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KR101823119B1 - Relay socket, relay socket module, and test board for semiconductor package - Google Patents

Relay socket, relay socket module, and test board for semiconductor package Download PDF

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KR101823119B1
KR101823119B1 KR1020160055361A KR20160055361A KR101823119B1 KR 101823119 B1 KR101823119 B1 KR 101823119B1 KR 1020160055361 A KR1020160055361 A KR 1020160055361A KR 20160055361 A KR20160055361 A KR 20160055361A KR 101823119 B1 KR101823119 B1 KR 101823119B1
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주식회사 티에프이
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Abstract

본 발명은, 관통홀을 구비하는 절연성 재질의 베이스; 상기 관통홀의 내주면에 형성되는 홀 도금층과, 상기 홀 도금층과 연결되며 상기 베이스의 저면에 형성되는 저면 도금층을 구비하는 전도 유닛; 및 상기 관통홀에 삽입되며, 상기 홀 도금층과 전기적으로 연결되는 매개 핀을 포함하는, 릴레이 소켓, 릴레이 소켓 모듈, 및 반도체 패키지 테스트 보드 어셈블리를 제공한다.The present invention relates to a base of an insulating material having a through hole; A hole plating layer formed on an inner circumferential surface of the through hole; and a bottom plating layer connected to the hole plating layer and formed on a bottom surface of the base; And an intermediate pin inserted in the through hole and electrically connected to the hole plating layer. The relay socket, the relay socket module, and the semiconductor package test board assembly are provided.

Description

릴레이 소켓, 릴레이 소켓 모듈, 및 반도체 패키지 테스트 보드 어셈블리{RELAY SOCKET, RELAY SOCKET MODULE, AND TEST BOARD FOR SEMICONDUCTOR PACKAGE}RELAY SOCKET, RELAY SOCKET MODULE, AND TEST BOARD FOR SEMICONDUCTOR PACKAGE

본 발명은 릴레이 소켓, 릴레이 소켓 모듈, 및 반도체 패키지 테스트 보드 어셈블리에 관한 것이다.The present invention relates to a relay socket, a relay socket module, and a semiconductor package test board assembly.

일반적으로, 제조 공정에 의해 완성된 반도체 패키지는 테스트(검사) 공정을 통해 동작 특성들이 제대로 구현되는지에 대해 체크된 후 양품으로 분류된 경우에 출하된다. In general, a semiconductor package completed by a manufacturing process is checked if the operating characteristics are properly implemented through a test (inspection) process, and then shipped when it is classified as a good product.

이러한 검사 공정에서 검사 대상물이 되는 반도체 패키지는 테스트 보드와 접속된다. 이때, 반도체 패키지에 대해서는 테스트를 위한 전력이나 신호 등이 인가된다. 그 과정에서, 릴레이가 테스트를 위한 회로 구성을 가변하기 위해 사용될 수 있다.In this inspection process, the semiconductor package to be inspected is connected to the test board. At this time, power or signal for testing is applied to the semiconductor package. In the process, relays can be used to vary the circuit configuration for testing.

이러한 릴레이는 테스트 보드에 설치됨에 있어서, 테스트 보드에 대한 설치는 사람의 작업에 의존할 수밖에 없어 복잡하고 비효율적인 실정이다.Since these relays are installed on the test board, the installation on the test board is complicated and inefficient because it depends on the work of the person.

본 발명의 목적은, 테스트 보드에 대한 릴레이의 설치 작업이 기계를 이용한 간단한 방식으로 수행될 수 있게 하는, 릴레이 소켓, 릴레이 소켓 모듈, 및 반도체 패키지 테스트 보드 어셈블리를 제공하는 것이다.It is an object of the present invention to provide a relay socket, a relay socket module, and a semiconductor package test board assembly, in which the installation work of the relay to the test board can be performed in a simple manner using a machine.

상기한 과제를 실현하기 위한 본 발명의 일 측면에 따른 릴레이 소켓은, 관통홀을 구비하는 절연성 재질의 베이스; 상기 관통홀의 내주면에 형성되는 홀 도금층과, 상기 홀 도금층과 연결되며 상기 베이스의 저면에 형성되는 저면 도금층을 구비하는 전도 유닛; 및 상기 관통홀에 삽입되며, 상기 홀 도금층과 전기적으로 연결되는 매개 핀을 포함할 수 있다.According to an aspect of the present invention, there is provided a relay socket comprising: a base made of an insulating material having a through hole; A hole plating layer formed on an inner circumferential surface of the through hole; and a bottom plating layer connected to the hole plating layer and formed on a bottom surface of the base; And an intermediate pin inserted in the through hole and electrically connected to the hole plating layer.

