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KR101853362B1 - Manufacturing method of substrate treating apparatus - Google Patents

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KR101853362B1
KR101853362B1 KR1020150187208A KR20150187208A KR101853362B1 KR 101853362 B1 KR101853362 B1 KR 101853362B1 KR 1020150187208 A KR1020150187208 A KR 1020150187208A KR 20150187208 A KR20150187208 A KR 20150187208A KR 101853362 B1 KR101853362 B1 KR 101853362B1
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quartz
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plasma
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김성우
박영학
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세메스 주식회사
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Abstract

본 발명은 쿼츠 부재 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명의 일 실시 예에 따른 쿼츠 부재 제조 방법은 플라스마를 이용하여 기판을 처리하는 기판 처리 장치 내에 제공되고, 쿼츠(Quartz)를 포함하는 재질로 제공된 쿼츠 부재를 제조하되, 합성 챔버 내에서 규소(Si) 원소를 포함하는 제 1 재료 및 산소(O) 원소를 포함하는 제 2 재료를 화학적으로 합성하는 합성 단계;를 포함하고, 상기 합성 단계에서는 상기 합성 시 상기 합성 챔버 내에 질소(N) 원소를 포함하는 제 3 재료가 공급된다.The present invention relates to a method of manufacturing a quartz member. A method of manufacturing a quartz member according to an embodiment of the present invention includes providing a quartz member provided in a substrate processing apparatus for processing a substrate using a plasma and provided with a material including Quartz, Si) element and a second material including an oxygen (O) element, wherein the synthesis step includes a step of chemically synthesizing a nitrogen (N) element in the synthesis chamber during the synthesis Is supplied.

Description

기판 처리 장치의 제조 방법{MANUFACTURING METHOD OF SUBSTRATE TREATING APPARATUS}TECHNICAL FIELD [0001] The present invention relates to a method of manufacturing a substrate processing apparatus,

본 발명은 기판 처리 장치의 제조 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 플라스마를 이용하여 기판을 처리하는 장치의 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method of manufacturing a substrate processing apparatus, and more particularly, to a method of manufacturing a substrate processing apparatus using plasma.

플라즈마는 매우 높은 온도나, 강한 전계 혹은 고주파 전자계(RF Electromagnetic Fields)에 의해 생성되며, 이온이나 전자, 라디칼 등으로 이루어진 이온화된 가스 상태를 말한다. 반도체 소자 제조 공정에서는 플라즈마를 사용하여 다양한 공정을 수행한다. 일 예로 식각 공정은 플라즈마에 함유된 이온 입자들이 기판과 충돌함으로써 수행된다.Plasma is an ionized gas state that is generated by a very high temperature, a strong electric field, or RF electromagnetic fields, and consists of ions, electrons, and radicals. In the semiconductor device manufacturing process, various processes are performed using plasma. For example, the etching process is performed by colliding the ion particles contained in the plasma with the substrate.

도 1은 일반적인 기판 처리 장치(1)를 보여주는 단면도이다. 도 1을 참고하면, 플라스마를 이용하여 기판을 처리하는 일반적인 기판 처리 장치의 일 예는 안테나(2)에 인가된 마이크로파가 안테나(2)의 하부에 위치된 유전판(3)을 통해 공정 챔버의 내부로 인가되어 공정 챔버의 내부에 제공된 처리 가스를 플라스마로 여기시킴으로써 플라스마를 생성한다. 유전판(3) 또는 공정 챔버(4)의 내벽을 보호하는 라이너(5) 등은 일반적으로 쿼츠(Quartz, SiO2)를 포함하는 재질 쿼츠 부재로 제공된다. 따라서, 기판에 대한 플라스마 공정 시 플라스마에 의해 손상될 수 있다. 이는 부품의 잦은 교체 및 이물질 발생의 원인이 된다. 따라서 이를 방지하기 위해 쿼츠 부재의 표면을 질화하는 공정이 수행된다. 이 경우, 질화 효율을 높이기 위해 일반적으로 질소(N2)의 양 또는 공정 챔버(4) 내부의 압력을 증가 시키는 방법이 사용되나, 이것 만으로는 질화 효율을 충분히 높이기가 용이하지 않다. 따라서, 질화에 소요되는 시간 및 질화 공정의 횟수가 증가되고, 이로 인해 질화 시 기판 지지 유닛의 상면을 보호하기 위해 사용되는 더미 기판의 수 또한 증가되는 문제점이 있다.Fig. 1 is a sectional view showing a general substrate processing apparatus 1. Fig. Referring to FIG. 1, an example of a general substrate processing apparatus for processing a substrate using a plasma includes a microwave applied to an antenna 2 through a dielectric plate 3 positioned under the antenna 2, And generates a plasma by exciting the process gas supplied to the interior of the process chamber into the plasma. The dielectric plate 3 or the liner 5 protecting the inner wall of the process chamber 4 and the like are generally provided as a material quartz member containing quartz (SiO 2 ). Thus, it can be damaged by the plasma during the plasma process for the substrate. This causes frequent replacement of components and foreign matter. Therefore, in order to prevent this, a process of nitriding the surface of the quartz member is performed. In this case, in order to increase the nitrification efficiency, a method of increasing the amount of nitrogen (N 2 ) or the pressure inside the process chamber 4 is generally used, but it is not easy to raise the nitrification efficiency sufficiently. Therefore, the time required for nitriding and the number of nitriding steps are increased, which increases the number of dummy substrates used for protecting the upper surface of the substrate supporting unit during nitriding.

본 발명은 쿼츠 부재의 질화 효율을 높일 수 있는 장치 및 방법을 제공하기 위한 것이다.An object of the present invention is to provide an apparatus and a method for increasing the nitriding efficiency of a quartz member.

또한, 본 발명은 쿼츠 부재의 질화 공정의 시간 및 횟수를 감소시킬 수 있는 장치 및 방법을 제공하기 위한 것이다.The present invention also provides an apparatus and a method for reducing the time and frequency of the nitriding process of the quartz member.

또한, 본 발명은 쿼츠 부재의 질화 공정에서 사용되는 더미 기판의 수를 감소시킬 수 있는 장치 및 방법을 제공하기 위한 것이다.The present invention also provides an apparatus and a method for reducing the number of dummy substrates used in a nitriding process of a quartz member.

본 발명이 해결하고자 하는 과제는 여기에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The problems to be solved by the present invention are not limited thereto, and other matters not mentioned can be clearly understood by those skilled in the art from the following description.

