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KR101856231B1 - 나노패턴을 구비한 투명기판 및 그 제조방법 - Google Patents

나노패턴을 구비한 투명기판 및 그 제조방법 Download PDF

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KR101856231B1
KR101856231B1 KR1020110137217A KR20110137217A KR101856231B1 KR 101856231 B1 KR101856231 B1 KR 101856231B1 KR 1020110137217 A KR1020110137217 A KR 1020110137217A KR 20110137217 A KR20110137217 A KR 20110137217A KR 101856231 B1 KR101856231 B1 KR 101856231B1
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Abstract

본 발명은, 투명기판 상에 투명한 재질의 레진층을 형성하고, 상기 레진층 상에 다수의 격자패턴이 형성된 제1패턴영역 및 제2패턴영역과, 상기 제1패턴영역 및 상기 제2패턴영역 사이에 형성된 돌출패턴으로 이루어진 단위패턴부를 적어도 하나 이상 형성하고, 상기 돌출패턴 상에 나노스케일의 금속층을 형성함으로써, 용이하게 투명기판상에 나노패턴을 형성할 수 있고 대면적 기판에 적용할 수 있는 나노패턴을 구비한 투명기판 및 그 제조방법을 제공하는 것을 그 목적으로 한다.

Description

나노패턴을 구비한 투명기판 및 그 제조방법{TRANSPARENT SUBSTRATE WITH NANO-PATTERN AND METHOD OF MANUFACTURING THEREOF}
본 발명은 나노패턴 형성기술분야에 관한 것으로서, 보다 구체적으로는 나노패턴을 구비한 투명기판 및 그 제조방법에 관한 것이다.
반도체 장비를 제조함에 있어서 워드라인, 디지트 라인, 콘택트 등 다수의 미세 패턴의 구현이 필수적이며, 이러한 미세패턴의 형성은 일반적으로 리소그래피기술이 적용되어 왔다.
전통적으로 널리 사용되어 온 컨택 리소그라피 방법은 넓은 면적에 걸쳐 패턴을 형성할 수 있으나 빛의 회절 한계로 인하여 형성할 수 있는 미세 패턴의 피치에 제한(1~2um)이 있는 문제가 존재하였다.
이에 따라 상술한 문제를 해결하기 위하여, 스테퍼, 스캐너, 홀로그래픽 리소그래피(Holographic Lithography) 등의 방법이 개발되었으나, 이들 방법은 복잡하고 정교한 장비와 매우 높은 비용이 수반되고, 패턴을 형성할 수 있는 면적이 제한된다는 점에서 한계점이 존재하였다. 즉, 기존의 리소그래피 방법은 근본적으로 장비한계나 공정특성의 문제로 나노미터 스케일의 미세 패턴을 구현하는 데에는 근본적인 한계가 있으며, 더욱 구체적으로는 종래의 이러한 리소그래피 기술로는 8inch 이상의 대면적에 걸쳐 균일하게 형성된 나노미터 스케일의 패턴을 구현하기 어려운 문제가 있다.
상술한 문제점에 따라, 한국공개특허 2011-0024892호에 개시된 바와 같은 금속재질의 다공성 템플릿을 이용하여 다공성 금속박막을 형성하고, 이를 촉매로 이용하여 나노패턴을 형성하는 방법이 제시되었으나, 이는 다공성 템플릿을 선 준비해야하는 불편함 및 촉매성장법을 이용함에 따라 원하는 부위에만 나노패턴을 형성할 수 없는 문제점이 존재하였고, 아울러 투명기판 상에 나노패턴을 형성할 수 없는 문제점이 존재하였다.
