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KR101806559B1 - A wire grid polarizer, liquid crystal display including the same and method of manufacturing the wire grid polarizer - Google Patents

A wire grid polarizer, liquid crystal display including the same and method of manufacturing the wire grid polarizer Download PDF

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KR101806559B1
KR101806559B1 KR1020110087232A KR20110087232A KR101806559B1 KR 101806559 B1 KR101806559 B1 KR 101806559B1 KR 1020110087232 A KR1020110087232 A KR 1020110087232A KR 20110087232 A KR20110087232 A KR 20110087232A KR 101806559 B1 KR101806559 B1 KR 101806559B1
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grid
lattice
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grid pattern
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유경종
이영재
이준
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엘지이노텍 주식회사
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Abstract

본 발명은 와이어 그리드 편광자 및 이를 포함하는 액정표시장치에 관한 것으로서, 투명기판, 상기 투명기판 상부에 형성된 복수의 제1격자패턴, 상기 제1격자패턴 상부에 형성된 제2격자패턴, 상기 제1격자패턴 및 상기 제2격자패턴의 표면에 형성된 지지층, 상기 지지층이 형성된 상기 제2격자패턴 상부에 형성된 제3격자패턴을 포함하는 와이어 그리드 편광자와 상술한 와이어 그리드 편광자를 포함하는 액정표시장치를 제공한다. 본 발명에 따르면 구조적 안정성을 향상시키면서도 격자패턴의 높이를 증가시킬 수 있게 되어 편광 특성 향상 효과 및 편광 특성 향상에 따른 액정표시장치의 휘도 향상효과를 거둘 수 있게 된다.The present invention relates to a wire grid polarizer and a liquid crystal display including the same, and more particularly, to a wire grid polarizer having a transparent substrate, a plurality of first grid patterns formed on the transparent substrate, a second grid pattern formed on the first grid pattern, And a wire grid polarizer including a support layer formed on the surface of the second grid pattern and a third grid pattern formed on the second grid pattern on which the support layer is formed, and the wire grid polarizer described above . According to the present invention, the height of the lattice pattern can be increased while improving the structural stability, so that the polarizing characteristic improving effect and the polarization characteristic improving effect of the luminance of the liquid crystal display device can be obtained.

Description

와이어 그리드 편광자 및 그 제조방법, 와이어 그리드 편광자를 포함한 액정표시장치{A WIRE GRID POLARIZER, LIQUID CRYSTAL DISPLAY INCLUDING THE SAME AND METHOD OF MANUFACTURING THE WIRE GRID POLARIZER}TECHNICAL FIELD [0001] The present invention relates to a wire grid polarizer, a method of manufacturing the wire grid polarizer, a wire grid polarizer, a liquid crystal display device including the wire grid polarizer,

본 발명은 광학소자 기술분야에 관한 것으로서, 보다 자세하게는 종횡비가 향상된 와이어 그리드 편광자 및 그 제조방법과 이를 포함한 액정표시장치에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an optical element technology field, and more particularly, to a wire grid polarizer having an improved aspect ratio, a manufacturing method thereof, and a liquid crystal display device including the same.

편광자 혹은 편광 소자란 자연광과 같은 비편광된 빛 중에서 특정한 진동 방향을 갖는 직선 편광을 끌어내는 광학 소자를 의미한다. 일반적으로, 입사되는 전자기파의 반 파장보다 금속 선 배열의 주기가 짧을 경우, 금속선과 평행한 편광 성분(s 파)은 반사되고 수직한 편광 성분(p 파)은 투과한다. 이 현상을 이용하면 편광 효율이 우수하고, 투과율이 높으며, 시야각이 넓은 평판 편광자(planar polarizer)를 제작할 수 있다. 이러한 소자를 선 격자 편광자 또는 와이어 그리드 편광자(wire grid polarizer)라고 한다.A polarizer or a polarizing element means an optical element that extracts linearly polarized light having a specific vibration direction from unpolarized light such as natural light. Generally, when the period of the metal line arrangement is shorter than the half wavelength of the incident electromagnetic wave, the polarization component (s wave) parallel to the metal line is reflected and the vertical polarization component (p wave) is transmitted. Using this phenomenon, a planar polarizer having a high polarization efficiency, a high transmittance, and a wide viewing angle can be manufactured. Such a device is referred to as a line grid polarizer or wire grid polarizer.

도 1은 종래의 와이어 그리드 편광자의 구조와 기능을 도시한 것으로, 일정한 주기(A)를 가지고 배치되는 일정 두께(h)의 금속격자패턴(2)과 기판(1)상에 배열된 구조를 구비하며, 이러한 와이어 그리드 편광자의 미세 금속격자패턴의 주기는 특히 가시광선 파장의 절반 이하로 제작하게 된다. 이러한 와이어 그리드 편광자는 입사광의 파장보다 충분히 작을 경우 비편광 상태의 빛이 입사될 때 전도성의 격자패턴과 직교하는 벡터를 가지는 성분, 즉 P 편광은 투과하고 격자패턴과 평행한 벡터를 가지는 성분, 즉 S 편광은 반사시키게 된다.FIG. 1 shows the structure and function of a conventional wire grid polarizer. The metal grid pattern 2 has a constant thickness h arranged with a constant period A and a structure arranged on the substrate 1 And the period of the fine metal grid pattern of the wire grid polarizer is made to be less than half of the wavelength of visible light. When the unpolarized light is incident on the wire grid polarizer sufficiently smaller than the wavelength of the incident light, a component having a vector orthogonal to the conductive lattice pattern, that is, a component having a vector that transmits the P polarized light and is parallel to the lattice pattern, S polarized light is reflected.

상술한 와이어 그리드 편광자의 성능을 결정하는 요인 중 가장 중요한 것으로 격자패턴 간 간격 피치와 입사광 파장과의 관계로서, 격자패턴 간 피치가 충분히 작지 못할 경우에 입사광을 편광시키지 못하고 회절시키게 되어 원하는 효과를 기대하기 힘들다. 이와 같이, 와이어 그리드 편광자의 편광 특성은 격자패턴 간 피치, 격자패턴의 폭과 높이의 비가 중요한 요소가 된다. 이에 따라 격자패턴의 폭 및 높이를 조절하기 위하여 한국공개특허 제10-2010-0112926호에는 기판상에 임프린트 공정으로 제1격자패턴을 형성하고, 증착 및 습식에칭공정을 통해 제1격자패턴상에 제2격자패턴을 형성하여 와이어 그리드 편광자를 제조하는 기술이 제안되었다. 그러나 한국공개특허 제10-2010-0112926호에 기재된 종래의 와이어 그리드 편광자 제조기술은, 등방성을 갖는 습식에칭공정의 한계로 인해 격자패턴의 폭 대비 높이비를 높이게 되면, 격자패턴의 폭이 현격하게 줄어들어 제조하고자 하는 금속 격자패턴의 폭을 만족하지 못하는 문제점이 존재하였다. Among the factors determining the performance of the wire grid polarizer described above, when the pitch between the lattice patterns is not sufficiently small in relation to the interval pitch between the lattice patterns and the wavelength of the incident light, the incident light is not polarized and diffracted, It is hard to do. As described above, the polarization characteristic of the wire grid polarizer is an important factor of the pitch between the lattice patterns and the ratio of the width and height of the lattice pattern. In order to control the width and height of the lattice pattern, Korean Patent Laid-Open No. 10-2010-0112926 discloses a method of forming a first lattice pattern by an imprint process on a substrate and forming a first lattice pattern on the first lattice pattern through a deposition and wet etching process And a second grid pattern is formed to produce a wire grid polarizer. However, in the conventional wire grid polarizer manufacturing technology disclosed in Korean Patent Laid-Open No. 10-2010-0112926, when the width-to-height ratio of the lattice pattern is increased due to the limitation of the wet etching process having isotropy, There is a problem that the width of the metal grid pattern to be manufactured can not be satisfied.

한국공개특허 제10-2010-0112926호(2010.10.20.공개)Korean Patent Publication No. 10-2010-0112926 (published on October 20, 2010)

본 발명은 상술한 종래의 문제점을 해결하기 위해 제안된 것으로서, 본 발명의 목적은 광 흡수기능, 광 반사기능 및 정전기 방지기능을 동시에 가지는 와이어 그리드 편광자를 편광판으로 사용한 횡전계형 액정표시장치를 제공함으로써, 정전기에 의한 기기의 오작동을 방지하고 제조공정의 효율성을 향상시키는 데 있다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been proposed in order to solve the conventional problems described above, and it is an object of the present invention to provide a transverse electric field type liquid crystal display device using a wire grid polarizer having a light absorption function, a light reflection function and an anti- , Preventing malfunction of the device due to static electricity, and improving the efficiency of the manufacturing process.

상술한 과제를 해결하기 위한 본 발명의 와이어 그리드 편광자는 투명기판; 상기 투명기판 상부에 형성된 복수의 제1격자패턴; 상기 제1격자패턴 상부에 형성된 제2격자패턴; 상기 제1격자패턴 및 상기 제2격자패턴의 표면에 형성된 지지층; 상기 지지층이 형성된 상기 제2격자패턴 상부에 형성된 제3격자패턴을 포함할 수 있다.The wire grid polarizer of the present invention for solving the above-mentioned problems includes a transparent substrate; A plurality of first grid patterns formed on the transparent substrate; A second lattice pattern formed on the first lattice pattern; A support layer formed on a surface of the first grid pattern and the second grid pattern; And a third grid pattern formed on the second grid pattern on which the support layer is formed.

본 발명의 와이어 그리드 편광자에 있어서, 상기 지지층은 투명 재질로 형성되는 것이 바람직하다.In the wire grid polarizer of the present invention, it is preferable that the support layer is formed of a transparent material.

본 발명의 와이어 그리드 편광자에 있어서, 상기 지지층은, 폴리머 또는 산화물로 형성될 수 있다.In the wire grid polarizer of the present invention, the support layer may be formed of a polymer or an oxide.

본 발명의 와이어 그리드 편광자에 있어서, 상기 제3격자패턴은, 금속재질로 형성되는 것이 바람직하다.In the wire grid polarizer of the present invention, it is preferable that the third grating pattern is formed of a metal material.

본 발명의 와이어 그리드 편광자에 있어서, 상기 제3격자패턴은, 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 은(Ag), 구리(Cu), 니켈(Ni), 코발트(Co), 몰리브덴(Mo) 중 선택되는 어느 하나의 금속 또는 이들의 합금으로 형성될 수 있다.In the wire grid polarizer of the present invention, the third grating pattern may be formed of a material selected from the group consisting of Al, Cr, Ag, Cu, Ni, Co, Or an alloy of any of these metals.

본 발명의 와이어 그리드 편광자에 있어서, 상기 제1격자패턴은 폴리머로 형성되고, 상기 제2격자패턴은 금속재질로 형성될 수 있다.In the wire grid polarizer of the present invention, the first lattice pattern may be formed of a polymer, and the second lattice pattern may be formed of a metal material.

