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KR101876522B1 - Substrate shuttle device, vapor deposition apparatus including the same and method of fabricating the same - Google Patents

Substrate shuttle device, vapor deposition apparatus including the same and method of fabricating the same Download PDF

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KR101876522B1
KR101876522B1 KR1020120086718A KR20120086718A KR101876522B1 KR 101876522 B1 KR101876522 B1 KR 101876522B1 KR 1020120086718 A KR1020120086718 A KR 1020120086718A KR 20120086718 A KR20120086718 A KR 20120086718A KR 101876522 B1 KR101876522 B1 KR 101876522B1
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Abstract

증착물질의 리프팅 현상과 파티클 발생을 최소화할 수 있는 기판 셔틀 장치, 이를 포함하는 기상 증착 장치 및 기판 셔틀 장치의 제조방법이 제공된다. 일 실시예에 따르면, 증착물질이 형성될 기판이 안착될 수 있는 서셉터 및 상기 서셉터의 양측에 배치되며 상부면은 표면거칠기를 증대시키는 표면처리가 수행된 윙플레이트를 포함하는 기판 셔틀 장치가 제공된다. There is provided a substrate shuttle apparatus capable of minimizing the lifting phenomenon and the generation of particles of the evaporation material, a vapor deposition apparatus including the substrate shuttle apparatus, and a method of manufacturing the substrate shuttle apparatus. According to one embodiment, there is provided a substrate shuttle apparatus including a susceptor on which a substrate to be deposited is to be placed, and a wing plate disposed on both sides of the susceptor, the upper surface of which is subjected to surface treatment for increasing surface roughness / RTI >

Description

기판 셔틀 장치, 이를 포함하는 기상 증착 장치 및 기판 셔틀 장치의 제조방법{Substrate shuttle device, vapor deposition apparatus including the same and method of fabricating the same}[0001] The present invention relates to a substrate shuttle device, a vapor deposition device including the substrate shuttle device, and a method of manufacturing the substrate shuttle device,

본 발명은 기판 셔틀 장치, 이를 포함하는 기상 증착 장치 및 기판 셔틀 장치의 제조방법에 관한 것으로서, 특히 증착소스부를 이용한 증착 공정에 적용될 수 있는 기판 셔틀 장치, 이를 포함하는 기상 증착 장치 및 기판 셔틀 장치의 제조방법에 관한 것이다. The present invention relates to a substrate shuttle device, a vapor deposition device including the substrate shuttle device, and a method of manufacturing the substrate shuttle device. More particularly, the present invention relates to a substrate shuttle device applicable to a deposition process using a deposition source portion, a vapor deposition device including the substrate shuttle device, And a manufacturing method thereof.

전자 소자의 제조에서, 화학적 기상 증착이나 원자층 증착과 같은 공정을 수행하는 기상 증착 장치는 증착물질이 증착될 기판 등을 위치시킨 후 소스가스와 반응가스 등을 제공하여 물질층을 기판 상에 형성시킨다. 특히, 공간분할 증착 방식을 이용하는 기상 증착 장치는 한 개의 증착대상 기판 상에 증착이 완료되기 전에 다음 기판에 대한 증착이 시작될 수 있으므로 대면적의 기판에 증착을 진행하고자 하는 경우 유용하다. BACKGROUND ART In the production of electronic devices, a vapor deposition apparatus that performs processes such as chemical vapor deposition and atomic layer deposition is a technique in which a substrate on which a deposition material is to be deposited is placed, and then a source gas and a reactive gas are provided, . Particularly, the vapor deposition apparatus using the space division deposition method is useful when it is desired to deposit on a substrate having a large area since the deposition on the next substrate can be started before the deposition is completed on one substrate to be deposited.

하지만, 공간분할 증착 방식을 이용한 기상 증착 장치에서는, 피증착 구조체가 안착된 기판 셔틀 장치를 연속적으로 투입하며 증착이 이루어지므로, 증착물질이 피증착 구조체 상에만 형성되는 것이 아니라 피증착 구조체가 안착된 기판 셔틀 장치의 상부면에도 형성될 수 있으며 이에 따른 증착물질의 리프팅 현상이나 파티클 발생과 같은 문제점들이 발생할 수 있다. However, in the vapor deposition apparatus using the space division deposition method, deposition is performed by continuously introducing the substrate shuttle device on which the evaporated structure is placed, so that the evaporation material is not formed only on the evaporated structure, It may also be formed on the upper surface of the substrate shuttle device, and problems such as lifting of the deposition material or generation of particles may occur.

본 발명은 상기와 같은 문제점을 포함하여 여러 문제점들을 해결하기 위한 것으로서, 기판 셔틀 장치의 상부면에 증착물질이 계속 형성되더라도 이에 수반된 리프팅 현상과 파티클 발생을 최소화하는 기판 셔틀 장치, 이를 이용한 기상 증착 장치 및 기판 셔틀 장치의 제조방법을 제공하는 것을 목적으로 한다. 그러나 이러한 과제는 예시적인 것으로, 이에 의해 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다.Disclosure of Invention Technical Problem [8] Accordingly, the present invention has been made keeping in mind the above problems occurring in the prior art, and an object of the present invention is to provide a substrate shuttle device capable of minimizing lifting phenomenon and particle generation, And a method for manufacturing the substrate shuttle apparatus. However, these problems are exemplary and do not limit the scope of the present invention.

본 발명의 일 관점에 의한 기판 셔틀 장치는 증착물질이 형성될 기판이 안착될 수 있는 서셉터 및 상기 서셉터의 양측에 배치되며 상부면은 표면거칠기를 증대시키는 표면처리가 수행된 윙플레이트를 포함한다. A substrate shuttle apparatus according to one aspect of the present invention includes a susceptor on which a substrate on which a deposition material is to be deposited may be placed, and a wing plate on both sides of which the upper surface is subjected to surface treatment for increasing surface roughness do.

상기 기판 셔틀 장치에서, 상기 표면거칠기를 증대시키는 표면처리는 용사코팅 공정을 포함할 수 있다. In the substrate shuttle apparatus, the surface treatment for increasing the surface roughness may include a spray coating process.

상기 기판 셔틀 장치에서, 상기 윙플레이트는 바디부 및 상기 바디부 상의 표면부를 포함할 수 있으며, 상기 표면거칠기를 증대시키는 표면처리는 용사코팅 공정을 포함할 수 있고, 상기 표면부는 용사코팅층을 포함할 수 있다. 이 경우, 상기 바디부는 알루미늄을 포함하여 구성될 수 있고, 상기 용사코팅층은 알루미늄을 포함하여 구성될 수 있다. In the substrate shuttle apparatus, the wing plate may include a body portion and a surface portion on the body portion, and the surface treatment for increasing the surface roughness may include a spray coating process, and the surface portion includes a spray coating layer . In this case, the body portion may include aluminum, and the spray coating layer may include aluminum.

상기 기판 셔틀 장치에서, 상기 표면거칠기를 증대시키는 표면처리는 블래스팅 공정을 포함할 수 있다. In the substrate shuttle apparatus, the surface treatment for increasing the surface roughness may include a blasting process.

상기 기판 셔틀 장치에서, 상기 윙플레이트는 바디부; 및 상기 바디부 상에 상기 바디부와 기계적 체결부로 결합된 표면부를 포함할 수 있고, 상기 표면부는 상기 표면부의 상부면이 상기 표면거칠기를 증대시키는 표면처리가 수행될 수 있다. In the substrate shuttle apparatus, the wing plate includes a body portion; And a surface portion coupled with the body portion and the mechanical fastening portion on the body portion, and the surface portion may be subjected to a surface treatment in which the upper surface of the surface portion increases the surface roughness.

상기 기판 셔틀 장치에서, 상기 서셉터는 상기 기판이 안착되는 안착부 및 상기 안착부를 둘러싸도록 배치된 테두리부를 가지며, 상기 테두리부의 상부면은 표면거칠기를 증대시키는 표면처리가 수행될 수 있다. In the substrate shuttle apparatus, the susceptor has a seating portion on which the substrate is seated and a rim portion arranged to surround the seating portion, and a surface treatment for increasing the surface roughness of the upper surface of the rim portion can be performed.

본 발명의 다른 관점에 의한 기상 증착 장치는 반응 챔버, 상기 반응 챔버 내에 배치되는 증착소스부 및 상기 반응 챔버 내에 배치되며, 상기 증착소스부의 하방으로 이송될 수 있는, 상술한 상기 기판 셔틀 장치를 포함한다. A vapor deposition apparatus according to another aspect of the present invention includes a reaction chamber, a deposition source portion disposed in the reaction chamber, and the substrate shuttle device described above, which is disposed in the reaction chamber and can be transported downward of the deposition source portion do.

