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KR101816891B1 - Organic Light Emitting Diode Display And Driving Method Thereof - Google Patents

Organic Light Emitting Diode Display And Driving Method Thereof Download PDF

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KR101816891B1
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Abstract

본 발명에 따른 유기발광다이오드 표시장치는 고전위 구동전압을 발생하는 고전위 구동전압원과 저전위 구동전압원 사이에 흐르는 구동전류에 의해 발광되는 유기발광다이오드; 제1 노드에 접속된 게이트전극과 상기 고전위 구동전압원에 접속된 소스전극을 가지며, 소스-게이트 간 전압에 따라 상기 구동전류를 제어하는 구동 TFT; 상기 제1 노드와 제2 노드 사이에 접속된 제1 스토리지 커패시터; 상기 제1 노드를 기준전압으로 초기화하는 제1 스위치 TFT; 상기 고전위 구동전압 및 상기 구동 TFT의 문턱전압을 샘플링하여 상기 제1 노드에 반영하는 제2 스위치 TFT; 데이터라인과 상기 제2 노드 사이의 전류 패스를 스위칭하는 제3 스위치 TFT; 상기 구동 TFT와 상기 유기발광다이오드 사이의 전류 패스를 스위칭하는 제4 스위치 TFT; 및 상기 제2 노드를 상기 기준전압으로 초기화하는 제5 스위치 TFT를 구비한다.The organic light emitting diode display device according to the present invention includes: an organic light emitting diode (OLED) emitting light by a driving current flowing between a high potential driving voltage source for generating a high potential driving voltage and a low potential driving voltage source; A driving TFT having a gate electrode connected to a first node and a source electrode connected to the high potential driving voltage source, the driving TFT controlling the driving current according to a source-gate voltage; A first storage capacitor connected between the first node and the second node; A first switch TFT for initializing the first node to a reference voltage; A second switch TFT sampling the high potential driving voltage and the threshold voltage of the driving TFT and reflecting the sampled voltage to the first node; A third switch TFT for switching a current path between the data line and the second node; A fourth switch TFT for switching a current path between the driving TFT and the organic light emitting diode; And a fifth switch TFT for initializing the second node to the reference voltage.

Description

유기발광다이오드 표시장치 및 그 구동방법{Organic Light Emitting Diode Display And Driving Method Thereof}[0001] The present invention relates to an organic light emitting diode (OLED) display device,

본 발명은 유기발광다이오드 표시장치에 관한 것으로 특히, 화질을 향상시킬 수 있는 유기발광다이오드 표시장치 및 그 구동방법에 관한 것이다.
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an organic light emitting diode (OLED) display device, and more particularly, to an organic light emitting diode display device capable of improving image quality and a driving method thereof.

최근, 다양한 평판 표시장치들(Flat Panel Display, FPD)에 대한 개발이 가속화되고 있다. 이들 중 특히, 유기발광다이오드 표시장치는 스스로 발광하는 자발광소자를 이용함으로써 응답속도가 빠르고 발광효율, 휘도 및 시야각이 큰 장점이 있다. 2. Description of the Related Art In recent years, development of various flat panel displays (FPD) has been accelerated. Particularly, the organic light emitting diode display device has advantages of high response speed, high luminous efficiency, high luminance and wide viewing angle by using a self-luminous element which emits light by itself.

유기발광다이오드 표시장치는 도 1과 같이 유기발광다이오드를 가진다. 유기발광다이오드는 애노드전극과 캐소드전극 사이에 형성된 유기 화합물층(HIL, HTL, EML, ETL, EIL)을 구비한다. The organic light emitting diode display device has an organic light emitting diode as shown in FIG. The organic light emitting diode has organic compound layers (HIL, HTL, EML, ETL, EIL) formed between the anode electrode and the cathode electrode.

유기 화합물층은 정공주입층(Hole Injection layer, HIL), 정공수송층(Hole transport layer, HTL), 발광층(Emission layer, EML), 전자수송층(Electron transport layer, ETL) 및 전자주입층(Electron Injection layer, EIL)을 포함한다. 애노드전극과 캐소드전극에 구동전압이 인가되면 정공수송층(HTL)을 통과한 정공과 전자수송층(ETL)을 통과한 전자가 발광층(EML)으로 이동되어 여기자를 형성하고, 그 결과 발광층(EML)이 가시광을 발생하게 된다. The organic compound layer includes a hole injection layer (HIL), a hole transport layer (HTL), an emission layer (EML), an electron transport layer (ETL), and an electron injection layer EIL). When a driving voltage is applied to the anode electrode and the cathode electrode, holes passing through the HTL and electrons passing through the ETL are transferred to the EML to form excitons, Thereby generating visible light.

유기발광다이오드 표시장치는 이와 같은 유기발광다이오드가 포함된 화소를 매트릭스 형태로 배열하고 화소들의 밝기를 비디오 데이터의 계조에 따라 제어한다. 이와 같은 유기발광다이오드 표시장치는 패씨브 매트릭스(passive matrix) 방식과, 스위칭소자로써 TFT(Thin Film Transistor)를 이용하는 액티브 매트릭스(active matrix) 방식으로 나뉘어진다. 이 중 액티브 매트릭스 방식은 능동소자인 TFT를 선택적으로 턴-온시켜 화소를 선택하고 스토리지 커패시터(Storage Capacitor)에 유지되는 전압으로 화소의 발광을 유지한다. The organic light emitting diode display device arranges the pixels including the organic light emitting diode in a matrix form and controls the brightness of the pixels according to the gray level of the video data. Such an organic light emitting diode display device is divided into a passive matrix type and an active matrix type using a TFT (Thin Film Transistor) as a switching element. Among them, the active matrix method selectively turns on the TFT as the active element to select the pixel and maintains the light emission of the pixel with the voltage held in the storage capacitor.

도 2는 액티브 매트릭스 방식의 유기발광다이오드 표시장치에 있어서 하나의 화소를 등가적으로 나타내는 회로도이다. 2 is a circuit diagram showing one pixel equivalently in an active matrix type organic light emitting diode display.

도 2를 참조하면, 액티브 매트릭스 방식의 유기발광다이오드 표시장치의 화소는 유기발광다이오드(OLED), 스위치 TFT(ST), 구동 TFT(DT), 및 스토리지 커패시터(Cst)를 구비한다. 2, a pixel of an active matrix type organic light emitting diode display device includes an organic light emitting diode OLED, a switch TFT ST, a driver TFT DT, and a storage capacitor Cst.

스위치 TFT(ST)는 게이트라인(GL)으로부터의 스캔신호에 응답하여 턴-온 됨으로써 자신의 소스전극과 드레인전극 사이의 전류를 도통시킨다. 스위치 TFT(ST)는 턴 온 기간 동안 데이터라인(DL)으로부터의 데이터전압을 구동 TFT(DT)의 게이트전극과 스토리지 커패시터(Cst)에 인가한다. 구동 TFT(DT)는 자신의 소스-게이트 간의 전압(Vsg)에 따라 유기발광다이오드(OLED)에 흐르는 전류를 제어한다. 스토리지 커패시터(Cst)는 구동 TFT(DT)의 게이트전위를 소정 기간 동안 일정하게 유지시킨다. 유기발광다이오드(OLED)는 도 1과 같은 구조로 구현되며, 구동 TFT(DT)의 드레인전극과 기저전압원(GND) 사이에 접속된다.The switch TFT (ST) turns on in response to a scan signal from the gate line (GL), thereby conducting a current between its source electrode and drain electrode. The switch TFT (ST) applies a data voltage from the data line (DL) to the gate electrode of the driver TFT (DT) and the storage capacitor (Cst) during the turn-on period. The driving TFT DT controls the current flowing in the organic light emitting diode OLED according to the voltage Vsg between the source and the gate of the driving TFT DT. The storage capacitor Cst keeps the gate potential of the driving TFT DT constant for a predetermined period. The organic light emitting diode OLED has a structure as shown in FIG. 1 and is connected between the drain electrode of the driving TFT DT and the ground voltage source GND.

도 2와 같은 화소의 밝기는 아래의 수학식 1과 같이 유기발광다이오드(OLED)에 흐르는 구동전류(Ioled)에 비례하며, 구동전류(Ioled)는 구동 TFT(DT)의 게이트-소스 간 전압(Vsg) 및 구동 TFT(DT)의 문턱전압(Vth)에 의존한다.2 is proportional to the driving current Ioled flowing in the organic light emitting diode OLED and the driving current Ioled is proportional to the gate-source voltage of the driving TFT DT Vsg of the driving TFT DT and the threshold voltage Vth of the driving TFT DT.

Figure 112010028860133-pat00001
Figure 112010028860133-pat00001

여기서, 'μ'는 구동 TFT(DT)의 이동도를, 'Cox'는 구동 TFT(DT)의 기생용량을, 'W'는 구동 TFT(DT)의 채널폭을, 'L'은 구동 TFT(DT)의 채널길이를, 'Vdd'는 고전위 구동전압을, 'Vdata'는 데이터전압을 각각 나타낸다. Here, 'μ' denotes the mobility of the driving TFT DT, 'Cox' denotes the parasitic capacitance of the driving TFT DT, 'W' denotes the channel width of the driving TFT DT, 'Vdd' denotes a high potential driving voltage, and 'Vdata' denotes a data voltage.

이러한, 유기발광다이오드 표시장치에서 화소들 간 휘도 편차로 인한 화질 저하는 여러 원인으로부터 비롯된다. Such image quality deterioration due to the luminance deviation between pixels in an organic light emitting diode display device is caused by various causes.

첫째, 상기 원인으로 문턱전압(Vth) 등과 같은 구동 TFT(DT)의 전기적 특성 편차를 들 수 있다.First, there is an electrical characteristic deviation of the driving TFT DT such as a threshold voltage Vth for the above reasons.

LTPS(Low Temperature Poly Silicon) 백 플레인을 사용하는 패널에서는 ELA(Excimer Laser Annealing) 공정에 의해, 화소들 간 구동 TFT(DT)의 특성 편차가 발생한다. 반면, a-Si(Amorphous Silicon) 백 플레인을 사용하는 패널에서는 공정에 의한 구동 TFT(DT)의 특성 편차는 거의 없다. 하지만 패널 구동에 따라 구동 TFT(DT)의 게이트전극에 쌓이는 게이트-바이어스 스트레스(Gate-Bias Stress)에 의해, 구동 TFT(DT)의 열화 정도가 화소마다 달라져 결국 화소들 간 구동 TFT(DT)의 특성 편차가 초래된다. 구동 TFT(DT)의 특성 편차 즉, 화소들 간 구동 TFT(DT)의 문턱전압(Vth) 차이가 발생되면, 수학식 1에서 명확히 알 수 있듯이 동일한 데이터전압(Vdata)에 대응하여 유기발광다이오드(OLED)에 흐르는 구동전류(Ioled)값이 화소들마다 달라지게 된다. In a panel using a Low Temperature Poly Silicon (LTPS) back plane, a characteristic deviation of the driving TFT (DT) between pixels occurs due to an ELA (Excimer Laser Annealing) process. On the other hand, in a panel using an amorphous silicon (a-Si) back plane, there is almost no characteristic deviation of the driving TFT (DT) due to the process. However, due to the gate-bias stress accumulated in the gate electrode of the driving TFT DT in accordance with the panel driving, the deterioration degree of the driving TFT DT varies from pixel to pixel, Resulting in characteristic deviations. When the characteristic deviation of the driving TFT DT, that is, the difference of the threshold voltage Vth of the driving TFT DT between the pixels is generated, the organic light emitting diode (OLED) corresponding to the same data voltage Vdata The driving current Ioled flowing through the OLED varies depending on the pixels.

