KR101763873B1 - Flexible metal laminate - Google Patents
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Abstract
본 발명은 할로겐으로 1이상 치환 또는 비치환된 장쇄의 지방족 작용기, 지환족 작용기 또는 방향족 작용기가 1이상 말단에 치환된 특정 화학 구조의 폴리이미드 수지 30 내지 95중량%; 및 불소계 수지 입자 5 내지 70중량%;를 포함한 폴리이미드 수지층을 포함하는 연성 금속 적층체에 관한 것이다. The present invention relates to a polyimide resin composition comprising 30 to 95% by weight of a polyimide resin having a specific chemical structure in which at least one aliphatic, alicyclic, or aromatic functional group of a long chain, substituted or unsubstituted with halogen, is substituted at one or more terminals; And a polyimide resin layer containing 5 to 70% by weight of fluoric resin particles.
Description
본 발명은 연성 금속 적층체에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 높은 탄성도 및 낮은 수분 흡수율을 가지면서도 낮은 유전율 및 낮은 유전 손실 계수를 확보할 수 있는 연성 금속 적층체에 관한 것이다.The present invention relates to a flexible metal laminate, and more particularly, to a flexible metal laminate capable of securing a low permittivity and a low dielectric loss factor while having a high elasticity and a low moisture absorption rate.
최근 전자 기기의 소형화와 고속화 및 다양한 기능들이 결합하는 추세에 맞춰서 전자 기기 내부에서의 신호 전달 속도 또는 전자 기기 외부와의 신호 전달 속도가 빨라지고 있는 실정이다. 이에 따라서, 기존의 절연체보다 유전율과 유전 손실 계수가 더욱 낮은 절연체를 이용한 인쇄 회로 기판이 필요해지고 있다. In recent years, signal transmission speed within the electronic device or signal transmission speed to the outside of the electronic device has been accelerating in accordance with the trend of miniaturization and high speed of electronic devices and the combination of various functions. Accordingly, a printed circuit board using an insulator having a dielectric constant and a dielectric loss coefficient lower than that of an existing insulator is required.
이러한 경향을 반영하듯 최근 연성 인쇄 회로기판에서도 종래의 폴리이미드보다 더욱 유전율이 낮으면서 흡습에 의한 영향을 덜 받는 절연체인 액정 폴리머(LCP, Liquid Crystalline Polymer)를 적용하려는 움직임이 생겨나고 있다. 그러나, LCP를 적용하더라도 실질적으로 LCP의 유전율(Dk=2.9)이 폴리이미드(Dk=3.2)와 크게 다르지 않기 때문에 적용에 따른 개선 정도가 미미하고, 또한 LCP의 내열성이 남땜 공정에서 문제가 될 정도로 낮으며, LCP가 열가소성을 갖기 때문에 레이저를 이용한 Via hole 가공에 있어서 기존의 폴리이미드를 이용했던 PCB 제조 공정과의 호환성이 떨어지는 문제점이 있다. As reflected in this tendency, there is a tendency to apply LCP (Liquid Crystalline Polymer), which is an insulator less susceptible to moisture absorption, than a conventional polyimide even in a flexible printed circuit board. However, even when the LCP is applied, the degree of improvement due to application is insignificant because the dielectric constant (Dk = 2.9) of LCP is substantially not different from that of polyimide (Dk = 3.2) substantially and the heat resistance of the LCP becomes a problem in the soldering process And since the LCP has thermoplasticity, there is a problem that compatibility with the PCB manufacturing process using the conventional polyimide is inferior in the laser hole processing using the laser.
따라서, 이에 대한 해결책으로 기존 연성 회로 기판의 절연체로 사용되고 있는 폴리이미드의 유전율을 낮추는 노력이 실시되어 왔다. 예를 들어, 미국등록특허 제4816516호에 의하면, 폴리이미드와 불소계 고분자를 혼합하여 몰드 성형품을 만드는 내용을 나타내었다. 그러나, 상기 특허는 저유전율이 필요한 전자기기용 제품에 관한 것이 아니라 몰드 성형품에 관한 것으로, 실제 열팽창율이 크고 유리전이온도가 낮은 폴리이미드를 사용하였다. 또한, 인쇄회로기판에 사용하기 위해서는 얇은 박막 형태로 폴리이미드 수지를 가공하여야 하는데, 상기 미국특허에는 얇은 박막 형태로 제조된 동박 적층판에 관한 내용이 나타나 있지 않다. Accordingly, efforts have been made to lower the dielectric constant of polyimide used as an insulator of conventional flexible circuit boards. For example, U.S. Patent No. 4,816,516 discloses a method of molding a molded article by mixing polyimide and a fluorine-based polymer. However, the above patent does not relate to a product for an electronic device requiring a low dielectric constant but relates to a molded product, and polyimide having a large coefficient of thermal expansion and a low glass transition temperature is used. In addition, in order to be used for a printed circuit board, a polyimide resin must be processed in the form of a thin film. The US patent does not disclose a thin-film-type copper-clad laminate.
또한, 미국등록특허 제7026032호에 의하면, 불소계 고분자의 미세 분말을 폴리이미드에 분산시켜 제조되는 제품의 유전율을 낮추는 방법이 개시되어 있다. 상기 미국 특허에는 불소계 고분자 미세 분말이 절연체의 내부 코어에 비하여 외부 표면에 보다 많이 분포하는 내용이 나타나 있다. 그러나, 상기 미국 특허에 기재된 바와 같이, 절연체의 최외각층에 불소계 고분자의 함량이 많기 때문에 외부 표면의 불소계 고분자에 의하여 수분 투과 및 흡수가 낮아져서 전체적인 수분 흡수율을 낮출 수 있으나, 기존의 폴리이미드로 이루어진 연성 동박 적층판이 갖지 않던 문제점이 발생할 수 있다. Further, U.S. Patent No. 7026032 discloses a method of lowering the dielectric constant of a product produced by dispersing a fine powder of a fluorine-based polymer in polyimide. The US patent discloses that the fluorine-based polymer fine powder is more distributed on the outer surface than the inner core of the insulator. However, since the content of the fluorinated polymer is large in the outermost layer of the insulator as described in the above-mentioned U.S. patent, moisture permeation and absorption are lowered by the fluorinated polymer on the outer surface, and the overall water absorption rate can be lowered. However, There is a problem that the copper clad laminate does not exist.
예를 들어, 상기 미국 특허에 기재된 폴리이미드 수지는 커버레이와의 접착력이나 프리프레그와의 접착력이 약해지고 ACF와의 접착력도 낮아질 수 있으며, 상기 미국 특허에 기재된 폴리이미드 수지의 열팽창계수(CTE)는 연성 동박 적층판에 적용되기에는 너무 클 뿐만 아니라, 상기 폴리이미드 수지의 표면에는 불소 수지가 외부에 과량으로 존재하게 때문에, PCB 제조 공정 중의 수납 공정에 적용되는 380℃ 내외의 온도에서 불소 수지가 녹을 수 있고 동박 회로가 절연체로부터 박리될 위험이 있다. For example, the polyimide resin described in the U.S. patent may weaken the adhesive force with the coverlay or the adhesion with the prepreg, and the adhesive force with the ACF may be lowered, and the coefficient of thermal expansion (CTE) of the polyimide resin disclosed in the above- Since the fluoropolymer is present in excess on the surface of the polyimide resin, the fluoropolymer can be melted at a temperature of about 380 ° C, which is applied to the holding process during the PCB manufacturing process There is a risk that the copper foil circuit will peel off from the insulator.
그리고, 이전에는 주로 절연체의 유전율을 낮추기 위해서 추가적인 성분을 첨가하는 방법이나 금속 적층체나 PCB 제조시의 압착 온도를 높이는 방법 등을 사용하였으나, 이러한 방법에 따르면 유전 손실 계수를 충분히 낮추기가 어려울 수 있으며, 제조되는 최종 제품의 탄성 계수나 낮아지거나 열팽창계수가 크게 높아져버릴 수 있다.Previously, in order to lower the dielectric constant of the insulator, a method of adding an additional component or a method of raising the temperature of the metal laminate or the sintering temperature of the PCB was used. However, according to this method, The elastic modulus of the final product to be produced may be lowered or the thermal expansion coefficient may be greatly increased.
본 발명은 높은 탄성도 및 낮은 수분 흡수율을 가지면서도 보다 낮은 유전율 및 낮은 유전 손실 계수를 확보할 수 있는 연성 금속 적층체를 제공하기 위한 것이다.The present invention is intended to provide a flexible metal laminate capable of securing a low permittivity and a low dielectric loss coefficient while having a high elasticity and a low moisture absorption rate.
본 명세서에서는, 할로겐으로 1이상 치환 또는 비치환된 탄소수 6이상의 지방족 작용기, 할로겐으로 1이상 치환 또는 비치환된 탄소수 6이상의 지환족 작용기 및 할로겐으로 1이상 치환 또는 비치환된 탄소수 6이상의 방향족 작용기로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 작용기가 말단에 1이상 치환되고, 하기 화학식1의 반복 단위를 포함하는 폴리이미드 수지 30 내지 95중량%; 및 불소계 수지 입자 5 내지 70중량%;를 포함한 폴리이미드 수지층을 포함하는, 연성 금속 적층체가 제공된다. In the present specification, an aliphatic functional group having at least 6 carbon atoms which is substituted or unsubstituted with a halogen, an alicyclic functional group having at least 6 carbon atoms, which is substituted or unsubstituted with at least one halogen, and an aromatic functional group having at least 6 carbon atoms, 30 to 95% by weight of a polyimide resin having at least one functional group selected from the group consisting of the repeating units of the following formula (1) substituted at one or more ends thereof; And a polyimide resin layer containing 5 to 70% by weight of fluoric resin particles.
[화학식1] [Chemical Formula 1]
상기 화학식1에서, Y1은 4가의 방향족 유기 작용기이고, X는 2가의 방향족 유기 작용기이며, 상기 n 은 1 내지 300의 정수이다.Wherein Y 1 is a tetravalent aromatic organic functional group, X is a divalent aromatic organic functional group, and n is an integer of 1 to 300.
이하에서는 발명의 구체적인 구현예에 따른 연성 금속 적층체에 관하여 보다 상세하게 설명하기로 한다.
