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KR101760792B1 - 터치 센서 내장형 평판표시장치 - Google Patents

터치 센서 내장형 평판표시장치 Download PDF

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KR101760792B1
KR101760792B1 KR1020100106735A KR20100106735A KR101760792B1 KR 101760792 B1 KR101760792 B1 KR 101760792B1 KR 1020100106735 A KR1020100106735 A KR 1020100106735A KR 20100106735 A KR20100106735 A KR 20100106735A KR 101760792 B1 KR101760792 B1 KR 101760792B1
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column spacer
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Abstract

본 발명의 실시예에 의한 터치 센서 내장형 평판표시장치는, 제 1 방향 및 제 2방향으로 교차 배열되는 복수의 게이트 배선들 및 데이터 배선들과, 상기 게이트 배선들 및 데이터 배선들에 의해 구획되는 영역에 형성되는 복수의 화소들이 형성되는 제 1기판과; 액정층을 사이에 두고 상기 제 1기판과 합착되는 제 2기판과; 상기 화소와 인접한 위치에 구비되어 제 1기판 및 제 2기판 사이에 형성되는 복수의 터치 센서가 포함되며, 상기 터치 센서는, 상기 제 2기판 상에 형성된 도전성 컬럼 스페이서와; 상기 도전성 컬럼 스페이서와 대응되는 제 1기판의 영역 상에 형성되는 반도체층 및 상기 반도체층 상부의 양측 끝단에 각각 소정 영역 중첩되도록 형성되는 제 1, 2전극이 포함되어 구성됨을 특징으로 한다.

Description

터치 센서 내장형 평판표시장치{Plat Panel Display having a Touch Sensor}
본 발명은 평판표시장치에 관한 것으로, 특히 터치 센서가 내장된 평판표시장치에 관한 것이다.
터치 스크린 패널은 영상표시장치 등의 화면에 나타난 지시 내용을 사람의 손 또는 물체로 선택하여 사용자의 명령을 입력할 수 있도록 한 입력장치이다.
이를 위해, 터치 스크린 패널은 영상표시장치의 전면(front face)에 구비되어 사람의 손 또는 물체에 직접 접촉된 접촉위치를 전기적 신호로 변환한다. 이에 따라, 접촉위치에서 선택된 지시 내용이 입력신호로 받아들여진다.
이와 같은 터치 스크린 패널은 키보드 및 마우스와 같이 영상표시장치에 연결되어 동작하는 별도의 입력장치를 대체할 수 있기 때문에 그 이용범위가 점차 확장되고 있는 추세이다.
터치 스크린 패널을 구현하는 방식으로는 저항막 방식, 광감지 방식 및 정전용량 방식 등이 알려져 있으며, 이 중 정전용량 방식의 터치 스크린 패널은, 사람의 손 또는 물체가 접촉될 때 도전성 감지패턴이 주변의 다른 감지패턴 또는 접지전극 등과 형성하는 정전용량의 변화를 감지함으로써, 접촉위치를 전기적 신호로 변환한다.
이와 같은 터치 스크린 패널은 일반적으로 액정표시장치, 유기전계 발광 표시장치와 같은 평판표시장치의 외면에 부착되어 제품화되는 경우가 많다.
그러나, 이와 같이 터치 스크린 패널의 평판표시장치의 외면에 부착되는 경우 터치 스크린 패널과 평판표시장치 사이의 점착층이 필요하고, 평판표시장치와는 별도로 터치 스크린 패널의 형성 공정이 요구되므로 공정 시간 및 공정 비용이 증가되는 단점이 있다.
또한, 상기 종래의 구조의 경우 터치 스크린 패널이 평판표시장치 외면에 부착됨에 의해 평판표시장치의 전체 두께가 증가되는 단점이 있다.
본 발명은 평판표시장치 내에 터치 센서를 내장함으로써, 터치 스크린 패널이 부착되는 추가 공정 없이 두께가 얇은 터치 센서 내장형 평판표시장치를 구현함을 그 목적으로 한다.