둘째, 상기 원인으로 IR 드롭(Drop)에 의한 고전위 구동전압(Vdd)의 편차를 들 수 있다.Second, a deviation of the high potential driving voltage (Vdd) due to the IR drop can be mentioned.

IR 드롭은 전원공급배선의 배선저항으로 인해 전압 입력단으로부터 멀어질수록 고전위 구동전압(Vdd)의 레벨이 점점 떨어지는 현상을 말한다. 따라서, 화소들에 인가되는 고전위 구동전압(Vdd)의 레벨은 화소들의 위치에 따라 서로 달라진다. 이렇게 위치에 따라 화소들 간 고전위 구동전압(Vdd)의 레벨이 달라지면, 수학식 1에서 명확히 알 수 있듯이 동일한 데이터전압(Vdata)에 대응하여 유기발광다이오드(OLED)에 흐르는 구동전류(Iolde)값이 화소들마다 달라지게 된다.The IR drop is a phenomenon in which the level of the high potential driving voltage (Vdd) gradually decreases as the distance from the voltage input terminal is decreased due to the wiring resistance of the power supply wiring. Therefore, the level of the high potential driving voltage Vdd applied to the pixels differs depending on the positions of the pixels. If the level of the high-potential driving voltage Vdd between the pixels changes according to the position, the driving current Iolde flowing through the organic light-emitting diode OLED corresponding to the same data voltage Vdata Are different for each pixel.

상기와 같은 화질 저하 원인들을 없애기 위해 최근 다양한 보상 방식의 화소가 제안되고 있으나, 이러한 화소 구조로는 화소들 간 휘도 편차를 만족할 만한 수준까지 줄이기 어렵다. 특히, 이 종래 화소 구조에서는 구동 TFT의 게이트 전위를 직접적으로 제어할 수 없기 때문에 시퀀셜(Sequential) 방식의 BDI(Black Data Insertion) 기술 구현이 어렵다. 여기서, BDI란 유기발광다이오드 표시장치의 유지특성으로 인하여 화면이 선명하지 못하고 흐릿하게 보이는 모션 블러링(Motion Blurring)을 완화시키기 위한 것으로, 매 프레임의 소정 구간을 할애하여 화소들의 발광을 억제시키는 기술을 의미한다. In order to eliminate the cause of image quality degradation as described above, various compensation type pixels have recently been proposed, but it is difficult to reduce the luminance deviation between the pixels to a satisfactory level with such a pixel structure. Particularly, in this conventional pixel structure, since the gate potential of the driving TFT can not be directly controlled, it is difficult to implement a sequential BDI (Black Data Insertion) technique. Here, BDI is a technique for alleviating motion blurring, which is blurred and blurry on the screen due to the retention characteristics of the organic light emitting diode display, .

물론, 종래 화소 구조에 의하더라도 구동 전원의 제어를 통해 샷(Shot) 방식의 BDI 구현은 가능하다. 샷 방식의 BDI는 도 3과 같이 데이터 어드레싱 순서와 상관없이 동일한 특정 시점에서 모든 화소들을 동시에 비 발광시키는 것으로, 이를 위해서는 한 프레임 내에서 BDI 구간이 차지하는 기간만큼 데이터의 어드레싱 속도가 빨라져야 한다. 또한, 샷 방식의 BDI에 의하는 경우, 데이터 어드레싱 순서가 빠른 패널 상부에 비해 데이터 어드레싱 순서가 늦은 패널 하부에서 발광시간이 줄어들게 되므로, 패널 위치에 따른 휘도 편차가 유발된다. 그 결과, 종래 화소 구조로는 모션 블러링을 없애기 위한 동영상 응답시간(Moving Picture Response Time : 이하, "MPRT") 성능을 향상시키는 데 한계가 있다.
Of course, even with the conventional pixel structure, it is possible to implement a shot-based BDI through control of the driving power source. As shown in FIG. 3, the shot-type BDI does not emit light simultaneously to all the pixels at the same specific time regardless of the data addressing order. For this, the addressing speed of the data must be increased by a time period occupied by the BDI interval within one frame. In addition, according to the shot-type BDI, the light emission time is reduced at the lower part of the panel in which the data addressing order is late compared to the upper part of the panel in which the data addressing order is fast. As a result, there is a limitation in improving the performance of moving picture response time (hereinafter referred to as "MPRT") for eliminating motion blur in the conventional pixel structure.

따라서, 본 발명의 목적은 화소들 간 휘도 편차를 방지하여 화질을 향상시킬 수 있도록 한 유기발광다이오드 표시장치 및 그 구동방법을 제공하는 데 있다.Accordingly, it is an object of the present invention to provide an organic light emitting diode display device and a method of driving the same, which can improve image quality by preventing luminance deviation between pixels.

본 발명의 다른 목적은 패널 위치에 따른 휘도 편차의 유발없이 BDI 기술 구현을 용이하게 하여 MPRT 성능을 향상시킬 수 있도록 한 유기발광다이오드 표시장치 및 그 구동방법을 제공하는 데 있다.
It is another object of the present invention to provide an organic light emitting diode (OLED) display device and a method of driving the same, which can improve the MPRT performance by facilitating the BDI technology implementation without causing a luminance deviation according to the panel position.

상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 실시예에 따른 유기발광다이오드 표시장치는 고전위 구동전압을 발생하는 고전위 구동전압원과 저전위 구동전압원 사이에 흐르는 구동전류에 의해 발광되는 유기발광다이오드; 제1 노드에 접속된 게이트전극과 상기 고전위 구동전압원에 접속된 소스전극을 가지며, 소스-게이트 간 전압에 따라 상기 구동전류를 제어하는 구동 TFT; 상기 제1 노드와 제2 노드 사이에 접속된 제1 스토리지 커패시터; 제n 초기화신호가 인가되는 제n 초기화라인에 접속된 게이트전극을 가지며, 상기 제1 노드를 기준전압으로 초기화하는 제1 스위치 TFT; 제n 콘트롤신호가 인가되는 제n 콘트롤라인에 접속된 게이트전극을 가지며, 상기 고전위 구동전압 및 상기 구동 TFT의 문턱전압을 샘플링하여 상기 제1 노드에 반영하는 제2 스위치 TFT; 제n 스캔신호가 인가되는 제n 스캔라인에 접속된 게이트전극을 가지며, 데이터라인과 상기 제2 노드 사이의 전류 패스를 스위칭하는 제3 스위치 TFT; 제n 에미션신호가 인가되는 제n 에미션라인에 접속된 게이트전극을 가지며,상기 구동 TFT와 상기 유기발광다이오드 사이의 전류 패스를 스위칭하는 제4 스위치 TFT; 및 상기 제n 콘트롤신호가 인가되는 상기 제n 콘트롤라인에 접속된 게이트전극을 가지며, 상기 제2 노드를 상기 기준전압으로 초기화하는 제5 스위치 TFT를 구비하고, BDI 구동을 위해 제5-1, 제5-2 및 제5-3 기간을 포함하고, 상기 제5-1 기간(2차 초기화기간) 동안 상기 제n 초기화신호 및 제n 콘트롤신호는 턴 온 레벨로 유지되고 상기 제n 스캔신호 및 제n 에미션신호는 턴 오프 레벨로 유지되며, 상기 제5-2 기간(2차 샘플링기간) 동안 상기 제n 콘트롤신호는 턴 온 레벨로 유지되고 상기 제n 초기화신호, 제n 스캔신호 및 제n 에미션신호는 턴 오프 레벨로 유지되며, 상기 제5-3 기간(발광차단기간) 동안 상기 제n 에미션신호는 턴 온 레벨로 유지되고 상기 제n 초기화신호, 제n 콘트롤신호 및 제n 스캔신호는 턴 오프 레벨로 유지된다.According to an aspect of the present invention, there is provided an organic light emitting diode (OLED) display device including: an organic light emitting diode (OLED) emitting light by a driving current flowing between a high potential driving voltage source for generating a high potential driving voltage and a low potential driving voltage source; A driving TFT having a gate electrode connected to a first node and a source electrode connected to the high potential driving voltage source, the driving TFT controlling the driving current according to a source-gate voltage; A first storage capacitor connected between the first node and the second node; A first switch TFT having a gate electrode connected to an n-th initialization line to which a n-th initialization signal is applied, and initializing the first node to a reference voltage; A second switch TFT having a gate electrode connected to an nth control line to which an nth control signal is applied and sampling the threshold voltage of the driving TFT and reflecting the sampled voltage to the first node; A third switch TFT having a gate electrode connected to an nth scan line to which an nth scan signal is applied, and switching a current path between the data line and the second node; A fourth switch TFT having a gate electrode connected to the nth emission line to which the nth emission signal is applied, for switching a current path between the driving TFT and the organic light emitting diode; And a fifth switch TFT having a gate electrode connected to the nth control line to which the nth control signal is applied and for initializing the second node to the reference voltage, The n th initialization signal and the n th control signal are maintained at the turn-on level during the 5 th -1st period (the second initialization period), and the n th scan signal and the n- The nth emission signal is maintained at a turn-off level, and the n-th control signal is maintained at the turn-on level during the 5-2th period (the second sampling period), and the n-th initialization signal, n emission signal is maintained at a turn-off level, and the n-th emission signal is maintained at a turn-on level during the fifth 5-3 period (light emission cutoff period), and the n-th initialization signal, The scan signal is maintained at the turn-off level.

본 발명에 따른 유기발광다이오드 표시장치 및 구동방법에 의하면 유기발광다이오드에 흐르는 구동전류가 구동 TFT의 문턱전압 편차 및 고전위 구동전압 편차에 영향받지 않는다. 그 결과, 상기 편차들이 발생되더라도 화소들 간 휘도 불균일 현상이 야기되지 않기 때문에 종래에 비해 비약적인 화질 향상을 기대할 수 있다.According to the organic light emitting diode display device and the driving method of the present invention, the driving current flowing through the organic light emitting diode is not affected by the threshold voltage deviation and the high potential driving voltage deviation of the driving TFT. As a result, even if the deviations are generated, luminance unevenness phenomenon between the pixels is not caused, so that a dramatic improvement in image quality can be expected compared with the conventional method.

나아가, 본 발명에 따른 유기발광다이오드 표시장치 및 구동방법에 의하면 구동 TFT의 게이트 전위를 직접적으로 제어함으로써 시컨셜 BDI 구동을 자유롭게 콘트롤할 수 있다. 이를 통해 본 발명은 데이터 어드레싱 속도를 증가시킬 필요 없이, 패널 위치에 따른 휘도 편차 유발없이, MPRT 성능을 크게 향상시킴으로써 동영상에서 인지되는 모션 블러링을 효과적으로 제거할 수 있다. 또한, 본 발명은 자유로운 BDI 구동을 통해 3D(3 Dimension) 크로스토크를 제거할 수 있어 3D 구동 적용이 용이하여 디스플레이이의 제품 경쟁력을 크게 높일 수 있다.
Furthermore, according to the organic light emitting diode display device and the driving method of the present invention, it is possible to freely control the driving of the sequential BDI by directly controlling the gate potential of the driving TFT. Accordingly, the present invention greatly improves the MPRT performance without causing a luminance deviation according to the position of the panel without increasing the data addressing speed, thereby effectively eliminating the motion blurring recognized in the moving image. In addition, the present invention can eliminate 3D (3 Dimension) crosstalk through free BDI driving, and can easily apply 3D driving, thereby greatly enhancing the product competitiveness of the display.