본 발명의 와이어 그리드 편광자에 있어서, 상기 제2격자패턴은, 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 은(Ag), 구리(Cu), 니켈(Ni), 코발트(Co), 몰리브덴(Mo) 중 선택되는 어느 하나의 금속 또는 이들의 합금으로 형성될 수 있다.In the wire grid polarizer of the present invention, the second lattice pattern may be formed of a material selected from the group consisting of Al, Cr, Ag, Cu, Ni, Co, Or an alloy of any of these metals.

본 발명의 와이어 그리드 편광자에 있어서, 상기 제2격자패턴과 상기 제3격자패턴은 동일한 재질로 형성될 수 있다.In the wire grid polarizer of the present invention, the second grid pattern and the third grid pattern may be formed of the same material.

상술한 본 발명의 와이어 그리드 편광자에 있어서, 상기 제1격자패턴 또는 상기 제2격자패턴의 주기는 100nm 내지 200nm의 범위에서 형성될 수 있다.In the wire grid polarizer of the present invention described above, the period of the first grating pattern or the second grating pattern may be in the range of 100 nm to 200 nm.

본 발명의 와이어 그리드 편광자에 있어서, 상기 제1격자패턴은, 폭이 10nm 내지 200nm 의 범위에서 형성되고, 높이는 10nm 내지 500nm의 범위에서 형성될 수 있다.In the wire grid polarizer of the present invention, the first lattice pattern may be formed with a width in a range of 10 nm to 200 nm, and a height in a range of 10 nm to 500 nm.

본 발명의 와이어 그리드 편광자에 있어서, 상기 제1격자패턴의 폭과 높이의 비율은 1:(0.2~5)를 만족하는 것이 바람직하다.In the wire grid polarizer of the present invention, the ratio of the width and the height of the first lattice pattern preferably satisfies 1: (0.2 to 5).

본 발명의 와이어 그리드 편광자에 있어서, 상기 제1격자패턴의 폭과 상기 제2격자패턴의 폭의 비율은 1:(0.2~1.5)를 만족하는 것이 바람직하다.In the wire grid polarizer of the present invention, the ratio of the width of the first lattice pattern to the width of the second lattice pattern preferably satisfies 1: (0.2 to 1.5).

본 발명의 와이어 그리드 편광자에 있어서, 상기 제1격자패턴의 폭과 높이의 비율은 1:(0.2~5)를 만족하는 것이 바람직하다.In the wire grid polarizer of the present invention, the ratio of the width and the height of the first lattice pattern preferably satisfies 1: (0.2 to 5).

본 발명의 와이어 그리드 편광자에 있어서, 상기 제2격자패턴의 폭은 2nm~300nm의 범위에서 형성될 수 있다.In the wire grid polarizer of the present invention, the width of the second lattice pattern may be in the range of 2 nm to 300 nm.

상술한 과제를 해결하기 위한 본 발명의 액정표시장치는, 광원에서 발산되는 상부로 발산하는 백라이트 유닛; 상기 백라이트 유닛 상부에 적층되어, 화소를 형성하는 액정 패널; 상기 액정패널의 상부 또는 하부에 배치되는 상술한 와이어 그리드 편광자를 포함할 수 있다.According to an aspect of the present invention, there is provided a liquid crystal display device including: a backlight unit that emits light upward from a light source; A liquid crystal panel stacked on the backlight unit to form pixels; And the wire grid polarizer described above disposed on the upper or lower portion of the liquid crystal panel.

상술한 과제를 해결하기 위한 본 발명의 와이어 그리드 편광자 제조방법은, 투명기판 상에 복수의 제1격자패턴을 형성하고, 상기 제1격자패턴상에 제2격자패턴을 형성하고, 상기 제1격자패턴 및 상기 제2격자패턴의 표면에 지지층을 증착 형성하고, 상기 제2격자패턴상에 제3격자패턴을 형성하는 것을 포함하여 이루어질 수 있다.According to an aspect of the present invention, there is provided a wire grid polarizer manufacturing method comprising: forming a plurality of first grid patterns on a transparent substrate; forming a second grid pattern on the first grid pattern; Depositing a support layer on the pattern and the surface of the second grating pattern, and forming a third grating pattern on the second grating pattern.

본 발명의 와이어 그리드 편광자 제조방법에 있어서, 상기 지지층을 증착 형성하는 것은, 스퍼터링법, 화학기상증착법, 이배포레이션(Evaporation)법 중 어느 하나의 방법을 이용하여 상기 제1격자패턴 및 상기 제2격자패턴의 표면에 투명재질의 물질을 증착하는 것을 포함하여 이루어질 수 있다.In the wire grid polarizer manufacturing method of the present invention, the deposition of the support layer may be performed by any one of a sputtering method, a chemical vapor deposition method, and an evaporation method, And depositing a transparent material on the surface of the grid pattern.

본 발명의 와이어 그리드 편광자 제조방법에 있어서, 상기 투명재질의 물질로서 폴리머 또는 산화물이 이용될 수 있다.In the wire grid polarizer manufacturing method of the present invention, a polymer or an oxide may be used as the transparent material.

본 발명의 와이어 그리드 편광자 제조방법에 있어서, 상기 제3격자패턴을 형성하는 것은, 상기 제2격자패턴 상에 금속재질의 물질을 증착하여 제3격자베이스층을 형성하고, 상기 제3격자베이스층을 습식에칭하는 것을 포함하여 이루어질 수 있다.In the wire grid polarizer manufacturing method of the present invention, the formation of the third lattice pattern may include depositing a metal material on the second lattice pattern to form a third lattice base layer, May be referred to as wetting.

본 발명의 와이어 그리드 편광자 제조방법에 있어서, 상기 금속재질의 물질은, 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 은(Ag), 구리(Cu), 니켈(Ni), 코발트(Co), 몰리브덴(Mo) 중 선택되는 어느 하나의 금속 또는 이들의 합금이 이용될 수 있다.In the wire grid polarizer manufacturing method of the present invention, the metal material may be at least one selected from the group consisting of Al, Cr, Ag, Cu, Ni, Co, Mo) or an alloy thereof may be used.

본 발명의 와이어 그리드 편광자 제조방법에 있어서, 상기 금속재질의 물질을 증착하는 것은, 스퍼터링 방법, 화학기상증착법, 이배포레이션(Evaporation)법 중 적어도 어느 하나의 방법에 의해 이루어질 수 있다.In the wire grid polarizer manufacturing method of the present invention, the metal material may be deposited by at least one of a sputtering method, a chemical vapor deposition method, and an evaporation method.

본 발명의 와이어 그리드 편광자 제조방법에 있어서, 상기 제1격자패턴을 형성하는 것은, 상기 투명기판상에 폴리머 수지로 이루어진 제1격자베이스층을 형성하고, 상기 제1격자베이스층 상부를 복수의 홈을 갖는 임프린트 몰드로 가압하여 상기 복수의 홈과 대응되는 영역에 상기 제1격자패턴을 형성하는 것을 포함하여 이루어 질 수 있다.In the wire grid polarizer manufacturing method of the present invention, the forming of the first lattice pattern may include forming a first lattice base layer made of a polymer resin on the transparent substrate, And forming the first lattice pattern in a region corresponding to the plurality of grooves.

본 발명의 와이어 그리드 편광자 제조방법에 있어서, 상기 제2격자패턴을 형성하는 것은, 상기 제1격자패턴 상에 금속재질의 물질을 증착하여 제2격자베이스층을 형성하고, 상기 제2격자베이스층을 습식에칭하는 것을 포함하여 이루어질 수 있다.In the wire grid polarizer manufacturing method of the present invention, the formation of the second lattice pattern may include depositing a metal material on the first lattice pattern to form a second lattice base layer, May be referred to as wetting.

본 발명의 와이어 그리드 편광자 제조방법에 있어서, 상기 제2격자베이스층을 이루는 금속재질의 물질은, 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 은(Ag), 구리(Cu), 니켈(Ni), 코발트(Co), 몰리브덴(Mo) 중 선택되는 어느 하나의 금속 또는 이들의 합금이 이용될 수 있다.In the wire grid polarizer manufacturing method of the present invention, the metal material constituting the second lattice base layer may be aluminum (Al), chromium (Cr), silver (Ag), copper (Cu) Cobalt (Co), and molybdenum (Mo), or an alloy thereof.

본 발명의 와이어 그리드 편광자 제조방법에 있어서, 상기 제2격자베이스층 및 상기 제3격자베이스층은, 동일한 물질로 이루어질 수 있다.In the wire grid polarizer manufacturing method of the present invention, the second lattice base layer and the third lattice base layer may be made of the same material.

본 발명의 와이어 그리드 편광자 제조방법에 있어서, 상기 제2격자베이스층을 이루는 금속재질의 물질은, 스퍼터링 방법, 화학기상증착법, 이배포레이션(Evaporation)법 중 적어도 어느 하나의 방법에 의해 상기 제1격자패턴상에 증착될 수 있다.In the wire grid polarizer manufacturing method of the present invention, the metal material constituting the second lattice base layer may be formed by at least one of a sputtering method, a chemical vapor deposition method, and an evaporation method, Can be deposited on the grid pattern.

본 발명의 와이어 그리드 편광자 제조방법에 있어서, 상기 제1격자패턴을 형성하는 것은, 주기 100nm~200nm로 형성되는 복수의 제1격자패턴을 형성하는 과정을 포함하여 이루어질 수 있다.In the wire grid polarizer manufacturing method of the present invention, forming the first grating pattern may include forming a plurality of first grating patterns having a period of 100 nm to 200 nm.

본 발명의 와이어 그리드 편광자 제조방법에 있어서, 상기 제2격자패턴을 형성하는 것은, 상기 제2격자패턴의 폭을 2nm~300nm의 범위로 형성하는 과정을 포함하여 이루어질 수 있다.In the wire grid polarizer manufacturing method of the present invention, forming the second grid pattern may include forming a width of the second grid pattern in a range of 2 nm to 300 nm.

본 발명의 와이어 그리드 편광자 제조방법에 있어서, 상기 제2격자패턴을 형성하는 것은, 상기 제1격자패턴의 폭과 상기 제2격자패턴의 폭의 비율이 1:(0.2~1.5)를 만족하도록 습식에칭하는 것을 포함하여 이루어질 수 있다.In the wire grid polarizer manufacturing method of the present invention, the formation of the second lattice pattern may include forming a second lattice pattern on the first surface of the wire grid polarizer so that the ratio of the width of the first lattice pattern to the width of the second lattice pattern satisfies 1: Etching may be performed.

본 발명의 와이어 그리드 편광자 제조방법에 있어서, 상기 제1격자패턴을 형성하는 것은, 상기 제1격자패턴의 폭은 10nm~200nm, 높이는 10nm~500nm의 범위를 만족하거나, 상기 제1격자패턴의 폭과 높이의 비율이 1:(0.2~5)를 만족하도록 구현하는 과정을 포함하여 이루어질 수 있다.In the wire grid polarizer manufacturing method of the present invention, it is preferable that the first lattice pattern has a width of 10 nm to 200 nm and a height of 10 nm to 500 nm, or the width of the first lattice pattern And a height ratio of 1: (0.2 to 5).

