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KR101915464B1 - 파티클 감지센서를 포함하는 웨이퍼 가공장치 - Google Patents

파티클 감지센서를 포함하는 웨이퍼 가공장치 Download PDF

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KR101915464B1
KR101915464B1 KR1020180015719A KR20180015719A KR101915464B1 KR 101915464 B1 KR101915464 B1 KR 101915464B1 KR 1020180015719 A KR1020180015719 A KR 1020180015719A KR 20180015719 A KR20180015719 A KR 20180015719A KR 101915464 B1 KR101915464 B1 KR 101915464B1
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KR
South Korea
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wafer
transfer
detection sensor
particle
particle detection
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Application number
KR1020180015719A
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English (en)
Inventor
홍순석
김동주
황명환
Original Assignee
(주)에스티글로벌
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
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Abstract

본 발명에 따른 파티클 감지센서를 포함하는 웨이퍼 가공장치는, 웨이퍼를 거치하여 웨이퍼 가공 공정이 이루어지는 공정영역 내로 이송시키는 웨이퍼 이송유닛 및 상기 웨이퍼 이송유닛의 기 설정된 위치에 구비되어 상기 웨이퍼 이송유닛에 거치된 웨이퍼의 이송 경로 상에 파티클이 존재하는지의 여부를 판단하는 파티클 감지센서를 포함한다.

Description

파티클 감지센서를 포함하는 웨이퍼 가공장치{Wafer Processing Apparatus Having Particle Sensor}
본 발명은 웨이퍼 가공장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 웨이퍼 가공 공정 중 유입되는 파티클을 감지하여 웨이퍼의 가공 과정에서의 오염 상태를 판단할 수 있도록 하는 파티클 감지센서를 포함하는 웨이퍼 가공장치에 관한 것이다.
반도체산업은 전자, 통신, 정보사업 부문과 함께 두드러진 발전과 성장을 기록하고 있는 산업으로, 정보화 사회 진입과 첨단산업 발전의 핵심요소일 뿐만 아니라 재래산업의 생산성 향상과 고부가가치화를 위한 필수적인 요소부품으로서 그 수요가 급속히 확대, 다양화되고 있다.
반면 막대한 설비투자가 요구되며, 기술자체의 개발에도 많은 연구개발 투자가 소요되어 매출액 대비 연구개발 투자가 타 산업보다 현저히 높은 특징을 가지는데 이것은 반도체 자체가 그 제조과정이 아주 민감한 제품이기 때문이다. 또한 기술혁신의 속도가 빠르며 제품의 수명 주기가 타 산업에 비해 매우 짧은 특성을 가지고 있다.
이와 같은 반도체는 최초 웨이퍼 제작에서부터 최종 완제품에 이르기까지 크게 웨이퍼 제조공정, 웨이퍼 가공공정, 패키지 조립공정 및 모듈 조립공정, 4가지 공정을 거치게 된다.
이중 웨이퍼 가공공정의 경우, 일반적으로 자동화가 적용된 웨이퍼 가공장치에 의해 이루어지게 된다. 상기 웨이퍼 가공장치는 웨이퍼 상에 감광액을 도포하거나, 또는 웨이퍼의 식각 등 다양한 웨이퍼의 가공을 수행하게 된다.
다만, 이와 같은 웨이퍼의 가공 공정 중에는 외부의 파티클이 상기 웨이퍼 가공장치 내로 유입되는 경우가 많으며, 이는 극히 오염도가 낮은 상태를 유지하여야 하는 웨이퍼 가공장치에 치명적인 문제를 가져올 수 있다.
또한 상기 웨이퍼 가공장치 내로 외부의 파티클이 유입되지 않는 환경이라고 하더라도, 웨이퍼가 암(Arm)에 의해 이송되는 과정에서 다른 물체 또는 설비 등에 부딪힐 경우 파티클이 발생할 수 있으며, 이러한 파티클이 적시에 처리되거나 해소되지 않으면 제품 불량이 발생할 수 있음은 물론이다.
따라서 이와 같은 문제점들을 해결하기 위한 방법이 요구된다.
