KR101907907B1 - 패키지 형성 방법 및 mems용 패키지 - Google Patents

Abstract

중공 밀봉된 내부 공간에 미소 전기 기계 시스템(MEMS)과 같은 정밀 기구물을 수용하는데 적합한 패키지 및 그 형성 방법을 제공한다.
이연마 재료로 이루어지는 가기판을 화학적 기계 연마하여 이 평활 연마면을 따라 스퍼터링에 의해 금속 박막을 부여하는 희생 박막 형성 스텝과, 이 금속 박막 상에 적어도 귀금속을 접촉시켜 이루어지는 밀봉 프레임을 형성하여 이 위에 기판을 접합시키는 제 1 접합 스텝을 포함한다. 또한, 금속 박막을 가기판과 함께 제거하여 밀봉 프레임의 선단에 신생면을 노출시키는 가기판 제거 스텝과, 기계 기판에 있어서의 정밀 기계 소자의 주위에 스퍼터링에 의해 귀금속 박막을 부여하여 이 위에 밀봉 프레임의 신생면을 밀착시켜 상온 접합시키는 제 2 접합 스텝을 포함한다. 이러한 방법에 의해 얻어지는 패키지는 적어도 10^-4Pa의 그 내부의 진공 상태를 6개월간에 걸쳐 유지할 수 있다.

Description

패키지 형성 방법 및 MEMS용 패키지{PACKAGE FORMATION METHOD AND MEMS PACKAGE}

본 발명은 소자에 있어서의 중공 밀봉을 위한 패키지 및 그 형성 방법에 관한 것이며, 특히 중공 밀봉된 내부 공간에 미소 전기 기계 시스템(MEMS)과 같은 정밀 기구물을 수용하는데 적합한 패키지 및 그 형성 방법에 관한 것이다.

미세한 기계 요소에 전자 회로 요소를 조합한 미소 전기 기계 시스템(MEMS: Micro Electro Mechanical Systems)에서는 미세한 가동부를 외부 환경으로부터 물리적으로 보호하기 위한 중공 패키지가 부여된다. 이러한 패키지의 하나의 형성 방법으로서 밀봉 기판 상에 금속 도금에 의해 수 마이크로미터부터 수십 마이크로미터 정도 높이의 밀봉 프레임(밀봉 패턴)이나 범프 전극을 형성해 두고 MEMS 기판 상에 이것을 씌워 열 압착시켜 접합시키는 방법이 알려져 있다. 밀봉 프레임이나 범프 전극의 재료에는 높은 전기 전도성과, 높은 변형능, 높은 내부식성 등의 우수한 물리 특성을 가짐과 아울러 시공 용이성도 우수한 금(Au)이 많이 사용되고 있다.

예를 들면, 특허문헌 1에서는 패키지의 형성 방법으로서 각종 접합 방법의 이점과 결점을 열거한 후에 열 압착을 접합 재료의 융해 온도보다 낮은 온도에서 행하여 액상을 생기게 하는 일 없이 연화시켜 접합시키는 방법을 개시하고 있다. 이러한 방법에서는 접합 표면을 고도로 평활화시키고(조도를 낮추는 것), 또는 접합 표면을 매우 순도 높게 세정하여 탈산소시키는 공정 등을 불필요하게 할 수 있어 비교적 저압력으로 열 압착할 수 있는 것으로 하고 있다. 접합을 위한 재료로서는 Au, Sn, Cu, Al 등의 순수한 금속, 및 예를 들면 AuSn, Au5Sn, AuIn 등의 합금의 단일상, 또는 이들의 혼합상에 대해서 접합 계면을 사이에 두고 각각의 재료로 선택할 수 있는 것을 서술하고 있다.

또한, 비특허문헌 1에서는 실리콘 또는 유리로 이루어지는 웨이퍼 상에 티탄 및 금의 스퍼터 박막을 각각 50㎚ 및 200㎚의 두께로 부여하고, 포토레지스트에 의해 소정의 밀봉 프레임을 형성한 후에 밀봉 프레임 상에 스크린 마스크를 이용하여 금 입자로 이루어지는 시일재를 부여하여 이러한 웨이퍼끼리를 열 압착하는 패키지의 형성 방법을 개시하고 있다. 2매의 웨이퍼는 진공 챔버 내에서 300℃로 가열되고, 압박압 73㎫, 30분으로 접합된다고 서술하고 있다. 시일재에 금 입자를 사용함으로써 포러스상이며 접합 시에 변형되기 쉬워지기 때문에 압박압을 저감할 수 있는 것으로 하고 있다.