본 발명에 따르면, 투명기판상에 형성된 제1격자패턴, 제1격자패턴 상에 형성된 제2격자패턴, 제1격자패턴 및 제2격자패턴의 표면에 형성된 지지층 및 제2격자패턴 상에 형성된 제3격자패턴을 포함하는 와이어 그리드 편광자를 제공함으로써, 격자패턴의 종횡비를 획기적으로 향상시킬 수 있게 되어 편광특성을 향상시킬 수 있는 효과를 갖는다.According to the present invention, there is provided a liquid crystal display device comprising: a support layer formed on a surface of a first lattice pattern formed on a transparent substrate, a second lattice pattern formed on a first lattice pattern, a first lattice pattern and a second lattice pattern, By providing the wire grid polarizer including the three-grid pattern, it is possible to remarkably improve the aspect ratio of the grid pattern and to improve the polarization characteristic.

아울러 본 발명에 따르면, 지지층을 형성함으로써 제1격자패턴 및 제2격자패턴을 보호할 수 있게 되어 종래에 비해 내구성이 향상된 와이어 그리드 편광자를 제공할 수 있는 효과가 있다. According to the present invention, the first grid pattern and the second grid pattern can be protected by forming the support layer, thereby providing a wire grid polarizer having improved durability as compared with the prior art.

또한 본 발명에 따르면 임프린트 공정, 증착 공정, 습식에칭 공정만으로 와이어 그리드 편광자를 제조할 수 있게 되어, 공정 수 감소에 따른 공정효율성 향상효과 및 이에 따른 제조비용 절감효과를 갖는다.Further, according to the present invention, the wire grid polarizer can be manufactured only by the imprint process, the deposition process, and the wet etching process, and the process efficiency is improved by the reduction in the number of process steps and the manufacturing cost is reduced accordingly.

그리고 본 발명의 와이어 그리드 편광자는 습식에칭공정을 통해 제조되는 바, 상온에서 저가의 제조비용으로 제조할 수 있는 효과, 최적의 높이 및 폭을 가지도록 제2격자패턴 및 제3격자패턴을 형성 가능함에 따른 투과율 향상효과, 휘도 향상효과, 편광 효율을 증가시킬 수 있는 효과도 구현할 수 있다.In addition, the wire grid polarizer of the present invention is manufactured through a wet etching process, so that the second grid pattern and the third grid pattern can be formed so as to have an effect of being manufactured at a low manufacturing cost at room temperature, an optimal height and width It is also possible to realize an effect of improving transmittance, brightness, and polarization efficiency according to the present invention.

도 1은 본 발명에 따른 와이어 그리드 편광자의 작용 원리를 나타낸 사시도이다.
도 2는 본 발명에 따른 와이어 그리드 편광자의 구조를 도시한 것이다.
도 3은 본 발명에 따른 와이어 그리드 편광자의 제조방법을 나타낸 순서도이다.
도 4a 내지 도 4i는 본 발명의 실시예에 따른 와이어 그리드 편광자의 제조방법을 나타낸 제조공정도이다.1 is a perspective view showing the principle of operation of a wire grid polarizer according to the present invention.
2 shows a structure of a wire grid polarizer according to the present invention.
3 is a flowchart showing a method of manufacturing a wire grid polarizer according to the present invention.
4A to 4I are manufacturing process diagrams illustrating a method of manufacturing a wire grid polarizer according to an embodiment of the present invention.

이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명을 용이하게 실시할 수 있는 바람직한 실시예를 상세히 설명한다. 다만 본 명세서에 기재된 실시예와 도면에 도시된 구성은 본 발명의 바람직한 일 실시예에 불과할 뿐이고, 본 출원시점에 있어서 이들을 대체할 수 있는 다양한 균등물과 변형 예들이 있을 수 있음을 이해하여야 한다. 또한, 본 발명의 바람직한 실시예에 대한 동작 원리를 상세하게 설명함에 있어 관련된 공지 기능 또는 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명을 생략한다. 후술되는 용어들은 본 발명에서의 기능을 고려하여 정의된 용어들로서, 각 용어의 의미는 본 명세서 전반에 걸친 내용을 토대로 해석되어야 할 것이다. 도면 전체에 걸쳐 유사한 기능 및 작용을 하는 부분에 대해서는 동일한 도면 부호를 사용한다.DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. It should be understood, however, that the embodiments described herein and the configurations shown in the drawings are only a preferred embodiment of the present invention, and that various equivalents and modifications may be made thereto at the time of the present application. DETAILED DESCRIPTION OF EXEMPLARY EMBODIMENTS Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. In the following description, well-known functions or constructions are not described in detail to avoid obscuring the subject matter of the present invention. The following terms are defined in consideration of the functions of the present invention, and the meaning of each term should be interpreted based on the contents throughout this specification. The same reference numerals are used for portions having similar functions and functions throughout the drawings.

도 2는 본 발명에 따른 와이어 그리드 편광자의 구조를 도시한 것이다.2 shows a structure of a wire grid polarizer according to the present invention.

도 2를 참조하면, 본 발명에 따른 와이어 그리드 편광자(10)는, 투명기판(110), 투명기판(110)상에 형성된 복수의 제1격자패턴(130), 제1격자패턴(130)의 상에 형성된 제2격자패턴(150), 제1격자패턴(130) 및 제2격자패턴(150)의 표면에 형성된 지지층(160), 제2격자패턴(150)의 상부에 형성된 제3격자패턴(190)을 포함하여 구성된다. 2, the wire grid polarizer 10 according to the present invention includes a transparent substrate 110, a plurality of first grid patterns 130 formed on the transparent substrate 110, a plurality of first grid patterns 130, A supporting layer 160 formed on the surfaces of the second grid pattern 150, the first grid pattern 130 and the second grid pattern 150 formed on the second grid pattern 150; (190).

투명기판(110)은 지지체로서 사용되며, 가시광선을 투과시킬 수 있는 유리 기판 및 Quartz, Acryl, TAC(triacetylcellulose), COP(cyclic olefin copolymer), COC(cyclic olefin polymer), PC(polycarbonate), PET(polyethylenenaphthalate), PES(polyethersulfone) 등의 다양한 고분자 등이 사용될 수 있다. 특히 본 발명에서는 일정 정도의 유연성을 가지는 광학용 필름기재로 투명기판(110)을 형성함으로써, 와이어 그리드 편광자 제조시 연속공정으로 처리할 수 있도록 함이 바람직하나, 이에 한정되는 것은 아니다.The transparent substrate 110 is used as a support and includes a glass substrate capable of transmitting visible light and a transparent substrate such as quartz, acryl, triacetylcellulose (TAC), cyclic olefin copolymer (COP), cyclic olefin polymer (COC) (polyethylenenaphthalate), polyethersulfone (PES), and the like can be used. In particular, in the present invention, it is preferable that the transparent substrate 110 is formed of an optical film substrate having a certain degree of flexibility so that it can be processed in a continuous process when manufacturing wire grid polarizers, but the present invention is not limited thereto.

제1격자패턴(130)은 기본적으로 폴리머로 형성되는 수지층(120)의 표면에 일정한 주기를 가지는 돌출패턴의 형상으로 구현될 수 있다. 물론, 도 2에 도시된 구조와 달리 별도의 수지층(120)이 존재하지 않는 격자구조물만으로 구현하는 것도 가능하다. 또한 수지층(120)을 투명기판(110) 상에 도포한 후 몰드를 통해 가압하여 제1격자패턴(130)을 형성하게 되는바, 도 1에 도시된 바와 같이 수지층(120)의 상부에 돌출패턴이 구현되는 구조로 구현하는 것도 가능하다.The first grid pattern 130 may be formed as a protruding pattern having a predetermined period on the surface of the resin layer 120, which is basically formed of polymer. Of course, unlike the structure shown in FIG. 2, it is possible to implement only a lattice structure in which a separate resin layer 120 does not exist. The resin layer 120 is coated on the transparent substrate 110 and then pressed through the mold to form the first grid pattern 130. The first grid pattern 130 is formed on the upper portion of the resin layer 120, It is also possible to implement the structure in which the protrusion pattern is implemented.

제1격자패턴(130)의 주기는 사용하는 빛의 파장의 반 이하가 됨이 바람직하며, 따라서 그 주기는 100nm~200nm의 범위에서 형성될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 이러한 본 발명의 제1격자패턴(130)은 임프린트 몰드를 이용하여 임프린팅 방식으로 패턴을 구현함으로써 형성시킬 수 있다. 특히 본 발명에 따른 제1격자패턴(130)은, 목적에 따라 투명기판(110)에 비해 굴절지수가 낮은 재료 또는 동일하거나 높은 재료로 형성함으로써 광의 이용효율을 높일 수 있도록 함이 더욱 바람직하다. 또한, 본 발명에 따른 제1격자패턴(130)은 제1격자패턴(130)의 폭과 높이의 비율이 1:(0.2~5)를 만족하도록 구현함이 바람직하며, 제1격자패턴(130)의 폭은 10nm~200nm, 높이는 10nm~500nm의 범위를 만족하도록 구현함이 바람직하다. 또한, 제1격자패턴(130)의 주기는 100nm~220nm의 범위에서 구현되는 것이 바람직하나, 이에 한정되는 것은 아니며 제1격자패턴(130)의 형성과정에서 조절 가능하다고 할 것이다.The period of the first grating pattern 130 is preferably half or less of the wavelength of light used, and thus the period may be in the range of 100 nm to 200 nm, but is not limited thereto. The first grid pattern 130 of the present invention can be formed by patterning imprint patterns using an imprint mold. More preferably, the first grating pattern 130 according to the present invention may be formed of a material having a lower refractive index than that of the transparent substrate 110 or a material having the same or higher refractive index than that of the transparent substrate 110 according to the purpose. It is preferable that the first grid pattern 130 according to the present invention is implemented so that the ratio of the width and the height of the first grid pattern 130 satisfies 1: (0.2-5), and the first grid pattern 130 ) Is preferably 10 nm to 200 nm, and the height is preferably 10 nm to 500 nm. The period of the first grating pattern 130 is preferably in the range of 100 nm to 220 nm. However, the period of the first grating pattern 130 is not limited thereto and may be adjusted in the process of forming the first grating pattern 130.

제2격자패턴(150)은 제1격자패턴(130)의 상부에 형성되는 격자패턴을 포괄하여 통칭하는 것으로 정의한다. 본 발명의 제2격자패턴(150)은 전도성 물질로 형성된 미세 돌출패턴이 일정한 주기를 가지고 배열되는 구조를 구비하며, 특히 제1격자패턴(130)의 상부면에 증착 등의 공정으로 형성되는 돌출구조물이다. 여기에서 주기란 하나의 격자패턴(이를테면, 제2격자 패턴)과 이웃하는 격자패턴(이를 테면, 제2격자패턴)의 거리를 의미한다. The second lattice pattern 150 is defined as including a lattice pattern formed on the first lattice pattern 130. The second grid pattern 150 of the present invention has a structure in which fine protrusion patterns formed of a conductive material are arranged with a predetermined period. In particular, a protrusion formed by a process such as deposition on the upper surface of the first grid pattern 130 It is a structure. Here, a period means a distance between a grid pattern (e.g., a second grid pattern) and a neighboring grid pattern (e.g., a second grid pattern).

