[go: up one dir, main page]

KR101888447B1 - Method for manufacturing organic light emitting display panel - Google Patents

Method for manufacturing organic light emitting display panel Download PDF

Info

Publication number
KR101888447B1
KR101888447B1 KR1020120054091A KR20120054091A KR101888447B1 KR 101888447 B1 KR101888447 B1 KR 101888447B1 KR 1020120054091 A KR1020120054091 A KR 1020120054091A KR 20120054091 A KR20120054091 A KR 20120054091A KR 101888447 B1 KR101888447 B1 KR 101888447B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
light emitting
substrate
protective insulating
pad region
organic
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
KR1020120054091A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20130130352A (en
Inventor
유희성
이성호
김인석
유명재
임현택
Original Assignee
엘지디스플레이 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 엘지디스플레이 주식회사 filed Critical 엘지디스플레이 주식회사
Priority to KR1020120054091A priority Critical patent/KR101888447B1/en
Priority to CN201310190075.6A priority patent/CN103427048B/en
Priority to US13/899,464 priority patent/US9142805B2/en
Publication of KR20130130352A publication Critical patent/KR20130130352A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR101888447B1 publication Critical patent/KR101888447B1/en
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/02—Details
    • H05B33/04—Sealing arrangements, e.g. against humidity
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/40—Thermal treatment, e.g. annealing in the presence of a solvent vapour
    • H10K71/421—Thermal treatment, e.g. annealing in the presence of a solvent vapour using coherent electromagnetic radiation, e.g. laser annealing
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/841—Self-supporting sealing arrangements
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K59/871—Self-supporting sealing arrangements
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K59/873—Encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/844—Encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/851—Division of substrate

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

본 발명은 패턴 불량 없이 보호 절연막을 발광영역에 형성할 수 있는 유기 전계 발광 표시 패널의 제조 방법을 제공하는 것이다.
본 발명에 따른 유기 전계 발광 패널의 제조 방법은 발광 영역과 패드 영역을 가지는 기판을 마련하는 단계와; 상기 발광 영역에 발광셀을 형성함과 동시에 상기 패드 영역에 유기 패턴을 형성하는 단계와; 상기 기판 전면에 보호 절연막을 형성하는 단계와; 상기 발광 영역과 대응하는 영역에 형성되는 접착 필름을 이용하여 상기 보호 절연막이 형성된 기판과 밀봉 기판을 합착하는 단계와; 상기 합착된 상기 보호 절연막이 형성된 기판과 밀봉 기판을 절단하여 다수의 단위 패널로 분리하여 상기 패드 영역을 노출시키는 단계와; 상기 노출된 패드 영역 상의 보호 절연막과 유기 패턴을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.The present invention provides a method of manufacturing an organic light emitting display panel capable of forming a protective insulating film in a light emitting region without a pattern defect.
A method of manufacturing an organic electroluminescent panel according to the present invention includes: providing a substrate having a light emitting region and a pad region; Forming a light emitting cell in the light emitting region and forming an organic pattern in the pad region; Forming a protective insulating film on the entire surface of the substrate; Attaching the substrate on which the protective insulating film is formed and the sealing substrate using an adhesive film formed in a region corresponding to the light emitting region; Exposing the pad region by cutting the substrate on which the protective insulating film is formed and the sealing substrate into a plurality of unit panels; And removing the protective insulating layer and the organic pattern on the exposed pad region.

Description

유기 전계 발광 표시 패널의 제조 방법{METHOD FOR MANUFACTURING ORGANIC LIGHT EMITTING DISPLAY PANEL}TECHNICAL FIELD [0001] The present invention relates to a method of manufacturing an organic electroluminescence display panel,

본 발명은 패턴 불량 없이 보호 절연막을 발광영역에 형성할 수 있는 유기 전계 발광 표시 패널의 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method of manufacturing an organic light emitting display panel capable of forming a protective insulating film in a light emitting region without a pattern defect.

최근 음극선관(Cathode Ray Tube)의 단점인 무게와 부피를 줄일 수 있는 각종 평판 표시 장치들이 대두되고 있다. 평판 표시 장치로는 액정 표시 장치(Liquid Crystal Display), 전계 방출 표시 장치(Field Emission Display), 플라즈마 표시 패널(Plasma Display Panel) 및 유기 전계 발광 장치(Electro-Luminescence : EL) 등이 있다.2. Description of the Related Art Recently, various flat panel display devices capable of reducing weight and volume, which are disadvantages of cathode ray tubes (CRTs), are emerging. Examples of the flat panel display include a liquid crystal display, a field emission display, a plasma display panel, and an electro-luminescence (EL) display.

특히, 유기 전계 발광 장치는 자발광소자로서 다른 평판 표시 장치에 비해 응답속도가 빠르고 발광효율, 휘도 및 시야각이 큰 장점이 있다. 이 경우, 종래 유기 전계 발광 장치에 포함된 다수의 박막 패턴들은 마스크 프레임 조립체를 통해 기판 상에 형성된다. In particular, the organic electroluminescent device is advantageous in that it has a higher response speed and a larger luminous efficiency, luminance, and viewing angle than other flat panel display devices. In this case, a plurality of thin film patterns included in the conventional organic electroluminescent device are formed on the substrate through the mask frame assembly.

마스크 프레임 조립체는 다수의 박막 패턴들 각각과 대응하는 투과부와, 투과부들 사이에 형성되는 차단부를 가지는 증착용 마스크와, 증착용 마스크를 고정시키는 마스크 프레임을 구비한다. The mask frame assembly has a transmissive portion corresponding to each of the plurality of thin film patterns, an evaporation mask having a blocking portion formed between the transmissive portions, and a mask frame for fixing the evaporation mask.

증착용 마스크는 증착 공정시 발생되는 플라즈마에 의해 손상되고, 증착 공정시 발생되는 고온에 의해 강도가 약해져 변형되는 문제점이 있다. 이 경우, 증착용 마스크의 변형된 차단부는 수평을 유지하지 못하고 들뜸 현상이 발생된다. 이에 따라, 증착 공정시 증착용 마스크와 기판 사이의 얼라인 정확도가 저하되므로 차단부와 대응하는 기판 상에 박막이 증착되는 증착 불량이 발생되는 문제점이 있다. 특히, 증착용 마스크를 이용하여 발광 영역에만 형성되어야 하는 보호 절연막이 증착용 마스크의 변형으로 인해 증착용 마스크의 차단부와 대응하는 패드부에도 형성되는 문제점이 있다.The mask for vapor deposition is damaged by the plasma generated during the deposition process and has a problem in that the strength is weakened due to the high temperature generated in the deposition process. In this case, the deformed blocking portion of the vapor-deposition mask fails to maintain a horizontal position, and a floating phenomenon occurs. Accordingly, since the accuracy of alignment between the evaporation mask and the substrate is lowered during the deposition process, deposition failure occurs in which a thin film is deposited on the substrate corresponding to the blocking portion. Particularly, there is a problem that the protective insulating film, which should be formed only in the light emitting region, is formed in the pad portion corresponding to the blocking portion of the evaporation mask due to the deformation of the evaporation mask.

상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여, 본 발명은 패턴 불량 없이 보호 절연막을 발광영역에 형성할 수 있는 유기 전계 발광 표시 패널의 제조 방법을 제공하는 것이다.In order to solve the above problems, the present invention provides a method of manufacturing an organic light emitting display panel capable of forming a protective insulating film in a light emitting region without a pattern defect.

상기 기술적 과제를 달성하기 위하여, 본 발명에 따른 유기 전계 발광 패널의 제조 방법은 발광 영역과 패드 영역을 가지는 기판을 마련하는 단계와; 상기 발광 영역에 발광셀을 형성함과 동시에 상기 패드 영역에 유기 패턴을 형성하는 단계와; 상기 기판 전면에 보호 절연막을 형성하는 단계와; 상기 발광 영역과 대응하는 영역에 형성되는 접착 필름을 이용하여 상기 보호 절연막이 형성된 기판과 밀봉 기판을 합착하는 단계와; 상기 합착된 상기 보호 절연막이 형성된 기판과 밀봉 기판을 절단하여 다수의 단위 패널로 분리하여 상기 패드 영역을 노출시키는 단계와; 상기 노출된 패드 영역 상의 보호 절연막과 유기 패턴을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.According to an aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing an organic electroluminescent panel, including: providing a substrate having a light emitting region and a pad region; Forming a light emitting cell in the light emitting region and forming an organic pattern in the pad region; Forming a protective insulating film on the entire surface of the substrate; Attaching the substrate on which the protective insulating film is formed and the sealing substrate using an adhesive film formed in a region corresponding to the light emitting region; Exposing the pad region by cutting the substrate on which the protective insulating film is formed and the sealing substrate into a plurality of unit panels; And removing the protective insulating layer and the organic pattern on the exposed pad region.

여기서, 상기 발광 영역에 발광셀 및 유기 패턴을 형성하는 단계는 상기 발광셀의 유기 발광층 및 상기 유기 발광층을 셀별로 구분하는 뱅크 절연막 중 적어도 어느 하나와 상기 유기 패턴을 동일 재질로 동시에 형성하는 단계를 포함하며, 상기 유기 패턴은 상기 동시에 형성되는 유기 발광층 및 상기 뱅크 절연막 중 적어도 어느 하나와 분리되는 것을 특징으로 한다.The step of forming the light emitting cells and the organic pattern in the light emitting region may include forming at least one of the organic light emitting layer of the light emitting cell and the bank insulating layer that separates the organic light emitting layer by the cell, And the organic pattern is separated from at least one of the simultaneously formed organic light emitting layer and the bank insulating layer.

상기 노출된 패드 영역 상의 보호 절연막과 유기 패턴을 제거하는 단계의 제1 실시 예는 상기 기판 상에 접착 테이프를 부착하는 단계와; 상기 접착 테이프를 박리하여 상기 접착 테이프에 부착된 상기 패드 영역 상의 보호 절연막을 제거하는 단계와; 상기 보호 절연막이 제거된 기판 전체 또는 상기 패드 영역을 이소프로필알콜을 함유한 식각액에 침지시켜 상기 패드 영역의 유기 패턴을 제거하는 단계인 것을 특징으로 한다. 또한, 상기 노출된 패드 영역 상의 보호 절연막과 유기 패턴을 제거하는 단계는 상기 이소프로필알콜을 함유한 식각액에 침지된 상기 패드 영역에 초음파를 조사하는 단계를 추가로 포함하는 것을 특징으로 한다.The first embodiment of the step of removing the protective insulating film and the organic pattern on the exposed pad area comprises the steps of: attaching an adhesive tape on the substrate; Peeling the adhesive tape to remove the protective insulating film on the pad area attached to the adhesive tape; And dipping the whole substrate or the pad region from which the protective insulating film is removed in an etching solution containing isopropyl alcohol to remove the organic pattern of the pad region. The step of removing the protective insulating film and the organic pattern on the exposed pad region may further include irradiating the pad region immersed in the etchant containing isopropyl alcohol with ultrasonic waves.