또한, 비특허문헌 2에서는 실리콘 기판 상의 금박막 상에 금 스터드 범프를 형성하고, 실리콘 칩으로 코이닝해서 평활한 정상면을 갖는 금 범프를 얻은 후에 이 평활면을 질소 대기 플라즈마로 표면 활성화하고, 마찬가지로 표면 활성화한 금박막 전극을 포갬으로써 접합시키는 저온 접합 방법을 개시하고 있다. 이러한 방법에서는 대기 중에서 150℃로 가열하고, 압박압 320㎫로 30초 정도로 접합되는 것으로 서술하고 있다. 코이닝에 있어서 범프 선단을 첨예화시켜 둠으로써 응력 집중에 의해 변형되기 쉬워져 저온 또한 저압박압으로도 평활한 정상면을 형성할 수 있는 것이다.

일본특허공개 2012-009862호 공보

S.Ishizuka, N.Akiyama, T.Ogashiwa, T.Nishimori, H.Ishida, S.Shoji, J.Mizuno, Low-temperature wafer bonding for MEMS packaging utilizing screen-printed sub-micron size Au particle patterns, Microelectronic Engineering Volume 88, Issue 8, August 2011, pp2275-2277 야마모토 미치타카, 히구라시 에이지, 스가 타다토모, 사와다 렌시, 「N2 대기압 플라즈마에 의한 표면 활성화를 사용한 광 소자의 저온 접합」, 2013년도 정밀공학회 춘계대회 학술강연회 강연논문집

상기한 바와 같이 열 압착법에서는 접합 계면에서의 밀착성을 높이기 위해 가열·가압이 필요해지고, 접합 계면에 변형이 가해진다. 여기서, 가열 공정에서는 기판 상의 이종재료끼리의 접합부에 열 응력을 생기게 하여 기판을 변형 또는 파괴시켜 버리는 경우가 있다. 또한, 디바이스로서의 특성의 열화나, 얼라인먼트 정밀도의 저하를 생기게 할 수 있다고 한 것도 지적된다. 또한, 이러한 공정에 필요한 시간이 비교적 길어진다고 한 것도 문제가 된다.

본 발명은 이상과 같은 상황을 감안하여 이루어진 것이며, 그 목적으로 하는 바는 소자에 있어서의 중공 밀봉을 위한 패키지의 형성 방법에 관한 것이며, 특히 중공 밀봉된 내부 공간에 미소 전기 기계 시스템(MEMS)과 같은 정밀 기구물을 수용하는데 적합한 패키지 및 그 형성 방법에 있다.

본 발명은 기계 기판 상에 정밀 기계 소자를 중공 밀봉하기 위한 패키지 형성 방법으로서, 이연마 재료로 이루어지는 가기판을 화학적 기계 연마하여 이 평활 연마면을 따라 스퍼터링에 의해 금속 박막을 부여하는 희생 박막 형성 스텝과, 상기 금속 박막 상에 적어도 귀금속을 접촉시켜 이루어지는 밀봉 프레임을 형성하여 이 위에 기판을 접합시키는 제 1 접합 스텝과, 상기 금속 박막을 상기 가기판과 함께 제거해서 상기 밀봉 프레임의 선단에 신생면을 노출시키는 가기판 제거 스텝과, 상기 기계 기판에 있어서의 상기 정밀 기계 소자의 주위에 귀금속 박막을 부여하여 이 위에 상기 밀봉 프레임의 상기 신생면을 밀착시켜 상온 접합시키는 제 2 접합 스텝을 포함하는 것을 특징으로 한다.