상기 기상 증착 장치에서, 상기 증착소스부는 소스가스를 하방으로 제공할 수 있는 소스가스 제공부, 반응가스를 하방으로 제공할 수 있는 반응가스 제공부 및 상기 소스가스 제공부와 상기 반응가스 제공부 사이에 위치하며, 가스를 펌핑할 수 있는 펌핑부를 포함할 수 있다. In the vapor deposition apparatus, the deposition source portion may include a source gas supply portion capable of providing a source gas downward, a reaction gas supply portion capable of providing a reaction gas downward, and a source gas supply portion provided between the source gas supply portion and the reactive gas supply portion. And may include a pumping portion capable of pumping the gas.

상기 기상 증착 장치에서, 상기 소스가스 제공부, 상기 펌핑부, 및 상기 반응가스 제공부의 하방에서 상기 기판 셔틀 장치를 순차적으로 이송할 수 있는 이송부를 더 포함할 수 있다. The vapor deposition apparatus may further include a transfer unit capable of sequentially transferring the substrate shuttle apparatus below the source gas supply unit, the pumping unit, and the reaction gas supply unit.

상기 기상 증착 장치에서, 상기 윙플레이트가 상기 서셉터의 양측에 배치되는 방향은 상기 기판 셔틀 장치가 상기 증착소스부의 하방으로 이송되는 방향과 나란할 수 있다. In the vapor deposition apparatus, a direction in which the wing plate is disposed on both sides of the susceptor may be parallel to a direction in which the substrate shuttle device is transported to below the deposition source portion.

상기 기상 증착 장치에서, 상기 증착물질은 알루미나를 포함하여 구성되며, 상기 표면거칠기를 증대시키는 표면처리가 수행된 상기 윙플레이트의 상부면은 알루미늄을 포함하여 구성될 수 있다. In the vapor deposition apparatus, the deposition material may include alumina, and the upper surface of the wing plate on which surface treatment for increasing the surface roughness is performed may include aluminum.

본 발명의 또 다른 관점에 의한 기판 셔틀 장치의 제조방법은 증착물질이 형성될 기판이 안착되는 서셉터를 제공하는 단계, 상기 서셉터의 양측에 배치될 윙플레이트를 제공하는 단계, 및 상기 윙플레이트의 상부면에 대하여 표면거칠기를 증대시키는 표면처리를 수행하는 단계를 포함한다. A method of manufacturing a substrate shuttle apparatus according to another aspect of the present invention includes the steps of providing a susceptor on which a substrate to be deposited is placed, providing a wing plate to be disposed on both sides of the susceptor, And performing surface treatment for increasing the surface roughness with respect to the upper surface of the substrate.

상기 기판 셔틀 장치의 제조방법에서, 상기 서셉터와 상기 윙플레이트를 하방에서 지지할 프레임구조체를 제공하는 단계, 및 상기 프레임구조체 상에 상기 서셉터와 상기 윙플레이트를 각각 장착하여 조립하는 단계를 더 포함할 수 있다. In the method of manufacturing the substrate shuttle device, a step of providing a frame structure for supporting the susceptor and the wing plate from below, and mounting and assembling the susceptor and the wing plate on the frame structure, respectively .

상기 기판 셔틀 장치의 제조방법에서, 상기 윙플레이트의 상부면에 대하여 표면거칠기를 증대시키는 표면처리를 수행하는 단계는 상기 프레임구조체 상에 상기 서셉터와 상기 윙플레이트를 각각 장착하여 조립하는 단계 이전 또는 이후에 수행될 수 있다. In the method of manufacturing the substrate shuttle device, the step of performing surface treatment for increasing the surface roughness of the upper surface of the wing plate may be performed before or after assembling the susceptor and the wing plate on the frame structure, Can be performed later.

상기 기판 셔틀 장치의 제조방법에서, 상기 윙플레이트의 상부면에 대하여 표면거칠기를 증대시키는 표면처리를 수행하는 단계는 상기 윙플레이트의 상부면에 대하여 용사코팅 공정을 수행하는 단계를 포함할 수 있다. In the method of manufacturing the substrate shuttle apparatus, the step of performing the surface treatment for increasing the surface roughness with respect to the upper surface of the wing plate may include the step of performing a spray coating process on the upper surface of the wing plate.

상기 기판 셔틀 장치의 제조방법에서, 상기 윙플레이트의 상부면에 대하여 표면거칠기를 증대시키는 표면처리를 수행하는 단계는 상기 윙플레이트의 상부면에 대하여 블래스팅 공정을 수행하는 단계를 포함할 수 있다. In the method of manufacturing the substrate shuttle device, the step of performing the surface treatment for increasing the surface roughness with respect to the upper surface of the wing plate may include a step of performing a blasting process on the upper surface of the wing plate.

본 발명의 일 실시예에 따른 기판 셔틀 장치, 이를 포함하는 기상 증착 장치 및 기판 셔틀 장치의 제조방법에 따르면, 기판 셔틀 장치의 상부면에 표면거칠기를 증대시킴으로써 기판 셔틀 장치의 상부면의 표면적을 증가시킬 수 있으며, 이로 인하여 기판 셔틀 장치와 증착물질 간의 부착력이 향상되어 리프팅 현상과 이로 인한 파티클 발생을 감소시킬 수 있다. 또한 리프팅 현상이 발생하는 시점을 최대한 딜레이 시킬 수 있어 장비보수유지의 주기를 개선할 수 있다.According to the substrate shuttle device, the vapor deposition device and the substrate shuttle device manufacturing method according to an embodiment of the present invention, the surface roughness of the upper surface of the substrate shuttle device is increased to increase the surface area of the upper surface of the substrate shuttle device Thereby enhancing the adhesion between the substrate shuttling device and the deposition material, thereby reducing the lifting phenomenon and the generation of particles due to the lifting phenomenon. In addition, it is possible to delay the occurrence of the lifting phenomenon as much as possible, thereby improving the maintenance cycle of the equipment.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 셔틀 장치를 도해하는 사시도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 셔틀 장치를 도해하는 분해 사시도이다.
도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판 셔틀 장치를 도해하는 분해 사시도이다.
도 4는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 기판 셔틀 장치를 도해하는 사시도이다.
도 5는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 기상 증착 장치를 도해하는 단면도이다.
도 6은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 기상 증착 장치에서 증착소스부와 기판 셔틀 장치를 도해하는 단면도이다.
도 7은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 기상 증착 장치에서 기판 셔틀 장치가 움직일 수 있는 이송 유닛을 도해하는 사시도이다. 1 is a perspective view illustrating a substrate shuttle apparatus according to an embodiment of the present invention.
2 is an exploded perspective view illustrating a substrate shuttle apparatus according to an embodiment of the present invention.
3 is an exploded perspective view illustrating a substrate shuttle apparatus according to another embodiment of the present invention.
4 is a perspective view illustrating a substrate shuttle apparatus according to another embodiment of the present invention.
5 is a cross-sectional view illustrating a vapor deposition apparatus according to another embodiment of the present invention.
6 is a cross-sectional view illustrating a deposition source unit and a substrate shuttle apparatus in a vapor deposition apparatus according to another embodiment of the present invention.
7 is a perspective view illustrating a transfer unit in which a substrate shuttling apparatus can move in a vapor deposition apparatus according to another embodiment of the present invention.

