KR101812580B1 - 포지티브형 감광성 수지 조성물, 감광성 수지막, 및 이를 이용한 표시 소자 - Google Patents
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Abstract
Description
DR (A/s) | |
합성예 1 | 1050 |
합성예 2 | 750 |
합성예 3 | 2500 |
합성예 4 | 1200 |
합성예 5 | 1300 |
합성예 6 | 980 |
비교합성예 1 | 1300 |
비교합성예 2 | 400 |
비교합성예 3 | 6200 |
비교합성예 4 | 3000 |
막두께 (㎛) | 감광성 디아조퀴논 (화학식A) (phr) |
잔막률 (%) | ||
예비소성 | 현상 후 | |||
실시예 1 | 2.5 | 2.25 | 25 | 90 |
실시예 2 | 2.5 | 2.375 | 25 | 95 |
실시예 3 | 2.5 | 2.0 | 25 | 80 |
실시예 4 | 2.5 | 2.15 | 25 | 86 |
실시예 5 | 2.5 | 2.13 | 25 | 85 |
실시예 6 | 2.5 | 2.3 | 25 | 92 |
비교예 1 | 2.5 | 2.125 | 25 | 85 |
비교예 2 | 2.5 | 2.5 | 25 | 100 |
비교예 3 | 2.5 | 0 | 25 | 0 |
비교예 4 | 2.5 | 0 | 25 | 0 |
막두께 (㎛) | 감광성 디아조퀴논(화학식A) (phr) |
감도 L/S=10㎛ (mJ/cm2) |
||
예비소성 | 현상 후 | |||
실시예 1 | 2.5 | 2.0 | 21 | 150 |
실시예 2 | 2.5 | 2.0 | 15 | 170 |
실시예 3 | 2.5 | 2.0 | 25 | 180 |
실시예 4 | 2.5 | 2.0 | 22 | 200 |
실시예 5 | 2.5 | 2.0 | 23 | 175 |
실시예 6 | 2.5 | 2.0 | 22 | 190 |
비교예 1 | 2.5 | 2.0 | 23 | 220 |
비교예 2 | 2.5 | 2.0 | 15 | 280 |
비교예 3 | 2.5 | 0 | >60 | 측정불가 |
비교예 4 | 2.5 | 0 | >60 | 측정불가 |
경화율 (%) | |
실시예 1 | 92 |
실시예 2 | 92 |
실시예 3 | 90 |
실시예 4 | 91 |
실시예 5 | 94 |
실시예 6 | 92 |
비교예 1 | 70 |
비교예 2 | 100 |
비교예 3 | 80 |
비교예 4 | 75 |
Claims (10)
- (A) 하기 화학식 1로 표시되는 반복단위를 포함하는 알칼리 가용성 수지;
(B) 감광성 디아조퀴논 화합물; 및
(C) 용매
를 포함하는 포지티브형 감광성 수지 조성물:
[화학식 1]
상기 화학식 1에서,
X1은 하기 화학식 4 내지 화학식 6, 화학식 8 및 화학식 9 중 어느 하나로 표시되는 화합물로부터 유도되는 잔기이고,
[화학식 4]
[화학식 5]
[화학식 6]
[화학식 8]
[화학식 9]
X2는 하기 화학식 10, 화학식 10-1, 화학식 11 또는 화학식 11-1로 표시되고,
X3는 하기 화학식 10-1, 화학식 11-1, 화학식 12, 화학식 13, 화학식 14 또는 화학식 15로 표시되고,
m 및 n은 각각 독립적으로 1의 정수이고,
k는 1 내지 10,000의 정수이고,
p는 0 내지 6의 정수이고,
[화학식 10]
[화학식 10-1]
[화학식 11]
[화학식 11-1]
[화학식 12]
[화학식 13]
[화학식 14]
[화학식 15]
상기 화학식 10 내지 화학식 15에서,
A1은 O, CO, CR8R9(여기서, R8 및 R9는 각각 독립적으로 수소 및 치환 또는 비치환된 알킬기로 이루어진 군에서 선택된다), SO2, 및 S로 이루어진 군에서 선택되고,
R1 내지 R3는 각각 독립적으로 수소, 하이드록시기, 카르복실기 및 티올기로 이루어진 군에서 선택되고,
n1은 1 내지 2의 정수이고,
n2 및 n3는 각각 독립적으로 1 내지 3의 정수이고,
b 및 c는 각각 독립적으로 1 내지 6의 정수이고,
d, e 및 f는 각각 독립적으로 1 내지 4의 정수이고,
Ra 및 Rb는 수소원자, 히드록시기 또는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기이고,
La 및 Lb는 각각 독립적으로 단일결합, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C10 알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C10 사이클로알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C10 아릴렌기 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C10 헤테로아릴렌기이다.