이러한 발명에 의하면 밀봉 프레임의 일단면에 가기판의 평활면을 전사한 귀금속으로 이루어지는 평활한 신생면을 용이하게 형성할 수 있고, 기계 기판의 귀금속으로 이루어지는 평활면과 상온 접합가능하다. 이것에 의해 과도한 가열이나 가압을 필요로 하지 않고 기계 기판의 패키지를 형성할 수 있기 때문에 예를 들면 중공 밀봉된 내부 공간에 미소 전기 기계 시스템과 같은 정밀 기구물(기계 소자)을 수용하는데 적합한 패키지를 가능하게 한다.

상기한 발명에 있어서, 상기 제 1 접합 스텝은 도금법에 의해 상기 밀봉 프레임을 형성하는 스텝을 포함하고, 또한 상기 희생 박막 형성 스텝에 있어서 상기금속 박막은 티탄 또는 크롬으로 이루어지고, 상기 금속 박막의 표면에 귀금속으로 이루어지는 시드 금속 박막을 부여하는 스텝을 포함하는 것을 특징으로 하는 것으로 해도 좋다. 이러한 발명에 의하면 밀봉 프레임의 선단의 신생면에 영향을 주는 일 없이 밀봉 프레임을 금속 도금에 의해 효율적으로 형성할 수 있는 것이다.

상기한 발명에 있어서, 상기 귀금속은 금인 것을 특징으로 해도 좋다. 또한, 상기 제 2 접합 스텝은 플라즈마 애싱에 의해 접합면을 활성화시키는 스텝을 포함하는 것을 특징으로 해도 좋다. 이러한 발명에 의하면 상온 접합을 더 확실하게 할 수 있고, 중공 밀봉된 내부 공간에 미소 전기 기계 시스템과 같은 정밀 기구물(기계 소자)을 수용하는데 보다 적합한 패키지를 형성할 수 있는 것이다.

상기한 발명에 있어서, 상기 상온 접합은 적어도 200℃ 이하에서 행해지는 것을 특징으로 해도 좋다. 이러한 발명에 의하면 기계 기판의 열 변형을 방지할 수 있는 중공 밀봉된 내부 공간에 의해 정밀한 정밀 기구물을 수용하는데 보다 적합한 패키지를 형성할 수 있는 것이다.

상기한 제조 방법에 의해 얻어지는 MEMS용 패키지에서는 적어도 10^-4Pa의 그 내부의 진공 상태를 6개월간에 걸쳐 유지할 수 있는 것을 특징으로 한다. 이러한 패키지에 의하면 이 내부의 MEMS의 동작을 장기간에 걸쳐 유지할 수 있는 것이다.

도 1은 본 발명에 의한 패키지 형성 방법의 공정도이다.
도 2는 본 발명에 의한 패키지 형성 방법의 도금막 형성 스텝까지의 단면도이다.
도 3은 본 발명에 의한 패키지 형성 방법의 전사 스텝의 단면도이다.
도 4는 본 발명에 의한 패키지 형성 방법의 금속 접합 밀봉 스텝의 단면도이다.
도 5는 본 발명에 의한 다른 패키지 형성 방법에 있어서의 금속 접합 밀봉 스텝 후의 단면도이다.
도 6은 표면 거칠기의 측정 결과를 나타내는 그래프이다.
도 7은 밀봉 성능 평가를 위한 실험 방법을 도시한 도면이다.
도 8은 밀봉 성능 평가의 결과를 나타내는 그래프이다.

이하에 본 발명에 의한 패키지 형성 방법의 하나의 실시예에 대해서 패키지 공정의 플로우를 나타내는 도 1을 따라 적당히 도 2 내지 4를 참조하면서 설명한다.

[평활 기판 준비 스텝: S1]

도 2(a)에 나타내는 바와 같이 이연마 재료로 이루어지는 기판(1)을 준비하고, 나노미터 오더로 초평활한 면(1a)을 일면에 부여한다. 상세하게는 CMP(화학적 기계 연마: Chemical Mechanical Polishing) 등에 의해 기판(1)을 고정밀도로 원자 레벨로 평활하게 될 때까지 연마하여 초평활면(1a)을 부여한다. 후술하는 바와 같이 기판(1)은 최종적인 패키지 구조(도 4(b) 참조)에는 잔존하지 않기 때문에 특별히 패키지 구조의 재료로서의 한정은 없지만 상기한 연마를 양호하게 할 수 있는 이연마 재료, 예를 들면 Si나 사파이어 기판, 석영 기판, 유리인 것이 바람직하다.