Hereinafter, a flexible metal laminate according to a specific embodiment of the present invention will be described in more detail.
상술한 바와 같이, 발명의 일 구현예에 따르면, 할로겐으로 1이상 치환 또는 비치환된 탄소수 6이상의 지방족 작용기, 할로겐으로 1이상 치환 또는 비치환된 탄소수 6이상의 지환족 작용기 및 할로겐으로 1이상 치환 또는 비치환된 탄소수 6이상의 방향족 작용기로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 작용기가 말단에 1이상 치환되고, 상기 화학식1의 반복 단위를 포함하는 폴리이미드 수지 30 내지 95중량%; 및 불소계 수지 입자 5 내지 70중량%;를 포함한 폴리이미드 수지층을 포함하는, 연성 금속 적층체가 제공될 수 있다. As described above, according to one embodiment of the present invention, an aliphatic functional group having at least 6 carbon atoms, at least one of which is substituted or unsubstituted with a halogen, an alicyclic functional group having at least 6 carbon atoms, which is substituted or unsubstituted with at least one halogen, From 30 to 95% by weight of a polyimide resin containing at least one functional group selected from the group consisting of unsubstituted aromatic groups having 6 or more carbon atoms and having a repeating unit of the formula (1); And a polyimide resin layer containing 5 to 70% by weight of fluoric resin particles.
본 발명자들은 상술한 특정의 작용기가 말단에 치환된고 하기 화학식1의 반복 단위를 포함하는 폴리이미드 수지 및 불소계 수지를 포함한 폴리이미드 수지층을 포함하는 연성 금속 적층체가 높은 탄성도 및 낮은 수분 흡수율을 가지면서도 보다 낮은 유전율 및 낮은 유전 손실 계수를 확보할 수 있다는 점을 실험을 통하여 확인하고 발명을 완성하였다. The inventors of the present invention have found that a flexible metal laminate comprising a polyimide resin and a polyimide resin layer containing a fluorine resin having repeating units of the following formula (1) wherein the above-mentioned specific functional group is substituted at the terminal has high elasticity and low water absorption And it is possible to secure a lower dielectric constant and a low dielectric loss coefficient while having the above-mentioned characteristics.
구체적으로, 할로겐으로 1이상 치환 또는 비치환된 탄소수 6이상의 지방족 작용기, 할로겐으로 1이상 치환 또는 비치환된 탄소수 6이상의 지환족 작용기 및 할로겐으로 1이상 치환 또는 비치환된 탄소수 6이상의 방향족 작용기로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 작용기가 말단에 1이상 치환된 폴리이미드 수지는 불소계 수지 입자가 보다 균일한 크기로 상기 폴리이미드 수지층의 전체 영역에 걸쳐서 고르게 분포할 수 있도록 하며, 이에 따라 상기 연성 금속 적층판 및 이에 포함되는 폴리이미드 수지층의 유전 손실 계수를 크게 낮출 수 있다. Specifically, an aliphatic functional group having at least 6 carbon atoms, at least one of which is substituted or unsubstituted with a halogen, an alicyclic functional group having at least 6 carbon atoms, which is substituted or unsubstituted with at least one halogen, and an aromatic functional group having at least 6 carbon atoms, The polyimide resin in which at least one functional group selected from the group is substituted at one or more ends thereof allows the fluoric resin particles to be evenly distributed over the entire area of the polyimide resin layer, And the dielectric loss coefficient of the polyimide resin layer included therein can be greatly lowered.
상기 폴리이미드 수지의 말단에 상술한 작용기가 치환됨에 따라서, 상기 폴리이미드 수지층 내에서 상기 불소계 수지 입자는 균일한 크기로 분산될 수 있으며, 이에 따라 상기 폴리이미드 수지층 및 이를 포함하는 연성 금속 적층체는 보다 낮은 유전 손실 계수를 가질 수 있다. As the functional groups described above are substituted at the ends of the polyimide resin, the fluorine resin particles can be dispersed in the polyimide resin layer in a uniform size, and accordingly, the polyimide resin layer and the flexible metal laminate The sieve may have a lower dielectric loss factor.
구체적으로, 상기 폴리이미드 수지 내에서 0.1㎛ 내지 20㎛의 입경을 갖는 불소계 수지 입자의 부피가 상기 불소계 수지 입자 전체 부피 대비 80%이상, 또는 80% 내지 90%의 범위일 수 있다. Specifically, the volume of the fluororesin particles having a particle diameter of 0.1 占 퐉 to 20 占 퐉 in the polyimide resin may be 80% or more, or 80% to 90% of the total volume of the fluororesin particles.
상기 불소계 수지는 0.05 ㎛ 내지 30㎛, 또는 0.1㎛ 내지 20㎛의 최장 직경을 갖는 입자를 포함할 수 있다. 상기 불소계 수지의 최장 직경이 너무 작으면 불소계 수지의 표면적이 증가하여 상기 고분자 수지층의 물성이 저하되거나 후술하는 분산제의 첨가량을 높여야 할 수 있다. 또한, 상기 불소계 수지의 최장 직경이 너무 크면 제조되는 고분자 수지층의 표면 특성이 저하되거나 상기 고분자 수지층을 제조하기 위한 고분자 조성물 용액의 분산성이 저하될 수 있다.The fluororesin may include particles having a longest diameter of 0.05 mu m to 30 mu m, or 0.1 mu m to 20 mu m. If the maximum diameter of the fluorine-based resin is too small, the surface area of the fluorine-based resin may be increased to deteriorate the physical properties of the polymer resin layer or increase the amount of the dispersing agent to be described later. If the maximum diameter of the fluororesin is too large, the surface properties of the polymer resin layer to be produced may be deteriorated or the dispersibility of the polymer composition solution for producing the polymer resin layer may be deteriorated.
상기 불소계 수지 입자의 최장 직경은 단일 입자의 최장 직경을 의미하며, 이러한 불소계 수지 입자들이 응집하는 경우 수십 내지 수백 마이크로미터의 최장 직경을 갖는 입자를 형성할 수도 있다. The longest diameter of the fluororesin particles means the longest diameter of a single particle. When such fluororesin particles aggregate, particles having a longest diameter of several tens to several hundreds of micrometers may be formed.
상술한 바와 같이, 상기 폴리이미드 수지층 내에서 상기 불소계 수지 입자는 균일한 크기로 분산될 수 있기 때문에, 상기 폴리이미드 수지 내에는 상기 불소계 수지의 단일 입자 및 불소계 수지의 단일 입자들의 응집체 전체 중 0.1㎛ 내지 20㎛의 입경을 갖는 단일 입자 또는 응집체가 전체 부피 대비 80%이상, 또는 80% 내지 90%의 범위일 수 있다.As described above, since the fluororesin particles can be dispersed in a uniform size in the polyimide resin layer, the polyimide resin contains 0.1 part or less of the aggregated whole of the single particles of the fluororesin and the single particles of the fluororesin A single particle or agglomerate having a particle size in the range of 탆 to 20 탆 may be in a range of 80% or more, or 80% to 90% of the total volume.
또한, 상기 폴리이미드 수지층이 건조 상태 및 10 GHz 에서 0.0015이하, 또는 0.0010 내지 0.0015, 또는 0.0010 내지 0.0014의 유전 손실 계수(Df)를 가질 수 있다. In addition, the polyimide resin layer may have a dielectric loss factor (Df) of 0.0015 or less, or 0.0010 to 0.0015, or 0.0010 to 0.0014 at 10 GHz in a dry state.
또한, 상기 폴리이미드 수지층이 습윤 상태 및 10 GHz 에서 0.0099이하, 또는 0.0090 내지 0.0099, 또는 0.0095 내지 0.0098 의 유전 손실 계수(Df)를 가질 수 있다. Further, the polyimide resin layer may have a dielectric loss factor (Df) of not more than 0.0099 at 10 GHz, or 0.0090 to 0.0099, or 0.0095 to 0.0098 at wet state.
한편, 상술한 바와 같이, 상기 폴리이미드 수지의 말단에는 할로겐으로 1이상 치환 또는 비치환된 탄소수 6이상의 지방족 작용기, 할로겐으로 1이상 치환 또는 비치환된 탄소수 6이상의 지환족 작용기 및 할로겐으로 1이상 치환 또는 비치환된 탄소수 6이상의 방향족 작용기로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 작용기가 말단에 치환된 작용기가 1이상 치환될 수 있다. On the other hand, as described above, at the terminal of the polyimide resin, at least one aliphatic functional group having at least 6 carbon atoms substituted or unsubstituted with halogen, at least one alicyclic functional group having at least 6 carbon atoms substituted or unsubstituted with halogen, Or an unsubstituted aromatic group having 6 or more carbon atoms may be substituted at one or more ends of the functional group.
상기 상기 폴리이미드 수지의 말단에 치환되는 작용기의 구체적인 예로는, 할로겐으로 1이상 치환 또는 비치환된 탄소수 4 내지 30의 직쇄 또는 분지쇄의 지방족 또는 지환족 작용기; 할로겐으로 1이상 치환 또는 비치환된 탄소수 7 내지 40의 알킬아릴기; 또는 할로겐으로 1이상 치환 또는 비치환된 탄소수 7 내지 40의 아릴알킬기를 들 수 있다. Specific examples of the functional group substituted at the terminal of the polyimide resin include linear or branched aliphatic or alicyclic functional groups having 4 to 30 carbon atoms which are substituted or unsubstituted by halogen; An alkylaryl group having 7 to 40 carbon atoms which is substituted or unsubstituted with at least one halogen; Or an arylalkyl group having 7 to 40 carbon atoms which is substituted or unsubstituted with at least one halogen.
또한, 상기 상기 폴리이미드 수지의 말단에 치환되는 작용기의 보다 구체적인 예로는 탄소수 8 내지 20의 직쇄의 알킬기, 탄소수 8 내지 20의 직쇄의 퍼플루오로(Perfluoro) 알킬기, 탄소수 8 내지 20의 직쇄의 알킬기가 치환된 페닐기; 또는 탄소수 8 내지 20의 직쇄의 퍼플루오로(Perfluoro) 알킬기가 치환된 페닐기를 들 수 있다. More specific examples of the functional group substituted at the terminal of the polyimide resin include a linear alkyl group having 8 to 20 carbon atoms, a perfluoro alkyl group having 8 to 20 carbon atoms, a linear alkyl group having 8 to 20 carbon atoms A substituted phenyl group; Or a phenyl group substituted with a straight chain perfluoro alkyl group having 8 to 20 carbon atoms.
