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KR101933016B1 - Light emitting module - Google Patents

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KR101933016B1
KR101933016B1 KR1020110090758A KR20110090758A KR101933016B1 KR 101933016 B1 KR101933016 B1 KR 101933016B1 KR 1020110090758 A KR1020110090758 A KR 1020110090758A KR 20110090758 A KR20110090758 A KR 20110090758A KR 101933016 B1 KR101933016 B1 KR 101933016B1
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South Korea
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light emitting
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cavity
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insulating substrate
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조윤민
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엘지이노텍 주식회사
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Abstract

실시예는 발광모듈에 대한 것으로, 이 모듈은 금속회로기판; 및 상기 금속회로기판 위에 부착되는 질화물 절연 기판, 상기 절연 기판 위에 형성되어 있는 적어도 하나의 패드부, 그리고 상기 패드부 위에 부착되어 있는 적어도 하나의 발광소자를 포함하는 발광소자 패키지를 포함하며, 상기 캐비티의 바닥면과 상기 절연 기판의 바닥면 사이에 결합 구조물이 형성되어 있는 발광모듈을 제안한다. 따라서, 금속 회로기판의 캐비티 내에 발광소자 패키지를 직접 실장하여 발광소자 패키지의 방열 효율을 개선하여 소자 신뢰성을 확보할 수 있다. 또한, 패키지와 회로 기판 사이에 요철을 형성함으로써 접촉 면적을 확장하여 방열 효율이 더욱 향상된다. An embodiment is directed to a light emitting module, comprising: a metal circuit board; And a light emitting device package including a nitride insulating substrate attached on the metal circuit board, at least one pad portion formed on the insulating substrate, and at least one light emitting device attached on the pad portion, And a coupling structure is formed between the bottom surface of the insulating substrate and the bottom surface of the insulating substrate. Therefore, the light emitting device package can be directly mounted in the cavity of the metal circuit board to improve the heat radiation efficiency of the light emitting device package, thereby ensuring the reliability of the device. Further, by forming the concavo-convex portion between the package and the circuit board, the contact area is enlarged and the heat radiation efficiency is further improved.

Description

발광모듈{LIGHT EMITTING MODULE}[0001] LIGHT EMITTING MODULE [0002]

실시예는 발광모듈에 관한 것이다. An embodiment relates to a light emitting module.

일반적으로, 회로기판이란 전기 절연성 기판에 구리와 같은 전도성 재료로 회로 패턴을 형성시킨 것으로 전자부품 관련 발열소자를 탑재하기 직전의 기판을 말한다. 상기와 같은 회로기판은 반도체 소자 및 발광다이오드(LED:light emitting diode) 등과 같은 발열소자를 탑재하게 된다.Generally, a circuit board refers to a substrate which is formed by forming a circuit pattern of a conductive material such as copper on an electrically insulating substrate and immediately before mounting a heating element related to an electronic component. The circuit board includes a semiconductor element and a light emitting diode (LED).

특히, 발광다이오드를 탑재한 회로기판은 자동차 헤드램프용으로 개발이 진행되면서, 내열성과 열전달 특성이 요구되고 있다. Particularly, as circuit boards on which light emitting diodes are mounted are being developed for automobile head lamps, heat resistance and heat transfer characteristics are required.

그러나, 발광다이오드 등과 같은 소자는 심각한 열을 방출하며, 발열소자가 실장된 회로기판에서 열이 처리되지 못하게 되면, 발열소자가 탑재된 회로기판의 온도를 상승시켜 발열소자의 동작 불능 및 오동작을 야기할 뿐만 아니라 제품의 신뢰성을 저하시킨다.However, when a device such as a light emitting diode emits a serious heat and heat can not be processed in the circuit board on which the heat generating element is mounted, the temperature of the circuit board on which the heat generating element is mounted is increased, But also degrades the reliability of the product.

실시예는 새로운 구조의 자동차 헤드램프용 발광모듈을 제공한다.The embodiment provides a light emitting module for a vehicle headlamp of a new structure.

실시예는 발광소자 패키지를 캐비티가 형성된 회로기판의 캐비티 내에 실장하는 발광모듈을 제공한다.An embodiment provides a light emitting module in which a light emitting device package is mounted in a cavity of a circuit board on which a cavity is formed.

실시예는 방열성 및 광집진성이 향상된 발광모듈을 제공한다.The embodiment provides a light emitting module with improved heat dissipation and optical coherence.

실시예는 상면과 하면을 포함하고, 상기 상면에서 상기 하면을 향하여 오목한 캐비티를 포함하는 금속 플레이트; 상기 캐비티 내에 탑재되는 발광소자 패키지; 상기 금속 플레이트 상면에 배치되는 절연층; 및 상기 절연층 상에 배치되는 가이드 돌기를 포함하고, 상기 발광소자 패키지는, 절연기판; 상기 절연기판 위에 형성되는 적어도 하나의 패드부, 상기 패드부 위에 부착되어 있는 적어도 하나의 발광소자를 포함하고, 상기 캐비티의 바닥면에서 상기 금속 플레이트의 하면을 향하여 오목한 홈을 포함하며, 상기 절연기판은 상기 절연기판에서 상기 금속 플레이트 방향으로 돌출되는 돌기를 포함하며, 상기 절연기판의 돌기는 상기 홈에 결합되고, 상기 가이드 돌기는 상기 절연 기판의 둘레에 폐루프로 배치되는 발광모듈을 포함할 수 있다.
실시예는 상하간에 중첩되지 않는 제1 영역과 제2 영역을 포함하는 금속회로기판 및 상기 금속회로기판의 제1 영역 상에 부착되는 질화물 절연 기판, 상기 절연 기판 위에 형성되어 있는 적어도 하나의 패드부, 그리고 상기 패드부 위에 부착되어 있는 적어도 하나의 발광소자를 포함하는 발광소자 패키지를 포함할 수 있다.
상기 금속회로기판의 제1 영역에 상기 발광소자 패키지를 실장하는 캐비티를 포함할 수 있다.An embodiment includes a metal plate including a top surface and a bottom surface and including a cavity recessed from the top surface toward the bottom surface; A light emitting device package mounted in the cavity; An insulating layer disposed on an upper surface of the metal plate; And a guide protrusion disposed on the insulating layer, wherein the light emitting device package includes: an insulating substrate; At least one pad portion formed on the insulating substrate and at least one light emitting element attached to the pad portion, wherein the cavity includes a concave groove toward the lower surface of the metal plate on the bottom surface of the cavity, The light emitting module may include a protrusion protruding in the direction of the metal plate from the insulating substrate, the protrusion of the insulating substrate being coupled to the groove, and the guide protrusion being disposed in a closed loop around the insulating substrate have.
An embodiment provides a semiconductor device comprising a metal circuit board including a first region and a second region that are not overlapped with each other in a vertical direction and a nitride insulating substrate attached on the first region of the metal circuit substrate, And a light emitting device package including at least one light emitting device attached on the pad portion.
And a cavity for mounting the light emitting device package in a first region of the metal circuit board.

실시예는 금속 회로기판의 캐비티 내에 발광소자 패키지를 직접 실장하여 발광소자 패키지의 방열 효율을 개선하여 소자 신뢰성을 확보할 수 있다. 또한, 패키지와 회로 기판 사이에 요철을 형성함으로써 접촉 면적을 확장하여 방열 효율이 더욱 향상된다. The embodiment can directly mount the light emitting device package in the cavity of the metal circuit board to improve the heat radiation efficiency of the light emitting device package, thereby securing the reliability of the device. Further, by forming the concavo-convex portion between the package and the circuit board, the contact area is enlarged and the heat radiation efficiency is further improved.

실시예는 회로기판에 가이드 돌기 및 상기 솔더 레지스트를 광투과율이 낮은 색으로 형성함으로써 빛을 방출 방향으로 집진할 수 있다.The embodiment can collect light in the emitting direction by forming the guide projection on the circuit board and the solder resist in a color having low light transmittance.

또한, 실시예는 발광소자 패키지의 패드부를 스퍼터링 등을 통해 박막으로 형성하여 미세 회로를 구현할 수 있다.In addition, in the embodiment, a pad portion of the light emitting device package may be formed as a thin film through sputtering or the like to realize a microcircuit.