한국공개특허 2011-0024892호
본 발명은 상술한 종래의 문제점을 해결하기 위해 제안된 것으로서, 투명기판 상에 투명한 재질의 레진층을 형성하고, 상기 레진층 상에 다수의 격자패턴이 형성된 제1패턴영역 및 제2패턴영역과, 상기 제1패턴영역 및 상기 제2패턴영역 사이에 형성된 돌출패턴으로 이루어진 단위패턴부를 적어도 하나 이상 형성하고, 상기 돌출패턴 상에 나노스케일의 금속층을 형성함으로써, 용이하게 투명기판상에 나노패턴을 형성할 수 있고 대면적 기판에 적용할 수 있는 나노패턴을 구비한 투명기판 및 그 제조방법을 제공하는 것을 그 목적으로 한다.
상술한 과제를 해결하기 위한 본 발명의 나노패턴을 구비한 투명기판 제조방법은, 투명기판 상에 투명한 재질의 레진층을 형성하고, 상기 레진층 상에 다수의 격자패턴이 형성된 제1패턴영역 및 제2패턴영역과, 상기 제1패턴영역 및 상기 제2패턴영역 사이에 형성된 돌출패턴으로 이루어진 단위패턴부를 적어도 하나 이상 형성하고, 상기 돌출패턴 상에 나노스케일의 금속층을 형성하는 것을 포함하여 이루어질 수 있다.
본 발명의 나노패턴을 구비한 투명기판 제조방법에 있어서, 상기 돌출패턴의 높이는, 상기 격자패턴의 높이 이상으로 형성될 수 있다.
본 발명의 나노패턴을 구비한 투명기판 제조방법에 있어서, 상기 돌출패턴의 폭은, 상기 제1패턴영역 또는 상기 제2패턴영역의 폭 이상으로 형성될 수 있다.
본 발명의 나노패턴을 구비한 투명기판 제조방법에 있어서, 상기 단위패턴부를 적어도 하나 이상 형성하는 것은, 다수의 격자몰드패턴이 형성된 제1몰드패턴영역 및 제2몰드패턴영역과, 상기 제1몰드패턴영역 및 상기 제2몰드패턴영역 사이에 형성된 오목몰드패턴으로 이루어진 단위몰드패턴부를 적어도 하나 이상 구비한 마스터몰드를 제조하고, 임프린트 공정을 통해 상기 레진층상에 상기 마스터몰드에 형성된 단위몰드패턴부와 대응되는 상기 단위패턴부를 형성하고, 상기 레진층을 경화하고, 상기 마스터몰드를 상기 투명기판으로부터 이형시키는 것을 포함하여 이루어질 수 있다.
본 발명의 나노패턴을 구비한 투명기판 제조방법에 있어서, 상기 제1몰드패턴영역 또는 상기 제2몰드패턴영역의 폭은, 50 내지 100나노미터의 범위에서 형성될 수 있다.
본 발명의 나노패턴을 구비한 투명기판 제조방법에 있어서, 상기 격자몰드패턴의 형성은, 스페이서 리소그래피 공정에 의해 이루어질 수 있다.
본 발명의 나노패턴을 구비한 투명기판 제조방법에 있어서, 상기 오목몰드패턴의 형성은, 전자빔 리소그래피(E-Beam Lithography) 공정에 의해 이루어질 수 있다.
본 발명의 나노패턴을 구비한 투명기판 제조방법에 있어서, 상기 오목몰드패턴의 폭은, 200 내지 1000 나노미터의 범위에서 형성될 수 있다.
본 발명의 나노패턴을 구비한 투명기판 제조방법에 있어서, 상기 금속층을 형성하는 것은, 상기 격자패턴 및 상기 돌출패턴상에 금속을 증착하고, 습식에칭공정을 통해 상기 격자패턴상에 증착된 금속을 제거하는 것을 포함하여 이루어질 수 있다.
본 발명의 나노패턴을 구비한 투명기판 제조방법에 있어서, 상기 금속이 증착되는 높이는, 상기 격자패턴의 피치값 이상일 수 있다.
본 발명의 나노패턴을 구비한 투명기판 제조방법에 있어서, 상기 금속을 증착하는 것은, 스퍼터링 방법, 화학기상증착법, 이배포레이션방법 중 적어도 어느 하나의 방법에 의해 이루어질 수 있다.