상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 실시예에 의한 터치 센서 내장형 평판표시장치는, 제 1 방향 및 제 2방향으로 교차 배열되는 복수의 게이트 배선들 및 데이터 배선들과, 상기 게이트 배선들 및 데이터 배선들에 의해 구획되는 영역에 형성되는 복수의 화소들이 형성되는 제 1기판과; 액정층을 사이에 두고 상기 제 1기판과 합착되는 제 2기판과; 상기 화소와 인접한 위치에 구비되어 제 1기판 및 제 2기판 사이에 형성되는 복수의 터치 센서가 포함되며, 상기 터치 센서는, 상기 제 2기판 상에 형성된 도전성 컬럼 스페이서와; 상기 도전성 컬럼 스페이서와 대응되는 제 1기판의 영역 상에 형성되는 반도체층 및 상기 반도체층 상부의 양측 끝단에 각각 소정 영역 중첩되도록 형성되는 제 1, 2전극이 포함되어 구성됨을 특징으로 한다.
또한, 상기 터치 센서는 상기 화소들을 구획하는 게이트 배선과 소정간격 이격되어 평행하게 배치되는 제 1센싱라인 및 상기 데이터 배선과 소정간격 이격되어 평행하게 배치되는 제 2센싱라인의 교차부에 형성된다.
또한, 상기 도전성 컬럼 스페이서는 돌출부와 상기 돌출부 외면에 형성되는 투명 도전성 물질로 구현된다.
또한, 상기 제 2기판은, 절연성 투명 기판 배면에 상기 제 1기판의 각 화소를 둘러싸는 영역과 대응되는 영역에 형성되는 격자 형상의 블랙매트릭스와; 상기 블랙매트릭스 내부에서 상기 각 화소에 대응되게 순차적으로 반복 배열된 컬러필터 패턴과; 상기 컬러필터 패턴 하부에 투명 도전성 물질로 구현되는 공통전극이 포함되어 구성된다.
또한, 상기 제 1기판과 제 2기판 사이에는 양 기판의 셀 갭을 유지하기 위한 스페이서가 배치된다.
또한, 상기 반도체층은 비정질 실리콘(a-Si) 또는 폴리 실리콘(Poly-Si)으로 형성된다.
또한, 상기 반도체층과 상기 제 1, 2전극이 중첩되는 영역에 오믹 콘택층이 형성된다.
또한, 상기 제 1전극은 상기 제 2센싱라인과 전기적으로 연결되며, 제 2전극은 제 1센싱라인과 전기적으로 연결된다.
또한, 상기 반도체층 하부에 제 3전극이 추가로 더 형성되고, 상기 제 3전극은 불투명 금속으로 구현되며, 상기 터치 센서 영역과 중첩되는 위치에 형성되며, 소정의 신호가 인가되지 않는 플로팅된 상태로 구현된다.
또한, 상기 제 2전극의 일측 상부에 도전성 패드가 추가로 더 형성되며, 상기 도전성 패드는 상기 제 2전극과 전기적으로 연결된다.
이와 같은 본 발명에 의하면, 평판표시장치 내에 터치 센서를 내장함으로써, 터치 스크린 패널이 부착되는 추가 공정 없이 두께가 얇은 터치 인식이 가능한 평판표시장치를 구현할 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시예에 의한 터치 센서 내장형 평판표시장치의 일 영역에 대한 단면도.
도 2는 도 1에 도시된 터치 센서 영역에 대한 평면도.
도 3은 본 발명의 제 1실시예에 의한 터치 센서의 구성을 나타내는 단면도.
도 4는 본 발명의 제 2실시예에 의한 터치 센서의 구성을 나타내는 단면도.
도 5는 본 발명의 제 3실시예에 의한 터치 센서의 구성을 나타내는 단면도.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 대해 보다 구체적으로 설명하도록 한다.
도 1은 본 발명의 실시예에 의한 터치 센서 내장형 평판표시장치의 일 영역에 대한 단면도이고, 도 2는 도 1에 도시된 터치 센서 영역에 대한 평면도이다.
