[go: up one dir, main page]

KR101779084B1 - Semicondutor light emitting device structure and method of manufacturing the same - Google Patents

Semicondutor light emitting device structure and method of manufacturing the same Download PDF

Info

Publication number
KR101779084B1
KR101779084B1 KR1020150074950A KR20150074950A KR101779084B1 KR 101779084 B1 KR101779084 B1 KR 101779084B1 KR 1020150074950 A KR1020150074950 A KR 1020150074950A KR 20150074950 A KR20150074950 A KR 20150074950A KR 101779084 B1 KR101779084 B1 KR 101779084B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
light emitting
encapsulant
semiconductor light
emitting device
device structure
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
KR1020150074950A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20160141133A (en
Inventor
김창태
정현민
남기연
김석중
Original Assignee
주식회사 씨티랩
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 씨티랩 filed Critical 주식회사 씨티랩
Priority to KR1020150074950A priority Critical patent/KR101779084B1/en
Priority to CN201510744984.9A priority patent/CN106206919A/en
Publication of KR20160141133A publication Critical patent/KR20160141133A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR101779084B1 publication Critical patent/KR101779084B1/en
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/85—Packages
    • H10H20/852—Encapsulations
    • H10H20/853—Encapsulations characterised by their shape
    • H01L33/52—
    • H01L33/60—
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/85—Packages
    • H10H20/855—Optical field-shaping means, e.g. lenses
    • H10H20/856—Reflecting means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73253—Bump and layer connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/93—Batch processes
    • H01L2224/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
    • H01L2224/97—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204—Optical Diode
    • H01L2924/12041—LED
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/01—Manufacture or treatment
    • H10H20/036—Manufacture or treatment of packages
    • H10H20/0362—Manufacture or treatment of packages of encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/01—Manufacture or treatment
    • H10H20/036—Manufacture or treatment of packages
    • H10H20/0363—Manufacture or treatment of packages of optical field-shaping means

Landscapes

  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

본 개시는, 반도체 발광소자 구조물에 있어서, 활성층을 포함하는 반도체 발광소자; 반도체 발광소자의 상부 및 측면을 둘러싸는 제1 봉지제; 제1 봉지제 상부에 위치하는 제2 봉지제; 그리고, 제2 봉지제 하부에 위치하며, 제1 봉지제를 둘러싸고 있는 반사층;을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 구조물 및 그 제조방법에 관한 것이다.The present disclosure relates to a semiconductor light emitting device structure, including: a semiconductor light emitting device including an active layer; A first encapsulant surrounding the top and sides of the semiconductor light emitting device; A second encapsulant positioned above the first encapsulant; And a reflective layer located under the second encapsulant and surrounding the first encapsulant, and a method of manufacturing the same.

Description

반도체 발광소자 구조물 및 반도체 발광소자 구조물을 제조하는 방법{SEMICONDUTOR LIGHT EMITTING DEVICE STRUCTURE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME}Technical Field [0001] The present invention relates to a semiconductor light emitting device structure and a method of manufacturing a semiconductor light emitting device structure,

본 개시(Disclosure)는 전체적으로 반도체 발광소자 구조물에 관한 것으로, 특히 광 효율을 향상시킨 반도체 발광소자 구조물 및 그에 대한 제조방법에 관한 것이다.The present disclosure relates generally to a semiconductor light emitting device structure, and more particularly, to a semiconductor light emitting device structure with improved light efficiency and a manufacturing method thereof.

여기서는, 본 개시에 관한 배경기술이 제공되며, 이들이 반드시 공지기술을 의미하는 것은 아니다(This section provides background information related to the present disclosure which is not necessarily prior art). Herein, the background art relating to the present disclosure is provided, and these are not necessarily meant to be known arts.

도 1은 종래의 반도체 발광소자의 일 예를 나타내는 도면이다.1 is a view showing an example of a conventional semiconductor light emitting device.

반도체 발광소자는 기판(10; 예: 사파이어 기판), 기판(10) 위에, 버퍼층(20), 제1 도전성을 가지는 제1 반도체층(30; 예: n형 GaN층), 전자와 정공의 재결합을 통해 빛을 생성하는 활성층(40; 예; INGaN/(In)GaN MQWs), 제1 도전성과 다른 제2 도전성을 가지는 제2 반도체층(50; 예: p형 GaN층)이 순차로 증착되어 있으며, 그 위에 전류 확산을 위한 투광성 전도막(60)과, 본딩 패드로 역할하는 전극(70)이 형성되어 있고, 식각되어 노출된 제1 반도체층(30) 위에 본딩 패드로 역할하는 전극(80: 예: Cr/Ni/Au 적층 금속 패드)이 형성되어 있다. 도 1과 같은 형태의 반도체 발광소자를 특히 레터럴 칩(Lateral Chip)이라고 한다. 여기서, 기판(10) 측이 패키지에 놓일 때, 장착면으로 기능한다.The semiconductor light emitting device includes a buffer layer 20, a first semiconductor layer 30 having a first conductivity (e.g., n-type GaN layer) 30, a recombination of electrons and holes An active layer 40 (e.g., INGaN / (In) GaN MQWs) that generates light through the second semiconductor layer 50 (e.g., a p-type GaN layer) having a second conductivity different from the first conductivity is sequentially deposited A light transmitting conductive film 60 for current diffusion and an electrode 70 serving as a bonding pad are formed on the first semiconductor layer 30 and an electrode 80 serving as a bonding pad is formed on the exposed first semiconductor layer 30 For example, a Cr / Ni / Au laminated metal pad) is formed. The semiconductor light emitting device of the type shown in FIG. 1 is called a lateral chip in particular. Here, when the substrate 10 side is placed in the package, it functions as a mounting surface.

도 2는 종래의 반도체 발광소자의 다른 예를 나타내는 도면이다.2 is a view showing another example of a conventional semiconductor light emitting device.

