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KR101843740B1 - Light emitting device - Google Patents

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KR101843740B1
KR101843740B1 KR1020110079738A KR20110079738A KR101843740B1 KR 101843740 B1 KR101843740 B1 KR 101843740B1 KR 1020110079738 A KR1020110079738 A KR 1020110079738A KR 20110079738 A KR20110079738 A KR 20110079738A KR 101843740 B1 KR101843740 B1 KR 101843740B1
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KR
South Korea
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layer
light emitting
emitting device
semiconductor layer
light
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심상균
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엘지이노텍 주식회사
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Abstract

실시예에 따른 발광소자는, 제1 반도체층, 제2 반도체층, 제1 반도체층과 제2 반도체층 사이에 형성되는 활성층, 및 활성층과 제1 반도체층 사이에 형성되는 중간층을 포함한 발광 구조물을 포함하고, 중간층은 제2 층, 및 제2 층과 활성층 사이에 형성되는 제1 층을 포함하며, 제1 층은 제2 층보다 작고 활성층보다 큰 밴드갭을 갖게 형성된다.A light emitting device according to an embodiment includes a light emitting structure including a first semiconductor layer, a second semiconductor layer, an active layer formed between the first semiconductor layer and the second semiconductor layer, and an intermediate layer formed between the active layer and the first semiconductor layer And the intermediate layer includes a second layer and a first layer formed between the second layer and the active layer, wherein the first layer is formed to have a bandgap smaller than the second layer and larger than the active layer.

Description

발광소자{Light emitting device}[0001]

실시예는 발광소자에 관한 것이다. An embodiment relates to a light emitting element.

LED는 화합물 반도체의 특성을 이용해 전기 신호를 적외선, 가시광선 또는 빛의 형태로 변환시키는 소자로, 가정용 가전제품, 리모콘, 전광판, 표시기, 각종 자동화 기기 등에 사용되고, 점차 LED의 사용 영역이 넓어지고 있는 추세이다.LEDs are devices that convert electrical signals into infrared, visible, or light forms by using the characteristics of compound semiconductors. They are used in household appliances, remote controls, electric sign boards, displays, and automation devices. Trend.

보통, 소형화된 LED는 PCB(Printed Circuit Board) 기판에 직접 장착하기 위해서 표면실장소자(Surface Mount Device)형으로 만들어지고 있고, 이에 따라 표시소자로 사용되고 있는 LED 램프도 표면실장소자 형으로 개발되고 있다. 이러한 표면실장소자는 기존의 단순한 점등 램프를 대체할 수 있으며, 이것은 다양한 칼라를 내는 점등표시기용, 문자표시기 및 영상표시기 등으로 사용된다.In general, miniaturized LEDs are made of a surface mounting device for mounting directly on a PCB (Printed Circuit Board) substrate, and an LED lamp used as a display device is also being developed as a surface mounting device type . Such a surface mount device can replace a conventional simple lighting lamp, which is used for a lighting indicator for various colors, a character indicator, an image indicator, and the like.

공개번호 10-2005-0082183 에서는, p 형 반도체층과 활성층 사이에 전자 차단층(EBL :Electron Blocking Layer)이 형성된 발명에 관해 개시한다. 전자 차단층이 형성됨으로써, n 형 반도체층으로부터 제공된 전자의 오버플로잉(over flowing) 이 방지될 수 있다. 그러나, 전자 차단층에 p 도펀트가 도핑되기 어려우며, 따라서 정공의 주입 효율이 떨어지고 아울러 발광소자의 발광 효율이 저하되는 문제가 생길 수 있다.Open No. 10-2005-0082183 discloses an invention in which an electron blocking layer (EBL) is formed between a p-type semiconductor layer and an active layer. By forming the electron blocking layer, over flowing of electrons provided from the n-type semiconductor layer can be prevented. However, it is difficult for the electron blocking layer to be doped with the p dopant, so that the injection efficiency of holes may be decreased and the luminous efficiency of the light emitting device may be deteriorated.

실시예는 발광 효율이 개선된 발광소자를 제공하는 데 있다. The embodiment is to provide a light emitting device having improved light emitting efficiency.

실시예에 따른 발광소자는, 제1 반도체층, 제2 반도체층, 제1 반도체층과 제2 반도체층 사이에 형성되는 활성층, 및 활성층과 제1 반도체층 사이에 형성되는 중간층을 포함한 발광 구조물을 포함하고, 중간층은 제2 층, 및 제2 층과 활성층 사이에 형성되는 제1 층을 포함하며, 제1 층은 제2 층보다 작고 활성층보다 큰 밴드갭을 갖게 형성된다.A light emitting device according to an embodiment includes a light emitting structure including a first semiconductor layer, a second semiconductor layer, an active layer formed between the first semiconductor layer and the second semiconductor layer, and an intermediate layer formed between the active layer and the first semiconductor layer And the intermediate layer includes a second layer and a first layer formed between the second layer and the active layer, wherein the first layer is formed to have a bandgap smaller than the second layer and larger than the active layer.

실시예에 따른 발광소자는 전자차단층(EBL)의 도펀트 도핑 농도가 증가하여 p 형 반도체층으로부터 제공되는 정공의 주입 효율이 개선되고, 동작전압이 감소할 수 있다. 또한, 정공의 주입 효율이 개선됨으로써 활성층에서 전자와 정공의 재결합율이 증가하며 발광소자의 발광 효율이 개선될 수 있다.In the light emitting device according to the embodiment, the doping concentration of the electron blocking layer (EBL) is increased, the injection efficiency of holes provided from the p-type semiconductor layer is improved, and the operating voltage can be decreased. In addition, since the injection efficiency of holes is improved, the recombination rate of electrons and holes in the active layer increases and the luminous efficiency of the light emitting device can be improved.

도 1은 실시예에 따른 발광소자를 나타낸 단면도,
도 2는 실시예에 따른 발광소자의 부분 확대 단면도,
도 3은 실시예에 따른 발광소자의 에너지 밴드 다이어그램을 나타낸 도면,
도 4는 실시예에 따른 발광소자를 나타낸 단면도,
도 5는 실시예에 따른 발광소자의 에너지 밴드 다이어그램을 나타낸 도면,
도 6은 실시예에 따른 발광소자를 나타낸 단면도,
도 7은 실시예에 따른 발광소자를 나타낸 단면도,
도 8은 실시예에 따른 발광소자를 포함한 발광소자 패키지의 사시도,
도 9는 실시예에 따른 발광소자를 포함한 발광소자 패키지의 단면도,
도 10은 실시예에 따른 발광소자를 포함한 발광소자 패키지의 단면도,
도 11은 실시예에 따른 발광소자를 포함하는 조명 시스템을 도시한 사시도,
도 12는 도 11의 조명 시스템의 C-C' 단면을 도시한 단면도,
도 13은 실시예에 따른 발광소자를 포함하는 액정표시장치의 분해 사시도, 그리고
도 14는 실시예에 따른 발광소자를 포함하는 액정표시장치의 분해 사시도이다.1 is a cross-sectional view illustrating a light emitting device according to an embodiment,
2 is a partially enlarged cross-sectional view of a light emitting device according to an embodiment,
3 is an energy band diagram of a light emitting device according to an embodiment,
4 is a cross-sectional view illustrating a light emitting device according to an embodiment,
5 is an energy band diagram of a light emitting device according to an embodiment,
6 is a cross-sectional view illustrating a light emitting device according to an embodiment,
7 is a cross-sectional view illustrating a light emitting device according to an embodiment,
8 is a perspective view of a light emitting device package including a light emitting device according to an embodiment,
9 is a sectional view of a light emitting device package including a light emitting device according to an embodiment,
10 is a sectional view of a light emitting device package including the light emitting device according to the embodiment,
11 is a perspective view showing an illumination system including a light emitting device according to an embodiment,
12 is a cross-sectional view showing a CC 'section of the illumination system of FIG. 11,
13 is an exploded perspective view of a liquid crystal display device including a light emitting device according to an embodiment, and
14 is an exploded perspective view of a liquid crystal display device including a light emitting device according to an embodiment.

실시예에 대한 설명에서, 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들이 기판, 각 층(막), 영역, 패드 또는 패턴이나 타 구조물의 "위(on)"에, "아래(under)"에, 상측(upper)에, 또는 하측(lower)에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "위(on)", "아래(under)", 상측(upper), 및 하측(lower)은 "직접(directly)" 또는 "다른 층, 또는 구조물을 개재하여 (indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다.In the description of the embodiments, it is to be understood that each layer (film), region, pattern or structure may be referred to as being "on", "under", or "on" Quot; on ", " under ", " upper ", and lower " lower " directly "or" indirectly "through " another layer, or structure ".

또한 각 층, 또는 구조물들간의 위치관계에 대한 설명은 본 명세서, 또는 본 명세서에 첨부되는 도면을 참조하도록 한다.Further, the description of the positional relationship between the respective layers or structures is referred to the present specification or the drawings attached hereto.

도면에서 각층의 두께나 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장되거나 생략되거나 또는 개략적으로 도시되었다. 또한 각 구성요소의 크기와 면적은 실제크기나 면적을 전적으로 반영하는 것은 아니다.The thickness and size of each layer in the drawings are exaggerated, omitted, or schematically shown for convenience and clarity of explanation. Also, the size and area of each component do not entirely reflect actual size or area.

도 1은 실시예에 따른 발광소자의 단면도이며, 도 2 는 도 1 의 A 영역의 확대도이고, 도 3 은 실시예에 따른 발광소자의 에너지 밴드 다이어그램을 나타낸 도면이다.FIG. 1 is a cross-sectional view of a light emitting device according to an embodiment, FIG. 2 is an enlarged view of a region A of FIG. 1, and FIG. 3 is an energy band diagram of a light emitting device according to an embodiment.

도 1 내지 도 3을 참조하면, 발광소자(100)는 지지부재(110), 지지부재(110) 상에 배치되는 발광구조물(160)을 포함할 수 있으며, 발광구조물(160)은 제1 반도체층(120), 활성층(130), 중간층(140), 및 제2 반도체층(150)을 포함할 수 있다.1 to 3, the light emitting device 100 may include a support member 110 and a light emitting structure 160 disposed on the support member 110. The light emitting structure 160 may include a first semiconductor Layer 120, an active layer 130, an intermediate layer 140, and a second semiconductor layer 150.

지지부재(110)는 광 투과적 성질을 가지는 재질, 예를 들어 사파이어(Al2O3), GaN, ZnO, AlO 중 어느 하나를 포함하여 형성될 수 있으나, 이에 한정하지는 않는다. 또한, 사파이어(Al2O3) 지지부재에 비해 열전도성이 큰 SiC 지지부재일 수 있다. The support member 110 may be formed of any material having optical transparency, for example, sapphire (Al 2 O 3 ), GaN, ZnO, or AlO. However, the support member 110 is not limited thereto. Further, it can be a SiC supporting member having a higher thermal conductivity than a sapphire (Al 2 O 3 ) supporting member.

한편, 지지부재(110)의 상측 면에는 광 추출 효율을 높이기 위해 PSS(PSS : Patterned SubStrate) 구조가 마련될 수 있다. 본 명세서에서 언급되는 지지부재 (110)는 PSS 구조를 가지거나, 또는 가지지 않을 수 있다.On the other hand, a PSS (Patterned SubStrate) structure may be provided on the upper surface of the support member 110 to enhance light extraction efficiency. The support member 110 referred to herein may or may not have a PSS structure.

한편, 지지부재(110) 상에는 지지부재(110)와 제1 반도체층(120) 사이의 격자 부정합을 완화하고 반도체층이 용이하게 성장될 수 있도록 하는 버퍼층(미도시)이 위치할 수 있다. 버퍼층(미도시)은 저온 분위기에서 형성할 수 있으며, 반도체층과 지지부재와의 격자상수 차이를 완화시켜 줄 수 있는 물질로 이루어 질 수 있다. 예를 들어, GaN, InN, AlN, AlInN, InGaN, AlGaN, 및 InAlGaN 과 같은 재질 중 선택할 수 있으며 이에 한정되지 않는다. .버퍼층(미도시)은 지지부재(110)상에 비단결정으로 성장할 수 있으며, 비단결정으로 성장한 버퍼층(미도시)은 버퍼층(미도시)상에 성장하는 제1 반도체층(120)의 결정성을 향상시킬 수 있다.A buffer layer (not shown) may be disposed on the support member 110 to mitigate lattice mismatch between the support member 110 and the first semiconductor layer 120 and allow the semiconductor layer to grow easily. The buffer layer (not shown) can be formed in a low-temperature atmosphere and can be made of a material that can alleviate the difference in lattice constant between the semiconductor layer and the supporting member. For example, materials such as GaN, InN, AlN, AlInN, InGaN, AlGaN, and InAlGaN can be selected and not limited thereto. . A buffer layer (not shown) may grow in a non-crystal state on the supporting member 110, and a buffer layer (not shown) grown by non-crystal growth may be formed on the buffer layer Can be improved.