도 1은 일반적인 유기발광다이오드 표시장치의 발광원리를 설명하는 다이어그램.
도 2는 종래 유기발광다이오드 표시장치에 있어서 화소의 등가 회로도.
도 3은 종래 샷 방식의 BDI 구동을 보여주는 도면.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 유기발광다이오드 표시장치를 나타내는 블럭도.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 화소의 등가 회로도.
도 6은 도 5에 인가되는 제어신호들과 제1 및 제2 노드의 전압 파형도.
도 7a는 도 6의 제1 기간에 대한 화소의 등가 회로도.
도 7b는 도 6의 제2 기간에 대한 화소의 등가 회로도.
도 7c는 도 6의 제3 기간에 대한 화소의 등가 회로도.
도 7d는 도 6의 제4 기간에 대한 화소의 등가 회로도.
도 8a는 도 6의 제5-1 기간에 대한 화소의 등가 회로도.
도 8b는 도 6의 제5-2 기간에 대한 화소의 등가 회로도.
도 8c는 도 6의 제5-3 기간에 대한 화소의 등가 회로도.
도 9는 본 발명에 따른 시퀀셜 방식의 BDI 구동을 보여주는 도면.
도 10은 본 발명의 다른 실시예에 따른 화소의 등가 회로도.
도 11은 도 10에 인가되는 제어신호들과 제1 및 제2 노드의 전압 파형도.
도 12a 내지 도 12c는 샘플링 기간의 가변 예를 보여주는 도면들.
BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS FIG. 1 is a diagram for explaining the principle of light emission of a general organic light emitting diode display device. FIG.
2 is an equivalent circuit diagram of a pixel in a conventional organic light emitting diode display.
3 is a diagram showing BDI driving in the conventional shot method.
4 is a block diagram illustrating an organic light emitting diode display device according to an embodiment of the present invention.
5 is an equivalent circuit diagram of a pixel according to an embodiment of the present invention.
FIG. 6 is a voltage waveform diagram of the control signals applied to FIG. 5 and the first and second nodes; FIG.
FIG. 7A is an equivalent circuit diagram of a pixel for the first period of FIG. 6; FIG.
FIG. 7B is an equivalent circuit diagram of a pixel for the second period of FIG. 6; FIG.
FIG. 7C is an equivalent circuit diagram of a pixel for the third period of FIG. 6; FIG.
FIG. 7D is an equivalent circuit diagram of a pixel for the fourth period of FIG. 6; FIG.
8A is an equivalent circuit diagram of a pixel for the 5 < th >
8B is an equivalent circuit diagram of a pixel for the 5-2 period of FIG. 6. FIG.
FIG. 8C is an equivalent circuit diagram of a pixel for the period 5 - 3 in FIG. 6; FIG.
9 is a diagram illustrating BDI operation in a sequential manner according to the present invention;
10 is an equivalent circuit diagram of a pixel according to another embodiment of the present invention.
FIG. 11 is a voltage waveform diagram of control signals applied to FIG. 10 and the first and second nodes. FIG.
12A to 12C are diagrams showing a variable example of a sampling period.

이하, 도 4 내지 도 12c를 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 예에 대하여 설명하기로 한다.Hereinafter, a preferred embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 4 to 12C.

도 4는 본 발명의 실시예에 따른 유기발광다이오드 표시장치를 보여준다.4 illustrates an organic light emitting diode display device according to an embodiment of the present invention.

도 4를 참조하면, 이 유기발광다이오드 표시장치는 화소들(P)이 매트릭스 형태로 배열되는 표시패널(10)과, 데이터라인들(14)을 구동시키기 위한 데이터 드라이버(12)와, 게이트라인들(15,16,17,18)을 구동시키기 위한 GIP 드라이버(13)와, 드라이버들(12,13)의 동작을 제어하는 타이밍 콘트롤러(11)를 구비한다.4, the organic light emitting diode display includes a display panel 10 in which pixels P are arranged in a matrix, a data driver 12 for driving the data lines 14, A GIP driver 13 for driving the drivers 12 and 13 and a timing controller 11 for controlling the operation of the drivers 12 and 13.

표시패널(10)에는 다수의 데이터라인들(14)과 게이트라인들(15,16,17,18)이 서로 교차되고 그 교차영역마다 화소들(P)이 배치된다. 게이트라인들(15,16,17,18)은 도 5와 같은 화소 구조를 위해, 다수의 스캔라인들(15), 다수의 에미션라인들(16), 다수의 콘트롤라인들(17) 및 다수의 초기화라인들(18)을 포함한다. 도 10과 같은 화소 구조에서, 게이트라인들은 상기 라인들(15,16,17,18)외에 센싱라인들(19)을 더 포함할 수 있다. 화소들(P) 각각은 고전위 구동전압(Vdd), 저전위 구동전압(Vss) 및 기준전압(Vref)을 공급받는다. 고전위 구동전압(Vdd)은 고전위 구동전압원에 의해 일정한 직류 레벨로 발생된다. 저전위 구동전압(Vss)은 저전위 구동전압원에 의해 고전위 구동전압(Vdd)보다 낮은 일정한 직류 레벨로 발생된다. 기준전압(Vref)은 고전위 구동전압(Vdd)과 저전위 구동전압(Vss) 사이에서 정해지는 일정한 직류 레벨로 발생된다. 기준전압(Vref)은 타이밍 콘트롤러(11) 또는 GIP 드라이버(13)에서 발생될 수 있다.In the display panel 10, a plurality of data lines 14 and gate lines 15, 16, 17, and 18 are intersected with each other, and pixels P are arranged in each of the intersection areas. The gate lines 15, 16, 17, and 18 may include a plurality of scan lines 15, a plurality of emission lines 16, a plurality of control lines 17, And a plurality of initialization lines 18. In the pixel structure shown in FIG. 10, the gate lines may further include sensing lines 19 in addition to the lines 15, 16, 17, and 18. Each of the pixels P is supplied with a high potential driving voltage Vdd, a low potential driving voltage Vss and a reference voltage Vref. The high-potential driving voltage (Vdd) is generated at a constant DC level by the high-potential driving voltage source. The low potential driving voltage Vss is generated by the low potential driving voltage source at a constant DC level lower than the high potential driving voltage Vdd. The reference voltage Vref is generated at a constant DC level determined between the high potential drive voltage Vdd and the low potential drive voltage Vss. The reference voltage Vref may be generated in the timing controller 11 or the GIP driver 13.

타이밍 콘트롤러(11)는 외부로부터 입력되는 디지털 비디오 데이터(RGB)를 표시패널(10)의 해상도에 맞게 재정렬하여 데이터 드라이버(12)에 공급한다. 또한, 타이밍 콘트롤러(11)는 수직 동기신호(Vsync), 수평 동기신호(Hsync), 도트클럭신호(DCLK) 및 데이터 인에이블신호(DE) 등의 타이밍 신호들에 기초하여 데이터 드라이버(12)의 동작 타이밍을 제어하기 위한 데이터 제어신호(DDC)와, GIP 드라이버(13)의 동작 타이밍을 제어하기 위한 게이트 제어신호(GDC)를 발생한다. The timing controller 11 rearranges the digital video data RGB input from the outside according to the resolution of the display panel 10 and supplies the digital video data RGB to the data driver 12. [ The timing controller 11 also controls the timing of the data driver 12 based on the timing signals such as the vertical synchronization signal Vsync, the horizontal synchronization signal Hsync, the dot clock signal DCLK and the data enable signal DE. A data control signal DDC for controlling the operation timing and a gate control signal GDC for controlling the operation timing of the GIP driver 13. [

데이터 드라이버(12)는 데이터 제어신호(DDC)에 따라 디지털 비디오 데이터(RGB)를 아날로그 데이터전압(이하, 데이터전압이라 함)으로 변환하여 데이터라인들(14)에 공급한다. The data driver 12 converts the digital video data RGB into an analog data voltage (hereinafter, referred to as a data voltage) according to the data control signal DDC and supplies it to the data lines 14.

GIP 드라이버(13)는 스캔라인들(15)을 구동시키기 위한 스캔 드라이버(13A)와, 에미션라인들(16)을 구동시키기 위한 에미션 드라이버(13B)를 포함한다. 스캔 드라이버(13A)는 게이트 제어신호(GDC)에 따라 스캔신호를 발생하여 스캔라인들(15)에 공급한다. 스캔 드라이버(13A)는 스캔신호를 쉬프트시키기 위한 쉬프트 레지스터(Shift Register)를 포함한다. 쉬프트 레지스터는 GIP(Gate In Panel) 방식에 따라 표시패널(10)의 비 표시영역 상에 직접 형성된다. 에미션 드라이버(13B)는 게이트 제어신호(GDC)에 따라 에미션신호를 발생하여 에미션라인들(16)에 공급한다. 에미션 드라이버(13B)는 에미션신호를 쉬프트시키기 위한 쉬프트 레지스터(Shift Register)를 포함한다. 쉬프트 레지스터는 GIP(Gate In Panel) 방식에 따라 표시패널(10)의 비 표시영역 상에 직접 형성된다. The GIP driver 13 includes a scan driver 13A for driving the scan lines 15 and an emission driver 13B for driving the emission lines 16. [ The scan driver 13A generates a scan signal according to the gate control signal GDC and supplies the scan signal to the scan lines 15. [ The scan driver 13A includes a shift register for shifting the scan signal. The shift register is formed directly on the non-display area of the display panel 10 according to the GIP (Gate In Panel) method. The emission driver 13B generates an emission signal according to the gate control signal GDC and supplies it to the emission lines 16. [ The emission driver 13B includes a shift register for shifting the emission signal. The shift register is formed directly on the non-display area of the display panel 10 according to the GIP (Gate In Panel) method.

그리고, GIP 드라이버(13)는 콘트롤라인들(17)을 구동시키기 위한 콘트롤 드라이버(미도시)를 더 포함할 수 있다. 콘트롤 드라이버는 콘트롤신호를 쉬프트시키기 위한 쉬프트 레지스터(Shift Register)를 포함한다. 쉬프트 레지스터는 GIP(Gate In Panel) 방식에 따라 표시패널(10)의 비 표시영역 상에 직접 형성된다. The GIP driver 13 may further include a control driver (not shown) for driving the control lines 17. The control driver includes a shift register for shifting the control signal. The shift register is formed directly on the non-display area of the display panel 10 according to the GIP (Gate In Panel) method.

그리고, GIP 드라이버(13)는 초기화라인들(18) 및/또는 센싱라인들(19)을 구동시키기 위한 별도의 드라이버(미도시)를 더 포함할 수 있다. 경우에 따라서, 이 별도의 드라이버 기능은 스캔 드라이버(13A)에서 행해질 수 있다.
The GIP driver 13 may further include a separate driver (not shown) for driving the initialization lines 18 and / or the sensing lines 19. In some cases, this separate driver function may be performed in the scan driver 13A.

도 5는 제n 수평라인(n은 양의 정수)에 배치된 화소(P)의 일 예를 나타낸다.Fig. 5 shows an example of a pixel P arranged on the nth horizontal line (n is a positive integer).

도 5를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 화소(P)는 유기발광다이오드(OLED), 구동 TFT(DT) 및 스위치회로(SWC)를 구비한다. Referring to FIG. 5, a pixel P according to an embodiment of the present invention includes an organic light emitting diode (OLED), a driver TFT DT, and a switch circuit SWC.

구동 TFT(DT)의 게이트전극은 제1 노드(N1)를 통해 스위치회로(SWC)에 접속되고, 구동 TFT(DT)의 소스전극은 고전위 구동전압원(VDD)에 접속되며, 구동 TFT(DT)의 드레인전극은 제3 노드(N3)를 통해 스위치회로(SWC)에 접속된다. 구동 TFT(DT)는 자신의 소스-게이트 간 전압에 따라 유기발광다이오드(OLED)에 흐르는 전류량을 제어한다. 여기서, 구동 TFT(DT)는 P-type MOSFET(Metal-Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)으로 구현될 수 있다.The gate electrode of the driving TFT DT is connected to the switch circuit SWC through the first node N1 and the source electrode of the driving TFT DT is connected to the high potential driving voltage source VDD, Is connected to the switch circuit SWC through the third node N3. The driving TFT DT controls the amount of current flowing in the organic light emitting diode OLED according to its source-gate voltage. Here, the driving TFT DT may be implemented as a P-type MOSFET (Metal-Oxide Semiconductor Field Effect Transistor).