본 발명은 쿼츠 부재 제조 방법을 제공한다. 일 실시 예에 의하면, 플라스마를 이용하여 기판을 처리하는 기판 처리 장치 내에 제공되고, 쿼츠(Quartz)를 포함하는 재질로 제공된 쿼츠 부재를 제조하는 쿼츠 부재 제조 방법은, 합성 챔버 내에서 규소(Si) 원소를 포함하는 제 1 재료 및 산소(O) 원소를 포함하는 제 2 재료를 화학적으로 합성하는 합성 단계;를 포함하되, 상기 합성 단계에서는 상기 합성 시 상기 합성 챔버 내에 질소(N) 원소를 포함하는 제 3 재료가 공급된다.The present invention provides a method for manufacturing a quartz member. According to one embodiment, a method of manufacturing a quartz member for manufacturing a quartz member provided in a substrate processing apparatus for processing a substrate using a plasma and provided with a material including Quartz, And a second material comprising an element (O) and a second material comprising an element of oxygen (O), wherein in the synthesis step, the synthesis chamber contains nitrogen (N) A third material is supplied.

상기 합성 단계에서 상기 합성 챔버 내의 질소 원자의 수는 규소 원자 및 산소 원자의 수보다 작게 제공된다.In the synthesis step, the number of nitrogen atoms in the synthesis chamber is smaller than the number of silicon atoms and oxygen atoms.

상기 합성 단계 이전에 상기 제 1 재료 및 상기 제 2 재료를 쿼츠(Quartz)를 포함하는 천연 광물로부터 추출하는 추출 단계를 더 포함한다.And an extraction step of extracting the first material and the second material from natural minerals including Quartz before the synthesis step.

상기 제 1 재료는 규소 원소만으로 구성되고, 상기 제 2 재료는 산소 원소만으로 구성될 수 있다.The first material may be composed only of a silicon element, and the second material may be composed of only an oxygen element.

상기 쿼츠 부재는 마이크로파를 안테나로부터 공정 챔버의 내부로 전달하는 유전판 또는 공정 챔버의 내벽에 설치되는 라이너일 수 있다.The quartz member may be a dielectric plate that transfers microwaves from the antenna to the interior of the process chamber, or a liner that is installed on the inner wall of the process chamber.

또한, 본 발명은 장치 제조 방법을 제공한다. 일 실시 예에 의하면, 플라스마를 이용하여 기판을 처리하는 기판 처리 장치를 제조하는 장치 제조 방법은, 상기 플라스마에 노출되는 부품을 제조 시, 합성 챔버 내에서 제 1 재료 및 상기 제 1 재료와 상이한 제 2 재료를 화학적으로 합성하는 합성 단계;를 포함하되, 상기 합성 단계에서는 상기 합성 시 상기 합성 챔버 내에 질소 원소를 포함하는 제 3 재료를 공급한다.The present invention also provides a method of manufacturing a device. According to one embodiment, an apparatus manufacturing method for manufacturing a substrate processing apparatus for processing a substrate by using a plasma includes the steps of: forming a first material in a synthesis chamber and a second material different from the first material, 2 material is chemically synthesized. In the synthesis step, a third material containing a nitrogen element is supplied into the synthesis chamber during the synthesis.

상기 부품은 쿼츠를 포함하는 재질로 제공되고, 상기 제 1 재료는 규소 원소를 포함하고, 상기 제 2 재료는 산소 원소를 포함한다.The component is provided with a material containing quartz, the first material includes a silicon element, and the second material includes an oxygen element.

상기 합성 단계 이전에 상기 제 1 재료 및 상기 제 2 재료를 쿼츠(Quartz)를 포함하는 천연 광물로부터 추출하는 추출 단계를 더 포함한다.And an extraction step of extracting the first material and the second material from natural minerals including Quartz before the synthesis step.

상기 합성 단계에서, 상기 합성 챔버 내의 질소 원자의 수는 상기 합성 챔버 내의 규소 원자 및 산소 원자의 수보다 작게 제공된다.In the synthesis step, the number of nitrogen atoms in the synthesis chamber is less than the number of silicon atoms and oxygen atoms in the synthesis chamber.

상기 제 1 재료는 규소 원소만으로 구성되고, 상기 제 2 재료는 산소 원소만으로 구성될 수 있다.The first material may be composed only of a silicon element, and the second material may be composed of only an oxygen element.

상기 기판 처리 장치는 마이크로파를 안테나에 인가하여 상기 기판 처리 장치 내로 공급된 가스로부터 플라스마를 발생시키는 장치이다.The substrate processing apparatus is a device that applies a microwave to an antenna to generate a plasma from the gas supplied into the substrate processing apparatus.

상기 부품은 상기 플라스마에 의해 기판이 처리되는 처리 공간의 상면에 제공된 유전판 또는 상기 처리 공간의 측면에 제공된 라이너일 수 있다.The part may be a dielectric plate provided on the upper surface of the processing space where the substrate is processed by the plasma, or a liner provided on the side of the processing space.

또한, 본 발명은 기판 처리 장치를 제공한다. 일 실시 예에 의하면, 플라스마를 이용하여 기판을 처리하는 기판 처리 장치는, 내부에 기판이 처리되는 처리 공간이 형성된 공정 챔버와; 상기 처리 공간 내에서 기판을 지지하는 기판 지지 유닛과; 상기 기판 지지 유닛의 상부에 배치되며, 복수의 슬롯들이 형성된 안테나와; 상기 안테나로 마이크로파를 인가하는 마이크로파 인가 유닛과; 상기 처리 공간 내로 가스를 공급하는 가스 공급 유닛과; 상기 플라스마에 노출되고, 쿼츠를 포함하는 재질로 제공된 쿼츠 부재를 포함하되, 상기 쿼츠 부재는 상기 기판 처리 장치에 조립되기 이전에, 합성 챔버 내에서 규소(Si) 원소를 포함하는 제 1 재료 및 산소(O) 원소를 포함하는 제 2 재료를 화학적으로 합성하여 제조되되, 상기 합성 시, 상기 합성 챔버 내에 질소(N) 원소를 포함하는 제 3 재료가 공급된다.The present invention also provides a substrate processing apparatus. According to one embodiment, a substrate processing apparatus for processing a substrate using plasma includes: a processing chamber in which a processing space in which a substrate is processed is formed; A substrate supporting unit for supporting the substrate in the processing space; An antenna disposed on the substrate supporting unit and having a plurality of slots; A microwave applying unit for applying a microwave to the antenna; A gas supply unit for supplying gas into the processing space; And a quartz member exposed to the plasma and provided with a material including quartz, wherein the quartz member is formed of a first material containing a silicon (Si) element and a second material containing oxygen (N) element in the synthesis chamber during the synthesis, in which the first material is chemically synthesized, and the second material including the element (O) is chemically synthesized.

상기 쿼츠 부재에 포함된 질소 원자의 수는 상기 쿼츠 부재에 포함된 규소 원자 및 산소 원자의 수보다 작게 제공된다.The number of nitrogen atoms contained in the quartz member is smaller than the number of silicon atoms and oxygen atoms contained in the quartz member.

상기 쿼츠 부재는 상기 플라스마에 의해 처리되는 처리 공간의 상면에 제공된 유전판 또는 상기 처리 공간의 측면에 제공된 라이너일 수 있다.The quartz member may be a dielectric plate provided on the upper surface of the processing space processed by the plasma or a liner provided on the side of the processing space.