버퍼층(미도시) 상에는 제1 반도체층(120), 중간층(140), 활성층(130), 및 제2 반도체층(150)을 포함한 발광 구조물(160)이 형성될 수 있다.A light emitting structure 160 including a first semiconductor layer 120, an intermediate layer 140, an active layer 130, and a second semiconductor layer 150 may be formed on a buffer layer (not shown).

버퍼층(미도시) 상에는 제1 반도체층(120)이 위치할 수 있다. 제1 반도체층(120)은 n형 반도체층으로 구현될 수 있으며, 활성층(130)에 전자를 제공할 수 있다. 제1 반도체층(120)은 예를 들어, InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료, 예를 들어 GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN 등에서 선택될 수 있으며, Si, Ge, Sn 등의 n형 도펀트가 도핑될 수 있다.The first semiconductor layer 120 may be located on a buffer layer (not shown). The first semiconductor layer 120 may be formed of an n-type semiconductor layer and may provide electrons to the active layer 130. The first semiconductor layer 120 is formed of a semiconductor material having a composition formula of In x Al y Ga 1 -x- y N (0? X? 1, 0? Y? 1, 0? X + For example, GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN and the like, and n-type dopants such as Si, Ge and Sn can be doped.

또한, 제1 반도체층(120)아래에 언도프트 반도체층(미도시)을 더 포함할 수 있으나, 이에 대해 한정하지는 않는다. 언도프트 반도체층은 제1 반도체층(120)의 결정성 향상을 위해 형성되는 층으로, n형 도펀트가 도핑되지 않아 제1 반도체층(120)에 비해 낮은 전기전도성을 갖는 것을 제외하고는 제1 반도체층(120)과 같을 수 있다.Further, the semiconductor layer 120 may further include an undoped semiconductor layer (not shown), but the present invention is not limited thereto. The un-doped semiconductor layer is a layer formed for improving the crystallinity of the first semiconductor layer 120 and has a lower electrical conductivity than the first semiconductor layer 120 without doping the n-type dopant. May be the same as the semiconductor layer 120.

상기 제1 반도체층(120) 상에는 활성층(130)이 형성될 수 있다. 활성층(130)은 3족-5족 원소의 화합물 반도체 재료를 이용하여 단일 또는 다중 양자 우물 구조, 양자 선(Quantum-Wire) 구조, 또는 양자 점(Quantum Dot) 구조 등으로 형성될 수 있다.The active layer 130 may be formed on the first semiconductor layer 120. The active layer 130 may be formed of a single or multiple quantum well structure, a quantum-wire structure, a quantum dot structure, or the like using a compound semiconductor material of Group 3-V group elements.

활성층(130)이 양자우물구조로 형성된 경우 예컨데, InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0 ≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 우물층과 InaAlbGa1 -a- bN (0≤a≤1, 0≤b≤1, 0≤a+b≤1)의 조성식을 갖는 장벽층을 갖는 단일 또는 다중 양자우물구조를 갖을 수 있다. 우물층은 장벽층의 밴드 갭보다 작은 밴드 갭을 갖는 물질로 형성될 수 있다.If the active layer 130 is formed of a quantum well structure, for example, the well having a composition formula of In x Al y Ga 1 -x- y N (0≤x≤1, 0 ≤y≤1, 0≤x + y≤1) Layer and a barrier layer having a composition formula of In a Al b Ga 1 -a- b N (0? A? 1, 0? B ? 1, 0? A + b? 1) . The well layer may be formed of a material having a band gap smaller than the band gap of the barrier layer.

예컨대, 도 2 및 도 3에 도시된 바와 같이, 발광소자(100)의 활성층(130)이 다중 양자우물 구조를 가질 때, 예컨대 활성층(130)은 제1 내지 제3 우물층(Q1, Q2, Q3) 및 제1 내지 제3 장벽층(B1, B2. B3)을 포함할 수 있다. 제1 내지 제3 우물층(Q1, Q2, Q3) 및 제1 내지 제3 장벽층(B1, B2, B3)은 서로 교대로 적층되는 구조를 가질 수 있다. For example, as shown in FIGS. 2 and 3, when the active layer 130 of the light emitting device 100 has a multiple quantum well structure, for example, the active layer 130 includes first through third well layers Q1, Q2, Q3, and first to third barrier layers B1, B2, and B3. The first through third well layers Q1, Q2 and Q3 and the first through third barrier layers B1, B2 and B3 may be alternately stacked.

한편, 도 2에서는 각각 제1 내지 제3 우물층(Q1, Q2, Q3) 및 제1 내지 제3 장벽층(B1, B2, B3)이 형성되고 제1 내지 제3 장벽층(B1, B2, B3)과 제1 내지 제3 우물층(Q1, Q2, Q3)이 교대로 적층되게 형성되도록 도시되었으나, 이에 한정하지 아니하며, 우물층(Q1, Q2, Q3) 및 장벽층(B1, B2, B3)은 임의의 수를 갖도록 형성될 수 있고, 배치 또한 임의의 배치를 가질 수 있다. 아울러, 상술한 바와 같이 각각의 우물층(Q1, Q2, Q3), 및 각각의 장벽층(B1, B2, B3)을 형성하는 재질의 조성비 및 밴드갭, 및 두께는 서로 상이할 수 있으며, 도 2에 도시된 바와 같이 한정하지 아니한다. 2, the first through third well layers Q1, Q2 and Q3 and the first through third barrier layers B1, B2 and B3 are formed and the first through third barrier layers B1, B2, B3 and the first to third well layers Q1, Q2 and Q3 are alternately stacked, but not limited thereto, the well layers Q1, Q2 and Q3 and the barrier layers B1, B2 and B3 ) May be formed to have any number, and the arrangement may also have any arrangement. In addition, as described above, the composition ratio, band gap, and thickness of the material forming each of the well layers Q1, Q2, and Q3 and the barrier layers B1, B2, and B3 may be different from each other, 2 as shown in Fig.

활성층(130)의 위 또는/및 아래에는 도전성 클래드층(미도시)이 형성될 수 있다. 도전성 클래드층(미도시)은 AlGaN계 반도체로 형성될 수 있으며, 상기 활성층(130)의 밴드 갭보다는 큰 밴드 갭을 가질 수 있다.A conductive clad layer (not shown) may be formed on and / or below the active layer 130. The conductive clad layer (not shown) may be formed of an AlGaN-based semiconductor and may have a band gap larger than that of the active layer 130.

제2 반도체층(150)은 활성층(124)에 정공을 주입하도록 p형 반도체층으로 구현될 수 있다. 제2 반도체층(150)은 예를 들어, InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료, 예를 들어 GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN 등에서 선택될 수 있으며, Mg, Zn, Ca, Sr, Ba 등의 p형 도펀트가 도핑될 수 있다.The second semiconductor layer 150 may be implemented as a p-type semiconductor layer to inject holes into the active layer 124. The second semiconductor layer 150 may be formed of a semiconductor material having a composition formula of In x Al y Ga 1 -x- y N (0? X? 1, 0? Y? 1, 0? X + For example, GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN and the like, and p-type dopants such as Mg, Zn, Ca, Sr and Ba can be doped.

활성층(130)과 제2 반도체층(150) 사이에 활성층(130)보다 큰 밴드갭을 갖는 중간층(140)이 형성될 수 있다.An intermediate layer 140 having a larger bandgap than the active layer 130 may be formed between the active layer 130 and the second semiconductor layer 150.

중간층(140)은 활성층(130)과 접하게 형성될 수 있으며, 이에 한정하지 아니한다.The intermediate layer 140 may be formed in contact with the active layer 130, but is not limited thereto.

일반적으로, 제1 반도체층(120)에서 활성층(130)으로 주입되는 전자는 제2 반도체층(150)에서 활성층(130)으로 주입되는 정공보다 그 수가 많으며, 아울러 전자의 이동도(mobility)는 정공의 이동도보다 높으므로 잉여 전자가 발생할 수 있다. 특히, 고 전류 인가시 전자가 과도하게 주입되어 제1 반도체층(120)으로부터 활성층(130)으로 주입되는 전자가 활성층(130)을 지나서 제2 반도체층(150)으로 흐르는 전자 오버플로잉(electron over flowing) 현상이 발생할 수 있다. 이러한 전자 오버플로잉 현상은 발광소자(100)에 손상을 줄 수 있으며, 따라서 발광소자(100)의 신뢰성을 저하한다.In general, electrons injected from the first semiconductor layer 120 into the active layer 130 are larger in number than holes injected into the active layer 130 from the second semiconductor layer 150, and the mobility of electrons Since the hole mobility is higher, surplus electrons may be generated. Electrons injected from the first semiconductor layer 120 to the active layer 130 are injected into the second semiconductor layer 150 through the active layer 130 and electrons are injected into the second semiconductor layer 150 through the electron overflowing over flowing phenomenon may occur. Such an electronic overflow phenomenon may damage the light emitting device 100, thereby lowering the reliability of the light emitting device 100.

활성층(130)과 제2 반도체층(150) 사이에 중간층(140)이 형성되며 중간층(140)은 활성층(130)보다 상대적으로 큰 밴드갭을 가짐으로써, 중간층(140)은 제1 반도체층(120)으로부터 전자가 과도하게 주입되는 것을 방지하고 적정 수준의 전자를 제공하도록 하는 전자 차단층(EBL : Electron blocking layer)일 수 있다.The intermediate layer 140 is formed between the active layer 130 and the second semiconductor layer 150 and the intermediate layer 140 has a relatively larger bandgap than the active layer 130, (EBL) that prevents electrons from being excessively injected from the anode 120 and provides an appropriate level of electrons.

따라서, 중간층(140)에 의해서 전자의 과도한 주입이 방지되어 제1 반도체층(130)으로부터 주입된 전자가 활성층(130)에서 재결합되지 않고 제2 반도체층(150)으로 주입되는 현상을 방지할 수 있고, 아울러 누설전류의 발생 또한 방지할 수 있다.Therefore, excessive injection of electrons is prevented by the intermediate layer 140, so that electrons injected from the first semiconductor layer 130 can be prevented from being injected into the second semiconductor layer 150 without being recombined in the active layer 130 And it is also possible to prevent the occurrence of a leakage current.

실시예에 따라서, 중간층(140)은 제1 층(142), 및 제2 층(144)을 포함할 수 있다.According to an embodiment, the intermediate layer 140 may comprise a first layer 142, and a second layer 144.

제1 층(142)은 활성층(130)과 제2 층(144) 사이에 배치될 수 있으며, 상술한 바와 같이 활성층(130)에 접하게 형성될 수 있고, 이에 한정하지 아니한다. The first layer 142 may be disposed between the active layer 130 and the second layer 144 and may be formed in contact with the active layer 130 as described above. However, the present invention is not limited thereto.

제1 층(142)은 InGaN 을 포함할 수 있으며, 예컨대 마그네슘(Mg), 아연(Zn), 칼슘(Ca), 스트론튬(Sr), 바륨(Ba) 등의 p형 도펀트가 도핑될 수 있다. 제1 층(142)은 도 3에 도시된 바와 같이, 활성층(130)보다 크며 제2 층(144)보다 작은 밴드갭을 가질 수 있다. The first layer 142 may include InGaN and may be doped with a p-type dopant such as magnesium (Mg), zinc (Zn), calcium (Ca), strontium (Sr), barium (Ba) The first layer 142 may have a bandgap larger than the active layer 130 and smaller than the second layer 144, as shown in FIG.

제2 층(144)은 제1 층(142) 상에 형성되며, 따라서 제1 층(142)과 제2 반도체층(150) 사이에 형성될 수 있다.A second layer 144 is formed on the first layer 142 and thus may be formed between the first layer 142 and the second semiconductor layer 150.

제2 층(144)은 AlGaN 을 포함할 수 있으며, 제1 층과 같이 마그네슘(Mg), 아연(Zn), 칼슘(Ca), 스트론튬(Sr), 바륨(Ba) 등의 p형 도펀트가 도핑될 수 있다. 제2 층(144)은 제1 층(142)보다 큰 밴드갭을 가질 수 있다.The second layer 144 may include AlGaN and may be doped with a p-type dopant such as magnesium (Mg), zinc (Zn), calcium (Ca), strontium (Sr), barium . The second layer 144 may have a larger bandgap than the first layer 142.