상기 노출된 패드 영역 상의 보호 절연막과 유기 패턴을 제거하는 단계의 제2 실시 예는 상기 기판 상에 접착 테이프를 부착하는 단계와; 상기 접착 테이프를 박리하여 상기 접착 테이프에 부착된 상기 패드 영역 상의 보호 절연막을 제거하는 단계와; 상기 보호 절연막이 제거된 기판 전체 또는 상기 패드 영역을 순수물에 침지시키는 단계와; 상기 순수물에 침지된 상기 패드 영역에 초음파를 조사하여 상기 패드 영역의 유기 패턴을 제거하는 단계인 것을 특징으로 한다.A second embodiment of the step of removing the protective insulating layer and the organic pattern on the exposed pad region comprises the steps of: attaching an adhesive tape on the substrate; Peeling the adhesive tape to remove the protective insulating film on the pad area attached to the adhesive tape; Immersing the entire substrate or the pad region from which the protective insulating film has been removed in pure water; And irradiating ultrasonic waves to the pad region immersed in the pure water to remove the organic pattern of the pad region.

상기 노출된 패드 영역 상의 보호 절연막과 유기 패턴을 제거하는 단계의 제3 실시 예는 상기 기판 상에 접착 테이프를 부착하는 단계와; 상기 접착 테이프를 박리하여 상기 접착 테이프에 부착된 상기 패드 영역 상의 보호 절연막을 제거하는 단계와; 상기 보호 절연막의 제거로 노출된 상기 패드 영역의 유기 패턴에 레이저를 조사하여 상기 유기 패턴을 기화시키는 단계인 것을 특징으로 한다.A third embodiment of the step of removing the protective insulating film and the organic pattern on the exposed pad region includes attaching an adhesive tape on the substrate; Peeling the adhesive tape to remove the protective insulating film on the pad area attached to the adhesive tape; And irradiating an organic pattern of the pad region exposed by the removal of the protective insulating film to vaporize the organic pattern.

상기 패드 영역의 유기 패턴에 레이저를 조사하여 상기 유기 패턴을 기화시키는 단계는 상기 패드 영역 상에 팔각형 또는 원형으로 형성되는 패드 전극이 상기 레이저의 에너지를 흡수하며, 흡수된 에너지에 의해 상기 유기 패턴을 기화시켜 제거하는 단계인 것을 특징으로 한다.Wherein the step of vaporizing the organic pattern by irradiating the organic pattern of the pad region with a laser absorbs the energy of the laser by means of a pad electrode formed in an octagonal shape or a circular shape on the pad region, And vaporizing and removing it.

한편, 상기 접착 테이프는 상기 기판의 다수의 변 중 적어도 어느 한 변보다 돌출되게 상기 기판 상에 부착되는 것을 특징으로 한다.On the other hand, the adhesive tape is attached to the substrate so as to protrude from at least one side of a plurality of sides of the substrate.

상기 노출된 패드 영역 상의 보호 절연막과 유기 패턴을 제거하는 단계의 제4 실시 예는 상기 절단 공정 후 상기 기판 전체 또는 상기 패드 영역을 이소프로필알콜을 함유한 식각액 또는 순수물에 침지시키는 단계와; 상기 이소프로필알콜을 함유한 식각액 또는 순수물에 침지된 상기 패드 영역에 초음파를 조사하여 상기 패드 영역의 유기 패턴을 제거함과 동시에 상기 유기 패턴 상의 상기 보호 절연막을 제거하는 단계인 것을 특징으로 한다.The fourth embodiment of the step of removing the protective insulating film and the organic pattern on the exposed pad region may include the steps of immersing the entire substrate or the pad region in an etchant or pure water containing isopropyl alcohol after the cutting process; And applying ultrasonic waves to the pad region immersed in the etching solution containing the isopropyl alcohol or pure water to remove the organic pattern of the pad region and removing the protective insulating film on the organic pattern.

본 발명은 패드 영역 상에 유기 패턴을 형성한 후 보호 절연막을 전면 증착한 다음, 보호 절연막 및 유기 패턴을 순차적으로 제거한다. 이에 따라, 본 발명은 보호 절연막이 증착용 마스크없이 형성되므로 증착용 마스크로 인해 발생되는 불량없이 보호 절연막을 발광 영역에 형성할 수 있다. 또한, 본 발명은 증착용 마스크를 이용하지 않고서 보호 절연막을 형성하므로 증착용 마스크를 이용시 필수 장비인 마스크 스토커(Mask Stocker), 비젼 얼라이너(Vision Aligner) 및 마스크 프레임(Mask Frame)이 불필요해져 비용을 저감할 수 있다.In the present invention, an organic pattern is formed on a pad region, a protective insulating film is deposited on the entire surface, and then the protective insulating film and the organic pattern are sequentially removed. Accordingly, since the protective insulating film is formed without using the evaporation mask, the protective insulating film can be formed in the light emitting region without defect caused by the evaporation mask. In addition, since the present invention forms a protective insulating film without using an evaporation mask, it is unnecessary to use a mask stocker, a vision aligner, and a mask frame, which are essential equipment when using an evaporation mask, Can be reduced.

도 1은 본 발명에 따른 유기 전계 발광 표시 패널을 나타내는 단면도이다.
도 2a 내지 도 2j는 도 1에 도시된 유기 전계 발광 표시 패널의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
도 3a 및 도 3b는 도 2i에서 설명되는 보호 절연막의 제거 공정인 필-오프 공정에 이용되는 접착 필름의 실시예들을 나타내는 도면이다.
도 4a 및 도 4b는 도 2j에서 설명되는 유기 패턴의 제거 공정의 제1 실시 예를 설명하기 위한 도면이다.
도 5는 도 2j에서 설명되는 유기 패턴의 제거 공정의 제2 실시 예를 설명하기 위한 도면이다.
도 6a 및 도 6b는 도 2j에서 설명되는 유기 패턴의 제거 공정의 제3 실시 예를 설명하기 위한 도면이다.1 is a cross-sectional view showing an organic light emitting display panel according to the present invention.
2A to 2J are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing the organic light emitting display panel shown in FIG.
FIGS. 3A and 3B are views showing embodiments of the adhesive film used in the peel-off process, which is the removal process of the protective insulating film illustrated in FIG. 2I.
FIGS. 4A and 4B are views for explaining the first embodiment of the organic pattern removing process illustrated in FIG. 2J.
FIG. 5 is a view for explaining a second embodiment of the organic pattern removing process described in FIG. 2J.
FIGS. 6A and 6B are views for explaining a third embodiment of the organic pattern removing process described in FIG. 2J.

이하, 첨부된 도면 및 실시 예를 통해 본 발명의 실시 예를 구체적으로 살펴보면 다음과 같다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings and embodiments.

도 1은 본 발명에 따른 유기 전계 발광 표시 패널을 나타내는 단면도이다.1 is a cross-sectional view showing an organic light emitting display panel according to the present invention.

도 1에 도시된 유기 전계 발광 표시 패널은 발광 기판과, 발광 기판과 접착 필름(132)을 통해 합착되는 밀봉 기판(134)을 구비한다.The organic light emitting display panel shown in FIG. 1 includes a light emitting substrate and a sealing substrate 134 bonded to the light emitting substrate through an adhesive film 132.

발광 기판은 기판의 발광 영역 상에 형성되는 다수의 박막트랜지스터와, 박막트랜지스터와 접속된 발광셀과, 발광셀을 보호하도록 형성된 보호 절연막(130)을 구비한다.The light emitting substrate includes a plurality of thin film transistors formed on the light emitting region of the substrate, a light emitting cell connected to the thin film transistor, and a protective insulating film 130 formed to protect the light emitting cells.

박막 트랜지스터는 게이트 전극(106), 발광셀의 제1 전극(122)과 접속된 드레인 전극(110), 드레인 전극(110)과 마주하는 소스 전극(108), 게이트 절연막(112)을 사이에 두고 게이트 전극(106)과 중첩되게 형성되어 소스 전극(108)과 드레인 전극(110) 사이에 채널을 형성하는 활성층(114), 소스 전극(108) 및 드레인 전극(110)과의 오믹접촉을 위하여 채널부를 제외한 활성층(114) 사이에 형성된 오믹접촉층(116)을 구비한다. The thin film transistor includes a gate electrode 106, a drain electrode 110 connected to the first electrode 122 of the light emitting cell, a source electrode 108 facing the drain electrode 110, and a gate insulating film 112 interposed therebetween The source electrode 108 and the drain electrode 110 overlap the gate electrode 106 to form an ohmic contact with the active layer 114, the source electrode 108 and the drain electrode 110 which form a channel between the source electrode 108 and the drain electrode 110, And an ohmic contact layer (116) formed between the active layers (114).

이러한 박막트랜지스터 상에는 무기 절연 물질의 무기 보호막(118)과, 유기 절연물질의 유기 보호막(128)이 순차적으로 형성된다. 유기 보호막(128)은 박막트랜지스터가 형성된 기판(101)을 평탄화시키기 위해 형성되며, 무기 보호막(118)은 게이트 절연막(112), 소스 및 드레인 전극(108,110) 각각과 유기 보호막(128)과의 계면 안정성을 향상시키기 위해 형성된다.On this thin film transistor, an inorganic protective film 118 of an inorganic insulating material and an organic protective film 128 of an organic insulating material are sequentially formed. The organic protective film 128 is formed to planarize the substrate 101 on which the thin film transistor is formed and the inorganic protective film 118 is formed on the interface between the gate insulating film 112 and the source and drain electrodes 108 and 110 and the organic protective film 128 Is formed to improve stability.

