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KR101890556B1 - Current sourcing resistive sensor for improving sensing accuracy - Google Patents

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KR101890556B1
KR101890556B1 KR1020170092381A KR20170092381A KR101890556B1 KR 101890556 B1 KR101890556 B1 KR 101890556B1 KR 1020170092381 A KR1020170092381 A KR 1020170092381A KR 20170092381 A KR20170092381 A KR 20170092381A KR 101890556 B1 KR101890556 B1 KR 101890556B1
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KR
South Korea
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driving
line
voltage
row
current
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KR1020170092381A
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Korean (ko)
Inventor
이석
최정열
Original Assignee
주식회사 센소니아
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Abstract

센싱 정확도를 향상시키는 전류 소싱 저항형 센서가 게시된다. 본 발명의 전류 소싱 저항형 센서는 복수개의 로우 라인들과 복수개의 칼럼 라인들로 이루어지는 매트릭스 구조상에 배열되는 복수개의 저항 소자들을 포함하는 저항 어레이로서, 상기 복수개의 저항 소자들 각각은 대응하는 상기 로우 라인과 대응하는 상기 칼럼 라인 사이에 형성되는 상기 저항 어레이; 상기 복수개의 로우 라인들을 드라이빙하도록 구동되는 드라이빙 블락; 및 감지 전압을 제공하는 감지단에 선택되는 상기 칼럼 라인을 전기적으로 연결하며, 상기 감지단을 통하여 상기 선택되는 상기 칼럼 라인에 전류를 소싱하도록 구동되는 전류 소싱 블락을 구비한다. 그리고, 상기 드라이빙 블락은 선택되는 상기 로우 라인을 구동 전압으로 제어하며, 비선택되는 상기 로우 라인을 상기 선택되는 상기 칼럼 라인으로부터 제공되는 전압으로 드라이빙하도록 구동된다. 본 발명의 전류 소싱 저항형 센서에 의하면, 감지 전압은 크로스토크 전류를 배제한 센싱 전류만을 반영하게 되어, 전체적인 센싱의 정확도가 크게 향상된다.A current sourcing resistive sensor is disclosed that improves sensing accuracy. The current sourcing resistive sensor of the present invention is a resistance array comprising a plurality of resistive elements arranged on a matrix structure of a plurality of row lines and a plurality of column lines, The resistor array formed between the line and the corresponding column line; A driving block driven to drive the plurality of row lines; And a current sourcing block electrically coupled to the column line selected for the sense node to provide a sense voltage and driven to source current to the selected column line through the sense node. The driving block controls the selected row line to a driving voltage and is driven to drive the unselected row line to a voltage provided from the selected column line. According to the current sourcing resistive sensor of the present invention, the sensing voltage reflects only the sensing current excluding the crosstalk current, and the accuracy of the overall sensing is greatly improved.

Description

센싱 정확도를 향상시키는 전류 소싱 저항형 센서{CURRENT SOURCING RESISTIVE SENSOR FOR IMPROVING SENSING ACCURACY} BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to a current-

본 발명은 전류 소싱 저항형 센서에 관한 것으로서, 특히 센싱 정확도를 향상시키는 전류 소싱 저항형 센서에 관한 것이다.The present invention relates to a current sourcing resistive sensor, and more particularly to a current sourcing resistive sensor that improves sensing accuracy.

최근, 다양한 형태의 물리적 신호를 전기적 신호로 변환하는 센서에 대한 연구가 활발히 진행되고 있다. 그 중에 하나가 촉각 센서(Tactile Sensor) 또는 터치 센서(Touch Sensor) 등으로 이용될 수 있는 저항형 센서(resistive sensor)이다. In recent years, researches have been actively conducted on sensors that convert various types of physical signals into electrical signals. One of them is a resistive sensor which can be used as a tactile sensor or a touch sensor.

저항형 센서는 매트릭스 구조상에 배열되는 복수개의 저항들을 포함하여 구성되며, 복수개의 저항들 각각은 로우 라인과 칼럼 라인에 의하여 특정된다. 그리고, 각 저항을 통하여 흐르는 전류가 감지 전압으로 반영된다. 이때 감지 전압의 레벨을 통하여 각 저항의 변화가 확인될 수 있으며, 사용자의 접촉 여부 및 접촉 위치가 확인될 수 있다.The resistive sensor comprises a plurality of resistors arranged on a matrix structure, and each of the plurality of resistors is specified by a row line and a column line. The current flowing through each resistor is reflected to the sensing voltage. At this time, the change of each resistance can be confirmed through the level of the sensing voltage, and the contact state and contact position of the user can be confirmed.

이러한 저항형 센서에서, 센싱의 정확도를 높이기 위해서는, 상기 감지 전압에는 특정되는 상기 저항 소자를 통하여 흐르는 전류(이하, '센싱 전류'라 함)만이 반영되는 것이 중요하다.In such a resistance-type sensor, it is important that only the current flowing through the resistance element (hereinafter, referred to as 'sensing current') specified in the sensing voltage is reflected in order to improve the accuracy of sensing.