[도금막 형성 스텝: S2]

도 2(b)에 나타내는 바와 같이 기판(1)의 초평활면(1a) 상에는 두께에 있어서 수십 ㎚ 정도의 희생 박막(11)을 스퍼터(예를 들면, 증착이나 이온빔 스퍼터 등을 포함한다. 이하, 동일)로 성막한다. 이러한 희생 박막(11)은 기판(1)의 초평활면(1a)을 전사한 평활한 상면을 갖고, 초평활면(1a)을 전사할 수 있도록 섬 형상이 되거나 핀홀을 발생시킴으로써 박막으로서의 기능을 잃어버리지 않는 한, 가능한 한 얇은 것이 바람직하다. 한편, 희생 박막(11)은 이 위에 형성되는 시드 박막(12) 및 도금막(14)과 반응하기 어렵고, 또한 후술하는 바와 같은 화학적 선택 에칭에 의해 시드 박막(12) 및 도금막(14)을 박리시키기 쉬운 재료 및 두께 등을 선택한다. 예를 들면, 후술하는 전사 스텝 S4에 있어서, Au로 이루어지는 시드 박막(12) 및 도금막(14)과 함께 불산 함유 수용액에 의해 선택적으로 에칭되는 Ti 등인 것이 바람직하다. 또한, 희생 박막(11)에 Cr을 사용하여 이것을 선택적으로 에칭할 수 있는 에천트를 조합해도 좋다.

희생 박막(11) 상에는 도금막(14)의 전착면을 부여하는 시드 박막(12)을 스퍼터로 성막한다. 시드 박막(12)은 도전성 재료로서의 귀금속, 예를 들면 Au와 같은 것으로 이루어진다.

도 2(c)에 나타내는 바와 같이 희생 박막(11) 상에는 소망의 밀봉 프레임 패턴을 반전해서 나타나도록 레지스트(13)를 부여한다. 또한, 도 2(d)에 나타내는 바와 같이 레지스트(13)의 창부를 통해 시드 박막(12) 상에 귀금속으로 이루어지는 도금막(14)을 부여한다. 전형적으로는 도금막(14)은 전해 도금에 의해 부여되는 Au 도금이다. 또한, 희생 박막(11)이 도전성 재료로 이루어지는 경우에 이 위에 직접 도금막(14)을 형성할 수 있으면 시드 박막(12)을 생략할 수 있는 경우도 있다.

[에칭 스텝: S3]

또한, 도 2(e)에 나타내는 바와 같이 레지스트(13)를 아세톤 등으로 용해하고, 또한 소정의 용액이나 가스를 사용하여 도금막(14)의 하부를 제거하여 시드 박막(12)을 제거한다. 이것에 의해 희생 박막(11) 및 도금막(14) 간의 시드 박막(12)과 도금막(14)으로 이루어지는 밀봉 프레임 패턴을 기판(1) 상에 형성할 수 있다.

[전사 스텝: S4]

도 3(a)에 나타내는 바와 같이 예를 들면 Au로 이루어지는 금속 박막(14')을 일면에 부여된 Si로 이루어지는 밀봉 기판(21)을 준비하고, 이 금속 박막(14')측을 기판(1) 상의 도금막(14) 상에 배치한다. 그리고, 도 3(b)에 나타내는 바와 같이 가열하면서 서로를 압착시킨다. 또한, 금속 박막(14')은 밀봉 기판(21)의 일면 전체에 부여되어 있어도 좋지만 밀봉 프레임 패턴과 대응하는 형태로 부여되어 있어도 좋다.

도 3(c)에 나타내는 바와 같이 시드 박막(12) 및 도금막(14)을 침범하지 않고 희생 박막(11)만을 화학적으로 선택 에칭하면 기판(1) 상의 시드 박막(12) 및 도금막(14)과 밀봉 기판(21) 상의 금속 박막(14')이 일체가 된 밀봉 커버(14a)가 형성된다. 여기서, 밀봉 커버(14a)의 벽부의 선단면(14a1)에는 희생 박막(11)의 상면의 평활면, 즉 기판(1)의 초평활면(1a)을 전사한 평활한 신생면이 출현한다.