반도체 발광소자는 기판(10), 기판(10) 위에, 제1 도전성을 가지는 제1 반도체층(30), 전자와 정공의 재결합을 통해 빛을 생성하는 활성층(40), 제1 도전성과 다른 제2 도전성을 가지는 제2 반도체층(50)이 순차로 증착되어 있으며, 그 위에 기판(10) 측으로 빛을 반사시키기 위한 3층으로 된 전극막(90, 91, 92)이 형성되어 있다. 제1 전극막(90)은 Ag 반사막, 제2 전극막(91)은 Ni 확산 방지막, 제3 전극막(92)은 Au 본딩층일 수 있다. 식각되어 노출된 제1 반도체층(30) 위에 본딩 패드로 기능하는 전극(80)이 형성되어 있다. 여기서, 전극막(92) 측이 패키지에 놓일 때, 장착면으로 기능한다. 도 2와 같은 형태의 반도체 발광소자를 특히 플립 칩(Flip Chip)이라고 한다. 도 2에 도시된 플립 칩의 경우 제1 반도체층(30) 위에 형성된 전극(80)이 제2 반도체층 위에 형성된 전극막(90, 91, 92)보다 낮은 높이에 있지만, 동일한 높이에 형성될 수 있도록 할 수도 있다. 여기서 높이의 기준은 기판(10)으로부터의 높이일 수 있다. 열 방출 효율의 관점에서, 래터럴 칩이 플립 칩보다 열 방출 효율이 우수하다. 래터럴 칩이 80~180um의 두께를 가지는 사파이어 기판(10)을 통해 열을 방출해야 하는 반면에, 플립 칩은 활성층(40)에 가깝게 위치하는 금속으로 된 전극(90, 91, 92)을 통해 열을 방출할 수 있기 때문이다.The semiconductor light emitting device includes a substrate 10, a first semiconductor layer 30 having a first conductivity, an active layer 40 for generating light through recombination of electrons and holes, And second electrode layers 90, 91, and 92 having a three-layer structure for reflecting light toward the substrate 10 are formed on the first and second semiconductor layers 50 and 50, respectively. The first electrode film 90 may be an Ag reflective film, the second electrode film 91 may be an Ni diffusion prevention film, and the third electrode film 92 may be an Au bonding layer. An electrode 80 functioning as a bonding pad is formed on the first semiconductor layer 30 exposed by etching. Here, when the electrode film 92 side is placed on the package, it functions as a mounting surface. The semiconductor light emitting device of the type shown in FIG. 2 is called a flip chip. In the case of the flip chip shown in FIG. 2, the electrodes 80 formed on the first semiconductor layer 30 are lower in height than the electrode films 90, 91, and 92 formed on the second semiconductor layer, . Where the height reference may be the height from the substrate 10. From the viewpoint of the heat emission efficiency, the lateral chip is superior to the flip chip in the heat emission efficiency. The flip chip must emit heat through the metal electrodes 90, 91, 92 located close to the active layer 40, while the lateral chip must emit heat through the sapphire substrate 10 having a thickness of 80-180 um. As shown in FIG.

도 3은 종래의 반도체 발광소자 패키지 또는 반도체 발광소자 구조물의 일 예를 나타내는 도면이다.3 is a view showing an example of a conventional semiconductor light emitting device package or a semiconductor light emitting device structure.

반도체 발광소자 구조물(100)은 리드 프레임(110, 120), 몰드(130), 그리고 캐비티(140) 내에 수직형 반도체 발광소자(150; Vertical Type Light Emitting Chip)가 구비되어 있고, 캐비티(140)는 형광체(160)를 함유하는 봉지제(170)로 채워져 있다. 수직형 반도체 발광소자(150)의 하면이 리드 프레임(110)에 전기적으로 직접 연결되고, 상면이 와이어(180)에 의해 리드 프레임(120)에 전기적으로 연결되어 있다. 수직형 반도체 발광소자(150)에서 나온 광의 일부가 형광체(160)를 여기시켜 형광체(160)가 다른 색의 광을 만들어 두 개의 서로 다른 광이 혼합되어 백색광을 만들 수 있다. 예를 들어 반도체 발광소자(150)는 청색광을 만들고 형광체(160)에 여기 되어 만들어진 광은 황색광이며, 청색광과 황색광이 혼합되어 백색광을 만들 수 있다. 도 3은 수직형 반도체 발광소자를 사용한 반도체 발광소자 구조물을 보여주고 있지만 , 도 1 및 도 2에 도시된 반도체 발광소자를 사용하여 도 3과 같은 형태의 반도체 발광소자 구조물을 제조할 수도 있다.The semiconductor light emitting device structure 100 is provided with lead frames 110 and 120, a mold 130, and a vertical type light emitting chip 150 in a cavity 140, Is filled with an encapsulant 170 containing the phosphor 160. The lower surface of the vertical type semiconductor light emitting device 150 is electrically connected directly to the lead frame 110 and the upper surface thereof is electrically connected to the lead frame 120 by the wire 180. A part of the light emitted from the vertical type semiconductor light emitting device 150 excites the phosphor 160 so that the phosphor 160 generates light of a different color and two different lights are mixed to form white light. For example, the semiconductor light emitting device 150 generates blue light, the light generated by exciting the phosphor 160 is yellow light, and the blue light and the yellow light may be mixed to produce white light. FIG. 3 shows a semiconductor light emitting device structure using a vertical semiconductor light emitting device. However, the semiconductor light emitting device structure shown in FIG. 3 may also be manufactured using the semiconductor light emitting device shown in FIGS.

최근에는 반도체 발광소자 구조물의 크기가 소형화되는 경향이 있으며, 이에 도 3과 같은 형태의 반도체 발광소자 구조물보다 칩 크기의 패키지(CSP : Chip Scale Package)에 대한 개발이 활발히 진행되고 있다.In recent years, the size of the semiconductor light emitting device structure tends to be miniaturized. Accordingly, a package (CSP: Chip Scale Package) having a chip size more than that of the semiconductor light emitting device structure as shown in FIG. 3 is being actively developed.

본 개시는 광 성능이 향상된 구조의 CSP를 제공하고자 한다.The present disclosure aims to provide a CSP having a structure with improved optical performance.