한국등록특허 제10-1146663호
본 발명은 상술한 종래 기술의 문제점을 해결하기 위하여 안출된 발명으로서, 웨이퍼 가공 공정 중 유입되거나 발생하는 파티클을 미연에 감지하여 신속한 처리를 수행함에 따라 웨이퍼 가공장치를 클린룸 환경으로 유지할 수 있도록 하기 위한 목적을 가진다.
본 발명의 과제들은 이상에서 언급한 과제들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
상기한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 파티클 감지센서를 포함하는 웨이퍼 가공장치는, 웨이퍼를 거치하여 웨이퍼 가공 공정이 이루어지는 공정영역 내로 이송시키는 웨이퍼 이송유닛 및 상기 웨이퍼 이송유닛의 기 설정된 위치에 구비되어 상기 웨이퍼 이송유닛에 거치된 웨이퍼의 이송 경로 상에 파티클이 존재하는지의 여부를 판단하는 파티클 감지센서를 포함한다.
또한 상기 웨이퍼 이송유닛은, 상기 웨이퍼가 안착되는 이송 암 및 상기 이송 암을 지지하도록 구비되며, 상기 공정여역 내로 상기 이송 암을 이송시키는 이송플레이트를 포함할 수 있다.
그리고 상기 파티클 감지센서는 상기 파티클이 유입되도록 하는 유입홀을 포함하며, 상기 유입홀이 상기 이송 암 방향으로 노출된 상태로 상기 이송플레이트 내에 내장될 수 있다.
또한 상기 이송플레이트에는 적어도 상기 유입홀에 대응되는 위치에 구비되며, 상기 유입홀의 단면적 이상의 단면적을 가지는 통과홀이 형성될 수 있다.
그리고 상기 파티클 감지센서는 유선 및 무선 중 어느 하나 이상의 방식을 통해 통신 가능한 통신부를 포함하며, 상기 파티클 감지센서에 의해 측정되어 상기 통신부에 의해 송신된 측정데이터를 수신하고, 모니터링하는 중앙처리모듈을 포함하는 더 포함할 수 있다.
또한 상기 중앙처리모듈은, 상기 측정데이터가 기 설정된 제한기준을 만족할 경우, 파티클 대응처리를 수행할 수 있다.
그리고 웨이퍼의 이송 경로에 인접하여 배치된 배출팬을 더 포함하며, 상기 중앙처리모듈은 상기 측정데이터가 기 설정된 제한기준을 만족하는 것으로 판단한 경우, 상기 배출팬을 작동시키도록 제어할 수 있다.
또한 웨이퍼의 이송 경로를 따라 배치된 복수의 촬상모듈을 더 포함하며, 상기 중앙처리모듈은 상기 측정데이터가 기 설정된 제한기준을 만족하는 것으로 판단한 경우, 상기 촬상모듈을 통해 획득한 영상데이터를 수신하여 송출할 수 있다.
그리고 상기 중앙처리모듈은, 상기 파티클의 입도가 기준값 이상인 경우 상기 제한기준을 만족하는 것으로 판단할 수 있다.
또한 상기 중앙처리모듈은, 상기 파티클의 단위공간 당 밀도가 기준값 이상인 경우 상기 제한기준을 만족하는 것으로 판단할 수 있다.
상기한 과제를 해결하기 위한 본 발명의 파티클 감지센서를 포함하는 웨이퍼 가공장치는 다음과 같은 효과가 있다.
첫째, 웨이퍼의 다양한 가공 공정 전반, 그리고 웨이퍼의 이송 과정 중 유입되거나 발생하는 파티클을 효과적으로 감지하고 처리할 수 있는 장점이 있다.
둘째, 이에 따라 웨이퍼 가공장치 내부를 클린룸 환경으로 유지할 수 있는 장점이 있다.
셋째, 파티클 발생 원인에 따라 다양한 후속 처리를 수행하여 원인을 신속하게 제거할 수 있는 장점이 있다.
넷째, 최종 제품의 품질을 극대화할 수 있는 장점이 있다.