유기발광다이오드(OLED)의 애노드 전극은 스위치회로(SWC)에 접속되고, 유기발광다이오드(OLED)의 캐소드 전극은 저전위 구동전압원(VSS)에 접속된다. 유기발광다이오드(OLED)는 도 1과 같은 구조를 가지며, 구동 TFT(DT)를 통해 인가되는 구동전류에 의해 발광한다.The anode electrode of the organic light emitting diode OLED is connected to the switch circuit SWC and the cathode electrode of the organic light emitting diode OLED is connected to the low potential driving voltage source VSS. The organic light emitting diode OLED has the structure shown in FIG. 1, and emits light by a driving current applied through the driving TFT DT.

스위치회로(SWC)는 제1 내지 제5 스위치 TFT(ST1 내지 ST5)와 제1 및 제2 스토리지 커패시터(Cst1,Cst2)를 포함한다. The switch circuit SWC includes the first to fifth switch TFTs ST1 to ST5 and the first and second storage capacitors Cst1 and Cst2.

제1 스위치 TFT(ST1)는 제1 노드(N1)를 기준전압(Vref)으로 초기화시키는 기능을 한다. 제1 스위치 TFT(ST1)의 게이트전극은 제n 초기화신호(INITn)가 공급되는 제n 초기화라인(18n)에 접속되고, 제1 스위치 TFT(ST1)의 소스전극은 기준전압(Vref)의 입력단에 접속되며, 제1 스위치 TFT(ST1)의 드레인전극은 제1 노드(N1)에 접속된다. 제1 스위치 TFT(ST1)는 제n 초기화신호(INITn)에 응답하여 제1 노드(N1)와 기준전압(Vref)의 입력단 사이의 전류 패스를 스위칭한다. 여기서, 제n 초기화신호(INITn)는 샘플링 기간의 설정값에 따라 제n-k(k는 n보다 작은 양의 정수) 스캔신호(SCANn-k)로 대체될 수 있으며, 이때 제n 초기화라인(18n)은 제n-k 스캔라인(15n-k)으로 대체될 수 있다. 이에 대해서는 도 12a 내지 도 12c를 통해 후술한다.The first switch TFT (ST1) functions to initialize the first node (N1) to the reference voltage (Vref). The gate electrode of the first switch TFT ST1 is connected to the nth initialization line 18n to which the nth initialization signal INITn is supplied and the source electrode of the first switch TFT ST1 is connected to the input terminal of the reference voltage Vref And the drain electrode of the first switch TFT (ST1) is connected to the first node (N1). The first switch TFT (ST1) switches the current path between the first node (N1) and the input terminal of the reference voltage (Vref) in response to the n-th initialization signal (INITn). Here, the n-th initialization signal INITn may be replaced with a scan signal SCANn-k of nk (where k is a positive integer smaller than n) according to the set value of the sampling period, May be replaced by nth scan lines 15n-k. This will be described later with reference to FIGS. 12A to 12C.

제2 스위치 TFT(ST2)는 고전위 구동전압(Vdd)과 구동 TFT(DT)의 문턱전압을 샘플링한다. 제2 스위치 TFT(ST2)의 게이트전극은 제n 콘트롤신호(CTRNn)가 공급되는 제n 콘트롤라인(17n)에 접속되고, 제2 스위치 TFT(ST2)의 소스전극은 제3 노드(N3)에 접속되며, 제2 스위치 TFT(ST2)의 드레인전극은 제1 노드(N1)에 접속된다. 제2 스위치 TFT(ST2)는 제n 스캔신호(SCANn)에 응답하여 제1 노드(N1)와 제3 노드(N3) 사이의 전류 패스를 스위칭함으로써, 구동 TFT(DT)의 다이오드 콘넥션 시킨다.The second switch TFT (ST2) samples the high potential driving voltage (Vdd) and the threshold voltage of the driving TFT (DT). The gate electrode of the second switch TFT ST2 is connected to the nth control line 17n to which the nth control signal CTRNn is supplied and the source electrode of the second switch TFT ST2 is connected to the third node N3 And the drain electrode of the second switch TFT (ST2) is connected to the first node (N1). The second switch TFT ST2 switches the current path between the first node N1 and the third node N3 in response to the nth scan signal SCANn to make the diode connection of the drive TFT DT.

제3 스위치 TFT(ST3)는 데이터를 어드레싱 시키는 기능을 한다. 제3 스위치 TFT(ST3)의 게이트전극은 제n 스캔신호(SCANn)가 공급되는 제n 스캔라인(15n)에 접속되고, 제3 스위치 TFT(ST3)의 소스전극은 데이터전압(Vdata)이 공급되는 데이터라인(14)에 접속되며, 제3 스위치 TFT(ST3)의 드레인전극은 제2 노드(N2)에 접속된다. 제3 스위치 TFT(ST3)는 제n 스캔신호(SCANn)에 응답하여 턴 온 됨으로써 데이터라인(14)으로부터의 데이터전압(Vdata)을 제2 노드(N2)에 공급한다.The third switch TFT (ST3) functions to address data. The gate electrode of the third switch TFT ST3 is connected to the nth scan line 15n to which the nth scan signal SCANn is supplied and the source electrode of the third switch TFT ST3 is connected to the data voltage Vdata , And the drain electrode of the third switch TFT (ST3) is connected to the second node (N2). The third switch TFT ST3 supplies the data voltage Vdata from the data line 14 to the second node N2 by being turned on in response to the n-th scan signal SCANn.

제4 스위치 TFT(ST4)는 발광 여부를 제어하는 기능을 한다. 제4 스위치 TFT(ST4)의 게이트전극은 제n 에미션신호(EMn)가 공급되는 에미션라인(16n)에 접속되고, 제4 스위치 TFT(ST4)의 소스전극은 제3 노드(N3)에 접속되며, 제4 스위치 TFT(ST4)의 드레인전극은 유기발광다이오드(OLED)의 애노드전극에 접속된다. 제4 스위치 TFT(ST4)는 제n 에미션신호(EMn)에 응답하여 구동 TFT(DT)와 유기발광다이오드(OLED) 사이의 전류 패스를 스위칭한다.The fourth switch TFT (ST4) has a function of controlling whether or not to emit light. The gate electrode of the fourth switch TFT ST4 is connected to the emission line 16n to which the nth emission signal EMn is supplied and the source electrode of the fourth switch TFT ST4 is connected to the third node N3 And the drain electrode of the fourth switch TFT (ST4) is connected to the anode electrode of the organic light emitting diode (OLED). The fourth switch TFT (ST4) switches the current path between the drive TFT (DT) and the organic light emitting diode (OLED) in response to the nth emission signal (EMn).

제5 스위치 TFT(ST5)는 제2 노드(N2)를 기준전압(Vref)으로 초기화시키는 기능을 한다. 제5 스위치 TFT(ST5)의 게이트전극은 제n 콘트롤신호(CTRNn)가 공급되는 제n 콘트롤라인(17n)에 접속되고, 제5 스위치 TFT(ST5)의 소스전극은 기준전압(Vref)의 입력단에 접속되며, 제5 스위치 TFT(ST5)의 드레인전극은 제2 노드(N2)에 접속된다. 제5 스위치 TFT(ST5)는 제n 콘트롤신호(CTRNn)에 응답하여 턴 온 됨으로써 기준전압(Vref)을 제2 노드(N2)에 공급한다.The fifth switch TFT (ST5) has a function of initializing the second node N2 to the reference voltage Vref. The gate electrode of the fifth switch TFT ST5 is connected to the nth control line 17n to which the nth control signal CTRNn is supplied and the source electrode of the fifth switch TFT ST5 is connected to the input terminal of the reference voltage Vref And the drain electrode of the fifth switch TFT (ST5) is connected to the second node N2. The fifth switch TFT (ST5) turns on in response to the n-th control signal CTRNn, thereby supplying the reference voltage Vref to the second node N2.

제1 스토리지 커패시터(Cst1)는 제1 노드(N1)와 제2 노드(N2) 사이에 접속된다. 스토리지 커패시터(Cst)는 제1 노드(N1)와 제2 노드(N2)에 인가되는 전압을 저장한다. 제2 스토리지 커패시터(Cst2)는 고전위 구동전압원(VDD)과 제2 노드(N2) 사이에 접속되어, 제2 노드(N2)의 전위를 안정화시킨다.
The first storage capacitor Cst1 is connected between the first node N1 and the second node N2. The storage capacitor Cst stores a voltage applied to the first node N1 and the second node N2. The second storage capacitor Cst2 is connected between the high potential driving voltage source VDD and the second node N2 to stabilize the potential of the second node N2.

이와 같은 본 발명의 일 실시예에 따른 화소(P)의 동작을 도 6, 도 7a 내지 도 7d, 및 도 8a 내지 도 8c를 결부하여 설명하기로 한다. The operation of the pixel P according to the embodiment of the present invention will be described with reference to Figs. 6, 7A to 7D, and 8A to 8C.

도 6을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 화소(P)의 동작은 노멀 구동을 지시하는 제1 기간 내지 제4 기간(T1 내지 T4)과, BDI 구동을 지시하는 제5-1 내지 제5-3 기간(T51 내지 T53)으로 나누어 설명될 수 있다.
Referring to FIG. 6, the operation of the pixel P according to the embodiment of the present invention includes first to fourth periods (T1 to T4) indicating normal driving, and fifth to seventeenth to And the fifth to third periods (T51 to T53).

먼저, 노멀 구동을 설명한다. 노멀 구동에서, 제1 기간(T1)은 1차 초기화기간을, 제2 기간(T2)는 1차 샘플링기간을, 제3 기간(T3)은 데이터 어드레싱 기간을, 제4 기간(T4)은 발광기간을 각각 지시한다.First, normal driving will be described. In the normal driving, the first period T1 is a first setup period, the second period T2 is a first sampling period, the third period T3 is a data addressing period, the fourth period T4 is a light emission Respectively.

도 7a를 참조하면, 제1 기간(T1) 동안 제n 초기화신호(INITn)와 제n 콘트롤신호(CTRn)는 턴 온 레벨 즉, 로우논리레벨(L)로 유지되어 각각 제1 스위치 TFT(ST1)와, 제2 및 제5 스위치 TFT(ST5)를 턴 온 시킨다. 제1 기간(T1) 동안 제n 스캔신호(SCANn)와 제n 에미션신호(EMn)는 턴 오프 레벨 즉, 하이논리레벨(H)로 유지되어 각각 제3 스위치 TFT(ST3)와, 제4 스위치 TFT(ST4)를 턴 오프 시킨다.7A, during the first period T1, the n-th initialization signal INITn and the n-th control signal CTRn are maintained at the turn-on level, that is, the low logic level L, ) And the second and fifth switch TFTs ST5. During the first period T1, the nth scan signal SCANn and the nth emission signal EMn are maintained at the turn-off level, that is, the high logic level H, to turn on the third switch TFT ST3, The switch TFT (ST4) is turned off.

그 결과, 제1 노드(N1)와 제2 노드(N2)는 기준전압(Vref)으로 1차 초기화된다.As a result, the first node N1 and the second node N2 are firstly initialized to the reference voltage Vref.