도 1은 제1 실시예에 따른 발광모듈의 분해 사시도이다.
도 2는 제1 실시예에 따른 발광모듈의 결합상면도이다.
도 3은 도 2의 발광모듈을 Ⅰ-Ⅰ'으로 절단한 단면도이다.
도 4는 도 2의 발광모듈을 Ⅱ-Ⅱ'으로 절단한 단면도이다.
도 5는 도 3의 발광모듈의 확대도이다.
도 6은 도 3의 발광모듈에 형성되어 있는 발광소자의 상세 단면도이다.
도 7은 본 발명의 제2 실시예에 따른 발광모듈의 단면도이다.
도 8은 본 발명의 제3 실시예에 따른 발광모듈의 단면도이다.
도 9는 본 발명의 제4 실시예에 따른 발광모듈의 단면도이다.
도 10은 본 발명의 제5 실시예에 따른 발광모듈의 분해 사시도이다.
도 11은 본 발명의 제6 실시예에 따른 발광모듈의 분해 사시도이다.
도 12는 도 11의 발광모듈을 Ⅲ-Ⅲ'으로 절단한 단면도이다.
도 13은 본 발명의 제7 실시예에 따른 발광 모듈의 단면도이다. 1 is an exploded perspective view of a light emitting module according to a first embodiment.
2 is a top view of the light emitting module according to the first embodiment.
3 is a cross-sectional view of the light emitting module of FIG. 2 taken along line I-I '.
4 is a cross-sectional view of the light emitting module of FIG. 2 taken along line II-II '.
5 is an enlarged view of the light emitting module of Fig.
6 is a detailed sectional view of a light emitting device formed in the light emitting module of FIG.
7 is a cross-sectional view of a light emitting module according to a second embodiment of the present invention.
8 is a cross-sectional view of a light emitting module according to a third embodiment of the present invention.
9 is a cross-sectional view of a light emitting module according to a fourth embodiment of the present invention.
10 is an exploded perspective view of a light emitting module according to a fifth embodiment of the present invention.
11 is an exploded perspective view of a light emitting module according to a sixth embodiment of the present invention.
12 is a cross-sectional view of the light emitting module of Fig. 11 taken along line III-III '.
13 is a cross-sectional view of a light emitting module according to a seventh embodiment of the present invention.

아래에서는 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다. 그리고 도면에서 본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 유사한 도면 부호를 붙였다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings so that those skilled in the art can easily carry out the present invention. The present invention may, however, be embodied in many different forms and should not be construed as limited to the embodiments set forth herein. In order to clearly illustrate the present invention, parts not related to the description are omitted, and similar parts are denoted by like reference characters throughout the specification.

명세서 전체에서, 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함"한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다. Throughout the specification, when an element is referred to as "comprising ", it means that it can include other elements as well, without excluding other elements unless specifically stated otherwise.

그리고 도면에서 본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하고, 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 유사한 도면 부호를 붙였다.In order to clearly explain the present invention in the drawings, parts not related to the description are omitted, and like parts are denoted by similar reference numerals throughout the specification.

층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "위에" 있다고 할 때, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우 뿐만 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 반대로 어떤 부분이 다른 부분 "바로 위에" 있다고 할 때에는 중간에 다른 부분이 없는 것을 뜻한다.Whenever a portion of a layer, film, region, plate, or the like is referred to as being "on" another portion, it includes not only the case where it is "directly on" another portion, but also the case where there is another portion in between. Conversely, when a part is "directly over" another part, it means that there is no other part in the middle.

이하에서는 도 1 내지 도 6을 참고하여 본 발명의 제1 실시예에 따른 발광모듈을 설명한다.Hereinafter, a light emitting module according to a first embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 1 to 6. FIG.

도 1은 제1 실시예에 따른 발광모듈의 분해 사시도이고, 도 2는 제1 실시예에 따른 발광모듈의 결합상면도이고, 도 3은 도 2의 발광모듈을 Ⅰ-Ⅰ'으로 절단한 단면도이고, 도 4는 도 2의 발광모듈을 Ⅱ-Ⅱ'으로 절단한 단면도이다.FIG. 1 is an exploded perspective view of the light emitting module according to the first embodiment, FIG. 2 is a top view of the light emitting module according to the first embodiment, FIG. 3 is a sectional view taken along the line I- And FIG. 4 is a cross-sectional view of the light emitting module of FIG. 2 taken along line II-II '.

도 1 내지 도 4를 참조하면, 발광모듈(300)은 회로기판(100) 및 상기 회로기판(100)의 캐비티(150)에 발광소자 패키지(200)를 포함한다.1 to 4, the light emitting module 300 includes a circuit board 100 and a light emitting device package 200 in a cavity 150 of the circuit board 100.

상기 발광모듈(300)은 회로기판(100)의 캐비티(150) 내에 발광소자 패키지(200)가 탑재된 구조로서, 상기 발광소자 패키지(200)는 기판(210) 위에 복수의 발광 소자(250)가 1행 또는 그 이상의 행으로 배열될 수 있으며, 복수의 발광 소자(250)가 서로 직렬 또는 병렬로 연결될 수 있다. 이러한 기술적 특징은 실시예의 기술적 범위 내에서 변경될 수 있다. The light emitting module 300 includes a light emitting device package 200 mounted in a cavity 150 of a circuit board 100. The light emitting device package 200 includes a plurality of light emitting devices 250, May be arranged in one or more rows and the plurality of light emitting devices 250 may be connected to one another in series or in parallel. These technical features may be changed within the technical scope of the embodiment.

상기 회로기판(100)은 금속 플레이트(110), 절연층(140), 회로 패턴과 연결되어 있는 패드(135) 및 가이드 패턴(130)을 포함한다. The circuit board 100 includes a metal plate 110, an insulating layer 140, a pad 135 connected to a circuit pattern, and a guide pattern 130.

상기 금속 플레이트(110)는 열전도성이 높은 방열 플레이트로서, 구리, 알루미늄, 은 또는 금 등을 포함하는 합금으로 형성될 수 있으며, 를 포함하는 합금으로 형성될 수 있다.The metal plate 110 may be formed of an alloy including copper, aluminum, silver, gold, or the like, which is a heat-dissipating plate having high thermal conductivity.

상기 금속 플레이트(110)는 길이 방향으로 긴 막대형의 직육면체 형상을 가지며, 상면으로부터 소정 깊이를 가지는 캐비티(150)가 형성되어 있다. The metal plate 110 has a rectangular parallelepiped shape having a long length in the longitudinal direction, and a cavity 150 having a predetermined depth from the top surface is formed.

상기 금속 플레이트(110)은 직육면체 형상 이외에 원기둥형으로 형성될 수도 있으며, 이에 한정되지 않는다. The metal plate 110 may be formed in a columnar shape other than a rectangular parallelepiped shape, but is not limited thereto.

상기 캐비티(150)는 발광소자 패키지(200)를 실장하기 위한 실장부로서, 상기 발광소자 패키지(200)보타 넓은 면적을 갖도록 형성될 수 있다. The cavity 150 may be a mounting portion for mounting the light emitting device package 200 and may have a large area.

상기 캐비티(150) 바닥면에는 홈(152)이 형성되어 있으며, 상기 홈(152)은 발광 소자 패키지(200)의 돌기(212)와 결합할 수 있도록 상기 발광소자 패키지(200)의 돌기(212)와 대응된다. A groove 152 is formed in the bottom surface of the cavity 150. The groove 152 is formed in the protrusion 212 of the light emitting device package 200 so as to engage with the protrusion 212 of the light emitting device package 200. [ ).

상기 홈(152)은 캐비티(150) 바닥면의 중앙 영역에 형성될 수 있으며, 사각의 형상으로 형성되거나, 원형일 수 있다.The grooves 152 may be formed in a central region of the bottom surface of the cavity 150, and may have a square shape or a circular shape.

또한, 상기 홈(152)은 서로 분리되어 있는 복수의 홈(152)일 수 있으며, 이와 달리 일체화된 하나의 홈(152)일 수 있다. The grooves 152 may be a plurality of grooves 152 separated from each other or may be a single groove 152 integrated with the grooves 152.

이때, 상기 금속 플레이트(110)의 두께는 약 1000μm 이상일 수 있으며, 상기 캐비티(150)의 깊이는 약 300μm 이상일 수 있다.At this time, the thickness of the metal plate 110 may be about 1000 μm or more, and the depth of the cavity 150 may be about 300 μm or more.

상기 금속 플레이트(110)의 상면에는 상기 캐비티(150)를 노출하며 절연층(140)이 형성되어 있다.An insulating layer 140 is formed on the upper surface of the metal plate 110 to expose the cavity 150.

상기 절연층(140)은 복수의 절연층을 포함할 수 있으며, 상기 복수의 절연층 중 일부는 상기 금속 플레이트(110)와 상부의 회로 패턴(도시하지 않음) 및 상기 회로 패턴과 연결되어 있는 패드(135), 그리고 가이드 패턴(130)의 모체가 되는 동박층 등의 금속층을 접착하는 접착층으로서 기능할 수 있다.The insulating layer 140 may include a plurality of insulating layers, and a part of the plurality of insulating layers may include a circuit pattern (not shown) on the metal plate 110 and a pad The adhesive layer 135 and the metal layer such as the copper foil layer which becomes the base of the guide pattern 130. [

상기 절연층(140)은 에폭시계 또는 폴리 이미드계 수지를 포함하며, 내부에 고형 성분, 예를 들어, 필러 또는 유리 섬유 등이 분산되어 있을 수 있으며, 이와 달리 산화물 또는 질화물 등의 무기물일 수 있다. The insulating layer 140 may include an epoxy-based or polyimide-based resin, and a solid component such as a filler or glass fiber may be dispersed in the insulating layer 140. Alternatively, the insulating layer 140 may be an inorganic material such as an oxide or nitride .

상기 절연층(140) 위에 가이드 패턴(130) 및 패드(135)가 형성되어 있다.A guide pattern 130 and a pad 135 are formed on the insulating layer 140.