중간층(140)은 상술한 바와 같이 전자 오버플로잉을 방지하기 위해 밴드갭이 큰 재질을 포함하며, AlGaN 을 포함할 수 있다.The intermediate layer 140 includes a material having a large bandgap to prevent electron overflowing as described above, and may include AlGaN.

실시예에 따라서, 제1 층(142) 및 제2 층(144)은 동일한 분위기에서 성장될 수 있다. In 은 휘발성이 강하여 고온에서 증발되므로, 제1 층(142)을 소정의 온도 분위기에서 성장시 In 은 다수 증발되어 제1 층(142)에 Mg 와 같은 p 형 도펀트의 도핑 효율이 증가할 수 있다. Depending on the embodiment, the first layer 142 and the second layer 144 may be grown in the same atmosphere. Since In is highly volatile and evaporates at a high temperature, a large amount of In is evaporated when the first layer 142 is grown in a predetermined temperature atmosphere, so that the doping efficiency of a p-type dopant such as Mg may be increased in the first layer 142 .

p 도펀트 도핑 분위기가 형성되며 제1 층(142)의 p 도펀트 도핑 농도가 증가함으로써, 제2 층(144)의 p 도펀트 도핑 농도 또한 증가할 수 있다. 따라서 중간층(140)이 InGaN 을 포함한 제1 층(142), 및 AlGaN 을 포함한 제2 층(144)를 포함함으로써, EBL 층으로 기능하는 중간층(140)의 전체 도핑 농도가 증가할 수 있다. 중간층(140)의 도핑 농도가 증가함으로써, 중간층(140)의 저항이 감소하고 제2 반도체층(150)으로부터 제공되는 정공의 주입 효율이 증가할 수 있다. 따라서, 활성층(130)에서 정공과 전자의 재결합 확률이 증가하며, 발광소자(100)의 발광 효율이 개선될 수 있다.a p dopant doping atmosphere is formed and the p dopant doping concentration of the first layer 142 increases, so that the p dopant doping concentration of the second layer 144 may also increase. Therefore, the intermediate layer 140 includes the first layer 142 including InGaN and the second layer 144 including AlGaN, so that the total doping concentration of the intermediate layer 140 functioning as the EBL layer can be increased. As the doping concentration of the intermediate layer 140 increases, the resistance of the intermediate layer 140 may decrease and the injection efficiency of holes provided from the second semiconductor layer 150 may increase. Therefore, the recombination probability of holes and electrons in the active layer 130 increases, and the luminous efficiency of the light emitting device 100 can be improved.

한편, 반도체층에는 반도체층 간의 격자상수 차이 및 배향성에 의한 응력이 발생하여 생기는 압전분극(piezoelectric polariziton)이 발생할 수 있다. 발광소자를 형성하는 반도체 재료는 큰 값의 압전계수를 가지므로 작은 변형(strain)에도 매우 큰 분극을 초래할 수 있다. 두 개의 분극으로 유발된 정전기장(electric field)은 양자우물 구조의 에너지 밴드 구조를 변화시켜 이에 따른 전자와 정공의 분포를 왜곡시키게 된다. 이러한 효과를 양자 구속 스타크 효과(quantum confined stark effect, QCSE)라고 하는데 이는 전자와 정공의 재결합으로 빛을 방생시키는 발광소자에 있어서 낮은 내부양자효율을 유발하고 발광 스펙트럼의 적색 편이(red shift) 등 발광소자의 전기적, 광학적 특성에 악영향을 끼칠 수 있다.On the other hand, piezoelectric polarizations may be generated in the semiconductor layer due to the stress due to the difference in lattice constant and the orientation between the semiconductor layers. Since the semiconductor material forming the light emitting element has a large value of the piezoelectric coefficient, it can cause a very large polarization even with a small strain. The electric field induced by the two polarization changes the energy band structure of the quantum well structure, distorting the distribution of electrons and holes. This effect is called a quantum confined stark effect (QCSE), which causes a low internal quantum efficiency in a light emitting device that emits light due to the recombination of electrons and holes, and causes a red shift in the emission spectrum The electrical and optical characteristics of the device may be adversely affected.

실시예에 따라서, 제2 층(144)이 AlGaN 을 포함하며, 제1 층(142)이 InGaN 을 포함하고, 제1 층(142)이 활성층(130)과 제2 층(144) 사이에 형성될 수 있다. 따라서, 제2 층(144)과 활성층(140) 사이의 격자상수 차이가 제1 층(142)을 통해 완화될 수 있다. 따라서, 상술한 바와 같은 압전분극에 의한 효과가 작아질 수 있으며, 발광소자(100)의 전기적, 광학적 특성이 개선될 수 있다.The second layer 144 comprises AlGaN and the first layer 142 comprises InGaN and the first layer 142 is formed between the active layer 130 and the second layer 144, . Thus, the difference in lattice constant between the second layer 144 and the active layer 140 can be mitigated through the first layer 142. Therefore, the effect of the piezoelectric polarization as described above can be reduced, and the electrical and optical characteristics of the light emitting device 100 can be improved.

한편, 제1 층(142)은 두께가 70 내지 100Å일 수 있다. 제1 층(142)의 두께가 70Å 이하일 경우, p 형 도펀트의 도핑 효율이 저하될 수 있다. 한편, 두께가 100Å 이상인 경우에는 광 흡수율이 증가하고 동작 전압을 높여서 발광소자(100)의 광효율을 떨어뜨릴 수 있다.Meanwhile, the first layer 142 may have a thickness of 70 to 100 angstroms. When the thickness of the first layer 142 is 70 angstroms or less, the doping efficiency of the p-type dopant may be lowered. On the other hand, when the thickness is 100 ANGSTROM or more, the light absorptance increases and the operating voltage is increased so that the light efficiency of the light emitting device 100 can be lowered.

제1 층(142)은 Inx(GaN)y(0.001≤x≤0.02)을 포함할 수 있다. 제1 층(142)은 인듐(In)의 함량을 조절하여 제2 층(144)의 p 형 도펀트의 도핑 효율을 증가할 수 있다. 제1 층(142)의 인듐함량 x가 0.001보다 작은 경우에는 중간층(140)의 p 형 도펀트 도핑 효율이 저하할 수 있다. 한편, 제조 공정상 제1 층(142)은 제2 층(144)과 같은 온도 분위기에서 성장되므로 x가 0.02보다 커지기 어려울 수 있으며, 또한 제1 층(142)의 인듐함량 x가 0.02보다 커지는 경우에는 제2 층(144)의 도핑 농도가 지나치게 커져서 발광소자의 신뢰성을 저하할 수 있다.The first layer 142 may include In x (GaN) y (0.001? X ? 0.02). The first layer 142 may increase the doping efficiency of the p-type dopant of the second layer 144 by controlling the content of indium (In). When the indium content x of the first layer 142 is smaller than 0.001, the doping efficiency of the p-type dopant of the intermediate layer 140 may be lowered. On the other hand, since the first layer 142 is grown in the same temperature atmosphere as the second layer 144 in the manufacturing process, x may be difficult to be larger than 0.02, and when the indium content x of the first layer 142 is larger than 0.02 The doping concentration of the second layer 144 becomes excessively large and the reliability of the light emitting device can be lowered.

상술한 제1 반도체층(120), 활성층(130), 중간층(140), 및 제2 반도체층(150)은 예를 들어, 유기금속 화학 증착법(MOCVD; Metal Organic Chemical Vapor Deposition), 화학 증착법(CVD; Chemical Vapor Deposition), 플라즈마 화학 증착법(PECVD; Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition), 분자선 성장법(MBE; Molecular Beam Epitaxy), 수소화물 기상 성장법(HVPE; Hydride Vapor Phase Epitaxy), 스퍼터링(Sputtering) 등의 방법을 이용하여 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The first semiconductor layer 120, the active layer 130, the intermediate layer 140, and the second semiconductor layer 150 may be formed by, for example, MOCVD (Metal Organic Chemical Vapor Deposition), chemical vapor deposition CVD (Chemical Vapor Deposition), PECVD (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition), Molecular Beam Epitaxy (MBE), Hydride Vapor Phase Epitaxy (HVPE), Sputtering, Or the like, but the present invention is not limited thereto.

또한, 제1 반도체층(120), 중간층(140), 및 제2 반도체층(150) 내의 도전형 도펀트의 도핑 농도는 균일 또는 불균일하게 형성될 수 있다. 즉, 복수의 반도체층은 다양한 도핑 농도 분포를 갖도록 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The doping concentration of the conductive dopant in the first semiconductor layer 120, the intermediate layer 140, and the second semiconductor layer 150 can be uniform or non-uniform. That is, the plurality of semiconductor layers may be formed to have various doping concentration distributions, but the invention is not limited thereto.

한편, 활성층(130)과 제2 반도체층(150)은 일부가 제거되어 제1 반도체층(120)의 일부가 노출될 수 있고, 노출된 제1 반도체층(120) 상에는 제1 전극(160)이 형성될 수 있다. 즉, 제1 반도체층(120)은 활성층(130)을 향하는 상면과 지지부재(110)을 향하는 하면을 포함하고, 상면은 적어도 일 영역이 노출된 영역을 포함하며, 제1 전극(160)은 상면의 노출된 영역 상에 배치될 수 있다.A part of the active layer 130 and the second semiconductor layer 150 may be partially removed to expose a portion of the first semiconductor layer 120. The first electrode 160 may be formed on the exposed first semiconductor layer 120, Can be formed. That is, the first semiconductor layer 120 includes a top surface facing the active layer 130 and a bottom surface facing the supporting member 110, and an upper surface includes a region exposed at least one region, Can be disposed on the exposed area of the upper surface.

한편, 제1 반도체층(120)의 일부가 노출되게 하는 방법은 소정의 식각 방법을 사용할 수 있으며, 이에 한정하지 아니한다. 또한, 식각방법은 습식 식각, 건식 식각방법을 사용할 수 있다.Meanwhile, a method of exposing a part of the first semiconductor layer 120 may use a predetermined etching method, but is not limited thereto. The etching method may be a wet etching method or a dry etching method.

또한, 제2 반도체층(150) 상에는 제2 전극(170)이 형성될 수 있다.Also, a second electrode 170 may be formed on the second semiconductor layer 150.

한편, 제1 및 2 전극(172, 174)은 전도성 물질, 예를 들어 In, Co, Si, Ge, Au, Pd, Pt, Ru, Re, Mg, Zn, Hf, Ta, Rh, Ir, W, Ti, Ag, Cr, Mo, Nb, Al, Ni, Cu, 및 WTi 중에서 선택된 금속을 포함할 수 있으며, 또는 이들의 합금을 포함할 수 있고, 단층 또는 다층으로 형성될 수 있으며 이에 한정하지 아니한다.The first and second electrodes 172 and 174 may be formed of a conductive material such as In, Co, Si, Ge, Au, Pd, Pt, Ru, Re, Mg, Zn, Hf, Ta, , A metal selected from Ti, Ag, Cr, Mo, Nb, Al, Ni, Cu, and WTi or an alloy thereof and may be formed as a single layer or a multilayer .

도 4 는 실시예에 따른 발광소자의 단면도이며, 도 5 는 실시예에 따른 발광소자의 에너지 밴드 다이어그램을 나타낸 도면이다.FIG. 4 is a cross-sectional view of a light emitting device according to an embodiment, and FIG. 5 is a diagram illustrating an energy band of a light emitting device according to an embodiment.

도 4 및 도 5 를 참조하면, 중간층(140)은 제1 층(142)과 활성층(130) 사이에 제3 층(146)을 더 포함할 수 있다.Referring to FIGS. 4 and 5, the intermediate layer 140 may further include a third layer 146 between the first layer 142 and the active layer 130.

제3 층(146)은 하부의 활성층(130)과 접할 수 있으며, 이에 한정하지 아니한다. 제3 층(146)은 예컨대, InAlGaN 을 포함할 수 있다. 제3 층(146)의 밴드갭은 활성층(130)의 장벽층(B1, B2, B3) 및 제1 층(142)의 밴드갭 보다 더 클 수 있다. 또한, 제3 층의 밴드갭(146)은 제2 층(144)의 밴드갭(144)보다 작을 수 있다.The third layer 146 may be in contact with the lower active layer 130, but is not limited thereto. The third layer 146 may comprise, for example, InAlGaN. The band gap of the third layer 146 may be larger than the band gap of the barrier layers B1, B2, B3 of the active layer 130 and the first layer 142. [ Further, the band gap 146 of the third layer may be smaller than the band gap 144 of the second layer 144.