도 7b를 참조하면, 제2 기간(T2) 동안 제n 콘트롤신호(CTRn)는 로우논리레벨(L)로 유지되어 제2 및 제5 스위치 TFT(ST5)를 계속해서 턴 온 시킨다. 제2 기간(T2) 동안 제n 초기화신호(INITn)는 하이논리레벨(H)로 반전 유지되어 제1 스위치 TFT(ST1)를 턴 오프 시키고, 제n 스캔신호(SCANn)와 제n 에미션신호(EMn)는 하이논리레벨(H)로 유지되어 각각 제3 스위치 TFT(ST3)와 제4 스위치 TFT(ST4)를 계속해서 턴 오프 시킨다.Referring to FIG. 7B, the n-th control signal CTRn is maintained at the low logic level L during the second period T2 to turn on the second and fifth switch TFTs ST5 continuously. During the second period T2, the n-th initialization signal INITn is inverted to the high logic level H to turn off the first switch TFT ST1, and the n-th scan signal SCANn and the n-th emission signal The third switch TFT ST3 and the fourth switch TFT ST4 are continuously turned off, respectively.

그 결과, 제1 노드(N1)의 전위(VN1)는 구동 TFT(DT)의 다이오드 커넥션(구동 TFT(DT)의 게이트전극과 드레인전극이 쇼트)에 의해 고전위 구동전압(Vdd)에서 구동 TFT(DT)의 문턱전압(Vth)을 뺀 제1 연산값(Vdd-Vth)으로 1차 샘플링된다. 샘플링된 제1 연산값(Vdd-Vth)은 제1 스토리지 커패시터(Cst1)에 저장된다. 제2 노드(N2)의 전위는 기준전압(Vref)을 유지한다.As a result, the potential VN1 of the first node N1 is lower than the high-potential driving voltage Vdd by the diode connection of the driving TFT DT (the gate electrode and the drain electrode of the driving TFT DT are short-circuited) (Vdd-Vth) obtained by subtracting the threshold voltage (Vth) of the reference signal (DT). The sampled first calculation value Vdd-Vth is stored in the first storage capacitor Cst1. The potential of the second node N2 maintains the reference voltage Vref.

도 7c를 참조하면, 제3 기간(T3) 동안 제n 스캔신호(SCANn)는 로우논리레벨(L)로 반전 유지되어 제3 스위치 TFT(ST3)를 턴 온 시킨다. 제3 기간(T3) 동안 제n 콘트롤신호(CTRn)는 하이논리레벨(H)로 반전 유지되어 제2 및 제5 스위치 TFT(ST2,ST5)를 턴 오프 시킴과 아울러, 제n 초기화신호(INITn)와 제n 에미션신호(EMn)는 하이논리레벨(H)로 유지되어 각각 제1 스위치 TFT(ST1)와 제4 스위치 TFT(ST4)를 계속해서 턴 오프 시킨다.Referring to FIG. 7C, during the third period T3, the n-th scan signal SCANn is inverted to the low logic level L to turn on the third switch TFT ST3. During the third period T3, the n-th control signal CTRn is inverted to the high logic level H to turn off the second and fifth switch TFTs ST2 and ST5, and the n-th initialization signal INITn And the nth emission signal EMn are maintained at the high logic level H to turn off the first switch TFT ST1 and the fourth switch TFT ST4, respectively.

그 결과, 제2 노드(N2)의 전위는 데이터전압(Vdata)으로 프로그래밍 되며, 이 데이터전압(Vdata)은 제1 스토리지 커패시터(Cst1)에 저장된다. 이때, 제1 스토리지 커패시터(Cst1)의 커플링 효과에 의해, 제2 노드(N2)의 전위 변동분에 해당되는 제2 연산값(Vref-Vdata) 즉, 기준전압(Vref)에서 데이터전압(Vdata)을 뺀 값이 제1 노드(N1)의 전위(VN1)에 반영된다. 이에 따라, 제1 노드(N1)의 전위(VN1)는 제1 연산값(Vdd-Vth)에서 제2 연산값(Vref-Vdata)을 뺀 보상값{(Vdd-Vth)-(Vref-Vdata)}으로 셋팅된다.As a result, the potential of the second node N2 is programmed to the data voltage Vdata, and this data voltage Vdata is stored in the first storage capacitor Cst1. At this time, due to the coupling effect of the first storage capacitor Cst1, the second calculated value Vref-Vdata corresponding to the potential variation of the second node N2, that is, the data voltage Vdata from the reference voltage Vref, Is reflected on the potential VN1 of the first node N1. Accordingly, the potential VN1 of the first node N1 becomes equal to the compensation value {(Vdd-Vth) - (Vref-Vdata) obtained by subtracting the second calculated value Vref-Vdata from the first calculated value Vdd- }.

도 7d를 참조하면, 제4 기간(T4) 동안 제n 에미션신호(EMn)는 로우논리레벨(L)로 반전 유지되어 제4 스위치 TFT(ST4)를 턴 온 시킨다. 제4 기간(T4) 동안 제n 스캔신호(SCANn)는 하이논리레벨(H)로 반전 유지되어 제3 스위치 TFT(ST3)를 턴 오프 시킴과 아울러, 제n 초기화신호(INITn)와 제n 콘트롤신호(CTRn)는 하이논리레벨(H)로 유지되어 각각 제1 스위치 TFT(ST1)와, 제2 및 제5 스위치 TFT(ST2,ST5)를 턴 오프 시킨다.Referring to FIG. 7D, during the fourth period T4, the nth emission signal EMn is inverted to the low logic level L to turn on the fourth switch TFT ST4. During the fourth period T4, the nth scan signal SCANn is inverted to the high logic level H to turn off the third switch TFT ST3, and the nth initialization signal INITn and the n- The signal CTRn is maintained at the high logic level H to turn off the first switch TFT ST1 and the second and fifth switch TFTs ST2 and ST5.

그 결과, 제1 노드(N1)의 전위(VN1)는 보상값{(Vdd-Vth)-(Vref-Vdata)}으로 유지되고 제4 스위치 TFT(ST4)가 턴 온 되므로, 유기발광다이오드(OLED)에는 아래의 수학식 2와 같은 구동전류(Ioled)가 흐른다.As a result, the potential VN1 of the first node N1 is maintained at the compensation value {(Vdd-Vth) - (Vref-Vdata)} and the fourth switch TFT ST4 is turned on, The driving current Ioled flows as shown in the following equation (2).

Figure 112010028860133-pat00002
Figure 112010028860133-pat00002

여기서, 'μ'는 구동 TFT(DT)의 이동도를, 'Cox'는 구동 TFT(DT)의 기생용량을, 'W'는 구동 TFT(DT)의 채널폭을, 'L'은 구동 TFT(DT)의 채널길이를, 'Vsg'는 구동 TFT(DT)의 소스-게이트 간 전압차를, 'Vth'는 구동 TFT(DT)의 문턱전압을, 'Vdd'는 고전위 구동전압을, 'Vdata'는 데이터전압을, 'Vref'는 기준전압을 각각 나타낸다. Here, 'μ' denotes the mobility of the driving TFT DT, 'Cox' denotes the parasitic capacitance of the driving TFT DT, 'W' denotes the channel width of the driving TFT DT, Vth is the threshold voltage of the driving TFT DT, Vdd is the high-level driving voltage, and Vdd is the gate-to-source voltage of the driving TFT DT. 'Vdata' denotes a data voltage, and 'Vref' denotes a reference voltage.

수학식 2의 (C)는 종래 수학식 1과 달리, 그 수식 내에 'Vth' 와 'Vdd'를 인자로 포함하지 않는다. 이는 유기발광다이오드(OLED)에 흐르는 구동전류(Ioled)가 화소들 간 구동 TFT(DT)의 문턱전압(Vth) 편차 및/또는 고전위 구동전압(Vdd) 편차에 의존하지 않음을 의미한다. 그 결과, 화소들 간 구동 TFT(DT)의 문턱전압(Vth) 및/또는 고전위 구동전압(Vdd)이 달라지더라도, 그로 인한 화소들 간 휘도 편차는 발생되지 않는다.
Unlike Equation (1), Equation 2 (C) does not include 'Vth' and 'Vdd' in the equation. This means that the driving current Ioled flowing through the organic light emitting diode OLED does not depend on the threshold voltage Vth deviation of the driving TFT DT between pixels and / or the high potential driving voltage Vdd deviation. As a result, even if the threshold voltage (Vth) and / or the high potential driving voltage (Vdd) of the driver TFT (DT) between the pixels is changed, the resulting luminance deviation between the pixels is not generated.

다음으로, BDI 구동을 설명한다. BDI 구동은 MPRT 성능 향상을 위해 매 프레임 내에서 노멀 구동에 뒤이어 실시된다. BDI 구동에서, 제5-1 기간(T51)은 2차 초기화기간을, 제5-2 기간(T52)는 2차 샘플링기간을, 제5-3 기간(T53)은 발광차단기간을 각각 지시한다.Next, BDI driving will be described. BDI driving is performed following normal driving within each frame to improve MPRT performance. In the BDI driving, the fifth-time period T51 indicates the second initialization period, the fifth-time period T52 indicates the second sampling period, and the fifth-third period T53 indicates the light-off time period .

도 8a를 참조하면, 제5-1 기간(T51) 동안 제n 초기화신호(INITn)와 제n 콘트롤신호(CTRn)는 로우논리레벨(L)로 반전 유지되어 각각 제1 스위치 TFT(ST1)와, 제2 및 제5 스위치 TFT(ST5)를 턴 온 시킨다. 제5-1 기간(T51) 동안 제n 스캔신호(SCANn)는 하이논리레벨(H)로 유지되어 제3 스위치 TFT(ST3)를 계속해서 턴 오프 시킴과 아울러, 제n 에미션신호(EMn)는 하이논리레벨(H)로 반전 유지되어 제4 스위치 TFT(ST4)를 턴 오프 시킨다.Referring to FIG. 8A, the n-th initialization signal INITn and the n-th control signal CTRn are inverted to a low logic level L during the 5-1th period T51, , And turns on the second and fifth switch TFT (ST5). During the fifth time period T51, the nth scan signal SCANn is maintained at the high logic level H to turn off the third switch TFT ST3, and the nth emission signal EMn is turned on, Is held at the high logic level (H) to turn off the fourth switch TFT (ST4).

그 결과, 제1 노드(N1)와 제2 노드(N2)는 기준전압(Vref)으로 2차 초기화된다.As a result, the first node N1 and the second node N2 are secondarily initialized to the reference voltage Vref.

도 8b를 참조하면, 제5-2 기간(T52) 동안 제n 콘트롤신호(CTRn)는 로우논리레벨(L)로 유지되어 제2 및 제5 스위치 TFT(ST5)를 계속해서 턴 온 시킨다. 제5-2 기간(T52) 동안 제n 초기화신호(INITn)는 하이논리레벨(H)로 반전 유지되어 제1 스위치 TFT(ST1)를 턴 오프 시키고, 제n 스캔신호(SCANn)와 제n 에미션신호(EMn)는 하이논리레벨(H)로 유지되어 각각 제3 스위치 TFT(ST3)와 제4 스위치 TFT(ST4)를 계속해서 턴 오프 시킨다.Referring to FIG. 8B, the n-th control signal CTRn is maintained at the low logic level L during the 5-2th period T52 to turn on the second and fifth switch TFTs ST5 continuously. During the 5-2 second period T52, the n-th initialization signal INITn is inverted to the high logic level H to turn off the first switch TFT ST1, and the n-th scan signal SCANn and the n- The switching signal EMn remains at the high logic level H to turn off the third switch TFT ST3 and the fourth switch TFT ST4, respectively.