상기 가이드 패턴(130) 및 패드(135)는 동박층을 식각하여 형성되는 구리를 포함하는 합금으로 형성될 수 있으며, 패드(135)의 표면은 니켈, 은, 금 또는 팔라듐 등을 포함하는 합금을 이용하여 표면처리될 수 있다. The guide pattern 130 and the pad 135 may be formed of an alloy including copper formed by etching the copper foil layer and the surface of the pad 135 may be formed of an alloy including nickel, Can be used.

상기 절연층(140) 위에 회로 패턴을 매립하며, 상기 가이드 패턴(130) 및 상기 패드(135)를 노출하는 솔더 레지스트(120)가 형성되어 있다.A circuit pattern is embedded on the insulating layer 140 and a solder resist 120 exposing the guide pattern 130 and the pad 135 is formed.

상기 솔더 레지스트(120)는 상기 회로기판(100) 전면에 도포되며, 산란되는 빛을 흡수함으로써 빛의 집진성을 향상시키기 위하여 광투과성이 낮고, 반사도가 낮은 어두운 색으로 착색되어 있다. 예를 들어, 상기 솔더 레지스트(120)는 검은색일 수 있다.The solder resist 120 is coated on the entire surface of the circuit board 100 and is colored with a low light transmittance and a low reflectivity in order to improve light gathering by absorbing scattered light. For example, the solder resist 120 may be black.

한편, 상기 패드(135) 및 상기 가이드 패턴(130)은 도 4와 같이, 솔더 레지스트(120)에 의해 전기적으로 분리되어 있다. 4, the pad 135 and the guide pattern 130 are electrically separated from each other by the solder resist 120.

구체적으로, 상기 가이드 패턴(130)은 상기 캐비티(150)를 둘러싸며, 상기 캐비티(150)로부터 소정 거리(d1, d2)만큼 이격되어 형성되어 있다.Specifically, the guide pattern 130 surrounds the cavity 150 and is spaced apart from the cavity 150 by a predetermined distance d1 and d2.

상기 패드(135)는 상기 캐비티(150) 내에 실장되는 상기 발광소자 패키지(200)와 와이어(262) 본딩하기 위한 패드(135)로서, 상기 캐비티(150)와 상기 가이드 패드(130) 사이의 이격된 거리(d1, d2) 내에 노출되어 형성된다. 따라서, 상기 가이드 패턴(130)은 상기 패드(135)가 형성되는 영역에서 분리되어 있다. The pad 135 is a pad 135 for bonding the light emitting device package 200 and the wire 262 to be mounted in the cavity 150. The pad 135 is spaced apart from the cavity 150, (D1, d2). Therefore, the guide pattern 130 is separated in the region where the pad 135 is formed.

이때, 상기 가이드 패드(130)와 상기 캐비티(150) 사이의 이격된 거리(d1, d2)는 상기 패드(135)가 형성되어 있는 변의 거리(d1)와 상기 패드(135)가 형성되어 있지 않은 변의 거리(d2)가 서로 다를 수 있다.The distances d1 and d2 between the guide pad 130 and the cavity 150 are determined by the distance d1 between the side where the pad 135 is formed and the distance d1 between the side where the pad 135 is formed The distances d2 of the sides may be different from each other.

즉, 상기 패드(135)가 형성되어 있는 제1변의 이격 거리(d1)가 상기 패드(135)가 형성되어 있지 않은 제2변의 이격 거리(d2)보다 더 클 수 있다. That is, the distance d1 between the first side where the pad 135 is formed may be larger than the distance d2 between the second side where the pad 135 is not formed.

상기 가이드 패드(130) 위에 상기 캐비티(150) 둘레에 위치하는 가이드 돌기(160)가 형성되어 있다.A guide protrusion 160 is formed on the guide pad 130 to surround the cavity 150.

상기 가이드 돌기(160)는 분리되어 있는 두 개의 상기 가이드 패드(130)를 연결하여 폐루프를 형성 할 수 있다. The guide protrusion 160 may form a closed loop by connecting the two separated guide pads 130.

상기 가이드 돌기(160)는 절연성의 무기물로 형성될 수 있으며, 불투과성의 물질로 형성될수 있으며, 벌크(bulk) 산화 알루미늄과 같이 불투과성의 물질로 , 약 800 μm의 높이를 가질 수 있다. 상기 가이드 돌기(160)는 상기 발광소자 패키지(200)로부터 발광되는 빛을 집광하기 위한 구조로서, 산란되는 빛을 흡수하는 흡수층으로서 기능할 수 있다.The guide protrusion 160 may be formed of an insulative inorganic material, may be formed of an impermeable material, may be impermeable, such as bulk aluminum oxide, and may have a height of about 800 μm. The guide protrusion 160 has a structure for condensing light emitted from the light emitting device package 200 and may function as an absorbing layer for absorbing scattered light.

한편, 상기 회로기판(100)의 캐비티(150) 내에는 발광소자 패키지(200)가 부착되어 있다. A light emitting device package 200 is mounted in the cavity 150 of the circuit board 100.

이하에서는 도 4 및 도 5를 참고하여 발광소자 패키지(200)에 대하여 상세히 설명한다. Hereinafter, the light emitting device package 200 will be described in detail with reference to FIGS. 4 and 5. FIG.

도 4는 도 3의 발광모듈의 확대도이고, 도 5는 도 3의 발광모듈에 형성되어 있는 발광소자의 상세 단면도이다.FIG. 4 is an enlarged view of the light emitting module of FIG. 3, and FIG. 5 is a detailed sectional view of the light emitting device formed in the light emitting module of FIG.

상기 발광소자 패키지(200)는 절연 기판(210), 상기 절연 기판(210) 위에 형성된 복수의 패드부(220) 및 상기 패드부(220) 위에 부착되어 있는 복수의 발광소자(250)를 포함한다.The light emitting device package 200 includes an insulating substrate 210, a plurality of pads 220 formed on the insulating substrate 210, and a plurality of light emitting devices 250 attached on the pads 220 .

상기 절연 기판(210)은 상기 캐비티(150) 내에 실장될 수 있도록 상기 캐비티(150)의 바닥면과 같거나 작은 단면적을 가지는 직육면체 형상을 가진다.The insulating substrate 210 has a rectangular parallelepiped shape having a sectional area equal to or smaller than that of the bottom surface of the cavity 150 so as to be mounted in the cavity 150.

상기 절연 기판(210)는 열전도율이 높은 질화물 기판으로서, 질화알루미늄 기판일 수 있다. 상기 절연 기판은 열전도율이 170 Kcal/m·h·℃ 이상을 가질 수 있다. 상기 질화물 절연 기판(210)은 300 μm이상의 두께로 형성되며, 350 μm 이상의 두께를 가질 수도 있다.상기 질화물 절연 기판은 캐비티(150)의 깊이보다 큰 두께를 가짐으로써 캐비티(150) 외부로 돌출되어 있을 수 있다.The insulating substrate 210 may be a nitride substrate having a high thermal conductivity and may be an aluminum nitride substrate. The insulating substrate may have a thermal conductivity of 170 Kcal / m · h · ° C or more. The nitride insulating substrate 210 is formed to a thickness of 300 μm or more and may have a thickness of 350 μm or more. The nitride insulating substrate has a thickness larger than the depth of the cavity 150 to protrude out of the cavity 150 Can be.

이때, 상기 절연 기판(210)은 바닥면에 상기 캐비티(150)의 바닥면을 향하여 돌출되는 돌기(212)를 포함한다.At this time, the insulating substrate 210 includes protrusions 212 protruding toward the bottom surface of the cavity 150 on the bottom surface.

상기 돌기(212)는 상기 캐비티(150)의 홈(152)에 대응하는 형상으로 형성되며, 단면이 원형 또는 사각형일 수 있다.The protrusion 212 is formed in a shape corresponding to the groove 152 of the cavity 150, and may have a circular or rectangular cross-section.

상기 돌기(212)는 서로 분리되어 있는 복수의 돌기(212)를 포함하거나, 일체화된 하나의 돌기(212)일 수 있다.The protrusions 212 may include a plurality of protrusions 212 separated from each other or may be a single protrusion 212 integrated with each other.

상기 절연 기판(210)은 도 5와 같이 상기 캐비티(150) 바닥면에 도포되어 있는 열전도성이 높은 접착 페이스트(271)에 의해 상기 캐비티(150)와 부착되어 있다. 상기 접착 페이스트(271)은 AuSn을 포함하는 전도성 페이스트일 수 있다.As shown in FIG. 5, the insulating substrate 210 is attached to the cavity 150 by a high thermal conductive adhesive paste 271 applied to the bottom surface of the cavity 150. The adhesive paste 271 may be a conductive paste containing AuSn.

상기 접착 페이스트(271)는 열과 압력에 의해 상기 절연 기판(210)의 바닥면 하부에 얇게 분산되며, 상기 절연 기판(210)의 측면의 일부를 감싸도록 필렛(270)이 형성되며 상기 절연 기판(210)을 지지한다.The adhesive paste 271 is thinly dispersed under the bottom surface of the insulating substrate 210 by heat and pressure and the fillet 270 is formed to surround a part of the side surface of the insulating substrate 210, 210).