이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명에 따른 바람직한 실시예를 설명함으로써 본 발명을 상세하게 설명한다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예는 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이다. 도면에서 구성 요소들은 설명의 편의를 위하여 그 크기가 과장 또는 축소될 수 있다.Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the preferred embodiments of the present invention with reference to the accompanying drawings. The present invention may, however, be embodied in many different forms and should not be construed as limited to the embodiments set forth herein. Rather, these embodiments are provided so that this disclosure will be thorough and complete, and will fully convey the scope of the invention to those skilled in the art. It is provided to let you know. In the drawings, the components may be exaggerated or reduced in size for convenience of explanation.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 셔틀 장치를 도해하는 사시도이며, 도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 셔틀 장치를 도해하는 분해 사시도이다. 도 1 및 도 2를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 셔틀 장치(100)는 증착물질이 형성될 기판이 안착될 수 있는 서셉터(120)를 포함한다. 서셉터(120)는, 예를 들어, SUS와 같은, 스틸을 포함하여 구성될 수 있다. 서셉터(120)는 증착물질이 형성될 기판이 안착될 수 있는 안착부(122)과 안착부(122)을 둘러싸며 안착부(122)보다 높게 배치된 테두리부(124)를 가질 수 있다. 안착부(122) 상에 장착될 기판은 증착물질이 증착될 대상물을 의미하는 것으로, 예컨대 태양광 소자, 유무기 디스플레이 소자에 사용되는 글라스, 세라믹, 플라스틱, 반도체 또는 금속을 포함할 수 있다. 상기 기판 상에는 마스크가 추가로 배치될 수 있다. 마스크는 기판 상에서 증착물질이 증착되는 영역을 오픈하고 그 외의 영역을 차폐하기 위한 패턴시트와 이러한 패턴시트를 고정하기 위한 마스크프레임을 포함할 수 있다. FIG. 1 is a perspective view illustrating a substrate shuttling apparatus according to one embodiment of the present invention, and FIG. 2 is an exploded perspective view illustrating a substrate shuttling apparatus according to an embodiment of the present invention. Referring to FIGS. 1 and 2, a substrate shuttling apparatus 100 according to an embodiment of the present invention includes a susceptor 120 on which a substrate on which a deposition material is to be deposited can be placed. The susceptor 120 may comprise steel, such as, for example, SUS. The susceptor 120 may have a seating portion 122 on which a substrate on which a deposition material is to be deposited and a frame portion 124 surrounding the seating portion 122 and disposed higher than the seating portion 122. The substrate to be mounted on the seating part 122 refers to an object to which a deposition material is to be deposited, and may include glass, ceramics, plastic, semiconductor, or metal used for example in a photovoltaic device or an organic display device. A mask may be additionally disposed on the substrate. The mask may include a pattern sheet for opening an area where the evaporation material is deposited on the substrate and shielding the other area, and a mask frame for fixing the pattern sheet.

본원에서는 서셉터(120)에 안착될 수 있는 기판 및/또는 마스크로 구성되는 구조체를 피증착 구조체(도 7의 250)로 명명할 수 있다. 도 1, 도 2 및 도 7을 참조하면, 서셉터(120)는 피증착 구조체(250)가 안착되도록 테두리부(124) 보다 낮게 배치된 안착부(122)를 포함할 수 있다. 이러한 안착부(122) 주위에는 마스크프레임이 배치될 수 있도록 홈이 형성될 수 있다. 한편, 안착부(122)의 높이는 테두리부(124)와 동등하거나 또는 그보다 높도록 변형될 수도 있다. 서셉터(120)에는 기판 셔틀 장치(100) 내 상기 피증착 구조체를 지지할 수 있는 리프트 핀들이 승하강 되도록 홀(미도시)들이 형성될 수 있다. 피증착 구조체(250)를 고정시키기 위하여 서셉터(120) 상에 마스크프레임 클램핑부(126)가 추가로 형성될 수 있다. 구체적으로 피증착 구조체(250) 중에서 마스크의 에지부에 클램프 홈부가 형성되어 있으며, 상기 클램프 홈부에 클램핑부(126)가 안착되어 마스크를 고정시킬 수 있다.Herein, a structure composed of a substrate and / or a mask that can be placed on the susceptor 120 may be referred to as a vapor deposition structure (250 in FIG. 7). Referring to FIGS. 1, 2 and 7, the susceptor 120 may include a seating portion 122 disposed lower than the rim portion 124 so that the deposition target structure 250 is seated. A groove may be formed around the seating part 122 so that the mask frame can be disposed. On the other hand, the height of the seating portion 122 may be modified to be equal to or higher than the rim portion 124. Holes (not shown) may be formed on the susceptor 120 so that the lift pins capable of supporting the deposited structure in the substrate shuttle apparatus 100 move up and down. A mask frame clamping portion 126 may be additionally formed on the susceptor 120 to fix the deposition target structure 250. Specifically, a clamp groove portion is formed at an edge portion of the mask in the deposition target structure 250, and a clamping portion 126 is seated in the clamp groove portion to fix the mask.

본 발명의 일 실시예에 따른 기판 셔틀 장치(100)는 서셉터(120)의 양측에 배치되며, 상부면은 표면거칠기를 증대시키는 표면처리가 수행된, 윙플레이트(150)를 포함한다. 후술할, 도 5 내지 도 7과 같은, 기상 증착 장치는, 기판 셔틀 장치(100)가 증착소스부(도 6의 330)의 하방으로 이송되는 구성을 제공하는데, 윙플레이트(150)가 서셉터(120)의 양측에 배치되는 방향은 기판 셔틀 장치(100)가 증착소스부(330)의 하방으로 이송되는 방향(x축 방향)과 나란할 수 있다. 윙플레이트(150)는 증착소스부(도 6의 330)의 하방에서 서셉터(120)에 안착된 피증착 구조체(250) 상에 기상 증착 공정을 수행하는 과정에서 소스가스와 반응가스 등이 피증착 구조체(250) 상에서 층류 유동(laminar flow)을 형성할 수 있도록 구성될 수 있다. 또한 윙플레이트(150)는 증착소스부(도 6의 330)의 하방에서 서셉터(120)에 안착된 피증착 구조체(250) 상에 기상 증착 공정을 수행하는 과정에서 피증착 구조체(250) 상의 에지 효과(edge effect)를 최소화하도록 구성될 수 있다. The substrate shuttle apparatus 100 according to an embodiment of the present invention is disposed on both sides of the susceptor 120 and the upper surface includes a wing plate 150 on which surface treatment is performed to increase the surface roughness. 5 to 7, a vapor deposition apparatus provides a configuration in which the substrate shuttle apparatus 100 is transported to a lower portion of the deposition source portion (330 in FIG. 6), in which the wing plate 150 is connected to the susceptor The direction in which the substrate shuttle apparatus 100 is disposed on both sides of the deposition source unit 330 may be parallel to the direction (x-axis direction) in which the substrate shuttle apparatus 100 is transported downward of the deposition source unit 330. The wing plate 150 may be formed of a material such as a source gas and a reactive gas in the process of performing a vapor deposition process on the deposition target structure 250 placed on the susceptor 120 below the deposition source (330 in FIG. 6) May be configured to form a laminar flow on the deposition structure (250). The wing plate 150 may be formed on the deposition target structure 250 in the process of performing the vapor deposition process on the deposition target structure 250 placed on the susceptor 120 below the deposition source portion 330 And may be configured to minimize the edge effect.

서셉터(120)에 안착된 피증착 구조체(250) 상에 기상 증착 공정을 수행하는 과정에서 피증착 구조체(250) 뿐만 아니라 윙플레이트(150) 상에도 증착물질이 불가피하게 형성될 수 있다. 증착 공정을 수행하면서 윙플레이트(150) 상에 형성된 증착물질이 계속 적층되면서 윙플레이트(150)에 응력을 발생시킬 수 있으며 임계점에 도달하면 증착물질의 리프팅(lifting) 현상이 나타나 파티클이 발생될 수 있다. 발명자는 윙플레이트(150)의 상부면에 표면거칠기를 증대시키는 표면처리를 수행함으로써 이러한 문제점을 효과적으로 해결할 수 있음을 확인하였다. 즉, 윙플레이트(150)의 상부면에 표면거칠기를 증대시킴으로써 윙플레이트(150)의 상부면의 표면적을 증가시킬 수 있으며, 이로 인하여 윙플레이트(150)와 증착물질 간의 부착력이 향상되어 리프팅 현상과 이로 인한 파티클 발생을 감소시킬 수 있다. 또한 윙플레이트(150)와 증착물질 간의 부착력이 향상되므로 리프팅 현상이 발생하는 시점을 최대한 딜레이 시킬 수 있어 장비보수유지의 주기를 개선할 수 있는 부가적인 효과를 기대할 수 있다. A deposition material may inevitably be formed on the wing plate 150 as well as the deposition target structure 250 in the process of performing the vapor deposition process on the deposition target structure 250 placed on the susceptor 120. The deposition material formed on the wing plate 150 may be continuously stacked while performing the deposition process and stress may be generated in the wing plate 150. When the critical point is reached, lifting of the deposition material may occur and particles may be generated have. The inventor has confirmed that this problem can be effectively solved by performing a surface treatment for increasing the surface roughness on the upper surface of the wing plate 150. [ That is, by increasing the surface roughness on the upper surface of the wing plate 150, the surface area of the upper surface of the wing plate 150 can be increased. As a result, the adhesion between the wing plate 150 and the deposition material is improved, This can reduce particle generation. Further, since the adhesion force between the wing plate 150 and the deposition material is improved, it is possible to delay the time point at which the lifting phenomenon occurs as much as possible, thereby providing an additional effect of improving the maintenance cycle of the equipment.