이에 대하여 '발명을 실시하기 위한 구체적인 내용'의 후단에 기술한다.This will be described later in the Specification for Enforcement of the Invention.

여기서는, 본 개시의 전체적인 요약(Summary)이 제공되며, 이것이 본 개시의 외연을 제한하는 것으로 이해되어서는 아니된다(This section provides a general summary of the disclosure and is not a comprehensive disclosure of its full scope or all of its features).SUMMARY OF THE INVENTION Herein, a general summary of the present disclosure is provided, which should not be construed as limiting the scope of the present disclosure. of its features).

본 개시에 따른 일 태양에 의하면(According to one aspect of the present disclosure), 반도체 발광소자 구조물에 있어서, 활성층을 포함하는 반도체 발광소자; 반도체 발광소자의 상부 및 측면을 둘러싸는 제1 봉지제; 제1 봉지제 상부에 위치하는 제2 봉지제; 그리고, 제2 봉지제 하부에 위치하며, 제1 봉지제를 둘러싸고 있는 반사층;을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 구조물이 제공된다.According to one aspect of the present disclosure, in a semiconductor light emitting device structure, a semiconductor light emitting device including an active layer; A first encapsulant surrounding the top and sides of the semiconductor light emitting device; A second encapsulant positioned above the first encapsulant; And a reflective layer located under the second encapsulant and surrounding the first encapsulant.

본 개시에 따른 다른 태양에 의하면(According to another aspect of the present disclosure), 반도체 발광소자 구조물을 제조하는 방법에 있어서, 플레이트 위에 제1 봉지제를 형성하는 단계; 제1 봉지제 위에 제2 봉지제를 형성하는 단계; 제2 봉지제 위에 전극이 위로 향하도록 반도체 발광소자를 고정하는 단계; 그리고, 제2 봉지제의 측면 및 반도체 발광소자의 측면 일부를 둘러싸도록 반사층을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 구조물을 제조하는 방법이 제공된다.According to another aspect of the present disclosure, there is provided a method of fabricating a semiconductor light emitting device structure, comprising: forming a first encapsulant on a plate; Forming a second encapsulant on the first encapsulant; Fixing the semiconductor light emitting element with the electrode facing upward on the second encapsulant; And forming a reflective layer so as to surround a side surface of the second encapsulant and a side surface portion of the semiconductor light emitting device. According to another aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a semiconductor light emitting device structure.

이에 대하여 '발명을 실시하기 위한 구체적인 내용'의 후단에 기술한다.This will be described later in the Specification for Enforcement of the Invention.

도 1은 종래의 반도체 발광소자의 일 예를 나타내는 도면,
도 2는 종래의 반도체 발광소자의 다른 예를 나타내는 도면,
도 3은 종래의 반도체 발광소자 패키지 또는 반도체 발광소자 구조물의 일 예를 나타내는 도면,
도 4는 본 개시에 따른 반도체 발광소자 구조물의 일 예를 보여주는 도면,
도 5는 본 개시에 따른 반도체 발광소자 구조물의 다른 일 예를 보여주는 도면,
도 6은 반사층의 역할을 자세히 설명한 도면,
도 7은 본 개시에 따른 반도체 발광소자 구조물을 제조하는 하는 방법의 일 예를 도시한 도면,
도 8은 본 개시에 따른 반도체 발광소자 구조물을 제조하는 하는 방법의 다른 일 예를 도시한 도면.1 is a view showing an example of a conventional semiconductor light emitting device,
2 is a view showing another example of a conventional semiconductor light emitting device,
3 is a view showing an example of a conventional semiconductor light emitting device package or a semiconductor light emitting device structure,
4 is a view showing an example of a semiconductor light emitting device structure according to the present disclosure,
5 is a view showing another example of the semiconductor light emitting device structure according to the present disclosure,
6 is a view for explaining the role of the reflective layer in detail,
FIG. 7 illustrates an example of a method of manufacturing a semiconductor light emitting device structure according to the present disclosure;
8 is a view showing another example of a method for manufacturing a semiconductor light emitting device structure according to the present disclosure;

이하, 본 개시를 첨부된 도면을 참고로 하여 자세하게 설명한다(The present disclosure will now be described in detail with reference to the accompanying drawing(s)). The present disclosure will now be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 4는 본 개시에 따른 반도체 발광소자 구조물의 일 예를 보여주는 도면이다.4 is a view showing an example of a semiconductor light emitting device structure according to the present disclosure.

도 4(a)는 본 개시에 따른 반도체 발광소자 구조물(200)의 평면도이고, 도 4(b)는 AA'를 기준으로 한 단면도이다.4 (a) is a plan view of the semiconductor light emitting device structure 200 according to the present disclosure, and FIG. 4 (b) is a sectional view with reference to AA '.

본 개시에 따른 반도체 발광소자 구조물(200)은 활성층을 포함하는 반도체 발광소자(210), 반도체 발광소자의 상부 및 측면을 둘러싸는 제1 봉지제(220), 제1 봉지제(220) 상부에 위치하는 제2 봉지제(230) 및 제2 봉지제(230) 하부에 위치하며, 제1 봉지제(220)를 둘러싸고 있는 반사층(240)을 포함하고 있다. The semiconductor light emitting device structure 200 according to the present disclosure includes a semiconductor light emitting device 210 including an active layer, a first encapsulant 220 surrounding the top and sides of the semiconductor light emitting device, And a reflective layer 240 disposed under the second encapsulant 230 and the second encapsulant 230 and surrounding the first encapsulant 220.

반도체 발광소자(210)는 반도체 발광소자 하부에 전극(211)이 위치하는 플립 칩일 수 있다. The semiconductor light emitting device 210 may be a flip chip in which the electrode 211 is disposed under the semiconductor light emitting device.