제2격자패턴(150)을 형성하는 전도성 물질로서는 금속, 금속산화물 등이 이용될 수 있다. 예컨대 전도성 물질로서 금속물질이 이용되는 경우, 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 은(Ag), 구리(Cu), 니켈(Ni), 코발트(Co), 몰리브덴(Mo) 중 선택되는 어느 하나의 금속 또는 이들의 합금을 이용하여 제2격자패턴(150)을 형성할 수 있다. 여기서 제2격자패턴의 형성방법은, 전도성 물질(예컨대 금속물질)을 스퍼터링(sputtering)법이나 화학증착법, 이배포레이션(evaporation) 등과 같은 방식으로 증착하고, 습식에칭공정을 거침으로써 구현할 수 있다. 다만, 상술한 내용은 하나의 예시일 뿐, 본 발명의 제2격자패턴(730)은 현재 개발되어 상용화되었거나 향후 기술발전에 따라 구현 가능한 모든 전도성 물질로 구현할 수 있다고 할 것이다. 본 발명의 제2격자패턴(150)을 금속재질로 구현함으로써, 빛의 반사에 따른 광 재활용률을 높일 수 있게 되어, 액정표시장치에 장착시, 휘도를 향상시키는 기능을 수행하게 된다.As the conductive material forming the second grid pattern 150, a metal, a metal oxide, or the like may be used. For example, when a metal material is used as the conductive material, any one selected from aluminum (Al), chromium (Cr), silver (Ag), copper (Cu), nickel (Ni), cobalt (Co), and molybdenum The second grid pattern 150 may be formed using a metal or an alloy thereof. Here, the second grid pattern may be formed by depositing a conductive material (e.g., a metal material) by a method such as a sputtering method, a chemical vapor deposition method, an evaporation method, or the like and performing a wet etching process. However, the above description is merely an example, and the second grid pattern 730 of the present invention can be implemented with all the conductive materials that have been developed, commercialized, or can be implemented according to future technological developments. By implementing the second grid pattern 150 of the present invention with a metal material, it is possible to increase the light recycling rate according to the reflection of light, thereby performing the function of improving the brightness when the second grid pattern 150 is mounted on the liquid crystal display device.

또한, 제2격자패턴(150)의 단면 형상은 사각형, 삼각형, 반원형 등 다양한 구조를 가질 수 있고, 삼각형, 사각형, 사인파 등의 형태로 패턴된 투명기판 상측 일부에 형성된 금속 선 형태를 가질 수도 있다. 즉, 단면의 구조에 관계없이 한쪽 방향으로 일정한 주기를 갖고 길게 늘어선 금속 선 격자를 형성한 것은 모두 사용될 수 있다. 이 경우 주기는 사용하는 빛의 파장의 반 이하가 됨이 바람직하며, 따라서 그 주기는 100nm~200nm의 범위에서 형성될 수 있다. 또한, 본 발명의 바람직한 실시예에서는 제2격자패턴(150)의 폭과 높이의 비율의 1:(0.5~1.5)로 구현할 수 있다. 특히, 제1격자패턴(130)의 폭과 제2격자패턴(150)의 폭의 비율은 1:(0.2~1.5)의 범위에서 형성할 수 있으며, 구체적으로는 제2격자패턴(150)의 폭은 2nm~300nm의 범위에서 구현될 수 있다.In addition, the cross-sectional shape of the second grid pattern 150 may have various structures such as a quadrangle, a triangle, and a semicircle, and may have a metal line shape formed on a part of the upper side of the transparent substrate patterned in the form of a triangle, . That is, irrespective of the structure of the cross section, it is possible to use a metal line grating having a long period and a constant period in one direction. In this case, the period is preferably half or less of the wavelength of light used, and thus the period can be formed in the range of 100 nm to 200 nm. In a preferred embodiment of the present invention, the ratio of the width and height of the second grid pattern 150 may be 1: 0.5 to 1.5. In particular, the ratio of the width of the first grid pattern 130 to the width of the second grid pattern 150 can be in the range of 1: (0.2 to 1.5) The width can be implemented in the range of 2 nm to 300 nm.

나아가, 본 발명에 따른 와이어 그리드 편광자(10)에서는 각각 이 두 개의 격자 (제1 및 제2격자패턴)의 높이와 폭에 따라 투과율을 조절할 수 있다. 동일 피치(pitch)에서 격자의 폭이 넓어지면 투과율은 낮아지고 편광 소멸비는 높아지게 된다. 또한 피치가 감소할수록 편광 특성이 증가되며, 동일 격자 간의 거리 및 동일 격자의 폭으로 형성할 경우에 격자 높이가 증가할수록 편광 특성이 증가된다. 더불어 동일 격자 간의 거리 및 동일 격자의 높이로 형성할 경우에 격자의 폭이 증가할수록 편광 특성이 향상된다. 따라서, 본 발명의 제1격자패턴(130)의 폭과 제2격자패턴(150) 폭의 비율이 1:(0.2~1.5)의 범위에서 형성되는 것이 바람직하다. 최대의 편광 효율을 확보하기 위함이다.Further, in the wire grid polarizer 10 according to the present invention, the transmittance can be adjusted according to the height and width of the two gratings (first and second grating patterns). If the width of the grating becomes wider at the same pitch, the transmittance becomes lower and the polarization extinction ratio becomes higher. Also, as the pitch is decreased, the polarization characteristics are increased. When the distance between the same lattices and the width of the same lattice are formed, the polarization characteristics are increased as the lattice height is increased. In addition, when the distance between the same gratings and the height of the same grating are increased, the polarization characteristics are improved as the width of the grating increases. Therefore, it is preferable that the ratio of the width of the first grid pattern 130 to the width of the second grid pattern 150 is 1: (0.2 to 1.5). So as to secure the maximum polarization efficiency.

지지층(160)은 제1격자패턴(130) 및 제2격자패턴(150)의 표면에 형성되어 차후 제3격자패턴(190) 형성시 수행되는 에칭공정에서 제1격자패턴(130) 및 제2격자패턴(150)를 보호하는 역할을 수행한다. 이러한 본 발명의 지지층(160)은 투명재질로 형성되어 높은 광투과성을 가지는 것이 바람직하며, 이러한 투명재질로서 SiO2, MgO2, CeO2, ZrO2, ZnO, ITO 등의 투명한 금속산화물, 폴리머 수지 또는 산화물(Oxide)이 이용될 수 있다. 다만 이는 하나의 예시일 뿐이며, 에칭 베리어 역할을 수행할 수 있는 모든 물질로 본 발명의 지지층(160)을 형성할 수 있다고 할 것이다. 이러한 지지층(160)의 형성은 이배포레이션(Evaporation)법에 의하여 제1격자패턴 및 제2격자패턴 표면에 투명재질을 증착하는 방법에 의해 이루어질 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 와이어 그리드 편광자(10)는 상술한 지지층(160)을 구비함으로써 차후 제2격자패턴(150)상에 제3격자패턴(190)을 더 형성할 수 있게 되어 와이어 그리드 편광자(10)의 종횡비를 향상시키는 효과 및 이에 따른 편광 특성 향상효과를 갖게 된다. 또한, 지지층(160)을 형성함에 따라 제1격자패턴(130)과 제2격자패턴(150)의 결합력이 향상되고, 외부로부터의 먼지유입 및 스크래치 발생을 방지할 수 있게 되며, 미세구조물인 제1격자패턴(130) 및 제2격자패턴(150) 보호할 수 있다. 이에 따라 내구성, 구조적 안정성 및 신뢰도가 향상된 와이어 그리드 편광자(10)를 제공할 수 있는 효과도 추가로 갖게 된다.The support layer 160 is formed on the surfaces of the first grid pattern 130 and the second grid pattern 150 so that the first grid pattern 130 and the second grid pattern 130 are formed in the etching process, And protects the grid pattern 150. The support layer 160 of the present invention is preferably formed of a transparent material and has high transparency. Examples of the transparent material include transparent metal oxides such as SiO 2 , MgO 2 , CeO 2 , ZrO 2 , ZnO, and ITO, Or oxide may be used. It will be appreciated that this is only an example and that the support layer 160 of the present invention can be formed of any material capable of acting as an etch barrier. The formation of the support layer 160 may be performed by a method of evaporating a transparent material on the surfaces of the first grid pattern and the second grid pattern by the evaporation method, but the present invention is not limited thereto. The wire grid polarizer 10 of the present invention can further form the third grid pattern 190 on the second grid pattern 150 by providing the support layer 160 as described above, The effect of improving the aspect ratio and the effect of improving the polarization characteristics are obtained. As the support layer 160 is formed, the bonding force between the first grid pattern 130 and the second grid pattern 150 is improved, dust inflow from the outside and generation of scratches can be prevented. As a result, 1 grid pattern 130 and the second grid pattern 150 can be protected. This further provides the effect of providing the wire grid polarizer 10 with improved durability, structural stability and reliability.

제3격자패턴(190)은 지지층(160)이 형성된 제2격자패턴(150)의 상부에 형성되는 격자패턴을 포괄하여 통칭하는 것으로 정의한다. 이러한 본 발명의 제3격자패턴(190)은 제2격자패턴(150)과 마찬가지로 전도성 물질로 형성된 미세 돌출패턴이 일정한 주기를 가지고 배열되는 구조물이다. 이러한 제3격자패턴을 형성하는 전도성 물질로서 금속, 금속산화물 등이 이용될 수 있다. 예컨대 전도성 물질로서 금속물질이 이용되는 경우, 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 은(Ag), 구리(Cu), 니켈(Ni), 코발트(Co), 몰리브덴(Mo) 중 선택되는 어느 하나의 금속 또는 이들의 합금을 이용하여 제3격자패턴(190)을 형성할 수 있으며, 제2격자패턴(150)과 동일한 물질로 형성하는 것도 가능하다. 제3격자패턴(190)의 형성방법은, 제2격자패턴(150)의 경우와 마찬가지로, 전도성 물질(예컨대 금속물질)을 스퍼터링(sputtering)법이나 화학증착법, 이배포레이션(evaporation) 등과 같은 방식으로 증착하고, 습식에칭공정을 거침으로써 구현할 수 있다. The third grid pattern 190 is defined to include a grid pattern formed on the second grid pattern 150 on which the support layer 160 is formed. The third grid pattern 190 of the present invention is a structure in which fine protrusion patterns formed of a conductive material are arranged with a constant period in the same manner as the second grid patterns 150. A metal, a metal oxide, or the like may be used as a conductive material for forming the third grid pattern. For example, when a metal material is used as the conductive material, any one selected from aluminum (Al), chromium (Cr), silver (Ag), copper (Cu), nickel (Ni), cobalt (Co), and molybdenum The third grid pattern 190 may be formed using a metal of the second grid pattern 150 or an alloy thereof. Alternatively, the third grid pattern 190 may be formed of the same material as the second grid pattern 150. The third grid pattern 190 may be formed by a method such as a sputtering method, a chemical vapor deposition method, a evaporation method, or the like in the same manner as the case of the second grid pattern 150 And then performing a wet etching process.