본 발명의 일 실시예에 따른 기판 셔틀 장치(100)에서 윙플레이트(150)는 몸체를 이루는 바디부(152)와 바디부(152) 상의 표면부(154)를 포함할 수 있는데, 표면부(154)는 용사코팅 공정에 의하여 형성된 용사코팅층일 수 있다. 용사코팅 공정은 모재 상부면의 표면거칠기를 증대시킬 수 있는 표면처리이다. 용사코팅은 모재에 열변형 없이 코팅할 수 있는 냉간코팅기술로서, 분말, 선, 봉 형태의 코팅재료를 화염, 전기아크 또는 플라즈마 내로 이송 용융시킨 후 모재에 고속으로 분사, 충돌시켜 코팅층을 형성하는 표면처리 기술이다. 용사코팅은 모재의 재질, 크기, 형상 등에 제한 없이 코팅이 가능하며, 모재에 열변형이 없으며, 동일한 경도의 타 표면처리에 비해 내구수명이 길며, 코팅두께 조절이 용이하며, 코팅속도가 매우 빠르며, 적용 가능한 코팅재료가 다양하며, 후막코팅(thick coating)이 가능하다는 다양한 장점을 가진다. 용사코팅 공정에 의하여 형성된 표면부(154)는 용사코팅 공정의 조건을 적절하게 조절함으로써 상부면의 표면거칠기가 증대될 수 있다. The wing plate 150 may include a body portion 152 that forms a body and a surface portion 154 that is formed on the body portion 152, 154 may be a spray coating layer formed by a spray coating process. The spray coating process is a surface treatment that can increase the surface roughness of the base material. Spray coating is a cold coating technique that can be applied without thermal deformation to a base material. It is a technique of transferring a coating material in the form of powder, wire or rod into a flame, electric arc or plasma and then spraying and colliding with the base material at high speed to form a coating layer Surface treatment technology. Spray coating is possible without any limitation on the material, size and shape of the base material. It has no thermal deformation in the base material, has a longer durability life than the other surface treatment with the same hardness, easy to control the coating thickness, , Various coating materials are applicable, and thick coating is possible. The surface portion 154 formed by the spray coating process can be increased in surface roughness of the upper surface by appropriately adjusting the conditions of the spray coating process.

상술한 것처럼, 상부면의 표면거칠기를 증대시키는 표면처리가 수행된 윙플레이트(150)를 도입함으로써 윙플레이트(150)의 상부면의 표면적이 증가되어 리프팅 현상과 이로 인한 파티클 발생을 감소시킬 수 있다. 나아가, 증착물질 및 윙플레이트를 구성하는 물질에 따라서 부착력이 향상되어 증착물질의 리프팅 현상과 이로 인한 파티클 발생을 감소시킬 수 있다. 예를 들어, 증착물질이 알루미나(Al2O3)인 경우, 윙플레이트의 바디부(152)는 알루미늄을 포함하여 구성될 수 있고, 윙플레이트의 바디부(152) 상에 알루미늄 용사코팅 공정을 수행하여 알루미늄을 포함하여 구성되는 용사코팅층인 표면부(154)를 형성할 수 있다. 이 경우 바디부(152)와 표면부(154) 간의 부착력이 향상되며 나아가 윙플레이트(150)의 상부면과 증착물질 간의 부착력이 향상된다. 이는 바디부(152)와 표면부(154)가 모두 동일한 원소(알루미늄)를 포함하며, 나아가 윙플레이트(150)의 상부면과 증착물질이 모두 동일한 원소(알루미늄)를 포함하므로 상호간의 접합력이 높아지기 때문이다. 결국 증착물질이 윙플레이트(150)의 상부면 상에 강하게 부착되므로 증착물질의 리프팅 현상과 이로 인한 파티클 발생을 감소시킬 수 있다. 또한 증착물질의 리프팅 현상이 발생하는 시점을 최대한 딜레이 시킬 수 있어 장비보수유지의 주기를 개선할 수 있는 부가적인 효과를 기대할 수 있다. As described above, the surface area of the upper surface of the wing plate 150 is increased by introducing the wing plate 150 subjected to the surface treatment in which the surface roughness of the upper surface is increased, thereby reducing the lifting phenomenon and thereby the generation of particles . Further, the adhesion force may be improved according to the material constituting the deposition material and the wing plate, so that the lifting phenomenon of the deposition material and the generation of the particles can be reduced. For example, if the deposited material is alumina (Al 2 O 3), the body portion 152 of the wing plate may be configured, including aluminum, a coated aluminum spraying process to the body portion 152 of the wing plate Thereby forming a surface portion 154 that is a spray coating layer including aluminum. In this case, the adhesion force between the body part 152 and the surface part 154 is improved, and the adhesion between the upper surface of the wing plate 150 and the deposition material is improved. This is because the body portion 152 and the surface portion 154 include the same element (aluminum), and further, since the upper surface of the wing plate 150 and the deposition material both contain the same element (aluminum) Because. As a result, since the deposition material is strongly adhered on the upper surface of the wing plate 150, the lifting phenomenon of the deposition material and the generation of particles due to the deposition material can be reduced. In addition, since the time point when the lifting phenomenon of the evaporation material occurs can be delayed as much as possible, an additional effect of improving the maintenance cycle of the equipment can be expected.

기판 셔틀 장치(100)는, 도 2와 같이, 프레임베이스(114)와 프레임(112)으로 구성된 프레임구조체 상에 서셉터(120)와 윙플레이트(150)를 각각 장착하여 조립함으로써 제조될 수 있다. 이 경우 윙플레이트(150)의 상부면에 대하여, 예를 들어, 용사코팅 공정과 같은, 표면거칠기를 증대시키는 표면처리를 수행하는 단계는, 도 2과 같이, 프레임구조체에 윙플레이트(150)를 장착하여 조립하기 이전에 수행될 수 있다. 또는 윙플레이트(150)의 상부면에 대하여, 예를 들어, 용사코팅 공정과 같은, 표면거칠기를 증대시키는 표면처리를 수행하는 단계는, 프레임구조체에 윙플레이트(150)를 장착하여 조립한 이후에 수행될 수도 있다. The substrate shuttle apparatus 100 can be manufactured by mounting and assembling the susceptor 120 and the wing plate 150 on the frame structure composed of the frame base 114 and the frame 112, . In this case, the step of performing a surface treatment for increasing the surface roughness, such as a spray coating process, on the upper surface of the wing plate 150 may be performed by attaching a wing plate 150 to the frame structure Can be performed before mounting and assembling. Or surface treatment to increase the surface roughness, such as a spray coating process, on the upper surface of the wing plate 150 may be performed after mounting the wing plate 150 on the frame structure and assembling .

도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판 셔틀 장치를 도해하는 분해 사시도이다. 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판 셔틀 장치(100)에서 윙플레이트(150)는 몸체를 이루는 바디부(152)와 바디부(152) 상의 표면부(154)를 포함할 수 있다. 본 실시예에서 표면부(154)는 바디부(152)와 별개인 부재일 수 있다. 표면부(154)는 표면거칠기를 증대시키는 표면처리가 수행될 수 있는데, 이러한 표면처리로서는 용사코팅 공정이나 블래스팅 공정 등을 포함할 수 있다. 표면부(154)와 바디부(152)는, 예를 들어, 볼트(156)와 같은, 기계적 체결부로서 결합될 수 있다. 한편 기계적 체결부는 볼트 이외에도 후크 또는 클립과 같은 구성요소를 포함할 수 있다. 3 is an exploded perspective view illustrating a substrate shuttle apparatus according to another embodiment of the present invention. The wing plate 150 may include a body portion 152 that forms a body and a surface portion 154 that is formed on the body portion 152. The body portion 152 and the body portion 152 may have the same shape. In this embodiment, the surface portion 154 may be a member that is separate from the body portion 152. The surface portion 154 may be subjected to a surface treatment for increasing the surface roughness, which may include a spray coating process or a blasting process. The surface portion 154 and the body portion 152 can be joined as mechanical fasteners, such as, for example, On the other hand, the mechanical fastening part may include components such as a hook or clip in addition to the bolt.