도 1은 기존의 저항형 센서를 설명하기 위한 도면으로서, 전류 소싱 저항형 센서를 나타낸다. 도 1의 전류 소싱 저항형 센서에서, 좌상에 위치하는 저항 소자(R11)가 특정되는 것으로 가정된다. 이 경우, 상기 저항(R11)의 일측에 연결되는 로우 라인(RL1)은 드라이빙 앰프(DAMP)의 출력과 연결되어 접지 전압(VSS)으로 제어된다. 그리고 상기 저항(R11)의 다른 일측에 연결되는 칼럼 라인(CL1)은 전류 소스(CSC)의 구동에 따라 출력 전압인 감지 전압(VDET)에 가까운 전압(VDETn)으로 제어된다. 이에 따라, 상기 저항(R11)을 통하여 전류 소스(CSC)에서 상기 드라이빙 앰프(DAMP)로 흐르는 전류 즉,센싱 전류(Isen, 도 1에서는 일점쇄선으로 도시됨)의 크기가 상기 감지 전압(VDET)에 반영된다.Fig. 1 is a view for explaining a conventional resistance type sensor, and shows a current sourcing resistance type sensor. In the current sourcing resistive sensor of Fig. 1, it is assumed that the upper left resistive element R11 is specified. In this case, the low line RL1 connected to one side of the resistor R11 is connected to the output of the driving amplifier DAMP and is controlled to the ground voltage VSS. The column line CL1 connected to the other side of the resistor R11 is controlled to a voltage VDETn close to the sense voltage VDET which is an output voltage in accordance with the driving of the current source CSC. The magnitude of the current flowing from the current source CSC to the driving amplifier DAMP through the resistor R11, that is, the sensing current Isen (shown by a dot-dash line in FIG. 1) .

그런데, 도 1의 전류 소싱 저항형 센서에서, 센싱시 감지 전류(Isen) 뿐만 아니라, 특정되지 않은 저항들(R21, R22, R12)로 이루어지는 경로를 통하여 흐르는 전류(이하, '크로스토크 전류(crosstalk current, Icr)'라 함)도 상기 감지 전압(VDET)에 반영된다.In the current sourcing resistive sensor of FIG. 1, a current flowing through a path made up of resistances R21, R22 and R12 (hereinafter, referred to as 'crosstalk' current, Icr) is also reflected in the sense voltage VDET.

그 결과, 도 1의 전류 소싱 저항형 센서는 이러한 크로스토크 전류(Icr)로 인하여 센싱의 정확도가 저하되는 문제점이 발생된다.As a result, the current sourcing resistance type sensor of FIG. 1 has a problem that the accuracy of sensing is lowered due to the crosstalk current Icr.

, ,

본 발명의 목적은 상기 기존기술의 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 크로스토크 전류(Icr)를 감소시켜 전체적으로 센싱의 정확도가 향상되는 전류 소싱 저항형 센서를 제공하는 데 있다.SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a current sourcing resistance sensor in which the crosstalk current Icr is reduced and the accuracy of sensing is improved as a whole.

상기의 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일면은 전류 소싱 저항형 센서에 관한 것이다. 본 발명의 전류 소싱 저항형 센서는 복수개의 로우 라인들과 복수개의 칼럼 라인들로 이루어지는 매트릭스 구조상에 배열되는 복수개의 저항 소자들을 포함하는 저항 어레이로서, 상기 복수개의 저항 소자들 각각은 대응하는 상기 로우 라인과 대응하는 상기 칼럼 라인 사이에 형성되는 상기 저항 어레이; 상기 복수개의 로우 라인들을 드라이빙하도록 구동되는 드라이빙 블락; 및 감지 전압을 제공하는 감지단에 선택되는 상기 칼럼 라인을 전기적으로 연결하며, 상기 감지단을 통하여 상기 선택되는 상기 칼럼 라인에 전류를 소싱하도록 구동되는 전류 소싱 블락을 구비한다. 그리고, 상기 드라이빙 블락은 선택되는 상기 로우 라인을 구동 전압으로 제어하며, 비선택되는 상기 로우 라인을 상기 선택되는 상기 칼럼 라인으로부터 제공되는 전압으로 드라이빙하도록 구동된다.According to an aspect of the present invention, there is provided a current sourcing resistance type sensor. The current sourcing resistive sensor of the present invention is a resistance array comprising a plurality of resistive elements arranged on a matrix structure of a plurality of row lines and a plurality of column lines, The resistor array formed between the line and the corresponding column line; A driving block driven to drive the plurality of row lines; And a current sourcing block electrically coupled to the column line selected for the sense node to provide a sense voltage and driven to source current to the selected column line through the sense node. The driving block controls the selected row line to a driving voltage and is driven to drive the unselected row line to a voltage provided from the selected column line.

상기와 같은 구성의 본 발명의 전류 소싱 저항형 센서에서는, 비선택되는 로우 라인이 선택되는 칼럼 라인의 전압으로 제어된다. 이에 따라, 비선택되는 로우 라인과 선택되는 칼럼 라인 사이에 형성되는 저항 소자를 통하여 흐르는 전류는 발생되지 않는다. 그 결과, 본 발명의 전류 소싱 저항형 센서에 의하면, 감지 전압은 크로스토크 전류를 배제한 센싱 전류만을 반영하게 되어, 전체적인 센싱의 정확도가 크게 향상된다.In the current-sourcing resistive sensor of the present invention having the above configuration, the non-selected row line is controlled to the voltage of the selected column line. Accordingly, no current flows through the resistive element formed between the unselected row line and the selected column line. As a result, according to the current sourcing resistance type sensor of the present invention, the sensing voltage reflects only the sensing current excluding the crosstalk current, and the accuracy of the overall sensing is greatly improved.

본 발명에서 사용되는 각 도면의 간단한 설명이 제공된다.
도 1은 기존의 전류 소싱 저항형 센서를 나타내는 도면이다.
도 2는 본 발명의 일실시예에 따른 전류 소싱 저항형 센서를 나타내는 도면이다.
도 3은 도 2의 전류 소싱 저항형 센서의 일 동작예를 나타내는 도면이다.
도 4는 비교예의 전류 소싱 저항형 센서를 나타내는 도면이다.
도 5는 본 발명의 변형예의 전류 소싱 저항형 센서를 나타내는 도면이다.
A brief description of each drawing used in the present invention is provided.
1 is a view of a conventional current sourcing resistive sensor.
2 illustrates a current sourcing resistive sensor according to an embodiment of the present invention.
FIG. 3 is a view showing an example of operation of the current sourcing resistance type sensor of FIG. 2. FIG.
4 is a view showing a current sourcing resistance type sensor of a comparative example.
5 is a diagram showing a current sourcing resistive sensor according to a modification of the present invention.