- 삭제
- 제1항에 있어서,
상기 알칼리 가용성 수지는 폴리이미드-폴리하이드록시아미드의 교대 공중합체, 블록 공중합체, 또는 랜덤 공중합체인 포지티브형 감광성 수지 조성물.
- 제1항에 있어서,
상기 알칼리 가용성 수지는 폴리이미드-폴리하이드록시아미드 교대 공중합체인 포지티브형 감광성 수지 조성물.
- 제1항에 있어서,
상기 알칼리 가용성 수지는 1,000 내지 20,000 g/mol의 중량평균 분자량을 가지는 포지티브형 감광성 수지 조성물.
- 제1항에 있어서,
상기 용매는 N-메틸-2-피롤리돈, γ-부티로락톤, N,N-디메틸아세트아미드, 디메틸설폭사이드, 디에틸렌글리콜디메틸에테르, 디에틸렌글리콜디에틸에테르, 디에틸렌글리콜디부틸에테르, 프로필렌글리콜모노메틸에테르, 디프로필렌글리콜모노메틸에테르, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 메틸락테이트, 에틸락테이트, 부틸락테이트, 메틸-1,3-부틸렌글리콜아세테이트, 1,3-부틸렌글리콜-3-모노메틸에테르, 메틸피루베이트, 에틸피루베이트, 메틸-3-메톡시 프로피오네이트, 또는 이들의 조합인 포지티브형 감광성 수지 조성물.
- 제1항에 있어서,
상기 포지티브형 감광성 수지 조성물은 계면활성제, 레빌링제, 열산발생제, 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 첨가제를 더 포함하는 포지티브형 감광성 수지 조성물.
- 제1항에 있어서,
상기 포지티브형 감광성 수지 조성물은
상기 (A) 알칼리 가용성 수지 100 중량부에 대하여,
상기 (B) 감광성 디아조퀴논 화합물 5 내지 100 중량부 및
상기 (C) 용매 200 내지 900 중량부
를 포함하는 포지티브형 감광성 수지 조성물.
- 제1항 및 제3항 내지 제8항 중 어느 한 항의 포지티브형 감광성 수지 조성물을 사용하여 제조된 감광성 수지막.
- 제9항의 감광성 수지막을 포함하는 표시 소자.
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020130150809A KR101812580B1 (ko) | 2013-12-05 | 2013-12-05 | 포지티브형 감광성 수지 조성물, 감광성 수지막, 및 이를 이용한 표시 소자 |
CN201410211435.0A CN104698755B (zh) | 2013-12-05 | 2014-05-19 | 正性光敏树脂组合物、光敏树脂膜及使用其的显示装置 |
TW103118507A TWI529201B (zh) | 2013-12-05 | 2014-05-28 | 正型感光性樹脂組成物、感光性樹脂膜及使用其的顯示裝置 |
US14/291,022 US20150160553A1 (en) | 2013-12-05 | 2014-05-30 | Positive Photosensitive Resin Composition, Photosensitive Resin Film, and Display Device Using the Same |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020130150809A KR101812580B1 (ko) | 2013-12-05 | 2013-12-05 | 포지티브형 감광성 수지 조성물, 감광성 수지막, 및 이를 이용한 표시 소자 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20150065455A KR20150065455A (ko) | 2015-06-15 |
KR101812580B1 true KR101812580B1 (ko) | 2017-12-27 |
Family
ID=53271046
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020130150809A Active KR101812580B1 (ko) | 2013-12-05 | 2013-12-05 | 포지티브형 감광성 수지 조성물, 감광성 수지막, 및 이를 이용한 표시 소자 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20150160553A1 (ko) |
KR (1) | KR101812580B1 (ko) |
CN (1) | CN104698755B (ko) |
TW (1) | TWI529201B (ko) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102299419B1 (ko) * | 2018-02-28 | 2021-09-06 | 주식회사 엘지화학 | 감광성 수지 조성물 및 경화막 |
KR102288387B1 (ko) * | 2018-09-03 | 2021-08-10 | 삼성에스디아이 주식회사 | 감광성 수지 조성물, 이를 이용한 감광성 수지막 및 전자 소자 |
KR102570572B1 (ko) * | 2020-01-08 | 2023-08-23 | 삼성에스디아이 주식회사 | 감광성 수지 조성물, 이를 이용한 감광성 수지막 및 디스플레이 장치 |
CN116836388B (zh) * | 2023-08-30 | 2023-12-15 | 明士(北京)新材料开发有限公司 | 一种正性光敏性树脂、树脂组合物及它们的制备方法与应用 |
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US6908717B2 (en) * | 2000-10-31 | 2005-06-21 | Sumitomo Bakelite Company Limited | Positive photosensitive resin composition, process for its preparation, and semiconductor devices |
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CN101600994B (zh) * | 2007-02-19 | 2013-05-01 | 住友电木株式会社 | 感光性树脂组合物、固化膜、保护膜、绝缘膜及使用它们的半导体装置和显示装置 |
CN101652714A (zh) * | 2007-04-10 | 2010-02-17 | 日本化药株式会社 | 感光性树脂组合物 |
KR101115058B1 (ko) * | 2008-07-09 | 2012-02-13 | 주식회사 엘지화학 | 폴리이미드-폴리아믹산 공중합체, 이의 제조방법, 이를포함하는 감광성 조성물 및 이에 의해 제공된 보호막 |
JPWO2011152058A1 (ja) * | 2010-06-03 | 2013-07-25 | 住友ベークライト株式会社 | 感光性樹脂組成物及び感光性樹脂組成物の製造方法 |
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2013
- 2013-12-05 KR KR1020130150809A patent/KR101812580B1/ko active Active
-
2014
- 2014-05-19 CN CN201410211435.0A patent/CN104698755B/zh active Active
- 2014-05-28 TW TW103118507A patent/TWI529201B/zh active
- 2014-05-30 US US14/291,022 patent/US20150160553A1/en not_active Abandoned
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JP2012159601A (ja) | 2011-01-31 | 2012-08-23 | Toray Ind Inc | 感光性樹脂組成物 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW201522426A (zh) | 2015-06-16 |
KR20150065455A (ko) | 2015-06-15 |
US20150160553A1 (en) | 2015-06-11 |
TWI529201B (zh) | 2016-04-11 |
CN104698755B (zh) | 2019-06-14 |
CN104698755A (zh) | 2015-06-10 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PA0109 | Patent application |