여기서, 상기 매개 핀은, 상기 베이스의 상면에 지지되는 헤드와, 상기 헤드에서 연장되어 상기 관통홀에 삽입되는 몸체를 포함하고, 상기 베이스의 두께는, 상기 몸체의 길이보다 큰 것일 수 있다.Here, the intermediate pin may include a head supported on an upper surface of the base, and a body extending from the head and inserted into the through hole, wherein a thickness of the base may be greater than a length of the body.

여기서, 상기 매개 핀은, 탄성적 신축성을 갖는 재질로 형성될 수 있다.Here, the intermediate pin may be formed of a material having elastic stretchability.

여기서, 상기 전도 유닛은, 상기 베이스의 측면에 형성되고, 상기 저면 도금층과 연결되는 측면 도금층을 더 포함할 수 있다.Here, the conductive unit may further include a side plating layer formed on a side surface of the base and connected to the bottom plating layer.

여기서, 상기 베이스는, 상기 관통홀에 대응하여 상기 측면에 형성되며, 외부로 개방된 측면 홈을 더 포함하고, 상기 측면 도금층은, 상기 측면 홈에 형성된 것일 수 있다.The base may further include a side groove formed on the side surface corresponding to the through hole and opened to the outside, and the side plating layer may be formed on the side groove.

여기서, 상기 측면 홈은, 반원형 단면으로 상기 관통홀과 평행하게 연장 형성된 것일 수 있다.Here, the side grooves may have a semicircular cross section and extend parallel to the through holes.

본 발명의 다른 측면에 따른 릴레이 소켓 어셈블리는, 관통홀을 구비하는 절연성 재질의 베이스; 상기 관통홀의 내주면에 형성되는 홀 도금층과, 상기 홀 도금층과 연결되며 상기 베이스의 저면에 형성되는 저면 도금층을 구비하는 전도 유닛; 상기 관통홀에 삽입되어, 상기 홀 도금층과 전기적으로 연결되는 매개 핀; 및 상기 관통홀에 삽입되어 상기 홀 도금층 및 상기 매개 핀 중 하나와 전기적으로 연결되는 접속핀을 구비하는 릴레이를 포함할 수 있다.According to another aspect of the present invention, there is provided a relay socket assembly comprising: an insulating base having a through hole; A hole plating layer formed on an inner circumferential surface of the through hole; and a bottom plating layer connected to the hole plating layer and formed on a bottom surface of the base; An intermediate pin inserted in the through hole and electrically connected to the hole plating layer; And a relay inserted into the through hole and having a connection pin electrically connected to one of the hole plating layer and the intermediate pin.

여기서, 상기 베이스는, 상기 관통홀에 대응하여 상기 측면에 형성되며, 외부로 개방된 측면 홈을 더 포함하고, 상기 전도 유닛은, 상기 측면 홈에 형성되고, 상기 저면 도금층과 연결되는 측면 도금층을 더 포함할 수 있다.Here, the base may further include a side groove formed on the side surface corresponding to the through hole and opened to the outside, and the conductive unit may include a side plating layer formed on the side surface groove and connected to the bottom plating layer .

본 발명의 또 다른 측면에 따른 반도체 패키지 테스트 보드 어셈블리는, 패키지 패드와 릴레이 패드를 구비하는 기판 모듈; 상기 패키지 패드에 접속되며, 반도체 패키지를 수용하는 패키지 소켓; 및 상기 릴레이 패드에 접속되며, 상기 반도체 패키지에 인가되는 전압을 결정하는 릴레이 소켓 모듈을 포함하고, 상기 릴레이 소켓 모듈은, 관통홀을 구비하는 절연성 재질의 베이스; 상기 관통홀의 내주면에 형성되는 홀 도금층과, 상기 홀 도금층과 연결되며 상기 베이스의 저면에 형성되어 상기 릴레이 패드와 솔더링되는 저면 도금층을 구비하는 전도 유닛; 상기 관통홀에 삽입되어, 상기 홀 도금층과 전기적으로 연결되는 매개 핀; 및 상기 관통홀에 삽입되어 상기 홀 도금층 및 상기 매개 핀 중 하나와 전기적으로 연결되는 접속핀을 구비하는 릴레이를 포함할 수 있다.According to another aspect of the present invention, there is provided a semiconductor package test board assembly including: a substrate module having a package pad and a relay pad; A package socket connected to the package pad, the package socket receiving the semiconductor package; And a relay socket module connected to the relay pad and determining a voltage to be applied to the semiconductor package, wherein the relay socket module comprises: an insulating base having a through hole; A conductive layer formed on an inner circumferential surface of the through hole, and a bottom plating layer connected to the hole plating layer and formed on a bottom surface of the base and soldered to the relay pad; An intermediate pin inserted in the through hole and electrically connected to the hole plating layer; And a relay inserted into the through hole and having a connection pin electrically connected to one of the hole plating layer and the intermediate pin.

여기서, 상기 전도 유닛은, 상기 베이스의 측면에 형성되고, 상기 저면 도금층과 연결되는 측면 도금층을 더 포함할 수 있다. Here, the conductive unit may further include a side plating layer formed on a side surface of the base and connected to the bottom plating layer.