이와 같이, 상기 접착 페이스트(271)에 의해 상기 절연 기판(210)과 상기 캐비티(150)의 바닥면이 부착될 때, 상기 돌기(212)와 홈(152)이 끼움 결합되는 계면에도 상기 접착 페이스트(271)가 도포됨으로서 접착 면적을 넓혀 접착성 및 방열성이 향상된다. When the insulating substrate 210 and the bottom surface of the cavity 150 are attached to each other by the adhesive paste 271 as described above, The adhesive layer 271 is applied, thereby widening the adhesive area and improving the adhesiveness and heat radiation.

한편, 상기 절연기판(210)의 상면으로 복수의 패드부(220)가 형성되어 있다.A plurality of pads 220 are formed on the upper surface of the insulating substrate 210.

상기 복수의 패드부(220)는 상기 발광소자(250)의 배열에 따라 행을 형성하며 배치되어 있을 수 있다.The plurality of pad units 220 may be arranged in rows according to the arrangement of the light emitting devices 250.

상기 패드부(220)는 상기 발광소자(250)의 수효와 동일한 수효를 가지며, 도 1 내지 도 4와 같이 상기 발광소자 패키지(200)에 한 행을 이루는 5개의 발광소자(250)가 형성되는 경우, 상기 패드부(220)는 행을 이루는 5개로 구성된다.The pad unit 220 has a number of the same number as the number of the light emitting devices 250 and five light emitting devices 250 forming a row in the light emitting device package 200 are formed as shown in FIGS. In this case, the pad unit 220 includes five rows.

상기 패드부(220)는 상기 발광소자(250)가 부착되는 전극 영역 및 이웃한 발광소자(250) 또는 회로기판(100)의 패드(135)와 와이어 본딩하기 위한 연결 영역(221)을 포함한다.The pad portion 220 includes an electrode region to which the light emitting device 250 is attached and a connection region 221 for wire bonding with the neighboring light emitting device 250 or the pad 135 of the circuit board 100 .

상기 전극 영역은 상기 발광 소자(250)의 면적의 형상을 따라 사각형의 형상을 가질 수 있으며, 연결 영역(221)은 상기 전극 영역으로부터 연장되어 이웃한 패드부(220)를 향하여 돌출되어 있을 수 있다. The electrode region may have a rectangular shape along the shape of the area of the light emitting device 250 and the connection region 221 may protrude from the electrode region toward the neighboring pad portion 220 .

도 1 및 도 2에서는 상기 연결 영역(221)을 사각형의 형태를 갖도록 도시하였으나 이와 달리 다양한 형상으로 패턴을 형성할 수 있다.1 and 2, the connection region 221 is illustrated as having a rectangular shape, but the pattern may be formed in various shapes.

상기 패드부(220)의 전극 영역 위에 각각의 발광 소자(250)가 부착되어 있다.Each light emitting device 250 is mounted on an electrode region of the pad unit 220.

상기 발광 소자(250)는 수직형 발광 다이오드로서, 일단이 상기 패드부(220)와 부착되어 있으며, 타단이 이웃한 패드부(220)의 연결 영역(221)과 와이어(260)를 통해 본딩되어 직렬 연결을 가질 수 있다. The light emitting device 250 is a vertical type light emitting diode having one end attached to the pad portion 220 and the other end bonded to the connection region 221 of the neighboring pad portion 220 through the wire 260 You can have a serial connection.

이와 같이, 복수의 발광 소자(250)가 직렬로 연결되어 있는 경우, 첫번째 열의 패드부(220)의 연결 영역(221)은 와이어(262)를 통해 근접한 회로기판(100)의 패드(135)와 연결되어 있다.When the plurality of light emitting devices 250 are connected in series, the connection region 221 of the pad portion 220 of the first row is connected to the pad 135 of the adjacent circuit board 100 via the wire 262, It is connected.

이때, 상기 발광소자 패키지(200)의 상면에는 마지막 발광소자(250)가 부착되어 있는 패드부(220)와 이웃하여 연결 영역(221)만을 포함하는 패드섬(pad island)(225)을 포함한다.The light emitting device package 200 includes a pad island 225 adjacent to a pad 220 having a last light emitting device 250 and including only a connection region 221, .

상기 패드섬(225)은 상기 이웃한 패드부(220)의 발광 소자(250)와 와이어(260)를 통해 연결되고, 상기 이웃한 회로기판(100)의 패드(135)와 와이어(262)를 통해 연결된다.The pad islands 225 are connected to the light emitting devices 250 of the adjacent pad units 220 through wires 260. The pad islands 225 are connected to the pads 135 of the neighboring circuit board 100 and the wires 262 Lt; / RTI >

상기 패드부(220) 및 패드섬(225)은 상기 연결 영역(221)이 상기 회로기판(100)의 패드(135)와 근접하도록 상기 제너 다이오드(170) 및 온도 센서(180)를 향하여 배치된다.The pad portion 220 and the pad island 225 are disposed toward the Zener diode 170 and the temperature sensor 180 such that the connection region 221 is close to the pad 135 of the circuit board 100 .

이때, 상기 패드부(220) 및 패드섬(225)은 도 5와 같이 복수의 금속층(222,223,224)으로 형성되어 있다.5, the pad unit 220 and the pad island 225 are formed of a plurality of metal layers 222, 223, and 224, respectively.

상기 패드부(220) 및 패드섬(225)은 제1 금속층(222), 제2 금속층(223) 및 제3 금속층(224)의 적층 구조를 가지며, 각 금속층(222,223,224)은 티타늄, 니켈, 금 또는 백금을 포함하는 합금으로 형성될 수 있다.The pad portions 220 and the pad islands 225 may have a stacked structure of a first metal layer 222, a second metal layer 223 and a third metal layer 224. The metal layers 222, Or an alloy including platinum.

바람직하게는 제1 금속층(222)은 티타늄을 포함하는 합금으로 형성되고, 제2 금속층(223)은 니켈을 포함하는 합금으로 형성되며, 제3 금속층(224)은 금을 포함하는 합금으로 형성될 수 있으며, 제1 금속층 내지 제3 금속층(222,223,224)의 총 두께의 합이 0.45 μm 내지 0.75μm를 충족할 수 있다.Preferably, the first metal layer 222 is formed of an alloy containing titanium, the second metal layer 223 is formed of an alloy containing nickel, and the third metal layer 224 is formed of an alloy containing gold And the sum of the total thicknesses of the first to third metal layers 222, 223 and 224 may satisfy 0.45 μm to 0.75 μm.

상기 제1 내지 제3 금속층(222,223,224)은 스퍼터링, 이온빔증착, 전자빔증착 등의 박막 증착법에 의하여 형성할 수 있다. 상기 제1 금속층 내지 제3 금속층(222,223,224)을 수 μm를 충족하도록 박막으로 형성함으로써 발광소자 패키지(200) 내에서 미세 패턴을 구현할 수 있다.The first to third metal layers 222, 223, and 224 may be formed by a thin film deposition method such as sputtering, ion beam deposition, or electron beam deposition. The first metal layer to the third metal layer 222, 223, and 224 may be formed to have a thickness of several micrometers to form a fine pattern in the light emitting device package 200.

상기 패드부(220)의 전극 영역 위에 발광 소자(250)가 부착되어 있다. 상기 발광 소자(250)는 하부에 도전성접착층(252)을 포함하며, 상기 도전성접착층(252)은 AuSn을 포함하는 전도성 페이스트일 수 있다. 상기 도전성접착층(252)은 30 μm 이하의 두께를 가지며, 바람직하게는 25 μm이하의 두께를 가질 수 있다. A light emitting device 250 is mounted on the electrode region of the pad unit 220. The light emitting device 250 may include a conductive adhesive layer 252 at a lower portion thereof and the conductive adhesive layer 252 may be a conductive paste containing AuSn. The conductive adhesive layer 252 has a thickness of 30 μm or less, preferably 25 μm or less.

발광 소자(250)는 III족과 V족 원소의 화합물 반도체 예컨대 AlInGaN, InGaN, GaN, GaAs, InGaP, AllnGaP, InP, InGaAs 등의 계열의 반도체를 이용하여 제조된 반도체 발광소자를 선택적으로 포함할 수 있다. The light emitting device 250 may optionally include a semiconductor light emitting device manufactured using a semiconductor of a group III or V compound semiconductor such as AlInGaN, InGaN, GaN, GaAs, InGaP, AllnGaP, InP or InGaAs have.

또한, 각 발광 소자(250)는 청색 LED 칩, 황색 LED 칩, 녹색 LED 칩, 적색 LED 칩, UV LED 칩, 호박색 LED 칩, 청-녹색 LED 칩 등으로 이루어질 수 있으나, 자동차의 헤드램프용인 경우 청색 LED칩일 수 있다. Each of the light emitting devices 250 may be a blue LED chip, a yellow LED chip, a green LED chip, a red LED chip, a UV LED chip, an amber LED chip, a blue-green LED chip, It may be a blue LED chip.