본 발명의 나노패턴을 구비한 투명기판 제조방법에 있어서, 상기 금속은, 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 은(Ag), 구리(Cu), 니켈(Ni), 코발트(Co), 몰리브덴(Mo) 중 어느 하나 또는 이들의 합금일 수 있다.
본 발명의 나노패턴을 구비한 투명기판 제조방법에 있어서, 상기 레진층은, 열경화성 폴리머 또는 광경화성 폴리머로 이루어질 수 있다.
상술한 과제를 해결하기 위한 본 발명의 나노패턴을 구비한 투명기판은, 투명기판; 상기 투명기판 상에 형성되고, 투명재질로 이루어진 레진층; 상기 레진층 상에 적어도 하나 이상 형성된 단위패턴층; 상기 단위패턴층 상에 형성된 나노스케일의 금속층; 을 포함하되, 상기 단위패턴층은, 다수의 격자패턴이 형성된 제1패턴영역 및 제2패턴영역과, 상기 제1패턴영역 및 상기 제2패턴영역 사이에 형성된 돌출패턴으로 이루어지고, 상기 금속층은 상기 돌출패턴상에 형성될 수 있다.
본 발명의 나노패턴을 구비한 투명기판에 있어서, 상기 돌출패턴의 높이는, 상기 격자패턴의 높이 이상으로 형성될 수 있다.
본 발명의 나노패턴을 구비한 투명기판에 있어서, 상기 돌출패턴의 폭은, 상기 제1패턴영역 또는 상기 제2패턴영역의 폭 이상으로 형성될 수 있다.
본 발명의 나노패턴을 구비한 투명기판에 있어서, 상기 제1패턴영역 또는 상기 제2패턴영역의 폭은, 50 내지 100 나노미터의 범위에서 형성될 수 있다.
본 발명의 나노패턴을 구비한 투명기판에 있어서, 상기 돌출패턴의 폭은, 200 내지 1000 나노미터의 범위에서 형성될 수 있다.
본 발명의 나노패턴을 구비한 투명기판에 있어서, 상기 금속층은, 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 은(Ag), 구리(Cu), 니켈(Ni), 코발트(Co), 몰리브덴(Mo) 중 어느 하나 또는 이들의 합금을 포함할 수 있다.
본 발명의 나노패턴을 구비한 투명기판에 있어서, 상기 레진층은, 열경화성 폴리머 또는 광경화성 폴리머로 이루어질 수 있다.
본 발명에 따르면, 나노스케일의 격자패턴을 투명기판의 넓은 영역에 걸쳐 균일하게 구현할 수 있는 효과가 있다.
또한, 본 발명에 따르면 투명기판상에 상술한 격자패턴뿐만 아니라 나노스케일의 금속층도 균일하게 형성할 수 있게 되어, 저비용으로 ITO와 동등한 전기전도성을 갖는 투명기판을 제공할 수 있는 효과도 갖게 된다.
추가적으로, 본 발명에 사용되는 마스터몰드는 파손전까지 재활용이 가능한 바, 원재료비 절감 및 제조비용 절감의 경제적 이점도 구현된다.
도 1 및 도 2는 본 발명에 따른 나노패턴을 구비한 투명기판 제조방법의 순서를 도시한 순서도이다.
도 3a 내지 도 3g는 본 발명에 따른 나노패턴을 구비한 투명기판의 제조공정을 개략적으로 도시한 공정예시도이다.
이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명을 용이하게 실시할 수 있는 바람직한 실시예를 상세히 설명한다. 다만 본 명세서에 기재된 실시예와 도면에 도시된 구성은 본 발명의 바람직한 일 실시예에 불과할 뿐이고, 본 출원시점에 있어서 이들을 대체할 수 있는 다양한 균등물과 변형 예들이 있을 수 있음을 이해하여야 한다. 또한, 본 발명의 바람직한 실시예에 대한 동작 원리를 상세하게 설명함에 있어 관련된 공지 기능 또는 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명을 생략한다. 후술되는 용어들은 본 발명에서의 기능을 고려하여 정의된 용어들로서, 각 용어의 의미는 본 명세서 전반에 걸친 내용을 토대로 해석되어야 할 것이다. 도면 전체에 걸쳐 유사한 기능 및 작용을 하는 부분에 대해서는 동일한 도면 부호를 사용한다.
