덴(Mo), 구리(Cu), 은(Ag), 금(Au) 및 티타늄(Ti) 중 어느 하나의 물질로 형성하는 것을 특징으로 하는 플렉서블 유기발광다이오드 표시장치 제조방법.The method according to claim 6,
Wherein the barrier pattern is formed of any one of aluminum-neodymium (AlNd), molybdenum (Mo), copper (Cu), silver (Ag), gold (Au), and titanium (Ti) A method of manufacturing a diode display device.
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