상기와 같이 구성되는 본 발명에 관련된 릴레이 소켓, 릴레이 소켓 모듈, 및 반도체 패키지 테스트 보드 어셈블리에 의하면, 테스트 보드에 대한 릴레이의 설치 작업이 기계를 이용한 간단한 방식으로 수행될 수 있다.According to the relay socket, the relay socket module, and the semiconductor package test board assembly according to the present invention configured as described above, the installation work of the relays to the test board can be performed in a simple manner using a machine.

나아가, 릴레이를 테스트 보드에서 탈거하는 작업도 보다 간단하게 이루어질 수 있다.Furthermore, the task of removing the relay from the test board can be made simpler.

또한, 릴레이가 테스트 보드에서 발생하는 열에 의해 받는 열적 영향을 최소화할 수 있게 한다.It also allows the relay to minimize the thermal effects of heat generated by the test board.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 패키지 테스트 보드 어셈블리(1000)의 부분 분해 사시도이다.
도 2는 도 1의 릴레이 소켓(300)을 위쪽에서 바라본 사시도이다.
도 3은 도 2의 라인(Ⅲ-Ⅲ)을 따라 취한 단면도이다.
도 4는 도 2의 릴레이 소켓(300)을 아래쪽에서 바라본 사시도이다.1 is a partially exploded perspective view of a semiconductor package test board assembly 1000 according to an embodiment of the present invention.
2 is a perspective view of the relay socket 300 of FIG. 1 viewed from above.
Fig. 3 is a cross-sectional view taken along line III-III in Fig. 2. Fig.
4 is a perspective view of the relay socket 300 of FIG. 2 viewed from below.

이하, 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 릴레이 소켓, 릴레이 소켓 모듈, 및 반도체 패키지 테스트 보드 어셈블리에 대하여 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명한다. 본 명세서에서는 서로 다른 실시예라도 동일·유사한 구성에 대해서는 동일·유사한 참조번호를 부여하고, 그 설명은 처음 설명으로 갈음한다.Hereinafter, a relay socket, a relay socket module, and a semiconductor package test board assembly according to preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. In the present specification, the same or similar reference numerals are given to different embodiments in the same or similar configurations.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 패키지 테스트 보드 어셈블리(1000)의 부분 분해 사시도이다.1 is a partially exploded perspective view of a semiconductor package test board assembly 1000 according to an embodiment of the present invention.

본 도면을 참조하면, 반도체 패키지 테스트 보드 어셈블리(1000)는, 기판 모듈(100)과, 패키지 소켓(200)과, 릴레이 소켓(300)과, 릴레이(400)를 가질 수 있다.The semiconductor package test board assembly 1000 may have a substrate module 100, a package socket 200, a relay socket 300, and a relay 400.

기판 모듈(100)은 패키지 소켓(200)과 릴레이 소켓(300) 등이 실장되는 대상물이 된다. 기판 모듈(100)은, 기판(110)과, 패키지 패드(130)와, 릴레이 패드(150), 그리고 제어 회로(170)을 가질 수 있다.The substrate module 100 is an object on which the package socket 200 and the relay socket 300 are mounted. The substrate module 100 may have a substrate 110, a package pad 130, a relay pad 150, and a control circuit 170.

기판(110)은 대체로 사각 플레이트 형태를 가질 수 있다. 기판(110)은 인쇄회로기판일 수 있다. 패키지 패드(130)는 패키지 소켓(200)이 접속되는 부분이다. 릴레이 패드(150)는 릴레이 소켓(300)이 접속되는 부분이다. 이때, 릴레이 패드(150)는 패키지 패드(130)를 감싸도록 배치될 수 있다. 제어 회로(170)는 릴레이 패드(150)에 전원이나 신호의 인가를 제어하는 회로이다.The substrate 110 may have a generally rectangular plate shape. The substrate 110 may be a printed circuit board. The package pad 130 is a portion to which the package socket 200 is connected. The relay pad 150 is a portion to which the relay socket 300 is connected. At this time, the relay pad 150 may be arranged to surround the package pad 130. The control circuit 170 is a circuit for controlling application of power or a signal to the relay pad 150.

패키지 소켓(200)은 반도체 패키지(P)를 수용하여 기판 모듈(100)에 접속시키는 구성이다. 패키지 소켓(200)은 상방이 개방된 수용 공간을 구비하고, 그 수용 공간에 반도체 패키지(P)를 수용한다. 패키지 소켓(200)의 하부에는 패키지 패드(130)와 접속되는 전극 단자가 구비된다. 상기 전극 단자는 또한 반도체 패키지(P)의 전극 단자와 접속된다.The package socket 200 is configured to receive the semiconductor package P and connect it to the substrate module 100. The package socket 200 has an accommodating space opened upward, and accommodates the semiconductor package P in the accommodating space. And an electrode terminal connected to the package pad 130 is provided under the package socket 200. The electrode terminal is also connected to the electrode terminal of the semiconductor package (P).