기판 셔틀 장치(100)는, 프레임베이스(114)와 프레임(112)으로 구성된 프레임구조체 상에 서셉터(120)와 윙플레이트(150)를 각각 장착하여 조립함으로써 제조될 수 있다. 본 실시예에서, 윙플레이트(150)의 상부면에 대하여, 즉, 바디부(152)와 별개의 부재인 표면부(154)에 대하여, 예를 들어, 용사코팅 공정과 같은, 표면거칠기를 증대시키는 표면처리를 수행하는 단계는, 표면부(154)와 바디부(152)를 기계적 체결부(156)로 결합하기 이전 또는 이후에 수행될 수 있으며, 나아가, 프레임구조체에 윙플레이트(150)를 장착하여 조립하기 이전 또는 이후에 수행될 수 있다. 한편, 도 3에 도시된 기판 셔틀 장치 및 그 제조방법에서, 용사코팅 공정 및 그 밖의 다른 구성요소들에 대한 설명은 도 1 및 도 2에서 설명한 내용과 동일하게 또는 유사하게 적용될 수 있으며, 여기에서는 편의상 그 설명을 생략한다.The substrate shuttle apparatus 100 can be manufactured by mounting and assembling the susceptor 120 and the wing plate 150 on the frame structure composed of the frame base 114 and the frame 112 respectively. In this embodiment, the surface roughness of the wing plate 150 is increased with respect to the upper surface of the wing plate 150, that is, the surface portion 154, which is a member separate from the body portion 152, May be performed before or after the surface portion 154 and the body portion 152 are joined by the mechanical fastening portion 156 and further the wing plate 150 may be attached to the frame structure May be performed before or after mounting and assembling. On the other hand, in the substrate shuttle apparatus shown in FIG. 3 and the manufacturing method thereof, description of the spray coating process and other components can be applied equally or similarly to those described in FIGS. 1 and 2, The description thereof will be omitted for the sake of convenience.

도 4는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 기판 셔틀 장치를 도해하는 사시도이다. 도 4를 참조하면, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 기판 셔틀 장치(100)는 증착물질이 형성될 피증착 구조체가 안착될 수 있는 서셉터(120)를 포함한다. 서셉터(120)는 상기 피증착 구조체가 안착될 수 있는 안착부(122) 및 안착부(122)을 둘러싸는 테두리부(124)를 가지는데, 테두리부(124)의 상부면은, 예를 들어, 용사코팅 공정과 같은, 표면거칠기를 증대시키는 표면처리가 수행될 수 있다. 따라서 표면거칠기를 증대시키는 표면처리가 수행된 표면부(154)는 윙플레이트(150)의 상부면에 형성될 뿐만 아니라 서셉터의 테두리부(124)의 상부면에도 형성될 수 있다. 변형된 실시예에서는, 예를 들어, 용사코팅층인 표면부(154)가 윙플레이트(150)의 상부면에는 형성되지 않고 서셉터의 테두리부(124)의 상부면에서만 형성될 수도 있다. 한편, 도 4에 도시된 기판 셔틀 장치 및 그 제조방법에서, 용사코팅 공정 및 그 밖의 다른 구성요소들에 대한 설명은 도 1 내지 도 3에서 설명한 내용과 동일하게 또는 유사하게 적용될 수 있으며, 여기에서는 편의상 그 설명을 생략한다. 4 is a perspective view illustrating a substrate shuttle apparatus according to another embodiment of the present invention. Referring to FIG. 4, a substrate shuttling apparatus 100 according to another embodiment of the present invention includes a susceptor 120 on which a deposition structure to deposit a deposition material may be placed. The susceptor 120 has a seating portion 122 on which the deposited structure can be seated and a rim portion 124 surrounding the seating portion 122. The upper surface of the rim portion 124 has, For example, a surface treatment to increase the surface roughness, such as a spray coating process, may be performed. The surface portion 154 subjected to the surface treatment for increasing the surface roughness can be formed not only on the upper surface of the wing plate 150 but also on the upper surface of the rim portion 124 of the susceptor. In a modified embodiment, for example, a surface portion 154, which is a spray coating layer, may be formed only on the upper surface of the rim 124 of the susceptor rather than on the upper surface of the wing plate 150. On the other hand, in the substrate shuttle apparatus and its manufacturing method shown in FIG. 4, the description of the spray coating process and other components can be applied equally or similarly to those described in FIGS. 1 to 3, The description thereof will be omitted for the sake of convenience.

도 1 내지 도 4를 참조하여 상술한 표면거칠기를 증대시키는 표면처리는 예시적으로 용사코팅 공정에 대하여 설명하였으나 본원의 기술적 사상은 이에 한정되지 않는다. 예를 들어, 상기 표면거칠기를 증대시키는 표면처리는 블래스팅(blasting) 공정을 포함할 수 있다. 블래스팅 공정은 분사 표면처리의 일종으로서, 경도가 큰 소립자를 고속으로 가공표면에 분사하는 공정으로서, 예를 들어, 샌드 블래스팅 공정, 그리드 블래스팅 공정 등이 있다. 이러한 블래스팅 공정은 용사코팅층과 같은 별도의 층이 형성되지 않는다는 점에서 용사코팅 공정과 상이하다. 그러나 블래스팅 공정에 의해서도 윙플레이트(150)의 상부면 및/또는 서셉터의 테두리부(124)의 상부면의 표면거칠기를 증대시키고 표면적을 증대시킴으로써 리프팅 현상과 이로 인한 파티클 발생을 감소시킬 수 있다. The surface treatment for increasing the surface roughness described above with reference to Figs. 1 to 4 has been exemplarily described with respect to the spray coating process, but the technical idea of the present application is not limited thereto. For example, the surface treatment for increasing the surface roughness may include a blasting process. The blasting process is a kind of spray surface treatment. The blasting process is a process for spraying fine particles having a large hardness at a high speed on a machined surface, for example, a sandblasting process, a grid blasting process, and the like. This blasting process differs from the spray coating process in that a separate layer such as a spray coating layer is not formed. However, by the blasting process, the surface roughness of the upper surface of the wing plate 150 and / or the upper surface of the rim 124 of the susceptor can be increased and the surface area can be increased to reduce the lifting phenomenon and the resulting particle generation .

이하에서는, 본 발명의 실시예에 따른 기판 셔틀 장치를 포함하는 기상 증착 장치를 설명한다. 도 5는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 기상 증착 장치를 도해하는 단면도이며, 도 6은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 기상 증착 장치에서 증착소스부와 기판 셔틀 장치를 도해하는 단면도이며, 도 7은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 기상 증착 장치에서 기판 셔틀 장치가 움직일 수 있는 이송 유닛(200)을 도해하는 사시도이다. 본 발명에서 언급하는 기상 증착 장치는 기상 상태의 증착기체의 반응에 의해서 물질층이 형성되는 화학적 기상 증착(chemical vapor deposition; CVD) 공정을 수행하는 장치를 포함할 수 있다. 나아가, 본 발명에서 언급하는 기상 증착 장치는 기상 상태의 증착기체를 기판 상에 시분할 방식 또는 공간분할 방식으로 제공하는 단계를 반복하여, 원자층 증착(atomic layer deposition; ALD) 공정을 수행하는 장치를 포함할 수도 있다.Hereinafter, a vapor deposition apparatus including a substrate shuttle apparatus according to an embodiment of the present invention will be described. FIG. 5 is a cross-sectional view illustrating a vapor deposition apparatus according to another embodiment of the present invention, FIG. 6 is a cross-sectional view illustrating a deposition source unit and a substrate shuttle apparatus in a vapor deposition apparatus according to another embodiment of the present invention, 7 is a perspective view illustrating a transfer unit 200 in which a substrate shuttling apparatus can move in a vapor deposition apparatus according to another embodiment of the present invention. The vapor deposition apparatus referred to in the present invention may include an apparatus for performing a chemical vapor deposition (CVD) process in which a material layer is formed by the reaction of a vapor deposition gas in a gaseous state. Furthermore, the vapor deposition apparatus referred to in the present invention is an apparatus for performing an atomic layer deposition (ALD) process by repeating the step of providing a vapor-phase deposition gas on a substrate in a time division manner or a space division manner .

도 5 내지 도 7을 참조하면, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 기상 증착 장치는 반응 챔버(350), 반응 챔버(350) 내에 배치되는 증착소스부(330) 및 반응 챔버(350) 내에 배치되며, 증착소스부(330)의 하방으로 이송될 수 있는, 도 1 내지 도 4를 참조하여 상술한, 본 발명의 실시예들에 따른 기판 셔틀 장치(100)를 포함한다. 증착소스부(330)는, 도 6과 같이, 소스가스를 하방으로 제공할 수 있는 소스가스 제공부(10), 반응가스를 하방으로 제공할 수 있는 반응가스 제공부(20) 및 소스가스 제공부(10)와 반응가스 제공부(20) 사이에 위치하며, 가스를 펌핑할 수 있는 펌핑부(30)를 포함할 수 있다. 5 to 7, a vapor deposition apparatus according to another embodiment of the present invention includes a reaction chamber 350, a deposition source unit 330 disposed in the reaction chamber 350, and a reaction chamber 350 disposed in the reaction chamber 350 And which can be transported downward of the deposition source portion 330, as described above with reference to Figures 1-4. As shown in FIG. 6, the deposition source unit 330 includes a source gas supply unit 10 capable of supplying a source gas downward, a reaction gas supply unit 20 capable of providing a downward reaction gas, And a pumping unit 30 located between the reactor 10 and the reactant gas supply unit 20 and capable of pumping the gas.