본 발명의 실시 예에 따른 장치 및 방법은 쿼츠 부재의 질화 효율을 높일 수 있다.The apparatus and method according to embodiments of the present invention can increase the nitrification efficiency of the quartz member.

또한, 본 발명의 실시 예에 따른 장치 및 방법은 쿼츠 부재의 질화 공정의 시간 및 횟수를 감소시킬 수 있다.Also, the apparatus and method according to embodiments of the present invention can reduce the time and frequency of the nitriding process of the quartz member.

또한, 본 발명의 실시 예에 따른 장치 및 방법은 쿼츠 부재의 질화 공정에서 사용되는 더미 기판의 수를 감소시킬 수 있다.Further, the apparatus and method according to embodiments of the present invention can reduce the number of dummy boards used in the nitriding process of the quartz member.

도 1은 일반적인 기판 처리 장치를 보여주는 단면도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 보여주는 단면도이다.
도 3은 도 2의 안테나의 저면을 나타내는 도면이다.
도 4는 본 발명의 일 실시 예에 따른 장치 제조 방법을 설명하기 위한 순서도이다. 1 is a sectional view showing a general substrate processing apparatus.
2 is a cross-sectional view illustrating a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
3 is a bottom view of the antenna of Fig.
4 is a flowchart illustrating a method of manufacturing a device according to an embodiment of the present invention.

이하, 본 발명의 실시 예를 첨부된 도면들을 참조하여 더욱 상세하게 설명한다. 본 발명의 실시 예는 여러 가지 형태로 변형할 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래의 실시 예들로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시 예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해 과장되었다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. The embodiments of the present invention can be modified in various forms, and the scope of the present invention should not be construed as being limited to the following embodiments. This embodiment is provided to more fully describe the present invention to those skilled in the art. Thus, the shape of the elements in the figures has been exaggerated to emphasize a clearer description.

도 2는 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치(10)를 보여주는 단면도이다.2 is a sectional view showing a substrate processing apparatus 10 according to an embodiment of the present invention.

도 2를 참조하면, 기판 처리 장치(10)는 플라스마를 이용하여 기판(W)에 대하여 공정 처리를 수행한다. 기판 처리 장치(10)는 공정 챔버(100), 기판 지지 유닛(200), 가스 공급 유닛(300), 마이크로파 인가 유닛(400), 안테나(500), 지파판(600) 그리고 쿼츠 부재를 포함한다.Referring to FIG. 2, the substrate processing apparatus 10 performs processing on the substrate W using plasma. The substrate processing apparatus 10 includes a process chamber 100, a substrate support unit 200, a gas supply unit 300, a microwave application unit 400, an antenna 500, a chopper plate 600 and a quartz member .

공정 챔버(100)는 내부에 처리 공간(101)이 형성되며, 처리 공간(101)은 기판(W)처리 공정이 수행되는 공간으로 제공된다. 공정 챔버(100)는 바디(110)와 커버(120)를 포함한다. The processing chamber 100 is provided with a processing space 101 therein and the processing space 101 is provided with a space in which the processing of the substrate W is performed. The process chamber 100 includes a body 110 and a cover 120.

바디(110)는 상면이 개방되며 내부에 공간이 형성된다. 바디(110)의 내벽에는 플랜지(920)가 삽입되는 홈(112)이 형성된다.The upper surface of the body 110 is opened and a space is formed therein. A groove 112 into which the flange 920 is inserted is formed on the inner wall of the body 110.

커버(120)는 바디(110)의 상단에 놓이며, 바디(110)의 개방된 상면을 밀폐한다. 커버(120)는 상부 공간이 하부 공간보다 더 큰 반경을 갖도록 하단부 내측이 단차진다.The cover 120 is placed on top of the body 110 and seals the open top surface of the body 110. The cover 120 is stepped inside the lower end so that the upper space has a larger radius than the lower space.

공정 챔버(100)의 일 측벽에는 기판 유입구(미도시)가 형성될 수 있다. 기판 유입구(미도시)는 기판(W)이 공정 챔버(100) 내부로 출입할 수 있는 통로로 제공된다. 기판 유입구는 도어 등 개폐 부재에 의해 개폐된다.A substrate inlet (not shown) may be formed on one side wall of the process chamber 100. The substrate inlet (not shown) is provided as a passage through which the substrate W can enter and exit the process chamber 100. The substrate inlet is opened and closed by an opening and closing member such as a door.

공정 챔버(100)의 바닥면에는 배기홀(102)이 형성된다. 배기홀(102)은 배기 라인(131)과 연결된다. 배기 라인(131)을 통한 배기로, 공정 챔버(100)의 내부는 상압보다 낮은 압력으로 유지될 수 있다. 그리고, 공정 과정에서 발생한 반응 부산물 및 처리 공간(101) 내부에 머무르는 가스는 배기 라인(131)을 통해 외부로 배출될 수 있다.An exhaust hole 102 is formed in the bottom surface of the process chamber 100. The exhaust hole 102 is connected to the exhaust line 131. With the exhaust through the exhaust line 131, the interior of the process chamber 100 can be maintained at a pressure lower than normal pressure. The reaction byproducts generated in the process and the gas staying in the process space 101 may be discharged to the outside through the exhaust line 131.

기판 지지 유닛(200)은 처리 공간(101) 내에서 기판(W)을 지지한다. 기판 지지 유닛(200)은 지지 플레이트(210), 리프트 핀(미도시), 히터(220), 지지축(230)을 포함한다.The substrate supporting unit 200 supports the substrate W in the processing space 101. The substrate support unit 200 includes a support plate 210, a lift pin (not shown), a heater 220, and a support shaft 230.

지지 플레이트(210)는 소정의 두께를 가지며, 기판(W) 보다 큰 반경을 갖는 원판으로 제공된다. 지지 플레이트(210)의 상면에는 기판(W)이 놓이는 기판 제공홈이 형성될 수 있다. 실시 예에 의하면, 지지 플레이트(210)에는 기판(W)을 고정하는 구성이 제공되지 않으며, 기판(W)은 지지 플레이트(210)에 놓인 상태로 공정에 제공된다. 이와 달리, 지지 플레이트(210)는 정전기력을 이용하여 기판(W)을 고정시키는 정전 척으로 제공되거나, 기계적 클램핑 방식으로 기판(W)을 고정시키는 척으로 제공될 수 있다.The support plate 210 has a predetermined thickness and is provided with an original plate having a larger radius than the substrate W. [ A substrate providing groove on which the substrate W is placed may be formed on the upper surface of the support plate 210. According to the embodiment, the support plate 210 is not provided with a structure for fixing the substrate W, and the substrate W is provided to the process while being placed on the support plate 210. Alternatively, the support plate 210 may be provided as an electrostatic chuck for fixing the substrate W using electrostatic force, or may be provided as a chuck for fixing the substrate W in a mechanical clamping manner.