릴레이 소켓(300)은 릴레이(400)를 기판 모듈(100)에 접속시키는 구성이다. 릴레이 소켓(300)은 릴레이 패드(150)와 전기적으로 접속된다. 이러한 릴레이 소켓(300)에 대해서는 도 2 내지 도 4를 참조하여 구체적으로 설명한다.The relay socket 300 connects the relay 400 to the substrate module 100. The relay socket 300 is electrically connected to the relay pad 150. The relay socket 300 will be described in detail with reference to FIGS. 2 to 4. FIG.

다시 도 1을 참조하면, 릴레이(400)는 제어 회로(170) 및 반도체 패키지(P)와 연결되며, 전기접점을 개폐하여 필요에 따라 여러 전기 회로 중 하나를 만드는 구성이다. Referring again to FIG. 1, the relay 400 is connected to the control circuit 170 and the semiconductor package P, and is configured to open and close the electrical contacts to form one of several electrical circuits as needed.

릴레이(400)는, 본체(410)와, 접속핀(430)을 가질 수 있다. 본체(410)는 대체로 직육면체의 형태로서 릴레이 소켓(300)의 사이즈에 대응하는 사이즈를 가질 수 있다. 본체(410) 내에는 전기접점들, 그리고 그들의 개폐를 위한 구성이 구비될 수 있다. 접속핀(430)은 상기 개폐를 위한 구성과 연결된 채로, 본체(410)의 외부로 돌출된다. 여기서, 릴레이(400), 구체적으로 본체(410)는 릴레이 소켓(300)의 두께에 대응하는 간격만큼 기판(110)으로부터 이격될 수 있다. 또한, 릴레이(400)는 릴레이 소켓(300)과 함께 릴레이 소켓 모듈로 칭해질 수 있다.The relay 400 may have a body 410 and a connection pin 430. The main body 410 may have a size corresponding to the size of the relay socket 300 in the form of a generally rectangular parallelepiped. The body 410 may include electrical contacts, and a configuration for opening and closing them. The connection pin 430 protrudes to the outside of the main body 410 while being connected to the opening / closing structure. Here, the relay 400, specifically, the main body 410 may be spaced from the substrate 110 by an interval corresponding to the thickness of the relay socket 300. In addition, the relay 400 may be referred to as a relay socket module together with the relay socket 300.

이상의 릴레이 소켓(300)에 대해, 도 2 및 도 3을 참조하여 설명한다.The above-described relay socket 300 will be described with reference to Figs. 2 and 3. Fig.

도 2는 도 1의 릴레이 소켓(300)을 위쪽에서 바라본 사시도이고, 도 3은 도 2의 라인(Ⅲ-Ⅲ)을 따라 취한 단면도이다.FIG. 2 is a perspective view of the relay socket 300 of FIG. 1 viewed from above, and FIG. 3 is a sectional view of the relay socket 300 of FIG. 2 taken along line III-III of FIG.

본 도면들을 참조하면, 릴레이 소켓(300)은, 베이스(310)와, 전도 유닛(330)과, 매개 핀(350)을 가질 수 있다. Referring to these figures, the relay socket 300 may have a base 310, a conductive unit 330, and an intermediate pin 350.

베이스(310)는 대체로 직육면체의 형태를 갖는 절연성 재질의 것일 수 있다. 이런 형태에 의해, 베이스(310)의 상면(311)과 측면(312) 및 저면(313)이 특정될 수 있다. 상면(311)과 저면(313)은 서로 평행하고, 측면(312)은 상면(311) 및 저면(313)과 대체로 수직할 수 있다. The base 310 may be made of an insulating material having a substantially rectangular parallelepiped shape. By this configuration, the top surface 311, the side surface 312, and the bottom surface 313 of the base 310 can be specified. The upper surface 311 and the lower surface 313 may be parallel to each other and the side surface 312 may be substantially perpendicular to the upper surface 311 and the lower surface 313.

베이스(310)는 관통홀(315)을 가질 수 있다. 관통홀(315)은 상면(311)에서 저면(313)을 향한 방향을 따라 연장 형성될 수 있다. 본 실시예에서, 관통홀(315)은 양 측면(312) 측에 각각 4개씩, 모두 8개로 구비된다.The base 310 may have a through-hole 315. The through hole 315 may extend along the direction from the top surface 311 toward the bottom surface 313. In the present embodiment, four through holes 315 are provided on both sides 312, and eight holes are provided.