본 발명과 본 발명의 동작상의 잇점 및 본 발명의 실시에 의하여 달성되는 목적을 충분히 이해하기 위해서는 본 발명의 바람직한 실시예를 예시하는 첨부 도면 및 첨부 도면에 기재된 내용을 참조하여야만 한다. 그러나 본 발명은 여기서 설명되어지는 실시예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 오히려, 여기서 소개되는 실시예들은 개시된 내용이 철저하고 완전해질 수 있도록 그리고 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공되어지는 것이다. For a better understanding of the present invention and its operational advantages, and the objects attained by the practice of the present invention, reference should be made to the accompanying drawings, which illustrate preferred embodiments of the invention, and the accompanying drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments described herein but may be embodied in other forms. Rather, the embodiments disclosed herein are being provided so that this disclosure will be thorough and complete, and will fully convey the concept of the invention to those skilled in the art.

그리고, 각 도면을 이해함에 있어서, 동일한 부재는 가능한 한 동일한 참조부호로 도시하고자 함에 유의해야 한다. 그리고, 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 공지 기능 및 구성에 대한 상세한 기술은 생략된다.It should be noted that, in understanding each of the drawings, the same members are denoted by the same reference numerals whenever possible. Further, detailed descriptions of known functions and configurations that may be unnecessarily obscured by the gist of the present invention are omitted.

본 발명의 내용을 명세서 전반에 걸쳐 설명함에 있어서, 개개의 구성소자들 사이에서 '전기적으로 연결된다', '연결된다', '접속된다'의 용어의 의미는 직접적인 연결뿐만 아니라 속성을 일정 정도 이상 유지한 채로 중간 매개체를 통해 연결이 이루어지는 것도 모두 포함하는 것이다. 개개의 신호가 '전송된다' 등의 용어 역시 직접적인 의미뿐만 아니라 신호의 속성을 어느 정도 이상 유지한 채로 중간 매개체를 통한 간접적인 의미까지도 모두 포함된다.In describing the contents of the present invention throughout the specification, the meaning of the terms 'electrically connected', 'connected' and 'connected' among individual components is not limited to direct connection, And the connection is made through the intermediary medium while keeping it. The term " transmitted " of an individual signal includes not only a direct meaning, but also an indirect meaning through an intermediate medium while maintaining the property of the signal to some extent or more.

또한 각 구성소자에 대한 복수의 표현도 생략될 수도 있다. 예컨대 복수 개의 스위치나 복수개의 신호선으로 이루어진 구성일지라도 '스위치들', '신호선들'과 같이 표현할 수도 있고, '스위치', '신호선'과 같이 단수로 표현할 수도 있다. 이는 스위치들이 서로 상보적으로 동작하는 경우도 있고, 때에 따라서는 단독으로 동작하는 경우도 있기 때문이며, 신호선 또한 동일한 속성을 가지는 여러 신호선들, 예컨대 데이터 신호들과 같이 다발로 이루어진 경우에 이를 굳이 단수와 복수로 구분할 필요가 없기 때문이기도 하다. 이런 점에서 이러한 기재는 타당하다. 따라서 이와 유사한 표현들 역시 명세서 전반에 걸쳐 모두 이와 같은 의미로 해석되어야 한다.Also, a plurality of expressions for each component may be omitted. For example, a plurality of switches or a plurality of signal lines may be expressed as 'switches', 'signal lines', or may be expressed in a single number, such as 'switch' or 'signal line'. This is because the switches operate in complementary manner and sometimes operate independently. In the case where the signal lines are formed of a plurality of signal lines, for example, data signals having the same property, It is also because there is no need to divide into plural. In this respect, such description is reasonable. Accordingly, similar expressions should be construed in the same sense throughout the specification.

이하, 첨부한 도면들을 참조하여, 본 발명의 실시예들을 보다 상세하게 설명하고자 한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 2는 본 발명의 일실시예에 따른 전류 소싱 저항형 센서를 나타내는 도면이다. 도 2를 참조하면, 본 발명의 전류 소싱 저항형 센서는 저항 어레이(100), 드라이빙 블락(200) 및 전류 소싱 블락(300)을 구비한다.2 illustrates a current sourcing resistive sensor according to an embodiment of the present invention. 2, the current sourcing resistive sensor of the present invention includes a resistor array 100, a driving block 200, and a current sourcing block 300.

상기 저항 어레이(100)는 복수개의 로우 라인들(RL1, RL2)과 복수개의 칼럼 라인들(CL1, CL2)로 이루어지는 매트릭스 구조 상에 배열되는 복수개의 저항 소자들(R11, R12, R21, R22)을 포함하여 구성된다.The resistor array 100 includes a plurality of resistive elements R11, R12, R21, and R22 arranged on a matrix structure including a plurality of row lines RL1 and RL2 and a plurality of column lines CL1 and CL2, .

본 명세서에서, '저항 소자'는 통상적인 저항뿐만 아니라, '의도적 또는 비의도적으로 생성되는 저항적 성질의 구성요소'를 의미한다. As used herein, 'resistive element' refers not only to conventional resistors, but also to 'resistive properties' which are intentionally or unintentionally generated.