이러한 발광 소자(250)는 도 6과 같이 전도성 지지기판(252), 본딩층(253), 제2 도전형 반도체층(255), 활성층(257), 및 제1 도전형 반도체층(259)을 포함한다.The light emitting device 250 includes a conductive supporting substrate 252, a bonding layer 253, a second conductive semiconductor layer 255, an active layer 257, and a first conductive semiconductor layer 259, .

전도성 지지기판(252)은 금속 또는 전기 전도성 반도체 기판으로 형성될 수 있다. The conductive support substrate 252 may be formed of a metal or an electrically conductive semiconductor substrate.

기판(252) 위에는 III족-V족 질화물 반도체층이 형성되는 데, 반도체의 성장 장비는 전자빔 증착기, PVD(physical vapor deposition), CVD(chemical vapor deposition), PLD(plasma laser deposition), 이중형의 열증착기(dual-type thermal evaporator) 스퍼터링(sputtering), MOCVD(metal organic chemical vapor deposition) 등에 의해 형성할 수 있으며, 이러한 장비로 한정하지는 않는다.  Group III-V nitride semiconductor layers are formed on the substrate 252. The growth equipment of the semiconductors is an electron beam evaporator, physical vapor deposition (PVD), chemical vapor deposition (CVD), plasma laser deposition (PLD) For example, a dual-type thermal evaporator, sputtering, metal organic chemical vapor deposition (MOCVD), and the like.

전도성 지지기판(252) 위에는 본딩층(253)이 형성될 수 있다. 본딩층(253)은 전도성 지지기판(252)과 질화물 반도체층을 접착되도록 한다. 또한, 전도성 지지기판(252)은 본딩 방식이 아닌 도금 방식으로 형성될 수도 있으며, 이 경우 본딩층(253)은 형성되지 않을 수도 있다. A bonding layer 253 may be formed on the conductive supporting substrate 252. The bonding layer 253 bonds the conductive support substrate 252 and the nitride semiconductor layer. In addition, the conductive supporting substrate 252 may be formed by a plating method instead of a bonding method. In this case, the bonding layer 253 may not be formed.

본딩층(253) 위에는 제2 도전형 반도체층(255)이 형성되며, 제2 도전형 반도체층(255)은 패드부(220)의 전극 영역과 접촉하여 전기적으로 연결된다.  The second conductivity type semiconductor layer 255 is formed on the bonding layer 253 and the second conductivity type semiconductor layer 255 is electrically connected to the electrode region of the pad portion 220.

제2 도전형 반도체층(255)은 III족-V족 화합물 반도체 예컨대, GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN, AlInN 중 적어도 하나로 형성될 수 있다. 제2 도전형 반도체층(323)에는 제2 도전형 도펀트가 도핑될 수 있으며, 제2 도전형 도펀트는 p형 도펀트로서, Mg, Zn, Ca, Sr, Ba를 포함한다.  The second conductive semiconductor layer 255 may be formed of at least one of Group III-V compound semiconductor such as GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN, and AlInN. The second conductivity type semiconductor layer 323 may be doped with a second conductivity type dopant, and the second conductivity type dopant may be a p type dopant including Mg, Zn, Ca, Sr, and Ba.

제2 도전형 반도체층(255)은 예컨대, NH3, TMGa(또는 TEGa), 및 Mg와 같은 p형 도펀트를 포함한 가스를 공급하여 소정 두께의 p형 GaN층으로 형성될 수 있다. The second conductive semiconductor layer 255 may be formed of a p-type GaN layer having a predetermined thickness by supplying a gas containing a p-type dopant such as NH3, TMGa (or TEGa), and Mg.

제2 도전형 반도체층(255)은 소정 영역에 전류 확산(current spreading) 구조를 포함한다. 전류 확산 구조는 수직 방향으로의 전류 확산 속도보다 수평 방향으로의 전류 확산 속도가 높은 반도체층들을 포함한다.  The second conductivity type semiconductor layer 255 includes a current spreading structure in a predetermined region. The current diffusion structure includes semiconductor layers having a higher current diffusion speed in the horizontal direction than the current diffusion speed in the vertical direction.

전류 확산 구조는 예컨대, 도펀트의 농도 또는 전도성의 차이를 가지는 반도체층들을 포함할 수 있다.  The current diffusion structure may include, for example, semiconductor layers having a dopant concentration or a difference in conductivity.

제2 도전형 반도체층(255)은 그 위의 다른 층 예컨대, 활성층(257)에 균일한 분포로 확산된 캐리어를 공급될 수 있다. The second conductivity type semiconductor layer 255 can be supplied with a carrier diffused in a uniform distribution to another layer on the second conductivity type semiconductor layer 255, for example, the active layer 257.

제2 도전형 반도체층(255) 위에는 활성층(257)이 형성된다. 활성층(257)은 단일 양자 우물 또는 다중 양자 우물(MQW) 구조로 형성될 수 있다. 활성층(257)의 한 주기는 InGaN/GaN의 주기, AlGaN/InGaN의 주기, InGaN/InGaN의 주기, 또는 AlGaN/GaN의 주기를 선택적으로 포함할 수 있다.  An active layer 257 is formed on the second conductive type semiconductor layer 255. The active layer 257 may be formed as a single quantum well or a multiple quantum well (MQW) structure. One period of the active layer 257 may selectively include a period of InGaN / GaN, a period of AlGaN / InGaN, a period of InGaN / InGaN, or a period of AlGaN / GaN.

제2 도전형 반도체층(255)과 활성층(257) 사이에는 제2 도전형 클래드층(도시하지 않음)이 형성될 수 있다. 제2 도전형 클래드층은 p형 GaN계 반도체로 형성될 수 있다. 제2 도전형 클래드층은 우물층의 에너지 밴드 갭보다 높은 밴드 갭을 갖는 물질로 형성될 수 있다.  A second conductive type clad layer (not shown) may be formed between the second conductive type semiconductor layer 255 and the active layer 257. The second conductivity type cladding layer may be formed of a p-type GaN-based semiconductor. The second conductivity type cladding layer may be formed of a material having a band gap higher than the energy band gap of the well layer.

활성층(257) 위에는 제1 도전형 반도체층(259)이 형성된다. 제1 도전형 반도체층(259)은 제1 도전형 도펀트가 도핑된 n형 반도체층으로 구현될 수 있다. n형 반도체층은 GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN, AlInN 등과 같은 화합물 반도체 중 어느 하나로 이루어질 수 있다. 제1 도전형 도펀트는 n형 도펀트로서, Si, Ge, Sn, Se, Te 등에서 적어도 하나를 첨가될 수 있다.  A first conductive semiconductor layer 259 is formed on the active layer 257. The first conductive semiconductor layer 259 may be an n-type semiconductor layer doped with the first conductive dopant. The n-type semiconductor layer may be made of any one of compound semiconductors such as GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN, and AlInN. The first conductivity type dopant is an n-type dopant, and at least one of Si, Ge, Sn, Se, and Te can be added.

제1 도전형 반도체층(255)은 예컨대, NH3, TMGa(또는 TEGa), 및 Si와 같은 n형 도펀트를 포함한 가스를 공급하여 소정 두께의 n형 GaN층을 형성할 수 있다. The first conductivity type semiconductor layer 255 may be formed by supplying a gas containing an n-type dopant such as NH3, TMGa (or TEGa), and Si to form an n-type GaN layer having a predetermined thickness.

또한, 제2 도전형 반도체층(259)은 p형 반도체층, 제1 도전형 반도체층(259)은 n형 반도체층으로 구현될 수 있다. 발광 구조물은 n-p 접합 구조, p-n 접합 구조, n-p-n 접합 구조, p-n-p 접합 구조 중 어느 한 구조로 구현할 수 있다. 이하, 실시 예의 설명을 위해 반도체층의 최상층은 제1도전형 반도체층을 그 예로 설명하기로 한다.The second conductive semiconductor layer 259 may be a p-type semiconductor layer, and the first conductive semiconductor layer 259 may be an n-type semiconductor layer. The light emitting structure may be implemented by any one of an n-p junction structure, a p-n junction structure, an n-p-n junction structure, and a p-n-p junction structure. Hereinafter, for the sake of explanation of the embodiments, the uppermost layer of the semiconductor layer will be described as an example of the first conductivity type semiconductor layer.

제1 도전형 반도체층(259) 위에는 제1 전극 또는/및 전극층(도시하지 않음)이 형성될 수 있다. 전극층은 산화물 또는 질화물 계열의 투광층 예컨대, ITO(indium tin oxide), ITON(indium tin oxide nitride), IZO(indium zinc oxide), IZON(indium zinc oxide nitride), IZTO(indium zinc tin oxide), IAZO(indium aluminum zinc oxide), IGZO(indium gallium zinc oxide), IGTO(indium gallium tin oxide), AZO(aluminum zinc oxide), ATO(antimony tin oxide), GZO(gallium zinc oxide), IrOx, RuOx, NiO의 물질 중에서 선택되어 형성될 수 있다. 전극층은 전류를 확산시켜 줄 수 있는 전류 확산층으로 기능할 수 있다.  A first electrode and / or an electrode layer (not shown) may be formed on the first conductive semiconductor layer 259. The electrode layer may be formed of an oxide or nitride-based light-transmitting layer such as indium tin oxide (ITO), indium tin oxide nitride (ITON), indium zinc oxide (IZO), indium zinc oxide nitride (IZON) , indium aluminum zinc oxide (IGZO), indium gallium tin oxide (IGTO), aluminum zinc oxide (AZO), antimony tin oxide (ATO), gallium zinc oxide (GZO), IrOx, RuOx, NiO And the like. The electrode layer can function as a current diffusion layer capable of diffusing a current.