베이스(310)는, 관통홀(315)에 더하여 측면 홈(317)을 더 가질 수 있다. 측면 홈(317)은 베이스(310)의 측면 홈(317)에서 외부로 향해 개방되게 형성된다. 또한, 측면 홈(317)은 관통홀(315)에 대응하여 형성되기에, 본 실시예에서 관통홀(315)과 같이 8개로 형성될 수 있다.The base 310 may further include side grooves 317 in addition to the through holes 315. The side grooves 317 are formed to open outward from the side grooves 317 of the base 310. In addition, since the side grooves 317 are formed corresponding to the through holes 315, the side grooves 317 may be formed as eight as the through holes 315 in the present embodiment.

전도 유닛(330)은 릴레이(400)의 접속핀(430, 도 1)과 릴레이 패드(150, 도 1)를 전기적으로 연결하기 위한 구성이다. 전도 유닛(330)은, 구체적으로, 홀 도금층(331)과, 측면 도금층(333)과, 저면 도금층(335)을 가질 수 있다. The conductive unit 330 is a structure for electrically connecting the connection pin 430 (FIG. 1) of the relay 400 and the relay pad 150 (FIG. 1). Specifically, the conductive unit 330 may have a hole plating layer 331, a side plating layer 333, and a bottom plating layer 335.

홀 도금층(331)은 관통홀(315)의 내주면에 도금되는 것이다. 그에 의해, 홀 도금층(331)은 대체로 중공형인 파이프와 같은 형태를 가질 수 있다. The hole plating layer 331 is plated on the inner peripheral surface of the through hole 315. Thereby, the hole plating layer 331 can have a shape similar to a pipe which is generally hollow.

측면 도금층(333)은 베이스(310)의 측면(312)에 도금되는 것이다. 예를 들어, 측면 도금층(333)은 측면 홈(317)에 도금되는 것일 수 있다. The side plating layer 333 is plated on the side surface 312 of the base 310. For example, the side plating layer 333 may be plated on the side groove 317.

저면 도금층(335)은 베이스(310)의 저면(313)에 도금되는 것으로서, 홀 도금층(331) 및 측면 도금층(333)과 연결된다. 저면 도금층(335)은, 위치나 크기 등에서, 릴레이 패드(150, 도 1)에 대응하도록 형성될 수 있다. The bottom plating layer 335 is plated on the bottom surface 313 of the base 310 and is connected to the hole plating layer 331 and the side plating layer 333. The bottom plating layer 335 may be formed to correspond to the relay pad 150 (Fig. 1) in position, size, and the like.

매개 핀(350)은 관통홀(315)에 삽입되어, 릴레이(400)의 접속핀(430)이 홀 도금층(331)과 전기적으로 연결되게 하는 구성이다. The intermediate pin 350 is inserted into the through hole 315 so that the connection pin 430 of the relay 400 is electrically connected to the hole plating layer 331.

매개 핀(350)은, 헤드(351)와, 몸체(353)를 가질 수 있다. 헤드(351)는 베이스(310)의 상면(311)에 지지되는 부분이다. 몸체(353)는 헤드(351)에서 연장되어 관통홀(315)에 삽입되는 부분이다. The intermediate pin 350 may have a head 351 and a body 353. The head 351 is a portion supported by the upper surface 311 of the base 310. The body 353 is a portion extending from the head 351 and inserted into the through hole 315.

헤드(351)와 몸체(353)는 탄성적 신축성을 갖는 재질, 예를 들어 실리콘으로 형성될 수 있다. 또한, 몸체(353)는 홀 도금층(331)과의 전기적 연결을 위해, 실리콘으로 형성된 부재의 외면이 도금된 것일 수 있다. The head 351 and the body 353 may be formed of a material having elastic stretchability, for example, silicon. In addition, the body 353 may be plated with an outer surface of the member formed of silicon for electrical connection with the hole plating layer 331. [

또한, 몸체(353)의 길이(L)는 베이스(310)의 두께(T) 보다 작게 형성될 수 있다. 그에 의해, 매개 핀(350)은 베이스(310)의 저면(313)에 대응하는 레벨에까지 이르지 못하게 된다. 구체적으로, 몸체(253)는 관통홀(315)에 삽입되는 경우에, 베이스(310)의 저면(313)에서 상면(311)을 향한 방향으로 이격된 지점까지만 연장되는 길이를 갖는 것이다.The length L of the body 353 may be smaller than the thickness T of the base 310. Thereby, the intermediate pin 350 is prevented from reaching the level corresponding to the bottom surface 313 of the base 310. Specifically, the body 253 has a length extending only to a position spaced apart from the bottom surface 313 of the base 310 toward the top surface 311 when the body 253 is inserted into the through hole 315.

다음으로, 도 4는 도 2의 릴레이 소켓(300)을 아래쪽에서 바라본 사시도이다.Next, Fig. 4 is a perspective view of the relay socket 300 of Fig. 2 viewed from below.