여기서, 상기 복수개의 저항 소자들(R11, R12, R21, R22) 각각은 대응하는 상기 로우 라인(RL1, RL2)과 대응하는 칼럼 라인(CL1, CL2) 사이에 형성된다. 예를 들어, 좌상에 도시된 저항 소자(R11)은 로우 라인(Rl1)과 칼럼 라인(CL1) 사이에 형성된다. Each of the plurality of resistance elements R11, R12, R21 and R22 is formed between the corresponding row line RL1 and RL2 and the corresponding column line CL1 and CL2. For example, the resistive element R11 shown on the upper left is formed between the row line R11 and the column line CL1.

도 2에는, 상기 저항 어레이(100)의 매트릭스는 2개의 로우 라인들과 2개의 칼럼 라인들로 구성되고, 4개의 저항 요소들이 배열되는 것으로 도시되어 있다. 그러나, 상기 저항 어레이(100)의 매트릭스는 3 이상의 m개의 로우 라인들과 3 이상의 n개의 칼럼 라인들로 확장되며, (m*n)개의 저항요소들로 확장될 수 있음은 당업자에게는 자명하다.In Figure 2, the matrix of the resistor array 100 is composed of two row lines and two column lines, with four resistive elements arranged. However, it will be apparent to those skilled in the art that the matrix of the resistor array 100 may extend to three or more m rows and three or more n column lines, and may extend to (m * n) resistive elements.

한편, 본 실시예에서, 상기 복수개의 로우 라인들(RL1, RL2)은 서로 배타적으로 선택되며, 복수개의 칼럼 라인들(CL1, CL2)도 서로 배탁적으로 선택된다. 즉, 상기 로우 라인(RL1)이 선택되는 경우, 다른 로우 로우 라인(RL2)은 비선택된다. 그리고, 상기 칼럼 라인(CL1)이 선택되는 경우, 다른 상기 칼럼 라인(CL2)은 비선택된다. Meanwhile, in the present embodiment, the plurality of row lines RL1 and RL2 are exclusively selected from each other, and the plurality of column lines CL1 and CL2 are also implicitly selected from each other. That is, when the row line RL1 is selected, the other row row RL2 is unselected. Then, when the column line CL1 is selected, the other column line CL2 is unselected.

그리고, 선택되는 로우 라인(RL1, RL2)과 선택되는 칼럼 라인(CL1, CL2)에 의하여 상기 저항 소자(R11, R12, R21, R22)가 특정된다.The resistance elements R11, R12, R21 and R22 are specified by the selected row lines RL1 and RL2 and the selected column lines CL1 and CL2.

본 실시예에서는, 로우 라인(RL1) 및 칼럼 라인(CL1)이 선택되어 좌상에 위치되는 저항 소자(R11)가 특정되는 것으로 한다. 이 경우, 도 2의 제1 로우 선택 신호(XRA1) 및 제1 칼럼 선택 신호(XCA1)는 활성화되며, 제2 로우 선택 신호(XRA2) 및 제2 칼럼 선택 신호(XCA2)는 비활성화된다.In the present embodiment, it is assumed that the resistance element R11 in which the row line RL1 and the column line CL1 are selected and located on the upper left is specified. In this case, the first row select signal XRA1 and the first column select signal XCA1 in FIG. 2 are activated, and the second row select signal XRA2 and the second column select signal XCA2 are inactivated.

상기 드라이빙 블락(200)은 상기 복수개의 로우 라인들(RL1, RL2)을 드라이빙하도록 구동된다. 상기 드라이빙 블락(200)은 구체적으로 드라이빙부(210)와 로우 연결부(230)를 포함한다.The driving block 200 is driven to drive the plurality of row lines RL1 and RL2. The driving block 200 includes a driving unit 210 and a row connection unit 230.

상기 드라이빙부(210)는 복수개의 드라이빙 앰프들(211, 212)을 포함한다. 상기 복수개의 드라이빙 앰프들(211, 212) 각각은 자신의 출력단과 자신의 음(-)의 입력단은 전기적으로 연결되며, 자신의 양(+)의 입력단으로 제공되는 전압으로 대응하는 상기 로우 라인(RL1, RL2)을 드라이빙한다.The driving unit 210 includes a plurality of driving amplifiers 211 and 212. Each of the plurality of driving amplifiers 211 and 212 is electrically connected to its own output terminal and its negative input terminal and is supplied with a voltage supplied to its positive input terminal, RL1, RL2) are driven.

그리고, 상기 로우 연결부(220)는 선택되는 상기 로우 라인(RL1)에 대응하는 상기 드라이빙 앰프(211)의 양(+)의 입력단에 구동 전압(VDR)을 제공하며, 비선택되는 상기 로우 라인(RL2)에 대응하는 상기 드라이빙 앰프(212)의 양(+)의 입력단에 선택되는 상기 칼럼 라인(CL1)을 전기적으로 연결하도록 구동된다.The row connection unit 220 provides a driving voltage VDR to the positive input terminal of the driving amplifier 211 corresponding to the selected row line RL1, (+) Input terminal of the driving amplifier 212 corresponding to the input signal line RL2.

본 실시예에서, 상기 구동 전압(VDR)은 접지 전압(VSS)으로 가정한다. 그러나, 상기 구동 전압(VDR)은 다른 레벨의 고정 전압(예, 전원전압 등)으로 구현될 수 있다. 다만, 이 경우, 도 3 내지 도 5에 도시되는 센싱 전류(Isen), 크로스토크전류(Icr) 등의 전류 방향이 바뀔 수 있다.In the present embodiment, it is assumed that the driving voltage VDR is the ground voltage VSS. However, the driving voltage VDR may be implemented at a different level of fixed voltage (e.g., power supply voltage, etc.). However, in this case, the current direction such as the sensing current Isen and the crosstalk current Icr shown in Figs. 3 to 5 may be changed.

상기 로우 연결부(220)는 더욱 구체적으로 예비단(NPRE), 로우 연결 수단(231) 및 예비 연결 수단(233)을 구비한다.More specifically, the row connection part 220 has a spare end (NPRE), a row connection part 231 and a spare connection part 233.