제3 층(146)은 1차적인 전자 차단층(EBL)의 역할을 할 수 있다. 즉, 제3 층(146)은 활성층(130)보다 밴드갭이 커 제1 반도체층(120)에서 제공된 전자가 우물층에서 정공과 재결합되지 않고 제2 반도체층(150)으로 넘어가는 현상을 1차적으로 차단할 수 있다. 이때, 이동도(mobility) 가 낮은 전자들은 제3 층(146)에서 1차적으로 차단될 수 있다.The third layer 146 may serve as a primary electron blocking layer (EBL). That is, the third layer 146 has a band gap larger than that of the active layer 130, and the electrons provided from the first semiconductor layer 120 are not recombined with the holes in the well layer but are transferred to the second semiconductor layer 150. It can be intercepted later. At this time, electrons having low mobility can be primarily blocked in the third layer 146.

제3 층(146)은 두께가 40 내지 50Å일 수 있다. 제3 층(146)은 두께가 40Å이하인 경우에는 전자차단층(EBL)으로 기능하기 어려워지고 두께가 50Å이상인 경우에는 저항이 증가하여 발광소자(100)의 동작전압을 상승시키는 문제가 발생할 수 있다.The third layer 146 may be 40 to 50 Angstroms thick. When the thickness of the third layer 146 is 40 ANGSTROM or less, it is difficult to function as the electron blocking layer (EBL). When the thickness of the third layer 146 is 50 ANGSTROM or more, the resistance increases and the operating voltage of the light emitting device 100 may increase .

도 6은 실시예에 따른 발광소자를 나타낸 도면이다.6 is a view illustrating a light emitting device according to an embodiment.

도 6을 참조하면, 다른 실시예에 따른 발광소자(200)는 수직형 발광소자 일수 있고, 지지부재(210), 지지부재(210) 상에 배치되는 제1 전극층(220), 제2 반도체층(230), 활성층(250), 및 제1 반도체층(260)을 포함한 발광 구조물(270), 및 제2 전극층(282)을 포함할 수 있다. 앞에서 설명한 내용에 관해서는 간략하게 언급한다.Referring to FIG. 6, the light emitting device 200 according to another embodiment may be a vertical light emitting device, and may include a support member 210, a first electrode layer 220 disposed on the support member 210, A light emitting structure 270 including a first semiconductor layer 230, an active layer 250, and a first semiconductor layer 260, and a second electrode layer 282. The foregoing is briefly referred to.

지지부재(210)는 열전도성이 우수한 물질을 이용하여 형성할 수 있으며, 또한 전도성 물질로 형성할 수 있는데, 금속 물질 또는 전도성 세라믹을 이용하여 형성할 수 있다. 지지부재(210)는 단일층으로 형성될 수 있고, 이중 구조 또는 그 이상의 다중 구조로 형성될 수 있다.The support member 210 may be formed using a material having a high thermal conductivity, or may be formed of a conductive material. The support member 210 may be formed using a metal material or a conductive ceramic. The support member 210 may be formed as a single layer, and may be formed as a double structure or a multiple structure.

즉, 지지부재(210)는 금속, 예를 들어 Au, Ni, W, Mo, Cu, Al, Ta, Ag, Pt, Cr중에서 선택된 어느 하나로 형성하거나 둘 이상의 합금으로 형성할 수 있으며, 서로 다른 둘 이상의 물질을 적층하여 형성할 수 있다. 또한 지지부재(210)는 Si, Ge, GaAs, ZnO, SiC, SiGe, GaN, Ga2O3 와 같은 캐리어 웨이퍼로 구현될 수 있다.That is, the support member 210 may be formed of any one selected from a metal, for example, Au, Ni, W, Mo, Cu, Al, Ta, Ag, Pt, and Cr, or may be formed of two or more alloys. The above materials can be laminated. In addition, the support member 210 is Si, Ge, GaAs, ZnO, SiC, SiGe, GaN, Ga 2 O 3 And the like.

이와 같은 지지부재(210)는 발광소자(200)에서 발생하는 열의 방출을 용이하게 하여 발광소자(200)의 열적 안정성을 향상시킬 수 있다.Such a support member 210 facilitates the release of heat generated in the light emitting device 200, thereby improving the thermal stability of the light emitting device 200.

한편, 지지부재(210) 상에는 제1 전극층(220)이 형성될 수 있으며, 제1 전극층(220)은 오믹층(ohmic layer)(미도시), 반사층(reflective layer)(미도시), 본딩층(bonding layer)(미도시) 중 적어도 한 층을 포함할 수 있다. 예를 들어 제1 전극층(220)은 오믹층/반사층/본딩층의 구조이거나, 오믹층/반사층의 적층 구조이거나, 반사층(오믹 포함)/본딩층의 구조일 수 있으나, 이에 대해 한정하지는 않는다. 예컨대, 제1 전극층(220)은 절연층상에 반사층 및 오믹층이 순차로 적층된 형태일 수 있다.A first electrode layer 220 may be formed on the support member 210. The first electrode layer 220 may include an ohmic layer (not shown), a reflective layer (not shown) and a bonding layer (not shown). For example, the first electrode layer 220 may be a structure of an ohmic layer / a reflection layer / a bonding layer, a laminate structure of an ohmic layer / a reflection layer, or a structure of a reflection layer (including an ohmic layer) / a bonding layer. For example, the first electrode layer 220 may be formed by sequentially stacking a reflective layer and an ohmic layer on an insulating layer.

반사층(미도시)은 오믹층(미도시) 및 절연층(미도시) 사이에 배치될 수 있으며, 반사특성이 우수한 물질, 예를 들어 Ag, Ni, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au, Hf 및 이들의 선택적인 조합으로 구성된 물질 중에서 형성되거나, 상기 금속 물질과 IZO, IZTO, IAZO, IGZO, IGTO, AZO, ATO 등의 투광성 전도성 물질을 이용하여 다층으로 형성할 수 있다. 또한 반사층(미도시)은 IZO/Ni, AZO/Ag, IZO/Ag/Ni, AZO/Ag/Ni 등으로 적층할 수 있다. 또한 반사층(미도시)을 발광 구조물(270)(예컨대, 제2 반도체층(230)과 오믹 접촉하는 물질로 형성할 경우, 오믹층(미도시)은 별도로 형성하지 않을 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The reflective layer (not shown) may be disposed between an ohmic layer (not shown) and an insulating layer (not shown), and may be formed of a material having excellent reflection characteristics, such as Ag, Ni, Al, Rh, Pd, , Zn, Pt, Au, Hf, and combinations thereof. Alternatively, the metal material and the transparent conductive material such as IZO, IZTO, IAZO, IGZO, IGTO, AZO, . Further, the reflective layer (not shown) can be laminated with IZO / Ni, AZO / Ag, IZO / Ag / Ni, AZO / Ag / Ni and the like. In addition, when a reflective layer (not shown) is formed of a material that is in ohmic contact with the light emitting structure 270 (for example, the second semiconductor layer 230), an ohmic layer (not shown) may not be formed separately, Do not.

오믹층(미도시)은 발광 구조물(270)의 하면에 오믹 접촉되며, 층 또는 복수의 패턴으로 형성될 수 있다. 오믹층(미도시)은 투광성 전극층과 금속이 선택적으로 사용될 수 있으며, 예를 들어, ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), IZTO(indium zinc tin oxide), IAZO(indium aluminum zinc oxide), IGZO(indium gallium zinc oxide), IGTO(indium gallium tin oxide), AZO(aluminum zinc oxide), ATO(antimony tin oxide), GZO(gallium zinc oxide), IrOx, RuOx, RuOx/ITO, Ni, Ag, Ni/IrOx/Au, 및 Ni/IrOx/Au/ITO 중 하나 이상을 이용하여 단층 또는 다층으로 구현할 수 있다. 오믹층(미도시)은 제2 반도체층(230)에 캐리어의 주입을 원활히 하기 위한 것으로, 반드시 형성되어야 하는 것은 아니다.The ohmic layer (not shown) is in ohmic contact with the lower surface of the light emitting structure 270, and may be formed as a layer or a plurality of patterns. The ohmic layer (not shown) may be formed of a transparent electrode layer and a metal. For example, ITO (indium tin oxide), IZO (indium zinc oxide), IZTO (indium zinc tin oxide) ), IGZO (indium gallium zinc oxide), IGTO (indium gallium tin oxide), AZO (aluminum zinc oxide), ATO (antimony tin oxide), GZO (gallium zinc oxide), IrO x , RuO x , RuO x / Ni, Ag, Ni / IrO x / Au, and Ni / IrO x / Au / ITO. The ohmic layer (not shown) is for facilitating the injection of carriers into the second semiconductor layer 230, and is not necessarily formed.

또한 제1 전극층(220)은 본딩층(미도시)을 포함할 수 있으며, 이때 본딩층(미도시)은 배리어 금속(barrier metal), 또는 본딩 금속, 예를 들어, Ti, Au, Sn, Ni, Cr, Ga, In, Bi, Cu, Ag 또는 Ta 중 적어도 하나를 포함할 수 있으며 이에 한정하지 않는다.The first electrode layer 220 may include a bonding layer (not shown), and the bonding layer may include a barrier metal or a bonding metal such as Ti, Au, Sn, Ni , Cr, Ga, In, Bi, Cu, Ag, or Ta.

발광 구조물(270)은 적어도 제1 반도체층(260), 활성층(250) 및 제2 반도체층(230)을 포함할 수 있고, 제1 반도체층(260)과 제2 반도체층(230) 사이에 활성층(250)이 게재된 구성으로 이루어질 수 있다. The light emitting structure 270 may include at least a first semiconductor layer 260, an active layer 250 and a second semiconductor layer 230 and may be formed between the first semiconductor layer 260 and the second semiconductor layer 230 And the active layer 250 may be disposed.

상기 제1 전극층(220) 상에는 제2 반도체층(230)이 형성될 수 있다. 상기 제2 반도체층(230)은 p형 도펀트가 도핑된 p형 반도체층으로 구현될 수 있다. 상기 p형 반도체층은 InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료, 예를 들어 GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN 등에서 선택될 수 있으며, Mg, Zn, Ca, Sr, Ba 등의 p형 도펀트가 도핑될 수 있다.A second semiconductor layer 230 may be formed on the first electrode layer 220. The second semiconductor layer 230 may be a p-type semiconductor layer doped with a p-type dopant. The p-type semiconductor layer is a semiconductor material having a composition formula of In x Al y Ga 1 -x- y N (0? X? 1, 0? Y? 1, 0? X + y? 1) AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN and the like, and p-type dopants such as Mg, Zn, Ca, Sr and Ba can be doped.

제2 반도체층(230) 상에는 활성층(250)이 형성될 수 있다. 활성층(250)은 3족-5족 원소의 화합물 반도체 재료를 이용하여 단일 또는 다중 양자 우물 구조, 양자 선(Quantum-Wire) 구조, 또는 양자 점(Quantum Dot) 구조 등으로 형성될 수 있다.The active layer 250 may be formed on the second semiconductor layer 230. The active layer 250 may be formed of a single or multiple quantum well structure, a quantum-wire structure, a quantum dot structure, or the like using a compound semiconductor material of Group 3-V group elements.

활성층(250)이 양자우물구조로 형성된 경우 예컨데, InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0 ≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 우물층과 InaAlbGa1 -a- bN (0≤a≤1, 0≤b≤1, 0≤a+b≤1)의 조성식을 갖는 장벽층을 갖는 단일 또는 양자우물구조를 갖을 수 있다. 우물층은 장벽층의 밴드 갭보다 작은 밴드 갭을 갖는 물질로 형성될 수 있다.Well active layer 250 has a composition formula in this case formed of a quantum well structure, for example, In x Al y Ga 1 -x- y N (0≤x≤1, 0 ≤y≤1, 0≤x + y≤1) Layer and a barrier layer having a composition formula of In a Al b Ga 1 -a- b N (0? A? 1, 0? B ? 1, 0? A + b? 1) have. The well layer may be formed of a material having a band gap smaller than the band gap of the barrier layer.

또한, 활성층(250)이 다중 양자우물구조를 가질 경우, 각각의 우물층(미도시)은 서로 상이한 In 함유량 및 서로 상이한 밴드갭 및 상이한 두께를 가질 수 있다.Further, when the active layer 250 has a multiple quantum well structure, each well layer (not shown) may have a different In content and different band gaps and different thicknesses from each other.

활성층(250)의 위 또는/및 아래에는 도전형 클래드층(미도시)이 형성될 수 있다. 도전형 클래드층(미도시)은 AlGaN계 반도체로 형성될 수 있으며, 활성층(250)의 밴드 갭보다는 큰 밴드 갭을 가질 수 있다.A conductive clad layer (not shown) may be formed on and / or below the active layer 250. The conductive clad layer (not shown) may be formed of an AlGaN-based semiconductor and may have a band gap larger than that of the active layer 250.