리프트 핀은 복수 개 제공되며, 지지 플레이트(210)에 형성된 핀 홀(미도시)들 각각에 위치한다. 리프트 핀들은 핀 홀들을 따라 상하방향으로 이동하며, 기판(W)을 지지 플레이트(210)에 로딩하거나 지지 플레이트(210)에 놓인 기판(W)을 언로딩한다.A plurality of lift pins are provided and located in each of the pin holes (not shown) formed in the support plate 210. The lift pins move up and down along the pin holes to load the substrate W onto the support plate 210 or unload the substrate W placed on the support plate 210. [

히터(220)는 지지 플레이트(210)의 내부에 제공된다. 히터(220)는 나선 형상의 코일로 제공되며, 균일한 간격으로 지지 플레이트(210) 내부에 매설될 수 있다. 히터(220)는 외부 전원(미도시)과 연결되며, 외부 전원에서 인가된 전류에 저항함으로써 열을 발생시킨다. 발생된 열은 지지 플레이트(210)를 거쳐 기판(W)으로 전달되며, 기판(W)을 소정 온도로 가열한다.The heater 220 is provided inside the support plate 210. The heater 220 is provided as a helical coil and can be embedded in the support plate 210 at uniform intervals. The heater 220 is connected to an external power source (not shown) and generates heat by resistance to a current applied from an external power source. The generated heat is transferred to the substrate W via the support plate 210, and the substrate W is heated to a predetermined temperature.

지지축(230)은 지지 플레이트(210)의 하부에 위치하며, 지지 플레이트(210)를 지지한다. 지지 플레이트(210)는 구동 부재(미도시)에 의해 상하 이동 가능하도록 제공될 수 있다.The support shaft 230 is positioned below the support plate 210 and supports the support plate 210. The support plate 210 can be provided to be movable up and down by a driving member (not shown).

가스 공급 유닛(300)은 공정 챔버(100)의 처리 공간(101) 내로 공정 가스를 공급한다. 가스 공급 유닛(300)은 공정 챔버(100)의 측벽에 형성된 가스 공급홀(105)을 통해 공정 챔버(100) 내부로 공정 가스를 공급할 수 있다. 가스 공급홀(105)은 복수개로 제공될 수 있다.The gas supply unit 300 supplies the process gas into the process space 101 of the process chamber 100. The gas supply unit 300 may supply the process gas into the process chamber 100 through the gas supply hole 105 formed in the side wall of the process chamber 100. A plurality of gas supply holes 105 may be provided.

마이크로파 인가 유닛(400)은 안테나(500)로 마이크로파를 인가한다. 마이크로파 인가 유닛(400)은 마이크로파 발생기(410), 제1도파관(420), 제2도파관(430), 위상 변환기(440), 그리고 매칭 네트워크(450)를 포함한다.The microwave applying unit 400 applies a microwave to the antenna 500. The microwave application unit 400 includes a microwave generator 410, a first waveguide 420, a second waveguide 430, a phase shifter 440, and a matching network 450.

마이크로파 발생기(410)는 마이크로파를 발생시킨다. The microwave generator 410 generates a microwave.

제1도파관(420)은 마이크로파 발생기(410)와 연결되며, 내부에 통로가 형성된다. 마이크로파 발생기(410)에서 발생된 마이크로파는 제1도파관(420)을 따라 위상 변환기(440) 측으로 전달된다.The first waveguide 420 is connected to the microwave generator 410 and a passageway is formed therein. The microwave generated by the microwave generator 410 is transmitted to the phase converter 440 along the first waveguide 420.

제2도파관(430)은 외부 도체(432) 및 내부 도체(434)를 포함한다.The second waveguide 430 includes an outer conductor 432 and an inner conductor 434.

외부 도체(432)는 제 1 도파관(420)의 끝단에서 수직한 방향으로 아래로 연장되며, 내부에 통로가 형성된다. 외부 도체(432)의 상단은 제 1 도파관(420)의 하단에 연결되고, 외부 도체(432)의 하단은 커버(120)의 상단에 연결된다.The outer conductor 432 extends downward in the vertical direction at the end of the first waveguide 420, and a passageway is formed therein. The upper end of the outer conductor 432 is connected to the lower end of the first waveguide 420 and the lower end of the outer conductor 432 is connected to the upper end of the cover 120.

내부 도체(434)는 외부 도체(432) 내에 위치한다. 내부 도체(434)는 원기둥 형상의 로드(rod)로 제공되며, 그 길이방향이 상하방향과 나란하게 배치된다. 내부 도체(434)의 상단은 위상 변환기(440)의 하단부에 삽입 고정된다. 내부 도체(434)는 아래 방향으로 연장되어 그 하단이 공정 챔버(100)의 내부에 위치한다. 내부 도체(434)의 하단은 안테나(500)의 중심에 고정 결합된다. 내부 도체(434)는 안테나(500)의 상면에 수직하게 배치된다. 내부 도체(434)는 구리 재질의 로드에 제1도금막과 제2도금막이 순차적으로 코팅되어 제공될 수 있다. 일 실시 예에 의하면, 제1도금막은 니켈(Ni) 재질이고, 제2도금막은 금(Au) 재질로 제공될 수 있다. 마이크로파는 주로 제1도금막을 통해 안테나(500)으로 전파된다.The inner conductor 434 is located in the outer conductor 432. The inner conductor 434 is provided as a rod in the shape of a cylinder, and its longitudinal direction is arranged in parallel with the up-and-down direction. The upper end of the inner conductor 434 is inserted and fixed to the lower end of the phase shifter 440. The inner conductor 434 extends downward and its lower end is located inside the process chamber 100. The lower end of the inner conductor 434 is fixedly coupled to the center of the antenna 500. The inner conductor 434 is disposed perpendicularly to the upper surface of the antenna 500. The inner conductor 434 may be provided by sequentially coating a first plated film and a second plated film on a copper rod. According to one embodiment, the first plating film may be made of nickel (Ni), and the second plating film may be provided of gold (Au). The microwave is propagated mainly to the antenna 500 through the first plated film.

위상 변환기(440)에서 위상이 변환된 마이크로파는 제2도파관(430)를 따라 안테나(500) 측으로 전달된다.The microwave whose phase is converted by the phase converter 440 is transmitted to the antenna 500 along the second waveguide 430.

위상 변환기(440)는 제1도파관(420)과 제2도파관(430)이 접속되는 지점에 제공되며, 마이크로파의 위상을 변화시킨다. 위상 변환기(440)는 아래가 뾰족한 콘 형상으로 제공될 수 있다. 위상 변환기(440)는 제1도파관(420)으로부터 전달된 마이크로파를 모드가 변환된 상태로 제2도파관(430)에 전파한다. 위상 변환기(440)는 마이크로파를 TE 모드에서 TEM 모드로 변환시킬 수 있다.The phase shifter 440 is provided at a point where the first waveguide 420 and the second waveguide 430 are connected to change the phase of the microwave. The phase shifter 440 may be provided in the shape of a pointed cone. The phase shifter 440 propagates the microwave transmitted from the first waveguide 420 to the second waveguide 430 in a mode-converted state. The phase converter 440 may convert the microwave into TE mode to TEM mode.