Patent event code: PA01091R01D Comment text: Patent Application Patent event date: 20131205 |
|
AMND | Amendment | ||
A201 | Request for examination | ||
PA0201 | Request for examination |
Patent event code: PA02012R01D Patent event date: 20150224 Comment text: Request for Examination of Application Patent event code: PA02011R01I Patent event date: 20131205 Comment text: Patent Application |
|
PG1501 | Laying open of application | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
PE0902 | Notice of grounds for rejection |
Comment text: Notification of reason for refusal Patent event date: 20160825 Patent event code: PE09021S01D |
|
AMND | Amendment | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
PE0902 | Notice of grounds for rejection |
Comment text: Notification of reason for refusal Patent event date: 20170210 Patent event code: PE09021S01D |
|
AMND | Amendment | ||
E90F | Notification of reason for final refusal | ||
PE0902 | Notice of grounds for rejection |
Comment text: Final Notice of Reason for Refusal Patent event date: 20170705 Patent event code: PE09021S02D |
|
AMND | Amendment | ||
E601 | Decision to refuse application | ||
PE0601 | Decision on rejection of patent |
Patent event date: 20171001 Comment text: Decision to Refuse Application Patent event code: PE06012S01D Patent event date: 20170705 Comment text: Final Notice of Reason for Refusal Patent event code: PE06011S02I Patent event date: 20170210 Comment text: Notification of reason for refusal Patent event code: PE06011S01I Patent event date: 20160825 Comment text: Notification of reason for refusal Patent event code: PE06011S01I |
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AMND | Amendment | ||
PX0901 | Re-examination |
Patent event code: PX09011S01I Patent event date: 20171001 Comment text: Decision to Refuse Application Patent event code: PX09012R01I Patent event date: 20170821 Comment text: Amendment to Specification, etc. Patent event code: PX09012R01I Patent event date: 20170327 Comment text: Amendment to Specification, etc. Patent event code: PX09012R01I Patent event date: 20161013 Comment text: Amendment to Specification, etc. Patent event code: PX09012R01I Patent event date: 20140516 Comment text: Amendment to Specification, etc. |
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PX0701 | Decision of registration after re-examination |
Patent event date: 20171113 Comment text: Decision to Grant Registration Patent event code: PX07013S01D Patent event date: 20171107 Comment text: Amendment to Specification, etc. Patent event code: PX07012R01I Patent event date: 20171001 Comment text: Decision to Refuse Application Patent event code: PX07011S01I Patent event date: 20170821 Comment text: Amendment to Specification, etc. Patent event code: PX07012R01I Patent event date: 20170327 Comment text: Amendment to Specification, etc. Patent event code: PX07012R01I Patent event date: 20161013 Comment text: Amendment to Specification, etc. Patent event code: PX07012R01I Patent event date: 20140516 Comment text: Amendment to Specification, etc. Patent event code: PX07012R01I |
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X701 | Decision to grant (after re-examination) | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
PR0701 | Registration of establishment |
Comment text: Registration of Establishment Patent event date: 20171220 Patent event code: PR07011E01D |
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PR1002 | Payment of registration fee |
Payment date: 20171220 End annual number: 3 Start annual number: 1 |
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PG1601 | Publication of registration | ||
PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20201201 Start annual number: 4 End annual number: 4 |
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PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20241126 Start annual number: 8 End annual number: 8 |