활성층(250) 상에는 제1 반도체층(260)이 형성될 수 있다. 제1 반도체층(260)은 n형 반도체층으로 구현될 수 있으며, n형 반도체층은 예컨데, InxAlyGa1 -x-yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료, 예를 들어 GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN 등에서 선택될 수 있으며, 예를 들어, Si, Ge, Sn, Se, Te와 같은 n형 도펀트가 도핑될 수 있다. A first semiconductor layer 260 may be formed on the active layer 250. The first semiconductor layer 260 may be formed of an n-type semiconductor layer, and the n-type semiconductor layer may include, for example, In x Al y Ga 1 -xy N (0? X? 1, 0? Y? for example, Si, Ge, Sn, Se, Te, or the like can be selected from a semiconductor material having a composition formula of Si, Ge, Sn, Type dopant can be doped.

활성층(250)과 제2 반도체층(230) 사이에 활성층(250)보다 큰 밴드갭을 갖는 중간층(240)이 형성될 수 있다.An intermediate layer 240 having a band gap larger than that of the active layer 250 may be formed between the active layer 250 and the second semiconductor layer 230.

중간층(240)은 활성층(250)과 접하게 형성될 수 있으며, 이에 한정하지 아니한다.The intermediate layer 240 may be formed in contact with the active layer 250, but is not limited thereto.

활성층(250)과 제2 반도체층(230) 사이에 중간층(240)이 형성되며 중간층(240)은 활성층(250)보다 상대적으로 큰 밴드갭을 가짐으로써, 중간층(240)은 제1 반도체층(260)으로부터 전자가 과도하게 주입되는 것을 방지하고 적정 수준의 전자를 제공하도록 하는 전자 차단층(EBL : Electron blocking layer)일 수 있다.The intermediate layer 240 is formed between the active layer 250 and the second semiconductor layer 230 and the intermediate layer 240 has a relatively larger bandgap than the active layer 250, 260 may be an electron blocking layer (EBL) that prevents electrons from being excessively injected and provides an appropriate level of electrons.

따라서, 중간층(240)에 의해서 전자의 과도한 주입이 방지되어 제1 반도체층(260)으로부터 주입된 전자가 활성층(250)에서 재결합되지 않고 제2 반도체층(230)으로 주입되는 현상을 방지할 수 있고, 아울러 누설전류의 발생 또한 방지할 수 있다.Therefore, excessive injection of electrons is prevented by the intermediate layer 240, so that electrons injected from the first semiconductor layer 260 can be prevented from being injected into the second semiconductor layer 230 without being recombined in the active layer 250 And it is also possible to prevent the occurrence of a leakage current.

실시예에 따라서, 중간층(240)은 제1 층(244), 및 제2 층(242)을 포함할 수 있다.According to an embodiment, the intermediate layer 240 may include a first layer 244, and a second layer 242. [

제1 층(244)은 활성층(250)과 제2 층(242) 사이에 배치될 수 있으며, 상술한 바와 같이 활성층(250)에 접하게 형성될 수 있고, 이에 한정하지 아니한다. The first layer 244 may be disposed between the active layer 250 and the second layer 242 and may be formed in contact with the active layer 250 as described above, but is not limited thereto.

제1 층(244)은 InGaN 을 포함할 수 있으며, 예컨대 마그네슘(Mg), 아연(Zn), 칼슘(Ca), 스트론튬(Sr), 바륨(Ba) 등의 p형 도펀트가 도핑될 수 있다. 제1 층(244)은 도 3에 도시된 바와 같이, 활성층(250)보다 크며 제2 층(242)보다 작은 밴드갭을 가질 수 있다. The first layer 244 may include InGaN and may be doped with a p-type dopant such as magnesium (Mg), zinc (Zn), calcium (Ca), strontium (Sr), barium (Ba) The first layer 244 may be larger than the active layer 250 and have a smaller band gap than the second layer 242, as shown in FIG.

제2 층(242)은 제1 층(244) 상에 형성되며, 따라서 제1 층(244)과 제2 반도체층(230) 사이에 형성될 수 있다.A second layer 242 is formed on the first layer 244 and thus may be formed between the first layer 244 and the second semiconductor layer 230.

제2 층(242)은 AlGaN 을 포함할 수 있으며, 제1 층과 같이 마그네슘(Mg), 아연(Zn), 칼슘(Ca), 스트론튬(Sr), 바륨(Ba) 등의 p형 도펀트가 도핑될 수 있다. 제2 층(242)은 제1 층(244)보다 큰 밴드갭을 가질 수 있다.The second layer 242 may include AlGaN and a p-type dopant such as magnesium (Mg), zinc (Zn), calcium (Ca), strontium (Sr), barium . The second layer 242 may have a larger bandgap than the first layer 244.

실시예에 따라서, 제1 층(244) 및 제2 층(242)은 동일한 분위기에서 성장될 수 있다. In 은 휘발성이 강하여 고온에서 증발되므로, 제1 층(244)을 소정의 온도 분위기에서 성장시 In 은 다수 증발되어 제1 층(244)에 Mg 와 같은 p 형 도펀트의 도핑 효율이 증가할 수 있다. Depending on the embodiment, the first layer 244 and the second layer 242 may be grown in the same atmosphere. Since In is highly volatile and evaporates at a high temperature, a large amount of In is evaporated when the first layer 244 is grown in a predetermined temperature atmosphere, so that the doping efficiency of a p-type dopant such as Mg may be increased in the first layer 244 .

p 도펀트 도핑 분위기가 형성되며 제1 층(244)의 p 도펀트 도핑 농도가 증가함으로써, 제2 층(242)의 p 도펀트 도핑 농도 또한 증가할 수 있다. 따라서 중간층(240)이 InGaN 을 포함한 제1 층(244), 및 AlGaN 을 포함한 제2 층(242)를 포함함으로써, EBL 층으로 기능하는 중간층(240)의 전체 도핑 농도가 증가할 수 있다. 중간층(240)의 도핑 농도가 증가함으로써, 중간층(240)의 저항이 감소하고 제2 반도체층(230)으로부터 제공되는 정공의 주입 효율이 증가할 수 있다. 따라서, 활성층(250)에서 정공과 전자의 재결합 확률이 증가하며, 발광소자(100)의 발광 효율이 개선될 수 있다.the p dopant doping concentration of the second layer 242 may also increase as the p dopant doping atmosphere is formed and the p dopant doping concentration of the first layer 244 increases. Thus, the intermediate layer 240 includes the first layer 244 including InGaN and the second layer 242 including AlGaN, so that the total doping concentration of the intermediate layer 240 functioning as the EBL layer can be increased. By increasing the doping concentration of the intermediate layer 240, the resistance of the intermediate layer 240 can be reduced and the injection efficiency of holes provided from the second semiconductor layer 230 can be increased. Therefore, the recombination probability of holes and electrons in the active layer 250 increases, and the luminous efficiency of the light emitting device 100 can be improved.

또한, 실시예에 따라서, 제2 층(242)이 AlGaN 을 포함하며, 제1 층(244)이 InGaN 을 포함하고, 제1 층(244)이 활성층(250)과 제2 층(242) 사이에 형성될 수 있다. 따라서, 제2 층(242)과 활성층(140) 사이의 격자상수 차이가 제1 층(244)을 통해 완화될 수 있다. 따라서, 압전분극에 의한 정공과 전자의 재결합율 저하가 방지질 수 있으며, 발광소자(200)의 전기적, 광학적 특성이 개선될 수 있다.The first layer 244 includes InGaN and the first layer 244 is formed between the active layer 250 and the second layer 242. The second layer 242 may be formed of AlGaN, As shown in FIG. Thus, the difference in lattice constant between the second layer 242 and the active layer 140 can be mitigated through the first layer 244. Therefore, a reduction in the recombination rate of holes and electrons due to the piezoelectric polarization can be prevented, and the electrical and optical characteristics of the light emitting device 200 can be improved.

한편, 제1 층(244)은 두께가 70 내지 100Å일 수 있다. 제1 층(244)의 두께가 70Å 이하일 경우, p 형 도펀트의 도핑 효율이 저하될 수 있다. 한편, 두께가 100Å 이상인 경우에는 광 흡수율이 증가하고 동작 전압을 높여서 발광소자(100)의 광효율을 떨어뜨릴 수 있다.Meanwhile, the first layer 244 may have a thickness of 70 to 100 angstroms. When the thickness of the first layer 244 is 70 angstroms or less, the doping efficiency of the p-type dopant may be lowered. On the other hand, when the thickness is 100 ANGSTROM or more, the light absorptance increases and the operating voltage is increased so that the light efficiency of the light emitting device 100 can be lowered.

제1 층(244)은 Inx(GaN)y(0.001≤x≤0.02)을 포함할 수 있다. 제1 층(244)은 인듐(In)의 함량을 조절하여 제2 층(242)의 p 형 도펀트의 도핑 효율을 증가할 수 있다. 제1 층(244)의 인듐함량 x가 0.001보다 작은 경우에는 중간층(240)의 p 형 도펀트 도핑 효율이 저하할 수 있다. 한편, 제조 공정상 제1 층(244)은 제2 층(242)과 같은 온도 분위기에서 성장되므로 x가 0.02보다 커지기 어려울 수 있으며, 또한 제1 층(244)의 인듐함량 x가 0.02보다 커지는 경우에는 제2 층(242)의 도핑 농도가 지나치게 커져서 발광소자의 신뢰성을 저하할 수 있다.The first layer 244 may include In x (GaN) y (0.001? X ? 0.02). The first layer 244 may increase the doping efficiency of the p-type dopant of the second layer 242 by controlling the content of indium (In). When the indium content x of the first layer 244 is less than 0.001, the doping efficiency of the p-type dopant of the intermediate layer 240 may be lowered. On the other hand, since the first layer 244 in the manufacturing process is grown in the same temperature atmosphere as the second layer 242, it may be difficult for x to be larger than 0.02, and when the indium content x of the first layer 244 is larger than 0.02 The doping concentration of the second layer 242 becomes excessively large and the reliability of the light emitting device can be lowered.

한편, 발광 구조물(270)은 제1 반도체층(260) 상에 제1 반도체층(260)과 반대의 극성을 갖는 제3 반도체층(미도시)을 포함할 수 있다. 또한 제2 반도체층(230)이 n 형 반도체층이고, 제1 반도체층(260)이 p 형 반도체층으로 구현될 수도 있다. 이에 따라 발광 구조층(270)은 N-P 접합, P-N 접합, N-P-N 접합 및 P-N-P 접합 구조 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.Meanwhile, the light emitting structure 270 may include a third semiconductor layer (not shown) having a polarity opposite to that of the first semiconductor layer 260 on the first semiconductor layer 260. Also, the second semiconductor layer 230 may be an n-type semiconductor layer, and the first semiconductor layer 260 may be a p-type semiconductor layer. Accordingly, the light emitting structure layer 270 may include at least one of an N-P junction, a P-N junction, an N-P-N junction, and a P-N-P junction structure.

제1 반도체층(260)상에는 제1 반도체층(260)과 전기적으로 연결된 제2 전극층(282)이 형성될 수 있으며, 제2 전극층(282)은 적어도 하나의 패드 또는/및 소정 패턴을 갖는 전극을 포함할 수 있다. 제2 전극층(282)은 제1 반도체층(260)의 상면 중 센터 영역, 외측 영역 또는 모서리 영역에 배치될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 제2 전극층(282)은 상기 제1 반도체층(260)의 위가 아닌 다른 영역에 배치될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. A second electrode layer 282 electrically connected to the first semiconductor layer 260 may be formed on the first semiconductor layer 260. The second electrode layer 282 may include at least one pad or / . ≪ / RTI > The second electrode layer 282 may be disposed in the center region, the outer region, or the edge region of the upper surface of the first semiconductor layer 260, but the present invention is not limited thereto. The second electrode layer 282 may be disposed in a region other than the upper portion of the first semiconductor layer 260, but the present invention is not limited thereto.

제2 전극층(282)은 전도성 물질, 예를들어 In, Co, Si, Ge, Au, Pd, Pt, Ru, Re, Mg, Zn, Hf, Ta, Rh, Ir, W, Ti, Ag, Cr, Mo, Nb, Al, Ni, Cu, 및 WTi 중에서 선택된 금속 또는 합금을 이용하여 단층 또는 다층으로 형성될 수 있다.The second electrode layer 282 may be formed of a conductive material such as In, Co, Si, Ge, Au, Pd, Pt, Ru, Re, Mg, Zn, Hf, Ta, Rh, Ir, W, , Mo, Nb, Al, Ni, Cu, and WTi.