상기 로우 연결 수단(231)은 상기 제1 로우 선택 신호(XRA1)가 활성화됨에 따라, 선택되는 상기 로우 라인(RL1)에 대응하는 상기 드라이빙 앰프(211)의 양(+)의 입력단에 상기 구동 전압(VDR)을 제공한다. 또한, 상기 로우 연결 수단(231)은 상기 제2 로우 선택 신호(XRA2)가 비활성화됨에 따라, 비선택되는 상기 로우 라인(RL2)에 대응하는 상기 드라이빙 앰프(212)의 양(+)의 입력단에 상기 예비단(NPRE)가 전기적으로 연결한다.The row connecting means 231 is connected to the input terminal of the positive driving amplifier 211 corresponding to the selected row line RL1 as the first row select signal XRA1 is activated, (VDR). The row connecting means 231 is connected to the positive input terminal of the driving amplifier 212 corresponding to the unselected row line RL2 as the second row select signal XRA2 is inactivated The preliminary stage (NPRE) is electrically connected.

상기 예비 연결 수단(233)은 상기 제1 칼럼 선택 신호(XCA1)가 활성화되고 상기 제2 칼럼 선택 신호(XCA2)가 비활성화됨에 따라, 선택되는 상기 칼럼 라인(CL1)을 상기 예비단(NPRE)를 연결한다.The preliminary connection means 233 may connect the selected column line CL1 to the preliminary stage NPRE as the first column selection signal XCA1 is activated and the second column selection signal XCA2 is inactivated Connect.

상기와 같은 상기 드라이빙 블락(200)에 의하여, 선택되는 상기 로우 라인(RL1)은 구동 전압(VDR)(본 실시예에서는, 접지전압(VSS))으로 제어되며, 비선택되는 상기 로우 라인(RL2)은 선택되는 칼럼 라인(CL1)의 전압(VDETn, 도 3 참조)으로 구동된다.The selected row line RL1 is controlled by the driving voltage VDR (in this embodiment, the ground voltage VSS) by the driving block 200 as described above, and the unselected row line RL2 Is driven by the voltage VDETn (see FIG. 3) of the selected column line CL1.

상기 전류 소싱 블락(300)은 감지 전압(VDET)를 발생하는 감지단(NSEN)에 선택되는 칼럼 라인(CL1)을 연결하도록 구동된다. 또한, 상기 전류 소싱 블락(300)은 상기 감지단(NSEN)을 통하여 상기 선택되는 칼럼 라인(CL1)에 전류를 소싱하여 상기 감지 전압(VDET)을 제공하도록 구동된다.The current sourcing block 300 is driven to connect the selected column line CL1 to the sense node NSEN that generates the sense voltage VDET. Also, the current sourcing block 300 is driven to supply the sense voltage VDET by sourcing a current to the selected column line CL1 through the sense node NSEN.

상기 전류 소싱 블락(300)은 구체적으로 상기 감지단(NSEN), 칼럼 선택부(310) 및 전류 소스(330)를 구비한다.Specifically, the current sourcing block 300 includes the sensing node NSEN, the column selection unit 310, and the current source 330.

상기 칼럼 선택부(310)는 상기 제1 칼럼 선택 신호(XCA1)가 활성화됨에 따라 선택되는 상기 칼럼 라인(CL1)을 상기 감지단(NSEN)에 전기적으로 연결한다. 또한, 상기 칼럼 선택부(310)는 상기 제2 칼럼 선택 신호(XCA2)가 비활성화됨에 따라 비선택되는 상기 칼럼 라인(CL2)과 상기 감지단(NSEN)의 전기적으로 연결을 차단한다. The column selecting unit 310 electrically connects the column line CL1 selected according to the activation of the first column selecting signal XCA1 to the sensing node NSEN. In addition, the column selecting unit 310 electrically disconnects the column line CL2 and the sensing node NSEN, which are not selected as the second column selection signal XCA2 is deactivated.

상기 전류 소스(330)는 상기 감지단(NSEN)으로 흐르는 전류를 소싱(sourcing)하여 상기 감지 전압(VDET)을 발생한다.The current source 330 generates a sensing voltage VDET by sourcing a current flowing to the sensing node NSEN.

참고로, 상기와 같은 전류 소싱 블락(300)에 의하여, 선택되는 칼럼 라인(CL1)의 전압(VDETn)은 이상적으로는 상기 감지 전압(VDET)과 동일하게 된다. 하지만, 상기 칼럼 연결 스위치(331)의 전압 강하(Vsw)에 의하여, 상기 선택되는 칼럼 라인(CL1)의 전압(VDETn)과 상기 감지 전압(VDET) 사이에는 차이가 발생될 수 있다.For reference, by the current sourcing block 300, the voltage VDETn of the selected column line CL1 is ideally equal to the sensing voltage VDET. However, due to the voltage drop Vsw of the column connection switch 331, a difference may occur between the voltage VDETn of the selected column line CL1 and the sensing voltage VDET.

계속 도 2를 참조하면, 상기와 같은 본 발명의 전류 소싱 저항형 센서에서는, 비선택되는 상기 로우 라인(RL2)이 선택되는 칼럼 라인(CL1)의 전압(VDETn)으로 드라이빙된다. 그러므로, 비선택되는 상기 로우 라인(RL2)과 선택되는 칼럼 라인(CL1)은 거의 동일한 전압으로 제어된다. 이에 따라, 상기 로우 라인(RL2)과 상기 칼럼 라인(CL1) 사이에 형성되는 저항 소자(R21)을 통하여 흐르는 전류는 'O'으로 된다.Continuing with FIG. 2, in the current sourcing resistance type sensor of the present invention as described above, the unselected row line RL2 is driven to the voltage VDETn of the column line CL1 to be selected. Therefore, the unselected row line RL2 and the selected column line CL1 are controlled to substantially the same voltage. Accordingly, the current flowing through the resistor R21 formed between the row line RL2 and the column line CL1 becomes 'O'.