도 1 및 도 2는 본 발명에 따른 나노패턴을 구비한 투명기판의 제조방법 순서를 도시한 순서도이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 본 발명에 따른 나노패턴을 구비한 투명기판의 제조방법은, 투명기판 상에 투명 재질의 레진층을 형성하고(S1), 다수의 격자패턴이 형성된 제1패턴영역 및 제2패턴영역과, 상기 제1패턴영역 및 상기 제2패턴영역 사이에 형성된 돌출패턴으로 이루어진 단위패턴부를 레진층 상에 적어도 하나 이상 형성하고(S3), 돌출패턴 상에 나노스케일의 금속층을 형성하는 것(S5)을 포함하여 이루어진다.
S1단계에서 사용되는 투명기판의 재질로서는, 유리, 석영, 투명재질의 고분자, 예컨대 PET(polyethylene terephthalate), PC(polycarbonate), PI(polyimide)와 같은 공지의 고분자 물질이 이용될 수 있으며, 이외에도 다양한 플렉서블(flexible) 기판이 이용될 수 있는 등, 그 재질에는 한정이 없다고 할 것이다.
이러한 투명기판을 준비한 후, 투명기판상에 투명재질의 레진을 도포하여 레진층을 형성한다. 이때 사용되는 레진으로서 열경화성 폴리머 또는 광경화성 폴리머가 이용될 수 있다. 한편, 레진층과 투명기판과의 접착력 향상을 위하여, 레진을 도포하기 전에 투명기판상에 Adhesive를 코팅한 후, 레진을 도포하여 레진층을 형성하는 것도 가능하다.
S1단계 이후, 다수의 격자패턴이 형성된 제1패턴영역 및 제2패턴영역과, 상기 제1패턴영역 및 상기 제2패턴영역 사이에 형성된 돌출패턴으로 이루어진 단위패턴부를 레진층 상에 적어도 하나 이상 형성하며(S3), 구체적으로 S3단계는 다음과 같이 이루어질 수 있다.
우선 다수의 격자몰드패턴이 형성된 제1몰드패턴영역 및 제2몰드패턴영역과, 제1몰드패턴영역 및 상기 제2몰드패턴영역 사이에 형성된 오목몰드패턴으로 이루어진 단위몰드패턴부를 적어도 하나 이상 구비한 마스터몰드를 제조한다(S31).
우선 스페이스 리소그래피 공정, 예컨대 특허출원 2010-0129255호에 기재된 '대면적 나노스케일 패턴형성방법'을 이용하여 마스터몰드 원소재상에 나노스케일을 갖는 다수의 격자몰드패턴을 형성한다. 그리고 오목몰드패턴을 형성하여 제1몰드패턴영역 및 제2몰드패턴영역을 구획하여 하나 이상의 단위몰드패턴부를 형성함으로써 본 발명의 마스터몰드를 제조할 수 있다. 이때 오목몰드패턴 형성방법은 구체적으로 전자빔 리소그래피(E-beam lithography)공정에 이루어질 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.
한편, 이때 제1몰드패턴영역 또는 제2몰드패턴영역의 폭은 50 내지 100 나노미터의 범위에서 형성될 수 있으며, 오목몰드패턴의 폭은 200 내지 1000 나노미터의 범위에서 형성될 수 있다. 이러한 방법으로 제조된 마스터몰드는 일회용으로 사용되지 않고 추후 파손전까지 임프린팅 공정에 계속하여 사용 가능한 바, 원재료비 절감 및 제조비용 절감의 경제적 이점을 구현할 수 있다.
