KR101773038B1 - 기화기를 갖는 증착장치 및 증착방법 - Google Patents
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Abstract
이러한 구성에 따르면, 제1 퍼지가스 공급부에 의해 퍼지 가스가 연결배관으로 공급되어, 연결배관 및 기화기 내의 이물질들을 제거하므로, 증착장치 내에 이물질들이 존재하여 공정상의 문제를 야기하는 것을 미연에 방지할 수 있다.
Description
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 기화기를 갖는 증착장치의 개략적인 구성을 나타내는 도면이다.
도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 기화기를 갖는 증착장치의 개략적인 구성을 나타내는 도면이다.
도 4는 본 발명의 증착장치의 기화기의 구성을 나타내는 개략적인 단면도이다.
즉, 도 2 내지 도 4를 참조하면, 기화기(300)는 챔버 연결부(330)를 통해 연결배관(421)과 연결되고, 펌핑라인 연결부(340)를 통해 배기장치(410)와 연결될 수 있다. 연결배관(421)에 퍼지 가스가 공급되면, 퍼지 가스는 챔버 연결부(330)를 통해 기화기(300) 내부로 유입되고, 펌핑라인 연결부(340)를 통해 기화기(300)를 빠져나갈 수 있다.
따라서, 연결배관(421)을 통해 기화기(300) 내부로 유입된 퍼지 가스는, 기화기(300)를 빠져나가면서, 기화기(300) 내에 존재하는 이물질들을 기화기(300) 외부로 이끌어낼 수 있다.
이러한 구조로 인하여, 연결배관(421)으로 공급되는 퍼지 가스는 연결배관(421)을 지나 기화기(300)를 통과하면서 기화기(300) 내부의 이물질도 함께 제거할 수 있다.
230 : 캐리어가스 공급부 300 : 기화기
301 : 주입구 302 : 오리피스
310 : 하우징 311 : 기화공간
320 : 히터 330 : 펌핑라인 연결부
340 : 챔버 연결부 350 : 필터
410 : 배기장치 411 : 배기펌프
413 : 배기밸브 414 : 트랩부
421 : 연결배관 420 : 차단 밸브
430 : 제2 퍼지가스 공급부 440 : 반응가스 공급부
450 : 제1 퍼지가스 공급부 460 : 퍼지가스 공급부
Claims (13)
- 기화기를 갖는 증착장치에 있어서,
원료 물질을 공급하는 원료물질 공급부;
상기 원료물질 공급부로부터 원료 물질을 공급받아 기화시키는 기화기;
상기 기화기와 연결되어, 기화된 원료 물질이 피처리물 상에 증착되는 반응공간을 제공하는 반응 챔버;
상기 기화기와 상기 반응 챔버 사이의 연결배관에 잔류하는 이물질을 제거하기 위해 상기 연결배관으로 퍼지 가스를 공급하는 제1 퍼지가스 공급부;
상기 기화기와 연결되는 배기장치;
를 포함하고,
상기 제1 퍼지가스 공급부는,
상기 연결배관에 직접 연결되는 것을 특징으로 하는 기화기를 갖는 증착장치. - 제1항에 있어서,
상기 연결배관으로 공급된 퍼지가스는 상기 기화기를 거쳐 상기 배기장치에 의해 펌핑되어 배기되는 것을 특징으로 하는 기화기를 갖는 증착장치. - 제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 연결배관에 설치되어, 상기 퍼지 가스가 상기 반응 챔버로 유입되는 것을 차단하는 차단 밸브;
를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기화기를 갖는 증착장치. - 제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 반응 챔버 내로 퍼지 가스를 공급하여 상기 피처리물 상에 증착되지 않은 원료 물질을 제거하기 위한 제2 퍼지가스 공급부;
를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기화기를 갖는 증착장치. - 제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 기화기는,
기화공간을 갖는 하우징;
상기 기화공간의 주위에 설치되어 원료 물질을 가열하는 히터;
상기 기화공간의 상부에 설치되어, 원료 물질을 미립화시키기 위해 복수의 미세한 홀을 갖는 필터;
를 포함하는 것을 특징으로 하는 기화기를 갖는 증착장치. - 제5항에 있어서,
상기 기화공간은,
110℃ 내지 140℃의 온도로 유지되고, 80 torr 내지 120 torr의 압력으로 유지되는 것을 특징으로 하는 기화기를 갖는 증착장치. - 액상의 원료 물질을 기화시켜 피처리물 상에 증착하기 위한 증착방법에 있어서,
원료 물질을 기화기 내로 공급하여 기화시키는 단계;
상기 기화기와 연결된 반응 챔버 내로 기화된 원료 물질을 공급하여 피처리물 상에 증착시키는 단계;
상기 기화기와 상기 반응 챔버 사이의 연결배관에 잔류하는 이물질을 제거하기 위해 상기 연결배관으로 퍼지 가스를 공급하는 단계;
상기 퍼지 가스를 펌핑하여 배기시키는 단계;
를 포함하고,
상기 연결배관은,
일측이 상기 반응 챔버와 연결되고, 타측이 상기 기화기와 연결되며,
상기 퍼지 가스는,
상기 연결배관과 직접 연결되는 퍼지가스 공급부에 의해 상기 연결배관으로 공급되는 것을 특징으로 하는 증착방법. - 제7항에 있어서,
상기 배기시키는 단계는 상기 퍼지 가스가 상기 기화기를 거쳐 배기되도록 하는 것을 특징으로 하는 증착방법. - 제7항 또는 제8항에 있어서,
상기 배기시키는 단계 동안 상기 기화기 내로 퍼지 가스를 공급하는 단계;
를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 증착방법. - 제7항 또는 제8항에 있어서,
상기 퍼지 가스를 공급하는 단계 동안 상기 퍼지 가스가 상기 반응 챔버 내로 유입되는 것을 차단하는 단계;
를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 증착방법. - 제7항 또는 제8항에 있어서,
상기 반응 챔버 내로 퍼지 가스를 공급하여 상기 피처리물 상에 증착되지 않은 원료 물질을 제거하는 단계;
를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 증착방법. - 제7항 또는 제8항에 있어서,
상기 기화시키는 단계는,
상기 원료 물질을 복수의 미세한 홀을 갖는 필터를 통해 통과시켜 미립화시키는 단계;
상기 필터를 통과한 원료 물질을 가열하여 기화시키는 단계;
를 포함하는 것을 특징으로 하는 증착방법. - 기화기를 갖는 증착장치에 있어서,
원료 물질을 공급하는 원료물질 공급부;
상기 원료 물질을 기화시키는 기화기;
상기 기화기와 연결되어, 기화된 원료 물질이 피처리물 상에 증착되는 반응공간을 제공하는 챔버;
상기 기화기와 상기 챔버 사이의 연결배관으로 퍼지 가스를 공급하는 퍼지가스 공급부; 및
상기 기화기와 연결되는 배기장치;
를 포함하고,
상기 퍼지가스 공급부는,
상기 연결배관에 직접 연결되는 것을 특징으로 하는 기화기를 갖는 증착장치.
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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WO2023096056A1 (ko) * | 2021-11-23 | 2023-06-01 | 주식회사 레이크머티리얼즈 | 필터 모듈 및 그를 포함하는 유기금속 화합물 공급 장치 |
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