[금속 접합 밀봉 스텝: S5]

도 4(a)에 나타내는 바와 같이 MEMS 디바이스(31a)가 형성된 MEMS 기판(31)에 있어서 기판(1)의 초평활면(1a)과 동등한 정도로 평활한 표면을 형성하고, 이 위에 예를 들면, Au로 이루어지는 금속 박막(31b)을 부여한다. 이러한 금속 박막(31b)은 MEMS 기판(31)의 일면 전체에 부여되어 있어도 좋지만 밀봉 프레임 패턴과 대응하는 형태로 부여되어 있어도 좋다. 또한, MEMS 기판(31)과 금속 박막(31b) 사이에는 도시하지 않은 접착층 등을 부여해도 좋다.

밀봉 커버(14a)의 선단면(14a1) 및 금속 박막(31b)에 대해서 산소 또는 아르곤 등의 플라즈마 애싱에 의해 표면의 유기물 등을 제거하여 각각의 면을 표면 활성화시킨다.

도 4(b)에 나타내는 바와 같이 밀봉 기판(21)과 MEMS 기판(31)을 대면시켜 200℃ 이하의 상온 영역에서 유지하면 밀봉 커버(14a)의 선단면(14a1) 및 금속 박막(31b)의 활성화된 면끼리가 금속 접합하고, 일체화한 밀봉벽(14b)을 포함하는 강고한 패키지 구조체가 얻어지는 것이다.

이상과 같은 패키지 공정에서는 종래의 방법보다 더 저온이고 또한 저압에서 시공이 가능하며, 정밀 기구물을 포함하는 MEMS 디바이스의 동작 신뢰성을 손상시키는 것을 억제할 수 있고, 또한 비용도 억제할 수 있는 것이다.

또한, 도 5에 나타내는 바와 같이 밀봉벽(14b)(도 4 참조)은 활성화된 면끼리의 금속 접합부(14d)만을 Au로 하고, 그 이외의 부분(14c)을 다른 재료에 의한 것으로 해도 좋다. 즉, 도 2(d)에 나타내는 공정에 있어서 레지스트(13)의 창부를 통해 시드 박막(12) 상에 다른 재료를 부여하는, 또는 Au로 이루어지는 시드 박막(12) 상에 직접 Au 이외의 다른 재료로 이루어지는 도금막(14)을 부여하는 것이다. 이러한 경우, 고가인 Au의 사용량을 억제할 수 있어 재료 비용을 저감할 수 있다.

[평활성 평가]

도 6에는 밀봉 커버(14a)의 벽부의 선단면(14a1)의 표면 거칠기를 원자간력 현미경에 의해 측정한 결과를 나타냈다.

상세하게는 도 2 내지 도 4를 참조하면서 설명하면 Si로 이루어지는 기판(1)에 콜로이달 실리카로 이루어지는 연마 입자를 사용하여 평활 연마하고, 그 초평활면(1a)에 Ti로 이루어지는 희생 박막(11)을 30㎚, 또한 Au로 이루어지는 시드 박막(12)을 50㎚, Au로 이루어지는 도금막(14)을 10㎛ 부여했다. 그 후, 시드 박막(12)을 남기고 희생 박막(11)만을 10% HF에 의해 화학적으로 선택 에칭했다. 이것에 의해 얻어지는 밀봉 커버(14a)의 벽부의 선단면(14a1)에 대응하는 부분에 대해서 그 표면 거칠기를 원자간력 현미경으로 관찰했다.

우선, 도 6(a)는 3㎛×3㎛의 범위를 측정한 결과이다. 이것에 의하면 Sq=0.84㎚이며 우수한 평활성을 갖고 있었다. 이 때의 초평활면(1a)은 Sq=0.2㎚이며, 여기에 희생층 박막(11)을 실시한 결과 Sq=0.6㎚이었다.