발광셀은 유기 보호막(128) 위에 형성된 제1 전극(122)과, 제1 전극(122) 위에 형성된 발광층을 포함하는 유기 발광층(124)과, 유기 발광층(124) 위에 형성된 제2 전극(126)으로 구성된다. The light emitting cell includes a first electrode 122 formed on the organic protective layer 128, an organic light emitting layer 124 including a light emitting layer formed on the first electrode 122, a second electrode 126 formed on the organic light emitting layer 124, .

유기 발광층(124)은 제1 전극(122) 위에 적층된 정공 관련층, 발광층, 전자 관련층 순으로 또는 역순으로 구성된다. 이러한 유기 발광층(124)은 각 발광 영역을 구분하도록 형성된 뱅크 절연막(102)에 의해 마련된 뱅크홀(104) 내에 형성된다.The organic light emitting layer 124 is formed in the order of the hole-related layer, the light-emitting layer, and the electron-related layer stacked on the first electrode 122 in this order. The organic light emitting layer 124 is formed in the bank hole 104 formed by the bank insulating film 102 formed to separate the light emitting regions.

제1 전극(122)은 무기 보호막(118) 및 유기 보호막(128)을 관통하는 화소 컨택홀(120)을 통해 박막트랜지스터의 드레인 전극(110)과 전기적으로 접속된다. 이러한 제1 전극(122)은 알루미늄(Al) 등과 같은 불투명한 도전 물질 및 인듐 틴 옥사이드(ITO) 등과 같은 투명한 도전 물질이 적층된 구조로 형성되거나 내산성 및 내식성이 강한 불투명 금속으로 형성된다. The first electrode 122 is electrically connected to the drain electrode 110 of the thin film transistor through the inorganic contact layer 118 and the pixel contact hole 120 passing through the organic passivation layer 128. The first electrode 122 is formed of a non-transparent conductive material such as aluminum (Al) and a transparent conductive material such as indium tin oxide (ITO), or an opaque metal having a strong acid resistance and corrosion resistance.

제2 전극(126)은 유기 발광층(124) 상에 형성된다. 이러한 제2 전극(126)은 ITO등과 같은 투명한 도전 물질로 형성됨으로써 유기 발광층(124)에서 생성된 광이 제2 전극(126)을 통해 상부로 방출된다.The second electrode 126 is formed on the organic light emitting layer 124. The second electrode 126 is formed of a transparent conductive material such as ITO or the like, so that the light generated in the organic light emitting layer 124 is emitted upward through the second electrode 126.

보호 절연막(130)은 발광셀과 접착 필름(132) 사이에 형성되어 발광셀, 특히 유기 발광층(124)이 수분 또는 산소 등에 의해 손상되거나 발광특성이 저하되는 것을 방지한다. 특히, 보호 절연막(130)은 접착 필름(132)과 접촉하도록 형성되어 유기 발광 표시 패널의 측면 및 전면으로부터 수분, 수소 및 산소 등이 유입되는 것을 차단한다. 이러한 보호 절연막(130)은 SiNx 또는 SiOx 등의 무기 절연막으로 형성된다.The protective insulating film 130 is formed between the light emitting cell and the adhesive film 132 to prevent the light emitting cell, particularly the organic light emitting layer 124, from being damaged by moisture, oxygen, or the like and degrading the light emitting property. In particular, the protective insulating layer 130 is formed in contact with the adhesive film 132 to block moisture, hydrogen, oxygen, and the like from entering the side and front of the organic light emitting display panel. The protective insulating film 130 is formed of an inorganic insulating film such as SiNx or SiOx.

한편, 밀봉 기판(134)에 의해 노출되는 기판(101)의 패드 영역에는 게이트 패드(140) 및 데이터 패드(150)가 형성된다.The gate pad 140 and the data pad 150 are formed on the pad region of the substrate 101 exposed by the sealing substrate 134. [

게이트 패드(140)는 게이트 구동 집적 회로로부터의 구동 신호를 게이트 라인에 공급하도록 게이트 구동 집적 회로 및 게이트 라인과 접속된다. 이를 위해, 게이트 패드(140)는 게이트 라인으로부터 연장되는 게이트 패드 하부 전극(142)과, 게이트 패드 하부 전극(142) 위에 형성되며, 게이트 패드 하부 전극(142)과 접속된 게이트 패드 상부전극(146)으로 구성된다. 여기서, 게이트 패드 상부 전극(146)은 게이트 절연막(112), 무기 보호막(118) 및 유기 보호막(128)을 관통하는 게이트 컨택홀(144)을 통해 게이트 패드 하부 전극(142)과 접속된다.The gate pad 140 is connected to the gate drive integrated circuit and the gate line to supply a drive signal from the gate drive integrated circuit to the gate line. The gate pad 140 includes a gate pad lower electrode 142 extending from the gate line and a gate pad upper electrode 146 formed on the gate pad lower electrode 142 and connected to the gate pad lower electrode 142 ). The gate pad upper electrode 146 is connected to the gate pad lower electrode 142 through a gate contact hole 144 passing through the gate insulating film 112, the inorganic protective film 118 and the organic passivation film 128.

데이터 패드(150)는 데이터 구동 집적 회로로부터의 구동 신호를 데이터 라인에 공급하도록 데이터 구동 집적 회로 및 데이터 라인과 접속된다. 이를 위해, 데이터 패드(150)는 데이터 라인(104)으로부터 연장되는 데이터 패드 하부 전극(152)과, 데이터 패드 하부 전극(152) 위에 형성되며 데이터 패드 하부 전극(152)과 접속된 데이터 패드 상부전극(156)으로 구성된다. 여기서, 데이터 패드 상부 전극(156)은 유기 보호막(128) 및 무기 보호막(118)을 관통하는 데이터 컨택홀(154)을 통해 데이터 패드 하부 전극(152)과 접속된다. The data pad 150 is connected to the data driving integrated circuit and the data line to supply a driving signal from the data driving integrated circuit to the data line. The data pad 150 includes a data pad lower electrode 152 extending from the data line 104 and a data pad upper electrode 152 formed on the data pad lower electrode 152 and connected to the data pad lower electrode 152. [ (156). The data pad upper electrode 156 is connected to the data pad lower electrode 152 through a data contact hole 154 passing through the organic protective film 128 and the inorganic protective film 118.

밀봉 기판(134)은 그 밀봉 기판(134)의 배면에 형성되는 접착 필름(132)을 통해 박막트랜지스터, 발광셀 및 보호 절연막(136)을 구비하는 발광 기판과 합착되어 발광셀을 밀봉한다. 이에 따라, 밀봉 기판(134)은 그 밀봉 기판(134)으로 유입되는 외부의 수분이나 산소의 침투를 차단한다. 또한, 밀봉 기판(134)의 배면과 발광 기판의 전면 사이에 접착 필름(132)이 형성됨으로써 발광 기판과 밀봉 기판(134) 사이의 공간이 접착 필름(132)으로 충진된다. 이에 따라, 접착 필름(132)은 외부로부터의 충격을 흡수함으로써 본 발명에 따른 유기 전계 발광 표시 패널은 외부의 충격에도 견고히 견딜 수 있어 강성이 향상된다.The sealing substrate 134 is bonded to the light emitting substrate including the thin film transistor, the light emitting cell, and the protective insulating film 136 through the adhesive film 132 formed on the back surface of the sealing substrate 134 to seal the light emitting cells. Accordingly, the sealing substrate 134 blocks the penetration of moisture or oxygen that is introduced into the sealing substrate 134 from the outside. The adhesive film 132 is formed between the back surface of the sealing substrate 134 and the front surface of the light emitting substrate so that the space between the light emitting substrate and the sealing substrate 134 is filled with the adhesive film 132. Accordingly, since the adhesive film 132 absorbs external impacts, the organic light emitting display panel according to the present invention can withstand external impacts, thereby improving rigidity.

도 2a 내지 도 2j는 도 1에 도시된 유기 전계 발광 표시 소자의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.2A to 2J are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing the organic light emitting display device shown in FIG.

도 2a를 참조하면, 기판(101) 상에 게이트 전극(106), 게이트 패드 하부 전극(142)을 포함하는 게이트 패턴과; 게이트 절연막(112); 반도체 패턴(114,116); 소스 전극(108) 및 드레인 전극(110)과 데이터 패드 하부 전극(152)을 포함하는 데이터 패턴이 순차적으로 형성된다.Referring to FIG. 2A, a gate pattern including a gate electrode 106 and a gate pad lower electrode 142 on a substrate 101; A gate insulating film 112; Semiconductor patterns 114 and 116; A data pattern including the source electrode 108 and the drain electrode 110 and the data pad lower electrode 152 is sequentially formed.

구체적으로, 기판(101) 상에 스퍼터링 방법 등의 증착 방법을 통해 게이트 금속층이 순차적으로 형성된다. 여기서, 게이트 금속층은 알루미늄계 금속(Al, AlNd), 구리(Cu), 티타늄(Ti), 몰리브덴(Mo), 텅스텐(W)등과 같은 금속으로 형성된다. 이어서, 포토리소그래피 공정 및 식각 공정으로 게이트 금속층이 패터닝됨으로써 게이트 전극(106) 및 게이트 패드 하부 전극(142)을 포함하는 게이트 패턴이 형성된다. Specifically, a gate metal layer is sequentially formed on the substrate 101 through a deposition method such as a sputtering method. Here, the gate metal layer is formed of a metal such as an aluminum-based metal (Al, AlNd), copper (Cu), titanium (Ti), molybdenum (Mo), tungsten (W) Then, the gate metal layer is patterned by a photolithography process and an etching process to form a gate pattern including the gate electrode 106 and the gate pad lower electrode 142.

그런 다음, 게이트 패턴이 형성된 기판(101) 상에 산화 실리콘(SiOx) 또는 질화 실리콘(SiNx) 등의 무기 절연 물질이 전면 형성됨으로써 게이트 절연막(112)이 형성된다. 그런 다음, 게이트 절연막(112)이 형성된 기판(101) 상에 비정질 실리콘층 및 불순물(n+ 또는 p+)이 도핑된 비정질 실리콘층이 순차적으로 형성된다. 이어서, 포토리소그래피 공정 및 식각 공정으로 비정질 실리콘층 및 불순물(n+ 또는 p+)이 도핑된 비정질 실리콘층이 패터닝됨으로써 활성층(114) 및 오믹 접촉층(116)을 포함하는 반도체 패턴이 형성된다.Then, an inorganic insulating material such as silicon oxide (SiO x) or silicon nitride (SiN x) is formed on the entire surface of the substrate 101 on which the gate pattern is formed, thereby forming the gate insulating film 112. Then, an amorphous silicon layer and an amorphous silicon layer doped with an impurity (n + or p +) are sequentially formed on the substrate 101 on which the gate insulating film 112 is formed. Subsequently, a semiconductor pattern including the active layer 114 and the ohmic contact layer 116 is formed by patterning the amorphous silicon layer doped with the amorphous silicon layer and the impurity (n + or p +) by a photolithography process and an etching process.