이후, S31단계에서 제조한 마스터몰드를 레진층 상부에 정렬하고, 레진층을 가압하는 임프린트 공정을 통해, 레진층상에 하나 이상의 단위몰드패턴부와 대응되는 하나 이상의 단위패턴부를 형성한다(S33). 여기서, 단위패턴부는 제1몰드패턴영역에 대응되는 제1패턴영역, 제2몰드패턴영역에 대응되는 제2패턴영역 및 오목몰드패턴에 대응되는 돌출패턴부를 포함하는 구조를 의미하며, 제1패턴영역 및 제2패턴영역에는 다수의 격자몰드패턴에 대응되는 다수의 격자패턴이 구비된다.
그리고 레진층을 경화하는 과정을 거치게 되며(S35), 이때 레진층이 열경화성 폴리머로 이루어진 경우 열을 가함으로써 레진층을 경화하게 되고, 레진층이 광경화성 폴리머로 이루어진 경우, 자외선(Ultraviolet) 조사과정을 거쳐 레진층을 경화하게 된다. 이후, 마스터몰드를 레진층으로부터 이형시킴으로써(S37), 본 발명의 S3단계를 수행할 수 있다.
이후, S5단계에서는 레진층의 돌출패턴상에 나노스케일의 금속층을 형성한다.
보다 구체적으로, 우선 격자패턴 및 돌출패턴상에 금속을 증착한다. 이때, 증착되는 금속으로서는 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 은(Ag), 구리(Cu), 니켈(Ni), 코발트(Co), 몰리브덴(Mo) 중 어느 하나 또는 이들의 합금이 이용될 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니며, 이외의 금속들도 필요에 따라 적절히 이용될 수 있다고 할 것이다. 또한, 금속의 증착방법으로서 스퍼터링 방법, 화학기상증착법, 이배포레이션방법 중 적어도 어느 하나의 방법이 이용될 수 있으나, 이는 하나의 예시일 뿐이며, 이외에도 현재 개발되어 상용화되었거나 향후 기술발전에 따라 구현 가능한 모든 증착법이 이용될 수 있다.
한편, 금속을 증착하는 높이는, 구체적으로 격자패턴의 피치값 이상으로 이루어질 수 있으며, 각 격자패턴 및 돌출패턴상에 균일하게 증착됨이 바람직하다. 추후 에칭과정에서 격자패턴상에 형성된 금속이 용이하게 제거되도록 하기 위함이다.
금속을 증착한 후, 습식에칭공정 거치게 되면, 금속의 노출된 3면에서 등방성 에칭이 진행되어 격자패턴상에 증착된 금속은 모두 에칭되거나 격자패턴과 부착된 부분에서 박리가 일어나, 결과적으로 격자패턴상에 증착된 금속은 제거되고, 돌출패턴상에 금속은 남게 되어 나노스케일의 금속층을 이루게 된다. 격자패턴상에 증착되는 금속이 모두 제거되고 돌출패턴상에 금속이 잔존하여 금속층을 이루는 이유는, 격자패턴상에 증착된 금속과 습식에칭공정에서 사용되는 에칭액간의 접촉면적이 돌출패턴상에 증착된 금속에 비해 더 크기 때문이다. 이에 따라 나노패턴 및 나노스케일의 금속층을 포함하는, 본 발명의 나노패턴을 구비한 투명기판을 제조할 수 있게 된다.
본 발명에 따르면, 습식에칭공정을 이용함에 따라, 고온의 환경이 아닌 상온환경 하에서도 공정을 진행할 수 있는 이점을 갖게 되며, 마스터몰드 제조공정을 별도로 진행 가능함에 따른 공정유연성 확보의 이점, 마스터몰드를 파손전까지 사용가능함에 따른 제조비용 절감효과의 이점을 갖게 된다.
또한, 본 발명에 따르면, 나노패턴을 투명기판의 넓은 영역에 걸쳐 균일하게 구현할 수 있는 효과 및 투명기판상에 나노스케일의 금속층도 균일하게 형성할 수 있게 되어 저비용으로 ITO와 동등한 전기전도성을 갖는 투명기판을 제공할 수 있는 효과 및 ITO 대체제로 대두되는 Ag mesh를 나노스케일의 패턴으로 제작할 수 있는 효과도 갖게 되어 터치패널, 액정표시장치, 태양전지 등의 분야에 활용 가능한 이점이 있다.