발광 구조물(270)의 상부에는 광 추출 구조(284)가 형성될 수 있다.A light extracting structure 284 may be formed on the upper portion of the light emitting structure 270.

광 추출 구조(284)는 제2 반도체층(260)의 상면에 형성될 수 있으며, 이에 한정하지 아니한다.The light extracting structure 284 may be formed on the upper surface of the second semiconductor layer 260, but is not limited thereto.

광 추출 구조(284)는 제2 반도체층(260)의 상부 표면의 일부 또는 전체 영역에 형성될 수 있다. 광 추출 구조(284)는 제2 반도체층(260)의 상면의 적어도 일 영역에 대해 에칭을 수행함으로써 형성될 수 있으며, 이에 한정하지 않는다. 상기 에칭 과정은 습식 또는/및 건식 에칭 공정을 포함하며, 에칭 과정을 거침에 따라서, 제2 반도체층(260)의 상면은 광 추출 구조(284)를 형성하는 러프니스를 포함할 수 있다. 러프니스는 랜덤한 크기로 불규칙하게 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 러프니스는 평탄하지 않는 상면으로서, 텍스쳐(texture) 패턴, 요철 패턴, 평탄하지 않는 패턴(uneven pattern) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.The light extracting structure 284 may be formed in a part or all of the upper surface of the second semiconductor layer 260. The light extracting structure 284 may be formed by performing etching on at least one region of the upper surface of the second semiconductor layer 260, but is not limited thereto. The etch process includes a wet etch process and / or a dry etch process. As the etch process is performed, the upper surface of the second semiconductor layer 260 may include a roughness that forms the light extracting structure 284. [ The roughness may be irregularly formed in a random size, but is not limited thereto. The roughness may be at least one of a texture pattern, a concave-convex pattern, and an uneven pattern, which is an uneven surface.

러프니스는 측 단면이 원기둥, 다각기둥, 원뿔, 다각뿔, 원뿔대, 다각뿔대 등 다양한 형상을 갖도록 형성될 수 있으며, 바람직하게 뿔 형상을 포함한다.The roughness may be formed to have various shapes such as a cylinder, a polygonal column, a cone, a polygonal pyramid, a truncated cone, a polygonal pyramid, and the like, preferably including a horn shape.

한편, 상기 광추출구조(284)는 PEC(photo electro chemical) 등의 방법으로 형성될 수 있으며, 이에 한정하지 아니한다. 광추출구조(284)가 제2 반도체층(260)의 상부면에 형성됨에 따라서 활성층(250)으로부터 생성된 빛이 제2 반도체층(260)의 상부면으로부터 전반사되어 재흡수되거나 산란되는 것이 방지될 수 있으므로, 발광소자(200)의 광 추출 효율의 향상에 기여할 수 있다.Meanwhile, the light extracting structure 284 may be formed by a photoelectrochemical (PEC) method or the like, but is not limited thereto. As the light extracting structure 284 is formed on the upper surface of the second semiconductor layer 260, the light generated from the active layer 250 is prevented from being totally reflected from the upper surface of the second semiconductor layer 260 to be reabsorbed or scattered The light extraction efficiency of the light emitting device 200 can be improved.

도 7 은 실시예에 따른 발광소자의 단면도이다.7 is a cross-sectional view of a light emitting device according to an embodiment.

도 7 을 참조하면, 중간층(240)은 제1 층(244)과 활성층(250) 사이에 제3 층(246)을 더 포함할 수 있다.Referring to FIG. 7, the intermediate layer 240 may further include a third layer 246 between the first layer 244 and the active layer 250.

제3 층(246)은 하부의 활성층(250)과 접할 수 있으며, 이에 한정하지 아니한다. 제3 층(246)은 예컨대, InAlGaN 을 포함할 수 있다. 제3 층(246)의 밴드갭은 활성층(250) 및 제1 층(244)의 밴드갭 보다 더 클 수 있다. 또한, 제3 층의 밴드갭(246)은 제2 층(242)의 밴드갭보다 작을 수 있다.The third layer 246 may be in contact with the lower active layer 250, but is not limited thereto. The third layer 246 may comprise, for example, InAlGaN. The bandgap of the third layer 246 may be larger than the bandgap of the active layer 250 and the first layer 244. Further, the band gap 246 of the third layer may be smaller than the band gap of the second layer 242.

제3 층(246)은 1차적인 전자 차단층(EBL)의 역할을 할 수 있다. 즉, 제3 층(246)은 활성층(250)보다 밴드갭이 커 제1 반도체층(260)에서 제공된 전자가 우물층에서 정공과 재결합되지 않고 제2 반도체층(250)으로 넘어가는 현상을 1차적으로 차단할 수 있다. 이때, 이동도(mobility) 가 낮은 전자들은 제3 층(246)에서 1차적으로 차단될 수 있다.The third layer 246 may serve as a primary electron blocking layer (EBL). That is, the third layer 246 has a band gap larger than that of the active layer 250, and electrons provided from the first semiconductor layer 260 are not recombined with the holes in the well layer, It can be intercepted later. At this time, electrons having low mobility may be primarily blocked in the third layer 246.

제3 층(246)은 두께가 40 내지 50Å일 수 있다. 제3 층(246)은 두께가 40Å이하인 경우에는 전자차단층(EBL)으로 기능하기 어려워지고 두께가 50Å이상인 경우에는 저항이 증가하여 발광소자(200)의 동작전압을 상승시키는 문제가 발생할 수 있다.The third layer 246 may have a thickness of 40 to 50 angstroms. When the thickness of the third layer 246 is 40 ANGSTROM or less, it is difficult to function as the electron blocking layer EBL. When the thickness of the third layer 246 is 50 ANGSTROM or more, resistance may increase and the operating voltage of the light emitting device 200 may increase .

도 8 내지 도 10 은 실시예에 따른 발광소자 패키지를 나타낸 사시도 및 단면도이다.8 to 10 are a perspective view and a cross-sectional view of a light emitting device package according to an embodiment.

도 8 내지 도 10 을 참조하면, 발광소자 패키지(500)는 캐비티(520)가 형성된 몸체(510), 몸체(510)에 실장되는 제1 및 제2 리드 프레임(540, 550)과, 제1 및 제2 리드 프레임(540, 550)과 전기적으로 연결되는 발광소자(530), 및 발광소자(530)를 덮도록 캐비티(520)에 충진되는 봉지재(미도시)를 포함할 수 있다. 8 to 10, the light emitting device package 500 includes a body 510 having a cavity 520 formed therein, first and second lead frames 540 and 550 mounted on the body 510, A light emitting device 530 electrically connected to the first and second lead frames 540 and 550 and an encapsulant (not shown) encapsulated in the cavity 520 to cover the light emitting device 530.

몸체(510)는 폴리프탈아미드(PPA:Polyphthalamide)와 같은 수지 재질, 실리콘(Si), 알루미늄(Al), 알루미늄 나이트라이드(AlN), 액정폴리머(PSG, photo sensitive glass), 폴리아미드9T(PA9T), 신지오택틱폴리스티렌(SPS), 금속 재질, 사파이어(Al2O3), 베릴륨 옥사이드(BeO), 인쇄회로기판(PCB, Printed Circuit Board) 중 적어도 하나로 형성될 수 있다. 몸체(510)는 사출 성형, 에칭 공정 등에 의해 형성될 수 있으나 이에 대해 한정하지는 않는다. The body 510 may be made of a resin material such as polyphthalamide (PPA), silicon (Si), aluminum (Al), aluminum nitride (AlN), liquid crystal polymer (PSG), polyamide 9T (SPS), a metal material, sapphire (Al 2 O 3 ), beryllium oxide (BeO), and a printed circuit board (PCB). The body 510 may be formed by injection molding, etching, or the like, but is not limited thereto.

몸체(510)의 내면은 경사면이 형성될 수 있다. 이러한 경사면의 각도에 따라 발광소자(530)에서 방출되는 광의 반사각이 달라질 수 있으며, 이에 따라 외부로 방출되는 광의 지향각을 조절할 수 있다. The inner surface of the body 510 may be formed with an inclined surface. The reflection angle of the light emitted from the light emitting device 530 can be changed according to the angle of the inclined surface, and thus the directivity angle of the light emitted to the outside can be controlled.

광의 지향각이 줄어들수록 발광소자(530)에서 외부로 방출되는 광의 집중성은 증가하고, 반대로 광의 지향각이 클수록 발광소자(530)에서 외부로 방출되는 광의 집중성은 감소한다.Concentration of light emitted to the outside from the light emitting device 530 increases as the directivity angle of light decreases. Conversely, as the directivity angle of light increases, the concentration of light emitted from the light emitting device 530 decreases.

한편, 몸체(510)에 형성되는 캐비티(520)를 위에서 바라본 형상은 원형, 사각형, 다각형, 타원형 등의 형상일 수 있으며, 모서리가 곡선인 형상일 수도 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.The shape of the cavity 520 formed in the body 510 may be circular, rectangular, polygonal, elliptical, or the like, and may have a curved shape, but the present invention is not limited thereto.

발광소자(530)는 제1 리드 프레임(540) 상에 실장되며, 예를 들어, 적색, 녹색, 청색, 백색 등의 빛을 방출하는 발광소자 또는 자외선을 방출하는 UV(Ultra Violet) 발광소자일 수 있으나, 이에 대해 한정하지는 않는다. 또한, 발광소자(530)는 한 개 이상 실장될 수 있다.The light emitting element 530 is mounted on the first lead frame 540 and may be a light emitting element that emits light such as red, green, blue, or white, or a UV (Ultra Violet) However, the present invention is not limited thereto. In addition, one or more light emitting elements 530 may be mounted.

또한, 발광소자(530)는 그 전기 단자들이 모두 상부 면에 형성된 수평형 타입(Horizontal type)이거나, 또는 상, 하부 면에 형성된 수직형 타입(Vertical type), 또는 플립 칩(flip chip) 모두에 적용 가능하다.The light emitting device 530 may be a horizontal type or a vertical type formed on the upper or lower surface of the light emitting device 530 or a flip chip Applicable.

봉지재(미도시)는 발광소자(530)를 덮도록 캐비티(520)에 충진될 수 있다.The encapsulant (not shown) may be filled in the cavity 520 to cover the light emitting device 530.

봉지재(미도시)는 실리콘, 에폭시, 및 기타 수지 재질로 형성될 수 있으며, 캐비티(520) 내에 충진한 후, 이를 자외선 또는 열 경화하는 방식으로 형성될 수 있다.The encapsulant (not shown) may be formed of silicon, epoxy, or other resin material. The encapsulant may be filled in the cavity 520 and ultraviolet or thermally cured.

또한 봉지재(미도시)는 형광체를 포함할 수 있으며, 형광체는 발광소자(530)에서 방출되는 광의 파장에 종류가 선택되어 발광소자 패키지(500)가 백색광을 구현하도록 할 수 있다. In addition, the encapsulant (not shown) may include a phosphor, and the phosphor may be selected to be a wavelength of light emitted from the light emitting device 530 so that the light emitting device package 500 may emit white light.

이러한 형광체는 발광소자(530)에서 방출되는 광의 파장에 따라 청색 발광 형광체, 청록색 발광 형광체, 녹색 발광 형광체, 황녹색 발광 형광체, 황색 발광 형광체, 황적색 발광 형광체, 오렌지색 발광 형광체, 및 적색 발광 형광체중 하나가 적용될 수 있다. The phosphor may be one of a blue light emitting phosphor, a blue light emitting phosphor, a green light emitting phosphor, a sulfur green light emitting phosphor, a yellow light emitting phosphor, a yellow red light emitting phosphor, an orange light emitting phosphor, and a red light emitting phosphor depending on the wavelength of light emitted from the light emitting device 530 Can be applied.

즉, 형광체는 발광소자(530)에서 방출되는 제1 빛을 가지는 광에 의해 여기 되어 제2 빛을 생성할 수 있다. 예를 들어, 발광소자(530)가 청색 발광 다이오드이고 형광체가 황색 형광체인 경우, 황색 형광체는 청색 빛에 의해 여기되어 황색 빛을 방출할 수 있으며, 청색 발광 다이오드에서 발생한 청색 빛 및 청색 빛에 의해 여기 되어 발생한 황색 빛이 혼색됨에 따라 발광소자 패키지(500)는 백색 빛을 제공할 수 있다. That is, the phosphor may be excited by the light having the first light emitted from the light emitting device 530 to generate the second light. For example, when the light emitting element 530 is a blue light emitting diode and the phosphor is a yellow phosphor, the yellow phosphor may be excited by blue light to emit yellow light, and blue light and blue light emitted from the blue light emitting diode As the excited yellow light is mixed, the light emitting device package 500 can provide white light.