본 도면을 참조하면, 측면 홈(317)은 도 2에서 보다 명확하게 표현되고 있다. 예시된 바와 같이, 측면 홈(317)은 대체로 반원형 단면으로 상면(311)에서 저면(313)까지 연장된 것일 수 있다. 이러한 측면 홈(317)에 대응하여, 측면 도금층(333) 역시 대체로 반원형 단면을 연장된 형태를 가질 수 있다.Referring to this figure, the side grooves 317 are more clearly shown in Fig. As illustrated, the side grooves 317 may extend from the top surface 311 to the bottom surface 313 in a generally semicircular cross-section. Corresponding to this side groove 317, the side plating layer 333 may also have a generally semicircular cross-section.

저면 도금층(333)은 저면(313)에서 홀 도금층(331)을 둘러싸듯이 배치될 수 있다. 구체적으로, 저면 도금층(335)은 홀 도금층(331)이 형성하는 원을 포함하는 사각 형태를 가질 수 있다. 저면 도금층(335)의 사각 형태는, 측면 도금층(333)에 의해 부분적으로 제거될 수 있다.The bottom plating layer 333 may be disposed so as to surround the hole plating layer 331 on the bottom surface 313. Specifically, the bottom plating layer 335 may have a rectangular shape including a circle formed by the hole plating layer 331. [ The square shape of the bottom plating layer 335 can be partially removed by the side plating layer 333.

이상의 구성에 의한 반도체 패키지 테스트 보드(1000)의 조립 구성에 대해 도 1 내지 도 4를 참조하여 설명한다.An assembling structure of the semiconductor package test board 1000 having the above-described structure will be described with reference to Figs. 1 to 4. Fig.

먼저, 패키지 소켓(200)는 그의 전극 단자가 패키지 패드(130)와 접속됨에 따라 기판(110)과 결합된다.First, the package socket 200 is coupled with the substrate 110 as its electrode terminal is connected to the package pad 130.

다음으로, 릴레이(400)를 기판(110)에 결합하기 위해서는, 릴레이 소켓(300)이 함께 필요하다. 릴레이 소켓(300)은, 베이스(310)의 관통홀(315)에 매개 핀(350)을 삽입함에 의해 준비가 된다. Next, in order to couple the relay 400 to the substrate 110, a relay socket 300 is required together. The relay socket 300 is prepared by inserting the intermediate pin 350 into the through hole 315 of the base 310. [

릴레이(400)는 그의 접속핀(430)이 릴레이 소켓(300)의 관통홀(315)에 삽입됨에 의해 릴레이 소켓(300)과 결합된다. 이때, 매개 핀(350)은 신축성 재질에 의해 접속핀(430)이 관통홀(315)과 매개 핀(350) 사이에 꽉 끼여서 유동하지 않게 한다. 또한, 매개 핀(350)은 접속핀(430)이 홀 도금층(331){또는 매개 핀(350) 자신의 도금층}에 밀착되어 전기적으로 연결되게 한다.The relay 400 is engaged with the relay socket 300 by inserting the connecting pin 430 thereof into the through hole 315 of the relay socket 300. [ At this time, the intermediate pin 350 prevents the connecting pin 430 from being squeezed between the through hole 315 and the intermediate pin 350 by the elastic material. The intermediate pin 350 also allows the connecting pin 430 to be in close contact with and electrically connected to the hole plating layer 331 (or the plating layer of the intermediate pin 350 itself).

릴레이 소켓(300)과 릴레이(400)가 결합된 릴레이 소켓 모듈은 릴레이 패드(150) 상에 놓여진다. 이때, 릴레이 소켓(300)의 저면 도금층(335)과 릴레이 패드(150) 사이에는 솔더가 놓여진다. 이후, 리플로우 공정을 진행함에 의해, 릴레이 소켓 모듈은 기판(110)에 견고하게 실장된다. The relay socket module 300, in which the relay socket 300 and the relay 400 are coupled, is placed on the relay pad 150. At this time, solder is placed between the bottom plating layer 335 of the relay socket 300 and the relay pad 150. Thereafter, by performing the reflow process, the relay socket module is firmly mounted on the substrate 110.

이러한 작업 과정에서, 복수의 릴레이 패드(150) 모두에 릴레이 소켓 모듈을 배치하고, 일괄적으로 리플로우 작업을 진행할 수 있다. 그에 의해, 상기 릴레이 소켓 모듈과 기판(110) 간의 결합 공정이 간단한 방식으로 이루어질 수 있다.In this process, the relay socket module can be disposed in all of the plurality of relay pads 150, and the reflow operation can be collectively performed. Thereby, the coupling process between the relay socket module and the substrate 110 can be performed in a simple manner.