결과적으로, 본 실시예에서는, 도 3에 도시되는 바와 같이, 특정되는 저항 소자(R11)을 통하여 흐르는 센싱 전류(Isen)만 상기 전류 소싱 블락(300)에서 상기 드라이빙 블락(200)으로 제공되며, 비특정되는 저항 소자(R12, R22, R11)을 통하여 흐르는 크로스토크 전류(Icr)은 발생되지 않게 된다.3, only the sensing current Isen flowing through the specified resistance element R11 is provided to the driving block 200 in the current sourcing block 300, The crosstalk current Icr flowing through the resistive elements R12, R22 and R11 which are not specified is not generated.

정리하면, 본 발명의 전류 소싱 저항형 센서에서, 상기 전류 소싱 블락(300)의 전류 소싱에 의하여 생성되는 상기 감지 전압(VDET)은 상기 크로스토크 전류(Icr)을 배제한 센싱 전류(Isen)만을 반영하게 된다. 그 결과, 본 발명의 전류 소싱 저항형 센서에 의하면, 전체적인 센싱의 정확도가 향상된다.In summary, in the current sourcing resistive sensor of the present invention, the sensing voltage VDET generated by current sourcing of the current sourcing block 300 reflects only the sensing current Isen excluding the crosstalk current Icr . As a result, with the current sourcing resistive sensor of the present invention, the accuracy of the overall sensing is improved.

이러한, 본 발명의 전류 소싱 저항형 센서의 효과는 도 4의 비교예와 비교하여 더욱 현저하다.The effect of the current sourcing resistance type sensor of the present invention is more remarkable as compared with the comparative example of Fig.

도 4의 비교예의 전류 소싱 저항형 센서에서는, 상기 예비단(NPRE)에 상기 감지단(NSEN)이 직접적으로 연결된다.In the current sourcing resistive sensor of the comparative example of FIG. 4, the sense node NSEN is directly connected to the preliminary stage NPRE.

이때, 선택되는 칼럼 라인(CL1)의 전압(VDETn)은 상기 감지단(NSEN)의 전압 즉, 감지 전압(VDET)에 가깝기는 하지만, 상기 칼럼 연결 스위치(331)의 전압 강하(Vsw)에 의하여 차이가 발생될 수 있음은 전술한 바와 같다.At this time, although the voltage VDETn of the selected column line CL1 is close to the voltage of the sensing node NSEN, that is, the sensing voltage VDET, by the voltage drop Vsw of the column connection switch 331 The difference may occur as described above.

이 경우, 비선택되는 상기 로우 라인(RL2)과 선택되는 칼럼 라인(CL1) 사이에 전압차가 발생하며, 상기 로우 라인(RL2)과 상기 칼럼 라인(CL1) 사이에 형성되는 저항 소자(R22)에는 상당한 양의 전류가 흐르게 된다.In this case, a voltage difference is generated between the unselected row line RL2 and the selected column line CL1, and the resistance element R22 formed between the row line RL2 and the column line CL1 A considerable amount of current flows.

이에 따라, 도 4의 비교예에서는, 상기 감지 전압(VDET)에는 상기 센싱 전류(Isen) 뿐만 아니라 크로스토크 전류(Icr)도 반영되게 된다.Accordingly, in the comparative example of FIG. 4, not only the sensing current Isen but also the crosstalk current Icr is reflected in the sensing voltage VDET.

정리하면, 도 2의 본 발명의 전류 소싱 저항형 센서는, 도 4의 비교예의 전류 소싱 저항형 센서에 비하여, 센싱의 정확도가 현저한 효과를 지닌다.In summary, the current sourcing resistive sensor of the present invention shown in Fig. 2 has a remarkable effect of sensing accuracy as compared with the current sourcing resistive sensor of the comparative example of Fig.

한편, 본 발명의 전류 소싱 저항형 센서는 다양한 형태로 변형가능하다.Meanwhile, the current sourcing resistance type sensor of the present invention can be modified into various forms.

도 5는 본 발명의 변형예에 따른 전류 소싱 저항형 센서를 나타내는 도면이다. 도 5를 참조하면, 본 발명의 변형예의 전류 소싱 저항형 센서도, 도 2의 전류 소싱 저항형 센서와 유사하게, 저항 어레이(100), 드라이빙 블락(400) 및 전류 소싱 블락(300)을 구비한다.5 is a view showing a current sourcing resistance sensor according to a modification of the present invention. 5, a current sourcing resistive sensor of a modification of the present invention also includes a resistor array 100, a driving block 400, and a current sourcing block 300, similar to the current sourcing resistive sensor of FIG. do.

도 5의 저항 어레이(100) 및 전류 소싱 블락(300)은 도 2의 저항 어레이(100) 및 전류 소싱 블락(300)은 동일한 구성 및 작용으로 구현될 수 있으므로, 본 명세서에서는 설명의 간략화를 위하여, 그에 대한 구체적인 기술은 생략된다.The resistor array 100 and the current sourcing block 300 of FIGURE 5 may be implemented with the same configuration and functionality as the resistor array 100 and current sourcing block 300 of FIGURE 2, , A detailed description thereof is omitted.

상기 드라이빙 블락(400)도 상기 복수개의 로우 라인들(RL1, RL2)을 드라이빙하도록 구동된다. 상기 드라이빙 블락(400)은 구체적으로 예비단(NPRE), 드라이빙부(410), 예비 연결부(430) 및 로우 연결부(450)를 포함한다.The driving block 400 is also driven to drive the plurality of row lines RL1 and RL2. Specifically, the driving block 400 includes a preliminary stage (NPRE), a driving unit 410, a preliminary connection unit 430, and a row connection unit 450.