본 명세서에서, 아릴기는 아렌(arene)으로부터 유래한 작용기를 의미하며, 알킬아릴기는 알킬기가 치환된 아릴기를 의미하며, 아릴알킬기는 아릴기가 치환된 알킬기를 의미한다. In the present specification, an aryl group means a functional group derived from arene, an alkylaryl group means an aryl group substituted with an alkyl group, and an arylalkyl group means an alkyl group substituted with an aryl group.
한편, 상기 화학식1의 Y1은 하기 화학식21 내지 화학식27로 이루어진 군에서 선택된 4가 작용기일 수 있다. Y 1 in the formula (1) may be a tetravalent group selected from the group consisting of the following formulas (21) to (27).
[화학식21] [Chemical Formula 21]
[화학식22][Chemical Formula 22]
상기 화학식22에서, Y1 은 단일결합, -O-, -CO-, -S-, -SO2-, -C(CH3)2-, -C(CF3)2-, -CONH-, -COO-, -(CH2)n1-, -O(CH2)n2O-, 또는 -OCO(CH2)n3OCO-이고, 상기 n1, n2 및 n3는 각각 1 내지 10의 정수이다.In Formula 22, Y 1 represents a single bond, -O-, -CO-, -S-, -SO 2 -, -C (CH 3 ) 2 -, -C (CF 3 ) 2 -, -CONH-, -COO-, - (CH 2) n1 -, -O (CH 2) n2 O-, or -OCO (CH 2) n3 a OCO-, wherein n1, n2 and n3 is an integer of 1 to 10, respectively.
[화학식23] (23)
상기 화학식23에서, Y2 및 Y3는 서로 같거나 다를 수 있으며, 각각 단일결합, -O-, -CO-, -S-, -SO2-, -C(CH3)2-, -C(CF3)2-, -CONH-, -COO-, -(CH2)n1-, -O(CH2)n2O-, 또는 -OCO(CH2)n3OCO-이고, 상기 n1, n2 및 n3는 각각 1 내지 10의 정수이다. Y 2 and Y 3 may be the same or different and each represents a single bond, -O-, -CO-, -S-, -SO 2 -, -C (CH 3 ) 2 -, -C (CF 3) 2 -, -CONH- , -COO-, - (CH 2) n1 - a, -O (CH 2) n2 O- , or -OCO (CH 2) n3 OCO-, wherein n1, n2, and and n3 is an integer of 1 to 10, respectively.
[화학식24]≪ EMI ID =
상기 화학식24에서, Y4, Y5 및 Y6는 서로 같거나 다를 수 있으며, 각각 단일결합, -O-, -CO-, -S-, -SO2-, -C(CH3)2-, -C(CF3)2-, -CONH-, -COO-, -(CH2)n1-, -O(CH2)n2O-, 또는 -OCO(CH2)n3OCO-이고, 상기 n1, n2 및 n3는 각각 1 내지 10의 정수이다. In the above formula (24), Y 4 , Y 5 And Y 6 may be the same or different from each other, and respectively a single bond, -O-, -CO-, -S-, -SO 2 -, -C (CH 3) 2 -, -C (CF 3) 2 -, a, -O (CH 2) n2 O- , or -OCO (CH 2) n3 a OCO-, wherein n1, n2 and n3 is 1 to 10 - -CONH-, -COO-, - (CH 2) n1 It is an integer.
[화학식25](25)
[화학식26](26)
[화학식27](27)
상기 화학식 21 내지 27에서, ‘*’은 결합점(bonding point)을 의미한다. In the above Formulas 21 to 27, '*' means a bonding point.
그리고, 상기 일 구현예의 연성 금속 적층체가 보다 낮은 유전율 및 낮은 수분 흡수율을 가지면서도 높은 탄성도와 함께 최적화된 열팽창계수를 확보하기 위해서는, 상기 화학식1의 Y1이 하기 화학식 28 내지 30으로 이루어진 군에서 선택된 4가 작용기인 것이 바람직하다. 상기 Y1은 상기 화학식1의 반복 단위 각각에서 같거나 다를 수 있다. In order to ensure the optimized thermal expansion coefficient of the soft metal laminate according to one embodiment of the present invention with a high elasticity while having a lower dielectric constant and a low moisture absorption rate, Y 1 in the formula 1 is selected from the group consisting of the following formulas 4 is a functional group. The Y 1 may be the same or different in each of the repeating units of the formula (1).
[화학식 28](28)
[화학식 29][Chemical Formula 29]
[화학식 30](30)
상기 화학식 28 내지 30에서, ‘*’은 결합점(bonding point)을 의미한다. In the above Chemical Formulas 28 to 30, '*' means a bonding point.
한편, 상기 화학식1에서, 상기 X는 하기 화학식 31 내지 34로 이루어진 군에서 선택된 2가 작용기일 수 있다. In the above formula (1), X may be a divalent functional group selected from the group consisting of the following formulas (31) to (34).
[화학식31](31)
상기 화학식31에서, R1은 수소, -CH3, -CH2CH3, -CH2CH2CH2CH3, -CF3, -CF2CF3, -CF2CF2CF3, 또는 -CF2CF2CF2CF3 일 수 있다.Wherein R 1 is selected from the group consisting of hydrogen, -CH 3 , -CH 2 CH 3 , -CH 2 CH 2 CH 2 CH 3 , -CF 3 , -CF 2 CF 3 , -CF 2 CF 2 CF 3 , CF 2 CF 2 CF 2 CF 3 Lt; / RTI >
[화학식32](32)
상기 화학식32에서, L1 은 단일결합, -O-, -CO-, -S-, -SO2-, -C(CH3)2-, -C(CF3)2-, -CONH-, -COO-, -(CH2)n1-, -O(CH2)n2O-, -OCH2-C(CH3)2-CH2O- 또는 -OCO(CH2)n3OCO-이고, 상기 n1, n2 및 n3는 각각 1 내지 10의 정수이고, R1및 R2 는 서로 같거나 다를 수 있으며, 각각 수소, -CH3, -CH2CH3, -CH2CH2CH2CH3, -CF3, -CF2CF3, -CF2CF2CF3, 또는 -CF2CF2CF2CF3 일 수 있다.Wherein L 1 is a single bond, -O-, -CO-, -S-, -SO 2 -, -C (CH 3 ) 2 -, -C (CF 3 ) 2 -, -CONH-, -COO-, - (CH 2) n1 -, -O (CH 2) and n2 O-, -OCH 2 -C (CH 3) 2 -CH 2 O- , or -OCO (CH 2) n3 OCO-, wherein n1, n2 and n3 is an integer from 1 to 10, R 1 and R 2 may be the same or different from one another, each hydrogen, -CH 3, -CH 2 CH 3 , -CH 2 CH 2 CH 2 CH 3, -CF 3 , -CF 2 CF 3 , -CF 2 CF 2 CF 3 , or -CF 2 CF 2 CF 2 CF 3 Lt; / RTI >
[화학식33](33)
상기 화학식33에서, L2 및 L3는 서로 같거나 다를 수 있으며, 각각 단일결합, -O-, -CO-, -S-, -SO2-, -C(CH3)2-, -C(CF3)2-, -CONH-, -COO-, -(CH2)n1-, -O(CH2)n2O-, -OCH2-C(CH3)2-CH2O- 또는 -OCO(CH2)n3OCO-이고, 상기 n1, n2 및 n3는 각각 1 내지 10의 정수이고, R1 , R2 및 R3 는 서로 같거나 다를 수 있으며, 각각 수소, -CH3, -CH2CH3, -CH2CH2CH2CH3, -CF3, -CF2CF3, -CF2CF2CF3, 또는 -CF2CF2CF2CF3 일 수 있다.L 2 and L 3 may be the same or different and each represents a single bond, -O-, -CO-, -S-, -SO 2 -, -C (CH 3 ) 2 -, -C (CF 3) 2 -, -CONH- , -COO-, - (CH 2) n1 -, -O (CH 2) n2 O-, -OCH 2 -C (CH 3) 2 -CH 2 O- or - a OCO (CH 2) n3 OCO-, wherein n1, n2 and n3 is an integer from 1 to 10, R 1, R 2 and R 3 may be the same or different from one another, each hydrogen, -CH 3, -CH 2 CH 3 , -CH 2 CH 2 CH 2 CH 3 , -CF 3 , -CF 2 CF 3 , -CF 2 CF 2 CF 3 , or -CF 2 CF 2 CF 2 CF 3 Lt; / RTI >
[화학식34](34)
상기 화학식34에서, L4, L5 및 L6는 서로 같거나 다를 수 있으며, 각각 단일결합, -O-, -CO-, -S-, -SO2-, -C(CH3)2-, -C(CF3)2-, -CONH-, -COO-, -(CH2)n1-, -O(CH2)n2O-, -OCH2-C(CH3)2-CH2O- 또는 -OCO(CH2)n3OCO-이고, 상기 n1, n2 및 n3는 각각 1 내지 10의 정수이고, R1 , R2, R3 및 R4는 서로 같거나 다를 수 있으며, 각각 수소, -CH3, -CH2CH3, -CH2CH2CH2CH3, -CF3, -CF2CF3, -CF2CF2CF3, 또는 -CF2CF2CF2CF3 일 수 있다.In the above formula (34), L 4 , L 5 And L 6 may be the same or different from each other, and respectively a single bond, -O-, -CO-, -S-, -SO 2 -, -C (CH 3) 2 -, -C (CF 3) 2 -, -CONH-, -COO-, - (CH 2 ) n1 -, -O (CH 2) n2 O-, -OCH 2 -C (CH 3) 2 -CH 2 O- , or -OCO (CH 2) n3 OCO -, and wherein n1, n2 and n3 is an integer from 1 to 10, R 1, R 2, R 3 and R 4 may be the same or different from one another, each hydrogen, -CH 3, -CH 2 CH 3 , -CH 2 CH 2 CH 2 CH 3 , -CF 3 , -CF 2 CF 3 , -CF 2 CF 2 CF 3 , or -CF 2 CF 2 CF 2 CF 3 Lt; / RTI >
특히, 상기 화학식1의 X이 하기 화학식 35의 2가 작용기인 경우, 상기 일 구현예의 연성 금속 적층체가 보다 낮은 유전율 및 낮은 수분 흡수율을 가질 수 있으며, 또한 높은 탄성도와 함께 최적화된 열팽창계수를 확보할 수 있다. 상기 X는 상기 화학식1의 반복 단위 각각에서 같거나 다를 수 있다. In particular, when X in the above formula (1) is a divalent functional group represented by the following chemical formula (35), the flexible metal laminate of this embodiment can have a lower dielectric constant and a lower water absorption rate and can secure an optimized thermal expansion coefficient . X may be the same or different in each of the repeating units of the formula (1).