도 1 내지 도 6의 발광소자 패키지(200)는 복수의 수직형 발광 소자(250)가 직렬로 연결되어 있는 것으로 설명하였으나, 이와 달리 수직형 발광 소자(250)가 병렬로 연결될 수도 있으며, 수평형 발광 소자(250)가 직렬 또는 병렬로 연결되어 있는 구조도 가능하다. 1 to 6, a plurality of vertical light emitting devices 250 are connected in series. Alternatively, the vertical light emitting devices 250 may be connected in parallel, The light emitting devices 250 may be connected in series or in parallel.

이와 같이, 도 1 내지 도 6의 발광모듈(300)은 발광소자 패키지(200)의 절연 기판(210)을 질화물로 사용하고, 상기 절연 기판(210)과 회로기판(100)의 금속 플레이트(110)를 열전도성이 높은 접착 페이스트(271)를 통하여 직접 접착함으로써 방열성을 확보하여, 상기 발광소자 패키지(200) 상의 패드부(220)를 두꺼운 구리 금속을 패터닝하여 형성할 필요 없이, 스퍼터링 등을 통하여 금속 박막으로 형성함으로써 미세 패턴을 형성할 수 있다.The light emitting module 300 of FIGS. 1 to 6 uses the insulating substrate 210 of the light emitting device package 200 as a nitride and the insulating substrate 210 and the metal plate 110 of the circuit board 100 Is directly adhered through the adhesive paste 271 having a high thermal conductivity to ensure heat dissipation and the pad portion 220 on the light emitting device package 200 is formed by sputtering or the like without patterning the thick copper metal It is possible to form a fine pattern by forming it as a metal thin film.

한편, 다시 도 1 및 도 2를 참고하면, 상기 회로 기판(100)의 상기 금속 플레이트(110) 상면의 솔더 레지스트(120) 위에 제너 다이오드(170) 및 온도센서(180)가 형성되어 있다. 1 and 2, a zener diode 170 and a temperature sensor 180 are formed on the solder resist 120 on the upper surface of the metal plate 110 of the circuit board 100.

상기 제너 다이오드(170) 및 상기 온도센서(180)는 도 1과 같이 상기 가이드 돌기(160) 바깥쪽에 형성되어 있다. The Zener diode 170 and the temperature sensor 180 are formed outside the guide protrusion 160 as shown in FIG.

상기 온도센서(180)는 온도에 따라 저항 값이 변하는 가변저항인 써미스터(thermistor)일 수 있으며, 바람직하게는 온도가 상승함에 따라 비저항이 작아지는 NTC(negative temperature coefficient)일 수 있다. The temperature sensor 180 may be a thermistor, which is a variable resistor whose resistance varies according to temperature, and may preferably be a negative temperature coefficient (NTC) whose resistivity decreases as the temperature rises.

상기 커넥터(190)는 일단이 외부로부터 신호를 전송받는 복수의 전선(195)과 연결되며, 타단이 상기 회로기판(100)의 회로 패턴과 연결되어 상기 제너 다이오드(170), 상기 온도센서(180) 및 상기 발광소자 패키지(200)로 전압을 인가하고, 상기 온도센서(180)로부터 출력되는 전류를 외부로 흘린다.The connector 190 is connected to a plurality of electric wires 195 whose one end receives a signal from the outside and is connected to a circuit pattern of the circuit board 100 at the other end to connect the zener diode 170, And the light emitting device package 200, and the current output from the temperature sensor 180 is passed to the outside.

외부의 제어부(도시하지 않음)는 상기 온도센서(180)로부터 출력되는 전류값에 따라 상기 발광 소자(250)의 발열을 감지하여 상기 발광 소자(250)에 인가되는 전압을 제어할 수 있다.An external control unit (not shown) may sense the heat generated by the light emitting device 250 according to a current value output from the temperature sensor 180 and control a voltage applied to the light emitting device 250.

이하에서는 발광소자 패키지(200)와 회로 기판(100)의 결합부에 대한 다른 실시예를 설명한다.Hereinafter, another embodiment of the connection portion of the light emitting device package 200 and the circuit board 100 will be described.

도 7은 본 발명의 제2 실시예에 따른 발광모듈의 단면도이다.7 is a cross-sectional view of a light emitting module according to a second embodiment of the present invention.

제2 실시예를 설명함에 있어서, 제1 실시예와 동일한 부분에 대해서는 제1 실시예를 참조하며, 중복 설명은 생략하기로 한다.In describing the second embodiment, the same parts as those of the first embodiment are referred to in the first embodiment, and redundant description will be omitted.

도 7을 참조하면, 발광모듈(300A)의 회로 기판(100)은 제1 실시예의 회로 기판(100)과 동일하며, 발광소자 패키지(200)은 제1 실시예의 발광소자 패키지(200)와 동일하다.7, the circuit board 100 of the light emitting module 300A is the same as the circuit board 100 of the first embodiment, and the light emitting device package 200 is the same as the light emitting device package 200 of the first embodiment Do.

즉, 상기 회로기판(100)은 금속 플레이트(110), 절연층(140), 가이드 패턴(130), 패드(135) 및 상기 절연층(140)을 덮는 솔더 레지스트(120)를 포함한다. That is, the circuit board 100 includes a metal plate 110, an insulating layer 140, a guide pattern 130, a pad 135, and a solder resist 120 covering the insulating layer 140.

상기 금속 플레이트(110)에는 상면으로부터 소정 깊이를 가지는 캐비티(150)가 형성되어 있다. A cavity 150 having a predetermined depth from the upper surface of the metal plate 110 is formed.

상기 캐비티(150)는 발광소자 패키지(200)를 실장하기 위한 실장부로서, 상기 발광소자 패키지(200)보타 넓은 면적을 갖도록 형성되어 상기 캐비티(150)의 내측면과 상기 발광소자 패키지(200) 사이에 이격 공간이 형성된다. The cavity 150 is a mounting portion for mounting the light emitting device package 200. The cavity 150 has a large area so as to cover the inner surface of the cavity 150 and the light emitting device package 200, A spacing space is formed.

상기 캐비티(150)의 바닥면에는 상기 발광소자 패키지(200)를 향하여 돌출되어 있는 캐비티 돌기(153)를 포함한다.And a cavity protrusion 153 protruding toward the light emitting device package 200 on the bottom surface of the cavity 150.

상기 캐비티 돌기(153)는 발광 소자 패키지(200)의 몸체홈(213)과 결합할 수 있도록 상기 발광소자 패키지(200)의 몸체홈(213)과 대응된다. The cavity protrusion 153 corresponds to the body recess 213 of the light emitting device package 200 so as to engage with the body recess 213 of the light emitting device package 200.

상기 캐비티 돌기(153)는 캐비티(150) 바닥면의 중앙 영역에 형성될 수 있으며, 사각의 형상으로 형성되거나, 원형일 수 있다.The cavity protrusion 153 may be formed in a central region of the bottom surface of the cavity 150, and may be formed in a square shape or a circular shape.

또한, 상기 캐비티 돌기(153)는 서로 분리되어 있는 복수의 캐비티 돌기(153)일 수 있으며, 이와 달리 일체화된 하나의 캐비티 돌기(153)일 수 있다. The cavity protrusion 153 may be a plurality of cavity protrusions 153 separated from each other or may be a single cavity protrusion 153 integrated with the cavity protrusion 153.

상기 솔더 레지스트(120)는 상기 회로기판(100) 전면에 도포되며, 산란되는 빛을 흡수함으로써 빛의 집진성을 향상시키기 위하여 광투과성이 낮고, 반사도가 낮은 어두운 색으로 착색되어 있다. The solder resist 120 is coated on the entire surface of the circuit board 100 and is colored with a low light transmittance and a low reflectivity in order to improve light gathering by absorbing scattered light.

상기 가이드 패드(130) 위에 상기 캐비티(150)를 둘러싸며 가이드 돌기(160)가 형성되어 있다. 상기 가이드 돌기(160)는 분리되어 있는 두 개의 상기 가이드 패드(130)를 연결하여 폐루프를 형성한다.A guide protrusion 160 is formed on the guide pad 130 so as to surround the cavity 150. The guide protrusion 160 connects the two separated guide pads 130 to form a closed loop.

상기 발광소자 패키지(200)는 절연 기판(210), 상기 절연 기판(210) 위에 형성된 복수의 패드부(220) 및 상기 패드부(220) 위에 부착되어 있는 복수의 발광소자(250)를 포함한다. The light emitting device package 200 includes an insulating substrate 210, a plurality of pads 220 formed on the insulating substrate 210, and a plurality of light emitting devices 250 attached on the pads 220 .