본 발명의 효과들은 이상에서 언급한 효과들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 효과들은 청구범위의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명의 제1실시예에 따른 웨이퍼 가공장치의 모습을 나타낸 도면;
도 2는 본 발명의 제1실시예에 따른 웨이퍼 가공장치에 있어서, 웨이퍼 이송유닛의 모습을 나타낸 도면;
도 3은 본 발명의 제1실시예에 따른 웨이퍼 가공장치에 있어서, 이송플레이트 및 파티클 감지센서의 모습을 나타낸 도면;
도 4는 본 발명의 제1실시예에 따른 웨이퍼 가공장치에 있어서, 상기 파티클 감지센서에 의해 측정된 측정데이터의 흐름을 나타낸 도면;
도 5는 시간의 흐름에 따라 상기 파티클 감지센서(300)에 의한 측정 결과의 예시를 나타낸 그래프;
도 6은 본 발명의 제2실시예에 따른 웨이퍼 가공장치에 있어서, 이송플레이트 및 파티클 감지센서의 모습을 나타낸 도면;
도 7은 본 발명의 제3실시예에 따른 웨이퍼 가공장치에 있어서, 이송플레이트 및 파티클 감지센서의 모습을 나타낸 도면;
도 8은 본 발명의 제4실시예에 따른 웨이퍼 가공장치에 있어서, 이송플레이트 및 파티클 감지센서의 모습을 나타낸 도면;
도 9는 본 발명의 제5실시예에 따른 웨이퍼 가공장치에 있어서, 이송플레이트 및 파티클 감지센서의 모습을 나타낸 도면;
도 10은 본 발명의 제6실시예에 따른 웨이퍼 가공장치에 있어서, 이송플레이트 및 파티클 감지센서의 모습을 나타낸 도면; 및
도 11은 본 발명의 제7실시예에 따른 웨이퍼 가공장치에 있어서, 이송플레이트 및 파티클 감지센서의 모습을 나타낸 도면이다.
이하 본 발명의 목적이 구체적으로 실현될 수 있는 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 설명한다. 본 실시예를 설명함에 있어서, 동일 구성에 대해서는 동일 명칭 및 동일 부호가 사용되며 이에 따른 부가적인 설명은 생략하기로 한다.
도 1은 본 발명의 제1실시예에 따른 웨이퍼 가공장치(100)의 모습을 나타낸 도면이며, 도 2는 본 발명의 제1실시예에 따른 웨이퍼 가공장치(100)에 있어서, 웨이퍼 이송유닛(200)의 모습을 나타낸 도면이다.
그리고 도 3은 본 발명의 제1실시예에 따른 웨이퍼 가공장치(100)에 있어서, 이송플레이트(212) 및 파티클 감지센서(300)의 모습을 나타낸 도면이다.
도 1 내지 도 3에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 웨이퍼 가공장치(100)는 이들을 통해 가공 공정이 이루어지는 공정영역 내로 웨이퍼를 거치하여 이송시키는 웨이퍼 이송유닛(200)과, 상기 웨이퍼 이송유닛(200)의 기 설정된 위치에 구비되어 상기 웨이퍼 이송유닛(200)에 거치된 웨이퍼(W)의 이송 경로 상에 파티클이 존재하는지의 여부를 판단하는 파티클 감지센서(300)를 포함한다.
그리고 본 발명에 따른 웨이퍼 가공장치(100)는 상기 웨이퍼(W)를 가공하기 위한 다양한 구성요소를 포함할 수 있다. 예컨대, 상기 웨이퍼 가공장치(100)는 웨이퍼의 절단, 연마, 식각, 코팅 등을 포함한 다양한 가공 공정이 이루어지는 복수의 공정영역을 포함할 수 있으며, 상기 웨이퍼 이송유닛(200)은 상기 복수의 공정영역에 선택적으로 구비되어 상기 웨이퍼(W)를 거치하여 이송시킬 수 있다.
한편 이하 설명될 본 발명의 각 실시예에서는, 상기 웨이퍼 가공장치(100)의 다양한 가공 공정 중 스핀 코터를 이용하여 상기 웨이퍼(W)에 화학 물질을 코팅하는 가공 공정에 구비된 상기 웨이퍼 이송유닛(200) 및 상기 파티클 감지센서(300)를 대표적으로 예시하였다.
다만, 전술한 바와 같이 상기 웨이퍼 이송유닛(200) 및 상기 파티클 감지센서(300)는 상기 웨이퍼 가공장치(100)의 어떠한 공정영역에도 구비될 수 있는 것은 당연하며, 이하 기술하는 실시예의 형태만으로 국한되는 것이 아님은 물론이다.