도 3a 내지 도 3g는 본 발명에 따른 나노패턴을 구비한 투명기판의 제조공정을 개략적으로 도시한 공정예시도이다.
도 3a 내지 도 3g를 참조하면, 우선 도 3a에 도시된 바와 같이 상부에 나노스케일을 갖는 다수의 격자몰드패턴(11)이 형성된 구조물(10a)을 제조한다. 이때 격자몰드패턴(11)의 형성방법으로서 스페이스 리소그래피 공정이 이용될 수 있음은 도 2의 설명에서 상술한 바와 같다.
이후, 도 3a에 도시된 구조물(10a)에 전자빔 리소그래피와 같은 공정을 거쳐 패터닝을 수행함으로써, 도 3b 및 도 3c에 도시된 바와 같이 단위몰드패턴부(10b)를 적어도 하나 이상 구비한 마스터몰드(10)를 제조한다. 이때 단위몰드패턴부(10b)는 제1몰드패턴영역(13), 제2몰드패턴영역(17) 및 제1몰드패턴영역(13)과 제2몰드패턴영역(17) 사이에 형성된 오목몰드패턴(15)으로 이루어지며, 제1몰드패턴영역(13) 및 제2몰드패턴영역(17)은, 다수의 격자몰드패턴(11)을 구비하게 된다.
여기서 오목몰드패턴(15)의 폭(B)은, 제1몰드패턴영역(13)의 폭(A) 또는 제2몰드패턴영역(17)의 폭(C)보다 넓게 형성되며, 보다 구체적으로 오목몰드패턴(15)의 폭(B)은 200 내지 1000 나노미터의 범위 내에서, 제1몰드패턴영역(13)의 폭(A) 또는 제2몰드패턴영역(17)의 폭(C)은 50 내지 100 나노미터의 범위내에서 형성될 수 있으나, 이에 한정되지 않는다. 또한, 오목몰드패턴(15)의 함몰 깊이는, 격자몰드패턴(11)의 높이 이상으로 형성될 수 있다.
이후, 도 3d에 도시된 바와 같이, 투명기판(20)상에 형성된 레진층(30)을, 단위몰드패턴부(10b)가 하나 이상 형성된 마스터몰드(도 3c의 10)로 가압하는 임프린팅 공정을 수행한다. 투명기판(20) 및 레진층(30)에 대한 구체적인 설명은 도 1 및 도 2의 설명에서 상술한 바와 동일한 바, 생략한다. 그리고 광경화과정 또는 열경화과정을 거친 후, 마스터몰드(도 3c의 10)를 레진층(30)으로부터 이형시키면, 도 3e에 도시된 바와 같이, 레진층(20)상에 단위몰드패턴부(도 3c 및 도 3d의 10b)와 대응되는 단위패턴부(30b)를 하나 이상 형성할 수 있게 된다. 여기서 단위패턴부(30b)는 제1패턴영역(33), 제2패턴영역(37) 및 제1패턴영역(33)과 제2패턴영역(37) 사이에 형성된 돌출패턴(35)으로 이루어지며, 제1패턴영역(33) 및 제2패턴영역(37)은, 다수의 격자패턴(31)을 구비하게 된다.
여기서 돌출패턴(35)의 폭(E)은, 제1패턴영역(33)의 폭(D) 또는 제2패턴영역(37)의 폭(F)보다 넓게 형성되며, 보다 구체적으로 돌출패턴(35)의 폭(E)은 200 내지 1000 나노미터의 범위 내에서, 제1패턴영역(33)의 폭(D) 또는 제2패턴영역(37)의 폭(F)은 50 내지 100 나노미터의 범위내에서 형성될 수 있으나, 이에 한정되지 않는다. 또한, 돌출패턴(35)의 높이는, 격자패턴(31)의 높이 이상으로 형성된다.