그런 다음, 반도체 패턴이 형성된 기판(101) 상에 스퍼터링 방법 등의 증착 방법을 통해 데이터 금속층이 순차적으로 형성된다. 여기서, 데이터 금속층으로는 티타늄(Ti), 텅스텐(W), 알루미늄(Al)계 금속, 몰리브덴(Mo), 구리(Cu) 등이 이용된다. 이어서, 포토리소그래피 공정 및 식각 공정으로 데이터 금속층이 패터닝됨으로써 소스 전극(108) 및 드레인 전극(110)과 데이터 패드 하부 전극(152)을 포함하는 데이터 패턴이 형성된다. 그런 다음, 소스 전극(108) 및 드레인 전극(110)을 마스크로 이들(108,110) 사이에 위치하는 오믹접촉층(116)이 제거됨으로써 활성층(114)이 노출된다.Then, a data metal layer is sequentially formed on the substrate 101 on which the semiconductor pattern is formed through a deposition method such as a sputtering method. Here, as the data metal layer, titanium (Ti), tungsten (W), aluminum (Al) metal, molybdenum (Mo), copper (Cu) and the like are used. Then, the data metal layer is patterned by a photolithography process and an etching process to form a data pattern including the source electrode 108 and the drain electrode 110 and the data pad lower electrode 152. Then, the active layer 114 is exposed by removing the ohmic contact layer 116 located between the source electrode 108 and the drain electrode 110 as a mask.

전술한 바와 같이 반도체 패턴(114,116)과; 데이터 패턴 각각은 개별적으로 형성되므로 이들을 형성하기 위해서는 2개의 마스크가 필요하다. 이외에도 마스크수를 줄이기 위해 반도체 패턴; 데이터 패턴은 회절 마스크 또는 반투과 마스크 또는 회절 마스크를 이용하여 한 번의 마스크 공정을 통해, 즉 동시에 형성가능하다.Semiconductor patterns 114 and 116 as described above; Since each data pattern is formed separately, two masks are required to form them. In addition, semiconductor patterns to reduce the number of masks; The data pattern can be formed through a single mask process, i.e., simultaneously, using a diffractive mask or a semi-permeable mask or a diffractive mask.

도 2b를 참조하면, 데이터 패턴이 형성된 기판(101) 상에 화소 컨택홀(120), 게이트 컨택홀(144) 및 데이터 컨택홀(154)을 가지는 무기 보호막(118) 및 유기 보호막(128)이 형성된다. 2B, an inorganic protective film 118 and an organic protective film 128 having a pixel contact hole 120, a gate contact hole 144, and a data contact hole 154 are formed on a substrate 101 on which a data pattern is formed, .

구체적으로, 데이터 패턴이 형성된 기판(101) 상에 산화 실리콘(SiOx) 또는 질화 실리콘(SiNx) 등의 무기 절연 물질이 전면 형성됨으로써 무기 보호막(118)이 형성된다. 그런 다음, 무기 보호막(118) 상에 아크릴계 수지와 같은 유기 절연 물질이 전면 형성됨으로써 유기 보호막(128)이 형성된다. 그런 다음, 포토리소그래피 공정 및 식각 공정으로 무기 보호막(118) 및 유기 보호막(128)이 패터닝됨으로써 화소 컨택홀(120)과 게이트 컨택홀(144) 및 데이터 컨택홀(154)이 형성된다. 화소 컨택홀(120)은 무기 보호막(118) 및 유기 보호막(128)을 관통하여 드레인 전극(110)을 노출시킨다. 데이터 컨택홀(154)은 무기 보호막(118) 및 유기 보호막(128)을 관통하여 데이터 패드 하부 전극(152)을 노출시킨다. 게이트 컨택홀(144)은 게이트 절연막(112), 무기 보호막(118) 및 유기 보호막(128)을 관통하여 게이트 패드 하부 전극(142)을 노출시킨다.Specifically, an inorganic insulating material such as silicon oxide (SiO x) or silicon nitride (SiN x) is formed on the entire surface of the substrate 101 on which the data pattern is formed, thereby forming the inorganic protective film 118. Then, an organic insulating material such as an acrylic resin is formed on the inorganic protective film 118, thereby forming the organic protective film 128. Then, the inorganic protective film 118 and the organic protective film 128 are patterned by the photolithography process and the etching process, thereby forming the pixel contact hole 120, the gate contact hole 144, and the data contact hole 154. The pixel contact hole 120 exposes the drain electrode 110 through the inorganic protective layer 118 and the organic passivation layer 128. The data contact hole 154 exposes the data pad lower electrode 152 through the inorganic protective film 118 and the organic protective film 128. The gate contact hole 144 exposes the gate pad lower electrode 142 through the gate insulating film 112, the inorganic protective film 118 and the organic passivation film 128.

도 2c를 참조하면, 유기 보호막(128)이 형성된 기판(101) 상에 제1 전극(122), 게이트 패드 상부 전극(146) 및 데이터 패드 상부 전극(156)이 형성된다. Referring to FIG. 2C, a first electrode 122, a gate pad upper electrode 146, and a data pad upper electrode 156 are formed on a substrate 101 on which an organic passivation layer 128 is formed.

구체적으로, 유기 보호막(128)이 형성된 기판(101) 상에 스퍼터링 방법 등의 증착 방법을 통해 반사율이 높고 내산성이 강한 불투명 도전층이 형성되거나 반사율이 높은 불투명 도전층과 내산성이 강한 투명 도전층이 적층되게 형성된다. 이어서, 포토리소그래피 공정 및 식각 공정을 통해 도전층이 패터닝됨으로써 제1 전극(122), 게이트 패드 상부 전극(146) 및 데이터 패드 상부 전극(156)이 형성된다. Specifically, an opaque conductive layer having high reflectance and high resistance to acid resistance is formed on the substrate 101 on which the organic protective layer 128 is formed by a deposition method such as a sputtering method, or a transparent conductive layer having high resistance to oxidation and a high- Respectively. Then, the first electrode 122, the gate pad upper electrode 146, and the data pad upper electrode 156 are formed by patterning the conductive layer through the photolithography process and the etching process.

도 2d를 참조하면, 제1 전극(122)이 형성된 기판(101) 상에 뱅크홀(104)을 가지는 뱅크 절연막(102)이 형성됨과 동시에 게이트 패드(140) 및 데이터 패드(150) 상에 유기 패턴(148)이 형성된다. 2D, a bank insulating layer 102 having a bank hole 104 is formed on a substrate 101 on which a first electrode 122 is formed, and a bank insulating layer 102 is formed on the gate pad 140 and the data pad 150, A pattern 148 is formed.

구체적으로, 제1 전극(122)이 형성된 기판(101) 상에 아크릴계 수지와 같은 유기 절연 물질이 전면 형성된 다음, 포토리소그래피 공정 및 식각 공정 또는 포토리소그래피 공정만으로 패터닝됨으로써 뱅크홀(104)을 가지는 뱅크 절연막(102)이 형성됨과 동시에 유기 패턴(148)이 형성된다. 뱅크홀(104)은 각 화소 영역의 뱅크 절연막(102)을 관통하여 제1 전극(122)을 노출시킨다. 뱅크 절연막(102)은 서로 다른 색을 구현하는 각 발광셀을 구분하도록 형성되며, 유기 패턴(148)은 게이트 패드 상부 전극(146) 및 데이터 패드 상부 전극(156)을 덮도록 형성된다. 이 때, 발광 영역에 형성된 뱅크 절연막(102)은 게이트 패드 상부 전극(146) 및 데이터 패드 상부 전극(156)을 덮도록 형성된 유기 패턴(148)과 서로 분리되도록 형성된다.An organic insulating material such as an acrylic resin is formed on the entire surface of the substrate 101 on which the first electrode 122 is formed and then patterned by a photolithography process or an etching process or a photolithography process to form a bank having a bank hole 104, The insulating film 102 is formed and the organic pattern 148 is formed. The bank hole 104 penetrates the bank insulating film 102 of each pixel region to expose the first electrode 122. The bank insulating layer 102 is formed to separate each light emitting cell that emits different colors and the organic pattern 148 is formed to cover the gate pad upper electrode 146 and the data pad upper electrode 156. At this time, the bank insulating film 102 formed in the light emitting region is formed to be separated from the organic pattern 148 formed to cover the gate pad upper electrode 146 and the data pad upper electrode 156.

도 2e를 참조하면, 뱅크 절연막(102) 및 유기 패턴(148)이 형성된 기판(101) 상에 유기발광층(124)이 형성된다.Referring to FIG. 2E, an organic light emitting layer 124 is formed on a substrate 101 on which a bank insulating film 102 and an organic pattern 148 are formed.

구체적으로, 뱅크 절연막(102)에 의해 노출된 제1 전극(122) 상에는 전자 관련층, 발광층, 정공 관련층이 포함된 유기 발광층(124)이 열증착 방법, 스퍼터링 방법 또는 그의 조합 방법으로 순차적으로 형성된다. Specifically, an organic emission layer 124 including an electron-related layer, a light-emitting layer, and a hole-related layer is sequentially formed on the first electrode 122 exposed by the bank insulating film 102 by a thermal deposition method, a sputtering method, .

도 2f를 참조하면, 유기 발광층(124)이 형성된 기판(101) 상에 제2 전극(126)이 형성된다.Referring to FIG. 2F, a second electrode 126 is formed on a substrate 101 on which an organic light emitting layer 124 is formed.