도 1 내지 도 3에 도시된 본 발명의 제1실시예의 경우, 상기 웨이퍼 가공장치(100)는 코터부(110)와, 유체공급부(120)와, 감광액수용부(130)와, 솔벤트수용부(미도시)를 포함할 수 있다.
상기 코터부(110)는 내측에 하나 이상의 가공공간을 포함할 수 있으며, 상기 가공공간은 상기 코터부(110) 측면에 형성된 코터도어(112)를 조작하여 개폐할 수 있다.
그리고 상기 유체공급부(120)는 코터부(110)의 하부에 구비되며, 상기 감광액수용부(130)와 솔벤트수용부로부터 감광액 및 솔벤트를 전달받아 상기 코터부(110) 측으로 유동시킨다. 이에 따라 상기 유체공급부(120)는 내측에 다양한 구조의 배관 어셈블리를 포함할 수 있다.
상기 감광액수용부(130)는 감광액이 구비되는 구성요소로서, 감광액이 수용된 감광액수용탱크를 포함할 수 있다. 상기 감광액수용탱크에 수용된 감광액은 전술한 유체공급부(120)를 통해 코터부(110)에 전달될 수 있다
상기 솔벤트수용부는 솔벤트가 구비되는 구성요소로서, 솔벤트가 수용되는 솔벤트수용탱크가 내측에 구비된 케미컬박스를 하나 이상 포함할 수 있다. 그리고 상기 솔벤트수용탱크에 수용된 솔벤트 역시 전술한 유체공급부를 통해 코터부(110)에 전달될 수 있다.
상기 웨이퍼 이송유닛(200)은 상기 웨이퍼 가공장치(100) 내의 다양한 위치에 구비될 수 있으며, 특히 도 2에 도시된 바와 같이 상기 웨이퍼(W)가 안착되는 이송 암(210)과, 상기 이송 암(210)을 지지하도록 구비되며, 상기 웨이퍼(W)를 가공하기 위한 가공공간을 포함하는 코터부(110)로 상기 이송 암(210)을 이송시키는 이송플레이트(212)를 포함할 수 있다.
이때 본 실시예의 경우 상기 이송 암(210)은 상기 웨이퍼(W)가 안착되는 안착부(216) 및 상기 안착부(216)를 전후 방향으로 이동시킬 수 있는 전후이동부(215)를 포함한다. 그리고 상기 이송플레이트(212)는 상기 이송 암(210)의 하부에 구비된다.
또한 본 실시예에서 상기 웨이퍼 이송유닛(200)은 상기 이송플레이트(212)가 가이드레일(220)을 따라 상하 이동 가능하도록 구동력을 제공하는 제1구동 액추에이터(240)와, 상기 전후이동부(215)가 전후 이동 가능하도록 연결부(230)를 통해 구동력을 제공하는 제2구동 액추에이터(250)를 포함할 수 있다.
도 3에 도시된 바와 같이, 본 발명은 상기 웨이퍼 이송유닛(200)의 기 설정된 위치에 구비되어, 상기 웨이퍼 이송유닛(200)에 거치된 웨이퍼(W)의 이송 경로 상에 파티클이 존재하는지의 여부를 판단하는 파티클 감지센서(300)를 포함한다.
본 실시예에서 상기 파티클 감지센서(300)는 상기 이송플레이트(212)에 형성된 통과홀(213)에 삽입되어 체결부재(302)에 의해 체결된 상태로 상기 이송플레이트(212) 내에 내장되는 것으로 하였으나, 상기 파티클 감지센서(300)는 상기 파티클의 감지가 용이한 곳이라면 상기 웨이퍼 이송유닛(200)의 어느 곳이라도 적용될 수 있다.
그리고 상기 파티클 감지센서(300)는 파티클이 유입되도록 하는 유입홀(310)을 포함할 수 있으며, 상기 유입홀(310)은 상기 이송 암(210) 방향으로 노출된 상태를 가진다.