이때, 상기 절연 기판(210)은 바닥면에 함몰되어 있는 기판홈(213)을 포함한다.At this time, the insulating substrate 210 includes a substrate groove 213 recessed on the bottom surface.

상기 기판홈(213)은 상기 캐비티(150)의 돌기(153)에 대응하는 형상으로 형성되며, 단면이 원형 또는 사각형일 수 있다.The substrate groove 213 may have a shape corresponding to the projection 153 of the cavity 150 and may have a circular or rectangular cross section.

상기 기판홈(213)은 서로 분리되어 있는 복수의 홈(213)을 포함하거나, 일체화된 하나의 홈(213)일 수 있다.The substrate grooves 213 may include a plurality of grooves 213 separated from each other or may be a single groove 213 integrated with each other.

도 8은 본 발명의 제3 실시예에 따른 회로기판의 상면도이다.8 is a top view of a circuit board according to a third embodiment of the present invention.

도 8을 참조하면, 회로 기판(100)은 제1 실시예의 회로 기판(100)과 동일하며, 발광소자 패키지(200)은 제1 실시예의 발광소자 패키지(200)와 동일하다.8, the circuit board 100 is the same as the circuit board 100 of the first embodiment, and the light emitting device package 200 is the same as the light emitting device package 200 of the first embodiment.

즉, 상기 회로기판(100)은 금속 플레이트(110), 절연층(140), 가이드 패턴(130), 패드(135) 및 상기 절연층(140)을 덮는 솔더 레지스트(120)를 포함한다. That is, the circuit board 100 includes a metal plate 110, an insulating layer 140, a guide pattern 130, a pad 135, and a solder resist 120 covering the insulating layer 140.

상기 금속 플레이트(110)에는 상면으로부터 소정 깊이를 가지는 캐비티(150)가 형성되어 있다. A cavity 150 having a predetermined depth from the upper surface of the metal plate 110 is formed.

상기 캐비티(150) 바닥면에는 기판홈(155)이 형성되어 있다. A substrate groove 155 is formed on the bottom surface of the cavity 150.

상기 기판홈(155)은 캐비티 바닥면에서 나선형의 형상으로 형성되어 있다.The substrate groove 155 is formed in a spiral shape on the bottom surface of the cavity.

상기 기판홈(155)은 상기 발광소자 패키지(200)의 형상과 대응되며, 상기 나선형의 기판홈(155)을 따라 상기 발광소자 패키지(200)의 돌기와 결합하여 결합 면적을 넓힐 수 있다.The substrate groove 155 corresponds to the shape of the light emitting device package 200 and can be combined with the protrusion of the light emitting device package 200 along the spiral substrate groove 155 to widen the bonding area.

제3 실시예를 설명함에 있어서, 제1 실시예와 동일한 부분에 대해서는 제1 실시예를 참조하며, 중복 설명은 생략하기로 한다.In describing the third embodiment, the same parts as those of the first embodiment will be referred to in the first embodiment, and redundant description will be omitted.

상기에서는 캐비티(150) 바닥면에 나선형의 기판홈(155)이 형성되는 것으로 기재하였으나, 이에 한정하지 않고, 캐비티(150) 바닥면에 나선형의 기판 돌기가 형성될 수도 있다. Although spiral substrate grooves 155 are formed on the bottom surface of the cavity 150 in this embodiment, the substrate protrusions 155 may be formed on the bottom surface of the cavity 150.

도 9는 본 발명의 제4 실시예에 따른 발광모듈의 단면도이다.9 is a cross-sectional view of a light emitting module according to a fourth embodiment of the present invention.

도 9를 참조하면, 회로 기판(100)은 제1 실시예의 회로 기판(100)과 동일하며, 발광소자 패키지(200)은 제1 실시예의 발광소자 패키지(200)와 동일하다.9, the circuit board 100 is the same as the circuit board 100 of the first embodiment, and the light emitting device package 200 is the same as the light emitting device package 200 of the first embodiment.

상기 발광소자 패키지(200)는 제1 실시예와 같이 절연기판(210) 위에 복수의 발광소자(250)가 실장되어 있으며, 상기 절연기판(210)의 하부에 복수의 기판홈(213C)이 형성되어 있다.The light emitting device package 200 includes a plurality of light emitting devices 250 mounted on an insulating substrate 210 as in the first embodiment and a plurality of substrate grooves 213C formed under the insulating substrate 210 .

상기 복수의 기판홈(213C)은 서로 분리되어 있으며, 동일한 형상을 가지거나, 서로 다른 형상을 가질 수 있다. The plurality of substrate grooves 213C are separated from each other, and may have the same shape or different shapes.

한편, 상기 회로기판(100)은 금속 플레이트(110), 절연층(140), 가이드 패턴(130), 패드(135) 및 상기 절연층(140)을 덮는 솔더 레지스트(120)를 포함한다. The circuit board 100 includes a metal plate 110, an insulating layer 140, a guide pattern 130, a pad 135, and a solder resist 120 covering the insulating layer 140.

상기 금속 플레이트(110)에는 상면으로부터 소정 깊이를 가지는 캐비티(150)가 형성되어 있다. A cavity 150 having a predetermined depth from the upper surface of the metal plate 110 is formed.

상기 캐비티(150) 바닥면에는 복수의 기판돌기(153C)가 형성되어 있다. A plurality of substrate protrusions 153C are formed on the bottom surface of the cavity 150. FIG.

상기 복수의 기판돌기(153C)는 서로 분리되어 있으며, 동일한 형상으로 형성될 수 있고, 이와 달리 서로 다른 형상을 가질 수도 있다.The plurality of substrate protrusions 153C are separated from each other and may be formed in the same shape or may have different shapes from each other.

상기 기판돌기(153C)는 상기 발광소자 패키지(200)의 형상과 대응되며, 상기 복수의 기판돌기(153C)가 발광소자 패키지(200)의 기판홈(213C)과 결합하여 결합 면적을 넓힐 수 있다.The substrate protrusions 153C correspond to the shape of the light emitting device package 200 and the plurality of substrate protrusions 153C can be combined with the substrate grooves 213C of the light emitting device package 200 to widen the bonding area .

도 10은 본 발명의 제5 실시예에 따른 발광모듈의 분해 사시도이다.10 is an exploded perspective view of a light emitting module according to a fifth embodiment of the present invention.

도 10을 참조하면, 회로 기판(100)은 제1 실시예의 회로 기판(100)과 동일하며, 발광소자 패키지(200)은 제1 실시예의 발광소자 패키지(200)와 동일하다.Referring to FIG. 10, the circuit board 100 is the same as the circuit board 100 of the first embodiment, and the light emitting device package 200 is the same as the light emitting device package 200 of the first embodiment.

즉, 상기 회로기판(100)은 금속 플레이트(110), 절연층(140), 가이드 패턴(130), 패드(135) 및 상기 절연층(140)을 덮는 솔더 레지스트(120)를 포함한다. That is, the circuit board 100 includes a metal plate 110, an insulating layer 140, a guide pattern 130, a pad 135, and a solder resist 120 covering the insulating layer 140.

상기 금속 플레이트(110)에는 상면으로부터 소정 깊이를 가지는 캐비티(150)가 형성되어 있다. A cavity 150 having a predetermined depth from the upper surface of the metal plate 110 is formed.

상기 캐비티(150)는 측면이 바닥면에 대하여 경사를 가지며, 바닥면의 면적이 상기 발광소자 패키지(200)의 면적과 동일하거나 크게 형성되어 있다. The side surface of the cavity 150 is inclined with respect to the bottom surface, and the area of the bottom surface of the cavity 150 is equal to or larger than the area of the light emitting device package 200.

상기 캐비티(150) 바닥면에는 복수의 기판홈(152)이 형성되어 있다. A plurality of substrate grooves 152 are formed on the bottom surface of the cavity 150.

도 10과 같이 캐비티(150)의 측면이 바닥면에 대하여 경사를 가짐으로써 상기 발광소자 패키지(200)를 안착할 때, 상기 발광소자 패키지(200)가 측면을 따라 바닥면에 정확하게 안착될 수 있어 오정렬의 문제를 해소할 수 있다. As shown in FIG. 10, since the side surface of the cavity 150 has a slope with respect to the bottom surface, when the light emitting device package 200 is seated, the light emitting device package 200 can be accurately seated along the side surface The problem of misalignment can be solved.

도 11은 본 발명의 제6 실시예에 따른 발광모듈의 분해 사시도이고, 도 12는 도 11의 발광모듈을 Ⅲ-Ⅲ'으로 절단한 단면도이다.FIG. 11 is an exploded perspective view of a light emitting module according to a sixth embodiment of the present invention, and FIG. 12 is a cross-sectional view of the light emitting module of FIG. 11 taken along line III-III '.

도 11 및 도 12를 참고하면, 발광모듈(300E)은 회로기판(100) 및 상기 회로기판(100) 상면에 발광소자 패키지(200)를 포함한다.11 and 12, the light emitting module 300E includes a circuit board 100 and a light emitting device package 200 on the upper surface of the circuit board 100. Referring to FIG.