구체적으로, 유기 발광층(124)이 형성된 기판(101) 상에 투명 도전막이 도포됨으로써 제2 전극(126)이 형성된다. 투명 도전막으로는 인듐 주석 산화물(Indium Tin Oxide : ITO)이나 주석 산화물(Tin Oxide : TO), 인듐 아연 산화물(Indium Zinc Oxide : IZO), SnO2 , 아몰퍼스-인듐 주석 산화물(a-ITO)등이 이용된다.Specifically, the second electrode 126 is formed by applying a transparent conductive film on the substrate 101 on which the organic light emitting layer 124 is formed. As the transparent conductive film, indium tin oxide (ITO), tin oxide (TO), indium zinc oxide (IZO), SnO 2 , amorphous-indium tin oxide (a-ITO) .

도 2g를 참조하면, 제2 전극(126)이 형성된 기판(101) 상에 산화 실리콘 또는 질화실리콘이 전면 증착됨으로써 보호 절연막(130)이 형성된다. 이 때, 보호 절연막(130)은 증착용 마스크 없이 전면 증착됨으로써 발광 영역뿐만 아니라 게이트 패드(140) 및 데이터 패드(150)가 위치하는 패드 영역에도 형성된다. 그런 다음, 보호 절연막(130) 전면 또는 밀봉 기판(134) 배면에 접착 필름(132)이 도포된 다음, 접착 필름(132)을 통해 발광셀이 형성된 발광 기판과 밀봉 기판(134)은 합착된다. Referring to FIG. 2G, the protective insulating layer 130 is formed by completely depositing silicon oxide or silicon nitride on the substrate 101 on which the second electrode 126 is formed. At this time, the protective insulating layer 130 is formed on the pad region where the gate pad 140 and the data pad 150 are located as well as the light emitting region by being deposited on the entire surface without depositing a mask. The adhesive film 132 is applied to the front surface of the protective insulating film 130 or the back surface of the sealing substrate 134 and then the light emitting substrate on which the light emitting cells are formed through the adhesive film 132 and the sealing substrate 134 are bonded together.

도 2h를 참조하면, 합착된 밀봉 기판(134)과 발광 기판을 다수개의 발광 패널로 분리한다. 구체적으로, 합착된 밀봉 기판(134)과 발광 기판 각각을 스크라이브 라인을 따라 절단함으로써 다수개의 발광 패널로 분리된다. 이러한 절단 공정 후 밀봉 기판(134)을 통해 각 발광 패널의 게이트 패드(140) 및 데이터 패드(150)가 형성된 패드 영역이 외부로 노출된다.Referring to FIG. 2H, the sealing substrate 134 and the light-emitting substrate are separated into a plurality of light-emitting panels. Specifically, the sealing substrate 134 and the light-emitting substrate are separated along a scribe line to separate them into a plurality of light-emitting panels. After the cutting process, the pad region formed with the gate pad 140 and the data pad 150 of each light emitting panel is exposed to the outside through the sealing substrate 134.

도 2i를 참조하면, 게이트 패드(140) 및 데이터 패드(150)가 형성된 패드 영역에 위치하는 보호 절연막(130)이 필-오프(Peel-Off) 공정을 통해 제거된다. 구체적으로, 밀봉 기판(134)에 의해 노출된 패드 영역에 형성된 보호 절연막(130)을 덮도록 도 3a 또는 도 3b에 도시된 바와 같이 접착 테이프(160)가 부착된다. 이 때, 도 3a에 도시된 접착 테이프(160)는 발광셀이 형성된 기판(101)보다 넓은 면적으로 합착된 밀봉 기판(134) 및 발광셀이 형성된 기판(101)을 덮도록 형성되며, 도 3b에 도시된 접착 테이프(160)는 밀봉 기판(134)을 노출시키는 개구부(162)를 가지며, 밀봉 기판(134)에 의해 노출된 기판(101)보다 넓은 면적을 가지도록 형성된다. 도 3a 및 도 3b에 도시된 접착 테이프(160)는 폴리에틸렌테레프탈레이트(polyethylene terephthalate;PET) 또는 폴리이미드(Polyimide) 등으로 형성된 베이스 필름과; 베이스 필름 상에 실리콘(Silicone) 및 아크릴(Acrylic) 중 적어도 어느 하나로 형성되는 접착층으로 이루어지며, 50fg/in 이상의 박리 강도(Peel Strength)를 가진다. 또한, 도 3a 및 도 3b에 도시된 접착 테이프(160)는 발광셀이 형성된 기판(101)보다 넓은 면적으로 형성되어 발광셀이 형성된 기판(101)의 다수의 변 중 적어도 어느 한 변보다 돌출되게 형성된다. 이에 따라, 접착 테이프(160)의 박리 공정시 돌출된 부분이 박리 공정의 개시점으로 이용되므로 박리 공정이 용이해진다.Referring to FIG. 2I, the protective insulating layer 130 located in the pad region where the gate pad 140 and the data pad 150 are formed is removed through a peel-off process. Specifically, the adhesive tape 160 is attached as shown in FIG. 3A or 3B so as to cover the protective insulating film 130 formed in the pad region exposed by the sealing substrate 134. The adhesive tape 160 shown in FIG. 3A is formed to cover the sealing substrate 134 and the substrate 101 on which the light emitting cells are formed, bonded together in a larger area than the substrate 101 on which the light emitting cells are formed, The adhesive tape 160 shown in the figure has an opening portion 162 for exposing the sealing substrate 134 and is formed to have a larger area than the substrate 101 exposed by the sealing substrate 134. [ The adhesive tape 160 shown in FIGS. 3A and 3B includes: a base film formed of polyethylene terephthalate (PET) or polyimide; And an adhesive layer formed on the base film with at least one of silicon (Silicone) and acrylic (Acrylic), and has a peel strength of 50 fg / in or more. The adhesive tape 160 shown in FIGS. 3A and 3B is formed to have a larger area than the substrate 101 on which the light emitting cells are formed, so that the adhesive tape 160 protrudes from at least one side of the plurality of sides of the substrate 101, . Accordingly, since the protruded portion of the adhesive tape 160 during the peeling process is used as the starting point of the peeling process, the peeling process is facilitated.

이러한 접착 테이프(160)의 박리시 접착 테이프(160)에 접착된 보호 절연막(130)도 유기 패턴(148)과 분리된다. 이 때, 무기 절연 물질인 보호 절연막(130)과 유기 절연 물질인 유기 패턴(148) 간의 접착력은 게이트 패드 상부 전극(146) 및 데이터 패드 상부 전극(156)이 형성된 유기 보호막(128)과 유기 패턴(148) 간의 접착력보다 상대적으로 약해 보호 절연막(130)만이 필-오프 공정을 통해 제거된다.The protective insulating film 130 adhered to the adhesive tape 160 is also separated from the organic pattern 148 when the adhesive tape 160 is peeled off. At this time, the adhesive force between the protective insulating film 130, which is an inorganic insulating material, and the organic pattern 148, which is an organic insulating material, is lower than the adhesive strength between the organic passivation layer 128 on which the gate pad upper electrode 146 and the data pad upper electrode 156 are formed, (148), so that only the protective insulating film (130) is removed through the peel-off process.

도 2j를 참조하면, 게이트 패드(140) 및 데이터 패드(150) 상부에 위치하는 유기 패턴(148)이 도 4a 내지 도 6b 중 어느 하나에 도시된 공정을 통해 제거됨으로써 게이트 패드(140) 및 데이터 패드(150)가 외부로 노출된다.Referring to FIG. 2J, the gate pad 140 and the organic pattern 148 located on the data pad 150 are removed through the process shown in any one of FIGS. 4A to 6B, The pad 150 is exposed to the outside.

구체적으로, 도 4a에 도시된 바와 같이 게이트 패드(140) 및 데이터 패드(150)가 형성된 패드 영역만을 또는 유기 발광 패널 전체를 식각액에 수분~수십분 이상, 예를 들어 6분~15분 정도 침지시킨다. 이 때, 식각액은 이소프로필알콜(Iso Propyl Alcohol; IPA)이 함유된 용액을 이용된다. 이에 따라, 밀봉 기판(134)을 마스크로 이용한 식각 공정을 통해 게이트 패드(140) 및 데이터 패드(150) 상부의 유기 패턴(148)이 식각액에 의해 분해되어 제거되므로 게이트 패드 상부 전극(146) 및 데이터 패드 상부 전극(156)이 외부로 노출된다. 한편, 식각액을 이용하여 유기 패턴(148)을 제거하는 것 이외에도 공정 시간을 단축시키기 위해 도 4b에 도시된 바와 같이 패드 영역을 식각액에 침지시킨 후 패드 영역에 40kHz~50kHz 및 50W~60W의 초음파를 조사하여 유기 패턴(148)을 제거할 수 있다.Specifically, as shown in FIG. 4A, only the pad region where the gate pad 140 and the data pad 150 are formed or the entire organic light emitting panel is immersed in the etching solution for several minutes to several tens of minutes, for example, about 6 minutes to 15 minutes . At this time, the etching solution is a solution containing isopropyl alcohol (IPA). The gate pad 140 and the organic pattern 148 on the data pad 150 are decomposed and removed by the etchant through the etching process using the sealing substrate 134 as a mask, The data pad upper electrode 156 is exposed to the outside. 4B, in order to shorten the process time, the pad region is immersed in an etchant, and ultrasonic waves of 40 kHz to 50 kHz and 50 W to 60 W are applied to the pad region So that the organic pattern 148 can be removed.

또는 도 5에 도시된 바와 같이 게이트 패드(140) 및 데이터 패드(150)가 형성된 패드 영역만을 순수물(DeIonized water; DI)에 침지시키거나 밀봉 기판과 발광 기판이 합착된 유기 발광 패널 전체를 순수물에 침지시킨다. 그런 다음, 순수물에 침지된 패드 영역에 40kHz~50kHz 및 50W~60W의 초음파를 조사함으로써 게이트 패드(140) 및 데이터 패드(150) 상부의 유기 패턴(148)은 게이트 패드 상부 전극(146) 및 데이터 패드 상부 전극(156)으로부터 분리된다. 한편, 순수물과 초음파를 이용한 유기 패턴(148)의 제거 공정은 도 4에 도시된 IPA를 이용한 유기 패턴(148)의 제거 공정에 비해 대기 환경 및 작업자에 유해하지 않다.5, only the pad region where the gate pad 140 and the data pad 150 are formed is immersed in deionized water (DI), or the entire organic light emitting panel in which the sealing substrate and the light emitting substrate are bonded together is immersed in pure water Immerse in water. The organic pattern 148 on the gate pad 140 and the data pad 150 is then applied to the gate pad upper electrode 146 and the gate pad upper electrode 146 by irradiating ultrasound waves of 40 kHz to 50 kHz and 50 W to 60 W to the pad area immersed in pure water. And is separated from the data pad upper electrode 156. Meanwhile, the removal process of the organic pattern 148 using pure water and ultrasonic waves is not harmful to the atmospheric environment and the operator as compared with the process of removing the organic pattern 148 using the IPA shown in FIG.