이와 유사하게, 발광소자(530)가 녹색 발광 다이오드인 경우는 magenta 형광체 또는 청색과 적색의 형광체를 혼용하는 경우, 발광소자(530)가 적색 발광 다이오드인 경우는 Cyan형광체 또는 청색과 녹색 형광체를 혼용하는 경우를 예로 들 수 있다.Similarly, when the light emitting element 530 is a green light emitting diode, the magenta phosphor or the blue and red phosphors are mixed, and when the light emitting element 530 is a red light emitting diode, the cyan phosphors or the blue and green phosphors are mixed For example.

이러한 형광체는 YAG계, TAG계, 황화물계, 실리케이트계, 알루미네이트계, 질화물계, 카바이드계, 니트리도실리케이트계, 붕산염계, 불화물계, 인산염계 등의 공지된 형광체일 수 있다.Such a fluorescent material may be a known fluorescent material such as a YAG, TAG, sulfide, silicate, aluminate, nitride, carbide, nitridosilicate, borate, fluoride or phosphate.

제1 및 제2 리드 프레임(540, 550)은 금속 재질, 예를 들어, 티타늄(Ti), 구리(Cu), 니켈(Ni), 금(Au), 크롬(Cr), 탄탈늄(Ta), 백금(Pt), 주석(Sn), 은(Ag), 인(P), 알루미늄(Al), 인듐(In), 팔라듐(Pd), 코발트(Co), 실리콘(Si), 게르마늄(Ge), 하프늄(Hf), 루테늄(Ru), 철(Fe) 중에서 하나 이상의 물질 또는 합금을 포함할 수 있다. 또한, 제1 및 제2 리드 프레임(540, 550)은 단층 또는 다층 구조를 가지도록 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The first and second lead frames 540 and 550 may be formed of a metal material such as titanium, copper, nickel, gold, chromium, tantalum, (Pt), tin (Sn), silver (Ag), phosphorus (P), aluminum (Al), indium (In), palladium (Pd), cobalt (Co), silicon (Si), germanium , Hafnium (Hf), ruthenium (Ru), and iron (Fe). Also, the first and second lead frames 540 and 550 may be formed to have a single layer or a multilayer structure, but the present invention is not limited thereto.

제1 제2 리드 프레임(540, 550)은 서로 이격되어 서로 전기적으로 분리된다. 발광소자(530)는 제1 및 제2 리드 프레임(540, 550)상에 실장되며, 제1 및 제2 리드 프레임(540, 550)은 발광소자(530)와 직접 접촉하거나 또는 솔더링 부재(미도시)와 같은 전도성을 갖는 재료를 통해서 전기적으로 연결될 수 있다. 또한, 발광소자(530)는 와이어 본딩을 통해 제1 및 제2 리드 프레임(540, 550)과 전기적으로 연결될 수 있으며, 이에 한정하지 아니한다. 따라서 제1 및 제2 리드 프레임(540, 550)에 전원이 연결되면 발광소자(530)에 전원이 인가될 수 있다. 한편, 수개의 리드 프레임(미도시)이 몸체(510)내에 실장되고 각각의 리드 프레임(미도시)이 발광소자(530)와 전기적으로 연결될 수 있으며, 이에 한정하지 아니한다.The first and second lead frames 540 and 550 are separated from each other and electrically separated from each other. The light emitting element 530 is mounted on the first and second lead frames 540 and 550 and the first and second lead frames 540 and 550 are in direct contact with the light emitting element 530, And may be electrically connected through a conductive material such as a conductive material. In addition, the light emitting device 530 may be electrically connected to the first and second lead frames 540 and 550 through wire bonding, but is not limited thereto. Accordingly, when power is supplied to the first and second lead frames 540 and 550, power may be applied to the light emitting device 530. Meanwhile, a plurality of lead frames (not shown) may be mounted in the body 510 and each lead frame (not shown) may be electrically connected to the light emitting device 530, but is not limited thereto.

한편, 도 10 을 참조하면, 실시예에 따른 발광소자 패키지(500)는 광학 시트(580)를 포함할 수 있으며, 광학 시트(580)는 베이스부(582) 및 프리즘 패턴(584)을 포함할 수 있다.10, the light emitting device package 500 according to the embodiment may include an optical sheet 580, and the optical sheet 580 may include a base portion 582 and a prism pattern 584 .

베이스부(582)는 프리즘 패턴(584)를 형성하기 위한 지지체로서 열적 안정성이 우수하고 투명한 재질로 이루어진 것으로, 예를 들어 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리카보네이트, 폴리프로필렌, 폴리에틸렌, 폴리스틸렌, 및 폴리에폭시로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나로 이루어질 수 있으나 이에 한정하지 않는다.The base portion 582 is made of a transparent material having excellent thermal stability as a support for forming the prism pattern 584 and is made of, for example, polyethylene terephthalate, polycarbonate, polypropylene, polyethylene, polystyrene, But the present invention is not limited thereto.

또한, 베이스부(582)는 형광체(미도시)를 포함할 수 있다. 일 예로 베이스부(582)를 형성하는 재질에 형광체(미도시)를 골고루 분산시킨 상태에서 이를 경화하여 베이스부(582)를 형성할 수 있다. 이와 같이 베이스부(582)를 형성하는 경우는 형광체(미도시)는 베이스부(582) 전체에 균일하게 분포될 수 있다. Further, the base portion 582 may include a phosphor (not shown). For example, the base portion 582 can be formed by curing the fluorescent material (not shown) evenly dispersed in the material forming the base portion 582. When the base portion 582 is formed as described above, the phosphor (not shown) can be uniformly distributed throughout the base portion 582.

한편, 베이스부(582) 상에는 광을 굴절하고, 집광하는 입체 형상의 프리즘 패턴(584)이 형성될 수 있다. 프리즘 패턴(584)을 구성하는 물질은 아크릴 레진일 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.On the other hand, a three-dimensional prism pattern 584 for refracting and condensing light may be formed on the base portion 582. The material constituting the prism pattern 584 may be acrylic resin, but is not limited thereto.

프리즘 패턴(584)은 베이스부(582)의 일 면에서 일 방향을 따라 상호 인접하여 평행하게 배열된 복수의 선형 프리즘을 포함하며, 선형 프리즘의 축 방향에 대한 수직 단면은 삼각형일 수 있다.The prism patterns 584 include a plurality of linear prisms arranged in parallel with one another along one direction on one side of the base portion 582 and the vertical section with respect to the axial direction of the linear prism may be triangular.

프리즘 패턴(584)은 광을 집광하는 효과가 있기 때문에, 도 6c 의 발광소자 패키지(500)에 광학 시트(580)를 부착하는 경우는 광의 직진성이 향상되어 발광소자 패키지(500)의 광의 휘도가 향상될 수 있다.When the optical sheet 580 is attached to the light emitting device package 500 of FIG. 6C, the straightness of light is improved, and the luminance of light of the light emitting device package 500 is increased Can be improved.

한편, 프리즘 패턴(584)에는 형광체(미도시)가 포함될 수 있다.Meanwhile, the prism pattern 584 may include a phosphor (not shown).

형광체(미도시)는 분산된 상태로 프리즘 패턴(584)을 형성하는, 예를 들면 아크릴 레진과 혼합하여 페이스트 또는 슬러리 상태로 만든 후, 프리즘 패턴(584)을 형성함으로써 프리즘 패턴(584) 내에 균일하게 포함될 수 있다.The phosphors (not shown) are dispersed in the prism pattern 584 to form a prism pattern 584, for example, mixed with an acrylic resin to form a paste or a slurry state, .

이와 같이 프리즘 패턴(584)에 형광체(미도시)가 포함되는 경우는 발광소자 패키지(500)의 광의 균일도 및 분포도가 향상됨은 물론, 프리즘 패턴(584)에 의한 광의 집광효과 외에 형광체(미도시)에 의한 광의 분산효과가 있기 때문에 발광소자 패키지(500)의 지향각을 향상시킬 수 있다.When a phosphor (not shown) is included in the prism pattern 584, the uniformity and distribution of the light of the light emitting device package 500 is improved. In addition to the light focusing effect by the prism pattern 584, The orientation angle of the light emitting device package 500 can be improved.

실시 예에 따른 발광소자 패키지(500)는 복수개가 기판 상에 어레이되며, 발광소자 패키지(500)의 광 경로 상에 광학 부재인 도광판, 프리즘 시트, 확산 시트 등이 배치될 수 있다. 이러한 발광소자 패키지, 기판, 광학 부재는 라이트 유닛으로 기능할 수 있다. 또 다른 실시 예는 상술한 실시 예들에 기재된 발광소자 또는 발광소자 패키지를 포함하는 표시 장치, 지시 장치, 조명 시스템으로 구현될 수 있으며, 예를 들어, 조명 시스템은 램프, 가로등을 포함할 수 있다. A light guide plate, a prism sheet, a diffusion sheet, and the like, which are optical members, may be disposed on the light path of the light emitting device package 500. Such a light emitting device package, a substrate, and an optical member can function as a light unit. Still another embodiment may be implemented as a display device, an indicating device, and a lighting system including the light emitting device or the light emitting device package described in the above embodiments. For example, the lighting system may include a lamp and a streetlight.

도 11 은 실시예에 따른 발광소자 패키지를 포함하는 조명장치를 도시한 사시도이며, 도 12 는 도 11 의 조명장치의 C-C' 단면을 도시한 단면도이다.FIG. 11 is a perspective view illustrating a lighting device including a light emitting device package according to an embodiment, and FIG. 12 is a cross-sectional view taken along the line C-C 'of the lighting device of FIG.

도 11 및 도 12 를 참조하면, 조명장치(600)는 몸체(610), 몸체(610)와 체결되는 커버(630) 및 몸체(610)의 양단에 위치하는 마감캡(650)을 포함할 수 있다.11 and 12, the lighting device 600 may include a body 610, a cover 630 coupled to the body 610, and a finishing cap 650 positioned at opposite ends of the body 610 have.

몸체(610)의 하부면에는 발광소자 모듈(640)이 체결되며, 몸체(610)는 발광소자 패키지(644)에서 발생된 열이 몸체(610)의 상부면을 통해 외부로 방출할 수 있도록 전도성 및 열발산 효과가 우수한 금속재질로 형성될 수 있다.A light emitting device module 640 is coupled to a lower surface of the body 610. The body 610 is electrically conductive so that heat generated from the light emitting device package 644 can be emitted to the outside through the upper surface of the body 610. [ And a metal material having an excellent heat dissipation effect.

발광소자 패키지(644)는 인쇄회로기판(642) 상에 다색, 다열로 실장되어 어레이를 이룰 수 있으며, 동일한 간격으로 실장되거나 또는 필요에 따라서 다양한 이격 거리를 가지고 실장될 수 있어 밝기 등을 조절할 수 있다. 이러한 인쇄회로기판(642)으로 MPPCB(Metal Core PCB) 또는 FR4 재질의 PCB 등을 사용할 수 있다.The light emitting device package 644 may be mounted on the printed circuit board 642 in a multi-color or multi-row manner to form an array. The light emitting device package 644 may be mounted at equal intervals, or may be mounted with various distances as required, have. As such a printed circuit board 642, MPPCB (Metal Core PCB) or FR4 material PCB can be used.

발광소자 패키지(644)는 연장된 리드 프레임(미도시)를 포함하여 향상된 방열 기능을 가질 수 있으므로, 발광소자 패키지(644)의 신뢰성과 효율성이 향상될 수 있으며, 발광소자 패키지(622) 및 발광소자 패키지(644)를 포함하는 조명장치(600)의 사용 연한이 연장될 수 있다.The light emitting device package 644 may include an extended lead frame (not shown) and may have an improved heat dissipation function. Thus, the reliability and efficiency of the light emitting device package 644 may be improved, The service life of the illumination device 600 including the element package 644 can be extended.

커버(630)는 몸체(610)의 하부면을 감싸도록 원형의 형태로 형성될 수 있으나, 이에 한정되지 않음은 물론이다.The cover 630 may be formed in a circular shape so as to surround the lower surface of the body 610, but is not limited thereto.

커버(630)는 내부의 발광소자 모듈(640)을 외부의 이물질 등으로부터 보호한다. 또한, 커버(630)는 발광소자 패키지(644)에서 발생한 광의 눈부심을 방지하고, 외부로 광을 균일하게 방출할 수 있도록 확산입자를 포함할 수 있으며, 또한 커버(630)의 내면 및 외면 중 적어도 어느 한 면에는 프리즘 패턴 등이 형성될 수 있다. 또한 커버(630)의 내면 및 외면 중 적어도 어느 한 면에는 형광체가 도포될 수도 있다. The cover 630 protects the internal light emitting element module 640 from foreign substances or the like. The cover 630 may include diffusion particles so as to prevent glare of light generated in the light emitting device package 644 and uniformly emit light to the outside, and may include at least one of an inner surface and an outer surface of the cover 630 A prism pattern or the like may be formed on one side. Further, the phosphor may be applied to at least one of the inner surface and the outer surface of the cover 630.