또한, 릴레이(400)[또는 릴레이 소켓 모듈]를 기판(110)에서 탈거 하고자 하는 경우에, 기판 모듈(110)의 릴레이 패드(150) 또는 릴레이 소켓(300)의 저면 도금층(335)에 열을 가해야 한다. 이때, 측면 도금층(333)이 형성된 경우라면, 측면 도금층(333)에 인두로 열을 가해서, 그 열이 저면 도금층(335) 또는 릴레이 패드(150) 에 전달되게 하면 된다. 측면 홈(317)이 존재하고 그것이 또한 반원형 홈이라면, 측면 도금층(333)에 인두를 접촉시키는 것은 더욱 쉬워진다.In addition, when the relay 400 (or the relay socket module) is to be detached from the substrate 110, heat is applied to the bottom plating layer 335 of the relay pad 150 or the relay socket 300 of the substrate module 110 Should be applied. At this time, if the side plating layer 333 is formed, heat may be applied to the side plating layer 333 by the soldering iron so that the heat is transmitted to the bottom plating layer 335 or the relay pad 150. If the side groove 317 exists and is also a semicircular groove, it is easier to bring the pharynx into contact with the side plating layer 333.

나아가, 베이스(310)의 두께(T)는 매개 핀(350)의 몸체의 길이(L) 보다 크므로, 기판(110)에서 발생하는 열에 의해 릴레이(400)가 열적 영향에 의해 손상될 가능성 또한 낮아진다. Further, since the thickness T of the base 310 is larger than the length L of the body of the intermediate pin 350, the possibility that the relay 400 may be damaged by the thermal influence due to the heat generated in the substrate 110 Lower.

상기와 같은 릴레이 소켓, 릴레이 소켓 모듈, 및 반도체 패키지 테스트 보드 어셈블리는 위에서 설명된 실시예들의 구성과 작동 방식에 한정되는 것이 아니다. 상기 실시예들은 각 실시예들의 전부 또는 일부가 선택적으로 조합되어 다양한 변형이 이루어질 수 있도록 구성될 수도 있다. The relay socket, the relay socket module, and the semiconductor package test board assembly are not limited to the configuration and operation of the embodiments described above. The embodiments may be configured so that all or some of the embodiments may be selectively combined so that various modifications may be made.

100: 기판 모듈 110: 기판
130: 패키지 패드 150: 릴레이 패드
200: 패키지 소켓 300: 릴레이 소켓
310: 베이스 311: 상면
312: 측면 313: 저면
315: 관통홀 317: 측면 홈
330: 전도 유닛 331: 홀 도금층
331: 측면 도금층 335: 저면 도금층
350: 매개 핀 351: 헤드
353: 몸체100: substrate module 110: substrate
130: package pad 150: relay pad
200: Package Socket 300: Relay Socket
310: base 311: upper surface
312: side 313: bottom
315: through hole 317: side groove
330: conductive unit 331: hole plating layer
331: side plating layer 335: bottom plating layer
350: intermediate pin 351: head
353: Body

Claims (10)