제1 봉지제(220)는 에폭시수지, 실리콘수지 중 적어도 하나로 이루어진 투광 수지층일 수 있다. 제1 봉지제(220)는 반도체 발광소자(210)의 상부 및 측면을 둘러싸고 있다. 특히 제1 봉지제(220)는 반도체 발광소자(210)의 측면의 상측 일부를 둘러싸고 있는 것이 바람직하다. 제1 봉지제(220)가 둘러싸고 있지 않은 나머지 반도체 발광소자(210)의 측면의 하측 일부는 반사층(240)이 둘러싸고 있을 수 있다. 이 경우 반사층(240)은 활성층까지 둘러싸고 있는 것이 바람직하다. 자세한 것은 도 6에서 설명한다. 제1 봉지제(220)는 반도체 발광소자(210)와 제2 봉지제(230) 사이의 간격을 떨어뜨리는 역할을 하게 되며, 이를 통해 제1 봉지제(220)는 반도체 발광소자(210)에서 발생되는 빛을 확장시키는 윈도우 및 렌즈 역할을 하여, 반도체 발광소자(210)로부터 나오는 광의 성능을 향상시킨다. 또한 제1 봉지제(220)는 제2 봉지제(230)를 반도체 발광소자(210)에 접착시키는 역할을 할 수 있다.The first encapsulant 220 may be a light-transmitting resin layer composed of at least one of an epoxy resin and a silicone resin. The first encapsulant 220 surrounds the upper and side surfaces of the semiconductor light emitting device 210. The first encapsulant 220 may surround an upper portion of the side surface of the semiconductor light emitting device 210. The lower part of the side surface of the other semiconductor light emitting device 210 that the first encapsulant 220 does not surround may be surrounded by the reflective layer 240. In this case, it is preferable that the reflective layer 240 surrounds the active layer. Details will be described in Fig. The first encapsulant 220 serves to reduce the distance between the semiconductor light emitting device 210 and the second encapsulant 230 so that the first encapsulant 220 is separated from the semiconductor light emitting device 210 And functions as a window and a lens for expanding the generated light, thereby improving the performance of the light emitted from the semiconductor light emitting device 210. Further, the first encapsulant 220 may serve to bond the second encapsulant 230 to the semiconductor light emitting device 210.

제2 봉지제(230)는 YAG, Silicate, Nitride 중 적어도 하나로 이루어진 형광체를 포함하고 있는 형광체 수지층일 수 있다. 제2 봉지제(230)는 형광체를 통해 반도체 발광소자(210)로부터 나오는 광을 여기시켜 다른 색의 광을 발광할 수 있다. The second encapsulant 230 may be a phosphor resin layer including a phosphor composed of at least one of YAG, silicate, and nitride. The second encapsulant 230 may emit light of a different color by exciting the light emitted from the semiconductor light emitting device 210 through the phosphor.

반사층(240)은 SiO2, Al2O3, TiO2 등의 산화물 및 이들의 세라믹 미립자가 함유된 고분자 조성물 중 적어도 하나로 이루어진 반사 수지층일 수 있다.The reflective layer 240 may be a reflective resin layer composed of at least one of oxides such as SiO 2 , Al 2 O 3 , and TiO 2 , and a polymer composition containing these ceramic fine particles.

반사층(240)은 반도체 발광소자(210)로부터 나오는 광이 측면으로 빠져 나가는 것을 방지하기 위한 역할을 한다. The reflective layer 240 serves to prevent the light emitted from the semiconductor light emitting device 210 from escaping to the side.

도 5는 본 개시에 따른 반도체 발광소자 구조물의 다른 일 예를 보여주는 도면이다.5 is a view showing another example of the semiconductor light emitting device structure according to the present disclosure.

도 5(a)는 본 개시에 따른 반도체 발광소자 구조물(300)의 평면도이고, 도 5(b)는 BB'를 기준으로 한 단면도이다.5 (a) is a plan view of the semiconductor light emitting device structure 300 according to the present disclosure, and FIG. 5 (b) is a cross-sectional view based on BB '.

본 개시에 따른 반도체 발광소자 구조물(300)은 활성층을 포함하는 반도체 발광소자(310), 반도체 발광소자의 상부 및 측면을 둘러싸는 제1 봉지제(320), 제1 봉지제(320) 상부에 위치하는 제2 봉지제(330) 및 제2 봉지제(330) 하부에 위치하며, 제1 봉지제(320)를 둘러싸고 있는 반사층(340)을 포함하고 있다. 도 5에 개시된 반도체 발광소자 구조물(300)에서 반도체 발광소자(310), 제1 봉지제(320), 제2 봉지제(330) 및 반사층(340)의 특징은 도 4에 개시된 반도체 발광소자 구조물(200)과 유사하다. 다만 반사층(340)의 일부가 제2 봉지제(330)의 측면을 둘러싸고 있는 것(350)이 도 4에 개시된 반도체 발광소자 구조물(200)과 다르다. 반사층(340)의 일부가 제2 봉지제(330)의 측면을 둘러싸서, 제2 봉지제(330)의 측면으로 빛이 새어나가는 것을 방지할 수 있다.The semiconductor light emitting device structure 300 according to the present disclosure includes a semiconductor light emitting device 310 including an active layer, a first encapsulant 320 surrounding the top and sides of the semiconductor light emitting device, And a reflective layer 340 disposed under the second encapsulant 330 and the second encapsulant 330 and surrounding the first encapsulant 320. The characteristics of the semiconductor light emitting device 310, the first encapsulant 320, the second encapsulant 330, and the reflective layer 340 in the semiconductor light emitting device structure 300 shown in FIG. 5 are the same as those of the semiconductor light emitting device structure (200). 4 except that a part of the reflective layer 340 surrounds the side surface of the second encapsulant 330 is different from the semiconductor light emitting device structure 200 disclosed in FIG. A part of the reflective layer 340 surrounds the side surface of the second encapsulant 330 to prevent light from leaking to the side of the second encapsulant 330.

도 6은 반사층의 역할을 자세히 설명한 도면이다.6 is a view for explaining the role of the reflective layer in detail.

도 6은 도 4에 도시된 본 개시에 따른 반도체 발광소자(200)를 대상으로 반사층(240)의 역할을 설명하고 있지만, 도 5에 도시된 반도체 발광소자(300)에도 적용될 수 있다.FIG. 6 illustrates the role of the reflective layer 240 in the semiconductor light emitting device 200 according to the present disclosure shown in FIG. 4, but may also be applied to the semiconductor light emitting device 300 shown in FIG.