본 발명의 와이어 그리드 편광자(10)는 상술한 제3격자패턴(190)을 더 형성함으로써 전체 격자패턴의 높이를 증가시킬 수 있게 되어 편광 특성을 향상시킬 수 있는 이점을 갖는다. The wire grid polarizer 10 of the present invention has an advantage that the height of the entire grid pattern can be increased by further forming the third grid pattern 190 to improve the polarization characteristic.

한편 도면에는 미도시 하였으나, 상술한 구조를 갖는 와이어 그리드 편광자를 화소를 형성하는 액정패널의 상부 및 하부 중 적어도 어느 하나에 부착하고, 이 액정패널을 광원에서 발생되는 광을 상부로 발산하는 백라이트 유닛 상부에 위치시킴으로써 액정표시장치를 제조할 수 있다. 본 발명의 액정표시장치는, 제3격자패턴을 더 구비하여 종횡비가 향상된 상술한 구조의 와이어 그리드 편광자를 포함함에 따라, 휘도와 편광 효율이 향상되는 이점을 갖는다. 또한, 와이어 그리드 편광자 내부에 지지층을 형성함에 따라 액정표시장치의 내구성 및 신뢰도가 향상되는 이점도 갖게 된다.Although not shown in the drawing, a wire grid polarizer having the above-described structure is attached to at least one of the upper and lower portions of a liquid crystal panel forming a pixel, and the liquid crystal panel is connected to a backlight unit The liquid crystal display device can be manufactured. The liquid crystal display device of the present invention has an advantage of improving brightness and polarization efficiency by including the wire grid polarizer having the above-described structure further comprising the third grating pattern and improving the aspect ratio. Further, since the support layer is formed inside the wire grid polarizer, the durability and reliability of the liquid crystal display device are improved.

도 3은 본 발명에 따른 와이어 그리드 편광자의 제조방법을 나타낸 순서도이다.3 is a flowchart showing a method of manufacturing a wire grid polarizer according to the present invention.

도 2 및 도 3을 참조하면, 본 발명에 따른 와이어 그리드 편광자 제조방법은, 투명 기판상에 복수의 제1격자패턴을 형성하고(S1), 제1격자패턴상에 제2격자패턴을 형성하고(S3), 제1격자패턴 및 제2격자패턴 표면에 지지층을 형성하고(S5), 제2격자패턴상에 제3격자패턴을 형성하는 것(S11), 제조한 와이어 그리드 편광자를 액정패널상에 부착(S13)하는 것을 포함하여 이루어질 수 있다. 2 and 3, a method of manufacturing a wire grid polarizer according to the present invention includes forming a plurality of first grid patterns on a transparent substrate (S1), forming a second grid pattern on the first grid pattern (S5) and forming a third grating pattern on the second grating pattern (S11). The produced wire grid polarizer is placed on the liquid crystal panel panel (S13).

S1단계에서 사용되는 투명기판은 지지체로서 사용되며, 가시광선을 투과시킬 수 있는 유리 기판 및 Quartz, Acryl, TAC(triacetylcellulose), COP(cyclic olefin copolymer), COC(cyclic olefin polymer), PC(polycarbonate), PET(polyethylenenaphthalate), PES(polyethersulfone) 등의 다양한 고분자 등이 사용될 수 있다. 이외에 투명기판에 대한 내용은 도 2의 설명에서 상술한 바와 동일한 바, 생략한다.The transparent substrate used in the step S1 is used as a support, and a glass substrate capable of transmitting visible light and a transparent substrate such as Quartz, Acryl, TAC (triacetylcellulose), COP (cyclic olefin copolymer), COC (cyclic olefin polymer) , Polyethylenenaphthalate (PET), polyethersulfone (PES), and the like. The details of the transparent substrate are the same as those described in the description of FIG. 2, and are omitted.

제1격자패턴을 형성하는 과정은 나노 임프린팅 공정에 의해 수행 가능하다. 즉 투명기판 상에 폴리머 수지, 예컨대 UV 레진(resin)을 도포하여 수지층인 제1격자베이스층을 형성한다. 이어서, 제1격자베이스층 상부에 홈과 돌출부를 가지는 임프린트 몰드를 정렬한다. 여기서, 임프린트 몰드의 복수개의 홈 및 돌출부는 서로 일정 간격 이격된 형태로 반복하여 형성된 형태를 갖는다. 또한, 임프린트 몰드의 홈은 제1격자패턴이 형성될 위치와 대응된다.The process of forming the first lattice pattern can be performed by a nanoimprinting process. That is, a polymer resin such as UV resin is coated on a transparent substrate to form a first lattice base layer which is a resin layer. Then, the imprint mold having grooves and protrusions on the first lattice base layer is aligned. Here, the plurality of grooves and protrusions of the imprint mold are repeatedly formed at a predetermined distance from each other. Further, the grooves of the imprint mold correspond to the positions where the first lattice pattern is to be formed.

이후 임프린트 몰드의 홈 부분과 제1격자베이스층이 접촉되도록 가압한 뒤, UV를 조사하여 광경화를 수행한다. 이에 따라, 투명기판의 상부에는 임프린트 몰드의 홈과 대응되는 부분에 복수의 제1격자패턴이 형성된다. 이때 임프린트 몰드는 자외선이 투과할 수 있도록 석영등과 같은 투명한 소재로 이루어짐이 바람직하다. 한편, 임프린트 몰드에 형성된 홈의 폭은 10nm 내지 200nm의 범위에서 구현됨이 바람직하나 이에 한정되지는 않는다. 홈과 대응되는 부분에 형성되는 제1격자패턴의 폭이 10nm 내지 200nm의 범위를 갖도록 하기 위함이다. 다만 이는 하나의 예시일 뿐이며, 임프린트 몰드 홈의 폭 및 제1격자패턴의 폭을 조절할 수 있음은 당업자에게 자명하다.Thereafter, the groove portion of the imprint mold and the first lattice base layer are brought into contact with each other, followed by UV irradiation to perform photo-curing. Accordingly, a plurality of first grid patterns are formed on the upper portion of the transparent substrate at portions corresponding to the grooves of the imprint mold. At this time, the imprint mold is preferably made of a transparent material such as quartz so that ultraviolet rays can be transmitted. Meanwhile, the width of the groove formed in the imprint mold is preferably in the range of 10 nm to 200 nm, but is not limited thereto. And the width of the first lattice pattern formed on the portion corresponding to the groove is in the range of 10 nm to 200 nm. It is apparent to those skilled in the art that this is only an example and that the width of the imprint mold groove and the width of the first lattice pattern can be adjusted.

아울러 임프린트 몰드의 홈의 깊이는 10nm 내지 500nm의 범위에서 구현됨이 바람직하나 이에 한정되지는 않는다. 홈과 대응되는 부분에 형성되는 제1격자패턴의 높이가 10nm 내지 500nm의 범위를 갖도록 하기 위함이다. 다만 이는 하나의 예시일 뿐이며, 임프린트 몰드 홈의 깊이 및 제1격자패턴의 높이를 조절할 수 있음은 당업자에게 자명하다. The depth of the grooves of the imprint mold is preferably in the range of 10 nm to 500 nm, but is not limited thereto. And the height of the first lattice pattern formed on the portion corresponding to the groove has a range of 10 nm to 500 nm. It is apparent to those skilled in the art that this is only an example and that the depth of the imprint mold groove and the height of the first lattice pattern can be adjusted.

이와 더불어 임프린트 몰드에 일정간격으로 형성된 홈 및 돌출부의 주기는 100nm 내지 200nm의 범위에서 구현됨이 바람직하나 이에 한정되지는 않는다. 임프린트 몰드에 의해 형성되는 제1격자패턴의 주기가 100nm 내지 200nm의 범위에서 구현되도록 하기 위함이다.In addition, the period of the grooves and protrusions formed at predetermined intervals in the imprint mold is preferably in the range of 100 nm to 200 nm, but is not limited thereto. So that the period of the first lattice pattern formed by the imprint mold is realized in the range of 100 nm to 200 nm.

또한 제1격자패턴의 폭과 높이의 비율은 1:(0.2~5)를 만족하도록 구현되는 것이 바람직함은 도 2의 설명에서 상술한 바와 같다.In addition, it is preferable that the ratio of the width and the height of the first lattice pattern be 1: (0.2 to 5), as described above in the description of FIG.

한편, 상술한 실시예에서는 제1격자베이스층을 형성하는 폴리머 수지가 광경화성 수지인 경우로 설명하였으나, 열경화성 수지도 필요에 따라 사용될 수 있으며, 이에 따라 제1격자베이스층을 임프린트 몰드로 가압 한 후 열경화 과정을 수행함으로써 본 발명의 제1격자패턴을 형성할 수도 있다. 예컨대, 열경화성 수지로 제1격자베이스층을 형성한 후, 가열된 임프린트 몰드로 가압하여 제1격자베이스층을 경화함으로써 본 발명의 제1격자패턴을 형성할 수도 있다. 한편, 제1격자베이스층을 형성하는 물질이 열경화성 수지인 경우, 임프린트 몰드는 가열 및 고압공정에 견딜 수 있는 소재로 이루어짐이 바람직하다.Meanwhile, in the above-described embodiment, the case where the polymer resin forming the first lattice base layer is a photo-curing resin has been described. However, a thermosetting resin can also be used according to need. Accordingly, the first lattice base layer is pressed with the imprint mold The first lattice pattern of the present invention may be formed by performing a post-thermal curing process. For example, the first lattice base layer of the present invention can be formed by forming a first lattice base layer with a thermosetting resin and then pressing the first lattice base layer with a heated imprint mold to cure the first lattice base layer. On the other hand, when the material forming the first lattice base layer is a thermosetting resin, the imprint mold is preferably made of a material capable of withstanding the heating and high-pressure process.

S3 단계의 제2격자패턴을 형성하는 과정은 다음과 같이 이루어질 수 있다.The process of forming the second lattice pattern in step S3 may be performed as follows.

제1격자패턴상에 스퍼터링법이나 화학기상증착법, 이배포레이션(Evaporation)등 현재 개발되어 상용화되었거나 향후 기술발전에 따라 구현 가능한 모든 증착방법을 통해 전도성 물질을 증착하여 제2격자베이스층을 형성한다. 여기서 전도성 물질로서 금속, 금속산화물 등이 이용될 수 있으며, 보다 자세하게는 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 은(Ag), 구리(Cu), 니켈(Ni), 코발트(Co), 몰리브덴(Mo) 중 선택되는 어느 하나의 금속 또는 이들의 합금이 이용될 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.A second lattice base layer is formed on the first lattice pattern by depositing a conductive material on the first lattice pattern through a deposition method such as a sputtering method, a chemical vapor deposition method or an evaporation method, . Here, metals, metal oxides, and the like may be used as the conductive material, and more specifically, aluminum, chromium (Cr), silver (Ag), copper (Cu), nickel (Ni), cobalt (Co), molybdenum Mo, or an alloy thereof may be used, but the present invention is not limited thereto.