[화학식 35] (35)
상기 화학식35에서, R1 및 R2 는 서로 같거나 다를 수 있으며, 각각 -CH3, -CH2CH3, -CH2CH2CH2CH3, -CF3, -CF2CF3, -CF2CF2CF3, 또는 -CF2CF2CF2CF3 일 수 있다.In the above formula (35), R 1 and R 2 may be the same or different from each other and each represents -CH 3 , -CH 2 CH 3 , -CH 2 CH 2 CH 2 CH 3 , -CF 3 , -CF 2 CF 3 , -CF 2 CF 2 CF 3 , -CF 2 CF 2 CF 2 CF 3 Lt; / RTI >
한편, 상기 화학식1에서, 상기 X는 하기 화학식 31 내지 34로 이루어진 군에서 선택된 2가 작용기일 수 있다. In the above formula (1), X may be a divalent functional group selected from the group consisting of the following formulas (31) to (34).
[화학식31](31)
상기 화학식31에서, R1은 수소, -CH3, -CH2CH3, -CH2CH2CH2CH3, -CF3, -CF2CF3, -CF2CF2CF3, 또는 -CF2CF2CF2CF3 일 수 있다.Wherein R 1 is selected from the group consisting of hydrogen, -CH 3 , -CH 2 CH 3 , -CH 2 CH 2 CH 2 CH 3 , -CF 3 , -CF 2 CF 3 , -CF 2 CF 2 CF 3 , CF 2 CF 2 CF 2 CF 3 Lt; / RTI >
[화학식32](32)
상기 화학식32에서, L1 은 단일결합, -O-, -CO-, -S-, -SO2-, -C(CH3)2-, -C(CF3)2-, -CONH-, -COO-, -(CH2)n1-, -O(CH2)n2O-, -OCH2-C(CH3)2-CH2O- 또는 -OCO(CH2)n3OCO-이고, 상기 n1, n2 및 n3는 각각 1 내지 10의 정수이고, R1및 R2 는 서로 같거나 다를 수 있으며, 각각 수소, -CH3, -CH2CH3, -CH2CH2CH2CH3, -CF3, -CF2CF3, -CF2CF2CF3, 또는 -CF2CF2CF2CF3 일 수 있다.Wherein L 1 is a single bond, -O-, -CO-, -S-, -SO 2 -, -C (CH 3 ) 2 -, -C (CF 3 ) 2 -, -CONH-, -COO-, - (CH 2) n1 -, -O (CH 2) and n2 O-, -OCH 2 -C (CH 3) 2 -CH 2 O- , or -OCO (CH 2) n3 OCO-, wherein n1, n2 and n3 is an integer from 1 to 10, R 1 and R 2 may be the same or different from one another, each hydrogen, -CH 3, -CH 2 CH 3 , -CH 2 CH 2 CH 2 CH 3, -CF 3 , -CF 2 CF 3 , -CF 2 CF 2 CF 3 , or -CF 2 CF 2 CF 2 CF 3 Lt; / RTI >
[화학식33](33)
상기 화학식33에서, L2 및 L3는 서로 같거나 다를 수 있으며, 각각 단일결합, -O-, -CO-, -S-, -SO2-, -C(CH3)2-, -C(CF3)2-, -CONH-, -COO-, -(CH2)n1-, -O(CH2)n2O-, -OCH2-C(CH3)2-CH2O- 또는 -OCO(CH2)n3OCO-이고, 상기 n1, n2 및 n3는 각각 1 내지 10의 정수이고, R1 , R2 및 R3 는 서로 같거나 다를 수 있으며, 각각 수소, -CH3, -CH2CH3, -CH2CH2CH2CH3, -CF3, -CF2CF3, -CF2CF2CF3, 또는 -CF2CF2CF2CF3 일 수 있다.L 2 and L 3 may be the same or different and each represents a single bond, -O-, -CO-, -S-, -SO 2 -, -C (CH 3 ) 2 -, -C (CF 3) 2 -, -CONH- , -COO-, - (CH 2) n1 -, -O (CH 2) n2 O-, -OCH 2 -C (CH 3) 2 -CH 2 O- or - a OCO (CH 2) n3 OCO-, wherein n1, n2 and n3 is an integer from 1 to 10, R 1, R 2 and R 3 may be the same or different from one another, each hydrogen, -CH 3, -CH 2 CH 3 , -CH 2 CH 2 CH 2 CH 3 , -CF 3 , -CF 2 CF 3 , -CF 2 CF 2 CF 3 , or -CF 2 CF 2 CF 2 CF 3 Lt; / RTI >
[화학식34](34)
상기 화학식34에서, L4, L5 및 L6는 서로 같거나 다를 수 있으며, 각각 단일결합, -O-, -CO-, -S-, -SO2-, -C(CH3)2-, -C(CF3)2-, -CONH-, -COO-, -(CH2)n1-, -O(CH2)n2O-, -OCH2-C(CH3)2-CH2O- 또는 -OCO(CH2)n3OCO-이고, 상기 n1, n2 및 n3는 각각 1 내지 10의 정수이고, R1 , R2, R3 및 R4는 서로 같거나 다를 수 있으며, 각각 수소, -CH3, -CH2CH3, -CH2CH2CH2CH3, -CF3, -CF2CF3, -CF2CF2CF3, 또는 -CF2CF2CF2CF3 일 수 있다.In the above formula (34), L 4 , L 5 And L 6 may be the same or different from each other, and respectively a single bond, -O-, -CO-, -S-, -SO 2 -, -C (CH 3) 2 -, -C (CF 3) 2 -, -CONH-, -COO-, - (CH 2 ) n1 -, -O (CH 2) n2 O-, -OCH 2 -C (CH 3) 2 -CH 2 O- , or -OCO (CH 2) n3 OCO -, and wherein n1, n2 and n3 is an integer from 1 to 10, R 1, R 2, R 3 and R 4 may be the same or different from one another, each hydrogen, -CH 3, -CH 2 CH 3 , -CH 2 CH 2 CH 2 CH 3 , -CF 3 , -CF 2 CF 3 , -CF 2 CF 2 CF 3 , or -CF 2 CF 2 CF 2 CF 3 Lt; / RTI >
특히, 상기 화학식1의 X이 하기 화학식 35의 2가 작용기인 경우, 상기 일 구현예의 연성 금속 적층체가 보다 낮은 유전율 및 낮은 수분 흡수율을 가질 수 있으며, 또한 높은 탄성도와 함께 최적화된 열팽창계수를 확보할 수 있다. 상기 X는 상기 화학식1의 반복 단위 각각에서 같거나 다를 수 있다. In particular, when X in the above formula (1) is a divalent functional group represented by the following chemical formula (35), the flexible metal laminate of this embodiment can have a lower dielectric constant and a lower water absorption rate and can secure an optimized thermal expansion coefficient . X may be the same or different in each of the repeating units of the formula (1).
[화학식 35] (35)
상기 화학식35에서, R1 및 R2 는 서로 같거나 다를 수 있으며, 각각 -CH3, -CH2CH3, -CH2CH2CH2CH3, -CF3, -CF2CF3, -CF2CF2CF3, 또는 -CF2CF2CF2CF3 일 수 있다.In the above formula (35), R 1 and R 2 may be the same or different from each other and each represents -CH 3 , -CH 2 CH 3 , -CH 2 CH 2 CH 2 CH 3 , -CF 3 , -CF 2 CF 3 , -CF 2 CF 2 CF 3 , -CF 2 CF 2 CF 2 CF 3 Lt; / RTI >
상기 폴리이미드 수지는 상기 화학식1의 반복 단위 75 mol%이상, 또는 75 mol% 내지 100 mol%를 포함할 수 있다. 상기 폴리이미드 수지는 상술한 화학식1의 반복 단위 이외로 기타의 다른 폴리이미드 반복 단위, 예를 들어 상기 Y1이 지방족 또는 지환족의 4가 유기 작용기이거나 X가 지방족 또는 지환족의 4가 유기 작용기인 폴리이미드 반복 단위를 더 포함할 수 있으며, 이러한 기타의 다른 폴리이미드 반복 단위의 함량은 25 mol%이상, 또는 0 내지 25 mol%일 수 있다. The polyimide resin may include 75 mol% or more, or 75 mol% to 100 mol% of the repeating unit represented by the formula (1). The polyimide resin may contain other polyimide repeating units other than the repeating unit of the above-mentioned formula (1), for example, the Y 1 is an aliphatic or alicyclic tetravalent organic functional group, or X is an aliphatic or alicyclic tetravalent organic functional group , And the content of other such other polyimide repeating units may be 25 mol% or more, or 0 to 25 mol%.
상기 폴리이미드 수지는 3,000 내지 600,000, 또는 50,000 내지 300,000의 중량평균분자량을 가질 수 있다. 상기 폴리이미드 수지의 중량평균분자량이 너무 작으면 연성 금속 적층체 등으로 적용시 요구되는 기계적 물성 등을 충분히 확보할 수 없다. 또한, 상기 폴리이미드 수지의 중량평균분자량이 너무 크면, 상기 고분자 수지층의 탄성도가 저하될 수 있다.The polyimide resin may have a weight average molecular weight of 3,000 to 600,000, or 50,000 to 300,000. If the weight average molecular weight of the polyimide resin is too small, it is impossible to sufficiently secure the mechanical properties required in the application of the flexible metal laminate or the like. Also, if the weight average molecular weight of the polyimide resin is too large, the elasticity of the polymer resin layer may be lowered.