매칭 네트워크(450)는 제1도파관(420)에 제공된다. 매칭 네트워크(450)는 제1도파관(420)을 통해 전파되는 마이크로파를 소정 주파수로 매칭시킨다.The matching network 450 is provided in the first waveguide 420. The matching network 450 matches the microwave propagated through the first waveguide 420 to a predetermined frequency.

도 3은 도 2의 안테나(500)의 저면을 나타내는 도면이다. 도 2 및 도 3을 참조하면, 안테나(500)은 플레이트 형상으로 제공된다. 안테나(500)는 기판 지지 유닛(200)의 상부에 배치된다. 일 예로, 안테나(500)은 두께가 얇은 원판으로 제공될 수 있다. 안테나(500)은 지지 플레이트(210)에 대향되도록 배치된다. 안테나(500)에는 복수의 슬롯(501)들이 형성된다. 슬롯(501)들은 '×'자 형상으로 제공될 수 있다. 이와 달리, 슬롯들의 형상 및 배치는 다양하게 변경될 수 있다. 슬롯(501)들은 복수개가 서로 조합되어 복수개의 링 형상으로 배치된다. 이하, 슬롯(501)들이 형성된 안테나(500) 의 영역을 제1영역(A1, A2, A3)이라 하고, 슬롯(501)들이 형성되지 않은 안테나(500)의 영역을 제2영역(B1, B2, B3)이라 한다. 제1영역(A1, A2, A3)과 제2영역(B1, B2, B3)은 각각 링 형상을 가진다. 제1영역(A1, A2, A3)은 복수개 제공되며, 서로 상이한 반경을 갖는다. 제1영역(A1, A2, A3)들은 동일한 중심을 가지며, 안테나(500)의 반경 방향으로 서로 이격되어 배치 된다. 제2영역(B1, B2, B3)은 복수개 제공되며, 서로 상이한 반경을 갖는다. 제2영역(B1, B2, B3)들은 동일한 중심을 가지며, 안테나(500)의 반경 방향으로 서로 이격되어 배치된다. 제1영역(A1, A2, A3)은 인접한 제2영역(B1, B2, B3)들 사이에 각각 위치한다. 안테나(500)의 중심부에는 홀(502)이 형성된다. 내부 도체(434)는 그 하단이 홀(502)를 관통하여 안테나(500)과 결합된다. 마이크로파는 슬롯(501)들을 투과하여 유전판(700)으로 전달된다.3 is a bottom view of the antenna 500 of FIG. 2 and 3, the antenna 500 is provided in a plate shape. The antenna 500 is disposed on the top of the substrate supporting unit 200. For example, the antenna 500 may be provided as a thin disc. The antenna 500 is disposed to face the support plate 210. A plurality of slots 501 are formed in the antenna 500. The slots 501 may be provided in a 'x' shape. Alternatively, the shape and arrangement of the slots may be varied. A plurality of slots 501 are arranged in a plurality of ring shapes in combination with each other. The area of the antenna 500 in which the slots 501 are formed is referred to as a first area A1 and the area of the antenna 500 in which the slots 501 are not formed is referred to as a second area B1, , B3). The first areas A1, A2, and A3 and the second areas B1, B2, and B3 each have a ring shape. A plurality of first regions A1, A2, and A3 are provided and have different radii from each other. The first areas A1, A2, and A3 have the same center and are spaced apart from each other in the radial direction of the antenna 500. [ A plurality of second regions B1, B2, and B3 are provided and have different radii from each other. The second regions B1, B2, and B3 have the same center and are disposed apart from each other in the radial direction of the antenna 500. [ The first areas A1, A2, and A3 are located between the adjacent second areas B1, B2, and B3, respectively. A hole 502 is formed in the center of the antenna 500. The lower end of the inner conductor 434 passes through the hole 502 and is coupled to the antenna 500. The microwaves are transmitted through the slots 501 to the dielectric plate 700.

다시 도 2를 참조하면, 지파판(600)은 안테나(500)의 상부에 위치하며, 소정 두께를 갖는 원판으로 제공된다. 지파판(600)은 커버(120)의 내측에 상응하는 반경을 가질 수 있다. 지파판(600)은 알루미나, 석영 등의 유전체로 제공된다. 내부 도체(434)를 통해 수직 방향으로 전파된 마이크로파는 지파판(600)의 반경 방향으로 전파된다. 지파판(600)에 전파된 마이크로파는 파장이 압축되며, 공진된다.Referring again to FIG. 2, the wave plate 600 is disposed on the top of the antenna 500 and is provided as a disk having a predetermined thickness. The chop panel 600 may have a radius corresponding to the inside of the cover 120. The wave plate 600 is provided with a dielectric such as alumina, quartz, or the like. The microwaves propagated in the vertical direction through the inner conductor 434 propagate in the radial direction of the wave plate 600. The wavelength of the microwave propagated to the wave plate 600 is compressed and resonated.

쿼츠 부재는 처리 공간(101)에 발생된 플라스마에 노출되고, 쿼츠(Quartz, SiO2)를 포함하는 재질로 제공된 부재이다. 쿼츠 부재는 기판 처리 장치(10)에 조립되기 이전에, 쿼츠 부재를 제조하기 위한 화학 합성이 수행되는 합성 챔버 내에서 규소(Si) 원소를 포함하는 제 1 재료 및 산소(O) 원소를 포함하는 제 2 재료를 화학적으로 합성하여 제조된다. 이러한 제 1 재료 및 제 2 재료의 합성 시, 합성 챔버 내에 질소(N) 원소를 포함하는 제 3 재료가 공급됨으로써, 쿼츠 부재는 쿼츠 부재를 이루는 쿼츠(Quartz) 분자들 사이에 질소 원소가 일부 혼합된다. 쿼츠 부재에 포함된 질소 원자의 수는 쿼츠 부재에 포함된 규소 원자 및 산소 원자의 수보다 작게 제공될 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 쿼츠 부재는 유전판(700) 또는 라이너(900)일 수 있다. 이와 달리, 쿼츠 부재는 처리 공간(101)에 발생된 플라스마에 노출되고, 쿼츠를 포함하는 재질로 제공된 다양한 부품일 수 있다.The quartz member is a member which is exposed to the generated plasma in the processing space 101 and is made of a material including quartz (SiO 2 ). The quartz member comprises a first material comprising a silicon (Si) element and an oxygen (O) element in a synthesis chamber in which chemical synthesis for producing a quartz member is performed, before being assembled to the substrate processing apparatus 10 And the second material is chemically synthesized. In the synthesis of the first material and the second material, a third material containing nitrogen (N) element is supplied into the synthesis chamber, whereby the quartz member is formed by mixing a part of the nitrogen element between the quartz molecules constituting the quartz member do. The number of nitrogen atoms contained in the quartz member may be less than the number of silicon atoms and oxygen atoms contained in the quartz member. According to one embodiment, the quartz member may be a dielectric plate 700 or a liner 900. Alternatively, the quartz member may be various components that are exposed to the generated plasma in the processing space 101 and provided with a material containing quartz.