예를 들어 도 6(a)와 같이 플립 칩인 반도체 발광소자(210)의 활성층(212)에서 발광한 빛(250,251,252, 253)은 반도체 발광소자(210)의 측면 및 상부로 나아간다. 이 경우 측면으로 나오는 빛(251)은 반사층(240)에 반사되어 상부로 나갈 수 있지만 일부의 빛(252, 253)은 하부로 빠져나갈 수도 있다. 이에 도 6(a)와 같이 반도체 발광소자(210)의 측면의 하측 일부분이 반사층(240)의 일부(241)에 의해 둘러싸여 있으면, 하부로 빠져나갈 수 있는 빛(252, 253)을 반사시켜 상부로 보냄으로써 광 성능을 향상시킬 수 있다. 특히 도 6(b)와 같이 반사층(240)이 빛이 나오는 활성층(212) 부분을 둘러싸고 있는 것이 바람직하다.For example, light 250, 251, 252, and 253 emitted from the active layer 212 of the semiconductor light emitting device 210, which is a flip chip, are moved to the side and top of the semiconductor light emitting device 210, as shown in FIG. 6A. In this case, the light 251 on the side may be reflected on the reflection layer 240 and may go out to the upper part, but some light 252 and 253 may escape downward. 6A, if the lower part of the side surface of the semiconductor light emitting device 210 is surrounded by the part 241 of the reflection layer 240, the light 252 and 253 that can escape to the lower part are reflected, The optical performance can be improved. In particular, as shown in FIG. 6 (b), the reflective layer 240 preferably surrounds the active layer 212 where light is emitted.

도 7은 본 개시에 따른 반도체 발광소자 구조물을 제조하는 하는 방법의 일 예를 도시한 도면이다.7 is a view showing an example of a method of manufacturing the semiconductor light emitting device structure according to the present disclosure.

먼저 도 7(a)와 같이 플레이트(400) 위에 제2 봉지제(410)를 형성한다. 이후 도 7(b)와 같이 제2 봉지제(410) 위에 제1 봉지제(420)를 형성한다. 이후 도 7(c)와 같이 제1 봉지제(420) 위에 전극(431)이 위로 향하도록 반도체 발광소자(430)를 고정한다. 이 경우 도 7(c)에 도시된 것처럼 제1 봉지제(420)는 반도체 발광소자(430)의 측면의 일부를 둘러싸게 된다. 이후 도 7(d)와 같이 제1 봉지제(420) 및 반도체 발광소자(430)의 측면 일부를 둘러싸도록 반사층(440)을 형성한다. 이후 도 7(e)와 같이 절단선(CC')을 따라 절단하여 개개의 반도체 발광소자 구조물(450)을 얻는다. 도 7의 제조 방법에 의해 만들어진 반도체 발광소자 구조물(450)의 평면도 및 단면도가 도 4에 도시되어 있다.First, a second encapsulant 410 is formed on the plate 400 as shown in FIG. 7 (a). Then, the first encapsulant 420 is formed on the second encapsulant 410 as shown in FIG. 7 (b). Then, the semiconductor light emitting device 430 is fixed with the electrode 431 facing upward on the first encapsulant 420 as shown in FIG. 7 (c). In this case, as shown in FIG. 7 (c), the first encapsulant 420 surrounds a part of the side surface of the semiconductor light emitting device 430. 7D, a reflective layer 440 is formed so as to surround the first encapsulant 420 and a part of the side surface of the semiconductor light emitting device 430. Then, the semiconductor light emitting device structure 450 is cut along the cutting line CC 'as shown in FIG. 7 (e). A plan view and a cross-sectional view of the semiconductor light emitting device structure 450 made by the manufacturing method of FIG. 7 are shown in FIG.

특히 제2 봉지제(410)를 형성할 때, 제2 봉지제(410)를 완전히 경화시키는 것이 바람직하다. 종래에는 제2 봉지제를 완전히 경화시키지 않은 상태에서 반도체 발광소자를 제2 봉지제에 고정한 후 제2 봉지제를 경화시켜 반도체 발광소자에 제2 봉지제를 접착하였다. 그러나 이 경우에 제2 봉지제가 경화되기 전에 반도체 발광소자를 제2 봉지제에 고정하면서 제2 봉지제의 형상이 일정하게 유지되지 않는 문제가 있었다. 본 개시는 이러한 문제를 해결하기 위하여 제2 봉지제(410)가 완전히 경화된 후 제2 봉지제(410) 위에 제1 봉지제(420)를 도포한 후 제1 봉지제(420) 위에 반도체 발광소자(430)를 고정하였다. 또한 도 7(c)와 같이 제1 봉지제(420)의 일부가 반도체 발광소자(430)의 측면의 일부를 감싸도록 하기 위해, 제1 봉지제(420)가 경화되지 않은 액상 상태 또는 반경화 상태에서 반도체 발광소자(430)를 고정한다. 또한 플레이트(400)는 제2 봉지제(410)가 경화된 이후에는 언제든 제거할 수 있다. 절단선(CC')에 따라 절단하기 전에 플레이트(400)를 제거하는 것이 바람직하다.In particular, when forming the second encapsulant 410, it is preferable that the second encapsulant 410 is completely cured. Conventionally, the second encapsulant is fixed to the second encapsulant in a state in which the second encapsulant is not completely cured, and then the second encapsulant is cured to adhere the second encapsulant to the semiconductor light emitting element. However, in this case, there is a problem that the shape of the second encapsulant is not kept constant while the semiconductor light emitting device is fixed to the second encapsulant before the second encapsulant is cured. In order to solve this problem, the present disclosure discloses a method in which a first encapsulant 420 is coated on a second encapsulant 410 after the second encapsulant 410 is fully cured, The device 430 was fixed. 7C, the first encapsulant 420 may be in a non-cured liquid state or a semi-cured state so that a part of the first encapsulant 420 surrounds a part of the side surface of the semiconductor light- The semiconductor light emitting device 430 is fixed. The plate 400 may also be removed at any time after the second encapsulant 410 has been cured. It is preferable to remove the plate 400 before cutting along the cutting line CC '.