상기 폴리이미드 수지층은 0.1㎛ 내지 100㎛, 또는 1㎛ 내지 50㎛의 두께를 가질 수 있다.The polyimide resin layer may have a thickness of 0.1 탆 to 100 탆, or 1 탆 to 50 탆.
상기 불소계 수지 입자는 폴리테트라 플루오로에틸렌(PTFE), 테트라플루오로에틸렌-퍼플루오로알킬비닐에테르 공중합체(PFA), 테트라플루오르에틸렌-헥사플루오르프로필렌 공중합체(FEP), 에틸렌-테트라플루오로에틸렌 코폴리머 수지(ETFE), 테트라플루오로에틸렌- 클로로트리플루오로에틸렌 공중합체(TFE/CTFE) 및 에틸렌-클로로트리플루오로에틸렌 수지(ECTFE)로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상을 포함하는 불소계 고분자를 포함할 수 있다.The fluororesin particles may be selected from the group consisting of polytetrafluoroethylene (PTFE), tetrafluoroethylene-perfluoroalkylvinylether copolymer (PFA), tetrafluoroethylene-hexafluoropropylene copolymer (FEP), ethylene-tetrafluoroethylene Based polymer comprising at least one member selected from the group consisting of copolymer resin (ETFE), tetrafluoroethylene-chlorotrifluoroethylene copolymer (TFE / CTFE) and ethylene-chlorotrifluoroethylene resin (ECTFE) .
상기 폴리이미드 수지층은 상기 불소계 수지 입자 5 내지 70중량%를 포함할 수 있다. 상기 폴리이미드 수지층 중에서 불소계 수지 입자의 함량이 너무 작으면 최종 제조되는 연성 금속 적층체가 충분히 낮은 유전율 또는 수분 흡수율을 확보하지 못할 수 있다. 또한, 상기 폴리이미드 수지층 중에서 불소계 수지 입자의 함량이 너무 크면, 상기 연성 금속 적층체의 기계적 물성이 저하되어 쉽게 찢어지거나 부서지는 등의 문제점을 가질 수 있고, 상기 연성 금속 적층체에 포함되는 폴리이미드 수지층의 의 열팽창계수가 크게 증가할 수 있다.The polyimide resin layer may contain 5 to 70% by weight of the fluororesin particles. If the content of the fluoric resin particles in the polyimide resin layer is too small, the resulting flexible metal laminate may not have a sufficiently low dielectric constant or water absorption rate. If the content of the fluoric resin particles in the polyimide resin layer is too large, the mechanical properties of the flexible metal laminate may be deteriorated and easily torn or broken. In addition, The thermal expansion coefficient of the mid resin layer can be greatly increased.
상기 일 구현예의 연성 금속 적층체는 상기 폴리이미드 수지층과 금속 박막을 포함할 수 있으며, 상기 금속 박막은 구리, 철, 니켈, 티타늄, 알루미늄, 은, 금 및 이들의 2종 이상의 합금으로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 금속을 포함할 수 있다. The flexible metal laminate of one embodiment may include the polyimide resin layer and the metal thin film, and the metal thin film may be formed of copper, iron, nickel, titanium, aluminum, silver, gold, ≪ / RTI >
그리고, 상기 금속 박막은 상기 폴리이미드 수지층의 적어도 일면 상에 적층될 수 있다. 구체적으로, 상기 연성 금속 적층체는 상기 금속 박막을 1개 포함할 수도 있으며, 상기 연성 금속 적층체는 서로 대향하는 상기 금속 박막 2개를 포함할 수 있고, 이 경우 상기 폴리이미드 수지층은 상기 서로 대향하는 금속 박막 2개의 사이에 위치할 수 있다. The metal thin film may be laminated on at least one surface of the polyimide resin layer. Specifically, the flexible metal laminate may include one metal thin film, and the soft metal laminate may include two metal thin films opposed to each other. In this case, And can be located between two opposing metal thin films.
상기 금속 박막 표면의 십점 평균조도(Rz)가 0.5㎛ 내지 2.5㎛일 수 있다. 상기 금속 박막 표면의 십점 평균조도가 너무 작으면 상기 폴리이미드 수지층과의 접착력이 낮아질 수 있으며, 상기 금속 박막 표면의 십점 평균조도가 너무 크면 표면 거칠기가 증가하여 고주파 영역에서 전송손실이 커질 수 있다. The ten point average roughness Rz of the surface of the metal thin film may be 0.5 탆 to 2.5 탆. If the ten-point average roughness of the surface of the metal thin film is too small, the adhesion to the polyimide resin layer may be lowered. If the average roughness of the ten points of the metal thin film surface is too large, surface roughness may increase and the transmission loss may increase in the high- .
상기 금속 박막은 0.1㎛ 내지 50㎛의 두께를 가질 수 있다. The metal thin film may have a thickness of 0.1 탆 to 50 탆.
상술한 연성 금속 적층체는 상기 폴리이미드 수지층의 적어도 1면에 형성된 열가소성 폴리이미드 수지층을 더 포함할 수 있다. 상기 열가소성 폴리이미드 수지층은 상기 폴리이미드 수지층에 포함되는 폴리이미드 수지와 동일하거나 상이한 조성을 가질 수 있다. The above-described flexible metal laminate may further comprise a thermoplastic polyimide resin layer formed on at least one side of the polyimide resin layer. The thermoplastic polyimide resin layer may have the same or different composition as the polyimide resin contained in the polyimide resin layer.
상기 열가소성 폴리이미드 수지층은 상기 폴리이미드 수지층과 동일하거나 상이한 두께를 가질 수 있으며, 0.1㎛ 내지 100㎛, 또는 1㎛ 내지 50㎛의 범위 내의 두께를 가질 수 있다.The thermoplastic polyimide resin layer may have a thickness the same as or different from that of the polyimide resin layer, and may have a thickness in the range of 0.1 탆 to 100 탆, or 1 탆 to 50 탆.
한편, 상술한 연성 금속 적층체의 제조 방법은 크게 제한되는 것은 아니며, 통상적으로 알려진 폴리이미드 수지의 합성 방법과 연성 금속 적층체의 제조 방법을 사용할 수 있다. On the other hand, the method for producing the above-described flexible metal laminate is not particularly limited, and a commonly known method for synthesizing a polyimide resin and a method for producing a flexible metal laminate can be used.
상기 폴리이미드 수지층에 포함되는 폴리이미드 수지는 전구체인 폴리아믹산을 포함한 고분자 수지 용액을 도포 및 건조한 이후에, 250℃ 내지 400℃의 고온에서 열처리하여 얻을 수 있다. The polyimide resin contained in the polyimide resin layer can be obtained by applying and drying a polymer resin solution containing polyamic acid as a precursor, followed by heat treatment at a high temperature of 250 ° C to 400 ° C.
그리고, 상기 폴리이미드 수지의 전구체인 폴리아믹산은 테트라카르복실산 또는 이의 무수물과 디아민 화합물을 반응시킴으로서 얻어질 수 있으며, 예를 들어 상기 화학식21 내지 화학식27로 이루어진 군에서 선택된 4가 작용기를 포함하는 테트라카르복실산 또는 이의 무수물과 상기 화학식 31 내지 34로 이루어진 군에서 선택된 2가 작용기를 포함하는 디아민 화합물을 반응시킴으로서 얻어질 수 있으며, 할로겐으로 1이상 치환 또는 비치환된 탄소수 6이상의 지방족 작용기, 할로겐으로 1이상 치환 또는 비치환된 탄소수 6이상의 지환족 작용기 및 할로겐으로 1이상 치환 또는 비치환된 탄소수 6이상의 방향족 작용기로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 작용기를 1이상 포함한 아민 화합물을 최종 반응 시킴으로서 말단에 상기 특정 작용기가 치환된 폴리아믹산을 합성할 수 있다. The polyamic acid, which is a precursor of the polyimide resin, can be obtained by reacting a tetracarboxylic acid or an anhydride thereof with a diamine compound. For example, the tetracarboxylic acid having a tetravalent group selected from the group consisting of Formulas 21 to 27 A tetracarboxylic acid or an anhydride thereof with a diamine compound containing a divalent functional group selected from the group consisting of the above formulas (31) to (34), wherein the aliphatic functional group having at least 6 carbon atoms, which is substituted or unsubstituted with halogen, halogen An aromatic compound having at least one functional group selected from the group consisting of a substituted or unsubstituted alicyclic group having at least 6 carbon atoms and at least one substituted or unsubstituted aromatic group having at least 6 carbon atoms substituted with at least one halogen, Wherein said specific functional group is a substituted poly Oh, the acid can be synthesized.
상기 폴리이미드의 전구체인 폴리아믹산 및 불소 수지를 포함한 수지 조성물은 유기 용매를 포함할 수 있으며, 사용 가능한 유기 용매의 예가 크게 한정되는 것은 아니며, 예를 들어 N,N'-디메틸포름아미드, N,N'-디메틸아세트아미드, N,N'-디에틸아세트아미드, N,N'-디메틸메톡시아세트아미드, N-메틸-2-피롤리돈, N-메틸카프로락탐, 1,3-디메틸-2-이미다졸리돈, 1,2-디메톡시에탄, 1,3-디옥세인, 1,4-디옥세인, 피리딘, 피콜린, 디메틸설폭시디, 디메톨설폰, m-크레졸, p-클로로페놀, 아니졸 등이 사용될 수 있으며, 단독 또는 2이상을 혼합하여 사용될 수 있다. 이때 유기 용매의 사용 가능한 양은 상기 수지 조성물 전체 고형분의 2 내지 8배 정도를 사용할 수 있다.The resin composition including the polyamic acid and the fluororesin, which are precursors of the polyimide, may include an organic solvent. Examples of usable organic solvents include, but are not limited to, N, N'-dimethylformamide, N, N, N'-diethylacetamide, N, N'-dimethylmethoxyacetamide, N-methyl-2-pyrrolidone, N-methylcaprolactam, 2-imidazolidone, 1,2-dimethoxyethane, 1,3-dioxane, 1,4-dioxane, pyridine, picoline, dimethylsulfoxide, dimetol sulfone, m- , Anisole, etc., may be used alone or in combination of two or more. At this time, the usable amount of the organic solvent may be about 2 to 8 times the total solid content of the resin composition.