한편, 도 2h에 도시된 절단 공정 후 게이트 패드(140) 및 데이터 패드(150)가 형성된 패드 영역을 이소프로필알콜(Iso Propyl Alcohol; IPA)이 함유된 식각액 또는 순수물에 침지시킨 후 초음파를 조사하게 되면, 유기 패턴(148)이 게이트 패드 상부 전극(146) 및 데이터 패드 상부 전극(156)으로부터 제거됨으로써 유기 패턴(148) 상의 보호절연막(130)도 함께 제거 가능하다. 이에 따라, 게이트 패드(140) 및 데이터 패드(150) 상부에 위치하는 보호 절연막(130)을 제거하기 위한 필-오프 공정없이 식각액 또는 순수물과, 초음파를 이용하여 게이트 패드(140) 및 데이터 패드(150) 상부에 위치하는 보호 절연막(130) 및 유기 패턴(148)을 동시에 제거할 수 있다.After the cutting process shown in FIG. 2H, the pad region where the gate pad 140 and the data pad 150 are formed is immersed in an etchant or pure water containing isopropyl alcohol (IPA) The organic pattern 148 is removed from the gate pad upper electrode 146 and the data pad upper electrode 156 so that the protective insulating layer 130 on the organic pattern 148 can be removed together. The gate pad 140 and the data pad 150 can be etched by using an etchant or pure water and an ultrasonic wave without a peel-off process for removing the protective insulating layer 130 located above the gate pad 140 and the data pad 150. [ The protective insulating layer 130 and the organic pattern 148 located on the insulating layer 150 can be simultaneously removed.

또는 도 6a에 도시된 단파장의 다이오드 레이저 조사 장치(166)를 이용한 순차 조사 또는 도 6b에 도시된 레이저 조사 장치(166)를 이용한 일괄 조사에 의해 밀봉 기판(134)에 의해 노출된 패드 영역에 위치하는 유기 패턴(148)이 제거된다. 구체적으로, 단파장의 리니어 레이저(Linear Laser) 또는 단파장의 스폿 레이저(Spot Laser)를 패드 영역의 게이트 패드(140)에 조사하면, 유기 패턴(148) 하부에 위치하는 게이트 패드 하부 전극(142) 및 게이트 패드 상부 전극(146) 중 적어도 어느 하나는 불투명 재질로 형성되므로 조사되는 레이저의 에너지 일부를 흡수하게 된다. 이에 따라, 흡수된 에너지에 의해 게이트 패드 상부 전극(146) 상에 위치하는 유기 물질인 유기 패턴(148)이 기화되어 제거된다. 마찬가지로, 패드 영역의 데이터 패드(150)에 레이저를 조사하면, 유기 패턴(148) 하부에 위치하는 데이터 패드 하부 전극(152) 및 데이터 패드 상부 전극(156) 중 적어도 어느 하나는 불투명 재질로 형성되므로 조사되는 레이저의 에너지 일부를 흡수하게 된다. 이에 따라, 흡수된 에너지에 의해 데이터 패드 상부 전극(156) 상에 위치하는 유기물질인 유기 패턴(148)이 기화되어 제거된다.6A or by batch irradiation using the laser irradiation device 166 shown in FIG. 6B, or by a batch irradiation using the laser irradiation device 166 shown in FIG. 6B in the pad region exposed by the sealing substrate 134 The organic pattern 148 is removed. Specifically, when a short wavelength linear laser or a short wavelength spot laser is applied to the gate pad 140 of the pad region, the gate pad lower electrode 142 and the gate pad lower electrode 142 located below the organic pattern 148 At least one of the gate pad upper electrodes 146 is formed of an opaque material and absorbs a part of the energy of the laser to be irradiated. Accordingly, the organic pattern 148, which is an organic substance located on the gate pad upper electrode 146, is vaporized and removed by the absorbed energy. Similarly, when a laser is applied to the data pad 150 of the pad region, at least one of the data pad lower electrode 152 and the data pad upper electrode 156 located under the organic pattern 148 is formed of an opaque material Absorbing a part of the energy of the laser to be irradiated. Accordingly, the organic pattern 148, which is an organic substance located on the data pad upper electrode 156, is vaporized and removed by the absorbed energy.

한편, 레이저 조사 장치(166)를 이용한 유기 패턴(148) 제거시, 각 패드 전극(142,152,146,156)의 중심부와 대응하는 유기 패턴(148)의 영역에 레이저를 조사한다. 이 경우, 사각형의 표면적을 가지는 각 패드 전극(142,152,146,156)의 중심부 상에 위치하는 유기 패턴(148)은 완전히 제거되는 반면에 각 패드 전극(142,152,146,156)의 중심부에서 가장 먼 꼭짓점 상에 위치하는 유기 패턴(148)이 제대로 제거되지 않는 경우가 종종 발생된다. 이를 해결하고자, 각 패드 전극(142,152,146,156)의 중심부에서부터 각 패드 전극(142,152,146,156)의 둘레까지의 거리가 동일하거나 유사해지도록 각 패드 전극(142,152,146,156)은 모서리 부분을 모따기하여 팔각형 또는 원형으로 형성된다. 이에 따라, 팔각형 또는 원형으로 형성된 패드 전극(142,152,146,156)의 중심부에서부터 각 패드 전극(142,152,146,156)의 모서리 및 꼭짓점까지의 거리가 일정해져 각 패드 전극(142,152,146,156)의 전 영역에 레이저가 균일하게 조사되므로 각 패드 전극(142,152,146,156) 상에 위치하는 유기 패턴(148)이 완전히 제거된다.On the other hand, when removing the organic pattern 148 using the laser irradiator 166, the laser is irradiated to the region of the organic pattern 148 corresponding to the center of each of the pad electrodes 142, 152, 146 and 156. In this case, the organic pattern 148 located on the center of each of the pad electrodes 142, 152, 146, 156 having a rectangular surface area is completely removed while the organic pattern 148 located on the vertex at the farthest from the center of each pad electrode 142, 152, 146, 148) are not properly removed. In order to solve this problem, the pad electrodes 142, 152, 146 and 156 are formed into an octagonal or circular shape by chamfering the corners of the pad electrodes 142, 152, 146 and 156 so that distances from the center of the pad electrodes 142, 152, 146 and 156 to the circumferences of the pad electrodes 142, Accordingly, the distance from the central portion of the pad electrodes 142, 152, 146, and 156 formed in the octagonal or circular shape to the edges and the vertexes of the pad electrodes 142, 152, 146, and 156 is uniform and the laser is uniformly irradiated to the entire area of the pad electrodes 142, 152, 146, and 156, The organic pattern 148 located on the electrodes 142, 152, 146, 156 is completely removed.

한편, 본 발명은 유기 패턴(148)의 용융점이 무기 절연 물질로 형성되는 게이트 절연막(112) 및 무기 보호막(118)의 용융점 및 패드 전극(142,152,146,156)의 용융점보다 낮기 때문에 레이저 조사시 게이트 절연막(112), 무기 보호막(118) 및 패드 전극(142,152,146,156)의 손상없이 유기 패턴(148)을 제거할 수 있다. Since the melting point of the organic pattern 148 is lower than the melting point of the gate insulating film 112 and the inorganic protective film 118 formed of an inorganic insulating material and the melting point of the pad electrodes 142,152,146 and 156, The inorganic protective film 118 and the pad electrodes 142, 152, 146, and 156 can be removed without damaging the organic pattern 148.

한편, 유기 패턴(148)이 뱅크 절연막(102)과 동일 재질로 동시에 형성되는 것을 예로 들어 설명하였지만, 이외에도 유기 패턴(148)이 적색을 구현하는 유기 발광층, 녹색을 구현하는 유기 발광층 및 청색을 구현하는 유기 발광층 중 적어도 어느 하나의 유기 발광층(124)과 동일 재질로 동시에 형성될 수도 있다.Although the organic pattern 148 is formed using the same material as the bank insulating layer 102, the organic pattern 148 may include an organic light emitting layer that emits red light, an organic light emitting layer that emits green light, and a blue light emitting layer The organic emission layer 124 may be formed of the same material.

이상에서 설명한 본 발명은 상술한 실시 예 및 첨부된 도면에 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것이 본 발명이 속하는 기술분야에서 종래의 지식을 가진 자에게 있어 명백할 것이다.It will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations can be made in the present invention without departing from the spirit or scope of the invention. Will be clear to those who have knowledge of.

124 : 유기 발광층 130 : 보호 절연막
140 : 게이트 패드 148 : 유기 패턴
150 : 데이터 패드 166 : 레이저 조사 장치124: organic light emitting layer 130: protective insulating film
140: gate pad 148: organic pattern
150: Data pad 166: Laser irradiation device

Claims (9)