유전판(700)은 마이크로파를 안테나(500)로부터 처리 공간(101)으로 전달한다. 유전판(700)은 처리 공간(101)의 상면에 제공된다. 즉, 유전판(700)은 안테나(500)의 하부에 위치하며, 소정 두께를 갖는 원판으로 제공된다. 유전판(700)은 쿼츠 등의 유전체로 제공된다. 유전판(700)의 저면은 내측으로 만입된 오목면으로 제공된다. 유전판(700)은 저면이 커버(120)의 하단과 동일 높이에 위치할 수 있다. 유전판(700)의 측부는 상단이 하단보다 큰 반경을 갖도록 단차진다. 유전판(700)의 상단은 커버(120)의 단차진 하단부에 놓인다. 유전판(700)의 하단은 커버(120)의 하단부보다 작은 반경을 가지며, 커버(120)의 하단부와 소정 간격을 유지한다. 마이크로파는 유전판(700)을 거쳐 공정 챔버(100) 내부로 방사된다. 방사된 마이크로파의 전계에 의하여 공정 챔버(100) 내에 공급된 공정 가스는 플라스마 상태로 여기된다. 실시 예에 의하면, 지파판(600), 안테나(500) 그리고 유전판(700)은 서로 밀착될 수 있다.The dielectric plate 700 transfers the microwave from the antenna 500 to the processing space 101. The dielectric plate 700 is provided on the upper surface of the processing space 101. That is, the dielectric plate 700 is disposed at the bottom of the antenna 500 and is provided as a disk having a predetermined thickness. The dielectric plate 700 is provided as a dielectric such as quartz. The bottom surface of the dielectric plate 700 is provided with a concave surface recessed inward. The dielectric plate 700 may be positioned at the same height as the lower end of the cover 120. The side portion of the dielectric plate 700 is stepped so that the upper end has a larger radius than the lower end. The upper end of the dielectric plate (700) lies at the lower end of the cover (120). The lower end of the dielectric plate 700 has a smaller radius than the lower end of the cover 120 and maintains a predetermined distance from the lower end of the cover 120. The microwave is radiated into the process chamber 100 through the dielectric plate 700. The process gas supplied into the process chamber 100 by the electric field of the emitted microwaves is excited into a plasma state. According to the embodiment, the wave plate 600, the antenna 500, and the dielectric plate 700 may be in close contact with each other.

라이너(900)는 처리 공간(101)의 측면 즉, 공정 챔버(100)의 내벽에 설치된다. 라이너(900)는 공정 챔버(100)의 내벽이 플라즈마로 인해 손상되는 것을 방지한다. 라이너(900)는 쿼츠 등의 유전체 재질로 제공될 수 있다. 라이너(900)는 바디(910) 및 플랜지(920)를 포함한다.The liner 900 is installed on the side of the processing space 101, that is, on the inner wall of the processing chamber 100. The liner 900 prevents the inner walls of the process chamber 100 from being damaged by the plasma. The liner 900 may be provided with a dielectric material such as quartz. The liner 900 includes a body 910 and a flange 920.

바디(910)는 공정 챔버(100)의 내벽과 대향되는 링 형상을 가진다. 바디(910)에는 가스 공급홀(105)들과 대향되도록 관통된 관통홀(912)이 형성된다. 가스 공급홀(105)로부터 분사된 공정 가스는 관통홀(912)을 통해 공정 챔버(100) 내부로 유입된다. The body 910 has a ring shape facing the inner wall of the process chamber 100. A through hole 912 is formed in the body 910 so as to be opposed to the gas supply holes 105. The process gas injected from the gas supply hole 105 flows into the process chamber 100 through the through hole 912.

플랜지(920)는 바디(910)의 외벽으로부터 공정 챔버(100)의 벽 내부까지 연장되도록 제공된다. 플랜지(920)는 바디(910)의 둘레를 감싸는 링 형상으로 제공된다. 플랜지(920)는 라이너(900)의 상단에 제공될 수 있다. The flange 920 is provided to extend from the outer wall of the body 910 to the interior of the walls of the process chamber 100. The flange 920 is provided in a ring shape surrounding the periphery of the body 910. The flange 920 may be provided on the top of the liner 900.

또한, 본 발명은 플라스마를 이용하여 기판을 처리하는 장치를 제조하는 장치 제조 방법을 제공한다. 본 발명의 실시 예에 따른 장치 제조 방법은 장치 내에서 플라스마에 노출되는 부품을 제조 시, 복수개의 재료를 화학적으로 합성 및 혼합하여 부품을 완성하고, 이후에 장치 내에서 플라스마에 노출될 부품을 장치에 조립 한다. 장치 내에서 플라스마에 노출되는 부품은 쿼츠를 포함하는 재질로 제공된다.The present invention also provides a method of manufacturing a device for manufacturing an apparatus for processing a substrate using plasma. A method of manufacturing a device according to an embodiment of the present invention includes the steps of chemically synthesizing and mixing a plurality of materials to produce a part to be exposed to the plasma in the device, . The parts exposed to the plasma in the device are provided with a material containing quartz.

이하, 도 2의 기판 처리 장치(10)를 이용하여 본 발명의 일 실시 예에 따른 장치 제조 방법에 대해 설명한다. 상기 플라스마에 노출되는 부품은 상술한 도 2의 기판 처리 장치(10)의 쿼츠 부재일 수 있다. 따라서, 상기 플라스마에 노출되는 부품은 유전판(700) 또는 라이너(900)일 수 있다.Hereinafter, a method of manufacturing a device according to an embodiment of the present invention will be described using the substrate processing apparatus 10 of FIG. The part exposed to the plasma may be a quartz member of the substrate processing apparatus 10 of Fig. 2 described above. Accordingly, the part exposed to the plasma may be the dielectric plate 700 or the liner 900. [

도 4는 본 발명의 일 실시 예에 따른 장치 제조 방법을 설명하기 위한 순서도이다. 도 2 및 도 4를 참고하면, 본 발명의 장치 제조 방법은 쿼츠 부재 제조 단계(S10) 및 장치 조립 단계(S20)를 포함한다.4 is a flowchart illustrating a method of manufacturing a device according to an embodiment of the present invention. Referring to Figs. 2 and 4, the apparatus manufacturing method of the present invention includes a quartz member manufacturing step S10 and an apparatus assembling step S20.