한편, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 기상 증착 장치는, 도 5 내지 도 7과 같이, 소스가스 제공부(10), 펌핑부(30) 및 반응가스 제공부(20)를 포함하는 증착소스부(330)의 하방에서 피증착 구조체(250)가 안착된 기판 셔틀 장치(100)를 순차적으로 이송할 수 있는 이송부(210)를 포함할 수 있다. 피증착 구조체(250)는 기판 셔틀 장치(100)의 서셉터(120)의 안착부(122)에 안착되어 증착물질이 형성되는 구조체를 의미하며, 예를 들어, 기판과 상기 기판 상의 마스크를 포함하는 적층 구조체일 수 있다. 이송부(210)는 증착이 이루어질 피증착 구조체(250)가 안착된 기판 셔틀 장치(100)를 수평 방향(예컨대 ±x 방향)으로 이송할 수 있으며, 도 7과 같이, 서로 나란하게 이격된 복수의 가이드 레일로 구성될 수 있다. 복수의 가이드 레일 사이에는 리니어모터부를 포함하는 추가적인 구동요소(220)가 배치될 수 있다. 5 to 7, a vapor deposition apparatus according to another embodiment of the present invention includes a source gas supply unit 10, a pumping unit 30, and a reaction gas supply unit 20, And a transfer unit 210 capable of sequentially transferring the substrate shuttle apparatus 100 on which the deposition target structure 250 is placed below the substrate transfer unit 330. The deposition target structure 250 refers to a structure in which the deposition material is formed by being placed in the seating portion 122 of the susceptor 120 of the substrate shuttle apparatus 100 and includes a substrate and a mask on the substrate Or the like. The transfer unit 210 may transfer the substrate shuttle apparatus 100 on which the deposition target structure 250 to be deposited is placed in the horizontal direction (e.g., the x direction), and a plurality of Guide rails. An additional driving element 220 including a linear motor portion may be disposed between the plurality of guide rails.

소스가스 제공부(10)는 소스가스를 하방으로 주입할 수 있다. 도면에서는 상부에서 하부를 향해 (-z 방향으로) 연장된 소스가스 주입부(12)를 통해 -z 방향으로 소스가스를 주입할 수 있는 것으로 도시하고 있다. 소스가스 주입부(12)는 노즐로 이해될 수 있다. 이러한 소스가스 주입부(12)를 통해 -z 방향으로 주입된 소스가스는 소스가스 주입부(12)를 통과한 후 도 6에 도시된 것과 같이 xy 평면 상에서 대략 수평방향으로 이동하며 퍼질 수 있다.The source gas supplier 10 can inject the source gas downward. In the figure, it is shown that the source gas can be injected in the -z direction through the source gas injection portion 12 extending from the upper portion to the lower portion (in the -z direction). The source gas injection portion 12 can be understood as a nozzle. The source gas injected through the source gas injecting portion 12 in the -z direction may pass through the source gas injecting portion 12 and then spread and travel in a substantially horizontal direction on the xy plane as shown in Fig.

이송부(210) 상에 피증착 구조체(250)가 안착된 기판 셔틀 장치(100)가 +x 방향으로 이동함에 있어서 소스가스 제공부(10) 하측을 지나갈 시, 소스가스 주입유닛(10)에서 하방으로 주입되는 소스가스는 피증착 구조체(250)의 소스가스 주입유닛(10) 하측에 위치한 부분에 소스물질층을 형성하게 된다. 피증착 구조체(250)가 안착된 기판 셔틀 장치(100)가 +x 방향으로 계속 이동함으로써 결과적으로 피증착 구조체(250)를 포함한 기판 셔틀 장치(100)의 전면(全面)에 소스물질층이 형성될 수 있다. 소스물질층은 예컨대 트리메틸 알루미늄(TMA: Al(CH3)3)층일 수 있다.When the substrate shuttle apparatus 100 on which the evaporated structure 250 is mounted on the transfer unit 210 moves under the source gas supply unit 10 in the + x direction, the source gas supply unit 10 moves downward The source gas injected into the source gas injection unit 10 of the deposition target structure 250 forms a source material layer at a portion located below the source gas injection unit 10. The substrate shuttle apparatus 100 on which the deposition target structure 250 is placed is continuously moved in the + x direction so that a source material layer is formed on the entire surface of the substrate shuttle apparatus 100 including the deposition target structure 250 . The source material layer may be, for example, a trimethyl aluminum (TMA: Al (CH 3 ) 3 ) layer.

반응가스 제공부(20)는 반응가스를 하방으로 주입할 수 있다. 도면에서는 상부에 한 개의 반응가스 주입구(22a)가 위치하고 하부에 복수개의 반응가스 배출구(22b)들이 위치하며, 반응가스 제공부(20) 내부는 속이 빈 확산공간을 형성하는, 샤워헤드 구조의 반응가스 제공부(20)를 도시하고 있다. 그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며, 상부에서 하부를 향해 (-z 방향으로) 연장된 복수개의 노즐들을 구비할 수도 있는 등, 다양한 변형이 가능함은 물론이다.The reaction gas supplier 20 can inject the reaction gas downward. In the figure, one reaction gas inlet 22a is located at the upper part, a plurality of reaction gas outlets 22b are located at the lower part, and the inside of the reaction gas providing part 20 forms a hollow diffusion space. And shows the gas supplier 20. However, the present invention is not limited to this, and it is needless to say that various modifications are possible, such as having a plurality of nozzles extending from the upper part to the lower part (in the -z direction).

이송부(210) 상에 피증착 구조체(250)가 안착된 기판 셔틀 장치(100)가 +x 방향으로 이동함에 있어서 반응가스 제공부(20) 하측을 지나갈 시, 반응가스 제공부(20)에서 하방으로 주입되는 반응가스는 피증착 구조체(250)의 반응가스 제공부(20) 하측에 위치한 부분에 이미 형성된 소스물질층과 반응하여 최종물질층을 형성하게 된다. 피증착 구조체(250)가 안착된 기판 셔틀 장치(100)가 +x 방향으로 계속 이동함으로써 결과적으로 피증착 구조체(250)를 포함한 기판 셔틀 장치(100)의 전면(全面)에 최종물질층이 형성될 수 있다. 소스물질층이 전술한 것과 같은 트리메틸 알루미늄(TMA: Al(CH3)3)층일 경우, 반응가스는 수증기를 포함하거나 오존을 포함할 수 있다. 이 경우 트리메틸 알루미늄층은 수증기나 오존과 반응하여, 최종물질층, 즉 알루미나(Al2O3)층이 될 수 있다.When the substrate shuttle apparatus 100 on which the deposition structure 250 is mounted on the transferring unit 210 moves under the reaction gas supply unit 20 when the substrate shuttle apparatus 100 moves in the + x direction, Is reacted with a source material layer formed on a lower portion of the reaction gas supply unit 20 of the deposition target structure 250 to form a final material layer. The substrate shuttle apparatus 100 on which the deposition target structure 250 is placed is continuously moved in the + x direction so that a final material layer is formed on the entire surface of the substrate shuttle apparatus 100 including the deposition target structure 250 . When the source material layer is a trimethyl aluminum (TMA: Al (CH 3 ) 3 ) layer as described above, the reaction gas may contain water vapor or may contain ozone. In this case, the trimethylaluminum layer reacts with water vapor or ozone to form a final material layer, that is, an alumina (Al 2 O 3 ) layer.

펌핑부(30)는 소스가스 제공부(10)와 반응가스 제공부(20) 사이에 위치하며, 가스를 외부로 펌핑할 수 있는 적어도 두 개의 펌핑존들(31, 32)을 갖는다. 도면에서는 예컨대 펌핑부(30)가 두 개의 펌핑존들(31, 32)을 갖는 경우를 도시하고 있다. 즉, 펌핑부(30)는 소스가스 제공부(10)에 인접한 제1펌핑존(31)과, 반응가스 제공부(20)에 인접한 제2펌핑존(32)을 포함한다. 물론 필요에 따라 펌핑부(30)가 두 개의 펌핑존들(31, 32)이 아닌 더 많은 개수의 펌핑존들을 가질 수도 있다.The pumping portion 30 is located between the source gas supplier 10 and the reactant gas supplier 20 and has at least two pumping zones 31 and 32 capable of pumping the gas to the outside. In the figure, for example, the pumping section 30 has two pumping zones 31 and 32. [ That is, the pumping portion 30 includes a first pumping zone 31 adjacent to the source gas supplier 10 and a second pumping zone 32 adjacent to the reactive gas supplier 20. Of course, if desired, the pumping section 30 may have a greater number of pumping zones than the two pumping zones 31,32.