그 결과, 제1 노드(N1)의 전위(VN1)는 구동 TFT(DT)의 다이오드 커넥션(구동 TFT(DT)의 게이트전극과 드레인전극이 쇼트)에 의해 고전위 구동전압(Vdd)에서 구동 TFT(DT)의 문턱전압(Vth)을 뺀 제1 연산값(Vdd-Vth)으로 2차 샘플링된다. 2차 샘플링된 제1 연산값(Vdd-Vth)은 구동 TFT(DT)를 턴 오프 시킬 수 있도록 충분히 크다. 제1 연산값(Vdd-Vth)은 제1 스토리지 커패시터(Cst1)에 저장된다. 제2 노드(N2)의 전위는 기준전압(Vref)을 유지한다.
도 8c를 참조하면, 제5-3 기간(T53) 동안 제n 스캔신호(SCANn)는 로우논리레벨(L)로 반전 유지되어 제3 스위치 TFT(ST3)를 턴 온 시킨다. 제3 기간(T3) 동안 제n 콘트롤신호(CTRn)는 하이논리레벨(H)로 반전 유지되어 제2 및 제5 스위치 TFT(ST2,ST5)를 턴 오프 시킴과 아울러, 제n 초기화신호(INITn)와 제n 에미션신호(EMn)는 하이논리레벨(H)로 유지되어 각각 제1 스위치 TFT(ST1)와 제4 스위치 TFT(ST4)를 계속해서 턴 오프 시킨다.
As a result, the potential VN1 of the first node N1 is lower than the high-potential driving voltage Vdd by the diode connection of the driving TFT DT (the gate electrode and the drain electrode of the driving TFT DT are short-circuited) (Vdd-Vth) obtained by subtracting the threshold voltage (Vth) of the reference signal (DT). The second sampled first calculated value (Vdd-Vth) is large enough to turn off the driving TFT (DT). The first calculated value Vdd-Vth is stored in the first storage capacitor Cst1. The potential of the second node N2 maintains the reference voltage Vref.
Referring to FIG. 8C, during the fifth to third period T53, the nth scan signal SCANn is inverted to the low logic level L to turn on the third switch TFT ST3. During the third period T3, the n-th control signal CTRn is inverted to the high logic level H to turn off the second and fifth switch TFTs ST2 and ST5, and the n-th initialization signal INITn And the nth emission signal EMn are maintained at the high logic level H to turn off the first switch TFT ST1 and the fourth switch TFT ST4, respectively.

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제3 스위치 TFT(ST3)를 턴 온 되더라도 제1 노드(N1)를 통해 구동 TFT(DT)의 게이트전극에 인가되고 있는 제1 연산값(Vdd-Vth)으로 인해 구동 TFT(DT)는 계속해서 턴 오프 상태로 유지된다. 그 결과, 유기발광다이오드(OLED)로 인가되는 구동전류가 차단되어 BDI 구동이 쉽게 구현되게 된다.
Even if the third switch TFT ST3 is turned on, the drive TFT DT continues to be driven by the first calculated value Vdd-Vth applied to the gate electrode of the drive TFT DT through the first node N1 Off state. As a result, the driving current applied to the organic light emitting diode (OLED) is cut off, and BDI driving can be easily implemented.

도 9는 본 발명에 따른 시퀀셜(Sequential) 방식을 BDI 구동을 보여준다.FIG. 9 shows BDI driving in a sequential manner according to the present invention.

도 9를 참조하면, 본 발명은 수평라인 단위로 순차적으로 발생하는 초기화신호와 콘트롤신호를 통해 해당 수평라인에 배치된 구동 TFT들의 게이트 전위를 직접적으로 제어할 수 있기 때문에 쉽게 시퀀셜(Sequential) 방식의 BDI 구현이 가능해진다. 도 3에 도시된 종래의 샷(Shot) 방식의 BDI가 한 프레임 내에서 패널 위치에 따라 화소들의 발광시간이 달라지고(패널 하부로 갈수록 발광시간이 줄어듦) BDI 구간이 차지하는 만큼 빠른 데이터 어드레싱을 요구하는 반면, 본 발명에 따른 시퀀셜(Sequential) 방식의 BDI에 의하는 경우 한 프레임 내에서 패널 위치에 상관없이 화소들의 발광시간이 모두 동일하게 할 수 있고 또한, 한 프레임 기간의 전부를 데이터 어드레싱에 할당할 수 있기 때문에 데이터 어드레싱 속도를 높일 필요도 없다. 시퀀셜(Sequential) 방식의 BDI는 패널 위치에 따른 휘도 편차의 유발없이 MPRT 성능을 효과적으로 개선할 수 있다. 도 9에서, "Add"는 상술한 T1 내지 T3의 동작에 대응되고, "Emission"은 T4의 동작에 대응되며, "BDI"는 T51 내지 도 T53의 동작에 대응된다.Referring to FIG. 9, since the gate potentials of the driving TFTs disposed on the corresponding horizontal line can be directly controlled through the initialization signal and the control signal sequentially generated in units of horizontal lines, a sequential BDI implementation becomes possible. The BDI of the conventional shot mode shown in FIG. 3 requires data addressing as fast as the BDI interval occupied by the emission time of the pixels in the one frame (the emission time decreases as the panel goes down) On the other hand, according to the sequential BDI according to the present invention, the light emission time of all the pixels can be made the same regardless of the panel position in one frame, and all of one frame period is allocated to the data addressing It is not necessary to increase the speed of data addressing. Sequential BDI can effectively improve the MPRT performance without causing a luminance deviation according to the panel position. 9, "Add " corresponds to the above-described operation of T1 to T3," Emission "corresponds to operation of T4, and" BDI "corresponds to operation of T51 to T53.

한 프레임 내에서 BDI 기간이 차지하는 비율은 초기화신호와 콘트롤신호를 어떻게 설계하느냐에 따라 달라진다. 즉, 초기화신호와 콘트롤신호의 조정을 통해 BDI 기간을 얼마든지 짧게 하거나 또는 길게 할 수 있다. MPRT 성능을 높이기 위해서는 BDI 기간을 늘릴수록 유리하다.
The ratio of the BDI period in one frame depends on how the initialization signal and the control signal are designed. That is, the BDI period can be shortened or lengthened by adjusting the initialization signal and the control signal. In order to increase the MPRT performance, it is advantageous to increase the BDI period.

도 10 및 도 11은 제n 수평라인(n은 양의 정수)에 배치된 화소(P)의 다른 예를 보여준다. Figs. 10 and 11 show another example of the pixel P arranged on the nth horizontal line (n is a positive integer).

본 발명의 일 실시예에 따른 화소(P) 구동에서, 도 7a와 같이 제1 기간(T1) 동안 제2 스위치 TFT(ST2)의 턴 온으로 인해 화살표 방향의 전류 패스가 형성된다. 이러한 누설 전류(Ilk)는 소비 전력을 증가시킨다. 이러한 부작용은 도시되지는 않았지만 도 8a와 같은 제5-1 기간(T51)에도 나타날 수 있다. 누설 전류(Ilk)를 없애기 위해서는 제1 및 제5-1 기간(T1,T51) 동안 제2 스위치 TFT(ST2)를 턴 오프 시켜야 한다. 이에, 본 발명의 다른 실시예에 따른 화소(P)에서는 별개의 신호라인 즉, 센싱라인(19n)을 더 구비하고, 센싱라인(19n)을 통해 인가되는 센싱신호(SENn)에 의해 제2 스위치 TFT(ST2)의 스위칭이 제어되도록 한다. 다시 말해, 제2 스위치 TFT(ST2)의 게이트전극은 센싱라인(19n)에 접속된다. 센싱신호(SENn)는 제2 및 제5-2 기간(T2,T52) 동안에만 턴 온 레벨로 유지되고, 나머지 기간들 동안에는 턴 오프 레벨로 유지된다. 즉, 센싱신호(SENn)는 제1 및 제5-1 기간(T1,T51) 동안 제2 스위치 TFT(ST2)를 턴 오프 시킬 수 있는 레벨로 유지된다. 그 결과, 본 발명의 다른 실시예에 따른 화소(P) 구조에서는, 제1 및 제5-1 기간(T1,T51) 동안 제2 스위치 TFT(ST2)를 경유하는 누설 전류 패스가 차단되기 때문에 소비 전력 증가가 억제될 수 있다. 그 이외의 본 발명의 다른 실시예에 대한 작용 효과는 본 발명의 일 실시예에 대한 작용 효과와 실질적으로 동일하다. 다만, 도 11의 도시된 것과 달리 제5-3 기간(T53)에서, 센싱신호(SENn)는 턴 온 레벨로 유지될 수 있으며, 에미션신호(EMn)는 턴 오프 레벨로 유지될 수 있다.
In the driving of the pixel P according to the embodiment of the present invention, the current path in the direction of the arrow is formed due to the turn-on of the second switch TFT (ST2) during the first period T1 as shown in Fig. This leakage current Ilk increases power consumption. This side effect may also occur in the 5 < th > -1 time period T51 as shown in Fig. 8A though not shown. The second switch TFT ST2 must be turned off during the first and fifth time periods T1 and T51 in order to eliminate the leakage current Ilk. In the pixel P according to another embodiment of the present invention, a separate signal line, that is, a sensing line 19n is further provided. By the sensing signal SENn applied through the sensing line 19n, So that switching of the TFT ST2 is controlled. In other words, the gate electrode of the second switch TFT (ST2) is connected to the sensing line 19n. The sensing signal SENn is maintained at the turn-on level only during the second and fifth time periods T2 and T52, and remains at the turn-off level during the remaining periods. That is, the sensing signal SENn is maintained at a level capable of turning off the second switch TFT (ST2) during the first and fifth-time periods (T1, T51). As a result, in the pixel P structure according to another embodiment of the present invention, since the leakage current path passing through the second switch TFT (ST2) during the first and fifth-time periods (T1, T51) Power increase can be suppressed. The operational effects of the other embodiments of the present invention are substantially the same as those of the embodiment of the present invention. 11, the sensing signal SENn may be maintained at the turn-on level and the emission signal EMn may be maintained at the turn-off level in the fifth to third period T53.

도 12a 내지 도 12c는 샘플링 기간의 가변 예들을 보여준다.12A to 12C show variable examples of the sampling period.

MPRT 성능을 향상시키기 위해서는 고속 구동이 필수적이며, 프레임 주파수가 높아질수록 동일 해상도에서 1 수평기간(1H)의 길이가 짧아진다. 예컨대, Full HD 해상도(1920×1080)를 갖는 표시패널을 240Hz의 프레임 주파수로 구동시킬 때, 1 수평기간(1/(240*1080))은 대략 3.9㎲이다. 1 수평기간(1H)의 길이가 짧아질수록, 구동 TFT의 문턱전압 샘플링에 할애되는 기간이 줄어들 수밖에 없어, 구동 TFT의 문턱전압을 정확히 샘플링하기 어렵다. In order to improve the MPRT performance, high-speed driving is indispensable. As the frame frequency increases, the length of one horizontal period (1H) becomes shorter at the same resolution. For example, when a display panel having Full HD resolution (1920 x 1080) is driven at a frame frequency of 240 Hz, one horizontal period (1 / (240 * 1080)) is approximately 3.9 ㎲. The shorter the length of one horizontal period (1H), the shorter the period devoted to sampling the threshold voltage of the driving TFT, and it is difficult to accurately sample the threshold voltage of the driving TFT.