한편, 도 6(b)에는 통상의 Si로 이루어지는 기판(1) 상에 시드 박막(12) 및 도금막(14)을 실시했을 때의 그 표면의 측정 결과이다. 여기에서는 표면 거칠기는 Sq=16.2㎚이며, 평활성이 실시예에 비해 대폭 열화되어 있는 것을 이해할 수 있다.

[접합성 평가]

이어서 밀봉 기판(21)과 MEMS 기판(31)의 접합성을 인장시험에 의해 평가했다.

상세하게는 상기한 평활성 평가와 마찬가지로 제작한 3㎜×3㎜의 정방형 프레임(폭 0.1mm) 시편에 대해서 MEMS 기판(31)을 본뜬 기판에 접합하여 인장 시험편을 작성했다. 이것을 인스트론형 인장 시험기(Shimadzu Corporation 제작; AGS-10kN)에 부착하고, 0.5(㎜/분)의 인장 속도로 접합 강도를 측정했다.

이 때의 파단 강도는 평균으로 318N이며, 밀봉 기판(21)과 MEMS 기판(31)을 열 압착법으로 접합했을 경우와 거의 동등한 정도의 접합 강도가 얻어졌다. 한편, 통상의 Si 기판에 Au 도금을 부여한 비교예로서의 인장 시험편에서는 마찬가지의 시험에 있어서 평균 33N과 1/10의 강도밖에 얻어지지 않았다.

[밀봉 성능 평가]

이어서, SOI(Silicon On Insulator) 기판을 밀봉 기판으로서 사용하여 패키지 전체의 기밀 밀봉의 성능을 평가했다.

도 7에 나타내는 바와 같이 SOI 기판(21)은 주위를 지지된 두께 10㎛ 정도의 얇은 막부(21')를 갖고, 내부 공간을 진공으로 했을 때에 막부(21')에 생긴 탄성 변형의 경시 변화를 측정함으로써 패키지 전체의 기밀 밀봉의 성능을 평가할 수 있다. 즉, SOI 기판(21)의 지지부 및 MEMS 기판(Si 기판)(31)에 각각 밀봉 프레임(14a) 및 금속 박막(31b)을 부여한다. 이들의 표면을 상기 실시예와 마찬가지로 아르곤 플라즈마에서 활성화 후, 진공 중에서 접합시키고, 이것을 대기 중에 방치한다.

이 때, 패키지 전체의 기밀성이 높으면 내부 공간의 진공이 유지되어 막부(21')에 생긴 움푹 패임 변형량은 경시 변화되지 않는다. 그러나, 패키지 전체의 기밀성이 낮은 경우에 있어서는 패키지 외부로부터 대기가 내부 공간에 침입하기 때문에 외부의 대기압과 내부 공간의 기압의 차가 시간과 함께 감소하고, 그것에 따라 생기고 있었던 막부(21')의 움푹 패임 변형량도 감소해 가는 것이다.

상세하게는 SOI 기판(21)은 종횡 6㎜×6㎜, 두께 500㎛의 판상체이며, 이것에 상기한 바와 같은 희생 박막(11)을 사용한 가기판 형상 전사법에 의해 폭 100㎛, 높이 10㎛의 Au로 이루어지는 밀봉 프레임(14a)을 부여했다. 한편, MEMS 기판(Si 기판)(31) 상의 평활면에는 이온빔 스퍼터로 두께 50㎚의 Au로 이루어지는 박막(31b)을 부여했다. 또한, 표면을 아르곤 플라즈마로 활성화 후, 진공 중(10^-4 Pa)에서 접합시켰다. 여기에서는 상기한 바와 같은 실시예로서의 접합 시험편과 함께 비교예 1로서 밀봉 프레임(14a)을 도금 그대로(거친 표면을 갖는다) 실온 또한 진공 중(10^-4Pa)에서 접합한 비교 시험편, 비교예 2로서 비교예 1과 마찬가지의 밀봉 프레임(14a)을 고온 또한 진공 중(10^-4Pa)에서 높은 압박 압력(200℃에서 기판 전체에의 압력 5㎫)을 가지고 평활 기판에 압박해서 평활화하여 접합시킨 비교 시험편의 3종류를 준비했다.