본 발명에 따르면, 높은 탄성도 및 낮은 수분 흡수율을 가지면서도 보다 낮은 유전율 및 낮은 유전 손실 계수를 확보할 수 있는 연성 금속 적층체가 제공될 수 있다. According to the present invention, it is possible to provide a flexible metal laminate capable of securing a low permittivity and a low dielectric loss coefficient while having a high elasticity and a low moisture absorption rate.
상기 연성 금속 적층체는 기판 소재의 유전율 및 유전 손실 계수를 크게 낮출 수 있어서 이들에 비례하는 신호 전송 손실을 크게 낮출 수 있어서, 높은 집적도의 미세 모듈 내에서도 매우 낮은 전송 손실을 갖는 회로 시스템를 제공할 수 있다. The flexible metal laminate can greatly reduce the dielectric constant and dielectric loss coefficient of the substrate material and can greatly reduce the signal transmission loss proportional to the dielectric constant and the dielectric loss coefficient so that it is possible to provide a circuit system having a very low transmission loss even in a highly integrated micro module .
또한, 상기 연성 금속 적층체를 사용하면 임피던스를 매칭하면서도 인쇄 회로 기판을 더욱 얇게 만들 수 있어서, 각종 전자 제품이나 전자 소자 자체의 두께를 크게 줄일 수 있으며, 인쇄 회로 기판의 선폭을 넓게 할 수 있어서 최종 제품의 불량률을 크게 저하시켜 제조 비용의 절감이 가능하다.Further, by using the flexible metal laminate, it is possible to make the printed circuit board thinner while matching the impedances, so that the thickness of various electronic products and electronic devices themselves can be greatly reduced and the line width of the printed circuit board can be widened, The defective rate of the product is largely lowered and the manufacturing cost can be reduced.
발명을 하기의 실시예에서 보다 상세하게 설명한다. 단, 하기의 실시예는 본 발명을 예시하는 것일 뿐, 본 발명의 내용이 하기의 실시예에 의하여 한정되는 것은 아니다.
The invention will be described in more detail in the following examples. However, the following examples are illustrative of the present invention, and the present invention is not limited by the following examples.
[[ 제조예Manufacturing example : : 폴리아믹산Polyamic acid 용액의 제조] Preparation of solution]
제조예1Production Example 1 : 불소계 수지를 포함한 : Containing fluorine resin 폴리아믹산Polyamic acid 용액의 제조( Preparation of solution ( P1P1 ))
1L의 폴리에틸렌 용기(PE bottle)에 질소를 충진하고, n-메틸-2-피롤리돈의 1:1 혼합 용매 765g, 폴리테트라 플루오로에틸렌 마이크로 분말(PTFE micro powder, 입자 크기: 약 0.2 내지 3.0 ㎛) 219g 및 지름 2mm의 비드(bead) 765g을 넣고, 고속 볼 밀링(ball milling) 기기에서 교반하였다. 1 L of a polyethylene bottle was charged with nitrogen, and 765 g of a 1: 1 mixed solvent of n-methyl-2-pyrrolidone, a polytetrafluoroethylene micropowder (particle size: about 0.2 to 3.0 Mu m) and 765 g of a bead having a diameter of 2 mm were placed and stirred in a high-speed ball milling machine.
500mL의 둥근 바닥 플라스크에 상기 PTFE 마이크로 분말이 분산된 용액 16g, 디메틸아세트아미드 107g, 피로멜리틱 디언하이드리드(Pyromellitic Dianhydride)13g, 2,2'-비스(트리플루오로메틸)-4,4'-디아미노비페닐 20g을 넣고, 50℃에서 10시간 동안 질소를 흘려주면서 교반기를 사용하여 교반하면서 반응시켰다.16 g of a solution in which the PTFE microparticle was dispersed, 107 g of dimethylacetamide, 13 g of pyromellitic dianhydride, 2,2'-bis (trifluoromethyl) -4,4 ' -Diaminobiphenyl were charged and reacted with stirring with a stirrer while flowing nitrogen at 50 占 폚 for 10 hours.
상기 반응 결과물에 0.39 g의 1-옥타데케인 아민를 첨가하고 50℃에서 5시간 동안 질소를 흘려주면서 교반기를 사용하여 교반하면서 반응시켜서, 26,000 cP의 점도를 갖는 폴리아믹산 용액(P1)를 얻었다.
0.39 g of 1-octadecaneamine was added to the reaction product, and the mixture was allowed to react at 50 캜 for 5 hours while stirring with a stirrer while stirring for 5 hours to obtain a polyamic acid solution (P1) having a viscosity of 26,000 cP.
제조예Manufacturing example 2 내지 7: 불소계 수지를 포함한 2 to 7: containing fluorine resin 폴리아믹산Polyamic acid 용액의 제조 Preparation of solution
상기 0.39 g의 1-옥타데케인 아민 대신에 하기 표1의 화합물을 사용하고, 상기 PTFE 마이크로 분말이 분산된 용액 10g을 사용한 점을 제조예 1과 동일한 방법으로 폴리아믹산 용액를 얻었다.A polyamic acid solution was obtained in the same manner as in Preparation Example 1, except that the compound of the following Table 1 was used in place of 0.39 g of 1-octadecaneamine, and 10 g of the PTFE micropowder-dispersed solution was used.
제조예8Production Example 8 : 불소계 수지를 포함한 : Containing fluorine resin 폴리아믹산Polyamic acid 용액의 제조 Preparation of solution
1L의 폴리에틸렌 용기(PE bottle)에 질소를 충진하고, 디메틸아세트아미드 및 1-메틸-2-피롤리돈의 1:1 혼합 용매 765g, 폴리테트라 플루오로에틸렌 마이크로 분말(PTFE micro powder, 입자 크기: 약 1.0 내지 5.0 ㎛) 219g 및 지름 2mm의 비드(bead) 765g을 넣고, 고속 볼 밀링(ball milling) 기기에서 교반하였다. 1 L of a polyethylene bottle was filled with nitrogen, 765 g of a 1: 1 mixed solvent of dimethylacetamide and 1-methyl-2-pyrrolidone, a polytetrafluoroethylene micropowder (PTFE micro powder, particle size: About 1.0 to 5.0 mu m) and 765 g of a bead having a diameter of 2 mm were placed and stirred in a high-speed ball milling machine.
500mL의 둥근 바닥 플라스크에 상기 PTFE 마이크로 분말이 분산된 용액 16g, 디메틸아세트아미드 107g, 피로멜리틱 디언하이드리드(Pyromellitic Dianhydride)13g, 4-데실아닐린 20g을 넣고, 50℃에서 10시간 동안 질소를 흘려주면서 교반기를 사용하여 교반하면서 반응시켜, 점도 25,000cps정도의 폴리아믹산 용액(P3)을 얻었다.
16 g of a solution in which the PTFE micropowder was dispersed, 107 g of dimethylacetamide, 13 g of pyromellitic dianhydride and 20 g of 4-decylaniline were placed in a 500-mL round bottom flask and nitrogen was flowed at 50 ° C for 10 hours The reaction was carried out with stirring using a stirrer to obtain a polyamic acid solution (P3) having a viscosity of about 25,000 cps.
[[ 실시예Example 및 And 비교예Comparative Example : 연성 금속 : Soft metal 적층체의Of the laminate 제조] Produce]
실시예1Example 1
상기 제조예1에서 제조한 폴리아믹산 용액을 최종 두께가 2 ㎛가 되도록 동박(두께: 12㎛)의 Matte면에 코팅한 후 120℃에서 10분간 건조하였다. 상기 건조된 폴리아믹산 용액층 상에 상기 제조예2에서 얻어진 폴리아믹산 용액(P2)를 20 ㎛의 두께로 코팅한후, 120℃에서 10분간 건조하였다. 그리고, 상기 건조된 폴리아믹산 용액(P2)층 상에 상기 제조예3에서 얻어진 폴리아믹산 용액(P3)을 2 ㎛의 두께로 코팅한후, 120℃에서 10분간 건조하여 적층체를 제조하였다. The polyamic acid solution prepared in Preparation Example 1 was coated on a matte surface of a copper foil (thickness: 12 μm) so as to have a final thickness of 2 μm, followed by drying at 120 ° C. for 10 minutes. The polyamic acid solution (P2) obtained in Preparation Example 2 was coated on the dried polyamic acid solution layer to a thickness of 20 탆 and dried at 120 캜 for 10 minutes. Then, the polyamic acid solution (P3) obtained in Preparation Example 3 was coated on the dried polyamic acid solution (P2) layer to a thickness of 2 占 퐉 and dried at 120 占 폚 for 10 minutes to prepare a laminate.
상기 최종 건조된 적층체를 오븐에 넣고 300℃ 내외의 온도 및 질소 분위기 하에서 30분간 열경화 시켰다. The final dried laminate was placed in an oven and thermoset for 30 minutes at a temperature of about 300 ° C and a nitrogen atmosphere.
상기 열경화 이후, 상기 적층체의 최외각층[폴리아믹산 용액(P3)이 도포 및 건조되었던 층]에 동박(두께: 12㎛)의 Matte면에 접하도록 하고, 400℃에서 압착시켜서, 양면에 동박이 위치하는 연성 금속 적층체를 제조하였다.
After the thermosetting, the outermost layer (the layer in which the polyamic acid solution (P3) was applied and dried) of the laminate was brought into contact with the matte surface of the copper foil (thickness: 12 mu m) and pressed at 400 DEG C, A flexible metal laminate was produced.
실시예Example 2 내지 7 2 to 7
상기 제조예2 내지 7에서 각각 제조한 폴리아믹산 용액을 사용한 점을 제외하고 실시예1과 동일한 방법으로 연성 금속 적층체를 제조하였다.
A flexible metal laminate was prepared in the same manner as in Example 1, except that the polyamic acid solution prepared in each of Production Examples 2 to 7 was used.