쿼츠 부재 제조 단계(S10)는 장치 조립 단계(S20) 이전에 수행된다. 쿼츠 부재 제조 단계(S10)에서는 쿼츠 부재가 제조된다. 쿼츠 부재 제조 단계(S10)는 추출 단계(S11), 합성 단계(S12), 형상 가공 단계(S13), 표면 개질 단계(S14) 및 제작 완료 단계(S15)를 포함한다. 형상 가공 단계(S13), 표면 개질 단계(S14) 및 제작 완료 단계(S15)는 서로 순차적으로 수행된다.The quartz member manufacturing step S10 is performed before the device assembling step S20. In the quartz member manufacturing step S10, a quartz member is manufactured. The quartz member manufacturing step S10 includes an extraction step S11, a synthesis step S12, a shape processing step S13, a surface modification step S14, and a production completion step S15. The shape processing step S13, the surface modification step S14, and the production completion step S15 are performed sequentially with each other.

추출 단계(S11)에서는 쿼츠 부재를 제조하기 위한 화학 합성의 재료로 사용되는 제 1 재료 및 제 1 재료와 상이한 제 2 재료를 천연 광물로부터 추출한다. 제 1 재료는 규소(Si) 원소를 포함하고, 제 2 재료는 산소(O) 원소를 포함한다. 일 실시 예에 따르면, 제 1 재료는 규소(Si) 원소만으로 구성되고, 제 2 재료는 산소(O) 원소만으로 구성된다. 따라서, 천연 광물은 쿼츠를 포함하는 광물로 제공된다. In the extraction step S11, a first material used as a material of chemical synthesis for producing the quartz member and a second material different from the first material are extracted from natural minerals. The first material comprises a silicon (Si) element and the second material comprises an oxygen (O) element. According to one embodiment, the first material consists only of silicon (Si) elements and the second material consists only of oxygen (O) elements. Thus, natural minerals are provided as minerals containing quartz.

합성 단계(S12)에서는 쿼츠 부재를 제조하기 위한 화학 합성이 수행되는 합성 챔버 내에서 제 1 재료 및 제 2 재료를 화학적으로 합성하여 쿼츠 부재로 가공하기 위한 쿼츠 재료를 합성한다. 합성 단계(S12)에서는 제 1 재료 및 제 2 재료를 합성 시, 합성 챔버 내에 질소(N) 원소를 포함하는 제 3 재료를 공급한다. 이 경우, 합성 챔버 내의 질소 원자의 수는 합성 챔버 내의 규소 원자 및 산소 원자의 수보다 작게 제공된다. 따라서, 합성 단계(S12)를 통해 쿼츠 분자들 사이에 질소(N) 성분이 혼합된 쿼츠 재료가 형성된다.In the synthesis step S12, the quartz material for synthesizing the first material and the second material chemically in the synthesis chamber in which the chemical synthesis for producing the quartz member is performed to form a quartz member is synthesized. In the synthesis step S12, when the first material and the second material are synthesized, a third material containing nitrogen (N) element is supplied into the synthesis chamber. In this case, the number of nitrogen atoms in the synthesis chamber is provided smaller than the number of silicon atoms and oxygen atoms in the synthesis chamber. Thus, through the synthesis step S12, a quartz material in which a nitrogen (N) component is mixed between quartz molecules is formed.

형상 가공 단계(S13)에서는 합성 단계(S12)에서 생성된 쿼츠 재질을 이용하여 쿼츠 부재를 요구되는 형상으로 가공한다. 예를 들면, 쿼츠 부재가 유전판(700)인 경우, 쿼츠 부재는 유전판(700)의 형상으로 가공되고, 쿼츠 부재가 라이너(900)인 경우, 쿼츠 부재는 라이너(900)의 형상으로 가공된다.In the shaping step S13, the quartz member is processed into a desired shape using the quartz material produced in the synthesis step S12. For example, when the quartz member is the dielectric plate 700, the quartz member is machined into the shape of the dielectric plate 700, and when the quartz member is the liner 900, the quartz member is machined do.

표면 개질 단계(S14)에서는 쿼츠 부재의 표면을 개질시키는 공정이 수행된다. 표면 개질 단계(S14)에서는 표면 조도 조정 단계 등 쿼츠 부재의 표면을 기판 처리 공정을 수행하기에 적당한 상태로 개질시키는 공정이 수행된다.In the surface modification step (S14), a step of modifying the surface of the quartz member is performed. In the surface modification step S14, a step of modifying the surface of the quartz member such as the surface roughness adjustment step to a state suitable for performing the substrate processing process is performed.

표면 조도 조정 단계에서는 쿼츠 부재의 표면의 조도를 조정한다. 일반적으로 표면 조도 조정 단계(S12b)에서는 쿼츠 부재에 열처리를 함으로써, 쿼츠 부재의 표면 조도를 조정한다. 이 경우, 열처리는 RTP법, 퍼니스 가압법 또는 직접 화염법 등의 방식으로 수행될 수 있다. In the surface roughness adjustment step, the roughness of the surface of the quartz member is adjusted. Generally, in the surface roughness adjusting step (S12b), the surface roughness of the quartz member is adjusted by subjecting the quartz member to heat treatment. In this case, the heat treatment may be performed by a method such as RTP method, furnace pressurization method, or direct flame method.

쿼츠 부재의 제작이 완료(S15)된 후, 장치 조립 단계(S20)에서는 쿼츠 부재 제조 단계(S10)를 통해 제조가 완료된 쿼츠 부재가 장치에 조립된다. 장치 조립 단계(S20)는 기판 처리 장치를 제조하는 장치 제조 방법에 포함되는 단계일 수 있다. 이와 달리, 장치 조립 단계(S20)는 손상되어 교체가 예정된 쿼츠 부재를 교체하기 위한 단계일 수 있다.After the production of the quartz member is completed (S15), in the device assembling step (S20), the quartz member that has been manufactured through the quartz member manufacturing step (S10) is assembled to the apparatus. The apparatus assembling step S20 may be a step included in the apparatus manufacturing method of manufacturing the substrate processing apparatus. Alternatively, the apparatus assembling step S20 may be a step for replacing the quartz member which is damaged and is intended to be replaced.

장치의 조립이 완료된 이 후, 기판 처리 장치(10)의 내부를 기판에 대한 처리 공정을 수행하기 위해 적당한 상태로 준비시키기 위한 플라스마 시즈닝 단계(S30)가 수행된다. 이 경우, 플라스마 시즈닝 단계(S30)에서는 쿼츠 부재가 기판 처리 공정 중 발생되는 플라스마에 대한 내구성을 증가시키기 위해 쿼츠 부재의 표면을 질화시키기 위한 공정이 수행된다. 이 경우, 쿼츠 부재의 표면을 질화시키는 공정은 기판 지지 유닛(200)을 보호하기 위해 기판 지지 유닛(200) 상면에 더미 기판을 놓아둔 상태로 수행된다.After the assembly of the apparatus is completed, a plasma seasoning step (S30) is performed to prepare the interior of the substrate processing apparatus 10 in a proper state for performing a processing operation on the substrate. In this case, in the plasma seasoning step S30, a process for nitriding the surface of the quartz member is performed in order to increase the durability of the quartz member to the plasma generated during the substrate processing process. In this case, the process of nitriding the surface of the quartz member is performed while keeping the dummy substrate on the upper surface of the substrate supporting unit 200 to protect the substrate supporting unit 200.