본 발명의 실시예들에 따른 화소에서는 콘트롤신호(제1 실시예) 또는, 콘트롤신호 및 센싱신호(제2 실시예)를 가변시킴으로써 샘플링 기간을 쉽게 확장할 수 있다. 일 예로, 제1 실시예에 따른 화소 구조에서, 본 발명은 샘플링기간(T2)의 길이가 1 수평기간(1H)이 되도록 설정된 도 12a에 대응하여, 도 12b와 같이 제n 초기화신호(INITn)의 턴 오프 레벨과 중첩되는 제n 콘트롤신호(CTRNn)의 턴 온 레벨을 2 수평기간(2H)으로 변경하거나, 도 12c와 같이 제n 초기화신호(INITn)의 턴 오프 레벨과 중첩되는 제n 콘트롤신호(CTRNn)의 턴 온 레벨을 3 수평기간(3H)으로 변경함으로써 샘플링기간(T2)을 얼마든지 확장할 수 있다. 물론 이 경우, 제n 초기화신호(INITn), 제n 스캔신호(SCANn) 및 제n 에미션신호(EMn)의 타이밍 조정도 필요하다. 예컨대, 제n 초기화신호(INITn)가 제n-2 스캔신호(SCANn-2)와 동기되는 도 12a에 대응하여, 도 12b의 경우 제n 초기화신호(INITn)를 제n-3 스캔신호(SCANn-3)에 동기되도록 조정할 수 있으며, 도 12c의 경우 제n 초기화신호(INITn)를 제n-4 스캔신호(SCANn-4)에 동기되도록 조정할 수 있다.
In the pixel according to the embodiments of the present invention, the sampling period can be easily extended by varying the control signal (the first embodiment) or the control signal and the sensing signal (the second embodiment). For example, in the pixel structure according to the first embodiment, the n-th initialization signal INITn shown in FIG. 12B corresponds to FIG. 12A in which the length of the sampling period T2 is set to be one horizontal period (1H) The n-th control signal CTRNn is turned on in a two horizontal period (2H), or the n-th control signal (CTRNn) The sampling period T2 can be extended any number of times by changing the turn-on level of the signal CTRNn to three horizontal periods 3H. Of course, in this case, it is also necessary to adjust the timing of the n-th initialization signal INITn, the n-th scan signal SCANn and the n-th emission signal EMn. For example, in response to FIG. 12A in which the n-th initialization signal INITn is synchronized with the n-2th scan signal SCANn-2, the n-th initialization signal INITn in the case of FIG. 3). In the case of FIG. 12C, the n-th initialization signal INITn may be adjusted to be synchronized with the (n-4) th scan signal SCANn-4.

상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 유기발광다이오드 표시장치 및 구동방법에 의하면 유기발광다이오드에 흐르는 구동전류가 구동 TFT의 문턱전압 편차 및 고전위 구동전압 편차에 영향받지 않는다. 그 결과, 상기 편차들이 발생되더라도 화소들 간 휘도 불균일 현상이 야기되지 않기 때문에 종래에 비해 비약적인 화질 향상을 기대할 수 있다.As described above, according to the organic light emitting diode display device and the driving method of the present invention, the driving current flowing through the organic light emitting diode is not affected by the threshold voltage deviation and the high potential driving voltage deviation of the driving TFT. As a result, even if the deviations are generated, luminance unevenness phenomenon between the pixels is not caused, so that a dramatic improvement in image quality can be expected compared with the conventional method.

나아가, 본 발명에 따른 유기발광다이오드 표시장치 및 구동방법에 의하면 구동 TFT의 게이트 전위를 직접적으로 제어함으로써 시컨셜 BDI 구동을 자유롭게 콘트롤할 수 있다. 이를 통해 본 발명은 데이터 어드레싱 속도를 증가시킬 필요 없이, 패널 위치에 따른 휘도 편차 유발없이, MPRT 성능을 크게 향상시킴으로써 동영상에서 인지되는 모션 블러링을 효과적으로 제거할 수 있다. 또한, 본 발명은 자유로운 BDI 구동을 통해 3D(3 Dimension) 크로스토크를 제거할 수 있어 3D 구동 적용이 용이하여 디스플레이이의 제품 경쟁력을 크게 높일 수 있다.Furthermore, according to the organic light emitting diode display device and the driving method of the present invention, it is possible to freely control the driving of the sequential BDI by directly controlling the gate potential of the driving TFT. Accordingly, the present invention greatly improves the MPRT performance without causing a luminance deviation according to the position of the panel without increasing the data addressing speed, thereby effectively eliminating the motion blurring recognized in the moving image. In addition, the present invention can eliminate 3D (3 Dimension) crosstalk through free BDI driving, and can easily apply 3D driving, thereby greatly enhancing the product competitiveness of the display.

이상 설명한 내용을 통해 당업자라면 본 발명의 기술사상을 일탈하지 아니하는 범위에서 다양한 변경 및 수정이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 본 발명의 실시예에서는 TFT가 P-type MOSFET으로 구현되는 경우만을 설명하였지만, 본 발명의 기술적 사상은 이에 한정되지 않고 N-type MOSFET 및 C-type MOSFET(CMOS)에도 적용될 수 있음은 물론이다. 따라서, 본 발명의 기술적 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허 청구의 범위에 의해 정하여져야만 할 것이다.
It will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations can be made in the present invention without departing from the spirit or scope of the invention. For example, in the embodiment of the present invention, only the case where the TFT is implemented as a P-type MOSFET has been described. However, the technical idea of the present invention is not limited to this and can be applied to an N-type MOSFET and a C-type MOSFET (CMOS) Of course. Therefore, the technical scope of the present invention should not be limited to the contents described in the detailed description of the specification, but should be defined by the claims.

10 : 표시패널 11 : 타이밍 콘트롤러
12 : 데이터 드라이버 13 : GIP 드라이버
13A : 스캔 드라이버 13B : 에미션 드라이버
14 : 데이터라인 15 : 스캔라인
16 : 에미션라인 17 : 콘트롤라인
18 : 초기화라인 19 : 센싱라인
10: Display panel 11: Timing controller
12: Data driver 13: GIP driver
13A: Scan driver 13B: Emission driver
14: Data line 15: Scan line
16: Emission line 17: Control line
18: initialization line 19: sensing line

Claims (15)