도 8은 본 개시에 따른 반도체 발광소자 구조물을 제조하는 하는 방법의 다른 일 예를 도시한 도면이다.8 is a view showing another example of a method of manufacturing the semiconductor light emitting device structure according to the present disclosure.

먼저 도 8(a)와 같이 플레이트(500) 위에 제2 봉지제(510)를 형성한다. 이후 도 8(b)와 같이 제2 봉지제(510) 위에 제1 봉지제(520)를 형성한다. 이후 도 8(c)와 같이 제1 봉지제(520) 위에 전극(531)이 위로 향하도록 반도체 발광소자(530)를 고정한다. 이 경우 도 8(c)에 도시된 것처럼 제1 봉지제(520)는 반도체 발광소자(530)의 측면의 일부를 둘러싸게 된다. 이후 8(d)와 같이 제2 봉지제(510)에 홈(560)을 만든다. 이후 도 8(e)와 같이 제1 봉지제(520) 및 반도체 발광소자(530)의 측면 일부를 둘러싸고, 홈(560)을 채우도록 반사층(540)을 형성한다. 이후 도 8(f)와 같이 절단선(CC')을 따라 절단하여 개개의 반도체 발광소자 구조물(550)을 얻는다. 도 8의 제조 방법에 의해 만들어진 반도체 발광소자 구조물(550)의 평면도 및 단면도가 도 5에 도시되어 있다.First, a second encapsulant 510 is formed on the plate 500 as shown in FIG. 8 (a). Then, the first encapsulant 520 is formed on the second encapsulant 510 as shown in FIG. 8 (b). Then, the semiconductor light emitting device 530 is fixed with the electrode 531 facing upward on the first encapsulant 520 as shown in FIG. 8 (c). In this case, as shown in FIG. 8 (c), the first encapsulant 520 surrounds a part of the side surface of the semiconductor light emitting element 530. Then, a groove 560 is formed in the second encapsulant 510 as shown in 8 (d). The reflective layer 540 is formed so as to surround the first encapsulant 520 and a part of the side surface of the semiconductor light emitting device 530 and fill the groove 560 as shown in FIG. 8 (e). Then, the semiconductor light emitting device structure 550 is cut along the cutting line CC 'as shown in FIG. 8 (f). A plan view and a cross-sectional view of the semiconductor light emitting device structure 550 made by the manufacturing method of FIG. 8 are shown in FIG.

이하 본 개시의 다양한 실시 형태에 대하여 설명한다.Various embodiments of the present disclosure will be described below.

(1) 반도체 발광소자 구조물에 있어서, 활성층을 포함하는 반도체 발광소자;반도체 발광소자의 상부 및 측면을 둘러싸는 제1 봉지제; 제1 봉지제 상부에 위치하는 제2 봉지제; 그리고, 제2 봉지제 하부에 위치하며, 제1 봉지제를 둘러싸고 있는 반사층;을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 구조물.(1) A semiconductor light emitting device structure, comprising: a semiconductor light emitting device including an active layer; a first encapsulant surrounding upper and side surfaces of the semiconductor light emitting device; A second encapsulant positioned above the first encapsulant; And a reflective layer disposed under the second encapsulant and surrounding the first encapsulant.

(2) 반도체 발광소자는 하부에 전극이 노출되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 구조물.(2) A semiconductor light emitting device structure, wherein an electrode is exposed at a bottom of the semiconductor light emitting device.

(3) 제1 봉지제는 반도체 발광소자의 측면의 상측 일부를 감싸고, 반도체 발광소자의 나머지 측면의 하측 일부는 반사층이 둘러싸고 있는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 구조물.(3) The semiconductor light emitting device structure as claimed in claim 1, wherein the first encapsulant surrounds an upper portion of a side surface of the semiconductor light emitting device, and a lower portion of the other side surface of the semiconductor light emitting device surrounds the reflective layer.

(4) 반도체 발광소자의 측면의 하측 일부를 둘러싸고 있는 반사층은 반도체 발광소자의 활성층을 둘러싸고 있는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 구조물.(4) A semiconductor light emitting device structure, wherein a reflective layer surrounding a lower portion of a side surface of the semiconductor light emitting device surrounds an active layer of the semiconductor light emitting device.

(5) 반사층의 일부가 제2 봉지제의 측면을 둘러싸는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 구조물.(5) A semiconductor light emitting device structure, wherein a part of the reflective layer surrounds the side surface of the second encapsulant.

(6) 반도체 발광소자 구조물을 제조하는 방법에 있어서, 플레이트 위에 제2 봉지제를 형성하는 단계; 제2 봉지제 위에 제1 봉지제를 형성하는 단계; 제1 봉지제 위에 전극이 위로 향하도록 반도체 발광소자를 고정하는 단계; 그리고, 제1 봉지제 및 반도체 발광소자의 측면 일부를 둘러싸도록 반사층을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 구조물을 제조하는 방법.(6) A method of manufacturing a semiconductor light emitting device structure, comprising: forming a second encapsulant on a plate; Forming a first encapsulant on the second encapsulant; Fixing the semiconductor light emitting element with the electrode facing upward on the first encapsulant; And forming a reflective layer to surround the first encapsulant and a side surface of the semiconductor light emitting device.

(7) 플레이트 위에 제2 봉지제를 형성하는 단계에서 제2 봉지제는 완전히 경화시키는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 구조물을 제조하는 방법.(7) The method of manufacturing a semiconductor light-emitting device structure according to any one of the preceding claims, wherein the second encapsulant is completely cured in the step of forming the second encapsulant on the plate.