펌핑부(30)의 제1펌핑존(31)과 제2펌핑존(32) 사이에는 격벽(33)이 배치될 수 있다. 이 경우 제1펌핑존(31)을 펌핑하는 펌프와 제2펌핑존(32)을 펌핑하는 펌프를 별도로 구성할 수도 있으나, 제1펌핑존(31)과 제2펌핑존(32)이 동일한 펌프에 의해 펌핑되도록 함으로써 구성을 더욱 단순화할 수 있다. 제1펌핑존(31)과 제2펌핑존(32)은 반응 챔버(350)에 의해서까지 한정되는 공간은 아니고, 제1펌핑존(31)의 경우에는 소스가스 제공부(10)와 격벽(33) 사이의 공간, 제2펌핑존(32)의 경우에는 반응가스 제공부(20)와 격벽(33) 사이의 공간인 것으로 이해될 수도 있다. A partition 33 may be disposed between the first pumping zone 31 and the second pumping zone 32 of the pumping unit 30. [ In this case, the pump for pumping the first pumping zone 31 and the pump for pumping the second pumping zone 32 may be separately constructed, but the first pumping zone 31 and the second pumping zone 32 may be the same pump So that the configuration can be further simplified. The first pumping zone 31 and the second pumping zone 32 are not defined by the reaction chamber 350 but are formed in the first pumping zone 31 by the source gas providing unit 10 and the partition wall 33 in the case of the second pumping zone 32 and the space between the reactive gas supply 20 and the partition 33 in the case of the second pumping zone 32. [

특히, 본 실시예에 따른 기상 증착 장치의 경우 제1펌핑존(31)과 제2펌핑존(32)에서 하측의 가스를 외부로 배출하는 바, 이에 따라 펌핑부(30) 하방에 있어서 제1펌핑존(31)과 제2펌핑존(32) 사이에, 가스 흐름이 정체되는 블로킹영역이 형성된다. 그 결과, 소스가스 제공부(10)에서 하방(-z 방향)으로 주입되어 xy 평면 상에서 대략 수평방향으로 이동하며 퍼지는 소스가스가 상기 블로킹영역에 의해 이동이 차단되어, 반응가스 제공부(20) 하측 영역으로 이동하는 것이 효과적으로 방지된다. 유사하게, 반응가스 제공부(20)에서 하방(-z 방향)으로 주입되는 반응가스 역시 상기 블로킹영역에 의해 이동이 차단되어, 소스가스 제공부(10) 하측 영역으로 이동하는 것이 효과적으로 방지된다.Particularly, in the case of the vapor deposition apparatus according to the present embodiment, the lower gas is discharged to the outside from the first pumping zone 31 and the second pumping zone 32, Between the pumping zone 31 and the second pumping zone 32, a blocking region is formed in which the gas flow stagnates. As a result, the source gas is injected downward (-z direction) in the source gas supplier 10 to move in a substantially horizontal direction on the xy plane, and the source gas is prevented from moving by the blocking region, It is effectively prevented from moving to the lower region. Similarly, the reaction gas injected downward (-z direction) in the reactive gas supplier 20 is also blocked by the blocking region, thereby effectively preventing the reaction gas from moving to the region below the source gas supplier 10.

종래의 원자층 증착 장치와 같은 기상 증착 장치의 경우 동일한 한 공간에서 소스가스 피딩, 소스가스 퍼징, 반응가스 피딩, 반응가스 퍼징이 이루어지도록 하기 위해 기상 증착 장치의 구성이 복잡해질 수밖에 없다는 문제점이 있었다. 그러나 본 실시예에 따른 기상 증착 장치의 경우에는 소스가스가 주입되는 영역, 반응가스가 주입되는 영역, 펌핑이 이루어지는 영역이 분리되어 있고 각 영역의 구성이 단순하기에, 전체적인 증착 장치의 구성이 단순화된다. 또한, 종래의 기상 증착 장치의 경우 시분할 증착 방식이기에, 한 개의 증착대상 기판 상에 증착이 완료되기 전까지 다음 기판에 대한 증착이 시작될 수 없다는 문제점이 있었다. 그러나 본 실시예에 따른 기상 증착 장치를 이용할 경우에는 공간분할 증착 방식이기에, 이송부(210)를 통해 피증착 구조체(250)가 안착된 기판 셔틀 장치(100)를 연속적으로 투입하며 증착이 이루어지도록 할 수 있다. There is a problem in that the configuration of the vapor deposition apparatus is inevitably complicated in order to perform source gas feeding, source gas purging, reaction gas feeding, and reactive gas purging in the same space in the case of a conventional vapor deposition apparatus such as an atomic layer deposition apparatus . However, in the case of the vapor deposition apparatus according to this embodiment, since the region where the source gas is injected, the region where the reactive gas is injected, and the region where the pumping is performed are separated and the configuration of each region is simple, do. In addition, since the conventional vapor deposition apparatus is a time-divisional deposition system, there is a problem in that deposition on the next substrate can not be started until the deposition is completed on one substrate to be deposited. However, in the case of using the vapor deposition apparatus according to the present embodiment, since it is the space division deposition system, the substrate shuttle apparatus 100 on which the evaporated structure 250 is placed is continuously inserted through the transfer unit 210 to perform deposition .

이 경우, 증착물질은 피증착 구조체(250) 상에만 형성되는 것이 아니라 피증착 구조체(250)가 안착된 기판 셔틀 장치(100)의 상부면에도 불가피하게 형성될 수 있으며, 특히, 상술한 바와 같이, 기판 셔틀 장치(100)의 윙플레이트(150) 상에 형성된 증착물질은 계속 쌓이면서 윙플레이트(150)에 응력을 발생시킬 수 있으며 임계점에 도달하면 증착물질의 리프팅 현상이 나타나 파티클이 발생될 수 있었다. 이러한 문제점들은, 도 1 내지 도 4를 참조하여 설명한, 본 발명의 실시예에 따른 기판 셔틀 장치(100)를 도입함으로써 효과적으로 해결할 수 있다. In this case, the deposition material is not necessarily formed on the deposition target structure 250, but may be inevitably formed on the upper surface of the substrate shuttle device 100 on which the deposition target structure 250 is mounted. In particular, The deposition material formed on the wing plate 150 of the substrate shuttle apparatus 100 may continue to accumulate to generate stress in the wing plate 150. When the critical point is reached, lifting of the deposition material may occur and particles may be generated . These problems can be effectively solved by introducing the substrate shuttle apparatus 100 according to the embodiment of the present invention described with reference to Figs.

예를 들어, 증착물질이 알루미나(Al2O3)를 포함하여 구성될 경우, 표면거칠기를 증대시키는 표면처리가 수행된 윙플레이트(150)의 상부면은 알루미늄을 포함하여 구성될 수 있으며, 이 경우 윙플레이트(150)와 증착물질 간의 부착력이 향상되어 리프팅 현상과 이로 인한 파티클 발생을 감소시킬 수 있다. 나아가, 윙플레이트(150)의 상부면에 표면거칠기를 증대시킴으로써 윙플레이트(150)의 상부면의 표면적을 증가시킬 수 있으며, 이로 인하여 윙플레이트(150)와 증착물질 간의 부착력이 더욱 향상되어 리프팅 현상과 이로 인한 파티클 발생을 감소시킬 수 있다. 또한 윙플레이트(150)와 증착물질 간의 부착력이 향상되므로 리프팅 현상이 발생하는 시점을 최대한 딜레이(delay)시킬 수 있어 장비보수유지(maintenance)의 주기를 개선할 수 있는 부가적인 효과를 기대할 수 있다.For example, when the deposition material is composed of alumina (Al 2 O 3 ), the upper surface of the wing plate 150 subjected to the surface treatment for increasing the surface roughness may be composed of aluminum, The adhesion between the wing plate 150 and the deposition material can be improved to reduce the lifting phenomenon and the generation of the particles. Further, by increasing the surface roughness on the upper surface of the wing plate 150, the surface area of the upper surface of the wing plate 150 can be increased. As a result, the adhesion force between the wing plate 150 and the deposition material is further improved, And the resulting particle generation can be reduced. Further, since the adhesion force between the wing plate 150 and the deposition material is improved, a time point at which the lifting phenomenon occurs can be delayed as much as possible, so that an additional effect of improving the maintenance cycle of the equipment can be expected.