제2격자베이스층을 형성한 후, 에칭공정을 수행하여 제1격자패턴간의 이격된 공간을 에칭함으로써 제2격자패턴을 형성한다. 여기서 에칭되는 부분은 제1격자패턴간의 이격된 공간뿐만 아니라, 필요에 따라 제1격자패턴상에 형성된 제2격자베이스층의 일부도 에칭될 수 있다. After the second lattice base layer is formed, an etching process is performed to etch the spaced spaces between the first lattice patterns to form a second lattice pattern. Here, the portion to be etched may be etched as well as a part of the second lattice base layer formed on the first lattice pattern as needed, as well as the spaced space between the first lattice patterns.

한편, 상술한 에칭공정은 습식에칭공정으로 진행되는 것이 바람직하며, 습식에칭 공정 시간을 조절함으로써 제2격자패턴의 폭 및 두께를 조절할 수 있다. 다만, 이러한 습식에칭공정을 진행하는 경우에는, 금속물질 증착시 제1격자패턴을 매립하는 구조로 형성하지 않고, 제1격자패턴간에 이격된 공간이 구비되도록 금속물질을 증착하여 금속층을 형성하는 것이 바람직하다. 원활한 습식에칭을 진행하기 위함이다. 이외에 제2격자패턴에 관한 내용은 도 2의 설명에서 상술한 바와 동일한 바, 생략한다.Meanwhile, the above-described etching process preferably proceeds to a wet etching process, and the width and thickness of the second lattice pattern can be adjusted by controlling the wet etching process time. However, when the wet etching process is performed, a metal layer is formed by depositing a metal material so as to have a space spaced apart from the first lattice patterns without forming a structure to embed the first lattice pattern when depositing the metal material desirable. It is for smooth wet etching. The description of the second grid pattern is the same as that described in the description of FIG. 2, and is omitted.

제2격자패턴을 형성한 후, 제1격자패턴 및 제2격자패턴 표면에 지지층을 형성한다(S5). 본 발명의 지지층은 도 2의 설명에서 상술한 바와 같이, 차후 제3격자패턴 형성시 수행되는 에칭공정에서 제1격자패턴 및 제2격자패턴을 보호하는 에칭 배리어 역할을 수행한다. 이러한 본 발명의 지지층은 제1격자패턴 및 제2격자패턴 표면 전부 또는 일부에 형성될 수 있으며, 다만 제2격자패턴의 표면 전부에 형성되는 것이 바람직하다. 금속재질로 이루어지는 제2격자패턴의 에칭을 방지하기 위함이다. 지지층의 형성은 이배포레이션(Evaporation)법에 의하여 제1격자패턴 및 제2격자패턴 표면에 지지층 형성 물질을 증착하는 방법에 의해 이루어질 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니며 이외에도 지지층 형성 물질을 제1격자패턴 및 제2격자패턴 표면에 코팅하는 방법 등, 구현 가능한 모든 기술로 본 발명의 지지층을 형성할 수 있다고 할 것이다. 한편, 지지층 형성 물질은 투명재질로 형성되어 높은 광투과성을 가지는 것이 바람직하다. 이러한 투명재질로서 SiO2, MgO2, CeO2, ZrO2, ZnO, ITO 등의 투명한 금속산화물, 폴리머 수지 또는 산화물(Oxide)이 이용될 수 있으나, 이는 하나의 예시일 뿐이며, 에칭 베리어 역할을 수행할 수 있는 모든 물질로 본 발명의 지지층을 형성할 수 있음은 도 2의 설명에서 상술한 바와 같다.After forming the second lattice pattern, a supporting layer is formed on the surfaces of the first lattice pattern and the second lattice pattern (S5). The supporting layer of the present invention serves as an etching barrier for protecting the first and second lattice patterns in an etching process performed at the time of forming a third lattice pattern, as described in the description of Fig. The support layer of the present invention may be formed on all or a part of the first grid pattern and the second grid pattern surface, but is preferably formed on the entire surface of the second grid pattern. This is to prevent etching of the second lattice pattern made of a metal material. The support layer may be formed by depositing a support layer forming material on the first grid pattern and the second grid pattern by the evaporation method, but the present invention is not limited thereto, And a method of coating the surface of the first lattice pattern and the second lattice pattern. On the other hand, the support layer forming material is preferably formed of a transparent material and has high light transmittance. As such a transparent material, SiO 2, MgO 2, CeO 2, ZrO 2, ZnO, ITO, such as a transparent metal oxide, a polymeric resin or oxides (Oxide), but may be used for, which is just one example of performing the etching barrier role It is possible to form the support layer of the present invention with all materials that can be used as described in the description of FIG.

지지층을 형성한 후, 제2격자패턴 상에 제3격자패턴을 형성하며(S7) 이는 다음과 같이 이루어질 수 있다. After the supporting layer is formed, a third grating pattern is formed on the second grating pattern (S7).

제2격자패턴상에 스퍼터링법이나 화학기상증착법, 이배포레이션(Evaporation)등 현재 개발되어 상용화되었거나 향후 기술발전에 따라 구현 가능한 모든 증착방법을 통해 전도성 물질을 증착하여 제3격자베이스층을 형성한다. 여기서 전도성 물질로서 금속, 금속산화물 등이 이용될 수 있으며, 보다 자세하게는 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 은(Ag), 구리(Cu), 니켈(Ni), 코발트(Co), 몰리브덴(Mo) 중 선택되는 어느 하나의 금속 또는 이들의 합금이 이용될 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다. 한편, 제3격자패턴을 형성하는 물질이 금속 또는 금속산화물인 경우, 습식에칭공정을 수행하여 제3격자패턴을 형성할 수 있으며, 이때 습식에칭 공정 시간을 조절함으로써 제3격자패턴의 폭 및 두께를 조절할 수 있음은 제2격자패턴의 경우와 동일하다. A third lattice base layer is formed on the second lattice pattern by depositing a conductive material on the second lattice pattern through sputtering, chemical vapor deposition, evaporation, or the like, all of which are commercially available or can be implemented according to future technology development . Here, metals, metal oxides, and the like may be used as the conductive material, and more specifically, aluminum, chromium (Cr), silver (Ag), copper (Cu), nickel (Ni), cobalt (Co), molybdenum Mo, or an alloy thereof may be used, but the present invention is not limited thereto. If the material forming the third grid pattern is a metal or a metal oxide, a wet etching process may be performed to form a third grid pattern. In this case, the width and thickness of the third grid pattern Is the same as in the case of the second lattice pattern.

상술한 본 발명의 와이어 그리드 편광자 제조방법에 의하면, 상온에서 습식에칭을 통해 제2격자패턴 및 제3격자패턴을 형성할 수 있는 이점 및 습식에칭 공정 시간을 조절하여 제2격자패턴 및 제3격자패턴의 폭과 높이를 조절할 수 있는 이점을 갖는다. 또한, 에칭 배리어인 지지층을 형성함에 따라 습식에칭 공정을 이용하더라도 구조적 안정성이 높으면서도 전체 격자패턴의 종횡비를 향상시킬 수 있는 이점 및 이에 따라 편광 특성이 향상된 와이어 그리드 편광자를 제공할 수 있는 이점도 갖는다.According to the wire grid polarizer manufacturing method of the present invention, the second grid pattern and the third grid pattern can be formed through wet etching at room temperature, and the time of the wet etching process can be adjusted to form the second grid pattern and the third grid The width and height of the pattern can be adjusted. In addition, by forming the support layer, which is an etching barrier, the wire grid polarizer having an improved aspect ratio of the overall lattice pattern and thus improved polarization characteristics can be provided, even when a wet etching process is used, with high structural stability.

도 4a 내지 도 4i는 본 발명의 실시예에 따른 와이어 그리드 편광자의 제조방법을 나타낸 제조공정도이다.4A to 4I are manufacturing process diagrams illustrating a method of manufacturing a wire grid polarizer according to an embodiment of the present invention.

도 2 내지 도 4i를 참조하면, 도 3a에 도시된 바와 같이 투명기판(110)상에 폴리머 수지를 도포하여 제1격자베이스층(120)을 형성한다.Referring to FIGS. 2 to 4i, a polymeric resin is coated on the transparent substrate 110 to form a first lattice base layer 120 as shown in FIG. 3A.

이후 도 4b에 도시된 바와 같이 제1격자베이스층(120) 상부에 임프린트 몰드(210)를 정렬한다. 여기서 임트린트몰드(210)는 도 2의 설명에서 상술한 바와 같이, 일정 간격으로 정렬된 다수의 돌출부(211)와 각 돌출부간에 형성된 다수의 홈을 갖는다. 여기서 홈의 폭(A)는 10nm 내지 200nm의 범위에서 구현됨이 바람직하며, 홈의 깊이는 10nm 내지 500nm의 범위에서 구현됨이 바람직하나 이에 한정되지는 않음은 도 2 및 도 3의 설명에서 상술한 바와 같다. 또한, 제1격자패턴(130)의 주기는 100nm~250nm의 범위에서 구현되는 것이 바람직하나, 이에 한정되는 것은 아니다.Then, the imprint mold 210 is aligned on the first grid base layer 120 as shown in FIG. 4B. Here, the imprint mold 210 has a plurality of protrusions 211 arranged at regular intervals and a plurality of grooves formed between the protrusions, as described in the description of FIG. Here, the width A of the groove is preferably in the range of 10 nm to 200 nm, and the depth of the groove is preferably in the range of 10 nm to 500 nm, but it is not limited thereto. As shown above. The period of the first grating pattern 130 is preferably in the range of 100 nm to 250 nm, but is not limited thereto.

그리고 도 4c에 도시된 바와 같이 제1격자베이스층(120) 상부를 임프린트 몰드(210)로 가압한 후 도 4d에 도시된 바와 같이 임프린트 몰드(210)를 분리하여 제1격자패턴(130)을 형성한다. 이때 임프린트 몰드(210)로 제1격자베이스층(120)을 가압한 후 분리하기 전에 제1격자베이스층(120)을 이루는 물질 종류에 따라 열경화과정 또는 자외선(UV)조사를 통한 광경화과정을 수행할 수 있다. 4C, after the upper part of the first grid base layer 120 is pressed by the imprint mold 210, the imprint mold 210 is separated as shown in FIG. 4D to form the first grid pattern 130 . The first lattice base layer 120 is pressed with imprint mold 210 before the lattice base layer 120 is separated from the first lattice base layer 120. According to the material of the first lattice base layer 120, Can be performed.