또한 상기 파티클 감지센서(300)는 흡입팬(미도시)을 포함할 수 있으며, 상기 흡입팬은 회전에 따라 흡입력을 발생시켜 상기 유입홀(310)을 통해 파티클을 유입시킬 수 있다. 더불어 본 실시예에서 상기 파티클 감지센서(300)의 일측에는 내부 열을 외부로 배출시키는 방열홀(320)이 더 형성될 수 있다.
이와 같이 본 실시예의 경우 상기 파티클 감지센서(300)가 상기 이송플레이트(212)에 구비됨에 따라, 웨이퍼(W)의 이송 과정 중 유입되거나 발생하는 파티클을 효과적으로 감지하고 처리할 수 있는 장점이 있다.
한편 상기 파티클 감지센서(300)는 유선 및 무선 통신 중 어느 하나 이상의 방식을 통해 통신을 수행 가능한 통신부(미도시)를 포함할 수 있으며, 이에 따라 상기 파티클 감지센서(300)를 통해 측정된 측정데이터의 흐름은 도 4에 나타난 바와 같다.
도 4와 같이, 상기 파티클 감지센서(300)에 의해 측정된 측정데이터는 상기 파티클 감지센서(300)의 메인보드(10)를 통해 동적위치제어(20, Dynamic Positioning) 시스템 및 중앙처리모듈(30)에 전송된다.
상기 중앙처리모듈(30)은 측정데이터를 수신하고, 모니터링 작업을 수행하는 동시에 상기 측정데이터가 기 설정된 제한기준을 만족할 경우, 파티클 대응처리를 수행하도록 각부를 제어할 수 있다.
상기 제한기준은 환경에 적합하도록 다양하게 설정될 수 있으며, 예컨대 본 실시예의 경우 상기 중앙처리모듈(30)은 상기 파티클의 입도가 기준값 이상인 경우, 그리고 상기 파티클의 단위공간 당 밀도가 기준값 이상인 경우 상기 제한기준을 만족하는 것으로 판단하도록 하였다.
또한 상기 중앙처리모듈(30)은 상기 측정데이터가 기 설정된 제한기준을 만족하는 것으로 판단한 경우, 다양한 파티클 대응처리를 수행할 수 있다.
본 실시예의 경우 상기 웨이퍼 가공장치(100)는 웨이퍼(W) 공정 상의 다양한 이송 경로에 인접하여 배치된 배출팬(미도시)과, 웨이퍼(W)의 이송 경로를 따라 배치된 복수의 촬상모듈(미도시)을 더 포함할 수 있으며, 이에 따라 상기 중앙처리모듈(30)은 상기 측정데이터가 기 설정된 제한기준을 만족하는 것으로 판단한 경우, 상기 배출팬을 작동시켜 파티클을 외부로 배출시키도록 제어하거나, 상기 촬상모듈을 통해 획득한 영상데이터를 수신하여 송출하도록 할 수 있다.
이외에도 상기 중앙처리모듈(30)은 시청각에 의한 경보, 공조장치 제어 등 다양한 파티클 대응처리를 수행할 수 있음은 물론이다.
한편 상기 웨이퍼(W)는 가공 공정 중 기 설정된 프로그램(스케쥴)에 따라 상기 웨이퍼 이송유닛(200)에 의해 이동될 수 있으며, 따라서 어느 시각에 어느 장소에 위치하는지를 판단할 수 있다. 즉, 상기 중앙처리모듈(30)은 현재의 시각을 통해 상기 웨이퍼(210)의 위치 및 현재 수행되는 공정 상황 등을 파악할 수 있다.
이에 따라 상기 중앙처리모듈(30)은 상기 측정데이터가 기 설정된 제한기준을 만족하는 것으로 판단한 경우, 감지된 시각에 따른 상기 웨이퍼(210)의 위치를 추적하여, 상기 웨이퍼 가공장치(100)의 각 구성요소 중 파티클 발생위치를 추적 및 모니터링할 수도 있다.
도 5는 시간의 흐름에 따라 상기 파티클 감지센서(300)에 의한 측정 결과의 예시를 나타낸 그래프이다. 도 5에 도시된 그래프의 가로축은 공정 진행에 따른 시간의 흐름을 나타내며, 세로축은 파티클에 의한 오염도를 나타낸다.