발명의 특정 실시예들에 대한 이상의 설명은 예시 및 설명을 목적으로 제공되었다. 따라서 본 발명은 상기 실시예들에 한정되지 않으며, 본 발명의 기술적 사상 내에서 해당 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의하여 상기 실시예들을 조합하여 실시하는 등 여러 가지 많은 수정 및 변경이 가능함은 명백하다.The foregoing description of specific embodiments of the invention has been presented for purposes of illustration and description. It will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations can be made in the present invention without departing from the spirit and scope of the invention as defined by the appended claims. Do.

100 : 기판 셔틀 장치 112, 114 : 프레임구조체
120 : 서셉터 122 : 서셉터의 안착부
124 : 서셉터의 테두리부 150 : 윙플레이트
152 : 바디부 154 : 표면부
210 : 이송부 250 : 피증착 구조체
330 : 증착소스부 350 : 반응 챔버100: substrate shuttle device 112, 114: frame structure
120: susceptor 122: seat portion of the susceptor
124: rim of the susceptor 150: wing plate
152: Body part 154: Surface part
210: transfer part 250: vapor deposition structure
330: deposition source part 350: reaction chamber

Claims (18)

반응 챔버;
상기 반응 챔버 내에 배치되는 증착소스부; 및
상기 반응 챔버 내에 배치되며, 상기 증착소스부의 하방으로 이송될 수 있는, 기판 셔틀 장치; 를 포함하되,
상기 기판 셔틀 장치는,
증착물질이 형성될 기판이 안착될 수 있는 서셉터; 및
상기 서셉터의 양측에 배치되며, 상부면은 표면거칠기를 증대시키는 표면처리가 수행된, 윙플레이트;를 포함하며,
상기 증착소스부는,
소스가스를 하방으로 제공할 수 있는 소스가스 제공부;
반응가스를 하방으로 제공할 수 있는 반응가스 제공부; 및
상기 소스가스 제공부와 상기 반응가스 제공부 사이에 위치하며, 가스를 외부로 펌핑할 수 있는 펌핑부;를 포함하되,
상기 펌핑부는 격벽에 의하여 2 개의 펌핑존으로 구획되며, 소스가스의 적어도 일부는 상기 2 개의 펌핑존 중에서 상기 소스가스 제공부에 인접한 펌핑존으로 펌핑되며, 반응가스의 적어도 일부는 상기 2 개의 펌핑존 중에서 상기 반응가스 제공부에 인접한 펌핑존으로 펌핑되는 것을 특징으로 하는,
기상 증착 장치.A reaction chamber;
A deposition source portion disposed in the reaction chamber; And
A substrate shuttle device disposed within the reaction chamber and being capable of being transported below the deposition source portion; , ≪ / RTI &
Wherein the substrate shuttle device comprises:
A susceptor on which the substrate on which the evaporation material is to be deposited can be seated; And
And a wing plate disposed on both sides of the susceptor, wherein the upper surface is subjected to a surface treatment for increasing surface roughness,
Wherein the deposition source portion comprises:
A source gas supplier capable of providing a source gas downward;
A reaction gas supplier capable of supplying the reaction gas downward; And
And a pumping unit located between the source gas supply unit and the reaction gas supply unit and capable of pumping gas to the outside,
Wherein at least a portion of the source gas is pumped to a pumping zone adjacent to the source gas supplier from among the two pumping zones and at least a portion of the reactant gas flows into the two pumping zones The pumping zone being adjacent to the reactant gas supply.
Vapor deposition apparatus. 제 1 항에 있어서, 상기 표면거칠기를 증대시키는 표면처리는 용사코팅 공정을 포함하는, 기상 증착 장치.2. The vapor deposition apparatus according to claim 1, wherein the surface treatment for increasing the surface roughness comprises a spray coating process. 제 1 항에 있어서,
상기 윙플레이트는 바디부; 및 상기 바디부 상의 표면부;를 포함하며,
상기 표면거칠기를 증대시키는 표면처리는 용사코팅 공정을 포함하고, 상기 표면부는 용사코팅층을 포함하는, 기상 증착 장치.The method according to claim 1,
The wing plate includes a body portion; And a surface portion on the body portion,
Wherein the surface treatment for increasing the surface roughness includes a spray coating process, and the surface portion includes a spray coating layer. 제 3 항에 있어서, 상기 바디부는 알루미늄을 포함하여 구성되고, 상기 용사코팅층은 알루미늄을 포함하여 구성되는, 기상 증착 장치.The vapor-phase deposition apparatus according to claim 3, wherein the body portion is made of aluminum, and the spray coating layer is made of aluminum. 제 1 항에 있어서,
상기 표면거칠기를 증대시키는 표면처리는 블래스팅 공정을 포함하는, 기상 증착 장치.The method according to claim 1,
Wherein the surface treatment for increasing the surface roughness includes a blasting process. 제 1 항에 있어서,
상기 윙플레이트는 바디부; 및 상기 바디부 상에 상기 바디부와 기계적 체결부로 결합된 표면부;를 포함하고,
상기 표면부는 상기 표면부의 상부면이 상기 표면거칠기를 증대시키는 표면처리가 수행된, 기상 증착 장치.The method according to claim 1,
The wing plate includes a body portion; And a surface portion coupled with the body portion and the mechanical fastener portion on the body portion,
Wherein the surface portion is subjected to a surface treatment in which an upper surface of the surface portion increases the surface roughness. 제 1 항에 있어서,
상기 서셉터는 상기 기판이 안착되는 안착부; 및 상기 안착부를 둘러싸도록 배치된 테두리부;를 가지며, 상기 테두리부의 상부면은 상기 표면거칠기를 증대시키는 표면처리가 수행된, 기상 증착 장치.The method according to claim 1,
Wherein the susceptor comprises: a seating part on which the substrate is seated; And a rim portion disposed to surround the mount portion, wherein a top surface of the rim portion is subjected to surface treatment for increasing the surface roughness. 삭제delete 삭제delete 제 1 항에 있어서,
상기 소스가스 제공부, 상기 펌핑부, 및 상기 반응가스 제공부의 하방에서 상기 기판 셔틀 장치를 순차적으로 이송할 수 있는 이송부;를 더 포함하는, 기상 증착 장치.The method according to claim 1,
And a transfer unit capable of sequentially transferring the substrate shuttle device from below the source gas supply unit, the pumping unit, and the reaction gas supply unit. 제 1 항에 있어서,
상기 윙플레이트가 상기 서셉터의 양측에 배치되는 방향은 상기 기판 셔틀 장치가 상기 증착소스부의 하방으로 이송되는 방향과 나란한, 기상 증착 장치.The method according to claim 1,
Wherein a direction in which the wing plate is disposed on both sides of the susceptor is parallel to a direction in which the substrate shuttle device is transported downward of the deposition source portion. 제 1 항에 있어서,
상기 증착물질은 알루미나를 포함하여 구성되며, 상기 표면거칠기를 증대시키는 표면처리가 수행된 상기 윙플레이트의 상부면은 알루미늄을 포함하여 구성되는, 기상 증착 장치.The method according to claim 1,
Wherein the deposition material comprises alumina, and the upper surface of the wing plate subjected to the surface treatment for increasing the surface roughness is made of aluminum. 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 제 1 항에 있어서,
상기 2 개의 펌핑존 사이에 가스 흐름이 정체되는 블로킹영역이 형성됨으로써,
상기 소스가스 제공부에서 하방으로 주입된 소스가스가 상기 블로킹영역에 의해 이동이 차단되어 상기 반응가스 제공부 하측 영역으로 이동하는 것이 방지되며,
상기 반응가스 제공부에서 하방으로 주입된 반응가스가 상기 블로킹영역에 의해 이동이 차단되어 상기 소스가스 제공부 하측 영역으로 이동하는 것이 방지되는,
기상 증착 장치.



The method according to claim 1,
And a blocking region is formed between the two pumping zones in which the gas flow is stagnated,
The source gas injected downward in the source gas supply unit is prevented from being moved by the blocking region and is prevented from moving to the reaction gas supply lower region,
Wherein the reaction gas injected downward in the reaction gas supply unit is prevented from being moved by the blocking region and is prevented from moving to the source gas supply lower region,
Vapor deposition apparatus.



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