도 8에 나타내는 바와 같이 비교예 1에서는 막부(21')가 진공 밀봉 직후에 최대 35㎛ 정도의 깊이만큼 움푹 패임 변형되고, 서서히 움푹 패임이 해방되어 10일 후에는 움푹 패임 변형이 해소되어 있었다. 또한, 비교예 2에서는 진공 밀봉 직후에는 변형량이 30㎛이었지만, 5일 후에는 13㎛까지 움푹 패임량이 감소하고 있었다. 이것에 대하여 실시예에서는 진공 밀봉 후 6개월이 지나도 움푹 패임을 해소하지 않고 적어도 10^-4Pa 정도의 진공 상태의 기밀성을 상기 기간에 있어서도 확보할 수 있었다. 이것은 패키지 내부에 건조 대기나 불활성 가스 등의 가스류를 밀봉했을 경우에 있어서도 이것을 장기간 안정적으로 유지할 수 있는 것을 나타내고 있다.

이상, 본 발명에 의한 실시예 및 이것에 의거하는 변형예를 설명했지만 본 발명은 반드시 이것에 한정되는 것은 아니고 당업자라면 본 발명의 주지 또는 첨부한 특허청구범위를 일탈하는 일 없이 다양한 대체 실시예 및 개변예를 찾아낼 수 있을 것이다.

1 기판 11 희생 박막
12 시드 박막 13 레지스트
14 도금막 21 밀봉 기판
31 MEMS 기판 31a MEMS 디바이스
31b 금속 박막

Claims (6)

1. 기계 기판 상에 정밀 기계 소자를 중공 밀봉하기 위한 패키지 형성 방법으로서,
   이연마 재료로 이루어지는 가기판을 화학적 기계 연마하여 이 평활 연마면을 따라 스퍼터링에 의해 금속 박막을 부여하는 희생 박막 형성 스텝과,
   상기 금속 박막 상에 적어도 귀금속을 접촉시켜 이루어지는 밀봉 프레임을 형성하여 이 위에 기판을 접합시키는 제 1 접합 스텝과,
   상기 귀금속 밀봉 프레임을 침범하지 않으면서, 상기 금속 박막을 화학적으로 선택 에칭함으로써, 밀봉 프레임을 접합한 상기 기판과 상기 가기판을 분리하여 상기 밀봉 프레임의 선단에 신생면을 노출시키는 가기판 제거 스텝과,
   상기 기계 기판에 있어서의 상기 정밀 기계 소자의 주위에 귀금속 박막을 부여하여 이 위에 상기 밀봉 프레임의 상기 신생면을 밀착시켜 상온 접합시키는 제 2 접합 스텝을 포함하며,
   상기 제 1 접합 스텝은 도금법에 의해 상기 밀봉 프레임을 형성하는 스텝을 포함하고,
   또한, 상기 희생 박막 형성 스텝에 있어서, 상기 금속 박막의 표면에 귀금속으로 이루어지는 시드 금속 박막을 부여하는 스텝을 포함하며,
   상기 밀봉 프레임을 상기 시드 금속 박막 상에 부여하고,
   상기 기계 기판은 상기 평활 연마면과 동등한 정도로 평활한 표면을 가지는 것을 특징으로 하는 패키지 형성 방법.
2. 삭제
3. 제 1 항에 있어서,
   상기 귀금속은 금인 것을 특징으로 하는 패키지 형성 방법.
4. 제 3 항에 있어서,
   상기 제 2 접합 스텝은 플라즈마 애싱에 의해 접합면을 활성화시키는 스텝을 포함하는 것을 특징으로 하는 패키지 형성 방법.
5. 제 4 항에 있어서,
   상기 상온 접합은 적어도 200℃ 이하에서 행해지는 것을 특징으로 하는 패키지 형성 방법.
6. 제 1 항 및 제 3 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 기재된 형성 방법에 의해 얻어지는 MEMS용 패키지로서, 적어도 10^-4Pa의 그 내부의 진공 상태를 6개월간에 걸쳐 유지할 수 있는 것을 특징으로 하는 MEMS용 패키지.

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