한편, 발광소자 패키지(644)에서 발생한 광은 커버(630)를 통해 외부로 방출되므로 커버(630)는 광 투과율이 우수하여야 하며, 발광소자 패키지(644)에서 발생한 열에 견딜 수 있도록 충분한 내열성을 구비하고 있어야 하는바, 커버(630)는 폴리에틸렌 테레프탈레이트(Polyethylen Terephthalate; PET), 폴리카보네이트(Polycarbonate; PC) 또는 폴리메틸 메타크릴레이트(Polymethyl Methacrylate; PMMA) 등을 포함하는 재질로 형성되는 것이 바람직하다.Since the light generated in the light emitting device package 644 is emitted to the outside through the cover 630, the cover 630 must have a high light transmittance and sufficient heat resistance to withstand the heat generated in the light emitting device package 644 The cover 630 is preferably formed of a material including polyethylene terephthalate (PET), polycarbonate (PC), polymethyl methacrylate (PMMA), or the like .

마감캡(650)은 몸체(610)의 양단에 위치하며 전원장치(미도시)를 밀폐하는 용도로 사용될 수 있다. 또한 마감캡(650)에는 전원핀(652)이 형성되어 있어, 실시예에 따른 조명장치(600)는 기존의 형광등을 제거한 단자에 별도의 장치 없이 곧바로 사용할 수 있게 된다.The finishing cap 650 is located at both ends of the body 610 and can be used to seal the power supply unit (not shown). In addition, the finishing cap 650 is provided with the power supply pin 652, so that the lighting apparatus 600 according to the embodiment can be used immediately without a separate device on the terminal from which the conventional fluorescent lamp is removed.

도 13 은 실시예에 따른 발광소자를 포함하는 액정표시장치의 분해 사시도이다.13 is an exploded perspective view of a liquid crystal display device including a light emitting device according to an embodiment.

도 13 은 에지-라이트 방식으로, 액정표시장치(700)는 액정표시패널(710)과 액정표시패널(710)로 빛을 제공하기 위한 백라이트 유닛(770)을 포함할 수 있다.13, the liquid crystal display 700 may include a liquid crystal display panel 710 and a backlight unit 770 for providing light to the liquid crystal display panel 710 in an edge-light manner.

액정표시패널(710)은 백라이트 유닛(770)으로부터 제공되는 광을 이용하여 화상을 표시할 수 있다. 액정표시패널(710)은 액정을 사이에 두고 서로 대향하는 컬러 필터 기판(712) 및 박막 트랜지스터 기판(714)을 포함할 수 있다.The liquid crystal display panel 710 can display an image using light provided from the backlight unit 770. The liquid crystal display panel 710 may include a color filter substrate 712 and a thin film transistor substrate 714 facing each other with a liquid crystal therebetween.

컬러 필터 기판(712)은 액정표시패널(710)을 통해 디스플레이되는 화상의 색을 구현할 수 있다.The color filter substrate 712 can realize the color of an image to be displayed through the liquid crystal display panel 710.

박막 트랜지스터 기판(714)은 구동 필름(717)을 통해 다수의 회로부품이 실장되는 인쇄회로 기판(718)과 전기적으로 접속되어 있다. 박막 트랜지스터 기판(714)은 인쇄회로 기판(718)으로부터 제공되는 구동 신호에 응답하여 인쇄회로 기판(718)으로부터 제공되는 구동 전압을 액정에 인가할 수 있다.The thin film transistor substrate 714 is electrically connected to a printed circuit board 718 on which a plurality of circuit components are mounted via a driving film 717. The thin film transistor substrate 714 may apply a driving voltage provided from the printed circuit board 718 to the liquid crystal in response to a driving signal provided from the printed circuit board 718. [

박막 트랜지스터 기판(714)은 유리나 플라스틱 등과 같은 투명한 재질의 다른 기판상에 박막으로 형성된 박막 트랜지스터 및 화소 전극을 포함할 수 있다. The thin film transistor substrate 714 may include a thin film transistor and a pixel electrode formed as a thin film on another substrate of a transparent material such as glass or plastic.

백라이트 유닛(770)은 빛을 출력하는 발광소자 모듈(720), 발광소자 모듈(720)로부터 제공되는 빛을 면광원 형태로 변경시켜 액정표시패널(710)로 제공하는 도광판(730), 도광판(730)으로부터 제공된 빛의 휘도 분포를 균일하게 하고 수직 입사성을 향상시키는 다수의 필름(750, 766, 764) 및 도광판(730)의 후방으로 방출되는 빛을 도광판(730)으로 반사시키는 반사 시트(740)로 구성된다.The backlight unit 770 includes a light emitting element module 720 that outputs light, a light guide plate 730 that changes the light provided from the light emitting element module 720 into a surface light source and provides the light to the liquid crystal display panel 710, A plurality of films 750, 766, and 764 for uniformly distributing the luminance of light provided from the light guide plate 730 and improving vertical incidence and a reflective sheet (not shown) for reflecting the light emitted to the rear of the light guide plate 730 to the light guide plate 730 740).

발광소자 모듈(720)은 복수의 발광소자 패키지(724)와 복수의 발광소자 패키지(724)가 실장되어 어레이를 이룰 수 있도록 인쇄회로기판(722)을 포함할 수 있다.The light emitting device module 720 may include a printed circuit board 722 to mount a plurality of light emitting device packages 724 and a plurality of light emitting device packages 724 to form an array.

한편, 백라이트 유닛(770)은 도광판(730)으로부터 입사되는 빛을 액정 표시 패널(710) 방향으로 확산시키는 확산필름(766)과, 확산된 빛을 집광하여 수직 입사성을 향상시키는 프리즘필름(750)으로 구성될 수 있으며, 프리즘필름(750)를 보호하기 위한 보호필름(764)을 포함할 수 있다.The backlight unit 770 includes a diffusion film 766 for diffusing light incident from the light guide plate 730 toward the liquid crystal display panel 710 and a prism film 750 for enhancing vertical incidence by condensing the diffused light , And may include a protective film 764 for protecting the prism film 750.

도 14 는 실시예에 따른 발광소자를 포함하는 액정표시장치의 분해 사시도이다. 다만, 도 13 에서 도시하고 설명한 부분에 대해서는 반복하여 상세히 설명하지 않는다.14 is an exploded perspective view of a liquid crystal display device including a light emitting device according to an embodiment. However, the parts shown and described in Fig. 13 are not repeatedly described in detail.

도 14 는 직하 방식으로, 액정표시장치(800)는 액정표시패널(810)과 액정표시패널(810)로 빛을 제공하기 위한 백라이트 유닛(870)을 포함할 수 있다.14, the liquid crystal display device 800 may include a liquid crystal display panel 810 and a backlight unit 870 for providing light to the liquid crystal display panel 810 in a direct-down manner.

액정표시패널(810)은 도 13 에서 설명한 바와 동일하므로, 상세한 설명은 생략한다.Since the liquid crystal display panel 810 is the same as that described with reference to FIG. 13, a detailed description is omitted.

백라이트 유닛(870)은 복수의 발광소자 모듈(823), 반사시트(824), 발광소자 모듈(823)과 반사시트(824)가 수납되는 하부 섀시(830), 발광소자 모듈(823)의 상부에 배치되는 확산판(840) 및 다수의 광학필름(860)을 포함할 수 있다.The backlight unit 870 includes a plurality of light emitting element modules 823, a reflective sheet 824, a lower chassis 830 in which the light emitting element module 823 and the reflective sheet 824 are accommodated, And a plurality of optical films 860. The diffuser plate 840 and the plurality of optical films 860 are disposed on the light guide plate 840. [

발광소자 모듈(823) 복수의 발광소자 패키지(822)와 복수의 발광소자 패키지(822)가 실장되어 어레이를 이룰 수 있도록 인쇄회로기판(821)을 포함할 수 있다.The light emitting device module 823 may include a printed circuit board 821 to which a plurality of light emitting device packages 822 and a plurality of light emitting device packages 822 are mounted to form an array.

반사 시트(824)는 발광소자 패키지(822)에서 발생한 빛을 액정표시패널(810)이 위치한 방향으로 반사시켜 빛의 이용 효율을 향상시킨다.The reflective sheet 824 reflects light generated from the light emitting device package 822 in a direction in which the liquid crystal display panel 810 is positioned, thereby improving light utilization efficiency.

한편, 발광소자 모듈(823)에서 발생한 빛은 확산판(840)에 입사하며, 확산판(840)의 상부에는 광학 필름(860)이 배치된다. 광학 필름(860)은 확산 필름(866), 프리즘필름(850) 및 보호필름(864)를 포함하여 구성될 수 있다.Light generated in the light emitting element module 823 is incident on the diffusion plate 840 and an optical film 860 is disposed on the diffusion plate 840. The optical film 860 may include a diffusion film 866, a prism film 850, and a protective film 864.

한편, 실시예에 따른 발광소자는 상기한 바와 같이 설명된 실시예들의 구성과 방법이 한정되게 적용될 수 있는 것이 아니라, 상기 실시예들은 다양한 변형이 이루어질 수 있도록 각 실시예들의 전부 또는 일부가 선택적으로 조합되어 구성될 수도 있다.Meanwhile, the light emitting device according to the embodiment is not limited to the configuration and method of the embodiments described above, but the embodiments may be modified so that all or some of the embodiments may be selectively And may be configured in combination.

또한, 이상에서는 바람직한 실시예에 대하여 도시하고 설명하였지만, 본 발명은 상술한 특정의 실시예에 한정되지 아니하며, 청구범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진자에 의해 다양한 변형실시가 가능한 것은 물론이고, 이러한 변형실시들은 본 발명의 기술적 사상이나 전망으로부터 개별적으로 이해되어져서는 안될 것이다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments, It will be understood by those skilled in the art that various changes and modifications may be made without departing from the spirit and scope of the present invention.

100 : 발광소자 120 : 제1 반도체층
130 : 활성층 140 : 중간층
142 : 제1 층 144 : 제2 층
146 : 제3 층 150 : 제2 반도체층100: light emitting device 120: first semiconductor layer
130: active layer 140: middle layer
142: first layer 144: second layer
146: third layer 150: second semiconductor layer

Claims (9)

제1 반도체층, 제2 반도체층, 상기 제1 반도체층과 상기 제2 반도체층 사이에 형성되는 활성층, 및 상기 활성층과 상기 제2 반도체층 사이에 형성되는 중간층을 포함한 발광 구조물;을 포함하고,
상기 중간층은 제2 층, 상기 제2 층과 상기 활성층 사이에 형성되는 제1 층 및 상기 제1 층과 상기 활성층 사이에서 상기 제1 층과 상기 활성층에 접하도록 배치되는 제3 층을 포함하며,
상기 제1 층은 상기 제2 층보다 작고 상기 활성층보다 큰 밴드갭을 가지며,
상기 제3 층은 상기 제1 층보다 크고 상기 제2 층보다 작은 밴드갭을 가지며,
상기 제3 층은 40 내지 50 Å 의 두께를 갖는 발광소자.A light emitting structure including a first semiconductor layer, a second semiconductor layer, an active layer formed between the first semiconductor layer and the second semiconductor layer, and an intermediate layer formed between the active layer and the second semiconductor layer,
The intermediate layer includes a second layer, a first layer formed between the second layer and the active layer, and a third layer disposed between the first layer and the active layer and in contact with the first layer and the active layer,
Wherein the first layer has a bandgap smaller than the second layer and larger than the bandgap of the active layer,
Wherein the third layer has a bandgap that is greater than the first layer and less than the second layer,
And the third layer has a thickness of 40 to 50 ANGSTROM. 삭제delete 제1항에 있어서,
상기 제1 층은,
Inx(GaN)y(0.001≤x≤0.02)을 포함하고,
70 내지 100 Å 의 두께를 갖는 발광소자.The method according to claim 1,
Wherein the first layer comprises:
In x (GaN) y (0.001? X? 0.02)
And a thickness of 70 to 100 ANGSTROM. 삭제delete 제1항 또는 제3항에 있어서,
상기 제2 층은,
AlGaN 을 포함하고,
상기 제3 층은 InAlGaN 을 포함하는 발광소자.
The method according to claim 1 or 3,
Wherein the second layer comprises:
AlGaN,
And the third layer comprises InAlGaN.
삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete
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