이후, 격자패턴(31) 및 돌출패턴(35) 상에 금속을 증착하고, 습식에칭공정을 거쳐 격자패턴(31) 상에 증착된 금속을 제거하게 되면, 도 3f에 도시된 바와 같이, 돌출패턴(35) 상에만 나노스케일을 갖는 금속층(40)을 형성할 수 있게 되며, 도 3g에 도시된 바와 같은 대면적을 갖는, 나노패턴을 구비한 투명기판을 얻을 수 있게 된다.
이상으로 본 발명의 기술적 사상을 예시하기 위한 바람직한 실시예와 관련하여 설명하고 도시하였지만, 본 발명은 이와 같이 도시되고 설명된 그대로의 구성 및 작용에만 국한되는 것은 아니며, 기술적 사상의 범주를 일탈함 없이 본 발명에 대해 다수의 적절한 변형 및 수정이 가능함을 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자들은 잘 이해할 수 있을 것이다. 따라서 그러한 모든 적절한 변형 및 수정과 균등물들도 본 발명의 범위에 속하는 것으로 간주되어야 할 것이다.
10 : 마스터몰드
10b: 단위몰드패턴부
11 : 격자몰드패턴
13 : 제1몰드패턴영역
15 : 오목몰드패턴
17 : 제2몰드패턴영역
20 : 투명기판
30 : 레진층
30b: 단위패턴부
31 : 격자패턴
33 : 제1패턴영역
35 : 돌출패턴
37 : 제2패턴영역
40 : 금속층

Claims (21)

  1. 투명기판 상에 투명한 재질의 레진층을 형성하는 단계;
    상기 레진층 상에 다수의 격자패턴이 형성된 제1패턴영역 및 제2패턴영역과, 상기 제1패턴영역 및 상기 제2패턴영역 사이에 형성된 돌출패턴으로 이루어진 단위패턴부를 적어도 하나 이상 형성하는 단계; 및
    상기 돌출패턴 상에 나노스케일의 금속층을 형성하는 단계를 포함하고,
    상기 단위패턴부를 적어도 하나 이상 형성하는 단계에서, 상기 돌출패턴의 높이는 상기 제1패턴영역의 높이 및 상기 제2패턴영역의 높이보다 높고,
    상기 금속층을 형성하는 단계는,
    상기 격자패턴 및 상기 돌출패턴상에 금속을 증착하는 단계; 및
    습식에칭공정을 통해 상기 격자패턴상에 증착된 금속을 제거하는 단계를 포함하고,
    상기 금속을 증착하는 단계에서, 상기 금속은 상기 격자패턴의 피치값 이상의 높이로 증착되고,
    상기 돌출패턴 상에 형성된 상기 금속층의 폭은, 상기 돌출패턴의 폭보다 작은 나노패턴을 구비한 투명기판 제조방법.
  2. 삭제
  3. 청구항 1에 있어서,
    상기 돌출패턴의 폭은,
    상기 제1패턴영역 또는 상기 제2패턴영역의 폭 이상으로 형성되는 나노패턴을 구비한 투명기판 제조방법.
  4. 청구항 1에 있어서,
    상기 단위패턴부를 적어도 하나 이상 형성하는 단계는,
    다수의 격자몰드패턴이 형성된 제1몰드패턴영역 및 제2몰드패턴영역과, 상기 제1몰드패턴영역 및 상기 제2몰드패턴영역 사이에 형성된 오목몰드패턴으로 이루어진 단위몰드패턴부를 적어도 하나 이상 구비한 마스터몰드를 제조하는 단계;
    임프린트 공정을 통해 상기 레진층상에 상기 마스터몰드에 형성된 단위몰드패턴부와 대응되는 상기 단위패턴부를 형성하는 단계;
    상기 레진층을 경화하는 단계; 및
    상기 마스터몰드를 상기 투명기판으로부터 이형시키는 단계를 포함하는 나노패턴을 구비한 투명기판 제조방법.