상기 드라이빙부(410)는 구동 드라이빙 앰프(411) 및 보조 드라이빙 앰프(412)를 포함한다.The driving unit 410 includes a driving driving amplifier 411 and an auxiliary driving amp 412.

상기 구동 드라이빙 앰프(411)는 자신의 출력단과 자신의 음(-)의 입력단은 전기적으로 연결되며, 자신의 양(+)의 입력단으로 제공되는 상기 구동 전압(VDR)(본 실시예에서는, 접지 전압(VSS))을 제공하는 전압원 자체로 구현될 수도 있다.The driving driving amplifier 411 is electrically connected to the output terminal of the driving driving amplifier 411 and the negative input terminal of the driving driving amplifier 411. The driving driving amplifier 411 receives the driving voltage VDR (in this embodiment, Voltage (VSS)).

상기 보조 드라앰프(412)는 자신의 출력단과 자신의 음(-)의 입력단은 전기적으로 연결되며, 자신의 양(+)의 입력단으로 제공되는 상기 예비단(NPRE)의 전압을 드라이빙하여 출력한다.The auxiliary driving amplifier 412 drives the voltage of the preliminary stage NPRE provided to its positive input terminal by electrically connecting the output stage of the auxiliary driving amplifier 412 with its negative input terminal .

상기 예비 연결부(430)는 상기 제1 칼럼 선택 신호(XCA1)가 활성화되고 상기 제2 칼럼 선택 신호(XCA2)가 비활성화됨에 따라, 선택되는 상기 칼럼 라인(CL1)을 상기 예비단(NPRE)를 연결한다.The preliminary connection unit 430 connects the selected column line CL1 to the preliminary stage NPRE as the first column selection signal XCA1 is activated and the second column selection signal XCA2 is deactivated, do.

그리고, 상기 로우 연결부(450) 선택되는 상기 로우 라인(RL1)에 상기 구동 드라이빙 앰프(411)의 출력단을 전기적 연결하며, 비선택되는 상기 로우 라인(RL2)에 상기 보조 드라이빙 앰프(412)의 출력단을 전기적으로 연결한다.The output terminal of the driving driving amplifier 411 is electrically connected to the row line RL1 selected by the row connection unit 450 and the output terminal of the auxiliary driving amplifier 412 is connected to the unselected row line RL2. Respectively.

상기와 같은 상기 드라이빙 블락(400)에 의하여, 선택되는 상기 로우 라인(RL1)은 구동 전압(VDR)으로 제어되며, 비선택되는 상기 로우 라인(RL2)은 선택되는 칼럼 라인(CL1)의 전압으로 구동된다.The selected row line RL1 is controlled by the driving voltage VDR by the driving block 400 and the unselected row line RL2 is driven by the voltage of the selected column line CL1 .

상기와 같은 도 5의 전류 소싱 저항형 센서에서도, 비선택되는 상기 로우 라인(RL2)이 선택되는 칼럼 라인(CL1)의 전압(VDETn)으로 구동된다. 그러므로, 비선택되는 상기 로우 라인(RL2)과 선택되는 칼럼 라인(CL1)은 거의 동일한 전압으로 제어된다. 이에 따라, 상기 로우 라인(RL2)과 상기 칼럼 라인(CL1) 사이에 형성되는 저항 소자(R21)을 통하여 흐르는 전류는 'O'으로 된다.5, the non-selected row line RL2 is driven by the voltage VDETn of the column line CL1 to be selected. Therefore, the unselected row line RL2 and the selected column line CL1 are controlled to substantially the same voltage. Accordingly, the current flowing through the resistor R21 formed between the row line RL2 and the column line CL1 becomes 'O'.

그러므로, 도 5의 전류 소싱 저항형 센서에 의해서도, 도 2의 전류 소싱 저항형 센서에서와 마찬가지로, 상기 전류 소싱 블락(300)에서 제공되는 상기 감지 전압(VDET)은 상기 크로스토크 전류(Icr)을 배제한 센싱 전류(Isen)을 반영하게 된다. 그 결과, 전체적인 센싱의 정확도가 향상된다.Therefore, also with the current sourcing resistive sensor of FIG. 5, as in the current sourcing resistive sensor of FIG. 2, the sensing voltage VDET provided in the current sourcing block 300 is the same as the crosstalk current Icr Reflected sensing current Isen. As a result, the accuracy of the overall sensing improves.

이상과 같이 실시예들이 비록 한정된 실시예와 도면에 의해 설명되었으나, 해당 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 상기의 기재로부터 다양한 수정 및 변형이 가능하다. 예를 들어, 설명된 기술들이 설명된 방법과 다른 순서로 수행되거나, 및/또는 설명된 시스템, 구조, 장치, 회로 등의 구성소자들이 설명된 방법과 다른 형태로 결합 또는 조합되거나, 다른 구성소자 또는 균등물에 의하여 대치되거나 치환되더라도 적절한 결과가 달성될 수 있다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 등록청구범위의 기술적 사상에 의해 정해져야 할 것이다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments. For example, it should be understood that the techniques described may be performed in a different order than the described methods, and / or that components of the described systems, structures, devices, Lt; / RTI > or equivalents, even if it is replaced or replaced. Accordingly, the true scope of the present invention should be determined by the technical idea of the appended claims.