단, 본 발명의 실시예에서는 평판표시장치가 액정표시장치로 구현됨을 그 예로 설명하나, 이는 하나의 실시예로서 반드시 이에 한정되는 것은 아니다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 본 발명의 실시예에 의한 터치 센서 내장형 평판표시장치는, 액정층(400)을 사이에 두고 어레이 기판으로서의 제 1기판(100)과 컬러필터 기판으로서의 제 2기판(200)이 대면 합착된 구성을 갖으며, 상기 제 1, 2기판(100, 200) 사이에 터치 센서(300)가 내장되어 구성됨을 특징으로 한다.
이중 하부의 제 1기판(100)은 절연성 투명 기판(10) 상부에 제 1 방향 및 제 2방향으로 교차 배열되는 다수의 게이트 배선(28)와 데이터 배선(62)을 포함하며, 상기 게이트 배선(28)과 데이터 배선(62)의 교차 지점에는 박막트랜지스터(TFT)가 구비되어 각 화소영역(P)에 형성된 화소전극(82)과 일대일 대응 접속되어 있다.
이 때, 상기 박막트랜지스터(TFT)는 상기 게이트 배선(28)와 연결되는 게이트 전극(26)과 상기 데이터 배선(62)와 연결되는 소스 전극 및 상기 소스 전극(65)과 소정간격 이격되어 형성되는 드레인 전극(66), 상기 게이트 전극(26)과 소스/드레인 전극 사이(65, 66)에 형성되는 반도체층(40)으로 구성된다. 여기서, 상기 반도체층(40)과 상기 소스/드레인 전극(65, 66)이 중첩되는 영역에는 오믹 콘택층(55, 56)이 형성된다.
또한, 상기 게이트 전극(26) 상부에는 게이트 절연막(30)이 형성되고, 소스/드레인 전극(33, 35) 상부에는 보호층(70)이 형성되어 있으며, 상기 보호층(70)은 드레인 전극(66)을 드러내는 콘택홀(78)이 구비된다.
또한, 상기 보호층(40) 상부에는 상기 화소전극(82)이 형성되어 있어, 상기 콘택홀(78)을 통해 상기 드레인 전극(66)과 연결된다.
또한, 상기 제 1기판(100)과 마주보는 상부의 제 2기판(200)은 절연성 투명 기판(110) 배면에 상기 게이트 배선, 데이터 배선 및 박막트랜지스터 등의 비표시영역을 가리도록 각 화소영역(P)을 둘러싸는 격자 형상의 블랙매트릭스(120)와, 상기 블랙매트릭스(120) 내부에서 각 화소영역(P)에 대응되게 순차적으로 반복 배열된 컬러필터 패턴(130)과, 컬러필터 패턴(130) 하부에 투명 도전성 물질로 구현되는 공통전극(150)이 형성되어 있다.
여기서, 상기 컬러필터 패턴(130)과 상기 공통전극(150) 사이에는 오버코트층(미도시)이 더 형성될 수 있다.
또한, 상기 제 1기판(100)과 제 2기판(200) 사이에는 양 기판의 셀 갭을 유지하기 위한 스페이서(145)가 배치된다. 본 발명의 실시예에서는 컬럼 스페이서가 배치되어 있으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 볼 스페이서가 배치될 수도 있다.
본 발명의 실시예에 의한 평판표시장치는, 상기 제 1, 2기판(100, 200) 사이에 터치 센서(300)가 내장되어 구성됨을 특징으로 하며, 상기 터치 센서는 도 1, 2에 도시된 바와 같이 화소 영역(P)의 일측에 형성된다.
즉, 도 1, 2에 도시된 바와 같이 상기 터치 센서(300)는 상기 화소 영역(P)을 구획하는 게이트 배선(28)과 소정간격 이격되어 평행하게 배치되는 제 1센싱라인(316) 및 상기 데이터 배선(62)과 소정간격 이격되어 평행하게 배치되는 제 2센싱라인(311)의 교차부에 형성된다.