  5. 청구항 4에 있어서,
    상기 제1몰드패턴영역 또는 상기 제2몰드패턴영역의 폭은,
    50 내지 100나노미터인 나노패턴을 구비한 투명기판 제조방법.
  6. 청구항 4에 있어서,
    상기 격자몰드패턴의 형성은,
    스페이스 리소그래피 공정에 의해 이루어지는 나노패턴을 구비한 투명기판 제조방법.
  7. 청구항 4에 있어서,
    상기 오목몰드패턴의 형성은,
    전자빔 리소그래피(E-Beam Lithography) 공정에 의해 이루어지는 나노패턴을 구비한 투명기판 제조방법.
  8. 청구항 4에 있어서,
    상기 오목몰드패턴의 폭은,
    200 내지 1000 나노미터인 나노패턴을 구비한 투명기판 제조방법.
  9. 삭제
  10. 삭제
  11. 청구항 1에 있어서,
    상기 금속을 증착하는 단계는,
    스퍼터링 방법, 화학기상증착법, 이배포레이션방법 중 적어도 어느 하나의 방법에 의해 이루어지는 나노패턴을 구비한 투명기판 제조방법.
  12. 청구항 1에 있어서,
    상기 금속은,
    알루미늄(Al), 크롬(Cr), 은(Ag), 구리(Cu), 니켈(Ni), 코발트(Co), 몰리브덴(Mo) 중 어느 하나 또는 이들의 합금인 나노패턴을 구비한 투명기판 제조방법.
  13. 청구항 1, 청구항 3 내지 청구항 8, 청구항 11 및 청구항 12 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 레진층은, 열경화성 폴리머 또는 광경화성 폴리머로 이루어진 나노패턴을구비한 투명기판 제조방법.
  14. 투명기판;
    상기 투명기판 상에 형성되고, 투명재질로 이루어진 레진층;
    상기 레진층 상에 적어도 하나 이상 형성된 단위패턴층;
    상기 단위패턴층 상에 형성된 나노스케일의 금속층; 을 포함하되,
    상기 단위패턴층은,
    다수의 격자패턴이 형성된 제1패턴영역 및 제2패턴영역과,
    상기 제1패턴영역 및 상기 제2패턴영역 사이에 형성된 돌출패턴으로 이루어지고,
    상기 돌출패턴의 높이는 상기 제1패턴영역 및 상기 제2패턴영역의 높이보다 높고,
    상기 금속층은 상기 돌출패턴상에 형성되고,
    상기 금속층의 폭은 상기 돌출패턴의 폭보다 작은 나노패턴을 구비한 투명기판.
  15. 삭제
  16. 청구항 14에 있어서,
    상기 돌출패턴의 폭은,
    상기 제1패턴영역 또는 상기 제2패턴영역의 폭 이상으로 형성된 나노패턴을 구비한 투명기판.
  17. 청구항 14에 있어서,
    상기 제1패턴영역 또는 상기 제2패턴영역의 폭은,
    50 내지 100 나노미터의 범위에서 형성된 나노패턴을 구비한 투명기판.
  18. 청구항 14에 있어서,
    상기 돌출패턴의 폭은,
    200 내지 1000 나노미터의 범위에서 형성된 나노패턴을 구비한 투명기판.
  19. 청구항 14에 있어서,
    상기 금속층은,
    알루미늄(Al), 크롬(Cr), 은(Ag), 구리(Cu), 니켈(Ni), 코발트(Co), 몰리브덴(Mo) 중 어느 하나 또는 이들의 합금을 포함하는 나노패턴을 구비한 투명기판.
  20. 청구항 14, 청구항 16 내지 청구항 19 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 레진층은, 열경화성 폴리머 또는 광경화성 폴리머로 이루어진 나노패턴을 구비한 투명기판.
  21. 청구항 1에 있어서,
    상기 금속을 제거하는 단계는 상온에서 진행되는 나노패턴을 구비한 투명기판 제조방법.
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