Claims (6)

전류 소싱 저항형 센서에 있어서,
복수개의 로우 라인들과 복수개의 칼럼 라인들로 이루어지는 매트릭스 구조상에 배열되는 복수개의 저항 소자들을 포함하는 저항 어레이로서, 상기 복수개의 저항 소자들 각각은 대응하는 상기 로우 라인과 대응하는 상기 칼럼 라인 사이에 형성되는 상기 저항 어레이;
상기 복수개의 로우 라인들을 드라이빙하도록 구동되는 드라이빙 블락; 및
감지 전압을 제공하는 감지단에 선택되는 상기 칼럼 라인을 전기적으로 연결하며, 상기 감지단을 통하여 상기 선택되는 상기 칼럼 라인에 전류를 소싱하도록 구동되는 전류 소싱 블락을 구비하며,
상기 드라이빙 블락은
선택되는 상기 로우 라인을 구동 전압으로 제어하며, 비선택되는 상기 로우 라인을 상기 선택되는 상기 칼럼 라인으로부터 제공되는 전압으로 드라이빙하도록 구동되는 것을 특징으로 하는 전류 소싱 저항형 센서.
In a current sourcing resistive sensor,
A resistive array comprising a plurality of resistive elements arranged on a matrix structure comprising a plurality of row lines and a plurality of column lines, each of the plurality of resistive elements being arranged between the corresponding row lines and the corresponding column lines The resistor array being formed;
A driving block driven to drive the plurality of row lines; And
And a current sourcing block electrically coupled to the column line selected for the sense node to provide a sense voltage and driven to source current to the selected column line through the sense node,
The driving block
The selected row line being driven to a drive voltage and driven to drive the unselected row line to a voltage provided from the selected column line.
제1항에 있어서, 상기 구동 전압은
접지 전압인 것을 특징으로 하는 전류 소싱 저항형 센서.
The driving method according to claim 1,
Wherein the grounding voltage is a ground voltage.
제1항에 있어서, 상기 드라이빙 블락은
복수개의 드라이빙 앰프들을 포함하는 드라이빙부로서, 상기 복수개의 드라이빙 앰프들 각각은 자신의 입력단으로 제공되는 전압으로 대응하는 상기 로우 라인을 드라이빙하도록 구동되는 상기 드라이빙부; 및
선택되는 상기 로우 라인에 대응하는 상기 드라이빙 앰프의 입력단에 상기 구동 전압을 제공하며, 비선택되는 상기 로우 라인에 대응하는 상기 드라이빙 앰프의 입력단에 선택되는 상기 칼럼 라인을 전기적으로 연결하도록 구동되는 로우 연결부를 구비하는 것을 특징으로 하는 전류 소싱 저항형 센서.
2. The apparatus of claim 1, wherein the driving block
A driving unit including a plurality of driving amplifiers, wherein each of the plurality of driving amplifiers is driven to drive the corresponding row line with a voltage supplied to its input terminal; And
And a driving circuit for supplying the driving voltage to the input terminal of the driving amplifier corresponding to the selected row line and driving the input terminal of the driving amplifier corresponding to the unselected row line to electrically connect the selected column line, And a current source resistor.
제3항에 있어서, 상기 로우 연결부는
예비단;
선택되는 상기 로우 라인에 대응하는 상기 드라이빙 앰프의 입력단에 상기 구동 전압을 제공하며, 비선택되는 상기 로우 라인에 대응하는 상기 드라이빙 앰프의 입력단에 상기 예비단을 연결하도록 구동되는 로우 연결 수단; 및
상기 예비단에 선택되는 상기 칼럼 라인을 연결하도록 구동되는 예비 연결 수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 전류 소싱 저항형 센서.
4. The apparatus of claim 3, wherein the row connection
Reserve unit;
Row connecting means for supplying the driving voltage to an input terminal of the driving amplifier corresponding to the selected row line and driving the input terminal of the driving amplifier corresponding to the unselected row line to connect the preliminary stage; And
And preliminary coupling means driven to connect the column line selected in the preliminary stage.
제1항에 있어서, 상기 전류 소싱 블락은
상기 감지 전압을 발생하는 상기 감지단;
선택되는 상기 칼럼 라인을 상기 감지단에 전기적으로 연결하는 칼럼 선택부; 및
상기 감지단으로 흐르는 전류를 소싱하는 전류 소스를 구비하는 것을 특징으로 전류 소싱 저항형 센서.
The method of claim 1, wherein the current sourcing block
The sensing stage generating the sense voltage;
A column selection unit electrically connecting the selected column line to the sensing unit; And
And a current source for sourcing a current flowing to the sensing stage.
제1항에 있어서, 상기 드라이빙 블락은
예비단;
구동 드라이빙 앰프 및 보조 드라이빙 앰프를 포함하는 드라이빙부으로서, 상기 구동 드라이빙 앰프는 상기 구동 전압을 드라이빙하여 출력하도록 구동되며, 상기 보조 드라이빙 앰프는 상기 예비단의 전압을 드라이빙하여 출력하도록 구동되는 상기 드라이빙부;
상기 예비단에 선택되는 상기 칼럼 라인을 전기적으로 연결하도록 구동되는 예비 연결부; 및
선택되는 상기 로우 라인에 상기 구동 드라이빙 앰프의 출력단을 전기적으로 연결하며, 비선택되는 상기 로우 라인에 상기 보조 드라이빙 앰프의 출력단을 전기적으로 연결하도록 구동되는 로우 연결부를 구비하는 것을 특징으로 하는 전류 소싱 저항형 센서.
2. The apparatus of claim 1, wherein the driving block
Reserve unit;
The driving driving amplifier being driven to drive and output the driving voltage, and the auxiliary driving amplifier is driven to output the voltage of the preliminary stage, ;
A preliminary connection portion that is driven to electrically connect the column line selected in the preliminary stage; And
And a row connection part electrically connected to the output line of the driving driving amplifier to the selected row line and driven to electrically connect an output terminal of the auxiliary driving amplifier to the unselected row line, Type sensor.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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