상기 발광모듈(300E)은 회로기판(100) 위에 발광소자 패키지(200)가 탑재된 구조로서, 상기 발광소자 패키지(200)는 도 1의 제1 실시예의 그것과 동일하다.The light emitting module 300E has a structure in which a light emitting device package 200 is mounted on a circuit board 100. The light emitting device package 200 is the same as that of the first embodiment in FIG.

상기 회로기판(100)은 금속 플레이트(110), 절연층(140), 회로 패턴(도시하지 않음)을 포함한다. The circuit board 100 includes a metal plate 110, an insulating layer 140, and a circuit pattern (not shown).

상기 금속 플레이트(110)는 열전도성이 높은 방열 플레이트로서, 구리, 알루미늄, 은 또는 금 등을 포함하는 합금으로 형성될 수 있으며, 바람직하게는 구리를 포함하는 합금으로 형성될 수 있다.The metal plate 110 may be formed of an alloy including copper, aluminum, silver, gold, or the like, and preferably an alloy including copper.

상기 금속 플레이트(110)의 상면에는 절연층(140)이 형성되어 있다.An insulating layer 140 is formed on the upper surface of the metal plate 110.

상기 절연층(140)은 상기 금속 플레이트(110)의 표면을 아노다이징하여 형성하는 산화층일 수 있으며, 이와 달리 별도의 절연층을 부착하여 형성할 수 있다.The insulating layer 140 may be an oxide layer formed by anodizing the surface of the metal plate 110. Alternatively, the insulating layer 140 may be formed by attaching a separate insulating layer.

상기 절연층(140) 위에 회로 패턴이 형성되어 있다.A circuit pattern is formed on the insulating layer 140.

상기 절연층(140) 위에 회로 패턴을 매립하며, 발광 소자 패키지(200)가 실장되는 영역을 개방하는 솔더 레지스트(120)가 형성되어 있다.A solder resist 120 is formed on the insulating layer 140 to fill a circuit pattern and open a region where the light emitting device package 200 is mounted.

이때, 상기 발광소자 실장 영역 내에 상기 발광소자 패키지(200)의 돌기(212)와 대응되도록 기판홈(152)이 형성되어 있다.At this time, a substrate groove 152 is formed in the light emitting device mounting region to correspond to the protrusion 212 of the light emitting device package 200.

상기 기판홈(152)은 도 12와 같이 절연층(140)만을 식각하여 형성할 수 있으나, 이와 달리 금속 플레이트(110)의 일부까지 식각하여 형성할 수도 있다. The substrate groove 152 may be formed by etching only the insulating layer 140 as shown in FIG. 12, but may be formed by etching up to a part of the metal plate 110.

상기 발광 소자 패키지(200)의 실장 영역을 둘러싸며 가이드 돌기(160)가 형성되어 있다.A guide protrusion 160 is formed to surround the mounting region of the light emitting device package 200.

상기 회로기판(100)의 발광소자 실장 영역에는 발광 소자 패키지(200)가 부착되며, 기타 다른 구성은 제1 실시예와 동일하므로 이에 대한 설명은 생략한다. The light emitting device package 200 is attached to the light emitting device mounting region of the circuit board 100, and the other structure is the same as that of the first embodiment.

도 13은 본 발명의 제7 실시예에 따른 발광모듈의 단면도이다.13 is a cross-sectional view of a light emitting module according to a seventh embodiment of the present invention.

도 13을 참조하면, 회로 기판(100)은 제1 실시예의 회로 기판(100)과 동일하며, 발광소자 패키지(200)은 제1 실시예의 발광소자 패키지(200)와 동일하다.Referring to FIG. 13, the circuit board 100 is the same as the circuit board 100 of the first embodiment, and the light emitting device package 200 is the same as the light emitting device package 200 of the first embodiment.

상기 발광소자 패키지(200)는 제1 실시예와 같이 절연기판(210) 위에 복수의 발광소자(250)가 실장되어 있으며, 상기 절연기판(210)의 하부에 복수의 기판 돌기(212)가 형성되어 있다.The light emitting device package 200 includes a plurality of light emitting devices 250 mounted on an insulating substrate 210 as in the first embodiment and a plurality of substrate protrusions 212 formed on the lower surface of the insulating substrate 210 .

상기 복수의 기판돌기(212)는 서로 분리되어 있는 복수의 기판돌기(212)로 형성될 수 있으며, 하나의 돌기일 수 있다. The plurality of substrate protrusions 212 may be formed of a plurality of substrate protrusions 212 separated from each other and may be one protrusion.

한편, 상기 회로기판(100)은 금속 플레이트(110), 절연층(140), 가이드 패턴(130), 패드(135) 및 상기 절연층(140)을 덮는 솔더 레지스트(120)를 포함한다. The circuit board 100 includes a metal plate 110, an insulating layer 140, a guide pattern 130, a pad 135, and a solder resist 120 covering the insulating layer 140.

상기 금속 플레이트(110)에는 상면으로부터 소정 깊이를 가지는 복수의 기판홈(152)이 형성되어 있다. A plurality of substrate grooves 152 having a predetermined depth from the upper surface of the metal plate 110 are formed.

상기 복수의 기판홈(152)은 상기 발광소자 패키지(200)의 형상과 대응되며, 상기 복수의 기판돌기(153C)가 회로기판(100)의 기판홈(152)과 결합하여 결합 면적을 넓힐 수 있다.The plurality of substrate grooves 152 correspond to the shape of the light emitting device package 200 and the plurality of substrate protrusions 153C are combined with the substrate grooves 152 of the circuit board 100 to widen the bonding area. have.

이때, 상기 발광소자 패키지(200)의 패드(135)와 상기 가이드부(160) 하부의 가이드 패턴의 연결은 도 13과 같이 와이어를 통해 형성될 수 있다. 이상에서 본 발명의 실시예에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위에 속하는 것이다.At this time, the connection between the pad 135 of the light emitting device package 200 and the guide pattern under the guide part 160 may be formed through a wire as shown in FIG. While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments, It belongs to the scope of right.

발광모듈 300, 300A, 300B, 300C, 300D, 300E
회로기판 100
발광소자 패키지 200
발광 소자 250Emitting modules 300, 300A, 300B, 300C, 300D, 300E
Circuit board 100
The light emitting device package 200
The light emitting element 250

Claims (13)

상면과 하면을 포함하고, 상기 상면에서 상기 하면을 향하여 오목한 캐비티를 포함하는 금속 플레이트;
상기 캐비티 내에 탑재되는 발광소자 패키지;
상기 금속 플레이트 상면에 배치되는 절연층; 및
상기 절연층 상에 배치되는 가이드 돌기를 포함하고,
상기 발광소자 패키지는,
절연기판;
상기 절연기판 위에 형성되는 적어도 하나의 패드부, 상기 패드부 위에 부착되어 있는 적어도 하나의 발광소자를 포함하고,
상기 캐비티의 바닥면에서 상기 금속 플레이트의 하면을 향하여 오목한 홈을 포함하며,
상기 절연기판은 상기 절연기판에서 상기 금속 플레이트 방향으로 돌출되는 돌기를 포함하며,
상기 절연기판의 돌기는 상기 홈에 결합되고,
상기 가이드 돌기는 상기 절연 기판의 둘레에 폐루프로 배치되는 발광모듈.A metal plate including an upper surface and a lower surface and including a cavity recessed from the upper surface toward the lower surface;
A light emitting device package mounted in the cavity;
An insulating layer disposed on an upper surface of the metal plate; And
And a guide protrusion disposed on the insulating layer,
Wherein the light emitting device package includes:
An insulating substrate;
At least one pad portion formed on the insulating substrate, and at least one light emitting element attached on the pad portion,
And a concave groove toward a bottom surface of the metal plate at a bottom surface of the cavity,
Wherein the insulating substrate includes protrusions protruding from the insulating substrate toward the metal plate,
The projection of the insulating substrate is coupled to the groove,
And the guide protrusion is disposed in a closed loop around the insulating substrate. 제1항에 있어서,
상기 절연기판은 상기 캐비티와 상기 홈에 의해 형성되는 단차와 접촉하고,
상기 패드부는 복수의 금속층을 포함하는 발광모듈.The method according to claim 1,
Wherein the insulating substrate is in contact with a step formed by the cavity and the groove,
Wherein the pad portion includes a plurality of metal layers. 제2항에 있어서,
상기 홈은 서로 이격되어 복수로 형성되고,
상기 돌기는 서로 이격되어 복수로 형성되어 상기 홈과 결합되고,
상기 캐비티의 깊이는 300μm이상인 발광모듈.3. The method of claim 2,
Wherein the grooves are spaced apart from each other,
The protrusions are spaced apart from each other and formed in a plurality of the recesses,
Wherein a depth of the cavity is 300 mu m or more. 제3항에 있어서,
상기 금속 플레이트의 두께는 1000μm 이상이고,
상기 가이드 돌기의 높이는 800μm 이하인 발광모듈.The method of claim 3,
The thickness of the metal plate is 1000 占 퐉 or more,
Wherein the guide protrusion has a height of 800 m or less. 제4항에 있어서,
상기 홈은 나선형의 형상을 가지는 발광모듈.5. The method of claim 4,
Wherein the groove has a spiral shape. 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete
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