또한, 상기 터치 센서(300)는 제 2기판(200) 상에 형성된 도전성 컬럼 스페이서(310)와, 상기 도전성 컬럼 스페이서(310)와 대응되는 제 1기판(100)의 영역 상에 형성되는 반도체층(318) 및 상기 반도체층 상부의 양측 끝단에 각각 소정 영역 중첩되도록 형성되는 제 1, 2전극(312, 314)으로 구성된다.
이 때, 상기 도전성 컬럼 스페이서(310)는 도 1에 도시된 바와 같이 블랙 매트릭스(120) 상에 형성된 돌출부(140) 외면에 상기 투명 도전성 물질로 구현되는 공통전극(150)이 형성됨으로써 구현된다.
여기서, 상기 돌출부(140)는 상기 스페이서(145)와 동일한 재질로 구현될 수 있는 것으로, 일 예로 감광성 수지로 형성될 수 있으며, 상기 돌출부(140)의 높이는 상기 스페이서(145)의 높이보다 작게 형성된다.
또한, 상기 제 1기판(100)의 터치 센서(300) 영역에 형성되는 반도체층(318)은 상기 화소영역(P)의 박막트랜지스터(TFT)에 구비되는 반도체층(40)과 동일층에 동일 공정으로 형성될 수 있다.
상기 반도체층(318)은 비정질 실리콘(a-Si) 또는 폴리 실리콘(Poly-Si) 등의 재질로 형성될 수 있으며, 본 발명의 실시예에서는 비정질 실리콘(a-Si)으로 형성됨을 그 예로 설명한다.
또한, 상기 반도체층(318) 상부의 양측 끝단에는 각각 소정 영역 중첩되고, 서로 이격되어 위치하는 제 1, 2전극(312, 314)이 형성되며, 상기 반도체층(318)과 상기 제 1, 2전극(312, 314)이 중첩되는 영역에는 오믹 콘택층(319)이 형성된다.
이 때, 상기 제 1전극(312)은 도 2에 도시된 바와 같이 상기 제 2센싱라인(311)과 전기적으로 연결되며, 제 2전극(314)은 제 1센싱라인(316)과 전기적으로 연결된다.
즉, 본 발명의 실시예의 경우 상기 제 1전극(312)은 제 2센싱라인(311)과 일체형으로 형성되고, 제 2전극(314)은 게이트 절연막(30)에 형성된 콘택홀(317)을 통해 상기 제 1센싱라인(316)과 접촉되도록 구현될 수 있다.
또한, 상기 터치 센서(300)는 3개의 단위 화소 즉, 1 도트 당 한 개씩 배치될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 상기 터치 센서(300)의 개수, 위치 및 형태는 다양하게 변형될 수 있다.
이와 같은 터치 센서(300)은 제 2기판(200) 상에 구비된 도전성 컬럼 스페이서(310)와 제 1기판(100) 상에 형성된 반도체층(318)이 소정 간격 이격된 채, 상호 대응되는 위치에 배치되는 것으로, 상기 도전성 컬럼 스페이서(310)과 상기 반도체층(318)과의 간극 변화에 따른 유전율의 변화를 감지하여, 터치 지점을 감지하게 된다.
즉, 사용자가 소정 위치를 터치하게 되면, 상기 위치에 대응되는 도전성 컬럼 스페이서(310)는 하방 즉, 상기 반도체층(318) 방향으로 힘을 받게 되어 상기 반도체층(318)과의 간격이 줄어들게 된다.
이와 같이 상기 간격이 줄어들면 도전성 컬럼 스페이서(310)에 인가되는 전압에 의해 반도체층(318) 내의 채널이 활성화되고, 상기 채널을 통해 상기 제 1, 2전극(312, 314) 간에 전류가 흐르게 되며, 이는 결과적으로 상기 터치 센서와 접속되는 제 1센싱라인(316)과 제 2센싱라인(311) 간에 전류가 흐르게 되므로, 터치 위치를 감지할 수 있게 되는 것이다.
이하, 도 3을 통해 본 발명의 실시예에 의한 터치 센서의 동작에 대해 보다 구체적으로 설명하도록 한다.
도 3은 본 발명의 제 1실시예에 의한 터치 센서의 구성을 나타내는 단면도이다.