비교예Comparative Example 1 One
상기 제조예1에서 제조된 폴리아믹산 용액 대신에 상기 제조예 8에서 얻어진 폴리아믹산 용액을 사용한 점을 제외하고, 상기 실시예1와 동일한 방법으로 양면에 동박이 위치하는 연성 금속 적층체를 제조하였다.
A flexible metal laminate having copper foils on both sides was prepared in the same manner as in Example 1, except that the polyamic acid solution obtained in Preparation Example 8 was used in place of the polyamic acid solution prepared in Preparation Example 1. [
[[ 실험예Experimental Example ]]
1. One. 실험예1Experimental Example 1 : 연성 금속 : Soft metal 적층체의Of the laminate 물성 측정 Property measurement
상기 실시예 및 비교예에서 얻어진 동박 적층판에 대하여 유전 상수 및 유전손실계수를 다음과 같은 측정하여 그 결과를 하기 표2에 기재하였다.
The dielectric constant and dielectric loss coefficient of the copper clad laminate obtained in the above Examples and Comparative Examples were measured as follows and the results are shown in Table 2 below.
(1) 건조(dry) 유전 상수 및 유전 손실 계수 측정(1) Measurement of dry dielectric constant and dielectric loss factor
실시예 및 비교예에서 얻어진 연성 금속 적층체를 에칭하여 동박을 에칭하여 제거한 폴리이미드 수지 적층체를 150℃에서 30분간 건조하고, 상기 폴리이미드 수지 적층체의 유전율을 SPDR(split post dielectric resonance) 방법으로, 25℃ 및 50%RH 의 조건에서, Agiletn E5071B ENA장치를 이용하여 유전율 및 유전손실계수를 측정하였다.
The flexible metal laminate obtained in Examples and Comparative Example was etched to remove the copper foil by etching, and the polyimide resin laminate was dried at 150 占 폚 for 30 minutes. The dielectric constant of the polyimide resin laminate was measured by a split post dielectric resonance (SPDR) method , The dielectric constant and dielectric loss factor were measured using an Agiletn E5071B ENA apparatus at 25 ° C and 50% RH.
(2) 습윤(wet) 유전 상수 및 유전 손실 계수 측정(2) Measurement of wet dielectric constant and dielectric loss coefficient
실시예 및 비교예에서 얻어진 연성 금속 적층체를 에칭하여 동박을 에칭하여 제거한 폴리이미드 수지 적층체를 증류수에 약 24시간 동안 담갔다. 그리고, 상기 폴리이미드 수지 적층체을 증류수에서 꺼내어 표면의 물기를 제거한 상태에서, SPDR(split post dielectric resonance) 방법으로, 25℃ 및 50%RH 의 조건에서, Agiletn E5071B ENA장치를 이용하여 유전율 및 유전손실계수를 측정하였다.
The flexible metal laminate obtained in Examples and Comparative Examples was etched to remove the copper foil by etching, and the polyimide resin laminate was immersed in distilled water for about 24 hours. Then, the polyimide resin laminate was taken out from the distilled water to remove the water on the surface, and the dielectric constant and the dielectric loss were measured using an Agiletn E5071B ENA apparatus under the conditions of 25 ° C and 50% RH by SPDR (split post dielectric resonance) The coefficients were measured.
(Df) @ 5GHz
[건조상태]Dielectric loss factor
(Df) @ 5 GHz
[Dry state]
(Df) @ 5GHz
[습윤 상태]Dielectric loss factor
(Df) @ 5 GHz
[Wet state]
상기 표2에 나타난 바와 같이, 실시예의 연성 금속 적층판에 포함되는 폴리이미드수지층은 건조 상태 및 습윤 상태에서 비교예의 연성 금속 적층판에 비하여 건조 및 습윤 상태에서 낮은 유전 손실 계수를 갖는다는 점이 확인되었다. As shown in Table 2, it was confirmed that the polyimide resin layer included in the flexible metal clad laminate of Examples had a lower dielectric loss coefficient in the dry and wet state than the soft metal clad laminate of the comparative example in the dry state and the wet state.
이는 실시예의 상기 연성 금속 적층판에 포함되는 폴리이미드 수지층의 폴리이미드 수지의 말단에 할로겐으로 1이상 치환 또는 비치환된 탄소수 6이상의 장쇄의 지방족, 지환족 또는 방향족 작용기가 도입됨에 따라서 불소계 수지 입자가 보다 균일한 크기로 전체 영역에 걸쳐서 고르게 분포할 수 있으며, 이에 따라서 상기 연성 금속 적층판에 포함되는 폴리이미드 수지층의 유전 손실 계수도 낮아진 것으로 보인다.
As a result of introducing at least one long-chain aliphatic, alicyclic or aromatic functional group having at least 6 carbon atoms substituted or unsubstituted with halogen at the terminal of the polyimide resin in the polyimide resin layer contained in the flexible metal clad laminate of the embodiment, It can be evenly distributed over the entire area with a more uniform size, and accordingly, the dielectric loss coefficient of the polyimide resin layer included in the flexible metal clad laminate is also lowered.
Claims (15)
불소계 수지 입자 5 내지 70중량%;를 포함한 폴리이미드 수지층을 포함하며,
상기 폴리이미드 수지층이 건조 상태 및 10 GHz 에서 0.0015이하의 유전 손실 계수(Df)를 갖는, 연성 금속 적층체:
[화학식1]
상기 화학식1에서, Y1은 4가의 방향족 유기 작용기이고, X는 2가의 방향족 유기 작용기이며,
상기 n 은 1 내지 300의 정수이다.
An aliphatic functional group having at least 6 carbon atoms which is substituted or unsubstituted with halogen, an alicyclic functional group having at least 6 carbon atoms substituted or not substituted with at least one halogen, and an aromatic functional group having at least 6 carbon atoms substituted or unsubstituted with halogen From 30 to 95% by weight of a polyimide resin having at least one functional group substituted at one or more ends thereof and containing a repeating unit represented by the following formula (1); And
And a polyimide resin layer containing 5 to 70% by weight of fluoric resin particles,
Wherein the polyimide resin layer has a dry state and a dielectric loss factor (Df) of less than or equal to 0.0015 at 10 GHz.
[Chemical Formula 1]
Wherein Y 1 is a tetravalent aromatic organic functional group, X is a divalent aromatic organic functional group,
And n is an integer of 1 to 300.
1㎛ 내지 20㎛의 입경을 갖는 불소계 수지 입자의 부피가 상기 불소계 수지 입자 전체 부피 대비 80%이상인, 연성 금속 적층체.
The method according to claim 1,
Wherein the volume of the fluororesin particles having a particle diameter of 1 占 퐉 to 20 占 퐉 is 80% or more of the total volume of the fluororesin particles.
상기 폴리이미드 수지층이 습윤 상태 및 10 GHz 에서 0.0099이하의 유전 손실 계수(Df)를 갖는, 연성 금속 적층체.
The method according to claim 1,
Wherein the polyimide resin layer has a dielectric loss factor (Df) of less than 0.0099 at 10 GHz in a wet state.
상기 폴리이미드 수지의 말단에 치환되는 작용기는 할로겐으로 1이상 치환 또는 비치환된 탄소수 4 내지 30의 직쇄 또는 분지쇄의 지방족 또는 지환족 작용기; 할로겐으로 1이상 치환 또는 비치환된 탄소수 7 내지 40의 알킬아릴기; 및 할로겐으로 1이상 치환 또는 비치환된 탄소수 7 내지 40의 아릴알킬기;로 이루어진 군에서 선택된 1종의 작용기인,
연성 금속 적층체.
The method according to claim 1,
The functional group substituted at the terminal of the polyimide resin may be a linear or branched aliphatic or alicyclic functional group having 4 to 30 carbon atoms which is substituted or unsubstituted with at least one halogen; An alkylaryl group having 7 to 40 carbon atoms which is substituted or unsubstituted with at least one halogen; And an arylalkyl group having 7 to 40 carbon atoms which is substituted or unsubstituted with at least one halogen,
Flexible metal laminate.
상기 폴리이미드 수지의 말단에 치환되는 작용기는,
탄소수 8 내지 20의 직쇄의 알킬기, 탄소수 8 내지 20의 직쇄의 퍼플루오로(Perfluoro) 알킬기, 탄소수 8 내지 20의 직쇄의 알킬기가 치환된 페닐기; 또는 탄소수 8 내지 20의 직쇄의 퍼플루오로(Perfluoro) 알킬기가 치환된 페닐기;인, 연성 금속 적층체.
The method according to claim 1,
The functional group substituted at the terminal of the polyimide resin is,
A straight chain alkyl group having 8 to 20 carbon atoms, a perfluoro alkyl group having 8 to 20 carbon atoms, a phenyl group substituted with a straight chain alkyl group having 8 to 20 carbon atoms; Or a phenyl group substituted with a straight chain perfluoro alkyl group having 8 to 20 carbon atoms.
상기 Y1은 하기 화학식21 내지 화학식27로 이루어진 군에서 선택된 4가 작용기인, 연성 금속 적층체:
[화학식21]
[화학식22]
상기 화학식22에서, Y1 은 단일결합, -O-, -CO-, -S-, -SO2-, -C(CH3)2-, -C(CF3)2-, -CONH-, -COO-, -(CH2)n1-, -O(CH2)n2O-, 또는 -OCO(CH2)n3OCO-이고, 상기 n1, n2 및 n3는 각각 1 내지 10의 정수이고,
[화학식23]
상기 화학식23에서, Y2 및 Y3는 서로 같거나 다를 수 있으며, 각각 단일결합, -O-, -CO-, -S-, -SO2-, -C(CH3)2-, -C(CF3)2-, -CONH-, -COO-, -(CH2)n1-, -(CH2)n2O-, 또는 -OCO(CH2)n3OCO-이고, 상기 n1, n2 및 n3는 각각 1 내지 10의 정수이고,
[화학식24]
상기 화학식24에서, Y4, Y5 및 Y6는 서로 같거나 다를 수 있으며, 각각 단일결합, -O-, -CO-, -S-, -SO2-, -C(CH3)2-, -C(CF3)2-, -CONH-, -COO-, -(CH2)n1-, -O(CH2)n2O-, 또는 -OCO(CH2)n3OCO-이고, 상기 n1, n2 및 n3는 각각 1 내지 10의 정수이고,
[화학식25]
[화학식26]
[화학식27]
상기 화학식 21 내지 27에서, ‘*’은 결합점(bonding point)을 의미한다.