관통홀을 구비하는 절연성 재질의 베이스;
상기 관통홀의 내주면에 형성되는 홀 도금층과, 상기 홀 도금층과 연결되며 상기 베이스의 저면에 형성되는 저면 도금층과, 상기 베이스의 측면에 형성되고 상기 저면 도금층과 연결되는 측면 도금층을 구비하는 전도 유닛; 및
상기 관통홀에 삽입되며, 상기 홀 도금층과 전기적으로 연결되는 매개 핀을 포함하고,
상기 매개 핀은, 상기 베이스의 상면에 지지되는 헤드와, 상기 헤드에서 연장되어 상기 관통홀에 삽입되며 상기 베이스의 저면에서 상기 상면을 향한 방향으로 이격된 지점까지만 연장되는 길이를 갖는 몸체를 포함하는, 릴레이 소켓.
A base of an insulating material having a through hole;
A conduction unit having a bottom plating layer formed on an inner circumferential surface of the through hole, a bottom plating layer connected to the hole plating layer and formed on a bottom surface of the base, and a side plating layer formed on a side surface of the base and connected to the bottom plating layer; And
And an intermediate pin inserted in the through hole and electrically connected to the hole plating layer,
Wherein the intermediate pin comprises a head supported on an upper surface of the base and a body extending from the head and extending only to a point inserted in the through hole and spaced apart from the bottom surface of the base in a direction toward the upper surface , Relay socket.
삭제delete 제1항에 있어서,
상기 매개 핀은,
탄성적 신축성을 갖는 재질로 형성되는, 릴레이 소켓.
The method according to claim 1,
Wherein the intermediate pin comprises:
A relay socket formed of a material having elastic elasticity.
삭제delete 제1항에 있어서,
상기 베이스는,
상기 관통홀에 대응하여 상기 측면에 형성되며, 외부로 개방된 측면 홈을 더 포함하고,
상기 측면 도금층은, 상기 측면 홈에 형성된 것인, 릴레이 소켓.
The method according to claim 1,
The base includes:
Further comprising a side groove formed on the side surface corresponding to the through hole and opened to the outside,
And the side plating layer is formed in the side groove.
제5항에 있어서,
상기 측면 홈은, 반원형 단면으로 상기 관통홀과 평행하게 연장 형성된 것인, 릴레이 소켓.
6. The method of claim 5,
Wherein the side groove is formed to extend in parallel to the through hole with a semicircular cross section.
관통홀을 구비하는 절연성 재질의 베이스;
상기 관통홀의 내주면에 형성되는 홀 도금층과, 상기 홀 도금층과 연결되며 상기 베이스의 저면에 형성되는 저면 도금층과, 상기 베이스의 측면에 형성되고 상기 저면 도금층과 연결되는 측면 도금층을 구비하는 전도 유닛;
상기 관통홀에 삽입되어, 상기 홀 도금층과 전기적으로 연결되는 매개 핀; 및
상기 관통홀에 삽입되어 상기 홀 도금층 및 상기 매개 핀 중 하나와 전기적으로 연결되는 접속핀을 구비하는 릴레이를 포함하고,
상기 매개 핀은, 상기 베이스의 상면에 지지되는 헤드와, 상기 헤드에서 연장되어 상기 관통홀에 삽입되며 상기 베이스의 저면에서 상기 상면을 향한 방향으로 이격된 지점까지만 연장되는 길이를 갖는 몸체를 포함하는, 릴레이 소켓 모듈.
A base of an insulating material having a through hole;
A conduction unit having a bottom plating layer formed on an inner circumferential surface of the through hole, a bottom plating layer connected to the hole plating layer and formed on a bottom surface of the base, and a side plating layer formed on a side surface of the base and connected to the bottom plating layer;
An intermediate pin inserted in the through hole and electrically connected to the hole plating layer; And
And a relay inserted into the through hole and having a connection pin electrically connected to one of the hole plating layer and the intermediate pin,
Wherein the intermediate pin comprises a head supported on an upper surface of the base and a body extending from the head and extending only to a point inserted in the through hole and spaced apart from the bottom surface of the base in a direction toward the upper surface , Relay socket module.
제7항에 있어서,
상기 베이스는,
상기 관통홀에 대응하여 상기 측면에 형성되며, 외부로 개방된 측면 홈을 더 포함하고,
상기 측면 도금층은, 상기 측면 홈에 형성되는, 릴레이 소켓 모듈.
8. The method of claim 7,
The base includes:
Further comprising a side groove formed on the side surface corresponding to the through hole and opened to the outside,
And the side plating layer is formed in the side groove.
패키지 패드와 릴레이 패드를 구비하는 기판 모듈;
상기 패키지 패드에 접속되며, 반도체 패키지를 수용하는 패키지 소켓; 및
상기 릴레이 패드에 접속되며, 상기 반도체 패키지에 인가되는 전압을 결정하는 릴레이 소켓 모듈을 포함하고,
상기 릴레이 소켓 모듈은,
관통홀을 구비하는 절연성 재질의 베이스;
상기 관통홀의 내주면에 형성되는 홀 도금층과, 상기 홀 도금층과 연결되며 상기 베이스의 저면에 형성되어 상기 릴레이 패드와 솔더링되는 저면 도금층과, 상기 베이스의 측면에 형성되고 상기 저면 도금층과 연결되는 측면 도금층을 구비하는 전도 유닛;
상기 관통홀에 삽입되어, 상기 홀 도금층과 전기적으로 연결되는 매개 핀; 및
상기 관통홀에 삽입되어 상기 홀 도금층 및 상기 매개 핀 중 하나와 전기적으로 연결되는 접속핀을 구비하는 릴레이를 포함하고,
상기 매개 핀은, 상기 베이스의 상면에 지지되는 헤드와, 상기 헤드에서 연장되어 상기 관통홀에 삽입되며 상기 베이스의 저면에서 상기 상면을 향한 방향으로 이격된 지점까지만 연장되는 길이를 갖는 몸체를 포함하는, 반도체 패키지 테스트 보드 어셈블리.A substrate module having a package pad and a relay pad;
A package socket connected to the package pad, the package socket receiving the semiconductor package; And
And a relay socket module connected to the relay pad for determining a voltage to be applied to the semiconductor package,
The relay socket module includes:
A base of an insulating material having a through hole;
A bottom plating layer formed on an inner circumferential surface of the through hole and connected to the hole plating layer and formed on a bottom surface of the base to be soldered to the relay pad and a side plating layer formed on a side surface of the base and connected to the bottom plating layer, A conductive unit;
An intermediate pin inserted in the through hole and electrically connected to the hole plating layer; And
And a relay inserted into the through hole and having a connection pin electrically connected to one of the hole plating layer and the intermediate pin,
Wherein the intermediate pin comprises a head supported on an upper surface of the base and a body extending from the head and extending only to a point inserted in the through hole and spaced apart from the bottom surface of the base in a direction toward the upper surface , Semiconductor package test board assembly. 삭제delete
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