단, 도 3에 도시된 터치 센서의 단면도는 앞서 도 1에 도시된 터치 센서의 구성과 동일하므로, 동일한 도면부호를 사용하며, 각 구성요소에 대한 설명은 생략하도록 한다.
도 3을 참조하면, 본 발명의 실시예에 의한 터치 센서의 구조는 앞서 도 1의 화소영역(P)에 구비되는 박막트랜지스터(TFT)와 비교할 때, 상기 박막트랜지스터(TFT)를 구성하는 게이트 전극(26)이 제거되고, 상기 게이트 전극(26)의 역할을 도전성 컬럼 스페이서(310)가 수행하는 점에서 그 차이가 있다.
따라서, 상기 터치 센서(300)의 경우 박막트랜지스터(TFT)의 게이트 절연막(30)은 보호층(70)과 액정층(400)으로 대체된다고 볼 수 있다.
즉, 상기 박막트랜지스터(TFT)는 게이트 전극(26)으로 소정의 전압이 인가됨에 의해 턴 온되는 것으로, 이 경우 상기 반도체층(40)의 채널이 활성화되어, 소스 전극(65)에서 드레인 전극(66)으로 전류가 흐르게 된다.
단, 상기 박막트랜지스터(TFT)의 경우 상기 게이트 전극(26)과 반도체층(40) 사이에 위치하는 게이트 절연막(30)은 고정된 두께로 형성되므로, 그 커패시턴스값과 유전율은 항상 일정하다.
반면, 상기 터치 센서(300)는 상기 도전성 컬럼 스페이서(310)에는 항상 또는 소정 주기로 일정한 전압(공통전압)이 인가되는 상태이나, 상기 게이트 절연막(30)과 동일한 역할을 하는 보호층(70)과 액정층(400)의 두께는 터치 정도에 따라 변하게 된다.
즉, 터치가 수행되지 않을 경우 상기 도전성 컬럼 스페이서(310)과 반도체층(318) 사이의 간격이 크므로, 도전성 컬럼 스페이서(310)에 전압이 인가되더라도 상기 반도체층(318)의 채널이 활성화되지 않는다.
다시 말하면, 터치가 수행되지 않을 경우 상기 도전성 컬럼 스페이서(310)과 반도체층(318) 사이의 간격이 크기 때문에, 그 사이에 위치하는 보호층(70)에 의한 커패시턴스(CPASSI)와 액정층(400)에 의한 커패시턴스(CLC)의 합 및 유전율 또한 충분히 커서, 상기 반도체층(318)의 채널이 활성화되지 않는다.
그러나, 사용자가 소정 위치를 터치하게 되면, 상기 위치에 대응되는 도전성 컬럼 스페이서(310)는 하방 즉, 상기 반도체층(318) 방향으로 힘을 받게 되어 상기 반도체층(318)과의 간격이 줄어들게 된다.
이와 같이 상기 간격이 줄어들면 그 사이에 위치하는 보호층(70)에 의한 커패시턴스(CPASSI)와 액정층(400)에 의한 커패시턴스(CLC)의 합 및 유전율 또한 작이지므로, 이 경우 상기 도전성 컬럼 스페이서(310)에 인가되는 전압에 의해 상기 반도체층(318)의 채널이 활성화된다.
이에 따라, 상기 채널을 통해 상기 제 1, 2전극(312, 314) 간에 전류가 흐르게 되며, 이는 결과적으로 상기 터치 센서와 접속되는 제 1센싱라인(316)과 제 2센싱라인(311) 간에 전류가 흐르게 되므로, 터치 위치를 감지할 수 있게 되는 것이다.
도 4는 본 발명의 제 2실시예에 의한 터치 센서의 구성을 나타내는 단면도이다.
단, 도 4에 도시된 실시예의 경우 도 3에 도시된 실시예와 동일한 구성요소에 대해서는 동일한 도면부호를 사용하며, 그에 대한 설명은 생략하도록 한다.