도 5에 도시된 바와 같이, 시간의 흐름에 따라 웨이퍼는 (A)공정~(D)공정까지의 각 공정을 거치게 되며, 상기 파티클 감지센서(300)는 에 의해 측정된 측정데이터는 기 설정된 단위시간 간격으로 중앙처리모듈(30)에 전송된다. 상기 단위시간은 다양하게 설정될 수 있으며, 본 실시예에서 상기 파티클 감지센서(300)는 100ms마다 측정데이터를 송신하는 것으로 하였다.
전술한 바와 같이 상기 웨이퍼(W)는 가공 공정 중 기 설정된 프로그램(스케쥴)에 따라 상기 웨이퍼 이송유닛(200)에 의해 (A)공정~(D)공정의 공정영역 내로 이동될 수 있으며, 어느 시각에 어느 장소에 위치하는지를 판단할 수 있다.
도 5에 예시된 그래프의 경우, (B)공정의 공정영역에 웨이퍼(W)가 위치된 상태에서 상기 파티클 감지센서(300)에 의해 측정된 측정데이터가 기 설정된 제한기준(s)을 만족하는 것으로 나타났으며, 이를 통해 (B)공정의 어느 위치에서 문제가 발생하는지를 판단할 수 있다.
따라서 이와 같은 경우, 해당 공정영역에 인접한 배출팬을 작동시켜 파티클을 외부로 배출시키도록 제어하거나, 촬상모듈을 통해 획득한 영상데이터를 수신하여 송출하는 등의 다양한 파티클 대응처리를 수행할 수 있다.
이상으로 본 발명의 제1실시예에 대해 설명하였다. 본 실시예의 경우 상기 파티클 감지센서(300)가 이송플레이트(212)에 구비되는 것으로 하였으나, 이외에도 상기 웨이퍼 이송유닛(200)의 다양한 위치에 구비되거나 웨이퍼 가공장치(100)의 다른 구성요소에 구비될 수도 있음은 물론이다.
이하에서는 본 발명의 다른 실시예들에 대해 설명하도록 한다.
도 5는 본 발명의 제2실시예에 따른 웨이퍼 가공장치에 있어서, 이송플레이트(212) 및 파티클 감지센서(300)의 모습을 나타낸 도면이다.
도 5에 도시된 본 발명의 제2실시예의 경우, 전술한 제1실시예와 같이 상기 파티클 감지센서(300)가 이송플레이트(212)에 내장되어 있다는 점은 동일하다.
다만, 본 실시예의 경우 상기 이송플레이트(212)에 형성된 통과홀(213)이 상기 파티클 감지센서(300)의 상기 유입홀(310)에 대응되는 위치에 구비되며, 상기 유입홀(310)의 단면적과 동일하게 형성된다는 점이 다르다.
즉 본 실시예는 상기 통과홀(213)의 크기를 최소로 하여 상기 파티클 감지센서(300)의 상기 유입홀(310) 외의 다른 부분 또는 상기 이송플레이트(212)의 내측으로 파티클이 유입되는 것을 방지하여 오작동을 최소화할 수 있다.
도 6은 본 발명의 제3실시예에 따른 웨이퍼 가공장치에 있어서, 이송플레이트(212) 및 파티클 감지센서(300)의 모습을 나타낸 도면이다.
도 6에 도시된 본 발명의 제3실시예의 경우, 전술한 제2실시예와 마찬가지로 상기 파티클 감지센서(300)가 이송플레이트(212)에 내장되며, 상기 통과홀(213)이 상기 유입홀(310)의 단면적과 동일하게 형성된다.
다만, 본 실시예의 경우 상기 이송플레이트(212)의 내면과 상기 파티클 감지센서(300)의 상면 사이가 다소 이격되도록 형성되며, 그 사이에는 밀봉부재(214)가 더 구비된다.
상기 밀봉부재(214)는 상기 통과홀(213)과 상기 유입홀(310)의 둘레를 감싸도록 형성될 수 있으며, 상기 이송플레이트(212)의 내면과 상기 파티클 감지센서(300)의 상면 사이로 파티클이 유입되는 것을 방지할 수 있다.
도 7은 본 발명의 제4실시예에 따른 웨이퍼 가공장치에 있어서, 이송플레이트(212) 및 파티클 감지센서(300)의 모습을 나타낸 도면이다.