시즈닝 단계(S30) 이 후, 기판 처리 장치(10) 내에서 기판에 대한 공정이 수행되는 기판 처리 공정(S40)이 수행된다.After the seasoning step S30, a substrate processing step S40 is performed in which the substrate processing is performed in the substrate processing apparatus 10.

상술한 바와 같이, 쿼츠 재질을 합성하는 합성 단계(S12)에서 규소 원소 및 산소 원소의 합성 시, 질소 원소를 공급함으로써, 합성된 쿼츠 재질을 이용하여 제조된 쿼츠 부재는 쿼츠 분자(SiO2)들 사이에 질소 원소가 혼합될 수 있다. 따라서, 질소 성분이 혼합된 쿼츠 부재는 그 자체로서 플라스마에 대한 내구성이 증가될 수 있고, 또한, 쿼츠 부재 자체에 질소 원소를 포함하고 있으므로, 쿼츠 부재의 표면 질화 공정을 수행 시, 쿼츠 부재의 질화 효율을 높일 수 있다. 그러므로, 쿼츠 부재의 질화 공정의 시간 및 횟수를 감소시킬 수 있고, 이로 인해, 쿼츠 부재의 질화 공정에서 사용되는 더미 기판의 수를 감소시킬 수 있다.As it described above, by supplying the nitrogen element in the synthesis of silicon element and oxygen element in the synthesis step of synthesizing the quartz material (S12), the prepared using the synthetic quartz material quartz member is quartz molecule (SiO 2) The nitrogen element may be mixed. Therefore, the quartz member in which the nitrogen component is mixed can increase the durability of the quartz member itself, and furthermore, the nitrogen element is contained in the quartz member itself. Therefore, when performing the surface nitriding process of the quartz member, The efficiency can be increased. Therefore, the time and frequency of the nitriding process of the quartz member can be reduced, thereby reducing the number of dummy substrates used in the nitriding process of the quartz member.

W: 기판 10; 기판 처리 장치
100: 공정 챔버 200: 기판 지지 유닛
300: 가스 공급 유닛 400: 마이크로파 인가 유닛
500: 안테나 판 600: 지파판
700: 유전판 900: 라이너
S10: 쿼츠 부재 제조 단계 S12: 합성 단계
S20: 장치 조립 단계W: substrate 10; Substrate processing apparatus
100: process chamber 200: substrate support unit
300: gas supply unit 400: microwave application unit
500: Antenna plate 600:
700: Dielectric plate 900: Liner
S10: Quartz member manufacturing step S12: Synthesis step
S20: Device assembly phase

Claims (16)

삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 플라스마를 이용하여 기판을 처리하는 기판 처리 장치를 제조하는 방법에 있어서,
상기 플라스마에 노출되는 부품을 제조 시, 합성 챔버 내에서 제 1 재료 및 상기 제 1 재료와 상이한 제 2 재료를 화학적으로 합성하는 합성 단계와;
상기 합성 단계에서 생성된 쿼츠 재질을 요구되는 쿼츠 부재의 형상으로 가공하는 형상 가공 단계와;
가공된 상기 쿼츠 부재를 이용하여 상기 기판 처리 장치를 조립하는 단계와; 그리고
기판에 대한 처리 공정을 수행하기 전에 조립된 상기 기판 처리 장치에서 상기 쿼츠 부재의 표면을 질화시키는 공정을 수행하는 단계를 포함하되,
상기 합성 단계에서는 상기 합성 시 상기 합성 챔버 내에 질소 원소를 포함하는 제 3 재료를 공급하는 기판 처리 장치의 제조 방법.A method of manufacturing a substrate processing apparatus for processing a substrate using a plasma,
A synthesis step of chemically synthesizing a first material and a second material different from the first material in a synthesis chamber when manufacturing the parts exposed to the plasma;
A shape processing step of processing the quartz material produced in the synthesis step into a desired quartz member shape;
Assembling the substrate processing apparatus using the processed quartz member; And
And performing a process of nitriding the surface of the quartz member in the assembled substrate processing apparatus before performing a treatment process on the substrate,
Wherein the synthesis step supplies a third material containing a nitrogen element into the synthesis chamber during the synthesis. 제 7 항에 있어서,
상기 부품은 쿼츠를 포함하는 재질로 제공되고,
상기 제 1 재료는 규소 원소를 포함하고,
상기 제 2 재료는 산소 원소를 포함하는 장치 제조 방법.8. The method of claim 7,
Said part being provided in a material comprising quartz,
Wherein the first material comprises a silicon element,
Wherein the second material comprises an oxygen element. 제 8 항에 있어서,
상기 합성 단계 이전에 상기 제 1 재료 및 상기 제 2 재료를 쿼츠(Quartz)를 포함하는 천연 광물로부터 추출하는 추출 단계를 더 포함하는 장치 제조 방법.9. The method of claim 8,
Further comprising an extraction step of extracting the first material and the second material from natural minerals including Quartz prior to the synthesis step. 제 8 항에 있어서,
상기 합성 단계에서, 상기 합성 챔버 내의 질소 원자의 수는 상기 합성 챔버 내의 규소 원자 및 산소 원자의 수보다 작게 제공되는 장치 제조 방법.9. The method of claim 8,
Wherein in the synthesis step, the number of nitrogen atoms in the synthesis chamber is less than the number of silicon atoms and oxygen atoms in the synthesis chamber. 제 10 항에 있어서,
상기 제 1 재료는 규소 원소만으로 구성되고,
상기 제 2 재료는 산소 원소만으로 구성된 장치 제조 방법.11. The method of claim 10,
Wherein the first material is composed only of a silicon element,
Wherein the second material is composed only of oxygen elements. 제 7 항 내지 제 11 항 중 어느 하나에 있어서,
상기 기판 처리 장치는 마이크로파를 안테나에 인가하여 상기 기판 처리 장치 내로 공급된 가스로부터 플라스마를 발생시키는 장치인 장치 제조 방법.12. The method according to any one of claims 7 to 11,
Wherein the substrate processing apparatus is a device that applies a microwave to an antenna to generate a plasma from a gas supplied into the substrate processing apparatus. 제 12 항에 있어서,
상기 부품은 상기 플라스마에 의해 기판이 처리되는 처리 공간의 상면에 제공된 유전판 또는 상기 처리 공간의 측면에 제공된 라이너인 장치 제조 방법.13. The method of claim 12,
Wherein the component is a dielectric plate provided on an upper surface of a processing space in which the substrate is processed by the plasma or a liner provided on a side surface of the processing space. 삭제delete 삭제delete 삭제delete
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