도 4를 참조하면, 본 발명의 제 2실시예에 의한 터치 센서(300')는 도 3에 도시된 터치 센서(300)와 비교할 때, 상기 반도체층(318) 하부에 플로팅된 제 3 전극(500)이 추가로 형성되는 점에서 그 차이가 있다.
상기 터치 센서(300')는 액정표시패널의 표시영역 상에 위치하므로, 상기 액정표시패널 하부 영역으로 백라이트 유닛에서 출사되는 광이 상기 터치 센서로 인가되는 것을 방지하는 것이 바람직하다.
이에 도 4에 도시된 실시예는, 불투명 금속으로 구현되는 제 3전극(500)을 상기 터치 센서(300') 영역과 중첩되도록 상기 반도체층(318) 하부에 형성함으로써, 상기 백라이트 유닛에 출사되는 광을 차단할 수 있다.
단, 상기 제 3전극(500)으로는 소정의 신호가 인가되지 않은 플로팅된 상태로 구현되므로, 상기 터치 센서(300')의 동작은 도 3에 도시된 실시예에 의한 터치 센서(300)의 동작과 동일하다.
도 5는 본 발명의 제 3실시예에 의한 터치 센서의 구성을 나타내는 단면도이다.
단, 도 5에 도시된 실시예의 경우 도 3에 도시된 실시예와 동일한 구성요소에 대해서는 동일한 도면부호를 사용하며, 그에 대한 설명은 생략하도록 한다.
도 5를 참조하면, 본 발명의 제 3실시예에 의한 터치 센서(300")는 도 3에 도시된 터치 센서(300)와 비교할 때, 상기 제 2전극(314)의 일측 상부에 도전성 패드(510)가 추가로 더 형성되는 점에서 그 차이가 있다.
즉, 도 5에 도시된 바와 같이 상기 제 2전극(314) 상에 형성된 보호층(70)의 일 영역에 콘택홀(512)이 형성되고, 상기 콘택홀 상에 도전성 패드(510)이 형성되어 상기 제 2전극(314)와 전기적으로 연결되는 구성을 갖는다.
또한, 이 경우 제 2기판(200)에 형성되는 도전성 컬럼 스페이서(310')의 경우 사용자에 의한 터치 발생시 상기 도전성 패드(510)와 직접 접촉될 수 있도록 도 3의 실시예에 의한 도전성 컬럼 스페이서(310)에 비해 보다 넓은 면적을 갖도록 구현된다.
이와 같은 본 발명의 제 3실시예에 의한 터치 센서(300")는, 앞서 도 3, 4에 도시된 터치 센서(300, 300')와 동일한 방식으로 터치 인식을 구현함과 함께, 사용자가 소정 위치를 터치함에 의해 발생되는 도전성 컬럼 스페이서(310')와 상기 도전성 패드(510)의 간극 변화에 따른 저항 변화를 감지하여 터치 인식을 구현함을 특징으로 한다.
여기서, 상기 저항 변화를 통해 터치 인식을 구현하는 것을 보다 구체적으로 설명하면, 상기 도전성 컬럼 스페이서(310')와 상기 도전성 패드(510) 간의 쇼트와 오픈이 발생하면서, 터치 센서(300")의 위치에서 저항의 변화가 생기며, 이에 따라 변화되는 전압을 감지하여 터치되는 지점을 감지함을 의미한다.