발광 영역과 패드 영역을 가지는 기판을 마련하는 단계와;
상기 발광 영역에 발광셀을 형성함과 동시에 상기 패드 영역에 유기 패턴을 형성하는 단계와;
상기 기판 전면에 보호 절연막을 형성하는 단계와;
상기 발광 영역과 대응하는 영역에 형성되는 접착 필름을 이용하여 상기 보호 절연막이 형성된 기판과 밀봉 기판을 합착하는 단계와;
상기 합착된 상기 보호 절연막이 형성된 기판과 밀봉 기판을 절단하여 다수의 단위 패널로 분리하여 상기 패드 영역을 노출시키는 단계와;
상기 노출된 패드 영역 상의 보호 절연막과 유기 패턴을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시 패널의 제조 방법.Providing a substrate having a light emitting region and a pad region;
Forming a light emitting cell in the light emitting region and forming an organic pattern in the pad region;
Forming a protective insulating film on the entire surface of the substrate;
Attaching the substrate on which the protective insulating film is formed and the sealing substrate using an adhesive film formed in a region corresponding to the light emitting region;
Exposing the pad region by cutting the substrate on which the protective insulating film is formed and the sealing substrate into a plurality of unit panels;
And removing the protective insulating layer and the organic pattern on the exposed pad region. 제 1 항에 있어서,
상기 발광 영역에 발광셀 및 유기 패턴을 형성하는 단계는
상기 발광셀의 유기 발광층 및 상기 유기 발광층을 셀별로 구분하는 뱅크 절연막 중 적어도 어느 하나와 상기 유기 패턴을 동일 재질로 동시에 형성하는 단계를 포함하며,
상기 유기 패턴은 상기 동시에 형성되는 유기 발광층 및 상기 뱅크 절연막 중 적어도 어느 하나와 분리되는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시 패널의 제조 방법.The method according to claim 1,
The step of forming a light emitting cell and an organic pattern in the light emitting region
And simultaneously forming the organic pattern and at least one of the organic light emitting layer of the light emitting cell and the bank insulating layer separating the organic light emitting layer by the same material,
Wherein the organic pattern is separated from at least one of the simultaneously formed organic light emitting layer and the bank insulating layer. 제 1 항에 있어서,
상기 노출된 패드 영역 상의 보호 절연막과 유기 패턴을 제거하는 단계는
상기 기판 상에 접착 테이프를 부착하는 단계와;
상기 접착 테이프를 박리하여 상기 접착 테이프에 부착된 상기 패드 영역 상의 보호 절연막을 제거하는 단계와;
상기 보호 절연막이 제거된 기판 전체 또는 상기 패드 영역을 이소프로필알콜을 함유한 식각액에 침지시켜 상기 패드 영역의 유기 패턴을 제거하는 단계인 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시 패널의 제조 방법.The method according to claim 1,
The step of removing the protective insulating layer and the organic pattern on the exposed pad region
Attaching an adhesive tape on the substrate;
Peeling the adhesive tape to remove the protective insulating film on the pad area attached to the adhesive tape;
And removing the organic pattern of the pad region by immersing the whole substrate or the pad region from which the protective insulating film is removed in an etchant containing isopropyl alcohol. 제 3 항에 있어서,
상기 노출된 패드 영역 상의 보호 절연막과 유기 패턴을 제거하는 단계는
상기 이소프로필알콜을 함유한 식각액에 침지된 상기 패드 영역에 초음파를 조사하는 단계를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시 패널의 제조 방법.The method of claim 3,
The step of removing the protective insulating layer and the organic pattern on the exposed pad region
Further comprising the step of irradiating ultrasonic waves to the pad region immersed in the etchant containing isopropyl alcohol. ≪ RTI ID = 0.0 > 11. < / RTI > 제 1 항에 있어서,
상기 노출된 패드 영역 상의 보호 절연막과 유기 패턴을 제거하는 단계는
상기 기판 상에 접착 테이프를 부착하는 단계와;
상기 접착 테이프를 박리하여 상기 접착 테이프에 부착된 상기 패드 영역 상의 보호 절연막을 제거하는 단계와;
상기 보호 절연막이 제거된 기판 전체 또는 상기 패드 영역을 순수물에 침지시키는 단계와;
상기 순수물에 침지된 상기 패드 영역에 초음파를 조사하여 상기 패드 영역의 유기 패턴을 제거하는 단계인 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시 패널의 제조 방법.The method according to claim 1,
The step of removing the protective insulating layer and the organic pattern on the exposed pad region
Attaching an adhesive tape on the substrate;
Peeling the adhesive tape to remove the protective insulating film on the pad area attached to the adhesive tape;
Immersing the entire substrate or the pad region from which the protective insulating film has been removed in pure water;
And irradiating ultrasound to the pad region immersed in the pure water to remove the organic pattern of the pad region. 제 1 항에 있어서,
상기 노출된 패드 영역 상의 보호 절연막과 유기 패턴을 제거하는 단계는
상기 기판 상에 접착 테이프를 부착하는 단계와;
상기 접착 테이프를 박리하여 상기 접착 테이프에 부착된 상기 패드 영역 상의 보호 절연막을 제거하는 단계와;
상기 보호 절연막의 제거로 노출된 상기 패드 영역의 유기 패턴에 레이저를 조사하여 상기 유기 패턴을 기화시키는 단계인 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시 패널의 제조 방법.The method according to claim 1,
The step of removing the protective insulating layer and the organic pattern on the exposed pad region
Attaching an adhesive tape on the substrate;
Peeling the adhesive tape to remove the protective insulating film on the pad area attached to the adhesive tape;
Wherein the patterning step is a step of vaporizing the organic pattern by irradiating a laser to the organic pattern of the pad region exposed by the removal of the protective insulating layer. 제 6 항에 있어서,
상기 패드 영역의 유기 패턴에 레이저를 조사하여 상기 유기 패턴을 기화시키는 단계는
상기 패드 영역 상에 팔각형 또는 원형으로 형성되는 패드 전극이 상기 레이저의 에너지를 흡수하며, 흡수된 에너지에 의해 상기 유기 패턴을 기화시켜 제거하는 단계인 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시 패널의 제조 방법.The method according to claim 6,
The step of irradiating the organic pattern of the pad region with a laser to vaporize the organic pattern
Wherein a pad electrode formed in an octagonal shape or a circular shape on the pad region absorbs the energy of the laser and is vaporized by the absorbed energy to remove the organic pattern. 제 3 항, 제5 항 및 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 접착 테이프는 상기 기판의 다수의 변 중 적어도 어느 한 변보다 돌출되게 상기 기판 상에 부착되는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시 패널의 제조 방법.7. The method according to any one of claims 3, 5 and 6,
Wherein the adhesive tape is attached to the substrate so as to protrude from at least one side of the plurality of sides of the substrate. 제 1 항에 있어서,
상기 노출된 패드 영역 상의 보호 절연막과 유기 패턴을 제거하는 단계는
상기 절단 공정 후 상기 기판 전체 또는 상기 패드 영역을 이소프로필알콜을 함유한 식각액 또는 순수물에 침지시키는 단계와;
상기 이소프로필알콜을 함유한 식각액 또는 순수물에 침지된 상기 패드 영역에 초음파를 조사하여 상기 패드 영역의 유기 패턴을 제거함과 동시에 상기 유기 패턴 상의 상기 보호 절연막을 제거하는 단계인 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시 패널의 제조 방법.The method according to claim 1,
The step of removing the protective insulating layer and the organic pattern on the exposed pad region
Immersing the entire substrate or the pad region in an etchant or pure water containing isopropyl alcohol after the cutting process;
Applying an ultrasonic wave to the pad region immersed in the etching solution containing the isopropyl alcohol or pure water to remove the organic pattern of the pad region and removing the protective insulating film on the organic pattern. A method of manufacturing a light emitting display panel.
KR1020120054091A 2012-05-22 2012-05-22 Method for manufacturing organic light emitting display panel Active KR101888447B1 (en)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020120054091A KR101888447B1 (en) 2012-05-22 2012-05-22 Method for manufacturing organic light emitting display panel
CN201310190075.6A CN103427048B (en) 2012-05-22 2013-05-21 The method manufacturing organic electroluminescence display panel
US13/899,464 US9142805B2 (en) 2012-05-22 2013-05-21 Method of manufacturing organic light emitting display panel

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020120054091A KR101888447B1 (en) 2012-05-22 2012-05-22 Method for manufacturing organic light emitting display panel

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20130130352A KR20130130352A (en) 2013-12-02
KR101888447B1 true KR101888447B1 (en) 2018-08-16

Family

ID=49621906

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020120054091A Active KR101888447B1 (en) 2012-05-22 2012-05-22 Method for manufacturing organic light emitting display panel

Country Status (3)

Country Link
US (1) US9142805B2 (en)
KR (1) KR101888447B1 (en)
CN (1) CN103427048B (en)

Families Citing this family (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102117612B1 (en) 2013-08-28 2020-06-02 삼성디스플레이 주식회사 Organic light emitting display apparatus and the manufacturing method thereof
JP2015069806A (en) * 2013-09-27 2015-04-13 株式会社ジャパンディスプレイ Method for manufacturing organic electroluminescence display device
KR102282996B1 (en) 2013-10-30 2021-07-29 삼성디스플레이 주식회사 Organic light emitting display apparatus and method of manufacturing thereof
KR102096800B1 (en) * 2013-11-26 2020-04-06 엘지디스플레이 주식회사 Method of manufacturing Organic Light Emitting Display Device
JP2015176766A (en) * 2014-03-14 2015-10-05 株式会社ジャパンディスプレイ Display device and manufacturing method of display device
JP6515537B2 (en) * 2014-04-08 2019-05-22 セイコーエプソン株式会社 Method of manufacturing organic EL device, organic EL device, electronic device
KR102300567B1 (en) * 2014-10-24 2021-09-08 엘지디스플레이 주식회사 Organic light emitting display device and method of manufacturing the same
JP6462325B2 (en) * 2014-11-14 2019-01-30 株式会社ジャパンディスプレイ Display device manufacturing method and display device terminal exposure method
KR102377531B1 (en) * 2015-01-23 2022-03-22 삼성디스플레이 주식회사 Organic light emitting display device and manufacturing method thereof
JP6761276B2 (en) * 2015-05-28 2020-09-23 株式会社半導体エネルギー研究所 How to make a display device and how to make an electronic device
KR102555408B1 (en) * 2016-06-30 2023-07-13 엘지디스플레이 주식회사 Display device having signal lines extending a non-display area
KR102608091B1 (en) * 2016-10-07 2023-12-04 삼성디스플레이 주식회사 Display device and method for manufacturing the same
US11444255B2 (en) * 2017-05-18 2022-09-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing display device, display device, display module, and electronic device
US10647102B2 (en) 2017-07-06 2020-05-12 General Electric Company System and method for removal of a layer
US11495771B2 (en) * 2019-03-12 2022-11-08 Samsung Display Co., Ltd. Display panel and method of manufacturing the same
CN113841250A (en) * 2020-03-27 2021-12-24 京东方科技集团股份有限公司 Display substrate, preparation method thereof and display device
KR102798316B1 (en) * 2020-11-02 2025-04-23 삼성디스플레이 주식회사 Display apparatus and manufacturing the same
KR20220080801A (en) * 2020-12-07 2022-06-15 삼성디스플레이 주식회사 Display apparatus and manufacturing the same