(8) 제1 봉지제 위에 전극이 위로 향하도록 반도체 발광소자를 고정하는 단계에서 제1 봉지제의 일부가 반도체 발광소자의 측면을 둘러싸도록 하기 위해 반도체 발광소자를 고정할 때 제1 봉지제가 액상 또는 반경화 상태로 있는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 구조물을 제조하는 방법.(8) In the step of fixing the semiconductor light emitting element with the electrode facing upward on the first encapsulant, when the semiconductor light emitting element is fixed so that a part of the first encapsulant surrounds the side surface of the semiconductor light emitting element, Or semi-cured state. ≪ RTI ID = 0.0 > 11. < / RTI >

(9) 반사층을 형성하기 전에 제2 봉지제에 홈을 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 구조물을 제조하는 방법.(9) A method for manufacturing a semiconductor light-emitting device structure, wherein a groove is formed in the second encapsulant before forming the reflective layer.

(10) 제2 봉지제에 형성된 홈에 반사층을 채우는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 구조물을 제조하는 방법.(10) A method for manufacturing a semiconductor light emitting device structure, comprising filling a groove formed in a second encapsulant with a reflective layer.

본 개시에 따르면 광 성능이 향상된 CSP를 얻을 수 있다.According to the present disclosure, a CSP having improved optical performance can be obtained.

본 개시에 따르면 제2 봉지제의 형상이 일정하게 유지되어, 광 성능이 향상된 CSP를 얻을 수 있다.According to the present disclosure, the shape of the second encapsulant is kept constant, and CSP with improved optical performance can be obtained.

반도체 발광소자 :150, 210, 310
제1 봉지제 : 220, 320, 420, 520
제2 봉지제 : 230, 330, 410, 510
반사층 : 240, 340, 440, 540
반도체 발광소자 구조물 : 210, 310, 430, 530Semiconductor light emitting devices: 150, 210, 310
First encapsulant: 220, 320, 420, 520
Second encapsulant: 230, 330, 410, 510
Reflective layer: 240, 340, 440, 540
Semiconductor light emitting device structure: 210, 310, 430, 530

Claims (10)

반도체 발광소자 구조물에 있어서,
활성층을 포함하는 반도체 발광소자;
반도체 발광소자의 상부 전체 및 측면을 둘러싸는 제1 봉지제;
제1 봉지제 상부에 위치하는 제2 봉지제; 그리고,
제2 봉지제 하부에만 위치하며, 제1 봉지제를 둘러싸고 있는 반사층;을 포함하며
제1 봉지제에 의해 제2 봉지제는 반도체 발광소자와 떨어져 있어 반도체 발광소자와 접촉하지 않으며,
제1 봉지제와 제2 봉지제가 만나는 면은 평탄면인 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 구조물.In a semiconductor light emitting device structure,
A semiconductor light emitting element including an active layer;
A first encapsulant surrounding the entire upper surface and side surfaces of the semiconductor light emitting device;
A second encapsulant positioned above the first encapsulant; And,
And a reflective layer located only below the second encapsulant and surrounding the first encapsulant,
The second encapsulant is separated from the semiconductor light emitting element by the first encapsulant and is not in contact with the semiconductor light emitting element,
And the surface where the first encapsulant and the second encapsulant meet is a flat surface. 청구항 1에 있어서,
반도체 발광소자는 하부에 전극이 노출되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 구조물.The method according to claim 1,
Wherein the semiconductor light emitting device has an electrode exposed at a lower portion thereof. 청구항 1에 있어서,
제1 봉지제는 반도체 발광소자의 측면의 상측 일부를 감싸고, 반도체 발광소자의 나머지 측면의 하측 일부는 반사층이 둘러싸고 있는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 구조물.The method according to claim 1,
Wherein the first encapsulant surrounds an upper portion of a side surface of the semiconductor light emitting device and a lower portion of the other side surface of the semiconductor light emitting device surrounds the reflective layer. 청구항 3에 있어서,
반도체 발광소자의 측면의 하측 일부를 둘러싸고 있는 반사층은 반도체 발광소자의 활성층을 둘러싸고 있는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 구조물.The method of claim 3,
Wherein a reflective layer surrounding a lower portion of a side surface of the semiconductor light emitting device surrounds an active layer of the semiconductor light emitting device. 삭제delete 반도체 발광소자 구조물을 제조하는 방법에 있어서,
플레이트 위에 제2 봉지제를 형성하는 단계;
제2 봉지제 위에 제1 봉지제를 형성하는 단계;
제1 봉지제 위에 전극이 위로 향하도록 반도체 발광소자를 고정하는 단계;로서 제1 봉지제가 반도체 발광소자의 상부 전체 및 측면을 둘러싸도록 반도체 발광소자를 고정하는 단계; 그리고,
제1 봉지제 측면 및 반도체 발광소자의 측면 일부를 둘러싸도록 반사층을 형성하는 단계;를 포함하며,
제1 봉지제와 제2 봉지제가 만나는 면은 평탄면이며,
반사층은 제2 봉지제 하부에만 위치하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 구조물을 제조하는 방법.A method of manufacturing a semiconductor light emitting device structure,
Forming a second encapsulant on the plate;
Forming a first encapsulant on the second encapsulant;
Fixing the semiconductor light emitting element so that the electrode faces upward on the first encapsulant; fixing the semiconductor light emitting element so that the first encapsulant surrounds the entire upper side and the side surface of the semiconductor light emitting element; And,
And forming a reflective layer so as to surround the first encapsulation side and a side surface of the semiconductor light emitting device,
The face where the first encapsulant and the second encapsulant meet is a flat face,
And the reflective layer is located only below the second encapsulant. 청구항 6에 있어서,
플레이트 위에 제2 봉지제를 형성하는 단계에서 제2 봉지제를 완전히 경화시키는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 구조물을 제조하는 방법.The method of claim 6,
Wherein the step of forming the second encapsulant on the plate completely cures the second encapsulant. 청구항 6에 있어서,
제1 봉지제 위에 전극이 위로 향하도록 반도체 발광소자를 고정하는 단계에서 제1 봉지제의 일부가 반도체 발광소자의 측면을 둘러싸도록 하기 위해 반도체 발광소자를 고정할 때 제1 봉지제가 액상 또는 반경화 상태로 있는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 구조물을 제조하는 방법.The method of claim 6,
In the step of fixing the semiconductor light emitting element with the electrode facing upward on the first encapsulant, when the semiconductor light emitting element is fixed so that a part of the first encapsulant surrounds the side surface of the semiconductor light emitting element, Gt; a < / RTI > semiconductor light emitting device structure. 삭제delete 삭제delete
KR1020150074950A 2015-05-28 2015-05-28 Semicondutor light emitting device structure and method of manufacturing the same Expired - Fee Related KR101779084B1 (en)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020150074950A KR101779084B1 (en) 2015-05-28 2015-05-28 Semicondutor light emitting device structure and method of manufacturing the same
CN201510744984.9A CN106206919A (en) 2015-05-28 2015-11-05 Semiconductor light-emitting elements works and manufacture method thereof