100: 제 1기판 200: 제 2기판
300, 300', 300": 터치 센서 310: 도전성 컬럼 스페이서
311: 제 2센싱라인 312: 제 1전극
314: 제 2전극 316: 제 1센싱라인
318: 반도체층 400: 액정층

Claims (13)

  1. 제 1 방향 및 제 2방향으로 교차 배열되는 복수의 게이트 배선들 및 데이터 배선들과, 상기 게이트 배선들 및 데이터 배선들에 의해 구획되는 영역에 형성되는 복수의 화소들이 형성되는 제 1기판과;
    액정층을 사이에 두고 상기 제 1기판과 합착되는 제 2기판과;
    상기 화소와 인접한 위치에 구비되어 제 1기판 및 제 2기판 사이에 형성되는 복수의 터치 센서가 포함되며,
    상기 터치 센서는,
    상기 제 2기판 상에 형성된 도전성 컬럼 스페이서와;
    상기 도전성 컬럼 스페이서와 대응되는 제 1기판의 영역 상에 형성되는 반도체층과;
    상기 반도체층 상부의 양측 끝단에 각각 소정 영역 중첩되도록 형성되는 제 1, 2전극과;
    상기 제2 전극의 상부에 배치되고, 상기 도전성 컬럼 스페이서에 하부로 힘이 작용하면, 상기 도전성 컬럼 스페이서에 접촉하는 도전성 패드를 포함하고,
    상기 터치 센서는 상기 도전성 컬럼 스페이서, 상기 반도체층 및 상기 제 1, 2전극으로 구성되는 박막 트랜지스터의 전류를 이용하여 터치 위치를 감지하고, 상기 도전성 컬럼 스페이서 및 상기 도전성 패턴 간의 쇼트 및 오픈에 의한 저항 변화에 따른 전압 변화를 감지하여 터치를 인식함을 특징으로 하는 터치 센서 내장형 평판표시장치.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 터치 센서는 상기 화소들을 구획하는 게이트 배선과 소정간격 이격되어 평행하게 배치되는 제 1센싱라인 및 상기 데이터 배선과 소정간격 이격되어 평행하게 배치되는 제 2센싱라인의 교차부에 형성됨을 특징으로 하는 터치 센서 내장형 평판표시장치.
  3. 제 1항에 있어서,
    상기 도전성 컬럼 스페이서는 돌출부와 상기 돌출부 외면에 형성되는 투명 도전성 물질로 구현됨을 특징으로 하는 터치 센서 내장형 평판표시장치.
  4. 제 1항에 있어서,
    상기 제 2기판은,
    절연성 투명 기판 배면에 상기 제 1기판의 각 화소를 둘러싸는 영역과 대응되는 영역에 형성되는 격자 형상의 블랙매트릭스와;
    상기 블랙매트릭스 내부에서 상기 각 화소에 대응되게 순차적으로 반복 배열된 컬러필터 패턴과;
    상기 컬러필터 패턴 하부에 투명 도전성 물질로 구현되는 공통전극이 포함되어 구성됨을 특징으로 하는 터치 센서 내장형 평판표시장치.
  5. 제 1항에 있어서,
    상기 제 1기판과 제 2기판 사이에는 양 기판의 셀 갭을 유지하기 위한 스페이서가 배치됨을 특징으로 하는 터치 센서 내장형 평판표시장치.
  6. 제 1항에 있어서,
    상기 반도체층은 비정질 실리콘(a-Si) 또는 폴리 실리콘(Poly-Si)으로 형성됨을 특징으로 하는 터치 센서 내장형 평판표시장치.
  7. 제 1항에 있어서,
    상기 반도체층과 상기 제 1, 2전극이 중첩되는 영역에 오믹 콘택층이 형성됨을 특징으로 하는 터치 센서 내장형 평판표시장치.
  8. 제 2항에 있어서,
    상기 제 1전극은 상기 제 2센싱라인과 전기적으로 연결되며, 제 2전극은 제 1센싱라인과 전기적으로 연결됨을 특징으로 하는 터치 센서 내장형 평판표시장치.
  9. 제 1항에 있어서,
    상기 반도체층 하부에 제 3전극이 추가로 더 형성됨을 특징으로 하는 터치 센서 내장형 평판표시장치.
  10. 제 9항에 있어서,
    상기 제 3전극은 불투명 금속으로 구현되며, 상기 터치 센서 영역과 중첩되는 위치에 형성됨을 특징으로 하는 터치 센서 내장형 평판표시장치.
  11. 제 9항에 있어서,
    상기 제 3전극은 소정의 신호가 인가되지 않는 플로팅된 상태로 구현됨을 특징으로 하는 터치 센서 내장형 평판표시장치.
  12. 삭제
  13. 제 1항에 있어서,
    상기 도전성 패드는 상기 제 2전극과 전기적으로 연결됨을 특징으로 하는 터치 센서 내장형 평판표시장치.
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