도 7에 도시된 본 발명의 제4실시예의 경우, 전술한 제3실시예와 마찬가지로 상기 파티클 감지센서(300)가 이송플레이트(212)에 내장되며, 상기 이송플레이트(212)의 내면과 상기 파티클 감지센서(300)의 상면 사이가 다소 이격되도록 형성되고, 그 사이에 밀봉부재(214)가 더 구비된다.
다만, 본 실시예의 경우 상기 통과홀(213)의 폭(d2)이 상기 유입홀(310)의 폭(d1)보다 크게 형성되는 점이 다르다.
즉 본 실시예는 상기 통과홀(213)의 면적을 보다 크게 형성함으로써 파티클의 유입량을 증가시킬 수 있으며, 보다 정밀한 측정데이터를 얻도록 할 수 있다.
도 8은 본 발명의 제5실시예에 따른 웨이퍼 가공장치에 있어서, 이송플레이트(212) 및 파티클 감지센서(300)의 모습을 나타낸 도면이다.
도 8에 도시된 본 발명의 제5실시예의 경우, 전술한 제4실시예와 마찬가지로 상기 파티클 감지센서(300)가 이송플레이트(212)에 내장되며, 상기 이송플레이트(212)의 내면과 상기 파티클 감지센서(300)의 상면 사이가 다소 이격되도록 형성되고, 그 사이에 밀봉부재(214)가 더 구비되는 동시에 상기 통과홀(213)의 폭이 상기 유입홀(310)의 폭보다 크게 형성된다.
다만, 본 실시예의 경우 상기 통과홀(213)의 둘레 및 상기 밀봉부재(214)의 내주면은 상부에서 하부로 갈수록 폭이 점차 감소하는 형태로 경사지게 형성되는 점이 다르다.
이와 같이 함에 따라 본 실시예는 제4실시예에서 상기 이송플레이트(212)와 상기 파티클 감지센서(300)의 하우징 사이에 형성되던 직각 단차를 전면 삭제할 수 있으며, 따라서 파티클은 상기 통과홀(213) 및 상기 밀봉부재(214)의 경사면을 따라 미끄러져 상기 유입홀(310) 측으로 보다 원활히 유입될 수 있다.
도 9는 본 발명의 제6실시예에 따른 웨이퍼 가공장치에 있어서, 이송플레이트(212) 및 파티클 감지센서(300)의 모습을 나타낸 도면이다.
도 9에 도시된 본 발명의 제6실시예의 경우, 전술한 제1실시예와 같이 상기 파티클 감지센서(300)가 이송플레이트(212)에 내장되되, 상면이 외부로 노출된 상태로 구비된다.
다만, 본 실시예의 경우 상기 파티클 감지센서(300)는 복수 개가 구비되며, 상기 이송플레이트(212)에 복수 개 형성된 통과홀(213)마다 구비된다는 점이 다르다.
이에 따라 본 실시예는 상기 이송플레이트(212)의 서로 다른 영역으로부터 파티클을 수집하여 측정할 수 있으며, 각각의 측정데이터를 통해 보다 정밀한 모니터링을 수행할 수 있다.
도 10은 본 발명의 제7실시예에 따른 웨이퍼 가공장치에 있어서, 이송플레이트(212) 및 파티클 감지센서(300)의 모습을 나타낸 도면이다.
도 10에 도시된 본 발명의 제7실시예의 경우, 상기 파티클 감지센서(300)가 상기 이송플레이트(212) 내에서 X축 및 Y 축을 따라 이동 가능하게 형성된다는 점이 전술한 실시예들과 다르다.
구체적으로 본 실시예의 경우 상기 이송플레이트(212)의 내부에는 서로 이격된 한 쌍의 제1이송레일(420)과, 상기 한 쌍의 제1이송레일(420) 사이에 연결되어 상기 제1이송레일(420)의 길이 방향을 따라 이동 가능하게 형성되는 제2이송레일(430)을 포함한다.
그리고 상기 제2이송레일(430)에는 상기 파티클 감지센서(300)를 거치하는 거치부재(410)가 구비되며, 상기 거치부재(410)는 상기 제2이송레일(430)의 길이 방향을 따라 이동 가능하게 형성된다.