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020150074950A KR101779084B1 (en) 2015-05-28 2015-05-28 Semicondutor light emitting device structure and method of manufacturing the same

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20160141133A KR20160141133A (en) 2016-12-08
KR101779084B1 true KR101779084B1 (en) 2017-09-19

Family

ID=57453244

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020150074950A Expired - Fee Related KR101779084B1 (en) 2015-05-28 2015-05-28 Semicondutor light emitting device structure and method of manufacturing the same

Country Status (2)

Country Link
KR (1) KR101779084B1 (en)
CN (1) CN106206919A (en)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107331760A (en) * 2017-07-06 2017-11-07 庞绮琪 Long-life LED chip

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013012545A (en) 2011-06-28 2013-01-17 Citizen Electronics Co Ltd Light-emitting device and manufacturing method therefor
JP2013089644A (en) * 2011-10-13 2013-05-13 Citizen Electronics Co Ltd Semiconductor light-emitting device

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013012545A (en) 2011-06-28 2013-01-17 Citizen Electronics Co Ltd Light-emitting device and manufacturing method therefor
JP2013089644A (en) * 2011-10-13 2013-05-13 Citizen Electronics Co Ltd Semiconductor light-emitting device

Also Published As

Publication number Publication date
CN106206919A (en) 2016-12-07
KR20160141133A (en) 2016-12-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI550910B (en) Semiconductor light emitting device
JP5251038B2 (en) Light emitting device
KR102304741B1 (en) Substrate for led with total-internal reflection layer surrounding led
US10461227B2 (en) Method for manufacturing light emitting device, and light emitting device
KR101476771B1 (en) Semiconductor device structure and method of manufacutruing the same
KR20150107086A (en) Semiconductor device structure and method of manufacutruing the same
KR101426433B1 (en) Manufacturing method of semiconductor light emitting device
JP5370238B2 (en) Method for manufacturing light emitting device
KR101291092B1 (en) Method of manufacutruing semiconductor device structure
KR20140026163A (en) Method of manufacutruing semiconductor device structure
KR101772550B1 (en) Semiconductor light emitting device
KR101779084B1 (en) Semicondutor light emitting device structure and method of manufacturing the same
KR101863538B1 (en) Semiconductor Light Emitting Device And Method of Manufacturing the same
KR101299563B1 (en) Method of manufacutruing semiconductor device structure
KR101460742B1 (en) Method of manufacutruing semiconductor device structure
KR20170030125A (en) Semiconductor Light Emitting Device And Method of Manufacturing the same
KR101807531B1 (en) Semicondutor light emitting device and method of manufacturing the same
KR101300463B1 (en) Method of manufacutruing semiconductor device structure
KR101863549B1 (en) Semiconductor light emitting device
KR101403640B1 (en) Semiconductor light emitting device and method of encapsulating the same
JP4461969B2 (en) Semiconductor light emitting device and manufacturing method thereof
KR101461153B1 (en) Method of manufacutruing semiconductor device structure
KR20140048178A (en) Method of manufacutruing semiconductor device structure
KR20170109167A (en) Semiconductor light emitting device
KR20130114011A (en) Method of manufacutruing semiconductor device structure

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
PA0109 Patent application

Patent event code: PA01091R01D

Comment text: Patent Application

Patent event date: 20150528

PA0201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
PE0902 Notice of grounds for rejection

Comment text: Notification of reason for refusal

Patent event date: 20160504

Patent event code: PE09021S01D

AMND Amendment
PG1501 Laying open of application
E601 Decision to refuse application
PE0601 Decision on rejection of patent

Patent event date: 20170213

Comment text: Decision to Refuse Application

Patent event code: PE06012S01D

Patent event date: 20160504

Comment text: Notification of reason for refusal

Patent event code: PE06011S01I

AMND Amendment
PX0901 Re-examination

Patent event code: PX09011S01I

Patent event date: 20170213

Comment text: Decision to Refuse Application

Patent event code: PX09012R01I

Patent event date: 20161004

Comment text: Amendment to Specification, etc.

E902 Notification of reason for refusal
PE0902 Notice of grounds for rejection

Comment text: Notification of reason for refusal

Patent event date: 20170501

Patent event code: PE09021S01D

AMND Amendment
PX0701 Decision of registration after re-examination

Patent event date: 20170906

Comment text: Decision to Grant Registration

Patent event code: PX07013S01D

Patent event date: 20170703

Comment text: Amendment to Specification, etc.

Patent event code: PX07012R01I

Patent event date: 20170413

Comment text: Amendment to Specification, etc.

Patent event code: PX07012R01I

Patent event date: 20170213

Comment text: Decision to Refuse Application

Patent event code: PX07011S01I

Patent event date: 20161004

Comment text: Amendment to Specification, etc.

Patent event code: PX07012R01I

X701 Decision to grant (after re-examination)
GRNT Written decision to grant
PR0701 Registration of establishment

Comment text: Registration of Establishment

Patent event date: 20170911

Patent event code: PR07011E01D

PR1002 Payment of registration fee

Payment date: 20170912

End annual number: 3

Start annual number: 1

PG1601 Publication of registration
PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20200713

Start annual number: 4

End annual number: 4

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20210706

Start annual number: 5

End annual number: 5

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20220204

Start annual number: 6

End annual number: 6

PC1903 Unpaid annual fee

Termination category: Default of registration fee

Termination date: 20240622