The method according to claim 1,
Wherein Y < 1 > is a tetravalent group selected from the group consisting of the following chemical formulas (21) to (27)
[Chemical Formula 21]
[Chemical Formula 22]
In Formula 22, Y 1 represents a single bond, -O-, -CO-, -S-, -SO 2 -, -C (CH 3 ) 2 -, -C (CF 3 ) 2 -, -CONH-, a, -O (CH 2) n2 O- , or -OCO (CH 2) n3 OCO-, and wherein n1, n2 and n3 is an integer from 1 to 10, - -COO-, - (CH 2 ) n1
(23)
Y 2 and Y 3 may be the same or different and each represents a single bond, -O-, -CO-, -S-, -SO 2 -, -C (CH 3 ) 2 -, -C (CF 3) 2 -, -CONH- , -COO-, - (CH 2) n1 -, - (CH 2) O-, and n2, or -OCO (CH 2) n3 OCO-, wherein n1, n2 and n3 Are each an integer of 1 to 10,
≪ EMI ID =
In the above formula (24), Y 4 , Y 5 And Y 6 may be the same or different from each other, and respectively a single bond, -O-, -CO-, -S-, -SO 2 -, -C (CH 3) 2 -, -C (CF 3) 2 -, a, -O (CH 2) n2 O- , or -OCO (CH 2) n3 a OCO-, wherein n1, n2 and n3 is 1 to 10 - -CONH-, -COO-, - (CH 2) n1 Lt; / RTI &
(25)
(26)
(27)
In the above Formulas 21 to 27, '*' means a bonding point.
상기 X는 하기 화학식 31 내지 34로 이루어진 군에서 선택된 2가 작용기인, 연성 금속 적층체:
[화학식31]
상기 화학식31에서, R1은 수소, -CH3, -CH2CH3, -CH2CH2CH2CH3, -CF3, -CF2CF3, -CF2CF2CF3, 또는 -CF2CF2CF2CF3 이고,
[화학식32]
상기 화학식32에서, L1 은 단일결합, -O-, -CO-, -S-, -SO2-, -C(CH3)2-, -C(CF3)2-, -CONH-, -COO-, -(CH2)n1-, -O(CH2)n2O-, -OCH2-C(CH3)2-CH2O- 또는 -OCO(CH2)n3OCO-이고, 상기 n1, n2 및 n3는 각각 1 내지 10의 정수이고,
R1및 R2 는 서로 같거나 다를 수 있으며, 각각 수소, -CH3, -CH2CH3, -CH2CH2CH2CH3, -CF3, -CF2CF3, -CF2CF2CF3, 또는 -CF2CF2CF2CF3 이고,
[화학식33]
상기 화학식33에서, L2 및 L3는 서로 같거나 다를 수 있으며, 각각 단일결합, -O-, -CO-, -S-, -SO2-, -C(CH3)2-, -C(CF3)2-, -CONH-, -COO-, -(CH2)n1-, -O(CH2)n2O-, -OCH2-C(CH3)2-CH2O- 또는 -OCO(CH2)n3OCO-이고, 상기 n1, n2 및 n3는 각각 1 내지 10의 정수이고,
R1 , R2 및 R3 는 서로 같거나 다를 수 있으며, 각각 수소, -CH3, -CH2CH3, -CH2CH2CH2CH3, -CF3, -CF2CF3, -CF2CF2CF3, 또는 -CF2CF2CF2CF3 이고,
[화학식34]
상기 화학식34에서, L4, L5 및 L6는 서로 같거나 다를 수 있으며, 각각 단일결합, -O-, -CO-, -S-, -SO2-, -C(CH3)2-, -C(CF3)2-, -CONH-, -COO-, -(CH2)n1-, -O(CH2)n2O-, -OCH2-C(CH3)2-CH2O- 또는 -OCO(CH2)n3OCO-이고, 상기 n1, n2 및 n3는 각각 1 내지 10의 정수이고,
R1 , R2, R3 및 R4는 서로 같거나 다를 수 있으며, 각각 수소, -CH3, -CH2CH3, -CH2CH2CH2CH3, -CF3, -CF2CF3, -CF2CF2CF3, 또는 -CF2CF2CF2CF3 이고,
상기 화학식 31 내지 34에서, ‘*’은 결합점(bonding point)을 의미한다.
The method according to claim 1,
Wherein X is a divalent functional group selected from the group consisting of the following chemical formulas (31) to (34):
(31)
Wherein R 1 is selected from the group consisting of hydrogen, -CH 3 , -CH 2 CH 3 , -CH 2 CH 2 CH 2 CH 3 , -CF 3 , -CF 2 CF 3 , -CF 2 CF 2 CF 3 , CF 2 CF 2 CF 2 CF 3 ego,
(32)
Wherein L 1 is a single bond, -O-, -CO-, -S-, -SO 2 -, -C (CH 3 ) 2 -, -C (CF 3 ) 2 -, -CONH-, -COO-, - (CH 2) n1 -, -O (CH 2) and n2 O-, -OCH 2 -C (CH 3) 2 -CH 2 O- , or -OCO (CH 2) n3 OCO-, wherein n1, n2 and n3 are each an integer of 1 to 10,
R 1 and R 2, which may be the same or different, are each hydrogen, -CH 3 , -CH 2 CH 3 , -CH 2 CH 2 CH 2 CH 3 , -CF 3 , -CF 2 CF 3 , -CF 2 CF 2 CF 3 , or -CF 2 CF 2 CF 2 CF 3 ego,
(33)
L 2 and L 3 may be the same or different and each represents a single bond, -O-, -CO-, -S-, -SO 2 -, -C (CH 3 ) 2 -, -C (CF 3) 2 -, -CONH- , -COO-, - (CH 2) n1 -, -O (CH 2) n2 O-, -OCH 2 -C (CH 3) 2 -CH 2 O- or - a OCO (CH 2) n3 OCO-, and wherein n1, n2 and n3 is an integer from 1 to 10,
R 1 , R 2 and R 3 may be the same or different and are each hydrogen, -CH 3 , -CH 2 CH 3 , -CH 2 CH 2 CH 2 CH 3 , -CF 3 , -CF 2 CF 3 , - CF 2 CF 2 CF 3 , or -CF 2 CF 2 CF 2 CF 3 ego,
(34)
In the above formula (34), L 4 , L 5 And L 6 may be the same or different from each other, and respectively a single bond, -O-, -CO-, -S-, -SO 2 -, -C (CH 3) 2 -, -C (CF 3) 2 -, -CONH-, -COO-, - (CH 2 ) n1 -, -O (CH 2) n2 O-, -OCH 2 -C (CH 3) 2 -CH 2 O- , or -OCO (CH 2) n3 OCO -, n1, n2 and n3 are each an integer of 1 to 10,
R 1 , R 2 , R 3 and R 4 may be the same or different and are each hydrogen, -CH 3 , -CH 2 CH 3 , -CH 2 CH 2 CH 2 CH 3 , -CF 3 , -CF 2 CF 3 , -CF 2 CF 2 CF 3 , or -CF 2 CF 2 CF 2 CF 3 ego,
In the above Formulas 31 to 34, '*' means a bonding point.
상기 폴리이미드 수지는 상기 화학식1의 반복 단위 75 mol%이상 포함하는, 연성 금속 적층체.
The method according to claim 1,
Wherein the polyimide resin comprises at least 75 mol% of the repeating unit represented by the formula (1).
상기 폴리이미드 수지층에 포함되는 폴리이미드 수지는 3,000 내지 600,000의 중량평균분자량을 갖는, 연성 금속 적층체.
The method according to claim 1,
Wherein the polyimide resin contained in the polyimide resin layer has a weight average molecular weight of 3,000 to 600,000.
상기 폴리이미드 수지층은 0.1㎛ 내지 100㎛의 두께를 갖는, 연성 금속 적층체
The method according to claim 1,
Wherein the polyimide resin layer has a thickness of 0.1 mu m to 100 mu m,
상기 불소계 수지 입자는 폴리테트라 플루오로에틸렌(PTFE), 테트라플루오로에틸렌-퍼플루오로알킬비닐에테르 공중합체(PFA), 테트라플루오르에틸렌-헥사플루오르프로필렌 공중합체(FEP), 에틸렌-테트라플루오로에틸렌 코폴리머 수지(ETFE), 테트라플루오로에틸렌- 클로로트리플루오로에틸렌 공중합체(TFE/CTFE) 및 에틸렌-클로로트리플루오로에틸렌 수지(ECTFE)로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 화합물을 포함하는, 연성 금속 적층체.
The method according to claim 1,
The fluororesin particles may be selected from the group consisting of polytetrafluoroethylene (PTFE), tetrafluoroethylene-perfluoroalkylvinylether copolymer (PFA), tetrafluoroethylene-hexafluoropropylene copolymer (FEP), ethylene-tetrafluoroethylene And at least one compound selected from the group consisting of copolymer resin (ETFE), tetrafluoroethylene-chlorotrifluoroethylene copolymer (TFE / CTFE) and ethylene-chlorotrifluoroethylene resin (ECTFE) Metal laminate.
구리, 철, 니켈, 티타늄, 알루미늄, 은, 금 및 이들의 2종 이상의 합금으로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상을 포함한 금속 박막을 적어도 1개 이상 포함하는, 연성 금속 적층체.
The method according to claim 1,
And at least one metal thin film including at least one selected from the group consisting of copper, iron, nickel, titanium, aluminum, silver, gold, and two or more alloys thereof.
상기 금속 박막은 0.1㎛ 내지 50㎛의 두께를 갖는, 연성 금속 적층체.
14. The method of claim 13,
Wherein the metal thin film has a thickness of 0.1 占 퐉 to 50 占 퐉.
상기 폴리이미드 수지층의 적어도 1면에 형성된 열가소성 폴리이미드 수지층을 더 포함하는, 연성 금속 적층체.
The method according to claim 1,
And a thermoplastic polyimide resin layer formed on at least one side of the polyimide resin layer.
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