제1격자패턴(130)을 형성한 후, 도 4e에 도시된 바와 같이 제1격자패턴(130)상에 금속재질의 물질을 증착하여 제2격자베이스층(140)을 형성한다. 이때 제2격자베이스층(140)은 제1격자패턴(721)을 매립하는 구조로 형성하고, 그 높이는 제1격자패턴(721)의 높이보다 크게 형성하는 것이 바람직하다. 제2격자베이스층(735)의 높이와 제1격자패턴(721)의 높이의 차이가 차후 형성될 제2격자패턴의 최대두께가 되기 때문이다. 한편, 제2격자베이스층(140)은, 제1격자패턴간의 공간 전체를 매립하는 구조가 아닌, 일정부분의 이격 공간(141)이 구비되는 구조로 형성되는 것이 바람직하다. 여기서 제1격자패턴(7351)상에 증착되는 금속물질로서 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 은(Ag), 구리(Cu), 니켈(Ni), 코발트(Co), 몰리브덴(Mo) 중 선택되는 어느 하나의 금속 또는 이들의 합금이 이용될 수 있으며, 증착방법은 스퍼터링법이나 화학기상증착법, 이배포레이션(Evaporation)등 현재 개발되어 상용화되었거나 향후 기술발전에 따라 구현 가능한 모든 증착방법이 이용될 수 있음은 도 2 및 도 3의 설명에서 상술한 바와 같다.After forming the first lattice pattern 130, a metal material is deposited on the first lattice pattern 130 to form a second lattice base layer 140 as shown in FIG. 4E. At this time, it is preferable that the second grid base layer 140 is formed so as to embed the first grid pattern 721, and the height of the second grid base layer 140 is formed larger than the height of the first grid pattern 721. The difference between the height of the second grid base layer 735 and the height of the first grid pattern 721 is the maximum thickness of the second grid pattern to be formed subsequently. The second grating base layer 140 may be formed in a structure in which a predetermined space 141 is provided instead of filling the entire space between the first grating patterns. Here, the metal material deposited on the first grid pattern 7351 is a metal material such as Al, Cr, Ag, Cu, Ni, Co, Any one of the selected metals or their alloys may be used. The deposition method may be a sputtering method, a chemical vapor deposition method, an evaporation method, or the like. Can be performed as described above in the description of FIG. 2 and FIG.

제2격자베이스층(150)을 형성한 후, 도 4f에 도시된 바와 같이 제1격자패턴(130) 사이의 공간을 에칭하여 제2격자패턴(150)를 형성한다 이때 제2격자패턴(150) 형성을 위한 에칭공정이 습식에칭공정인 경우, 이때 습식에칭 수행 시간을 조절하여 제2격자패턴(150)의 폭 및 두께를 조절할 수 있다. 바람직한 본 발명의 실시예에서는 제2격자패턴(150)의 폭(C)과 높이(D)의 비율의 1:(0.5~1.5)로 구현할 수 있다. 특히, 제1격자패턴(130)의 폭(A)과 제2격자패턴(150)의 폭(C)의 비율은 1:(0.2~1.5)의 범위에서 형성할 수 있으며, 구체적으로는 제2격자패턴(150)의 폭(C)은 2nm~300nm의 범위에서 구현될 수 있다. 아울러 본 발명에 따른 제2격자패턴(150)의 폭(C)은 제1격자패턴(130)의 폭의 (0.2~1.5)배가 되도록 조절함이 바람직함은 도 2 및 도 3의 설명에서 상술한 바와 같다.After forming the second grid base layer 150, a space between the first grid patterns 130 is etched to form a second grid pattern 150 as shown in FIG. 4F. At this time, the second grid pattern 150 ) Is a wet etching process, it is possible to control the width and thickness of the second grid pattern 150 by controlling the wet etching execution time. In the preferred embodiment of the present invention, the ratio of the width C to the height D of the second grid pattern 150 can be 1: (0.5 to 1.5). Particularly, the ratio of the width A of the first grid pattern 130 to the width C of the second grid pattern 150 can be formed in a range of 1: (0.2 to 1.5) The width C of the grid pattern 150 may be in the range of 2 nm to 300 nm. It is preferable that the width C of the second grid pattern 150 according to the present invention is adjusted to be 0.2 to 1.5 times the width of the first grid pattern 130. In the description of FIGS. 2 and 3, As shown above.

이후 도 4g에 도시된 바와 같이 제1격자패턴(130) 및 제2격자패턴(150)의 표면에 에 지지층(160)을 형성한다. 지지층은 차후 제2격자패턴 형성시 수행되는 에칭공정에서 제1격자패턴 및 제2격자패턴, 특히 제2격자패턴을 보호하는 에칭 배리어 역할을 하며, 투명재질의 폴리머 또는 산화물을 이용하여 형성할 수 있음은 도 2 및 도 3의 설명에서 상술한 바와 같다.4G, a supporting layer 160 is formed on the surfaces of the first grid pattern 130 and the second grid pattern 150. Referring to FIG. The support layer serves as an etch barrier for protecting the first and second lattice patterns, particularly the second lattice pattern, in an etching process performed in forming a second lattice pattern, and can be formed using a transparent polymer or oxide Is as described above in the description of Fig. 2 and Fig.

지지층(160)을 형성한 후, 도 4h에 도시된 바와 같이 제2격자패턴상에 금속재질의 물질을 증착하여 제3격자베이스층(170)을 형성한다. 제3격자베이스층(170)은, 제2격자베이스층(140)의 경우와 마찬가지로, 제1격자패턴(130) 또는 제2격자패턴(150) 사이의 이격된 공간 전체를 매립하는 구조가 아닌, 일정부분의 이격 공간(171)이 구비되는 구조로 형성되는 것이 바람직하다. 여기서 제2격자패턴(150)상에 증착되는 금속물질로서 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 은(Ag), 구리(Cu), 니켈(Ni), 코발트(Co), 몰리브덴(Mo) 중 선택되는 어느 하나의 금속 또는 이들의 합금이 이용될 수 있으며, 증착방법은 스퍼터링법이나 화학기상증착법, 이배포레이션(Evaporation)등 현재 개발되어 상용화되었거나 향후 기술발전에 따라 구현 가능한 모든 증착방법이 이용될 수 있음은 도 2 및 도 3의 설명에서 상술한 바와 같다.After the support layer 160 is formed, a metal material is deposited on the second grid pattern to form a third grid base layer 170, as shown in FIG. 4H. The third grating base layer 170 is not a structure for embedding the entire spaced space between the first grating pattern 130 or the second grating pattern 150 as in the case of the second grating base layer 140 And a predetermined space 171 is provided in the space. Here, the metal material deposited on the second grid pattern 150 may be a metal material such as Al, Cr, Ag, Cu, Ni, Co, Any one of the selected metals or their alloys may be used. The deposition method may be a sputtering method, a chemical vapor deposition method, an evaporation method, or the like. Can be performed as described above in the description of FIG. 2 and FIG.

제3격자베이스층(170)을 형성한 후, 도 4i에 도시된 바와 같이 각 제1격자패턴(130) 사이의 공간을 에칭하여 제3격자패턴(190)를 형성한다. 이때 제3격자패턴(190) 형성을 위한 에칭공정이 습식에칭공정인 경우, 습식에칭 수행 시간을 조절하여 제3격자패턴(190)의 폭 및 두께를 조절할 수 있다.After forming the third grid base layer 170, a space between the first grid patterns 130 is etched to form a third grid pattern 190 as shown in FIG. 4I. In this case, when the etching process for forming the third grid pattern 190 is a wet etching process, the width and thickness of the third grid pattern 190 can be adjusted by controlling the wet etching time.

이상으로 본 발명의 기술적 사상을 예시하기 위한 바람직한 실시예와 관련하여 설명하고 도시하였지만, 본 발명은 이와 같이 도시되고 설명된 그대로의 구성 및 작용에만 국한되는 것은 아니며, 기술적 사상의 범주를 일탈함 없이 본 발명에 대해 다수의 적절한 변형 및 수정이 가능함을 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자들은 잘 이해할 수 있을 것이다. 따라서 그러한 모든 적절한 변형 및 수정과 균등물들도 본 발명의 범위에 속하는 것으로 간주되어야 할 것이다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments, but, on the contrary, Those skilled in the art will appreciate that many suitable modifications and variations are possible in light of the present invention. Accordingly, all such modifications and variations as fall within the scope of the present invention should be considered.

110: 투명기판
120: 수지층, 제1격자베이스층
130: 제1격자패턴
140: 제2격자베이스층
150: 제2격자패턴
160: 지지층
170: 제3격자베이스층
190: 제3격자패턴
210: 임프린트 몰드110: transparent substrate
120: resin layer, first lattice base layer
130: first lattice pattern
140: second lattice base layer
150: second lattice pattern
160: Support layer
170: third lattice base layer
190: Third grid pattern
210: Imprint mold

Claims (29)