Family Cites Families (45)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6605826B2 (en) * 2000-08-18 2003-08-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device and display device
JP4374765B2 (en) 2000-11-09 2009-12-02 株式会社デンソー Manufacturing method of organic EL element
JP4801278B2 (en) * 2001-04-23 2011-10-26 株式会社半導体エネルギー研究所 Light emitting device and manufacturing method thereof
JP4831885B2 (en) * 2001-04-27 2011-12-07 株式会社半導体エネルギー研究所 Method for manufacturing semiconductor device
TWI258317B (en) * 2002-01-25 2006-07-11 Semiconductor Energy Lab A display device and method for manufacturing thereof
JP4240276B2 (en) * 2002-07-05 2009-03-18 株式会社半導体エネルギー研究所 Light emitting device
KR100699996B1 (en) * 2004-09-02 2007-03-26 삼성에스디아이 주식회사 Organic light emitting display device including pad for circuit measurement and manufacturing method
KR20070054054A (en) * 2005-11-22 2007-05-28 삼성전자주식회사 Display device and manufacturing method thereof
KR101219047B1 (en) * 2005-12-13 2013-01-07 삼성디스플레이 주식회사 Display device and manufacturing method thereof
KR20070063314A (en) * 2005-12-14 2007-06-19 삼성전자주식회사 Display device and manufacturing method
US8017950B2 (en) * 2005-12-29 2011-09-13 Lg Display Co., Ltd. Organic electro-luminescence display device and method of manfacturing the same
KR20080002338A (en) * 2006-06-30 2008-01-04 엘지.필립스 엘시디 주식회사 Organic electroluminescent display and manufacturing method thereof
JP4368908B2 (en) * 2007-01-03 2009-11-18 三星モバイルディスプレイ株式會社 Method for manufacturing organic electroluminescent display device
JP4340982B2 (en) * 2007-05-18 2009-10-07 ソニー株式会社 Manufacturing method of display device
US7990060B2 (en) * 2007-05-31 2011-08-02 Lg Display Co., Ltd. Organic light emitting display device and method of manufacturing the same
KR20090006615A (en) * 2007-07-12 2009-01-15 엘지디스플레이 주식회사 Organic light emitting diode
KR100903622B1 (en) * 2007-11-27 2009-06-18 삼성모바일디스플레이주식회사 Organic light emitting display
GB0724774D0 (en) * 2007-12-19 2008-01-30 Cambridge Display Tech Ltd Organic thin film transistors, active matrix organic optical devices and methods of making the same
WO2009107548A1 (en) * 2008-02-29 2009-09-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Deposition method and manufacturing method of light-emitting device
EP2139041B1 (en) * 2008-06-24 2015-08-19 LG Display Co., Ltd. Luminescence display panel and method for fabricating the same
KR101570471B1 (en) * 2008-09-18 2015-11-23 삼성디스플레이 주식회사 Organic light emitting display device and manufacturing method thereof
FR2936651B1 (en) * 2008-09-30 2011-04-08 Commissariat Energie Atomique ORGANIC OPTOELECTRONIC DEVICE AND METHOD OF ENCAPSULATION
US8330712B2 (en) * 2008-12-22 2012-12-11 Lg Display Co., Ltd. Electrophoretic display device including buffer pattern in non-display region
KR101127589B1 (en) * 2010-03-23 2012-03-26 삼성모바일디스플레이주식회사 Organic light emitting display apparatus and the manufacturing method thereof
KR20110111747A (en) * 2010-04-05 2011-10-12 삼성모바일디스플레이주식회사 Organic light emitting diode display
KR101714539B1 (en) * 2010-08-24 2017-03-23 삼성디스플레이 주식회사 Organic light emitting display device
KR101780250B1 (en) * 2010-09-24 2017-09-22 삼성디스플레이 주식회사 Organinc light emitting display device and manufacturing method for the same
KR20120067695A (en) * 2010-12-16 2012-06-26 삼성전자주식회사 Display apparatus and fabrication method of the same
KR101853454B1 (en) * 2011-01-21 2018-05-02 삼성디스플레이 주식회사 Display device
KR101858182B1 (en) * 2011-04-11 2018-05-16 삼성디스플레이 주식회사 Organic light emitting diode display
KR102040242B1 (en) * 2011-05-12 2019-11-05 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 Light-emitting device and electronic device using the light-emitting device
KR20120126950A (en) * 2011-05-13 2012-11-21 삼성디스플레이 주식회사 Organinc light emitting display device and manufacturing method for the same
KR101415684B1 (en) * 2011-07-07 2014-08-07 엘지디스플레이 주식회사 Substrate for organic electro luminescent device and method of fabricating the same
KR101463650B1 (en) * 2011-08-30 2014-11-20 엘지디스플레이 주식회사 Organic Light Emitting Display Device
KR101521676B1 (en) * 2011-09-20 2015-05-19 엘지디스플레이 주식회사 Organic light emitting diode display and method for manufacturing the same
US20130093697A1 (en) * 2011-10-18 2013-04-18 Wei-Hao Sun Touch panel display and assembly process thereof
KR101493556B1 (en) * 2011-10-27 2015-02-16 엘지디스플레이 주식회사 Touch sensor integrated type organic light emitting diode display
KR101916949B1 (en) * 2011-11-03 2018-11-09 엘지디스플레이 주식회사 Fringe field switching liquid crystal display device and method of fabricating the same
KR101854698B1 (en) * 2011-12-02 2018-05-08 엘지디스플레이 주식회사 Array substrate and method for manufacturing of array substrate
EP2795674B1 (en) * 2011-12-22 2021-12-15 Heptagon Micro Optics Pte. Ltd. Opto-electronic modules, in particular flash modules, and method for manufacturing the same
KR101335527B1 (en) * 2012-02-23 2013-12-02 엘지디스플레이 주식회사 Organic Light Emitting Diode Display Device and Method for Manufacturing The Same
KR101956736B1 (en) * 2012-03-22 2019-03-11 엘지디스플레이 주식회사 Flat Panel Display Device and Method of fabricating thereof
KR101925344B1 (en) * 2012-05-10 2018-12-05 리쿠아비스타 비.브이. Electro wetting display device
KR101438039B1 (en) * 2012-05-24 2014-11-03 엘지디스플레이 주식회사 Oxide thin film transistor, method for fabricating tft, display device having tft and method for fabricating the same
KR102037871B1 (en) * 2013-06-25 2019-11-26 엘지디스플레이 주식회사 Organic light emitting diode display device

Also Published As

Publication number Publication date
CN103427048A (en) 2013-12-04
US20130316475A1 (en) 2013-11-28
CN103427048B (en) 2016-09-07
US9142805B2 (en) 2015-09-22
KR20130130352A (en) 2013-12-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101888447B1 (en) Method for manufacturing organic light emitting display panel
US11569474B2 (en) Organic light-emitting diode (OLED) display and method of fabricating the same
KR101267529B1 (en) Method of fabricating flexible organic electro luminescent device
JP6194233B2 (en) Manufacturing method of display device
EP1437777B1 (en) Manufacturing method of light emitting device
KR101635914B1 (en) Method of fabricating flexible display device
JP5887245B2 (en) Manufacturing method of display device
US20140117342A1 (en) Organic light emitting display device and method of fabricating the same
KR102322700B1 (en) Organic light emitting diode display device and the emthod fof fabricating the same
CN104752465B (en) Array base palte of top emitting organic light emitting display and preparation method thereof
KR102169862B1 (en) Organic light emitting diode display device and fabricating method thereof
KR102042532B1 (en) Organic light emitting display and method of fabricating the same
US20190363154A1 (en) Flexible display device and method of manufacturing flexible display device
US20140246658A1 (en) Organic electroluminescent device and method for manufacturing the organic electroluminescent device
US11856835B2 (en) Method for manufacturing display device
KR101908503B1 (en) Fabricating method of organic light emitting display panel
KR20130018007A (en) Method of fabricating organic light emitting diodes
KR20100011034A (en) Method of fabricating organic electroluminescent device
KR101992897B1 (en) Organic light emitting display device and method of fabricating thereof
JP6412989B2 (en) Manufacturing method of display device
JP2024079547A (en) Display device and method for manufacturing the same
KR20090043064A (en) Organic light emitting display device and manufacturing method
KR20080060025A (en) Organic light emitting display device and manufacturing method

Legal Events

Date Code Title Description
PA0109 Patent application

St.27 status event code: A-0-1-A10-A12-nap-PA0109

P11-X000 Amendment of application requested

St.27 status event code: A-2-2-P10-P11-nap-X000

P13-X000 Application amended

St.27 status event code: A-2-2-P10-P13-nap-X000

R15-X000 Change to inventor requested

St.27 status event code: A-3-3-R10-R15-oth-X000

R16-X000 Change to inventor recorded

St.27 status event code: A-3-3-R10-R16-oth-X000

PG1501 Laying open of application

St.27 status event code: A-1-1-Q10-Q12-nap-PG1501

R17-X000 Change to representative recorded

St.27 status event code: A-3-3-R10-R17-oth-X000

A201 Request for examination
PA0201 Request for examination

St.27 status event code: A-1-2-D10-D11-exm-PA0201

D13-X000 Search requested

St.27 status event code: A-1-2-D10-D13-srh-X000

D14-X000 Search report completed

St.27 status event code: A-1-2-D10-D14-srh-X000

E701 Decision to grant or registration of patent right
PE0701 Decision of registration

St.27 status event code: A-1-2-D10-D22-exm-PE0701

GRNT Written decision to grant
PR0701 Registration of establishment

St.27 status event code: A-2-4-F10-F11-exm-PR0701

PR1002 Payment of registration fee

St.27 status event code: A-2-2-U10-U11-oth-PR1002

Fee payment year number: 1

PG1601 Publication of registration

St.27 status event code: A-4-4-Q10-Q13-nap-PG1601

PR1001 Payment of annual fee

St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001

Fee payment year number: 4

PR1001 Payment of annual fee

St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001

Fee payment year number: 5

PR1001 Payment of annual fee

St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001

Fee payment year number: 6

P22-X000 Classification modified

St.27 status event code: A-4-4-P10-P22-nap-X000

PR1001 Payment of annual fee

St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001

Fee payment year number: 7

PR1001 Payment of annual fee

St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001

Fee payment year number: 8

U11 Full renewal or maintenance fee paid

Free format text: ST27 STATUS EVENT CODE: A-4-4-U10-U11-OTH-PR1001 (AS PROVIDED BY THE NATIONAL OFFICE)

Year of fee payment: 8