즉 본 실시예는 상기 파티클 감지센서(300)가 상기 이송플레이트(212) 내에서 X축 및 Y 축을 따라 이동 가능하게 형성되어, 상황에 따라 상기 이송플레이트(212)의 다양한 위치에 형성된 복수 개의 통과홀(213, 미도시) 사이를 이동하며 신속하게 대응할 수 있다.
이상과 같이 본 발명에 따른 바람직한 실시예를 살펴보았으며, 앞서 설명된 실시예 이외에도 본 발명이 그 취지나 범주에서 벗어남이 없이 다른 특정 형태로 구체화될 수 있다는 사실은 해당 기술에 통상의 지식을 가진 이들에게는 자명한 것이다. 그러므로, 상술된 실시예는 제한적인 것이 아니라 예시적인 것으로 여겨져야 하고, 이에 따라 본 발명은 상술한 설명에 한정되지 않고 첨부된 청구항의 범주 및 그 동등 범위 내에서 변경될 수도 있다.
100: 웨이퍼 가공장치
200: 웨이퍼 이송유닛
210: 이송 암
212: 이송플레이트
213: 통과홀
214: 밀봉부재
300: 파티클 감지센서
310: 유입홀
W: 웨이퍼

Claims (10)

  1. 웨이퍼를 거치하여 웨이퍼 가공 공정이 이루어지는 공정영역 내로 이송시키는 웨이퍼 이송유닛; 및
    상기 웨이퍼 이송유닛의 기 설정된 위치에 구비되어 상기 웨이퍼 이송유닛에 거치된 웨이퍼의 이송 경로 상에 파티클이 존재하는지의 여부를 판단하며, 유선 및 무선 중 어느 하나 이상의 방식을 통해 통신 가능한 통신부를 포함하는 파티클 감지센서;
    상기 파티클 감지센서에 의해 측정되어 상기 통신부에 의해 송신된 측정데이터를 기 설정된 단위시간 간격으로 수신하고, 모니터링하는 중앙처리모듈;
    웨이퍼의 이송 경로에 인접하여 배치된 배출팬; 및
    웨이퍼의 이송 경로를 따라 배치된 복수의 촬상모듈;
    을 포함하고,
    상기 중앙처리모듈은,
    기 설정된 단위시간 간격으로 수신되는 상기 측정데이터가, 상기 파티클의 입도가 기준값 이상인 경우 및 상기 파티클의 단위공간 당 밀도가 기준값 이상인 경우 중 어느 하나 이상의 상황에 해당하는 기 설정된 제한기준을 만족할 경우, 기 설정된 스케쥴에 의해 상기 이송 경로를 따라 이동되는 상기 웨이퍼가 위치된 공정영역을 판단하여 문제가 발생한 위치를 파악하고, 문제가 발생한 위치에 인접한 상기 배출팬을 작동시키도록 제어하며, 상기 촬상모듈을 통해 획득한 영상데이터를 수신하여 송출하도록 하는 파티클 대응처리를 수행하고,
    상기 웨이퍼 이송유닛은,
    상기 웨이퍼가 안착되는 이송 암; 및
    상기 이송 암을 지지하도록 구비되며, 공정영역 내로 상기 이송 암을 이송시키는 이송플레이트;
    를 포함하고,
    상기 파티클 감지센서는,
    상기 파티클이 유입되도록 하는 유입홀을 포함하며, 상기 유입홀이 상기 이송 암 방향으로 노출된 상태로 상기 이송플레이트 내에 내장되되, 상면이 상기 이송플레이트의 내면과 이격되도록 구비되고,
    상기 이송플레이트는,
    적어도 상기 유입홀에 대응되는 위치에 구비되며, 상기 유입홀의 단면적 보다 큰 단면적을 가지는 통과홀을 포함하고,
    상기 이송플레이트의 내면과 상기 파티클 감지센서의 상면 사이에는 밀봉부재가 더 구비되되, 상기 통과홀의 둘레 및 상기 밀봉부재의 내주면은 상부에서 하부로 갈수록 폭이 점차 감소하는 형태로 경사지게 형성되는 웨이퍼 가공장치.
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