투명기판;
상기 투명기판 상부에 형성된 복수의 제1격자패턴;
상기 제1격자패턴 상부에 형성된 제2격자패턴;
상기 제1격자패턴 및 상기 제2격자패턴의 측면과 상기 제2격자패턴 상부에 형성된 지지층;
상기 지지층 상부에 형성된 제3격자패턴;을 포함하며,
상기 제1격자패턴 상면의 폭은 상기 제2격자패턴 하면의 폭과 동일하고,
상기 제2격자패턴 상면의 폭은 상기 제2격자패턴 상면에 대향하는 상기 지지층 하면의 폭과 동일하며,
상기 지지층 상면의 폭은 상기 제3격자패턴 하면의 폭과 동일한, 와이어 그리드 편광자.
A transparent substrate;
A plurality of first grid patterns formed on the transparent substrate;
A second lattice pattern formed on the first lattice pattern;
A supporting layer formed on side surfaces of the first grid pattern and the second grid pattern and on the second grid pattern;
And a third lattice pattern formed on the support layer,
The width of the upper surface of the first grid pattern is equal to the width of the lower surface of the second grid pattern,
The width of the upper surface of the second grating pattern is equal to the width of the lower surface of the supporting layer opposite to the upper surface of the second grating pattern,
And the width of the upper surface of the supporting layer is equal to the width of the lower surface of the third grid pattern.
청구항 1에 있어서,
상기 지지층은,
투명 재질로 형성된 와이어 그리드 편광자.
The method according to claim 1,
The support layer
Wire grid polarizer made of transparent material.
청구항 2에 있어서,
상기 지지층은,
폴리머 또는 산화물로 형성된 와이어 그리드 편광자.
The method of claim 2,
The support layer
A wire grid polarizer formed of a polymer or oxide.
청구항 1에 있어서,
상기 제3격자패턴은,
금속재질로 형성된 와이어 그리드 편광자.
The method according to claim 1,
The third lattice pattern may be formed by:
Wire grid polarizer made of metal.
청구항 4에 있어서,
상기 제3격자패턴은,
알루미늄(Al), 크롬(Cr), 은(Ag), 구리(Cu), 니켈(Ni), 코발트(Co), 몰리브덴(Mo) 중 선택되는 어느 하나의 금속 또는 이들의 합금으로 형성된 와이어 그리드 편광자.
The method of claim 4,
The third lattice pattern may be formed by:
A wire grid polarizer formed of any one metal selected from aluminum (Al), chromium (Cr), silver (Ag), copper (Cu), nickel (Ni), cobalt (Co), and molybdenum (Mo) .
청구항 4에 있어서,
상기 제1격자패턴은 폴리머로 형성되고,
상기 제2격자패턴은 금속재질로 형성된 와이어 그리드 편광자.
The method of claim 4,
Wherein the first lattice pattern is formed of a polymer,
And the second grid pattern is formed of a metal material.
청구항 6에 있어서,
상기 제2격자패턴은,
알루미늄(Al), 크롬(Cr), 은(Ag), 구리(Cu), 니켈(Ni), 코발트(Co), 몰리브덴(Mo) 중 선택되는 어느 하나의 금속 또는 이들의 합금으로 형성된 와이어 그리드 편광자.
The method of claim 6,
The second lattice pattern may be formed,
A wire grid polarizer formed of any one metal selected from aluminum (Al), chromium (Cr), silver (Ag), copper (Cu), nickel (Ni), cobalt (Co), and molybdenum (Mo) .
청구항 7에 있어서,
상기 제2격자패턴과 상기 제3격자패턴은,
동일한 재질로 형성된 와이어 그리드 편광자.
The method of claim 7,
Wherein the second grid pattern and the third grid pattern are arranged in a matrix,
Wire grid polarizer formed from the same material.
청구항 1 내지 8 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제1격자패턴 또는 상기 제2격자패턴의 주기는 100nm 내지 200nm인 와이어 그리드 편광자.
The method according to any one of claims 1 to 8,
And the period of the first grating pattern or the second grating pattern is 100 nm to 200 nm.
청구항 9에 있어서,
상기 제1격자패턴은,
폭이 10nm 내지 200nm 이고, 높이는 10nm 내지 500nm인 와이어 그리드 편광자.
The method of claim 9,
The first lattice pattern may be formed by:
A width of 10 nm to 200 nm, and a height of 10 nm to 500 nm.
청구항 10에 있어서,
상기 제1격자패턴의 폭과 높이의 비율은 1:(0.2~5)를 만족하는 와이어 그리드 편광자.
The method of claim 10,
Wherein a ratio of a width to a height of the first lattice pattern satisfies 1: (0.2 to 5).
삭제delete 삭제delete 투명기판 상에 복수의 제1격자패턴을 형성하고,
상기 제1격자패턴상에 제2격자패턴을 형성하고,
상기 제1격자패턴 및 상기 제2격자패턴의 측면과 상기 제2격자패턴 상부에 지지층을 증착 형성하고,
상기 지지층 상부에 제3격자패턴을 형성하는 것을 포함하여 이루어지며,
상기 제1격자패턴 상면의 폭은 상기 제2격자패턴 하면의 폭과 동일하고,
상기 제2격자패턴 상면의 폭은 상기 제2격자패턴 상면에 대향하는 상기 지지층 하면의 폭과 동일하며,
상기 지지층 상면의 폭은 상기 제3격자패턴 하면의 폭과 동일한, 와이어 그리드 편광자 제조방법.
A plurality of first grating patterns are formed on a transparent substrate,
Forming a second lattice pattern on the first lattice pattern,
Forming a support layer on the side surfaces of the first grid pattern and the second grid pattern and on the second grid pattern,
And forming a third lattice pattern on the support layer,
The width of the upper surface of the first grid pattern is equal to the width of the lower surface of the second grid pattern,
The width of the upper surface of the second grating pattern is equal to the width of the lower surface of the supporting layer opposite to the upper surface of the second grating pattern,
And the width of the upper surface of the supporting layer is equal to the width of the lower surface of the third grid pattern.
청구항 14에 있어서,
상기 지지층을 증착 형성하는 것은,
스프터링법, 화학기상증착법, 이배포레이션(Evaporation)법 중 어느 하나의 방법을 이용하여 상기 제1격자패턴 및 상기 제2격자패턴의 표면에 투명재질의 물질을 증착하는 것을 포함하여 이루어지는 와이어 그리드 편광자 제조방법.
15. The method of claim 14,
When the support layer is formed by vapor deposition,
A method of fabricating a wire grid, comprising: depositing a transparent material on a surface of the first grid pattern and the second grid pattern using any one of a sputtering method, a chemical vapor deposition method, and an evaporation method, Lt; / RTI >
청구항 15에 있어서,
상기 투명재질의 물질은, 폴리머 또는 산화물인 와이어 그리드 편광자 제조방법.
16. The method of claim 15,
Wherein the transparent material is a polymer or an oxide.
청구항 14에 있어서,
상기 제3격자패턴을 형성하는 것은,
상기 제2격자패턴 상에 금속재질의 물질을 증착하여 제3격자베이스층을 형성하고,
상기 제3격자베이스층을 습식에칭하는 것을 포함하여 이루어지는 와이어 그리드 편광자 제조방법.
15. The method of claim 14,
The formation of the third lattice pattern may be performed,
Depositing a metal material on the second grid pattern to form a third grid base layer,
And wet-etching the third grid base layer.
청구항 17에 있어서,
상기 금속재질의 물질은,
알루미늄(Al), 크롬(Cr), 은(Ag), 구리(Cu), 니켈(Ni), 코발트(Co), 몰리브덴(Mo) 중 선택되는 어느 하나의 금속 또는 이들의 합금인 와이어 그리드 편광자 제조방법.
18. The method of claim 17,
The metal material may be a metal,
Wire grid polarizers which are any one of metals selected from among aluminum (Al), chromium (Cr), silver (Ag), copper (Cu), nickel (Ni), cobalt (Co), and molybdenum Way.
청구항 17에 있어서,
상기 금속재질의 물질을 증착하는 것은,
스퍼터링 방법, 화학기상증착법, 이배포레이션(Evaporation)법 중 적어도 어느 하나의 방법에 의해 이루어지는 와이어 그리드 편광자 제조방법.
18. The method of claim 17,
The deposition of the metal material may include,
Wherein the wire grid polarizer is manufactured by at least one of a sputtering method, a chemical vapor deposition method, and an evaporation method.
청구항 14 내지 19 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제1격자패턴을 형성하는 것은,
상기 투명기판상에 폴리머 수지로 이루어진 제1격자베이스층을 형성하고,
상기 제1격자베이스층 상부를 복수의 홈을 갖는 임프린트 몰드로 가압하여 상기 복수의 홈과 대응되는 영역에 상기 제1격자패턴을 형성하는 것을 포함하여 이루어지는 와이어 그리드 편광자 제조방법.
The method according to any one of claims 14 to 19,
Forming the first lattice pattern comprises:
Forming a first lattice base layer made of a polymer resin on the transparent substrate,
And pressing the upper portion of the first grid base layer with an imprint mold having a plurality of grooves to form the first grid pattern in a region corresponding to the plurality of grooves.
청구항 20에 있어서,
상기 제2격자패턴을 형성하는 것은,
상기 제1격자패턴 상에 금속재질의 물질을 증착하여 제2격자베이스층을 형성하고,
상기 제2격자베이스층을 습식에칭하는 것을 포함하여 이루어지는 와이어 그리드 편광자 제조방법.
The method of claim 20,
Forming the second lattice pattern includes:
Depositing a metal material on the first lattice pattern to form a second lattice base layer,
And wet-etching the second lattice base layer.
청구항 21에 있어서,
상기 제2격자베이스층을 이루는 금속재질의 물질은,
알루미늄(Al), 크롬(Cr), 은(Ag), 구리(Cu), 니켈(Ni), 코발트(Co), 몰리브덴(Mo) 중 선택되는 어느 하나의 금속 또는 이들의 합금인 와이어 그리드 편광자 제조방법.
23. The method of claim 21,
The metal material forming the second lattice base layer may be a metal,
Wire grid polarizers which are any one of metals selected from among aluminum (Al), chromium (Cr), silver (Ag), copper (Cu), nickel (Ni), cobalt (Co), and molybdenum Way.
청구항 17에 있어서,
상기 제3격자베이스층을 이루는 금속재질의 물질은 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 은(Ag), 구리(Cu), 니켈(Ni), 코발트(Co), 몰리브덴(Mo) 중 선택되는 어느 하나의 금속 또는 이들의 합금이고,
상기 제2격자베이스층 및 상기 제3격자베이스층은 동일한 물질로 이루어지는 와이어 그리드 편광자 제조방법.
18. The method of claim 17,
The material of the third lattice base layer may be selected from the group consisting of Al, Cr, Ag, Cu, Ni, Co, and Mo. Any one metal or an alloy thereof,
Wherein the second grid base layer and the third grid base layer are made of the same material.
청구항 21에 있어서,
상기 제2격자베이스층을 이루는 금속재질의 물질은,
스퍼터링 방법, 화학기상증착법, 이배포레이션(Evaporation)법 중 적어도 어느 하나의 방법에 의해 상기 제1격자패턴상에 증착되는 와이어 그리드 편광자 제조방법.
23. The method of claim 21,
The metal material forming the second lattice base layer may be a metal,
Wherein the first grid pattern is deposited on the first grid pattern by at least one of a sputtering method, a chemical vapor deposition method, and an evaporation method.
청구항 20에 있어서,
상기 제1격자패턴을 형성하는 것은,
주기 100nm~200nm로 형성되는 복수의 제1격자패턴을 형성하는 것인 와이어 그리드 편광자 제조방법.
The method of claim 20,
Forming the first lattice pattern comprises:
Wherein a plurality of first grid patterns formed in a period of 100 nm to 200 nm are formed.
삭제delete 삭제delete 청구항 20에 있어서,
상기 제1격자패턴을 형성하는 것은,
상기 제1격자패턴의 폭은 10nm~200nm, 높이는 10nm~500nm의 범위를 만족하거나, 상기 제1격자패턴의 폭과 높이의 비율이 1:(0.2~5)를 만족하도록 구현하는 것인 와이어 그리드 편광자 제조방법.
The method of claim 20,
Forming the first lattice pattern comprises:
Wherein a width of the first lattice pattern is in the range of 10 nm to 200 nm and a height of the first lattice pattern is in the range of 10 nm to 500 nm or a ratio of the width and the height of the first lattice pattern is 1: Lt; / RTI >
광원에서 발산되는 상부로 발산하는 백라이트 유닛;
상기 백라이트 유닛 상부에 적층되어, 화소를 형성하는 액정 패널;
상기 액정패널의 상부 또는 하부에 배치되는 청구항 1 내지 8 중 어느 한 항의 와이어 그리드 편광자;
를 포함하는 액정표시장치. A backlight unit diverging upward from the light source;
A liquid crystal panel stacked on the backlight unit to form pixels;
The wire grid polarizer according to any one of claims 1 to 8, which is disposed at an upper portion or a lower portion of the liquid crystal panel.
And the liquid crystal display device.
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