고전위 구동전압을 발생하는 고전위 구동전압원과 저전위 구동전압원 사이에 흐르는 구동전류에 의해 발광되는 유기발광다이오드;
제1 노드에 접속된 게이트전극과 상기 고전위 구동전압원에 접속된 소스전극을 가지며, 소스-게이트 간 전압에 따라 상기 구동전류를 제어하는 구동 TFT;
상기 제1 노드와 제2 노드 사이에 접속된 제1 스토리지 커패시터;
제n 초기화신호가 인가되는 제n 초기화라인에 접속된 게이트전극을 가지며, 상기 제1 노드를 기준전압으로 초기화하는 제1 스위치 TFT;
제n 콘트롤신호가 인가되는 제n 콘트롤라인에 접속된 게이트전극을 가지며, 상기 고전위 구동전압 및 상기 구동 TFT의 문턱전압을 샘플링하여 상기 제1 노드에 반영하는 제2 스위치 TFT;
제n 스캔신호가 인가되는 제n 스캔라인에 접속된 게이트전극을 가지며, 데이터라인과 상기 제2 노드 사이의 전류 패스를 스위칭하는 제3 스위치 TFT;
제n 에미션신호가 인가되는 제n 에미션라인에 접속된 게이트전극을 가지며,상기 구동 TFT와 상기 유기발광다이오드 사이의 전류 패스를 스위칭하는 제4 스위치 TFT; 및
상기 제n 콘트롤신호가 인가되는 상기 제n 콘트롤라인에 접속된 게이트전극을 가지며, 상기 제2 노드를 상기 기준전압으로 초기화하는 제5 스위치 TFT를 구비하고,
BDI 구동을 위해 제5-1, 제5-2 및 제5-3 기간을 포함하고,
상기 제5-1 기간(2차 초기화기간) 동안 상기 제n 초기화신호 및 제n 콘트롤신호는 턴 온 레벨로 유지되고 상기 제n 스캔신호 및 제n 에미션신호는 턴 오프 레벨로 유지되며,
상기 제5-2 기간(2차 샘플링기간) 동안 상기 제n 콘트롤신호는 턴 온 레벨로 유지되고 상기 제n 초기화신호, 제n 스캔신호 및 제n 에미션신호는 턴 오프 레벨로 유지되며,
상기 제5-3 기간(발광차단기간) 동안 상기 제n 에미션신호는 턴 온 레벨로 유지되고 상기 제n 초기화신호, 제n 콘트롤신호 및 제n 스캔신호는 턴 오프 레벨로 유지되는 유기발광다이오드 표시장치.
An organic light emitting diode (OLED) emitting light by a driving current flowing between a high potential driving voltage source and a low potential driving voltage source for generating a high potential driving voltage;
A driving TFT having a gate electrode connected to a first node and a source electrode connected to the high potential driving voltage source, the driving TFT controlling the driving current according to a source-gate voltage;
A first storage capacitor connected between the first node and the second node;
A first switch TFT having a gate electrode connected to an n-th initialization line to which a n-th initialization signal is applied, and initializing the first node to a reference voltage;
A second switch TFT having a gate electrode connected to an nth control line to which an nth control signal is applied and sampling the threshold voltage of the driving TFT and reflecting the sampled voltage to the first node;
A third switch TFT having a gate electrode connected to an nth scan line to which an nth scan signal is applied, and switching a current path between the data line and the second node;
A fourth switch TFT having a gate electrode connected to the nth emission line to which the nth emission signal is applied, for switching a current path between the driving TFT and the organic light emitting diode; And
And a fifth switch TFT having a gate electrode connected to the n-th control line to which the n-th control signal is applied and for initializing the second node to the reference voltage,
5-1, 5-2 and 5-3 periods for BDI driving,
During the 5-1th period (the second initialization period), the n-th initialization signal and the n-th control signal are maintained at the turn-on level, the n-th scan signal and the n-th emission signal are maintained at the turn-
During the 5-2th period (the second sampling period), the n-th control signal is maintained at the turn-on level, the n-th initialization signal, the n-th scan signal and the n-th emission signal are maintained at the turn-
Wherein the n th emission signal is maintained at a turn-on level during the 5 < th > third period (light emission cutoff period), and the n < th > Display device.
삭제delete 제 1 항에 있어서,
노멀 구동을 위해 제1, 제2, 제3 및 제4 기간을 포함하고,
상기 제1 기간(1차 초기화기간) 동안 상기 제n 초기화신호 및 제n 콘트롤신호는 턴 온 레벨로 유지되고 상기 제n 스캔신호 및 제n 에미션신호는 턴 오프 레벨로 유지되며;
상기 제2 기간(1차 샘플링기간) 동안 상기 제n 콘트롤신호는 턴 온 레벨로 유지되고 상기 제n 초기화신호, 제n 스캔신호 및 제n 에미션신호는 턴 오프 레벨로 유지되며;
상기 제3 기간(데이터 어드레싱기간) 동안 상기 제n 스캔신호는 턴 온 레벨로 유지되고 상기 제n 초기화신호, 제n 콘트롤신호 및 제n 에미션신호는 턴 오프 레벨로 유지되며;
상기 제4 기간(발광기간) 동안 상기 제n 에미션신호는 턴 온 레벨로 유지되고 상기 제n 초기화신호, 제n 콘트롤신호 및 제n 스캔신호는 턴 오프 레벨로 유지되는 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드 표시장치.
The method according to claim 1,
A first, a second, a third and a fourth period for normal driving,
During the first period (the first initialization period), the n-th initialization signal and the n-th control signal are maintained at the turn-on level and the n-th scan signal and the n-th emission signal are maintained at the turn-off level;
During the second period (the first sampling period), the n-th control signal is maintained at the turn-on level and the n-th initialization signal, the n-th scan signal and the n-th emission signal are maintained at the turn-off level;
During the third period (data addressing period), the n-th scan signal is maintained at the turn-on level and the n-th initialization signal, the n-th control signal and the n-th emission signal are maintained at the turn-off level;
Wherein the n th emission signal is maintained at a turn-on level during the fourth period (light emission period), and the n th initialization signal, the n th control signal and the n th scan signal are maintained at a turn- Diode display.
삭제delete 고전위 구동전압을 발생하는 고전위 구동전압원과 저전위 구동전압원 사이에 흐르는 구동전류에 의해 발광되는 유기발광다이오드;
제1 노드에 접속된 게이트전극과 상기 고전위 구동전압원에 접속된 소스전극을 가지며, 소스-게이트 간 전압에 따라 상기 구동전류를 제어하는 구동 TFT;
상기 제1 노드와 제2 노드 사이에 접속된 제1 스토리지 커패시터;
제n 초기화신호가 인가되는 제n 초기화라인에 접속된 게이트전극을 가지며, 상기 제1 노드를 기준전압으로 초기화하는 제1 스위치 TFT;
제n 센싱신호가 인가되는 제n 센싱라인에 접속된 게이트전극을 가지며, 상기 고전위 구동전압 및 상기 구동 TFT의 문턱전압을 샘플링하여 상기 제1 노드에 반영하는 제2 스위치 TFT;
제n 스캔신호가 인가되는 제n 스캔라인에 접속된 게이트전극을 가지며, 데이터라인과 상기 제2 노드 사이의 전류 패스를 스위칭하는 제3 스위치 TFT;
제n 에미션신호가 인가되는 제n 에미션라인에 접속된 게이트전극을 가지며, 상기 구동 TFT와 상기 유기발광다이오드 사이의 전류 패스를 스위칭하는 제4 스위치 TFT; 및
제n 콘트롤신호가 인가되는 제n 콘트롤라인에 접속된 게이트전극을 가지며, 상기 제2 노드를 상기 기준전압으로 초기화하는 제5 스위치 TFT를 구비하는 유기발광다이오드 표시장치.
An organic light emitting diode (OLED) emitting light by a driving current flowing between a high potential driving voltage source and a low potential driving voltage source for generating a high potential driving voltage;
A driving TFT having a gate electrode connected to a first node and a source electrode connected to the high potential driving voltage source, the driving TFT controlling the driving current according to a source-gate voltage;
A first storage capacitor connected between the first node and the second node;
A first switch TFT having a gate electrode connected to an n-th initialization line to which a n-th initialization signal is applied, and initializing the first node to a reference voltage;
A second switch TFT having a gate electrode connected to an nth sensing line to which a nth sensing signal is applied and sampling the threshold voltage of the driving TFT and reflecting the sampled voltage to the first node;
A third switch TFT having a gate electrode connected to an nth scan line to which an nth scan signal is applied, and switching a current path between the data line and the second node;
A fourth switch TFT having a gate electrode connected to the nth emission line to which the nth emission signal is applied, for switching a current path between the driving TFT and the organic light emitting diode; And
And a fifth switch TFT having a gate electrode connected to the n-th control line to which the n-th control signal is applied, and for initializing the second node to the reference voltage.
제 5 항에 있어서,
제1 기간(1차 초기화기간) 동안 상기 제n 초기화신호 및 제n 콘트롤신호는 턴 온 레벨로 유지되고 상기 제n 센싱신호, 제n 스캔신호 및 제n 에미션신호는 턴 오프 레벨로 유지되며;
제2 기간(1차 샘플링기간) 동안 상기 제n 콘트롤신호 및 제n 센싱신호는 턴 온 레벨로 유지되고 상기 제n 초기화신호, 제n 스캔신호 및 제n 에미션신호는 턴 오프 레벨로 유지되며;
제3 기간(데이터 어드레싱기간) 동안 상기 제n 스캔신호는 턴 온 레벨로 유지되고 상기 제n 초기화신호, 제n 콘트롤신호, 제n 센싱신호 및 제n 에미션신호는 턴 오프 레벨로 유지되며;
제4 기간(발광기간) 동안 상기 제n 에미션신호는 턴 온 레벨로 유지되고 상기 제n 초기화신호, 제n 콘트롤신호, 제n 센싱신호 및 제n 스캔신호는 턴 오프 레벨로 유지되는 유기발광다이오드 표시장치.
6. The method of claim 5,
During the first period (the first initialization period), the n-th initialization signal and the n-th control signal are maintained at the turn-on level and the n-th sensing signal, the n-th scan signal and the n-th emission signal are maintained at the turn- ;
During the second period (first sampling period), the n-th control signal and the n-th sensing signal are maintained at the turn-on level and the n-th initialization signal, the n-th scan signal and the n-th emission signal are maintained at the turn- ;
During the third period (data addressing period), the n-th scan signal is maintained at the turn-on level and the n-th initialization signal, the n-th control signal, the n-th sensing signal and the n-th emission signal are maintained at the turn-off level;
During the fourth period (light emission period), the nth emission signal is maintained at the turn-on level, and the nth initialization signal, the nth control signal, the nth sensing signal, and the nth scan signal are maintained at the turn- Diode display.
제 6 항에 있어서,
BDI 구동을 위한 제5-1 내지 제5-3 기간을 더 포함하고;
상기 제5-1 기간(2차 초기화기간) 동안 상기 제n 초기화신호 및 제n 콘트롤신호는 턴 온 레벨로 유지되고 상기 제n 센싱신호, 제n 스캔신호 및 제n 에미션신호는 턴 오프 레벨로 유지되며;
상기 제5-2 기간(2차 샘플링기간) 동안 상기 제n 콘트롤신호 및 제n 센싱신호는 턴 온 레벨로 유지되고 상기 제n 초기화신호, 제n 스캔신호 및 제n 에미션신호는 턴 오프 레벨로 유지되며;
상기 제5-3 기간(발광차단기간) 동안 상기 제n 에미션신호는 턴 온 레벨로 유지되고 상기 제n 초기화신호, 제n 콘트롤신호, 제n 센싱신호 및 제n 스캔신호는 턴 오프 레벨로 유지되는 유기발광다이오드 표시장치.
The method according to claim 6,
Further comprising a fifth to a fifth time period for driving the BDI;
During the 5-1th period (the second initialization period), the n-th initialization signal and the n-th control signal are maintained at the turn-on level, and the n-th sensing signal, the n-th scan signal, Lt; / RTI >
During the 5-2th period (second sampling period), the n-th control signal and the n-th sensing signal are maintained at the turn-on level, and the n-th initialization signal, the n-th scan signal, Lt; / RTI >
During the fifth to third periods (light emission cutoff period), the nth emission signal is maintained at the turn-on level, and the n-th initialization signal, the n-th control signal, the n-th sensing signal, The organic light emitting diode display device being maintained.
제 6 항에 있어서,
상기 제n 초기화신호의 턴 오프 레벨과 중첩되는 상기 제n 콘트롤신호 및 상기 제n 센싱신호의 턴 온 레벨의 폭은 상기 1차 샘플링기간에 비례하여 증가하는 유기발광다이오드 표시장치.
The method according to claim 6,
Wherein the width of the turn-on level of the n-th control signal and the n-th sensing signal overlapping the turn-off level of the n-th initialization signal increases in proportion to the first sampling period.
제 1 항 또는 제 5 항에 있어서,
상기 제n 초기화신호는 샘플링 기간의 설정값에 따라 제n-k(k는 n보다 작은 양의 정수) 스캔신호로 대체되며, 상기 제n 초기화라인은 제n-k 스캔라인으로 대체되는 유기발광다이오드 표시장치.
6. The method according to claim 1 or 5,
Wherein the n-th initialization signal is replaced with an nk (k is a positive integer smaller than n) scan signal according to a set value of a sampling period, and the n-th initialization line is replaced with an nk-th scan line.
제 1 항 또는 제 7 항에 있어서,
한 프레임 내에서 화소들의 발광차단 시점은 표시패널의 상부에서 하부로 갈수록 순차 지연되는 유기발광다이오드 표시장치.
8. The method of claim 1 or 7,
And the light emission cutoff timing of the pixels within one frame is sequentially delayed from the top to the bottom of the display panel.
고전위 구동전압을 발생하는 고전위 구동전압원과 저전위 구동전압원 사이에 흐르는 구동전류에 의해 발광되는 유기발광다이오드와, 제1 노드에 접속된 게이트전극과 상기 고전위 구동전압원에 접속된 소스전극을 가지며 소스-게이트 간 전압에 따라 상기 구동전류를 제어하는 구동 TFT와, 상기 제1 노드와 제2 노드 사이에 접속된 제1 스토리지 커패시터를 갖는 유기발광다이오드 표시장치의 구동방법에 있어서,
상기 제1 노드 및 제2 노드의 전위를 기준전압으로 1차 초기화하는 단계;
상기 제1 노드의 전위를 상기 고전위 구동전압에서 상기 구동 TFT의 문턱전압을 뺀 제1 연산값으로 1차 샘플링하는 단계;
상기 제2 노드에 데이터전압을 인가하고 상기 제2 노드의 전위 변동분에 해당되는 제2 연산값을 상기 제1 노드에 반영하여, 상기 제1 노드의 전위를 상기 제1 연산값에서 상기 제2 연산값을 뺀 보상값으로 셋팅하는 단계;
상기 보상값으로 상기 구동 TFT를 턴 온 시켜 상기 유기발광다이오드에 구동전류를 인가하는 단계;
상기 제1 노드 및 제2 노드의 전위를 상기 기준전압으로 2차 초기화하는 단계;
상기 제1 노드의 전위를 상기 제1 연산값으로 2차 샘플링하는 단계; 및
상기 2차 샘플링된 제1 연산값으로 상기 구동 TFT를 턴 오프 시켜 상기 유기발광다이오드에 인가되는 구동전류를 차단하는 단계를 포함하고,
상기 제2 노드의 전위 변동분에 해당되는 상기 제2 연산값은 상기 기준전압에서 상기 데이터전압을 뺀 값을 의미하는 유기발광다이오드 표시장치의 구동방법.
An organic light emitting diode which emits light by a driving current flowing between a high potential driving voltage source and a low potential driving voltage source for generating a high potential driving voltage, a gate electrode connected to the first node, and a source electrode connected to the high potential driving voltage source And a first storage capacitor connected between the first node and the second node, the driving method comprising: driving the organic light emitting diode (OLED)
Firstly initializing the potential of the first node and the second node to a reference voltage;
Sampling the potential of the first node with a first calculation value obtained by subtracting the threshold voltage of the driving TFT from the high potential driving voltage;
Applying a data voltage to the second node and reflecting a second operation value corresponding to a potential variation of the second node to the first node to change the potential of the first node from the first operation value to the second operation Setting a compensation value obtained by subtracting a value from the compensation value;
Applying a driving current to the organic light emitting diode by turning on the driving TFT with the compensation value;
Secondarily initializing the potential of the first node and the second node to the reference voltage;
Second sampling the potential of the first node with the first calculated value; And
And turning off the driving TFT by the second sampled first calculation value to cut off a driving current applied to the organic light emitting diode,
And the second calculated value corresponding to the potential variation of the second node is a value obtained by subtracting the data voltage from the reference voltage.
삭제delete 제 11 항에 있어서,
한 프레임 내에서 화소들의 발광차단 시점은 표시패널의 상부에서 하부로 갈수록 순차 지연되는 유기발광다이오드 표시장치의 구동방법.
12. The method of claim 11,
Wherein the light emission blocking time point of the pixels within one frame is sequentially delayed from the top to the bottom of the display panel.
삭제delete 제 3 항에 있어서,
상기 제n 초기화신호의 턴 오프 레벨과 중첩되는 상기 제n 콘트롤신호의 턴 온 레벨의 폭은 상기 1차 샘플링기간에 비례하여 증가하는 유기발광다이오드 표시장치.
The method of claim 3,
And the width of the turn-on level of the n-th control signal overlapping with the turn-off level of the n-th initialization signal increases in proportion to the first sampling period.
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